JPH0636582Y2 - エッチング装置 - Google Patents
エッチング装置Info
- Publication number
- JPH0636582Y2 JPH0636582Y2 JP10523587U JP10523587U JPH0636582Y2 JP H0636582 Y2 JPH0636582 Y2 JP H0636582Y2 JP 10523587 U JP10523587 U JP 10523587U JP 10523587 U JP10523587 U JP 10523587U JP H0636582 Y2 JPH0636582 Y2 JP H0636582Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- sample
- load lock
- unload
- lock chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Specific Conveyance Elements (AREA)
- Feeding Of Articles By Means Other Than Belts Or Rollers (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本考案は、エッチング装置に係り、特に半導体素子基板
（以下、ウェハと略）等の試料をプラズマエッチング処
理するのに好適なエッチング装置に関するものである。
（以下、ウェハと略）等の試料をプラズマエッチング処
理するのに好適なエッチング装置に関するものである。
ウェハをプラズマエッチング処理するエッチング装置と
しては、例えば、特開昭59-186325号公報に記載の装置
がある。
しては、例えば、特開昭59-186325号公報に記載の装置
がある。
該エッチング装置では、ロードカセットからベルトによ
り取り出されたウェハは、アームにより真空吸着されて
ロードロック室まで搬送される。ここで、ロードロック
室は、ふたと電極構造体により構成されている。そし
て、ロードロック室の電極構造体上にセットされたウェ
ハは、該電極構造体を順次回転移動することにより二つ
の処理室で処理され、そして、再びロードロック室に戻
される。その後、処理済みのウェハは、上記と同様にア
ームとベルトによりアンロードカセットに搬送される。
り取り出されたウェハは、アームにより真空吸着されて
ロードロック室まで搬送される。ここで、ロードロック
室は、ふたと電極構造体により構成されている。そし
て、ロードロック室の電極構造体上にセットされたウェ
ハは、該電極構造体を順次回転移動することにより二つ
の処理室で処理され、そして、再びロードロック室に戻
される。その後、処理済みのウェハは、上記と同様にア
ームとベルトによりアンロードカセットに搬送される。
上記従来技術では、ベルトによる搬送を利用しているた
め、試料であるウェハの裏面にベルトの摩耗粉等の異物
が多数付着する。該裏面に付着した異物は、処理室内で
の発塵の原因となる。また、真空吸着による搬送を利用
しているため、試料であるウェハの被エッチング面、更
には、処理済みの被エッチング面が汚染される。
め、試料であるウェハの裏面にベルトの摩耗粉等の異物
が多数付着する。該裏面に付着した異物は、処理室内で
の発塵の原因となる。また、真空吸着による搬送を利用
しているため、試料であるウェハの被エッチング面、更
には、処理済みの被エッチング面が汚染される。
従って、これらのため、エッチング品質が低下し歩留ま
りが低下する問題がある。
りが低下する問題がある。
また、電極構造体をロードロック室と二つの処理室に対
応して３個設け、これらをロードロック室、二つの処理
室に順次回転移動させる構成としているため、装置構造
が複雑になるといった問題もある。
応して３個設け、これらをロードロック室、二つの処理
室に順次回転移動させる構成としているため、装置構造
が複雑になるといった問題もある。
本考案の目的は、装置構造が簡単で歩留まりを向上でき
るエッチング装置を提供することにある。
るエッチング装置を提供することにある。
上記目的は、エッチング装置を、平面形状が略Ｌ字形状
であって真空排気されるバッファ室と、前記バッファ室
の長辺部分に設けられ試料を１個プラズマエッチング処
理する処理室と、該処理室を挾み前記バッファ室の長辺
部分にそれぞれ設けられたロード側ロードロック室，ア
ンロード側ロードロック室と、前記アンロード側ロード
ロック室と対応して前記バッファ室の短辺部分に設けら
れエッチング処理済みの前記試料を１個プラズマ後処理
する後処理室と、試料すくい部を有し該試料すくい部の
旋回軌跡が前記ロード側ロードロック室内並びに処理室
内を含む軌跡であって前記バッファ室内に設けられたロ
ード用旋回アームと、試料すくい部を有し該試料すくい
部の旋回軌跡が前記処理室内，前記アンロード側ロード
ロック室内並びに前記後処理室内を含む軌跡であって前
記バッファ室内に設けられたアンロード用旋回アーム
と、試料すくい部を有し該試料すくい部の直進軌跡が前
記ロード側ロードロック室に対応して前記バッファ室外
に配置されるロード側カセット内並びに前記ロード側ロ
ードロック室内を含む軌跡であって前記バッファ室外に
設けられたロード用直進アームと、試料すくい部を有し
該試料すくい部の直進軌跡が前記アンロード側ロードロ
ック室に対応して前記バッファ室外に配置されるアンロ
ード側カセット内並びに前記アンロード側ロードロック
室内を含む軌跡であって前記バッファ室外に設けられた
アンロード用直進アームとを備えたことを特徴とするも
のとすることにより、達成される。
であって真空排気されるバッファ室と、前記バッファ室
の長辺部分に設けられ試料を１個プラズマエッチング処
理する処理室と、該処理室を挾み前記バッファ室の長辺
部分にそれぞれ設けられたロード側ロードロック室，ア
ンロード側ロードロック室と、前記アンロード側ロード
ロック室と対応して前記バッファ室の短辺部分に設けら
れエッチング処理済みの前記試料を１個プラズマ後処理
する後処理室と、試料すくい部を有し該試料すくい部の
旋回軌跡が前記ロード側ロードロック室内並びに処理室
内を含む軌跡であって前記バッファ室内に設けられたロ
ード用旋回アームと、試料すくい部を有し該試料すくい
部の旋回軌跡が前記処理室内，前記アンロード側ロード
ロック室内並びに前記後処理室内を含む軌跡であって前
記バッファ室内に設けられたアンロード用旋回アーム
と、試料すくい部を有し該試料すくい部の直進軌跡が前
記ロード側ロードロック室に対応して前記バッファ室外
に配置されるロード側カセット内並びに前記ロード側ロ
ードロック室内を含む軌跡であって前記バッファ室外に
設けられたロード用直進アームと、試料すくい部を有し
該試料すくい部の直進軌跡が前記アンロード側ロードロ
ック室に対応して前記バッファ室外に配置されるアンロ
ード側カセット内並びに前記アンロード側ロードロック
室内を含む軌跡であって前記バッファ室外に設けられた
アンロード用直進アームとを備えたことを特徴とするも
のとすることにより、達成される。
ロード側カセット内の試料は、ロード用直進アームによ
りロード側カセットからロード側ロードロック室に搬送
される。この場合、試料はその裏面を試料すくい部にす
くい保持されている。ロード側ロードロック室内の試料
は、ロード用旋回アームによりロード側ロードロック室
から処理室に搬送される。この場合、試料はその裏面を
試料すくい部にすくい保持されている。試料は、処理室
内でプラズマによりエッチング処理される。エッチング
処理後、処理室内のエッチング処理済みの試料は、アン
ロード用旋回アームにより、例えば、アンロード側ロー
ドロック室を通過し後処理室に搬送される。この場合、
エッチング処理済みの試料はその裏面を試料すくい部に
すくい保持されている。エッチング処理済みの試料は、
後処理室内でプラズマ後処理される。後処理後、後処理
室内の後処理済みの試料は、アンロード用旋回アームに
より後処理室からアンロード側ロードロック室に搬送さ
れる。この場合、後処理済みの試料はその裏面を試料す
くい部にすくい保持されている。アンロード側ロードロ
ック室内の後処理済みの試料は、アンロード用直進アー
ムによりアンロード側ロードロック室からアンロード側
カセットに搬送されて回収される。この場合、後処理済
みの試料はその裏面を試料すくい部にすくい保持されて
いる。また、例えば、エッチング処理後のプラズマ後処
理が不要の場合にあっては、処理室内のエッチング処理
済みの試料は、アンロード用旋回アームによりアンロー
ド側ロードロック室に搬送される。この場合、エッチン
グ処理済みの試料はその裏面を試料すくい部にすくい保
持されている。アンロード側ロードロック室内のエッチ
ング処理済みの試料は、アンロード用直進アームにより
アンロード側ロードロック室からアンロード側カセット
に搬送されて回収される。この場合、エッチング処理済
みの試料はその裏面を試料すくい部にすくい保持されて
いる。
りロード側カセットからロード側ロードロック室に搬送
される。この場合、試料はその裏面を試料すくい部にす
くい保持されている。ロード側ロードロック室内の試料
は、ロード用旋回アームによりロード側ロードロック室
から処理室に搬送される。この場合、試料はその裏面を
試料すくい部にすくい保持されている。試料は、処理室
内でプラズマによりエッチング処理される。エッチング
処理後、処理室内のエッチング処理済みの試料は、アン
ロード用旋回アームにより、例えば、アンロード側ロー
ドロック室を通過し後処理室に搬送される。この場合、
エッチング処理済みの試料はその裏面を試料すくい部に
すくい保持されている。エッチング処理済みの試料は、
後処理室内でプラズマ後処理される。後処理後、後処理
室内の後処理済みの試料は、アンロード用旋回アームに
より後処理室からアンロード側ロードロック室に搬送さ
れる。この場合、後処理済みの試料はその裏面を試料す
くい部にすくい保持されている。アンロード側ロードロ
ック室内の後処理済みの試料は、アンロード用直進アー
ムによりアンロード側ロードロック室からアンロード側
カセットに搬送されて回収される。この場合、後処理済
みの試料はその裏面を試料すくい部にすくい保持されて
いる。また、例えば、エッチング処理後のプラズマ後処
理が不要の場合にあっては、処理室内のエッチング処理
済みの試料は、アンロード用旋回アームによりアンロー
ド側ロードロック室に搬送される。この場合、エッチン
グ処理済みの試料はその裏面を試料すくい部にすくい保
持されている。アンロード側ロードロック室内のエッチ
ング処理済みの試料は、アンロード用直進アームにより
アンロード側ロードロック室からアンロード側カセット
に搬送されて回収される。この場合、エッチング処理済
みの試料はその裏面を試料すくい部にすくい保持されて
いる。
上記のような操作が、順次実施されることで、試料は１
個ごと連続して処理される。
個ごと連続して処理される。
以下、本考案の一実施例を第１図から第６図により説明
する。
する。
エッチング装置は、平面形状が略Ｌ字形状のバッファ室
１と、ロード側ロードロック室４と、アンロード側ロー
ドロック室５と、処理室６と、後処理室７と、ロード側
カセット２からロード側ロードロック室４までウェハ８
を搬送するロード用直進アーム９と、ロード側ロードロ
ック室４から処理室６までウェハ８を搬送するロード用
旋回アーム10と、処理室６、アンロード側ロードロック
室５、後処理室７間でウェハ８を搬送するアンロード用
旋回アーム11と、アンロード側ロードロック室５からア
ンロード側カセット３までウェハ８を搬送するアンロー
ド用直進アーム12により構成されている。
１と、ロード側ロードロック室４と、アンロード側ロー
ドロック室５と、処理室６と、後処理室７と、ロード側
カセット２からロード側ロードロック室４までウェハ８
を搬送するロード用直進アーム９と、ロード側ロードロ
ック室４から処理室６までウェハ８を搬送するロード用
旋回アーム10と、処理室６、アンロード側ロードロック
室５、後処理室７間でウェハ８を搬送するアンロード用
旋回アーム11と、アンロード側ロードロック室５からア
ンロード側カセット３までウェハ８を搬送するアンロー
ド用直進アーム12により構成されている。
この場合、処理室６は、ウェハ８を１個プラズマエッチ
ング処理する室であって、バッファ室１の長辺部分に設
けられている。ロード側ロードロック室４とアンロード
側ロードロック室５とは、処理室６を挾みバッファ室１
の長辺部分にそれぞれ設けられている。後処理室７は、
エッチング処理済みのウェハ８を１個プラズマ後処理す
る室であって、アンロード側ロードロック室と対応して
バッファ室１の短辺部分に設けられている。ロード用直
進アーム９は、その先端部に試料すくい部を有し、該試
料すくい部の直進軌跡がロード側カセット２内並びにロ
ード側ロードロック室４内を含む軌跡であってバッファ
室１外に設けられている。ロード用旋回アーム10は、そ
の先端部に試料すくい部を有し、該試料すくい部の旋回
軌跡がロード側ロードロック室４内並びに処理室６内を
含む軌跡であってバッファ室１内に設けられている。ア
ンロード用旋回アーム11は、その先端部に試料すくい部
を有し、該試料すくい部の旋回軌跡が処理室６内、アン
ロード側ロードロック室５内並びに後処理室７内を含む
軌跡であってバッファ室１内に設けられている。アンロ
ード用直進アーム12は、その先端部に試料すくい部を有
し、該試料すくい部の直進軌跡がアンロード側ロードロ
ック室５内並びにアンロード側カセット３内を含む軌跡
であってバッファ室１外に設けられている。
ング処理する室であって、バッファ室１の長辺部分に設
けられている。ロード側ロードロック室４とアンロード
側ロードロック室５とは、処理室６を挾みバッファ室１
の長辺部分にそれぞれ設けられている。後処理室７は、
エッチング処理済みのウェハ８を１個プラズマ後処理す
る室であって、アンロード側ロードロック室と対応して
バッファ室１の短辺部分に設けられている。ロード用直
進アーム９は、その先端部に試料すくい部を有し、該試
料すくい部の直進軌跡がロード側カセット２内並びにロ
ード側ロードロック室４内を含む軌跡であってバッファ
室１外に設けられている。ロード用旋回アーム10は、そ
の先端部に試料すくい部を有し、該試料すくい部の旋回
軌跡がロード側ロードロック室４内並びに処理室６内を
含む軌跡であってバッファ室１内に設けられている。ア
ンロード用旋回アーム11は、その先端部に試料すくい部
を有し、該試料すくい部の旋回軌跡が処理室６内、アン
ロード側ロードロック室５内並びに後処理室７内を含む
軌跡であってバッファ室１内に設けられている。アンロ
ード用直進アーム12は、その先端部に試料すくい部を有
し、該試料すくい部の直進軌跡がアンロード側ロードロ
ック室５内並びにアンロード側カセット３内を含む軌跡
であってバッファ室１外に設けられている。
また、各カセット２、３の下にはカセット上下機構13
が、各ロードロック室４、５と処理室６と後処理室７に
はウェハ押し上げ機構14がそれぞれ設けられており、そ
れぞれ各直進アーム９、12、各旋回アーム10、11にウェ
ハ８を受渡しできる構成となっている。更に、各ロード
ロック室４、５はふた15とゲート16により構成されてい
る。
が、各ロードロック室４、５と処理室６と後処理室７に
はウェハ押し上げ機構14がそれぞれ設けられており、そ
れぞれ各直進アーム９、12、各旋回アーム10、11にウェ
ハ８を受渡しできる構成となっている。更に、各ロード
ロック室４、５はふた15とゲート16により構成されてい
る。
次に、ウェハ処理操作について説明する。
まず、ロード用直進アーム９をロード側カセット２側に
向かって動作し、フォーク17をロード側カセット２内の
最下段のウェハ８の下方に挿入する。その後、カセット
上下機構13を動作してロード側カセット２を下降し、フ
ォーク17上に設けた支持部材18上にウェハ８を移載す
る。そして、ロード側ロードロック室４のふた15を開い
た状態でロード用直進アーム９をロード側ロードロック
室４まで移動し、ウェハ８裏面を点支持した状態で搬送
する。その後、ウェハ押し上げ機構14を動作してウェハ
８をロード側ロードロック室４のゲート16の支持部材19
上に点支持する。そして、ロード側ロードロック室４を
真空排気した後、ゲート16を下降し、再びウェハ押し上
げ機構14を動作してロード用旋回アーム10にウェハ８を
受渡し、バッファ室１内、つまり、真空中を支持部材20
により点支持した状態で処理室６まで搬送する。また、
この逆の動作によりウェハ８をアンロード側カセット３
まで搬送する。尚、後処理が必要な場合は、アンドーロ
用旋回アーム11により後処理室７を経由して搬送する。
後処理室７では、エッチング処理済みの試料８のプラズ
マ後処理が実施される。
向かって動作し、フォーク17をロード側カセット２内の
最下段のウェハ８の下方に挿入する。その後、カセット
上下機構13を動作してロード側カセット２を下降し、フ
ォーク17上に設けた支持部材18上にウェハ８を移載す
る。そして、ロード側ロードロック室４のふた15を開い
た状態でロード用直進アーム９をロード側ロードロック
室４まで移動し、ウェハ８裏面を点支持した状態で搬送
する。その後、ウェハ押し上げ機構14を動作してウェハ
８をロード側ロードロック室４のゲート16の支持部材19
上に点支持する。そして、ロード側ロードロック室４を
真空排気した後、ゲート16を下降し、再びウェハ押し上
げ機構14を動作してロード用旋回アーム10にウェハ８を
受渡し、バッファ室１内、つまり、真空中を支持部材20
により点支持した状態で処理室６まで搬送する。また、
この逆の動作によりウェハ８をアンロード側カセット３
まで搬送する。尚、後処理が必要な場合は、アンドーロ
用旋回アーム11により後処理室７を経由して搬送する。
後処理室７では、エッチング処理済みの試料８のプラズ
マ後処理が実施される。
上記のように、ウェハは全ての工程においてその裏面を
すくい保持されて搬送されるため、該裏面への異物の付
着、それによる発塵が防止されると共に、ウェハの被エ
ッチング面、更には、エッチング処理後の汚染が防止さ
れるため、ウェハのエッチング品質の低下が抑制され歩
留まりが向上する。また、各旋回アームによりロード側
ロードロック室、処理室、後処理室、アンロード側ロー
ドロック室にウェハを搬送する機構を採用しているた
め、装置構成が簡単化される。
すくい保持されて搬送されるため、該裏面への異物の付
着、それによる発塵が防止されると共に、ウェハの被エ
ッチング面、更には、エッチング処理後の汚染が防止さ
れるため、ウェハのエッチング品質の低下が抑制され歩
留まりが向上する。また、各旋回アームによりロード側
ロードロック室、処理室、後処理室、アンロード側ロー
ドロック室にウェハを搬送する機構を採用しているた
め、装置構成が簡単化される。
次に、直進アームへの支持部材の配置について説明す
る。
る。
第１図に示すように、ロード用旋回アーム10によるロー
ド側ロードロック室４から処理室６までの搬送は右方向
にθ１回転動作することにより行われる。よって、ウェ
ハ８は、ロード側ロードロック室４にセットされた状態
から左右方向にθ１回転した状態で処理室６にセットさ
れる。また、アンロード用旋回アーム11による処理室６
からアンロード側ロードロック室５までの搬送は、逆に
左方向にθ２回転駆動することにより行われる。よっ
て、ウェハ８は更に左方向にθ２回転した状態でアンロ
ード側ロードロック室５にセットされる。
ド側ロードロック室４から処理室６までの搬送は右方向
にθ１回転動作することにより行われる。よって、ウェ
ハ８は、ロード側ロードロック室４にセットされた状態
から左右方向にθ１回転した状態で処理室６にセットさ
れる。また、アンロード用旋回アーム11による処理室６
からアンロード側ロードロック室５までの搬送は、逆に
左方向にθ２回転駆動することにより行われる。よっ
て、ウェハ８は更に左方向にθ２回転した状態でアンロ
ード側ロードロック室５にセットされる。
以上のことより、ロード側カセット２から取り出された
ウェハ８は、ロード用旋回アーム10の回転角θ１とアン
ロード用旋回アーム11の回転角θ２の和だけ回転した状
態でアンロード用直進アーム12に受け渡されることがわ
かる。従って、第３図に示すようにロード用直進アーム
９のフォーク17上の支持部材18の取付け位置（A,B,C）
に対して、アンロード用直進アーム12のフォーク17上の
支持部材18の取付け位置を同一円周上でロード用及びア
ンロード用旋回アーム10,11の回転角の和だけ回転した
取付け位置（Ａ′,B′,C′）とすることにより、ウェハ
８裏面の同一位置を支持して搬送することが可能とな
る。
ウェハ８は、ロード用旋回アーム10の回転角θ１とアン
ロード用旋回アーム11の回転角θ２の和だけ回転した状
態でアンロード用直進アーム12に受け渡されることがわ
かる。従って、第３図に示すようにロード用直進アーム
９のフォーク17上の支持部材18の取付け位置（A,B,C）
に対して、アンロード用直進アーム12のフォーク17上の
支持部材18の取付け位置を同一円周上でロード用及びア
ンロード用旋回アーム10,11の回転角の和だけ回転した
取付け位置（Ａ′,B′,C′）とすることにより、ウェハ
８裏面の同一位置を支持して搬送することが可能とな
る。
次に、旋回アームへの支持部材の配置について説明す
る。
る。
第４図に示すように、ロード用旋回アーム10が処理室６
に停止した時のロード用旋回アーム10の支持部材20の取
付け位置をA,B,Cとすると、アンロード用旋回アーム11
が処理室６に停止した時の支持部材20位置が上記A,B,C
と一致するようにアンロード用旋回アーム11に支持部材
20を取り付けることにより、ウェハ８裏面の同一位置を
支持して各旋回アーム10,11により搬送することが可能
となる。
に停止した時のロード用旋回アーム10の支持部材20の取
付け位置をA,B,Cとすると、アンロード用旋回アーム11
が処理室６に停止した時の支持部材20位置が上記A,B,C
と一致するようにアンロード用旋回アーム11に支持部材
20を取り付けることにより、ウェハ８裏面の同一位置を
支持して各旋回アーム10,11により搬送することが可能
となる。
続いて、ロードロック室への支持部材の配置についてロ
ード側を例にとって説明する。
ード側を例にとって説明する。
第５図，第６図に示すように、ロード側ロードロック室
４の支持部材19をロード用旋回アーム10がロード側ロー
ドロック室４に停止した時のロード用旋回アーム10の支
持部材20の取付け位置A,B,Cをロード用ロードロック室
４のゲート16上に投影した位置に設けることにより、ロ
ード用旋回アーム10とウェハ８裏面の同一位置を支持す
ることが可能となる。
４の支持部材19をロード用旋回アーム10がロード側ロー
ドロック室４に停止した時のロード用旋回アーム10の支
持部材20の取付け位置A,B,Cをロード用ロードロック室
４のゲート16上に投影した位置に設けることにより、ロ
ード用旋回アーム10とウェハ８裏面の同一位置を支持す
ることが可能となる。
上記したように、搬送中のウェハ裏面の支持面積を減
少、ウェハ裏面への異物の付着を更に防止できて低塵埃
化を図ることができるので、その結果として、歩留まり
を更に向上させることができる。
少、ウェハ裏面への異物の付着を更に防止できて低塵埃
化を図ることができるので、その結果として、歩留まり
を更に向上させることができる。
本考案によれば、試料は全ての工程においてその裏面を
すくい保持されて搬送されるため、該裏面への異物の付
着、それによる発塵を防止できると共に、試料の被エッ
チング面、更には、エッチング処理後の汚染を防止でき
るため、試料のエッチング品質の低下を抑制でき歩留ま
りを向上できる。また、各旋回アームによりロード側ロ
ードロック室、処理室、後処理室、アンロード側ロード
ロック室に試料を搬送する機構を採用しているため、装
置構成を簡単化できる。
すくい保持されて搬送されるため、該裏面への異物の付
着、それによる発塵を防止できると共に、試料の被エッ
チング面、更には、エッチング処理後の汚染を防止でき
るため、試料のエッチング品質の低下を抑制でき歩留ま
りを向上できる。また、各旋回アームによりロード側ロ
ードロック室、処理室、後処理室、アンロード側ロード
ロック室に試料を搬送する機構を採用しているため、装
置構成を簡単化できる。
第１図は、本考案の一実施例のエッチング装置の平面構
成図、第２図は、第１図装置の縦断面図、第３図は、直
進アームの要部平面図、第４図は、旋回アームの要部平
面図、第５図は、ロードロック室への支持部材の配置説
明用の平面図、第６図は、第５図のＤ−Ｄ断面図であ
る。 １……バッファ室、４……ロード側ロードロック室、５
……アンロード側ロードロック室、６……処理室、７…
…後処理室、９……ロード用直進アーム、10……ロード
用旋回アーム、11……アンロード用旋回アーム、12……
アンロード用直進アーム、18,19,20……支持部材
成図、第２図は、第１図装置の縦断面図、第３図は、直
進アームの要部平面図、第４図は、旋回アームの要部平
面図、第５図は、ロードロック室への支持部材の配置説
明用の平面図、第６図は、第５図のＤ−Ｄ断面図であ
る。 １……バッファ室、４……ロード側ロードロック室、５
……アンロード側ロードロック室、６……処理室、７…
…後処理室、９……ロード用直進アーム、10……ロード
用旋回アーム、11……アンロード用旋回アーム、12……
アンロード用直進アーム、18,19,20……支持部材
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｂ 9277−4Ｍ (56)参考文献 特開 昭60−47256（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−246381（ＪＰ，Ａ) 実開 昭59−78633（ＪＰ，Ｕ)
Claims (1)
- 【請求項１】平面形状が略Ｌ字形状であって真空排気さ
れるバッファ室と、 前記バッファ室の長辺部分に設けられ試料を１個プラズ
マエッチング処理する処理室と、 該処理室を挾み前記バッファ室の長辺部分にそれぞれ設
けられたロード側ロードロック室，アンロード側ロード
ロック室と、 前記アンロード側ロードロック室と対応して前記バッフ
ァ室の短辺部分に設けられエッチング処理済みの前記試
料を１個プラズマ後処理する後処理室と、 試料すくい部を有し該試料すくい部の旋回軌跡が前記ロ
ード側ロードロック室内並びに処理室内を含む軌跡であ
って前記バッファ室内に設けられたロード用旋回アーム
と、 試料すくい部を有し該試料すくい部の旋回軌跡が前記処
理室内，前記アンロード側ロードロック室内並びに前記
後処理室内を含む軌跡であって前記バッファ室内に設け
られたアンロード用旋回アームと、 試料すくい部を有し該試料すくい部の直進軌跡が前記ロ
ード側ロードロック室に対応して前記バッファ室外に配
置されるロード側カセット内並びに前記ロード側ロード
ロック室内を含む軌跡であって前記バッファ室外に設け
られたロード用直進アームと、 試料すくい部を有し該試料すくい部の直進軌跡が前記ア
ンロード側ロードロック室に対応して前記バッファ室外
に配置されるアンロード側カセット内並びに前記アンロ
ード側ロードロック室内を含む軌跡であって前記バッフ
ァ室外に設けられたアンロード用直進アームとを備えた
ことを特徴とするエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10523587U JPH0636582Y2 (ja) | 1987-07-10 | 1987-07-10 | エッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10523587U JPH0636582Y2 (ja) | 1987-07-10 | 1987-07-10 | エッチング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6412037U JPS6412037U (ja) | 1989-01-23 |
| JPH0636582Y2 true JPH0636582Y2 (ja) | 1994-09-21 |
Family
ID=31337665
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10523587U Expired - Lifetime JPH0636582Y2 (ja) | 1987-07-10 | 1987-07-10 | エッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0636582Y2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003524897A (ja) * | 2000-02-25 | 2003-08-19 | ウェーハマスターズ・インコーポレイテッド | ウェーハ処理システム |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2644912B2 (ja) | 1990-08-29 | 1997-08-25 | 株式会社日立製作所 | 真空処理装置及びその運転方法 |
| JP2757546B2 (ja) * | 1990-08-27 | 1998-05-25 | 日本電気株式会社 | Ｆｅを含む物質のエッチング方法およびエッチング装置 |
| USRE39823E1 (en) * | 1990-08-29 | 2007-09-11 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing operating method with wafers, substrates and/or semiconductors |
| USRE39756E1 (en) * | 1990-08-29 | 2007-08-07 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing operating method with wafers, substrates and/or semiconductors |
-
1987
- 1987-07-10 JP JP10523587U patent/JPH0636582Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003524897A (ja) * | 2000-02-25 | 2003-08-19 | ウェーハマスターズ・インコーポレイテッド | ウェーハ処理システム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6412037U (ja) | 1989-01-23 |
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