KR100852577B1 - 플라즈마 처리 장치, 플라즈마 처리 방법 및 기억 매체 - Google Patents

Abstract

기판 처리실을 갖는 플라즈마 처리 장치는 플라즈마의 배기 공간으로의 누출을 방지한다. 기판 처리실은 기판에 플라즈마 처리를 실시하는 처리 공간, 상기 처리 공간 밖으로 가스를 배기하기 위한 배기 공간, 상기 배기 공간과 상기 처리 공간을 연통시키는 배기 유로를 갖는다. 플라즈마 처리 장치는 배기 유로에 배치되고 전기적으로 접지되는 접지 부품을 더 구비한다. 접지 부품은 도전성 재료로 이루어지는 도전부를 갖고, 도전부의 배기 유로에 대한 노출 면적은 100~1000㎠의 범위 내이다.

Description

플라즈마 처리 장치, 플라즈마 처리 방법 및 기억 매체{PLASMA PROCESSING APPARATUS, PLASMA PROCESSING METHOD, AND STORAGE MEDIUM}

도 1은 본 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 개략 구성을 나타내는 단면도,

도 2는 접지 링(grounding ring)의 변형예를 나타내는 단면도,

도 3(a)~도 3(f)는 노출 면적이 다른 접지 링을 나타내는 단면도,

도 4는 접지 링에 있어서의 도전부의 노출 면적을 변화시켰을 때의 배기 공간에서의 플라즈마의 발광 강도를 나타내는 그래프.

도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명

10 : 플라즈마 처리 장치

11 : 기판 처리실

12 : 서셉터

13 : 측벽 부재

14 : 도전체부

16 : 배기 유로

ES : 배기 공간

PS : 처리 공간

W : 웨이퍼

본 발명은 플라즈마 처리 장치, 플라즈마 처리 방법 및 기억 매체에 관한 것이다.

기판으로서의 웨이퍼가 반입되는 처리 공간을 갖는 기판 처리실과, 해당 기판 처리실내에 배치되고 또한 무선 주파수 전원에 접속된 하부 전극과, 해당 하부 전극과 대향하도록 배치된 상부 전극을 구비하는 평행 평판형의 플라즈마 처리 장치가 알려져 있다. 이 플라즈마 처리 장치에서는, 처리 공간에 도입된 처리 가스로부터 플라즈마를 생성하여, 해당 플라즈마를 소망하는 상태로 유지해서 웨이퍼에 플라즈마 처리, 예컨대, 에칭 처리를 실시한다. 또한, 플라즈마 처리 장치는 처리 공간과 연통되는 배기 공간을 갖고, 해당 배기 공간에는 처리 공간의 잉여 가스 등을 배기하기 위한 배기관 등이 개구되어 있다.

플라즈마 처리 장치에서는, 처리 공간에 면하는 장치 구성 부품은 알루마이트나 산화이트륨(Y₂O₃) 등의 절연성막으로 덮어지지만, 배기 공간에 면하는 장치 구 성 부품은 절연성막으로 덮어지지 않거나, 또는, 매우 얇은 절연성막만으로 덮어져 있다. 따라서, 처리 공간과 배기 공간 사이에 전위차가 발생하여, 해당 전위차에 따라 처리 공간의 플라즈마에 있어서의 전자가 배기 공간으로 인입된다. 그 결과, 플라즈마가 배기 공간으로 누출(leak)된다.

특히, 최근, 플라즈마 처리 성능의 향상을 목적으로, 상부 전극을 DC 전원에 접속하여 처리 공간에 DC 전압을 인가하는 플라즈마 처리 장치가 개발되어 있다. 처리 공간에 DC 전압이 인가되면, 해당 처리 공간에는 다량의 전자가 발생한다. 해당 다량의 전자는 전술한 전위차에 따라 배기 공간에 인입되어, 다량의 플라즈마가 배기 공간으로 누출된다.

배기 공간으로 플라즈마가 누출되면, 배기관에서 이상 방전이 발생할 수도 있어, 해당 배기관을 파손시킬 우려가 있다. 또한, 처리 공간의 플라즈마 밀도가 저하되어, 웨이퍼에 소망하는 플라즈마 처리를 실시하기 어려워질 수도 있다.

이에 따라, 플라즈마의 배기 공간으로의 누출을 방지하는 수많은 방법이 개발되어 있다. 예컨대, 기판 처리실의 애노드/캐소드비(anode/cathode ratio)를 크게 하면 배기 공간으로의 플라즈마의 누출이 감소하는 것이 알려져 있어, 기판 처리실의 애노드/캐소드비를 크게 하는 방법, 구체적으로는 기판 처리실 내에 배치된 웨이퍼의 탑재대의 측면 면적을 크게 하는 방법, 처리 공간과 배기 공간 사이에 배기 플레이트를 마련하는 방법 및 전기적 도통에 의해서 전술한 전위차를 해소하는 방법(예컨대, 일본 특허 공개 공보 제 2001-240973 호 참조)이 알려져 있다.

그러나, 기판 처리실의 애노드/캐소드비를 크게 하는 방법에서는, 플라즈마 처리 장치의 크기가 너무 커진다고 하는 문제가 있다. 또한, 배기판을 마련하는 방법에서는, 처리 공간으로부터의 잉여 가스 등의 배기 효율이 저하된다고 하는 문제가 있다. 또한, 전위차를 해소하기 위해서는, 배기 공간에 면하는 장치 구성 부품을 절연성막으로 피복해야 하여, 플라즈마 처리 장치의 제조 비용이 증가된다는 문제가 있다. 따라서, 플라즈마의 배기 공간으로의 누출을 방지하는 것은 곤란하다.

본 발명의 목적은 플라즈마의 배기 공간으로의 누출을 방지할 수 있는 플라즈마 처리 장치, 플라즈마 처리 방법 및 기억 매체를 제공하는 것에 있다.

상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명은, 기판에 플라즈마 처리가 실시되는 처리 공간, 상기 처리 공간 밖으로 가스를 배기하기 위한 배기 공간, 및 상기 배기 공간과 상기 처리 공간을 연통시키는 배기 유로를 갖는 기판 처리실을 갖는 플라즈마 처리 장치에 있어서, 상기 플라즈마 처리 장치는 상기 배기 유로에 배치되고 전기적으로 접지되는 접지 부품을 더 갖고, 상기 접지 부품은 도전성 재료로 이루어지는 도전부를 가지며, 상기 도전부의 상기 배기 유로에 대한 노출 면적은 100~1000㎠인 플라즈마 처리 장치를 제공한다.

상기 구성에 의하면, 전기적으로 접지되는 접지 부품이 배기 공간과 처리 공 간을 연통시키는 배기 유로에 배치되고, 해당 접지 부품의 도전부의 배기 유로에 대한 노출 면적은 100~1000㎠의 범위이다. 처리 공간으로 배기 유로로 유입된 플라즈마 중의 전자는 접지 부품에 도입된다. 또한, 접지 부품의 도전부의 배기 유로에 대한 노출 면적이 100㎠ 이상이기 때문에, 도전부와 전자의 접촉 면적을 충분히 확보할 수 있다. 그 결과, 전자가 배기 공간으로 인입되지 않아, 플라즈마의 배기 공간으로의 누출을 방지할 수 있다. 또한, 접지 부품의 도전부의 배기 유로에 대한 노출 면적이 1000㎠ 이하이기 때문에, 접지 부품에 의해서 처리 공간의 전압이 과도하게 저하되는 것을 방지할 수 있어, 플라즈마 착화 성능의 저하를 방지할 수 있다.

바람직하게는, 플라즈마 처리 장치는 처리 공간으로 DC 전압을 인가하는 DC 전극을 더 갖는다.

상기 구성에 의하면, 처리 공간으로 DC 전압을 인가하는 DC 전극을 제공한다. 처리 공간으로 DC 전압을 인가하면, 처리 공간에서 다량의 전자가 생성된다. 그러나, 배기 유로에 다량의 전자가 유입되더라도, 전자는 접지 부품으로 유도된다. 그 결과, 다량의 전자가 배기 공간으로 인입되지 않아, 플라즈마의 배기 공간으로의 누출을 방지할 수 있다.

바람직하게는, 도전성 재료는 실리콘, 실리콘 카바이드 및 비정질 카본으로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 적어도 하나를 포함한다.

상기 구성에 의하면, 접지 부품의 도전부를 구성하는 도전성 재료는 실리콘, 실리콘 카바이드 및 비정질 카본으로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 적어도 하나 를 포함한다. 그 결과, 접지 부품이 금속 오염원으로 되지 않아, 기판에 대한 금속 오염을 방지할 수 있다.

또한, 상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명은, 기판에 플라즈마 처리가 실시되는 처리 공간, 상기 처리 공간 밖으로 가스를 배기하기 위한 배기 공간, 및 상기 배기 공간과 상기 처리 공간을 연통시키는 배기 유로를 갖는 기판 처리실과, 상기 배기 유로에 배치되고 전기적으로 접지되는 접지 부품을 갖되, 상기 접지 부품은 도전성 재료로 이루어지는 도전부를 갖고, 상기 도전부의 상기 배기 유로에 대한 노출 면적은 100~1000㎠인 플라즈마 처리 장치에서의 플라즈마 처리 방법에 있어서, 상기 처리 공간에서 플라즈마를 생성하는 플라즈마 생성 단계와, 상기 플라즈마 중의 전자를 상기 접지 부품으로 도입하는 전자 도입 단계를 갖는 플라즈마 처리 방법을 제공한다.

상기 구성에 의하면, 배기 유로에 의해서 배기 공간과 연통된 처리 공간에서 플라즈마가 생성되어, 해당 플라즈마 중의 전자가, 배기 유로에 노출되는 배기 유로에 대한 노출 면적이 100~1000㎠의 범위내인 도전부를 갖고 전기적으로 접지되는 접지 부품에 도입된다. 접지 부품의 도전부의 배기 유로에 대한 노출 면적이 100㎠ 이상이기 때문에, 도전부와 전자의 접촉 면적을 충분히 확보할 수 있다. 그 결과, 전자가 배기 공간으로 인입되지 않아, 플라즈마의 배기 공간으로의 누출을 방지할 수 있다. 또한, 접지 부품의 도전부의 배기 유로에 대한 노출 면적이 1000㎠ 이하이기 때문에, 처리 공간의 전압이 접지 부품에 의해서 과도하게 저하되는 것을 방지할 수 있어, 플라즈마 착화 성능이 저하되는 것을 방지할 수 있다.

바람직하게는, 플라즈마 처리 방법은 처리 공간으로 DC 전압을 인가하는 DC 전압 인가 단계를 더 포함하고 있다.

상기 구성에 의하면, 처리 공간에 DC 전압이 인가된다. 처리 공간에 DC 전압이 인가되면, 해당 처리 공간에 다량의 전자가 발생한다. 그러나, 다량의 전자가 배기 유로에 유입되더라도, 해당 전자가 접지 부품으로 도입된다. 그 결과, 다량의 전자가 배기 공간으로 인입되지 않아, 플라즈마의 배기 공간으로의 누출을 방지할 수 있다.

또한, 상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명은, 기판에 플라즈마 처리가 실시되는 처리 공간, 상기 처리 공간 밖으로 가스를 배기하기 위한 배기 공간, 및 상기 배기 공간과 상기 처리 공간을 연통시키는 배기 유로를 갖는 기판 처리실과, 상기 배기 유로에 배치되고 전기적으로 접지되는 접지 부품을 구비하되, 상기 접지 부품은 도전성 재료로 이루어지는 도전부를 갖고, 상기 도전부의 상기 배기 유로에 대한 노출 면적은 100~1000㎠인 플라즈마 처리 장치에서의 플라즈마 처리 방법을 컴퓨터에게 실행시키는 프로그램을 저장하는 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체에 있어서, 상기 프로그램은 상기 처리 공간에서 플라즈마를 생성하는 플라즈마 생성 모듈과, 상기 플라즈마 중의 전자를 상기 접지 부품으로 도입하는 전자 도입 모듈을 갖는 기억 매체를 제공한다.

본 발명의 상기 목적 및 다른 목적, 특징, 장점은 첨부 도면과 관련한 이하의 설명으로부터 명백해질 것이다.

지금, 본 발명에 대해서, 해당 실시예에서의 첨부 도면을 참조하여 이하에 상세히 설명한다.

도 1은 본 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 개략 구성을 나타내는 단면도이다. 이 플라즈마 처리 장치는 기판으로서의 반도체 웨이퍼 W에 RIE(Reactive Ion Etching) 처리를 실시하도록 구성되어 있다.

도 1에 도시한 바와 같이, 플라즈마 처리 장치(10)는 원통형의 기판 처리실(11)을 갖고, 해당 기판 처리실(11)은 상부에 처리 공간 PS를 갖는다. 처리 공간 PS에는 후술하는 플라즈마가 발생한다. 또한, 기판 처리실(11) 내에는, 예컨대, 직경이 300㎜인 반도체 웨이퍼 W(이하, 간단히 「웨이퍼 W」라고 함)를 탑재하는 탑재대(stage)로서의 원기둥 형상의 서셉터(12)가 배치되어 있다. 기판 처리실(11)의 내벽면은 측벽 부재(13)로 덮어져 있다. 해당 측벽 부재(13)는 알루미늄으로 이루어지고, 그 처리 공간 PS에 면하는 면은 산화이트륨이나 소정의 두께를 갖는 알루마이트로 코팅되어 있다. 기판 처리실(11)은 전기적으로 접지되어 있어, 측벽 부재(13)의 전위는 접지 전위다. 또한, 서셉터(12)는 도전성 재료, 예컨대, 알루미늄으로 이루어지는 도전체부(14)와, 해당 도전체부(14)의 측면을 덮는 절연성 재료로 이루어지는 서셉터 측면 피복 부재(15)를 갖는다.

플라즈마 처리 장치(10)에서는, 서셉터(12) 위쪽의 가스를 기판 처리실(11) 밖으로 배출하는 유로로서 기능하는 배기 유로(16)가 기판 처리실(11)의 내측벽과 서셉터(12)의 측면 사이에 형성된다. 이 배기 유로(16)에는, 다수의 통기 구멍(47)을 갖는 판 형상 부재인 배기 플레이트(17)가 배치된다. 해당 배기 플레이 트(17)는 배기 유로(16) 및, 기판 처리실(11)의 하부 공간인 배기 공간 ES를 구획한다. 여기서, 배기 유로(16)는 배기 공간 ES 및 처리 공간 PS를 연결시킨다. 또한, 배기 공간 ES에는 러핑 배기관(roughing exhaust pipe)(18) 및 주 배기관(19)이 개구되어 마련되어 있다. 러핑 배기관(18)에는 DP(dry pump)(도시하지 않음)가 접속되고, 주 배기관(19)에는 TMP(turbo-molecular-pump)(도시하지 않음)가 접속된다. 또한, 배기 공간 ES에서, 해당 배기 공간 ES에 면하는 부품 및 내벽의 표면은 도전성 재료가 노출되어 있으며, 매우 얇은 절연성막으로만 덮어져 있다. 따라서, 처리 공간 PS 및 배기 공간 ES 사이에 전위차가 발생한다.

러핑 배기관(18), 주 배기관(19), DP 및 TMP는 모두 배기 장치를 구성한다. 러핑 배기관(18) 및 주 배기관(19)은 처리 공간 PS 내의 가스를 배기 유로(16) 및 배기 공간 ES를 거쳐서 기판 처리실(11)의 외부로 배출한다. 구체적으로는, 러핑 배기관(18)은 기판 처리실(11) 내를 대기압으로부터 저진공 상태까지 감압하고, 주 배기관(19)은 러핑 배기관(18)과 협력하여 기판 처리실(11) 내를 대기압으로부터 저진공 상태보다 낮은 압력인 고(高)진공 상태(예컨대, 133Pa(1Torr) 이하)까지 감압한다.

서셉터(12)의 도전체부(14)에는 무선 주파수 전원(20)이 정합기(matcher)(21)를 거쳐서 접속되어 있다. 해당 무선 주파수 전원(20)은 비교적 높은 주파수, 예컨대, 40㎒의 무선 주파수 전력을 도전체부(14)에 공급한다. 이에 따라, 서셉터(12)의 도전체부(14)는 RF 전극으로서 기능한다. 정합기(21)는, 도전체부(14)로부터의 무선 주파수 전력의 반사를 저감하여, 무선 주파수 전력의 도전 체부(14)로의 공급 효율을 최대로 한다. 또한, 도전체부(14)에는, 또 다른 무선 주파수 전원(22)이 정합기(23)를 거쳐서 접속되어 있다. 해당 또 다른 무선 주파수 전원(22)은 무선 주파수 전원(20)이 공급하는 무선 주파수 전력보다 낮은 주파수, 예컨대, 2㎒의 무선 주파수 전력을 도전체부(14)에 공급한다. 정합기(23)는 정합기(21)와 동일한 기능을 갖는다. 이상으로부터, 서셉터(12)는 40㎒의 무선 주파수 전력 및 2㎒의 무선 주파수 전력을 처리 공간 PS에 인가한다.

서셉터(12)의 상부에는, 전극판(24)을 내부에 갖는 디스크 형상의 정전척(25)이 배치되어 있다. 서셉터(12)가 웨이퍼 W를 탑재할 때, 해당 웨이퍼 W는 정전척(25)상에 배치된다. 전극판(24)에는 DC 전원(26)이 전기적으로 접속되어 있다. 전극판(24)에 음(negative)의 DC 전압이 인가되면, 웨이퍼 W의 뒷면에는 정전위가 발생한다. 따라서, 전극판(24)과 웨이퍼 W의 뒷면 사이에 전위차가 발생하여, 해당 전위차에 기인하는 쿨롱력(Coulomb force) 또는 죤슨-라벡(Johnsen-Rahbek)력에 의해서 웨이퍼 W는 정전척(25)의 상면에 흡착 유지된다.

서셉터(12)의 상부에는, 서셉터(12)의 상면에 흡착 유지된 웨이퍼 W의 주위를 둘러싸도록 고리 형상의 포커스링(27)이 배치된다. 이 포커스 링(27)은 실리콘(Si) 또는 실리카(SiO₂)로 이루어진다. 포커스 링(27)은 처리 공간 PS에 노출되고, 해당 처리 공간 PS의 플라즈마를 웨이퍼 W의 정면을 향해 포커싱하여, 이에 따라 RIE 처리의 효율을 향상시킨다. 또한, 포커스 링(27)의 주위에는, 해당 포커스 링(27)의 측면을 보호하는, 석영(quartz)으로 이루어지는 고리 형상의 커버 링(cover ring)(28)이 배치되어 있다.

서셉터(12)의 내부에는, 예컨대, 서셉터(12)의 원주 방향으로 연장되는 고리 형상의 냉매실(29)이 마련된다. 이 냉매실(29)에는, 냉각 유닛(chiller unit)(도시하지 않음)으로부터 냉매용 배관(30)을 거쳐서 소정 온도의 냉매, 예컨대, 냉각수나 Galden(등록상표)액이 순환된다. 해당 냉매의 온도에 의해서 서셉터(12)의 상면에 흡착 유지된 웨이퍼 W의 처리 온도가 제어된다.

서셉터(12)의 상면의 웨이퍼 W가 흡착 유지되는 부분(이하, 「흡착면」이라 함)에는, 복수의 열 전도 가스 공급 구멍(31)이 마련되어 있다. 상기 열 전도 가스 공급 구멍들(31)은 서셉터(12) 내부에 배치된 열 전도 가스 공급 라인(32)을 거쳐서 열 전도 가스 공급부(도시하지 않음)에 접속된다. 해당 열 전도 가스 공급부는 열 전도 가스로서의 헬륨(He) 가스를, 열 전도 가스 공급 구멍(31)을 거쳐서 흡착면 및 웨이퍼 W의 뒷면간의 간격(gap)에 공급한다.

서셉터(12)의 흡착면에는, 서셉터(12)의 상면으로부터 돌출되도록 이루어져 있는 리피팅 핀(lifting pins)으로서의 복수의 푸셔 핀(pusher pins)(33)이 배치되어 있다. 이들 푸셔 핀(33)은 볼 나사(도시하지 않음)를 거쳐서 모터(도시하지 않음)와 접속되고, 볼나사에 의해서 직선 운동으로 변환된 모터의 회전 운동에 기인하여 서셉터(12)의 흡착면으로부터 돌출되게 된다. 웨이퍼 W에 RIE 처리를 실시하기 위해서 웨이퍼 W를 서셉터(12)의 흡착면에 흡착 유지할 때에는, 푸셔 핀(33)은 서셉터(12)에 수용되고, RIE 처리가 실시된 후에 웨이퍼 W를 기판 처리실(11)로부터 반출할 때에는, 푸셔 핀(33)은 서셉터(12)의 상면으로부터 돌출되어 웨이퍼 W를 서셉터(12)로부터 이격시켜 위쪽으로 리프팅한다.

기판 처리실(11)의 천장부에는, 서셉터(12)와 대향하도록 가스 도입 샤워 헤드(34)가 배치되어 있다. 가스 도입 샤워 헤드(34)는 버퍼실(35)이 내부에 형성된, 절연성 재료로 이루어지는 전극판 지지체(36)와, 해당 전극판 지지체(36)로부터 지지되는 상부 전극판(37)을 구비한다. 상부 전극판(37)은 처리 공간 PS에 그 아래면이 노출된다. 상부 전극판(37)은 도전성 재료, 예컨대, 실리콘으로 이루어지는 디스크 형상의 부재이다. 상부 전극판(37)의 주연부는 절연성 재료로 이루어지는 고리 형상의 쉴드 링(shield ring)(38)에 의해서 덮어진다. 따라서, 상부 전극판(37)은 접지 전위인 기판 처리실(11)의 벽으로부터 전극판 지지체(36) 및 쉴드 링(38)에 의해서 전기적으로 절연되어 있다.

DC 전원(39)은 상부 전극판(37)과 전기적으로 접속되어 있고, 상부 전극판(37)에는 음의 DC 전압이 인가되어 있다. 따라서, 상부 전극판(37)은 처리 공간 PS에 DC 전압을 인가한다. 상부 전극판(37)에는 DC 전압이 인가되기 때문에, 상부 전극판(37)과 DC 전원(39) 사이에 정합기를 배치할 필요가 없어, 종래의 플라즈마 처리 장치와 같이 상부 전극판에 정합기를 거쳐서 무선 주파수 전원을 접속하는 경우에 비해서, 플라즈마 처리 장치(10)의 구조를 간소화할 수 있다.

전극판 지지체(36)의 버퍼실(35)에는 처리 가스 공급부(도시하지 않음)로부터의 처리 가스 도입관(40)이 접속되어 있다. 또한, 가스 도입 샤워 헤드(34)는 버퍼실(35)을 처리 공간 PS에 연결시키는 복수의 가스 구멍(41)을 갖는다. 가스 도입 샤워 헤드(34)는 처리 가스 도입관(40)으로부터 버퍼실(35)로 공급된 처리 가 스를 가스 구멍(41)을 통해 처리 공간 PS로 공급한다.

기판 처리실(11)의 측벽에는, 푸셔 핀(33)에 의해서 서셉터(12)로부터 위쪽으로 리프팅된 웨이퍼 W의 높이에 대응하는 위치에 웨이퍼 W의 반출입구(42)가 마련되어 있다. 반출입구(42)에는, 해당 반출입구(42)를 개폐하는 게이트 밸브(43)가 마련되어 있다.

이 플라즈마 처리 장치(10)의 기판 처리실(11) 내에서는, 상술한 바와 같이, 서셉터(12)의 도전체부(14)가 서셉터(12)와 상부 전극판(37) 사이의 공간 즉 처리 공간 PS에 무선 주파수 전력을 인가함으로써, 가스 도입 샤워 헤드(34)로부터 처리 공간 PS로 공급된 처리 가스를 고밀도의 플라즈마로 변환하여 양이온이나 래디컬을 발생시킨다. 또한, 상부 전극판(37)이 처리 공간 PS에 DC 전압을 인가함으로써 플라즈마를 소망하는 상태로 유지한다. 양이온이나 래디컬에 의해서 웨이퍼 W에 RIE 처리를 실시한다.

또한, 플라즈마 처리 장치(10)에서는, 배기 유로(16)에서의 배기 플레이트(17)의 근방에 접지 링(44)(접지 부품)이 배치되어 있다. 접지 링(44)은 전기적으로 접지되어 있는, 도전성 재료, 예컨대, 실리콘으로 이루어지는 도전부(45)와, 해당 도전부(45)의 표면을 덮는 절연성 재료로 이루어지는 절연성막(46)을 구비한다. 절연성막(46)은 도전부(45)의 표면을 부분적으로 덮고 있어, 해당 도전부(45)의 표면 일부는 배기 유로(16)에 대하여 노출된다. 배기 유로(16)에 노출된 도전부(45)의 노출 면적은 100~1000㎠의 범위 내로 설정된다. 또한, 접지 링(44)은 서셉터(12)의 측면을 둘러싸도록 배치되어 있다.

플라즈마 처리 장치(10)에서는, 처리 공간 PS에서 플라즈마가 생성되면, 해당 플라즈마 중의 전자는 처리 공간 PS와 배기 공간 ES간의 전위차에 따라 배기 유로(16)로 유입된다. 특히, 플라즈마 처리 장치(10)에서는, 처리 공간 PS에 DC 전압이 인가되기 때문에, 해당 처리 공간 PS에 다량의 전자가 발생한다. 여기서, 일반적으로 전자는 해당 전자의 근방에 존재하는 양극으로 도입되기 때문에, 배기 유로(16)로 유입된 전자는 접지 링(44), 구체적으로는, 배기 유로(16)에 노출되는 도전부(45)의 표면에 도입된다. 그 결과, 배기 유로(16)로 유입된 전자가 배기 공간 ES에 인입되는 것을 방지한다.

다음에, 본 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치가 실행하는 플라즈마 처리 방법에 대하여 설명한다.

플라즈마 처리에서는, 우선, 웨이퍼 W가 기판 처리실(11) 내에 반입되어, 서셉터(12)의 정전척(25) 상에 배치되면, 정전척(25)은 웨이퍼 W를 흡착 유지한다.

다음에, 배기 장치가 기판 처리실(11) 내, 특히, 처리 공간 PS를 소정의 압력까지 감압하고, 가스 도입 샤워 헤드(34)가 처리 가스를 처리 공간 PS에 공급한다. 그 후, 서셉터(12)가 처리 공간 PS에 무선 주파수 전력을 인가하여, 공급된 처리 가스로부터 고밀도의 플라즈마를 생성해서 양이온이나 래디컬을 발생시킨다. 또한, 상부 전극판(37)이 처리 공간 PS에 DC 전압을 인가하여, 플라즈마를 소망하는 상태로 유지한다. 소망하는 상태로 유지된 양이온이나 래디컬은 웨이퍼 W에 RIE 처리를 실시한다.

RIE 처리 중에, 처리 공간 PS의 플라즈마 중의 전자는 처리 공간 PS와 배기 공간 ES간의 전위차에 따라 배기 유로(16)로 유입된다. 배기 유로(16)에 배치되어 있는 접지 링(44)은 배기 유로(16)에 노출되는 도전부(45)의 표면에 전자를 도입한다.

웨이퍼 W의 RIE 처리가 종료되면, 배기 장치는 처리 공간 PS의 잉여 가스 등을 기판 처리실(11)의 외부로 배기하고, 플라즈마 처리 장치(10)는 웨이퍼 W를 기판 처리실(11)로부터 반출한 후에, 본 처리를 종료한다.

플라즈마 처리 장치(10)에 의하면, 전기적으로 접지된 접지 링(44)이 배기 공간 ES 및 처리 공간 PS를 함께 연결시키는 배기 유로(16)에 배치되어 있다. 그 결과, 처리 공간 PS의 플라즈마에 있어서의 전자가 배기 공간 ES로 인입되는 일이 없다. 또한, 플라즈마 처리 장치(10)는 처리 공간 PS에 DC 전압을 인가하는 상부 전극판(37)을 내부에 구비하고 있기 때문에, 처리 공간 PS에 인가되는 DC 전압에 의해서 해당 처리 공간 PS에 다량의 전자가 발생하지만, 해당 다량의 전자는 배기 유로(16)에 유입되더라도, 상기 전자가 접지 링(44)에 도입되기 때문에, 다량의 전자가 배기 공간 ES에 인입되는 일은 없다. 그 결과, 플라즈마의 배기 공간 ES로의 누출을 방지할 수 있다.

또한, 플라즈마 처리 장치(10)에 있어서의 기판 처리실(11)의 애노드/캐소드비가 작더라도(즉, 서셉터(12)의 측면 면적이 작더라도), 배기 유로(16)에 배치된 접지 링(44)에 의해 전술한 효과를 얻을 수 있다. 그 결과, 예컨대, 애노드/캐소드비가 작은 경우에도, 플라즈마의 배기 공간 ES로의 누출을 방지할 수 있다.

상술한 플라즈마 처리 장치(10)에서는, 접지 링(44)이 배기 유로(16)에 있어 서의 배기 플레이트(17)의 근방에 배치되어 있다. 그러나, 배기 유로(16)에 있어서 전자의 밀도는 거의 균일한 것이 알려져 있어, 접지 링(44)은 배기 유로(16)에 있어서의 커버 링(28)의 근방에 배치되어도 좋다. 그러나, 접지 링(44)을 처리 공간 PS에 배치하면, 해당 접지 링(44)이 처리 공간 PS 중의 전자를 자신이 적극적으로 도입하여, 처리 공간 PS에서의 플라즈마를 소망하는 상태로 유지할 수 없어짐을 유념해야 한다. 따라서, 접지 링(44)을 처리 공간 PS에 배치하는 것은 바람직하지 않다.

또한, 배기 공간 ES에 개구되어 있는 러핑 배기관(18) 또는 주 배기관(19) 내에서 이상 방전이 발생하는 것을 방지하는 관점에서는, 플라즈마가 배기 플레이트(17)를 넘어가도, 플라즈마가 배기 플레이트(17)로부터 배기 공간 ES 내로 확산되는 것을 방지할 수 있는 것이 바람직하다. 이 목적을 달성하기 위해서는, 배기 플레이트(17)의 배기 공간 ES 측에, 배기 플레이트(17)에 있어서의 통기 구멍(47)의 개구부를 둘러싸도록 배치되는 접지 링(48)을 배치하는 것이 바람직하다(도 2 참조). 접지 링(48)은, 전기적으로 접지되는, 실리콘으로 이루어지는 도전부(49)와, 해당 도전부(49)의 표면을 부분적으로 덮는 절연막(50)을 구비한다. 접지 링(48)에서는, 통기 구멍(47)을 가스와 함께 통과하는 전자에 대하여 도전부(49)의 표면 일부가 노출된다. 따라서, 통기 구멍(47)을 통과한 전자는 도전부(49)의 상기 표면 일부에 도입된다. 그 결과, 배기 플레이트(17)를 넘어간 전자가 배기 공간 ES로 확산되는 것을 방지할 수 있다.

플라즈마 처리 장치(10)에서는, 접지 링(44)의 도전부(45)는 실리콘으로 이 루어진다. 그 결과, 접지 링(44)이 금속 오염원으로 되는 일이 없어, 웨이퍼 W의 금속 오염의 발생을 방지할 수 있다. 또, 접지 링(44)의 도전부(45)를 구성하는 도전성 재료는 실리콘에 한정되지 않고, 예컨대, 실리콘 카바이드(silicon carbide)(SiC), 비정질 카본(amorphous carbon), 또는 금속 오염을 발생시키지 않는 금속이면 된다. 또한, 전자 도입의 관점에서는, 도전성 재료가 부피 저항률이 작은 것이 바람직하다.

또한, 접지 링(44)에서는, 도전부(45)의 표면이 절연성 재료로 이루어지는 절연성막(46)으로 덮어진다. 그러나, 도전부(45)가 절연성막(46)으로 덮어지는 일없이, 도전부(45)의 전체 표면이 배기 유로(16)에 노출되어도 된다. 그러나, 이 경우에도, 도전부(45)의 배기 유로(16)에 대한 노출 면적은 100~1000㎠의 범위 내로 설정된다.

또한, 본 발명을 적용할 수 있는 플라즈마 처리 장치는 처리 공간에서 플라즈마가 발생하는 장치이면 된다. 구체적으로는, 전술한 플라즈마 처리 장치(10)와 같이 무선 주파수 전극으로서의 서셉터(12)에 서로 다른 2개의 주파수의 무선 주파수 전력이 공급될 뿐만 아니라, 상부 전극판 및 서셉터에 하나의 무선 주파수 전력이 공급되거나 서셉터에 하나의 무선 주파수 전력이 공급될 수도 있다. 또한, 상부 전극판에 DC 전압이 인가되지 않는 경우이더라도, 처리 공간에 플라즈마가 생성되면, 해당 처리 공간에 전자가 여전히 발생하여, 상부 전극판에 DC 전압을 인가하지 않는 플라즈마 처리 장치의 경우에도 본 발명을 적용할 수 있다.

또, 상술한 플라즈마 처리 장치(10)에서 RIE 처리 등이 실시되는 기판은 반 도체 디바이스용의 반도체 웨이퍼에 한정되지 않고, LCD(Liquid Crystal Display), FPD(Flat Panel Display) 등에 이용하는 각종 기판이나, 포토마스크, CD 기판, 프린트 기판 등이어도 된다.

또한, 본 발명의 목적은, 상술한 실시예의 기능을 실현하는 소프트웨어의 프로그램 코드를 기억한 기억 매체를 시스템혹 은 장치에 공급하여, 그 시스템 혹은 장치의 컴퓨터(또는 CPU나 MPU 등)가 기억 매체에 저장된 프로그램 코드를 판독 실행함으로써 달성될 수도 있음을 이해할 수 있을 것이다.

이 경우, 기억 매체로부터 판독된 프로그램 코드 자체가 상술한 실시예의 기능을 실현하여, 그 프로그램 코드 및 해당 프로그램 코드를 기억한 기억 매체는 본 발명을 구성하게 된다.

프로그램 코드를 공급하기 위한 기억 매체로서는, 예컨대, 플로피(등록 상표) 디스크, 하드디스크, 광 자기 디스크, CD-ROM, CD-R, CD-RW, DVD-ROM, DVD-RAM, DVD-RW, DVD-RW 등의 광디스크, 자기 테이프, 비휘발성 메모리 카드, 또는 ROM 등을 이용할 수도 있다. 이와 달리, 프로그램 코드를 네트워크를 통해 다운로드하여도 된다.

또한, 컴퓨터가 판독한 프로그램 코드를 실행하는 것뿐만 아니라, 상기 프로그램 코드의 지시에 근거하여, 컴퓨터 상에서 동작하고 있는 OS(오퍼레이팅 시스템) 등이 실제의 동작의 일부 또는 전부를 실행하는 것에 의해서, 전술한 실시예의 기능을 실현할 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

또한, 기억 매체로부터 판독된 프로그램 코드가, 컴퓨터에 삽입된 기능 확장 보드나 컴퓨터에 접속된 기능 확장 유닛에 마련되는 메모리에 기록된 후, 그 프로그램 코드의 지시에 근거하여, 그 확장 기능을 확장 보드나 확장 유닛에 마련된 CPU 등이 실제의 처리의 일부 또는 전부를 행해서, 상술한 실시예의 기능이 실현됨을 이해할 수 있을 것이다.

(실시예)

다음에, 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.

(실시예 1)

먼저, 상술한 플라즈마 처리 장치(10)에 있어서, DC 전원(39)으로부터 상부 전극판(37)으로 -600V의 DC 전압을 인가시키면서, 무선 주파수 전원(20)으로부터 40㎒의 무선 주파수 전력을 서셉터(12)의 도전체부(14)에 공급하고, 다른 무선 주파수 전원(22)으로부터 2㎒의 무선 주파수 전력을 서셉터(12)의 도전체부(14)에 공급하여, 처리 공간 PS에서 플라즈마를 생성하였다. 40㎒의 무선 주파수 전력의 값 및 2㎒의 무선 주파수 전력의 값을 변경했을 때의, 배기 공간 ES로 누출된 플라즈마의 발광 강도를 관찰하였다.

40㎒의 무선 주파수 전력의 값 및 2㎒의 무선 주파수 전력의 값은 각각 500W, 1000W 또는 2000W, 및 0W, 1000W 또는 2000W의 3레벨로 설정되었다. 관찰된 발광 강도(단위는 arb.units)를 하기 표 1에 나타낸다.

(비교예 1)

먼저, 상술한 플라즈마 처리 장치(10)에 있어서, 접지 링(44)을 서셉터(12)로부터 제거하였다. 또한, DC 전원(39)으로부터 상부 전극판(37)으로 -600V의 DC 전압을 인가시키면서, 무선 주파수 전원(20)으로부터 40㎒의 무선 주파수 전력을 서셉터(12)의 도전체부(14)에 공급하고, 다른 무선 주파수 전원(22)으로부터 2㎒의 무선 주파수 전력을 서셉터(12)의 도전체부(14)에 공급하여, 처리 공간 PS에서 플라즈마를 생성하였다. 40㎒의 무선 주파수 전력의 값 및 2㎒의 무선 주파수 전력의 값을 변경했을 때의, 배기 공간 ES로 누출된 플라즈마의 발광 강도를 관찰하였다.

40㎒의 무선 주파수 전력의 값 및 2㎒의 무선 주파수 전력의 값은, 실시예 1에서와 같이, 각각 500W, 1000W 또는 2000W, 및 0W, 1000W 또는 2000W의 3레벨로 설정되었다. 관찰된 발광 강도(단위는 arb.units)를 하기 표 2에 나타낸다.

표 1 및 표 2를 비교하면, 접지 링(44)이 배기 유로(16)에 배치되어 있지 않은 비교예1에서는, 40㎒의 무선 주파수 전력의 값 및 2㎒의 무선 주파수 전력의 값에 관계없이, 배기 공간 ES로 누출된 플라즈마의 발광 강도가, 허용 가능한 배기 공간 ES로의 플라즈마의 누출량에 상당하는 발광 강도(이하, 「허용 발광 강도」라고 함)인 300arb.units를 대폭 상회하는 한편, 접지 링(44)이 배기 유로(16)에 배치되어 있는 실시예 1에서는, 40㎒의 무선 주파수 전력의 값 및 2㎒의 무선 주파수 전력의 값에 관계없이, 배기 공간 ES로 누출된 플라즈마의 발광 강도가 허용 발광 강도를 항상 하회한다는 것을 알 수 있었다. 따라서, 배기 유로(16)에 접지 링(44)을 마련함으로써 배기 공간 ES으로의 누출을 방지할 수 있다는 것을 알 수 있었다.

다음에, 상부 전극판(37)에 DC 전압을 인가하지 않는 경우에 대하여 고찰하였다.

(실시예 2)

먼저, 상술한 플라즈마 처리 장치(10)에 있어서, DC 전원(39)으로부터 상부 전극판(37)으로 DC 전압을 인가하는 일 없이, 무선 주파수 전원(20)으로부터 40㎒의 무선 주파수 전력을 서셉터(12)의 도전체부(14)에 공급하고, 다른 무선 주파수 전원(22)으로부터 2㎒의 무선 주파수 전력을 서셉터(12)의 도전체부(14)에 공급하여, 처리 공간 PS에서 플라즈마를 생성하였다. 40㎒의 무선 주파수 전력의 값 및 2㎒의 무선 주파수 전력의 값을 변경했을 때의, 처리 공간 PS에서의 플라즈마의 상태, 즉, 플라즈마가 안정화되어 있는지 여부를 관찰하였다.

여기서도, 40㎒의 무선 주파수 전력의 값 및 2㎒의 무선 주파수 전력의 값은 각각 500W, 1000W 또는 2000W, 및 0W, 1000W 또는 2000W의 3레벨로 설정되었다. 관찰된 플라즈마의 상태를 하기 표 3에 나타낸다.

(비교예)

먼저, 상술한 플라즈마 처리 장치(10)에 있어서, 접지 링(44)을 서셉터(12)로부터 제거하였다. 또한, DC 전원(39)으로부터 상부 전극판(37)으로 DC 전압을 인가하는 일 없이, 무선 주파수 전원(20)으로부터 40㎒의 무선 주파수 전력를 서셉터(12)의 도전체부(14)에 공급하고, 다른 무선 주파수 전원(22)으로부터 2㎒의 무선 주파수 전력을 서셉터(12)의 도전체부(14)에 공급하여, 처리 공간 PS에서 플라즈마를 생성하였다. 40㎒의 무선 주파수 전력의 값 및 2㎒의 무선 주파수 전력의 값을 변경했을 때의, 처리 공간 PS에서의 플라즈마의 상태, 즉, 플라즈마가 안정화되어 있는지 여부를 관찰하였다.

여기서도, 40㎒의 무선 주파수 전력의 값 및 2㎒의 무선 주파수 전력의 값은 각각 500W, 1000W 또는 2000W, 및 0W, 1000W, 2000W의 3레벨로 설정되었다. 관찰된 플라즈마의 상태를 하기 표 4에 나타낸다.

표 3 및 표 4를 비교하면, 접지 링(44)이 배기 유로(16)에 배치되어 있지 않은 비교예 2에서는, 낮은 전력이 공급되어 있는 경우에, 처리 공간 PS에서 플라즈마가 헌팅(hunting)되어 불안정한 상태로 되었다. 이것은, 낮은 전력으로 인해 처리 공간 PS의 플라즈마의 밀도가 낮아, 처리 공간 PS로부터 배기 공간 ES로의 플라즈마의 누출이 발생하여, 처리 공간 PS의 플라즈마가 안정한 상태를 유지할 수가 없었다고 생각되었다. 한편, 접지 링(44)이 배기 유로(16)에 배치되어 있는 실시예 2에서는, 40㎒의 무선 주파수 전력의 값 및 2㎒의 무선 주파수 전력의 값에 관계없이, 플라즈마는 안정화되어 있었다. 이것은, 플라즈마가 배기 공간 ES로 누출되지 않아, 처리 공간 PS의 플라즈마 밀도가 낮을 때이더라도, 해당 플라즈마가 안정한 상태를 유지할 수 있었기 때문이라고 생각되었다.

따라서, 상부 전극판(37)에 DC 전압을 인가하지 않는 경우이더라도, 배기 유로(16)에 접지 링(44)을 배치함으로써 배기 공간 ES로의 플라즈마의 누출을 방지할 수 있다는 것을 알 수 있었다.

다음에, 배기 유로(16)에 노출된, 접지 링(44)의 도전부(45)의 노출 면적에 대하여 고찰하였다.

구체적으로는, 도 3에 도시하는 바와 같이, 절연성막(46)을 모두 제거한 접지 링(44)(도 3(a))(노출 면적 : 788.8㎠), 절연성막(46)의 1㎜의 폭을 상면으로부터 제거한 접지 링(44)(도 3(b))(노출 면적 : 13.0㎠), 절연성막(46)의 3㎜ 폭을 상면으로부터 제거한 접지 링(44)(도 3(c))(노출 면적 : 39.1㎠), 절연성막(46)의 8㎜ 폭을 상면으로부터 제거한 접지 링(44)(도 3(d))(노출 면적 : 131.2㎠), 절연성막(46)의 8㎜ 폭의 상면 및 하면으로부터 제거한 접지 링(44)(도 3(e))(노출 면적 : 262.4㎠) 및, 절연성막(46)의 일부를 상면, 하면 및 측면의 각각으로부터 제거한 접지 링(44)(도 3(f))(노출 면적 : 372.4㎠)을 준비하여, 각 접지 링(44)을 배기 유로(16)에 배치했을 때에 배기 공간 ES로 누출된 플라즈마의 발광 강도를 관찰하였다. 여기서, DC 전원(39)으로부터 상부 전극판(37)으로 -600V의 DC 전압을 인가하고, 서셉터(12)의 도전체부(14)에 공급되는 40㎒의 무선 주파수 전력의 값 및 2㎒의 무선 주파수 전력의 값의 조합을 500W/0W, 500W/1000W, 500W/2000W, 1000W/0W 및 1000W/2000W으로 설정하였다. 관찰된 발광 강도를 도 4의 그래프에 나타낸다.

도 4에 나타낸 그래프에서, 가로축은 도전부(45)의 노출 면적을 나타내고, 세로축은 발광 강도를 나타낸다. 또한, 500W/0W의 경우를 "◆"로 나타내고, 500W/1000W의 경우를 "▲"로 나타내고, 500W/2000W의 경우를 "×"로 나타내고, 1000W/0W의 경우를 "■"로 나타내며, 1000W/2000W의 경우를 "+"로 나타내었다.

도 4의 그래프로부터, 도전부(45)의 노출 면적이 100㎠ 이상이면, 배기 공간 ES로 누출된 플라즈마의 발광 강도가 허용 발광 강도를 하회하는 것을 알 수 있었다. 즉, 배기 유로(16)에 노출된 도전부(45)의 노출 면적을 100㎠ 이상으로 함으로써, 플라즈마의 배기 공간 ES로의 누출을 방지할 수 있다는 것을 발견하였다. 또한, 발광 강도는, 노출 면적이 100㎠ 이상인 값 모두에 대해 거의 변화하지 않아, 노출 면적이 100㎠ 이상이면, 도전부(45)와 전자의 접촉 면적을 충분히 확보할 수 있다는 것을 알 수 있었다.

또한, 배기 유로(16)에 노출된 도전부(45)의 노출 면적이 1000㎠를 초과하는 접지 링(44)을 제작하여, 배기 유로(16)에 배치한 바, 배기 공간 ES로의 플라즈마의 누출은 관찰되지 않았지만, 처리 공간 PS에서의 플라즈마 착화 성능(plasma ignition performance)이 대폭 저하되었다. 이것은, 도전부(45)의 노출 면적이 지나치게 커서, 처리 공간 PS에서 처리 가스로부터 플라즈마를 생성하기 위해서 인가한 전압이 도전부(45)로부터 누설되어, 즉, 처리 공간 PS의 전압이 접지 링(44)으로 인해 과도하게 저하되기 때문이라고 생각되었다. 따라서, 배기 유로(16)에 노출된 접지 링(44)의 도전부(45)의 노출 면적은 1000㎠ 이하인 것이 바람직하다는 것을 알 수 있었다.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 플라즈마의 배기 공간으로의 누출을 방지할 수 있는 플라즈마 처리 장치, 플라즈마 처리 방법 및 기억 매체를 얻을 수 있다.

Claims (6)

1. 기판상에 플라즈마 처리가 실시되는 처리 공간, 상기 처리 공간 밖으로 가스를 배기하기 위한 배기 공간, 및 상기 배기 공간과 상기 처리 공간을 연통시키는 배기 유로를 갖는 기판 처리실과,

   상기 배기 유로에 배치되고 전기적으로 접지되는 접지 부품

   을 더 구비하되,

   상기 접지 부품은 도전성 재료로 이루어지는 도전부를 가지며,

   상기 도전부의 상기 배기 유로에 대한 노출 면적은 100~1000㎠인

   플라즈마 처리 장치.
2. 제 1 항에 있어서,

   상기 처리 공간에 DC 전압을 인가하는 DC 전극을 더 갖는 플라즈마 처리 장치.
3. 제 1 항에 있어서,

   상기 도전성 재료는 실리콘, 실리콘 카바이드(silicon carbide) 및 비정질 카본(amorphous carbon)으로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 적어도 하나를 포함 하는 플라즈마 처리 장치.
4. 기판상에 플라즈마 처리가 실시되는 처리 공간, 상기 처리 공간 밖으로 가스를 배기하기 위한 배기 공간, 및 상기 배기 공간과 상기 처리 공간을 연통시키는 배기 유로를 갖는 기판 처리실과, 상기 배기 유로에 배치되고 전기적으로 접지되는 접지 부품을 갖되, 상기 접지 부품은 도전성 재료로 이루어지는 도전부를 갖고, 상기 도전부의 상기 배기 유로에 대한 노출 면적은 100~1000㎠인 플라즈마 처리 장치에서의 플라즈마 처리 방법에 있어서,

   상기 처리 공간에 플라즈마를 생성하는 플라즈마 생성 단계와,

   상기 플라즈마 중의 전자를 상기 접지 부품으로 도입하는 전자 도입 단계

   를 갖는 플라즈마 처리 방법.
5. 제 4 항에 있어서,

   상기 처리 공간에 DC 전압을 인가하는 DC 전압 인가 단계를 더 갖는 플라즈마 처리 방법.
6. 기판에 플라즈마 처리가 실시되는 처리 공간, 상기 처리 공간 밖으로 가스를 배기하기 위한 배기 공간, 및 상기 배기 공간과 상기 처리 공간을 연통시키는 배기 유로를 갖는 기판 처리실과, 상기 배기 유로에 배치되고 전기적으로 접지되는 접지 부품을 구비하되, 상기 접지 부품은 도전성 재료로 이루어지는 도전부를 갖고, 상기 도전부의 상기 배기 유로에 대한 노출 면적은 100~1000㎠인 플라즈마 처리 장치에서의 플라즈마 처리 방법을 컴퓨터에게 실행시키는 프로그램을 저장하는 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체에 있어서,

   상기 프로그램은

   상기 처리 공간에 플라즈마를 생성하는 플라즈마 생성 모듈과,

   상기 플라즈마 중의 전자를 상기 접지 부품으로 도입하는 전자 도입 모듈

   을 갖는 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체.

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