JPS6090894A - 気相成長装置 - Google Patents
気相成長装置Info
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- JPS6090894A JPS6090894A JP19640183A JP19640183A JPS6090894A JP S6090894 A JPS6090894 A JP S6090894A JP 19640183 A JP19640183 A JP 19640183A JP 19640183 A JP19640183 A JP 19640183A JP S6090894 A JPS6090894 A JP S6090894A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/12—Substrate holders or susceptors
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ）発明の技術分野
本発明はＭＯＳ−ＩＣ等半導体装置の生産に使用する気
相成長装置に関する。
相成長装置に関する。
（ｂ）技術の背景
シリコン結晶基板などに半導体膜あるいは絶縁膜を気相
成長させる。所謂ＣＶＤ法においては１石英炉内に密気
圧７６０ Ｔｏｒｒ又は、それ以下の減圧下で反応ガス
分子を前記基板に堆積して成膜することが行われている
。本発明は、特に大径のウェーハ（以下、基板と呼ぶ）
に対してバッチ生産に適する気相成長装置を提示したも
のである。
成長させる。所謂ＣＶＤ法においては１石英炉内に密気
圧７６０ Ｔｏｒｒ又は、それ以下の減圧下で反応ガス
分子を前記基板に堆積して成膜することが行われている
。本発明は、特に大径のウェーハ（以下、基板と呼ぶ）
に対してバッチ生産に適する気相成長装置を提示したも
のである。
＜ｃ＞従来技術と問題点
従来、成膜加工のシリコン結晶基板などを装着するサセ
プタ（基板ホルダ）構造例を第１図の斜視図に示す。
プタ（基板ホルダ）構造例を第１図の斜視図に示す。
第１図の１は、バレル型と称するサセプタである０図示
六角柱状に形成の取付は枠体はＳｉＣなどで製作され、
その周辺には加工対称基板が多数装着される構造となっ
ている。同図の２は縦型反応炉に用いられる平板ディス
ク型のサセプタである。
六角柱状に形成の取付は枠体はＳｉＣなどで製作され、
その周辺には加工対称基板が多数装着される構造となっ
ている。同図の２は縦型反応炉に用いられる平板ディス
ク型のサセプタである。
更に、同図の３は、横型炉に使用されるーサセプタ構造
を示している。図中、４は前記１．２及び３の夫々のサ
セプタに拘持された複数基板、５はサセプタの回転軸で
１例えばシリコンエピタキシィなど成膜膜厚の基板分布
を均一化する回転軸である。
を示している。図中、４は前記１．２及び３の夫々のサ
セプタに拘持された複数基板、５はサセプタの回転軸で
１例えばシリコンエピタキシィなど成膜膜厚の基板分布
を均一化する回転軸である。
前記縦型とか横型とかは、温度１０００℃程度の膜成長
時、装置炉心に設ける石英炉の反応ガス流の方向である
。
時、装置炉心に設ける石英炉の反応ガス流の方向である
。
ところで、前記サセプタ構造は、装着の基板枚数が少な
くせいぜい２０数枚が限度であり、又、基板径ば５エン
までが限度である。
くせいぜい２０数枚が限度であり、又、基板径ば５エン
までが限度である。
然し乍ら、近時、成膜対象基板の例えば６〜８）ン径程
度の大型基板に対して、多数枚同時になすパンチ処理を
所定膜厚分布（±１０％以下）で成膜することが要請さ
れている。しかし、係る要請に対処する従来装置の大型
化とこれに伴う装置付帯の電源容量等を勘案すると、空
間的に又生産設備としての稼働効率、経済性等の観点か
ら問題がある。
度の大型基板に対して、多数枚同時になすパンチ処理を
所定膜厚分布（±１０％以下）で成膜することが要請さ
れている。しかし、係る要請に対処する従来装置の大型
化とこれに伴う装置付帯の電源容量等を勘案すると、空
間的に又生産設備としての稼働効率、経済性等の観点か
ら問題がある。
（ｄ）発明の目的
本発明は前記の問題点を解決することである。
前記近時の大型化基板或いはウェーハに対する装置の大
型化を避け、且つ又大型化基板のバッチ生産に適する成
膜膜厚の基板分布性の優れた気相成長装置を実現するこ
とにある。
型化を避け、且つ又大型化基板のバッチ生産に適する成
膜膜厚の基板分布性の優れた気相成長装置を実現するこ
とにある。
＜ｅ＞発明の構成
前記の目的は、基板上に成膜する気相成長装置に於いて
、前記基板が軸を中心として放射状に配列された羽翼に
取付けられるサセプタを有することにより達成される。
、前記基板が軸を中心として放射状に配列された羽翼に
取付けられるサセプタを有することにより達成される。
（ｆ）発明の実施例
以下１本発明の一実施例を示す第２図〜第５図に従って
本発明の詳細な説明する。
本発明の詳細な説明する。
第２図は、軸周辺に配列された多数の羽翼を具える本発
明のサセプタ構造実施例を示す斜視図である。又、第３
図は第２図サセプタが炉内装備された気相成長装置全体
の側断面図である。
明のサセプタ構造実施例を示す斜視図である。又、第３
図は第２図サセプタが炉内装備された気相成長装置全体
の側断面図である。
第２図図中、１０は回転軸、１１はその内側が回転軸部
に固定された羽翼、これは例えば石英（５１０２−）又
はシリコンカーバイト（ＳｉＣ）被着のカーボン（グラ
ファイト）体で形成される。羽！１１は軸１０の全周辺
に等角度αをもたせて放射状に配列される。配列の羽翼
数は１０〜５０枚とされる。図の４は各羽翼１１の両面
に拘持する加工対象基板、各羽翼には詳細図示されない
がサセプタ軸回転に対して基板を安定に保持する拘持機
構を有する。基板４は、各翼面当り二枚装着されるが基
板サイズにより増減して堆付けられる。
に固定された羽翼、これは例えば石英（５１０２−）又
はシリコンカーバイト（ＳｉＣ）被着のカーボン（グラ
ファイト）体で形成される。羽！１１は軸１０の全周辺
に等角度αをもたせて放射状に配列される。配列の羽翼
数は１０〜５０枚とされる。図の４は各羽翼１１の両面
に拘持する加工対象基板、各羽翼には詳細図示されない
がサセプタ軸回転に対して基板を安定に保持する拘持機
構を有する。基板４は、各翼面当り二枚装着されるが基
板サイズにより増減して堆付けられる。
前記羽翼１１は、垂直の回転軸ｌＯと平行しているが、
軸ｌＯと角度６０°程度までの傾きを付すも構わない。
軸ｌＯと角度６０°程度までの傾きを付すも構わない。
斯様な、恰も水車翼の如きサセプタ構成体を、縦型装置
の炉内に配設した側断面図が第３図である。
の炉内に配設した側断面図が第３図である。
第３図に於いて、１２は石英等からなる気相成長炉、１
３は上方から導入する原料供給の複数ガス管。
３は上方から導入する原料供給の複数ガス管。
１４は炉内ガスの排気孔、１５はサセプタ軸１０の回転
駆動をなすモータ、及び１６は円筒形の抵抗加熱体であ
る。同図を用いて２本発明のサセプタ装着になる加工対
象基板４に対してシリコンエピタキシィ成膜の実施例を
次に説明する。
駆動をなすモータ、及び１６は円筒形の抵抗加熱体であ
る。同図を用いて２本発明のサセプタ装着になる加工対
象基板４に対してシリコンエピタキシィ成膜の実施例を
次に説明する。
先ず、排気孔１４で炉内を真空排気し、他方１円筒形加
熱体１６により基板温度を１０００℃とする。次いで、
原料供給ガス管１３から水素（Ｈ２）を流量５０１／ｎ
＋ｉｒｒ＋ ジクロロシラン（ＳｉＨｚＣｌｌ）を流量
１１／ｎ＋ｉｎの速度で略７６０Ｔｏｒｒ （常圧）に
充填した状態でモータ１５を用い前記サセプタを徐回転
させながら均一なエビクキシイ膜が形成される。この場
合、膜成長速度は０．２〜０．４μｍ ／ｎ＋ｉｎであ
り。
熱体１６により基板温度を１０００℃とする。次いで、
原料供給ガス管１３から水素（Ｈ２）を流量５０１／ｎ
＋ｉｒｒ＋ ジクロロシラン（ＳｉＨｚＣｌｌ）を流量
１１／ｎ＋ｉｎの速度で略７６０Ｔｏｒｒ （常圧）に
充填した状態でモータ１５を用い前記サセプタを徐回転
させながら均一なエビクキシイ膜が形成される。この場
合、膜成長速度は０．２〜０．４μｍ ／ｎ＋ｉｎであ
り。
成膜膜厚は１時間をコントロールして行う。
第４圓は、第２図図示の如き多数の羽翼を配列するサセ
プタを基体とした気相成長装置の他実施例を示す断面図
、及び第５図は第４図の下面側ガス制流板の一部を示す
上面図である。
プタを基体とした気相成長装置の他実施例を示す断面図
、及び第５図は第４図の下面側ガス制流板の一部を示す
上面図である。
第４図は供給の原料ガスあるいは反応ガスが。
前記多数配列の羽翼１１外周縁から回転軸１０に向い流
れるガス流制御の制流板が設定された図である。
れるガス流制御の制流板が設定された図である。
図中、１７は、前回サセプタの上面側を閉塞するサセプ
タと一体的に配置せる円形の制流板、１８は同サセプタ
の下面側に一体的に配置せる円形の制流板である。但し
、下面側制流板１８は上面側制流板１７に比し大径とさ
れ、且つ中央部は成長炉１２の排気孔１４と略同径もし
くは小さめのガス排流孔２０が明けられる（第５図参照
）。斯様な上面が閉塞されたサセプタ構造とすれば、下
方に向かう原料ガス流を例示流線１９の如く羽翼外周縁
がら軸方向に向かって生成することが出来る。
タと一体的に配置せる円形の制流板、１８は同サセプタ
の下面側に一体的に配置せる円形の制流板である。但し
、下面側制流板１８は上面側制流板１７に比し大径とさ
れ、且つ中央部は成長炉１２の排気孔１４と略同径もし
くは小さめのガス排流孔２０が明けられる（第５図参照
）。斯様な上面が閉塞されたサセプタ構造とすれば、下
方に向かう原料ガス流を例示流線１９の如く羽翼外周縁
がら軸方向に向かって生成することが出来る。
第５図は第４図図中の指標線Ａ−Ａで切断したサセプタ
下面側制流板の一部を示す上面図である。
下面側制流板の一部を示す上面図である。
図示の様に原料ガスは狭い羽翼１１間を通過してガス排
流孔２０へ流れる為、各羽翼の両面に拘持された基板（
基板は図示されない）に対し１分布性の良い均一な成膜
が出来る。これに伴い炉内に導入される反応ガス制御も
面倒なノズル調整等しなくてもよい。
流孔２０へ流れる為、各羽翼の両面に拘持された基板（
基板は図示されない）に対し１分布性の良い均一な成膜
が出来る。これに伴い炉内に導入される反応ガス制御も
面倒なノズル調整等しなくてもよい。
（ｇ）発明の効果
以上、実施例に基づき詳細に説明した本発明のサセプタ
構成を具備する気相成長装置によれば。
構成を具備する気相成長装置によれば。
同時に多数枚（５０枚程度）の成膜加工処理が可能とな
り、更に炉内反応ガスの還流制御用の制流板配置がされ
た構成とすれば大型基板に対する膜厚分布が例えば７％
〜１０％とバラツキの少ない成膜加工が可能となる。
り、更に炉内反応ガスの還流制御用の制流板配置がされ
た構成とすれば大型基板に対する膜厚分布が例えば７％
〜１０％とバラツキの少ない成膜加工が可能となる。
係る観点から本発明の気相成長装置を半導体装置生産の
流れに使用すれば、その工業的効果は大きい。
流れに使用すれば、その工業的効果は大きい。
第１図は従来のサセプタ構造例の斜視図である。
第２図は本発明のサセプタ構造実施例を示す斜視図、第
３図は本発明の気相成長装置の実施例断面図、第４図は
本発明の気相成長装置の他実施例を示す断面図、第５図
は第４図のサセプタ下面側制流板の一部を示す上面図で
ある。 図中、４は成膜基板、５と１０は軸、１１は羽翼。 １２は炉体、１３は原料ガス管、１４は排気孔、 １６
抵抗加熱体、１７と１８は制流板、１９はガス流線１及
び２０第３因 茅５目
３図は本発明の気相成長装置の実施例断面図、第４図は
本発明の気相成長装置の他実施例を示す断面図、第５図
は第４図のサセプタ下面側制流板の一部を示す上面図で
ある。 図中、４は成膜基板、５と１０は軸、１１は羽翼。 １２は炉体、１３は原料ガス管、１４は排気孔、 １６
抵抗加熱体、１７と１８は制流板、１９はガス流線１及
び２０第３因 茅５目
Claims (2)
- （１）基板上に成膜する気相成長装置に於いて。 前記基板が軸を中心として放射状に配列された羽翼に取
付けられるサセプタを有することを特徴とする気相成長
装置。 - （２）前記サセプタの周辺から軸心に向かって反応ガス
流が形成されることを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19640183A JPS6090894A (ja) | 1983-10-20 | 1983-10-20 | 気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19640183A JPS6090894A (ja) | 1983-10-20 | 1983-10-20 | 気相成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6090894A true JPS6090894A (ja) | 1985-05-22 |
| JPS6365639B2 JPS6365639B2 (ja) | 1988-12-16 |
Family
ID=16357250
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19640183A Granted JPS6090894A (ja) | 1983-10-20 | 1983-10-20 | 気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6090894A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60149131U (ja) * | 1984-03-15 | 1985-10-03 | 株式会社東芝 | 気相成長装置 |
| US4772356A (en) * | 1986-07-03 | 1988-09-20 | Emcore, Inc. | Gas treatment apparatus and method |
| US4838983A (en) * | 1986-07-03 | 1989-06-13 | Emcore, Inc. | Gas treatment apparatus and method |
| EP0683249A1 (en) * | 1994-05-20 | 1995-11-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for the growth of compound semiconductor layer |
| KR100537941B1 (ko) * | 1997-09-30 | 2006-02-28 | 지멘스 악티엔게젤샤프트 | 불활성가스실드를이용한비동질디바이스층형성방법 |
| JP2015185750A (ja) * | 2014-03-25 | 2015-10-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 真空処理装置 |
| CN106245111A (zh) * | 2016-10-10 | 2016-12-21 | 无锡宏纳科技有限公司 | 低压化学气相沉淀腔的晶圆支撑结构 |
| CN106245004A (zh) * | 2016-10-10 | 2016-12-21 | 无锡宏纳科技有限公司 | 内外喷气式低压化学气相沉淀腔 |
| CN106399970A (zh) * | 2016-10-10 | 2017-02-15 | 无锡宏纳科技有限公司 | 环管式低压化学气相沉淀腔 |
| CN111501019A (zh) * | 2020-05-13 | 2020-08-07 | 深圳市纳设智能装备有限公司 | 一种用于cvd设备的反应室涡轮结构 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2597955Y2 (ja) * | 1991-12-28 | 1999-07-26 | 京セラ株式会社 | 画像形成装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52144961A (en) * | 1976-05-28 | 1977-12-02 | Hitachi Ltd | Vapor growth method |
| JPS5329101U (ja) * | 1976-08-19 | 1978-03-13 | ||
| JPS577899A (en) * | 1980-06-13 | 1982-01-16 | Hitachi Ltd | Vapor phase reacting apparatus |
-
1983
- 1983-10-20 JP JP19640183A patent/JPS6090894A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52144961A (en) * | 1976-05-28 | 1977-12-02 | Hitachi Ltd | Vapor growth method |
| JPS5329101U (ja) * | 1976-08-19 | 1978-03-13 | ||
| JPS577899A (en) * | 1980-06-13 | 1982-01-16 | Hitachi Ltd | Vapor phase reacting apparatus |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60149131U (ja) * | 1984-03-15 | 1985-10-03 | 株式会社東芝 | 気相成長装置 |
| US4772356A (en) * | 1986-07-03 | 1988-09-20 | Emcore, Inc. | Gas treatment apparatus and method |
| US4838983A (en) * | 1986-07-03 | 1989-06-13 | Emcore, Inc. | Gas treatment apparatus and method |
| EP0683249A1 (en) * | 1994-05-20 | 1995-11-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for the growth of compound semiconductor layer |
| EP0964083A2 (en) * | 1994-05-20 | 1999-12-15 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for growing a compound semiconductor layer |
| EP0964083A3 (en) * | 1994-05-20 | 2002-01-30 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for growing a compound semiconductor layer |
| KR100537941B1 (ko) * | 1997-09-30 | 2006-02-28 | 지멘스 악티엔게젤샤프트 | 불활성가스실드를이용한비동질디바이스층형성방법 |
| JP2015185750A (ja) * | 2014-03-25 | 2015-10-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 真空処理装置 |
| CN106245111A (zh) * | 2016-10-10 | 2016-12-21 | 无锡宏纳科技有限公司 | 低压化学气相沉淀腔的晶圆支撑结构 |
| CN106245004A (zh) * | 2016-10-10 | 2016-12-21 | 无锡宏纳科技有限公司 | 内外喷气式低压化学气相沉淀腔 |
| CN106399970A (zh) * | 2016-10-10 | 2017-02-15 | 无锡宏纳科技有限公司 | 环管式低压化学气相沉淀腔 |
| CN111501019A (zh) * | 2020-05-13 | 2020-08-07 | 深圳市纳设智能装备有限公司 | 一种用于cvd设备的反应室涡轮结构 |
| WO2021227133A1 (zh) * | 2020-05-13 | 2021-11-18 | 深圳市纳设智能装备有限公司 | 一种用于cvd设备的反应室涡轮结构 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6365639B2 (ja) | 1988-12-16 |
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