JP2017098534A - 基板処理装置及びこれを用いた基板処理方法 - Google Patents

基板処理装置及びこれを用いた基板処理方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2017098534A
JP2017098534A JP2016196256A JP2016196256A JP2017098534A JP 2017098534 A JP2017098534 A JP 2017098534A JP 2016196256 A JP2016196256 A JP 2016196256A JP 2016196256 A JP2016196256 A JP 2016196256A JP 2017098534 A JP2017098534 A JP 2017098534A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
boat
chamber
gas
substrate processing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2016196256A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6322678B2 (ja
Inventor
チュンジン ヒョン
Hyon Jun-Jin
チュンジン ヒョン
ソンテ チェ
Sung-Tae Je
ソンテ チェ
ビョンギュ ソン
Byoung-Gyu Song
ビョンギュ ソン
ヨンキ キム
Yong-Ki Kim
ヨンキ キム
キョンフン キム
Kyunghoon Kim
キョンフン キム
チャンドル キム
Chang-Dol Kim
チャンドル キム
ヤンシク シン
Yang-Sik Shin
ヤンシク シン
ジェウ キム
Jae-Woo Kim
ジェウ キム
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Eugene Technology Co Ltd
Original Assignee
Eugene Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Eugene Technology Co Ltd filed Critical Eugene Technology Co Ltd
Publication of JP2017098534A publication Critical patent/JP2017098534A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6322678B2 publication Critical patent/JP6322678B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45587—Mechanical means for changing the gas flow
    • C23C16/45591—Fixed means, e.g. wings, baffles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458—Vessel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67748—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a single workpiece
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67757—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber vertical transfer of a batch of workpieces
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68707—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4585—Devices at or outside the perimeter of the substrate support, e.g. clamping rings, shrouds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/67303—Vertical boat type carrier whereby the substrates are horizontally supported, e.g. comprising rod-shaped elements
    • H01L21/67309—Vertical boat type carrier whereby the substrates are horizontally supported, e.g. comprising rod-shaped elements characterized by the substrate support

Abstract

【課題】基板処理工程に与る工程ガスの流れを改善する基板処理装置及びこれを用いた基板処理方法を提供する。【解決手段】基板処理装置１００は、基板１０が搬入される予備チャンバ１１２と、予備チャンバと連通され、基板の処理工程が行われる工程チャンバ１１１と、基板が積載される積載空間を仕切る複数枚の仕切りプレート１２１を有する。降昇可能な基板ボート１２０と、工程チャンバに配設される複数の噴射ノズル１３１を介して基板に工程ガスを供給するガス供給部１３０と、工程チャンバに配設された複数の吸入口１４１を介して排気する排気部１４０と、を備える。予備チャンバには、予備チャンバに搬入された基板を複数枚の仕切りプレートにより仕切られた積載空間に載置するスワップガイド部材１５０とを備える。【選択図】図１

Description

本発明は、基板処理装置及びこれを用いた基板処理方法に係り、更に詳しくは、基板処理工程に与る工程ガスの流れを改善する基板処理装置及びこれを用いた基板処理方法に関する。
一般に、基板処理装置としては、１枚の基板に対して基板処理工程を行う枚葉式の基板処理装置と、複数枚の基板に対して基板処理工程を一括して行うバッチ式の基板処理装置と、が挙げられる。枚葉式の基板処理装置は、設備の構成が簡単であるというメリットがあるとはいえ、生産性に劣るため、量産可能なバッチ式の基板処理装置が広く用いられている。
従来のバッチ式の基板処理装置は、複数枚の基板を垂直に積載して工程を行うが、搬送モジュールのエンドエフェクタが各基板を積載空間に載置するために積載位置の上部及び下部に所定の間隔の空間を有する。ここで、上部空間は基板の流入路を提供し、且つ、工程ガスが流れる空間を提供し、下部空間は、エンドエフェクタが基板を載置し、且つ、基板の積載空間から抜け出る空間を提供する。ここで、下部空間は、エンドエフェクタが基板を載置し、且つ、基板の積載空間から抜け出るために所定の高さの積載空間を必要とする。これにより、工程ガスが流れる上部空間を拡張させるのに限界があり、十分な上部空間が確保できない場合には、工程ガスが基板の全面に均一に流れない結果、工程薄膜の膜厚が均一にならない。
一方、十分な上部空間を確保するためには、下部空間が所定の高さ以上に確保された状態で上部空間を増やさなければならないため、基板ボートの全体の高さが高くなるが、これにより、基板処理装置が大型化され、コストが高騰してしまう。
大韓民国公開特許公報第１０−２００５−０１１６２４７号
本発明は、上記従来技術に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、積載空間において基板の上部空間を確保して基板の処理工程に与る工程ガスの流れを改善することにより、基板の全面における工程均一度を向上させる基板処理装置及びこれを用いた基板処理方法を提供することにある。
上記目的を達成するためになされた本発明の一態様による基板処理装置は、基板が搬入される予備チャンバと、前記予備チャンバと連通され、前記基板の処理工程が行われる工程チャンバと、前記基板が積載される積載空間を仕切る複数枚の仕切りプレートを有し、降昇可能な基板ボートと、前記工程チャンバに配設される複数の噴射ノズルを介して前記基板に工程ガスを供給するガス供給部と、前記工程チャンバに配設された複数の吸入口を介して排気する排気部と、前記予備チャンバに配設され、前記予備チャンバに搬入された基板を前記複数枚の仕切りプレートにより仕切られた積載空間に載置するスワップガイド部材と、を備える。
前記スワップガイド部材は、前記基板が支持される支持部と、前記支持部と連結されて前記支持部を移動させる駆動部と、を備えていてもよい。
前記支持部は、前記基板が支持される一方の端に整列段付部が形成されてもよい。
前記仕切りプレートは、前記基板ボートの降昇に際して前記スワップガイド部材の少なくとも一部が通過するガイドスロットを備えていてもよい。
前記ガイドスロットは、前記仕切りプレートの広さの０．１〜１０％の広さを有してもよい。
前記基板ボートは、前記仕切りプレートを支持する連結バーを更に備え、前記連結バー又は前記仕切りプレートは、前記スワップガイド部材から引き渡される前記基板が載置される基板支持ティップを備えていてもよい。
前記基板ボートの下部に配設されて前記基板ボートの上昇により前記予備チャンバと前記工程チャンバとの間を遮断するカバープレートを更に備えていてもよい。
前記予備チャンバは、前記基板が搬入又は搬出されるゲートスリットを備え、前記スワップガイド部材は、前記ゲートスリットに対応する高さに配設されてもよい。
上記目的を達成するためになされた本発明の他の態様による基板処理方法は、基板が搬入される予備チャンバと、前記予備チャンバと連通され、前記基板の処理工程が行われる工程チャンバと、多段に仕切られた積載空間に前記基板を積載する基板ボート及び前記基板を前記積載空間に載置する複数のスワップガイド部材を備える基板処理装置を用いた基板処理方法において、前記基板を前記予備チャンバに搬入するステップと、前記複数のスワップガイド部材の上に前記基板を引き渡すステップと、前記基板ボートを上昇させて前記積載空間に前記基板を載置するステップと、前記工程チャンバに前記基板ボートを移動させるステップと、を含む。
前記基板ボートは、前記積載空間を仕切る複数枚の仕切りプレートと、前記複数枚の仕切りプレートを支持する複数本の連結バーと、を備え、前記基板を載置するステップにおいて、前記基板は、前記複数本の連結バー又は前記複数枚の仕切りプレートに形成された基板支持ティップに載置されてもよい。
前記複数枚の仕切りプレートは、前記複数のスワップガイド部材の少なくとも一部が通過するガイドスロットを備え、前記基板を載置するステップにおいて、記基板ボートの上昇により前記複数のスワップガイド部材が前記ガイドスロットを通過してもよい。
前記複数のスワップガイド部材同士の間隔を調節するステップを更に含んでいてもよい。
本発明の一実施形態による基板処理装置は、スワップガイド部材に搬入された基板を支持した後に基板ボートを上昇させて基板を基板ボートの積載空間に載置することにより、積載空間の高さ又は基板ボートの全体の高さを変化させなくても基板の上部空間を確保することができる。これにより、基板の処理工程に与る工程ガスの流れを改善して基板の全面における工程均一度を向上させることができ、積載空間の高さ又は基板ボートの全体の高さを高めるのにかかるコストを節減することができる。
また、仕切りプレートにガイドスロットが形成されてスワップガイド部材をガイドスロットに対応するように位置させる場合、スワップガイド部材の移動なしに基板ボートの降昇だけで複数枚の基板を基板ボートに積載することができる。これにより、スワップガイド部材の降昇のための複雑な構造なしにも基板を基板ボートに積載することができ、しかも、十分な基板の上部空間を確保することができる。
更に、仕切りプレートにより各基板ごとにそれぞれ別々にガスを供給することができて、各基板の状況に応じて供給されるガスの量をそれぞれ別々に制御することができ、これにより、各基板ごとに最上の条件で処理工程が行われ、その結果、成長膜の品質が向上する。
本発明の一実施形態による基板処理装置を示す側断面図である。 本発明の一実施形態による基板処理装置を示す正断面図である。 （ａ）、（ｂ）は、本発明の一実施形態によるスワップガイド部材を示す図である。 （ａ）、（ｂ）は、本発明の一実施形態による仕切りプレートのガイドスロットを説明するための図である。 （ａ）、（ｂ）は、本発明の一実施形態による基板ボートの基板支持ティップを示す図である。 本発明の他の実施形態による基板処理方法において、基板が予備チャンバに搬入されることを示す図である。 本発明の他の実施形態による基板処理方法において、複数のスワップガイド部材が集められることを示す概略図である。 本発明の他の実施形態による基板処理方法において、基板が複数のスワップガイド部材の上に支持されることを示す図である。 本発明の他の実施形態による基板処理方法において、エンドエフェクタが基板を複数のスワップガイド部材の上に引き渡して取り外されたことを示す図である。 本発明の他の実施形態による基板処理方法において、基板ボートを上昇させることを示す図である。 本発明の他の実施形態による基板処理方法において、基板ボートの最後の積載空間に基板を積載することを示す図である。 本発明の他の実施形態による基板処理方法において、基板ボートが工程チャンバに移動したことを示す図である。
以下、添付図面に基づき、本発明の実施形態について詳細に説明する。しかしながら、本発明は以下に開示される実施形態に何ら限定されるものではなく、異なる様々な形態に具体化され、単にこれらの実施形態は本発明の開示を完全たるものにし、通常の知識を有する者に発明の範囲を完全に知らせるために提供されるものである。本発明の実施形態について説明するに当たって、同じ構成要素に対しては同じ参照符号を付し、図面は、本発明の実施形態について正確に説明するために大きさが部分的に誇張されており、図中、同じ符号は同じ構成要素を示す。
バッチ式の基板処理装置は、複数枚の基板を垂直に積載して工程を行うが、搬送モジュールのエンドエフェクタが各基板を積載空間に載置するために積載位置の上部及び下部に所定の間隔の空間を有する。ここで、上部空間は基板の流入路を提供し、且つ、工程ガスが流れる空間を提供し、下部空間は、エンドエフェクタが基板を載置し、且つ、基板の積載空間から抜け出る空間を提供する。従来には、エンドエフェクタが基板を載置し、且つ、基板の積載空間から抜け出るために所定の高さの積載空間を必要として、工程ガスが流れる上部空間を拡張させるのに限界があった。これにより、十分な上部空間が確保できない場合には、工程ガスが基板の全面に均一に流れない結果、工程薄膜の膜厚が均一にならないという問題があった。
図１は、本発明の一実施形態による基板処理装置を示す側断面図であり、図２は、本発明の一実施形態による基板処理装置を示す正断面図である。
図１及び図２を参照すると、本発明の一実施形態による基板処理装置１００は、基板１０が搬入される予備チャンバ１１２と、前記予備チャンバ１１２と連通され、前記基板１０の処理工程が行われる工程チャンバ１１１と、前記基板１０が積載される積載空間を仕切る複数枚の仕切りプレート１２１を有し、降昇可能な基板ボート１２０と、前記工程チャンバ１１１に配設される複数の噴射ノズル１３１を介して前記基板１０に工程ガスを供給するガス供給部１３０と、前記工程チャンバ１１１に配設された複数の吸入口１４１を介して排気する排気部１４０と、前記予備チャンバ１１２に配設され、前記予備チャンバ１１２に搬入された基板１０を前記複数枚の仕切りプレート１２１により仕切られた積載空間に載置するスワップガイド部材１５０と、を備えていてもよい。
予備チャンバ１１２は、四角筒状又は筒状に形成されてもよく、搬送チャンバ２００から基板１０が搬入されてもよく、搬入された基板１０が基板ボート１２０に積載されてもよい。予備チャンバ１１２は、搬送チャンバ２００と連通されて基板１０が搬入又は搬出されるゲートスリット１１３を備えていてもよいが、これにより、基板１０が搬送チャンバ２００から予備チャンバ１１２に搬入可能である。ゲートスリット１１３と対応する搬送チャンバ２００の一方の側には、流入口２１０が形成されてもよく、ゲートスリット１１３と流入口２１０との間には、ゲート弁２２０が配設されてもよい。このため、搬送チャンバ２００の内部空間及び予備チャンバ１１２の内部空間は、ゲート弁２２０により離れてもよく、基板１０の搬入のためにゲート弁２２０を用いてゲートスリット１１３と流入口２１０との間を開閉してもよい。
工程チャンバ１１１は、予備チャンバ１１２と対応して四角筒状又は筒状に形成されてもよく、予備チャンバ１１２と連通されてもよい。なお、基板ボート１２０に積載されて移動された基板１０の処理工程が行われもよく、反応チューブ１１４及び外部チューブ（図示せず）を備えていてもよい。
反応チューブ１１４は、内部に基板ボート１２０が収容可能な収容空間が形成されてもよく、基板ボート１２０に積載された基板１０の処理工程が行われてもよい。反応チューブ１１４は、筒状に形成されてもよく、上部は閉鎖された状態で下部が開放されてもよい。この場合、基板ボート１２０が反応チューブ１１４の収容空間に位置するか、或いは、反応チューブ１１４の収容空間から外れるために上下に降昇するとき、反応チューブ１１４の開口部を介して反応チューブ１１４の収容空間に引っ込まれたり引き出されたりする。また、反応チューブ１１４の下部には、外部チューブ（図示せず）又は工程チャンバ１１１の内壁と連結されて支持されるように反応チューブ１１４の周縁から外側に突出して外部チューブ（図示せず）又は工程チャンバ１１１に連結される突出部が配設されてもよい。
また、反応チューブ１１４は、基板１０の処理工程が行われる基板処理領域を提供してもよい。基板ボート１２０は、工程位置に切り換えるときに基板処理領域に位置し、基板処理領域はその体積を減らすことができる。この場合、工程ガスの使用量を最小化させることができるだけではなく、工程ガスを基板ボート１２０内に積載された基板１０に集中させることができる。
一方、反応チューブ１１４は、セラミックやクォーツ又はメタルにセラミックをコーティングした材質であってもよい。また、反応チューブ１１４は、その側壁の周縁に噴射ノズル１３１及び吸入口１４１に対応するように貫通孔が形成されてもよく、噴射ノズル１３１又は吸入口１４１が前記貫通孔に挿通されてもよい。
外部チューブ（図示せず）は、筒状に形成されてもよく、上部が開放された予備チャンバ１１２の上側又は工程チャンバ１１１に配置されてもよく、工程チャンバ１１１と反応チューブ１１４との間に配設されてもよい。外部チューブ（図示せず）は、基板１０の処理工程が行われる反応チューブ１１４が収容可能な内部空間を有してもよく、下部が開放されてもよい。このとき、外部チューブ（図示せず）の内壁及び反応チューブ１１４の外壁は離れて外部チューブ（図示せず）と反応チューブ１１４との間に空間が形成されてもよい。しかしながら、外部チューブ（図示せず）の構造及び形状はこれに何ら限定されるものではなく、種々に変形可能である。
基板１０は、予備チャンバ１１２内に搬入されて積載された後に基板ボート１２０を介して降昇して工程チャンバ１１１に移動され、工程チャンバ１１１内において処理工程が行われてもよい。このため、予備チャンバ１１２の内部は、基板１０を積載する積載場所を提供してもよく、工程チャンバ１１１の内部は、基板１０の処理空間を形成してもよい。予備チャンバ１１２及び工程チャンバ１１１は、互いに連通された一体形に形成されてもよく、予備チャンバ１１２及び工程チャンバ１１１の構造及び形状はこれに何ら限定されるものではなく、種々に変形可能である。
基板ボート１２０は、バッチ式により工程を行うために複数枚の基板１０が多段に（又は、上下方向に）積載されてもよい。また、積載又は処理工程のために、互いに連通された予備チャンバ１１２及び工程チャンバ１１１の内部において降昇してもよい。例えば、基板ボート１２０は、２２枚の基板１０を多段に積載可能である、基板ボート１２０が予備チャンバ１１２の内部に配設された積載場所（又は、積載位置）内に位置する間に、基板１０は基板ボート１２０内に積載されてもよい。より具体的に、基板ボート１２０の１段に１枚の基板１０が積載された後に基板ボート１２０が上昇して基板１０が積載された段の下段に基板１０が積載されてもよい。基板ボート１２０内に複数枚の基板１０が全て積載されると、基板ボート１２０は、工程チャンバ１１１の内部（又は、工程位置）に移動して反応チューブ１１４の収容空間において基板１０の処理工程が行われてもよい。
また、基板ボート１２０は、基板１０が積載される積載空間を仕切る複数枚の仕切りプレート１２１を備えていてもよい。複数枚の仕切りプレート１２１は、複数枚の基板１０がそれぞれ積載される別々の複数の積載空間を形成して複数枚の基板１０がそれぞれの積載空間においてそれぞれ別々に処理されるようにしてもよい。すなわち、基板ボート１２０は、上下方向に多段の積載空間を有し、各積載空間に１枚の基板１０が積載されてもよい。このため、基板ボート１２０の各積載空間に基板１０の処理領域がそれぞれ別々に形成されて各基板１０に噴射された工程ガスが上部又は下部の基板にも影響を与えることを防ぐことができる。一方、仕切りプレート１２１の素材としては、セラミック、クォーツ、合成クォーツなどが挙げられる。
従来のバッチ式の基板処理装置は、複数枚の基板を垂直に積層して工程を行う。このため、基板処理工程前の枚葉式工程やその他の工程若しくは搬送モジュールのエンドエフェクタから基板の下部面に付着したパーチクルが基板の搬入及び搬出若しくは工程の進行中に下部基板の膜質形成面に落下して成長膜の品質を阻害する要素として働いてきた。
しかしながら、本発明の基板処理装置１００は、複数枚の仕切りプレート１２１を有する基板ボート１２０を用いて複数枚の基板１０をそれぞれ別々に引き離すことにより、基板１０の下部面に付着したパーチクルが下部基板の膜質形成面に落下することを防ぐことができ、これにより、成長膜の品質の低下を防ぐことができる。
また、従来のバッチ式の基板処理装置は、１本の工程ガス供給ラインを備えているため、反応チューブ内に供給される工程ガスの量しか制御することができず、基板のそれぞれに供給される工程ガスの量をそれぞれ別々に制御することができなかった。すなわち、各基板に供給される工程ガスの濃度を制御することはできなかった。これにより、基板に形成される成長膜の膜厚を制御することができないため、基板ごとに成長膜の膜厚が異なってしまうという問題が発生した。また、このような問題を解消するために、多段式のガス供給ノズル及びガス排出口を備えてそれぞれの基板にそれぞれ別々にガスを供給するシステムを備えていても、従来の基板ボートは、基板と基板との間が開放された構造であるため、基板ボート内の複数枚の基板に均一な基板処理を行うことができなかった。すなわち、それぞれの基板に対応するガス供給ノズル（又は、噴射ノズル）を介して所定の量の工程ガスを供給しても、工程ガスが対応する個所の基板だけではなく、上部又は下部に配設された基板にも影響を与えてしまい、その結果、基板ボート内の複数枚の基板に均一な基板処理を行うことができなかった。
しかしながら、本発明の基板ボート１２０は、基板１０と基板１０との間に仕切りプレート１２１を設けて複数枚の基板１０をそれぞれ別々に引き離すことにより、各基板１０に噴射された工程ガスが上部又は下部の基板にも影響を与えることを防ぐことができ、これにより、それぞれの基板１０に同じ量の工程ガスを供給することができる。
更に、基板ボート１２０は、仕切りプレート１２１を支持する連結バー１２２を更に備えていてもよい。連結バー１２２は、複数であってもよく、複数枚の仕切りプレート１２１が嵌合する複数の嵌合溝が形成されてもよい。それぞれの連結バー１２２には、上下方向に複数の嵌合溝が形成されてもよく、複数枚の仕切りプレート１２１を各嵌合溝に嵌合してもよい。この場合、仕切りプレート１２１を各嵌合溝に嵌脱する簡単な方法を用いて各仕切りプレート間の間隔（又は、高さ）を手軽に調節することができる。
前記連結バー１２２は、複数枚の仕切りプレート１２１を互いに連結することができるが、複数枚の仕切りプレート１２１を安定的に支持して基板１０の処理工程が行われる間に複数枚の仕切りプレート１２１が傾かないようにし、それぞれの積載空間が変形されないようにする。なお、前記複数本の連結バー１２２は、複数枚の仕切りプレート１２１などの基板ボート１２０の構成要素を一体形に結合する。
また、複数本の連結バー１２２は、基板１０の搬入方向（又は、積載方向）に対して対称的に配置されてもよい。複数本の連結バー１２２は、安定的に複数枚の仕切りプレート１２１及び基板１０を支持するために対称的に配置されてもよい。連結バー１２２が基板１０の搬入方向を遮ると、基板１０の積載（又は、搬入）に際して干渉を与えるだけではなく、積載できなくなる場合もあるため、基板１０の搬入方向に対して対称的に配置されてもよい。
ここで、複数本の連結バー１２２は、ゲートスリット１１３に最も近い対称状の連結バー１２２間の幅が基板１０の幅よりも広くてもよい。複数本の連結バー１２２が基板１０の搬入方向に対して対称的に配置されても、ゲートスリット１１３に最も近い対称状の連結バー１２２間の幅が基板１０の幅よりも狭くなると、これもまた基板１０の積載に干渉を与えて積載できなくなる。これにより、ゲートスリット１１３に最も近い対称状の連結バー１２２間の幅が基板１０の幅に等しいか、或いは、それよりも広くてもよい。ここで、連結バー１２２間の幅及び基板１０の幅が等しければ、基板１０の積載に際して難点があるため、僅かな差を設けて広く形成してもよい。このとき、ゲートスリット１１３に最も近い対称状の連結バー１２２間の幅が基板１０の幅よりも広くなるためには、ゲートスリット１１３に近い部分よりも遠い部分の方に複数本の連結バー１２２が偏って配置されなければならないが、これにより、複数本の連結バー１２２は、ゲートスリット１１３から遠い部分に偏って配置されてもよい。
このように、複数本の連結バー１２２をゲートスリット１１３に最も近い対称状の連結バー１２２間の幅が基板１０の幅よりも広くなるように基板１０の搬入方向に対して対称的に配置すると、基板１０の積載に際して干渉を与えないため、基板１０を積載し易く、複数本の連結バー１２２が対称的に配置されて複数枚の仕切りプレート１２１及び基板１０が安定的に支持される。これに加えて、基板１０の搬入方向に工程ガスを供給する場合、工程ガスが干渉を受けずに排気部１４０に向かって流れるので、工程ガスの流れを円滑に維持することができ、これにより、基板１０の上に効果的に成長膜を形成することができる。
また、前記仕切りプレート１２１により仕切られた前記積載空間の高さは、各積載空間ごとに異なるが、工程条件に応じて高さが異なってくる。このとき、各仕切りプレート１２１間の間隔は、前記連結バー１２２に形成された複数の係合溝により手軽に調節することができる。各前記積載空間の高さに応じて前記工程ガスの流れが異なり、各前記積載空間における前記工程ガスの供給条件に応じて各前記積載空間の高さを調節することもできる。例えば、噴射ノズル１３１の直径が異なる場合、噴射ノズル１３１の直径が大きくなると、前記工程ガスが噴射される噴射角が広くなるため、隣り合う積載空間に影響を与えないために噴射ノズル１３１の直径に応じて各前記積載空間の高さが調節可能である。このとき、各前記積載空間の高さは、噴射ノズル１３１の直径に比例してもよい。
一方、前記工程ガスは、それぞれの前記積載空間（又は、処理位置など）に応じて原料ガス、エッチングガス、キャリアガス及びドーパントガスの割合（又は、濃度）が異なる場合がある。ここで、原料ガス、エッチングガス、キャリアガス及びドーパントガスの割合が異なると、前記工程ガスの流れにも差が出るため、原料ガス、エッチングガス、キャリアガス及びドーパントガスの割合に応じて前記工程ガスの流れを調節するために仕切りプレート１２１により仕切られた前記積載空間の高さを調節することができる。これにより、前記複数の積載空間は、それぞれの高さが異なっていてもよい。
ガス供給部１３０は、工程チャンバ１１１に配設される複数の噴射ノズル１３１を介して基板１０に原料ガス及びエッチングガスが含まれている工程ガスを供給してもよい。このとき、噴射ノズル１３１は、線形に形成された一つの噴射ノズルであってもよく、線形に配置された複数の噴射ノズルであってもよい。噴射ノズル１３１が線形に配置された複数の噴射ノズルである場合には、複数枚の仕切りプレート１２１により仕切られた前記複数の積載空間ごとに（すなわち、複数枚の仕切りプレートの間ごとに）噴射ノズル１３１が形成されてもよい。この場合、一つの噴射ノズル１３１が１枚の基板１０を処理することができてそれぞれの基板１０に均一な成長膜が形成されるようにしてもよく、各基板１０ごとにそれぞれ別々に工程ガスを供給することもできて各基板の状況に応じて供給される工程ガスの量をそれぞれ制御してもよい。その結果、各基板１０ごとに最上の条件で処理工程が行われ、これにより、成長膜の品質が向上する。
また、線形に配置された複数の噴射ノズル１３１は、上下方向に配置されてもよく、ガス供給源（図示せず）から遠距離に配置されるほど直径を大きく形成してもよい。例えば、単一のガス供給ラインにより前記工程ガスが下部から上部に供給される場合、上側に配設された噴射ノズル１３１ａの直径が下側に配設された噴射ノズル１３１ｂの直径よりも大きく形成されてもよい。
より具体的に、ガス供給源に近い噴射ノズル１３１の場合には、前記工程ガスが近い個所から供給されて前記工程ガスが流入され易い。これに対し、ガス供給源から遠距離に配置される噴射ノズル１３１ａの場合には、前記工程ガスが遠距離から供給されて近い個所の噴射ノズル１３１ｂよりも前記工程ガスが供給され難い。これにより、単一のガス供給ラインにより前記工程ガスが供給されて複数の噴射ノズル１３１により分配される場合には、前記ガス供給源に近い下側の噴射ノズル１３１ｂ及び前記ガス供給源から遠距離に配置される上側の噴射ノズル１３１ａから噴射される前記工程ガスの量が異なってくるおそれがある。このため、前記ガス供給源に近い個所の噴射ノズル１３１は、直径を小さくして前記工程ガスが噴射可能な量を減らし、前記ガス供給源から遠距離に配設された噴射ノズル１３１ａは、直径を大きくして前記工程ガスが噴射可能な量を増やしてもよい。すなわち、前記ガス供給源に近い個所の噴射ノズル１３１及び前記ガス供給部から遠距離に配置される噴射ノズル１３１ａが均一な量の前記工程ガスを供給するように噴射ノズル１３１の直径を調節してもよい。これにより、各層の基板１０に均一な量の前記工程ガスが供給されて工程の効率が向上する。
本発明の一実施形態による基板処理装置１００は、選択的エピタクシャル成長（ＳｅｌｅｃｔｉｖｅＥｐｉｔａｘｉａｌ Ｇｒｏｗｔｈ；ＳＥＧ）装備であってもよい。選択的エピタクシャル成長（ＳＥＧ）装備は、原料ガスに少量のエッチングガスを混合して供給することにより、基板の上において蒸着反応とともにエッチング反応も伴われる。このような蒸着及びエッチング反応は、多結晶層及びエピタクシャル層に対して比較的に異なる反応速度にて同時に発生する。蒸着プロセスのうちの少なくとも一つの第２の層の上に既存の多結晶層又は非結晶層が蒸着される間に、エピタクシャル層は単結晶表面の上に形成されるが、蒸着される結晶層は、一般的なエピタクシャル層よりも高い速度にてエッチングされる。このため、エッチングガスの濃度を変化させることにより、ネット選択的なプロセスがエピタクシ材料の蒸着及び制限若しくは非制限の多結晶材料の蒸着をもたらす。例えば、選択的エピタクシャル成長（ＳＥＧ）装備は、蒸着物がスペーサの上に残留しないつつも単結晶シリコン表面の上にシリコン含有材料のエピ層を形成してもよい。
本発明の一実施形態による基板処理装置１００は、基板１０の上にエピタクシャル層を形成してもよい。このとき、基板処理装置１００は、選択的エピタクシャル成長（ＳＥＧ）装置であってもよい。一般に、基板処理設備においては、搬送工程、洗浄工程及びエピタクシャル工程が行われるが、エピタクシャル工程は洗浄工程に比べて長い時間を必要とするため、複数の基板処理装置１００を用いて製造の歩留まり率を向上させてもよい。基板処理装置１００は、エピタクシャル工程を行ってもよいが、エピタクシャル工程を行うときに全ての処理空間に工程ガスが供給されてもよい。前記工程ガスは、原料ガス（例えば、シリコンガス）、エッチングガス、ドーパントガス及びキャリアガスのうちの少なくとも一種を含んでいてもよく、基板１０上の薄膜の膜厚を制御するために様々な割合にてガスが混合されて供給されてもよい。これらのガスは分子量が異なるため、割合に応じて工程ガスの流動が異なってくることがある。このため、エピタクシャル工程においては、工程ガスの流れ（又は、フロー）が基板１０上の薄膜の膜厚及び組成を決定する重要な要因になる。
エピタクシャル工程は、化学気相蒸着により行われてもよく、エピタクシ表面の上にエピタクシャル層を形成してもよい。例えば、基板１０上のエピタクシ表面は、シリコンガス（例えば、ＳｉＣｌ４、ＳｉＨＣｌ３、ＳｉＨ２Ｃｌ２、ＳｉＨ３Ｃｌ、Ｓｉ２Ｈ６又はＳｉＨ４）及びキャリアガス（例えば、Ｎ２又はＨ２）を含む工程ガスに露出されてもよい。また、エピタクシャル層にドーパントを含むことが求められる場合、シリコンガスは、ドーパントガス（例えば、ＡｓＨ３、ＰＨ３又はＢ２Ｈ６）を更に含んでいてもよい。
また、ガス供給部１３０は、噴射ノズル１３１を介して複数枚の基板１０に原料ガス及びエッチングガスを含む工程ガスを供給してもよい。前記工程ガスは、原料ガス（例えば、ＳｉＣｌ４、ＳｉＨＣｌ３、ＳｉＨ２Ｃｌ２、ＳｉＨ３Ｃｌ、Ｓｉ２Ｈ６、ＳｉＨ４などのシリコンガス）及びエッチングガスを含んでいてもよい。原料ガス（又は、シリコンガス）としては、モノシラン（ＳｉＨ４）、ジクロロシラン（ＤｉｃｈｌｏｒｏＳｉｌａｎｅ；ＤＣＳ、ＳｉＨ２Ｃｌ２）などが使用可能であり、エッチングガスとしては、塩化水素（ＨＣｌ）が使用可能である。前記工程ガスには、キャリアガスが更に含まれていてもよい。キャリアガスは、原料ガス又はエッチングガスの濃度を希釈させ、キャリアガスとしては、窒素（Ｎ２）及び水素（Ｈ２）のうちの少なくとも一種が使用可能である。このため、キャリアガスの供給量を制御して原料ガス又はエッチングガスの濃度を制御してもよく、原料ガス、エッチングガス及びキャリアガスは分子量が互いに異なるため混合され易い。しかしながら、工程ガスはこれに何ら限定されるものではなく、ドーパントガスなど様々なガスを更に含んでいてもよい。選択的エピタクシャル成長工程は、蒸着反応及びエッチング反応を伴う。エピタクシャル層がドーパントを含むことが求められる場合には、ドーパントガス（例えば、ＡｓＨ３、ＰＨ３又はＢ２Ｈ６）が含まれていてもよい。一方、塩化水素（ＨＣｌ）を含むエッチングガスは、エッチングだけではなく、洗浄にも使用可能である。
一方、ガス供給部１３０は、各基板１０に異なる前記工程ガスを供給してもよい。一般に、バッチ式の基板処理装置は、各基板に同じ前記工程ガスを供給して各基板１０ごとに同じ基板処理工程を行う。しかしながら、本発明においては、各基板１０に異なる前記工程ガスを供給して色々な種類の成長膜を単一チャンバにおいて単一の工程を用いて形成してもよい。ここで、前記工程ガスは、各基板１０ごとに異なっていてもよく、複数枚の基板１０のうちの一部のみが異なっていてもよく、グループ別に異なっていてもよい。また、前記工程ガスは、基板ボート１２０の各積載空間に異なるガス供給ラインにより供給されてもよい。これにより、各基板１０に異なる前記工程ガスを供給することができるが、前記工程ガスがグループ別に異なる場合には、グループ別に同じガス供給ラインを用いてもよい。複数の噴射ノズル１３１である場合には、基板ボート１２０の各積載空間にガスを別途に供給するために高さが異なるように形成されてもよいが、下側の積載空間と接する噴射ノズル１３１ｂは高さが低く形成され、上側の積載空間と接する噴射ノズル１３１ａは高く形成されてもよい。例えば、噴射ノズル１３１は、反応チューブ１１４の周縁に沿って螺旋状に配置されてもよく、この場合、高さが最も低い噴射ノズル１３１ｂから高さが最も高い噴射ノズル１３１ａまで順次に複数の噴射ノズル１３１が配置されてもよい。その結果、高さが異なる複数の噴射ノズル１３１が不規則的に配置されるときよりも空間の効率が向上いる。なお、線形に配置された複数の噴射ノズル１３１を介して必要に応じて選択的に各基板１０ごとに異なる工程ガスを供給してもよく、これにより、種々の成長膜を単一のチャンバにおいて単一の工程を用いて形成してもよい。
このように、ガス供給部１３０は、基板ボート１２０の前記複数の積載空間ごとにそれぞれの噴射ノズル１３１が形成されて前記工程ガスを各積載空間ごとにそれぞれ別々に制御してもよい。
一方、ガス供給部１３０は、複数枚の仕切りプレート１２１により仕切られた前記複数の積載空間ごとに形成された複数の補助ノズル（図示せず）を更に備えていてもよい。複数の補助ノズル（図示せず）は、基板処理工程において補助的なガスを複数枚の仕切りプレート１２１により仕切られた前記複数の積載空間に供給してもよく、前記工程ガスとは異なるガスを供給してもよい。前記複数の補助ノズルは、ドーパントガス、キャリアガス、エッチングガスのうちの少なくとも一種を供給してもよい。ドーパントガスは原料ガス（例えば、シリコンガス）と混合されて基板１０の上に薄膜を蒸着してもよく、キャリアガスは、原料ガス又はエッチングガスの濃度を希釈させてもよい。このため、基板１０が処理されるそれぞれの前記積載空間内のドーパントガスの濃度を制御すると、薄膜（例えば、シリコン薄膜）のドーピング濃度をそれぞれ別々に制御することができる。また、それぞれの前記積載空間に供給されるキャリアガスの供給量を制御すると、原料ガス又はエッチングガスの濃度をそれぞれの前記積載空間ごとにそれぞれ別々に制御することができる。このため、複数の補助ノズルを用いて、且つ、ドーパントガス、キャリアガス、エッチングガスを選択的に用いて各前記積載空間別の基板処理工程を選択することができる。すなわち、複数の補助ノズルを用いてエッチングガスのみを供給する場合には、前記積載空間内のエッチングガスの混合率が高くなって基板１０に対する選択的エピタクシャル成長が可能になるようにエッチング工程を行うことができる。更に、ドーパントガスのみを供給する場合には、前記積載空間内のドーパントガスの混合率が高くなり、原料ガス及びドーパントガスが混合されて基板１０の上に薄膜を形成することができる。加えて、ガス供給源との距離差によりそれぞれの前記積載空間ごとに差が出る前記工程ガスを各前記積載空間において同じ成分及び分子量を有するように制御してもよい。
選択的エピタクシャル成長について具体的に説明すると、エッチングガスのみを供給するか、或いは、エッチングガス及びキャリアガスのみを供給する場合、前記工程ガス及び複数の補助ノズルにより供給されたガスが混合されて前記積載空間内のエッチングガスの割合が増える。これにより、基板１０の薄膜の形成が遅い部分においては成長膜が成長する前にエッチングガスにより除去され、基板１０の薄膜の形成が速い部分においては薄膜がエッチングガスにより除去される前に蒸着されて薄膜が成長するおそれがある。このように、複数の補助ノズルを用いてエッチングガスの濃度を制御して選択的エピタクシャル工程を行うことができる。
ここで、複数の補助ノズルを用いたガスの供給を中断すると、噴射ノズル１３１による工程ガスの供給により前記積載空間内の基板１０の上に薄膜（例えば、シリコン薄膜）が形成されてもよい。また、それぞれの補助ノズルには、異なるガス供給ラインによりガスが供給されてもよいが、これにより、それぞれの前記積載空間ごとにドーパントガス、キャリアガス、エッチングガスを選択的に供給することができる。更に、複数の補助ノズルは、基板ボート１２０の各積載空間ごとにガスを別途に供給するために高さが異なるように形成されてもよいが、下側の積載空間と接する補助ノズルは高さが低く形成されてもよく、上側の積載空間と接する補助ノズルは高く形成されてもよい。例えば、複数の補助ノズルは、反応チューブ１１４の周縁に沿って螺旋状に配置されてもよく、この場合、高さが最も低い補助ノズルから高さが最も高い補助ノズルまで順次に複数の補助ノズルが配置されてもよい。これにより、高さが異なる複数の補助ノズルが不規則的に配置されるとき、空間の効率が更に向上する。
排気部１４０は、工程チャンバ１１１に配設された複数の吸入口１４１を介して排気してもよいが、工程チャンバ１１１内の工程残留物を排気してもよく、工程チャンバ１１１内に真空を形成してもよい。複数の吸入口１４１は、複数の噴射ノズル１３１に対応して配設されてもよいが、吸入口１４１が噴射ノズル１３１に対称的に配置されてもよく、吸入口１４１の数又は形状が噴射ノズル１３１の数又は形状に等しくてもよい。排気部１４０は、工程チャンバ１１１内の工程残留物を排気してもよいが、前記工程残留物は未反応ガス及び反応副産物を含んでいてもよい。噴射ノズル１３１が複数である場合、吸入口１４１も複数であってもよい。このとき、複数の吸入口１４１が複数の噴射ノズル１３１と対称になるように配設されると、未反応ガス及び反応副産物を含む工程残留物を効果的に排気することができ、前記工程ガスの流れを効果的に制御することもできる。
すなわち、排気速度（又は、排気強度）を調節して基板１０の上に成長される成長膜の成長率を制御してもよい。複数の吸入口１７１である場合、複数の噴射ノズル１３１と同様に高さが異なるように配置されてもよく、効果的な吸入のために吸入口１４１がスロット状の断面を有してもよい。
一方、反応チューブ１１４は、前記ガス供給ライン及び排気ラインを安定的に支持するように反応チューブ１１４の周縁に配設されて前記ガス供給ライン及び排気ラインを支持する環状の支持部材（図示せず）を備えていてもよい。しかしながら、反応チューブ１１４の構造及び形状はこれに何ら限定されるものではなく、種々に変更可能である。
スワップガイド部材１５０は、予備チャンバ１１２に配設されてもよく、予備チャンバ１１２に搬入された基板１０を１次的に支持して複数枚の仕切りプレート１２１により仕切られた積載空間に基板１０を載置することにより、基板ボート１２０に基板１０を積載してもよい。ここで、基板ボート１２０が上昇して前記積載空間に基板１０を載置してもよく、スワップガイド部材１５０が垂直方向に降昇して前記積載空間に基板１０を載置してもよい。ここで、スワップガイド部材１５０が垂直方向に降昇するためには、スワップガイド部材１５０の構造が複雑になるおそれがあるため、その構造を簡単化させるために基板ボート１２０の降昇機能を用いて基板ボート１２０を上昇させることにより、基板１０を前記積載空間に載置することが好ましい。
従来には、搬送モジュールのエンドエフェクタによってのみ基板が前記積載空間に積載されたが、前記エンドエフェクタは、片側においてのみ前記基板を支持するため、前記基板の荷重に耐えるためにその厚さが厚くなり、広い広さに接触されて前記基板を支持しなければならなかった。これにより、前記エンドエフェクタが前記積載空間に基板を積載し、下降なしに水平方向にのみ取り出される場合には、前記基板の接触面に損傷を与えてしまうため、前記エンドエフェクタが前記積載空間から抜け出る空間を提供するために所定の高さの下部空間を必要とした。このため、工程ガスが流れる上部空間を拡張させるのに限界があり、十分な上部空間が確保できない場合には、工程ガスが基板の全面に均一に流れず、工程薄膜の膜厚が均一にならない。なお、十分な上部空間を確保するためには、下部空間が所定の高さ以上に確保された状態で上部空間を増やさなければならないため、基板ボートの全体の高さが高くなり、その結果、基板処理装置が大型化され、しかも、コストが高騰してしまうという問題があった。
しかしながら、本発明においては、スワップガイド部材１５０を介して搬送モジュールのエンドエフェクタ２０が抜け出る下部空間が設けられた状態で予備チャンバ１１２に搬入された基板１０を１次的に支持し、搬送モジュールのエンドエフェクタ２０が抜け出た後に基板ボート１２０を上昇させたりスワップガイド部材１５０を垂直方向に降昇させたりして基板ボート１２０の積載空間に基板１０を載置してもよい。これにより、基板ボート１２０の積載空間において基板１０の積載位置を下げることができる。より具体的に、スワップガイド部材１５０は、複数のスワップガイド部材１５０が対称的に（例えば、両側に）基板１０を支持するため、その厚さが搬送モジュールのエンドエフェクタ２０よりも薄くてもよく、小さな接触面にも基板１０を支持することができる。このようになると、複数のスワップガイド部材１５０が基板１０の周縁部の小さい広さにのみ接触されて基板１０を支持することができるため、複数のスワップガイド部材１５０が前記積載空間に基板１０を載置し、下降なしに水平方向に取り外されても基板１０に損傷を与えないため、複数のスワップガイド部材１５０が水平方向にのみ取り外される。また、スワップガイド部材１５０の厚さが搬送モジュールのエンドエフェクタ２０よりも薄くてもよいため、基板１０の下部空間が搬送モジュールのエンドエフェクタ２０よりも薄いスワップガイド部材１５０の厚さに見合う分だけ存在すればよい。このため、基板ボート１２０の積載空間の高さ又は基板ボート１２０の全体の高さを変化させることなく、前記工程ガスが基板１０の全面に均一に流れるように十分な基板１０の上部空間を確保することができる。これにより、基板１０の処理工程に与る前記工程ガスの流れを改善して基板１０の全面における工程均一度を向上させることができ、十分な基板１０の上部空間を確保するために積載空間の高さ又は基板ボート１２０の全体の高さを高めるのにかかるコストを節減することもできる。
スワップガイド部材１５０は、左右側（両側）にそれぞれ１つ（又は、それ以上）ずつ複数設けられてもよく、互いに対応する左右側に移動したり回転したりして相互間の間隔が調節されてもよい。ここで、基板１０の支持のためには、相互間の間隔が狭くなってもよく、基板ボート１２０が工程チャンバ１１１に移動するときには、相互間の間隔が広くなってもよい。スワップガイド部材１５０が両側に配設される場合には、搬送モジュールのエンドエフェクタ２０がスワップガイド部材１５０に基板１０を支持して抜け出る移動空間を設けてもよい。このとき、スワップガイド部材１５０は、基板１０が搬入又は搬出されるときに干渉されることを防ぐために、基板１０が搬入又は搬出されるゲートスリット１１３の位置を避けて配設されてもよい。例えば、基板１０が搬入又は搬出される方向と交差するように配設されてもよい。
また、スワップガイド部材１５０は、ゲートスリット１１３に対応する高さに配設されてもよい。これにより、スワップガイド部材１５０が上下に降昇しなくても搬送モジュールのエンドエフェクタ２０を用いた基板１０の搬送により基板１０をスワップガイド部材１５０に支持することができ、エンドエフェクタ２０の移動経路を最小化させることができる。
図３は、本発明の一実施形態によるスワップガイド部材を示す図であり、図３（ａ）は斜視図であり、図３（ｂ）は側面図である。
図３を参照すると、スワップガイド部材１５０は、基板１０が支持される支持部１５１と、支持部１５１と連結されて支持部１５１を移動させる駆動部１５２と、を備えていてもよい。
支持部１５１は、基板１０が支持される部分であり、駆動部１５２により長さが調節され得るか、或いは、移動され得る。支持部１５１は、一方の側がフォーク状に形成されてもよい。この場合、基板１０が安定的に支持可能になるため、小さい広さにも基板１０を安定的に支持することができ、これにより、後述するガイドスロット１２１ａの広さを最小化させることができる。なお、基板１０の支持のために複数のスワップガイド部材１５０の相互間の間隔が狭くなる場合、支持部１５１が基板ボート１２０の連結バー１２２に干渉されずに連結バー１２２を避けて配設されてもよい。
また、支持部１５１は、基板１０が支持される一方の端に整列段付部１５１ａが形成されてもよい。整列段付部１５１ａは、基板１０を安定的に支持するだけではなく、基板１０が正確な位置に支持されるように整列位置を提供してもよい。基板１０は、整列段付部１５１ａの下段に支持されるが、基板１０の側面が整列段付部１５１ａの側壁に引っ掛かって基板１０が水平方向（例えば、左右）に揺れることを防ぐことができる。なお、基板１０の大きさ及び形状に合わせて整列段付部１５１ａを形成して基板１０が整列段付部１５１ａの下端に支持されることにより基板１０が整列されるようにしてもよい。
駆動部１５２は、支持部１５１と連結されて支持部１５１を移動させてもよいが、水平方向に支持部１５１を移動させたり、支持部１５１の長さを調節したりしてもよい。駆動部１５２は、線形モータ（ＬｉｎｅａｒＭｏｔｏｒ；ＬＭ）システムにより構成されてもよいが、動力源として駆動モータ、エアシリンダなどが使用可能であり、ボールスクリュー型、シリンダ型などに線形モータ（ＬＭ）システムを構成してもよい。
例えば、スワップガイド部材１５０は、線形モータ（ＬＭ）、ボールスクリュー及びマグネチックシールにより基本的に構成されてもよく、エアシリンダ、ブッシュ及びブラケットにより構成されてもよいが、直線運動又は回転運動に基づいて動いてもよい。また、スワップガイド部材１５０の材質としては、クォーツ、アルミニウム、ステンレス鋼（例えば、ＳＵＳ３１６Ｌ）などの金属材質が挙げられる。スワップガイド部材１５０の構造、構成、材質及び形状はこれに何ら限定されるものではなく、種々に変更可能である。
図４は、本発明の一実施形態による仕切りプレートのガイドスロットを説明するための図であり、図４（ａ）は、ガイドスロットが形成された仕切りプレートの平面図であり、図４（ｂ）は、仕切りプレートのガイドスロットにスワップガイド部材１５０が配設されたことを示す平面図である。
図４を参照すると、仕切りプレート１２１は、基板ボート１２０の降昇に際してスワップガイド部材１５０の少なくとも一部が通過するガイドスロット１２１ａを備えていてもよい。ガイドスロット１２１ａは、基板ボート１２０の降昇に際してスワップガイド部材１５０の少なくとも一部が通過してもよいが、スワップガイド部材１５０の支持部１５１が通過してもよい。また、ガイドスロット１２１ａは、基板ボート１２０の降昇に際してスワップガイド部材１５０の支持部１５１が基板ボート１２０の積載空間に配設された状態でスワップガイド部材１５０を移動させることなく基板ボート１２０を降昇させるようにスワップガイド部材１５０の通過空間を提供してもよい。これにより、基板１０がスワップガイド部材１５０に支持された状態で基板ボート１２０を上昇させることにより、基板１０が基板ボート１２０の積載空間に載置されてもよく、基板ボート１２０の上昇によりスワップガイド部材１５０が基板ボート１２０の次の積載空間に配設されてもよい。
また、ガイドスロット１２１ａを用いて基板ボート１２０の積載空間において基板１０の積載位置を最大限に下げてもよく、基板１０の積載位置を最大限に下げて仕切りプレート１２１の上部面に基板１０を載置してもよい。すなわち、スワップガイド部材１５０がガイドスロット１２１ａを介して仕切りプレート１２１と同じ線の上に置かれてもよく、その下に置かれてもよいため、仕切りプレート１２１の上部面に基板１０を載置することができる。
このため、基板ボート１２０の積載空間の高さ又は基板ボート１２０の全体の高さを変化させなくても前記工程ガスが基板１０の全面に均一に流れるように十分な基板１０の上部空間を確保することができる。また、基板１０の処理工程に与る前記工程ガスの流れを改善して基板１０の全面における工程均一度を向上させることができ、十分な基板１０の上部空間を確保するために積載空間の高さ又は基板ボート１２０の全体の高さを高めるのにかかるコストを節減することもできる。
また、ガイドスロット１２１ａを用いて各段の積載空間に基板１０を積載するとき、毎回スワップガイド部材１５０を移動させなくてもよい。これにより、基板１０の積載工程が簡単になる。
このため、スワップガイド部材１５０を用いて予備チャンバ１１２に搬入された基板１０を１次的に支持し、ガイドスロット１２１ａを用いてスワップガイド部材１５０の一部を通過させながら基板ボート１２０を降昇させると、ガイドスロット１２１ａによりスワップガイド部材１５０を移動させなくても基板ボート１２０の積載空間において低い個所に基板１０を積載することができ、前記工程ガスが基板１０の全面に均一に流れるように十分な基板１０の上部空間を確保することができる。また、スワップガイド部材１５０を移動させずにスワップガイド部材１５０を基板ボート１２０の次の積載空間に配設することができ、これにより、積載工程にかかる時間を短縮させることができる。
また、ガイドスロット１２１ａは、仕切りプレート１２１の広さの０．１〜１０％の広さを有してもよい。ガイドスロット１２１ａの広さが仕切りプレート１２１の広さの０．１％よりも小さくなると、スワップガイド部材１５０の一部を通過させ難く、スワップガイド部材１５０の一部を通過させるとしても、基板１０が支持可能な面積が小さくなるため、基板１０が安定的に支持できなくなる。例えば、ガイドスロット１２１ａの広さが小さければ、スワップガイド部材１５０及びガイドスロット１２１ａが整列され難くなるため、スワップガイド部材１５０及びガイドスロット１２１ａの誤整列に起因してスワップガイド部材１５０が通過され難く、スワップガイド部材１５０及びガイドスロット１２１ａの誤整列により基板１０の積載工程が誤作動するおそれがある。これに対し、ガイドスロット１２１ａの広さが仕切りプレート１２１広さの１０％よりも大きくなると、基板１０の処理工程に際してガイドスロット１２１ａを介して前記工程ガスが対応する個所の基板１０だけではなく、上部又は下部に配設された基板にも影響を与えてしまい、その結果、各処理空間ごとにそれぞれ別々に基板１０の処理工程が行われないため、基板ボート１２０内の複数枚の基板１０に均一な基板処理が行われない。これは、仕切りプレート１２１を用いる意味がなくなることであり、仕切りプレート１２１により基板１０の上部空間を確保し難かった問題を解消する本発明の効果を低下させることである。
図５は、本発明の一実施形態による基板ボートの基板支持ティップを示す図であり、図５（ａ）は、仕切りプレートに形成された基板支持ティップであり、図５（ｂ）は、連結バーに形成された基板支持ティップである。
図５を参照すると、仕切りプレート１２１又は連結バー１２２には、スワップガイド部材１５０から引き渡される基板１０が載置される基板支持ティップ１２３が形成されてもよい。基板支持ティップ１２３には、基板１０がスワップガイド部材１５０から引き渡されて（又は、スワップされて）載置されてもよいが、スワップガイド部材１５０が降昇して載置されてもよく、基板ボート１２０が上昇して載置されてもよい。ここで、スワップガイド部材１５０に水平方向に移動する機能だけではなく、降昇する機能をも含めると、スワップガイド部材１５０の構造が複雑になるおそれがあるため、その構造を簡単化させるために、基板ボート１２０の降昇機能を用いて基板ボート１２０を上昇させることにより、基板１０を基板支持ティップ１２３に載置することが好ましい。
図５（ａ）に示すように、仕切りプレート１２１の周縁部に形成された基板支持ティップ１２３ａは、必要に応じて高さを調節してもよいが、蒸着しようとする薄膜の膜厚及び形状に応じて工程に合う高さを決定してもよい。また、基板支持ティップ１２３ａは、基板１０の厚さ又は形状に応じて位置を調節してもよい。このとき、基板１０の厚さに応じて高さを調節してもよく、基板１０の形状に応じて支持位置を調節してもよい。なお、基板支持ティップ１２３ａは、スポット状突起により形成されて処理工程中に基板１０が仕切りプレート１２１に狭窄されることを防ぐことができる。
仕切りプレート１２１の周縁部に基板支持ティップ１２３ａが形成される場合には、仕切りプレート１２１は、基板１０が安定的に支持されて整列されるように整列突起１２１ｂを更に備えていてもよい。整列突起１２１ｂは、基板１０が整列されるように支持位置を提供してもよく、基板１０の側面が引っ掛かって基板１０の処理工程に際して基板１０が水平方向に動くことを防ぐことができる。
図５（ｂ）に示すように、連結バー１２２に形成された基板支持ティップ１２３ｂは、必要に応じて高さを調節してもよいが、蒸着しようとする成長膜の膜厚及び形状に応じて工程に合う高さを決定してもよい。また、基板支持ティップ１２３ｂは、基板１０の厚さ又は形状に応じて位置を調節してもよいが、基板１０の厚さに応じて高さを調節してもよく、基板１０の形状に応じて支持位置を調節してもよい。更に、基板支持ティップ１２３ｂは、ティップの先端部にスポット状突起（図示せず）を形成して処理工程中に基板１０が基板支持ティップ１２３ｂに狭窄されることを防ぐこともできる。
連結バー１２２には、基板支持ティップ１２３ｂの厚さにより基板１０の積載位置を下げるのに限界があるため、仕切りプレート１２１の周縁部に基板支持ティップ１２３ａを形成することが好ましい。しかしながら、本発明はこれに限定されるものではなく、必要な上部空間の高さに合わせて基板支持ティップ１２３を選択して形成してもよい。
基板ボート１２０の下部に配設されて基板ボート１２０の上昇により予備チャンバ１１２と工程チャンバ１１１との間を遮断して工程チャンバ１１１を予備チャンバ１１２と引き離すカバープレート１２４を更に備えていてもよい。カバープレート１２４は、円板状に形成されてもよく、仕切りプレート１２１の直径よりも大きい直径を有してもよい。カバープレート１２４は、基板ボート１２０の下部に配設されてもよく、基板ボート１２０の上昇により工程チャンバ１１１を密閉する役割を果たしてもよい。すなわち、基板１０の処理工程に際して反応チューブ１１４又は外部チューブ（図示せず）の開放された下部を閉鎖してもよい。また、カバープレート１２４と外部チューブ（図示せず）との間又はカバープレート１２４と反応チューブ１１４との間には、Ｏリング状の封止部材１２４ａが配設されてもよい。これにより、基板１０の処理工程に際して反応チューブ１１４の内部が予備チャンバ１１２から離れてもよく、工程チャンバ１１１内の工程ガスが予備チャンバ１１２に流入したり、予備チャンバ１１２内の異物が工程チャンバ１１１内に流入したりすることを防ぐことができる。しかしながら、カバープレート１２４の構造及び形状はこれに何ら限定されるものではなく、種々に変更可能である。
また、基板ボート１２０の下部には、回転駆動部１６１が配設されてもよい。回転駆動部１６１は、基板ボート１２０を回転させるように基板ボート１２０の下部に配設されてもよいが、仕切りプレート１２１の上下方向の中心軸を基準として基板ボート１２０を回転させてもよい。基板１０の処理工程が行われるとき、反応チューブ１１４の一方の側に供給された前記工程ガスが基板ボート１２０に積載された基板１０を通過して反応チューブ１１４の他方の側に排出される。ここで、回転駆動部１６１の作動により基板ボート１２０が回転されると、基板ボート１２０を通過しようとするガスが混合されてもよく、これにより、基板１０上の全体の領域に均一に前記工程ガスが分布される。このため、基板１０の上に蒸着される膜の品質が向上する。
降昇駆動部１６２は、予備チャンバ１１２、工程チャンバ１１１のうち下部に配設されるいずれか一つの下部に配設されてもよく、上下方向に延びて形成されたシャフトにより基板ボート１２０の下部と連結されて基板ボート１２０を上下に降昇させてもよい。前記シャフトは、基板ボート１２０を支持する役割を果たしてもよい。例えば、降昇駆動部１６２の作動により基板ボート１２０が下側に移動して予備チャンバ１１２の内部（又は、積載位置）に位置してもよく、搬送チャンバ２００から予備チャンバ１１２に搬入された基板１０が予備チャンバ１１２の内部に配設された基板ボート１２０に積載されてもよい。次いで、複数枚の基板１０が基板ボート１２０に全て積載されると、基板ボート１２０が降昇駆動部１６２により上側に移動して工程チャンバ１１１（又は、工程位置）に移動してもよい。これにより、反応チューブ１１４の収容空間において基板１０に対するエピタクシャル工程が行われる。
ヒータ部１７１は、工程チャンバ１１１の内部に配設されてもよく、反応チューブ１１４の側面の周縁及び上部を取り囲むように配置されてもよい。ヒータ部１７１は、反応チューブ１１４に熱エネルギーを提供して反応チューブ１１４の内部空間を加熱する役割を果たしてもよく、反応チューブ１１４の内部空間の温度をエピタクシャル工程が行えるような温度に調節してもよい。
図６から図１２は、本発明の他の実施形態による基板処理方法を順次に示す図であり、図６は、本発明の他の実施形態による基板処理方法において基板が予備チャンバに搬入されることを示す図であり、図７は、本発明の他の実施形態による基板処理方法において複数のスワップガイド部材が集められることを示す概略図であり、図８は、本発明の他の実施形態による基板処理方法において基板が複数のスワップガイド部材の上に支持されることを示す図であり、図９は、本発明の他の実施形態による基板処理方法においてエンドエフェクタが基板を複数のスワップガイド部材の上に引き渡して取り外されたことを示す図であり、図１０は、本発明の他の実施形態による基板処理方法において基板ボートを上昇させることを示す図であり、図１１は、本発明の他の実施形態による基板処理方法において基板ボートの最後の積載空間に基板を積載することを示す図であり、図１２は、本発明の他の実施形態による基板処理方法において基板ボートが工程チャンバに移動したことを示す図である。
図６から図１２を参照して本発明の他の実施形態による基板処理方法についてより詳細に説明するが、本発明の一実施形態による基板処理装置１００と関連して上述した部分と重複する事項についての説明は省略する。
本発明の他の実施形態による基板処理方法は、基板１０が搬入される予備チャンバ１１２、前記予備チャンバ１１２と連通され、前記基板１０の処理工程が行われる工程チャンバ１１１、多段に仕切られた積載空間に前記基板１０を積載する基板ボート１２０及び前記基板１０を前記積載空間に載置する複数のスワップガイド部材１５０を備える基板処理装置１００を用いた基板処理方法において、前記基板１０を前記予備チャンバ１１２に搬入するステップ（Ｓ１００）と、前記複数のスワップガイド部材１５０の上に前記基板１０を引き渡すステップ（Ｓ２００）と、前記基板ボート１２０を上昇させて前記積載空間に前記基板１０を載置するステップ（Ｓ３００）と、前記工程チャンバ１１１に前記基板ボート１２０を移動させるステップ（Ｓ４００）と、を含んでいてもよい。
前記ステップは時系列的に行われなくてもよく、これらのうちの一つ以上のステップ（例えば、Ｓ１００〜Ｓ３００）を２回以上行ってもよい。
まず、図６に示すように、基板１０を予備チャンバ１１２に搬入する（Ｓ１００）。搬送モジュールのエンドエフェクタ２０により基板１０が予備チャンバ１１２に搬入可能である。
次いで、複数のスワップガイド部材１５０の上に基板１０を引き渡す（Ｓ２００）。図７に示すように、搬送モジュールのエンドエフェクタ２０により複数のスワップガイド部材１５０に基板１０が引き渡されてもよく、図８に示すように、搬入された基板１０が複数のスワップガイド部材１５０の上に支持されてもよい。基板１０が支持されると、図９に示すように、エンドエフェクタ２０が予備チャンバ１１２の内部から取り除かれてもよい。
本発明の基板処理方法は、複数のスワップガイド部材１５０同士の間隔を調節するステップ（Ｓ５０）を更に含んでいてもよい。前記複数のスワップガイド部材同士の間隔を調節するステップ（Ｓ５０）は、前記基板を引き渡すステップ（Ｓ２００）前に行われてもよく、前記基板ボートを移動させるステップ（Ｓ４００）前に行われてもよい。
前記基板を引き渡すステップ（Ｓ２００）前に行われる場合には、図７に示すように、搬送モジュールのエンドエフェクタ２０により予備チャンバ１１２に搬入されて引き渡される基板１０を支持するために複数のスワップガイド部材１５０同士の間隔を調節して複数のスワップガイド部材１５０同士の間隔を狭めてもよい（Ｓ１５０）。複数のスワップガイド部材１５０同士の間隔を狭めて前記積載空間に複数のスワップガイド部材１５０を提供してもよいので、予備チャンバ１１２に搬入された基板１０をスワップガイド部材１５０に支持することができる。スワップガイド部材１５０は、予備チャンバ１１２に配設されてもよく、水平方向に移動してもよい。ここで、複数のスワップガイド部材１５０が集められて予備チャンバ１１２に搬入された基板１０を１次的に支持し、複数枚の仕切りプレート１２１により仕切られた積載空間に基板１０を載置することにより、基板ボート１２０に基板１０を積載してもよい。
次いで、図１０に示すように、基板ボート１２０を上昇させて基板ボート１２０の積載空間に基板１０を載置する（Ｓ３００）。このとき、基板１０の積載位置を最大限に下げてもよい。基板１０の積載位置が下がる場合、工程ガスが基板１０の全面に均一に流れるように十分な基板１０の上部空間を確保することができ、これにより、基板１０の処理工程に与る前記工程ガスの流れを改善して基板１０の全面における工程均一度を向上させることができる。
基板ボート１２０は、前記積載空間を仕切る複数枚の仕切りプレート１２１と、複数枚の仕切りプレート１２１を支持する複数本の連結バー１２２と、を備えていてもよい。複数本の連結バー１２２に複数の嵌合溝が形成されて前記複数の嵌合溝に複数枚の仕切りプレート１２１がそれぞれ嵌合することにより、複数本の連結バー１２２及び複数枚の仕切りプレート１２１が結合可能である。複数本の連結バー１２２は、複数枚の仕切りプレート１２１を互いに連結してもよい。ここで、複数本の連結バー１２２は、複数枚の仕切りプレート１２１を安定的に支持して基板１０の処理工程が行われる間に複数枚の仕切りプレート１２１が傾かないようにし、それぞれの積載空間が変形されないようにする。なお、複数本の連結バー１２２は、複数枚の仕切りプレート１２１などの基板ボート１２０の構成要素を一体形に結合してもよい。
複数枚の仕切りプレート１２１は、複数枚の基板１０がそれぞれ積載されるそれぞれ別々の複数の積載空間を形成して複数枚の基板１０をそれぞれの積載空間においてそれぞれ別々に処理してもよい。すなわち、基板ボート１２０は、上下方向に多段の積載空間を有し、各積載空間に１枚の基板１０が積載されてもよい。これにより、基板ボート１２０の各積載空間に基板１０の処理領域がそれぞれ別々に形成されて各基板１０に噴射された工程ガスが上部又は下部の基板にも影響を及ぼすことを防ぐことができる。一方、仕切りプレート１２１の素材としては、セラミック、クォーツ、合成クォーツなどが挙げられる。
前記基板を載置するステップ（Ｓ３００）において、基板１０は、複数本の連結バー１２２又は複数枚の仕切りプレート１２１に形成された基板支持ティップ１２３に載置されてもよい。基板１０が基板支持ティップ１２３に載置されると、処理工程中に基板１０が仕切りプレート１２１に狭窄されることを防ぐことができる。
このため、スワップガイド部材１５０を介して搬送モジュールのエンドエフェクタ２０が抜け出る下部空間が設けられた状態で予備チャンバ１１２に搬入された基板１０を１次的に支持し、搬送モジュールのエンドエフェクタ２０が抜け出た後に基板ボート１２０の積載空間に基板１０を載置してもよい。これにより、基板ボート１２０の積載空間において基板１０の積載位置を下げることができ、基板１０の下部空間がスワップガイド部材１５０の厚さに見合う分だけあればよいので、基板ボート１２０の積載空間の高さ又は基板ボート１２０の全体の高さを変化させなくても前記工程ガスが基板１０の全面に均一に流れるように十分な基板１０の上部空間を確保することができる。これにより、基板１０の処理工程に与る前記工程ガスの流れを改善して基板１０の全面における工程均一度を向上させることができ、十分な基板１０の上部空間を確保するために積載空間の高さ又は基板ボート１２０の全体の高さを高めるのにかかるコストを節減することもできる。
また、複数枚の仕切りプレート１２１は、複数のスワップガイド部材１５０の少なくとも一部が通過するガイドスロット１２１ａを備えていてもよい。ガイドスロット１２１ａは、基板ボート１２０の降昇に際してスワップガイド部材１５０の少なくとも一部が基板ボート１２０の積載空間に配設された状態でスワップガイド部材１５０を移動させずに基板ボート１２０を降昇させるようにスワップガイド部材１５０の通過空間を提供してもよい。これにより、基板１０がスワップガイド部材１５０に支持された状態で基板ボート１２０を上昇させることにより、基板１０が基板ボート１２０の積載空間に載置され、基板ボート１２０の上昇によりスワップガイド部材１５０が基板ボート１２０の次の積載空間に配設される。
前記基板を載置するステップ（Ｓ３００）において、基板ボート１２０の上昇により複数のスワップガイド部材１５０がガイドスロット１２１ａを通過してもよい。ガイドスロット１２１ａを用いて各段の積載空間に基板１０を載置するとき（又は、積載するとき）、スワップガイド部材１５０を移動させなくてもよく、これにより、基板１０の積載工程が簡単になる。また、ガイドスロット１２１ａを用いて基板ボート１２０の積載空間における基板１０の積載位置を最大限に下げることができ、基板１０の積載位置を最大限に下げて仕切りプレート１２１の上部面に基板１０を載置してもよい。すなわち、スワップガイド部材１５０がガイドスロット１２１ａにより仕切りプレート１２１と同じ線の上に置かれてもよく、その下に置かれてもよいので、仕切りプレート１２１の上部面に基板１０を載置することができる。
本発明の基板処理方法は、基板ボート１２０を降昇させて複数のスワップガイド部材１５０を基板１０が載置された積載空間とは異なる積載空間に位置させるステップ（Ｓ３１０）を更に含んでいてもよい。
また、基板ボート１２０を降昇させて複数のスワップガイド部材１５０を基板１０が載置された積載空間とは異なる積載空間に位置させる（Ｓ３１０）。このとき、基板ボート１２０の積載空間に基板１０を載置し、基板ボート１２０を更に上昇させて複数のスワップガイド部材１５０を基板１０が載置された積載空間の下段の積載空間に位置させてもよい。この場合、一回の基板ボート１２０の上昇だけでＳ３００〜Ｓ３１０ステップを連続して行うことができ、これにより、基板ボート１２０に基板１０を積載する時間を短縮させることができる。各積載空間ごとに基板１０を順次に積載して、図１１に示すように、最後の積載空間まで複数枚の基板１０を基板ボート１２０に積載してもよい。
前記異なる積載空間に位置させるステップ（Ｓ３１０）において、複数のスワップガイド部材１５０が基板ボート１２０の降昇によりガイドスロット１２１ａを通過して位置されてもよい。ガイドスロット１２１ａを用いて各段の積載空間に基板１０を積載するとき、毎回スワップガイド部材１５０を移動させなくてもよく、これにより、基板１０の積載工程が簡単になる。
このため、スワップガイド部材１５０を介して予備チャンバ１１２に搬入された基板１０を１次的に支持し、ガイドスロット１２１ａを用いてスワップガイド部材１５０の一部を通過させながら基板ボート１２０を降昇させると、ガイドスロット１２１ａによりスワップガイド部材１５０を移動させなくても基板ボート１２０の積載空間において低い個所に基板１０を積載することができ、前記工程ガスが基板１０の全面に均一に流れるように十分な基板１０の上部空間を確保することができる。なお、スワップガイド部材１５０を移動させることなくスワップガイド部材１５０を基板ボート１２０の次の積載空間に配設することができ、これにより、積載工程にかかる時間を短縮させることができる。
基板ボート１２０に基板１０を積載した後に、工程チャンバ１１１に基板ボート１２０を移動させる（Ｓ５００）。このとき、図１２に示すように、複数枚の基板１０を基板ボート１２０の積載空間に全て積載した後、基板ボート１２０を降昇させて基板ボート１２０を工程チャンバ１１１に移動させてもよい。基板ボート１２０が工程チャンバ１１１に移動されると、工程チャンバ１１１において基板ボート１２０に積載されて移動された基板１０の処理工程が行われる。
前記複数のスワップガイド部材同士の間隔を調節するステップ（Ｓ５０）が前記基板ボートを移動させるステップ（Ｓ４００）前に行われる場合には、複数のスワップガイド部材１５０同士の間隔を広げて基板ボート１２０の外周縁に複数のスワップガイド部材１５０を移動させてもよい（Ｓ３５０）。基板ボート１２０の上昇により工程チャンバ１１１を密閉するカバープレート１２４を用いる場合、複数のスワップガイド部材１５０がカバープレート１２４と干渉されないように複数のスワップガイド部材１５０同士の間隔を広げて基板ボート１２０の外周縁に複数のスワップガイド部材１５０を移動させてもよい。一方、基板ボート１２０の上部プレート及び下部プレートとの干渉を防ぐためにも複数のスワップガイド部材１５０同士の間隔を広げて基板ボート１２０の外周縁に複数のスワップガイド部材１５０を移動させることが好ましい。
このように、本発明においては、スワップガイド部材に搬入された基板を支持した後に基板ボートを上昇させて基板を基板ボートの積載空間に載置することにより、積載空間の高さ又は基板ボートの全体の高さを変化させなくても基板の上部空間を確保することができる。これにより、基板の処理工程に与る工程ガスの流れを改善して基板の全面における工程均一度を向上させることができ、積載空間の高さ又は基板ボートの全体の高さを高めるのにかかるコストを節減することもできる。また、仕切りプレートにガイドスロットが形成されてスワップガイド部材をガイドスロットに対応するように位置させる場合、スワップガイド部材の移動なしに基板ボートの降昇だけで複数枚の基板を基板ボートに積載することができる。これにより、スワップガイド部材の降昇のための複雑な構造なしにも基板を基板ボートに積載することができ、しかも、十分な基板の上部空間を確保することができる。なお、仕切りプレートにより各基板ごとにそれぞれ別々にガスを供給することができて、各基板の状況に応じて供給されるガスの量をそれぞれ別々に制御することができ、これにより、各基板ごとに最上の条件で処理工程が行われ、その結果、成長膜の品質が向上する。
以上、本発明の好適な実施形態について図示して説明したが、本発明は、上述した実施形態に何ら限定されるものではなく、特許請求の範囲において請求する本発明の要旨を逸脱することなく、当該本発明が属する分野において通常の知識を有する者であれば、これより様々な変形及び均等な他の実施形態が実施可能であるということが理解できる筈である。よって、本発明の技術的な保護範囲は、下記の特許請求の範囲により定められるべきである。
１０：基板
２０：エンドエフェクタ
１００：基板処理装置
１１１：工程チャンバ
１１２：予備チャンバ
１１３：ゲートスリット
１１４：反応チューブ
１２０：基板ボート
１２１：仕切りプレート
１２１ａ：ガイドスロット
１２１ｂ：整列突起
１２２：連結バー
１２３：支持ティップ
１２４：カバープレート
１２４ａ：封止部材
１３０：ガス供給部
１３１：噴射ノズル
１４０：排気部
１４１：吸入口
１５０：スワップガイド部材
１５１：支持部
１５２：駆動部
１６１：回転駆動部
１６２：降昇駆動部
１７１：ヒータ部
２００：搬送チャンバ
２１０：流入口
２２０：ゲート弁

Claims (12)

  1. 基板が搬入される予備チャンバと、
    前記予備チャンバと連通され、前記基板の処理工程が行われる工程チャンバと、
    前記基板が積載される積載空間を仕切る複数枚の仕切りプレートを有し、降昇可能な基板ボートと、
    前記工程チャンバに配設される複数の噴射ノズルを介して前記基板に工程ガスを供給するガス供給部と、
    前記工程チャンバに配設された複数の吸入口を介して排気する排気部と、
    前記予備チャンバに配設され、前記予備チャンバに搬入された基板を前記複数枚の仕切りプレートにより仕切られた積載空間に載置するスワップガイド部材と、
    を備える基板処理装置。
  2. 前記スワップガイド部材は、
    前記基板が支持される支持部と、
    前記支持部と連結されて前記支持部を移動させる駆動部と、
    を備える請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 前記支持部は、前記基板が支持される一方の端に整列段付部が形成される請求項２に記載の基板処理装置。
  4. 前記仕切りプレートは、前記基板ボートの降昇に際して前記スワップガイド部材の少なくとも一部が通過するガイドスロットを備える請求項１に記載の基板処理装置。
  5. 前記ガイドスロットは、前記仕切りプレートの広さの０．１〜１０％の広さを有する請求項４に記載の基板処理装置。
  6. 前記基板ボートは、前記仕切りプレートを支持する連結バーを更に備え、
    前記連結バー又は前記仕切りプレートは、前記スワップガイド部材から引き渡される前記基板が載置される基板支持ティップを備える請求項１に記載の基板処理装置。
  7. 前記基板ボートの下部に配設されて前記基板ボートの上昇により前記予備チャンバと前記工程チャンバとの間を遮断するカバープレートを更に備える請求項１に記載の基板処理装置。
  8. 前記予備チャンバは、前記基板が搬入又は搬出されるゲートスリットを備え、
    前記スワップガイド部材は、前記ゲートスリットに対応する高さに配設される請求項１に記載の基板処理装置。
  9. 基板が搬入される予備チャンバと、前記予備チャンバと連通され、前記基板の処理工程が行われる工程チャンバと、多段に仕切られた積載空間に前記基板を積載する基板ボート及び前記基板を前記積載空間に載置する複数のスワップガイド部材を備える基板処理装置を用いた基板処理方法において、
    前記基板を前記予備チャンバに搬入するステップと、
    前記複数のスワップガイド部材の上に前記基板を引き渡すステップと、
    前記基板ボートを上昇させて前記積載空間に前記基板を載置するステップと、
    前記工程チャンバに前記基板ボートを移動させるステップと、
    を含む基板処理方法。
  10. 前記基板ボートは、
    前記積載空間を仕切る複数枚の仕切りプレートと、
    前記複数枚の仕切りプレートを支持する複数本の連結バーと、
    を備え、
    前記基板を載置するステップにおいて、前記基板は、前記複数本の連結バー又は前記複数枚の仕切りプレートに形成された基板支持ティップに載置される請求項９に記載の基板処理方法。
  11. 前記複数枚の仕切りプレートは、前記複数のスワップガイド部材の少なくとも一部が通過するガイドスロットを備え、
    前記基板を載置するステップにおいて、前記基板ボートの上昇により前記複数のスワップガイド部材が前記ガイドスロットを通過する請求項１０に記載の基板処理方法。
  12. 前記複数のスワップガイド部材同士の間隔を調節するステップを更に含む請求項９に記載の基板処理方法。
JP2016196256A 2015-11-17 2016-10-04 基板処理装置及びこれを用いた基板処理方法 Active JP6322678B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150161409A KR101685096B1 (ko) 2015-11-17 2015-11-17 기판처리장치 및 이를 이용한 기판처리방법
KR10-2015-0161409 2015-11-17

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2017098534A true JP2017098534A (ja) 2017-06-01
JP6322678B2 JP6322678B2 (ja) 2018-05-09

Family

ID=57573945

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016196256A Active JP6322678B2 (ja) 2015-11-17 2016-10-04 基板処理装置及びこれを用いた基板処理方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10793949B2 (ja)
JP (1) JP6322678B2 (ja)
KR (1) KR101685096B1 (ja)
CN (1) CN106711065B (ja)
TW (1) TWI629713B (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022064606A1 (ja) * 2020-09-24 2022-03-31 株式会社Kokusai Electric 半導体装置の製造方法及び基板処理装置並びにプログラム

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10688485B2 (en) * 2017-07-18 2020-06-23 Ias, Inc Substrate analysis nozzle and method for analyzing substrate
JP7055658B2 (ja) * 2018-02-14 2022-04-18 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
KR102034766B1 (ko) * 2018-04-12 2019-10-22 주식회사 유진테크 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP7278822B2 (ja) * 2019-03-22 2023-05-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置、および、基板処理方法
US20210398824A1 (en) * 2020-06-19 2021-12-23 Applied Materials, Inc. Batch wafer degas chamber and integration into factory interface and vacuum-based mainframe
US20220372621A1 (en) * 2021-05-18 2022-11-24 Mellanox Technologies, Ltd. Cvd system with substrate carrier and associated mechanisms for moving substrate therethrough

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01298724A (ja) * 1988-05-26 1989-12-01 Nec Corp 半導体基板支持ボート
JP2005203727A (ja) * 2004-01-15 2005-07-28 Tera Semicon Corp 半導体製造装置の基板ホルダ
WO2014168331A1 (ko) * 2013-04-08 2014-10-16 주식회사 유진테크 기판처리장치
JP2014214380A (ja) * 2013-04-25 2014-11-17 エヌシーディ・カンパニー・リミテッド 大面積基板用水平型原子層蒸着装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6497734B1 (en) * 2002-01-02 2002-12-24 Novellus Systems, Inc. Apparatus and method for enhanced degassing of semiconductor wafers for increased throughput
KR100810435B1 (ko) * 2002-04-09 2008-03-04 동부일렉트로닉스 주식회사 웨이퍼 슬립 방지수단을 구비한 센터링 가이드
US6696367B1 (en) * 2002-09-27 2004-02-24 Asm America, Inc. System for the improved handling of wafers within a process tool
KR100568456B1 (ko) * 2003-12-15 2006-04-07 주식회사 테라세미콘 고온공정용 반도체 제조장치
KR100639712B1 (ko) 2004-06-07 2006-10-30 (주)비에이치티 퍼니스 장치 및 그 장치를 사용한 열처리 방법
KR101553709B1 (ko) * 2008-11-14 2015-09-17 주성엔지니어링(주) 반도체 소자 제조용 로드락 챔버와 이를 이용한 반도체 소자의 제조장치
JP5604289B2 (ja) * 2010-12-22 2014-10-08 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
KR101271246B1 (ko) * 2011-08-02 2013-06-07 주식회사 유진테크 에피택셜 공정을 위한 반도체 제조설비
KR20150116247A (ko) 2014-04-07 2015-10-15 (주)엘파인 머신비전용 바타입 조명장치

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01298724A (ja) * 1988-05-26 1989-12-01 Nec Corp 半導体基板支持ボート
JP2005203727A (ja) * 2004-01-15 2005-07-28 Tera Semicon Corp 半導体製造装置の基板ホルダ
WO2014168331A1 (ko) * 2013-04-08 2014-10-16 주식회사 유진테크 기판처리장치
JP2014214380A (ja) * 2013-04-25 2014-11-17 エヌシーディ・カンパニー・リミテッド 大面積基板用水平型原子層蒸着装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022064606A1 (ja) * 2020-09-24 2022-03-31 株式会社Kokusai Electric 半導体装置の製造方法及び基板処理装置並びにプログラム
JP7361223B2 (ja) 2020-09-24 2023-10-13 株式会社Kokusai Electric 基板処理方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム

Also Published As

Publication number Publication date
TWI629713B (zh) 2018-07-11
CN106711065A (zh) 2017-05-24
US20170137938A1 (en) 2017-05-18
US10793949B2 (en) 2020-10-06
KR101685096B1 (ko) 2016-12-12
JP6322678B2 (ja) 2018-05-09
TW201729256A (zh) 2017-08-16
CN106711065B (zh) 2019-11-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6322678B2 (ja) 基板処理装置及びこれを用いた基板処理方法
JP6231167B2 (ja) 基板処理装置
CN102543689B (zh) 衬底处理装置、衬底的制造方法及半导体器件的制造方法
JP6294930B2 (ja) 基板処理装置
CN102653883B (zh) 衬底处理装置及衬底的制造方法
CN101819920B (zh) 衬底处理装置
JP4943466B2 (ja) 半導体装置の製造方法及び基板処理装置
JP4267624B2 (ja) 基板処理装置および半導体装置の製造方法
CN103959440B (zh) 包括隔热板的基板处理装置
US8450220B2 (en) Substrate processing apparatus , method of manufacturing semiconductor device, and method of manufacturing substrate
KR20090084680A (ko) 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
US10692745B2 (en) Substrate processing apparatus
CN110998793B (zh) 用于外延沉积工艺的注入组件
KR101625478B1 (ko) 수직 적층식 히터를 구비한 박막 증착 장치 및 이를 이용한 박막 증착 방법
KR200453917Y1 (ko) 기판 처리 장치
JP2011216848A (ja) 半導体装置の製造方法及び基板の製造方法及び基板処理装置
KR101804127B1 (ko) 박막 증착 방법
JP2004095940A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2000331943A (ja) 半導体ウェーハの薄膜形成方法および半導体ウェーハの薄膜形成装置
KR20120055786A (ko) 서셉터 및 이를 가지는 화학기상증착장치
KR20060010596A (ko) 내식성 더미 웨이퍼를 이용하는 반도체 소자 제조 장비

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20170925

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20171003

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20171213

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20180320

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20180409

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6322678

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250