KR101882327B1 - 증착 장치 및 증착 방법 - Google Patents

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    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
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    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
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Abstract

실시예에 따른 탄화규소 증착 장치는, 챔버; 상기 챔버 내에 수용되어 기판을 수용하는 서셉터; 상기 서셉터와 연결되고, 상기 기판에 박막을 형성하기 위한 반응 기체를 상기 서셉터 내부로 유입하는 반응 기체 공급부를 포함하고, 상기 서셉터는 상기 반응 기체의 경로를 변화시키는 반응 기체 경로 변환부를 포함한다.
실시예에 따른 탄화규소 증착 방법은, 반응 기체를 서셉터에 공급하는 단계;상기 반응 기체가 이동하는 단계; 및 상기 반응 기체가 기판과 반응하는 단계를 포함하고, 상기 서셉터는, 상기 반응 기체의 경로를 변환시키는 반응 기체 경로 변환부를 포함하는 유입부 및 상기 기판을 포함하는 반응부를 포함하고, 상기 반응 기체는 상기 유입부에서 상기 기판의 상면에 대해 경사지는 방향으로 상기 반응부로 이동한다.

Description

증착 장치 및 증착 방법{APPARATUS AND METHOD FOR DEPOSITION}
실시예는 탄화규소 증착 장치 및 탄화규소 증착 방법에 관한 것이다.
일반적으로 기판 또는 웨이퍼(wafer)상에 다양한 박막을 형성하는 기술 중에 화학 기상 증착 방법(Chemical Vapor Deposition; CVD)이 많이 사용되고 있다. 화학 기상 증착 방법은 화학 반응을 수반하는 증착 기술로, 소스 물질의 화학 반응을 이용하여 웨이퍼 표면상에 반도체 박막이나 절연막 등을 형성한다.
이러한 화학 기상 증착 방법 및 증착 장치는 최근 반도체 소자의 미세화와 고효율, 고출력 LED 개발 등으로 박막 형성 기술 중 매우 중요한 기술로 주목 받고 있다. 현재 웨이퍼 상에 규소 막, 산화물 막, 질화규소 막 또는 산질화규소막, 텅스텐 막 등과 같은 다양한 박막들을 증착하기 위해 이용되고 있다.
상기 화학 기상 증착 방법을 통해 웨이퍼 또는 기판에 탄화규소 에피층을 성장하기 위해서는 반응 기체를 서셉터 내에 공급하여 웨이퍼에 증착하는 공정 등을 거친다.
이때, 상기 서셉터 내부로 상기 반응 기체를 유입하는 소스 기체 라인에는 많은 양의 반응 기체 및 캐리어 가스가 공급되어 빠른 속도로 상기 라인을 통과하여 상기 서셉터 내부로 유입된다.
그러나, 이러한 상기 반응 기체 또는 캐리어 가스의 이동 경로는 상기 서셉터 내부에서 평행하게 이동될 수 있다. 즉, 상기 웨이퍼 또는 상기 기판은 상기 서셉터 하판에 위치하는 웨이퍼 홀더 상에 위치하는데 이때, 상기 반응 기체가 상기 서셉터 내부에서 평행하게 이동하므로, 반응 기체의 흐름을 막는 턱 또는 돌기가 있을 경우 난류의 형성과 함께 상기 웨이퍼 또는 상기 기판에는 전체적으로 균일하게 증착되지 않을 수 있다.
따라서, 상기 소스 기체 라인을 통해 상기 서셉터 내부로 유입되는 반응 가스 또는 캐리어 가스의 이동 경로를 변화시켜 상기 웨이퍼 또는 상기 기판에 균일한 증착이 가능한 탄화규소 증착 장치 및 탄화규소 증착 방법의 필요성이 대두된다.
실시예는 서셉터 내부로 유입되는 반응 가스를 웨이퍼 또는 기판 상에 균일하게 증착할 수 있는 탄화규소 증착 장치 및 탄화규소 증착 방법을 제공하고자 한다.
실시예에 따른 탄화규소 증착 장치는, 챔버; 상기 챔버 내에 수용되어 기판을 수용하는 서셉터; 상기 서셉터와 연결되고, 상기 기판에 박막을 형성하기 위한 반응 기체를 상기 서셉터 내부로 유입하는 반응 기체 공급부를 포함하고, 상기 서셉터는 상기 반응 기체의 경로를 변화시키는 제1 반응 기체 경로 변환부를 포함한다.
실시예에 따른 탄화규소 증착 방법은, 반응 기체를 서셉터에 공급하는 단계;상기 반응 기체가 이동하는 단계; 및 상기 반응 기체가 기판과 반응하는 단계를 포함하고, 상기 서셉터는, 상기 반응 기체의 경로를 변환시키는 반응 기체 경로 변환부를 포함하는 유입부 및 상기 기판을 포함하는 반응부를 포함하고, 상기 반응 기체는 상기 유입부에서 상기 기판의 상면에 대해 경사지는 방향으로 상기 반응부로 이동한다.
실시예에 따른 탄화규소 증착 장치는, 서셉터 내부에 상기 반응 기체의 경로를 변환시키는 반응 기체 경로 변환부를 포함한다. 이에 따라, 상기 반응 기체는 상기 반응 기체 경로 변화부에 의해 상기 서셉터 내부에 수용되는 기판 또는 웨이퍼 상에 균일하게 분사될 수 있다.
또한, 실시예에 따른 탄화규소 증착 방법은, 제 1 경사면과 제 2 경사면을 포함하는 반응 기체 경로 변환부에 의해 상기 반응 기체는 상기 서셉터 내부에서 반응 기체의 경로를 변화시킬 수 있다. 즉, 상기 반응 기체는 상기 제 1 경사면을 통해 상기 제 2 경사면을 따라 이동하므로, 상기 서셉터 내부에서 상기 반응 기체는 상기 기판 또는 상기 웨이퍼의 상면에 대해 경사지는 방향으로 분사될 수 있어 상기 기판 또는 웨이퍼 상에 반응 가스를 균일하게 분사할 수 있다.
이에 따라, 실시예에 따른 탄화규소 증착 장치 및 탄화규소 증착 방법에 따라 제조되는 탄화규소 에피 위이퍼는 탄화규소 에피 웨이퍼 공정의 효율을 향상시킬 수 있고 고품질의 탄화규소 웨이퍼를 제조할 수 있다.
도 1은 실시예에 따 증착부를 도시한 분해사시도이다.
도 2는 실시예에 따 증착부를 도시한 사시도이다.
도 3은 도 2에서 A-A'부를 따라서 절단한 실시예에 따른 증착부를 도시한 단면도이다.
도 4는 도 1에서 B-B'부를 따라서 절단한 제1 실시예에 따른 서셉터를 도시한 단면도이다.
도 5은 도 1에서 B-B'부를 따라서 절단한 제 2 실시예에 따른 서셉터를 도시한 단면도이다.
도 6은 실시예에 따른 증착 장치에서 반응 가스의 이동경로를 도시한 도면이다.
도 7은 탄화규소 에피층 성장의 공정 흐름을 도시한 도면이다.
실시예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 “상/위(on)”에 또는 “하/아래(under)”에 형성된다는 기재는, 직접(directly) 또는 다른 층을 개재하여 형성되는 것을 모두 포함한다. 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
도면에서 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들의 두께나 크기는 설명의 명확성 및 편의를 위하여 변형될 수 있으므로, 실제 크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명하면 다음과 같다.
도 1 내지 도 5를 참조하면, 실시예에 따른 증착 장치는 챔버(100), 서셉터(200), 반응 기체 라인(300), 웨이퍼 홀더(400) 및 가열 부재(500)를 포함한다.
상기 챔버(100)는 원통형 튜브 형상을 가질 수 있다. 이와는 다르게, 상기 챔버(100)는 사각 박스 형상을 가질 수 있다. 상기 챔버(100)는 상기 서셉터(200), 상기 반응 기체 라인(300) 및 상기 웨이퍼 홀더(400)를 수용할 수 있다. 또한, 도면에 도시하지 않았으나, 상기 챔버(100)의 일측면에는 전구체 등을 유입시키기 위한 기체 공급부 및 기체의 배출을 위한 기체 배출부가 더 배치될 수 있다.
또한, 상기 챔버(100)의 양 끝단들은 밀폐되고, 상기 챔버(100)는 외부의 기체유입을 막고 진공도를 유지할 수 있다. 상기 챔버(100)는 기계적 강도가 높고, 화학적 내구성이 우수한 석영(quartz)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 챔버(100)는 향상된 내열성을 가진다.
또한, 상기 챔버(100) 내에 단열부가 더 구비될 수 있다. 상기 단열부는 상기 챔버(100) 내의 열을 보존하는 기능을 수행할 수 있다. 상기 단열부로 사용되는 물질의 예로서는 질화물 세라믹, 탄화물 세라믹 또는 흑연 등을 들 수 있다.
또한, 상기 챔버(100)의 외부에는 가열 부재(500)가 구비될 수 있다. 바람직하게는 상기 가열 부재(500)는 유도 코일일 수 있다. 상기 유도 코일은 상기 챔버(100) 외측에 배치된다. 더 자세하게, 상기 유도 코일은 상기 챔버(100)의 외주면을 둘러쌀 수 있다. 상기 유도 코일은 전자기 유도를 통하여, 상기 서셉터(200)를 유도 발열시킬 수 있다. 상기 유도 코일은 상기 챔버(100)의 외주면을 감을 수 있다. 상기 가열 부재는 약 1500℃ 이상의 온도로 가열할 수 있다. 바람직하게는 상기 가열 부재는 1500℃ 내지 1700℃의 온도로 가열할 수 있다.
상기 반응 기체 라인(300)은 상기 챔버(100) 내에 배치된다. 상기 반응 기체 라인(300)은 상기 제 2 공급 라인(22)에 직접 또는 간접적으로 연결되고, 상기 반응 기체 라인(300)의 일 끝단은 상기 서셉터(200)와 연결되어 상기 서셉터(200) 내부에 수용될 수 있다.
상기 반응 기체 라인(300)으로 사용되는 물질의 예로서는 석영 등을 들 수 있다.
상기 웨이퍼 홀더(400)는 상기 서셉터(200) 내에 배치된다. 더 자세하게, 상기 웨이퍼 홀더(400)는 상기 반응 기체가 흐르는 방향을 기준으로, 상기 서셉터(200)의 후미에 배치될 수 있다. 상기 웨이퍼 홀더(400)는 상기 웨이퍼(W)를 지지한다. 상기 웨이퍼 홀더(400)로 사용되는 물질의 예로서는 탄화규소 또는 흑연 등을 들 수 있다.
상기 서셉터(200)는 상기 챔버(100) 내에 배치된다. 상기 서셉터(200)는 상기 웨이퍼 홀더(400)를 수용한다. 또한, 상기 서셉터(200)는 상기 웨이퍼(W) 등과 같은 기판을 수용한다. 또한, 상기 반응 기체 공급부로부터, 상기 제 2 공급 라인(22), 상기 소스 기체 라인(300)을 통하여, 상기 서셉터(200) 내부로 상기 반응 기체가 유입된다.
도 1 내지 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 서셉터(200)는 서셉터 상판(210), 서셉터 하판(220) 및 서셉터 측판들(230, 240)을 포함할 수 있다. 또한, 서셉터 상판(210)과 서셉터 하판(220)은 서로 마주보며 위치한다.
상기 서셉터(200)는 상기 서셉터 상판(210)과 상기 서셉터 하판(220)을 위치시키고 양 옆에 상기 서셉터 측판들(230, 240)을 위치시킨 후 합착하여 제조할 수 있다.
그러나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니므로, 직육면체의 서셉터(200)에 가스 통로를 위한 공간을 내어 제조할 수 있다.
상기 서셉터 하판(220)에는 상기 웨이퍼 홀더(400)가 더 배치될 수 있다. 상기 서셉터 상판(210)과 상기 서셉터 하판(220) 사이의 공간에서 기류가 흐르면서 증착 공정이 이루어질 수 있다. 상기 서셉터 측판들(230, 240)은 상기 서셉터(200) 내부에서 기류가 흐를 때, 반응 기체가 빠져나가지 못하도록 하는 역할을 한다.
상기 서셉터(200)는 고온 등의 조건에서 견딜 수 있도록 내열성이 높고 가공이 용이한 흑연(graphite)를 포함할 수 있다. 또한, 상기 서셉터(200)는 흑연 몸체에 탄화규소 또는 탄화탄탈륨(TaC)가 코팅된 구조를 가질 수 있다. 또한, 상기 서셉터(200)는 자체로 유도가열될 수 있다.
상기 서셉터(200)에 공급되는 반응 기체는 열에 의해서, 반응기(radical)로 분해되고, 이 상태에서, 상기 웨이퍼(W) 등에 증착될 수 있다. 예를 들어, MTS는 규소 또는 탄소를 포함하는 반응기로 분해되고, 상기 웨이퍼(W) 상에는 탄화규소 에피층이 성장될 수 있다. 더 자세하게, 상기 반응기는 CH3·, CH4, SiCl3· 또는 SiCl2·일 수 있다.
또한, 상기 서셉터(200)는 상기 서셉터(200)의 내부에 상기 반응 기체의 경로를 변환시키는 제 1 반응 기체 경로 변환부(250) 및 제 2 반응 기체 경로 변환부(260)를 포함할 수 있다. 상기 제 1 반응 기체 경로 변환부(250) 및 제 2 반응 기체 경로 변환부(260)는 상기 서셉터(200) 내부로 유입되는 반응 가스의 경로를 변화시킬 수 있다.
이하, 상기 제 1 반응 기체 경로 변환부(250)에 대해 도 3 내지 도 6을 참조하여 상세히 설명한다.
도 3은 도 2에서 A-A'부를 따라서 절단한 실시예에 따른 증착 장치를 도시한 단면도이고, 도 4는 도 1에서 B-B'부를 따라서 절단한 제1 실시예에 따른 서셉터를 도시한 단면도이며, 도 5는 도 1에서 B-B'부를 따라서 절단한 제 2 실시예에 따른 서셉터를 도시한 단면도이다.
도 3 내지 도 5를 참조하면, 상기 서셉터(200)는 서셉터 상판(210), 상기 서셉터의 상판과 서로 마주보며 위치하는 서셉터 하판(220) 및 서셉터 측판들(230, 240)을 포함할 수 있다. 또한, 서셉터(200)는 상기 반응 기체의 경로를 변화시키는 제 1 반응 기체 경로 변환부(250) 및 제 2 반응 기체 경로 변환부(260)를 포함할 수 있다.
상기 제 1 반응 기체 경로 변환부(250) 및 상기 제 2 반응 기체 경로 변환부(260)는 상기 반응 기체 공급부와 상기 웨이퍼 또는 상기 기판 사이에 배치될 수 있다. 또한, 상기 제 1 반응 기체 경로 변환부(250)는 상기 서셉터의 하판(220) 및 상기 서셉터 측판들(230, 240)과 직접 접촉할 수 있고, 상기 제 2 반응 기체 경로 변환부(260)는 상기 서셉터의 상판(210) 및 상기 서셉터 측판들(230, 240)과 직접 접촉할 수 있다. 또한, 상기 제 1 반응 기체 경로 변환부(250) 및 상기 제 2 반응 기체 경로 변환부(260)는 상기 서셉터와 동일한 재질을 포함할 수 있다. 바람직하게는, 상기 제 1 반응 기체 경로 변환부(250) 및 상기 제 2 반응 기체 경로 변환부(260)는 탄화규소(SiC) 또는 흑연(C)을 포함할 수 있다.
또한, 상기 제 1 반응 기체 경로 변환부(250)는 제 1 경사면(251)과 제 2 경사면(252)을 포함할 수 있다. 상기 제 1 경사면(251)의 경사 각도(θ1)와 상기 제 2 경사면(252)의 경사 각도(θ2)는 동일하거나 또는 서로 다를 수 있다. 바람직하게는, 상기 제 1 경사면(251)의 경사 각도(θ1)는 상기 제 2 경사면(252)의 경사 각도(θ2)보다 더 클 수 있다.
또한, 상기 제 2 반응 기체 경로 변환부(260)는 제 3 경사면(261)을 포함할 수 있다. 상기 제 2 경사면(252)의 경사 각도(θ2)와 상기 제 3 경사면(261)의 경사 각도(θ3)는 동일하거나 또는 서로 다를 수 있다. 바람직하게는, 상기 제 2 경사면(252)의 경사 각도(θ2)와 상기 제 3 경사면(261)의 경사 각도(θ3)는 평행할 수 있다. 즉, 상기 제 3 경사면(261)과 상기 제 2 경사면(252)은 이격하여 서로 대향할 수 있다.
또한, 상기 제 1 반응 기체 경로 변환부(250)와 상기 서셉터(210) 상판 사이의 간격은 상기 제 1 경사면(251)과 상기 기판이 가까워질수록 작아질 수 있고, 상기 제 2 경사면(252)과 상기 기판이 가까워질수록 커질 수 있다. 상기 반응 기체 경로 변환부(250, 260)에 의해 상기 서셉터 내부로 유입되는 반응 가스는 상기 제 1 경사면(251) 및 상기 제 2 경사면(252) 및 상기 제 3 경사면(261)의 경사 방향을 따라 흐르게 된다. 이에 따라, 상기 반응 가스는 상기 제 1 경사면(251)의 경사 방향을 따라 상기 서셉터 상판 방향으로 비스듬히 올라가게되고, 상기 제 2 경사면(252) 및 상기 제 3 경사면(261)의 경사 방향을 따라 상기 서셉터의 하판 방향 즉, 상기 기판 또는 상기 웨이퍼의 상면에 대해 경사지는 방향으로 이동하게 된다.
이에 따라, 상기 반응 가스는 상기 웨이퍼 또는 상기 기판의 상면에 대해 경사지는 방향으로 이동할 수 있으므로, 상기 웨이퍼 또는 상기 기판 상에 전체적으로 균일한 탄화규소 증착이 가능할 수 있다. 따라서, 실시예에 따른 탄화규소 증착 장치는 탄화규소 에피 웨이퍼 공정의 효율 및 고품질의 탄화규소 에피 웨이퍼를 제조할 수 있다.
이하, 도 6 및 도 7을 참조하여, 실시예에 따른 증착 방법을 설명한다. 명확하고 간략한 설명을 위해 앞서 설명한 내용과 동일 또는 유사한 부분에 대해서는 상세한 설명을 생략한다.
도 6은 증착 장치에서 반응 가스의 이동경로를 도시한 도면이고, 도 7은 탄화규소 에피층 성장의 공정 흐름을 도시한 도면이다.
도 7 및 도 7을 참조하면, 실시예에 따른 증착 방법은 반응 기체를 공급하는 단계(ST10), 반응 기체가 이동하는 단계(ST20) 및 반응하는 단계(ST30)를 포함할 수 있다.
상기 반응 기체를 공급하는 단계(ST10)에서는, 상기 반응 기체 라인(300)을 통해 상기 서셉터(200) 내부로 반응 가스를 공급할 수 있다. 즉, 상기 반응 기체 라인(200)의 끝단은 상기 서셉터(200))와 연결되고, 상기 반응 기체 라인(300)을 통과하는 반응 기체는 상기 서셉터(200) 내부로 유입될 수 있다.
이어서, 상기 반응 기체가 이동하는 단계(ST20)에서는 상기 반응 기체가 서셉터 내부에서 상기 기판 또는 상기 웨이퍼 상으로 이동할 수 있다. 상기 서셉터(200)는 반응 기체 유입부(A)와 반응 기체 반응부(B)를 포함할 수 있다. 상기 서셉터(200) 내부로 유입되는 반응 기체는 상기 반응 기체 유입부(A)에서 제 1 반응 기체 경로 변환부(250) 및 제 2 반응 기체 경로 변환부(260)를 통해 상기 반응 기체 반응부(B)로 이동할 수 있다.
상기 제 1 반응 기체 경로 변환부(250)는 제 1 경사면(251)과 제 2 경사면(252)을 포함하고, 상기 제 2 반응 기체 경로 변환부(260)는 제 3 경사면(261)을 포함한다. 상기 반응 기체는 상기 제 1 경사면(251)에서 상기 제 2 경사면(252) 및 상기 제 3 경사면(261)으로 이동할 수 있다. 이에 따라, 상기 반응 기체는 상기 제 1 반응 기체 경로 변환부(250) 및 상기 제 2 반응 기체 경로 변환부(260)에 의해 상기 반응 기체 유입부에서 상기 기판의 상면에 대해 경사지는 방향으로 상기 반응 기체 반응부로 이동할 수 있다.
다시 말해, 상기 반응 기체는 상기 제 1 경사면(251)에서 상기 서셉터의 상판 방향으로 이동하여, 상기 제 2 경사면(252) 및 상기 제 3 경사면(261)에서 상기 서셉터의 하판 방향 즉, 상기 기판의 상면에 대해 경사지는 방향으로 이동할 수 있다.
이어서, 반응하는 단계(ST30)에서는 상기 반응기로 분해된 반응 가스들이 상기 웨이퍼 또는 상기 기판에 분사되고 반응하여 상기 웨이퍼(W) 또는 상기 기판 상에 탄화규소 에피층을 형성할 수 있다.
종래에는 상기 서셉터의 하판 또는 서셉터의 상판과 평행한 방향으로 연장하는 반응 기체 라인을 통해 반응 가스가 서셉터 내부로 유입되었다. 이에 따라, 반응 가스의 경로 상에 흐름을 방해하는 턱 또는 돌기가 있을 경우 상기 반응 기체가 상기 웨이퍼 홀더 또는 상기 서셉터 내부에 위치하는 기판 또는 웨이퍼에 균일하게 분사되기 어려워 균일한 탄화규소 에피층을 형성할 수 없었다.
반면에, 실시예에 따른 탄화규소 증착 방법은 상기 제 1 경사면(251), 상기 제 2 경사면(252) 및 상기 제 3 경사면(261)을 포함하는 상기 반응 기체 경로 변환부(250, 260)에 의해 상기 반응 기체가 상기 서셉터(200) 내부의 반응 기체 유입부로부터 상기 기판의 상면에 대해 경사지는 방향으로 상기 반응 기체 반응부로 이동하게 되므로, 상기 반응 가스가 상기 기판 또는 상기 웨이퍼 상에 균일하게 분사될 수 있다.
이에 따라, 탄화규소 에피 웨이퍼 공정의 효율을 높일 수 있고, 고품질의 탄화규소 에피 웨이퍼의 제조가 가능하다.
상술한 실시예에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의하여 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
또한, 이상에서 실시예들을 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예들에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부한 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (17)

  1. 챔버;
    상기 챔버 내에 수용되어 기판을 수용하는 서셉터;
    상기 서셉터와 연결되고, 상기 기판에 박막을 형성하기 위한 반응 기체를 상기 서셉터 내부로 유입하는 반응 기체 공급부를 포함하고,
    상기 서셉터는,
    상기 반응 기체의 경로를 변화시키는 제 1 반응 기체 경로 변환부;
    상기 제 1 반응 기체 경로 변환부와 이격되어 배치되는 제 2 반응 기체 경로 변환부;
    상기 제 1 반응 기체 경로 변환부가 배치되는 서셉터 하판; 및
    상기 서셉터 하판과 서로 마주보며 위치하며 상기 제 2 반응 기체 경로 변환부가 배치되는 서셉터 상판을 포함하고,
    상기 기판은 상기 서셉터 하판 상에 배치되고,
    상기 제 1 반응 기체 경로 변환부 및 상기 제 2 반응 기체 경로 변환부는 상기 반응 기체 공급부 및 상기 기판 사이에 배치되고,
    상기 제 1 반응 기체 경로 변환부는, 제 1 경사면 및 제 2 경사면을 포함하고,
    상기 제 2 반응 기체 경로 변환부는, 제 3 경사면 및 제 4 경사면을 포함하고,
    상기 제 3 경사면은 상기 제 2 경사면과 평행하고 이격하여 서로 대향하고,
    상기 제 4 경사면과 상기 서셉터 상판 사이의 거리는, 상기 반응 기체 공급부로부터 멀어질수록 가까워지고,
    상기 제 1 경사면이 시작되는 점을 기준으로 상기 반응 기체가 유입되는 상기 서셉터 내부의 폭은 점점 좁아지고,
    상기 제 3 경사면이 시작되는 점을 기준으로 상기 반응 기체가 유입되는 상기 서셉터 내부의 폭은 일정하고,
    상기 제 3 경사면이 끝나는 점을 기준으로 상기 서셉터 내부의 폭은 넓어지고,
    상기 제 4 경사면이 시작되는 점을 기준으로 상기 서셉터 내부의 폭은 넓어지고,
    상기 반응 기체 공급부와 상기 기판 사이의 거리는, 상기 반응 기체 공급부와 상기 제 4 경사면이 끝나는 점까지의 거리보다 가깝고,
    상기 기판에 분사되는 상기 반응 기체는, 상기 기판의 상면에 대해 경사지는 방향으로 분사되는 탄화규소 증착 장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 서셉터는 서셉터 측판들을 더 포함하고,
    상기 제 1 반응 기체 경로 변환부는 상기 서셉터 하판 및 상기 서셉터 측판들과 직접 접촉하는 탄화규소 증착 장치.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 제 1 반응 기체 경로 변환부와 상기 서셉터 상판 사이의 간격은 상기 제 1 경사면과 상기 기판이 가까워질수록 작아지는 탄화규소 증착 장치.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 제 1 반응 기체 경로 변환부와 상기 서셉터 상판 사이의 간격은 상기 제 2 경사면과 상기 기판이 가까워질수록 커지는 탄화규소 증착 장치.
  5. 제 3항에 있어서,
    상기 제 1 경사면의 경사 각도는 상기 제 2 경사면의 경사 각도보다 더 큰 탄화규소 증착 장치.
  6. 제 3항에 있어서,
    상기 제 1 경사면의 경사 각도와 상기 제 2 경사면의 경사 각도는 서로 다른 탄화규소 증착 장치.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 제 2 경사면이 끝나는 점과 상기 기판 사이의 거리는, 상기 제 3 경사면이 끝나는 점과 상기 기판 사이의 거리보다 작은 탄화규소 증착 장치.
  8. 삭제
  9. 제 1항에 있어서,
    상기 서셉터 또는 상기 반응 기체 경로 변환부는 탄화규소(SiC) 또는 흑연(C)을 포함하는 탄화규소 증착 장치.
  10. 제 1항에 있어서,
    상기 제 2 반응 기체 경로 변환부는 상기 서셉터 상판 및 상기 서셉터 측판들과 직접 접촉하는 탄화규소 증착 장치.
  11. 반응 기체를 서셉터에 공급하는 단계;
    상기 반응 기체가 이동하는 단계; 및
    상기 반응 기체가 기판과 반응하는 단계를 포함하고,
    상기 반응 기체는, 상기 서셉터와 연결된 반응 기체 공급부에 의해 공급되고,
    상기 서셉터는, 서셉터 상판 및 상기 서셉터 상판과 서로 마주보며 위치하는 서셉터 하판을 포함하고,
    상기 기판은 상기 서셉터 하판 상에 배치되고,
    상기 서셉터는, 상기 반응 기체의 경로를 변환시키는 반응 기체 경로 변환부를 포함하는 유입부 및 상기 기판을 포함하는 반응부를 포함하고,
    상기 반응 기체 경로 변환부는 상기 반응 기체의 경로를 변환시키는 제 1 반응 기체 경로 변환부 및 상기 제 1 반응 기체 경로 변환부와 이격되어 배치되는 제 2 반응 기체 경로 변환부를 포함하고,
    상기 제 1 반응 기체 경로 변환부는 상기 서셉터 하판 상에 배치되고,
    상기 제 2 반응 기체 경로 변환부는 상기 서셉터 상판 상에 배치되고,
    상기 제 1 반응 기체 경로 변환부는, 제 1 경사면 및 제 2 경사면을 포함하고,
    상기 제 2 반응 기체 경로 변환부는, 제 3 경사면 및 제 4 경사면을 포함하고,
    상기 제 3 경사면은 상기 제 2 경사면과 평행하고 이격하여 서로 대향하고,
    상기 제 4 경사면과 상기 서셉터 상판 사이의 거리는, 상기 반응 기체 공급부로부터 멀어질수록 가까워지고,
    상기 제 1 경사면이 시작되는 점을 기준으로 상기 서셉터 내부의 폭은 점점 좁아지고,
    상기 제 3 경사면이 시작되는 점을 기준으로 상기 서셉터 내부의 폭은 일정하고,
    상기 제 3 경사면이 끝나는 점을 기준으로 상기 서셉터 내부의 폭은 넓어지고,
    상기 제 4 경사면이 시작되는 점을 기준으로 상기 서셉터 내부의 폭은 넓어지고,
    상기 반응 기체 공급부와 상기 기판 사이의 거리는, 상기 반응 기체 공급부와 상기 제 4 경사면이 끝나는 점까지의 거리보다 가깝고,
    상기 반응 기체는 상기 유입부에서 상기 기판의 상면에 대해 경사지는 방향으로 상기 반응부로 이동하고,
    상기 반응부에서, 상기 기판에 분사되는 상기 반응 기체는, 상기 기판의 상면에 대해 경사지는 방향으로 분사되는 탄화규소 증착 방법.
  12. 제 11항에 있어서,
    상기 반응 기체는 상기 제 1 경사면에서 상기 제 2 경사면 및 상기 제 3 경사면으로 이동하는 탄화규소 증착 방법.
  13. 제 12항에 있어서,
    상기 제 1 경사면의 경사 각도는 상기 제 2 경사면의 경사 각도보다 더 큰 탄화규소 증착 방법.
  14. 제 12항에 있어서,
    상기 제 1 경사면의 경사 각도와 상기 제 2 경사면의 경사 각도는 동일한 탄화규소 증착 방법.
  15. 삭제
  16. 제 11항에 있어서,
    상기 서셉터는 서셉터 측판들을 더 포함하고,
    상기 반응 기체는 상기 제 1 경사면에서 상기 서셉터의 상판 방향으로 이동하고, 상기 제 2 경사면에서 상기 서셉터의 하판 방향으로 이동하는 탄화규소 증착 방법.
  17. 제11항에 있어서,
    상기 반응 기체는 탄소 및 규소를 포함하는 탄화규소 증착 방법.
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