KR100239818B1 - 기초재의 반응코팅을 위한 방법과 장치 - Google Patents

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Abstract

스퍼터링된 타겟트와 전기적으로 함께 작용하고 진공될 수 있는 코팅 챔버에 배열된 자석들에 연결된 음극에 접속되는 교류전원으로 구성되고 코팅 챔버에 프로세스 가스 예를 들면 아르곤과 산소 같은 반응 가스를 투여할 수 있는 이산화규소와 같은 절연물에 의한 기판의 반응 코팅장치에 있어서, 공정을 안정적으로 유지시키고 단단한 절연피막을 만들기 위해 교류전원의 접지 안 된 두 출력점을 타겟트를 지지하는 음극에 연결시킨다. 코팅실에 있는 두 음극은 기판와 같은 간격을 두고 마주한 진공 챔버에 나란히 설치된다.

Description

기판의 반응코팅을 위한 장치{APPARATUS FOR THE REACTIVE COATING OF A SUBSTRATE}
도1은 2개의 자전관 스퍼터링 음극을 가진 스퍼터링 장치의 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1, 1', 1" : 기판 2, 2', 2" : 피막(coat)
3, 3a : 타겟트 4 : 격판(diaphragm)
5, 5a : 음극 6 : 슬릿트
7 : 냉각관 8, 9 : 도선(conductor)
10 : 교류전원(공급장치) 11, 11a : 음극모체
11b, 11c : 자석 요오크 12, 13 : 접점(junction)
14, 17, 21, 30 : 도선(conduction)
15, 15a : 코팅 챔버 16 : 제어기
18 : 제어밸브 19, 19a, 19b, 19c, 19d, 19e : 자석
20 : 전압계 22 : 반응가스 탱크
23 : 불활성 가스탱크 24 : 분배관
25 : 2차 변압기 코일 26 : 진공실
27 : 기판 캐리어 28 : 유속 제어기
본 발명은 예를 들면, 이산화규소와 같은 절연 물질로 된 기판의 반응 코팅을 위한 장치에 관한 것이다. 본 발명은 교류 전원을 포함하여 구성되는데 이 교류전원은 진공 코팅 챔버 안에 설치된 전극과 연결되고, 이어 이 전극은 스퍼터링 될 타겟트와 전기적으로 연결된다. 여기서 스퍼터링 된 파티클이 기판에 증착되는데 그 동안 코팅 챔버에는 프로세스 가스와 반응가스가 공급된다.
반응가스와 친화력이 좋은 물질이나 음극 스퍼터링에 의한 기존의 기판 코팅방법에는 기판 자체는 차치하고라도, 공정 챔버의 내벽, 격판 혹은 타겟트의 일부 표면과 같은 장치의 일부가 전도성이 불량한 혹은 부도성의 물질에 의해 코팅되는 문제가 있었다. 이로 인해 자주 프로세스의 파라미터 변경이 일어나고 특히 전기적인 섬락(electrically arcing)이 발생하여 공정을 자주 중단시킬뿐 아니라 자주 장치를 청소하거나 장치의 일부를 교환해야만 했다.
무선 주파수, 바람직하게는 13.56 MHz에서 작동하는 스퍼터링 장치는 이미 공고되었다(U.S.Pat.No.3,860,507). 이 장치는 공정 챔버 안에 2개의 타겟트가 정반대로 마주 보게 설치되며, 이들 타겟트는 전극을 경유하여 교류변압기 2차코일의 두 출력선에 연결되고, 이 2차코일은 중앙에는 탭(tap)이 설치되는데, 두 타겟트 사이에서 글로 방전(glow discharge)을 형성하는 형태로, 공정 챔버의 벽과 전기적으로 연결된다.
또한 플라즈마로부터 얻어지는 물질로 기판을 코팅하는 장치 역시 공고되었다(DE-OS 38 02 852). 이 장치에서는 기판이 제1전극과 제2전극 사이에 놓이고, 제1전극은 교류전원의 제1접점에, 제2전극은 교류전원의 제2접점에 위치한다. 이 경우 교류전원은 안전가스 용접장치(a shielded arc welding unit) 혹은 이와 유사하게 제어되는 교류공급장치로부터 공급되는 분산전장변압기(a spray field transformer)로서 구성된다. 아울러 두 전극은 선택적으로 직류 전원과도 연결될 수 있다.
마지막으로 자기시스템과 그 위에 배열된 최소한 2개의 전극으로 구성된 스퍼터링 장치가 공고되었다(DD 252 205 A1). 이들 전극은 스퍼터링할 재료로 구성되며, 가스 방전시 음극 혹은 양극으로 기능할 수 있도록 전환될 수 있다. 이들 전극은 또한 주로 50Hz의 사인파장(sinusoidal)의 교류전압에 연결된다. 또한 각 전극은 독립 자기 시스템과 연결되는데 하나의 자기시스템의 한쪽 자극은 동시에 인접자기시스템의 자극이 되며, 이들 전극은 하나의 평면 안에 배열된다.
본 발명의 목적은 반응가스와 친화력이 좋은 물질을 스퍼터링하기 위한 장치를 제작하는데 있다. 본 장치는 균일하고 안정적인 공정을 유지할 수 있고, 장시간의 가동기간 중에도 고장 없이 특히, 섬락 없이 작동하며, 이러한 점들은 SiO2, Al2O3, 산화-NiSi2, TiO2, ZrO2, ZnO, SnO2, Si3N4와 같은 기판 위에 단단히 부착되어야 할 절연 피막을 코팅할 경우에 효과적이다.
이러한 목적은 본 발명에 따라 스퍼터링 챔버에 의해 분리되고 또한 전기적으로 분리되지만 상호 인접한 전극들에 의해 달성된다. 이들 전극은 자전관 음극으로서 구성되며 이 음극본체와 타겟트 물질은 접지되지 않은 교류전원의 출력선과 전기적으로 연결된다. 이를 위해 전류공급 장치는 예를 들면, 변압기 2차코일의 양단으로 만들어진 두 접점을 가진다.
본 발명은 아주 다양한 실시형태를 제공한다. 이 중 한 실시예가 첨부된 도면에 따라 설명되는데, 도면은 2개의 자전관 스퍼터링 음극이 있는 스퍼터링 장치의 단면도이다.
도면에는 산소화합물(예를 들면 이산화규소 혹은 산화알루미늄)로 이루어진 얇은 피막층(2, 2', 2")이 코팅되어야 할 기판(1, 1', 1")이 도시된다. 이 기판(1, 1', 1")을 마주하고 스퍼터링 될 타겟트(3, 3a)가 A1, A2와 같이 떨어져 놓인다. 각 타겟트(3, 3a)는 각각 3개의 자석(19, 19a, 19b 및 19c, 19d, 19e)을 갖춘 자석 요오크(11b, 11c)가 삽입되는 음극 본체(11, 11a)에 연결된다. 이들 타겟트는 Al, Si, Ti, Ta, Zn, Sn, Zr 또는 이들의 혼합에 의하여 만들어진다. 또한 피막층(2, 2', 2")은 상기 타겟트 재료에 대응하여 산소 또는 질소 첨가 하에 Al2O3, AlN, SiO2, Si3N4, Si-OxNy, TiO2, Ta2O5, SnO2, ZnO 또는 ZrO2로서 스퍼터링되어 증착된다.
타겟트(3, 3a)로 향한 6개 자석의 양극의 자극은 서로 엇갈리기 때문에, 2개의 바깥쪽 자석(19, 19b 혹은 19c, 19e)의 S극은 안쪽 자석(19a 혹은 19d)의 N극과 함께 타겟트(3, 3a)를 관통하는 대략 원형의 궁형과 같은 자장을 발생시킨다. 이러한 자장이 타겟트 전면에 플라즈마를 밀집시키기 때문에 자장 곡선의 최고점에서 플라즈마는 최대의 밀도를 가진다. 플라즈마 내의 이온들은 전원(10)으로부터 공급되는 교류전압에 의해서 생기는 전장에 의해 가속된다. 각각의 타겟트 (3)(3a)와 연결된 인접 자전관 음극(5)(5a)은 100°에서 180°(도면에서는 180°로 도시됨)의 각으로 밀폐된다.
이 교류전원(10)에는, 2차 변압기 코일(25)의 양단에 의해 만들어지되 두 음극(5)(5a)에 연결되는 두 접점(12)(13)이 있다. 2차 변압기 코일의 두 도선(8)(9)이 이 두 타겟트(3)(3a)와 각각 연결된다.
또한 타겟트(3)는 도선(14)을 경유하여 접지된 전압계(20)와 연결되고, 전압계는 다시 도선(21)에 의하여 제어기(16)에 연결되며, 이 제어기는 도선(17)을 경유하여 차례로 제어밸브(18), 또는 반응가스 탱크(22) 안에 채워진 산소나 질소 같은 반응 가스를 조정하는 유속 조정기(18)에 연결되고, 이들 제어밸브 또는 유속조정기는 진공 챔버(15)(15a)의 분배관(24)으로 연결된다. 반응가스의 흐름이 제어기(16)에 의하여 조절되는 결과 측정된 전압은 원하는 전압과 동일하게 된다. 그리고 도선(30)이 제어기(16)를 유속 조정기(28)와 연결하며, 이 유속조정기는 불활성기체 탱크 안에 채워진 아르곤과 같은 공정가스의 흐름을 조정하는바 이것은 배분관(24)과 연결되어 있다. 또한 각기 독립된 배분관(24), (24a)을 가지는 음극(3), (3a)가 추가 제어기 도선(17a)과 추가 유속 제어기(18a)와 함께 제공될 수 있다.
코팅 챔버(15)(15a)에는 고리형이나 프레임 형의 차폐판 또는 격판(4)이 설치된다. 격판에는 틈 혹은 슬릿(6)이 있어 분배관(15)에서 나오는 프로세스 가스를 화살표 방향의 코팅 챔버(15)로 운송시킬 수 있다. 그 밖의 격판(4)의 아래 가장자리는 냉각제가 흐르는 냉각관(7)이 둘러싸고 있어 격판(4)의 과열을 방지한다.
스퍼터링 공정 중에 이온들이 교류장을 추적할 수 있도록 교류전원(10)의 주파수가 조정된다. 이 경우 주파수는 약 1KHz에서 100KHz 사이이다. 도선(14)에 의해 연결되는 전압계(20)는 도선(21)을 통하여 직류의 방전 전압을 제어기(16)에 공급한다. 이어 이 제어기는 도선(17)을 통해 자기밸브(18)를 작동시켜, 측정된 전압이 요구되는 반응가스의 양을 결정하는 방식으로 반응가스를 공급한다.

Claims (1)

  1. 이산화규소와 같은 전기적 절연물질로써 기판(1', 1")을 반응 코팅하기 위한 장치로서, 교류전원(10)이 자전관 음극(5, 5a)과 연결되고; 이 자전관 음극은 진공화할 수 있는 코팅 챔버(15, 15a) 안에 배열되며; 그 타겟트(3, 3a)가 스퍼터링 되어 스퍼터링된 타겟트의 입자가 기판(1, 1', 1")에 증착되도록 접지되지 아니한 교류전원(10)의 두 개의 접점에 각각 자전관 음극이 연결되고; 이 두 자전관 음극은 코팅 챔버 안에 잇대어 나란히 설치하되 음극과 마주 보게 놓인 기판(1, 1', 1")으로부터 대략 동일한 거리(A1및 A2)의 공간을 두어 구성하고; 상기 자전관 음극(5, 5a)은 각기 하나의 공정 가스용 개별 배분관(24, 24a)을 가지며, 이 두 개의 배분관 사이의 반응가스 흐름의 분할을 제어밸브(18)를 경유하는 제어기(16)로써 제어되고, 그 제어방식은 상기 두 개의 음극(5, 5a)에서 측정된 실제 전압차를 원하는 전압에 일치시키는 것이며, 이를 위해 도선(14)을 경유하여 상기 음극에 연결된 전압계(20)의 전압이 측정되고 아울러 직류전원으로서 도선(21)을 통해 제어기(16)에 공급하는 것을 특징으로 하는 기판의 반응 코팅장치.
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Families Citing this family (100)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05148634A (ja) * 1991-11-22 1993-06-15 Nec Corp スパツタリング装置
DE4138793C2 (de) * 1991-11-26 2001-03-01 Leybold Ag Verfahren und Vorrichtung zum Beschichten eines Substrats, insbesondere mit elektrisch nichtleitenden Schichten
US5415757A (en) * 1991-11-26 1995-05-16 Leybold Aktiengesellschaft Apparatus for coating a substrate with electrically nonconductive coatings
DE4237517A1 (de) * 1992-11-06 1994-05-11 Leybold Ag Vorrichtung zum Beschichten eines Substrats, insbesondere mit elektrisch nichtleitenden Schichten
CH686747A5 (de) * 1993-04-01 1996-06-14 Balzers Hochvakuum Optisches Schichtmaterial.
DE4311360C2 (de) * 1993-04-06 2002-10-24 Applied Films Gmbh & Co Kg Anordnung zum reaktiven Abscheiden von Werkstoffen als Dünnfilm durch Mittelfrequenz-Kathodenzerstäubung
US5346601A (en) * 1993-05-11 1994-09-13 Andrew Barada Sputter coating collimator with integral reactive gas distribution
US6605198B1 (en) * 1993-07-22 2003-08-12 Sputtered Films, Inc. Apparatus for, and method of, depositing a film on a substrate
DE69418542T2 (de) * 1993-07-28 1999-09-16 Asahi Glass Co Ltd Verfahren zur Herstellung funktioneller Beschichtungen
DE4326100B4 (de) * 1993-08-04 2006-03-23 Unaxis Deutschland Holding Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Beschichten von Substraten in einer Vakuumkammer, mit einer Einrichtung zur Erkennung und Unterdrückung von unerwünschten Lichtbögen
US5698082A (en) * 1993-08-04 1997-12-16 Balzers Und Leybold Method and apparatus for coating substrates in a vacuum chamber, with a system for the detection and suppression of undesirable arcing
IL108677A (en) * 1994-02-17 1997-11-20 Thin Films Ltd Sputtering method and apparatus for depositing a coating onto a substrate
GB9405442D0 (en) * 1994-03-19 1994-05-04 Applied Vision Ltd Apparatus for coating substrates
DE4413655A1 (de) * 1994-04-20 1995-10-26 Leybold Ag Beschichtungsanlage
US6033483A (en) 1994-06-30 2000-03-07 Applied Materials, Inc. Electrically insulating sealing structure and its method of use in a high vacuum physical vapor deposition apparatus
DE19537212A1 (de) * 1994-10-06 1996-04-11 Leybold Ag Vorrichtung zum Beschichten von Substraten im Vakuum
DE4438463C1 (de) * 1994-10-27 1996-02-15 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren und Schaltung zur bipolaren pulsförmigen Energieeinspeisung in Niederdruckplasmen
DE19506515C1 (de) * 1995-02-24 1996-03-07 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren zur reaktiven Beschichtung
DE19508406A1 (de) * 1995-03-09 1996-09-12 Leybold Ag Kathodenanordnung für eine Vorrichtung zum Zerstäuben eines Target-Paares
US5849162A (en) * 1995-04-25 1998-12-15 Deposition Sciences, Inc. Sputtering device and method for reactive for reactive sputtering
ES2202439T3 (es) * 1995-04-25 2004-04-01 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Sistema de pulverizacion que utiliza un magnetron cilindrico rotativo alimentado electricamente utilizando corriente alterna.
US5812405A (en) * 1995-05-23 1998-09-22 Viratec Thin Films, Inc. Three variable optimization system for thin film coating design
EP0783174B1 (de) 1995-10-27 2006-12-13 Applied Materials GmbH & Co. KG Vorrichtung zum Beschichten eines Substrats
DE19540543A1 (de) * 1995-10-31 1997-05-07 Leybold Ag Vorrichtung zum Beschichten eines Substrats mit Hilfe des Chemical-Vapor-Deposition-Verfahrens
DE19540794A1 (de) 1995-11-02 1997-05-07 Leybold Ag Vorrichtung zum Beschichten eines Substrats von einem elektrisch leitfähigen Target
DE19604454A1 (de) * 1996-02-08 1997-08-14 Balzers Prozes System Gmbh Vorrichtung zum Beschichten von flachen Substraten mit zwei Sputterkathoden
DE19605932A1 (de) * 1996-02-17 1997-08-21 Leybold Systems Gmbh Verfahren zum Ablagern einer optisch transparenten und elektrisch leitenden Schicht auf einem Substrat aus durchscheinendem Werkstoff
DE19617057C2 (de) * 1996-04-29 1998-07-23 Ardenne Anlagentech Gmbh Sputteranlage mit zwei längserstreckten Magnetrons
JP2000514136A (ja) 1996-06-28 2000-10-24 ラム リサーチ コーポレイション 高密度プラズマ化学蒸着装置および方法
US6013155A (en) * 1996-06-28 2000-01-11 Lam Research Corporation Gas injection system for plasma processing
TW335504B (en) * 1996-07-09 1998-07-01 Applied Materials Inc A method for providing full-face high density plasma deposition
DE19644752A1 (de) * 1996-10-28 1998-04-30 Leybold Systems Gmbh Interferenzschichtensystem
DE19651378A1 (de) * 1996-12-11 1998-06-18 Leybold Systems Gmbh Vorrichtung zum Aufstäuben von dünnen Schichten auf flache Substrate
US6184158B1 (en) * 1996-12-23 2001-02-06 Lam Research Corporation Inductively coupled plasma CVD
DE19703791C2 (de) * 1997-02-01 2001-10-11 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren zur Regelung von Glimmentladungen mit pulsförmiger Energieversorgung
DE19711137C1 (de) * 1997-03-07 1998-08-13 Siemens Ag Verfahren zum Aufbringen texturierter YSZ-Schichten durch Sputter-Beschichten
DE19715647C2 (de) * 1997-04-15 2001-03-08 Ardenne Anlagentech Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Regelung der reaktiven Schichtabscheidung auf Substraten mittels längserstreckten Magnetrons
US6217720B1 (en) * 1997-06-03 2001-04-17 National Research Council Of Canada Multi-layer reactive sputtering method with reduced stabilization time
DE19726966C1 (de) 1997-06-25 1999-01-28 Flachglas Ag Verfahren zur Herstellung einer transparenten Silberschicht mit hoher spezifischer elektrischer Leitfähigkeit , Glasscheibe mit einem Dünnschichtsystem mit einer solchen Silberschicht und deren Verwendung
US6042687A (en) * 1997-06-30 2000-03-28 Lam Research Corporation Method and apparatus for improving etch and deposition uniformity in plasma semiconductor processing
EP0896481B1 (de) * 1997-08-05 2006-08-23 Micronas Semiconductor Holding AG Adaptives Filter
DE19740793C2 (de) * 1997-09-17 2003-03-20 Bosch Gmbh Robert Verfahren zur Beschichtung von Oberflächen mittels einer Anlage mit Sputterelektroden und Verwendung des Verfahrens
DE29717418U1 (de) * 1997-09-26 1998-01-22 Leybold Systems Gmbh Vorrichtung zum Aufbringen dünner Schichten auf ein Substrat
US5976334A (en) * 1997-11-25 1999-11-02 Applied Materials, Inc. Reliable sustained self-sputtering
DE19756162C2 (de) * 1997-12-17 1999-10-14 Ardenne Anlagentech Gmbh Sputtereinrichtung
DE19825056C1 (de) * 1998-06-04 2000-01-13 Fraunhofer Ges Forschung Schaltungsanordnung und Verfahren zum Einspeisen von Elektroenergie in ein Plasma
DE19827587A1 (de) * 1998-06-20 1999-12-23 Ardenne Anlagentech Gmbh Einrichtung zur plasmagestützten Schichtabscheidung
JP2000017457A (ja) * 1998-07-03 2000-01-18 Shincron:Kk 薄膜形成装置および薄膜形成方法
US6488824B1 (en) 1998-11-06 2002-12-03 Raycom Technologies, Inc. Sputtering apparatus and process for high rate coatings
JP2002529600A (ja) 1998-11-06 2002-09-10 シヴァク 高レート・コーティング用のスパッタリング装置および方法
US6499425B1 (en) * 1999-01-22 2002-12-31 Micron Technology, Inc. Quasi-remote plasma processing method and apparatus
JP2001003166A (ja) * 1999-04-23 2001-01-09 Nippon Sheet Glass Co Ltd 基体表面に被膜を被覆する方法およびその方法による基体
DE19919742A1 (de) * 1999-04-30 2000-11-02 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren zum Beschichten von Substraten aus dotiertem Silizium mit einer Antireflexschicht für Solarzellen mittels einer in einer Vakuumkammer betriebenen Zerstäubungskathode mit einem Magnetsystem
US6537428B1 (en) * 1999-09-02 2003-03-25 Veeco Instruments, Inc. Stable high rate reactive sputtering
US6258217B1 (en) * 1999-09-29 2001-07-10 Plasma-Therm, Inc. Rotating magnet array and sputter source
DE10015244C2 (de) * 2000-03-28 2002-09-19 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren und Schaltungsanordnung zur pulsförmigen Energieeinspeisung in Magnetronentladungen
US6733642B2 (en) 2001-04-30 2004-05-11 David A. Glocker System for unbalanced magnetron sputtering with AC power
DE10122431A1 (de) * 2001-05-09 2002-11-28 Fraunhofer Ges Forschung Elektrodenanordnung für die magnetfeldgeführte plasmagestützte Abscheidung dünner Schichten im Vakuum
DE10154229B4 (de) 2001-11-07 2004-08-05 Applied Films Gmbh & Co. Kg Einrichtung für die Regelung einer Plasmaimpedanz
US20040149575A1 (en) * 2002-04-29 2004-08-05 Isoflux, Inc. System for unbalanced magnetron sputtering with AC power
JP3866615B2 (ja) 2002-05-29 2007-01-10 株式会社神戸製鋼所 反応性スパッタリング方法及び装置
DE10224128A1 (de) * 2002-05-29 2003-12-18 Schmid Rhyner Ag Adliswil Verfahren zum Auftrag von Beschichtungen auf Oberflächen
WO2004015162A1 (ja) 2002-08-09 2004-02-19 Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho α型結晶構造主体のアルミナ皮膜の製造方法
US20040182701A1 (en) * 2003-01-29 2004-09-23 Aashi Glass Company, Limited Sputtering apparatus, a mixed film produced by the sputtering apparatus and a multilayer film including the mixed film
DE10306347A1 (de) * 2003-02-15 2004-08-26 Hüttinger Elektronik GmbH & Co. KG Leistungszufuhrregeleinheit
DE10323258A1 (de) 2003-05-23 2004-12-23 Applied Films Gmbh & Co. Kg Magnetron-Sputter-Kathode
US7008518B2 (en) * 2004-01-15 2006-03-07 Deposition Sciences, Inc. Method and apparatus for monitoring optical characteristics of thin films in a deposition process
DE102004014855A1 (de) * 2004-03-26 2004-10-21 Applied Films Gmbh & Co. Kg Einrichtung zum reaktiven Sputtern
US20050224343A1 (en) * 2004-04-08 2005-10-13 Richard Newcomb Power coupling for high-power sputtering
JP2006045611A (ja) * 2004-08-04 2006-02-16 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> スパッタ成膜装置
US20060065524A1 (en) * 2004-09-30 2006-03-30 Richard Newcomb Non-bonded rotatable targets for sputtering
EP1803144B1 (en) * 2004-10-18 2008-04-09 Bekaert Advanced Coatings An end-block for a rotatable target sputtering apparatus
US20060096855A1 (en) * 2004-11-05 2006-05-11 Richard Newcomb Cathode arrangement for atomizing a rotatable target pipe
US20060278524A1 (en) * 2005-06-14 2006-12-14 Stowell Michael W System and method for modulating power signals to control sputtering
US20060278521A1 (en) * 2005-06-14 2006-12-14 Stowell Michael W System and method for controlling ion density and energy using modulated power signals
US20070095281A1 (en) * 2005-11-01 2007-05-03 Stowell Michael W System and method for power function ramping of microwave liner discharge sources
US7842355B2 (en) * 2005-11-01 2010-11-30 Applied Materials, Inc. System and method for modulation of power and power related functions of PECVD discharge sources to achieve new film properties
WO2007086276A1 (ja) * 2006-01-25 2007-08-02 Ulvac, Inc. スパッタリング装置及び成膜方法
JP5174825B2 (ja) * 2006-10-26 2013-04-03 ハウザー テクノ−コーティング ベー．フェー． デュアルマグネトロンスパッタリング電源およびマグネトロンスパッタリング装置
WO2009052874A1 (en) * 2007-10-26 2009-04-30 Hauzer Techno Coating Bv Dual magnetron sputtering power supply and magnetron sputtering apparatus
US8137463B2 (en) * 2007-12-19 2012-03-20 Applied Materials, Inc. Dual zone gas injection nozzle
US8182662B2 (en) * 2009-03-27 2012-05-22 Sputtering Components, Inc. Rotary cathode for magnetron sputtering apparatus
KR20120014571A (ko) 2009-04-27 2012-02-17 오씨 외를리콘 발처스 악티엔게젤샤프트 복수의 스퍼터 소스를 구비한 반응성 스퍼터링
DE102009041184A1 (de) * 2009-09-14 2011-09-15 Solarworld Innovations Gmbh Beschichtungs-Vorrichtung und -Verfahren
KR20150092375A (ko) * 2010-06-17 2015-08-12 울박, 인크 스퍼터 성막 장치 및 방착부재
JP5743266B2 (ja) * 2010-08-06 2015-07-01 キヤノンアネルバ株式会社 成膜装置及びキャリブレーション方法
JP5256475B2 (ja) * 2011-02-10 2013-08-07 株式会社ユーテック 対向ターゲット式スパッタ装置及び対向ターゲット式スパッタ方法
US9941100B2 (en) * 2011-12-16 2018-04-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Adjustable nozzle for plasma deposition and a method of controlling the adjustable nozzle
JP6046752B2 (ja) * 2013-01-30 2016-12-21 京セラ株式会社 ガスノズルおよびこれを用いたプラズマ装置
JP6101533B2 (ja) * 2013-03-27 2017-03-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 酸化アルミニウムの成膜方法
CN105555990B (zh) 2013-07-17 2018-01-09 先进能源工业公司 在脉冲双磁控管溅射(dms)工艺中平衡靶消耗的系统和方法
US10465288B2 (en) * 2014-08-15 2019-11-05 Applied Materials, Inc. Nozzle for uniform plasma processing
WO2017095561A1 (en) * 2015-12-04 2017-06-08 Applied Materials, Inc. Advanced coating method and materials to prevent hdp-cvd chamber arcing
KR102553629B1 (ko) * 2016-06-17 2023-07-11 삼성전자주식회사 플라즈마 처리 장치
DE102016118799B4 (de) 2016-10-05 2022-08-11 VON ARDENNE Asset GmbH & Co. KG Verfahren zum Magnetronsputtern
JP6458206B1 (ja) * 2017-06-27 2019-01-23 キヤノンアネルバ株式会社 プラズマ処理装置
WO2019003309A1 (ja) 2017-06-27 2019-01-03 キヤノンアネルバ株式会社 プラズマ処理装置
KR20220031132A (ko) 2017-06-27 2022-03-11 캐논 아네르바 가부시키가이샤 플라스마 처리 장치
TWI693860B (zh) 2017-06-27 2020-05-11 日商佳能安內華股份有限公司 電漿處理裝置
SG11202009122YA (en) 2018-06-26 2020-10-29 Canon Anelva Corp Plasma processing apparatus, plasma processing method, program, and memory medium

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4166784A (en) * 1978-04-28 1979-09-04 Applied Films Lab, Inc. Feedback control for vacuum deposition apparatus

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR95311E (fr) * 1967-03-24 1970-08-21 Varian Associates Appareil de pulvérisation cathodique pour déposer des pellicules minces sur des surfaces a revetir.
GB1172106A (en) * 1967-06-29 1969-11-26 Edwards High Vacuum Int Ltd Improvements in or relating to Pressure Control in Vacuum Apparatus
US3860507A (en) * 1972-11-29 1975-01-14 Rca Corp Rf sputtering apparatus and method
JPS61179864A (ja) * 1985-02-06 1986-08-12 Hitachi Ltd スパツタ装置
DD252205B5 (de) * 1986-09-01 1993-12-09 Fraunhofer Ges Forschung Zerstaeubungseinrichtung
US4738761A (en) * 1986-10-06 1988-04-19 Microelectronics Center Of North Carolina Shared current loop, multiple field apparatus and process for plasma processing
DE3802852A1 (de) * 1988-02-01 1989-08-03 Leybold Ag Einrichtung fuer die beschichtung eines substrats mit einem material, das aus einem plasma gewonnen wird
JPH01268869A (ja) * 1988-04-20 1989-10-26 Fuji Photo Film Co Ltd スパッタリング装置
DE3925536A1 (de) * 1989-08-02 1991-02-07 Leybold Ag Anordnung zur dickenmessung von duennschichten

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4166784A (en) * 1978-04-28 1979-09-04 Applied Films Lab, Inc. Feedback control for vacuum deposition apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
EP0502242B1 (de) 1997-08-27
DE4106770C2 (de) 1996-10-17
US5169509A (en) 1992-12-08
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KR930008185A (ko) 1993-05-21
JPH04325680A (ja) 1992-11-16
JP3363919B2 (ja) 2003-01-08
DE4106770A1 (de) 1992-09-10
EP0502242A2 (de) 1992-09-09
DE59108836D1 (de) 1997-10-02

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