KR101882330B1 - 증착 장치 - Google Patents

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Abstract

증착 장치가 개시된다. 증착 장치는 반응 기체가 유입되는 서셉터; 상기 서셉터 내에 배치되고, 기판을 지지하는 홀더부; 및 상기 홀더부를 회전시키는 회전 구동부를 포함한다.

Description

증착 장치{DEPOSITION APPARATUS}
실시예는 증착 장치에 관한 것이다.
일반적으로 기판 또는 웨이퍼(wafer)상에 다양한 박막을 형성하는 기술 중에 화학 기상 증착 방법(Chemical Vapor Deposition; CVD)이 많이 사용되고 있다. 화학 기상 증착 방법은 화학 반응을 수반하는 증착 기술로, 소스 물질의 화학 반응을 이용하여 웨이퍼 표면상에 반도체 박막이나 절연막 등을 형성한다.
이러한 화학 기상 증착 방법 및 증착 장치는 최근 반도체 소자의 미세화와 고효율, 고출력 LED 개발 등으로 박막 형성 기술 중 매우 중요한 기술로 주목 받고 있다. 현재 웨이퍼 상에 실리콘 막, 산화물 막, 실리콘 질화물 막 또는 실리콘 산질화물 막, 텅스텐 막 등과 같은 다양한 박막들을 증착하기 위해 이용되고 있다.
실시예는 균일한 두께를 박막을 형성할 수 있는 증착 장치를 제공하고자 한다.
일 실시예에 따른 증착 장치는 반응 기체가 유입되는 서셉터; 상기 서셉터 내에 배치되고, 기판을 지지하는 홀더부; 및 상기 홀더부를 회전시키는 회전 구동부를 포함한다.
일 실시예에 따른 증착 장치는 반응 기체가 유입되는 서셉터; 상기 서셉터 내에 배치되고, 제 1 기판을 지지하는 제 1 홀더부; 상기 제 1 홀더부를 회전 구동시키는 제 1 회전 구동부; 상기 제 1 홀더부 상에 배치되고, 제 2 기판을 지지하는 제 2 홀더부; 및 상기 제 2 홀더부를 회전 구동시키는 제 2 회전 구동부를 포함한다.
실시예에 따른 증착 장치는 상기 회전 구동부를 사용하여, 상기 홀더부를 회전시킨다. 이에 따라서, 실시예에 따른 증착 장치는 웨이퍼를 회전시키면서, 상기 웨이퍼에 박막을 형성할 수 있다.
이에 따라서, 실시예에 따른 증착 장치는 상기 웨이퍼 상에 박막을 균일하게 형성할 수 있다. 특히, 실시예에 따른 증착 장치는 탄화규소 웨이퍼 상에 탄화규소 에피텍셜층을 균일하게 형성할 수 있다.
도 1은 제 1 실시예에 따른 탄화규소 에피텍셜층 성장 장치를 도시한 개략도이다.
도 2는 증착부를 도시한 분해사시도이다.
도 3은 증착부를 도시한 사시도이다.
도 4는 웨이퍼 지지부를 도시한 사시도이다.
도 5는 서셉터 및 웨이퍼 지지부를 도시한 도면이다.
도 6은 회전 구동부를 도시한 도면이다.
도 7은 제 2 실시예에 따른 웨이퍼 지지부를 도시한 분해 사시도이다.
도 8은 제 2 실시예에 따른 웨이퍼 지지부를 도시한 측면이다.
실시예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 “상/위(on)”에 또는 “하/아래(under)”에 형성된다는 기재는, 직접(directly) 또는 다른 층을 개재하여 형성되는 것을 모두 포함한다. 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
도면에서 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들의 두께나 크기는 설명의 명확성 및 편의를 위하여 변형될 수 있으므로, 실제 크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명하면 다음과 같다.
도 1은 제 1 실시예에 따른 탄화규소 에피텍셜층 성장 장치를 도시한 개략도이다. 도 2는 증착부를 도시한 분해사시도이다. 도 3은 증착부를 도시한 사시도이다. 도 4는 웨이퍼 지지부를 도시한 사시도이다. 도 5는 서셉터 및 웨이퍼 지지부를 도시한 도면이다. 도 6은 회전 구동부를 도시한 도면이다.
도 1 내지 도 6을 참조하면, 실시예에 따른 탄화규소 성장 장치는 캐리어 기체 공급부(10), 반응 기체 공급부(30) 및 증착부(40)를 포함한다.
상기 캐리어 기체 공급부(10)는 상기 반응 기체 공급부(30)에 캐리어 기체를 공급한다. 상기 캐리어 기체는 매우 낮은 반응성을 가진다. 상기 캐리어 기체의 예로서는 질소 또는 불활성 기체 등을 들 수 있다. 특히, 상기 캐리어 기체 공급부(10)는 제 1 공급 라인(21)을 통하여, 상기 반응 기체 공급부(30)에 상기 캐리어 기체를 공급할 수 있다.
상기 반응 기체 공급부(30)는 상기 반응 기체를 발생시킨다. 또한, 상기 반응 기체 공급부(30)는 상기 반응 기체를 생성하기 위한 액체(31)를 수용한다. 예를 들어, 상기 액체(31)가 증발되어 상기 반응 기체가 형성될 수 있다.
상기 제 1 공급 라인(21)의 끝단은 상기 액체(31)에 잠길 수 있다. 이에 따라서, 상기 제 1 공급 라인(21)을 통하여, 상기 액체(31) 내에 상기 캐리어 기체가 공급된다. 이에 따라서, 상기 액체(31) 내에 상기 캐리어 기체를 포함하는 버블이 형성될 수 있다.
상기 액체(31) 및 상기 반응 기체는 실리콘 및 탄소를 포함하는 화합물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 액체(31) 및 상기 반응 기체는 메틸트리클로로실레인(methyltrichlorosilane;MTS)을 포함할 수 있다.
상기 반응 기체 공급부(30)는 상기 액체(31)에 열을 가하는 발열부를 포함할 수 있다. 상기 발열부는 상기 액체(31)에 열을 가하여, 상기 액체(31)를 증발시킬 수 있다. 상기 발열부에 의해서, 가해지는 열량에 따라서, 증발되는 반응 기체의 양이 적절하게 조절될 수 있다.
상기 반응 기체 공급부(30)는 상기 제 2 공급 라인(22)을 통하여, 상기 증착부(40)에 상기 반응 기체를 공급한다. 즉, 상기 반응 기체 공급부(30) 및 상기 캐리어 기체의 흐름 및 상기 액체(31)의 증발에 의해서, 상기 반응 기체는 상기 증착부(40)에 공급된다.
상기 증착부(40)는 상기 제 2 공급 라인(22)에 연결된다. 상기 증착부(40)는 상기 반응 기체 공급부(30)로부터, 상기 제 2 공급 라인(22)을 통하여, 상기 반응 기체를 공급받는다.
상기 증착부(40)는 에피텍셜층을 형성하고자 하는 웨이퍼(W)를 수용한다. 상기 증착부(40)는 상기 반응 기체를 사용하여, 상기 에피텍셜층을 형성한다. 즉, 상기 증착부(40)는 상기 웨이퍼(W) 상에 상기 반응 기체를 사용하여, 박막을 형성한다.
도 2 내지 도 7을 참조하면, 상기 증착부(40)는 챔버(100), 서셉터(200), 소스 기체 라인(300), 웨이퍼 지지부(400) 및 유도 코일(600)을 포함한다.
상기 챔버(100)는 원통형 튜브 형상을 가질 수 있다. 이와는 다르게, 상기 챔버(100)는 사각 박스 형상을 가질 수 있다. 상기 챔버(100)는 상기 서셉터(200), 상기 소스 기체 라인(300) 및 상기 웨이퍼 지지부(400)를 수용할 수 있다. 또한, 도면에 도시하지 않았으나, 상기 챔버(100)의 일측면에는 전구체 등을 유입시키기 위한 기체 공급부 및 기체의 배출을 위한 기체 배출부가 더 배치될 수 있다.
또한, 상기 챔버(100)의 양 끝단들은 밀폐되고, 상기 챔버(100)는 외부의 기체유입을 막고 진공도를 유지할 수 있다. 상기 챔버(100)는 기계적 강도가 높고, 화학적 내구성이 우수한 석영(quartz)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 챔버(100)는 향상된 내열성을 가진다.
또한, 상기 챔버(100) 내에 단열부가 더 구비될 수 있다. 상기 단열부는 상기 챔버(100) 내의 열을 보존하는 기능을 수행할 수 있다. 상기 단열부로 사용되는 물질의 예로서는 질화물 세라믹, 탄화물 세라믹 또는 흑연 등을 들 수 있다.
상기 서셉터(200)는 상기 챔버(100) 내에 배치된다. 상기 서셉터(200)는 상기 웨이퍼 지지부(400)를 수용한다. 또한, 상기 서셉터(200)는 상기 웨이퍼(W) 등과 같은 기판을 수용한다. 또한, 상기 반응 기체 공급부(10)로부터, 상기 제 2 공급 라인(22) 및 상기 소스 기체 라인(300)을 통하여, 상기 서셉터(200) 내부로 상기 반응 기체가 유입된다.
도 2 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 서셉터(200)는 서셉터 상판(210), 서셉터 하판(220) 및 서셉터 측판들(230, 240)을 포함할 수 있다. 또한, 서셉터 상판(210)과 서셉터 하판(220)은 서로 마주보며 위치한다.
상기 서셉터(200)는 상기 서셉터 상판(210)과 상기 서셉터 하판(220)을 위치시키고 양 옆에 상기 서셉터 측판들(230, 240)을 위치시킨 후 합착하여 제조할 수 있다.
그러나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니므로, 직육면체의 서셉터(200)에 가스 통로를 위한 공간을 내어 제조할 수 있다.
상기 서셉터 하판(220)에는 상기 웨이퍼 지지부(400)가 더 배치될 수 있다. 상기 서셉터 상판(210)과 상기 서셉터 하판(220) 사이의 공간에서 기류가 흐르면서 증착 공정이 이루어질 수 있다. 상기 서셉터 측판들(230, 240)은 상기 서셉터(200) 내부에서 기류가 흐를 때, 반응 기체가 빠져나가지 못하도록 하는 역할을 한다.
상기 서셉터(200)는 고온 등의 조건에서 견딜 수 있도록 내열성이 높고 가공이 용이한 흑연(graphite)를 포함할 수 있다. 또한, 상기 서셉터(200)는 흑연 몸체에 탄화규소가 코팅된 구조를 가질 수 있다. 또한, 상기 서셉터(200)은 자체로 유도가열될 수 있다.
상기 서셉터(200)에 공급되는 반응 기체는 열에 의해서, 라디칼로 분해되고, 이 상태에서, 상기 웨이퍼(W) 등에 증착될 수 있다. 예를 들어, MTS는 실리콘 또는 탄소를 포함하는 라디칼로 분해되고, 상기 웨이퍼(W) 상에는 탄화규소 에피텍셜층이 성장될 수 있다. 더 자세하게, 상기 라디칼은 CH3·, CH4, SiCl3· 또는 SiCl2·일 수 있다.
상기 소스 기체 라인(300)은 상기 챔버(100) 내에 배치된다. 상기 소스 기체 라인(300)은 상기 서셉터(200)에 연결된다. 더 자세하게, 상기 소스 기체 라인(300)은 상기 서셉터(200)에 상기 반응 기체를 공급한다. 또한, 상기 소스 기체 라인(300)은 상기 제 2 공급 라인(22)에 직접 또는 간접적으로 연결된다.
상기 소스 기체 라인(300)은 사각 튜브 형상을 가질 수 있다. 상기 소스 기체 라인(300)으로 사용되는 물질의 예로서는 석영 등을 들 수 있다.
상기 웨이퍼 지지부(400)는 상기 서셉터(200) 내에 배치된다. 더 자세하게, 상기 웨이퍼 지지부(400)는 상기 소스 기체가 흐르는 방향을 기준으로, 상기 서셉터(200)의 후미에 배치될 수 있다. 상기 웨이퍼 지지부(400)는 상기 웨이퍼(W)를 지지한다. 또한, 상기 웨이퍼 지지부(400)는 상기 웨이퍼(W)를 회전시킨다.
도 4 내지 도 6을 참조하면, 상기 웨이퍼 지지부(400)는 홀더부(410) 및 회전 구동부(420)를 포함한다.
상기 홀더부(410)는 상기 웨이퍼(W) 아래에 배치된다. 즉, 상기 홀더부(410)는 상기 웨이퍼(W)를 지지한다. 상기 홀더부(410)는 상기 웨이퍼(W)를 회전시킨다. 즉, 상기 홀더부(410)는 자체의 회전에 의해서, 상기 웨이퍼(W)를 회전시킨다. 상기 홀더부(410)는 플레이트 형상을 가질 수 있다.
상기 회전 구동부(420)는 상기 홀더부(410) 아래에 배치된다. 상기 회전 구동부(420)는 상기 홀더부(410)를 회전시킨다. 상기 회전 구동부(420)는 상기 홀더부(410)에 회전력을 전달한다. 상기 회전 구동부(420)는 하우징(421), 샤프트(422), 다수 개의 핀들(423), 압축 기체 공급 라인(431), 압축 기체 배기 라인(432)을 포함한다.
상기 하우징(421)은 상기 샤프트(422) 및 상기 핀들(423)을 수용한다. 상기 하우징(421)에는 수용홈(423), 제 1 유로(425) 및 제 2 유로(426)가 형성된다. 상기 하우징(421)은 흑연 또는 탄화규소로 구성될 수 있다.
상기 샤프트(422)는 상기 하우징(421)에 회전 가능하도록 고정될 수 있다. 상기 샤프트(422)은 상기 홀더부(410)에 연결된다. 즉, 상기 샤프트(422)의 일 끝단은 상기 하우징(421)에 회전 가능하도록 고정되고, 다른 끝단은 상기 홀더부(410)에 연결될 수 있다.
상기 핀들(423)은 상기 샤프트(422)에 연결된다. 더 자세하게, 상기 핀들(423)은 상기 샤프트(422)의 회전축에 대해서 경사지는 방향으로, 상기 샤프트(422)로부터 바깥 방향으로 연장된다. 더 자세하게, 상기 핀들(423)은 상기 샤프트(422)의 회전축과 수직으로 교차할 수 있다.
상기 샤프트(422) 및 상기 핀들(423)은 높은 내열성을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 샤프트(422) 및 상기 핀들(423)은 흑연 또는 탄화규소로 구성될 수 있다.
상기 압축 기체 공급 라인(431)은 상기 하우징(421)과 연결된다. 더 자세하게, 상기 압축 기체 공급 라인(431)은 상기 제 1 유로(425)에 연결된다. 상기 압축 기체 공급 라인(431)은 상기 하우징(421)에 압축 기체를 공급한다. 더 자세하게, 상기 압축 기체 공급 라인(431)은 상기 제 1 유로(425)를 통하여, 상기 수용홈(423)에 압축 기체를 공급한다.
상기 압축 기체 배기 라인(432)은 상기 하우징(421)에 연결된다. 더 자세하게, 상기 압축 기체 배기 라인(432)은 상기 제 2 유로(426)에 연결된다. 상기 압축 기체 배기 라인(432)은 상기 하우징(421)에 공급된 압축 기체를 배기시킬 수 있다.
상기 압축 기체로는 반응성이 매우 낮은 기체가 사용될 수 있다. 상기 압축 기체의 예로서는 아르곤 등과 같은 불활성 기체 등을 들 수 있다.
상기 압축 기체 공급 라인(431) 및 상기 제 1 유로(425)를 통하여 유입되는 압축 기체는 상기 핀들(423)에 분사된다. 이에 따라서, 상기 샤프트(422)는 회전하게 되고, 상기 회전력은 상기 홀더부(410)에 전달되어, 상기 웨이퍼(W)가 회전하게 된다.
이상에서, 상기 홀더부(410)는 상기 압축 기체에 의해서 회전되는 것으로 기술하였지만, 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 기어 장치 등에 의해서, 상기 홀더부(410)가 회전될 수 있다.
또한, 도면에는 도시되지 않았지만, 상기 회전 구동부(420)는 상기 수용홈(423)을 덮는 커버 등을 더 포함할 수 있다. 상기 커버는 상기 하우징(421) 및 상기 홀더부(410) 사이에 배치될 수 있다. 이때, 상기 샤프트(422)는 상기 커버를 관통하여, 상기 홀더부(410)에 연결될 수 있다.
또한, 실시예에 따른 탄화규소 에피텍셜층 성장장치는 상기 압축 기체를 생성하여, 상기 압축 기체 배기 라인(432)을 통하여, 상기 하우징(421)에 공급하는 압축 기체 생성 장치를 더 포함할 수 있다.
상기 홀더부(410)는 상기 서셉터(200)가 연장되는 방향에 대해서, 경사질 수 있다. 이에 따라서, 상기 홀더부(410)는 상기 상부 서셉터(200) 및 상기 하부 서셉터(200)에 대해서 경사질 수 있다. 즉, 상기 웨이퍼 지지부(400)는 상기 홀더부(410)가 상기 하부 서셉터(200)에 경사지게 배치되도록, 기울임 지지부(221)에 의해서, 기울어질 수 있다.
상기 홀더부(410) 및 상기 상부 서셉터(200) 사이의 각도(θ)는 약 5° 내지 약 30°일 수 있다. 이에 따라서, 상기 웨이퍼(W)는 상기 서셉터(200)가 연장되는 방향에 대해서, 경사질 수 있다.
상기 유도 코일(600)은 상기 챔버(100) 외측에 배치된다. 더 자세하게, 상기 유도 코일(600)은 상기 챔버(100)의 외주면을 둘러쌀 수 있다. 상기 유도 코일(600)은 전자기 유도를 통하여, 상기 서셉터(200)를 유도 발열시킬 수 있다. 상기 유도 코일(600)은 상기 챔버(100)의 외주면을 감을 수 있다.
상기 서셉터(200)는 상기 유도 코일(600)에 의해서, 약 1400℃ 내지 약 1600℃의 온도로 가열될 수 있다. 상기 서셉터(200)로 유입되는 소스 기체는 라디칼로 분해되고, 상기 분사부(320)에 의해서, 상기 웨이퍼(W)에 분사된다. 상기 웨이퍼(W)에 분사된 라디칼에 의해서, 상기 웨이퍼(W) 상에 탄화규소 에피텍셜층이 형성된다.
이와 같이, 실시예에 따른 탄화규소 에피텍셜층 성장장치는 상기 웨이퍼(W) 등의 기판 상에 상기 에피텍셜층과 같은 박막을 형성한다. 즉, 실시예에 따른 탄화규소 에피텍셜층 성장장치는 증착 장치일 수 있다.
앞서 설명한 바와 같이, 실시예에 따른 탄화규소 에피텍셜층 성장장치는 상기 회전 구동부(420)를 사용하여, 상기 홀더부(410)를 회전시킨다. 이에 따라서, 실시예에 따른 증착 장치는 웨이퍼(W)를 회전시키면서, 상기 웨이퍼(W)에 에피텍셜층을 형성할 수 있다.
이에 따라서, 실시예에 따른 탄화규소 에피텍셜층 성장장치는 상기 웨이퍼(W) 상에 에피텍셜층을 균일한 두께로 형성할 수 있다. 즉, 실시예에 따른 탄화규소 에피텍셜층 성장장치는 상기 웨이퍼(W)에서, 상기 서셉터(200)의 앞부분에 위치하는 부분에 에피텍셜층이 두껍게 형성되는 현상을 방지할 수 있다.
도 7은 제 2 실시예에 따른 웨이퍼 지지부를 도시한 분해 사시도이다. 도 8은 제 2 실시예에 따른 웨이퍼 지지부를 도시한 측면이다. 본 실시예에서는 앞선 실시예에 대한 설명을 참고한다. 즉, 앞선 실시예에 대한 설명은 본 실시예에 대한 설명에 본질적으로 결합될 수 있다.
도 7 및 도 8을 참조하면, 실시예에 따른 탄화규소 에피텍셜층 성장장치는 고정 프레임(600) 및 다수 개의 웨이퍼 지지부들(401, 402)을 포함한다.
상기 고정 프레임(600)은 상기 서셉터(200) 내에 배치된다. 상기 고정 프레임(600)은 상기 웨이퍼 지지부들(401, 402)을 고정한다. 상기 고정 프레임(600)은 흑연 또는 탄화규소 등으로 형성될 수 있다.
상기 웨이퍼 지지부들(401, 402)은 제 1 웨이퍼 지지부(401) 및 제 2 웨이퍼 지지부(402)일 수 있다.
상기 제 1 웨이퍼 지지부(401)는 제 1 연결부(610)에 의해서, 상기 고정 프레임(600)에 고정될 수 있다. 상기 제 1 연결부(610)는 상기 고정 프레임(600)에 연결되고, 상기 제 1 웨이퍼 지지부(401)의 하우징에 연결될 수 있다.
상기 제 2 웨이퍼 지지부(402)는 상기 제 1 웨이퍼 지지부(401) 아래에 배치된다. 상기 제 2 웨이퍼 지지부(402)는 제 2 연결부(620)에 의해서, 상기 고정 프레임(600)에 고정될 수 있다. 즉, 상기 제 2 연결부(620)는 상기 고정 프레임(600)에 연결되고, 상기 제 2 웨이퍼 지지부(402)의 하우징에 연결될 수 있다.
도면과 다르게, 상기 웨이퍼 지지부들은 3개 이상일 수 있다. 예를 들어, 제 3 웨이퍼 지지부가 상기 제 2 웨이퍼 지지부(402) 아래에 더 배치될 수 있다.
본 실시예에 따른 탄화규소 에피텍셜층 성장장치는 다수 개의 웨이퍼 지지부들(401, 402)을 포함하기 때문에, 다수 개의 웨이퍼들(W)에 탄화규소 에피텍셜층을 한꺼번에 형성할 수 있다.
이에 따라서, 본 실시예에 따른 탄화규소 에피텍셜층 성장장치는 균일한 두께의 에피텍셜층을 효과적을 형성할 수 있다.
상술한 실시예에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의하여 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
또한, 이상에서 실시예들을 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예들에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부한 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (12)

  1. 반응 기체가 유입되는 서셉터;
    상기 서셉터 내에 배치되고, 기판을 지지하는 홀더부; 및
    상기 홀더부를 회전시키는 회전 구동부를 포함하고,
    상기 회전 구동부는,
    상기 홀더부에 연결되는 샤프트;
    상기 샤프트로부터 상기 샤프트의 회전축에 대하여 교차하는 방향으로 연장되는 다수 개의 핀들;
    상기 샤프트 및 상기 다수 개의 핀들을 수용하는 하우징; 및
    상기 하우징에 연결되고, 상기 다수 개의 핀들에 압축 기체를 공급하는 압축 기체 공급 라인을 포함하고,
    상기 샤프트는 상기 다수 개의 핀들을 통하여 유입되는 상기 압축 기체에 의해서 회전하고,
    상기 하우징은 상기 서셉터에 고정되고,
    상기 기판은 탄화규소를 포함하고,
    상기 반응 기체는 메틸트리클로로실레인(MTS)을 포함하고,
    상기 홀더부 및 상기 회전 구동부는 상기 서셉터가 연장되는 방향에 대하여 경사지고,
    상기 서셉터가 연장되는 방향에 대한 상기 홀더부 및 상기 회전 구동부의 경사 각도는 8도 내지 30도인 증착 장치.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 회전 구동부는,
    상기 하우징에 연결되고, 상기 압축 기체를 배출시키는 압축 기체 배출 라인을 더 포함하는 증착 장치.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 압축 기체는 불활성 기체를 포함하는 증착 장치.
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 반응 기체가 유입되는 서셉터;
    상기 서셉터 내에 배치되고, 제 1 기판을 지지하는 제 1 홀더부;
    상기 제 1 홀더부를 회전 구동시키는 제 1 회전 구동부;
    상기 제 1 홀더부 상에 배치되고, 제 2 기판을 지지하는 제 2 홀더부; 및
    상기 제 2 홀더부를 회전 구동시키는 제 2 회전 구동부를 포함하고,
    상기 제 1 회전 구동부 및 상기 제 2 회전 구동부에 압축 기체를 공급하는 압축 기체 공급부를 포함하고,
    상기 압축 기체에 의해서, 상기 제 1 회전 구동부 및 상기 제 2 회전 구동부는 구동되고,
    상기 제 1 기판 및 상기 제 2 기판은 탄화규소를 포함하고,
    상기 반응 기체는 메틸트리클로로실레인(MTS)을 포함하고,
    상기 제 1 홀더부, 상기 제 1 회전 구동부, 상기 제 2 홀더부 및 상기 제 2 회전 구동부는 상기 서셉터가 연장되는 방향에 대하여 경사지고,
    상기 서셉터가 연장되는 방향에 대한 상기 제 1 홀더부, 상기 제 1 회전 구동부, 상기 제 2 홀더부 및 상기 제 2 회전 구동부의 경사 각도는 8도 내지 30도인 증착 장치.
  10. 제 9 항에 있어서, 상기 제 2 홀더부 상에 배치되고, 제 3 기판을 지지하는 제 3 홀더부; 및
    상기 제 3 홀더부를 회전 구동시키는 제 3 회전 구동부를 포함하는 증착 장치.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 서셉터 외부에 배치되는 가열 부재를 더 포함하고,
    상기 반응 기체는 상기 가열 부재에 의해 상기 서셉터 내에서 라디칼로 분해되고,
    상기 라디칼은, CH3·, CH4, SiCl3· 또는 SiCl2·를 포함하는 증착 장치.
  12. 제 9 항에 있어서,
    상기 서셉터 외부에 배치되는 가열 부재를 더 포함하고,
    상기 반응 기체는 상기 가열 부재에 의해 상기 서셉터 내에서 라디칼로 분해되고,
    상기 라디칼은, CH3·, CH4, SiCl3· 또는 SiCl2·를 포함하는 증착 장치.
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