CN117305810A - 原子层沉积设备 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种原子层沉积设备，包括：盖体具有反应腔；承载台设置于反应腔中，承载台用于放置基片且承载台能够转动；反应腔包括多个反应区域，反应区域设置有进气部，且相邻的两个反应区域之间设置有气体隔离部，进气部包括第一进气口，气体隔离部包括第一排气口、第二进气口、第二排气口和第三进气口，第一排气口围绕于第一进气口的外围，第二进气口围绕于第一排气口的外围，第二排气口围绕于第二进气口的外围，第三进气口围绕于第二排气口的外围，第一排气口和第二排气口均用于让气体排出，第二进气口和第三进气口均用于通入惰性气体。本发明的原子层沉积设备，能够实现较好的隔离效果，并且加工效率较快。

Description

原子层沉积设备

技术领域

本发明涉及薄膜沉积技术领域，尤其是涉及一种原子层沉积设备。

背景技术

相关技术中，原子层沉积(Atomic Layer Deposition或ALD)技术由于具有沉积均匀性好，台阶覆盖率高，沉积厚度精准可控，膜质高，杂质少等优点被广泛应用于电子器件和光学元件制造等领域。一般的，原子层沉积加工过程中包括多种反应物，当其中一种反应物进入反应腔室与衬底发生表面化学反应后，多余反应物和副产物被冲洗干净，之后再使另一种反应物再进入反应腔室在衬底表面进行进一步化学反应，完成一个反应循环。这样循环往复，完成指定厚度的原子层沉积。传统时间型ALD技术处理单片或批量基片时由于严格按照ALD反应步骤进行，且每个步骤均有时间停留，达到所需膜层厚度耗时久、能耗高、生产速率慢，不利于生产需求以及成本控制。随着时间推移，空间型ALD技术正在改变这一现状，更高的成膜速率以及更快的膜厚成型使得生产成本以及效益达到一个更大化。

现有的原子层沉积设备利用空间型ALD技术沉积薄膜的时候，为了避免第一反应物和第二反应物之间互相影响，会通过气体隔离的方式。具体而言，通过惰性气体设置在相邻的两个反应气体之间，从而将两个反应气体隔开。这样的方式中，为了实现较好的隔离效果，通常会使载样台的转动速度较慢。如果载样台的转动速度较快，那么反应气体会受到载样台旋转的影响，从而跟随载样台移动，这会使隔离效果较差。但是，载样台较慢的转动速度会导致加工效率过低，不满足生产需求。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本发明提出一种原子层沉积设备，能够实现较好的隔离效果，并且加工效率较快。

根据本发明的实施例的原子层沉积设备，包括：

盖体，具有反应腔；

承载台，设置于所述反应腔中，所述承载台用于放置基片，且所述承载台能够转动；

其中，沿所述承载台的旋转方向，所述反应腔包括多个反应区域，所述反应区域设置有进气部，且相邻的两个所述反应区域之间设置有气体隔离部，其中，所述进气部包括第一进气口，所述第一进气口用于让反应气体进入所述反应腔，所述气体隔离部包括第一排气口、第二进气口、第二排气口和第三进气口，所述第一排气口围绕于所述第一进气口的外围，所述第二进气口围绕于所述第一排气口的外围，所述第二排气口围绕于所述第二进气口的外围，所述第三进气口围绕于所述第二排气口的外围，所述第一排气口和所述第二排气口均用于让气体从所述反应腔排出，所述第二进气口和所述第三进气口均用于向所述反应腔通入惰性气体。

根据本发明实施例的原子层沉积设备，至少具有如下有益效果：通过在相邻的两个反应区域之间设置气体隔离部，可以将反应气体隔开，具体地，为了提高隔离效果，气体隔离部包括沿从进气部到所述气体隔离部的方向依次设置的第一排气口、第二进气口、第二排气口和第三进气口，如此，进气部内通过第一进气口进入反应气体，然后在反应区域的周围设置第一排气口，第一排气口围绕于第一进气口的外围，第一排气口可以将反应气体排出，从而避免同一个反应气体进入到不同的反应区域当中，进一步地，第二进气口通入惰性气体后，可以有效防止反应气体扩散，第二排气口可以进一步地将气体排出，第三进气口通入惰性气体后，进一步防止气体扩散；如此，通过气体隔离部多次的排气和通入隔离气体，能够有效提高隔离效果，从而基片放置在承载台上后，承载台转动带动基片转动，从而在基片上进行沉积。由于隔离效果较好，因此承载台的转速可以较高，从而提高加工效率。具体地，原子层沉积设备能够实现较好的隔离效果，并且加工效率较快。

根据本发明的一些实施例的原子层沉积设备，相邻的两个所述反应区域之间设置有多个所述气体隔离部。

根据本发明的一些实施例的原子层沉积设备，所述原子层沉积设备还包括升降机构，所述升降机构连接于所述承载台，所述升降机构能够使所述承载台上升或者下降，以使所述承载台靠近或者远离所述第一进气口。

根据本发明的一些实施例的原子层沉积设备，所述承载台包括本体部和凸出部，所述凸出部连接于所述本体部的边缘，并向下凸出于所述本体部，所述盖体包括下盖，所述下盖设置有容纳槽，所述凸出部滑动设置于所述容纳槽中，所述凸出部用于将所述反应腔分为互相分隔的第一腔和第二腔，所述进气部和所述气体隔离部设置在所述第一腔中，所述升降机构设置在所述第二腔中。

根据本发明的一些实施例的原子层沉积设备，所述下盖还设置有与所述容纳槽连通的第四进气口，所述第四进气口用于向所述容纳槽通入所述惰性气体。

根据本发明的一些实施例的原子层沉积设备，所述下盖还设置有与所述第二腔连通的第五进气口，所述第五进气口用于向所述第二腔通入所述惰性气体。

根据本发明的一些实施例的原子层沉积设备，所述盖体还设置有与所述反应腔连通的隔离槽，所述隔离槽用于容纳所述惰性气体，所述隔离槽围绕于所述承载台的外围，且所述隔离槽的开口朝向于所述承载台，沿所述承载台的径向，所述承载台的投影与所述隔离槽的投影部分重叠。

根据本发明的一些实施例的原子层沉积设备，所述盖体还设置有与所述隔离槽连通的第六进气口，所述第六进气口用于向所述隔离槽通入所述惰性气体，所述第六进气口设置于所述隔离槽远离所述承载台的一端的壁面上。

根据本发明的一些实施例的原子层沉积设备，所述原子层沉积设备还包括衬板，所述衬板设置于所述盖体和所述承载台之间，所述衬板用于遮盖所述隔离槽的至少部分开口，所述衬板还设置有与所述隔离槽连通的第三排气口，所述第三排气口用于排出所述隔离槽内的气体。

根据本发明的一些实施例的原子层沉积设备，所述衬板可拆卸连接于所述承载台。

本发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。

附图说明

下面结合附图和实施例对本发明做进一步的说明，其中：

图1为本发明的一些实施例的原子层沉积设备的示意图；

图2为图1中A处的放大示意图；

图3为图1中B处的放大示意图；

图4为本发明的一些实施例的原子层沉积设备中盖体的示意图；

图5为本发明的一些实施例的原子层沉积设备中盖体的局部示意图；

图6为本发明的一些实施例的原子层沉积设备中盖体和衬板的示意图。

附图标记：

原子层沉积设备10、盖体100、进气部110、第一进气口111、气体隔离部120、第一排气口121、第二进气口122、第二排气口123、第三进气口124、下盖130、容纳槽131、第四进气口132、第五进气口133、隔离槽134、第六进气口135、反应腔140、第一腔141、第二腔142、反应区域150、承载台200、本体部210、凸出部220、衬板300、第三排气口310。

具体实施方式

下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。

在本发明的描述中，需要理解的是，涉及到方位描述，例如上、下、前、后、左、右等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

在本发明的描述中，若干的含义是一个以上，多个的含义是两个以上，大于、小于、超过等理解为不包括本数，以上、以下、以内等理解为包括本数。如果有描述到第一、第二只是用于区分技术特征为目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量或者隐含指明所指示的技术特征的先后关系。

本发明的描述中，除非另有明确的限定，设置、安装、连接等词语应做广义理解，所属技术领域技术人员可以结合技术方案的具体内容合理确定上述词语在本发明中的具体含义。

本发明的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示意性实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。

请参照图1，在一些实施例中，原子层沉积设备10包括：盖体100和承载台200。盖体100具有反应腔140，反应腔140内可以通入反应气体，反应气体包括第一反应物和第二反应物，第一反应物可以是前驱气态物质，前驱体气态物质可以是气态的金属有机化合物、金属卤化物、金属氧化物等，第二反应物可以是具有氧化性和还原性的气体，比如氧气、等离子体或者氨气等气体。下文提及反应气体时，指的就是第一方应物和第二反应物。其中，原子层沉积的原理属于公知技术，在此不作具体介绍。承载台200设置于反应腔140中，承载台200用于放置基片，且承载台200能够转动。承载台200的旋转可以通过旋转电机驱动。承载台200还能够给基片提供均匀的温度(也即通过加热装置给承载台200加热，从而实现反应腔140内温度均匀)，从而避免反应气体反应时成为粉末，影响镀膜质量。需要说明的是：基片材质和形状不受限，如：晶圆、单晶、多晶硅片、碳化硅、氮化硅基片、玻璃基板、镜片等等。对于反应气体遇冷会冷凝吸附在管道内壁以及反应腔140内壁上从而产生粉末颗粒的情况，可以从反应气体进入反应腔140到排出的过程中设置加热装置，避免粉末颗粒的生成。

请参照图4，其中，沿承载台200的旋转方向，反应腔140包括多个反应区域150。基片放置在承载台200上后，多个反应区域150中可以通入不同的反应气体，从而在基片上沉积不同的原子层。其中，在每一次注入反应气体之后，需要进行一次气体清洗，以保证下一次注入的气体不受前一次反应的影响。因此，反应区域150设置有进气部110，且相邻的两个反应区域150之间设置有气体隔离部120，进气部110用于通入反应气体，气体隔离部120用于隔离相邻的两个反应区域150中的反应气体(具体来说就是通过惰性气体形成气墙，将反应气体隔开，防止反应气体混合或者外溢，导致在承载台200上方发生气相化学反应，产生粉尘等)。其中，进气部110包括第一进气口111，第一进气口111的形状不作具体限定，第一进气口111用于通入反应气体到反应腔140中。请参照图5，气体隔离部120包括沿从进气部110到气体隔离部120的方向依次设置的第一排气口121、第二进气口122、第二排气口123和第三进气口124，第一排气口121、第二进气口122、第二排气口123和第三进气口124的形状不作具体限定。其中，第一排气口121、第二进气口122、第二排气口123和第三进气口124均可以围绕在第一进气口111的周围。比如第一排气口121可以是环形形状的，第一排气口121围绕于第一进气口111的外围，第二进气口122围绕于第一排气口121的外围，第二排气口123围绕于第二进气口122的外围，第三进气口124围绕于第二排气口123的外围。第一排气口121和第二排气口123均用于排出反应腔140的气体，第二进气口122和第三进气口124均用于向反应腔140通入惰性气体。其中，惰性气体可以是氮气或者氩气等。此外，需要说明的是，在原子层沉积时，可以同时对第一进气口111内通入反应气体，对第一排气口121排气，对第二进气口122内通入惰性气体，对第二排气口123排气和对第三进气口124内通入惰性气体，从而实现较好的隔离效果。

具体地，通过在相邻的两个反应区域150之间设置气体隔离部120，可以将反应气体隔开，具体地，为了提高隔离效果，气体隔离部120包括沿从进气部110到所述气体隔离部120的方向依次设置的第一排气口121、第二进气口122、第二排气口123和第三进气口124，如此，进气部110内通过第一进气口111进入反应气体，然后在反应区域150的周围设置第一排气口121，第一排气口121可以将反应气体排出，从而避免同一个反应气体进入到不同的反应区域150当中，进一步地，第二进气口122通入惰性气体后，可以有效防止反应气体扩散，第二排气口123可以进一步地将气体排出，第三进气口124通入惰性气体后，进一步防止气体扩散；如此，通过气体隔离部120多次的排气和通入隔离气体，能够有效提高隔离效果，将基片放置在承载台200上后，承载台200通过旋转带动基片一起转动，从而在基片上进行薄膜沉积。由于隔离效果较好，因此承载台200的转速可以较高，从而提高加工效率。具体地，原子层沉积设备10能够实现较好的隔离效果，并且加工效率较快。

需要说明的是，第一进气口111可以和进气装置连通，从而方便通入反应气体，进气装置可以设置有泵和阀门，比如进气泵和调节阀，从而能够调节进入到第一进气口111中的流量。同理，第二进气口122和第三进气口124也可以和进气装置连通。第一排气口121可以和排气装置连通，从而将反应腔140内的气体排出，排气装置可以采用将气体从反应腔140中抽出的方式进行排气。其中，还可以通过不同控制系统控制阀门，从而实现对气体隔离部120中的第一排气口121、第二进气口122、第二排气口123和第三进气口124单独控制或者全部控制。具体而言，通过不同泵组对应不同的排气位置，确保所排气体无交叉混合污染，延长泵的使用寿命以及维护周期；独立调节阀可根据工艺需求对泵抽速以及反应腔140内压力进行调节，确保镀膜的稳定性。

可以想到的是，在反应腔140中对基片进行原子层沉积的时候。工作人员可以通过先排气，再通入反应气体，再排气，然后再通入惰性气体的方式，之后再次往复循环，从而将上一个反应气体清除，避免影响到下一次的反应。举例来说，先通过第一排气口121和第二排气口123将反应腔140内的气体抽走，然后通过第一进气口111通入反应气体，反应气体反应后，同时通过第一排气口121和第二排气口123排气，以及通过第二进气口122和第三进气口124通入惰性气体，从而保证相邻的两个反应区域150中的反应气体不会接触。进一步地，反应腔140包括多个反应区域150，不同的反应区域150中设置有进气部110，进气部110可以通入不同的反应气体进行反应。此外，进气部110可以包括喷淋装置，喷淋装置可以是喷淋板，喷淋装置上设置多个第一进气口111，从而通入反应气体。

为了避免相邻的两个反应区域150中的反应气体接触，可以通过提高隔离效果的方式。具体地，在一些实施例中，相邻的两个反应区域150之间设置有多个气体隔离部120。比如，气体隔离部120可以设置有两个。也即，沿从进气部110到气体隔离部120的方向依次设置有第一排气口121、第二进气口122、第二排气口123、第三进气口124、第一排气口121(该第一排气口121依然围绕在第一进气口111的外围，不过并非直接围绕在第一进气口111的外围，而是与第一进气口111间隔一段距离)、第二进气口122、第二排气口123、第三进气口124，如此，通过对反应气体的多重隔离和多重排气的方式，实现了较好的隔离效果。能够进一步阻止两种反应气体向反应区域150外扩散的风险。假设反应气体包括A和B。其中，当反应气体A和B扩散到反应区域150外时，第一排气口121和第二排气口123的设置能够将A和B快速吹离捕获排出反应腔140外，避免了反应气体A和B在反应区域150外相遇，对反应腔140内的零部件造成污染。

进一步地，请参照图1，在一些实施例中，原子层沉积设备10还包括升降机构，升降机构连接于承载台200，升降机构能够使承载台200上升或者下降，以使承载台200靠近或者远离第一进气口111。具体地，升降机构包括电机或者气缸，电机连接在承载台200上后，电机可以驱动承载台200在竖直方向上升降。在对基片加工的时候，升降机构可以使承载台200靠近喷淋装置(喷淋装置上设置有第一进气口111)，承载台200和喷淋装置之间的间距越小，反应气体(第一反应物和第二反应物)之间的隔离效果越好，对控制原子层沉积工艺越有利，也即对于沉积成膜来说越有利，效果越好。而当需要从承载台200上取下基片的时候，通过升降机构使承载台200远离喷淋装置，从而调大承载台200和喷淋装置之间的间距，此时，可以通过顶针的升降将基片进行顶升，从而方便机械手将基片转移。除此之外，升降机构还能够方便对承载台200维护，具体来说，在承载台200需要维护的时候，升降机构可以将承载台200上升，从而使承载台200离开反应腔140(这时盖体100可以包括下盖130和上盖，下盖130和上盖可拆卸连接，并且上盖和下盖130共同形成反应腔140)，承载台200离开反应腔140后，可以方便工作人员对其清洁处理。

由于升降机构能够让承载台200升降，因此，在承载台200上升后，承载台200和盖体100的下盖130之间具有空隙，反应气体通入反应腔140中时，反应气体可能会进入到空隙中。除了反应气体，对于一些粉末也可能会聚集在承载台200的背面。为此，为了解决上述问题，通常会通过将承载台200拆卸的方式进行清理，但是这样会增加维护周围和成本，因此，请参照图2，在一些实施例中，承载台200包括本体部210和凸出部220。承载台200可以是圆形形状，凸出部220连接于本体部210的边缘，并向下凸出于本体部210。盖体100包括下盖130，下盖130设置有容纳槽131，容纳槽131可以是环形形状。凸出部220滑动设置于容纳槽131中，凸出部220用于将反应腔140分为互相分隔的第一腔141和第二腔142。第一腔141和第二腔142分别位于承载台200的两侧。即，进气部110和气体隔离部120位于第一腔141中，升降机构位于第二腔142中。第一腔141和第二腔142可参照图3。

具体地，凸出部220设置在容纳槽131中后，当承载台200上升的时候，本体部210和凸出部220一起上升，凸出部220在容纳槽131中滑动，从而将反应腔140分为互相分隔的第一腔141和第二腔142，第一腔141可以用来反应，而第二腔142被凸出部220隔开，避免第一腔141中的气体进入到第二腔142中，从而使反应气体或者粉末积累在承载台200的背面或者下盖130上。另外，可以想到的是，容纳槽131的设计还方便承载台200下降的时候，凸出部220位于容纳槽131中，从而本体部210的一侧可以和下盖130贴合，这有利于节省空间。

为了进一步使第一腔141和第二腔142分隔开，避免第一腔141中的气体进入到第二腔142中，还可通过往容纳槽131中通入惰性气体的方式。具体地，请参照图2，在一些实施例中，下盖130还设置有与容纳槽131连通的第四进气口132，第四进气口132用于往容纳槽131中通入惰性气体。将惰性气体通入到容纳槽131中后，惰性气体可以在容纳槽131中形成一个隔离带，从而避免第一腔141中的气体进入到第二腔142中。需要说明的是，第四进气口132可以设置多个，通过设置多个第四进气口132，确保气体能从第四进气口132扩散开，避免扩散路径过长导致气体出现聚集的现象，不利于实现较好的隔离效果。

为了避免第一腔141中的气体进入到第二腔142中，除了上述的方式，还有另外的方式。请参照图2，在一些实施例中，第二腔142位于承载台200朝向下盖130的一侧，下盖130还设置有与第二腔142连通的第五进气口133，第五进气口133用于往第二腔142内通入惰性气体。通过设置第五进气口133，从而往第二腔142内通入惰性气体。第二腔142内充满惰性气体后，能够避免第一腔141内的气体进入到第二腔142中。需要说明的是，第五进气口133可以设置多个，通过设置多个第五进气口133，确保气体能从第五进气口133扩散开，避免扩散路径过长导致气体出现聚集的现象，不利于实现较好的隔离效果。

进一步地，反应气体在和基片结合或者反应后，需要将其快速排出反应腔140，否则反应气体可能会污染到其他部件。因此，请参照图2，在一些实施例中，盖体100还设置有与反应腔140连通的隔离槽134，隔离槽134用于容纳惰性气体，隔离槽134围绕于承载台200的外围，且隔离槽134的开口朝向于承载台200，沿承载台200的径向，承载台200的投影与隔离槽134的投影部分重叠，部分重叠的方式可以是隔离槽134的投影落在承载台200的投影范围内，或者承载台200的投影落在隔离槽134的投影范围内。由于隔离槽134中可以容纳惰性气体，因此在隔离槽134中充满惰性气体后，惰性气体可以围绕在承载台200的周围，避免反应气体和原子层沉积设备10的其他部件接触，防止部件上镀膜，减少腔体内颗粒产生，延长设备的维护周期。

进一步地，请参照图2，在一些实施例中，盖体100还设置有与隔离槽134连通的第六进气口135，第六进气口135用于向隔离槽134中通入惰性气体。第六进气口135设置于隔离槽134远离承载台200的一端的壁面上。此外，第六进气口135也可以设置在下盖130的顶部，朝向下盖130的底部延伸。以及，第六进气口135也可以设置在上盖的底部，朝向上盖的顶部延伸。这能减少第六进气口135的占用空间。通过在第六进气口135中通入惰性气体，从而将惰性气体充满隔离槽134，形成一个环形的气体隔离带，能够避免反应气体逸散到其他区域。需要说明的是，第六进气口135可以设置多个，通过设置多个第六进气口135，确保气体能从第六进气口135扩散开，避免扩散路径过长导致气体出现聚集的现象，不利于实现较好的隔离效果。

第六进气口135往隔离槽134中通入惰性气体后，隔离槽134中容纳了惰性气体，能够起到隔离的效果。为了进一步提高隔离效果，可以通过一边往隔离槽134中通入惰性气体，一边将惰性气体抽出的方式。也即，通过惰性气体在隔离槽134中动态流动，从而实现隔离的效果。具体地，请参照图2和图6，在一些实施例中，原子层沉积设备10还包括衬板300，衬板300设置于盖体100和承载台200之间，衬板300用于遮盖隔离槽134的至少部分开口，衬板300还设置有与隔离槽134连通的第三排气口310，第三排气口310用于排出隔离槽134内的气体。惰性气体从第六进气口135中进入，然后充满隔离槽134，再从第三排气口310处排出。如此，通过惰性气体在隔离槽134中的动态流动实现了较好的隔离效果。其中，第三排气口310可以设置有多个，多个第三排气口310可以排列形成多排。且第三排气口310可以倾斜设置，从而更好的控制隔离气体的方向性，防止在反应腔140的底部产生粉尘颗粒。当然，第三排气口310也可以设置为直孔型，从而方便喷射。

此外，第三排气口310可以和与衬板300形成一体式结构。或者，第三排气口310可以与衬板300互相分离。这可以方便工艺调节过程中对第三排气口310的大小，疏密，方向等进行更换调节，便于达到更为理想的效果。

具体地，在一些实施例中，衬板300可拆卸连接于承载台200。具体地，衬板300设置于盖体100和承载台200之间的具体方式可以是，衬板300可拆卸连接在承载台200上。衬板300可以提高承载台200的使用寿命以及维护周期，因为衬板300连接在200承载台上后，反应物可以在衬板300上反应，而不是在200承载台上反应。当衬板300受污染较严重时，可直接进行拆除清洗或更换。

上面结合附图对本发明实施例作了详细说明，但是本发明不限于上述实施例，在所属技术领域普通技术人员所具备的知识范围内，还可以在不脱离本发明宗旨的前提下作出各种变化。此外，在不冲突的情况下，本发明的实施例及实施例中的特征可以相互组合。

Claims (10)

1.原子层沉积设备，其特征在于，包括：

盖体，具有反应腔；

承载台，设置于所述反应腔中，所述承载台用于放置基片，且所述承载台能够转动；

其中，沿所述承载台的旋转方向，所述反应腔包括多个反应区域，所述反应区域设置有进气部，且相邻的两个所述反应区域之间设置有气体隔离部，其中，所述进气部包括第一进气口，所述第一进气口用于让反应气体进入所述反应腔，所述气体隔离部包括第一排气口、第二进气口、第二排气口和第三进气口，所述第一排气口围绕于所述第一进气口的外围，所述第二进气口围绕于所述第一排气口的外围，所述第二排气口围绕于所述第二进气口的外围，所述第三进气口围绕于所述第二排气口的外围，所述第一排气口和所述第二排气口均用于让气体从所述反应腔排出，所述第二进气口和所述第三进气口均用于向所述反应腔通入惰性气体。

2.根据权利要求1所述的原子层沉积设备，其特征在于，相邻的两个所述反应区域之间设置有多个所述气体隔离部。

3.根据权利要求1所述的原子层沉积设备，其特征在于，所述原子层沉积设备还包括升降机构，所述升降机构连接于所述承载台，所述升降机构能够使所述承载台上升或者下降，以使所述承载台靠近或者远离所述第一进气口。

4.根据权利要求3所述的原子层沉积设备，其特征在于，所述承载台包括本体部和凸出部，所述凸出部连接于所述本体部的边缘，并向下凸出于所述本体部，所述盖体包括下盖，所述下盖设置有容纳槽，所述凸出部滑动设置于所述容纳槽中，所述凸出部用于将所述反应腔分为互相分隔的第一腔和第二腔，所述进气部和所述气体隔离部设置在所述第一腔中，所述升降机构设置在所述第二腔中。

5.根据权利要求4所述的原子层沉积设备，其特征在于，所述下盖还设置有与所述容纳槽连通的第四进气口，所述第四进气口用于向所述容纳槽通入所述惰性气体。

6.根据权利要求4所述的原子层沉积设备，其特征在于，所述下盖还设置有与所述第二腔连通的第五进气口，所述第五进气口用于向所述第二腔通入所述惰性气体。

7.根据权利要求3所述的原子层沉积设备，其特征在于，所述盖体还设置有与所述反应腔连通的隔离槽，所述隔离槽用于容纳所述惰性气体，所述隔离槽围绕于所述承载台的外围，且所述隔离槽的开口朝向于所述承载台，沿所述承载台的径向，所述承载台的投影与所述隔离槽的投影部分重叠。

8.根据权利要求7所述的原子层沉积设备，其特征在于，所述盖体还设置有与所述隔离槽连通的第六进气口，所述第六进气口用于向所述隔离槽通入所述惰性气体，所述第六进气口设置于所述隔离槽远离所述承载台的一端的壁面上。

9.根据权利要求8所述的原子层沉积设备，其特征在于，所述原子层沉积设备还包括衬板，所述衬板设置于所述盖体和所述承载台之间，所述衬板用于遮盖所述隔离槽的至少部分开口，所述衬板还设置有与所述隔离槽连通的第三排气口，所述第三排气口用于排出所述隔离槽内的气体。

10.根据权利要求9所述的原子层沉积设备，其特征在于，所述衬板可拆卸连接于所述承载台。