JP2000252214A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JP2000252214A JP2000252214A JP11055189A JP5518999A JP2000252214A JP 2000252214 A JP2000252214 A JP 2000252214A JP 11055189 A JP11055189 A JP 11055189A JP 5518999 A JP5518999 A JP 5518999A JP 2000252214 A JP2000252214 A JP 2000252214A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 急峻なガス切換が可能なリアクタを備えた半
導体製造装置を提供することにある。 【解決手段】 基板サセプタが自公転する多数枚半導体
気相成長（ＭＯＶＰＥ）装置であって、公転サセプタの
回転方向に対して、対向板を同一方向に回転させ、もし
くはキャリアガスの導入口に導入フィンを公転方向と同
一方向に設置する、もしくは公転サセプタ１２周辺に多
数の排気フィンを公転方向と同一方向に設置することに
より、急峻なガスの切換が可能になる。
導体製造装置を提供することにある。 【解決手段】 基板サセプタが自公転する多数枚半導体
気相成長（ＭＯＶＰＥ）装置であって、公転サセプタの
回転方向に対して、対向板を同一方向に回転させ、もし
くはキャリアガスの導入口に導入フィンを公転方向と同
一方向に設置する、もしくは公転サセプタ１２周辺に多
数の排気フィンを公転方向と同一方向に設置することに
より、急峻なガスの切換が可能になる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体レーザの製造
装置に関し、特に自公転する多数枚気相成長装置のパッ
ケージからの放熱性を高めた半導体製造装置に関するも
のである。
装置に関し、特に自公転する多数枚気相成長装置のパッ
ケージからの放熱性を高めた半導体製造装置に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、電話や携帯端末等の普及による
光アクセス系光源の需要増やデジタルバーサティルディ
スク等の高密度記憶媒体の普及によるピックアップ用光
源の需要増に伴い、低価格で高品質な半導体レーザの大
量生産技術が要求されてきている。この為、有機金属気
相成長（ＭＯＶＰＥ）法を用いた大面積、多数枚成長技
術は不可欠となっている。
光アクセス系光源の需要増やデジタルバーサティルディ
スク等の高密度記憶媒体の普及によるピックアップ用光
源の需要増に伴い、低価格で高品質な半導体レーザの大
量生産技術が要求されてきている。この為、有機金属気
相成長（ＭＯＶＰＥ）法を用いた大面積、多数枚成長技
術は不可欠となっている。
【０００３】これまでに自公転する多数枚気相成長装置
を用いた、高均一多数枚気相成長技術について、P.M.Fr
ijlink et al,J.Cryst.Growth 115(1991)203-210らや、
D.schmitz et al.,J.Cryst.Growth 124(1992)278-285ら
によって、計算と実験の両面から検討されている。しか
しながら、高品質のレーザ結晶を得るためにはリアクタ
内の均一かつ急峻なガス切換が要求されるが、サセプタ
回転によるリアクタ内のガスの排気バランスの影響まで
は考慮されていない。
を用いた、高均一多数枚気相成長技術について、P.M.Fr
ijlink et al,J.Cryst.Growth 115(1991)203-210らや、
D.schmitz et al.,J.Cryst.Growth 124(1992)278-285ら
によって、計算と実験の両面から検討されている。しか
しながら、高品質のレーザ結晶を得るためにはリアクタ
内の均一かつ急峻なガス切換が要求されるが、サセプタ
回転によるリアクタ内のガスの排気バランスの影響まで
は考慮されていない。
【０００４】例えば、図１０，１１に示すように従来の
半導体製造装置のリアクタ５は、公転サセプタ７が公転
すると共に、自転サセプタ８が自転する。また、公転サ
セプタ７と対向配置された対向板４は、逆方向に回転し
ていた。
半導体製造装置のリアクタ５は、公転サセプタ７が公転
すると共に、自転サセプタ８が自転する。また、公転サ
セプタ７と対向配置された対向板４は、逆方向に回転し
ていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】然しながら、上述のよ
うな従来の半導体製造装置では、それぞれ問題点を有し
ている。例えば、サセプタが自公転する多数枚気相成長
装置では組成及び膜厚分布はサセプタの自公転により高
均一化している。しかしながら、キャリアガス排気時間
は、自転及び公転サセプタの回転によるキャリアガスの
巻き込みで長くなると共に、巻き込みの大きさにより排
気時間はばらついてしまう。この為、原料ガス切換の
際、ガス切換が悪くかつばらつきが生じ、均一で急峻な
成長界面を形成することは困難であった。またサセプタ
が大きくなり、リアクタが大型化する為、原料利用効率
が低下する問題があった。
うな従来の半導体製造装置では、それぞれ問題点を有し
ている。例えば、サセプタが自公転する多数枚気相成長
装置では組成及び膜厚分布はサセプタの自公転により高
均一化している。しかしながら、キャリアガス排気時間
は、自転及び公転サセプタの回転によるキャリアガスの
巻き込みで長くなると共に、巻き込みの大きさにより排
気時間はばらついてしまう。この為、原料ガス切換の
際、ガス切換が悪くかつばらつきが生じ、均一で急峻な
成長界面を形成することは困難であった。またサセプタ
が大きくなり、リアクタが大型化する為、原料利用効率
が低下する問題があった。
【０００６】即ち、上記の多数枚気相成長装置はサセプ
タを自公転させる為、サセプタの巻き込みによるキャリ
アガスの滞留が生じ、原料ガス切換時にガスの切れが悪
くなる。またリアクタの大型化による原料利用効率が低
下するという問題があった。
タを自公転させる為、サセプタの巻き込みによるキャリ
アガスの滞留が生じ、原料ガス切換時にガスの切れが悪
くなる。またリアクタの大型化による原料利用効率が低
下するという問題があった。
【０００７】本発明の目的は、上記した従来技術の欠点
を改良し、自転及び公転サセプタの巻き込みによるキャ
リアガスの滞留を低減すると共に原料利用効率を上げる
ことにより、半導体レーザの均一かつ急峻な界面形成を
容易にすると共に低コスト化が可能となる、半導体製造
装置を提供することである。
を改良し、自転及び公転サセプタの巻き込みによるキャ
リアガスの滞留を低減すると共に原料利用効率を上げる
ことにより、半導体レーザの均一かつ急峻な界面形成を
容易にすると共に低コスト化が可能となる、半導体製造
装置を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は上記した目的を
達成する為、以下に示す様な基本的な技術構成を採用す
るものである。即ち、本発明に係る第１の態様として
は、基板サセプタが自転及び公転する多数枚気相成長装
置であって、対向板を公転サセプタの回転方向と同一方
向に回転させる構造としたことを特徴とするものであ
る。
達成する為、以下に示す様な基本的な技術構成を採用す
るものである。即ち、本発明に係る第１の態様として
は、基板サセプタが自転及び公転する多数枚気相成長装
置であって、対向板を公転サセプタの回転方向と同一方
向に回転させる構造としたことを特徴とするものであ
る。
【０００９】また、第２の態様としては、自公転する多
数枚気相成長装置であって、対向板と公転サセプタとの
回転速度比を０〜２倍の範囲で制御することを特徴とす
るものである。また、第３の態様としては、自公転する
多数枚気相成長装置であって、キャリアガスの導入方向
が公転サセプタの回転方向と同一方向になるように、キ
ャリアガス導入口に導入フィンを有することを特徴とす
るものである。
数枚気相成長装置であって、対向板と公転サセプタとの
回転速度比を０〜２倍の範囲で制御することを特徴とす
るものである。また、第３の態様としては、自公転する
多数枚気相成長装置であって、キャリアガスの導入方向
が公転サセプタの回転方向と同一方向になるように、キ
ャリアガス導入口に導入フィンを有することを特徴とす
るものである。
【００１０】第４の態様としては、前記自公転する多数
枚気相成長装置であって、キャリアガスが公転サセプタ
の回転方向と同一方向に排気されるように、公転サセプ
タ周辺部に多数の排気フィンを有することを特徴とする
ものである。第５の態様としては、前記自公転する多数
枚気相成長装置であって、対向板を温度制御可能な加熱
装置及び冷却装置を有する半導体製造装置である。第６
の態様としては、前記多数枚気相成長装置であって、対
向板の上流から下流に向けて高温になるように温度勾配
をつけることを特徴とするものである。
枚気相成長装置であって、キャリアガスが公転サセプタ
の回転方向と同一方向に排気されるように、公転サセプ
タ周辺部に多数の排気フィンを有することを特徴とする
ものである。第５の態様としては、前記自公転する多数
枚気相成長装置であって、対向板を温度制御可能な加熱
装置及び冷却装置を有する半導体製造装置である。第６
の態様としては、前記多数枚気相成長装置であって、対
向板の上流から下流に向けて高温になるように温度勾配
をつけることを特徴とするものである。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明の半導体製造装置は、上記
した様な従来技術における問題点を解決する為に、第１
の実施例では対向板を公転サセプタと同一方向に回転す
ることにより、リアクタ内のガスは公転サセプタに対し
て滞留することなく層状に流れ、自転サセプタに対して
も対向板から受ける遠心力により巻き込みの影響が抑制
され、均一かつ急峻なガスの切換が可能になる。
した様な従来技術における問題点を解決する為に、第１
の実施例では対向板を公転サセプタと同一方向に回転す
ることにより、リアクタ内のガスは公転サセプタに対し
て滞留することなく層状に流れ、自転サセプタに対して
も対向板から受ける遠心力により巻き込みの影響が抑制
され、均一かつ急峻なガスの切換が可能になる。
【００１２】また、第２の実施例はキャリアガスの導入
口に導入フィンを公転サセプタの回転方向と同一方向に
設置することにより、キャリアガスがリアクタ内に導入
されてからリアクタ外へ排気されるまでの時間（ガス排
気時間）はより短縮される。第３の実施例ではリアクタ
周辺に多数の排気フィンを公転サセプタの回転方向と同
一方向に設置することにより、リアクタ内の排気バラン
スを一定にし、リアクタ周辺部でのガスの滞留を防止で
きる。
口に導入フィンを公転サセプタの回転方向と同一方向に
設置することにより、キャリアガスがリアクタ内に導入
されてからリアクタ外へ排気されるまでの時間（ガス排
気時間）はより短縮される。第３の実施例ではリアクタ
周辺に多数の排気フィンを公転サセプタの回転方向と同
一方向に設置することにより、リアクタ内の排気バラン
スを一定にし、リアクタ周辺部でのガスの滞留を防止で
きる。
【００１３】第４の実施例では対向板温度を上流側から
下流側へ向けて同心円状に高くすることにより、均一に
原料分解が制御されると共に、サセプタからの輻射熱に
よる原料ガスの熱拡散を対向板からの輻射熱により抑制
し、原料ガスが基板側を流れやすくなり、原料利用効率
が向上される。
下流側へ向けて同心円状に高くすることにより、均一に
原料分解が制御されると共に、サセプタからの輻射熱に
よる原料ガスの熱拡散を対向板からの輻射熱により抑制
し、原料ガスが基板側を流れやすくなり、原料利用効率
が向上される。
【００１４】
【実施例】以下に、本発明に係る半導体製造装置の具体
的構成を図面を用いながら説明する。図１は、本発明の
一実施例である半導体製造装置のリアクタを示す平面図
ある。ここで、半導体製造装置１０は、基板サセプタが
自転サセプタ１３及び公転サセプタ１２を有する多数枚
気相成長装置であって、対向板１５を公転サセプタ１２
の回転方向と同一方向に回転させる構造を有するもので
ある。
的構成を図面を用いながら説明する。図１は、本発明の
一実施例である半導体製造装置のリアクタを示す平面図
ある。ここで、半導体製造装置１０は、基板サセプタが
自転サセプタ１３及び公転サセプタ１２を有する多数枚
気相成長装置であって、対向板１５を公転サセプタ１２
の回転方向と同一方向に回転させる構造を有するもので
ある。
【００１５】図１，２に示すように、公転サセプタ１２
を４−３０回転／分で時計方向に回転させ、自転サセプ
タ１３は公転サセプタの回転方向とは逆方向に公転サセ
プタの２−４倍の速度で回転させながら、対向板１５を
公転サセプタ１２と同一方向に公転サセプタの０−２倍
の速度で回転させる。また、この時略中央に配設された
キャリアガス導入口１１から導入されたキャリアガスは
リアクタ内を下降した後、放射状に流れる。放射状に流
れたキャリアガスは、自転サセプタ１３に取り付けられ
た基板上に薄膜を成長させる。また、残りのガスは、キ
ャリアガス排気口９から排出される。
を４−３０回転／分で時計方向に回転させ、自転サセプ
タ１３は公転サセプタの回転方向とは逆方向に公転サセ
プタの２−４倍の速度で回転させながら、対向板１５を
公転サセプタ１２と同一方向に公転サセプタの０−２倍
の速度で回転させる。また、この時略中央に配設された
キャリアガス導入口１１から導入されたキャリアガスは
リアクタ内を下降した後、放射状に流れる。放射状に流
れたキャリアガスは、自転サセプタ１３に取り付けられ
た基板上に薄膜を成長させる。また、残りのガスは、キ
ャリアガス排気口９から排出される。
【００１６】図３に模式的に示すようにサセプタ１２，
１３を回転させた場合のキャリアガスの出射角をθとす
ると、この時のガス排気時間（キャリアガスがリアクタ
周辺へ到達する時間）を第４図に示す。一般に、ガス排
気時間はサセプタ１２，１３の回転によるガスの巻き込
みの影響を受けるため、出射角によってばらつきが生じ
る。この時、本実施例に示すように、対向板１５が回転
する場合、キャリアガスは公転サセプタ１２に対して層
状に流れ、自転サセプタ１３に対しても対向板１５の回
転による遠心力によって巻き込みが抑制される。図４
は、自転サセプタ１３が公転サセプタ１２の３倍の速度
で回転し、対向板を設けない場合のキャリアガス出射角
度θとガス排気時間との関係を示す図である。ガス排気
時間は、サセプタの回転によるガスの巻き込みの影響を
受けるため、出射角度によってばらつきが生じる。した
がって、有効なガス排気時間の制御ができない。
１３を回転させた場合のキャリアガスの出射角をθとす
ると、この時のガス排気時間（キャリアガスがリアクタ
周辺へ到達する時間）を第４図に示す。一般に、ガス排
気時間はサセプタ１２，１３の回転によるガスの巻き込
みの影響を受けるため、出射角によってばらつきが生じ
る。この時、本実施例に示すように、対向板１５が回転
する場合、キャリアガスは公転サセプタ１２に対して層
状に流れ、自転サセプタ１３に対しても対向板１５の回
転による遠心力によって巻き込みが抑制される。図４
は、自転サセプタ１３が公転サセプタ１２の３倍の速度
で回転し、対向板を設けない場合のキャリアガス出射角
度θとガス排気時間との関係を示す図である。ガス排気
時間は、サセプタの回転によるガスの巻き込みの影響を
受けるため、出射角度によってばらつきが生じる。した
がって、有効なガス排気時間の制御ができない。
【００１７】そこで、図５示すように、対向板１５も公
転サセプタ１２に対向して回転させる。このように構成
した場合、ガス排気時間のばらつきは公転サセプタ回転
速度に対する対向板回転速度比が０−２倍の範囲におい
て特に良好に抑制される。更に図５に示すように、対向
板１５との速度比が１の近傍でガス排気時間ばらつきが
最小となる。この範囲を過ぎると、速度比が大きくなっ
ても、小さくなってもバラツキ時間は増加する。
転サセプタ１２に対向して回転させる。このように構成
した場合、ガス排気時間のばらつきは公転サセプタ回転
速度に対する対向板回転速度比が０−２倍の範囲におい
て特に良好に抑制される。更に図５に示すように、対向
板１５との速度比が１の近傍でガス排気時間ばらつきが
最小となる。この範囲を過ぎると、速度比が大きくなっ
ても、小さくなってもバラツキ時間は増加する。
【００１８】本発明の第２の実施例は図６に示す。本実
施例では、キャリアガスの導入方向が公転サセプタ１２
の回転方向と同一方向になるように、キャリアガス導入
口１１に導入フィン１１ａを設ける。このように構成し
た場合にも、キャリアガスの排気時間が短縮され、急峻
なガスの切換が可能になる。
施例では、キャリアガスの導入方向が公転サセプタ１２
の回転方向と同一方向になるように、キャリアガス導入
口１１に導入フィン１１ａを設ける。このように構成し
た場合にも、キャリアガスの排気時間が短縮され、急峻
なガスの切換が可能になる。
【００１９】本発明の第３の実施の形態は図７に示すよ
うに、公転サセプタ１２の周辺に多数のキャリアガス排
気フィン１６を公転サセプタ１２の回転方向と同一方向
に傾けて設置し、排気口１４の位置によるキャリアガス
の排気バランスの偏りを抑制する。キャリアガス排気フ
ィン１６は、等間隔に複数枚設けられている。また、こ
のキャリアガス排気フィン１６によってリアクタ周辺部
でのキャリアガスの滞留を防止できる。
うに、公転サセプタ１２の周辺に多数のキャリアガス排
気フィン１６を公転サセプタ１２の回転方向と同一方向
に傾けて設置し、排気口１４の位置によるキャリアガス
の排気バランスの偏りを抑制する。キャリアガス排気フ
ィン１６は、等間隔に複数枚設けられている。また、こ
のキャリアガス排気フィン１６によってリアクタ周辺部
でのキャリアガスの滞留を防止できる。
【００２０】また、本発明の第４の実施例を図８に示
す。ここで、対向板１５の下面には、対向板ヒータ１７
が配設されており、対向板の温度を第９図に示すように
同心円状に内側から外側に向けて高くなる様に制御す
る。更に、公転サセプタ１２の上にも基板ヒータ１９が
複数個配設されており、自転サセプタ１３に取り付けら
れた基板１８を背後から熱する。基板ヒータ１９も対向
板ヒータ１７と同様に同心円状に内側から外側に向けて
高くなる様に制御する。また、対向板ヒータ１７とと共
に冷却装置を設けてもよい。冷却装置の例としては、水
冷、空冷、電子式のものがある。以上の様に構成した場
合、キャリアガスの下流においても対向板１５からの輻
射熱により原料ガスが基板１８側へ流れ易くなり、原料
利用効率が改善する事が出来る。
す。ここで、対向板１５の下面には、対向板ヒータ１７
が配設されており、対向板の温度を第９図に示すように
同心円状に内側から外側に向けて高くなる様に制御す
る。更に、公転サセプタ１２の上にも基板ヒータ１９が
複数個配設されており、自転サセプタ１３に取り付けら
れた基板１８を背後から熱する。基板ヒータ１９も対向
板ヒータ１７と同様に同心円状に内側から外側に向けて
高くなる様に制御する。また、対向板ヒータ１７とと共
に冷却装置を設けてもよい。冷却装置の例としては、水
冷、空冷、電子式のものがある。以上の様に構成した場
合、キャリアガスの下流においても対向板１５からの輻
射熱により原料ガスが基板１８側へ流れ易くなり、原料
利用効率が改善する事が出来る。
【００２１】多数枚気相成長装置では、サセプタの自公
転により、排気時間差が生じる。均一かつ急峻なガス切
換を実現する為にはキャリアガスの排気時間差を低減す
る必要がある。
転により、排気時間差が生じる。均一かつ急峻なガス切
換を実現する為にはキャリアガスの排気時間差を低減す
る必要がある。
【００２２】尚、本発明は以上の実施例に限ることなく
本発明の技術思想に基づいて種々の設計変更が可能であ
る。
本発明の技術思想に基づいて種々の設計変更が可能であ
る。
【００２３】
【発明の効果】以上詳細に示したように、本発明によれ
ば、第１の効果は、サセプタが自公転する多数枚気相成
長装置であっても、急峻なガス切換により、半導体レー
ザのＭＱＷ活性層の界面急峻性が改善される為、低駆動
電流動作が可能な半導体レーザp が得られる。また第２
の効果は、原料利用効率の向上により、多数枚成長によ
る半導体レーザの製造コストの低減を図ることができ
る。
ば、第１の効果は、サセプタが自公転する多数枚気相成
長装置であっても、急峻なガス切換により、半導体レー
ザのＭＱＷ活性層の界面急峻性が改善される為、低駆動
電流動作が可能な半導体レーザp が得られる。また第２
の効果は、原料利用効率の向上により、多数枚成長によ
る半導体レーザの製造コストの低減を図ることができ
る。
【図１】図１は、本発明の一実施例である半導体製造装
置のリアクタを示す平面図ある。
置のリアクタを示す平面図ある。
【図２】図２は、本発明の一実施例である半導体製造装
置のリアクタを示す斜視図である。
置のリアクタを示す斜視図である。
【図３】図３は、同リアクタに於けるサセプタとキャリ
アガス出射角の関係を示す説明図である。
アガス出射角の関係を示す説明図である。
【図４】図４は、同半導体製造装置に於けるキャリアガ
ス出射角とガス排出時間との関係を示す説明図である。
ス出射角とガス排出時間との関係を示す説明図である。
【図５】図５は、本発明の半導体製造装置に於けるガス
排気時間のばらつきを示す説明図である。
排気時間のばらつきを示す説明図である。
【図６】図６は、本発明の第２の実施例である半導体製
造装置のリアクタを示す平面図ある。
造装置のリアクタを示す平面図ある。
【図７】図７は、本発明の第３の実施例である半導体製
造装置のリアクタを示す平面図ある。
造装置のリアクタを示す平面図ある。
【図８】図８は、本発明の第４の実施例である半導体製
造装置のリアクタを示す平面図ある。
造装置のリアクタを示す平面図ある。
【図９】図９は、本発明の第４の実施例である半導体製
造装置の対向板温度プロファイルを示す説明図ある。
造装置の対向板温度プロファイルを示す説明図ある。
【図１０】図１０は、従来の半導体製造装置のリアクタ
の一例を示す平面図ある。
の一例を示す平面図ある。
【図１１】図１１は、従来の半導体製造装置のリアクタ
を示す斜視図ある。
を示す斜視図ある。
４ 対向板 ５ リアクタ ６ キャリアガス導入口 ７ 公転サセプタ ８ 自転サセプタ ９ キャリアガス排気口 １０ 半導体製造装置 １１ キャリアガス導入口 １２ 公転サセプタ １３ 自転サセプタ １４ キャリアガス排気口 １５ 対向板 １６ キャリアガス排気フィン １７ 対向板ヒータ １８ 基板 １９ 基板ヒータ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鶴岡 清貴 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気株 式会社内 Ｆターム(参考） 5F045 AA04 BB05 CA12 DP14 EB02 EE20 EF14 EF20 EM10 GB15
Claims (13)
- 【請求項１】 基板サセプタが自転及び公転する多数枚
気相成長装置であって、対向板を公転サセプタの回転方
向と同一方向に回転させる構造を有することを特徴とす
る半導体製造装置。 - 【請求項２】 基板サセプタが自転及び公転する多数枚
気相成長装置であって、対向板の公転サセプタに対する
回転速度比を０〜２倍の範囲で制御することを特徴とす
る半導体製造装置。 - 【請求項３】 基板サセプタが自転及び公転する多数枚
気相成長装置であって、キャリアガスの導入方向が公転
サセプタの回転方向と同一方向になるように、キャリア
ガス導入口に導入フィンを有することを特徴とする半導
体製造装置。 - 【請求項４】 基板サセプタが自転及び公転する多数枚
気相成長装置であって、キャリアガスの導入方向が公転
サセプタの回転方向と同一方向になるように、キャリア
ガス導入口に導入フィンを有すると共に、対向板を公転
サセプタの回転方向と同一方向に回転させる構造を有す
ることを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項５】 基板サセプタが自転及び公転する多数枚
気相成長装置であって、キャリアガスが公転サセプタの
回転方向と同一方向に排気されるように、公転サセプタ
周辺部に多数の排気フィンを有することを特徴とする半
導体製造装置。 - 【請求項６】 前記多数枚気相成長装置において、対向
板の公転サセプタに対する回転速度比を０〜２倍の範囲
で制御することを特徴とする請求項５記載の半導体製造
装置。 - 【請求項７】 前記多数枚気相成長装置において、対向
板を公転サセプタの回転方向と同一方向に回転させる構
造を有することを特徴とする請求項５記載の半導体製造
装置。 - 【請求項８】 基板サセプタが自転及び公転する多数枚
気相成長装置であって、対向板を温度制御可能な加熱装
置及び冷却装置を有する半導体製造装置。 - 【請求項９】 前記多数枚気相成長装置において、対向
板を公転サセプタの回転方向と同一方向に回転させる構
造を有することを特徴とする請求項８記載の半導体製造
装置。 - 【請求項１０】 前記多数枚気相成長装置において、対
向板の公転サセプタに対する回転速度比を０〜２倍の範
囲で制御することを特徴とする請求項８記載の半導体製
造装置。 - 【請求項１１】 基板サセプタが自転及び公転する多数
枚気相成長装置であって、対向板の中央から周辺に向け
て高温になるように温度勾配をつけることを特徴とする
半導体製造装置。 - 【請求項１２】 前記多数枚気相成長装置において、対
向板の公転サセプタに対する回転速度比を０〜２倍の範
囲で制御することを特徴とする請求項１１記載の半導体
製造装置。 - 【請求項１３】 前記多数枚気相成長装置において、対
向板を公転サセプタの回転方向と同一方向に回転させる
構造を有することを特徴とする請求項１１記載の半導体
製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11055189A JP2000252214A (ja) | 1999-03-03 | 1999-03-03 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11055189A JP2000252214A (ja) | 1999-03-03 | 1999-03-03 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000252214A true JP2000252214A (ja) | 2000-09-14 |
Family
ID=12991765
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11055189A Pending JP2000252214A (ja) | 1999-03-03 | 1999-03-03 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000252214A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100674872B1 (ko) | 2005-06-03 | 2007-01-30 | 삼성전기주식회사 | 다중 기판의 화학 기상 증착 장치 |
-
1999
- 1999-03-03 JP JP11055189A patent/JP2000252214A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100674872B1 (ko) | 2005-06-03 | 2007-01-30 | 삼성전기주식회사 | 다중 기판의 화학 기상 증착 장치 |
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