JP3363918B2 - 反応性スパッタリング工程の調整法 - Google Patents

反応性スパッタリング工程の調整法

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JP3363918B2
JP3363918B2 JP04461392A JP4461392A JP3363918B2 JP 3363918 B2 JP3363918 B2 JP 3363918B2 JP 04461392 A JP04461392 A JP 04461392A JP 4461392 A JP4461392 A JP 4461392A JP 3363918 B2 JP3363918 B2 JP 3363918B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はコーティング技術（例え
ば陰極スパッタリング）において用いられる反応性スパ
ッタリング工程の調整法に関する。
【０００２】
【従来の技術】反応性気体として例えばＯ２，Ｎ２，Ｃ
Ｈ４，Ｈ２Ｓ等が用いられる。コーティング工程では相
応の化合物が生じる。すなわち基板上に層として沈着さ
れる酸化物、窒化物、炭化物または硫化物が生じる。こ
のスパッタリング工程は製造技術において最適であるこ
とが実証されている。とりわけスパッタリング工程は化
合物の製造を再現可能にするという利点を有する。例え
ばこの種の反応性スパッタリング工程により液晶ディス
プレイＬＣＤ（Liquid Crystal Display）のための透明
な伝導層が製造される。
【０００３】直流電圧スパッタリングおよび高周波スパ
ッタリングならびに併用形式が周知である。さらにバイ
アス電圧によるスパッタリングが周知である。この場
合、基板が電気的に絶縁化された支持体上に設けられ、
この支持体は陰極よりも小さい負のバイアス電圧を有す
る。
【０００４】直流電圧スパッタリングは陰極（ターゲッ
ト）として導電材料だけに制限される。なぜなら非導電
性の陰極では電流は絶縁物により遮断されるからであ
る。
【０００５】前述の高周波スパッタリングは絶縁物をス
パッタリングする目的でも使用される。この場合スパッ
タリング装置の電極は高周波源により給電される。
【０００６】スパッタリング工程において実際には特に
陰極前方の磁界により粒子の衝突が増加し、これにより
イオン化の確率が増加するような高電力スパッタリング
装置が使用される。
【０００７】このような高電力スパッタリング装置は例
えばドイツ連邦共和国特許公報第２４１７２８８号に記
述されている。この公報に記述されている高いスパッタ
リングレートを有する陰極スパッタリング装置は陰極を
有し、この陰極はその表面にスパッタリングすることに
より基板上に堆積すべき材料を有する陰極と、スパッタ
リング表面から出発しこのスパッタリング表面に戻る磁
力線が閉ループ形式の放電領域を形成するように配置さ
れた磁石装置と、スパッタリング面から基板へ移動する
スパッタリング材料の移動経路の外側に設けられた陽極
とを有する。
【０００８】前述の特許公報において提案されているの
は、堆積される基板に向かい合ったスパッタリング陰極
表面が平坦であり、この基板が放電領域の近傍において
平坦なスパッタリング面に対して平行にこの平坦なスパ
ッタリング面を越えて移動され、磁界を発生する磁石装
置が陰極の平坦なスパッタリング面とは反対側に配置さ
れることである。
【０００９】本発明の基本原理の実現は上述のような陰
極スパッタリングのみに制限されるものではない。本発
明は反応性スパッタリング工程の調整に関連する広範な
分野に適用できる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は反応性
スパッタリング工程の調整を根本的に改善することであ
り、とりわけ安定したスパッタリング動作を保証するこ
と、すなわちこの動作が物理特性曲線上の動作点近傍ま
たは物理特性曲線上の動作点近傍で安定状態に留まるよ
うにすることである。
【００１１】スパッタリング動作時にはアーク放電の発
生がないようにすべきである。スパッタリング工程の間
は高いスパッタリングレートが維持されるべきである。
【００１２】最終的に本発明は汎用可能である。すなわ
ち前述の直流電圧スパッタリング法（ＤＣスパッタリン
グ）、高周波スパッタリング法（ＨＦスパッタリング）
にも、組み合わせＤＣスパッタリング／ＨＦスパッタリ
ング法、中波（ｋＨｚ領域）スパッタリング法、バイア
ス電圧スパッタリング法、またはバイアス電圧を用いな
いスパッタリング法に適用可能である。
【００１３】
【課題を解決するための手段】この課題は、スパッタリ
ングすべきターゲットを担持する陰極を真空チャンバ内
に配置し、このチャンバにターゲットの反応性スパッタ
リングのために反応気体を供給し、金属元素を含む化合
物の層を形成し、この層からスパッタリング中に２次電
子を放出させ、陰極を電源に接続し、陰極の放電電圧Ｖ
および放電電流Ｉでターゲットの反応性スパッタリング
を行い、電力Ｐ＝ＩＶを一定に保持し、全体としての傾
きとこの傾きとは反対の極性を有する所望の動作電圧の
作用部分とを有する放電電圧‐反応気体流の物理特性曲
線を形成し、物理特性曲線が反応気体流の増大を指示す
る際には反応気体流を低減し、物理特性曲線が反応気体
流の低減を指示する際には反応気体流を増大して、所望
の動作電圧を得ることにより解決される。
【００１４】課題はまた、スパッタリングすべきターゲ
ットを担持する陰極を真空チャンバ内に配置し、このチ
ャンバにターゲットの反応性スパッタリングのために反
応気体を供給し、金属元素を含む化合物の層を形成し、
この層からスパッタリング中に２次電子を放出させ、陰
極を電源に接続し、陰極の放電電圧Ｖおよび放電電流Ｉ
でターゲットの反応性スパッタリングを行い、電力Ｐ＝
ＩＶを一定に保持し、全体としての傾きとこの傾きとは
反対の極性を有する所望の動作電圧の作用部分とを有す
る放電電圧‐反応気体流の物理特性曲線を形成し、物理
特性曲線が反応気体流の増大を指示する際には反応気体
流を低減し、物理特性曲線が反応気体流の低減を指示す
る際には反応気体流を増大して、所望の動作電流を得る
ことにより解決される。
【００１５】
【発明の実施の形態】本発明では全スパッタリング電力
Ｐ＝Ｉ×Ｕは電力供給装置によって一定に保持される。
【００１６】詳細には、本発明の実施形態では、動作電
圧（放電電圧）の値により定められるスパッタリング装
置の動作点が処理室の中へ導かれる反応気体（例えばＯ
２）の調量により設定調整されて一定にまたは近似的に
一定に保持される。
【００１７】代替的に本発明の実施形態では、動作電流
強度の値により定められるスパッタリング装置の動作点
が処理室の中へ導かれる反応気体（例えばＯ２）の調量
により設定調整されて一定にまたは近似的に一定に保持
される。
【００１８】本発明の補完的な実施形態では、スパッタ
リングされる層が化合物の金属元素（例えばＡｌ，Ｓ
ｉ）の２次電子放出率［２次電子の利得］よりも高い２
次電子放出率を有する化合物（例えばＡｌ２Ｏ３，Ｓｉ
Ｏ２）を含む反応性スパッタリング工程において、低下
する放電電圧‐反応気体流‐調整特性曲線により特徴づ
けられる調整特性が反応気体調量の際に用いられ、この
調整特性曲線として反応気体流の増加と共に低下する放
電電圧が予め定められている。
【００１９】前述の実施形態に代わる本発明の別の実施
形態では、スパッタリングされる層が化合物の金属元素
（例えばＡｌ，Ｓｉ）の２次電子放出率よりも高い２次
電子放出率を有する化合物（例えばＡｌ２Ｏ３，ＳｉＯ
２）を含む反応性スパッタリング工程において、上昇す
る放電電流‐反応気体流‐調整特性曲線により特徴づけ
られる調整特性が反応気体調量の際に用いられ、この調
整特性曲線として反応気体流の増加と共に上昇する放電
電流が予め定められている。
【００２０】本発明の構成には次の実施形態も属する。
すなわち、スパッタリングされる層が化合物の金属元素
（例えばＣｒ）の２次電子放出率よりも低い２次電子放
出率を有する化合物（例えばＣｒＯ）を含む反応性スパ
ッタリング工程において、上昇する放電電圧‐反応気体
流‐調整特性曲線により特徴づけられる調整特性が反応
気体調量の際に用いられ、この調整特性曲線として反応
気体流の増加と共に上昇する放電電圧が予め定められて
いる構成が所属する。
【００２１】この実施形態に代わる本発明の実施形態で
は、スパッタリングされる層が、化合物の金属元素（例
えばＣｒ）の２次電子放出率よりも低い２次電子放出率
を有する化合物（例えばＣｒＯ）を含む反応性スパッタ
リング工程の場合、低下する放電電流‐反応気体流‐調
整特性曲線により特徴づけられる調整特性が反応気体調
量の際に用いられ、この調整特性曲線として反応気体流
の増加と共に低下する放電電流が予め定められている。
【００２２】詳細には、本発明の実施形態では、極電圧
は実際値ないしは入力信号として調整装置に供給され、
さらにこの調整装置はこの入力信号を処理して出力信号
を生成し、この出力信号は反応気体流のための調整弁の
形式の反応気体を調量する操作素子へ操作量として供給
される。
【００２３】代替的に本発明の実施形態では、電流強度
は実際値ないしは入力信号として調整装置へ供給され、
さらにこの調整装置はこの入力信号を処理して出力信号
を生成し、この出力信号は反応気体流のための調整弁の
形式の反応気体を調量する操作素子へ操作量として供給
される。
【００２４】本発明にはさらに前述の方法を実施するた
めの装置も属する。
【００２５】この装置に対して本発明の実施形態では、
調整装置（反応気体調整器）と反応気体の調量用の調整
弁とを含むスパッタリング装置が設けられており、さら
に陰極電圧を調整装置の入力側へ供給する信号線路が設
けられており、さらに調整装置の出力側が線路を介して
調整弁と接続されており、この線路を介して調整装置に
おいて処理された操作量が調整弁へ供給される。
【００２６】この調整方法において装置を陰極電圧によ
って駆動することに代えて、別の実施形態で陰極電流に
より駆動することもできる。
【００２７】
【発明の効果】本発明によって次の利点が得られる。す
なわちスパッタリング動作が安定した動作点または安定
した動作点の近傍において保証される。スパッタリング
動作にはアーク放電をともなわない。またスパッタリン
グ過程の間は高いスパッタリングレートが維持される。
【００２８】本発明の特徴および得られる利点の詳細は
本発明の方法を実施する装置に対する実施例の以下の説
明に記述されている。
【００２９】実施例、反応性スパッタリング工程の物理
特性曲線、ならびに適用される調整方法を３つの図面に
基づいて説明する。
【００３０】この装置により、ここには図示されてはい
ない基板において反応性スパッタリングにより層が形成
される。これらの層は、この実施例では例えばＡｌ２Ｏ
３またはＳｉＯ２から成る。ＡｌまたはＳｉから成る金
属ターゲットによってスパッタリングされる。スパッタ
リング雰囲気はアルゴンと反応気体としてのＯ２とを有
する混合気体から成る。
【００３１】この装置は所定の調整特性がインストール
されている調整装置を有する。この調整装置はこの調整
特性を用いて入力信号である陰極電圧を処理してこの調
整装置の出力側における操作量を生成する。この操作量
は反応気体Ｏ２のための調整弁として構成されている操
作素子へ供給される。
【００３２】インストールされている調整特性に基づい
て、処理室へのＯ２入力流は所定の放電電圧（動作電
圧）が一定に維持されるように調整される。
【００３３】金属元素（例えばＡｌ，Ｓｉ）の２次電子
放出率よりも高い２次電子放出率を有する化合物（例え
ばＡｌ２Ｏ３，ＳｉＯ２）が基板上にスパッタリングさ
れるスパッタリング工程において、低下する放電電圧‐
反応気体流‐調整特性によって特徴づけられる調整特性
が反応気体調量の際に使用される。すなわち調整特性曲
線として反応気体流が増加するにつれて低下する放電電
圧が予め定められている。
【００３４】本発明の成果は次のような調整原理を見い
出した点に存する。すなわち調整原理の技術思想は、陰
極電圧とＯ２流との関係を示す物理特性曲線（図２参
照）または電流強度とＯ２流との関係を示す物理特性曲
線（図３参照）の示唆することに対立しているが、それ
にもかかわらず本発明の調整原理の技術思想は実際に機
能するという点に存する。これに対して物理特性曲線に
沿った調整はスパッタリング工程に失敗をもたらす。
【００３５】本発明の要旨はスパッタリング工程の所期
の安定動作点が反応気体調量により調整される点にあ
る。
【００３６】
【実施例】図１では参照番号１で処理室が図示されてい
る。参照番号２で陰極が示されている。参照番号３でタ
ーゲットが示されている。参照番号４でエネルギ供給ユ
ニットが示されている。これはＤＣ電流供給装置または
ＨＦ発生器（高周波発生器）でもよい。ＤＣ電流供給装
置およびＨＦ発生器から成るエネルギ源を使用してもよ
い。さらにＭＦ発生器（中波発生器）を設けてもよい。
【００３７】参照番号５で調整装置が示されており、こ
の中に調整特性が基準入力としてインストールされてい
る。参照番号６で調整装置の入力側が示されている。参
照番号７で出力側が表されている。
【００３８】参照番号８で反応気体の調整弁の形の調整
回路の操作素子が示されている。参照番号９でアルゴン
のための流量計が示されている。参照番号１０で気体混
合器が示されている。処理室１の内部にＯ２およびＡｒ
から成る混合気体のための出口開口部が設けられてい
る。これらの出口開口部は要求に応じて気体シャワー管
（gas shower）または気体ランス（lance）または他の
適当な形で設けられている。この実施例では図１の装置
は気体ランス１１を有する。気体ランスの１つが開口部
１２である。真空導管１４を介して処理室は必要とされ
る低い動作圧力レベルに移される。
【００３９】参照番号３６で反応気体Ｏ２のための導管
が示されている。この導管は調整により調量されるＯ２
流を気体混合器１０へと導く。
【００４０】参照番号３８はアルゴン用の管が示されて
いる。参照番号３９で流量計９と気体混合器１０との間
の接続管が示されている。参照番号４０で気体混合器と
気体シャワー管または気体ランス１１との間の接続管が
示されている。
【００４１】基板およびこの基板上に成長する層（例え
ばＡｌ２Ｏ３）は一般に周知であるので簡略化のために
図示されていない。
【００４２】スパッタリング工程の間、Ａｒ／Ｏ２雰囲
気すなわち反応性雰囲気が処理室内を占めている。
【００４３】スパッタリング工程に必要とされる電力Ｐ
を電圧Ｕと電流強度Ｉとの積で表す。この電力Ｐは給電
ユニット４から線路１３を介して陰極２に供給される。
場合により必要な別の電力線路は簡略化して図面を見や
すくするために省略されている。スパッタリング工程の
間、処理室の中にはプラズマが存在する。これについて
は多数の従来技術の刊行物を参照されたい。
【００４４】線路１５を介して陰極電圧が調整装置（反
応気体調整器）５の入力側６に供給される。調整装置の
中にインストールされている基準入力（調整特性）に基
づいて入力側６に供給される信号が調整装置で処理さ
れ、操作量が生成される。この操作量は調整装置の出力
側から送出される。線路１６を介してこの操作量はＯ２
流のための操作素子（調整弁）に供給される。従ってＯ
２流はこのインストールされている調整特性に従って調
量される。
【００４５】後述の過程およびスパッタリング工程の理
解のために概略的に次の説明が必要とされる。
【００４６】スパッタリング工程の間、酸化物（例えば
Ａｌ２Ｏ３またはＳｉＯ２）が形成される。Ａｌ２Ｏ３
またはＳｉＯ２の代わりに他の酸化物または化合物が生
じることもある。酸化物は一方では基板上に成長する層
を形成し、他方ではスパッタリング工程中にターゲット
表面の領域を多かれ少なかれ被覆する。この被覆はター
ゲット表面の浸食されていない領域上に形成されはじ
め、さらにターゲット表面の浸食された領域へと多かれ
少なかれ成長してゆく。前提条件は成長した化合物の層
はＡｌ２Ｏ３であり、かつ反応気体としてＯ２が使用さ
れることである。
【００４７】ターゲット表面のどのくらいの広さが酸化
物で被覆されているかに応じて２次電子放出率が多かれ
少なかれ調整される。反応気体Ｏ２が多く供給されれ
ば、Ａｌ２Ｏ３によるターゲットの一層大きい被覆が形
成される。ターゲットの被覆が大きいほど２次電子放出
率がより大きくなる。このより大きな２次電子放出率は
より大きな放電電流Ｉを意味する。所要電力Ｐが一定に
保持される場合にはこれは放電電圧Ｕが低下することに
なる。というのもＰｋｏｎｓｔａｎｔ＝Ｕ×Ｉだからで
ある。
【００４８】ここで説明された工程の物理的および化学
的な基礎に関するさらなる詳細は専門書に記載されてい
る。
【００４９】次に図２、図３を用いて調整のパラドク
ス、すなわち物理特性曲線とインストールされる調整特
性曲線との間の相反性について説明する。上述のように
物理特性曲線の指示に反する調整特性のこうした定義に
本発明の成果が存在する。
【００５０】図２には座標系が示されている。縦座標１
７には陰極電圧Ｕが示されている。横座標１８にはＯ２
流の値が示されている。曲線１９は物理特性曲線“陰極
電圧‐Ｏ２流”である。参照番号２０で動作点、つまり
調整の目標値点が曲線上に示されている。参照番号２１
はこの動作点２０に所属する目標値電圧Ｕｓｏｌｌであ
り、参照番号２２はこの目標値電圧Ｕｓｏｌｌに所属す
るＯ２流である。参照番号２３で目標値点を下回る実際
値点が示されている。参照番号２４はこの目標値点を上
回る第２の実際値点である。これら両方の実際値点に２
つの電圧ＵＩｓｔ-１、ＵＩｓｔ-２、２５、２６が属し
ている。図２の物理的放電電圧‐反応気体流‐特性曲線
によれば、反応性スパッタリングの対象となる平行に経
過する点線の添付曲線により示される特性曲線領域４２
と平行に経過する破線の添付曲線により示される特性曲
線領域４３とにより２つの全く異なる特性曲線経過が示
されているが、この２つの領域におけるスパッタリング
工程のコントロールのためにはただ１つの調整特性、す
なわち降下する特性曲線の調整特性のみが使用される。
つまりこの対象となる動作点が存在する特性曲線領域４
３においては、この物理特性曲線に反して（一見すると
調整パラドクスに見えるが）降下する特性曲線に相応す
る調整特性に従って調整を行わなければならないのであ
る。
【００５１】次にＵＩｓｔがＵｓｏｌｌよりも低い場合
の調整特性を説明する。
【００５２】１．調整装置はＵＩｓｔ-１をＵｓｏｌｌ
と比較して、ＵＩｓｔ-１２５がＵｓｏｌｌよりも低い
ことを検出する。
【００５３】２．物理特性曲線に反して調整器はＯ２流
を減少させる。これにより下記のことが発生する。
【００５４】ａ）ターゲット表面上の酸化物層が減少す
る。
【００５５】ｂ）そのため２次電子放出率が低下する。
すなわち電流強度Ｉが低下する。
【００５６】ｃ）この結果、Ｐｋｏｎｓｔａｎｔ＝Ｕ×
Ｉであるために放電電圧はＵｓｏｌｌを越えてＵ
Ｉｓｔ-２２６まで上昇する。
【００５７】３．調整器はＵＩｓｔ-２とＵｓｏｌｌと
を比較して、ＵＩｓｔ-２がＵｓｏｌｌより高いことを
検出する。
【００５８】４．調整器はＯ２流を増加させる。
【００５９】５．ターゲット表面上の酸化物層が増加す
る。
【００６０】６．２次電子放出率が増大し、そのために
電流強度が上昇する。
【００６１】７，Ｐｋｏｎｓｔａｎｔ＝Ｕ×Ｉであるた
め電圧は低下し、Ｕｓｏｌｌに接近するかまたはＵ
ｓｏｌｌに到達する。
【００６２】結果としてＯ２流の調整により動作点２０
すなわちＵｓｏｌｌが設定される。
【００６３】図３には、物理特性曲線“電流強度Ｉ‐Ｏ
２流”が曲線２７として示されている。
【００６４】縦座標２８には電流強度の値が示されてお
り、横座標２９にはＯ２流の値が示されている。参照番
号３０は動作点である。参照番号３１、３２は曲線上の
実際値点である。動作点３０に動作電流３３とＯ２流の
値４１とが対応する。実際値点３１には実際値電流３４
が対応し、実際値点３３に実際値電流３５が対応する。
図３の物理的放電電流‐反応気体流‐特性曲線によれ
ば、反応性スパッタリングの対象となる平行に経過する
点線の添付曲線により示される特性曲線領域４４と平行
に経過する破線の添付曲線により示される特性曲線領域
４５とにより２つの全く異なる特性曲線経過が示されて
いるが、この２つの領域におけるスパッタリング工程の
コントロールのためにはただ１つの調整特性、すなわち
上昇する特性曲線の調整特性のみが使用される。つまり
この対象となる動作点が存在する特性曲線領域４５にお
いては、この物理特性曲線に反して（一見すると調整パ
ラドクスに見えるが）上昇する特性曲線に相応する調整
特性に従って調整を行わなければならないのである。
【００６５】次にＩＩｓｔがＩｓｏｌｌよりも低い場合
の調整特性を以下に説明する。
【００６６】１．調整器はＩＩｓｔ-１をＩｓｏｌｌと
比較して、ＩＩｓｔ-１３４がＩｓｏｌ ｌよりも低いこ
とを検出する。
【００６７】２．物理特性曲線に反して調整器はＯ２流
を増加させる。これにより下記のことが発生する。
【００６８】ａ）ターゲット表面上の酸化物層が成長す
る。
【００６９】ｂ）そのため２次電子放出率が増大する。
すなわち電流強度Ｉが増加する。
【００７０】ｃ）この結果、Ｐｋｏｎｓｔａｎｔ＝Ｕ×
Ｉであるために放電電流はＩｓｏｌｌを越えてＩ
Ｉｓｔ-２３５まで上昇する。
【００７１】３．調整器はＩＩｓｔ-２とＩｓｏｌｌと
を比較して、ＩＩｓｔ-２がＩｓｏｌｌより高いことを
検出する。
【００７２】４．調整器はＯ２流を低減させる。
【００７３】５．ターゲット表面上の酸化物層が減少す
る。
【００７４】６．２次電子放出率が減少し、そのために
電流強度が低減する。
【００７５】７．実際値電流強度が目標値電流強度に接
近し、最終的には目標値電流強度に達する。
【００７６】結果としてＯ２流の調整により動作点３０
すなわちＩｓｏｌｌが設定される。
【００７７】化合物（例えばＣｒＯ）から成る層のスパ
ッタリングにおいては、この化合物の２次電子放出率は
相応の金属元素（例えばＣｒ）の２次電子放出率よりも
小さい。このような層のスパッタリングにおいては、本
発明において陰極電圧／反応気体‐調整特性または陰極
電流／反応気体‐調整特性が提案される。これらの陰極
電圧／反応気体‐調整特性または陰極電流／反応気体‐
調整特性は、２次電子放出率が正反対に経過するため正
反対となる。つまり図２、図３に関連して説明された調
整特性または調整方法とは正反対となる。この調整方法
のための詳細は前述の請求項７、８および明細書導入部
に示されている。
【図面の簡単な説明】
【図１】装置のブロック図である。
【図２】Ｏ２流に依存する放電電圧の線図である。
【図３】Ｏ２流に依存する放電電流の線図である。
【符号の説明】
１ 処理室 ２ 陰極 ３ ターゲット ４ エネルギ供給ユニット ５ 調整装置 ６ 入力側 ７ 出力側 ８ 調整弁 ９ 流量計 １０ 気体混合器 １１ ランス １２ 開口部 １３、１５、１６ 線路 １４ 真空導管 １７、２８ 縦座標 １８、２９ 横座標 １９、２７ 特性曲線 ２０、３０ 動作点 ２１ 目標値電圧 ２２、４１ Ｏ２流 ２３、２４、３１、３２ 実際値点 ２５、２６ 実際値電圧 ２７ 特性曲線 ３３ 動作電流 ３４、３５ 実際値電流 ３６、３７、３８、３９、４０ 導管 ４２、４３、４４、４５ 特性曲線領域
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 米国特許4201645（ＵＳ，Ａ) 米国特許4283260（ＵＳ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C23C 14/00 - 14/58

Claims (10)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 スパッタリングすべきターゲットを担持
    する陰極を真空チャンバ内に配置し、 該チャンバにターゲットの反応性スパッタリングのため
    の反応気体を供給し、金属元素を含む化合物の層を形成
    し、該層からスパッタリング中に２次電子を放出させ、 陰極を電源に接続し、陰極の放電電圧Ｖおよび放電電流
    Ｉでターゲットの反応性スパッタリングを行い、 電力Ｐ＝ＩＶを一定に保持し、全体としての傾きとこの
    傾きとは反対の極性を有する所望の動作電圧の作用部分
    とを有する放電電圧‐反応気体流の物理特性曲線を形成
    し、 該物理特性曲線が反応気体流の増大を指示する際には反
    応気体流を低減し、該物理特性曲線が反応気体流の低減
    を指示する際には反応気体流を増大して、所望の動作電
    圧を得る、 ことを特徴とする反応性スパッタリング工程の調整法 。
  2. 【請求項２】 前記化合物はスパッタリング中に前記金
    属元素の２次電子放出率よりも低い２次電子放出率を有
    しており、ここで前記物理特性曲線は全体として負の傾
    きを有し、作用部分は正の傾きを有する、請求項１記載
    の方法。
  3. 【請求項３】 前記化合物はＡｌ ２ Ｏ ３ およびＳｉＯ ２
    から成る、請求項２記載の方法。
  4. 【請求項４】 前記化合物はスパッタリング中に前記金
    属元素の２次電子放出率よりも低い２次電子放出率を有
    しており、ここで前記物理特性曲線は全体として正の傾
    きを有し、作用部分は負の傾きを有する、請求項１記載
    の方法。
  5. 【請求項５】 前記化合物はＣｒＯである、請求項４記
    載の方法。
  6. 【請求項６】 スパッタリングすべきターゲットを担持
    する陰極を真空チャンバ内に配置し、 該チャンバにターゲットの反応性スパッタリングのため
    の反応気体を供給し、 金属元素を含む化合物の層を形成
    し、該層からスパッタリング中に２次電子を放出させ、 陰極を電源に接続し、陰極の放電電圧Ｖおよび放電電流
    Ｉでターゲットの反応性スパッタリングを行い、 電力Ｐ＝ＩＶを一定に保持し、全体としての傾きとこの
    傾きとは反対の極性を有する所望の動作電流の作用部分
    とを有する放電電流‐反応気体流の物理特性曲線を形成
    し、 該物理特性曲線が反応気体流の低減を指示する際には反
    応気体流を増大し、該物理特性曲線が反応気体流の増大
    を指示する際には反応気体流を低減して、所望の動作電
    流を得る、 ことを特徴とする反応性スパッタリング工程の調整法 。
  7. 【請求項７】 前記化合物はスパッタリング中に前記金
    属元素の２次電子放出率よりも高い２次電子放出率を有
    しており、ここで前記物理特性曲線は全体として正の傾
    きを有し、作用部分は負の傾きを有する、請求項６記載
    の方法。
  8. 【請求項８】 前記化合物はＡｌ ２ Ｏ ３ およびＳｉＯ ２
    から成る、請求項７記載の方法。
  9. 【請求項９】 前記化合物はスパッタリング中に前記金
    属元素の２次電子放出率よりも低い２次電子放出率を有
    しており、ここで前記物理特性曲線は全体として負の傾
    きを有し、作用部分は正の傾きを有する、請求項６記載
    の方法。
  10. 【請求項１０】 前記化合物はＣｒＯである、請求項９
    記載の方法。
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