CN206127394U

CN206127394U - 沉积系统

Info

Publication number: CN206127394U
Application number: CN201390001122.1U
Authority: CN
Inventors: T·马克斯; R·E·玻恩弗洛恩德; Y·佩特雷蒂斯; J·黛尔
Original assignee: Flir Systems Inc
Current assignee: Teledyne Flir LLC
Priority date: 2012-12-27
Filing date: 2013-12-23
Publication date: 2017-04-26
Anticipated expiration: 2023-12-23
Also published as: US9822439B2; WO2014105872A3; US20150284838A1; WO2014105872A2

Abstract

披露了一种沉积系统，该沉积系统包括用于沉积工艺的处理室；处理室内的阴极，其构形成在靶附近引入溅射气体和反应气体；基底保持器，其与处理室内的阴极相对地布置，构形成固定基底以接收来自靶的沉积；和控制系统，其构形成在沉积工艺过程中监视靶电压并控制反应气体的流量以将靶电压维持在所需范围内。

Description

沉积系统

技术领域

本实用新型的一个或多个实施例总的涉及将薄膜沉积到基底上的工艺，更具体地涉及改进的沉积系统、方法和装置。

背景技术

在许多技术领域中，都在大量装置和更多部件的制造、精制和精加工中采用了薄膜工艺。例子来自于电子和电气设备、集成电路、微机械设备、物理、化学和生物传感器、光学部件、机械部件的领域和更多的应用领域。在许多这些和其他例子中，膜的沉积，例如厚度典型地为1μm或更少的薄膜通过沉积技术沉积，例如物理气相沉积工艺(PVD)。一种重要的物理气相沉积工艺是溅射沉积技术，其有时也被称为溅射法。

在溅射法中，高能粒子击中靶和物理地使原子移位。这些溅射原子迁移通过真空，并最终沉积在基底例如晶片上。

在反应溅射中，通过在靶材料和被引入真空室内的气体之间的化学反应形成膜，其被沉积在晶片上。通常利用反应溅射法制造氧化物膜和氮化物膜。

然而，一些反应沉积工艺具有窄的工艺窗口，其导致晶片均匀性差和可重复性问题(例如，对于例如用于微测辐射热计的制造的钒氧化物薄膜的沉积)。因此，需要提高晶片均匀性和可重复性的改进的沉积方法、系统和设备。

发明内容

本实用新型提供了根据一个或多个实施例的各种有利的沉积系统、装置和方法。例如，根据一个实施例，沉积系统包括用于沉积工艺的处理室；处理室内的阴极，其构形成在靶附近引入溅射气体和反应气体；基底保持器，其与处理室内的阴极相对地布置，构形成固定基底以接收来自靶的沉积；和控制系统，其构形成在沉积工艺过程中监视靶电压并控制反应气体的流量以将靶电压维持在所需范围内。在一个或多个实施例中，基底保持器和/或基底处于与阴极不同的电位。

其中，所述阴极构形成在所述沉积工艺过程中保持所述靶。

其中，所述控制系统提供闭环反馈控制。

其中，所述控制系统控制所述处理室中的所述反应气体的分压。

其中，沉积系统还包括板，其构形成调节所述靶和所述基底之间的距离。

其中，所述靶包括钒，所述溅射气体包括氩，且所述反应气体包括氧，其中所述阴极包括磁体，和其中所述控制系统向所述阴极施加直流脉冲电压。

其中，所述基底包括用于测辐射热计的红外传感器。

其中，所述基底保持器与所述处理室和所述基底保持器的周围屏蔽件电绝缘。

其中，所述基底保持器处于与所述阴极不同的电位，并且其中所述系统在所述沉积工艺中将所述基底的温度维持在小于150摄氏度。

其中，所述阴极包括接收溅射气体和反应气体的气体入口；和气体通道，其与气体入口操作地相关联以使溅射气体和反应气体分布在用于沉积工艺的靶的两个或更多侧表面(并且/或者沿着外边缘)和一中心表面处。

其中，所述气体入口包括中心气体入口和侧气体入口，并且其中所述阴极包括用于沉积工艺的溅射枪。

其中，所述气体通道包括中心气体通道和侧气体通道。

其中，所述阴极还包括在沉积工艺过程中固定靶的夹具和产生磁场的磁体。

其中，所述阴极还包括朝着所述靶改变气体方向的导流罩。

其中，所述溅射气体包括氩，且所述反应气体包括氧。

其中，所述靶包括钒和/或掺杂过渡金属的钒氧化物。

其中，所述阴极还包括磁体，并且其中所述阴极构形成响应于接收直流脉冲电压在所述靶处产生等离子体。

其中，所述溅射气体和所述反应气体作为混合物被引入到所述靶。

其中，至少一个气体入口还包括用于控制反应气体的流量的阀和/或控制器。

其中，沉积工艺的产物包括钒氧化物。

其中，所述产物包括钒氧化物(VO_x)，其中x在1至3的范围内；钒氧化物(V₂O_(5-y))，其中y在0至3的范围内；和/或掺杂钨的钒氧化物(W_xV _(2-x)O_(5-y))，其中x在0至1的范围内并且y在0至3的范围内。

根据本实用新型的又一个实施例，一种方法包括经由处理室内的阴极在靶附近引入溅射气体和反应气体，其中阴极极为接近靶；在靶处产生等离子体；激活靶，使得从靶发射粒子；从靶粒子与反应气体的反应形成产物；和使产物沉积在基底上。

本实用新型的范围由权利要求限定，其被并入本部分中作为参考。本实用新型实施例的更完全的理解以及其额外优点的实现将通过考虑下面对一个或多个实施例的详细描述而被提供给本领域技术人员。将会参考附图，其将首先被简要描述。

附图说明

图1表示根据本实用新型实施例的系统的框图。

图2表示根据本实用新型实施例的构形成调节靶和基底之间的距离的两个板。

图3表示流程图，其示出了根据本实用新型实施例的将膜沉积在基底上的方法。

图4表示根据本实用新型实施例的装置的横截面图。

图5表示根据本实用新型实施例的装置的顶视图。

图6表示根据本实用新型实施例的用于捕获图像的系统的框图。

通过参考下面的详细说明会最好地理解本实用新型的实施例及其优点，应该懂得，同样的附图标记用来表示在一个或多个图中所示的同样的元件。

具体实施方式

图1是根据本实用新型的系统100的一实施例的框图。系统100包括处理室105、阴极110、靶115、基底120、基底保持器125、泵130、溅射气体流量控制器135、反应气体流量控制器140、联合气体入口145和控制系统150。

处理室105包围靶115和基底120。靶115可以是适合用于溅射工艺中的任何金属。在一个实施例中，靶115包括过渡金属，如钒(V)、镍(Ni)、钨(W)、锰(Mn)、钛(Ti)、铬(Cr)、钼(Mo)、铌(Nb)和/或锆(Zr)。在一示例性实施例中，靶115包括钒(V)。在其他例子和实施例中，靶115包括成膜材料，如铝(Al)、铜(Cu)或硅(Si)。基底120可以是由绝缘的、半导体的、金属的或导电的材料制成的单晶或多晶的基底，其形状可以是圆形的或椭圆形的、矩形的、方形的或多边形的或任何其他所需形状的。圆形基底通常被称为晶片。基底的厚度可以在几微米至几毫米(例如，大约4mm)之间改变。

处理室105中的空气基本上被泵130排空以将处理室105的内部保持在所需的气氛中。在一个实施例中，处理室105是真空室。泵130可以是任何合适的泵，如真空泵，例如，涡轮泵，机械泵，和/或低温泵。通过将气体从处理室105抽出，泵130控制反应气体和溅射气体的分压，因此可以影响膜的均匀性。基于用于特定的所需应用的泵，处理室105中的每一种气体的分压可以改变。

溅射气体，如氩气，例如通过溅射气体入口供应到处理室105。溅射气体供应系统机械地耦联到溅射气体入口以给系统100供应溅射气体。反应气体，如氧气，也通过反应气体入口供应到处理室105。溅射气体和反应气体入口可以进一步包括控制和/或调节气体流量的部件。因此，气体入口可以包括可切换阀，可控制阀，和/或流量控制器。如图所示，溅射气体的流量由溅射气体流量控制器135控制，反应气体的流量由反应气体流量控制器140控制。这两种气体被供应到联合入口145以在靶115附近释放(例如，经由阴极110)。在不同的实施例中，两种气体被供应到各自的入口以释放到处理室105中(例如，经由阴极110)。

阴极110接收气体(例如，气体混合物)并使气体混合物的等离子体155分布在靶115附近。下面进一步提供阴极110的一个实施例的细节。在一个实施例中，等离子体155分布为极其接近靶115的两个或更多侧表面和一中心表面。

阴极110可以任选地包括磁体，其取向成在处理室105内产生磁场(直流磁控构形)。磁场用于在所需区域中，即在靶115前面，捕捉电子，从而产生高密度等离子体的区域。这种设置的最终结果是，更多的离子造成靶的更多溅射，这增加了沉积速率。

阴极110也可以任选地包括冷却机构用于在溅射过程中冷却靶115。可以驱散溅射过程中产生的热量；否则对于某些应用，它可能损坏靶115和阴极110的其他部件。

如图所示，靶115安装在阴极110上。为了产生等离子体，系统100例如可以包括能给阴极110提供直流电压、交流电压或直流脉冲电压的电压源。在一个实施例中，控制系统150包括向阴极110提供电压的电源。在向阴极110施加直流电压的情况下，溅射工艺被称为直流溅射沉积工艺。在RF(射频)溅射中，RF场用来产生等离子体。在直流脉冲电压溅射中，直流电压被施加到阴极110，其中在沉积周期期间发生反极性脉冲以消除靶115上的局部充电。

一旦生成等离子体，正溅射气体离子轰击靶115并喷射靶原子。靶原子与反应气体反应以形成反应产物，例如，金属氧化物或金属氮化物。在示例性的实施例中，反应产物包括五氧化二钒。反应产物从靶115移动到安装在基底保持器125上的基底120，并在基底120上形成薄膜。反应可以发生在靶115处，基底110处，或被溅射的材料在处理室105内的输送过程中。

在一实施例中，基底保持器125与室105和相关结构电绝缘，如(例如，与基底保持器125横向相邻的和/或否则相对于基底保持器125放置的)室屏蔽件或周围屏蔽件，如本领域普通技术人员将会懂得的。在一实施例中，基底120的温度在沉积工艺中维持在小于150°。

控制系统150构形成监视一个或多个沉积系统变量并调整至少一个系统变量以保持变量便于沉积。控制系统150可以包括一个或多个控制计算机(例如，一个或多个可编程的逻辑控制器(PLC)和/或其他类型的逻辑装置)以分析、控制和响应与沉积工艺有关的数据。控制系统150可以储存数据以供以后使用或分析，并且控制系统150也可以执行所需的简单或复杂的计算，以便于监视和/或控制沉积工艺。此外，控制系统150可以构形成控制系统100的一个或多个部件。控制系统150可以构形成接收一个或多个指示沉积工艺变量的信号，这些信号可以包括指示室压力、气体分压、温度、电压水平(和/或电流)、气体流量、气体浓度和/或处理室105内的任何其他环境条件的数据。此外，控制系统150可以构形成基于一个或多个变量实现沉积工艺中的变化。在一个实施例中，控制系统150可以基于系统100的输出提供闭环反馈控制。

反应溅射工艺中的一个问题是靶中毒。在反应溅射中，通过靶材料和被引入室中的气体之间的化学反应形成沉积的膜。膜的成分可以通过改变溅射和反应气体的相对压力来控制。

当反应气体不仅与从靶溅射的粒子反应，而且还与靶表面反应时，会发生靶中毒。当靶上的反应发生时，靶的行为从代表最初的靶变成更多地代表在反应中形成的化合物。

在图1所示的实施例中，控制系统150构形成接收来自靶115的电压和/或电流。靶115处的电压产生与靶115中的靶中毒水平相关的数据，例如靶115处的氧化量。电压作为输入信号供应到控制系统150，并且控制系统150将信号处理成调节信号。调节信号例如又供应到反应气体流量控制器140以调节反应气体的流量和/或供应到溅射气体流量控制器135以调节溅射气体的流量。在各种实施例中，靶电压/电流监视器和/或等离子体发射光谱分析仪(PESA)连接到控制系统150(或其一部分)以容许来自监视器和/或PSA的反馈，以控制反应气体流量控制器140和/或溅射气体流量控制器135。因而根据所需的靶电压范围计量反应气体和/或溅射气体的流量，其可以提供用于帮助提供均匀沉积的反馈。

在另一个实施例中，控制系统150监视反应气体的分压以产生用于调节反应气体控制器140和/或溅射气体流量控制器135的信号，以相对于处理室105中的惰性气氛维持反应气体和/或溅射气体的恒定的分压。在一个实施例中，沉积速率监视器和/或残余气体分析仪(RFA)连接到控制系统150(或其一部分)以容许来自监视器和/或RFA的反馈。

可以控制靶115和基底120之间的距离，例如，其可以改进膜的均匀性。在一个实施例中，图2中所示的板210和220用于控制该距离。可以根据所需应用的特定均匀性需求调节所述板以更改距离。在各种实施例中，板210、220之间的距离例如为大约40毫米至125毫米(例如，具有13毫米的增量)。

根据一实施例，图3表示流程图，其示出了沉积工艺的方法300，该方法可以提供更均匀的溅射膜。可以利用不同的工艺变量在基底的不同点获得不同的均匀性，如本申请中披露的。

在块302，提供处理室。在块304，在所述室内和在极为接近靶处提供阴极。在一个实施例中，靶安装在阴极上。

在块306，将溅射气体和反应气体引入所述室内并使其靠近靶。在一个实施例中，在溅射气体和反应气体被引入所述室内之前将它们混合在一起。在另一个实施例中，它们被单独引入(例如在阴极110之前)。典型的溅射气体是惰性气体，包括氩(Ar)、氖(Ne)、氪(Kr)、氙(Xe)以及它们的混合物。反应气体的例子包括氧气(O₂)或氮气(N₂)气体。控制反应气体以使得它被引入到靶115附近将靶原子与反应气体的反应限制在极为接近靶的区域。反应气体的这个位置提供了反应溅射沉积的改进的控制和重复性，这可以导致更均匀的膜。

在块308，产生靶处的等离子体。等离子体是部分电离的气体，其由带正电的粒子(阳离子)、带负电的粒子(电子和阴离子)和中性粒子组成。在直流二极管溅射工艺中，气体的电离通常发生在阴极和阳极之间，其中电压被跨越溅射气体输送以形成等离子体。阴极，其是电子发射器，通常装有靶材料。阳极，其是电子接收器，通常是室壁或基底。靶/阴极和阳极之间的强电场使溅射气体电离以形成等离子体。在某些实施例中，在沉积工艺期间通过反馈回路控制靶处的电压。备选地，在RF溅射中，使用和控制RF场以产生等离子体。

在块310，靶被等离子体激活，其导致粒子被从靶发射。使在等离子体中产生的粒子朝着靶加速。粒子使(溅射)原子从靶物理地移位。然后在块312，溅射原子与反应气体反应，并且反应产物迁移到基底表面。

在块314，反应产物在基底表面上凝结并形成薄膜。基底通常相对于靶移动以使得基底可以被反应产物完全覆盖。然后可以通过泵从室中除去任何多余的材料。

在一个实施例中，反应产物包括钒氧化物。钒表现出多个氧化态。例如，反应产物可能形成VOx基膜，其中x从1-3变化，1.8是典型的值，或者反应产物可以包括V₂O_(5-y)，其中y在0和3之间。在另一个实施例中，反应产物形成掺杂过渡金属的钒氧化物膜，如掺杂钨的膜W_(x)V_(2-x)O_(5-y)，其中x是从0-1，并且y是从0-3。膜还可以反应性地沉积。

注意，在方法300之前、期间和之后可以提供额外的工艺，一些其他工艺可能在本申请中仅被简要地描述。

现在参考图4，示出了根据本实用新型的阴极400的一个实施例的图。阴极400包括气体入口405、410，气体通道415、420，靶425，中心导流罩430，和侧导流罩440。气体入口405、410与气体通道415、420操作地关联以将溅射气体和反应气体输送到靶425的侧表面和中心表面附近。导流罩430、440改变气体方向以使得它停留在极为接近靶425之处。

气体入口405、410机械地耦联到溅射气体源和/或反应气体源。气体入口405、410可以接收单独的气体或气体混合物。例如，中心气体入口 405和侧气体入口410可以构形成接收反应气体或溅射气体或反应气体和溅射气体混合物。应该懂得，虽然仅仅显示了三个气体入口，但可以将多于三个入口并入到阴极400中且其在不同于图4中所示的位置处。

气体通道415、420与气体入口405、410操作地关联，并且使溅射气体和反应气体分布到靶425。靶425可以被夹具保持在合适位置中。如图4中所示，中心气体通道415接收来自中心气体入口405的气体并将气体输送至靶425的中心表面。中心导流罩430和侧导流罩440防止气体移动得太远离靶425，并改变气流方向使其朝向靶425。侧气体通道420接收来自侧气体入口410的气体，并将气体输送到靶425的侧表面。图4中的箭头表示气体的运动。以这种方式，气体和等离子体保持在靶425附近，并且靶粒子与气体的反应被限制到靶425。

图5示出了阴极500的顶视图，例如，阴极110和/或阴极400的实施例。示出了气体入口405、410，以及水管450。水管450使水在阴极500周围循环以除去热。还示出了板210。

在示例性的实施例中，沉积的膜被用作测辐射热计中的有源传感器材料。沉积的膜可以是温度敏感型电阻材料，如钒氧化物，其用于检测红外辐射。测辐射热计的工作原理是，测辐射热计材料的电阻相对于测辐射热计的温度而变化，测辐射热计的温度又响应于吸收的入射红外辐射的量而变化。可以利用这些特性，通过检测最终得到的其电阻的变化而测量测热辐射计上的入射红外辐射。当用作红外探测器时，测辐射热计一般与其支撑基底或环境热绝缘以容许吸收的入射红外辐射在测辐射热计材料中产生温度变化。

通过构造涂覆有薄膜的密集空气桥结构的二维阵列，微测辐射热计阵列通常被制造在单片式硅基底或集成电路上。空气桥结构提供了微测辐射热探测器和硅基底之间的热绝缘。

在每个微测辐射热计充当阵列内的一像素的情况下，通过将每个微测辐射热计的电阻变化转化为时间多工电信号，可以产生代表入射辐射的二维图像或图片，时间多工电信号可以显示在监视器上或存储在存储器中。用于执行这个转化的电路通常被称为读出集成电路(ROIC)，并且可以被制造为硅基底中的集成电路。然后可以将微测辐射热计阵列制造在ROIC的顶部上。ROIC和微测辐射热计阵列的组合通常被称为微测辐射热计红外焦平面阵列(FPA)。

现在参考图6，示出了框图，其表示根据一个或多个实施例的用于捕获图像并进行处理的系统600(例如，红外相机)。在一个实施方式中，系统600包括处理部件610、存储部件620、图像捕获部件630、控制部件640和/或显示部件650。系统600可以进一步包括传感部件660。

系统600例如可以表现为捕获和处理图像，如场景670的视频图像，的红外成像装置。系统600可以表现为适合检测红外辐射并提供代表性数据和信息(例如，场景的红外图像数据)的任何类型的红外相机，或可以更一般地表现为任何类型的光电传感器系统。在一个例子中，系统600可以表现为红外相机，双波段成像器，如用来感测反射的可见光和/或用于高分辨率图像的SWIR光和用于热成像的LWIR辐射的夜视成像器，或用于同时感测短波和长波辐射以提供独立的图像信息的成像器。系统600可以包括便携式装置并且例如可以并入到需要存储和/或显示红外图像的车辆(例如，汽车或其他类型的陆基车辆，飞机，海洋船舶，或宇宙飞船)或非移动设施中，并且可以包括分布式网络系统。

在各种实施例中，处理部件610可以包括任何类型的处理器或逻辑装置(例如，构形成执行处理功能的可编程逻辑装置(PLD))。处理部件610可以适合于与部件620、630、640和650连接和通信以执行方法和处理步骤和/或操作，如本申请中描述的，其包括本领域技术人员将会懂得的常规系统处理功能。

在一个实施例中，存储部件620包括一个或多个存储装置，其适合存储数据和信息，包括例如红外数据和信息。存储装置620可以包括一个或多个不同类型的存储装置，其包括易失性和非易失性存储装置，和/或机器可读的介质，其能以机器可读的格式存储数据。处理部件610可以适合于执行存储在存储部件620中的软件，以便执行本申请中描述的方法和工艺步骤和/或操作。

在一个实施例中，图像捕获部件630包括任何类型的图像传感器，例如一个或多个红外传感器(例如，任何类型的多像素红外探测器，如微测辐射热探测器和焦平面阵列)用于捕获代表图像如场景670的红外图像数据(例如，静止的图像数据和/或视频数据)。在示例性的实施例中，图像捕获部件630包括通过本申请中描述的方法、系统和/或装置沉积的钒氧化物膜。在一个实施方式中，图像捕获部件630的红外传感器用于将拍摄的图像数据表现(例如，转变)为数字数据(例如，通过模数转换器，其被包含为红外传感器的一部分或与红外传感器分离作为系统700的一部分)。在一个方面中，红外图像数据(例如，红外视频数据)可以包括图像如场景670的非均匀数据(例如，真实图像数据)。处理部件610可以适合于处理红外图像数据(例如，以提供处理后的图像数据)，将红外图像数据存储在存储部件620中，和/或从存储部件620取回存储的红外图像数据。例如，处理部件610可以适合于处理存储在存储部件620中的红外图像数据以提供处理后的图像数据和信息(例如，捕获的和/或处理后的红外图像数据)。

在一个实施例中，控制部件640包括用户输入和/或接口装置。例如，用户输入和/或接口装置可以表现为可旋转的旋钮(例如，电位器)、按钮、滑杆、键盘等等，其适合于产生用户输入控制信号。处理部件610可以适合于检测经由控制部件640来自用户的控制输入信号，并对从其接收到的任何检测到的控制输入信号作出响应。处理部件610可以适合于将这种控制输入信号解释为参数值，如本领域技术人员一般懂得的。

在一个实施例中，控制部件640可以包括控制单元(例如，有线或无线手持控制单元)，其具有适合于与用户通过界面联系并接收用户输入控制值的按钮。在一个实施方式中，控制单元的按钮可以用来控制系统600的各种功能，如自动对焦、菜单启用和选择、视野、亮度、对比度、噪声过滤、高通滤波、低通滤波和/或各种其他特性，如本领域技术人员懂得的。

在一个实施例中，显示部件650包括图像显示装置(例如，液晶显示器(LCD)或各种其他类型的一般已知的视频显示器或监视器)。处理部件610可以适合于在显示部件650上显示图像数据和信息，处理部件610可以适合于从存储部件620取回图像数据和信息并在显示部件650上显示任何取回的图像数据和信息。显示部件650可以包括显示电子设备，其可以被处理部件610使用以显示图像数据和信息(例如，红外图像)。显示部件650可以适合于经由处理部件610从图像捕获部件630直接接收图像数据和信息，或可以经由处理部件610从存储部件620传输图像数据和信息。

在一个实施例中，取决于应用或实施要求，传感部件660包括一个或多个不同类型的传感器，如本领域技术人员将会懂得的。可选的传感部件660的传感器至少向处理部件610提供数据和/或信息。在一个方面中，处理部件610可以适合于与传感部件660通信(例如，通过从传感部件660接收传感器信息)和与图像捕获部件630通信(例如，通过从图像捕获部件630接收数据和信息和向系统600的一个或多个其他部件提供命令、控制信号和/或其他信息和/或从系统600的一个或多个其他部件接收命令、控制信号和/或其他信息)。

在各种实施方式中，传感部件660可以提供关于环境条件的信息，如外界温度、光照条件(例如，白天、夜晚、黄昏和/或黎明)、湿度水平、特定天气条件(例如，晴、雨和/或雪)、距离(例如，激光测距仪)和/或是否已经进入或退出隧道或其他类型的被包围环境。传感部件660可以表现为本领域技术人员一般已知的传统传感器，以监视可能对由图像捕获部件630提供的数据(例如，对图像外观)具有影响的各种条件(例如，环境条件)。

在某些实施方式中，可选的传感部件660(例如，一个或多个传感器)可以包括经由有线和/或无线通信将信息分程传送到处理部件610的装置。例如，可选的传感部件660可以适合于通过本地广播(例如，RF)传输，通过移动或蜂窝网络和/或通过基础设施(例如，运输或公路信息信标基础设施)中的信息信标，或各种其他有线和/或无线技术，接收来自卫星的信息。

在各种实施方式中，根据需要或取决于应用或要求，系统600的部件可以组合和/或实施或不实施，其中系统600表现为相关系统的各种功能块。在一个例子中，处理部件610可以与存储部件620、图像捕获部件630、显示部件650和/或可选的传感部件660结合。在另一个例子中，处理部件610可以与图像捕获部件630结合，仅仅处理部件610的某些功能由图像捕获部件630内的电路(例如，处理器、微处理器、逻辑装置、微控制器等等)执行。此外，系统600的各种部件可以彼此远离(例如，图像捕获部件630可以包括远程传感器，处理部件610等等表现为可以或不可以与图像捕获部件630通信的计算机)。

考虑到本实用新型，将会懂得在本申请中阐明的装置、系统和方法有利地可以提供具有提高的均匀性和再现性的用于微测辐射热探测器的膜。注入到等离子体中的气体的混合物可以导致在极其靠近靶处或在靶上形成合金，这可以效果显著地提供更好的均匀性和方法的控制。

应该懂得，本披露内容提供了许多不同的实施例，或例子，用于实现本实用新型的不同特性。本申请中描述了部件和布置的具体实例以简化本实用新型。当然，这些仅仅是例子，而不是限制。出于简单和清楚的原因，各种特征可能被任意地以不同比例绘制。

上面描述的实施例是说明而非限制本实用新型的。还应该懂得，根据本实用新型的原理，许多修改和变化是可能的。因此，披露的范围仅由下面的权利要求限定。

Claims

1.一种沉积系统，其特征在于，包括:

用于沉积工艺的处理室；

所述处理室内的阴极，其构形成在靶附近引入溅射气体和反应气体；

基底保持器，其与所述处理室内的所述阴极相对地布置，构形成固定基底以接收来自所述靶的沉积；和

控制系统，其构形成在所述沉积工艺过程中监视靶电压并控制所述反应气体的流量以将所述靶电压维持在所需范围内。

2.根据权利要求1所述的沉积系统，其特征在于，所述阴极构形成在所述沉积工艺过程中保持所述靶。

3.根据权利要求1所述的沉积系统，其特征在于，所述控制系统提供闭环反馈控制。

4.根据权利要求1所述的沉积系统，其特征在于，所述控制系统控制所述处理室中的所述反应气体的分压。

5.根据权利要求1所述的沉积系统，其特征在于，还包括板，其构形成调节所述靶和所述基底之间的距离。

6.根据权利要求1所述的沉积系统，其特征在于，所述靶包括钒，所述溅射气体包括氩，且所述反应气体包括氧，其中所述阴极包括磁体，和其中所述控制系统向所述阴极施加直流脉冲电压。

7.根据权利要求6所述的沉积系统，其特征在于，所述基底包括用于测辐射热计的红外传感器。

8.根据权利要求1所述的沉积系统，其特征在于，所述基底保持器与所述处理室和所述基底保持器的周围屏蔽件电绝缘。

9.根据权利要求1所述的沉积系统，其特征在于，所述基底保持器处于与所述阴极不同的电位，并且其中所述沉积系统在所述沉积工艺中将所述基底的温度维持在小于150摄氏度。

10.根据权利要求1所述的沉积系统，其特征在于，所述阴极包括：

接收溅射气体和反应气体的气体入口；和

气体通道，其与所述气体入口操作地相关联以使所述溅射气体和所述反应气体分布在用于沉积工艺的靶的两个或更多侧表面和一中心表面处。

11.根据权利要求10所述的沉积系统，其特征在于，所述气体入口包括中心气体入口和侧气体入口，并且其中所述阴极包括用于沉积工艺的溅射枪。

12.根据权利要求11所述的沉积系统，其特征在于，所述气体通道包括中心气体通道和侧气体通道。

13.根据权利要求10所述的沉积系统，其特征在于，所述阴极还包括在沉积工艺过程中固定靶的夹具和产生磁场的磁体。

14.根据权利要求10所述的沉积系统，其特征在于，所述阴极还包括朝着所述靶改变气体方向的导流罩。

15.根据权利要求10所述的沉积系统，其特征在于，所述溅射气体包括氩，且所述反应气体包括氧。

16.根据权利要求15所述的沉积系统，其特征在于，所述靶包括钒和/或掺杂过渡金属的钒氧化物。

17.根据权利要求10所述的沉积系统，其特征在于，所述阴极还包括磁体，并且其中所述阴极构形成响应于接收直流脉冲电压在所述靶处产生等离子体。

18.根据权利要求10所述的沉积系统，其特征在于，所述溅射气体和所述反应气体作为混合物被引入到所述靶。

19.根据权利要求10所述的沉积系统，其特征在于，至少一个气体入口还包括用于控制反应气体的流量的阀和/或控制器。

20.根据权利要求10所述的沉积系统，其特征在于，沉积工艺的产物包括钒氧化物。