KR101806251B1 - 기판 처리 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 챔버와, 상기 챔버 내측에 위치하고 공전하는 메인 디스크와 상기 메인 디스크에 배치되어 자전하는 복수의 서브 기판 홀더를 구비하는 기판 안치부와, 상기 기판 안치부의 상기 메인 디스크를 회전시키는 디스크 공전 제어부 및 상기 챔버에 고정되고 상기 기판 안치부의 상기 복수의 서브 기판 홀더의 자전을 제어하는 자전 제어부를 포함하는 기판 처리 장치를 제공한다. 이와 같이 본 발명은 기판 안치부의 중심 상에 챔버에 고정된 자전 제어부를 두어 별도의 회전 수단을 사용하지 않고도 기판 안치부의 서브 기판 홀더를 자전시킬 수 있고, 기판 안치부의 메인 디스크와 서브 기판 홀더 사이에 부상 가스를 분사하여 둘 사이의 접촉 저항을 줄일 수 있다.

Description

기판 처리 장치{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 메인 디스크와 서브 디스크의 공자전을 통해 복수 기판 처리시 균일성을 향상시킬 수 있는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
종래의 기판 처리 장치는 다수의 기판(약 3~10개)을 동시에 처리하는 세미 배치 타입을 사용하고 있다. 세미 배치 타입의 기판 처리 장치는 다수의 기판을 동시에 처리하는 장치이다. 예를 들어 다수의 기판 각각에 동시에 박막을 증착하거나, 식각을 수행할 수 있다.
하기에서는 박막 증착을 중심으로 설명한다.
세미 배치 타입의 기판 처리 장치의 경우, 대형의 메인 디스크 상측에 복수의 기판을 배치한다. 이후, 챔버의 반응 공간 내에 원료를 공급하여 기판 상에 박막을 증착한다.
이러한 세미 배치 타입의 기판 처리 장치는 기판에 증착되는 박막의 두께 균일도가 저하되는 단점이 있다. 이는 메인 디스크의 전면에 원료가 균일하게 제공되지 않고, 메인 디스크의 중심 영역에 원료가 집중되기 때문이다. 즉, 증착 공정을 통해 증착된 박막의 두께가 기판의 위치에 따라 다르기 때문이다. 예를 들어, 메인 디스크의 중심에 인접한 기판 영역의 박막 두께가 메인 디스크의 가장자리에 인접한 기판 영역의 박막 두께 보다 더 두껍게 된다.
이와 같은 박막 두께의 불균일로 인해 단일 기판 상에 제작된 소자의 전기적 특성 편차가 커지고, 수율이 저하되는 문제가 발생한다.
이에 최근에는 메인 디스크를 회전시키고, 이와 동시에 메인 디스크 상의 기판을 회전시켜 기판 상의 박막 두께를 균일하게 하는 기술이 제안되었다. 이러한 기술로는 메인 디스크를 구동축으로 공전시키고, 가스 분사를 통해 기판을 자전시켰다. 이경우, 기판의 회전수 조절이 용이하지 않고, 퍼지 가스에 의해 공정 가스(원료)가 희석되는 문제가 있다.
상술한 바와 같은 문제를 해결하기 위해 다층으로 제작된 메인 디스크 내측에 서브 디스크와 고정축을 배치시켜 기판의 회전수 조절이 용이하고, 회전 마찰력을 줄일 수 있고, 파티클 발생을 줄일 수 있으며, 또한, 측면 배기 링을 통해 공정 가스를 배기함으로 인해 복수 기판 처리시 균일성을 향상시킬 수 있는 기판 처리 장치를 제공한다.
본 발명의 일 형태에 따른 기판 처리 장치는 챔버; 상기 챔버 내에 마련되며, 메인 디스크 상에 마련된 복수의 서브 기판 홀더를 구비하는 기판 안치부; 상기 메인 디스크를 공전시키는 공전 제어부; 및 상기 복수의 서브 기판 홀더를 자전시키는 자전 제어부를 포함하고, 상기 공전 제어부와 상기 자전 제어부는 서로 대향되도록 마련된다.
상기 공전 제어부와 상기 자전 제어부는 상기 기판 안치부를 사이에 두고 서로 대향되어 마련된다.
상기 공전 제어부는 상기 기판 안치부 하측에 마련되고, 상기 자전 제어부는 상기 기판 안치부의 상측에 마련된다.
상기 메인 디스크 상에 수납 영역이 마련되고, 상기 수납 영역에 상기 복수의 서브 기판 홀더와 상기 자전 제어부가 위치한다.
부상 가스가 상기 자전 제어부 및 상기 메인 디스크를 관통하여 상기 복수의 서브 기판 홀더 하측으로 공급되어 상기 복수의 서브 기판 홀더가 상기 메인 디스크 상에서 부상한다.
인접한 서브 기판 홀더가 기어 결합되어 상기 복수의 서브 기판 홀더가 방사상으로 배치된다.
상기 자전 제어부의 일측이 상기 복수의 서브 기판 홀더 사이에 마련되어 상기 복수의 서브 기판 홀더와 기어 결합된다.
본 발명의 다른 형태에 따른 기판 처리 장치는 챔버; 상기 챔버 내측에 위치하고 메인 디스크와 상기 메인 디스크에 배치된 복수의 서브 기판 홀더를 구비하는 기판 안치부; 상기 메인 디스크를 공전시키는 디스크 공전 제어부; 및 상기 복수의 서브 기판 홀더의 자전을 제어하는 자전 제어부를 포함하고, 상기 메인 디스크의 중심에 상기 자전 제어부가 배치되고, 상기 중심을 기준으로 방사상으로 상기 복수의 서브 기판 홀더가 배치된다.
상기 공전 제어부와 상기 자전 제어부는 상기 기판 안치부를 사이에 두고 서로 대향되어 마련된다.
상기 공전 제어부는 상기 기판 안치부 하측에 마련되고, 상기 자전 제어부는 상기 기판 안치부의 상측에 마련된다.
상기 메인 디스크와 상기 서브 기판 홀더 사이에 부상(浮上) 가스를 제공하는 부상 가스 공급부를 더 포함한다.
상기 부상 가스 공급부는 상기 디스크 공전 제어부 또는 상기 자전 제어부를 통해 마련된다.
상기 부상 가스 공급부는 상기 자전 제어부 및 상기 메인 디스크를 관통하여 상기 복수의 서브 기판 홀더 하측으로 상기 부상 가스를 공급한다.
상기 서브 기판 홀더 하측의 상기 메인 디스크에 관통 형성되며, 상기 메인 디스크와 상기 서브 기판 홀더 사이의 부상(浮上) 가스를 배기하는 부상 가스 배기 유로를 더 포함한다.
상기 자전 제어부를 통해 상기 서브 기판 홀더 상측 영역에 퍼지 가스를 분사하는 퍼지 가스 공급부를 더 포함한다.
상술한 바와 같이 본 발명은 기판 안치부의 중심 상에 챔버에 고정된 자전 제어부를 두어 별도의 회전 수단을 사용하지 않고도 기판 안치부의 서브 기판 홀더를 자전시킬 수 있다.
또한, 본 발명은 기판 안치부의 메인 디스크와 서브 기판 홀더 사이에 부상 가스를 분사하여 둘 사이의 접촉 저항을 줄일 수 있다.
또한, 본 발명은 기판 안치부의 측면으로 공정 가스를 배기하여 기판 상에 증착되는 박막 균일도를 증대시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 기판 처리 장치의 단면도.
도 2는 제 1 실시예에 따른 기판 안치부의 영역의 평면도.
도 3은 제 1 실시예에 따른 기판 안치부 일부 영역의 단면 확대도.
도 4는 제 1 실시예의 변형예에 따른 기판 안치부 일부 영역의 단면 확대도.
도 5는 제 1 실시예의 변형예에 따른 기판 안치부 영역의 평면도.
도 6은 제 1 실시예에 따른 자전 제어부 일부 영역의 단면 확대도.
도 7은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 기판 처리 장치의 단면도.
도 8은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 기판 처리 장치의 단면도.
도 9는 제 3 실시예에 따른 배기링부를 설명하기 위한 평면도.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 더욱 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 기판 처리 장치의 단면도이다. 도 2는 제 1 실시예에 따른 기판 안치부의 영역의 평면도이다. 도 3은 제 1 실시예에 따른 기판 안치부 일부 영역의 단면 확대도이다. 도 4는 제 1 실시예의 변형예에 따른 기판 안치부 일부 영역의 단면 확대도이고, 도 5는 제 1 실시예의 변형예에 따른 기판 안치부 영역의 평면도이다. 도 6은 제 1 실시예에 따른 자전 제어부 일부 영역의 단면 확대도이다.
도 1 내지 도 6을 참조하면, 본 실시예에 따른 기판 처리 장치는 반응 공간을 갖는 챔버(1000)와, 챔버(1000) 내측에 위치하여 메인 디스크(2100)와 그 상측에 배치된 복수의 서브 기판 홀더(2200)를 구비하는 기판 안치부(2000)와, 상기 기판 안치부(2000)의 메인 디스크(2100)를 회전시키는 디스크 공전 제어부(3000)와, 상기 기판 안치부(2000)의 서브 기판 홀더(2200)의 자전을 제어하는 자전 제어부(4000)와, 서브 기판 홀더(2200) 상의 기판(10)에 공정 가스를 제공하는 공정 가스 공급부(5000)를 구비한다. 또한, 기판 처리 장치는 도시된 바와 같이 자전 제어부(4000)를 통해 서브 기판 홀더(2200)와 공정 가스 공급부(5000) 사이 영역에 퍼지 가스를 공급하는 퍼지 가스 공급부(7000)와, 상기 자전 제어부(4000)를 통해 서브 기판 홀더(2200)와 메인 디스크(2100) 사이 공간에 부상(浮上) 가스를 공급하는 부상 가스 공급부(6000)와, 챔버(1000)내의 가스를 배기하는 배기부(8000)를 더 구비한다.
챔버(1000)는 하부 챔버 몸체(1200)와 하부 챔버 몸체(1200)를 덮는 챔버 리드(1100)를 구비한다. 하부 챔버 몸체(1200)는 상측이 개방된 통 형상으로 제작된다. 그리고, 챔버 리드(1100)는 상기 통을 덮는 대략 판 형상으로 제작된다. 하부 챔버 몸체(1200)와 챔버 리드(1100)는 탈착 가능하게 결합된다. 그리고, 도시되지 않았지만, 하부 챔버 몸체(1200)의 일측에는 기판(10)이 출입하는 출입구가 마련된다. 여기서, 출입구는 별도의 이송 챔버에 접속될 수도 있다. 또한, 챔버(1000)는 반응 공간의 압력을 조절하기 위한 별도의 압력 조절 수단을 더 구비할 수도 있다. 또한, 반응성 향상을 위해 챔버(1000) 내부를 가열하기 위한 가열 수단 및 챔버(1000) 내부를 냉각하기 위한 냉각 수단과 같은 온도 조절 수단을 더 구비할 수 있다.
기판 안치부(2000)는 각기 기판(10)이 안치되는 복수의 서브 기판 홀더(2200)와, 복수의 서브 기판 홀더(2200)가 배치된 메인 디스크(2100)를 포함한다.
메인 디스크(2100)는 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이 원형 판 형상으로 제작되는 것이 바람직하다. 메인 디스크(2100)의 상측 영역에는 도 2에 도시된 바와 같이 6개의 서브 기판 홀더(2200)가 마련된다. 서브 기판 홀더(2200)들은 메인 디스크(2100)의 중심점을 기준으로 방사상으로 배치된다. 그리고, 상기 서브 기판 홀더(2200)가 배치되지 않는 메인 디스크(2100)의 중심 영역에는 자전 제어부(4000)가 배치된다.
메인 디스크(2100)는 제 1 디스크 몸체(2110)와, 제 2 디스크 몸체(2120) 그리고, 커버 몸체(2130)를 구비한다.
제 1 디스크 몸체(2110)는 원형 판 형상으로 제작된다. 제 1 디스크 몸체(2110) 상측에 판 형상의 제 2 디스크 몸체(2120)가 위치한다. 그리고, 제 2 디스크 몸체(2120)는 상측에 수납 영역이 마련된다. 즉, 제 2 디스크 몸체(2120)는 하측 바닥 판부와, 하측 바닥 판부의 가장자리 영역에서 돌출된 돌출 측벽부를 구비한다. 여기서, 상기 제 2 디스크 몸체(2120)의 수납 영역 내측에 서브 기판 홀더(2200)와 자전 제어부(4000)가 위치한다.
커버 몸체(2130)는 제 2 디스크 몸체(2120)의 상부 영역(즉, 수납 영역)을 커버하되, 서브 기판 홀더(2200)의 기판(10)이 노출되도록 한다. 즉, 커버 몸체(2130)는 서브 기판 홀더(2200)와 자전 제어부(4000)의 기어부 영역과, 서브 기판 홀더(2200)가 배치되지 않은 영역 상측에 위치한다.
본 실시예의 메인 디스크(2100)는 중심 영역에 마련된 자전 제어부(4000)를 통해 서브 기판 홀더(2200)를 띄우는 부상 가스를 제공 받는다. 그리고, 메인 디스크(2100)는 그 내측에 마련된 부상 가스 분배 유로(2140)를 통해 각 서브 기판 홀더(2200)와 메인 디스크(2100)의 사이 공간에 부상 가스를 제공한다.
이와 같이 부상 가스를 서브 기판 홀더(2200)와 메인 디스크(2100) 사이에 분사하여 서브 기판 홀더(2200)가 메인 디스크(2100)에 밀착되지 않고, 이격된다. 즉, 이들 사이에 제공된 부상 가스에 의해 서브 기판 홀더(2200)가 메인 디스크(2100)로부터 띄워지게 된다(부상한다). 이를 통해 서브 기판 홀더(2200)와 메인 디스크(2100) 간의 접촉 면 저항이 감소하게 된다. 이때, 제공되는 부상 가스의 유량과 유속에 따라 부상 정도를 제어할 수 있다.
상술한 부상 가스 분배 유로(2140)는 제 2 디스크 몸체(2120)의 중심 영역에 마련된 입력 유로(2141)와, 입력 유로(2141)에서 각 서브 기판 홀더(2200) 방향으로 방사상으로 연장된 방사상 연장 유로(2142)와, 제 2 디스크 몸체(2120)를 관통하여 방사상 연장 유로(2142)에 연통된 부상 가스 분사홀(2143)을 구비한다. 본 실시예에서는 도 1 및 도 3에 도시된 바와 같이 상기 방사상 연장 유로(2142)는 제 1 및 제 2 디스크 몸체(2110, 2120)의 접촉면(즉, 계면) 상에 위치하는 것이 바람직하다. 즉, 제 1 및 제 2 디스크 몸체(2110, 2120)의 결합에 의해 방사상 연장 유로(2142)가 형성되는 것이 효과적이다. 예를 들어 도 1 및 도 3에 도시된 바와 같이 제 1 디스크 몸체(2110)에는 방사상 연장 유로(2142)가될 홈이 형성된다. 그리고, 이 홈을 제 2 디스크 몸체(2120)로 커버하여 방사상 연장 유로가 제작된다. 물론 반대의 경우, 즉 제 2 디스크 몸체(2120)에 홈이 형성될 수도 있다.
이와 같이 분리된 몸체간의 결합을 통해 유로를 형성하여 유로의 제작을 단순화 시킬 수 있다. 즉, 본 실시예에서는 유로등의 제작 편의를 위해 메인 디스크(2100)를 제 1 및 제 2 디스크 몸체(2110, 2120)로 분리 제작하였다. 하지만, 이에 한정되지 않고, 제 1 및 제 2 디스크 몸체(2110, 2120)를 단일 몸체로 제작할 수도 있다.
본 실시예의 메인 디스크(2100)는 제공된 부상 가스를 배기하기 위한 부상 가스 배기 유로(2150)를 더 구비한다. 부상 가스 배기 유로(2150)는 도 1 및 도 3에 도시된 바와 같이 제 1 및 제 2 디스크 몸체(2110, 2120)의 가장자리 영역에서 이들을 관통하여 제작되는 것이 효과적이다. 이때, 도면에서는 부상 가스 배기 유로(2150)가 챔버(1000) 반응 공간에 바로 노출됨이 도시되었다. 따라서, 상기 부상 가스 배기 유로(2150)의 직경을 조절하여 제 1 및 제 2 디스크 몸체(2110, 2120) 사이로 제공된 부상 가스의 배기량을 제어할 수 있다. 이를 통해 서브 기판 홀더(2200)의 부상 정도를 제어할 수 있다. 물론 이에 한정되지 않고, 상기 부상 가스 배기 유로(2150)가 별도의 배기 유로를 통해 배기부에 접속될 수도 있다. 이 경우 배기부의 배기량 조절을 통해 부상 가스의 배기량을 제어할 수도 있다.
물론 상기 메인 디스크(2100)는 상술한 설명에 한정되지 않고, 도 4 및 도 5의 변형예에서와 같이 회전 중심 돌기(2160)를 더 구비할 수 있다.
즉, 회전 중심 돌기(2160)는 서브 기판 홀더(2200)의 하측 바닥 중심에 마련된 회전홈에 대응하는 제 2 디스크 몸체(2120) 상에 마련된다. 그리고, 회전 중심 돌기(2160)는 서브 기판 홀더(2200)의 회전홈에 끼워넣어진다. 이를 통해 서브 기핀 홀더(2200)의 회전시 서브 기판 홀더(2200)의 좌우 움직임을 잡아줄 수 있다. 또한, 서브 기판 홀더(2200)와 메인 디스크(2100)(즉, 제 2 디스크 몸체(2120))와의 접촉을 면접촉이 아닌 점접촉이 되도록 할 수 있다. 따라서, 접촉 저항을 줄일 수 있다.
여기서, 회전 중심 돌기(2160)의 형상을 다양할 수 있다. 즉, 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이 원기둥 형상일 수도 있고, 원 뿔 형상일 수도 있으며, 반구 형상일 수도 있다.
또한, 도 4 및 도 5의 변형예에서와 같이 제 2 디스크 몸체(2120)에 부상 홈(2121)이 마련될 수 있다. 여기서, 부상홈(2121)은 서브 기판 홀더(2200)에 대응하는 제 2 디스크 몸체(2120) 영역에서 도 5에 도시된 바와 같이 원형 링 형상으로 제작된다. 그리고, 부상홈(2121)의 일측은 부상 가스 분사 유로(2140)와 연통되고, 다른 일측은 부상 가스 배기 유로(2150)와 연통된다. 이를 통해 부상 가스 분사 유로(2140)를 통해 제공된 부상 가스는 상기 부상홈(2121)을 따라 이동하여 부상 가스 배기 유로(2150)를 통해 외부로 배기된다.
이와 같이 링 형태의 부상홈(2121)을 지나는 부상 가스에 의해 서브 기판 홀더(2200)가 띄워질 수 있다. 즉, 부상 가스를 부상홈(2121)을 따라 이동하게 함으로 인해 서브 기판 홀더(2200)를 부상시키기 위한 힘이 집중될 수 있다. 또한, 링 형태의 부상홈(2121)에 의해 상기 부상력이 서브 기판 홀더(2200)에 균일하게 제공될 수 있다.
상술한 바와 같은 메인 디스크(2100)의 상측 영역에는 기판(10)이 안치되는 복수의 서브 기판 홀더(2200)가 마련된다. 도 2에서는 6개의 서브 기판 홀더(2200)가 도시되었다. 하지만, 본 실시예는 이에 한정되지 않고, 이보다 더 많거나 적은 갯수의 서브 기판 홀더(2200)가 마련될 수 있다. 서브 기판 홀더(2200)는 크게 기판이 안치되는 영역과 기판 안치 영역을 회전시키기 위해 외부 구성과 접속되는 영역으로 분리된다.
서브 기판 홀더(2200)는 그 상측 표면에 기판(10)이 안치되는 서셉터(2210)와, 서셉터(2210)를 자전시키는 자전부(2220)를 구비한다.
도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이 서셉터(2210)는 원형 판 형상으로 제작된다. 서셉터(2210)는 기판(10)을 지지하기 위한 별도의 지지 수단들이 마련될 수 있다.
자전부(2220)는 서셉터(2210)의 하측에 마련된 판 형태의 자전 몸체(2221)와, 상기 자전 몸체(2221)의 외측에 마련된 홀더 톱니부(2222)를 구비한다. 자전부(2220)는 자전 제어부(4000)의 기어부와 연결되는 홀더 기어부로 작용한다.
여기서, 자전 몸체(2221)는 서셉터(2210)의 하측에 밀착 고정된다. 그리고, 홀더 톱니부(2222)는 자전 몸체(2221)의 측면에 돌출되어 마련된다. 즉, 홀더 톱니부(2222)는 서셉터(2210)의 하측 측면으로 돌출된 형상으로 제작된다. 이때, 홀더 톱니부(2222)의 형상은 자전 제어부(4000)에 대응된다.
앞서 언급한 바와 같이 서셉터(2210)는 메인 디스크(2100)의 커버 몸체(2130)에 의해 노출된다. 서셉터(2210)를 제외한 자전부(2220) 영역(즉, 홀더 톱니부(2222))는 커버 몸체(2130)에 의해 차폐된다. 이를 통해 반응 공간의 공정 가스에 의해 홀더 톱니부(2222)가 노출되는 것을 막을 수 있다.
여기서, 자전부(2220)의 하측면은 메인 디스크(2100)의 제 2 디스크 몸체(2120)의 표면에 인접 배치된다. 또는 작동시에 밀착될 수도 있다. 따라서, 상기 자전부(2220)의 하측면에 별도의 마찰 방지 코팅을 수행할 수 있다. 물론 이에 한정되지 않고, 별도의 마찰 방지막이 상기 자전부(2220)와 제 2 디스크 몸체(2120) 사이에 마련될 수 있다.
본 실시예의 서브 기판 홀더(2200)를 구성하는 서셉터(2210)와 자전부(2220)가 분리되어 제작됨을 중심으로 설명하였다. 이를 통해 홀더 톱니부(2222)의 가공을 용이하게 수행할 수 있다. 즉, 서셉터(2210) 하측에 홀더 톱니부(2222)를 갖는 기어를 부착하여 서브 기핀 홀더(2200)를 제작할 수 있다. 하지만, 이에 한정되지 않고, 서셉터(2210)와 자전부(2220)가 단일 몸체로 제작될 수 있다. 또한, 본 실시예에서는 서셉터(2210)를 단일 몸체로 제작하고, 그 외측면에 링 형태의 기어를 끼워 고정시켜 서브 기판 홀더(2200)를 제작할 수도 있다.
또한, 도 4의 변형예에서와 같이 상기 서브 기판 홀더(2200)의 자전부(2220)의 하측면의 중심에는 오목홈이 마련될 수 있다. 이를 통해 상기 오목홈 내측으로 회전 중심 돌기(2160)가 인입되어 서브 기판 홀더(2200)의 좌우 흔들림을 방지할 수 있다. 물론 이에 한정되지 않고, 상기 자전부(2220)의 중심에 돌출 돌기가 마련되고, 이 돌출 돌기가 메인 디스크(2100)에 마련된 고정홈에 인입될 수 있다. 이를 통해서도 서브 기판 홀더(2200)의 좌우 흔들림을 방지할 수 있다.
또한, 도시되지 않았지만, 기판 안치부(2000)는 기판(10)의 로딩과 언로딩을 위한 별도의 리프트 핀을 구비할 수 있다. 그리고, 상기 리프트 핀이 승하강하기 위한 홀이 상기 서브 기판 홀더(2200)와 메인 디스크(2100)에 마련될 수도 있다.
본 실시예에서는 상술한 기판 안치부(2000)의 메인 디스크(2100)를 디스크 공전 제어부(3000)를 통해 회전(즉, 공전)시킨다.
디스크 공전 제어부(3000)는 회전력을 생성하는 구동부(3100)와, 구동부(3100)의 회전력을 상기 기판 안치부(2000)에 제공하는 공전 제어축(3200)을 구비한다. 구동부(3100)는 챔버(1000)의 외측에 마련된다. 따라서, 공전 제어축(3200)은 챔버(1000)의 바닥면의 홈을 관통하여 연장된다. 따라서, 챔버(1000) 바닥면의 홈 주위에는 챔버(1000) 내부의 압력 파기를 방지하기 위한 하측 밀봉 수단(3300)이 마련된다. 하측 밀봉 수단(3300)으로 밸로우즈를 사용하는 것이 효과적이다.
공전 제어축(3200)은 그 일단이 구동부(3100)에 접속되고, 타단은 기판 안치부(2000)의 메인 디스크(2100)의 하측 중심에 접속된다. 이를 통해 구동부(3100)의 회전력을 기판 안치부(2000)의 메인 디스크(2100)에 제공한다. 따라서, 메인 디스크(2100)가 공전할 수 있게 된다. 구동부(3100)로 모터를 사용하는 것이 효과적이다. 모터의 구동축에 상기 공전 제어축(3200)이 집접 연결될 수도 있고, 별도의 기어를 통해 결합될 수도 있다.
그리고, 상기 구동부(3100)를 통해 기판 안치부(2000)를 승강시킬 수도 있다. 이를 통해 기판(10)의 로딩 및 언로딩을 용이하게 수행할 수 있다. 또한, 기판 안치부(2000) 상의 기판(10)의 공정 위치를 자유롭게 변화시킬 수 있다.
본 실시예에서는 기판 안치부(2000) 상측 영역에 위치하여 공전하는 메인 디스크(2100) 상의 서브 기판 홀더(2200)를 자전시키는 자전 제어부(4000)를 구비한다. 이때, 자전 제어부(4000)는 서브 기판 홀더(2200)에 결합된 상태로 고정된다. 여기서, 메인 디스크(2100)가 공정하는 경우 서브 기판 홀더(2200)도 함께 이동한다. 그러나, 서브 기판 홀더(2200)의 일측은 고정된 자전 제어부(4000)에 기어 결합 경태로 결합되어 있다. 따라서, 서브 기판 홀더(2200)가 자전하면서 메인 디스크(2100)의 회전 방향으로 이동할 수 있게 된다. 이를 통해 서브 기판 홀더(2200) 자전을 위한 별도의 회전력을 갖는 장치구성을 생략할 수 있다.
상기와 같은 자전 제어부(4000)는 도 1에 도시된 바와 같이 고정 판부(4100)와, 고정 판부(4100)에서 기판 안치부(2000) 방향으로 연장된 고정축부(4200)와, 고정축부(4200)의 끝단에 마련된 자전용 기어부(4300)를 구비한다.
고정 판부(4100)는 챔버(1000)의 상측 영역에 위치하는 고정 몸체(4110)와, 상기 고정 몸체(4110)의 회전을 고정하는 고정부(4120)를 구비한다. 고정 판부(4100)를 통해 기판 안치부(2000)의 메인 디스크(2100)에 밀착된 고정축부(4200)가 회전되는 것을 방지할 수 있다.
고정 몸체(4110)는 판 형상으로 제작되고, 챔버(1000) 상측에 마련된 관통홀 보다 그 사이즈가 큰 것이 효과적이다.
고정부(4120)는 그 일단이 챔버(1000)의 챔버 리드(1100)에 고정된다. 그리고, 타단은 고정 몸체(4110)에 장착된다.
여기서, 자전 제어부(4000)는 메인 디스크(2100)에 밀착되어 있다. 따라서, 메인 디스크(2100)가 승하강하는 경우 자전 제어부(4000)도 함께 승하강할 수 있다. 따라서, 메인 디스크(2100)가 상승하는 경우에는 고정부(4120)가 고정 몸체(4110)로 부터 분리된다. 하지만, 메인 디스크(2100)가 공정 위치로 하강하는 경우에는 고정 몸체(4110)가 고정부(4120)에 장착되어 그 움직임(회전)이 제한된다.
이를 위해 고정부(4120)를 핀 또는 봉 형상으로 제작하고, 고정 몸체(4110)에 상기 고정부(4120)에 대응하는 홈이 형성될 수 있다. 이를 통해 고정 몸체(4110)의 홈에 고정부(4120)가 장착되어 회전을 고정시킨다.
또한, 이에 한정되지 않고, 도 6의 변형예에서와 같이 상기 고정부(4120)는 고정 몸체(4110)의 승하강을 지지하고, 회전을 방지한다. 이를 위해 상기 고정부(4120)로 LM 가이드를 사용할 수 있다.
고정축부(4200)는 앞서 언급한 바와 같이 고정 판부(4100)에서 기판 안치부(2000)의 중심 방향으로 연장된다. 그리고, 상기 고정축부(4200)와 기판 안치부(2000) 사이에는 자전용 기어부(4300)가 위치한다.
고정축부(4200)는 봉형상으로 제작된다. 봉의 일단은 고정 판부(4100)에 접속되고, 타단은 자전용 기어부(4300)에 접속된다. 고정 축부(4200)는 챔버(1000) 외측에 마련된 고정 판부(4100)에서 챔버(1000)의 상측 홀을 관통하여 챔버(1000) 내측으로 연장된다. 이때, 고정 축부(4200) 관통에 의한 반응 공간의 밀봉 파괴를 방지하기 위해 상기 챔버(1000)의 상측 홀과 고정 판부(4100) 사이에 상측 밀봉 부재(4600)가 마련된다. 밀봉 부재(4600)로 벨로우즈를 사용하는 것이 효과적이다.
자전용 기어부(4300)는 고정축부(4200)에 접속 고정된 기어 몸체부(4310)와, 기어 몸체부(4310) 외측으로 돌출된 고정 톱니부(4320)를 구비한다. 기어 몸체부(4310)의 바닥면은 기판 안치부(2000)의 메인 디스크(2100)에 근접 배치된다. 이때, 기어 몸체부(4310)는 메인 디스크(2100)의 중심점 영역에 배치된다. 메인 디스크(2100) 영역 중 기판(10)이 위치하지 않는 중심 영역에 기어 몸체부(4310)가 배치됨으로 인해 기판 안치부(2000) 전체의 크기 증대없이 서브 기판 홀더(2200)를 자전 시킬 수 있다. 물로 기어 몸체부(4310)가 메인 디스크(2100) 중심 영역에 밀착되는 것이 효과적이다. 이때, 기어 몸체부(4310)는 고정되고, 메인 디스크(2100) 만이 회전하기 때문에 이들 사이에는 별도의 마찰 방지 부재 또는 오링 또는 가스켓이 마련될 수 있다.
고정 톱니부(4320)는 서브 기판 홀더(2200)의 홀더 톱니부(2222)에 대응되는 형상으로 배치된다. 즉, 고정 톱니부(4320)의 기어 돌기와 홀더 톱니부(2222)의 기어 홈이 맞물리고, 홀더 톱니부(2222)의 기어 돌기와 고정 톱니부(4320)의 기어 홈이 맞물리게 배치되는 것이 효과적이다. 여기서, 고정 톱니부(4320)와 홀더 톱니부(2222)의 기어비를 조절하여 서브 기판 홀더(2200)의 회전수를 조절할 수 있다.
기판 안치부(2000)의 중심에 위치한 자전용 기어부(4300)는 복수의 서브 기판 홀더(2200)에 모두 기어 결합 형태로 체결된다.
따라서, 자전용 기어부(4300)에 의해 복수의 서브 기판 홀더(2200)가 동일 속도로 자전할 수 있다.
이와 같이 서브 기판 홀더(2200)를 별도의 회전 장치 없이 자전시켜 장치 구성을 단순화 시킬 수 있다. 또한, 서브 기판 홀더(2200)의 자전으로 인해 그 상측 기판(10) 상의 박막 두께의 균일성을 높일 수 있어 수율을 향상시킬 수 있다.
그리고, 본 실시예에서는 자전 제어부(4000)를 통해 서브 기판 홀더(2200)를 부상시키는 부상 가스를 기판 안치부(2000)에 제공한다. 따라서, 자전 제어부(4000)는 고정 판부(4100), 고정축부(4200) 및 자전용 기어부(4300)를 관통하고, 기판 안치부(2000)의 부상 가스 분배 유로(2140)에 연통된 부상 가스 공급 유로(4400)를 구비한다.
여기서, 자전용 기어부(4300)가 메인 디스크(2100)에 밀착된 경우에는 부상 가스 공급 유로(4400)와 부상 가스 분배 유로(2140) 사이에는 가스 누설을 방지하기 위한 누설 방지 수단이 마련될 수 있다. 이때, 누설 방지 수단으로 오링 또는 가스켓을 사용할 수 있다. 물론 자전용 기어부(4300)는 고정되고 메인 디스크(2100)가 회전하기 때문에 마그네트 실링을 사용할 수도 있다. 또한, 자전용 기어부(4300)가 메인 디스크(2100)로 부터 이격된 경우에는 부상 가스 공급 유로(4400)의 연장부가 상기 부상 가스 분배 유로(2140)에 연결될 수도 있다.
그리고, 본 실시예에서는 자전 제어부(4000)를 통해 기판(10) 상측 영역에 퍼지 가스를 분사한다. 따라서, 자전 제어부(4000)는 고정 판부(4100) 및 고정축부(4200)를 관통하는 퍼지 가스 공급 유로(4500)를 구비한다. 퍼지 가스 공급 유로(4500)의 가스 출력 홈은 고정축부(4200)의 측면 영역에 마련된다. 가스 출력홈은 서브 기판 홀더(2200)와 공정 가스 공급부(5000) 사이 영역에 위치하는 것이 효과적이다.
상술한 설명에서 자전용 기어부(4300)와 고정 축부(4200)는 분리 제작되거나 단일 몸체로 제작될 수 있다. 또한, 자전용 기어부(4300)를 링 형상으로 제작하여 고정 축부(4200)의 하측 둘레에 끼워 고정할 수 있다. 이때, 고정 축부(4200)의 타 단부가 메인 디스크(2100)에 인접 배치될 수도 있다.
본 실시예에서는 기판(10)에 공정 가스를 제공하는 공정 가스 공급부(5000)를 구비한다.
공정 가스 공급부(5000)는 챔버(1000) 내측에 마련되어, 공전하면서 자전하는 복수의 기판(10)에 공정 가스를 균일하게 분사하는 가스 분사부(5100)와, 공정 가스가 저장된 공정 가스 저장부(5200)와, 공정 가스 저장부(5200)의 공정 가스를 가스 분사부(5100)에 제공하는 공정 가스 공급 유로(5300)를 구비한다.
가스 분사부(5100)는 챔버 리드(1100)에 결합되어 공정 가스 확산 공간을 형성하는 가스 분배판을 구비한다. 가스 분배판은 복수의 분사홀을 구비하여 공정 가스를 균일하게 분사한다. 이때, 가스 분배판은 링 형태로 제작되는 것이 효과적이다. 그리고, 가스 분배판은 기판(10)의 회전 반경에 대응하는 영역에 마련되는 것이 효과적이다. 물론 이에 한정되지 않고, 가스 분배판은 복수 영역으로 분리 제작될 수 있다. 이때, 가스 분배판이 기판(10)과 대응하는 형상으로 제작되는 거이 효과적이다. 또한 가스 분배판이 봉 형태로 제작되고 다수의 가스 분배판이 기판(10)의 회전 반경 영역에 균일하게 배치될 수도 있다.
또한, 본 실시예에서는 부상 가스를 저장하고 이를 자전 제어부(4000)의 부상 가스 공급 유로(4400)에 제공하는 부상 가스 공급부(6000)를 구비한다. 그리고, 퍼지 가스를 저장하고, 퍼지 가스를 자전 제어부(4000)의 퍼지 가스 공급 유로(4500)에 제공하는 퍼지 가스 공급부(7000)를 구비한다.
또한, 본 발명은 상술한 설명에 한정되지 않고, 부상 가스를 디스크 공전 제어부를 통해 공급할 수도 있다. 하기에서는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 기판 처리 장치에 관해 설명한다. 후술되는 설명중 상술한 제 1 실시예와 중복되는 설명은 생략한다. 그리고, 제 2 실시예의 기술은 상기 제 1 실시예에 적용될 수 있다.
도 7은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 기판 처리 장치의 단면도이다.
도 7을 참조하면, 본 실시예의 기판 처리 장치는 챔버(1000), 기판 안치부(2000), 디스크 공전 제어부(3000) 및 자전 제어부(4000) 그리고, 상기 디스크 공전 제어부를 통해 서브 기판 홀더(2200)를 부상시키는 부상 가스를 공급하는 부상 가스 공급부(6000)를 구비한다.
기판 안치부(2000)는 메인 디스크(2100)와 서브 기판 홀더(2200)를 구비한다. 이때, 서브 기판 홀더(2200)는 도 7에 도시된 바와 같이 자전 안치판(2230)과, 자전 안치판(2230)의 하측으로 돌출된 부상 돌출부(2240)를 구비한다. 자전 안치판(2230)은 기판(10)이 안치되는 안치 몸체(2231)와, 안치 몸체(2231) 측면에 마련된 안치 톱니부(2232)를 구비한다. 안치 톱니부(2232)는 자전 제어부(4000)의 자전용 기어부(4300)에 결합된다. 이를 통해 메인 디스크(2100)가 공전할때 서브 기판 홀더(2200)가 자전할 수 있다. 그리고, 부상 돌출부(2240)는 메인 디스크(2100)의 제 2 디스크 몸체(2120)에 마련된 회전홈에 안착된다. 이를 통해 서브 기판 홀더(2200)의 자전시 서브 기판 홀더(2200)가 좌우로 치우치거나 미끄러지는 현상을 방지할 수 있다.
또한, 부상 가스가 상기 제 2 디스크 몸체(2120)의 회전홈과 부상 돌출부(2240) 사이에 제공됨으로 인해 서브 기판 홀더(2200)와 메인 디스크(2100) 사이의 접촉 저항을 줄일 수 있다.
본 실시예에서는 상기 디스크 공전 제어부(3000)를 통해 부상 가스가 제공된다. 이 부상가스는 메인 디스크(2100)에 마련된 부상 가스 분배 유로(2140)를 따라 흘러, 제 2 디스크 몸체(2120)와 부상 돌출부(2240) 사이 영역에 제공될 수 있다. 이에, 본 실시예에서는 디스크 공전 제어부(3000)의 공전 제어축(3200)에는 부상 가스 분배 유로(2140)와 연통된 부상 가스 공급 유로(3400)가 형성된다. 부상 가스 공급 유로(3400)의 입력단은 공전 제어축(3200)의 측면에 노출된다.
여기서, 상기 공전 제어축(3200)는 회전한다. 따라서, 본 실시예에서는 회전하는 공전 제어축(3200)의 부상 가스 공급 유로(3400)에 부상 가스를 제공할 수 있는 구조의 부상 가스 공급부(6000)를 구비한다.
부상 가스 공급부(6000)는 챔버(1000)의 바닥면과 공전 제어축(3200) 둘레에 마련된 하우징(6100)과, 상기 하우징(6100)과 공전 제어축(3200) 사이에 마련된 회전 밀봉 부재(6200)와, 상기 하우징(6100)을 관통하여 상기 부상 가스 공급 유로(3400)와 연통되는 가스 제공부(6300)를 구비한다. 이때, 회전 밀봉 부재(6200)는 공전 제어축(3200)의 측면으로 노출된 부상 가스 공급 유로(3400)의 입력단 상하 영역에 배치된다. 이를 통해 회전하는 부상 가스 공급 유로(3400)의 입력단은 회전 밀봉 부재(6200)와 하우징(6100)에 의해 밀봉된다. 여기서, 상기 회전 밀봉 부재(6200)로 마그네틱 실을 사용할 수 있다. 그리고, 상기 입력단의 회전 반경에 대응하는 하우징(6100) 영역에 가스 제공부(6300)의 가스를 입력받는 입력홈이 마련될 수 있다. 즉, 회전 밀봉부재(6200)의 사이 영역에 입력홈이 형성된다.
이를 통해 가스 제공부(6300)를 통해 제공된 부상 가스가 하우징(6100)와 공전 제어축(3200) 사이 공간으로 제공된다. 이어서, 공전 제어축(3200)의 부상 가스 공급 유로(3400)의 입력단으로 제공된다. 이후, 메인 디스크(2100)와 서브 기판 홀더(2200) 사이에 제공된다.
또한, 본 발명은 상술한 설명에 한정되지 않고, 자전과 공정하는 기판 안치부(2000)의 측면 영역에 배기링을 형성하여 공정 가스를 외부로 배기시켜 기판 표면의 박막 균일도를 향상시킬 수 있다. 하기에서는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 기판 처리 장치에 관해 설명한다. 후술되는 설명중 상술한 제 1 및 제 2 실시예와 중복되는 기술과 설명은 생략한다. 그리고, 제 3 실시예의 기술은 상기 제 1 및 제 2 실시예에 적용될 수 있다.
도 8은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 기판 처리 장치의 단면도이다. 도 9는 제 3 실시예에 따른 배기링부를 설명하기 위한 평면도이다.
도 8 및 도 9를 참조하면, 본 실시예에 따른 기판 처리 장치는 챔버(1000), 기판 안치부(2000), 디스크 공전 제어부(3000), 자전 제어부(4000), 챔버(1000) 내측에 마련된 가스 분사부(5100)를 구비하고 기판 안치부(2000) 상의 기판(10)에 공정 가스를 제공하는 공정 가스 공급부(5000) 및 기판 안치부(2000)와 가스 분사부(5100) 사이 공간의 측면 영역에 배치되어 반응 부산물 및 미 반응 공정 가스를 배기하는 배기링부(9000)를 더 구비한다.
여기서, 챔버(1000)의 일측면에는 기판(10)이 출입하는 기판 출입구(1300)가 구비된다. 그리고, 상기 기판 출입구(1300)를 개폐하는 별도의 개폐 수단(1400)이 마련된다. 이때, 개폐 수단(1400)으로 슬랏 밸브가 사용될 수 있다. 그리고, 상기 개폐 수단(1400)으로 챔버(1000)는 연결 챔버에 접속되어 별도의 시스템에 접속될 수도 있다.
또한, 배기링부(9000)는 도 9에 도시된 바와 같이 기판 안치부(2000) 둘레를 따라 링 형상으로 배치된다. 앞서 언급한 바와 같이 배기링부(9000)가 기판 안치부(2000)와 가스 분사부(5100)의 사이 공간의 측면 영역에 위치한다. 이로인해 기판 안치부(2000) 상측으로 기판(10)의 로딩 및 언로딩이 어려울 수 있다. 따라서, 본 실시예에서는 배기링부(9000)를 복수의 영역으로 분리한다. 그리고 기판 출입구(1300)에 대응하는 분리 영역의 배기링부(9000)를 승하강할 수 있도록 구성한다. 이를 통해 기판(10)의 로딩 및 언로딩을 자유롭게 수행할 수 있다.
도 9에서는 배기링부(9000)를 6개의 영역으로 분리하였다. 즉, 제 1 내지 제 6 배기링부(9000-a 내지 9000-f)로 분리하였다. 이중 제 1 배기링부(9000-a)가 승하강하도록 하고, 나머지 제 2 내지 제 6 배기링부(9000-b 내지 9000-f)는 고정시킨다.
제 1 내지 제 6 배기링부(9000-a 내지 9000-f) 각각은 기판 안치부(2000)와 가스 분사부(5100) 사이 공간의 측면 영역에 마련되고 배기홀을 갖는 측면 배기부(9100)와, 상기 측면 배기부를 지지고정하는 고정부(9200)를 구비한다.
여기서, 제 1 내지 제 6 배기링부(9000-a 내지 9000-f)의 측면 배기부(9100)들이 연속 배치되어 링 형태의 측면 배기부를 형성한다. 또한, 고정부(9200)가 연속 배치되어 링 형태의 측면 고정부를 형성한다.
그리고, 제 1 내지 제 6 배기링부(9000-a 내지 9000-f)는 상기 배기부(9100)와 연통된 배기 펌프부(9300)를 구비한다.
여기서, 제 2 내지 제 6 배기링부(9000-b 내지 9000-f)는 고정되어 있다. 따라서, 챔버(1000) 외측의 배기 펌프부(9300)와 측면 배기부(9100)가 연결 유로를 통해 직접 연결될 수 있다.
하지만, 제 1 배기링부(9000-a)의 측면 배기부(9100)는 승하강하도록 배치된다. 따라서, 제 1 배기링부(9000-a)는 측면 배기부(9100)를 승하강시키기 위한 승하강 수단(9400)과, 배기 펌프부(9300)와 측면 배기부(9100) 간을 연결하기 위한 배기 연결 유로(9500)를 구비한다.
승하강 수단(9400)은 승하강력을 생성하는 스테이지부(9410)와, 스테이지부(9410)와 측면 배기부(9100) 간을 연결하는 연결 핀부(9420)를 구비한다. 이를 통해 스테이지부(9410)의 승강력이 연결 핀부(9420)를 통해 측면 배기부(9100)에 전달 될 수 있다.
이때, 스테이지부(9410)는 챔버(1000) 외측에 마련된다. 따라서, 연결 핀부(9420)는 챔버(1000)를 관통한다. 이에 연결 핀부(9420) 둘레를 따라 챔버(1000)와 스테이지부(9410) 사이에 배기 밀봉 부재(9430)가 마련되는 것이 효과적이다. 이를 통해 챔버(1000)의 진공이 파기되는 것을 방지할 수 있다.
상기 배기 연결 유로(9500)는 상기 측면 배기부(9100)와 스테이지부(9410) 사이에 마련된 고정 배기 유로(9510)와, 고정 배기 유로(9510)와 배기 펌프(9300) 사이를 연결하는 가변 배기 유로(9520)를 구비한다.
고정 배기 유로(9510)는 측면 배기부(9100)와 스테이지부(9410)와 함께 승하강한다. 그리고, 가변 배기 유로(9520)는 고정 배기 유로(9510)의 승하강에 의해 전체 배기 유로가 늘어나거나 감소함을 완충시켜주는 역학을 한다. 즉, 도 8에서와 같이 가변 배기 유로(9520)는 주름 형태의 완충 영역을 구비하여 유로가 늘어나거나 줄어들도록 할 수 있다. 이를 통해 측면 배기부(9100)와 배기 펌프(9300) 간의 연결이 파괴되지 않는다.
상술한 설명에서는 제 1 내지 제 6 배기링부(9000-a 내지 9000-f) 각각이 서로 다른 배기 펌프(9300)에 접속됨을 중심으로 설명하였다. 하지만, 이에 한정되지 않고, 제 1 내지 제 6 배기링부(9000-a 내지 9000-f)의 측면 배기부(9100) 들이 하나의 배기 펌프(9300)에 접속될 수도 있다. 또한, 배기링부(9000)는 6개의 영역에 한정되지 않고 2개 이상의 영역으로 분리 제작될 수 있다.
상술한 실시예의 기판 처리 장치에서는 디스크 공전 제어부(3000)와 자전 제어부(4000)를 구비하였다. 하지만, 이에 한정되지 않고, 디스크 공전 제어부(3000)와 자전 제어부(4000)를 구비하지 않고, 배기링부(9000)만이 기판 안치부(2000)의 측면에 배치될 수 있다.
본 발명은 상기에서 서술된 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있다. 즉, 상기의 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명의 범위는 본원의 특허 청구 범위에 의해서 이해되어야 한다.
1000 : 챔버 2000 : 기판 안치부
2100 : 메인 디스크 220 : 서브 기판 홀더
3000 : 디스크 공전 제어부 3100 : 구동부
3200 : 공전 제어축 4000 : 자전 제어부
4100 : 고정 판부 4200 : 고정축부
4300 : 자전용 기어부

Claims (15)

  1. 챔버;
    상기 챔버 내측에 위치하고 메인 디스크와 상기 메인 디스크에 배치된 복수의 서브 기판 홀더를 구비하는 기판 안치부; 및
    상기 메인 디스크와 상기 서브 기판 홀더 사이에 부상 가스를 제공하는 부상 가스 공급부를 포함하고,
    상기 메인 디스크는 그 내측에 마련된 부상 가스 분배 유로를 통해 상기 메인 디스크와 상기 서브 기판 홀더 사이에 부상 가스를 제공하고,
    상기 메인 디스크는 제 1 디스크 몸체와 제 2 디스크 몸체를 포함하고,
    상기 부상 가스 분배 유로는 상기 제 2 디스크 몸체의 중심 영역에 마련된 입력 유로와, 상기 입력 유로에서 상기 서브 기판 홀더 방향으로 방사상으로 연장된 방사상 연장 유로와, 상기 제 2 디스크 몸체를 관통하여 상기 방사상 연장 유로에 연통된 부상 가스 분사홀을 포함하는 기판 처리 장치.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 메인 디스크는 부상 가스를 배기하기 위한 부상 가스 배기 유로를 더 포함하는 기판 처리 장치.
  4. 삭제
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 부상 가스 배기 유로는 상기 제 1 디스크 몸체 및 상기 제 2 디스크 몸체의 가장자리 영역에서 이들을 관통하는 것을 포함하는 기판 처리 장치.
  6. 제 3 항에 있어서,
    상기 부상 가스 배기 유로는 직경이 조절되어 상기 제 1 디스크 몸체 및 상기 제 2 디스크 몸체 사이로 제공되는 부상 가스의 배기량을 제어할 수 있는 것을 포함하는 기판 처리 장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 디스크 몸체는 부상 홈을 포함하는 기판 처리 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 부상 홈은 원형 링 형상으로 제작되는 것을 포함하는 기판 처리 장치
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 부상 홈의 일측은 상기 부상 가스 분배 유로와 연통되고, 다른 일측은 상기 부상 가스 배기 유로와 연통되는 것을 포함하는 기판 처리 장치.
  10. 챔버;
    상기 챔버 내측에 위치하고 메인 디스크와 상기 메인 디스크에 배치된 복수의 서브 기판 홀더를 구비하는 기판 안치부;
    상기 메인 디스크를 공전시키는 공전 제어부; 및
    상기 메인 디스크와 상기 서브 기판 홀더 사이에 부상 가스를 제공하는 부상 가스 공급부를 포함하고,
    상기 메인 디스크는 그 내측에 마련된 부상 가스 분배 유로를 통해 상기 메인 디스크와 상기 서브 기판 홀더 사이에 부상 가스를 제공하고,
    상기 메인 디스크는 제 1 디스크 몸체와 제 2 디스크 몸체를 포함하고,
    상기 부상 가스 분배 유로는 상기 제 2 디스크 몸체의 중심 영역에 마련된 입력 유로와, 상기 입력 유로에서 상기 서브 기판 홀더 방향으로 방사상으로 연장된 방사상 연장 유로와 상기 제 2 디스크 몸체를 관통하여 방사상 연장 유로에 연통된 부상 가스 분사홀을 포함하는 기판 처리 장치.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 공전 제어부는 상기 메인 디스크의 중심에 배치되는 것을 포함하는 기판 처리 장치.
  12. 삭제
  13. 제 10 항에 있어서,
    상기 메인 디스크는 부상 가스를 배기하기 위한 부상 가스 배기 유로를 더 포함하는 기판 처리 장치.
  14. 삭제
  15. 제 13 항에 있어서,
    상기 부상 가스 배기 유로는 상기 제 1 디스크 몸체 및 상기 제 2 디스크 몸체의 가장자리 영역에서 이들을 관통하는 것을 포함하는 기판 처리 장치.
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