JPS6169966A - 真空処理装置 - Google Patents

真空処理装置

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JPS6169966A
JPS6169966A JP59191508A JP19150884A JPS6169966A JP S6169966 A JPS6169966 A JP S6169966A JP 59191508 A JP59191508 A JP 59191508A JP 19150884 A JP19150884 A JP 19150884A JP S6169966 A JPS6169966 A JP S6169966A
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JP
Japan
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substrate
chamber
base plate
processed
carrier
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JP59191508A
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Sosuke Kawashima
川島 壮介
Kazuaki Ichihashi
市橋 一晃
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S414/00Material or article handling
    • Y10S414/135Associated with semiconductor wafer handling
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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    • Y10S414/135Associated with semiconductor wafer handling
    • Y10S414/137Associated with semiconductor wafer handling including means for charging or discharging wafer cassette
    • Y10S414/138Wafers positioned vertically within cassette
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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    • Y10S414/135Associated with semiconductor wafer handling
    • Y10S414/139Associated with semiconductor wafer handling including wafer charging or discharging means for vacuum chamber

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、真空処理装置に係り、特に減圧下で基′板に
所定処理を施すのに好適な真空処理袋■に関するもので
ある。
〔発明の背景〕
スパブタ装置等のプラズマ反応装置のような減圧下で基
板に所定の処理な施こす真空処理装置では、例えば、特
開昭54−93363号公報に記載されているように、
真空処理装置において基板が所定処理される主真空室と
外部との間における基板の搬送は、被処理面上向き水平
姿勢で実施されている。
しかし、このような基板の被処理面上向き水平姿勢での
搬送では、基板搬送雰囲気に存在する塵埃等の異物が搬
送時に基板の被処理面に付着し、この付着した異物・こ
より処理品質が低下するようになるため、結果的には、
半導体素子製造における歩留りが低下するといった問題
があった。したがって、半導体素子の精密性が飛躍的に
進んでいる現状では、基板の被処理面への異物の付着は
最も注意すべき問題の一つとして提起されている。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、主真空室と外部との間における基板の
搬送を被処理面垂直姿勢で実施することで、搬送時にお
ける基板の被処理面への異物の付着を防+hして処理品
質の低下を抑制でき半導体素子製造における歩留りを向
上できる真空処理装置を提供することにある。
〔発明のR要〕
本発明は、主真空室に兵役された真空予備室と外部との
間で基板を被処理面垂直姿勢で搬送する第1の搬送手段
と、真空予備室内で基板を被処理面垂直姿勢で搬送する
第2の搬送手段と、主真空室と真空予備室との間で基板
を被処理面垂直姿勢で搬送する第3の搬送手段とを具備
したことを特徴とするもので、主真空室と外部との間に
おける基板の搬送を被処理面垂直姿勢で実施することで
、搬送時における基板の被処理面への異物の付着を防止
して処理品質の低下を抑制しようとしたものである。
〔発明の実施例〕
本発明の一実施例を第1図〜第6図により説明する。な
お、この場合、真空処理装置としては、連続スパブタ装
W1例にとり説明するものである。
男1図、!2図で、主真空室10には、真空予備室内が
兵役されている。真空予備室内と外部との間で基板(9
)を被処理面垂直姿勢で搬送する第1の搬送手段切と、
真空予備室(9)内で基板間を被処理面垂直姿勢で搬送
する第2の搬送手段(資)と、主真空室lO,!:真空
予備室囚との間で基板間を被処理面垂直姿勢で搬送する
′!E3の搬送手段ωとが具備されている。
第1図、!!!2図で、主真空室lOは円周上に複数室
配設された処理室(1示省略)¥含むものであり、主真
空室10には、回転ドラム11がドラム面を垂直面とし
主真空室10中心を軸心εして間欠回転可能に設けられ
ている。真空予備室mは、この場合、搬送パブフッ室Δ
とロード室ρとアンロード室囚とで構成されている。搬
送バブファ室211収真空学會室νの処理室がない位置
での側壁に兵役されている。搬送バッフ1室ムが兵役さ
れた主真空室10の側壁には、基板(資)を搬送バッフ
ァ室4からと略直角をなす側壁に、例えば、ゲートバル
ブ70紮介して兵役されている。アンロード室幻は、ロ
ード室nが兵役された搬送パ1フ1室4の側壁と対向す
る側壁に、例えば、ゲートバルブ71を介して兵役され
ている。
第1図で、基板設置手段匍は、基板台81とバネ82と
プッシャー環とで構成されている。このような基板設置
手段間は、処理室および開口丘な介して搬送バブファ室
4にそれぞれ対応可能な位置で回転ドラムUのドラム面
に設けられている。即ち、基板台81は、その基板設置
面1略垂直前としバネ82を介して回転ドラム11のド
ラム面に主真空室10の気密を保持して設けられている
。プッシャー環は、回転ドラム11のドラム面1貫通し
、基板台81の基板設置面と反対面1押すことで基板台
81を処理室および開口し側に移動させるように往復動
可能に設けられている。
とで構成されている。プッシャー41は、ロード室ρの
底壁に設けられた、例えば、ゲートバルブ72に対応す
る位置で昇降動可能に駆動装置に設けられている。プッ
シャー41のゲートバルブ72と対応する上端面には、
基板30を被処理面垂直姿勢で保持可能な溝4が形成さ
れている。プッシャー410昇降動経路上には、該経路
と直交してロードカセプト匍搬送用のローラコンベア1
00が設けられて ・いる。プッシャ−42は、アンロ
ード室るの底壁に設けられた、例えば、ゲートバルブn
に対応する位置で昇降動可能に駆動装置に設けられてい
る。
プヴシャーCのゲートバルブnと対応する上端面には、
基板30す被処理面垂直姿勢で保持可能な溝aが形成さ
れている。プッシャー42の昇降動経路上には、該経路
と直交してアンロードカセット91搬送用のローラコン
ベア101が設けられている。
第1図、第2図で、第2の搬送手段間は、例えば、ロー
ラコンベア51−53と案内ローラヌと基板キャリヤ邸
、56とで構成されている。ローラコンベア51は、ロ
ーラ110 とチェノ111とDCモータ112 とで
構成されている。ローラコンベア52は、ローラ113
とチェノ114 とDCモータ115 とで構成されて
いる。ローラコンベア団は、ロー5116とチェノ11
7 とDCモータ118 とで構成されている。ロード
室n内には、ロード室nの底壁に対応して複数個のロー
ラ110が配設されている。ゲ−トバルブπに対応する
ローラ110の間隔は、ロ一度室nへの基板(9)の搬
入を阻害しない間隔になっている。被処理面を垂直姿勢
として基板刃が設置される基板キャリヤ邸が回動するロ
ーラ110によって移動させられるのを案内する複数個
の案内ローラシがロード室n内にロード室nの頂壁1こ
対応して回動自在に設けられている。ローラ110の一
つは、ロード室n外に設けられたDCモータ112に連
結されている。ローラ110には、チェノ110が無端
に巻掛けられている。搬送バグファ室21には、ローラ
コンベア51によりゲートバルブ72を介して搬送バッ
ファ室乙に搬送されてきた基板キャリヤ55を受取り可
能にローラコンベア52が設けられている。即ち、搬送
バブファ室4内には、搬送バッファ室■の底壁に対応し
て複数個のローラ113が配設されている。被処理面を
垂直姿勢として基板Iが設置される基板キャリヤ邸、5
6が回動するローラ113によって移動させられるのを
案内する複数個の案内ローラシが搬送バッファ室21内
暑こ搬送バッファ室■の頂壁に対応して回動自在に設け
られている。ローラ113の一つは、搬送バッフ1室4
外に設けられたDCモータ115に連結されている。ロ
ーラ113には、チェノ114が無端に巻掛けられてい
る。アンロード室乙には、ローラコンベア52によりゲ
ートバルブ73す介してアンロード室るに搬送されてき
た基板キャリヤ謁を受取り可能にローラコンベア田が設
けられている。即ち、アンロード室お内には、アンロー
ド室りの底壁に対応して複数個のローラ116が配設さ
れている。
ゲートバルブnに対応するローラ116の間隔は、アン
ロード室nからの基板間の搬出を阻害しない間隔になっ
ている。被処理面を垂直姿勢として基板(9)が設Tさ
れる基板キャリヤ箕が回動するローラ116によって移
動させられるのを案内する複数個の案内ローラ8が、ア
ンロード室n内にアンロード室nの頂壁に対応して回動
自在に設けられている。ローラ116の一つは、アンロ
ード室n外に設けられたDCモータ118に連結されて
いる。ローラ116には、チェノ117が無端に巻掛け
られている。
′!J1図で、第3の搬送手段ωは、例えば、伸縮可能
で回動可能なアーム61と、基板保持台62.63と、
アーム61を伸縮1回動させる駆動装5i(図示省略)
とで構成されている。アーム61の両端には、基板保持
台62.63がそれぞれ設けられている。駆動装置は、
搬送バブファ室4外に設けられている。
基板保持台62.63が設けられたアーム61は、搬送
バッファ室A内に基板保持台62.63の基板保持面を
略垂直面として設けられている。アーム61の回動停止
時には、基板保持台62.63のいずれかが開口丘を介
し基板設置手段(資)の基板台810基板設置面と対向
するようになっている。基板保持台62゜63には、放
射状方向に開閉作動し基板間を解放。
把持する爪6.65がそれぞれ設けられている。
第3図〜第6図で、基板キャリヤ5.56は、キャリヤ
本体120 と、バネ121 と、爪122とで構成さ
れている。キャリヤ本体120の一面には、基板刃を収
納すると共に基板301キャリヤ本体120へ搬入量す
るための凹123が形成されている。キャリヤ本体12
01こは、凹123を一部含む孔124.125が、こ
の場合、それぞれ3個同一円周上に120度ピッチで、
穿設されている。キャリヤ本体120の凹123が形成
された面と反対面には、バネ121が設けられている。
バネ121には、バネ121の弾性変形により開閉作動
可能に爪122の一端が設けられ、爪122の他端部は
、孔124を介し凹123内に突出させられている。爪
122の他端は、基板間な把持可能な形状となっている
。なお、孔125には、第3の搬送手段ωの爪6,65
が基板キャリヤ団、56と牢3の搬送手段ωとの間での
基板(9)の受は渡し時に挿入される。
第1図で、ロード室nには、ゲートバルブ72を介して
ロード室n内にプッシャー41により搬入されてきた基
板301基板キヤリヤ5の爪122に把持させるプッシ
ャー130が設けられている。搬送バッファ室乙には、
基板キャリヤ謁の爪122に把持された基板Xを解放す
ると共に基板キャリヤ%の爪122に基板刃を把持させ
るプッシャ−131が設けられている。アンロード室n
には、ゲートバルブ71を介して搬送バップア室器から
アンロード室23Iこ搬送されてきた基板キャリヤ%の
爪122に把持された基板30¥解放させるプッシャー
132が設けられている。
なお、主真空室10と搬送バッファ室■と1、例えば、
減圧排気する真空排気手段(図示省略)と、ロード室y
とアンロード室りとを別々に減圧排気する真空排気手段
(図示省略)とが設けられている。
°  れる。この場合、ゲートバルブ70.71はそれ
ぞれ閉止され、基板台81はバネ82のバネ力により回
転ドラム11のドラム面側に引寄せられた状態である。
一方、基板(資)が被処理面垂直姿勢で複数枚一定ピツ
チにて配列され収納されたロードカセット頒がローラコ
ンベアL00に載置されてa−ド室乙の下方位置まで搬
送され、例えば、最前列の基板間がブツシャ−41の溝
Cに対応する位置になった時点1ジ で搬送を停止される。ゲートバルブ72g開放されロー
ド室n内は外部と連通状態になっている。基板キャリヤ
団は、凹123に基板刃を収容可能な位置にローラコン
ベア51の作動により移動させられ; ている。ぎのような状態で、プッシャー411駆動装置
で上昇させることにより、ロードカセット匍の最前列に
収納されていた基板(資)は、被処理面垂直姿勢でブツ
シャ−41に受は取られる。その後、更にブツシャ−4
1を上昇させることにより基板刃は、この状態でゲート
バルブ72を介し外部からロード室n内に搬入され基板
キャリヤ謁の凹123に収容される。この場合、基板キ
ャリヤあの爪122は、バネ1211プブシャ−130
で押すことにより、凹123への基板(9)の収容前に
開かれている。凹123への基板刃の収容が完了した時
点で、ブツシャ−130によるバネ121の押しは解除
され、爪122は、開 バネ121のバネ力により2しられる。これにより、基
板刃は、被処理面垂直姿勢で爪122心把持される。基
板(9)を基板キャリヤ語に渡したプッシャー41は、
下降させられ外部の待機位置まで退避させられる。その
後、ゲートバルブnは閉止され、ロード室nは真空排気
手段の作動により搬送バッフ1室nの圧力と同程度の圧
力まで減圧排気される。
その後、ゲートバルブ70が開放され、これにより搬送
バッフ1室4とロード室nとは、連通状態となる。その
後、ローラコンベア51.52の作動により基板キャリ
ヤ団はゲートバルブ70を介してロード室部から搬送バ
ッフ1室n内に搬入される。その後、ローラコンベア5
1の作動は停止される。搬送バッファ室nに搬入された
基板キャリヤ謁は、ローラコンベア52の作動により第
3の搬送手段ωでアーム61を介し基板キャリヤ団から
基板301被処理面垂直姿勢で爪6により受は取り可能
位置まで移動させられる。その後、ブツシャ−131に
より基板キャリヤ団のバネ121に押すことで爪122
゛はバネ121のバネ力に抗して開けられ、これにより
、基板(9)は、爪122から解放される。また、これ
より以前に基板(資)は爪8で把持されている。これら
のことより、基板キャリヤ団の基板刃は第3の搬送手段
印に被処理面垂直姿勢で渡される。基板刃の爪6での把
持後、基板保持台62は、元の位置まで戻されろ。一方
、基板(資)を渡した基板キャリヤSは、プッシャー1
31によるバネ121の押しを解除された後にローラコ
ンベア52.51の作動によ覆)搬送バッファ室21か
らゲートバルブ70す介してロード室n内に戻され、凹
123に基板31収容可能な位置で待機させられる。そ
の後、ゲートバルブ70は閉止される。開口稔に対応し
た位置にある基板台81は、プッシャー簡により押され
、バネ羽のバネ力に抗して゛開ロル側に移動させられる
この移動は、基板台81の基板設置面を除く外周面が主
真空室10の側壁に到達した時点で停止される。
この状態で、アーム61は180度回転させられ。
爪Bに把持された基板間は、被処理面乗値姿勢で基板台
81の基板設置面に対応する位ftまで搬送される。そ
の後、アーム61を駆動装置の作動で繰り出すことで基
板刃は、この状態で基板台81の基板設置面に裏面が当
接するように搬送される。その後、爪6は開けられ、こ
れにより基板(資)は、爪Bから解放される。また、こ
れより以前に基板刃は爪(図示省略)等により基板台8
1の基板設置面に設置されている。これらのことより、
基板刃は被処理面垂直姿勢で第3の搬送手段ωより主真
空室10内の基板設置手段間の一つに渡される。その後
アーム61は元の状態に戻される。また、基板台81の
プブシャー羽による押しを解除することで、基板台81
はバネ82のバネ力により回転ドラム11のドラム面側
に戻される。その後、基板台81の基板設置面に被処理
面垂直姿勢で設置された基板刃は、回転ドラム11の間
欠回転Iこより各処理室に順次対応する位置まで搬送さ
れ、その間、基板刃の被処理面には、スパッタリングに
より膜が生成される。
このような間欠回転により成膜処理が完了した基板刃は
、開口玖と対応する位置まで1回転して戻される。その
後、この基板(資)は、上記した操作とは逆操作により
主真空室10から搬送バッファ室4へ搬送されプッシャ
ー131と対応する位置まで搬送される。また、爪Eに
は、上記した操作と同様の操作により基板キャリヤ邸の
爪122で把持され搬送パ171室ガ内に搬送されてき
た別の基板刃が基板キャリヤ55から渡されており、上
記した成膜処理が完了した基板刃の搬送時に基板台81
の基板設置面に対応する位置まで搬送される。その後、
この別の基板刃も同様に間欠回転させられ、この間、別
の基板刃の被処理面には、スパッタリングにより膜が生
成される。プッシャー131と対応する位置に搬送され
てきた成膜処理が完了した基板刃は、その後事3の搬送
手段ωから基板キャリヤ力に渡された後に、ローラコン
ベア52.53の作動によ(Jゲートバルブ71を介し
搬送バッファ室ユから減圧排気されたアンロード室n内
に搬送される。
その後ゲートバルブnは閉と、ゲートバルブnは開放さ
れ、成膜処理が完了した基板刃は、基板キャリヤ郭から
プッシャーCに渡された後に、アンロードカセット91
に回収される。
以上のような操作を順次連続して実施することで、ロー
ドカセット匍に収納された基板刃は、被処理面垂直姿勢
で1枚毎ロードカセット匍から取り出され、ロード室n
、搬送バブファ室4を介して主真空室10内に搬送され
て順次連続して成膜処理される。これと共に成膜処理が
完了した基板刃は、主真空室10から搬送パブ71室2
1.アンロード室りを介して外部へ取り出されアンロー
ドカセット91に1枚毎回収される。
本実施例では、次のような効果が得られる。
基板の被処理面への異物の付着を防止できる。
したがって、基板に生成された膜質の低下を抑制でき、
半導体素子製造における歩留りを向上させることができ
る。
(2)基板を基板キャリヤで保持して搬送するようにし
ているので、基板の被処理面垂直姿勢での搬送を安定し
て容易に実施することができる。
(3)  基板を基板キャリヤで保持して搬送するよう
にしているので、搬送時における基板の損傷を防とでき
る。
第7図は、本発明の第2の実施例な示すもので、本発明
の一実施例を示す第2図と異なる点は、下2の搬送手段
間を、基板キャリヤ55.56と軸130゜1311往
復動する駆動袋@ 132 、 133 とで構成した
点である。
第7図で、ロード室乙のゲートバルブ70が設けられた
側壁と対向する側壁には、軸130が気密を保持し往復
動可能に貫通して設けられてし)る。ロード室n外には
、駆動袋WL132が設けられ、駆動袋!2132には
、軸130の一端部が連結されてし)る。
軸130の他端部には、基板キャリヤ5が基板30す被
処理面垂直姿勢で保持可能に設けられている。
軸130の往復ストロークは、基板キャリヤ5が第1の
搬送手段40から基板30t−受取り可能で、基板キャ
リヤ団から第3の搬送手段(図示省略ロ二基板301渡
し可能なストロークである。また、アンロード室βのゲ
ートバルブnが設けられた側壁と対向する側壁には、軸
131が気密を保持し往復動可能に貫通して設けられて
いる。アンロード室幻外には、駆動装置133が設けら
れ、駆動袋[133には、軸131の一端部が連結され
ている。軸131の他端部には、基板キャリヤ謁が基板
(9)を被処理面垂直姿勢で保持可能に設けられてし)
る。軸131の往復ストロークは、第3の搬送手段から
基板キャリヤ%に基板間を受取り可能で、基板キャリヤ
%から第1の搬送手段切に基板間を渡し可能なストロー
クである。なお、第7図で、その他車2図と同−装置等
は同一符号で示し説明を省略する。
本実施例では、上記した本発明の一実施例で得た効果の
他に更に次のような効果を得ることができる。
(1)基板キャリヤを摩擦力によらないで搬送できるの
で、基板キャリヤを更に安定して搬送できる。
(2)  軸の往復動ストローク制御により基板キャリ
ヤの移動量な確実に制御できるので、基板の受渡しに要
する基板キャリヤの位置制御を高精度に行うことができ
る。
なお、以上の実施例では、ロード室とアンロード室とを
分離しているが、この他に装置の使用形態、構造、大き
さ等を考慮し、ロード・アンロード室としても良いこと
は勿論である。また、以上の本実施例では、真空予備室
にて基板キャリヤを水平移動させるようにしているが、
この他に1例えば、ローラコンベアの代りにスプロケッ
トホイルを設は基板キャリヤにスプロケット穴を設ける
等により基板キャリヤを垂直移動させるようにしても良
い。
〔発明の効果〕
本発明は、以上説明したように、主真空室に兵役された
真空予備室と外部との間で基板を被処理面垂直姿勢で搬
送する第1の搬送手段と、真空予備室内で基板を被処理
面垂直姿勢で搬送する第2の搬送手段と、主真空室と真
空予備室との間で基の被処理面への異物の付着を防止し
て処理品質の低下を抑制できるので、半導体素子製造に
おける歩留りを向上できるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明による真空処理装置の一実施例を示す
連続スパッタ装置の要部平面構成図、第2図は、第1図
のアーア視断面図、第3図は、下2図の基板キャリヤの
立面図、第4図は、第3図の基板キャリヤの上面図、第
5図は、第3図の基板キャリヤの下面図、第6図は、第
3図の基板キャリヤのイーイ視断面図、第7図は、本発
明による真空処理装置の第2の実施例を示すもので第2
図と同一部分の断面図である。 10・・・・・・主真空室、頷・・曲真空予備室、旬・
・1第1の搬送手段、関・川・・第2の搬送手段、印・
・曲第才1図 才2図 40−  料Q絢嘘ま没 才4図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、主真空室に具設された真空予備室と外部との間で基
    板を被処理面垂直姿勢で搬送する第1の搬送手段と、前
    記真空予備室内で前記基板を被処理面垂直姿勢で搬送す
    る第2の搬送手段と、前記真空室と前記真空予備室との
    間で前記基板を被処理面垂直姿勢で搬送する第3の搬送
    手段とを具備したことを特徴とする真空処理装置。
JP59191508A 1984-09-14 1984-09-14 真空処理装置 Pending JPS6169966A (ja)

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