TWI656233B - 單晶圓處理裝置及其操作方法、傳送方法與準直器 - Google Patents

Abstract

一種單晶圓處理裝置，包含轉盤、承載盤及齒輪環。轉盤可繞中心軸作旋轉，且具偏心開孔，其偏心軸偏離中心軸。承載盤用以承載晶圓，且嵌合於轉盤的偏心開孔。齒輪環嵌合於轉盤，且具穿透開孔，其內緣設有複數齒，嚙合於承載盤外緣的複數齒。

Description

單晶圓處理裝置及其操作方法、傳送方法與準直器

本發明係有關一種單晶圓處理裝置，特別是關於一種可使晶圓公轉且自轉的單晶圓處理裝置。

氣相沉積(vapor deposition)是半導體製程常用的一種技術，用以形成薄膜於半導體晶圓的表面。以化學氣相沉積(CVD)為例，於半導體製程的反應室當中，將晶圓暴露在製程氣體下，於晶圓的表面發生化學反應或分解以產生沉積的薄膜。

於傳統的氣相沉積製程中，反應室內使用多晶圓(multi-wafer)承載裝置以承載複數個晶圓。雖然可同時處理多個晶圓以提升產出量(throughput)，然而傳統多晶圓系統所形成的薄膜的均勻性(uniformity)卻無法提升。鑑於此，因而有單晶圓(single-wafer)系統的提出，其反應室內使用單晶圓承載裝置僅承載單一晶圓，特別是大尺寸的晶圓。由於單晶圓系統的體積較多晶圓系統來得小，可增進製程條件的控制，不但可大幅提升薄膜的均勻性，且可提高製程重現性(reproducibility)。一般來說，單晶圓系統的良率(yield)大於多晶圓系統。

然而，於傳統單晶圓系統中，承載裝置上的晶圓係繞機台的中心軸作旋轉。如果採用噴氣頭(showerhead)以提供製程氣體，由於晶圓靠近中心軸的中心區域相對於噴氣頭的位置沒有變化，使得晶圓的中心區域所形成薄膜的均勻性較差於其他區域。

因此亟需提出一種新穎的單晶圓系統，用以改善傳統單晶圓系統的缺點，以全面提升所形成薄膜的均勻性。

鑑於上述，本發明實施例的目的之一在於提出一種單晶圓處理裝置，使得晶圓繞著中心軸作公轉運動時，也同時繞著偏心軸作自轉運動，因此讓製程氣體可以更均勻的沉積於晶圓的表面，以提高晶圓鍍膜的均勻性。

根據本發明實施例之一，單晶圓處理裝置包含轉盤、承載盤及齒輪環。轉盤可繞中心軸作旋轉且具偏心開孔，其偏心軸偏離中心軸。承載盤用以承載晶圓，且嵌合於轉盤的偏心開孔。齒輪環嵌合於轉盤，且具穿透開孔，其內緣設有複數齒，嚙合於承載盤外緣的複數齒。在一實施例中，準直器包含板狀元件，設於噴氣嘴之下。板狀元件具有複數孔，相應於噴氣嘴的噴氣孔。

根據本發明另一實施例之單晶圓處理裝置的操作方法，首先帶動轉盤繞著中心軸作旋轉，使得轉盤的偏心開孔繞著中心軸作公轉運動。嵌合於偏心開孔的承載盤因而繞中心軸作公轉運動。當承載盤作公轉運動時，承載盤外緣的複數齒嚙合於齒輪環的穿透開孔之內緣的複數齒，齒輪環被固定因而使得承載盤同時繞著偏心軸作自轉運動。

根據本發明又一實施例之單晶圓處理裝置的傳送方法，首先依序組立轉盤、承載盤、齒輪環與轉盤蓋，因而形成一轉盤組立體。其中，承載盤嵌合於轉盤的偏心開孔，齒輪環嵌合於轉盤且齒輪環的穿透開孔的內緣設有複數齒用以嚙合於承載盤外緣的複數齒，且轉盤蓋覆蓋轉盤與齒輪環但暴露承載盤。機械手頂起轉盤組立體，並將其移入反應室內。降低機械手的高度，直到被反應室內的推桿頂住以承接轉盤組立體。當機械手移出反應室外面後，降低推桿高度，直到齒輪環被固定，且轉盤固定於轉動體上。

第一A圖顯示本發明實施例之單晶圓(single-wafer)處理裝置100的分解立體圖，第一B圖顯示第一A圖之單晶圓處理裝置100的局部斷面圖，第一C圖顯示第一A圖之單晶圓處理裝置100的組立立體圖。本實施例之單晶圓處理裝置100可適用於半導體製程的反應室當中，以利於晶圓的表面進行物理或化學反應。例如，使用化學氣相沉積(CVD)技術於晶圓的表面形成薄膜，但不限定於此。第二A圖例示本實施例之單晶圓處理裝置100與反應室其他裝置組立的立體圖。本實施例之單晶圓處理裝置100可搭配一般的氣體噴射裝置，其可為垂直式氣體噴射裝置、水平式氣體噴射裝置或其組合。第二B圖例示單晶圓處理裝置100搭配垂直式氣體噴射裝置的簡化側視圖，反應氣體從噴氣頭(showerhead)21往下噴出，垂直於晶圓22並於晶圓22的表面發生化學反應或分解以沉積薄膜。第二C圖例示單晶圓處理裝置100搭配水平式氣體噴射裝置的簡化側視圖，第二D圖顯示第二C圖的俯視圖，反應氣體從噴射器(injector)23水平噴出，平行於晶圓22並於晶圓22的表面發生化學反應或分解以沉積薄膜。

本實施例之單晶圓處理裝置100包含轉動體(rotor)11，其受到致動器(例如馬達)的驅動，可繞著中心軸111作旋轉。第三圖例示轉動體11的立體圖，其為中空圓柱體狀，但不限定於此。轉動體11的上緣具有複數(例如六個)開孔112，作為與其他組件固定之用(例如與轉盤12固定，將於後續說明)。此外，轉動體11的上緣內側具有向下漸縮的斜面113，可輔助自動傳送(automatic transfer)時作為定心(centering)之用。轉動體11可使用適於半導體製程反應環境之材質來製造，例如可承受高溫且易於清洗的材質。

本實施例之單晶圓處理裝置100包含轉盤(susceptor)12，可固定置放於轉動體11之上。第四A圖顯示轉盤12的立體圖，第四B圖顯示轉盤12的局部斷面圖，第四C圖顯示轉動體11與轉盤12組立的局部斷面圖。當受到轉動體11的帶動而旋轉時，轉盤12的中心軸重疊於轉動體11的中心軸111。根據本實施例的特徵之一，轉盤12具有偏心開孔121，該偏心開孔121的中心軸(以下稱為偏心軸122)偏離前述中心軸111。在本實施例中，偏心開孔121穿透轉盤12。然而，在另一實施例中，偏心開孔121並未穿透轉盤12，而是於轉盤12的頂面形成凹槽狀。

如第四C圖所示，轉盤12的底部具有複數(例如六個)斜楔部123，相應於轉動體11的開孔112，用以讓轉盤12固定於轉動體11之上。如第一B圖及第四B圖所示，轉盤12的外緣設有第一階梯(例如往外的向下階梯)124，作為與其他組件嵌合之用(例如與齒輪環14嵌合，將於後續說明)。轉盤12於靠近偏心開孔121的內緣設有第二階梯(例如往中心的向下階梯)125，作為與其他組件的嵌合之用(例如與承載盤13嵌合，將於後續說明)。轉盤12可使用適於半導體製程反應環境之材質來製造，例如可承受高溫且易於清洗的材質(例如石墨)。此外，轉盤12於靠近偏心開孔121的內緣設有面上的第一球珠槽126(第一B圖)，其內可置放複數球珠(未顯示於圖式)，作為軸承(bearing)，以降低轉盤12與其他組件之間的摩擦(例如作為與承載盤13之間的軸承，將於後續說明)。球珠的材質可為陶瓷，或其他適當的材質。

本實施例之單晶圓處理裝置100包含承載盤(holder)13，承載盤13的頂面具有凹槽(recess)131(第一B圖)，用以承載晶圓(未顯示於圖式)。承載盤13可藉由轉盤12的第二階梯125而嵌合於轉盤12的偏心開孔121。如第一B圖所示，承載盤13相應於轉盤12的第一球珠槽126設有面下的第二球珠槽132。承載盤13的第二球珠槽132與轉盤12的第一球珠槽126之間可置放複數球珠(未顯示於圖式)，作為軸承，以降低承載盤13與轉盤12之間的摩擦。在一實施例中，可僅設有第一球珠槽126與第二球珠槽132的其中之一。

第五A圖顯示承載盤13的立體圖，第五B圖顯示承載盤13的局部斷面圖。根據本實施例的另一特徵，承載盤13的外緣設有複數齒133，作為與其他組件嚙合之用(例如與齒輪環14嚙合，將於後續說明)。承載盤13可使用適於半導體製程反應環境之材質來製造，例如可承受高溫且易於清洗的材質。

本實施例之單晶圓處理裝置100包含齒輪環(gear ring)14，可藉由轉盤12的第一階梯124而嵌合於轉盤12(第一B圖)。第六A圖顯示齒輪環14的立體圖，第六B圖顯示齒輪環14的局部斷面圖。在本實施例中，齒輪環14具環狀，中間具穿透開孔。根據本實施例的另一特徵，齒輪環14的內緣設有複數齒141，作為與承載盤13的複數齒133嚙合之用。如第一B圖與第六B圖所示，齒輪環14可藉由轉盤12的第一階梯124而嵌合於轉盤12的外緣，以暴露出轉盤12與承載盤13。齒輪環14設有面上的第三球珠槽142，其內可置放複數球珠(未顯示於圖式)，作為軸承，以降低齒輪環14與其他組件之間的摩擦(例如作為與轉盤蓋16之間的軸承，將於後續說明)。齒輪環14可使用適於半導體製程反應環境之材質來製造，例如可承受高溫且易於清洗的材質。

本實施例之單晶圓處理裝置100包含齒輪固定體15。第七A圖例示齒輪固定體15的立體圖，其為中空圓柱體狀的齒輪固定桶(fixed gear barrel)，但不限定於此。如第一A圖所示，齒輪固定體15的內徑大於轉動體11的內徑，使得轉動體11可設於齒輪固定體15的內部。齒輪固定體15的上緣具有複數(例如四個)突出部151，且齒輪環14相應設有複數凹陷部143(第六A圖)，用以讓齒輪環14固定於齒輪固定體15之上。齒輪固定體15的上緣還具有複數(例如四個)開口152，以利機械手進行單晶圓處理裝置100的自動傳送，將於後續說明。第七B圖顯示齒輪環14與齒輪固定體15組立的立體圖。在本實施例中，齒輪固定體15為固定不轉動，因而使得齒輪環14也是固定不轉動。齒輪固定體15可使用適於半導體製程反應環境之材質來製造，例如可承受高溫且易於清洗的材質。

本實施例之單晶圓處理裝置100包含轉盤蓋(susceptor cover)16。第八圖顯示轉盤蓋16的立體圖。轉盤蓋16具有偏心開孔161，相應於轉盤12的偏心開孔121。轉盤蓋16的內徑大於轉盤12的內徑，足以覆蓋轉盤12與齒輪環14，但暴露承載盤13，用以防止製程氣體沉積於轉盤12上，以延長轉盤12的使用壽命。此外，轉盤蓋16的頂面為平面，且與承載盤13的頂面大致具相同水平，使製程氣體流動穩定。再者，轉盤蓋16的邊緣為導角，可讓製程氣體順暢轉彎流過。

如第一B圖所示，轉盤蓋16相應於齒輪環14的第三球珠槽142設有面下的第四球珠槽162。轉盤蓋16的第四球珠槽162與齒輪環14的第三球珠槽142之間可置放複數球珠(未顯示於圖式)，作為軸承，以降低轉盤蓋16與齒輪環14之間的摩擦。在另一實施例中，可僅設有第三球珠槽142與第四球珠槽162的其中之一。轉盤蓋16可使用適於半導體製程反應環境之材質來製造，例如可承受高溫且易於清洗的材質。

第九圖顯示本發明實施例之單晶圓處理裝置100的操作方法900的流程圖。首先，於步驟91，轉動體11受到(例如設於下方的)致動器(例如馬達)的驅動，因而繞著中心軸111作旋轉運動。轉盤12固定於轉動體11之上，因而被轉動體11帶動也繞著中心軸111作旋轉運動(步驟92)。由於轉盤12的偏心開孔121的中心軸(亦即偏心軸122)偏離中心軸111，使得偏心開孔121繞著中心軸111作公轉運動(revolution motion)。接著，於步驟93，承載盤13嵌合於轉盤12的偏心開孔121，使得承載盤13也繞著中心軸111作公轉運動。承載盤13與轉盤12之間設有軸承(例如置放於第一球珠槽126與第二球珠槽132之間的球珠)，以降低兩者之間的摩擦。於步驟94，當承載盤13作公轉運動時，承載盤13外緣的齒133嚙合於齒輪環14內緣的齒141。由於齒輪環14固定於齒輪固定體15之上，因此使得承載盤13也同時繞著偏心軸122作自轉運動(rotation motion)。轉盤蓋16覆蓋於轉盤12上，被轉盤12帶動，也繞著中心軸111作旋轉運動(步驟95)。齒輪環14與轉盤蓋16之間設有軸承(例如置放於第三球珠槽142與第四球珠槽162之間的球珠)，以降低兩者之間的摩擦。

第十A圖及第十B圖顯示轉盤12與承載盤13的旋轉運動的示意圖。如圖所例示，轉盤12繞著中心軸111作逆時針旋轉。嵌合於偏心開孔121的承載盤13因此繞著中心軸111作逆時針的公轉運動。嚙合於齒輪環14的承載盤13則繞著偏心軸122作順時針的自轉運動。藉此，於製程進行當中，承載於承載盤13的晶圓繞著中心軸111作公轉運動時，也同時繞著偏心軸122作自轉運動，因此使得製程氣體可以更均勻的沉積於晶圓的表面，可提高晶圓鍍膜的均勻性。此外，作公轉且自轉的晶圓可在加熱器的不同區域下移動，使得晶圓有更佳的均溫性，可提高晶圓磊晶的均勻性。

第十一圖顯示本發明實施例之單晶圓處理裝置100的傳送方法1000的流程圖。於步驟101A，由下而上依序組立轉盤12、承載盤13、齒輪環14與轉盤蓋16，因而形成一轉盤組立體，其中轉盤12位於最底下。首先，於轉盤12的第一球珠槽126內置放複數球珠。將承載盤13嵌合於轉盤12的偏心開孔121。將齒輪環14嵌合於轉盤12，使齒輪環14內緣的齒141嚙合於承載盤13外緣的齒133。接著，於齒輪環14的第三球珠槽142內置放複數球珠。最後，將轉盤蓋16覆蓋於轉盤12上。

如第十二A圖及第十二B圖所示之單晶圓處理裝置100的立體圖，於步驟102A，機械手17藉由轉盤12的複數(例如三個) 凹洞128頂起轉盤12，因而頂起整個轉盤組立體，並將其移入反應室內。接著，於步驟103A，降低機械手17的高度，使得機械手17通過齒輪固定體15的開口152，直到轉盤12的底部滑入轉動體11的斜面113。

最後，於步驟104A，轉動轉盤12 (及整個轉盤組立體)，直到轉盤12底部的斜楔部123固定於轉動體11上緣的開孔112，且齒輪環14的凹陷部143固定於齒輪固定體15的突出部151，再將機械手移出反應室外面。

以上步驟101A至104A係描述將轉盤組立體傳送至反應室內。當完成製程後，則依照上述步驟的相反順序將轉盤組立體傳送至反應室外。首先，於步驟103B，當反應室開啟後，機械手17通過齒輪固定體15的開口152並藉由轉盤12的凹洞128頂起轉盤12，因而頂起整個轉盤組立體 (亦即轉盤12、承載盤13、齒輪環14與轉盤蓋16，其中轉盤12位於最底下)，使得齒輪環14脫離齒輪固定體15，且轉盤12脫離轉動體11。

於步驟102B，機械手17將轉盤組立體移出反應室。移出反應室的轉盤組立體通常會置放於緩衝區等待降溫，以便進行保養。於此同時，另一組經保養後預先組立好的轉盤組立體則由機械手傳送至反應室內進行製程。經降溫後的轉盤組立體，將依先前組立的相反順序予以分解(步驟101B)。亦即，首先取出轉盤蓋16，再拿出齒輪環14的第三球珠槽142內的複數球珠。接著，依序取出齒輪環14與承載盤13。最後，拿出轉盤12的第一球珠槽126內的複數球珠。

第十三圖顯示本發明實施例之準直器(collimator)18的立體圖。準直器18為一種板狀元件，可設於噴氣嘴(showerhead)之下。準直器18具有複數孔，相應於噴氣嘴的噴氣孔(亦即，準直器18的孔與噴氣嘴的噴氣孔為同心配置)，用以控制反應氣體的流速或流向。反應氣體會先通過噴氣嘴的噴氣孔，再通過準直器18的孔之後，噴入反應室中，因而於晶圓的表面發生化學反應或分解以沉積薄膜。於製程當中，副產物(by-product)會附著於準直器18的表面，而不會附著於噴氣嘴。於每個製程批次(run)完成後，可將準直器18自動傳送至反應室外面進行清潔處理，並自動傳送另一準直器18進入反應室內，即可開始進行下一製程批次，因而可以有效提高機台使用效用。

第十四A圖至第十四C圖例示第十三圖之準直器18的側視圖。第十四A圖的準直器18為平板型，底面為平面，其中心厚度等於外徑厚度。第十四B圖的準直器18為中間凸出斜面型，底面為凸面，其中心厚度大於外徑厚度。第十四C圖的準直器18為中間凹下斜面型，底面為凹面，其中心厚度小於外徑厚度。

第十五圖顯示準直器18與噴氣嘴19組合的斷面圖。準直器18的孔可為不同剖面形狀，藉以達到各種的流場功能。準直器18的孔181具有平行的孔壁，可垂直導引反應氣體。準直器18的孔182為上窄下寬，可擴散導引反應氣體，以降低流速。準直器18的孔183為上寬下窄，可集中導引反應氣體，以提高流速。準直器18的孔184與準直器18的軸線具有一傾斜角度，可轉向導引反應氣體。

以上所述僅為本發明之較佳實施例而已，並非用以限定本發明之申請專利範圍；凡其它未脫離發明所揭示之精神下所完成之等效改變或修飾，均應包含在下述之申請專利範圍內。

100‧‧‧單晶圓處理裝置

11‧‧‧轉動體

111‧‧‧中心軸

112‧‧‧開孔

113‧‧‧斜面

12‧‧‧轉盤

121‧‧‧偏心開孔

122‧‧‧偏心軸

123‧‧‧斜楔部

124‧‧‧第一階梯

125‧‧‧第二階梯

126‧‧‧第一球珠槽

128‧‧‧凹洞

13‧‧‧承載盤

131‧‧‧凹槽

132‧‧‧第二球珠槽

133‧‧‧齒

14‧‧‧齒輪環

141‧‧‧齒

142‧‧‧第三球珠槽

143‧‧‧凹陷部

15‧‧‧齒輪固定體

151‧‧‧突出部

152‧‧‧開口

16‧‧‧轉盤蓋

161‧‧‧偏心開孔

162‧‧‧第四球珠槽

17‧‧‧機械手

18‧‧‧準直器

181‧‧‧孔

182‧‧‧孔

183‧‧‧孔

184‧‧‧孔

19‧‧‧噴氣嘴

21‧‧‧噴氣頭

22‧‧‧晶圓

23‧‧‧噴射器

900‧‧‧單晶圓處理裝置的操作方法

91‧‧‧驅動轉動體

92‧‧‧轉動體帶動轉盤使偏心開孔公轉

93‧‧‧承載盤嵌合於偏心開孔而作公轉運動

94‧‧‧承載盤嚙合於齒輪環而作自轉運動

95‧‧‧轉盤帶動轉盤蓋旋轉

1000‧‧‧單晶圓處理裝置的傳送方法

101A‧‧‧組立轉盤、承載盤、齒輪環與轉盤蓋以形成轉盤組立體

102A‧‧‧將轉盤組立體移至反應室內

103A‧‧‧降低機械手直到轉盤滑入轉動體的斜面

104A‧‧‧轉動轉盤使得轉盤固定於轉動體且齒輪環固定於齒輪固定體

103B‧‧‧機械手頂起轉盤組立體

102B‧‧‧將轉盤組立體移至反應室外

101B‧‧‧依序取出轉盤蓋、齒輪環、承載盤與轉盤以分解轉盤組立體

第一A圖顯示本發明實施例之單晶圓處理裝置的分解立體圖。 第一B圖顯示第一A圖之單晶圓處理裝置的局部斷面圖。 第一C圖顯示第一A圖之單晶圓處理裝置的組立立體圖。 第二A圖例示本實施例之單晶圓處理裝置與反應室其他裝置組立的立體圖。 第二B圖例示單晶圓處理裝置搭配垂直式氣體噴射裝置的簡化側視圖。 第二C圖例示單晶圓處理裝置搭配水平式氣體噴射裝置的簡化側視圖。 第二D圖顯示第二C圖的俯視圖。 第三圖例示轉動體的立體圖。 第四A圖顯示轉盤的立體圖。 第四B圖顯示轉盤的局部斷面圖。 第四C圖顯示轉動體與轉盤組立的局部斷面圖。 第五A圖顯示承載盤的立體圖。 第五B圖顯示承載盤的局部斷面圖。 第六A圖顯示齒輪環的立體圖。 第六B圖顯示齒輪環的局部斷面圖。 第七A圖例示齒輪固定體的立體圖。 第七B圖顯示齒輪環與齒輪固定體組立的立體圖。 第八圖顯示轉盤蓋的立體圖。 第九圖顯示本發明實施例之單晶圓處理裝置的操作方法的流程圖。 第十A圖及第十B圖顯示轉盤與承載盤的旋轉運動的示意圖。 第十一圖顯示本發明實施例之單晶圓處理裝置的傳送方法的流程圖。 第十二A圖及第十二B圖顯示本發明實施例之單晶圓處理裝置於自動傳送時的立體圖。 第十三圖顯示本發明實施例之準直器的立體圖。 第十四A圖至第十四C圖例示第十三圖之準直器的側視圖。 第十五圖顯示準直器與噴氣嘴組合的斷面圖。

Claims (22)

1. 一種單晶圓處理裝置，包含：一轉盤，可繞中心軸作旋轉，該轉盤具偏心開孔，其偏心軸偏離該中心軸；一承載盤，用以承載晶圓，該承載盤嵌合於該轉盤的偏心開孔；一齒輪環，嵌合於該轉盤，該齒輪環具穿透開孔，其內緣設有複數齒，嚙合於該承載盤外緣的複數齒；及一齒輪固定體，用以讓該齒輪環固定於該齒輪固定體之上。
2. 根據申請專利範圍第1項所述之單晶圓處理裝置，更包含一轉動體，該轉盤固定置放於該轉動體之上。
3. 根據申請專利範圍第2項所述之單晶圓處理裝置，其中該轉盤的底面設有複數斜楔部，分別相應於該轉動體的複數開孔，用以讓該轉盤固定於該轉動體之上。
4. 根據申請專利範圍第2項所述之單晶圓處理裝置，其中該轉動體的上緣內側具有向下漸縮的斜面。
5. 根據申請專利範圍第2項所述之單晶圓處理裝置，其中該轉動體為中空圓柱體狀。
6. 根據申請專利範圍第1項所述之單晶圓處理裝置，其中該轉盤的外緣設有第一階梯，作為與該齒輪環嵌合之用。
7. 根據申請專利範圍第1項所述之單晶圓處理裝置，其中該轉盤於靠近偏心開孔的內緣設有第二階梯，作為與該承載盤嵌合之用。
8. 根據申請專利範圍第1項所述之單晶圓處理裝置，其中該轉盤於靠近偏心開孔的內緣設有面上的第一球珠槽，作為該轉盤與該承載盤之間的軸承，或者該承載盤於靠近外緣設有面下的第二球珠槽，作為該承載盤與該轉盤之間的軸承。
9. 根據申請專利範圍第1項所述之單晶圓處理裝置，其中該齒輪固定體的上緣具有複數突出部，且該齒輪環相應設有複數凹陷部，用以讓該齒輪環固定於該齒輪固定體之上。
10. 根據申請專利範圍第1項所述之單晶圓處理裝置，其中該齒輪固定體的上緣具有複數開口，以利機械手進行自動傳送。
11. 根據申請專利範圍第1項所述之單晶圓處理裝置，更包含一轉盤蓋，用以覆蓋該轉盤與該齒輪環，但暴露該承載盤。
12. 根據申請專利範圍第11項所述之單晶圓處理裝置，其中該齒輪環設有面上的第三球珠槽，或者該轉盤蓋相應於該第三球珠槽設有面下的第四球珠槽。
13. 一種單晶圓處理裝置的操作方法，包含：帶動轉盤繞著中心軸作旋轉，使得該轉盤的偏心開孔繞著中心軸作公轉運動；嵌合於該偏心開孔的承載盤因而繞中心軸作公轉運動；當該承載盤作公轉運動時，該承載盤外緣的複數齒嚙合於齒輪環的穿透開孔之內緣的複數齒，該齒輪環被固定因而使得該承載盤同時繞著偏心軸作自轉運動；及 覆蓋轉盤蓋於該轉盤上，該轉盤蓋被該轉盤帶動，也繞著中心軸作旋轉運動。
14. 根據申請專利範圍第13項所述單晶圓處理裝置的操作方法，更包含一步驟：驅動一轉動體，使其繞中心軸作旋轉運動，因而帶動該轉盤作旋轉。
15. 根據申請專利範圍第13項所述單晶圓處理裝置的操作方法，更包含於該齒輪環與該轉盤蓋之間設有軸承，以降低兩者之間的摩擦。
16. 根據申請專利範圍第13項所述單晶圓處理裝置的操作方法，更包含於該承載盤與該轉盤之間設有軸承，以降低兩者之間的摩擦。
17. 一種單晶圓處理裝置的傳送方法，包含：依序組立轉盤、承載盤、齒輪環與轉盤蓋，因而形成一轉盤組立體，其中該承載盤嵌合於該轉盤的偏心開孔，該齒輪環嵌合於該轉盤且該齒輪環的穿透開孔的內緣設有複數齒用以嚙合於該承載盤外緣的複數齒，且該轉盤蓋覆蓋該轉盤與該齒輪環但暴露該承載盤；機械手頂起該轉盤組立體，並將其移入反應室內；降低該機械手的高度，直到該轉盤的底部滑入轉動體的斜面；及轉動該轉盤，直到該轉盤固定於該轉動體，且該齒輪環固定於齒輪固定體，再將該機械手移出反應室外面。
18. 根據申請專利範圍第17項所述單晶圓處理裝置的傳送方法，其中該轉盤組立體的組立包含以下步驟：於該轉盤的第一球珠槽內置放複數球珠；將該承載盤嵌合於該轉盤的偏心開孔； 將該齒輪環嵌合於該轉盤，使該齒輪環內緣的該些齒嚙合於該承載盤外緣的該些齒；於該齒輪環的第三球珠槽內置放複數球珠；及將該轉盤蓋覆蓋於該轉盤上。
19. 根據申請專利範圍第17項所述單晶圓處理裝置的傳送方法，其中該機械手藉由該轉盤的複數凹洞而頂起該轉盤組立體。
20. 根據申請專利範圍第17項所述單晶圓處理裝置的傳送方法，其中該機械手通過該齒輪固定體的開口。
21. 根據申請專利範圍第17項所述單晶圓處理裝置的傳送方法，其中該齒輪環藉由凹陷部固定於該齒輪固定體的突出部。
22. 根據申請專利範圍第17項所述單晶圓處理裝置的傳送方法，更包含：當反應室開啟後，該機械手通過該齒輪固定體的開口並藉由該轉盤的凹洞頂起該轉盤，因而頂起整個轉盤組立體，使得該轉盤脫離該轉動體；該機械手將該轉盤組立體移出反應室；及依該轉盤組立體的組立的相反順序將該轉盤組立體予以分解為該轉盤蓋、該齒輪環、該承載盤與該轉盤。