JPH10219447A - 気相成長装置 - Google Patents
気相成長装置Info
- Publication number
- JPH10219447A JPH10219447A JP2750397A JP2750397A JPH10219447A JP H10219447 A JPH10219447 A JP H10219447A JP 2750397 A JP2750397 A JP 2750397A JP 2750397 A JP2750397 A JP 2750397A JP H10219447 A JPH10219447 A JP H10219447A
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- Japan
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- pinions
- gears
- internal gear
- gear
- helical gears
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 歯車の噛み合いにより生じる振動を減らし、
この振動に起因する歯車の歯の欠損を防止するととも
に、成長する薄膜の厚さや不純物濃度、化合物の組成等
のバラツキを減らす。 【解決手段】 反応容器１と、反応容器１内に固定され
た内歯車２と、内歯車２と噛み合う小歯車５と、小歯車
５に装着されて小歯車５とともに自公転する基板ホルダ
７とを有する気相成長装置において、内歯車２と小歯車
５をはすば歯車とする。
この振動に起因する歯車の歯の欠損を防止するととも
に、成長する薄膜の厚さや不純物濃度、化合物の組成等
のバラツキを減らす。 【解決手段】 反応容器１と、反応容器１内に固定され
た内歯車２と、内歯車２と噛み合う小歯車５と、小歯車
５に装着されて小歯車５とともに自公転する基板ホルダ
７とを有する気相成長装置において、内歯車２と小歯車
５をはすば歯車とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、気相成長装置に係
り、特に半導体ウェーハ等を反応容器内で自公転させつ
つその表面に気相で半導体結晶膜等を成長させる自公転
型気相成長装置に関する。
り、特に半導体ウェーハ等を反応容器内で自公転させつ
つその表面に気相で半導体結晶膜等を成長させる自公転
型気相成長装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の自公転型気相成長装置の一例を図
３、図４及び図５を参照しながら説明する。図３は自公
転型気相成長装置の概略構成を示す縦断面図、図４は従
来例の装置の要部構成を示す上面図、図５は図４の装置
の歯車の噛み合い部分を示す縦断面図である。
３、図４及び図５を参照しながら説明する。図３は自公
転型気相成長装置の概略構成を示す縦断面図、図４は従
来例の装置の要部構成を示す上面図、図５は図４の装置
の歯車の噛み合い部分を示す縦断面図である。
【０００３】図において、１は反応容器であり、ガス導
入口１ａと排気口１ｂとを備えている。１２は内歯車で
あり、グラファイト等からなり、反応容器１に水平に固
定されている。３は回転手段（図示は省略）により回転
する回転軸であり、その軸心は内歯車１２の中心を通っ
ている。４は回転板であり、中心部で回転軸３に固着さ
れ、回転軸３の回転により水平面内で回転する。１５は
小歯車であり、グラファイトからなり、その中央部で回
転板４に回転自在に嵌着され、中間部でスラスト軸受６
を介して回転板４に支持されており、且つ内歯車１２と
噛み合っている。７は被処理物の基板（ウェーハ）Ｗを
保持する基板ホルダであり、小歯車１５に着脱自在に装
着される。８は基板Ｗを加熱するための加熱手段であ
る。
入口１ａと排気口１ｂとを備えている。１２は内歯車で
あり、グラファイト等からなり、反応容器１に水平に固
定されている。３は回転手段（図示は省略）により回転
する回転軸であり、その軸心は内歯車１２の中心を通っ
ている。４は回転板であり、中心部で回転軸３に固着さ
れ、回転軸３の回転により水平面内で回転する。１５は
小歯車であり、グラファイトからなり、その中央部で回
転板４に回転自在に嵌着され、中間部でスラスト軸受６
を介して回転板４に支持されており、且つ内歯車１２と
噛み合っている。７は被処理物の基板（ウェーハ）Ｗを
保持する基板ホルダであり、小歯車１５に着脱自在に装
着される。８は基板Ｗを加熱するための加熱手段であ
る。
【０００４】基板Ｗを保持した基板ホルダ７を反応容器
１内に搬入して小歯車１５に装着し、反応容器１内を排
気しながら材料ガスを導入して一定温度で基板Ｗの表面
に膜を成長させる。この際、回転板４を回転させること
により小歯車１５が内歯車１２の内側に沿って回るとと
もに自転する。この内歯車１２と小歯車１５は平歯車で
あるから、図５に示したように、歯面は垂直である。
１内に搬入して小歯車１５に装着し、反応容器１内を排
気しながら材料ガスを導入して一定温度で基板Ｗの表面
に膜を成長させる。この際、回転板４を回転させること
により小歯車１５が内歯車１２の内側に沿って回るとと
もに自転する。この内歯車１２と小歯車１５は平歯車で
あるから、図５に示したように、歯面は垂直である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、このような
従来の自公転型気相成長装置では、歯車の噛み合いによ
り小歯車が振動し、それが原因で基板ホルダとともに上
下に跳ねることがあり、その結果、グラファイト製の歯
車の歯が欠けたり、基板ホルダから基板への熱伝導が変
動して、薄膜の成長速度（膜厚）や不純物濃度、化合物
の組成（特に三元素以上の場合）等にバラツキを生じる
ことがある、という問題があった。
従来の自公転型気相成長装置では、歯車の噛み合いによ
り小歯車が振動し、それが原因で基板ホルダとともに上
下に跳ねることがあり、その結果、グラファイト製の歯
車の歯が欠けたり、基板ホルダから基板への熱伝導が変
動して、薄膜の成長速度（膜厚）や不純物濃度、化合物
の組成（特に三元素以上の場合）等にバラツキを生じる
ことがある、という問題があった。
【０００６】本発明は、このような問題を解決して、歯
車の歯の欠損を防止し、且つ薄膜を膜厚や不純物濃度、
化合物の組成等について均一に成長させることが可能な
気相成長装置を提供することを目的とする。
車の歯の欠損を防止し、且つ薄膜を膜厚や不純物濃度、
化合物の組成等について均一に成長させることが可能な
気相成長装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するた
め、本発明は請求項１では、反応容器と、該反応容器内
に固定された内歯車と、該内歯車と噛み合う小歯車と、
該小歯車に装着されて該小歯車とともに自公転する基板
ホルダとを有し、該内歯車と該小歯車がはすば歯車であ
る気相成長装置としている。
め、本発明は請求項１では、反応容器と、該反応容器内
に固定された内歯車と、該内歯車と噛み合う小歯車と、
該小歯車に装着されて該小歯車とともに自公転する基板
ホルダとを有し、該内歯車と該小歯車がはすば歯車であ
る気相成長装置としている。
【０００８】また、請求項２では、請求項１の気相成長
装置において、前記内歯車と前記小歯車は水平に配設さ
れており、該小歯車の自転により該小歯車に生じる軸方
向の推力が下向きとなる方向に該小歯車が自転するよう
に構成している。
装置において、前記内歯車と前記小歯車は水平に配設さ
れており、該小歯車の自転により該小歯車に生じる軸方
向の推力が下向きとなる方向に該小歯車が自転するよう
に構成している。
【０００９】即ち、平歯車の場合には、噛み合いの初め
と終わりで全歯幅にわたって同時に接触が起こったり離
れたりするから振動が大きいが、はすば歯車の場合に
は、歯がねじれているために歯の一端から接触して接触
幅が次第に増加し、次に次第に接触幅が減少して噛み合
いを終わるから噛み合いが滑らかになる上、歯車列にお
けるバックラッシが除去されるから、振動が少ない。ま
た、はすば歯車は平歯車より同時に噛み合う歯数が多い
から、強度的にも有利である。その結果、歯車の歯の欠
損が防止され、且つ成長した薄膜の膜厚、不純物濃度、
化合物の組成等のバラツキが抑制される。
と終わりで全歯幅にわたって同時に接触が起こったり離
れたりするから振動が大きいが、はすば歯車の場合に
は、歯がねじれているために歯の一端から接触して接触
幅が次第に増加し、次に次第に接触幅が減少して噛み合
いを終わるから噛み合いが滑らかになる上、歯車列にお
けるバックラッシが除去されるから、振動が少ない。ま
た、はすば歯車は平歯車より同時に噛み合う歯数が多い
から、強度的にも有利である。その結果、歯車の歯の欠
損が防止され、且つ成長した薄膜の膜厚、不純物濃度、
化合物の組成等のバラツキが抑制される。
【００１０】また、請求項２のようにすることにより、
小歯車に上向きの推力を生じることがないから、複雑な
軸受を必要としない。
小歯車に上向きの推力を生じることがないから、複雑な
軸受を必要としない。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図１、図２
及び図３を参照しながら説明する。図１は本発明に係る
装置の要部構成を示す上面図、図２は図１の装置の歯車
の噛み合い部分を示す縦断面図、図３は自公転型気相成
長装置の概略構成を示す縦断面図である。本発明の気相
成長装置は自公転型気相成長装置であり、前述の従来の
気相成長装置と基本構成においては同じであるが、その
内歯歯車機構を構成する歯車が異なっており、図３にお
いて、従来装置の内歯車１２を内歯車２に、小歯車１５
を小歯車５に、それぞれ置き換えた形となっている。
及び図３を参照しながら説明する。図１は本発明に係る
装置の要部構成を示す上面図、図２は図１の装置の歯車
の噛み合い部分を示す縦断面図、図３は自公転型気相成
長装置の概略構成を示す縦断面図である。本発明の気相
成長装置は自公転型気相成長装置であり、前述の従来の
気相成長装置と基本構成においては同じであるが、その
内歯歯車機構を構成する歯車が異なっており、図３にお
いて、従来装置の内歯車１２を内歯車２に、小歯車１５
を小歯車５に、それぞれ置き換えた形となっている。
【００１２】内歯車２はグラファイト等からなり、反応
容器１に水平に固定されている。小歯車５はグラファイ
トからなり、その中央部で回転板４に回転自在に嵌着さ
れ、中間部でスラスト軸受６を介して回転板４に支持さ
れている。小歯車５には被処理物の基板（ウェーハ）Ｗ
を保持した基板ホルダ７が着脱自在に装着される。
容器１に水平に固定されている。小歯車５はグラファイ
トからなり、その中央部で回転板４に回転自在に嵌着さ
れ、中間部でスラスト軸受６を介して回転板４に支持さ
れている。小歯車５には被処理物の基板（ウェーハ）Ｗ
を保持した基板ホルダ７が着脱自在に装着される。
【００１３】内歯車２及びこれと噛み合う小歯車５は、
はすば歯車である。ねじれ角は、３〜30°位が適当であ
る。ねじれ方向は、小歯車５の回転方向との関係で、小
歯車５の軸方向の推力が下向きとなるように選んでおく
と、従来より複雑な軸受を必要としないから好都合であ
る。即ち、図２において内歯車２の歯に対して小歯車５
の左の歯が矢印の方向に接近するような関係にすると、
小歯車５の軸方向の推力が下向きとなる。小歯車５の回
転方向が逆の場合は両歯車のねじれ方向も逆にする。
はすば歯車である。ねじれ角は、３〜30°位が適当であ
る。ねじれ方向は、小歯車５の回転方向との関係で、小
歯車５の軸方向の推力が下向きとなるように選んでおく
と、従来より複雑な軸受を必要としないから好都合であ
る。即ち、図２において内歯車２の歯に対して小歯車５
の左の歯が矢印の方向に接近するような関係にすると、
小歯車５の軸方向の推力が下向きとなる。小歯車５の回
転方向が逆の場合は両歯車のねじれ方向も逆にする。
【００１４】回転板４はその中心部で回転軸３に固着さ
れ、回転軸３の回転により水平面内で回転する。回転軸
３の軸心は内歯車２の中心を通っている。従って、回転
軸３の回転により回転板４が回転すると、小歯車５は内
歯車２と噛み合いつつ内歯車２の内側を回るとともに自
転する。小歯車５に装着された基板ホルダ７及び基板ホ
ルダ７に保持された基板Ｗも、小歯車５とともに自公転
する。
れ、回転軸３の回転により水平面内で回転する。回転軸
３の軸心は内歯車２の中心を通っている。従って、回転
軸３の回転により回転板４が回転すると、小歯車５は内
歯車２と噛み合いつつ内歯車２の内側を回るとともに自
転する。小歯車５に装着された基板ホルダ７及び基板ホ
ルダ７に保持された基板Ｗも、小歯車５とともに自公転
する。
【００１５】本発明は以上の例に限定されることなく、
更に種々変形して実施することができる。例えば、図３
のような基板をフェイスダウンに保持する基板ホルダに
代えて、基板をフェイスアップに保持する基板ホルダと
しても、本発明は有効である。
更に種々変形して実施することができる。例えば、図３
のような基板をフェイスダウンに保持する基板ホルダに
代えて、基板をフェイスアップに保持する基板ホルダと
しても、本発明は有効である。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
歯車の噛み合いにより生じる振動が減り、従って、歯車
の歯の欠損を防止し、且つ薄膜を膜厚や不純物濃度、化
合物の組成等について均一に成長させることが可能な気
相成長装置を提供することができる。
歯車の噛み合いにより生じる振動が減り、従って、歯車
の歯の欠損を防止し、且つ薄膜を膜厚や不純物濃度、化
合物の組成等について均一に成長させることが可能な気
相成長装置を提供することができる。
【図１】 本発明に係る装置の要部構成を示す上面図で
ある。
ある。
【図２】 図１の装置の歯車の噛み合い部分を示す縦断
面図である。
面図である。
【図３】 自公転型気相成長装置の概略構成を示す縦断
面図である。
面図である。
【図４】 従来例の装置の要部構成を示す上面図であ
る。
る。
【図５】 図４の装置の歯車の噛み合い部分を示す縦断
面図である。
面図である。
１ 反応容器 １ａ ガス導入口 １ｂ 排気口 ２，１２ 内歯車 ３ 回転軸 ４ 回転板 ５，１５ 小歯車 ６ スラスト軸受 ７ 基板ホルダ ８ 加熱手段 Ｗ 基板
Claims (2)
- 【請求項１】 反応容器と、該反応容器内に固定された
内歯車と、該内歯車と噛み合う小歯車と、該小歯車に装
着されて該小歯車とともに自公転する基板ホルダとを有
し、該内歯車と該小歯車がはすば歯車であることを特徴
とする気相成長装置。 - 【請求項２】 前記内歯車と前記小歯車は水平に配設さ
れており、該小歯車の自転により該小歯車に生じる軸方
向の推力が下向きとなる方向に該小歯車が自転するよう
に構成されていることを特徴とする請求項１記載の気相
成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2750397A JPH10219447A (ja) | 1997-02-12 | 1997-02-12 | 気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2750397A JPH10219447A (ja) | 1997-02-12 | 1997-02-12 | 気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10219447A true JPH10219447A (ja) | 1998-08-18 |
Family
ID=12222953
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2750397A Pending JPH10219447A (ja) | 1997-02-12 | 1997-02-12 | 気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10219447A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100448180B1 (ko) * | 2002-02-26 | 2004-09-10 | 디지웨이브 테크놀러지스 주식회사 | 화학기상증착장치의 반응기내 유성기어의 구조 |
| KR100674872B1 (ko) * | 2005-06-03 | 2007-01-30 | 삼성전기주식회사 | 다중 기판의 화학 기상 증착 장치 |
| KR100703087B1 (ko) * | 2005-08-08 | 2007-04-06 | 삼성전기주식회사 | 다중 기판의 화학 기상 증착 장치 |
| US7494562B2 (en) | 2004-10-12 | 2009-02-24 | Hitachi Cable, Ltd. | Vapor phase growth apparatus |
| WO2012104928A1 (ja) * | 2011-02-04 | 2012-08-09 | フジエピ セミコンダクダー イクイップメント インコーポレイティッド | 半導体基板の回転保持装置及び搬送装置 |
| JPWO2010147053A1 (ja) * | 2009-06-19 | 2012-12-06 | 大陽日酸株式会社 | 気相成長装置 |
| WO2022018282A1 (en) * | 2020-07-24 | 2022-01-27 | Fox Biosystems Nv | Sputter deposition system |
-
1997
- 1997-02-12 JP JP2750397A patent/JPH10219447A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100448180B1 (ko) * | 2002-02-26 | 2004-09-10 | 디지웨이브 테크놀러지스 주식회사 | 화학기상증착장치의 반응기내 유성기어의 구조 |
| US7494562B2 (en) | 2004-10-12 | 2009-02-24 | Hitachi Cable, Ltd. | Vapor phase growth apparatus |
| US7662733B2 (en) | 2004-10-12 | 2010-02-16 | Hitachi Cable, Ltd. | Vapor phase growth apparatus |
| KR100674872B1 (ko) * | 2005-06-03 | 2007-01-30 | 삼성전기주식회사 | 다중 기판의 화학 기상 증착 장치 |
| KR100703087B1 (ko) * | 2005-08-08 | 2007-04-06 | 삼성전기주식회사 | 다중 기판의 화학 기상 증착 장치 |
| JPWO2010147053A1 (ja) * | 2009-06-19 | 2012-12-06 | 大陽日酸株式会社 | 気相成長装置 |
| JP5613159B2 (ja) * | 2009-06-19 | 2014-10-22 | 大陽日酸株式会社 | 気相成長装置 |
| WO2012104928A1 (ja) * | 2011-02-04 | 2012-08-09 | フジエピ セミコンダクダー イクイップメント インコーポレイティッド | 半導体基板の回転保持装置及び搬送装置 |
| WO2022018282A1 (en) * | 2020-07-24 | 2022-01-27 | Fox Biosystems Nv | Sputter deposition system |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20060516 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20060523 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060926 |