KR20070036912A

KR20070036912A - 유기물 발광 다이오드 및 액정표시 장치 제조용 플라즈마화학 증착 장비

Info

Publication number: KR20070036912A
Application number: KR1020050091958A
Authority: KR
Inventors: 배준호
Original assignee: 코스텍시스템(주)
Priority date: 2005-09-30
Filing date: 2005-09-30
Publication date: 2007-04-04
Also published as: KR100719330B1

Abstract

본 발명은 플라즈마 화학증착 장치(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition Apparatus) 에 관한 것으로, 좀 더 자세하게는 다수의 공정 챔버(Process Chamber)와 로드락 챔버(Load-lock Chamber), 히팅 챔버(Heating Chamber)를 구비하고 이들 챔버 간에 기판(Substrate)을 이송하는 기판이송 챔버(Transfer Chamber)을 포함하는 클러스터드(Clustered) 플라즈마 화학증착 장치에 관한 것이며, 클러스터드 플라즈마 화학 증착 장치의 생산성 향상 즉, 시간당 공정 처리능력(Through-put)의 향상, 팹(Fab.) 점유 면적(Foot Print)의 최소화, 공정 가스(SiH4, NH3, H2, N2, PH3 등)의 소모량 절감, 그리고 전력 소모량의 절감 등을 달성하기 위하여 고안된 기술이다. 본 발명은 상기 언급한 기술적인 과제를 달성하기 위하여 종래의 글래스 기판을 1매 단위로 처리하던 플라즈마 화학증착 장치의 구조 및 구성을 크게 변경하여 글래스 기판을 2매 단위로 처리할 수 있도록 두얼(Dual) 글래스 기판 처리 방식의 클러스터드 플라즈마 화학증착 장치를 구현하였고 관련 제반 기술을 제공한다.

플라즈마 화학 증착 챔버, 클러스터, 로드락 챔버, 트랜스퍼 챔버, 진공로봇

Description

유기물 발광 다이오드 및 액정표시 장치 제조용 플라즈마 화학 증착 장비{Plasma enhanced chemical vapor deposition equipment for the fabrication of organic light emission diode and liquid crystal display panel}

도 1은 종래의 일반적인 플라즈마 화학 증착 장비 구성도

도 2는 본 발명의 플라즈마 화학 증착 장비 구성도

도 3은 본 발명의 플라즈마 화학 증착 장비의 로드락(load-lock) 챔버의 측면의 단면도

도 4는 본 발명의 플라즈마 화학 증착 장비의 로드락(load-lock) 챔버의 정면의 단면도

도 5는 본 발명의 플라즈마 화학 증착 장비의 히팅(heating) 챔버의 측면의 단면도

도 6은 본 발명의 플라즈마 화학 증착 장비의 공정(process) 챔버의 면의 단면도

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *

100 : 듀얼(Dual) 플라즈마 증착장비 111 : 트랜스퍼 챔버(Transfer Chamber)

112 : 진공 로봇(Vacuum Robot) 113 : 로드락 챔버(Load-lock Chamber)

114 : 히팅 챔버(Heating Chamber) 115 : 공정 챔버(Process Chamber)

116 : 글래스 기판(Glass Substrate) 117 : 진공로봇 앤드이펙트(End Effect)

121 : 로드락 도어(Load-lock Door) 122 : 게이트 밸브(Gate Valve)

130 : 쿨링 플래이트(Cooling Plate) 131 : 기판 엎다운핀(Substrate Up-down Pin)

151 : 히팅 슬럿(Heating Slot) 152 : 히팅슬럿의 돌출 핀(Pin)

153 : 히팅 카셋트(Heating Cassette) 161 : 기판 서셉터(Susceptor)

162 : 공정 챔버의 기판 엎다운핀(Substrate Up-down Pin)

본 발명은 대형 액정표시 장치와 차세대 유기물 발광다이오드 형 영상표시장치의 제조시 사용되는 클러스터드(Clustered) 플라즈마 화학증착 장치의 생산성 향상 즉, 다음과 같은 기술적 과제 시간당 공정 처리능력(Through-put)의 향상, 팹(Fab.) 점유 면적(Foot Print)의 최소화, 공정 가스(SiH4, NH3, H2, N2, PH3 등) 소모량 절감, 그리고 전력 소모량의 절감 등을 달성하는데 적합한 새로운 기술 및 구조의 클러스터드 플라즈마 화학증착 장치를 제공하는 것이다.

본 발명은 플라즈마화학증착 장치(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition Apparatus 이하, PECVD 장치로 약칭함)에 관한 것으로, 좀 더 상세하게는 다수의 공정 챔버(Process Chamber)와 로드락 챔버(Load-lock Chamber), 히팅 챔버(Heating Chamber)를 구비하고 이들 챔버 간에 기판(Substrate)을 이송하는 기 판이송 챔버(Transfer Chamber)를 포함하는 클러스터드(Clustered) PECVD 장치에 관한 것이다.

상기 클러스터드 PECVD 장치는 비정질 실리콘 박막 트랜지스터(Amorphous Silicon Thin Film Transistor) 를 이용하는 액정표시장치(Liquid Crystal Display Device) 및 유기물 발광다이오드의 트랜지스터를 형성하는데 필요한 박막을 증착하는 공정에 주로 사용되고 있다.

일반적으로 액정표시장치는 박막트랜지스터 어레이(TFT array) 기판과 컬러 필터(color filter) 기판 사이에 액정을 주입하여, 그 특성을 이용해 영상효과를 얻는 비 발광 소자를 뜻하고 유기물 발광다이오드는 상기 박막트랜지스터 어레이 기판이나 금속선 어레이 기판에 유기물 발광체를 도포하여 전압을 가함으로써 발광하는 특성을 이용하여 영상이미지를 표시하는 소자를 뜻한다.

상기 유기물 발광다이오드 및 액정표시장치의 제조공정 중 박막 증착을 위한 상기 PECVD 장치는 진공 챔버 내부에 증착에 필요한 가스를 주입하여 원하는 압력과 기판 온도를 설정하고, RF 파워를 이용하여 주입된 가스를 플라즈마 상태로 분해하여 기판위에 증착을 하는 장치로서, 증착 메커니즘(mechanism)은 챔버 내로 유입된 기체 화합물이 분해되는 1차 반응, 분해된 가스 이온들과 불안정한 이온상태인 라디칼 이온(Radical Ion)들이 상호 반응하는 2차 반응, 피 증착 기판 상에서 가스 이온과 라디칼 이온들의 재결합으로 생긴 원자들의 상호작용으로 핵 생성 후에 박막이 형성되는 3차 반응단계로 이루어진다. 유입되는 기체 화합물은 형성하는 막의 종류에 따라 달라지며, 일반적으로 실리콘 질화 막 경우는 SiH4 , H2 , NH3 , N2 의 혼합 Gas가 이용되고, 비정질 실리콘 막의 증착에는 SiH4 , H2 가 쓰이며, 인(P)을 도핑(Doping)하여 전자 이동도를 높이는 불순물 비정질 실리콘막(n+ a-Si)의 형성 시에는 상기 비정질 실리콘용 반응가스에 PH3 가 첨가된다. 상기 PECVD 장치에 의한 증착공정에서는, RF 파워(Radio Frequency Power), 증착 온도, 가스 유입량 및 전극과 기판 간의 거리가 형성되는 박막의 특성을 좌우한다. 상기 PECVD 장치는 유리기판위에 형성된 박막트랜지스터 어레이를 기반으로 하는 대형 액정표시 장치와 차세대 유기물 발광다이오드 형 영상표시장치를 제조하기 위하여 진행하는 기판 제조 공정에 있어서 기술적인 측면과 공정 단계의 비중(공정 횟수) 측면에서 가장 중요하고 생산성을 좌우하는 핵심공정을 수행한다. 이하, 기술될 내용에서는 상기 클러스터드 PECVD 장치의 구성 및 동작 그리고 내부구조에 대해서 상세히 설명한다.

＜도1＞은 종래의 현재까지 가장 진보된 클러스터드 PECVD장치의 구성에 관한 것으로 중앙에 트랜스퍼 챔버(11)가 위치하며 상기 트랜스퍼 챔버의 중간에 글래스 기판(16)을 이송하는 진공 로봇(12)이 장착되어 있다. 트랜스퍼 챔버(11) 주변에는 글래스 기판의 로딩(Loading)과 언로딩(Unloading)하는데 필요한 두개의 진공 로드락 챔버(13-1,13-2)와 글래스 기판의 증착 공정을 진행하기 전에 미리 예열을 시키거나 증착 공정 후 후속 열처리를 하는데 필요한 한 개의 히팅 챔버(14), 다섯 개의 공정 챔버(15-1,15-2,15-3,15-4,15-5)가 위치한다. 경우에 따라서는 적절한 공정의 순서와 공정 단계의 보틀넥(Bottle-neck) 해소를 위해 히팅 챔버를 두 개 구비하기도 하며 이때에는 공정 챔버가 네 개가 된다.

상기 클러스터드 PECVD 장치에서 공정을 진행함에 있어서 글래스 기판을 외부의 반송장치(미도시)로 부터 로드락 챔버(13)에 이송하여 로드락 챔버에 로딩하며, 여기서 로드락 챔버(13)은 다수의 슬롯(미도시)이 구비되어 있어 여러 장의 글라스 기판을 로딩할 수 있게 설계되어 있다. 글래스 기판의 로딩이 완료되면 로드락 챔버의 도어(21)를 닫고, 이때 트랜스 챔버(11)와 로드락 챔버 사이에 부착된 게이트 밸브(22)는 처음부터 닫힌 상태에 있게 된다., 로드락 챔버에 부착된 진공펌프(미도시)를 가동하여 로드락 챔버를 진공상태로 만든다. 로드락 챔버(13)의 진공 상태가 원하는 수준(트랜스퍼 챔버의 진공도과 근사한 상태의 진공도)에 이르면 로드락 챔버와 과 트랜스퍼 챔버 사이에 부착된 게이트 밸브(22-1,22-2)가 열리며 진공로봇(12)이 동작하여 글래스 기판을 로드락 챔버에서 히팅 챔버(14)로 이송한다. 여기서 히팅 챔버는 다수의 슬롯(미도시) 으로 구성되어 글래스 기판을 여러 장 로딩할 수 있게 설계되어 있다., 이송된 글래스 기판을 히팅 챔버(14)에서 일정시간 가열하여 예열을 한 후 공정 챔버(15-1,15-2,15-3,15-4,15-5)로 이송하여 PECVD 법으로 박막을 증착하게 된다. 이때 형성되는 박막은 박막 트랜지스터(Thin film transistor)를 형성하는 데 필요한 실리콘 나이트라이드(SiNx), 실리콘 다이 옥사이드(SiO2), 비정질실리콘(a-Si), 테트라 에틸 오르토 실리케이트(TEOS)막 등이며 이들은 동일 글래스 기판위에서 서로 다른 층을 이루며 증착된다. 이때 동일한 공정챔버에서 서로다른 박막을 연속해서 증착하기도 하나 일반적으로는 각각의 공정챔버에서는 서로다른 단일 종류의 박막 만을 증착한다. 연속하여 히팅 챔버(14)에서 가열된 글래스 기판은 각기 다른 공정챔버(15)로 이송되며 그곳에서 증착이 이루어지고 박막의 형성이 완료된 글래스 기판은 박막의 특성에 따라서 다시 히팅챔버(14)에 이송하여 후 열처리(Post anneal)을 하기도 하고 곧바로 언로드(Un-load)용 로드락챔버로 이송한다. 원하는 박막이 증착된 글래스 기판이 모두 로드락 챔버에 모이면 로드락 챔버(13)과 트랜스퍼 챔버(11) 사이에 부착된 게이트 밸브(22)을 닫고 로드락 챔버에 질소가스(N2)을 주입하여 진공 상태를 해제시킨다. 로드락 챔버의 진공이 해제되고 대기압 상태가 되면 로드락의 도어(21)을 열고 외부의 글래스 기판 카셋트에 글래스 기판을 모두 넣은 후 다음 단계의 제조공정으로 보낸다.

상기와 같이 종래의 클러스터드 PECVD 장치는 유리기판위에 형성된 박막트랜지스터 어레이를 기반으로 하는 대형 액정표시 장치와 차세대 유기물 발광다이오드 형 영상표시장치를 제조하기 위하여 진행하는 기판 제조 공정에 있어서 가장 핵심적인 공정을 수행하며 그 사용 빈도도 여타 다른 전 공정(Fab. 즉, Clean Room에서 진행하는 제조공정) 장치 보다 도 많아, 상기 클러스터드 PECVD 장치의 생산성이 대형 액정표시 장치와 차세대 유기물 발광다이오드 형 영상표시장치의 전체적인 생산성을 좌우하고 있다. 따라서 상기 클러스터드 PECVD 장치의 시간당 공정 처리능력(Through-put), 팹(Fab.)에서의 면적 점유율(Foot Print)이 이들 산업의 경쟁력의 근본이 되고 있다.

본 발명은 상기에서 언급한 대형 액정표시 장치와 차세대 유기물 발광다이오드 형 영상표시장치의 제조에 사용되는 클러스터드 PECVD 장치의 생산성 향상 즉, 다음과 같은 기술적 과제, 시간당 공정 처리능력(Through-put)의 향상, 팹(Fab.) 점유 면적(Foot Print)의 최소화, 공정 가스(SiH4, NH3, H2, N2, PH3 등) 소모량 절감, 그리고 전력 소모량의 절감 등을 달성하기 위하여 고안된 것으로써 종래의 글래스 기판을 1매 단위로 처리하던 PECVD 장치의 생산성 한계를 획기적으로 개선한 기술이다.

본 발명은 상기 언급한 기술적인 과제를 달성하기 위하여 종래의 글래스 기판을 1매 단위로 처리하던 PECVD 장치의 구조 및 구성을 크게 변경하여 글래스 기판을 2매 단위로 처리할 수 있도록 듀얼(Dual) 기판 처리 방식을 채택한 클러스터드 PECVD 장치를 구현하였고 관련 제반 기술을 제공한다. 이하, 기술될 내용에서는 상기 듀얼(Dual) 기판 처리 방식의 클러스터드 PECVD 장치의 구성 및 동작 그리고 내부구조에 대해서 상세히 설명한다.

＜도2＞은 본 발명의 클러스터드 PECVD장치(100)의 구성 및 구조에 관한 것으로 중앙부위에 5각형 형태의 다섯 변을 갖는 트랜스퍼 챔버(111)가 위치하며 상기 트랜스퍼 챔버 정 가운데에 글래스 기판(116) 을 이송하는 진공 로봇(112)이 장착되어 있다. 트랜스퍼 챔버(111) 주변에는 글래스 기판의 로딩(Loading)과 언로딩(Unloading)을 하는데 필요한 두개의 진공 로드락 챔버(113)가 트랜스퍼 챔버의 한 변에 위아래로 겹쳐 부착되며, 나머지 네 변에는 글래스 기판의 증착 공정을 진행하기 전에 미리 예열을 시키거나 증착 공정 후 후속 열처리를 하는데 필요한 한 개의 히팅 챔버(114)와 세 개의 공정 챔버(115-1,115-2,115-3)가 구비된다. 경우에 따라서는 히팅 챔버(114) 대신에 공정챔버(115)를 더 부착할수 도 있다. 여기서 로드락 챔버(113)와 히팅 챔버(114), 공정 챔버(115-1, 115-2, 115-3) 는 각각 글래스 기판 2매를 안착시킬 수 있도록 설계되어 있으며 진공 로봇(112)도 동시에 글래스 기판 2매를 핸들링(Handling)할 수 있도록 설계되었다. 구체적으로 설명하면, ＜도3＞과 ＜도4＞은 로드락 챔버의 구조를 도식화 한 것인데, 각각 상기 로드락 챔버의 측면 단면도와 트랜스퍼 챔버에서 바라 본 단면도를 나타낸다. 그림에서 로드락 챔버(113-1,113-2) 는 상하로 겹쳐서 구성되어 있으며 각각의 로드락 챔버(113)내에는 공정 챔버(115)에서 공정 진행 중에 가열되었던 글래스 기판을 냉각시키는 쿨링 플레이트(130)와 글래스 기판을 지지하는 다수개의 핀(131)이 존재한다. 여기서 쿨링 플레이트는 상하 수직 운동한다. 즉, 평상시 하부에 위치하나 글래스 기판을 쿨링 하고자 할 때에 핀(131) 위에 놓여있는 기판과 밀착하기 위하여 상 방향으로 수직 이동하며, 쿨링된 기판을 로드락 챔버에서 꺼내고자 할 때에는 로봇 손(Hand)이 기판과 쿨링 플래이트 사이에 도달할 수 있도록 아래 방향으로 이동한다. 또 로드락 챔버에는 로드락 챔버를 진공상태와 대기압 상태로 만들기 위한 진공펌프(미도시)와 가스 벤트라인(Vent Line)이 부착되어 있다.

본 발명의 듀얼(Dual) 글래스 기판 처리방식의 클러스터드 PECVD 장치의 동작은 다음과 같이 진행된다. 먼저 로드락 챔버(113)가 대기압 상태에서 로드락 도어(121-1,121-2) 가 오픈(Open)되면 글래스 기판(116)이 외부의 반송장치(미도시)에 의해 로드락 챔버 로 이송되어 핀(131) 위에 올려진다. 이때 쿨링 플레이트(130) 는 다운(Down)되어 있는 상태이다. 이어 다음 글래스 기 판이 동일한 방법으로 첫 번째 글래스 기판과 나란하게 로딩 된다. 다음으로 로드락 도어(121)가 클로즈(Close)된 후, 로드락 챔버(113)를 진공펌프(미도시)를 가동하여 진공상태로 만든다. 로드락 챔버(13)의 진공 상태가 원하는 수준(트랜스퍼 챔버의 진공도과 근사한 상태의 진공도)에 이르면 로드락 챔버와 트랜스퍼 챔버 사이에 부착된 게이트 밸브(122-1,122-2)가 열리며 진공로봇(112)이 동작하여 동시에 글래스 기판 2매를 로드락 챔버에서 히팅 챔버(114)로 이송한다. 여기서 트랜스퍼 챔버(111)의 중앙에 있는 진공로봇(112)의 엔드이펙트(117) 는 글래스 기판 2매를 나란히 둘 수 있도록 구성되어 있다. ＜도5＞는 히팅 챔버(114)의 단면 모습으로 상기 히팅 챔버는 다수의 히팅 슬롯(141)이 글래스 기판을 2매 올려놓을 수 있도록 설계되며 각각의 히팅 슬롯 내부에는 열을 공급할 수 있는 히터(미도시)와 글래스 기판을 지지하는 핀(152)으로 구성되어 있다. 한편 전체의 히팅 슬롯은 히팅 카셋트(153)에 담겨져 있으며 히팅 카셋트는 글래스 기판의 용이한 출입을 위해 상하로 움직일 수 있도록 구성되었다. 상기와 같은 동작을 반복하여 히팅 챔버의 여러 히팅 슬롯에 각각의 글래스 기판이 로딩 되며 글래스 기판은 히팅 챔버에서 일정시간 가열 후 ＜도6＞에서 묘사된 공정 챔버(115-1,115-2,115-3)로 이송되어 글래스 기판에 박막을 증착하게 된다. 이때 에도 글래스 기판은 동시에 2매가 이송되며, 공정챔버(115)도 글래스 기판 2매가 동시에 안착되도록 구성되었다. 한편 트랜스퍼 챔버로부터 공정 챔버로의 이송과 공정 챔버 내에서의 동작을 자세하게 설명하면, 글래스 기판이 공정 챔버로 이동될 때 트랜스퍼 챔버(111)와 공정 챔버(115)간의 게이트 밸브(122-3,122-4,122-5)가 오픈(Open)되며 트랜스퍼 챔버내의 로봇이 히팅 챔버(114)내의 글래스 기판을 2매씩 꺼내어 공정 챔버로 보내어 공정 챔버내의 기판 업다운핀(162)위에 올려 놓고 엔드이펙트(117)가 빠져나오면 게이트 밸브(122)를 클로즈(Close)한다. 이어 기판에 열을 공급하는 서셉터(161)가 수직 상승 하게 하여 글래스 기판과 접하게 되고 진공펌프를 가동하여 공정 챔버를 진공 상태로 만들며 동시에 기판을 서셉터를 통하여 가열하고 공정 가스를 공급하면서 고주파 파워을 인가하여 공급된 가스의 플라즈마를 여기(excitation)시켜 원하는 박막을 증착한다. 이때 형성되는 박막은 박막 트랜지스터(Thin film transistor)를 형성하는 데 필요한 실리콘 나이트라이드(SiNx), 실리콘 다이 옥사이드(SiO2), 비정질실리콘(a-Si), 테트라 에틸 오르토 실리케이트(TEOS)막 등이며 이들은 동일 글래스 기판위에서 서로 다른 층을 이루며 증착된다. 연속하여 히팅챔버(114)에서 가열된 글래스 기판은 동시에 2매씩 각기 다른 공정챔버(115)로 이송되며 그곳에서 증착이 이루어지고 박막의 형성이 완료된 글래스 기판은 박막의 특성에 따라서 다시 히팅챔버(114)에 이송하여 후 열처리(Post anneal)을 하기도 하고 곧바로 언로드(Un-load)용 로드락챔버로 이송한다. 원하는 박막이 증착된 글래스 기판 2매가 동시에 로드락 챔버에 로딩되면 로드락 챔버(113)과 트랜스퍼 챔버(111) 사이에 부착된 게이트 밸브(122)을 닫고, 쿨링 플레이트(130)가 기판 쪽으로 수직 상승하여 글래스 기판과 접하도록 하여 글래스 기판을 를 냉각시키면서 로드락 챔버에 질소가스(N2)을 주입하여 진공 상태를 해제시킨다. 로드락 챔버의 진공이 해제되고 대기압 상태가 되면 로드락의 도어(121)을 열고 외부 반송장치를 이용하여 글래스 기판을 언 로딩(Un-loading)하여 외부의 글래스 기판 카셋트에 모두 장착한 후 다음 단계의 제조공정으로 보낸다.

또한 본 발명의 듀얼(Dual) 글래스 기판 처리방식의 클러스터드 PECVD 장치의 구성 및 동작은 화학 증착 장치 뿐만이 아니라 다른 제조공정 중 PECVD 장치로 형성한 박막을 선택적으로 제거하는데 사용되는 플라즈마 건식식각(Dry Etching) 장치 및 전도성 금속막을 형성하는데 사용되는 스퍼터링(Sputtering) 장치에도 응용가능하다.

이와 같이, 본 발명에 따른 새로운 타입의 듀얼(Dual) 기판 처리 방식 클러스터드 PECVD 장치를 대형 액정표시 장치와 차세대 유기물 발광다이오드 형 영상표시장치 제조용으로 사용하게 되면, 종래 클러스터드 PECVD 장치에 비하여 장비의 점유면적(Foot Print)는 크게 증가하지 않으나, 2매의 기판을 동시에 공정 진행할 수 있음으로 시간당 공정 처리능력(Through-put)의 향상, 기판 당 공정 가스(SiH4, NH3, H2, N2, PH3 등)의 소모량 절감, 그리고 전력 소모량의 절감 등을 기대할 수 있으며 그에 따라서 전체적인 생산성이 크게 향상된다.

Claims

클러스터드(Clustered) 플라즈마 화학 증착 장치에 있어서

로봇(Robot)이 구비된 트랜스퍼 챔버와;

상기 트랜스퍼 챔버에 부착된 로드락(Load-lock) 챔버와;

상기 트랜스퍼 챔버에 부착된 히팅(Heating) 챔버와;

상기 트랜스퍼 챔버에 부착된 공정(Process) 챔버를 포함하며 상기 로드락 챔버,

히팅 챔버, 공정 챔버가 글래스 기판 2매를 동시에 안치할 수 있도록 구성되는 것을 특징

으로 하는 플라즈마 화학 증착 장치.
제1항에 있어서,

로드락 챔버를 2개 중첩하여 트랜스퍼 챔버에 부착하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 화학

증착 장치
제1항에 있어서 5개의 변을 갖는 5각형 형태의 트랜스퍼 챔버가 중앙에

위치하며, 상기 트랜스퍼 챔버의 중앙에는 글래스 기판을 이송하는 로

봇이 장착되어 있으며, 트랜스퍼 챔버의 주변으로 한 변에 2개의

로드락 챔버가 중첩되어 상하로 부착되고, 또 다른 한 변에는 여러 개의

층(슬롯)을 가지는 히팅 챔버가 부착되며, 나머지 세 변에는 공정 챔버

가 부착되는 플라즈마 화학 증착 장치.
제1항 및 3항에 있어서, 로드락 챔버에는 글래스 기판을 냉각하는 쿨링 플레이트가 구비되며 글래스 기판을 로링 및 언로딩할 때 상기 쿨링 플레이트가 수직 상하 이동하는 것을 특징으로 한다.
제1항 및 3항에 있어서, 히팅 챔버에는 다수의 글래스 기판을 안치시킬 수 있도록 다수의 층(슬롯)을 갖는 히팅 카셋트가 구비되며 상기 히팅 카셋트는 수직 상하이동 하는 것을 특징으로 한다.
클러스터드(Clustered) 플라즈마 화학 증착 장치에 있어서

로봇(Robot)이 구비된 트랜스퍼 챔버와 상기 트랜스퍼 챔버에 부착된 로드락(Load-lock) 챔버와 상기 트랜스퍼 챔버에 부착된 공정(Process) 챔버를 포함하며 상기 로드락 챔버, 히팅 챔버, 공정 챔버가 글래스 기판 2매를 동시에 안치할 수 있도록 구성되는 것을 특징 으로 하는 플라즈마 화학 증착 장치.
제6항에 있어서, 로드락 챔버를 2개 중첩하여 트랜스퍼 챔버에 부착하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 화학 증착 장치
제6항에 있어서 5개의 변을 갖는 5각형 형태의 트랜스퍼 챔버가 중앙에

위치하며, 상기 트랜스퍼 챔버의 중앙에는 글래스 기판을 이송하는 로봇

이 장착되어 있으며, 트랜스퍼 챔버의 주변으로 한 변에 2개의 로드락 챔

버가 중첩되어 상하로 부착되고, 나머지 세 변에는 공정 챔버가 부착되는

플라즈마 화학 증착 장치.
제6항 및 8항에 있어서, 로드락 챔버에는 글래스 기판을 냉각하는 쿨링 플레이트가 구비되며 글래스 기판을 로링 및 언로딩할 때 상기 쿨링 플레이트가 수직 상하 이동하는 것을 특징으로 한다.
제6항 및 8항에 있어서, 히팅 챔버에는 다수의 글래스 기판을 안치시킬 수 있도록 다수의 층(슬롯)을 갖는 히팅 카셋트가 구비되며 상기 히팅 카셋트는 수직 상하이동 하는 것을 특징으로 한다.
클러스터드(Clustered) 플라즈마 건식 식각장치(Dry Etcher)에 있어서

로봇(Robot)이 구비된 트랜스퍼 챔버와 상기 트랜스퍼 챔버에 부착된 로드락(Load-lock) 챔버와 상기 트랜스퍼 챔버에 부착된 히팅(Heating) 챔버와;

상기 트랜스퍼 챔버에 부착된 식각(Etching)공정을 수행할 수 있는 공정(Process) 챔버를 포함하며 상기 로드락 챔버, 히팅 챔버, 공정 챔버가 글래스 기판 2매를 동시에 안치할 수 있도록 구성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 건식 식각 장치.
제11항에 있어서, 로드락 챔버를 2개 중첩하여 트랜스퍼 챔버에 부착하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 건식 식각 장치
제11항에 있어서 5개의 변을 갖는 5각형 형태의 트랜스퍼 챔버가 중앙에 위

치하며, 상기 트랜스퍼 챔버의 중앙에는 글래스 기판을 이송하는 로봇이

장착되어 있으며, 트랜스퍼 챔버의 주변으로 한 변에 2개의 로드락 챔버가

중첩되어 상하로 부착되고, 또 다른 한 변에는 여러 개의 층(슬롯)을 가지

는 히팅 챔버가 부착되며, 나머지 세 변에는 공정 챔버가 부착되는 플라즈

마 건식 식각 장치.
제11항 및 13항에 있어서, 로드락 챔버에는 글래스 기판을 냉각하는 쿨링 플레이트가 구비되며 글래스 기판을 로링 및 언로딩할 때 상기 쿨링 플레이트가 수직 상하 이동하는 것을 특징으로 한다.
제11항 및 13항에 있어서, 히팅 챔버에는 다수의 글래스 기판을 안치시킬 수 있도록 다수의 층(슬롯)을 갖는 히팅 카셋트가 구비되며 상기 히팅 카셋트는 수직 상하이동 하는 것을 특징으로 한다.
클러스터드(Clustered) 플라즈마 건식식각(Dry Etching) 장치에 있어서

로봇(Robot)이 구비된 트랜스퍼 챔버와 상기 트랜스퍼 챔버에 부착된 로드락(Load-lock) 챔버와 상기 트랜스퍼 챔버에 부착된 공정(Process) 챔버를 포함하며 상기 로드락 챔버, 히팅 챔버, 공정 챔버가 글래스 기판 2매를 동시에 안치할 수 있도록 구성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 건식식각 장치.
제16항에 있어서, 로드락 챔버를 2개 중첩하여 트랜스퍼 챔버에 부착하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 건식 식각 장치
제16항에 있어서 5개의 변을 갖는 5각형 형태의 트랜스퍼 챔버가 중앙에 위

치하며, 상기 트랜스퍼 챔버의 중앙에는 글래스 기판을 이송하는 로봇이

장착되어 있으며, 트랜스퍼 챔버의 주변으로 한 변에 2개의 로드락 챔버

가 중첩되어 상하로 부착되고, 나머지 세 변에는 공정 챔버가 부착되는 플

라즈마 건식 식각 장치.
제16항 및 18항에 있어서, 로드락 챔버에는 글래스 기판을 냉각하는 쿨링 플레이트가 구비되며 글래스 기판을 로링 및 언로딩할 때 상기 쿨링 플레이트가 수직 상하 이동하는 것을 특징으로 한다.
제16항 및 18항에 있어서, 히팅 챔버에는 다수의 글래스 기판을 안치시킬 수 있도록 다수의 층(슬롯)을 갖는 히팅 카셋트가 구비되며 상기 히팅 카셋트는 수직 상하 이동 하는 것을 특징으로 한다.
제1항부터 20항까지에 있어서, 공정 챔버를 금속막을 형성하는 스퍼터링 장치

에 적합하도록 구성하며 상기 스퍼터링 공정 챔버를 트랜스퍼 챔버에 부착하여

사용하는 클러스터트 스퍼터링 장치.