JP2007258470A - プラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び記憶媒体 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】プラズマ処理装置10は基板処理室11を備え、該基板処理室11は、プラズマが発生する処理空間PSと、該処理空間PSのガス等を排気するための排気空間ESと、処理空間PS及び排気空間ESを連通させる排気流路16と、処理空間PSに高周波電力を印加するサセプタ12と、処理空間PSに直流電圧を印加する上部電極板37と、排気流路16に配置されている接地リング44とを有し、該接地リング44は電気的に接地され、且つシリコンから成る導電部45及び該導電部45の表面を部分的に覆う絶縁膜46を有し、導電部45の排気流路16に対する暴露面積は100cm2乃至1000cm2のいずれかに設定される。
【選択図】図1
Description
まず、上述したプラズマ処理装置10において、直流電源39から上部電極板37へ−600Vの直流電圧を印加させながら、高周波電源20から40MHzの高周波電力及び他の高周波電源22から2MHzの高周波電力をサセプタ12の導電体部14に供給し、処理空間PSにおいてプラズマを生成した。そして、40MHzの高周波電力の値及び2MHzの高周波電力の値を変更したときの、排気空間ESへリークしたプラズマの発光強度を観察した。
まず、上述したプラズマ処理装置10において、接地リング44をサセプタ12から外した。さらに、直流電源39から上部電極板37へ−600Vの直流電圧を印加させながら、高周波電源20から40MHzの高周波電力及び他の高周波電源22から2MHzの高周波電力をサセプタ12の導電体部14に供給し、処理空間PSにおいてプラズマを生成した。そして、40MHzの高周波電力の値及び2MHzの高周波電力の値を変更したときの、排気空間ESへリークしたプラズマの発光強度を観察した。
まず、上述したプラズマ処理装置10において、直流電源39から上部電極板37へ直流電圧を印加することなく、高周波電源20から40MHzの高周波電力及び他の高周波電源22から2MHzの高周波電力をサセプタ12の導電体部14に供給し、処理空間PSにおいてプラズマを生成した。そして、40MHzの高周波電力の値及び2MHzの高周波電力の値を変更したときの、処理空間PSにおけるプラズマの状態、すなわち、プラズマが安定しているか否かを観察した。
まず、上述したプラズマ処理装置10において、接地リング44をサセプタ12から外した。さらに、直流電源39から上部電極板37へ直流電圧を印加することなく、高周波電源20から40MHzの高周波電力及び他の高周波電源22から2MHzの高周波電力をサセプタ12の導電体部14に供給し、処理空間PSにおいてプラズマを生成した。そして、40MHzの高周波電力の値及び2MHzの高周波電力の値を変更したときの、排気空間ESへリークしたプラズマの発光強度を観察した。
PS 処理空間
W 半導体ウエハ
10 プラズマ処理装置
11 基板処理室
12 サセプタ
16 排気流路
20 高周波電源
22 他の高周波電源
34 ガス導入シャワーヘッド
37 上部電極板
39 直流電源
44,48 接地リング
45,49 導電部
46,50 絶縁性膜
Claims (6)
- 基板にプラズマ処理が施される処理空間、該処理空間のガスを排気するための排気空間及び該排気空間及び前記処理空間を連通させる排気流路を有する基板処理室を備えるプラズマ処理装置において、
前記排気流路に配置され且つ電気的に接地する接地部品を備え、該接地部品は導電性材料からなる導電部を有し、前記導電部の前記排気流路に対する暴露面積は100cm2乃至1000cm2のいずれかであることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 前記処理空間に直流電圧を印加する直流電極を備えることを特徴とする請求項1記載のプラズマ処理装置。
- 前記導電性材料は、シリコン、シリコンカーバイト及びアモルファスカーボンからなる群から選択された少なくとも1つであることを特徴とする請求項1又は2記載のプラズマ処理装置。
- 基板にプラズマ処理が施される処理空間、該処理空間のガスを排気するための排気空間及び該排気空間及び前記処理空間を連通させる排気流路を有する基板処理室と、前記排気流路に配置され且つ電気的に接地する接地部品とを備え、前記接地部品は導電性材料からなる導電部を有し、前記導電部の前記排気流路に対する暴露面積は100cm2乃至1000cm2のいずれかであるプラズマ処理装置におけるプラズマ処理方法であって、
前記処理空間においてプラズマを生成するプラズマ生成ステップと、
前記プラズマ中の電子を前記接地部品に導入する電子導入ステップとを有することを特徴とするプラズマ処理方法。 - 前記処理空間に直流電圧を印加する直流電圧印加ステップを有することを特徴とする請求項4記載のプラズマ処理方法。
- 基板にプラズマ処理が施される処理空間、該処理空間のガスを排気するための排気空間及び該排気空間及び前記処理空間を連通させる排気流路を有する基板処理室と、前記排気流路に配置され且つ電気的に接地する接地部品とを備え、前記接地部品は導電性材料からなる導電部を有し、前記導電部の前記排気流路に対する暴露面積は100cm2乃至1000cm2のいずれかであるプラズマ処理装置におけるプラズマ処理方法をコンピュータに実行させるプログラムを格納するコンピュータ読み取り可能な記憶媒体であって、前記プログラムは、
前記処理空間においてプラズマを生成するプラズマ生成モジュールと、
前記プラズマ中の電子を前記接地部品に導入する電子導入モジュールとを有することを特徴とする記憶媒体。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006081351A JP4885585B2 (ja) | 2006-03-23 | 2006-03-23 | プラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び記憶媒体 |
US11/686,551 US8141514B2 (en) | 2006-03-23 | 2007-03-15 | Plasma processing apparatus, plasma processing method, and storage medium |
KR1020070028146A KR100852577B1 (ko) | 2006-03-23 | 2007-03-22 | 플라즈마 처리 장치, 플라즈마 처리 방법 및 기억 매체 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006081351A JP4885585B2 (ja) | 2006-03-23 | 2006-03-23 | プラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び記憶媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007258470A true JP2007258470A (ja) | 2007-10-04 |
JP4885585B2 JP4885585B2 (ja) | 2012-02-29 |
Family
ID=38632401
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006081351A Active JP4885585B2 (ja) | 2006-03-23 | 2006-03-23 | プラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び記憶媒体 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4885585B2 (ja) |
KR (1) | KR100852577B1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112928007A (zh) * | 2019-12-06 | 2021-06-08 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 等离子体处理设备及用于等离子体处理设备的下电极组件 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101353258B1 (ko) | 2012-04-27 | 2014-01-23 | 주식회사 테스 | 반도체 소자의 갭필 방법 |
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JP2002151471A (ja) * | 2000-11-10 | 2002-05-24 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2002533949A (ja) * | 1998-12-28 | 2002-10-08 | ラム リサーチ コーポレーション | プラズマリアクタにおける穿孔プラズマ閉じ込めリング |
WO2005124844A1 (ja) * | 2004-06-21 | 2005-12-29 | Tokyo Electron Limited | プラズマ処理装置及び方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4120561B2 (ja) * | 2000-10-03 | 2008-07-16 | 松下電器産業株式会社 | プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置 |
US7740737B2 (en) * | 2004-06-21 | 2010-06-22 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus and method |
-
2006
- 2006-03-23 JP JP2006081351A patent/JP4885585B2/ja active Active
-
2007
- 2007-03-22 KR KR1020070028146A patent/KR100852577B1/ko active IP Right Grant
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CN112928007B (zh) * | 2019-12-06 | 2023-09-12 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 等离子体处理设备及用于等离子体处理设备的下电极组件 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4885585B2 (ja) | 2012-02-29 |
KR20070096864A (ko) | 2007-10-02 |
KR100852577B1 (ko) | 2008-08-18 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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