CN109706436A - 单晶圆处理装置及其操作方法、传送方法与准直器 - Google Patents

Abstract

一种单晶圆处理装置，包含转盘、承载盘及齿轮环。转盘可绕中心轴作旋转，且具有偏心开孔，其偏心轴偏离中心轴。承载盘用以承载晶圆，且嵌合于转盘的偏心开孔。齿轮环嵌合于转盘，且具有穿透开孔，其内缘设有多个齿，啮合于承载盘外缘的多个齿。

Description

单晶圆处理装置及其操作方法、传送方法与准直器

技术领域

本发明是有关一种单晶圆处理装置，特别是关于一种可使晶圆公转且自转的单晶圆处理装置。

背景技术

气相沉积(vapor deposition)是半导体制造过程常用的一种技术，用以形成薄膜于半导体晶圆的表面。以化学气相沉积(CVD)为例，在半导体制造过程的反应室当中，将晶圆暴露在制造过程气体下，在晶圆的表面发生化学反应或分解以产生沉积的薄膜。

在传统的气相沉积制造过程中，反应室内使用多晶圆(multi-wafer)承载装置以承载多个晶圆。虽然可同时处理多个晶圆以提升产出量(throughput)，然而传统多晶圆系统所形成的薄膜的均匀性(uniformity)却无法提升。鉴于此，因而有单晶圆(single-wafer)系统的提出，其反应室内使用单晶圆承载装置仅承载单一晶圆，特别是大尺寸的晶圆。由于单晶圆系统的体积较多晶圆系统来得小，可增进制造过程条件的控制，不但可大幅提升薄膜的均匀性，且可提高制造过程重现性(reproducibility)。一般来说，单晶圆系统的良率(yield)大于多晶圆系统。

然而，在传统单晶圆系统中，承载装置上的晶圆系绕机台的中心轴作旋转。如果采用喷气头(showerhead)以提供制造过程气体，由于晶圆靠近中心轴的中心区域相对于喷气头的位置没有变化，使得晶圆的中心区域所形成薄膜的均匀性较差于其他区域。

因此亟需提出一种新颖的单晶圆系统，用以改善传统单晶圆系统的缺点，以全面提升所形成薄膜的均匀性。

发明内容

鉴于上述，本发明实施例的目的之一在于提出一种单晶圆处理装置，使得晶圆绕着中心轴作公转运动时，也同时绕着偏心轴作自转运动，因此让制造过程气体可以更均匀的沉积于晶圆的表面，以提高晶圆镀膜的均匀性。

根据本发明实施例之一，单晶圆处理装置包含转盘、承载盘及齿轮环。转盘可绕中心轴作旋转且具有偏心开孔，其偏心轴偏离中心轴。承载盘用以承载晶圆，且嵌合于转盘的偏心开孔。齿轮环嵌合于转盘，且具有穿透开孔，其内缘设有多个齿，啮合于承载盘外缘的多个齿。

前述的单晶圆处理装置，更包含转动体，该转盘固定置放于该转动体之上。

前述的单晶圆处理装置，其中该转盘的外缘设有第一阶梯，作为与该齿轮环嵌合之用。

前述的单晶圆处理装置，其中该转盘在靠近偏心开孔的内缘设有第二阶梯，作为与该承载盘嵌合之用。

前述的单晶圆处理装置，其中该转盘在靠近偏心开孔的内缘设有面上的第一球珠槽，或者该承载盘相应于该第一球珠槽设有面下的第二球珠槽。

前述的单晶圆处理装置，更包含齿轮固定体，用以让该齿轮环固定于该齿轮固定体之上。

前述的单晶圆处理装置，其中该齿轮固定体的上缘具有多个开口，以利机械手进行自动传送。

前述的单晶圆处理装置，更包含转盘盖，用以覆盖该转盘与该齿轮环，但暴露该承载盘。

前述的单晶圆处理装置，其中该齿轮环设有面上的第三球珠槽，或者该转盘盖相应于该第三球珠槽设有面下的第四球珠槽。

在一实施例中，准直器包含板状元件，设于喷气嘴之下。板状元件具有多个孔，相应于喷气嘴的喷气孔。

前述的准直器，其中该板状元件为平板型，底面为平面，其中心厚度等于外径厚度。

前述的准直器，其中该板状元件为中间凸出斜面型，底面为凸面，其中心厚度大于外径厚度。

前述的准直器，其中该板状元件为中间凹下斜面型，底面为凹面，其中心厚度小于外径厚度。

根据本发明另一实施例的单晶圆处理装置的操作方法，首先带动转盘绕着中心轴作旋转，使得转盘的偏心开孔绕着中心轴作公转运动。嵌合于偏心开孔的承载盘因而绕中心轴作公转运动。当承载盘作公转运动时，承载盘外缘的多个齿啮合于齿轮环的穿透开孔的内缘的多个齿，齿轮环被固定因而使得承载盘同时绕着偏心轴作自转运动。

前述的单晶圆处理装置的操作方法，更包含步骤：驱动转动体，使其绕中心轴作旋转运动，因而带动该转盘作旋转。

前述的单晶圆处理装置的操作方法，更包含步骤:覆盖转盘盖于该转盘上，该转盘盖被该转盘带动，也绕着中心轴作旋转运动。

前述的单晶圆处理装置的操作方法，更包含于该齿轮环与该转盘盖之间设有轴承，以降低两者之间的摩擦。

前述的单晶圆处理装置的操作方法，更包含于该承载盘与该转盘之间设有轴承，以降低两者之间的摩擦。

根据本发明又一实施例的单晶圆处理装置的传送方法，首先依序组立转盘、承载盘、齿轮环与转盘盖，因而形成转盘组立体。其中，承载盘嵌合于转盘的偏心开孔，齿轮环嵌合于转盘且齿轮环的穿透开孔的内缘设有多个齿用以啮合于承载盘外缘的多个齿，且转盘盖覆盖转盘与齿轮环但暴露承载盘。机械手顶起转盘组立体，并将其移入反应室内。降低机械手的高度，直到被反应室内的推杆顶住以承接转盘组立体。当机械手移出反应室外面后，降低推杆高度，直到齿轮环被固定，且转盘固定于转动体上。

前述的单晶圆处理装置的传送方法，其中该转盘组立体的组立包含以下步骤：在该转盘的第一球珠槽内置放多个球珠；将该承载盘嵌合于该转盘的偏心开孔；将该齿轮环嵌合于该转盘，使该齿轮环内缘的所述齿啮合于该承载盘外缘的所述齿；在该齿轮环的第三球珠槽内置放多个球珠；及将该转盘盖覆盖于该转盘上。

前述的单晶圆处理装置的传送方法，其中该机械手借由该转盘的多个凹洞而顶起该转盘组立体。

前述的单晶圆处理装置的传送方法，其中该机械手通过该齿轮固定体的开口。

前述的单晶圆处理装置的传送方法，更包含：当反应室开启后，该机械手通过该齿轮固定体的开口并借由该转盘的凹洞顶起该转盘，因而顶起整个转盘组立体，使得该转盘脱离该转动体；该机械手将该转盘组立体移出反应室；及依该转盘组立体的组立的相反顺序将该转盘组立体予以分解为该转盘盖、该齿轮环、该承载盘与该转盘。

借由上述技术方案，本发明单晶圆处理装置及其操作方法、传送方法与准直器至少具有以下优点效果：晶圆绕着中心轴作公转运动时，也同时绕着偏心轴作自转运动，因此让制造过程气体可以更均匀的沉积于晶圆的表面，能够提高晶圆镀膜的均匀性。

上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。

附图说明

图1A显示本发明实施例的单晶圆处理装置的分解立体图。

图1B显示图1A的单晶圆处理装置的局部断面图。

图1C显示图1A的单晶圆处理装置的组立立体图。

图2A例示本实施例的单晶圆处理装置与反应室其他装置组立的立体图。

图2B例示单晶圆处理装置搭配垂直式气体喷射装置的简化侧视图。

图2C例示单晶圆处理装置搭配水平式气体喷射装置的简化侧视图。

图2D显示图2C的俯视图。

图3例示转动体的立体图。

图4A显示转盘的立体图。

图4B显示转盘的局部断面图。

图4C显示转动体与转盘组立的局部断面图。

图5A显示承载盘的立体图。

图5B显示承载盘的局部断面图。

图6A显示齿轮环的立体图。

图6B显示齿轮环的局部断面图。

图7A例示齿轮固定体的立体图。

图7B显示齿轮环与齿轮固定体组立的立体图。

图8显示转盘盖的立体图。

图9显示本发明实施例的单晶圆处理装置的操作方法的流程图。

图10A及图10B显示转盘与承载盘的旋转运动的示意图。

图11显示本发明实施例的单晶圆处理装置的传送方法的流程图。

图12A及图12B显示本发明实施例的单晶圆处理装置于自动传送时的立体图。

图13显示本发明实施例的准直器的立体图。

图14A至图14C例示图13的准直器的侧视图。

图15显示准直器与喷气嘴组合的断面图。

【主要元件符号说明】

100：单晶圆处理装置 11：转动体

111：中心轴 112：开孔

113：斜面 12：转盘

121：偏心开孔 122：偏心轴

123：斜楔部 124：第一阶梯

125：第二阶梯 126：第一球珠槽

128：凹洞 13：承载盘

131：凹槽 132：第二球珠槽

133：齿 14：齿轮环

141：齿 142：第三球珠槽

143：凹陷部 15：齿轮固定体

151：突出部 152：开口

16：转盘盖 161：偏心开孔

162：第四球珠槽 17：机械手

18：准直器 181：孔

182：孔 183：孔

184：孔 19：喷气嘴

21：喷气头 22：晶圆

23：喷射器 900：单晶圆处理装置的操作方法

91：驱动转动体

92：转动体带动转盘使偏心开孔公转

93：承载盘嵌合于偏心开孔而作公转运动

94：承载盘啮合于齿轮环而作自转运动

95：转盘带动转盘盖旋转

1000：单晶圆处理装置的传送方法

101A：组立转盘、承载盘、齿轮环与转盘盖以形成转盘组立体

102A：将转盘组立体移至反应室内

103A：降低机械手直到转盘滑入转动体的斜面

104A：转动转盘使得转盘固定于转动体且齿轮环固定于齿轮固定体

103B：机械手顶起转盘组立体

102B：将转盘组立体移至反应室外

101B：依序取出转盘盖、齿轮环、承载盘与转盘以分解转盘组立体

具体实施方式

图1A显示本发明实施例的单晶圆(single-wafer)处理装置100的分解立体图，图1B显示图1A的单晶圆处理装置100的局部断面图，图1C显示图1A的单晶圆处理装置100的组立立体图。本实施例的单晶圆处理装置100可适用于半导体制造过程的反应室当中，以利于晶圆的表面进行物理或化学反应。例如，使用化学气相沉积(CVD)技术于晶圆的表面形成薄膜，但不限定于此。图2A例示本实施例的单晶圆处理装置100与反应室其他装置组立的立体图。本实施例的单晶圆处理装置100可搭配一般的气体喷射装置，其可为垂直式气体喷射装置、水平式气体喷射装置或其组合。图2B例示单晶圆处理装置100搭配垂直式气体喷射装置的简化侧视图，反应气体从喷气头(showerhead)21往下喷出，垂直于晶圆22并在晶圆22的表面发生化学反应或分解以沉积薄膜。图2C例示单晶圆处理装置100搭配水平式气体喷射装置的简化侧视图，图2D显示图2C的俯视图，反应气体从喷射器(injector)23水平喷出，平行于晶圆22并在晶圆22的表面发生化学反应或分解以沉积薄膜。

本实施例的单晶圆处理装置100包含转动体(rotor)11，其受到致动器(例如马达)的驱动，可绕着中心轴111作旋转。图3例示转动体11的立体图，其为中空圆柱体状，但不限定于此。转动体11的上缘具有多个(例如六个)开孔112，作为与其他组件固定之用(例如与转盘12固定，将于后续说明)。此外，转动体11的上缘内侧具有向下渐缩的斜面113，可辅助自动传送(automatic transfer)时作为定心(centering)之用。转动体11可使用适于半导体制造过程反应环境的材质来制造，例如可承受高温且易于清洗的材质。

本实施例的单晶圆处理装置100包含转盘(susceptor)12，可固定置放于转动体11之上。图4A显示转盘12的立体图，图4B显示转盘12的局部断面图，图4C显示转动体11与转盘12组立的局部断面图。当受到转动体11的带动而旋转时，转盘12的中心轴重叠于转动体11的中心轴111。根据本实施例的特征之一，转盘12具有偏心开孔121，该偏心开孔121的中心轴(以下称为偏心轴122)偏离前述中心轴111。在本实施例中，偏心开孔121穿透转盘12。然而，在另一实施例中，偏心开孔121并未穿透转盘12，而是在转盘12的顶面形成凹槽状。

如图4C所示，转盘12的底部具有多个(例如六个)斜楔部123，相应于转动体11的开孔112，用以让转盘12固定于转动体11之上。如图1B及图4B所示，转盘12的外缘设有第一阶梯(例如往外的向下阶梯)124，作为与其他组件嵌合之用(例如与齿轮环14嵌合，将于后续说明)。转盘12在靠近偏心开孔121的内缘设有第二阶梯(例如往中心的向下阶梯)125，作为与其他组件的嵌合之用(例如与承载盘13嵌合，将于后续说明)。转盘12可使用适于半导体制造过程反应环境的材质来制造，例如可承受高温且易于清洗的材质(例如石墨)。此外，转盘12在靠近偏心开孔121的内缘设有面上的第一球珠槽126(图1B)，其内可置放多个球珠(未显示于图式)，作为轴承(bearing)，以降低转盘12与其他组件之间的摩擦(例如作为与承载盘13之间的轴承，将于后续说明)。球珠的材质可为陶瓷，或其他适当的材质。

本实施例的单晶圆处理装置100包含承载盘(holder)13，承载盘13的顶面具有凹槽(recess)131(图1B)，用以承载晶圆(未显示于图式)。承载盘13可借由转盘12的第二阶梯125而嵌合于转盘12的偏心开孔121。如图1B所示，承载盘13相应于转盘12的第一球珠槽126设有面下的第二球珠槽132。承载盘13的第二球珠槽132与转盘12的第一球珠槽126之间可置放多个球珠(未显示于图式)，作为轴承，以降低承载盘13与转盘12之间的摩擦。在一实施例中，可仅设有第一球珠槽126与第二球珠槽132的其中之一。

图5A显示承载盘13的立体图，图5B显示承载盘13的局部断面图。根据本实施例的另一特征，承载盘13的外缘设有多个齿133，作为与其他组件啮合之用(例如与齿轮环14啮合，将于后续说明)。承载盘13可使用适于半导体制造过程反应环境的材质来制造，例如可承受高温且易于清洗的材质。

本实施例的单晶圆处理装置100包含齿轮环(gear ring)14，可借由转盘12的第一阶梯124而嵌合于转盘12(图1B)。图6A显示齿轮环14的立体图，图6B显示齿轮环14的局部断面图。在本实施例中，齿轮环14具有环状，中间具有穿透开孔。根据本实施例的另一特征，齿轮环14的内缘设有多个齿141，作为与承载盘13的多个齿133啮合之用。如图1B与图6B所示，齿轮环14可借由转盘12的第一阶梯124而嵌合于转盘12的外缘，以暴露出转盘12与承载盘13。齿轮环14设有面上的第三球珠槽142，其内可置放多个球珠(未显示于图式)，作为轴承，以降低齿轮环14与其他组件之间的摩擦(例如作为与转盘盖16之间的轴承，将于后续说明)。齿轮环14可使用适于半导体制造过程反应环境的材质来制造，例如可承受高温且易于清洗的材质。

本实施例的单晶圆处理装置100包含齿轮固定体15。图7A例示齿轮固定体15的立体图，其为中空圆柱体状的齿轮固定桶(fixed gear barrel)，但不限定于此。如图1A所示，齿轮固定体15的内径大于转动体11的内径，使得转动体11可设于齿轮固定体15的内部。齿轮固定体15的上缘具有多个(例如四个)突出部151，且齿轮环14相应设有多个凹陷部143(图6A)，用以让齿轮环14固定于齿轮固定体15之上。齿轮固定体15的上缘还具有多个(例如四个)开口152，以利机械手进行单晶圆处理装置100的自动传送，将于后续说明。图7B显示齿轮环14与齿轮固定体15组立的立体图。在本实施例中，齿轮固定体15为固定不转动，因而使得齿轮环14也是固定不转动。齿轮固定体15可使用适于半导体制造过程反应环境的材质来制造，例如可承受高温且易于清洗的材质。

本实施例的单晶圆处理装置100包含转盘盖(susceptor cover)16。图8显示转盘盖16的立体图。转盘盖16具有偏心开孔161，相应于转盘12的偏心开孔121。转盘盖16的内径大于转盘12的内径，足以覆盖转盘12与齿轮环14，但暴露承载盘13，用以防止制造过程气体沉积于转盘12上，以延长转盘12的使用寿命。此外，转盘盖16的顶面为平面，且与承载盘13的顶面大致具有相同水平，使制造过程气体流动稳定。再者，转盘盖16的边缘为导角，可让制造过程气体顺畅转弯流过。

如图1B所示，转盘盖16相应于齿轮环14的第三球珠槽142设有面下的第四球珠槽162。转盘盖16的第四球珠槽162与齿轮环14的第三球珠槽142之间可置放多个球珠(未显示于图式)，作为轴承，以降低转盘盖16与齿轮环14之间的摩擦。在另一实施例中，可仅设有第三球珠槽142与第四球珠槽162的其中之一。转盘盖16可使用适于半导体制造过程反应环境的材质来制造，例如可承受高温且易于清洗的材质。

图9显示本发明实施例的单晶圆处理装置100的操作方法900的流程图。首先，在步骤91，转动体11受到(例如设于下方的)致动器(例如马达)的驱动，因而绕着中心轴111作旋转运动。转盘12固定于转动体11之上，因而被转动体11带动也绕着中心轴111作旋转运动(步骤92)。由于转盘12的偏心开孔121的中心轴(亦即偏心轴122)偏离中心轴111，使得偏心开孔121绕着中心轴111作公转运动(revolution motion)。接着，在步骤93，承载盘13嵌合于转盘12的偏心开孔121，使得承载盘13也绕着中心轴111作公转运动。承载盘13与转盘12之间设有轴承(例如置放于第一球珠槽126与第二球珠槽132之间的球珠)，以降低两者之间的摩擦。在步骤94，当承载盘13作公转运动时，承载盘13外缘的齿133啮合于齿轮环14内缘的齿141。由于齿轮环14固定于齿轮固定体15之上，因此使得承载盘13也同时绕着偏心轴122作自转运动(rotation motion)。转盘盖16覆盖于转盘12上，被转盘12带动，也绕着中心轴111作旋转运动(步骤95)。齿轮环14与转盘盖16之间设有轴承(例如置放于第三球珠槽142与第四球珠槽162之间的球珠)，以降低两者之间的摩擦。

图10A及图10B显示转盘12与承载盘13的旋转运动的示意图。如图所例示，转盘12绕着中心轴111作逆时针旋转。嵌合于偏心开孔121的承载盘13因此绕着中心轴111作逆时针的公转运动。啮合于齿轮环14的承载盘13则绕着偏心轴122作顺时针的自转运动。借此，在制造过程进行当中，承载于承载盘13的晶圆绕着中心轴111作公转运动时，也同时绕着偏心轴122作自转运动，因此使得制造过程气体可以更均匀的沉积于晶圆的表面，可提高晶圆镀膜的均匀性。此外，作公转且自转的晶圆可在加热器的不同区域下移动，使得晶圆有更佳的均温性，可提高晶圆磊晶的均匀性。

图11显示本发明实施例的单晶圆处理装置100的传送方法1000的流程图。在步骤101A，由下而上依序组立转盘12、承载盘13、齿轮环14与转盘盖16，因而形成转盘组立体，其中转盘12位于最底下。首先，在转盘12的第一球珠槽126内置放多个球珠。将承载盘13嵌合于转盘12的偏心开孔121。将齿轮环14嵌合于转盘12，使齿轮环14内缘的齿141啮合于承载盘13外缘的齿133。接着，在齿轮环14的第三球珠槽142内置放多个球珠。最后，将转盘盖16覆盖于转盘12上。

如图12A及图12B所示的单晶圆处理装置100的立体图，在步骤102A，机械手17借由转盘12的多个(例如三个)凹洞128顶起转盘12，因而顶起整个转盘组立体，并将其移入反应室内。接着，在步骤103A，降低机械手17的高度，使得机械手17通过齿轮固定体15的开口152，直到转盘12的底部滑入转动体11的斜面113。

最后，在步骤104A，转动转盘12(及整个转盘组立体)，直到转盘12底部的斜楔部123固定于转动体11上缘的开孔112，且齿轮环14的凹陷部143固定于齿轮固定体15的突出部151，再将机械手移出反应室外面。

以上步骤101A至104A是描述将转盘组立体传送至反应室内。当完成制造过程后，则依照上述步骤的相反顺序将转盘组立体传送至反应室外。首先，在步骤103B，当反应室开启后，机械手17通过齿轮固定体15的开口152并借由转盘12的凹洞128顶起转盘12，因而顶起整个转盘组立体(亦即转盘12、承载盘13、齿轮环14与转盘盖16，其中转盘12位于最底下)，使得齿轮环14脱离齿轮固定体15，且转盘12脱离转动体11。

在步骤102B，机械手17将转盘组立体移出反应室。移出反应室的转盘组立体通常会置放于缓冲区等待降温，以便进行保养。于此同时，另一组经保养后预先组立好的转盘组立体则由机械手传送至反应室内进行制造过程。经降温后的转盘组立体，将依先前组立的相反顺序予以分解(步骤101B)。亦即，首先取出转盘盖16，再拿出齿轮环14的第三球珠槽142内的多个球珠。接着，依序取出齿轮环14与承载盘13。最后，拿出转盘12的第一球珠槽126内的多个球珠。

图13显示本发明实施例的准直器(collimator)18的立体图。准直器18为一种板状元件，可设于喷气嘴(showerhead)之下。准直器18具有多个孔，相应于喷气嘴的喷气孔(亦即，准直器18的孔与喷气嘴的喷气孔为同心配置)，用以控制反应气体的流速或流向。反应气体会先通过喷气嘴的喷气孔，再通过准直器18的孔之后，喷入反应室中，因而在晶圆的表面发生化学反应或分解以沉积薄膜。在制造过程当中，副产物(by-product)会附着于准直器18的表面，而不会附着于喷气嘴。在每个制造过程批次(run)完成后，可将准直器18自动传送至反应室外面进行清洁处理，并自动传送另一准直器18进入反应室内，即可开始进行下一制造过程批次，因而可以有效提高机台使用效用。

图14A至图14C例示图13的准直器18的侧视图。图14A的准直器18为平板型，底面为平面，其中心厚度等于外径厚度。图14B的准直器18为中间凸出斜面型，底面为凸面，其中心厚度大于外径厚度。图14C的准直器18为中间凹下斜面型，底面为凹面，其中心厚度小于外径厚度。

图15显示准直器18与喷气嘴19组合的断面图。准直器18的孔可为不同剖面形状，借以达到各种的流场功能。准直器18的孔181具有平行的孔壁，可垂直导引反应气体。准直器18的孔182为上窄下宽，可扩散导引反应气体，以降低流速。准直器18的孔183为上宽下窄，可集中导引反应气体，以提高流速。准直器18的孔184与准直器18的轴线具有倾斜角度，可转向导引反应气体。

以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明做任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容做出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。

Claims (23)

1.一种单晶圆处理装置，其特征在于包含：

转盘，可绕中心轴作旋转，该转盘具有偏心开孔，其偏心轴偏离该中心轴；

承载盘，用以承载晶圆，该承载盘嵌合于该转盘的偏心开孔；及

齿轮环，嵌合于该转盘，该齿轮环具有穿透开孔，其内缘设有多个齿，啮合于该承载盘外缘的多个齿。

2.根据权利要求1所述的单晶圆处理装置，其特征在于：更包含转动体，该转盘固定置放于该转动体之上。

3.根据权利要求1所述的单晶圆处理装置，其特征在于：其中该转盘的外缘设有第一阶梯，作为与该齿轮环嵌合之用。

4.根据权利要求1所述的单晶圆处理装置，其特征在于：其中该转盘在靠近偏心开孔的内缘设有第二阶梯，作为与该承载盘嵌合之用。

5.根据权利要求1所述的单晶圆处理装置，其特征在于：其中该转盘在靠近偏心开孔的内缘设有面上的第一球珠槽，或者该承载盘相应于该第一球珠槽设有面下的第二球珠槽。

6.根据权利要求1所述的单晶圆处理装置，其特征在于：更包含齿轮固定体，用以让该齿轮环固定于该齿轮固定体之上。

7.根据权利要求6所述的单晶圆处理装置，其特征在于：其中该齿轮固定体的上缘具有多个开口，以利机械手进行自动传送。

8.根据权利要求1所述的单晶圆处理装置，其特征在于：更包含转盘盖，用以覆盖该转盘与该齿轮环，但暴露该承载盘。

9.根据权利要求8所述的单晶圆处理装置，其特征在于：其中该齿轮环设有面上的第三球珠槽，或者该转盘盖相应于该第三球珠槽设有面下的第四球珠槽。

10.一种准直器，其特征在于包含：

板状元件，设于喷气嘴之下，该板状元件具有多个孔，相应于该喷气嘴的喷气孔。

11.根据权利要求10所述的准直器，其特征在于：其中该板状元件为平板型，底面为平面，其中心厚度等于外径厚度。

12.根据权利要求10所述的准直器，其特征在于：其中该板状元件为中间凸出斜面型，底面为凸面，其中心厚度大于外径厚度。

13.根据权利要求10所述的准直器，其特征在于：其中该板状元件为中间凹下斜面型，底面为凹面，其中心厚度小于外径厚度。

14.一种单晶圆处理装置的操作方法，其特征在于包含：

带动转盘绕着中心轴作旋转，使得该转盘的偏心开孔绕着中心轴作公转运动；

嵌合于该偏心开孔的承载盘因而绕中心轴作公转运动；及

当该承载盘作公转运动时，该承载盘外缘的多个齿啮合于齿轮环的穿透开孔的内缘的多个齿，该齿轮环被固定因而使得该承载盘同时绕着偏心轴作自转运动。

15.根据权利要求14所述的单晶圆处理装置的操作方法，其特征在于：更包含步骤：

驱动转动体，使其绕中心轴作旋转运动，因而带动该转盘作旋转。

16.根据权利要求14所述的单晶圆处理装置的操作方法，其特征在于：更包含步骤:

覆盖转盘盖于该转盘上，该转盘盖被该转盘带动，也绕着中心轴作旋转运动。

17.根据权利要求16所述的单晶圆处理装置的操作方法，其特征在于：更包含于该齿轮环与该转盘盖之间设有轴承，以降低两者之间的摩擦。

18.根据权利要求14所述的单晶圆处理装置的操作方法，其特征在于：更包含于该承载盘与该转盘之间设有轴承，以降低两者之间的摩擦。

19.一种单晶圆处理装置的传送方法，其特征在于包含：

依序组立转盘、承载盘、齿轮环与转盘盖，因而形成转盘组立体，其中该承载盘嵌合于该转盘的偏心开孔，该齿轮环嵌合于该转盘且该齿轮环的穿透开孔的内缘设有多个齿用以啮合于该承载盘外缘的多个齿，且该转盘盖覆盖该转盘与该齿轮环但暴露该承载盘；

机械手顶起该转盘组立体，并将其移入反应室内；

降低该机械手的高度，直到该转盘的底部滑入转动体的斜面；及

转动该转盘，直到该转盘固定于该转动体，且该齿轮环固定于齿轮固定体，再将该机械手移出反应室外面。

20.根据权利要求19所述的单晶圆处理装置的传送方法，其特征在于，其中该转盘组立体的组立包含以下步骤：

在该转盘的第一球珠槽内置放多个球珠；

将该承载盘嵌合于该转盘的偏心开孔；

将该齿轮环嵌合于该转盘，使该齿轮环内缘的所述齿啮合于该承载盘外缘的所述齿；

在该齿轮环的第三球珠槽内置放多个球珠；及

将该转盘盖覆盖于该转盘上。

21.根据权利要求19所述的单晶圆处理装置的传送方法，其特征在于：其中该机械手借由该转盘的多个凹洞而顶起该转盘组立体。

22.根据权利要求19所述的单晶圆处理装置的传送方法，其特征在于：其中该机械手通过该齿轮固定体的开口。

23.根据权利要求19所述的单晶圆处理装置的传送方法，其特征在于更包含：

当反应室开启后，该机械手通过该齿轮固定体的开口并借由该转盘的凹洞顶起该转盘，因而顶起整个转盘组立体，使得该转盘脱离该转动体；

该机械手将该转盘组立体移出反应室；及

依该转盘组立体的组立的相反顺序将该转盘组立体予以分解为该转盘盖、该齿轮环、该承载盘与该转盘。