KR100674872B1 - 다중 기판의 화학 기상 증착 장치 - Google Patents

Abstract

기판의 공전 및 자전을 동시에 이루어 기판 상에 균일한 막의 성장을 이룰 수 있는 다중 기판의 화학 기상 증착 장치가 제공된다.

본 발명은, 기체 유입구와 기체 배출구가 형성된 챔버; 기판과, 상기 기체 유입구를 통하여 유입되는 기체와의 반응 온도를 조절하기 위한 가열 수단; 상기 챔버의 내부에서 회전 가능한 회전판을 구비하고, 상기 회전판 상에는 기판이 각각 배치된 다수의 디스크 수단들을 구비하며, 상기 회전판의 회전을 통하여 상기 기판에 공전을 부여하는 기판 공전 수단; 및 상기 기판 공전 수단의 회전에 의하여 상기 회전판 상에서 상기 디스크 수단을 각각 회전시켜 상기 디스크 수단 상의 각각의 기판에 자전을 부여하도록 된 기판 자전수단;을 포함하는 다중 기판의 화학 기상 증착 장치를 제공한다.

본 발명에 의하면, 고온의 증착 막 성장 조건하에서도 여러 장의 기판의 공전 및 자전을 동시에 할 수 있고, 그에 따라서 다중 기판의 증착 품질을 우수하게 하는 효과를 얻는다.

기판의 공전 및 자전, 화학 기상 증착 장치, CVD, 기판 공전 수단, 기판 자전수단

Description

다중 기판의 화학 기상 증착 장치{Chemical Vapor Deposition Apparatus for Multiple Substrates}

도1은 종래 기술의 일례에 따른 화학 기상 증착 장치의 중요부를 도시한 단면도.

도2는 종래 기술의 다른 예에 따른 화학 기상 증착 장치의 중요부를 도시한 단면도.

도3은 본 발명에 따른 다중 기판의 화학 기상 증착 장치를 도시한 종 단면도.

도4는 본 발명에 따른 다중 기판의 화학 기상 증착 장치에 구비된 기판 공전 수단및 기판 자전수단을 상세히 도시한 확대 단면도.

도5는 본 발명에 따른 다중 기판의 화학 기상 증착 장치의 상세도로서,

a)도는 회전판의 상세도, b)도는 고정판의 상세도.

도6a) 내지 6d)는 본 발명에 따른 다중 기판의 화학 기상 증착 장치 동작을 단계적으로 도시한 설명도.

*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*

1.... 본 발명에 따른 다중 기판의 화학 기상 증착 장치

5.... 기판 10.... 챔버(Chamber)

12.... 기체 유입구 14.... 기체 배출구

20.... 가열 수단 30.... 기판 공전 수단

32.... 회전판 32a....원형 구멍

34.... 디스크 수단 36.... 회전축

38.... 회전 수단 40.... 기판 자전수단

42.... 돌기 45.... 홈

46.... 고정판 48.... 브라켓

100,200.... 종래의 기상 증착 장치 103.... 베이스

105.... 가스 공급라인 106.... 기재 홀더

114.... 지지 구 117.... 유출 개방 부

118.... 트레이 120.... 기판

210.... 다수의 디스크 212.... 웨이퍼

216.... 지지대

본 발명은 기판상에 고온의 화학 기상 증착을 이루는 장치에 관한 것으로, 보다 상세히는 여러 기판의 전면에 화학 기상 증착을 형성하는 경우, 기판의 공전 및 자전을 동시에 이루어 기판 상에 균일한 막의 성장을 이룰 수 있는 다중 기판의 화학 기상 증착 장치에 관한 것이다.

일반적으로 화학적 기상 증착(Chemical Vapor Phase Deposition)은 여러 가지 기판상에 다양한 결정막을 성장시키는 데 주요한 방법으로 사용되고 있다. 일반 적으로 액상 성장법에 비해, 성장시킨 결정의 품질이 뛰어나지만, 결정의 성장 속도가 상대적으로 느린 단점이 있다. 이것을 극복하기 위해 한 번의 성장 싸이클에서 여러 장의 기판상에 동시에 성장을 실행하는 방법이 널리 채택되고 있다.

그러나, 상기와 같이 여러 장의 기판상의 동시에 막을 성장시키는 경우, 각 기판상에서 성장한 결정 막에 대하여 동일한 품질을 보장하기 위해서는, 각 기판의 온도와 여러 기판상의 반응 기체의 흐름을 동일하게 유지해야 한다.

이러한 목적을 달성하기 위한 방법으로는, 여러 개의 주입 관을 사용하여 각 기판상의 가스 흐름을 비슷하게 하는 방법, 또는 여러 기판을 하나의 회전축을 중심으로 방사상으로 배열하고 전체의 기판을 동일 축 상에서 회전시키는 방법(공전)과, 각각의 기판을 독립적으로 회전(자전)하는 방법 등이 있으며, 이러한 종래의 방식은 때로는 개별적으로, 때로는 복합적으로 사용되었다.

그렇지만, 여러 기판을 하나의 회전축 상에 배열하고, 반응 가스 중 최소 하나 이상의 가스가 회전축 상에서 방사상으로 퍼져나가는 형태의 구조에서는, 기판 전체를 동시에 회전(공전)시킴으로써 반응 기체의 분포를 회전축을 중심으로 동심원상에 위치시켜 가스의 흐름을 동일하게 유지할 수 있으나, 하나의 기판상에서 회전축 상에 가까이 놓인 부분과 먼 부분 사이에서 일어나는 반응 기체의 농도의 차를 피할 수 있는 방법은 없는데, 이 경우 여러 기판들을 각각 그 중심축을 기준으로 하여 회전(자전)시키는 것이 좋은 해결 방법이 된다.

또한, 이러한 기상 증착에는 일반적으로 주입 가스가 기판상에서 반응하기 위하여 기판을 고온의 성장 온도로 유지하는 것이 필요한데, 이에 따라 기판의 지 지부도 또한 고온으로 유지하는 것이 필요하다. 그렇지만, 이러한 온도 유지 조건은 각각의 기판의 공전 및 자전을 동시에 실행하는 데 있어 여러 가지 어려움을 야기한다. 그리고, 고온에서는 일반적으로 많이 사용되는 금속 물질에 기반한 기어 구조를 사용하는 데에는 많은 제약이 수반되어 구체적으로 실현되기 힘들다.

이와 관련된 종래의 기술이 도 1에 도시되어 있다. 이는 한국특허공개 특2003-59199호에 관한 것으로서, 이와 같은 종래의 기상 증착 장치(100)는 반응기 하우징내에 베이스(103)가 위치되고, 상기 베이스(103)에는 가스 공급라인(105)을 통하여 유동하는 가스 흐름에 의하여 회전 구동되는 적어도 하나의 기재 홀더(106)가 구비되며, 상기 기재 홀더(106)는 가스 쿠션(Gas Cushion) 상에서 지지 구(114)내에 배치되어 위치가 고정된다. 그리고, 이러한 지지 구(114)는 공급라인(105)에 마련된 유출 개방 부(117)의 하측에 배치된 트레이(118)에 형성되어 있다. 이와 같은 종래의 기술은 기재 홀더(106)가 가스 공급라인(105)을 통하여 공급되는 가스에 의해서 회전되어 자전이 이루어지고, 따라서 그 위에 올려진 기판(120)이 자전 되는 구조이다.

이와 같이 종래의 기술은 상기 기판이 베이스(103)의 공전과 더불어서 기재 홀더(106)의 자전에 의해서 기판(120)의 공전 및 자전이 동시에 이루어지는 구조를 갖는다.

그렇지만 이와 같은 종래의 기술은 가스 흐름을 이용하기 때문에 반응기 내의 기체에 온도 변화를 일으키거나 또는 그 회전용 가스 흐름의 정확한 제어가 어려워서 각각의 기판들의 공전 및 자전 속도들을 정확하게 제어할 수 없고, 그에 따 라서 각각의 기판상에 균일한 막의 화학 기상 증착을 이루기가 어렵다.

한편, 도 2에는 또 다른 종래의 기술이 도시되어 있다. 이는 한국특허 제0137876호에 기재된 내용으로서, 이러한 종래의 장치(200)는 다수의 디스크(210)가 축 둘레에서 회전 운동하는 동시에 에피텍셜 성장중인 웨이퍼(212)를 운반하면서 자전하고 있으며, 상기 다수의 디스크(210)들을 구비한 지지대(216)는 공전하는 상태로 배치되며, 이러한 다수의 웨이퍼(212)를 반응성 가스 흐름에 노출시킴으로써 반도체 재료인 다수의 웨이퍼(212)를 처리하기 위한 에피텍셜 성장 반응로이다.

그리고, 상기 디스크(210)와 지지대(216)들은 모두 하부로부터 공급되는 가스 흐름에 의해 자전 및 공전이 이루어지도록 된 것이다.

따라서, 이와 같은 종래의 기술도 웨이퍼(212)의 자전 및 공전이 동시에 이루어지면서 그 표면에 기체 증착을 이루는 것이지만, 이러한 구조도 가스 흐름을 이용한 자전 및 공전 구조로 인하여 웨이퍼 상에 균일한 막의 화학 기상 증착을 형성하기가 어렵다.

뿐만 아니라, 이와 같은 종래의 기술들은 모두 반응기 내의 압력 상태에 따라서 그 회전에 영향을 받고, 각 기판 또는 웨이퍼의 질량 변화, 예를 들면 기판 두께가 다른 것을 사용한다든지, 다른 종류의 기판을 사용하는 경우, 기판의 회전수에 차이가 발생하는 문제점을 갖는다.

본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해소하기 위한 것으로서, 고온의 증착 막 성장 조건하에서도 여러 장의 기판의 공전 및 자전을 동시에 할 수 있고, 항 상 일정한 기판의 공전 및 자전을 보장하는 다중 기판의 화학 기상 증착 장치를 제공함에 제 1의 목적이 있다.

그리고, 본 발명은 반응기 내의 압력 상태에 따라서 회전에 영향을 받지 않고, 각각의 기판의 질량 변화 등에 의해서도 기판의 회전에 차이를 발생시키지 않음으로써 기판 사이 및 기판 내에서의 기체 증착 막의 두께 및 조성의 균일도를 증가시키도록 된 다중 기판의 화학 기상 증착 장치를 제공함에 제 2의 목적이 있다.

상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명은,

기체 유입구와 기체 배출구가 형성된 챔버;

기판과, 상기 기체 유입구를 통하여 유입되는 기체와의 반응 온도를 조절하기 위한 가열 수단;

상기 챔버의 내부에서 회전 가능한 회전판을 구비하고, 상기 회전판 상에는 기판이 각각 배치된 다수의 디스크 수단들을 구비하며, 상기 회전판의 회전을 통하여 상기 기판에 공전을 부여하는 기판 공전 수단; 및

상기 기판 공전 수단의 회전에 의하여 상기 회전판 상에서 상기 디스크 수단을 각각 회전시켜 상기 디스크 수단 상의 각각의 기판에 자전을 부여하도록 된 기판 자전수단;을 포함하여 상기 기판의 증착 중에 공전 및 자전을 동시에 이루도록 구성된 다중 기판의 화학 기상 증착 장치를 제공한다.

이하, 첨부된 도면에 따라 본 발명을 상세하게 설명한다.

본 발명에 따른 다중 기판의 화학 기상 증착 장치(1)는 도 3에 도시된 바와 같이, 기판(5)의 증착 중에 공전 및 자전을 동시에 이루어 기체 증착 막의 두께 및 조성의 균일도를 증가시키도록 된 장치에 관한 것이다.

본 발명에 따른 다중 기판의 화학 기상 증착 장치(1)는, 기체 유입구(12)와 기체 배출구(14)가 형성된 챔버(Chamber)(10)를 갖는다.

상기 챔버(10)의 외부에는 기판(5)에 화학적 증기(Chemical Vapor)를 제공하는 기체 공급수단(미도시)이 배치되고, 상기 기체 유입구(12)를 통하여 화학적 증기가 유입되며, 이는 기체 배출구(14)를 통하여 챔버(10)로부터 배출된다. 이러한 챔버(10)는 상기 기체 유입구(12)가 챔버(10)의 상부 또는 일 측방에 위치되고, 챔버(10)를 통하여 흐른 다음, 챔버(10)의 하부 또는 타 측방에 배치된 기체 배출구(14)를 통하여 외부로 배출되는 구조이다.

따라서, 바람직하게는 상기 챔버(10)는 한 가지 이상의 증착 기체가 챔버(10) 중앙의 회전판(32)의 중앙으로 부터 외주부분으로 흐르도록 기체 유입구(12)와 기체 배출구(14)가 형성된 것이다.

즉, 상기 기체 유입구(12)는 상기 챔버 상부면 중앙에 위치할 수 있다.

그리고, 상기 기체 배출구(14)는 상기 챔버 측면 하부에 위치할 수 있고, 또는 상기 챔버 하부면에 위치할 수 있다.

또한, 상기 챔버(5)의 측면 상측에는 한가지 이상의 증착 기체가 상기 챔버 내부로 유입되도록 기체 유입구(12)가 형성되며, 상기 챔버 하부에 기체 배출부(14)가 형성된 구조일 수 있는 것이다.

그리고, 본 발명은 상기 챔버(10) 내의 온도를 일정 값 이상으로 상승시켜 증착 반응 온도로 유지함으로써 상기 기체로 부터 기판(5) 또는 웨이퍼 상에 증착이 이루어지도록 하는 유지하는 가열 수단(20)을 구비한다. 상기 가열 수단(20)은 전기히터, 고주파유도, 적외선방사, 레이저 등이 있을 수 있으며, 이는 상기 챔버(10)의 내,외부에 선택적으로 위치될 수 있다. 뿐만 아니라, 상기 가열수단(20)은 도 3에서 상기 챔버(10)의 외측과 상기 기판(5)의 하부에 모두 도시하였으나, 이는 어느 한 측만 형성하여도 상관없다.

또한, 본 발명은 상기 챔버(10)의 내부에서 상기 기판(5)에 공전을 부여하는 기판 공전 수단(30)을 구비한다. 상기 기판 공전 수단(30)은 상기 챔버(10)의 내부에서 회전 가능한 회전판(32)을 구비하고, 상기 회전판(32) 상에는 기판(5)이 상부에 각각 배치된 다수의 디스크 수단(34)들을 구비하며, 상기 회전판(32)의 회전을 통하여 기판(5)이 공전한다.

도 4 및 도 5에는 상기 기판 공전 수단(30)이 보다 상세히 도시되어 있다.

상기 기판 공전 수단(30)은 회전판(32)의 하부 면으로부터 회전축(36)이 챔버(10)의 외측으로 밀봉 가능하게 연장되고, 상기 회전축(36)은 모터 등으로 이루어진 회전 수단(38)에 동력 전달 가능하게 연결되어 회전되는 구조이다.

그리고, 상기 디스크 수단(34)들은 회전판(32)의 중앙에 형성되는 회전축(36)을 중심으로 동심원상에 배치되고, 그 각각은 원판들로 이루어지며, 또한 상기 디스크 수단(34)들은 상기 회전판(32)에 형성된 각각의 원형 구멍(32a) 내에 회전 가능하도록 배치된다.

또한, 상기 회전판(32)의 원형 구멍(32a)에는 각각 상기 디스크 수단(34)이 안착되어 회전 가능한 단턱(32b)이 형성되며, 상기 단턱(32b)의 하부 측으로는 이후에 설명되는 기판 자전수단(40)의 돌기(42)가 상기 디스크 수단(34)의 원판 하부 면으로부터 연장되는 구조이다.

따라서, 상기 회전판(32)은 모터 등으로 이루어진 회전 수단(38)의 작동으로 챔버(10) 내에서 회전되며, 상기 디스크 수단(34) 상에 배치된 기판(5)들을 상기 회전판(32)의 회전축(36)을 중심으로 공전하는 것이다.

그리고, 본 발명은 상기 디스크 수단(34) 상의 각각의 기판(5)들이 공전하는 도중에 자전을 동시에 이루도록 하는 기판 자전수단(40)을 포함한다.

상기 기판 자전수단(40)은 상기 디스크 수단(34)의 하면 측으로부터 하향 연장되는 돌기(42)와, 상기 돌기(42)의 하단이 끼워져 활주 이동 안내되는 홈(45)이 상부 면에 형성된 고정판(46)을 포함한다. 그리고, 상기 고정판(46)은 바람직하게는 상기 회전판(32)의 하면에 밀착 배치되고, 그 외측 모서리가 챔버(10)의 내벽에 고정되는 구조, 예를 들면 다수의 브라켓(48) 등을 통하여 챔버(10)에 고정되는 구조이다.

또한, 상기 고정판(46)의 상부 면에 형성된 홈(45)은 도 5b)에 도시된 바와 같이, 4 분할된 고정판(46) 상에서 각각 호형으로 휘어진 상태로 형성되고 이들이 서로 연결되어 하나의 연속된 트랙(Track)을 형성한다. 그리고, 이와 같은 홈(45)은 상기 디스크 수단(34)으로부터 하향 연장된 돌기(42)들이 홈(45)을 따라 이동하도록 배치되는 것이다.

따라서, 상기 기판 공전 수단(30)의 회전에 의하여 회전판(32)이 그 회전축(36)을 중심으로 회전하면 상기 회전판(32)의 원형 구멍(32a) 내에 배치된 디스크 수단(34)들은 그 하면으로부터 연장된 돌기(42)들이 상기 홈(45)을 따라 이동하면서 상기 회전판(32) 상에서 디스크 수단(34)의 회전을 이루는 것이다.

한편, 도 4 및 도 5에서는 상기 회전판(32)과 고정판(46)이 동일한 크기의 원판 구조를 갖는 것으로 도시되었지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고, 서로 다른 크기 및 형상을 가질 수 있는 것이다.

미설명 부호(70) 은 회전축(36)이 관통하는 고정판(46)의 구멍이다.

상기와 같이 구성된 본 발명에 따른 다중 기판의 화학 기상 증착 장치(1)는 기판(5)의 증착 중에 기판(5)의 공전 및 자전을 동시에 이룰 수 있다.

먼저, 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 챔버(10) 내에는 회전판(32)에 마련된 다수개의 디스크 수단(34) 상에 다수개의 기판(5)들이 각각 올려져 배치되고, 상기 챔버(10)의 내부로 한 가지 또는 그 이상의 화학적 증기의 기체가 공급 및 배출되며, 동시에 가열 수단(20)에 의하여 상기 챔버(10)내에서 일정 온도로 유지된다.

그리고, 상기 챔버(10)의 외측에 마련된 회전 수단(38)의 작동으로 회전판(32)이 그 회전축(36)을 중심으로 회전되면, 상기 디스크 수단(34) 상의 기판(5)들은 회전판(32)과 더불어서 상기 회전축(36)을 중심으로 회전하여 공전하게 된다.

즉,도 6a) 내지 6d)에 도시된 바와 같이, 상기 회전판(32) 상의 어느 한 디스크 수단(34)(예를 들면, 빗금 친 디스크 수단(34))은 도 6a) 내지 6d)를 거치는 과정에서 회전판(32)에 의하여 반시계 방향으로 대략 90°회전한다.

동시에 상기와 같이 회전판(32)이 그 회전축(36)을 중심으로 회전하면, 상기 디스크 수단(34)의 돌기(42)들은 모두 회전판(32) 하부의 고정판(46)의 홈(45) 내에 삽입된 것들이므로 회전판(32)의 회전 중에 고정판(46)의 홈(45)들을 따라서 이동해 간다. 이와 같은 경우, 상기 홈(45)들은 각각 호형으로 형성되어 있기 때문에 상기 홈(45)을 따르는 돌기(42)들은 상기 디스크 수단(34)의 중심축(34a)을 기준으로 상기 홈(45)을 따라 이동하면서 상기 돌기(42)들의 위치가 디스크 수단(34)의 원주 방향으로 변화되는 과정을 겪게 된다.

예를 들면, 도 6a)에서는 디스크 수단(34)의 돌기(42)가 대략 90°방향을 지시하도록 배치되어 있지만, 도 6b)로 이동하면, 돌기(42)는 대략 135°방향을 지시하도록 배치되며, 도 6c)로 이동하면 돌기(42)는 대략 270°방향을 지시하도록 배치되고, 도 6d)로 이동하면 돌기(42)는 대략 0°방향을 지시하도록 배치된다.

이와 같이 상기 회전판(32)이 반시계 방향으로 그 회전축(36)을 중심으로 90°회전하면, 상기 디스크 수단(34)은 그 중심축(34a)을 기준으로 시계방향으로 대략 270°만큼 회전하여 각각 자전하는 것이다.

이와 같은 상기 디스크 수단(34)의 자전은 상기 돌기(42)가 호형의 홈(45)을 이동하면서 이루는 것으로서, 상기 회전판(32)이 연속 회전(기판의 공전)되면, 동시에 상기 디스크 수단(34)의 연속 회전(기판의 자전)이 이루어지는 것이다.

이와 같은 동작은 상기 고정판(46) 상에 형성된 홈(45)이 고정판(46)의 4 분할 영역(quadrant)에서 동일 형상으로 이루어지고, 이러한 홈(45)은 하나의 연속된 형태를 갖기 때문에 상기 디스크 수단(34) 상의 기판(5)은 공전과 동시에 연속적인 자전을 이루게 된다.

상기와 같이 본 발명에 의하면, 고온의 증착 막 성장 조건하에서도 여러 장의 기판의 공전 및 자전을 동시에 할 수 있고, 그에 따라서 다중 기판의 증착 품질을 우수하게 할 수 있다.

그리고, 본 발명은 반응기 내의 기체 압력 상태에 따라서 회전에 영향을 받지 않고, 각각의 기판의 질량 변화 등에 의해서도 기판의 공전 및 자전에 차이를 발생시키지 않음으로써 항상 안정된 품질의 기판 증착을 이룰 수 있는 것이다.

뿐만 아니라, 기판상에는 균일한 품질의 증착 막이 형성되므로, 기판의 성장 속도를 빠르게 하여 제품 생산성을 높일 수도 있는 것이다.

상기에서 본 발명은 특정한 실시 예에 관하여 도시되고 설명되었지만, 이는 단지 예시적으로 본 발명을 설명하기 위하여 기재된 것이며, 본 발명을 이와 같은 특정 구조로 제한하려는 것은 아니다. 당 업계에서 통상의 지식을 가진 자라면 이하의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역을 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 알 수 있을 것이다. 그렇지만 이러한 수정 및 변형 구조들은 모두 본 발명의 권리범위 내에 포함되는 것 임을 분명하게 밝혀두고자 한다.

Claims (15)

1. 기체 유입구와 기체 배출구가 형성된 챔버;

   기판과, 상기 기체 유입구를 통하여 유입되는 기체와의 반응 온도를 조절하기 위한 가열 수단;

   상기 챔버의 내부에서 회전 가능한 회전판을 구비하고, 상기 회전판 상에는 기판이 각각 배치된 다수의 디스크 수단들을 구비하며, 상기 회전판의 회전을 통하여 상기 기판에 공전을 부여하는 기판 공전 수단; 및

   상기 기판 공전 수단의 회전에 의하여 상기 회전판 상에서 상기 디스크 수단을 각각 회전시켜 상기 디스크 수단 상의 각각의 기판에 자전을 부여하도록 된 기판 자전수단;을 포함하여 상기 기판의 증착 중에 공전 및 자전을 동시에 이루도록 구성되고,

   상기 기판 자전수단은 상기 디스크 수단의 하면 측으로부터 하향 연장되는 돌기와, 상기 돌기의 하단이 끼워져 활주 이동 안내되는 홈이 상부 면에 형성된 고정판을 포함하는 다중 기판의 화학 기상 증착 장치.
2. 제1항에 있어서, 상기 가열 수단은 상기 기판 하부에 위치하는 것을 특징으로 하는 다중 기판의 화학 기상 증착 장치.
3. 제2항에 있어서, 상기 가열 수단은 RF 유도 가열장치인 것을 특징으로 하는 다중 기판의 화학 기상 증착 장치.
4. 제1항에 있어서, 상기 가열수단은 상기 챔버를 둘러싸도록 측면에 위치하는 것을 특징으로 하는 다중 기판의 화학 기상 증착 장치.
5. 제4항에 있어서, 상기 가열 수단은 저항 가열장치인 것을 특징으로 하는 다중 기판의 화학 기상 증착 장치.
6. 제1항에 있어서, 상기 기판 공전 수단은 회전판의 하부 면으로부터 회전축이 챔버의 외측으로 밀봉 가능하게 연장되어 회전되며, 상기 디스크 수단들은 상기 회전판에 형성된 각각의 구멍 내에 회전 가능하도록 배치된 것임을 특징으로 하는 다중 기판의 화학 기상 증착 장치.
7. 제6항에 있어서, 상기 디스크 수단은 회전판의 중앙에 형성되는 회전축을 중심으로 동심원상에 배치되는 원판들로 이루어지며, 상기 회전판의 구멍에는 각각 상기 디스크 수단이 안착되어 회전 가능한 단턱이 형성된 것임을 특징으로 하는 다중 기판의 화학 기상 증착 장치.
8. 삭제
9. 제1항에 있어서, 상기 고정판은 상기 회전판의 하면에 밀착 배치되고, 상기 고정판의 상부 면에 형성된 홈은 고정판 상에서 각각 호형으로 휘어진 상태로 형성되며, 서로 연결되어 하나의 연속된 트랙(Track)을 형성하는 것을 특징으로 하는 다중 기판의 화학 기상 증착 장치.
10. 제1항에 있어서, 상기 회전판과 고정판들은 동일한 크기의 원판 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 다중 기판의 화학 기상 증착 장치.
11. 제1항에 있어서, 상기 챔버내에는 한 가지 이상의 증착 기체가 상기 회전판의 중앙으로 부터 외주부분으로 흐르도록 기체 유입구와 기체 배출구가 형성된 것임을 특징으로 하는 다중 기판의 화학 기상 증착 장치.
12. 제11항에 있어서, 상기 기체 유입구는 상기 챔버 상부면 중앙에 위치하는 것을 특징으로 하는 다중 기판의 화학 기상 증착 장치.
13. 제11항에 있어서, 상기 기체 배출구는 상기 챔버 측면 하부에 위치하는 것을 특징으로 하는 다중 기판의 화학 기상 증착 장치.
14. 제11항에 있어서, 상기 기체 배출구는 상기 챔버 하부면에 위치하는 것을 특징으로 하는 다중 기판의 화학 기상 증착 장치.
15. 제1항에 있어서, 상기 챔버의 측면 상측에는 한가지 이상의 증착 기체가 상기 챔버 내부로 유입되도록 기체 유입구가 형성되며, 상기 챔버 하부에 기체 배출부가 형성된 것을 특징으로 하는 다중 기판의 화학 기상 증착 장치.

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