TWI559440B - 晶圓承載裝置 - Google Patents

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Description

晶圓承載裝置
本發明係有關於一種半導體製程設備，特別是關於一種晶圓承載裝置及其反應腔室。
在半導體製程中，氣相生長設備係使用各種不同來源氣體形成薄膜。其中化學氣相沉積（Chemical Vapor Deposition， CVD）是一種用來產生純度高、性能好的固態材料的化學技術。典型的CVD製程是將晶圓暴露在一種或多種不同的前驅物下，在晶圓表面發生化學反應或/及化學分解來產生欲沉積的薄膜。
金屬有機化學氣相沈積(Metal Organic Chemical Vapor Deposition， MOCVD)，為化學氣相沉積的一種，其於成長薄膜時，為將載流氣體(Carrier Gas)通過金屬有機反應源的容器，將反應源的飽和蒸氣輸送至反應腔中與其它反應氣體混合，並藉由加熱裝置控制待成長晶圓的加熱溫度，然後在待成長晶圓上面發生化學反應促成薄膜的成長。一般來說，MOCVD裝置包含腔室、配置於腔室內之承載基座以及用以使反應氣體流動至基板表面之管路。於MOCVD裝置中，係將晶圓載置於承載基座上，將晶圓加熱至適當之溫度，並經由管路將有機金屬之氣體導入至晶圓表面，藉此進行成膜製程。此處，為了使所形成之膜的厚度均勻，要求反應氣體於MOCVD裝置中沿著晶圓表面均勻地流動。以水平流式MOCVD裝置為例，當承載基座轉動時，設置於其上之晶圓也跟著向承載基座的中心軸轉動，為當載流氣體以特定水平流向外延時，存在特定的消耗現象(depletion)，亦即，靠近承載基座內圈部分的晶圓其鍍膜厚度成長率較高；而靠近承載基座外圈的晶圓，其鍍膜厚度成長率較低，因此，以承載基座全盤面晶圓鍍膜厚度來說，鍍膜厚度將從內圈部分向外圈部分呈梯度降低的現象，即為消耗現象。此一鍍膜厚度梯度現象非為業界所能接受。一種現有裝置，包含一旋轉裝置，旋轉裝置設有一主動輪，一環體於內環壁設有內環齒，以及至少一齒輪為設置於環體之內環壁，齒輪囓合於主動輪與內環齒之間，承載盤固定於各齒輪上，其盤之周緣設有缺口以方便夾持晶圓片。利用馬達操縱主動輪轉動後，其環體設置為固定件，而盛放晶圓片的承載盤將因各齒輪與內環齒囓合之效應，達到齒輪相對於主動輪圓中心可為一公轉運行作用，同時各承載盤本身能因齒輪齒合於主動輪與內環齒間，作用下而成為公轉運行時同步為自轉功效。然而，此結構限制了其它元件的配置空間。因此如何開發出具有優良製程良率的設備，一直以來都為業界所思考的問題。
本發明目的之一係提供一種晶圓承載裝置，藉由主動傳動模組的驅動，使得設置於轉盤元件上的晶圓可同時對著主動傳動模組的中心軸公轉並且分別朝轉盤元件的中心軸自轉，使晶圓鍍膜厚度更佳均勻以提高半導體製程的良率。
本發明提供一種晶圓承載裝置，用以承載複數晶圓以進行一半導體製程，該晶圓承載裝置包括：一主動傳動模組、複數個從動轉盤模組及一環狀齒輪元件。主動傳動模組包含一板狀主體。複數個從動轉盤模組設置於板狀主體上，任一從動轉盤模組包含一轉盤元件及一齒輪環繞設於轉盤元件之一側壁，其中任一轉盤元件用以承載晶圓，且齒輪環與板狀主體其中之一具有一第一環形凹槽用以容置複數個滾珠。環狀齒輪元件設置於板狀主體外側，用以與齒輪環嚙合。藉由驅動主動傳動模組，進而帶動位於轉盤元件上的晶圓相對於主動傳動模組的中心軸公轉並且相對於轉盤元件的中心軸自轉。
本以下藉由具體實施例配合所附的圖式詳加說明，當更容易瞭解本發明之目的、技術內容、特點及其所達成之功效。
本發明主要提供一種晶圓承載裝置，其係包括一主動傳動模組、複數個從動轉盤模組及一環狀齒輪元件，其中複數個從動轉盤模組又包含複數轉盤元件及複數個齒輪環，並藉由上述裝置使晶圓進行半導體製程時同時進行公轉及自轉，以使晶圓鍍膜厚度更佳均勻。以下將詳述本案的各實施例，並配合圖式作為例示。除了這些詳細描述之外，本發明還可以廣泛地施行在其他的實施例中，任何所述實施例的輕易替代、修改、等效變化都包含在本案的範圍內，並以之後的專利範圍為準。在說明書的描述中，為了使讀者對本發明有較完整的瞭解，提供了許多特定細節；然而，本發明可能在省略部分或全部這些特定細節的前提下，仍可實施。此外，眾所周知的步驟或元件並未描述於細節中，以避免造成本發明不必要之限制。圖式中相同或類似之元件將以相同或類似符號來表示。特別注意的是，圖式僅為示意之用，並非代表元件實際的尺寸或數量，不相關的細節未完全繪出，以求圖式的簡潔。
首先，請參考圖1A，圖1A為本發明一實施例之晶圓承載裝置的結構示意圖。如圖所示，一晶圓承載裝置1，其係用以承載複數晶圓W以於一反應腔室(圖中未示)中進行一半導體製程，於一實施例中半導體製程可為MOCVD製程，但不以此為限。此實施例之晶圓承載裝置1主要包含一主動傳動模組10、複數個從動轉盤模組11及一環狀齒輪元件12。其中主動傳動模組10包含一板狀主體101。複數個從動轉盤模組11係設置於板狀主體101上，任一從動轉盤模組11包含一轉盤元件111及一齒輪環112繞設於轉盤元件111之一側壁1111，其中轉盤元件111用以承載晶圓W，且齒輪環112與板狀主體101其中之一具有一第一環形凹槽用以容置複數個滾珠13。而環狀齒輪元件12設置於板狀主體101外側，用以與部分齒輪環112嚙合。藉由驅動主動傳動模組10，進而帶動位於轉盤元件111上的晶圓W相對於主動傳動模組10的中心軸X 1公轉並且相對於轉盤元件111的中心軸X 2自轉。其詳細結構分別描述於下。
接續上述，於一實施例中，說明第一環形凹槽的位置，如圖1B之實施例所示，第一環形凹槽131係設置於板狀主體101上，並位於板狀主體101與齒輪環112之間，用以限制滾珠13之位置。於又一實施例中，如圖1C所示，第一環型凹槽131亦可設置於齒輪環112之下表面。亦或者，在板狀主體101與齒輪環112之下表面皆設有環形凹槽，如圖1D之標號131及132所示，且上下凹槽位置相對，且可以理解的是，環形凹槽除可為一凹槽承座設置於板狀主體101與齒輪環112之下表面；其亦可為與板狀主體101或者與齒輪環112之下表面一體成形的槽溝。利用上下限位的方式以限制複數滾珠13的移動範圍，使滾珠13可平均地在上述凹槽結構中滾動，以減少滾珠13的平均磨耗。於上述實施例之圖式中，皆可看出，環形凹槽131、132之寬度皆大於滾珠13的直徑，使得滾珠13可以在環形凹槽131、132內自由滾動(亦參考示意圖圖1E)。可以理解的是，因滾珠13為隨意擺設，故於又一實施例中，滾珠13亦可如圖1F所示，緊密排列於環形凹槽131(132)之內。且不論是圖1E或者圖1F之實施例，環形凹槽之寬度d可大於滾珠13之直徑D，其中滾珠13之材質包含但不限於陶瓷。然而，於再一實施例中，如圖1G及圖1F所示，環形凹槽之寬度d亦可等於滾珠13之直徑D。
接續，請參考圖2A，圖2A為本發明一實施例之晶圓承載裝置的結構的局部爆炸圖。如圖所示，主動傳動模組10主要為一板狀主體101，且板狀主體101包含複數個凹槽1012用以容置從動轉盤模組11，且齒輪環112的一部分齒部係穿出板狀主體101的側邊與環狀齒輪元件12嚙合。於一實施例中，主動傳動模組10由一中心轉軸模組14驅動，中心轉軸模組14與板狀主體101連接，用以帶動位於轉盤元件111上的晶圓W可同時對著主動傳動模組10的中心軸X 1公轉。於此實施例中，板狀主體101包含一中心通孔1011貫穿其中，其中一中心轉盤元件102設置於中心通孔1011內，並與板狀主體101嵌合。於一實施例中，中心通孔1011係貫穿板狀主體101的中心，而凹槽1012則圍繞中心通孔1011設置，較佳者，中心通孔1011的中心至上述凹槽1012之中心的距離係為等距。組裝後的局部放大示意圖如圖2B所示，中心轉盤元件102係容置於中心通孔1011內並與中心通孔1011嵌合，於一實施例中，中心轉盤元件102的上部具有嵌合機構1021以利與板狀主體101嵌合。
承上，板狀主體101的其餘詳細結構繪示於圖3A及圖3B，於此實施例中，如圖3A所示，每一凹槽1012的內表面形成有開口漸縮的斷差，其中凹槽1012的內表面包括：一第一開口1012a位於凹槽1012的底部；一第二開口1012b位於第一開口1012a的上方，且第二開口1012b的直徑大於第一開口1012a的直徑；及一斷差部1012c形成於第一開口1012a與第二開口1012b之間。轉盤元件111設置於凹槽1012後，如圖3B 所示，凹槽1012與轉盤元件111之間具有一間隙G。於又一實施例中，凹槽1012係貫穿板狀主體101以形成複數通孔1012’，如圖3C所示，其餘結構可如同上述實施例，此即不再贅述。而第一環形凹槽131、132(繪示於圖3B、圖3E及圖3F)則形成於齒輪環112之下表面與斷差部1012c之間。
承上，而從動轉盤模組11包含轉盤元件111及設置於其側邊之齒輪環112，轉盤元件111組裝後係容置於凹槽1012內，於一實施例中，請繼續搭配參考圖3A、圖3B，圖3A為本發明一實施例之從動轉盤模組11的爆炸剖視圖；而圖3B為圖3A組立後的局部放大圖，如圖3A所示，轉盤元件111為一具有厚度的柱體用以承載晶圓W，其包括一頂面1112、一底面1113及環繞頂面1112與底面1113的側壁1111，其中底面1113與頂面1112係相對設置的，轉盤元件111係容置於凹槽1012中且其底面1113與板狀主體101之間具有間隙G(如圖3B所示)，於又一實施例中，若凹槽為通孔1012’，則轉盤元件111的底面1113與板狀主體101的下表面1013齊平(如圖3D所示)，以利下方加熱器加熱使溫度容易控制。可以理解的是，未貫通板狀主體101之凹槽1012可防止製程中具腐蝕性的氣體流動至板狀主體101，以降低板狀主體101下方之元件的損耗。如圖3A及圖3B所示，齒輪環112為中空狀，並固定於轉盤元件111接近頂面1112的側壁1111以做為幫助轉盤元件111轉動的技術手段，且組立後齒輪環112與板狀主體101之間具有一間隙G 1。於一實施例中，齒輪環112係以機構方式固定於轉盤元件111上，但不以此為限，齒輪環112亦可與轉盤元件111為單一零件所構成者。接續參考圖3B，於此實施例中，轉盤元件111具有一突出部1111a自其側壁1111向外突出且突出部1111a下方具有複數個孔1111b，而齒輪環112的內徑相對應於所述孔1111b的位置具有斷差1121，則利用複數柱體1114設置於孔1111b內與斷差1121處，使齒輪環112固定於轉盤元件111上，從而當齒輪環112受驅動時轉盤元件111可同時旋轉。
再者，請再次參考圖2A及圖2B，中心轉軸模組14係以適當方式固定於中心轉盤元件102上並位於中心通孔1011內，使得中心轉軸模組14可與中心轉盤元件102、主動傳動模組10的板狀主體101同時連動，於一實施例中，中心轉盤元件102之下部具有一斜面1022，因此中心轉盤元件102透過斜面1022與中心轉軸模組14進行對心。本發明一實施例可藉由中心轉軸模組14驅動主動傳動模組10，使設置於轉盤元件111上的晶圓W可同時對著主動傳動模組10公轉並且分別朝轉盤元件111的中心軸自轉。
接續上述說明，於一實施例中，指定由中心轉軸模組14驅動主動傳動模組10而環狀齒輪元件12為固定不轉動，則當中心轉軸模組14驅動中心轉盤元件102轉動時，從動轉盤模組11受中心轉盤元件102驅使而進行公轉，從而從動轉盤模組11之齒輪環112可藉由與固定的環狀齒輪元件12囓合傳動而自轉。於又一實施例中，晶圓承載裝置更包含一轉子模組15，設置於環狀齒輪元件12下方，用以驅動環狀齒輪元件12，其中轉子模組15與主動傳動模組10的驅動速度可不同，使從動轉盤模組11的公轉與自轉的速度不同。簡言之，公轉速度以及自轉速度皆可依需求分別進行控制。此晶圓承載裝置1可於半導體製程時，使晶圓W同時公轉與自轉，以有效抵銷消耗現象，進而製程時溫度的均勻性及鍍膜層厚度的均勻性皆可以有效提升。
於又一實施例中，請參考圖4A及4B，晶圓承載裝置1更包括複數個齒輪環蓋板16用以覆蓋於複數個齒輪環112上方，其中每一齒輪環蓋板16係靠設於主動傳動模組10的上表面並與位於下方的齒輪環112之間具有間隙G 2，其中齒輪環蓋板16的設置可保護齒輪環112減緩製程氣體腐蝕的速率，以提高齒輪環112的壽命，於一實施例中，覆蓋後的齒輪環蓋板16的上表面161係與轉盤元件111的頂面1112齊平。此外，晶圓承載裝置1更包括一主動傳動模組蓋板17用以覆蓋主動傳動模組10，其中主動傳動模組蓋板17具有複數個鏤空部171用以曝露出中心轉盤元件102、複數轉盤元件111與複數齒輪環蓋板16；且覆蓋後主動傳動模組蓋板17之上表面172與板狀主體101的上表面、齒輪環蓋板16的上表面161齊平。同理，主動傳動模組蓋板17的設置可減緩製程氣體對於板狀主體101的腐蝕速率，以增加板狀主體101的使用壽命。更者，為防止製程氣體，例如熱氨氣，對於上述蓋板的腐蝕，於一實施例中，更包括一保護層鍍膜設置於主動傳動模組蓋板16、齒輪環蓋板17中的至少其中之一上。
上述晶圓承載裝置可使用於進行一半導體製程程序時，本發明不同實施例之反應腔室分別請參考圖5A及圖5B。一種反應腔室2用以對複數晶圓W進行一金屬有機化學氣相沈積(MOCVD)反應程序，此反應腔室2可包含上述任一實施例之晶圓承載裝置1，其中此反應腔室2包含：一腔體20，晶圓承載裝置1設置於腔體2內。一氣體供應裝置21a (如圖5A)或21b (如圖5B)設置於晶圓承載裝置1上方，用以提供晶圓承載裝置1反應氣體，其中氣體供應裝置為一水平噴射式(如圖5A)與一垂直噴淋式(如圖5B)的其中一種。一加熱裝置22設置於主動傳動模組10下方用以加熱晶圓W。利用本發明之晶圓承載裝置1可於半導體製程時，使晶圓W同時公轉與自轉，以有效抵銷消耗現象，進而製程時溫度的均勻性及鍍膜層厚度的均勻性皆可以有效提升。
綜合上述，本發明藉由主動傳動模組的驅動，使得設置於轉盤元件上的晶圓可同時對著主動傳動模組的中心軸公轉並且分別朝轉盤元件的中心軸自轉，使晶圓鍍膜厚度更佳均勻以提高半導體製程的良率。再者，用以承載晶圓的轉盤元件與主動傳動模組的板狀主體之間具有一間隙，可置入滾珠以減少晶圓自轉時的磨擦現象。更者，利用凹槽結構限制滾珠的移動範圍，並使凹槽之開口大於滾珠的直徑，使滾珠可平均地在上述凹槽結構中滾動，可減少滾珠的平均磨耗。此外，為減緩製程氣體腐蝕主動傳動模組的速率，於製程氣體可能侵害之處輔以蓋板覆蓋以提高各組件的壽命。本發明之晶圓承載裝置可廣泛使用於水平噴射式或垂直噴淋式的MOCVD的製程腔室中，以有效提高製程良率。
藉由以上較佳具體實施例之詳述，係希望能更加清楚描述本發明之特徵與精神，而並非以上述所揭露的較佳具體實施例來對本發明之範疇加以限制。相反地，其目的是希望能涵蓋各種改變及具相等性的安排於本發明所欲申請之專利範圍的範疇內。因此，本發明所申請之專利範圍的範疇應該根據上述的說明作最寬廣的解釋，以致使其涵蓋所有可能的改變以及具相等性的安排。
<TABLE border="1" borderColor="#000000" width="_0001"><TBODY><tr><td>   </td></tr><tr><td> 1 </td><td> 晶圓承載裝置 </td></tr><tr><td> 10 </td><td> 主動傳動模組 </td></tr><tr><td> 101 </td><td> 板狀主體 </td></tr><tr><td> 1011 </td><td> 中心通孔 </td></tr><tr><td> 1012 </td><td> 凹槽 </td></tr><tr><td> 1012’ </td><td> 通孔 </td></tr><tr><td> 1012a </td><td> 第一開口 </td></tr><tr><td> 1012b </td><td> 第二開口 </td></tr><tr><td> 1012c </td><td> 斷差部 </td></tr><tr><td> 1013 </td><td> 下表面 </td></tr><tr><td> 102 </td><td> 中心轉盤元件 </td></tr><tr><td> 1021 </td><td> 嵌合機構 </td></tr><tr><td> 1022 </td><td> 斜面 </td></tr><tr><td> 11 </td><td> 從動轉盤模組 </td></tr><tr><td> 111 </td><td> 轉盤元件 </td></tr><tr><td> 1111 </td><td> 側壁 </td></tr><tr><td> 1111a </td><td> 突出部 </td></tr><tr><td> 1111b </td><td> 孔 </td></tr><tr><td> 1112 </td><td> 頂面 </td></tr><tr><td> 1113 </td><td> 底面 </td></tr><tr><td> 1114 </td><td> 柱體 </td></tr><tr><td> 112 </td><td> 齒輪環 </td></tr><tr><td> 1121 </td><td> 斷差 </td></tr><tr><td> 12 </td><td> 環狀齒輪元件 </td></tr><tr><td> 13 </td><td> 滾珠 </td></tr><tr><td> 131, 132 </td><td> 環形凹槽 </td></tr><tr><td> 14 </td><td> 中心轉軸模組 </td></tr><tr><td> 15 </td><td> 轉子模組 </td></tr><tr><td> 16 </td><td> 齒輪環蓋板 </td></tr><tr><td> 161 </td><td> 上表面 </td></tr><tr><td> 17 </td><td> 主動傳動模組蓋板 </td></tr><tr><td> 171 </td><td> 鏤空部 </td></tr><tr><td> 172 </td><td> 上表面 </td></tr><tr><td> 2 </td><td> 反應腔室 </td></tr><tr><td> 20 </td><td> 腔體 </td></tr><tr><td> 21a, 21b </td><td> 氣體供應裝置 </td></tr><tr><td> 22 </td><td> 加熱裝置 </td></tr><tr><td> d </td><td> 寬度 </td></tr><tr><td> D </td><td> 直徑 </td></tr><tr><td> G, G<sub>1</sub>,G<sub>2</sub></td><td> 間隙 </td></tr><tr><td> W </td><td> 晶圓 </td></tr><tr><td> X<sub>1</sub>,X<sub>2</sub></td><td> 中心軸 </td></tr><tr><td>   </td><td>   </td></tr></TBODY></TABLE>
圖1A為本發明一實施例之晶圓承載裝置的結構示意圖。 圖1B、1C、1D為依據圖1A不同實施例的局部放大示意圖。 圖1E、1F為依據圖1A不同實施例的滾珠配置局部放大示意圖。 圖1G、1H為本發明又一實施例的滾珠配置局部放大示意圖。 圖2A為圖1A的結構局部爆炸圖。 圖2B為本發明一實施例之晶圓承載裝置的結構局部示意圖。 圖3A為本發明一實施例之主動傳動模組的爆炸剖視圖。 圖3B、圖3E、圖3F為圖3A組立後不同實施例的局部放大圖。 圖3C為本發明又一實施例之主動傳動模組的爆炸剖視圖。 圖3D為圖3C組立後的局部放大圖。 圖4A為本發明又一實施例之晶圓承載裝置的結構局部爆炸圖。 圖4B為本發明又一實施例之晶圓承載裝置的結構局部放大圖。 圖5A與圖5B為本發明不同實施例之反應腔室的示意圖。
<TABLE border="1" borderColor="#000000" width="_0002"><TBODY><tr><td> 1 </td><td> 晶圓承載裝置 </td></tr><tr><td> 10 </td><td> 主動傳動模組 </td></tr><tr><td> 101 </td><td> 板狀主體 </td></tr><tr><td> 11 </td><td> 從動轉盤模組 </td></tr><tr><td> 111 </td><td> 轉盤元件 </td></tr><tr><td> 1111 </td><td> 側壁 </td></tr><tr><td> 112 </td><td> 齒輪環 </td></tr><tr><td> 12 </td><td> 環狀齒輪元件 </td></tr><tr><td> 13 </td><td> 滾珠 </td></tr><tr><td> W </td><td> 晶圓 </td></tr><tr><td> X<sub>1</sub>, X<sub>2</sub></td><td> 中心軸 </td></tr></TBODY></TABLE>

Claims (29)

  1. 一種晶圓承載裝置，用以承載複數晶圓以進行一半導體製程，該晶圓承載裝置包括： 一主動傳動模組，其包含一板狀主體； 複數個從動轉盤模組，設置於該板狀主體上，任一該複數從動轉盤模組包含一轉盤元件及一齒輪環繞設於該轉盤元件之一側壁，其中該轉盤元件用以承載該些晶圓，且該些齒輪環與該板狀主體其中之一具有一第一環形凹槽用以容置複數個滾珠；以及 一環狀齒輪元件，設置於該板狀主體外側，用以與該些齒輪環嚙合，藉由驅動該主動傳動模組，進而帶動位於該轉盤元件上的該些晶圓相對於該主動傳動模組的中心軸公轉並且相對於該轉盤元件的中心軸自轉。
  2. 如請求項1所述之晶圓承載裝置，其中該板狀主體包含複數個凹槽用以容置該複數從動轉盤模組，且部分該些凹槽的側邊穿出該板狀主體的側邊，使該些齒輪環的一部分齒部係穿出該板狀主體的側邊與該環狀齒輪元件嵌合。
  3. 如請求項2所述之晶圓承載裝置，其中該些凹槽與該轉盤元件之間具有一間隙。
  4. 如請求項2所述之晶圓承載裝置，其中每一該些凹槽的內表面形成有開口漸縮的斷差，其中該凹槽的內表面包括：一第一開口位於該通孔的底部；一第二開口位於該第一開口的上方，且該第二開口的直徑大於該第一開口的直徑；及一斷差部介於該第一開口與該第二開口之間。
  5. 如請求項4所述之晶圓承載裝置，其中該第一環形凹槽設置該斷差部上。
  6. 如請求項2所述之晶圓承載裝置，其中該些凹槽係貫穿該板狀主體以形成複數通孔。
  7. 如請求項6所述之晶圓承載裝置，其中每一該些通孔的內表面形成有開口漸縮的斷差，其中該通孔的內表面包括：一第一開口位於該通孔的底部；一第二開口位於該第一開口的上方，且該第二開口的直徑大於該第一開口的直徑；及一斷差部介於該第一開口與該第二開口之間。
  8. 如請求項7所述之晶圓承載裝置，其中該第一環形凹槽設置該斷差部上。
  9. 如請求項1所述之晶圓承載裝置，其中該轉盤元件與該齒輪環為單一零件所構成者。
  10. 如請求項1所述之晶圓承載裝置，其中該齒輪環係以一固定構件設置於該轉盤元件上。
  11. 如請求項10所述之晶圓承載裝置，其中該轉盤元件具有一突出部自該側壁向外突出且複數個孔形成於該突出部下方，而該齒輪環的內徑相對應於該些孔的位置具有一斷差；及該固定構件為複數柱體，其設置於該些孔內與該斷差處，以固定該齒輪環於該轉盤元件上。
  12. 如請求項1所述之晶圓承載裝置，其中該複數滾珠自由於該第一環形凹槽內滾動。
  13. 如請求項1所述之晶圓承載裝置，其中該複數滾珠係緊密排列於該第一環形凹槽內。
  14. 如請求項1所述之晶圓承載裝置，其中該第一環形凹槽形成於該板狀主體上並位於該齒輪環下方。
  15. 如請求項1所述之晶圓承載裝置，其中該第一環形凹槽形成於該齒輪環之下表面。
  16. 如請求項1所述之晶圓承載裝置，其中一第二環形凹槽形成於該些齒輪環與該板狀主體其中之另一並與該第一環形凹槽相對。
  17. 如請求項1所述之晶圓承載裝置，其中該主動傳動模組由一中心轉軸模組驅動，該中心轉軸模組與該板狀主體連接，用以帶動位於該轉盤元件上的該些晶圓可同時對著該主動傳動模組的中心軸公轉。
  18. 如請求項17所述之晶圓承載裝置，其中該板狀主體包含一中心通孔貫穿其中及該複數通孔圍繞該中心通孔設置，其中一中心轉盤元件，設置於該中心通孔內，並與該板狀主體嵌合。
  19. 如請求項18所述之晶圓承載裝置，其中該中心轉盤元件的上部具有一嵌合機構及其下部具有一斜面，該中心轉盤元件透過該嵌合機構與該板狀主體的該中心通孔嵌合，並以該斜面與該中心轉軸模組進行對心。
  20. 如請求項18所述之晶圓承載裝置，更包括複數個齒輪環蓋板用以覆蓋於該些個齒輪環上方，其中每一該些齒輪環蓋板與每一該些齒輪環之間具有間隙。
  21. 如請求項20所述之晶圓承載裝置，更包括一主動傳動模組蓋板用以覆蓋該主動傳動模組，其中該主動傳動模組蓋板具有複數個開口用以曝露出該中心轉盤元件、該些轉盤元件與該些齒輪環蓋板；及該主動傳動模組蓋板之上表面與該些齒輪環蓋板的上表面齊平。
  22. 如請求項21所述之晶圓承載裝置，更包括一中心蓋板覆蓋該中心轉盤元件，其中該中心蓋板的上表面與該主動傳動模組蓋板之上表面、該些齒輪環蓋板的上表面齊平。
  23. 如請求項22所述之晶圓承載裝置，更包括一保護層鍍膜設置於該主動傳動模組蓋板、該齒輪環蓋板、該中心蓋板中的至少其中之一上。
  24. 如請求項1所述之晶圓承載裝置，更包含一轉子模組，設置於該環狀齒輪元件下方，用以驅動該環狀齒輪元件。
  25. 如請求項24所述之晶圓承載裝置，其中該轉子模組與該主動傳動模組的驅動速度不同。
  26. 如請求項1所述之晶圓承載裝置，更包括複數個齒輪環蓋板用以覆蓋於該些個齒輪環上方，其中每一該些齒輪環蓋板與每一該些齒輪環之間具有間隙。
  27. 如請求項26所述之晶圓承載裝置，更包括一主動傳動模組蓋板用以覆蓋該主動傳動模組，其中該主動傳動模組蓋板具有複數個開口用以曝露出該些轉盤元件與該些齒輪環蓋板；及該主動傳動模組蓋板之上表面與該些齒輪環蓋板的上表面齊平。
  28. 如請求項26所述之晶圓承載裝置，其中該主動傳動模組蓋板與該齒輪環蓋板為單一零件所構成者。
  29. 如請求項26所述之晶圓承載裝置，更包括一保護層鍍膜設置於該主動傳動模組蓋板、該齒輪環蓋板中的至少其中之一上。
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