KR930017081A - 프라즈마 cvd장비의 프로세스 챔버구조 - Google Patents

프라즈마 cvd장비의 프로세스 챔버구조 Download PDF

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Abstract

본 발명은 프라즈마 CVD장비의 프로세스 챔버구조에 관한 것으로, 프로세스 챔버본체의 내부 중간부에 형성된 원통형 돌출부의 외주연부를 따라 인접하게 설치장공이 구비된 히팅플레이트를 설치하여 그의 설치장공에 웨이퍼가 안착되는 복수개의 서스셉터를 회전 및 공전가능하게 설치하고, 그 서스셉터를 자전 및 공전시키는 구동수단과 상기 각각의 서스셉터에 소정의 열을 가하는 복수개의 히터와, 상기 본체의 상측에 배치된 가스관으로부터 공급되는 프로세스 가스를 이온(ion)화시키는 전극과, 그 전극에 의해 이온화된 가스를 분출하는 다수개의 분출공이 구비된 샤워를 구비하여, 한번에 여러장의 웨이퍼를 동시에 처리함과 아울러 그 웨이퍼들을 각각 자전 및 공전시킴으로써 산화막의 품질을 향상시키고 생산성 향상을 도모한 것이다.

Description

프라즈마 CVD장비의 프로세스 챔버구조
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 통상적인 프라즈마 CVD장비의 개략적인 구성을 보인 평면도, 제2도는 통상적인 프라즈마 CVD장비의 프로세스 챔버(process chamber) 내부구조 및 작용을 보인 종단면도, 제3도는 본 발명에 의한 프라즈마 CVD장비의 프로세스 챔버구조 및 작용을 보인 종단면도, 제4도 및 제5도는 본 발명에 의한 프로세스 챔버의 상, 하부 구조를 상세하게 보인도면.

Claims (3)

  1. 프로세스 챔버본체(21)의 내부 중간부에 형성된 원통형 돌출부(22)의 외주연부를 따라 인접하게 설치장공(23a)이 구비된 히팅플레이트(23)를 설치하여 그의 설치장공(23a)에 웨이퍼(24)가 안착되는 복수개의 서스셉터(25)를 자전 및 공전가능하게 설치하고, 그 서스셉터(25)를 자전 및 공전시키는 구동수단(26)과 상기 각각의 서스셉터(25)에 소정의 열을 가하는 복수개의 히터(27)와, 상기 본체(21)의 상측에 배치된 가스관(28)으로부터 공급되는 프로세스 가스를 이온(ion)화시키는 전극(29)와, 그 전극(29)에 의해 이온화된 가스를 분출하는 다수개의 분출공(30a)이 구비된 샤워(30)를 구비하여, 한번에 여러장의 웨이퍼를 동시에 처리함과 아울러 그 웨이퍼들을 각각 자전 및 공전시킴으로써 산화막의 품질을 향상시킬 수 있도록한 것을 특징으로 하는 프라즈마 CVD장비의 프로세스 챔버구조.
  2. 제1항에 있어서, 구동수단(26)은 별도의 구동모터에 연결된 구동기어(32)에 각 서스셉터(25)의 샤프트(25a)에 결합된 종동기어(31)가 맞물려 회전하도록 된 것을 특징으로 하는 프라즈마 CVD장비의 프로세스 챔버구조.
  3. 제1항에 있어서, 상기 샤워(30)는 4개의 샤워부(30a), (30b), (30c), (30d)로 분리형성되어 환형의 전극(29)하측에 배열설치됨을 특징으로 하는 프라즈마 CVD장비의 프로세스 챔버구조.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019920001543A 1992-01-31 1992-01-31 프라즈마 cvd 장비의 프로세스 챔버구조 KR100253263B1 (ko)

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