CN100339942C - 气体驱动的行星旋转设备及用于形成碳化硅层的方法 - Google Patents

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Abstract

一种与一驱动气体流一起使用的气体驱动旋转设备包括一具有一上表面的基座构件、一位于基座构件的上表面上方的主母板、以及一位于主母板上方的附母板。这种设备构造成将驱动气体流引导于基座构件的上表面与主母板之间，以便使得主母板在驱动气体流作用下相对于基座构件旋转。驱动气体流的至少一部分被从基座构件的上表面与主母板之间引向主母板与附母板之间，以便使得附母板在该至少一部分驱动气体流的作用下相对于主母板旋转。

Description

气体驱动的行星旋转设备及用于形成碳化硅层的方法
技术领域
本发明涉及用于旋转一衬底的方法和设备，更特别而言，涉及用于为衬底提供气体驱动的旋转的这类方法和设备。
背景技术
碳化硅(SiC)日益被看作电子装置所用的一种有效半导体材料。SiC拥有许多使其对于需要在高温、高功率和/或高频率下操作的装置的应用特别有吸引力的属性。SiC具有高效的传热能力并且能够经受高电场。
已经证明，热壁化学气相沉积(CVD)反应器可提供的SiC外延层的形态学和掺杂质都胜过冷壁系统。例如，请看授予Kordina等人的美国专利No.5,695,567，其公开内容在此引入作为参考。而且还已经证明，向热壁CVD系统中增加衬底旋转可以既改进系统的每循环容量，又改进所获得的外延层的均一性。授予Frijlink的美国专利No.4,860,687公开了一种装置，其包括一平行于一基准面旋转的平感受器。这种公开于其中的装置可用于一气相外延系统中。
发明内容
根据本发明的实施例，一种与一驱动气体流一起使用的气体驱动旋转设备包括一具有一上表面的基座构件、一位于基座构件的上表面上方的主母板、以及一位于主母板上方的附母板。这种设备具有如此构造：驱动气体流被引导于基座构件的上表面与主母板之间，以便使得主母板在驱动气体流作用下相对于基座构件旋转。驱动气体流的至少一部分被从基座构件的上表面与主母板之间引向主母板与附母板之间，以便使得附母板在该至少一部分驱动气体流的作用下相对于主母板旋转。
根据本发明的其它实施例，一种与一驱动气体流一起使用的气体驱动旋转设备包括一具有一上表面的基座构件和一具有一上表面并且位于基座构件的上表面上方的主母板。至少一个基本上沿径向延伸、大致为直形的附驱动槽道形成于主母板的上表面中。一附母板位于主母板和该至少一个附驱动槽道上方。这种设备具有如此构造：至少一部分驱动气体流被引导通过附驱动槽道，以便使得附母板绕着一旋转轴线相对于主母板旋转。
根据本发明的其它实施例，一种与一驱动气体流一起使用的气体驱动旋转设备包括一具有一上表面的基座构件、一位于基座构件的上表面上方的主母板、以及一位于主母板上方的附母板。这种设备具有如此构造：使得主母板沿一第一方向相对于基座构件旋转，附母板沿一与第一方向相反的第二方向相对于主母板旋转，主母板的旋转和附母板的旋转运动中至少有一个由驱动气体流驱动。
根据本发明的方法实施例，一种用于旋转一物品的方法包括提供一种气体驱动旋转设备，这种设备包括一具有一上表面的基座构件、一位于基座构件的上表面上方的主母板、以及一位于主母板上方的附母板。物品被安放于附母板上。一衬底被安放于附母板上。一驱动气体流被引导于基座构件的上表面与主母板之间，以便使得主母板在驱动气体流作用下相对于基座构件旋转。驱动气体流的至少一部分被从基座构件的上表面与主母板之间引向主母板与附母板之间，以便使得附母板在该至少一部分驱动气体流的作用下相对于主母板旋转。
根据本发明的其它方法实施例，一种用于旋转一物品的方法包括提供一种气体驱动旋转设备，这种设备包括一具有一上表面的基座构件、一位于基座构件的上表面上方的主母板、以及一位于主母板上方的附母板。物品被安放于附母板上。主母板沿一第一方向相对于基座构件旋转。附母板沿一与第一方向相反的第二方向相对于主母板旋转。主母板的旋转和附母板的旋转运动中至少有一个由驱动气体流驱动。
通过阅读附图及以下对优选实施例的详细描述，本发明所属领域的普通技术人员应当理解本发明的目的，这些描述仅用于对本发明进行示例说明。
附图说明
附图包括于本说明书中并且构成了说明书的一部分，其示出了本发明的实施例，并且与文字描述一起用来解释本发明的原理。
图1为根据本发明的实施例的一种感受器组件的部件分解透视图；
图2为图1的感受器组件的透视图；
图3为根据本发明的实施例的一热壁CVD系统的示意图，其包括图1的感受器组件；
图4为一形成了图1的感受器组件的一部分的基座构件的俯视图；
图5为图4的基座构件的放大、局部、顶视图；
图6为一形成了图1的感受器组件的一部分的主母板的俯视图；
图7为图6的主母板沿图6的线7-7剖开的剖面图；
图8为图6的主母板沿图6的线8-8剖开的剖面图；
图9为图6的主母板沿图6的线9-9剖开的剖面图；
图10为一形成了图1的感受器组件的一部分的附母板的俯视图；
图11为图1的感受器组件的俯视图，其中除去了其盖构件和侧部构件；
图12为图1的感受器组件沿图11的线12-12剖开的剖面图，其中为清楚起见其附母板之一被省去；以及
图13为根据本发明的其它实施例的一种感受器组件的俯视图，其中除去了其盖构件和侧部构件。
具体实施方式
现在将参照示出了本发明的优选实施例的附图在下文中对本发明进行更充分的描述。然而，本发明可按照许多不同形式来实现，并且不应被解释为限定于此处所述的实施例；相反，所提供的这些实施例用来使得本公开内容将十分完整，并且将充分地向本发明所属领域的普通技术人员传达本发明的范围。相同的数字始终指的是相同的元件。
参看图1和图2，其中示出了根据本发明的实施例的一种感受器组件100。感受器组件100可用于如图3中所示的热壁CVD系统10中，其中示意性地示出了感受器100。除了感受器组件100之外，热壁CVD系统都可为常规型构造和用法。系统10包括一限定了一贯穿通道14的石英管12。管12被一RF线圈16所围绕。组件100置于管12中。先驱气体例如硅烷(SiH4)和丙烷(C3H8)与一纯氢气体(H2)载体一起引入并由其运送穿过管12。RF线圈16感应加热感受器组件100以便提供一进行SiC沉积反应的热区。更特别而言，一层SiC在目标晶片20(示意性地示于图3中)的外露表面上生长。在阅读此处的描述时，本发明所属领域的普通技术人员应当理解系统10的改型及其使用方法。应当理解，本发明可用于其它类型的反应器中并可与其它类型的加热装置和技术一起使用。
感受器组件100适于提供若干晶片20相对于系统10的反应物气体流和受热部分的行星旋转运动。更特别而言，感受器组件100使若干晶片20绕着一公共旋转轴线L-L(图12)旋转并且同时使每个晶片绕着相应的各个旋转轴线(例如旋转轴线Q-Q；图12)旋转。这些旋转运动各自都由一驱动气体流驱动。
现在更详细地转向感受器组件100，并且如图1和2中看得最清楚，组件100包括一盖构件110、侧壁构件120和一基座构件150，它们形成了一在组件100的上游或入口端110A处和出口或下游端110B处开口的盒子。构件110、120和150由紧固件122定位。一通道102从端110A向端110B完全延伸穿过组件100。一上衬垫124和一对下衬垫126分别安装于盖构件110和基座构件150上。优选地，衬垫124、126的安装和构造方式如2001年十月30日提交、标题为“用于可控地加热物品的感应加热装置及方法”、序号为10/017,492的美国专利申请中所述，其公开内容在此全部引入作为参考。一主母板130置于通道102中并且安装成可绕着一销或轴140旋转。母板130优选地为圆盘形，如图所示。三个附母板180安装成可在主母板130上绕着相应的轴柱193旋转。晶片20(图1)安装于附母板180上。
参看图1、4、5和12，基座构件150具有一上表面151A。一排出通道154在邻近出口端110B处形成于基座构件150中并且终止于开口154A中。基座构件150还包括一形成于上表面151A中的母板安装部分160。一供气通道170形成于基座构件150中并且与螺纹入口孔172和部分160中的一出口孔174保持流体连通。一连接通道176提供了部分160与通道154之间的连通，如下文中所述。
母板安装部分160优选地为一凹槽或凹座，如图所示。部分160具有一比较深的圆周环形槽道164、一内侧或中心凹槽162和多个基本沿径向延伸的直形(即直线)主驱动槽道168，它们共同形成了多个位于其间的平台166。优选地，槽道168不会从直线上偏离超过标准、低成本制造过程允许范围(通常每英寸槽道长度大约偏离0.001英寸)。主驱动槽道168优选地绕着中心凹槽162等间距地对称定位。可以提供更多或更少的主驱动槽道168。中心凹槽162优选地为圆形而通道164和中心凹槽162优选地基本上为同心，如图所示。
一轴凹槽163形成于中心凹槽162的中心。开口174形成于中心凹槽162中从中心凹槽162的中心偏移开的位置处。
槽道164的外侧垂直壁164B向着上表面151A的周围部分向上延伸。槽道164的内侧垂直壁164A向着平台166向上延伸。连接通道176具有一位于槽道164的下壁中的上开口和一位于通道154处的下开口。
驱动槽道168各自从一入口端168A向一出口端168B延伸。入口端168A各自与中心凹槽162相交而出口端168B各自与槽道164相交。驱动槽道168相对于旋转中心轴线L-L(参看图12)成一定角度延伸。更特别而言，并且参看图5，每个驱动槽道168限定了一延伸穿过槽道168的中心的中心槽道轴线N-N。轴线N-N从旋转轴线L-L(其在图5中穿过轴凹槽163的中心沿离开纸面的方向延伸)偏移开(即不与其相交)。一直基准线M-M在驱动槽道168的出口端处与槽道轴线N-N相交并且与一由槽道164的内侧垂直壁164A限定的基准圆相切。槽道轴线N-N和基准线M-M限定了一位于其间的夹角P。角度P小于90度。更优选地，角度P介于大约35与75度之间。最优选地，角度P介于大约45与65度之间。
优选地，驱动槽道168的宽度介于大约0.5与0.1英寸之间。优选地，驱动槽道168的深度介于大约0.002与0.020英寸之间。
优选地，槽道164的外侧垂直壁164B和母板130的外周边缘134限定了一位于其间的间隙，间隙的宽度介于大约0.100与0.010英寸之间。优选地，槽道164的宽度介于大约0.250与0.050英寸之间，而位于平台166之下的深度介于大约0.100与0.020英寸之间。驱动槽道168的长度J和内侧垂直壁164A的直径K(图4)将取决于主母板130的尺寸。
优选地，平台166在上表面151A下方垂直凹下的距离大约与母板130的厚度相同。优选地，中心凹槽162从平台166垂直凹下一介于大约0.100与0.010英寸之间的距离。优选地，中心凹槽162的直径I(图4)介于大约1.00英寸与主母板直径的50％之间。
一驱动气体供应装置171连接于螺纹入口孔172上以便与通道170形成流体连通。供气装置171可以操作以便将加压驱动气体流推入供气通道170中。驱动气体供应装置171替代地或者另外还连接于驱动气体排出通道154上，以便从基座构件150抽吸驱动气体。适用的供气装置包括可从Barnant Co.of Barrington，Illinois公司买到的Gilmont Instruments质量流控制器。优选地，驱动气体为非反应性。更优选地，驱动气体为惰性气体，特别是氩或氦。最优选地，驱动气体为氩。其它适用的驱动气体包括H2。
在图11和12中看得最清楚，主母板130放在基座构件150的母板安装部分160(图4)上方。参看图1，6-9和12，主母板130基本上为圆形并且具有一上表面131A、一相对的下表面131B和一外周边缘134。一轴凹槽133形成于下表面131B中。下表面131B优选地基本平滑，除了轴凹槽133之外不带任何槽或凸台。
在图6-9中看得最清楚，三个附凹穴190形成于主母板130的上表面131A中。一轴柱193从每个凹穴190向上延伸。优选地，每个凹穴190的深度A(图7)介于大约0.1与0.3英寸之间。优选地，每个凹穴190的直径B(图7)介于大约0.005与0.2英寸之间，大于预定晶片的直径。凹穴190优选地绕着主母板130的中心(即轴线L-L)基本上等间距地定位。
三个通道和槽道阵列191分别位于每个凹穴190中。阵列191优选地基本上相同，并且绕着母板130的中心对称地排列和定向。因此，在下文中将只对阵列之一进行详细描述，应当理解这种描述同样适用于其它两个阵列191。
阵列191包括三个形成于凹槽190内主母板131的上表面131A中的附驱动槽道192A、192B、192C。一进给通道194A从下表面131B向上表面131A完全贯穿母板130延伸，并且与驱动槽道192A形成流体交叉。一第二进给通道194B从下表面131B向上表面131A完全贯穿母板130延伸，并且与驱动槽道192B形成流体交叉。一形成于上表面131A中的进给槽道196在每个驱动槽道192B和驱动槽道192C之间延伸并且与其形成流体交叉，以便使得进给通道194B通过进给槽道196与驱动槽道192C形成流体连接。
优选地，每个驱动槽道192A、192B、192C的深度C(图7)介于大约0.002与0.020英寸之间，长度D(图6)介于大约晶片直径的百分之20到80之间，而宽度E(图6)介于大约0.1与0.5英寸之间。优选地，每个进给槽道196的深度F(图9)介于大约0.006与0.080英寸之间，长度G(图6)介于大约晶片直径的百分之25到100之间，而宽度H(图6)介于大约0.02与0.3英寸之间。
优选地，如所示，每个附驱动槽道192A、192B、192C基本上为直形(即直线)。然而，槽道192A、192B、192C也可为其它形状(例如，曲线形或弓形)。
在图12中看得最清楚，主母板130安装于安装部分160上方并且部分位于其内。在图12中，所示的主母板130处于浮动或浮起位置上，如下所述。轴140的下端置于凹槽163中而轴140的上端置于凹槽133中。轴140的中心轴线限定了旋转轴线L-L，其与主母板130的上表面131A正交。凹槽133的尺寸使得主母板130可沿轴140上下垂直地自由滑动并且使得主母板130可绕着环绕着轴线L-L的轴140自由旋转。
参看图1、10和12，附母板180各包括一向上开口的晶片凹穴182和一周围壁184。每个凹穴182适于保持着晶片20中的一个。附母板180的外径T优选地介于大约0.005与0.2英寸之间，小于凹穴190的直径。一轴凹槽186形成于每个附母板180的下表面中，用于容放轴柱193中的相应之一，以便使得母板180可沿着柱193上下自由滑动。
构件110、120、150、主母板130以及轴140优选地由带有完全包围着的致密SiC涂层(即密封并且孔隙率为0％)的高纯度石墨形成。替代地，主母板130可由固态SiC或固态SiC合金形成。替代地，主母板130可由涂有TaC的石墨形成。衬垫126优选地由涂有SiC或难熔金属碳化物如TaC的石墨形成。
附母板180可由渗碳石墨形成。替代地，母板180可由涂有SiC或TaC的渗碳石墨或涂有SiC或TaC的未浸渗石墨形成。替代地，母板180可由固态、不带涂层的SiC或涂有TaC的SiC形成。
感受器组件100可按照以下方式使用。首先，将母板130置于母板安装部分160中以便将母板130安放于平台166上。将附母板置于凹穴190中。将晶片20置于附母板180的凹穴182中。图11和12示出了使用中的组件100，但是为清楚起见晶片20被省去。在图12中，为清楚起见还将左侧附母板180省去。
然后启动供气装置171。供气装置171推动气体通过入口孔172、通道180和出口孔174，如图12中的箭头所示。驱动气体从出口孔174进入由中心凹槽162和位于上方的母板130所形成的气室。气室中的驱动气体受到加压，一直到驱动气体压力与环境压力(即作用于母板130的上表面131A上的压力)之间的压差超过作用于母板上的重力为止。按照这种方式，加压驱动气体就向上推动母板130(即，沿方向U；图12)。
一旦母板130浮起，驱动气体的第一部分就在母板130与基座构件150的部分160之间从中心凹槽162向外流出，并流入槽道164中，如图4中的箭头所示。该第一部分驱动气体中至少某些通过驱动槽道168从中心凹槽162流向槽道164，如图4中的箭头所示。某些驱动气体通过连接通道176流出槽道164并且通过通道154从基座构件150排出。某些驱动气体可通过位于外周边缘134与槽道164的外侧垂直壁之间的间隙流出槽道164。
通过中心凹槽162提供的某些驱动气体从中心凹槽162流向位于基座构件150与主母板130的下表面131B之间的间隙。这些驱动气体中某些流入槽道164并通过通道154排出或者绕着主母板的外周边缘134排出。
为了使附母板180浮起并旋转，通过中心凹槽162提供的第二部分驱动气体在基座构件150与主母板130的下表面131B之间，从中心凹槽162向上通过每个进给通道194A、194B流入凹穴190。来自每个进给通道194A的驱动气体通过邻近驱动槽道192A在驱动槽道192A与上方的附母板180的下表面之间沿径向向外(相对于相应轴柱193的旋转轴线)流动，并且绕着母板180的周边从凹穴190流出。
来自每个进给通道194B的驱动气体的一部分沿着邻近驱动槽道192B在驱动槽道192B与母板180之间沿径向向外流动。来自进给通道194B的驱动气体的另一部分通过进给槽道196流向相关的驱动槽道192C，并流过驱动槽道192C。
来自进给通道104A、104B的驱动气体的其它部分可在凹穴180与附母板180之间沿径向向外流动，并绕着附母板180的周边排出，而不流过驱动槽道192A、192B、192C或者进给槽道196。
通过进给通道194A、194B供应的驱动气体的部分向上(即沿方向U)推动附母板180并且将母板180浮于主母板130上方。
驱动气体按照足以将主母板130保持于位于平台166上方的浮起位置上并将附母板180保持于位于主母板130上方的浮起位置上的速率和压力被持续地推动通过组件100，如图12中所示。主母板130的浮起高度可以通过选择驱动槽道168的宽度和深度、中心凹槽162的直径、位于母板130与部分160之间的驱动气体的压力、以及驱动气体流动速率来控制。附母板180的浮起高度可以通过选择驱动槽道192A、192B、192C的宽度和深度、凹穴190和附母板180的直径、以及驱动气体流动速率来控制。
另外，通过驱动槽道168的驱动气体流粘性地联接于母板130的下表面131B上。由于驱动槽道168的斜角定向，因此母板130就在流动的气体作用下沿顺时针方向R(图11)绕着轴线L-L旋转。旋转的速率可以通过选择由驱动槽道168所限定的角度P(图12)以及驱动槽道168的深度、宽度和长度来控制。优选地，母板130的旋转速率介于大约每分钟3至60转(rpm)之间。
而且，通过驱动槽道192A、192B、192C的驱动气体流粘性地联接于附母板180的下表面181上。由于驱动槽道192A、192B、192C的斜角定向，因此附母板180就在流动的气体作用下沿逆时针方向S(图11)绕着由轴柱193所限定的旋转轴线(例如如图12中所示的旋转轴线Q-Q)旋转。旋转的速率可以通过选择驱动槽道192A、192B、192C的角度和/或形状以及驱动槽道192A、192B、192C的深度、宽度和长度来控制。而且，附母板180的旋转速率可以通过选择驱动气体的流动速率来控制。优选地，附母板180的旋转速率介于大约每分钟5至60转(rpm)之间。
组件100提供了许多优点。行星旋转运动可以在各个晶片20之间以及在每个晶片20上提供一种更加均一的温度环境。行星旋转运动还可以使晶片更加均一地暴露于处理气体流中。
使用共同的所供驱动气体流来将主母板130和附母板180浮起并驱动其旋转，就可以提供一种复杂性更小的构造。这种构造上的简单性可保证更加一致和可控的操作。通过使用单个气体流，可以降低或者消除另加的气体流控制装置、阀等等的成本和复杂性。组件100可设计成使得与简单旋转装置(即其中只有主母板旋转)相比，只需要增加供应很少的驱动气体或者不需要增加供应驱动气体。
提供的直形驱动槽道168可提供某些优点。在相当大的驱动气体流动速率范围中，母板130的旋转速度可以保持于一给定速率而基本上与驱动气体流动速率无关。这就容许处理过程中有更大的一致性(即可重复性)。另外，这种行为容许通过改变驱动气体流动速率来调节母板浮起高度H(图12)。
而且，提供的直形驱动槽道168可容许改进对附母板180的浮起高度和旋转速率的控制。由于主母板130的旋转速度(在适当范围内)与驱动气体流动速率无关，因此驱动气体流动速率可以增大和减小以便又增大和减小附母板180的旋转速度和/或浮起高度，而不会显著改变主母板130的旋转速度。由于在正常使用过程中发生损耗或沉积，因此可以增加驱动气体流以便将主母板130和/或附母板180浮起于更高高度，而不必显著改变其旋转速度。
提供的直形附驱动槽道192A、192B、192C也可容许改进对附母板180的控制。驱动槽道192A、192B、192C可以构置成使得在驱动气体流动速率的所需范围中，可以保持附母板180的旋转速度基本上与驱动气体流动速率无关。这就容许更大的一致性并且/或者容许通过改变驱动气体流动速率来调节浮起高度X(图12)。
在主母板130与附母板180之间提供反向旋转运动同样可提供某些优点。通过反向旋转，晶片上的不同位置相对于感受器组件100的剩余部分与相对于处理气体流的行进速率之间的差异就得以减小。而且，反向旋转可提供角动量守恒，其趋向于使得附母板180持续旋转。这种效应可引起附母板180旋转以助于在主母板130停止或减慢的情况下重新启动或加速主母板130的旋转，反之亦然。另外，一旦附母板180被浮起，则单独作用于附母板180上的感应角动量就可足以引起附母板180与主母板130反向旋转，因此，根据本发明的一些实施例，附驱动槽道可以省去。
根据本发明，感受器组件100可以按照各种不同的方式进行改动。例如，组件100可适于使得主母板130和附母板180沿同一方向旋转。可以提供不同数量或构型的附母板180。中心凹槽162和/或凹穴190可以省去，在这种情况下，相应的驱动气体进给通道174、194A、194B优选地利用一个或更多相对于主母板或附母板的旋转轴线对称定位的进给通道来代替。附母板180可适于各自保持多于一个晶片。如上文所指出，附驱动槽道(例如槽道192A、192B、192C)可以具有不同的形状(例如非直形)。可以使用多个气体流以便利用分离的(即互不相交的)气体流来驱动主母板和附母板。
理想的是使用氩(Ar)或类似气体(例如其它惰性气体)作为驱动气体，因为这类气体比H2更不可能从石墨中吸收杂质如硼(B)、铝(Al)、钛(Ti)、铬(Cr)和钒(V)，并且例如将这些杂质重新沉积于晶片表面上。然而，Ar气体的导热性远小于H2气体。因此，存在于通过管12(图3)的反应物气体流中的Ar气体可能会减慢向反应物的热传递，因此在反应物气体流的温度分布图中产生不规则情况。组件100可保证驱动气体充分排出而只有最少量的驱动气体被引入反应物流中，因此Ar气体可用作驱动气体而不会危害反应物流温度分布图。
如上所述，驱动气体优选地从内侧凹槽(例如内侧凹槽162)流向外侧槽道(例如外侧槽道164)。然而，流的方向也可以反过来(即，驱动气体通过通道154供应而通过通道170排出)。
根据本发明的感受器组件可包括如2001年一月8日提交、标题为“气体驱动的旋转设备及用于形成碳化硅层的方法”、序号为09/756,548的美国专利申请中所述的任意特征和方面，其公开内容在此全部引入作为参考。
参看图13，其中示出了根据本发明的其它实施例的一种感受器组件200。组件200不同于组件100之处仅在于其每个附母板280包括多个形成于其中的晶片凹穴282。相应地，多个晶片20可同时绕着主母板230的旋转轴线和相应附母板280的旋转轴线在一共用附母板280上旋转。
以上对本发明进行了示例说明，而不应被解释为对其进行限制。尽管描述了本发明的几个示例性实施例，但是本发明所属领域的普通技术人员应当很容易理解，在不从本质上背离本发明的新思想和优点的情况下，可以在示例性实施例中进行许多改动。相应地，所有这些改动都意欲包括于如权利要求中所限定的本发明的范围之内。因此，应当理解，以上为对本发明的示例说明，而不应被解释为将其限定于所公开的特定实施例，并且对所公开实施例的改动以及其它实施例都意欲包括于所附权利要求的范围之内。本发明由以下权利要求及包括于其中的权利要求的等价物限定。

Claims (39)

1.一种与一驱动气体流一起使用的气体驱动旋转设备，这种设备包括：
a)一具有一上表面的基座构件；
b)一位于基座构件的上表面上方的主母板；以及
c)位于主母板上方的附母板；
d)其中这种设备具有如此构造：
驱动气体流被引导于基座构件的上表面与主母板之间，以便使得主母板在驱动气体流作用下相对于基座构件旋转；以及
驱动气体流的至少一部分从基座构件的上表面与主母板之间被引向主母板与附母板之间，以便使得附母板在该至少一部分驱动气体流的作用下相对于主母板旋转。
2.根据权利要求1所述的设备，包括一形成于基座构件的上表面中的安装部分，安装部分包括至少一个沿径向延伸的驱动槽道，其中：
该至少一个驱动槽道为直形；以及
这种设备构造成引导驱动气体流通过驱动槽道，以便使得主母板绕着一旋转轴线相对于基座构件旋转。
3.根据权利要求2所述的设备，其中该至少一个驱动槽道包括多个形成于安装部分中的沿径向延伸的驱动槽道，并且每个驱动槽道为直形。
4.根据权利要求3所述的设备，其中每个驱动槽道限定了一从旋转轴线偏移开的驱动槽道轴线。
5.根据权利要求2所述的设备，其中安装部分包括第一和第二相隔开的凹槽，并且该至少一个驱动槽道从第一凹槽向第二凹槽延伸。
6.根据权利要求5所述的设备，包括：
一延伸穿过基座构件并且具有一位于第一凹槽中的入口孔的驱动气体入口通道；以及
一延伸穿过基座构件并且具有一位于第二凹槽中的排出孔的驱动气体排出通道。
7.根据权利要求1所述的设备，包括一可操作用于提供驱动气体流的驱动气体供应装置。
8.根据权利要求1所述的设备，包括一位于主母板、附母板和基座构件上方的盖部分和一对在主母板和附母板的相对两侧在盖部分与基座构件之间延伸的侧面部分，其中盖部分、基座构件和侧面部分限定了一贯穿通道和相对的端部开口，主母板和附母板置于该贯穿通道中。
9.根据权利要求1所述的设备，其中旋转轴线位于垂直方向。
10.根据权利要求1所述的设备，其中该设备可操作用于使主母板和附母板沿相反旋转方向旋转。
11.根据权利要求1所述的设备，包括一进给通道，其延伸通过主母板并且提供了驱动气体流从基座构件的上表面与主母板之间流向主母板与附母板之间的通路。
12.根据权利要求11所述的设备，包括至少一个形成于主母板的上表面中并位于附母板下方的附驱动槽道，其中这种设备构造成引导驱动气体流通过进给通道和附驱动槽道，以便使附母板相对于主母板旋转。
13.根据权利要求12所述的设备，包括一位于基座构件的上表面中并且位于进给通道下方的进给凹槽，其中这种设备构造成引导驱动气体流进入进给凹槽，通过进给通道并通过附驱动槽道。
14.根据权利要求13所述的设备，其中：
附驱动槽道并不位于进给凹槽上方；以及
这种设备包括一形成于主母板的上表面中并且使进给通道与附驱动槽道形成流体连接的进给槽道。
15.根据权利要求14所述的设备，包括一与进给槽道保持流体连接的第二附驱动槽道。
16.根据权利要求12所述的设备，其中该至少一个附驱动槽道包括多个形成于主母板的上表面中的附驱动槽道。
17.根据权利要求12所述的设备，其中附驱动槽道沿径向延伸。
18.根据权利要求17所述的设备，其中附驱动槽道为直形。
19.根据权利要求1所述的设备，包括位于主母板上方的第二附母板，其中这种设备构造成将驱动气体流的另一部分从基座构件的上表面与主母板之间引向主母板与第二附母板之间，以便使得第二附母板在该另一部分驱动气体流的作用下相对于主母板旋转。
20.根据权利要求1所述的设备，其中附母板包括多个形成于其中的晶片凹穴。
21.根据权利要求1所述的设备，其中附母板由渗碳石墨形成。
22.根据权利要求1所述的设备，其中附母板由涂有SiC或TaC的石墨形成。
23.根据权利要求1所述的设备，其中附母板由SiC形成。
24.根据权利要求23所述的设备，其中附母板涂有TaC。
25.一种与一驱动气体流一起使用的气体驱动旋转设备，这种设备包括：
a)一具有一上表面的基座构件；
b)一具有一上表面并且位于基座构件的上表面上方的主母板；
c)形成于主母板的上表面中的至少一个沿径向延伸、为直形的附驱动槽道；以及
d)位于主母板和该至少一个附驱动槽道上方的附母板；
e)其中，这种设备具有如此构造：至少一部分驱动气体流被引导通过附驱动槽道，以便使得附母板绕着一旋转轴线相对于主母板旋转。
26.根据权利要求25所述的设备，其中这种设备可操作用于使主母板相对于基座构件旋转。
27.根据权利要求26所述的设备，其中这种设备构造成将驱动气体流引导于基座构件的上表面与主母板之间，以便使主母板在驱动气体流的作用下相对于基座构件旋转。
28.一种与一驱动气体流一起使用的气体驱动旋转设备，这种设备包括：
a)一具有一上表面的基座构件；
b)一位于基座构件的上表面上方的主母板；以及
c)位于主母板上方的附母板；
d)其中这种设备具有如此构造：
使得主母板沿第一旋转方向相对于基座构件旋转；以及
使得附母板沿与第一旋转方向相反的第二旋转方向相对于主母板旋转；以及
e)主母板的旋转和附母板的旋转运动中至少有一个由驱动气体流驱动。
29.根据权利要求28所述的设备，其中附母板的旋转由至少一部分驱动气体流驱动。
30.根据权利要求28所述的设备，其中主母板的旋转由驱动气体流驱动。
31.根据权利要求28所述的设备，其中主母板的旋转和附母板的旋转都由至少一部分驱动气体流驱动。
32.一种用于旋转一物品的方法，这种方法包括：
a)提供一气体驱动旋转设备，这种设备包括：
1)一具有一上表面的基座构件；
2)一位于基座构件的上表面上方的主母板；以及
3)位于主母板上方的附母板；
b)将物品安放于附母板上；
c)将一驱动气体流引导于基座构件的上表面与主母板之间，以便使得主母板在驱动气体流作用下相对于基座构件旋转；以及
d)将驱动气体流的至少一部分从基座构件的上表面与主母板之间引向主母板与附母板之间，以便使得附母板在该至少一部分驱动气体流的作用下相对于主母板旋转。
33.根据权利要求32所述的方法，包括将一反应物气体流引导流过位于附母板上的衬底。
34.根据权利要求32所述的方法，包括利用驱动气体流将附母板浮起于主母板上方。
35.根据权利要求32所述的方法，包括将驱动气体流的另一部分从基座构件的上表面与主母板之间引向主母板与一第二附母板之间，以便使得第二附母板在该另一部分驱动气体流的作用下相对于主母板旋转。
36.根据权利要求35所述的方法，其中第一和第二附母板同时旋转。
37.根据权利要求32所述的方法，其中主母板和附母板沿相反的旋转方向旋转。
38.一种用于旋转一物品的方法，这种方法包括：
a)提供一气体驱动旋转设备，这种设备包括：
1)一具有一上表面的基座构件；
2)一位于基座构件的上表面上方的主母板；以及
3)位于主母板上方的附母板；
b)将物品安放于附母板上；
c)使主母板沿第一旋转方向相对于基座构件旋转；以及
d)使附母板沿与第一旋转方向相反的第二旋转方向相对于主母板旋转；
e)其中，主母板的旋转和附母板的旋转运动中至少有一个由驱动气体流驱动。
39.根据权利要求37所述的方法，其中将物品安放于附母板上的步骤包括将多个物品安放于附母板上。
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