KR20040101400A - 기체 구동에 의한 행성형 회전 장치 및 실리콘카바이드층들의 형성 방법 - Google Patents

기체 구동에 의한 행성형 회전 장치 및 실리콘카바이드층들의 형성 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20040101400A
KR20040101400A KR10-2004-7015904A KR20047015904A KR20040101400A KR 20040101400 A KR20040101400 A KR 20040101400A KR 20047015904 A KR20047015904 A KR 20047015904A KR 20040101400 A KR20040101400 A KR 20040101400A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
platter
satellite
gas
drive
main
Prior art date
Application number
KR10-2004-7015904A
Other languages
English (en)
Inventor
페이즐리마이클제임스
수마케리스조셉존
Original Assignee
크리 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 크리 인코포레이티드 filed Critical 크리 인코포레이티드
Publication of KR20040101400A publication Critical patent/KR20040101400A/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/12—Substrate holders or susceptors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B25/00—Annealing glass products
    • C03B25/04—Annealing glass products in a continuous way
    • C03B25/10—Annealing glass products in a continuous way with vertical displacement of the glass products
    • C03B25/12—Annealing glass products in a continuous way with vertical displacement of the glass products of glass sheets
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4584—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally the substrate being rotated
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)
  • Ceramic Products (AREA)
  • Structures Of Non-Positive Displacement Pumps (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

구동 기체의 흐름을 이용하는 기체 구동에 의한 회전 장치는 상부면을 구비하는 베이스 부재, 베이스 부재 상에 위치하는 주요 플래터, 및 주요 플래터 상에 위치하는 위성 플래터를 포함한다. 본 발명에 따른 장치는 주요 플래터가 구동 기체의 흐름에 의해 베이스 부재에 대해 상대적으로 회전되도록 하기 위해, 베이스 부재의 상부면과 주요 플래터의 사이로 구동 기체의 흐름을 인도하도록 맞추어져 있다. 위성 플래터가 구동 기체의 흐름의 적어도 일부분에 의해 주요 플래터에 대해 상대적으로 회전되도록 하기 위해, 구동 기체의 흐름의 적어도 일부분은 베이스 부재의 상부면과 주요 플래터의 사이로부터 주요 플래터와 위성 플래터의 사이로 인도되어진다.

Description

기체 구동에 의한 행성형 회전 장치 및 실리콘 카바이드층들의 형성 방법{Gas driven planetary rotation apparatus and methods for forming silicon carbide layers}
실리콘 카바이드(SiC)는 전자 장치용으로 효과적인 반도체 물질로서 점점 인식되어 왔다. SiC는 고온, 고전력 및 고주파수에서 동작하는 장치들을 필요로 하는 응용장치에 대해 특히 관심을 끄는 많은 특징들을 가지고 있다. SiC는 매우 높은 열 전달 효율을 보이고, 높은 전계에 견딜 수 있다.
온벽(hot-wall) 화학기상증착(chemical vapor deposition; CVD) 장치들은 냉벽(cold-wall) 시스템들에 비해 우수한 형상 및 도핑을 갖는 에피택셜(epitaxial) SiC층을 제공할 수 있다. 예를 들어, 여기에 참조에 의해 포함된, 코르디나(Kordina) 등에 의한 미국특허번호 제 5,695,567호를 참조하라. 더구나 온벽 CVD 시스템에 기판 회전을 추가하면, 시스템의 사이클 당 용량 및 이로 인해 얻어진 에피택셜 층들의 균일도를 향상시킬 수 있다고 증명되었다. 후리즈링크(Frijlink)에 의한 미국특허번호 제 4,860,687호는 기준면에 대해 평행하게 회전하는 평평한 서셉터(susceptor)를 구비하는 장치에 대해 개시하고 있다. 거기에 개시된 장치는 증기 에피택셜 시스템에서 사용될 수 있다.
본 발명은 기판 회전 방법 및 장치에 관한 것으로서, 특히 기판에 기체 구동에 의한 회전을 제공하는 방법 및 장치에 관한 것입니다.
명세서에 첨부되어 일부분을 구성하는 아래의 도면들은 본 발명의 실시예를 도시하고 상세한 설명과 더불어 본 발명의 원리를 설명하기 위한 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 서셉터 어셈블리의 전개된 사시도이다.
도 2는 도 1의 서셉터 어셈블리의 사시도이다.
도 3은 본 발명의 실시예들에 따른 도 1의 서셉터 어셈블리를 포함하는 온벽 CVD 시스템의 개략도이다.
도 4는 도 1의 서셉터 어셈블리의 일 부분을 형성하는 베이스 부재의 평면도이다.
도 5는 도 4의 베이스 부재의 확대된, 단편, 평면도이다.
도 6은 도 1의 서셉터 어셈블리의 일 부분을 형성하는 주요 플래터의 평면도이다.
도 7은 도 6의 7-7선에 따른 도 6의 주요 플래터의 단면도이다.
도 8은 도 6의 8-8선에 따른 도 6의 주요 플래터의 단면도이다.
도 9는 도 6의 9-9선에 따른 도 6의 주요 플래터의 단면도이다.
도 10은 도 1의 서셉터 어셈블리의 일 부분을 형성하는 위성 플래터의 평면도이다.
도 11은 커버 부재와 측면 부재가 제거된 상태에서의, 도 1의 서셉터 어셈블리의 평면도이다.
도 12는 명확성을 위해 위성 플래터들의 중의 하나가 생략된 상태에서의, 도 11의 12-12선에 따른 도 1의 서셉터 어셈블리의 단면도이다.
도 13은 커버 부재와 측면 부재가 제거된 상태에서의, 본 발명의 실시예들에 따른 서셉터 어셈블리의 평면도이다.
본 발명의 실시예들에 따른 구동 기체의 흐름을 이용하는 기체 구동 회전 장치는, 상부면을 구비하는 베이스 부재(base member), 상기 베이스 부재의 상부면 상에 위치하는 주요 플래터(main platter) 및 상기 주요 플래터 상에 위치하는 위성 플래터(satellite platter)를 포함한다. 상기 장치는 구동 기체의 흐름에 의해 상기 주요 플래터가 상기 베이스 부재에 대해 상대적으로 회전하도록, 상기 베이스 부재의 상부면과 상기 주요 플래터의 사이로 상기 구동 기체의 흐름을 인도하도록 맞추어져 있다. 상기 구동 기체 흐름의 적어도 일부분은 상기 위성 플래터가 상기 구동 기체의 흐름의 적어도 일부분에 의해 상기 주요 플래터에 대해 상대적으로 회전되도록, 상기 베이스 부재의 상부면과 상기 주요 플래터의 사이로부터 상기 주요 플래터와 상기 위성 플래터의 사이로 인도된다.
본 발명에 따른 다른 실시예들에 따르면, 구동 기체의 흐름을 이용하는 기체 구동 회전 장치는, 상부면을 구비하는 베이스 부재, 상기 베이스 부재의 상부면 상에 위치하며 상부면을 구비하는 주요 플래터를 포함한다. 적어도 하나는 원형으로 확장하며, 실질적으로 직선인 위성 구동 채널(satellite drive channel)이 상기 주요 플래터의 상부면에 형성된다. 위성 플래터는 상기 주요 플래터 및 적어도 하나의 상기 위성 구동 채널 상에 위치한다. 상기 장치는 상기 주요 플래터에 대해 상대적으로 상기 위성 플래터를 회전축으로 회전시키기 위해, 상기 위성 구동 채널을통하여 상기 구동 기체의 적어도 일부분을 인도하도록 맞추어져 있다.
본 발명에 따른 또 다른 실시예에 따르면, 구동 기체의 흐름을 이용하는 기체 구동에 의한 회전 장치는 상부면을 구비하는 베이스 부재, 상기 베이스 부재의 상부면 상에 위치하는 주요 플래터 및 상기 주요 플래터 상에 위치하는 위성 플래터를 포함한다. 상기 장치는 상기 베이스 부재에 대해 상대적인 제 1 회전 방향으로 상기 주요 플래터를 회전시키도록 맞추어져 있다. 상기 위성 플래터는 상기 주요 플래터에 대해 상대적이고 상기 제 1 회전 방향과 반대인 제 2 회전 방향으로 회전된다. 상기 주요 플래터의 회전과 상기 위성 플래터의 회전의 적어도 하나가 구동 기체의 흐름에 의해 구동된다.
본 발명의 실시예에 따른 물품 회전 장치는, 상부면을 구비하는 베이스 부재, 상기 베이스 부재의 상부면 상에 위치하는 주요 플래터 및 상기 주요 플래터 상에 위치하는 위성 플래터를 포함하는 기체 구동 회전 장치를 제공하는 단계를 포함한다. 상기 물품은 상기 위성 플래터 상에 위치된다. 구동 기체의 흐름은 상기 베이스 부재의 상부면과 상기 주요 플래터의 사이로 인도되어 그 결과, 상기 주요 플래터가 상기 베이스 부재에 대해 상대적으로 회전된다. 상기 구동 기체 흐름의 적어도 일부분은 상기 베이스 부재의 상부면과 상기 주요 플래터의 사이로부터 상기 주요 플래터와 상기 위성 플래터의 사이로 인도되어, 그 결과 상기 위성 플래터가 상기 구동 기체의 흐름의 적어도 일부분에 의해 상기 주요 플래터에 대해 상대적으로 회전된다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 물품 회전 장치는 상부면을 구비하는 베이스부재, 상기 베이스 부재의 상부면 상에 위치하는 주요 플래터 및 상기 주요 플래터 상에 위치하는 위성 플래터를 포함하는 기체 구동 회전 장치를 제공하는 단계를 포함한다. 상기 물품은 상기 위성 플래터 상에 위치된다. 상기 주요 플래터는 상기 베이스 부재에 대해 상대적으로 제 1 방향으로 회전된다. 상기 위성 플래터는 상기 주요 플래터에 대해 상대적으로 상기 제 1 회전 방향과 반대의 제 2 회전 방향으로 회전된다. 상기 주요 플래터의 회전과 상기 위성 플래터의 회전의 적어도 하나는 구동 기체의 흐름에 의해 구동된다.
본 발명의 목적은 본 발명을 단순히 예시적으로 설명하기 위한 아래의 바람직한 실시예들의 도면과 상세한 설명을 통해 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 이해될 수 있다.
본 발명은 이제 바람직한 실시예가 도시된 아래의 도면을 참조하여 보다 상세하게 설명될 것이다. 그러나, 본 발명은 다양한 형태로 구현될 수 있고, 여기에 제시된 실시예들에 제한되지는 않는다; 그 보다는 이러한 실시예들은 본 발명의 개시가 철저하고 완전하고 해당 기술 분양에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명의 범위를 완전하게 전달하기 위해 제공되었다. 동일한 참조 부호들은 동일한 구성 요소를 나타낸다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 실시예들에 따른 서셉터 어셈블리(susceptor assembly; 100)가 도시되어 있다. 상기 서셉터 어셈블리(100)는 상기 서셉터 어셈블리(100)가 개략적으로 도시된 도 3의 온벽 CVD 시스템(10)에서 사용될 수 있다. 상기 서셉터 어셈블리(100)를 제외하면, 상기 온벽 CVD 시스템은 통상의 구조이고, 통상적으로 사용되고 있다. 상기 시스템(10)은 관통로(through passage)(14)를 한정하는 석영관(quartz tube)(12)을 포함한다. 상기 관(12)은 RF 코일(16)에 의해 둘러싸여 있다. 사일렌(SiH4) 및 프로판(C3H8)과 같은 프리커서(precursor) 기체들이 유입되고, 정화된 수소 기체(H2) 캐리어에 의해 상기 관(12)내 및 상기 관(12)을 통하여 전송된다. 상기 RF 코일(16)은 SiC 증착 반응이 일어나는 가열된 영역을 제공하기 위해 상기 서셉터 어셈블리(100)를 유도 가열한다. 보다 자세하게는, SiC층이 타겟 웨이퍼들(20)(도 3에 개략적으로 표시된)의 노출된 표면상에 성장된다. 상기 시스템(10)의 수정 및 이를 사용하는 방법은 여기의 상세한 설명을 참조하여 해당 분야에서 평균적인 지식을 가진 자가 이해할 수 있을 것이다. 본 발명은 다른 형태의 반응장치 및 다른 형태의 가열 장치 및 기술을 가진 것에 사용될 수 있음을 이해할 수 있다.
상기 서셉터 어셈블리(100)는 여러 장의 웨이퍼들(20)을 반응 기체 흐름 및 상기 시스템(10)의 가열된 영역에 대해 행성 회전을 제공하기 위해 채용되었다. 보다 자세하게는, 상기 서셉터 어셈블리(100)는 상기 여러 장의 웨이퍼들을 통상 L-L 회전축(도 12) 주위로 회전시키고, 동시에 각 웨이퍼들을 각 개별적인 회전축(예를들어, 회전축 Q-Q; 도 12) 주위로 회전시킨다. 이러한 회전운동의 각각은 구동 기체의 흐름에 의해 구동된다.
상기 서셉터 어셈블리(100)를 보다 구체적으로 보면, 도 1 및 도 2에 가장 잘 도시된 바와 같이, 상기 어셈블리(100)는 커버 부재(cover member; 110), 측벽 부재(side member; 120), 및 상기 어셈블리(100)의 상류 또는 입구 끝(110A) 및 출구 또는 하류 끝(110B)에서 박스를 형성하는 베이스 부재(base member; 150)를 포함한다. 상기 부재들(110, 120, 150)은 잠금기(fastener)(122)에 의해 고정되어 있다. 통로(passage; 102)는 상기 어셈블리(100)를 상기 끝(110A)으로부터 상기 끝(110B)까지 완전히 관통한다. 상부 라이너(liner; 124) 및 한 쌍의 하부 라이너들(126)은 상기 커버 부재(110) 및 상기 베이스 부재(150)에 각각 마운트되어 있다. 바람직하게는, 상기 라이너들(124, 126)은 2001년 10월 30일에 출원되고, 여기에 전체로서 첨부되어 설명되어 있으며, "Induction Heating Devices and Methods for Controllably Heating an Article)"라는 제목의 미국특허번호 제 10/017,492)호에 설명된 바와 같이 마운트되어 있다. 주요 플래터(main platter; 130)는 상기 통로(102)에 위치되어 있고, 핀 또는 스핀들(spindle; 140) 주위로 회전을 위해 마운트되어 있다. 상기 플래터(130)는 바람직하게는 도시된 바와 같이 디스크형이다. 세 개의 위성 플래터들(satellite platters; 180)은 상기 주요 플래터(130) 상에 각각의 스핀들 포스트들(193) 주위로 회전을 위해 마운트되어 있다. 상기 웨이퍼들(도 1의 20)은 상기 위성 플래터들(180) 상에 마운트되어 있다.
도 1, 4, 5, 및 12를 참조하면, 상기 베이스 부재(150)는 상부면(151A)을 가지고 있다. 배출 통로(exhaust passage; 154)는 상기 출구 끝(110B) 주위의 상기 베이스 부재(150) 내에 형성되어 있고, 개구(opening; 154A)에서 끝난다. 상기 베이스 부재(150)는 상기 상부면(151A) 내에 형성된 플래터 마운팅 부분(platter mounting portion; 160)을 더 포함한다. 기체 공급 통로(170)는 상기 베이스 부재(150) 내에 형성되고, 상기 부분(160) 내의 나사선 주입 개구(threaded inlet opening; 172) 및 배출 개구(outlet opening; 174)와 유동적으로(fluidly) 연결된다. 연결 통로(connecting passage; 176)는 아래에 설명된 바와 같이, 상기 부분(160) 및 상기 통로(154) 사이를 유동적으로 연결시킨다.
상기 플래터 마운팅 부분(160)은 바람직하게는 도시된 바와 같이 리세스(recess) 또는 함몰(depression) 형태이다. 상기 부분(160)은 비교적 깊고, 완곡하고, 끝없는 채널(164), 내부 또는 중앙 리세스(central recess; 162) 및 복수의 직선의(예로 직선으로 둘러싸인), 일반적으로 원형으로 확장하는 주요 구동 채널들(main drive channels; 168)을 포함하고, 이들은 서로 조합하여 복수의 랜딩들(landings; 166)을 그들 사이에 형성한다. 바람직하게는, 상기 채널들(168)은 표준적인 저 비용 제조 공정이 허용하는 정도(전형적으로 채널 길이의 인치 당 0.001 인치) 이상은 직선에서 벗어나지 않는다. 상기 주요 구동 채널들(168)은 바람직하게는 상기 중앙 리세스(162) 주위를 동일한 거리를 가지면서 대칭적으로 위치되어 있다. 다소의 주요 구동 채널들(168)이 구비될 수 있다. 상기 중앙 리세스(162)는 바람직하게는 원형이고, 상기 채널(164) 및 상기 중앙 리세스(162)는 바람직하게는 도시된 바와 같이 실질적으로 집중형이다.
스핀들 리세스(spindle recess; 163)는 상기 중앙 리세스(162)의 중앙에 형성되어 있다. 상기 개구(174)는 상기 중앙 리세스(162) 내에, 상기 중앙 리세스(162)의 중앙으로부터 떨어진 위치에 형성되어 있다.
상기 채널9164)의 외부 수직 벽(164B)은 상기 상부면(151A)의 주위 부분까지 확장되어 있다. 상기 채널(164)의 내부 수직벽(164A)은 상기 랜딩들(166)까지 확장되어 있다. 상기 연결 통로(176)는 상기 채널(164)의 바닥 벽 내에 상부 개구 및 상기 통로(154)에 하부 개구를 가지고 있다.
상기 구동 채널(168)은 각각 입구 끝(168A)으로부터 출구 끝(168B)까지 확장되어 있다. 상기 입구 끝들(168A)은 각각 상기 중앙 리세스(162)와 교차하고, 상기 출구 끝들(168B)은 각각 상기 채널(164)과 교차한다. 상기 구동 채널(168)은 회전축 L-L(도 12)에 대해 각각 각을 이루며 확장한다. 보다 구체적으로, 그리고 도 5를 참조하면, 각 구동 채널(168)은 상기 채널(168)의 중앙을 관통하는 중앙 채널축 N-N을 한정한다. 상기 축 N-N은 상기 회전축 L-L(도 5)로부터 떨어져 있고(교차하지 않으면서), 상기 스핀들 리세스(163)의 중앙을 관통하여 종이 밖으로 향하게 확장된다. 직선 참조선 M-M은 상기 구동 채널(168)의 출구 끝(168B)에서 상기 채널축 N-N을 교차하고, 상기 채널(164)의 내부 수직 벽(164A)에 의해 한정되는 참조 원에 대해 접선을 이룬다. 상기 채널축 N-N 및 상기 참조선 M-M은 거기에서 각도 P를 규정한다. 상기 각도 P는 90o보다 작다. 보다 바람직하게는, 상기 각도 P는 35 내지 75o범위이다. 가장 바람직하게는, 상기 각도 P는 약 45 내지 65o범위이다.
바람직하게는, 상기 구동 채널들(168)은 약 0.5와 0.1 인치 사이의 폭을 갖는다. 바람직하게는, 상기 구동 채널들(168)은 약 0.002와 0.020 인치 사이의 깊이를 갖는다.
바람직하게는, 상기 채널(164)의 상기 외부 수직 벽(164B) 및 상기 플래터(130)의 외부 경계 끝(134)은 약 0.100과 0.010 인치 사이의 폭을 가지면서 거기에 갭(gap)을 한정한다. 바람직하게는, 상기 채널(164)은 약 0.250과 0.050 인치 사이의 폭을 가지고, 약 0.100과 0.020 인치 사이의 랜딩들(166)보다 낮은 깊이를 갖는다. 상기 구동 채널(168)의 길이(J) 및 상기 내부 수직 벽(도 4의 164A)은 상기 주요 플래터(130)의 크기에 의존한다.
바람직하게는, 상기 랜딩들(166)은 상기 꼭대기면(151A) 아래로 대략 상기 플래터(130)의 두께와 동일한 거리만큼 수직으로 리세스되어 있다. 바람직하게는, 상기 중앙 리세스(162)는 약 0.100 내지 0.010 인치 사이의 거리만큼 상기 랜딩들(166)로부터 리세스되어 있다. 바람직하게는, 상기 중앙 리세스(162)는 약 1.00 인치 내지 상기 주요 플래터 직경의 50% 사이의 직경 I(도 4)를 가지고 있다.
구동 기체 공급 장치(171)는 상기 통로(170)와의 유동적 연결을 위해 상기 나사선 주입 개구(172)에 연결되어 있다. 상기 기체 공급 장치(171)는 상기 기체 공급 통로(170) 내로 압축된 구동 기체를 흐르게 힘을 가할 수 있다. 상기 구동 기체 공급 장치(171)는 상기 베이스 부재(150)로부터 상기 구동 기체를 끌어내기 위해 상기 구동 기체 배출 통로(154)에 선택적으로 또는 부가적으로 연결되어 있다. 적당한 기체 공급 장치에는 일리노이 배링톤(Illinois, Barrington)의 바르난트(Barnant)사로부터 입수 가능한 길몬트 기구 유량 조절기(gilmont Instrument mass flow controller)가 있다. 바람직하게는, 상기 구동 기체는 비-반응성이다. 보다 바람직하게는, 상기 구동 기체는 특히 아르곤 또는 헬륨과 같은 노블 기체이다. 가장 바람직하게는, 상기 구동 기체는 아르곤이다. 다른 적당한 기체들로는 수소(H2)가 있다.
도 11 및 12에 가장 잘 도시된 바와 같이, 상기 주요 플래터(130)는 상기 베이스 부재(150)의 플래터 마운팅 부분(도 4의 160) 상에 위치한다. 도 1, 6 내지 9 및 12를 참조하면, 상기 주요 플래터(130)는 실질적으로 원형이고, 상부면(131A), 반대쪽 하부면(131B) 및 외부 경계 가장자리(134)를 갖는다. 스핀들 리세스(133)는 상기 하부면(131B) 내에 형성된다. 상기 하부면(131B)은 상기 스핀들 리세스(133)를 제외하고는 어떠한 홈 또는 돌출부도 없이 완전히 실질적으로 매끄럽다.
도 6 내지 9에 가장 잘 도시된 바와 같이, 세 개의 위성 포켓들(satellite pockets; 190)이 상기 주요 플래터(130)의 상기 상부면(131A) 내에 형성된다. 스핀들 포스트(spindle posts; 193)는 각 포켓(190)으로부터 위로 확장한다. 바람직하게는, 각 포켓(190)은 약 01.1 내지 0.3 인치 사이의 깊이(도 7의 A)를 갖는다. 바람직하게는, 각 포켓(190)은 웨이퍼의 직경보다 큰 약 0.005 내지 0.2 인치 사이의 직경(도 7의 B)을 갖는다. 상기 포켓들(190)은 바람직하게는 상기 주요 플래터(130)의 중앙(예로, 상기 축 L-L)으로부터 실질적으로 등거리에 위치되어 있다.
통로와 채널들의 세 개의 배열들(191)은 상기 포켓들(190)의 각각에 위치해있다. 상기 배열들(191)은 바람직하게는 실질적으로 동일하고, 대칭적으로 배열되고, 상기 플래터(130)의 대략 중앙 방향으로 되어 있다. 이에 따라, 상기 배열들의 오직 하나만이 아래에 상세하게 설명되어 있고, 이 것은 다른 두 배열들(191)에 또한 적용될 것이다.
상기 배열(191)은 상기 리세스들(190) 내의 상기 주요 플래터(131)의 상기 상부면(131A)에 형성된, 세 개의 위성 구동 채널들(192A, 192B, 192C)을 포함한다. 피드 통로(feed passage; 194A)는 상기 하부면(131B)으로부터 상기 상부면(131A)까지 상기 플래터(130)를 완전히 관통하여 확장되어 있고, 상기 구동 채널(192B)과 유동적으로 교차한다. 상기 상부면(131A)에 형성된 피드 채널(196)은 상기 피드 통로(194B)가 상기 피드 채널(196)에 의해 상기 구동 채널(192C)에 유동적으로 결합되도록, 상기 구동 채널(192B)과 구동 채널(192C) 사이로 확장하고 유동적으로 이들 각각과 교차한다.
바람직하게는, 각 구동 채널(192A, 192B, 192C)은 약 0.002 내지 0.020 인치 사이의 깊이(도 7의 C), 상기 웨이퍼 직경의 약 20 내지 80%의 길이(도 6의 D), 및 약 0.1 내지 0.5 인치 사이의 폭(도 6의 C)을 갖는다. 바람직하게는, 각 피드 채널(196)은 약 0.006 내지 0.080 인치 사이의 깊이(도 9의 F), 상기 웨이퍼 직영의 약 25 내지 100% 사이의 길이(도 6의 G) 및 약 0.02 내지 0.3 인치 사이의 폭(도 6의 H)을 갖는다.
도시된 바와 같이, 바람직하게는 상기 위성 구동 채널들(192A, 192B, 192C) 각각은 실질적으로 곧다(예로, 직선). 그러나, 상기 채널들(192A, 192B, 192C)은다른 모양일 수도 있다(예로, 곡선이거나 또는 아치형 모양).
도 12에 가장 잘 도시된 바와 같이, 상기 주요 플래터(130)는 상기 마운팅 부분(160) 위로 또는 내에 부분적으로 마운트되어 있다. 도 12에서, 상기 주요 플래터(130)는 아래에 기술된 바와 같이 떠다니는 또는 부양된 위치에 있다. 상기 스핀들(140)의 하부 끝은 상기 리세스(163) 내에 있고, 상기 스핀들(140)의 상부 끝은 상기 리세스(133) 내에 있다. 상기 스핀들(140)의 중앙축은 상기 주요 플래터(130)의 상부면(131A)에 직각인 회전축 L-L을 정의한다. 상기 리세스(133)는 상기 주요 플래터(130)가 상기 스핀들(140)을 따라 자유롭게 수직 위아래로 미끄러질 수 있고, 상기 주요 플래터(130)가 상기 축 L-L 주위로 상기 스핀들(140) 주위로 자유롭게 회전할 수 있도록 크기가 되어 있다.
도 1, 10 및 12를 참조하면, 상기 위성 플래터들(180)은 각각 위쪽으로 열리는 웨이퍼 포켓(182) 및 주위 벽(184)을 가지고 있다. 각 포켓(182)은 웨이퍼들(20)의 하나를 유지할 수 있도록 맞추어져 있다. 상기 위성 플래터들(180)의 외부 직경 T는 바람직하게는 상기 포켓들(190)의 직경보다 작은 약 0.005 내지 0.2 인치 사이이다. 스핀들 리세스(186)는 상기 플래터들(180)이 상기 포스트들(193) 위아래로 자유롭게 미끄러질 수 있도록, 상기 스핀들 포스트들(193)의 대응되는 하나를 받아들이기 위해 상기 각 위성 플래터(180)의 하부면에 형성되어 있다.
상기 부재들(110, 120, 150), 상기 주요 플래터(130) 및 상기 스핀들(140)은 바람직하게는, 조밀한 SiC(예로, 불침투성이고 0% 공극을 가지고 있는)로 완전히 주변 코팅이 되어 있는 고 순도 흑연으로 형성되어 있다. 선택적으로, 상기 주요플래터(130)는 고체 SiC 또는 고체 SiC 합금으로 형성될 수 있다. 선택적으로, 상기 주요 플래터(130)는 TaC 코팅된 흑연으로 형성될 수 있다. 상기 라이너들(126)은 바람직하게는 SiC 코팅된 흑연 또는 TaC와 같은 내화 금속 카바이드로 형성될 수 있다.
상기 위성 플래터들(180)은 탄소 함유된 흑연으로 형성될 수 있다. 선택적으로 상기 플래터들(180)은 SiC 또는 TaC로 코팅된 탄소 함유된 흑연 또는 함유하지 않은 SiC 또는 TaC 코팅된 흑연으로 형성될 수 있다. 선택적으로, 상기 플래터들(180)은 고체, 코팅되지 않은 SiC 또는 Tac 코팅된 SiC로 형성될 수 있다.
상기 서셉터 어셈블리(100)는 다음과 같은 방식으로 사용된다. 우선, 상기 플래터(130)는 상기 플래터(130)가 상기 랜딩(166) 상에 안착되도록 상기 플래터 마운팅 부분(160) 내에 위치된다. 상기 위성 플래터들은 상기 포켓들(190) 내에 위치한다. 상기 웨이퍼들(20)은 상기 위성 플래터들(180)의 상기 포켓들(182) 내에 위치한다. 도 11 및 12는 명확성을 위해 웨이퍼들(20)을 생략한 채로, 사용 중인 상기 어셈블리(100)를 나타낸다. 도 12에, 상기 좌측 위성 플래터(180)는 또한 명확성을 위해 생략되었다.
상기 기체 공급 장치(171)는 그 다음 작동된다. 상기 기체 공급 장치(171)는 도 12에 화살표로 도시된 바와 같이, 상기 구동 기체가 상기 주입 개구(172), 통로(180) 및 배출 개구(174)를 관통하게 한다. 상기 구동 기체는 상기 배출 개구(174)로부터 상기 중앙 리세스(162) 및 상기 플래터(130)에 의해 형성된 상기 플레넘(plenum)으로 들어간다. 상기 플레넘에 있는 상기 구동 기체는 상기 구동 기체 압력과 상기 주위 압력(즉, 상기 플래터(130)의 상부면(131A) 상에 작용하는)의 차가 상기 플래터 상의 중력을 극복할 수 있을 때까지 압박된다. 이와 같은 방법으로, 상기 압박된 구동 기체는 상기 플래터(130)를 위로 향하게(즉, 도 12의 방향 U) 힘을 가한다.
일단 상기 플래터(130)가 부양되면, 상기 구동 기체의 제 1 부분이 상기 플래터(130)와 상기 베이스 부재(150)의 상기 부분(160) 사이의 상기 중앙 리세스(162)로부터 바깥으로 그리고 도 4의 화살표에 의해 지시된 상기 채널(164) 내로 흐른다. 적어도 상기 구동 기체의 제 1 부분의 일부는 도 4의 화살표에 지시된 바와 같이 상기 구동 채널(168)을 관통하여 상기 중앙 리세스(162)로부터 상기 채널(164)로 흐른다. 상기 구동 기체의 약간은 상기 연결 통로(176)를 통하여 상기 채널(164)을 빠져나가고, 상기 통로(154)를 통하여 상기 베이스 부재(150)로부터 소진된다. 상기 구동 기체의 일부는 상기 경계 가장자리(134)와 상기 채널(164)의 상기 외부 수직 벽 사이의 상기 갭을 통하여 상기 채널(164)을 빠져나간다.
상기 중앙 리세스(162)를 통해 공급된 상기 구동 기체의 일부는 상기 중앙 리세스(162)로부터 상기 베이스 부재(150)와 상기 주요 플래터(130)의 하부면(131B) 사이의 상기 갭으로 흐른다. 이러한 구동 기체의 일부는 상기 채널(164)로 흘러 들어가고, 상기 통로(154) 또는 상기 주요 플래터의 경계 가장자리(134) 부근을 통하여 소진된다.
상기 위성 플래터들(180)을 부양시키고 회전시키기 위해, 상기 중앙 리세스(162)를 통하여 공급된 상기 구동 기체의 제 2 부분이 상기 베이스 부재(150)와 상기 주요 플래터(130)의 하부면(131B) 사이의 상기 중앙 리세스(162)로부터 상기 피드 통로들(194A, 194B)의 각각을 통하여 위로 그리고 상기 포켓들(190) 내로 흐른다. 각 피드 통로(194A)로부터의 상기 구동 기체는 상기 구동 채널(192A)과 상기 위성 플래터(180)의 하부면 사이의 상기 구동 채널(192A) 주위를 통하여 원형을 이루며 바깥으로(상기 각각의 스핀들 포스트들(193)의 회전축에 대해 상대적으로) 그리고, 상기 플래터(180)의 경계 주위의 상기 포켓(190)으로부터 바깥으로 흐른다.
각각의 피드 통로(194B)로부터의 상기 구동 기체의 일부는 상기 구동 채널(192B)과 상기 플래터(180) 사이의 상기 구동 채널(192B) 주변을 따라서 원형을 이루며 바깥으로 흐른다. 상기 피드 통로(194B)로부터의 상기 구동 기체의 또 일부는 상기 피드 채널(196)을 통하여 상기 연관된 구동 채널(192C)로 흐르고, 그리고 상기 구동 채널(192C)을 통하여 흐른다.
상기 피드 통로(104A, 104B)로부터의 상기 구동 기체의 또 일부는 상기 포켓들(180)과 상기 위성 플래터들(180) 사이의 바깥으로 원형을 이루며 흐르고, 상기 구동 채널들(192A, 192B, 192C) 또는 상기 피드 채널들(196)을 통하여 흐르게 하지 않으면서 상기 위성 플래터들(180)의 경계를 주변에서 소진된다.
상기 피드 통로(1964A, 194B)를 통하여 공급된 상기 구동 기체의 일부분은 상기 위성 플래터들(180)에 위로(즉, U 방향으로) 힘을 가하고, 상기 주요 플래터(130) 위로 상기 플래터들(180)을 부상시킨다.
상기 구동 기체는 상기 주요 플래터(130)를 상기 랜딩들(166) 위의 부양 위치로 유지하고 그리고 도 12에 도시된 바와 같이 상기 주요 플래터(130) 위의 부양위치로 상기 위성 플래터들(180)을 유지하기에 충분한 압력과 속도로 힘을 상기 어셈블리(100)를 통하여 계속적으로 가한다. 상기 주요 플래터(130)의 부양 높이는 상기 구동 채널들(168)의 폭과 깊이, 상기 중앙 리세스(162)의 직경, 상기 플래터(130)와 상기 부분(160) 사이의 상기 구동 기체의 압력 및 상기 구동 기체 유속의 선택을 통해 제어될 수 있다. 상기 위성 플래터들(180)의 부양 높이는 사기 구동 채널들(192A, 192B, 192C)의 폭, 상기 포켓들(190)과 상기 위성 플래터들(180)의 직경 및 구동 기체 유속의 선택을 통해 제어될 수 있다.
부가적으로, 상기 구동 채널들(168)을 통한 상기 구동 기체 흐름은 상기 플래터(130)의 하부면(131B)에 점성으로(viscously) 결합되어 있다. 상기 구동 채널들(168)의 각을 이루는 방향 때문에, 상기 플래터(130)는 거기에서 상기 유동 기체에 의해 상기 L-L축 주위로 시계 방향 R(도 11)로 회전된다. 회전 속도는 상기 구동 채널들(168)의 깊이, 폭 및 길이 뿐만 아니라, 상기 구동 채널들(168)에 의해 한정된 상기 각도 P(도 12)의 선택에 의해 제어될 수 있다. 바람직하게는, 상기 플래터(130)의 회전 속도는 약 3 내지 60 rpm(revolution per minute) 범위이다.
게다가, 상기 구동 채널들(192A, 192B, 192C)을 통한 상기 구동 기체 흐름은 상기 위성 플래터들(180)의 상기 하부면(181)에 점성으로 결합되어 있다. 상기 구동 채널들(192A, 192B, 192C)의 상기 각이 진 방향 때문에, 상기 위성 플래터들(180)은 상기 유동 기체에 의해 거기에서 상기 스핀들 포스트들(193)에 의해 한정된 회전축들(즉, 도 12에 도시된 회전축 Q-Q) 주위로 반-시계 방향 S(도 11)로 회전된다. 회전 속도는 상기 구동 채널들(192A, 192B, 192C)의 깊이, 폭 및 길이 뿐만 아니라. 상기 구동 채널들(192A, 192B, 192C)의 각도 및 형상의 선택에 의해 제어될 수 있다. 게다가, 상기 위성 플래터들(180)의 회전 속도는 상기 구동 기체의 유속의 선택에 의해 제어될 수 있다. 바람직하게는 상기 위성 플래터들(180)의 회전 속도는 5 내지 60 rpm 범위에 있다.
상기 어셈블리(100)는 많은 장점을 제공한다. 상기 행성 회전은 각각의 웨이퍼들(20) 사이와 각 웨이퍼(20)를 가로질러 보다 균일한 온도 환경을 제공한다. 행성 회전은 상기 웨이퍼들이 공정 기체들의 흐름에 보다 균일하게 노출될 수 있도록 한다.
상기 주요 플래터(130)와 상기 위성 플래터들(180)을 부양시키고 구동하기 위하여 통상적으로 공급되는 기체 흐름을 사용하는 것은 보다 복잡하지 않은 구조를 제공한다. 상기 구조의 단순함은 보다 일관되고, 제어할 수 있는 작동에 기여할 수 있다. 단일 기체 흐름을 사용함으로써, 비용과 부가적인 기체 흐름 제어, 밸브들 등과 같은 복잡함이 감소되고 제거될 수 있다. 상기 어셈블리(100)는 단순한 회전 장치(예로, 단지 주요 플래터만이 회전하는)에 비해 매우 적은 부가 기체가 공급되거나 또는 부가적인 기체의 공급이 필요 없도록 디자인되어 있을 수 있다.
직선 구동 채널들(168)의 설비는 장점을 제공한다. 상기 구동 기체 유속의 실질적인 범위에 걸쳐서, 상기 플래터(130)의 회전 속도는 상기 구동 기체 유속에 상관없이 거의 일정한 속도로 유지될 수 있다. 이것은 공정 단계에서 높은 일관성(즉, 재현성)에 기여한다. 부가적으로, 이러한 것은 상기 구동 기체 유속을 변경함으로써 상기 플래터 부양 높이(도 12의 H)를 조절할 수 있게 한다.
게다가, 상기 직선 구동 채널들(168)의 설비는 상기 부양 높이 및 상기 위성 플래터들(180)의 회전속도에 대해 향상된 제어가 가능하게 한다. 상기 주요 플래터(130)의 회전 속도가 상기 구동 기체 유속(적당한 범위에서)에 무관하기 때문에, 상기 구동 기체 유속은 상기 주요 플래터(130)의 회전 속도를 심각하게 변경함이 없이, 상기 위성 플래터들(180)의 회전 속도 또는 부양 높이를 증가시키거나 감소시키기 위해 증가되거나 감소될 수 있다. 통상적인 사용 중에 발생하는 마모(wear) 또는 침전(deposit) 때문에, 상기 구동 기체 흐름은 상기 주요 플래터(130) 및 위성 플래터(180)를 부양시키기 위해 그것들의 회전 속도를 심각하게 변경하지 않으면서도 증가될 수 있다.
직선 위성 구동 채널들(192A, 192B, 192C)의 설비는 또한 상기 위성 플래터들(180)에 대한 제어를 향상시킬 수 있다. 상기 구동 채널들(192A, 192B, 192C)은 상기 구동 기체 유속의 바람직한 범위를 통해, 상기 위성 플래터(180)의 회전 속도가 실질적으로 상기 구동 기체의 유속에 독립하여 유지될 수 있도록 배치될 수 있다. 이것이 매우 큰 일관성 및 상기 구동 기체 유속을 변경함으로써 상기 부양 높이(도 12의 X)의 조절이 가능하게 한다.
상기 주요 플래터(130)와 상기 위성 플래터(180) 사이의 반대 회전 설비는 또한 장점을 제공한다. 반대 회전시킴으로써, 상기 서셉터 어셈블리(100)의 나머지 부분에 대해 그리고 공정 기체의 흐름에 대해서 상대적으로 웨이퍼상의 다른 위치들의 운동 속도 사이의 차이가 감소된다. 게다가, 반대 회전은 상기 위성 플래터들(180)이 계속 회전하도록 각운동량을 보존시킨다. 이러한 효과는 상기 주요 플래터(130)가 멈추거나 또는 감속될 때, 상기 위성 플래터들(180)의 회전이 상기 주요 플래터(130)의 회전을 재 시작하게 하거나 또는 가속시키는 데 있어서 도움이 되고, 그 반대의 경우도 가능하다. 부가적으로, 상기 위성 플래터들(180)에 단독으로 작용하는 유도된 각 운동량은, 일단 상기 위성 플래터들(180)이 본 발명의 어떤 실시예들에 따라 상기 위성 구동 채널들이 생략될 수 있도록 부양되었다면, 상기 위성 플래터들(180)을 상기 주요 플래터(130)에 대해 반대로 회전시키기에 충분할 수 있다.
상기 서셉터 어셈블리(100)는 본 발명에 따라 다양하게 수정될 수 있다. 예를 들어, 상기 어셈블리(100)는 상기 주요 플래터(130)와 위성 플래터들(180)이 같은 방향으로 회전하도록 수정될 수 있다. 다른 숫자의 또는 배치의 위성 플래터들(180)이 구비될 수 있다. 상기 중앙 리세스(162) 및 상기 포켓들(190)은 각각의 구동 기체 피드 통로들(174, 194A, 194B)이 상기 주요 플래터 또는 위성 플래터의 회전축에 대해 대칭으로 위치된 하나 또는 그 이상의 피드 통로들로 바람직하게 교체되어 있는 경우에 있어서는 생략될 수 있다. 상기 위성 플래터들(180)은 하나 이상의 웨이퍼들을 가질 수 있도록 변경될 수 있다. 전술한 바와 같이, 상기 위성 구동 채널들(예로, 채널들(192A, 192B, 192C))은 다른 모양(예로, 직선이 아닌)을 가질 수 있다. 분리된(예로, 상호 배타적인) 기체 흐름들이 상기 주요 플래터와 위성 플래터를 구동하기 위해 사용되도록, 복수의 기체 흐름들이 사용될 수 있다.
아르곤(Ar) 또는 유사 기체들(예로, 다른 노블 기체들)을 구동 기체로 사용하는 것이 바람직하다. 그 이유는 그러한 기체들은 예를 들어, 흑연으로부터 붕소(B), 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 크롬(Cr) 및 바나듐(V)과 같은 불순물들을 들어 올리고, 예를 들어 상기 웨이퍼 표면으로 이러한 불순물들을 재 증착시키는 것을 수소보다는 덜 하기 때문이다. 그러나, Ar 기체의 열 전도도는 실질적으로 H2 기체보다 작다. 결과적으로, 반응 가스 내에 존재하는 상기 관(도 3의 12)을 통한 Ar 기체 흐름은 반응물들로 열 전달을 느리게 하여, 반응 기체 흐름의 온도 프로파일에 비정규성을 초래할 수 있다. 상기 어셈블리(100)는 Ar 기체가 반응 스트림 온도 프로파일을 위험하게 하지 않으면서 상기 구동 기체로 사용될 수 있도록, 상기 반응 스트림 내로 상기 구동 기체의 최소의 유입을 갖는 상기 구동 기체의 배출을 제공할 수 있다.
전술한 바와 같이, 상기 구동 기체는 바람직하게는 내부 리세스(예로, 상기 내부 리세스(162))로부터 외부 채널(예로, 상기 외부 채널(164))로 흐른다. 그러나, 흐름의 방향은 반대로(즉, 상기 구동 기체가 상기 통로(154)를 통해 공급되고, 상기 통로(174)에서 소진되도록) 될 수도 있다.
본 발명에 따른 서셉터 어셈블리는 2001년 1월 8일에 출원되고, "Gas-Driven Rotation Apparatus and Method for Forming Silicon Carbide Layers"라는 제목을 갖고, 여기에 참조로서 포함된 미국특허출원번호 제 09/756,548 호에 기술된 특징과 양상을 포함할 수 있다.
도 13을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 서셉터 어셈블리(200)가 도시되어 있다. 상기 어셈블리(200)는 상기 어셈블리(100)에 비해, 단지 각 위성 플래터(280)가 복수의 웨이퍼 포켓들(282)을 포함하고 있다는 점에서 다르다. 이에따라, 복수의 웨이퍼들(20)이 통상의 위성 플래터(280) 상에서 주요 플래터(230)의 회전축과 각 위성 플래터(280)의 회전축 주위에서 회전될 수 있다.
전술한 것은 본 발명의 설명을 위한 것으로서, 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 발명의 여러 예시적인 실시예들이 설명되었지만, 해당 분야에서 숙련된 자들은 본 발명의 새로운 특징과 장점으로부터 본질적으로 벗어나지 않고 예시적인 실시예에서 변경이 가능하다. 이에 따라, 모든 그러한 변경은 청구범위에서 한정된 본 발명의 범위 내에 포함되어야 한다. 따라서, 전술한 것은 본 발명의 상세한 설명을 위한 것으로서, 거기에 개시된 구체적인 실시예들에 한정되지 않아야 하며, 다른 실시예들뿐만 아니라 개시된 실시예들에 대한 변경도 또한 하기의 청구항의 범위 내에 포함됨은 자명하게 이해될 수 있다. 본 발명은 아래의 청구항 및 첨부된 청구항의 등가물에 의해 한정된다.
본 발명은 우수한 형상 및 도핑을 갖는 에피택셜 SiC층을 제공할 수 있는 온벽 CVD 장치들에 이용될 수 있다. 보다 구체적으로는 CVD 장치들의 웨이퍼들의 서셉터로 사용될 수 있다.

Claims (39)

  1. a) 상부면을 구비하는 베이스 부재;
    b) 상기 베이스 부재의 상부면 상에 위치하는 주요 플래터; 및
    c) 상기 주요 플래터 상에 위치하는 위성 플래터를 포함하는 기체 구동 회전 장치로서,
    d) 상기 장치는, 구동 기체의 흐름에 의해 상기 주요 플래터가 상기 베이스 부재에 대해 상대적으로 회전하도록, 상기 베이스 부재의 상부면과 상기 주요 플래터의 사이로 상기 구동 기체의 흐름을 인도하고; 그리고
    상기 위성 플래터가 상기 구동 기체의 흐름의 적어도 일부분에 의해 상기 주요 플래터에 대해 상대적으로 회전되도록, 상기 베이스 부재의 상부면과 상기 주요 플래터의 사이로부터 상기 주요 플래터와 상기 위성 플래터의 사이로 상기 구동 기체의 흐름의 적어도 일부를 인도하도록 맞추어진 것을 특징으로 하는 구동 기체의 흐름을 이용하는 기체 구동 회전 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 베이스 부재의 상부면에 형성된 마운팅 부분을 포함하고, 상기 마운팅 부분은 적어도 하나의 원형으로 확장하는 구동 채널을 포함하고, 거기에서:
    적어도 하나의 구동 채널은 실질적으로 직선이고; 그리고
    상기 장치는, 상기 베이스 부재에 대해 상대적으로 상기 주요 플래터를 회전축에 대해 회전시키기 위해, 상기 구동 채널을 통하여 상기 구동 기체의 흐름을 인도하도록 맞추어진 것을 특징으로 하는 구동 기체의 흐름을 이용하는 기체 구동 회전 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    적어도 하나의 구동 채널은 상기 마운팅 부분에 형성된 복수의 원형으로 확장하는 구동 채널을 포함하고, 상기 구동 채널들 각각은 실질적으로 직선인 것을 특징으로 하는 구동 기체의 흐름을 이용하는 기체 구동 회전 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 구동 채널들의 각각은 상기 회전축으로부터 떨어져 있는 구동 채널축을 한정하는 것을 특징으로 하는 구동 기체의 흐름을 이용하는 기체 구동 회전 장치.
  5. 제 2 항에 있어서,
    상기 마운팅 부분은 간격을 두고 위치한 제 1 및 제 2 리세스들을 포함하고, 적어도 하나의 상기 구동 채널은 상기 제 1 리세스로부터 상기 제 2 리세스로 확장하는 것을 특징으로 하는 구동 기체의 흐름을 이용하는 기체 구동 회전 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 베이스 부재를 통하여 확장하고 상기 제 1 리세스에 유입 개구를 구비하는 구동 기체 유입 통로; 및
    상기 베이스 부재를 통하여 확장하고, 상기 제 2 리세스에 배출 개구를 구비하는 구동 기체 배출 통로를 포함하는 것을 특징으로 하는 구동 기체의 흐름을 이용하는 기체 구동 회전 장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 구동 기체의 흐름을 제공하기 위해 작동하는 구동 기체 공급 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 구동 기체의 흐름을 이용하는 기체 구동 회전 장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 주요 플래터, 상기 위성 플래터 및 상기 베이스 부재 상에 위치하는 커버 부분, 및 상기 커버 부분 및 상기 주요 플래터와 상기 위성 플래터의 반대쪽 상의 베이스 부재 사이를 확장하는 한 쌍의 측면 부분을 포함하고, 상기 커버 부분, 상기 베이스 부재 및 상기 측면 부분들은 관통로와 반대쪽 끝 개구들을 한정하고, 상기 주요 플래터와 상기 위성 플래터는 상기 관통로에 위치되어 있는 것을 특징으로 하는 구동 기체의 흐름을 이용하는 기체 구동 회전 장치.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 회전축은 수직 방향인 것을 특징으로 하는 구동 기체의 흐름을 이용하는 기체 구동 회전 장치.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 장치는 상기 주요 플래터와 상기 위성 플래터를 반대 방향으로 회전시키도록 작동하는 것을 특징으로 하는 구동 기체의 흐름을 이용하는 기체 구동 회전 장치.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 주요 플래터를 통하여 확장하고, 상기 베이스 부재의 상부면과 상기 주요 플래터의 사이로부터 상기 주요 플래터와 상기 위성 플래터의 사이로의 길(path)을 제공하는 피드 통로를 포함하는 것을 특징으로 하는 구동 기체의 흐름을 이용하는 기체 구동 회전 장치.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 주요 플래터의 상부면에 위치하고, 상기 위성 플래터 아래에 위치하는 적어도 하나의 위성 구동 채널을 포함하고, 상기 장치는 상기 주요 플래터에 대해 상대적으로 상기 위성 플래터를 회전시키기 위해 상기 피드 통로와 상기 위성 구동 채널을 통하여 구동 기체의 흐름을 인도하도록 맞추어진 것을 특징으로 하는 구동 기체의 흐름을 이용하는 기체 구동 회전 장치.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 베이스 부재의 상부면에 있고 상기 피드 통로 아래에 있는 피드 리세스를 포함하고, 상기 장치는 상기 피드 통로를 통하여 그리고 상기 위성 구동 채널을 통하여 상기 피드 리세스 내로 상기 구동 기체의 흐름을 인도하도록 맞추어진 것을 특징으로 하는 구동 기체의 흐름을 이용하는 기체 구동 회전 장치.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 위성 구동 채널은 상기 피드 리세스 상에 있지 않고; 그리고
    상기 장치는 상기 주요 플래터의 상부면에 형성되고, 상기 피드 통로와 상기 위성 구동 채널을 유동적으로 연결하는 피드 채널을 포함하는 것을 특징으로 하는 구동 기체의 흐름을 이용하는 기체 구동 회전 장치.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 피드 채널에 유동적으로 연결되는 제 2 위성 구동 채널을 포함하는 것을 특징으로 하는 구동 기체의 흐름을 이용하는 기체 구동 회전 장치.
  16. 제 12 항에 있어서,
    적어도 하나의 상기 위성 구동 채널은 상기 주요 플래터의 상부면에 형성된 복수의 위성 구동 채널들을 포함하는 것을 특징으로 하는 구동 기체의 흐름을 이용하는 기체 구동 회전 장치.
  17. 제 12 항에 있어서,
    상기 위성 구동 채널은 원형으로 확장하는 것을 특징으로 하는 구동 기체의 흐름을 이용하는 기체 구동 회전 장치.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 위성 구동 채널은 실질적으로 직선인 것을 특징으로 하는 구동 기체의 흐름을 이용하는 기체 구동 회전 장치.
  19. 제 1 항에 있어서,
    상기 주요 플래터 상에 위치하는 제 2 위성 플래터를 포함하고, 상기 장치는 상기 제 2 위성 플래터가 상기 구동 기체의 부가적인 흐름에 의해 상기 주요 플래터에 대해 상대적으로 회전되도록, 상기 베이스 부재와 상기 주요 플래터 사이로부터 상기 주요 플래터와 상기 제 2 위성 플래터 사이로 상기 구동 기체의 부가적인 흐름을 인도하도록 맞추어진 것을 특징으로 하는 구동 기체의 흐름을 이용하는 기체 구동 회전 장치.
  20. 제 1 항에 있어서,
    상기 위성 플래터는 상기 위성 플래터에 형성된 복수의 웨이퍼 포켓들을 포함하는 것을 특징으로 하는 구동 기체의 흐름을 이용하는 기체 구동 회전 장치.
  21. 제 1 항에 있어서,
    상기 위성 플래터는 탄소가 함유된 흑연으로 형성된 것을 특징으로 하는 구동 기체의 흐름을 이용하는 기체 구동 회전 장치.
  22. 제 1 항에 있어서,
    상기 위성 플래터는 SiC 또는 TaC 코팅된 흑연으로 형성된 것을 특징으로 하는 구동 기체의 흐름을 이용하는 기체 구동 회전 장치.
  23. 제 1 항에 있어서,
    상기 위성 플래터는 SiC로 형성된 것을 특징으로 하는 구동 기체의 흐름을 이용하는 기체 구동 회전 장치.
  24. 제 23 항에 있어서,
    상기 위성 플래터는 TaC로 코팅된 것을 특징으로 하는 구동 기체의 흐름을 이용하는 기체 구동 회전 장치.
  25. a) 상부면을 구비하는 베이스 부재;
    b) 상부면을 구비하고, 상기 베이스 부재의 상부면 상에 위치하는 주요 플래터;
    c) 상기 주요 플래터의 상부면에 형성되고, 적어도 하나는 원형으로 확장하며, 실질적으로 직선인 위성 구동 채널; 및
    d) 상기 주요 플래터와 적어도 하나의 상기 위성 구동 채널 상에 위치하는 위성 플래터를 포함하는 기체 구동 회전 장치로서,
    e) 상기 장치는, 상기 주요 플래터에 대해 상대적으로 상기 위성 플래터를 회전축으로 회전시키기 위해, 상기 위성 구동 채널을 통하여 상기 구동 기체의 적어도 일부분을 인도하도록 맞추어진 것을 특징으로 하는 구동 기체의 흐름을 이용하는 기체 구동 회전 장치.
  26. 제 25 항에 있어서,
    상기 장치는 상기 베이스 부재에 대해 상대적으로 상기 주요 플래터를 회전시키도록 작동하는 것을 특징으로 하는 구동 기체의 흐름을 이용하는 기체 구동 회전 장치.
  27. 제 26 항에 있어서,
    상기 장치는, 상기 주요 플래터가 상기 구동 기체의 흐름에 의해 상기 베이스 부재에 대해 상대적으로 회전되도록 하기 위해, 상기 베이스 부재의 상부면과 상기 주요 플래터의 사이로 상기 구동 기체의 흐름을 인도하도록 맞추어진 것을 특징으로 하는 구동 기체의 흐름을 이용하는 기체 구동 회전 장치.
  28. a) 상부면을 구비하는 베이스 부재;
    b) 상기 베이스 부재의 상부면 상에 위치하는 주요 플래터; 및
    c) 상기 주요 플래터 상에 위치하는 위성 플래터를 포함하는 기체 구동 회전 장치로서,
    d) 상기 장치는, 상기 베이스 부재에 대해 상대적인 제 1 회전 방향으로 상기 주요 플래터를 회전시키고;
    상기 주요 플래터에 대해 상대적이고 상기 제 1 회전 방향과 반대인 제 2 회전 방향으로 상기 위성 플래터를 회전시키고; 그리고
    e) 상기 주요 플래터의 회전과 상기 위성 플래터의 회전의 적어도 하나가 구동 기체의 흐름에 의해 구동되도록 맞추어진 것을 특징으로 하는 구동 기체의 흐름을 이용하는 기체 구동 회전 장치.
  29. 제 28 항에 있어서,
    상기 위성 플래터의 회전은 상기 구동 기체의 흐름의 적어도 일부분에 의해 구동되는 것을 특징으로 하는 구동 기체의 흐름을 이용하는 기체 구동 회전 장치.
  30. 제 28 항에 있어서,
    상기 주요 플래터의 회전은 상기 구동 기체의 흐름에 의해 구동되는 것을 특징으로 하는 구동 기체의 흐름을 이용하는 기체 구동 회전 장치.
  31. 제 28 항에 있어서,
    상기 주요 플래터의 회전과 상기 위성 플래터의 회전은 모두 상기 구동 기체의 흐름의 적어도 일부분에 의해 구동되는 것을 특징으로 하는 구동 기체의 흐름을 이용하는 기체 구동 회전 장치.
  32. a) 다음을 포함하는 기체 구동 회전 장치를 제공하는 단계;
    1) 상부면을 구비하는 베이스 부재;
    2) 상기 베이스 부재의 상부면 상에 위치하는 주요 플래터; 및
    3) 상기 주요 플래터 상에 위치하는 위성 플래터;
    b) 상기 위성 플래터 상에 물품을 위치시키는 단계;
    c) 구동 기체의 흐름에 의해 상기 주요 플래터가 상기 베이스 부재에 대해 상대적으로 회전하도록, 상기 베이스 부재의 상부면과 상기 주요 플래터의 사이로 상기 구동 기체의 흐름을 인도하는 단계; 및
    d) 상기 위성 플래터가 상기 구동 기체의 흐름의 적어도 일부분에 의해 상기 주요 플래터에 대해 상대적으로 회전되도록, 상기 베이스 부재의 상부면과 상기 주요 플래터의 사이로부터 상기 주요 플래터와 상기 위성 플래터의 사이로 상기 구동 기체의 흐름의 적어도 일부를 인도하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기체 구동에 의한 물품 회전 방법.
  33. 제 32 항에 있어서,
    상기 위성 플래터 상의 기판을 가로질러 반응 기체의 흐름을 인도하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기체 구동에 의한 물품 회전 방법.
  34. 제 32 항에 있어서,
    상기 구동 기체의 흐름을 이용하여 상기 주요 플래터 상의 상기 위성 플래터를 부양시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기체 구동에 의한 물품 회전 방법.
  35. 제 32 항에 있어서,
    상기 베이스 부재의 상부면과 상기 주요 플래터의 사이로부터 상기 주요 플래터와 제 2 위성 플래터의 사이로 상기 구동 기체의 흐름의 다른 일부를 인도하는 단계를 포함하여, 상기 구동 기체의 흐름의 다른 일부에 의해 상기 제 2 플래터가 상기 주요 플래터에 대해 상대적으로 회전되도록 하는 것을 특징으로 하는 기체 구동에 의한 물품 회전 방법.
  36. 제 35 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 위성들은 동시에 회전되는 것을 특징으로 하는 기체 구동에 의한 물품 회전 방법.
  37. 제 32 항에 있어서,
    상기 주요 플래터와 상기 위성 플래터가 서로 다른 회전 방향으로 회전되는것을 특징으로 하는 기체 구동에 의한 물품 회전 방법.
  38. a) 다음을 포함하는 기체 구동 회전 장치를 제공하는 단계;
    1) 상부면을 구비하는 베이스 부재;
    2) 상기 베이스 부재의 상부면 상에 위치하는 주요 플래터; 및
    3) 상기 주요 플래터 상에 위치하는 위성 플래터;
    b) 상기 위성 플래터 상에 물품을 위치시키는 단계;
    c) 상기 주요 플래터를 상기 베이스 부재에 대해 상대적으로 제 1 회전 방향으로 회전시키는 단계; 및
    d) 상기 위성 플래터를 상기 주요 플래터에 대해 상대적으로 상기 제 1 회전 방향과 반대의 제 2 회전 방향으로 회전시키는 단계를 포함하는 물품 회전 방법으로서,
    e) 상기 주요 플래터의 회전과 상기 위성 플래터의 회전의 적어도 하나가 구동 기체의 흐름에 의해 구동되는 것을 특징으로 하는 물품 회전 방법.
  39. 제 37 항에 있어서,
    상기 위성 플래터 상에 물품을 위치시키는 단계는 상기 위성 플래터 상에 복수의 물품들을 위치시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기체 구동에 의한 물품 회전 방법.
KR10-2004-7015904A 2002-04-08 2003-02-04 기체 구동에 의한 행성형 회전 장치 및 실리콘카바이드층들의 형성 방법 KR20040101400A (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/117,858 2002-04-08
US10/117,858 US6797069B2 (en) 2002-04-08 2002-04-08 Gas driven planetary rotation apparatus and methods for forming silicon carbide layers
PCT/US2003/003196 WO2003088325A1 (en) 2002-04-08 2003-02-04 Gas driven planetary rotation apparatus and methods for forming silicon carbide layers

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20040101400A true KR20040101400A (ko) 2004-12-02

Family

ID=28674298

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-2004-7015904A KR20040101400A (ko) 2002-04-08 2003-02-04 기체 구동에 의한 행성형 회전 장치 및 실리콘카바이드층들의 형성 방법

Country Status (12)

Country Link
US (1) US6797069B2 (ko)
EP (3) EP1493175B1 (ko)
JP (1) JP4546095B2 (ko)
KR (1) KR20040101400A (ko)
CN (1) CN100339942C (ko)
AT (1) ATE324669T1 (ko)
AU (1) AU2003212902A1 (ko)
CA (1) CA2478624A1 (ko)
DE (1) DE60304850T2 (ko)
ES (1) ES2259760T3 (ko)
TW (1) TWI275133B (ko)
WO (1) WO2003088325A1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100854974B1 (ko) * 2007-04-25 2008-08-28 (주)리드 기판 캐리어 및 그것을 사용하는 발광다이오드 제조를 위한장치
KR101292626B1 (ko) * 2006-09-15 2013-08-01 주성엔지니어링(주) 기판 안치 수단 및 이를 구비하는 기판 처리 장치

Families Citing this family (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002097867A1 (de) * 2001-05-29 2002-12-05 Aixtron Ag Aus einem tragkörper und darauf gasgelagerten und drehangetriebenen substrathalter bestehende anordnung
DE10132448A1 (de) * 2001-07-04 2003-01-23 Aixtron Ag CVD-Vorrichtung mit differenziert temperiertem Substrathalter
US20100037827A1 (en) * 2001-07-04 2010-02-18 Johannes Kaeppeler CVD Device with Substrate Holder with Differential Temperature Control
ATE476536T1 (de) * 2002-12-10 2010-08-15 E T C Epitaxial Technology Ct Suszeptorsystem
AU2002368439A1 (en) * 2002-12-10 2004-06-30 Etc Srl Susceptor system
US7112860B2 (en) * 2003-03-03 2006-09-26 Cree, Inc. Integrated nitride-based acoustic wave devices and methods of fabricating integrated nitride-based acoustic wave devices
US7898047B2 (en) * 2003-03-03 2011-03-01 Samsung Electronics Co., Ltd. Integrated nitride and silicon carbide-based devices and methods of fabricating integrated nitride-based devices
US7109521B2 (en) * 2004-03-18 2006-09-19 Cree, Inc. Silicon carbide semiconductor structures including multiple epitaxial layers having sidewalls
US7173285B2 (en) 2004-03-18 2007-02-06 Cree, Inc. Lithographic methods to reduce stacking fault nucleation sites
ATE501286T1 (de) * 2004-06-09 2011-03-15 E T C Epitaxial Technology Ct Srl Halterungssystem für behandlungsapparaturen
EP1790757B1 (en) * 2004-07-22 2013-08-14 Toyo Tanso Co., Ltd. Susceptor
US20080210169A1 (en) * 2005-07-21 2008-09-04 Lpe S.P.A. System for Supporting and Rotating a Susceptor Inside a Treatment Chamber of a Wafer Treating Apparatus
US8052794B2 (en) * 2005-09-12 2011-11-08 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Directed reagents to improve material uniformity
US8628622B2 (en) * 2005-09-12 2014-01-14 Cree, Inc. Gas driven rotation apparatus and method for forming crystalline layers
DE102005055252A1 (de) * 2005-11-19 2007-05-24 Aixtron Ag CVD-Reaktor mit gleitgelagerten Suszeptorhalter
US8823057B2 (en) 2006-11-06 2014-09-02 Cree, Inc. Semiconductor devices including implanted regions for providing low-resistance contact to buried layers and related devices
KR100885180B1 (ko) * 2006-12-27 2009-02-23 세메스 주식회사 기판 지지유닛, 그리고 상기 기판 지지유닛을 구비하는기판처리장치 및 방법
DE102007023970A1 (de) * 2007-05-23 2008-12-04 Aixtron Ag Vorrichtung zum Beschichten einer Vielzahl in dichtester Packung auf einem Suszeptor angeordneter Substrate
JP5267262B2 (ja) * 2009-03-25 2013-08-21 豊田合成株式会社 化合物半導体の製造方法、化合物半導体発光素子の製造方法、化合物半導体製造装置
CN102639761B (zh) * 2009-10-09 2015-07-22 克里公司 多旋转外延生长设备和包含该设备的反应器
DE102009044276A1 (de) * 2009-10-16 2011-05-05 Aixtron Ag CVD-Reaktor mit auf einem mehrere Zonen aufweisenden Gaspolster liegenden Substrathalter
JP2011225949A (ja) * 2010-04-21 2011-11-10 Ibiden Co Ltd 炭素部品および炭素部品の製造方法
JP4980461B1 (ja) * 2010-12-24 2012-07-18 三井造船株式会社 誘導加熱装置
WO2012139006A2 (en) * 2011-04-07 2012-10-11 Veeco Instruments Inc. Metal-organic vapor phase epitaxy system and process
KR101395243B1 (ko) * 2011-04-29 2014-05-15 세메스 주식회사 기판처리장치 및 방법
KR101882330B1 (ko) * 2011-06-21 2018-07-27 엘지이노텍 주식회사 증착 장치
DE102012101923B4 (de) * 2012-03-07 2019-11-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Substratträgeranordnung, Beschichtungsanlage mit Substratträgeranordnung und Verfahren zur Durchführung eines Beschichtungsverfahrens
CN103469300A (zh) * 2013-09-24 2013-12-25 瀚天天成电子科技（厦门）有限公司 一种碳化硅外延炉加热基座
JP6058515B2 (ja) * 2013-10-04 2017-01-11 漢民科技股▲分▼有限公司 気相成膜装置
KR101698811B1 (ko) * 2014-10-31 2017-02-01 (주)에스아이 웨이퍼회전장치
US9506147B2 (en) * 2015-02-13 2016-11-29 Eastman Kodak Company Atomic-layer deposition apparatus using compound gas jet
US9499908B2 (en) 2015-02-13 2016-11-22 Eastman Kodak Company Atomic layer deposition apparatus
CN104911701A (zh) * 2015-06-02 2015-09-16 扬州中科半导体照明有限公司 提高mocvd外延片波长均匀性的一种石墨盘组件
CN104911700A (zh) * 2015-06-02 2015-09-16 扬州中科半导体照明有限公司 一种提高mocvd外延片波长良率的卫星盘
JP2017055086A (ja) * 2015-09-11 2017-03-16 昭和電工株式会社 ＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法及びＳｉＣエピタキシャルウェハの製造装置
US10269557B2 (en) 2015-10-20 2019-04-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Apparatus of processing semiconductor substrate
CN105714380A (zh) * 2016-04-26 2016-06-29 北京世纪金光半导体有限公司 一种碳化硅外延生长装置及方法
CN106435719A (zh) * 2016-12-21 2017-02-22 东莞市天域半导体科技有限公司 一种卫星盘自转的SiC外延生长主盘结构
CN108624955B (zh) * 2017-03-16 2019-11-29 北京北方华创微电子装备有限公司 反应腔室及外延生长设备
KR101885026B1 (ko) * 2017-03-22 2018-08-02 오충석 웨이퍼 회전장치
DE102018131751A1 (de) * 2018-12-11 2020-06-18 Aixtron Se Suszeptor eines CVD-Reaktors
IT201900022047A1 (it) * 2019-11-25 2021-05-25 Lpe Spa Dispositivo di supporto substrati per una camera di reazione di un reattore epitassiale con rotazione a flusso di gas, camera di reazione e reattore epitassiale
CN112951739A (zh) * 2019-12-10 2021-06-11 圆益Ips股份有限公司 基板支撑架及基板处理装置
WO2021119900A1 (zh) * 2019-12-16 2021-06-24 东莞市中镓半导体科技有限公司 用于GaN材料生长的气动托盘
CN111607784B (zh) * 2020-06-19 2022-03-15 东莞市中镓半导体科技有限公司 引流旋转式基片承载装置及气相外延设备
DE102020122198A1 (de) 2020-08-25 2022-03-03 Aixtron Se Substrathalter für einen CVD-Reaktor
CN113913789B (zh) * 2021-10-12 2023-07-04 季华实验室 一种托盘基座、气流驱动装置及外延设备的反应室机构

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3424628A (en) * 1966-01-24 1969-01-28 Western Electric Co Methods and apparatus for treating semi-conductive materials with gases
FR2581711B1 (fr) * 1985-05-13 1987-11-20 Labo Electronique Physique Dispositif pour la regulation, l'interruption ou la commutation de fluides
FR2591616A1 (fr) * 1985-12-17 1987-06-19 Labo Electronique Physique Chambre de reacteur pour croissance epitaxiale en phase vapeur des materiaux semiconducteurs.
FR2596070A1 (fr) * 1986-03-21 1987-09-25 Labo Electronique Physique Dispositif comprenant un suscepteur plan tournant parallelement a un plan de reference autour d'un axe perpendiculaire a ce plan
FR2599558B1 (fr) * 1986-05-27 1988-09-02 Labo Electronique Physique Procede de realisation d'un dispositif semi-conducteur, incluant le depot en phase vapeur de couches sur un substrat
FR2628985B1 (fr) * 1988-03-22 1990-12-28 Labo Electronique Physique Reacteur d'epitaxie a paroi protegee contre les depots
FR2628984B1 (fr) * 1988-03-22 1990-12-28 Labo Electronique Physique Reacteur d'epitaxie a planetaire
FR2638020B1 (fr) * 1988-10-14 1990-12-28 Labo Electronique Physique Reacteur d'epitaxie a collecteur de gaz ameliore
FR2648890B1 (fr) * 1989-06-27 1991-09-13 Labo Electronique Physique Dispositif de protection contre une surpression
US5226383A (en) * 1992-03-12 1993-07-13 Bell Communications Research, Inc. Gas foil rotating substrate holder
US5558721A (en) * 1993-11-15 1996-09-24 The Furukawa Electric Co., Ltd. Vapor phase growth system and a gas-drive motor
US5468299A (en) * 1995-01-09 1995-11-21 Tsai; Charles S. Device comprising a flat susceptor rotating parallel to a reference surface about a shaft perpendicular to this surface
SE9500326D0 (sv) * 1995-01-31 1995-01-31 Abb Research Ltd Method for protecting the susceptor during epitaxial growth by CVD and a device for epitaxial growth by CVD
SE9502288D0 (sv) * 1995-06-26 1995-06-26 Abb Research Ltd A device and a method for epitaxially growing objects by CVD
US6030661A (en) * 1995-08-04 2000-02-29 Abb Research Ltd. Device and a method for epitaxially growing objects by CVD
SE9503426D0 (sv) * 1995-10-04 1995-10-04 Abb Research Ltd A device for heat treatment of objects and a method for producing a susceptor
SE9503428D0 (sv) * 1995-10-04 1995-10-04 Abb Research Ltd A method for epitaxially growing objects and a device for such a growth
SE9600704D0 (sv) * 1996-02-26 1996-02-26 Abb Research Ltd A susceptor for a device for epitaxially growing objects and such a device
SE9600705D0 (sv) * 1996-02-26 1996-02-26 Abb Research Ltd A susceptor for a device for epitaxially growing objects and such a device
US5747113A (en) * 1996-07-29 1998-05-05 Tsai; Charles Su-Chang Method of chemical vapor deposition for producing layer variation by planetary susceptor rotation
US6039812A (en) * 1996-10-21 2000-03-21 Abb Research Ltd. Device for epitaxially growing objects and method for such a growth
US5759263A (en) * 1996-12-05 1998-06-02 Abb Research Ltd. Device and a method for epitaxially growing objects by cvd
US5788777A (en) * 1997-03-06 1998-08-04 Burk, Jr.; Albert A. Susceptor for an epitaxial growth factor
US6005226A (en) * 1997-11-24 1999-12-21 Steag-Rtp Systems Rapid thermal processing (RTP) system with gas driven rotating substrate
SE9801190D0 (sv) * 1998-04-06 1998-04-06 Abb Research Ltd A method and a device for epitaxial growth of objects by Chemical Vapour Deposition
US6449428B2 (en) * 1998-12-11 2002-09-10 Mattson Technology Corp. Gas driven rotating susceptor for rapid thermal processing (RTP) system
US6569250B2 (en) * 2001-01-08 2003-05-27 Cree, Inc. Gas-driven rotation apparatus and method for forming silicon carbide layers

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101292626B1 (ko) * 2006-09-15 2013-08-01 주성엔지니어링(주) 기판 안치 수단 및 이를 구비하는 기판 처리 장치
KR100854974B1 (ko) * 2007-04-25 2008-08-28 (주)리드 기판 캐리어 및 그것을 사용하는 발광다이오드 제조를 위한장치

Also Published As

Publication number Publication date
EP1493175A1 (en) 2005-01-05
TW200305203A (en) 2003-10-16
US20030188687A1 (en) 2003-10-09
ES2259760T3 (es) 2006-10-16
JP2005522876A (ja) 2005-07-28
TWI275133B (en) 2007-03-01
EP1562224A1 (en) 2005-08-10
CN1647244A (zh) 2005-07-27
DE60304850D1 (de) 2006-06-01
ATE324669T1 (de) 2006-05-15
WO2003088325A1 (en) 2003-10-23
AU2003212902A1 (en) 2003-10-27
JP4546095B2 (ja) 2010-09-15
CA2478624A1 (en) 2003-10-23
US6797069B2 (en) 2004-09-28
EP1493175B1 (en) 2006-04-26
EP1592044A1 (en) 2005-11-02
CN100339942C (zh) 2007-09-26
DE60304850T2 (de) 2006-12-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20040101400A (ko) 기체 구동에 의한 행성형 회전 장치 및 실리콘카바이드층들의 형성 방법
CN206127420U (zh) 用于化学气相沉积反应器的自定心晶片载体系统和单晶片基板载体
US6569250B2 (en) Gas-driven rotation apparatus and method for forming silicon carbide layers
US6692576B2 (en) Wafer support system
US6685774B2 (en) Susceptorless reactor for growing epitaxial layers on wafers by chemical vapor deposition
WO1997009737A1 (en) Wafer support system
TWI796811B (zh) 氣相成長裝置
CN110875167B (zh) 冷却腔室及半导体加工设备
JPS6090894A (ja) 気相成長装置
WO2023093455A1 (zh) 一种进气分配机构及具有其的 cvd 反应设备
JP2023533400A (ja) エピタキシャル成長装置
TW202039904A (zh) Cvd反應器之基板座配置
JP7417722B2 (ja) エピタキシャル成長装置の加熱体
JP7419704B2 (ja) 化学的気相成長装置
JPH06326038A (ja) 気相成長装置
JPS61202424A (ja) 化学気相蒸着装置
CN118086861A (zh) 便于衬底固定的mocvd设备
JPH02146725A (ja) 有機金属気相成長装置
JP2021005589A (ja) 成膜装置および成膜方法
TW201245488A (en) Thin film deposition device
JPH0383895A (ja) エピタキシャル成長装置

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid