KR100854974B1 - 기판 캐리어 및 그것을 사용하는 발광다이오드 제조를 위한장치 - Google Patents

기판 캐리어 및 그것을 사용하는 발광다이오드 제조를 위한장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 발광다이오드용 기판 캐리어 및 그 캐리어를 사용하는 발광다이오드 제조 장치에 관한 것이다. 본 발명은 공정 챔버; 상기 공정 챔버 내부의 상측에 배치되는 상부 조립체; 상기 상부 조립체와 대향되도록 상기 공정 챔버 내부의 하측에 배치되는 기판 홀더; 및 상기 기판 홀더에 로딩되며, 복수의 기판이 놓여지는 기판 캐리어를 포함하는 발광다이오드 제조 장치를 제공한다.
캐리어, 발광다이오드, 식각

Description

기판 캐리어 및 그것을 사용하는 발광다이오드 제조를 위한 장치{substrate carrier and apparatus for manufacturing of light emitting diode}
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 발광다이오드 제조 장치에 사용되는 기판 캐리어의 사시도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 발광다이오드 제조 장치에 사용되는 기판 캐리어의 분해 사시도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 발광다이오드 제조 장치에 사용되는 기판 캐리어의 평면도이다.
도 4는 도 3에 표시된 A-A'선을 따라 절취한 기판 캐리어의 단면도이다.
도 5는 사각판 형상의 기판 캐리어를 보여주는 평면도이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 발광다이오드 제조를 위한 플라즈마 식각 장치를 개략적으로 보여주는 단면도이다.
도 7a 내지 도 7e는 본 발명의 실시예에 따른 발광다이오드 제조를 위한 플라즈마 식각 장치에서의 처리 과정을 단계적으로 보여주는 도면들이다.
도 8은 본 발명의 변형예에 따른 발광다이오드 제조를 위한 플라즈마 식각 장치를 개략적으로 보여주는 단면도이다.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
110 : 공정 챔버
120 : 상부 조립체
130 : 기판 홀더
140 : 진공 배기부
200 : 기판 캐리어
본 발명은 발광다이오드 제조 장치에 관한 것으로, 좀 더 구체적으로는 발광다이오드용 기판 캐리어 및 그 캐리어를 사용하는 발광다이오드 제조 장치에 관한 것이다.
발광 다이오드(Light Emitting Diode : LED)는 화합물 반도체의 특성을 이용하여 전기를 적외선 또는 빛으로 변환시켜서 신호를 주고 받거나, 광원으로 사용되는 반도체 소자의 일종이다. 발광 다이오드는 저전압으로 고효율의 광을 발생시키므로 에너지 절감 효과가 뛰어나며, 최근 들어 발광 다이오드의 한계였던 휘도 문제가 크게 개선되면서 백라이트 유닛(Back light Unit), 전광판, 표시기, 가전제품, 각종 자동화 기기 등 산업 전반에 걸쳐 사용되고 있다.
특히, 질화 갈륨(GaN)계 발광 다이오드는 발광 스펙트럼이 자외선으로부터 적외선에 이르기까지 광범위하게 형성되며, 비소(As), 수은(Hg) 등의 환경 유해 물질을 포함하고 있지 않기 때문에 환경 친화적인 면에서도 높은 호응을 얻고 있다.
일반적으로 발광 다이오드 제조에 사용되는 기판은 사파이어 재질로, 그 크기를 키우는데 기술적인 어려움이 있어 현재 2인치 사파이어 기판이 사용되므로, 생산성을 위해 여러장을 한꺼번에 로딩하여 동시에 식각 하는 장치 기술이 필요하다.
기존에 사용하던 발광다이오드 제조를 위한 식각 장치는 수 개(보통 3-7장)의 기판을 로봇암에 각각 얹어서 반송하고, 각각의 기판 외곽을 기계적으로 고정시킨 다음에 식각 공정을 진행하고 있다. 각각의 기판 하부에 위치하는 리프트 핀들이 반송로봇 아암과의 간섭을 피하기 위해서는 한꺼번에 로딩할 수 있는 웨이퍼 매수는 매우 한정적이다.
또한, 사파이어 또는 질화갈륨을 패터닝하기 위해서는 흔히 포토레지스트가 사용되므로 기판마다 별도의 냉각장치를 필요로 한다. 이는 특성상 낮은 식각율로 인해 공정 시간이 수 분 이상이 필요하고 어느 정도의 바이어스 파워를 필요로 하기 때문에 포토레지스트가 쉽게 경화될 수 있기 때문이다. 기판 하부에 리프트 핀 장치와 헬륨이 주입되는 공간이 격리되어 실제적으로 헬륨이 닿는 면적이 매우 좁기 때문에 냉각효율이 떨어지고 이로 인해 포토레지스트의 경화를 피하기 위해 상대적으로 낮은 바이어스 파워를 사용하여 식각을 함으로써 공정 시간이 늘어나는 문제가 있다.
본 발명은 발광다이오드 제조에 사용되는 기판들을 한번에 로딩하여 동시에 공정을 진행할 수 있는 기판 캐리어 및 그 기판 캐리어를 사용하는 발광다이오드 제조 장치를 제공하는데 있다.
본 발명은 기판들의 냉각 효율을 높일 수 있는 기판 캐리어 및 그 기판 캐리어를 사용하는 발광다이오드 제조 장치를 제공하는데 있다.
본 발명은 생산성을 높일 수 있는 기판 캐리어 및 그 기판 캐리어를 사용하는 발광다이오드 제조 장치를 제공하는데 있다.
상기 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 공정 챔버; 상기 공정 챔버 내부의 상측에 배치되는 상부 조립체; 상기 상부 조립체와 대향되도록 상기 공정 챔버 내부의 하측에 배치되는 기판 홀더; 및 상기 기판 홀더에 로딩되며, 복수의 기판이 놓여지는 기판 캐리어를 포함하는 발광다이오드 제조 장치를 제공한다.
일 실시예에 있어서, 상기 기판 캐리어는 기판이 위치되는 포켓들을 갖는 플래터(platter); 상기 플래터의 상부에 결합되고, 상기 포켓들에 놓여지는 기판의 가장자리를 잡아주는 클램프 플레이트를 포함한다.
일 실시예에 있어서, 상기 기판 캐리어는 기판이 위치되는 포켓들을 갖는 플래터; 상기 플래터의 상부에 결합되어 상기 포켓들에 놓여진 기판을 고정하고, 상기 플래터의 포켓들에 놓여진 기판의 처리면이 노출되도록 오프닝을 갖는 클램프 플레이트를 포함한다.
일 실시예에 있어서, 상기 플래터는 상기 포켓에 놓여진 기판을 냉각하기 위해 상기 포켓의 바닥면에 냉각 가스 유입을 위한 관통홀이 형성된다.
일 실시예에 있어서, 상기 플래터는 상기 포켓에 놓여진 기판을 냉각하기 위 해 상기 포켓의 바닥면에 형성되는 냉각 가스 유입을 위한 관통홀; 및 상기 관통홀을 통해 유입되는 냉각 가스가 상기 포켓에 놓여진 기판의 저면 전체에 제공될 수 있도록 상기 포켓의 바닥면 가장자리에 설치되는 제1오링을 더 포함한다.
일 실시예에 있어서, 상기 플래터는 세라믹으로 이루어지며, 상기 클램프 플레이트는 세라믹 또는 베스펠(vespel) 재질로 이루어진다.
일 실시예에 있어서, 상기 기판 홀더는 상기 기판 캐리어가 놓이는 상면을 갖는 바이어스 전극; 상기 바이어스 전극 주변을 감싸는 차폐링; 및 상기 바이어스 전극으로/로부터 상기 기판 캐리어를 로딩/언로딩시키기 위한 리프트 부재를 포함한다.
일 실시예에 있어서, 상기 기판 홀더는 상기 바이어스 전극에 놓여진 상기 기판 캐리어를 클램핑하는 클램프 부재를 더 포함한다.
일 실시예에 있어서, 상기 기판 홀더는 상기 기판 캐리어 및 상기 기판 캐리어에 놓여진 기판들을 냉각시키기 위하여 상기 기판 캐리어의 저면으로 냉각 가스를 제공하는 공급 통로를 더 포함한다.
일 실시예에 있어서, 상기 기판 홀더는 상기 기판 캐리어 및 상기 기판 캐리어에 놓여진 기판들을 냉각시키기 위하여 상기 기판 캐리어의 저면으로 냉각 가스를 제공하는 공급 통로; 및 상기 공급 통로를 통해 유입되는 냉각 가스가 상기 기판 캐리어의 저면 전체와 상기 기판 캐리어에 형성된 관통홀로 제공될 수 있도록 상기 기판 캐리어의 저면 가장자리를 실링하는 제2오링을 더 포함한다.
상기 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 공정 챔버; 상기 공정 챔 버 내부의 하측에 배치되는 기판 홀더; 및 상기 기판 홀더에/로부터 로딩/언로딩되는 그리고 복수의 기판이 놓여지는 기판 캐리어를 포함하는 발광다이오드 제조 장치를 제공한다.
일 실시예에 있어서, 상기 기판 캐리어는 기판이 위치되는 포켓들을 갖는 플래터; 및 상기 플래터의 상부에 결합되어 상기 포켓들에 놓여진 기판을 고정하고, 상기 플래터의 포켓들에 놓여진 기판의 처리면이 노출되도록 오프닝을 갖는 클램프 플레이트를 포함한다.
일 실시예에 있어서, 상기 기판 홀더는 상기 기판 캐리어가 놓이는 상면을 갖는 전극; 상기 전극으로/로부터 상기 기판 캐리어를 로딩/언로딩시키기 위한 리프트 부재; 및 상기 전극에 놓여진 상기 기판 캐리어를 클램핑하는 클램프 부재를 더 포함한다.
상기 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 상면에 기판이 위치되는 포켓들을 갖는 플래터; 및 상기 플래터의 상부에 결합되어 상기 포켓들에 놓여진 기판을 고정하고, 상기 플래터의 포켓들에 놓여진 기판의 처리면이 노출되도록 오프닝을 갖는 클램프 플레이트를 포함하는 기판 캐리어를 제공한다.
일 실시예에 있어서, 상기 플래터는 상기 포켓에 놓여진 기판을 냉각하기 위해 상기 포켓의 바닥면에 냉각 가스 유입을 위한 관통홀이 형성된다.
일 실시예에 있어서, 상기 플래터는 상기 포켓에 놓여진 기판을 냉각하기 위해 상기 포켓의 바닥면에 형성되는 냉각 가스 유입을 위한 관통홀; 및 상기 관통홀을 통해 유입되는 냉각 가스가 상기 포켓에 놓여진 기판의 저면 전체에 제공될 수 있도록 상기 포켓의 바닥면 가장자리에 설치되는 제1오링을 더 포함한다.
예컨대, 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예로 인해 한정되어 지는 것으로 해석되어져서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공 되어지는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이다. 각 도면을 이해함에 있어서, 동일한 부재는 가능한 한 동일한 참조부호로 도시하고자 함에 유의하여야 한다. 그리고 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 공지 기능 및 구성에 대한 상세한 기술은 생략된다.
(실시예)
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명함으로써, 본 발명의 기판 캐리어 및 그 캐리어를 사용하는 발광다이오드 제조 장치를 상세히 설명한다. 또, 상기 도면들에서 동일한 기능을 수행하는 구성 요소에 대해서는 동일한 참조 번호를 병기한다.
여기서, 기판(w)은 발광다이오드 제조를 위한 2인치 크기의 사파이어 기판을 말하며, 기판 캐리어는 여러장의 사파이어 기판을 로딩할 수 있도록 8인치 이상 크기를 갖는 것이 바람직하다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 발광다이오드 제조 장치에 사용되는 기판 캐리어의 사시도이다. 도 2는 본 발명의 실시예에 따른 발광다이오드 제조 장치에 사용되는 기판 캐리어의 분해 사시도이다. 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 발광다 이오드 제조 장치에 사용되는 기판 캐리어의 평면도이다. 도 4는 본 발명의 실시예에 따른 발광다이오드 제조 장치에 사용되는 기판 캐리어의 단면도이다.
도 1 내지 도 4를 참조하면, 본 발명의 기판 캐리어(200)는 플래터(210)와 클램프 플레이트(220)를 포함한다.
우선, 플래터(210)는 원판 형상으로, 상면에는 기판(w)이 위치되는 9개의 포켓(212)들을 제공된다. 포켓(212)에는 제1오링(214)이 설치되며, 포켓(212)의 중앙에는 관통공(216)이 형성된다. 관통홀(216)은 포켓(212)에 놓여진 기판(w)을 냉각하기 위한 냉각 가스가 유입되는 통로이다. 그리고 제1오링(214)은 포켓(212)에 놓여지는 기판(w) 저면의 가장자리를 실링한다. 기판(w)은 제1오링(214)에 의해 포켓(212)의 바닥면(212a)으로부터 이격된다. 냉각 가스는 관통홀(216)을 통해 제1오링(214)에 의해 제공되는 포켓(212) 바닥면(212a)과 기판(w) 저면 사이의 공간(a)으로 제공됨으로써 기판의 저면 전체를 균일하게 냉각시킬 수 있게 된다. 포켓(212)에 놓여진 기판(w)은 플래터(210)의 상면으로부터 돌출되는 것이 바람직하다. 도시하지 않았지만, 기판 캐리어로의 기판 로딩/언로딩은 매뉴얼에 의해 또는 반송 로봇에 의해 이루어질 수 있다.
클램프 플레이트(220)는 플래터(210)의 상부에 포개지도록 결합된다. 클램프 플레이트(220)와 플래터(210)는 다수의 볼트(230)들에 의해 고정된다. 클램프 플레이트(220)는 플래터(210) 상부에 결합됨으로써 포켓(212)에 놓여진 기판(w)을 고정하게 된다. 클램프 플레이트(220)는 포켓(212) 보다 작은 크기의 오프닝(222)을 갖으며, 이 오프닝(222)을 통해 포켓(212)에 놓여진 기판(w)의 처리면이 노출된다.
참고로, 플래터는 세라믹으로 이루어지며, 상기 클램프 플레이트는 세라믹 또는 베스펠(vespel) 재질로 이루어진다
기판 캐리어(200)에서의 기판 로딩은 다음과 같이 이루어진다.
우선, 플래터(210)의 포켓(212) 각각에 기판(w)을 올려놓는다. 그리고 클램프 플레이트(220)를 플래터(210) 상부에 포개지도록 결합하여 포켓(212)에 놓여진 기판(w)을 고정한다. 이렇게 기판(w)들이 놓여진 기판 캐리어(200)는 별도의 카세트에서 대기하며, 반송 로봇에 의해 공정 처리를 위한 처리 장치로 반송된다.
본 실시예에서는 기판 캐리어가 9개의 포켓들을 갖는 것으로 도시하였으나, 포켓의 개수는 플래터의 크기 및 기판의 크기에 따라 그리고 포켓의 배치 구조에 따라 달라질 수 있다. 또한, 본 실시예에서는 기판 캐리어가 원판 형상 이외에 도 5에서와 같은 사각판 형상의 기판 캐리어(200')로도 적용 가능하다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 발광다이오드 제조를 위한 플라즈마 식각 장치를 개략적으로 보여주는 단면도이다. 본 발명의 실시예에 따르면, 발광다이오드 제조를 위한 처리 장치는 플라즈마를 이용하여 기판의 표면을 식각하기 위한 장치이다.
발광다이오드 제조를 위한 플라즈마 식각 장치(100)는, 소정의 밀폐된 분위기를 제공하는 공정 챔버(process chamber, 110), 상부 조립체(120), 기판 홀더(130) 및 공정 챔버(110) 내에 감압 분위기를 제공하는 진공 배기부(140)를 포함한다.
공정 챔버(110)는 기판 캐리어(200)에 인접한 처리 공간(112) 내에 처리 플 라즈마를 형성하게 된다. 공정 챔버(110)는 진공펌프에 연결되는 진공흡입포트(vacuum suction port, 116)를 갖는다. 진공 배기부(140)는 공정 챔버(110)의 내부를 진공 상태로 형성하고, 식각 공정이 수행되는 동안 발생하는 반응 부산물 등을 배출시키기 위한 것으로, 펌프(142)와, 진공포트(116)에 연결되는 진공라인(144)을 포함한다. 공정 챔버(110)와 펌프(142)를 연결하는 진공라인(144)에는 각종 밸브(도시되지 않음)가 설치되어 진공라인(144)을 개폐하고 개폐 정도를 조절함으로써 진공 정도를 조절한다.
도시된 실시예에서, 상부 조립체(120)는 상부 전극(122)과 가스 주입 조립체(124)를 포함한다. 대안적인 실시예에서, 상부 조립체(120)는 상부전극, 커버, 가스 주입 조립체, 및 상부 전극 임피던스 매치 네트워크(impedance match network) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상부 조립체(120)는 상부 전극(122)에 결합된 커버(123)를 포함하며, 상부 전극(122)은 공정 챔버(110)의 전기 전위외 등전위로 유지된다. 예를 들면, 공정 챔버(110), 상부 조립체(120) 및 상부 전극(122)은 접지 전위에 전기적으로 연결될 수 있다. 대안적인 실시예에서, 상부 전극(122)은 RF 공급원에 결합될 수 있다. 공급원(190)의 반응가스는 가스 주입 조립체(124)를 통해 공정 챔버(110)의 처리공간(112)로 공급된다.
공정 챔버(110) 내부에는 게이트도어(111)의 개방에 따라 반송 로봇에 의해 투입 위치되는 기판 캐리어(200)가 놓여지는 바이어스 전극에 해당되는 기판 홀더(130)가 구비된다.
기판 홀더(130)는 RF 파워(RF power)가 제공되는 하부 전극(132), 하부 전 극(132) 주변을 감싸는 차폐링(RF shield ring)(134), 캐리어 클램프 부재(136) 그리고 상술한 반송 로봇(300)으로 하여금 기판 캐리어(200)의 이송이 용이하도록 기판 캐리어(200)를 지지하는 형태로 승하강 구동하는 리프트 부재(138)를 포함한다.
하부 전극(132)의 상면에는 기판 캐리어(200)가 놓여진다. 하부 전극(132)의 상면 가장자리에는 제2오링(133)이 설치되어 기판 캐리어(200)의 저면 가장자리를 실링한다. 하부 전극(132)은 알루미늄에 외부가 세라믹 코팅 또는 애노다이징 처리가 되어 있다. 하부 전극(132)은 리프트 부재(138)의 리프트 핀(138a)들이 위치하는 홀(132a), 온도 제어를 위해 높은 비저항을 갖는 냉매의 순환 통로(미도시됨), 기판 캐리어(200) 및 기판(w)을 냉각시키기 위한 냉각 가스 공급 통로(132b)를 갖는다. 하부 전극 밑으로는 PEEK 재질의 절연판(139)이 위치한다.
리프트 부재(138)는 하부 전극(132)으로/로부터 기판 캐리어(200)를 로딩/언로딩시키기 위한 통상의 구성으로, 게이트도어(111)의 개방에 따라 반송 로봇(300)에 의해 투입 위치되는 기판 캐리어(w)의 저면을 받쳐 지지하는 리프트 핀(138a)들과, 리프트 핀(138a)들을 상승(업 위치)/하강(다운 위치)시키기 위한 구동부(138b)를 포함한다. 기판 캐리어(200)는 리프트 핀(138a)들에 의해 기판 홀더(130)의 상면으로부터 이격된 업 위치(도 7a에 도시된 위치)와, 기판 홀더(130)의 상면에 놓여지는 다운 위치(도 7d에 도시된 위치)로 이동하게 된다.
캐리어 클램프 부재(136)는 하부 전극(132)에 놓여진 기판 캐리어(200)를 클램핑한다. 캐리어 클램프 부재(136)는 클램프 링(136a)과, 클램프 링(136a)을 승강 시키는 구동부(136b)를 포함한다. 클램프 링(136a)은 기판 캐리어(200)가 하부 전 극(132)에 놓여지도록 상승 위치(도 7a에 도시된 위치)에서 대기하게 되며, 기판 캐리어(200)가 하부 전극(132)에 놓여지면, 클램프 링(136a)은 하강하여 기판 캐리어(200)의 가장자리를 클램핑 한다.
냉각 가스(헬륨 가스)는 하부 전극(132)에 형성된 냉각 가스 공급 통로(132b)를 통해 기판 캐리어(200)의 저면과 기판 홀더(130)의 상면 사이의 공간(b)으로 제공된다. 그리고, 그 공간(b)으로 제공된 냉각 가스는 기판 캐리어(200)의 관통홀(216)을 통해 기판(w) 저면으로 제공되어 기판의 온도를 낮추게 된다. 기판 냉각에 사용되는 냉각 가스는 외부의 냉각 가스 공급부(160)로부터 제공받는다.
도 7a 내지 도 7e는 본 발명의 실시예에 따른 발광다이오드 제조를 위한 플라즈마 식각 장치에서의 처리 과정을 단계적으로 보여주는 도면들이다.
도 7a를 참조하면, 기판(w)들이 놓여진 기판 캐리어(200)는 외부의 반송 로봇(300)에 의해 기판 홀더(130) 상부로 이송된다. 이때, 캐리어 클램프 부재(136)의 클램프 링(136a)은 기판 캐리어(200)와의 간섭이 발생되지 않도록 상승 위치에서 대기한다. 기판 캐리어(200)가 기판 홀더 상부에 위치하면, 리프트 핀(138a)들이 상승하여 기판 캐리어(200)를 받쳐든다(도 7b). 반송 로봇(300)이 공정 챔버(110) 밖으로 빠져나가면, 리프트 핀(138a)들이 하강하여 기판 캐리어(200)를 하부 전극(132) 상면에 올려놓는다(도 7c). 이때 기판 캐리어(200)는 제2오링(133)에 가장자리가 지지된 상태가 되며, 하부 전극(132)의 상면과 기판 캐리어(200)의 저면 사이에 공간(b)이 제공된다. 기판 캐리어(200)가 하부 전극(132)에 놓여지면, 클램프 링(136a)이 하강하며 기판 캐리어(200)의 가장자리를 클램핑한다(도 7d). 이렇게 기판 캐리어(200)의 로딩이 완료되면, 식각 공정을 위하여 반응 가스와 RF 파워가 제공되며, 기판 캐리어(200) 및 기판(w)들을 냉각시키기 위한 냉각 가스도 제공된다. 냉각 가스는 하부 전극(132)에 형성된 냉각 가스 공급 통로(132b)를 통해 기판 캐리어(200)와 하부 전극(132) 사이의 공간(b)으로 제공되며, 냉각 가스는 기판 캐리어(200)의 관통홀(216)들을 통해 기판(w)의 저면 전체로 제공되어 기판의 온도를 떨어뜨리게 된다.
이처럼, 본 발명은 냉각 가스가 기판 캐리어(200)의 저면 전체에 균일하게 제공될 뿐만 아니라, 포켓(212)에 놓여진 기판(w) 각각으로 제공됨으로써 식각 과정에서 기판의 온도 상승을 최소화할 수 있기 때문에 보다 높은 RF 파워를 사용하여 식각 공정을 수행할 수 있는 것이다.
본 실시예에서는 RIE 방식의 플라즈마 소스를 적용한 장치를 도시하여 설명하였으나, 도 8에서와 같이 본 발명의 플라즈마 식각 장치는 유도결합을 이용한 플라즈마 처리(ICP)방식 이외의 다양한 플라즈마 소스가 적용될 수 있다. 도 8에 도시된 대안적인 실시예에 따르면, 발광다이오드 제조를 위한 플라즈마 식각 장치(100')는 상부 조립체 대신에 유도코일(170)이 설치되며, 유도 코일(170)과 공정챔버(110) 사이에는 유도코일(170)이 공정챔버(110) 내에서 형성된 플라즈마에 노출되는 것을 방지하기 위해 절연창(172)이 설치되어, 유도결합을 이용한 플라즈마 처리를 한다는데 그 차이가 있다 할 것이다.
본 발명에 따른 발광다이오드 제조를 위한 플라즈마 식각 장치와 기판 캐리 어는 다양하게 변형될 수 있고 여러 가지 형태를 취할 수 있다. 하지만, 본 발명은 상기의 상세한 설명에서 언급되는 특별한 형태로 한정되는 것이 아닌 것으로 이해되어야 하며, 오히려 첨부된 청구범위에 의해 정의되는 본 발명의 정신과 범위 내에 있는 모든 변형물과 균등물 및 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
상술한 바와 같이, 본 발명은 발광다이오드 제조에 사용되는 기판들을 한번에 로딩하여 동시에 공정을 진행할 수 있기 때문에 생산성 향상을 기대할 수 있다.
본 발명은 냉각 가스가 기판 캐리어의 저면 전체에 균일하게 제공될 뿐만 아니라, 포켓에 놓여진 기판 각각으로도 제공됨으로써 식각 과정에서 기판의 온도 상승을 최소화할 수 있다.

Claims (16)

  1. 삭제
  2. 발광다이오드 제조를 위한 장치에 있어서:
    공정 챔버;
    상기 공정 챔버 내부의 상측에 배치되는 상부 조립체;
    상기 상부 조립체와 대향되도록 상기 공정 챔버 내부의 하측에 배치되는 기판 홀더 ; 및
    상기 기판 홀더에 로딩되며, 복수의 기판이 놓여지는 기판 캐리어를 포함하되;
    상기 기판 캐리어는
    기판이 위치되는 포켓들을 갖는 플래터(platter);
    상기 플래터의 상부에 결합되고, 상기 포켓들에 놓여지는 기판의 가장자리를 잡아주는 클램프 플레이트를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 제조 장치.
  3. 발광다이오드 제조를 위한 장치에 있어서:
    공정 챔버;
    상기 공정 챔버 내부의 상측에 배치되는 상부 조립체;
    상기 상부 조립체와 대향되도록 상기 공정 챔버 내부의 하측에 배치되는 기판 홀더 ; 및
    상기 기판 홀더에 로딩되며, 복수의 기판이 놓여지는 기판 캐리어를 포함하되;
    상기 기판 캐리어는
    기판이 위치되는 포켓들을 갖는 플래터;
    상기 플래터의 상부에 결합되어 상기 포켓들에 놓여진 기판을 고정하고, 상기 플래터의 포켓들에 놓여진 기판의 처리면이 노출되도록 오프닝을 갖는 클램프 플레이트를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 제조 장치.
  4. 제2항 또는 제3항에 있어서,
    상기 플래터는
    상기 포켓에 놓여진 기판을 냉각하기 위해 상기 포켓의 바닥면에 냉각 가스 유입을 위한 관통홀이 형성되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 제조 장치.
  5. 제2항 또는 제3항에 있어서,
    상기 플래터는
    상기 포켓에 놓여진 기판을 냉각하기 위해 상기 포켓의 바닥면에 형성되는 냉각 가스 유입을 위한 관통홀; 및
    상기 관통홀을 통해 유입되는 냉각 가스가 상기 포켓에 놓여진 기판의 저면 전체에 제공될 수 있도록 상기 포켓의 바닥면 가장자리에 설치되는 제1오링을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 제조 장치.
  6. 제2항 또는 제3항에 있어서,
    상기 플래터는 세라믹으로 이루어지며, 상기 클램프 플레이트는 세라믹 또는 베스펠(vespel) 재질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 제조 장치.
  7. 제2항 또는 제3항에 있어서,
    상기 기판 홀더는
    상기 기판 캐리어가 놓이는 상면을 갖는 바이어스 전극;
    상기 바이어스 전극 주변을 감싸는 차폐링; 및
    상기 바이어스 전극으로/로부터 상기 기판 캐리어를 로딩/언로딩시키기 위한 리프트 부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 제조 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 기판 홀더는
    상기 바이어스 전극에 놓여진 상기 기판 캐리어를 클램핑하는 클램프 부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 제조 장치.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 기판 홀더는
    상기 기판 캐리어 및 상기 기판 캐리어에 놓여진 기판들을 냉각시키기 위하여 상기 기판 캐리어의 저면으로 냉각 가스를 제공하는 공급 통로를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 제조 장치.
  10. 제7항에 있어서,
    상기 기판 홀더는
    상기 기판 캐리어 및 상기 기판 캐리어에 놓여진 기판들을 냉각시키기 위하여 상기 기판 캐리어의 저면으로 냉각 가스를 제공하는 공급 통로; 및
    상기 공급 통로를 통해 유입되는 냉각 가스가 상기 기판 캐리어의 저면 전체와 상기 기판 캐리어에 형성된 관통홀로 제공될 수 있도록 상기 기판 캐리어의 저면 가장자리를 실링하는 제2오링을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 제조 장치.
  11. 삭제
  12. 발광다이오드 제조를 위한 장치에 있어서:
    공정 챔버;
    상기 공정 챔버 내부의 하측에 배치되는 기판 홀더; 및
    상기 기판 홀더에/로부터 로딩/언로딩되는 그리고 복수의 기판이 놓여지는 기판 캐리어를 포함하되;
    상기 기판 캐리어는
    기판이 위치되는 포켓들을 갖는 플래터; 및
    상기 플래터의 상부에 결합되어 상기 포켓들에 놓여진 기판을 고정하고, 상기 플래터의 포켓들에 놓여진 기판의 처리면이 노출되도록 오프닝을 갖는 클램프 플레이트를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 제조 장치.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 기판 홀더는
    상기 기판 캐리어가 놓이는 상면을 갖는 전극;
    상기 전극으로/로부터 상기 기판 캐리어를 로딩/언로딩시키기 위한 리프트 부재; 및
    상기 전극에 놓여진 상기 기판 캐리어를 클램핑하는 클램프 부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 제조 장치.
  14. 발광다이오드 제조를 위한 장치에 사용되는 기판 캐리어에 있어서:
    상면에 기판이 위치되는 포켓들을 갖는 플래터; 및
    상기 플래터의 상부에 결합되어 상기 포켓들에 놓여진 기판을 고정하고, 상기 플래터의 포켓들에 놓여진 기판의 처리면이 노출되도록 오프닝을 갖는 클램프 플레이트를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 캐리어.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 플래터는
    상기 포켓에 놓여진 기판을 냉각하기 위해 상기 포켓의 바닥면에 냉각 가스 유입을 위한 관통홀이 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 캐리어.
  16. 제14항에 있어서,
    상기 플래터는
    상기 포켓에 놓여진 기판을 냉각하기 위해 상기 포켓의 바닥면에 형성되는 냉각 가스 유입을 위한 관통홀; 및
    상기 관통홀을 통해 유입되는 냉각 가스가 상기 포켓에 놓여진 기판의 저면 전체에 제공될 수 있도록 상기 포켓의 바닥면 가장자리에 설치되는 제1오링을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 캐리어.
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