JP7278822B2 - 基板処理装置、および、基板処理方法 - Google Patents

基板処理装置、および、基板処理方法 Download PDF

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Description

本願明細書に開示される技術は、基板処理装置、および、基板処理方法に関するものである。なお、処理対象となる基板には、たとえば、半導体基板、液晶表示装置または有機ＥＬ（ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）表示装置などのｆｌａｔ ｐａｎｅｌ ｄｉｓｐｌａｙ（ＦＰＤ）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、プリント基板、または、太陽電池用基板などが含まれる。
従来より、半導体基板（以下、単に「基板」と称する）の製造工程では、基板処理装置を用いて基板に対して様々な処理が行われている。当該処理には、当該基板の上面を処理するための処理液が用いられる。
基板の処理には一般に複数の処理液が用いられるため、基板処理装置においては、これらの処理液を基板へ供給するための複数の配管が用いられる（たとえば、特許文献１を参照）。
特開２０１８－１６３９７７号公報
配管内の処理液には、外部の雰囲気の成分が浸透する場合がある。逆に、配管内の処理液の成分が、外部の雰囲気へ浸透する場合もある。
そうすると、処理液内に外部の雰囲気の成分（外部の雰囲気へ浸透した他の処理液を含む）が浸透することによって混合が生じ、さらに、処理液中にパーティクルが発生する場合がある。
処理液の混合は処理液の均一性を低下させるため、当該処理液を用いる基板処理の均一性を低下させる原因となる。また、処理液中にパーティクルが発生すると、当該パーティクルが基板への付着物となる場合がある。
本願明細書に開示される技術は、以上に記載されたような問題を鑑みてなされたものであり、処理液の混合およびそれに伴うパーティクルの発生を抑制するための技術を提供することを目的とするものである。
本願明細書に開示される技術の第１の態様は、基板の処理を行うための処理液を供給するための複数の配管と、複数の前記配管が接続され、かつ、前記処理液を用いて前記基板を処理するための基板処理部と、複数の前記配管が互いに近接して配置される配管配置部とを備え、前記配管配置部は、複数のうちの少なくとも１つの前記配管を他の前記配管と隔離し、かつ、隔離されたそれぞれの区画における雰囲気を密閉する少なくとも１つの内壁を備える。
本願明細書に開示される技術の第２の態様は、第１の態様に関連し、前記配管配置部は、前記基板処理部に隣接する流体ボックスである。
本願明細書に開示される技術の第３の態様は、第１または２の態様に関連し、少なくとも１つの前記区画内には、複数の前記配管が配置され、同じ前記区画内における複数の前記配管は、同種の前記処理液を供給するための前記配管である。
本願明細書に開示される技術の第４の態様は、第１から３のうちのいずれか１つの態様に関連し、前記区画内に気体を供給する気体供給部をさらに備える。
本願明細書に開示される技術の第５の態様は、第４の態様に関連し、前記気体供給部によって前記区画内に供給される前記気体は、ドライエアーまたは不活性ガスである。
本願明細書に開示される技術の第６の態様は、第１から５のうちのいずれか１つの態様に関連し、前記区画内における圧力を制御する圧力制御部をさらに備え、前記圧力制御部が、前記区画内における圧力を、前記配管内における圧力以下に制御する。
本願明細書に開示される技術の第７の態様は、第６の態様に関連し、前記圧力制御部が、前記区画内における圧力を、前記配管内における圧力と等しくなるように制御する。
本願明細書に開示される技術の第８の態様は、第１から７のうちのいずれか１つの態様に関連し、前記内壁は、第１の内壁層と、前記第１の内壁層とは異なる材料からなり、かつ、前記第１の内壁層に積層される第２の内壁層とを備え、前記第１の内壁層と前記第２の内壁層とは、互いに隔離される区画間を結ぶ方向に積層される。
本願明細書に開示される技術の第９の態様は、第８の態様に関連し、前記第２の内壁層は、金属またはフッ素樹脂からなる。
本願明細書に開示される技術の第１０の態様は、第１から７のうちのいずれか１つの態様に関連し、前記内壁は、第１の内壁層と、前記第１の内壁層との間に隙間が形成される第２の内壁層とを備え、前記第１の内壁層と前記第２の内壁層とは、互いに隔離される区画間を結ぶ方向に積層される。
本願明細書に開示される技術の第１１の態様は、第１０の態様に関連し、前記内壁は、前記隙間に形成される第３の内壁層をさらに備え、前記第３の内壁層は、金属またはフッ素樹脂からなる。
本願明細書に開示される技術の第１２の態様は、基板を洗浄処理またはエッチング処理するための処理液を供給するための複数の配管と、複数の前記配管が接続され、かつ、前記処理液を用いて前記基板を洗浄処理またはエッチング処理するための基板処理部と、複数の前記配管が互いに近接して配置される配管配置部とを備え、前記配管配置部内の前記配管は、前記処理液が流れる流路を囲む筒状の第１の配管材と、前記第１の配管材を囲む筒状の第２の配管材とを備え、前記第１の配管材と前記第２の配管材との間に密閉された隙間が形成される。
本願明細書に開示される技術の第１３の態様は、第１２の態様に関連し、前記配管配置部は、複数のうちの少なくとも１つの前記配管を他の前記配管と隔離し、かつ、隔離されたそれぞれの区画における雰囲気を密閉する少なくとも１つの内壁を備える。
本願明細書に開示される技術の第１４の態様は、第１２の態様に関連し、前記隙間内に気体を供給する気体供給部をさらに備える。
本願明細書に開示される技術の第１５の態様は、基板を処理するための処理液を供給するための複数の配管と、複数の前記配管が接続され、かつ、前記処理液を用いて前記基板を処理するための基板処理部と、複数の前記配管が互いに近接して配置される配管配置部とを備え、前記配管配置部内の前記配管は、前記処理液が流れる流路を囲む筒状の第１の配管材と、前記第１の配管材とは異なる材料からなり、かつ、前記第１の配管材を囲む筒状の第２の配管材と、前記第２の配管材とは異なる材料からなり、かつ、前記第２の配管材を囲む筒状の第３の配管材とを備える。
本願明細書に開示される技術の第１６の態様は、第１５の態様に関連し、前記第１の配管材および前記第３の配管材は、ＰＦＡからなり、前記第２の配管材は、ＳＵＳを含む金属、または、ＰＦＡ、ＰＴＦＥまたはＰＶＤＦを含むフッ素樹脂からなる。
本願明細書に開示される技術の第１７の態様は、処理液を供給するための複数の配管が接続され、かつ、前記処理液を用いて基板を処理するための基板処理部と、複数の前記配管が互いに近接して配置される配管配置部とを備える基板処理装置を用いて前記基板を処理する基板処理方法であり、前記基板処理部が、前記処理液を用いて前記基板を処理する工程を備え、前記配管配置部は、複数のうちの少なくとも１つの前記配管を他の前記配管と隔離し、かつ、隔離されたそれぞれの区画における雰囲気を密閉する少なくとも１つの内壁を備える。
本願明細書に開示される技術の第１８の態様は、第１７の態様に関連し、前記区画内に気体を供給する工程をさらに備える。
本願明細書に開示される技術の第１９の態様は、第１７または１８の態様に関連し、前記区画内における圧力を、前記配管内における圧力以下にする工程をさらに備える。
本願明細書に開示される技術の第２０の態様は、第１７から１９のうちのいずれか１つの態様に関連し、前記区画内における圧力を、前記配管内における圧力と等しくする工程をさらに備える。
本願明細書に開示される技術の第２１の態様は、処理液を供給するための複数の配管が接続され、かつ、前記処理液を用いて基板の洗浄処理またはエッチング処理を行うための基板処理部と、複数の前記配管が互いに近接して配置される配管配置部とを備える基板処理装置を用いて前記基板の洗浄処理またはエッチング処理を行う基板処理方法であり、前記基板処理部が、前記処理液を用いて前記基板を洗浄処理またはエッチング処理する工程を備え、前記配管配置部内の前記配管は、前記処理液が流れる流路を囲む筒状の第１の配管材と、前記第１の配管材を囲む筒状の第２の配管材とを備え、前記第１の配管材と前記第２の配管材との間に密閉された隙間が形成される。
本願明細書に開示される技術の第２２の態様は、第２１の態様に関連し、前記隙間内に気体を供給する工程をさらに備える。
本願明細書に開示される技術の第２３の態様は、処理液を供給するための複数の配管が接続され、かつ、前記処理液を用いて基板の処理を行うための基板処理部と、複数の前記配管が互いに近接して配置される配管配置部とを備える基板処理装置を用いて前記基板の処理を行う基板処理方法であり、前記基板処理部が、前記処理液を用いて前記基板を処理する工程を備え、前記配管配置部内の前記配管は、前記処理液が流れる流路を囲む筒状の第１の配管材と、前記第１の配管材とは異なる材料からなり、かつ、前記第１の配管材を囲む筒状の第２の配管材と、前記第２の配管材とは異なる材料からなり、かつ、前記第２の配管材を囲む筒状の第３の配管材とを備える。
本願明細書に開示される技術の第１から１１の態様によれば、内壁によってそれぞれの区画の雰囲気が隔離されているため、近接して配置された配管から当該配管外の雰囲気へ浸透した処理液が、隣接する区画における配管内へ浸透することが抑制される。よって、処理液の混合およびそれに伴うパーティクルの発生を抑制することができる。
また、本願明細書に開示される技術の第１２から１４の態様によれば、第１の配管材と第２の配管材との間の密閉された隙間が配管内外の浸透を効果的に抑制するため、外部の雰囲気の成分が配管内の処理液に混合することを抑制することができる。
また、本願明細書に開示される技術の第１５または１６の態様によれば、第２の配管材が配管内外の浸透を効果的に抑制するため、外部の雰囲気の成分が配管内の処理液に混合することを抑制することができる。
また、本願明細書に開示される技術の第１７から２０の態様によれば、内壁によってそれぞれの区画の雰囲気が隔離されているため、近接して配置された配管から当該配管外の雰囲気へ浸透した処理液が、隣接する区画における配管内へ浸透することが抑制される。よって、処理液の混合およびそれに伴うパーティクルの発生を抑制することができる。
また、本願明細書に開示される技術の第２１または２２の態様によれば、第１の配管材と第２の配管材との間の密閉された隙間が配管内外の浸透を効果的に抑制するため、外部の雰囲気の成分が配管内の処理液に混合することを抑制することができる。
また、本願明細書に開示される技術の第２３の態様によれば、第２の配管材が配管内外の浸透を効果的に抑制するため、外部の雰囲気の成分が配管内の処理液に混合することを抑制することができる。
また、本願明細書に開示される技術に関連する目的と、特徴と、局面と、利点とは、以下に示される詳細な説明と添付図面とによって、さらに明白となる。
実施の形態に関する、基板処理装置の構成の例を概略的に示す図である。 実施の形態に関する基板処理装置における、液処理ユニットおよび関連する構成の例を概略的に示す図である。 基板処理装置の各要素と制御部との接続関係の例を示す機能ブロック図である。 流体ボックスの構成の変形例を示す図である。 流体ボックスの構成の他の変形例を示す図である。 流体ボックスの構成の他の変形例を示す図である。 流体ボックスの一部の構成の変形例を示す断面図である。 流体ボックスの一部の構成の他の変形例を示す断面図である。 流体ボックスの一部の構成の他の変形例を示す断面図である。 二重配管の構成の例を示す断面図である。 二重配管の構成の他の例を示す断面図である。 二重配管の構成の他の例を示す断面図である。
以下、添付される図面を参照しながら実施の形態について説明する。以下の実施の形態では、技術の説明のために詳細な特徴なども示されるが、それらは例示であり、実施の形態が実施可能となるためにそれらすべてが必ずしも必須の特徴ではない。
なお、図面は概略的に示されるものであり、説明の便宜のため、適宜、構成の省略、または、構成の簡略化が図面においてなされるものである。また、異なる図面にそれぞれ示される構成などの大きさおよび位置の相互関係は、必ずしも正確に記載されるものではなく、適宜変更され得るものである。また、断面図ではない平面図などの図面においても、実施の形態の内容を理解することを容易にするために、ハッチングが付される場合がある。
また、以下に示される説明では、同様の構成要素には同じ符号を付して図示し、それらの名称と機能とについても同様のものとする。したがって、それらについての詳細な説明を、重複を避けるために省略する場合がある。
また、以下に記載される説明において、ある構成要素を「備える」「含む」または「有する」などと記載される場合、特に断らない限りは、他の構成要素の存在を除外する排他的な表現ではない。
また、以下に記載される説明において、「第１の」、または、「第２の」などの序数が用いられる場合があっても、これらの用語は、実施の形態の内容を理解することを容易にするために便宜上用いられるものであり、これらの序数によって生じ得る順序などに限定されるものではない。
また、以下に記載される説明における、相対的または絶対的な位置関係を示す表現、たとえば、「平行」「中心」などは、特に断らない限りは、その位置関係を厳密に示す場合、および、公差または同程度の機能が得られる範囲において角度または距離が変位している場合を含むものとする。
また、以下に記載される説明において、等しい状態であることを示す表現、たとえば、「同一」「等しい」「均一」などは、特に断らない限りは、厳密に等しい状態であることを示す場合、および、公差または同程度の機能が得られる範囲において差が生じている場合を含むものとする。
また、以下に記載される説明において、「上」、「下」、「左」、「右」、「側」、「底」、「表」または「裏」などの特定の位置と方向とを意味する用語が用いられる場合があっても、これらの用語は、実施の形態の内容を理解することを容易にするために便宜上用いられるものであり、実際に実施される際の方向とは関係しないものである。
また、以下に記載される説明において、「…の上面」または「…の下面」などと記載される場合、対象となる構成要素の上面自体に加えて、対象となる構成要素の上面に他の構成要素が形成された状態も含むものとする。すなわち、たとえば、「甲の上面に設けられる乙」と記載される場合、甲と乙との間に別の構成要素「丙」が介在することを妨げるものではない。
また、以下に記載される説明において、形状を示す表現、たとえば、「四角形状」または「円筒形状」などは、特に断らない限りは、厳密にその形状であることを示す場合、および、公差または同程度の機能が得られる範囲において凹凸または面取りなどが形成されている場合を含むものとする。
＜実施の形態＞
以下、本実施の形態に関する基板処理装置、および、基板処理方法について説明する。
＜基板処理装置の構成について＞
図１は、本実施の形態に関する基板処理装置の構成の例を概略的に示す図である。なお、構成を理解しやすくする観点から、当該図面においては、一部の構成要素が省略、または、簡略化されて示される場合がある。
基板処理装置１は、半導体ウエハなどの円板状の基板Ｗを１枚ずつ処理する枚葉式の処理装置である。基板処理装置１は、基板Ｗに対して洗浄処理またはエッチング処理などの各種処理を行う。
図１に例が示されるように、基板処理装置１は、Ｘ軸正方向に向かって順に、インデクサセクション２と、処理セクション３とを備える。
また、処理セクション３は、Ｘ軸正方向に向かって順に、搬送領域３０と、処理モジュール３１と、処理モジュール３２と、処理モジュール３３とを備える。
＜インデクサセクション＞
インデクサセクション２は、複数枚の基板Ｗを積層状態で収容可能な基板収容器２１と、基板収容器２１を支持するステージ２２と、基板収容器２１から未処理の基板Ｗを受け取り、また、処理セクション３において処理が完了した基板Ｗを基板収容器２１へ渡すインデクサロボット２３とを備える。
なお、ステージ２２の数は、図１の例では簡単のため１つとされたが、それ以上の数がＹ軸方向に並べられていてもよい。
基板収容器２１は、基板Ｗを密閉状態で収納するｆｒｏｎｔ ｏｐｅｎｉｎｇ ｕｎｉｆｉｅｄ ｐｏｄ（ＦＯＵＰ）であってもよいし、ｓｔａｎｄａｒｄ ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ ｉｎｔｅｒ ｆａｃｅ（ＳＭＩＦ）ポッド、または、ｏｐｅｎ ｃａｓｓｅｔｔｅ（ＯＣ）などであってもよい。
インデクサロボット２３は、たとえば、基台部２３Ａと、多関節アーム２３Ｂと、互いに鉛直方向に間隔をあけて設けられる２つのハンド２３Ｃおよびハンド２３Ｄとを備える。
基台部２３Ａは、たとえば、基板処理装置１のインデクサセクション２の外形を規定するフレームに固定されている。
多関節アーム２３Ｂは、水平面に沿って回動可能な複数本のアーム部が互いに回動可能に結合されて構成されており、当該アーム部の結合箇所である関節部でアーム部間の角度を変更することによって、当該アーム部が屈伸可能に構成されている。
また、多関節アーム２３Ｂの基端部は、基台部２３Ａに対して、鉛直軸回りに回動可能に結合されている。さらに、多関節アーム２３Ｂは、基台部２３Ａに対して昇降可能に結合されている。
ハンド２３Ｃおよびハンド２３Ｄは、１枚の基板Ｗをそれぞれ保持可能に構成されている。
インデクサロボット２３は、ステージ２２に保持された基板収容器２１から１枚の未処理の基板Ｗを、たとえばハンド２３Ｃを用いて搬出する。そして、インデクサロボット２３は、Ｘ軸負方向から、搬送機構（ここでは、図示せず）に当該基板Ｗを渡す。なお、当該搬送機構には、直線状のレール上を移動するスライド機構、または、任意の方向および高さに基板Ｗを搬送する搬送ロボットなどが含まれる。
さらに、インデクサロボット２３は、搬送機構から１枚の処理済みの基板Ｗを、たとえばハンド２３Ｄを用いて受け取る。そして、インデクサロボット２３は、ステージ２２に保持された基板収容器２１に当該基板Ｗを収容する。
＜処理セクション＞
搬送機構によって、基板Ｗは、インデクサセクション２に近いＸ軸負方向の位置と、それぞれの液処理ユニットとの間で搬送される。搬送領域３０は、搬送機構によって基板Ｗが移動する空間である。
処理セクション３における処理モジュール３１は、搬送機構から供給される未処理の基板Ｗに規定処理を行う複数の液処理ユニット３１Ａと、液処理ユニット３１Ａに処理液を供給する流体ボックス４１Ａと、液処理ユニット３１Ｂと、液処理ユニット３１Ｂに処理液を供給する流体ボックス４１Ｂと、液処理ユニット３１Ｃと、液処理ユニット３１Ｃに処理液を供給する流体ボックス４１Ｃと、流体ボックス４１Ａ、流体ボックス４１Ｂおよび流体ボックス４１Ｃそれぞれに処理液を供給するための複数の配管が近接して配置される配管部５１とを備える。
同様に、処理セクション３における処理モジュール３２は、搬送機構から供給される未処理の基板Ｗに規定処理を行う複数の液処理ユニット３２Ａと、液処理ユニット３２Ａに処理液を供給する流体ボックス４２Ａと、液処理ユニット３２Ｂと、液処理ユニット３２Ｂに処理液を供給する流体ボックス４２Ｂと、液処理ユニット３２Ｃと、液処理ユニット３２Ｃに処理液を供給する流体ボックス４２Ｃと、流体ボックス４２Ａ、流体ボックス４２Ｂおよび流体ボックス４２Ｃそれぞれに処理液を供給するための複数の配管が近接して配置される配管部５２とを備える。
同様に、処理セクション３における処理モジュール３３は、搬送機構から供給される未処理の基板Ｗに規定処理を行う複数の液処理ユニット３３Ａと、液処理ユニット３３Ａに処理液を供給する流体ボックス４３Ａと、液処理ユニット３３Ｂと、液処理ユニット３３Ｂに処理液を供給する流体ボックス４３Ｂと、液処理ユニット３３Ｃと、液処理ユニット３３Ｃに処理液を供給する流体ボックス４３Ｃと、流体ボックス４３Ａ、流体ボックス４３Ｂおよび流体ボックス４３Ｃそれぞれに処理液を供給するための複数の配管が近接して配置される配管部５３を備える。
液処理ユニット３１Ａ、液処理ユニット３１Ｂおよび液処理ユニット３１Ｃは、Ｚ軸正方向に順に重ねられており、処理タワーＴＷ３１を構成する。
同様に、液処理ユニット３２Ａ、液処理ユニット３２Ｂおよび液処理ユニット３２Ｃは、Ｚ軸正方向に順に重ねられており、処理タワーＴＷ３２を構成する。
同様に、液処理ユニット３３Ａ、液処理ユニット３３Ｂおよび液処理ユニット３３Ｃは、Ｚ軸正方向に順に重ねられており、処理タワーＴＷ３３を構成する。
なお、液処理ユニットの数は、図１の例では簡単のため９つとされたが、液処理ユニットの数は図１の例の場合に限られるものではない。
また、それぞれの液処理ユニットにおいて基板Ｗに対して行われる規定処理には、たとえば、処理用の液体（すなわち、処理液）またはガスを用いる流体処理、紫外線などの電磁波を用いる処理、または、物理洗浄処理（たとえば、ブラシ洗浄またはスプレーノズル洗浄など）などの各種の処理が含まれる。
配管部５１には、互いに同一または異なる処理液が流れる配管５１Ａ、配管５１Ｂおよび配管５１Ｃと、液処理ユニット３１Ａ、液処理ユニット３１Ｂおよび液処理ユニット３１Ｃからの排液が流れる排液用配管５１Ｄとが近接して（たとえば、１ｃｍ程度の距離に）配置される。
同様に、配管部５２には、互いに同一または異なる処理液が流れる配管５２Ａ、配管５２Ｂおよび配管５２Ｃと、液処理ユニット３２Ａ、液処理ユニット３２Ｂおよび液処理ユニット３２Ｃからの排液が流れる排液用配管５２Ｄとが近接して（たとえば、１ｃｍ程度の距離に）配置される。
同様に、配管部５３には、互いに同一または異なる処理液が流れる配管５３Ａ、配管５３Ｂおよび配管５３Ｃと、液処理ユニット３３Ａ、液処理ユニット３３Ｂおよび液処理ユニット３３Ｃからの排液が流れる排液用配管５３Ｄとが近接して（たとえば、１ｃｍ程度の距離に）配置される。
配管部５１、配管部５２および配管部５３それぞれのＺ軸負方向の下部には、複数の配管が接続される複数の開口が設けられている。また、配管部５１、配管部５２および配管部５３それぞれの側面には、流体ボックスに連通する複数の開口が設けられている。
そして、配管部５１、配管部５２および配管部５３それぞれにおける処理液を供給するためのそれぞれの配管は、Ｚ軸負方向の下部における開口に一端および他端が接続され、かつ、それぞれの配管の対応する液処理ユニットに延びる分岐配管が、流体ボックスに連通する開口に接続される。
また、配管部５１、配管部５２および配管部５３それぞれにおける排液用配管は、Ｚ軸負方向の下部における開口に一端が接続され、かつ、分岐する他端が、流体ボックスに連通する開口に接続される。
図２は、本実施の形態に関する基板処理装置における、液処理ユニット３１Ａおよび関連する構成の例を概略的に示す図である。なお、他の液処理ユニットの構成も、図２に例が示される場合と同様である。
図２に例が示されるように、液処理ユニット３１Ａは、内部空間を有する箱形の処理室２５０と、処理室２５０内で１枚の基板Ｗを水平姿勢で保持しつつ基板Ｗの中央部を通る鉛直な回転軸線Ｚ１まわりに基板Ｗを回転させるスピンチャック２５１と、基板Ｗの回転軸線Ｚ１まわりにスピンチャック２５１を取り囲む筒状の処理カップ５１１とを備える。
処理室２５０は、箱状の壁２５０Ａによって囲まれている。壁２５０Ａには、処理室２５０内に基板Ｗを搬出入するための開口部２５０Ｂが形成されている。
開口部２５０Ｂは、シャッタ２５０Ｃによって開閉される。シャッタ２５０Ｃは、シャッタ昇降機構（ここでは、図示せず）によって、開口部２５０Ｂを覆う閉位置（図２において二点鎖線で示される）と、開口部２５０Ｂを開放する開位置（図２において実線で示される）との間で昇降させられる。
図２に例が示されるように、スピンチャック２５１は、水平姿勢の基板Ｗの下面を真空吸着する円板状のスピンベース２５１Ａと、スピンベース２５１Ａの中央部から下方に延びる回転軸２５１Ｃと、回転軸２５１Ｃを回転させることにより、スピンベース２５１Ａに吸着されている基板Ｗを回転させるスピンモータ２５１Ｄとを備える。
なお、スピンチャック２５１は、図２に例が示された真空吸着式のチャックである場合に限られず、たとえば、スピンベースの上面外周部から上方に突出する複数のチャックピンを備え、当該チャックピンによって基板Ｗの周縁部を挟持する挟持式のチャックであってもよい。
図２に例が示されるように、液処理ユニット３１Ａには、隣接する流体ボックス４１Ａから延びる複数の配管が接続されている。
ここで、流体ボックス４１Ａは、互いに隔離され、かつ、それぞれが密閉された区画である密閉区画１６０、密閉区画１６４、密閉区画１５２および密閉区画１５４と、それぞれの区画間を隔離し、かつ、それぞれの区画を密閉させる内壁１４１Ａ、内壁１４１Ｂおよび内壁１４１Ｃとを備える。
図２の例では、密閉区画１６０には、液処理ユニット３１Ａにリンス液を供給するための配管５１Ｂおよびリンス液バルブ６２が配置されている。また、密閉区画１６４には、液処理ユニット３１Ａに洗浄液を供給するための配管５１Ａおよび洗浄液バルブ６６が配置されている。また、密閉区画１５２には、液処理ユニット３１Ａに薬液を供給するための配管５１Ｃおよび薬液バルブ２５６が配置されている。また、密閉区画１５４には、液処理ユニット３１Ａからの排液が流れる排液用配管５１Ｄが配置されている。
それぞれの密閉区画内の雰囲気は、当該密閉区画外の雰囲気からは隔離されて密閉されている。なお、本実施の形態における「密閉」には、厳密な密閉だけでなく、たとえば、それぞれの密閉区画内に配管を通すために必要となる開口部（ここでは、図示せず）などによって微小な隙間が生じて、当該隙間によって厳密な密閉が保たれていない場合であっても、外部の雰囲気と隔離され混ざり合わない程度の状態も含まれるものとする。
内壁によってそれぞれの密閉区画の雰囲気が隔離されているため、近接して配置された配管（たとえば、１ｃｍ程度の距離に配置された配管）から当該配管外の雰囲気へ浸透した処理液が、隣接する密閉区画内の配管内へ浸透することは十分に抑制される。
ここで、浸透とは、処理液などに含まれるいずれかの成分が浸透することを含むものとする。
揮発性が高い処理液は配管から浸透しやすく、また、配管内へ浸透しやすいため、基板処理の際に加熱される処理液（たとえば、基板処理の際に７０℃に加熱される場合）などでは、上記の内壁が設けられることによって区画間の処理液の混合を抑制することは特に有効である。
なお、他の液処理ユニットに対応する流体ボックスの構成も、流体ボックス４１Ａと同様である。
流体ボックス４１Ａにおける密閉区画１５２を通る配管５１Ｃは、液処理ユニット３１Ａに接続されている。そして、配管５１Ｃの先端には、薬液ノズル２５２が接続されている。薬液ノズル２５２は、スピンチャック２５１に保持されている基板Ｗの上面に向けて薬液を吐出する。薬液としては、たとえば、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）などの有機溶剤、または、塩酸、フッ酸、硫酸またはアンモニアなどの無機溶剤が用いられる。
配管５１Ｃの、薬液ノズル２５２とは反対側の端部は、薬液ノズル２５２に供給される薬液を貯留する薬液タンク２５３内に挿入される。また、配管５１Ｃには、薬液タンク２５３内の薬液を配管５１Ｃに送る送液装置２５５（たとえば、ポンプ）と、配管５１Ｃの内部を開閉する薬液バルブ２５６と、薬液バルブ２５６よりも上流側（すなわち、薬液タンク２５３側）で配管５１Ｃと薬液タンク２５３とを接続する循環配管２５７と、循環配管２５７の内部を開閉する循環バルブ２５８とが設けられる。
また、たとえば、送液装置２５５および薬液タンク２５３は、循環キャビネット６００内に配置される。
薬液バルブ２５６および循環バルブ２５８の開閉は、後述の制御部によって制御される。薬液タンク２５３内の薬液が薬液ノズル２５２に供給される場合には、薬液バルブ２５６が開かれ、循環バルブ２５８が閉じられる。この状態では、送液装置２５５によって薬液タンク２５３から配管５１Ｃに送られた薬液が、薬液ノズル２５２に供給される。
一方、薬液ノズル２５２への薬液の供給が停止される場合には、薬液バルブ２５６が閉じられ、循環バルブ２５８が開かれる。この状態では、送液装置２５５によって薬液タンク２５３から配管５１Ｃに送られた薬液が、循環配管２５７を通じて薬液タンク２５３内に戻る。そのため、薬液ノズル２５２への薬液の供給が停止されている供給停止中は、薬液が、薬液タンク２５３、配管５１Ｃおよび循環配管２５７によって構成された循環経路を循環し続ける。
また、図２に例が示されるように、流体ボックス４１Ａにおける密閉区画１６０を通る配管５１Ｂが、液処理ユニット３１Ａに接続されている。そして、配管５１Ｂの先端には、リンス液ノズル６０が接続されている。リンス液ノズル６０は、スピンチャック２５１に保持されている基板Ｗの上面に向けてリンス液を吐出する。
配管５１Ｂの、リンス液ノズル６０とは反対側の端部には、リンス液供給源（ここでは、図示せず）が接続される。また、配管５１Ｂには、リンス液供給源からリンス液ノズル６０へのリンス液の供給および供給停止を切り換えるリンス液バルブ６２が設けられる。リンス液としては、ＤＩＷ（脱イオン水）などが用いられる。
リンス液ノズル６０からリンス液が基板Ｗに供給されることによって、基板Ｗに付着している付着物などを洗い流すことができる。
また、図２に例が示されるように、流体ボックス４１Ａにおける密閉区画１６４を通る配管５１Ａが、液処理ユニット３１Ａに接続されている。そして、配管５１Ａの先端には、洗浄液ノズル６４が接続されている。洗浄液ノズル６４は、処理室２５０の内側の所定部位（たとえばスピンベース２５１Ａ）に向けて洗浄液を吐出する。
配管５１Ａの、洗浄液ノズル６４とは反対側の端部には、洗浄液供給源（ここでは、図示せず）が接続される。また、配管５１Ａには、配管５１Ａから洗浄液ノズル６４への洗浄液の供給および供給停止を切り換える洗浄液バルブ６６が設けられる。洗浄液としては、ＤＩＷ（脱イオン水）などが用いられる。
洗浄液ノズル６４は、処理室２５０の内壁に取り付けられている。スピンチャック２５１に基板Ｗが保持された状態で、スピンベース２５１Ａが回転されると共に、洗浄液ノズル６４から洗浄液が吐出される。
そして、洗浄液ノズル６４から吐出される洗浄液が、基板Ｗの上面で跳ね返って、処理室２５０内に洗浄液が飛散する。洗浄液をこのように飛散させることで、処理室２５０内に配置された各種部品（処理カップ５１１など）を洗浄することができる。
処理カップ５１１は、スピンチャック２５１の周囲を取り囲むように設けられており、図示しないモータによって、鉛直方向に昇降する。処理カップ５１１の上部は、その上端がスピンベース２５１Ａに保持された基板Ｗよりも上側となる上位置と、当該基板Ｗよりも下側になる下位置との間で昇降する。
基板Ｗの上面から外側に飛散した処理液は、処理カップ５１１の内側面に受け止められる。そして、処理カップ５１１に受け止められた処理液は、処理室２５０の底部で、かつ、処理カップ５１１の内側に設けられた排液口５１３、さらには、密閉区画１５４を通る排液用配管５１Ｄを介して、処理室２５０の外部に適宜排液される。
また、処理室２５０の側部には、排気口５１５が設けられている。排気口５１５を通じて、処理室２５０内の雰囲気が処理室２５０外に適宜排出される。
上記において、たとえば、密閉区画１６４と密閉区画１５２とは内壁１４１Ｂによって互いの雰囲気が隔離されているため、密閉区画１６４における配管５１Ａから浸透する洗浄液と、密閉区画１５２における配管５１Ｃから浸透する薬液とが、雰囲気を介して混合することは十分に抑制される。
よって、処理液の混合が生じ、さらに、処理液中にパーティクルが発生することを、ともに十分に抑制することができる。
図３は、基板処理装置１の各要素と制御部７との接続関係の例を示す機能ブロック図である。
制御部７のハードウェア構成は、一般的なコンピュータと同様である。すなわち、制御部７は、各種演算処理を行う中央演算処理装置（ｃｅｎｔｒａｌ ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ ｕｎｉｔ、すなわち、ＣＰＵ）７１と、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるリードオンリーメモリー（ｒｅａｄ ｏｎｌｙ ｍｅｍｏｒｙ、すなわち、ＲＯＭ）７２と、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるランダムアクセスメモリー（ｒａｎｄｏｍ ａｃｃｅｓｓ ｍｅｍｏｒｙ、すなわち、ＲＡＭ）７３と、制御用アプリケーション（プログラム）またはデータなどを記憶する非一過性の記憶部７４とを備える。
ＣＰＵ７１、ＲＯＭ７２、ＲＡＭ７３および記憶部７４は、バス配線７５などによって互いに接続されている。
制御アプリケーションまたはデータは、非一過性の記録媒体（たとえば、半導体メモリ、光学メディアまたは磁気メディアなど）に記録された状態で、制御部７に提供されてもよい。この場合、当該記録媒体から制御アプリケーションまたはデータを読み取る読み取り装置がバス配線７５に接続されているとよい。
また、制御アプリケーションまたはデータは、ネットワークを介してサーバーなどから制御部７に提供されてもよい。この場合、外部装置とネットワーク通信を行う通信部がバス配線７５に接続されているとよい。
バス配線７５には、入力部７６および表示部７７が接続されている。入力部７６はキーボードおよびマウスなどの各種入力デバイスを含む。作業者は、入力部７６を介して制御部７に各種情報を入力する。表示部７７は、液晶モニタなどの表示デバイスで構成されており、各種情報を表示する。
制御部７は、それぞれの液処理ユニットの作動部（たとえば、薬液バルブ２５６、循環バルブ２５８、リンス液バルブ６２、洗浄液バルブ６６、シャッタ２５０Ｃまたはスピンモータ２５１Ｄなど）、搬送機構を駆動させる駆動部（たとえば、搬送機構の往復移動のためのモータなど）、インデクサロボット２３の作動部（たとえば、多関節アーム２３Ｂを駆動させるためのモータなど）などに接続されており、それらの動作を制御する。
＜流体ボックスの変形例＞
図２に示された例では、それぞれの密閉区画に１本の配管が配置されていたが、１つの密閉区画に複数本の配管が配置されていてもよい。
図４は、流体ボックスの構成の変形例を示す図である。図４に示されるように、流体ボックス４７では、リンス液を供給するための配管５１Ｂと洗浄液を供給するための配管５１Ａとが同一の密閉区画１６６に配置されている。
一方で、薬液の配管５１Ｃは密閉区画１６７に配置され、排液用配管５１Ｄは密閉区画１６８に配置されている。
ここで、リンス液および洗浄液は、ともに同一の処理液、たとえば、ＤＩＷ（脱イオン水）であるものとする。
図４に示されるような構成によれば、内壁の数を削減しつつも、異なる処理液間の雰囲気を介する混合を抑制することができる。
図５は、流体ボックスの構成の他の変形例を示す図である。図５に示されるように、流体ボックス４８では、密閉区画１６０、密閉区画１６４および密閉区画１５２それぞれに対応して、気体供給部２０１、気体供給部２０２および気体供給部２０３が設けられる。
気体供給部２０１、気体供給部２０２および気体供給部２０３は、対応する密閉区画に気体を供給することによって、当該密閉区画内の滞留していた気体を供給する気体に置換させる。そうすることによって、気体供給部２０１、気体供給部２０２および気体供給部２０３は、対応する密閉区画内の湿度を制御する。
なお、気体供給部２０１、気体供給部２０２および気体供給部２０３が供給する気体は、たとえば、ドライエアーまたは窒素などの不活性ガスである。また、気体供給部２０１、気体供給部２０２および気体供給部２０３が供給する気体の流量は、たとえば、図３に示された制御部７によって制御される。
図５に示されるような構成によれば、密閉区画内の湿度を低く抑えることによって、それぞれの密閉区画に配置された配管内に当該密閉区画内の雰囲気に含まれる水分などが浸透する度合いを低くすることができる。
たとえば、処理液であるＩＰＡに配管外の雰囲気に含まれる水分が浸透した場合、水分濃度が上昇し表面張力も大きくなるため、乾燥処理に伴って基板の上面におけるパターン破壊などが生じ得る。そのため、処理液への水分などの混合は、上記の湿度制御によって抑制する必要がある。
なお、１つの気体供給部が、複数の密閉区画に気体を供給する態様であってもよい。
また、図２の循環キャビネット６００内または図１の配管部内に気体を供給する気体供給部が別途設けられていてもよい。このような構成によれば、それらの箇所においても、当該箇所における配管周りの雰囲気の湿度を低く抑えることによって、配管内に外部の雰囲気に含まれる水分が浸透する度合いを低くすることができる。
図６は、流体ボックスの構成の他の変形例を示す図である。図６に示されるように、流体ボックス４９では、密閉区画１６０、密閉区画１６４および密閉区画１５２それぞれに対応して、圧力制御部３０１、圧力制御部３０２および圧力制御部３０３が設けられる。
圧力制御部３０１、圧力制御部３０２および圧力制御部３０３は、ドライエアー、窒素での減圧または真空制御などによって、対応する密閉区画内の圧力を制御する。そうすることによって、圧力制御部３０１、圧力制御部３０２および圧力制御部３０３は、密閉区画における配管内の圧力と、密閉区画内の圧力とのバランスを制御することができる。
なお、圧力制御部３０１、圧力制御部３０２および圧力制御部３０３の圧力制御動作は、たとえば、図３に示された制御部７によって制御される。制御部７は、配管内の処理液の圧力を測定する圧力計などからの出力値に基づいて、当該出力値を基準とするフィードバック制御を、圧力制御部３０１、圧力制御部３０２および圧力制御部３０３に行ってもよい。
図６に示されるような構成によれば、密閉区画内における配管外の圧力を、当該密閉区画における配管内の圧力以下とすることができる。さらには、密閉区画内における配管外の圧力を、当該密閉区画における配管内の圧力と等しくすることもできる。ただし、上記の「圧力が等しい」場合には、厳密に圧力が等しい場合だけでなく、たとえば、配管の内外で処理液の浸透が生じない範囲内で、密閉区画内における配管外の圧力と、当該密閉区画における配管内の圧力とが異なっている場合も含まれるものとする。
図６に示されるような構成によれば、配管内外の圧力差によって配管外の雰囲気に含まれる成分が配管内の処理液に混合することを抑制する、望ましくは防ぐことができる。
なお、複数の密閉区画間で、密閉区画内における配管外の圧力が同様に制御されてもよい。その場合、１つの圧力制御部が、複数の密閉区画における圧力を制御する態様であってもよい。
また、図２の循環キャビネット６００内または図１の配管部内の圧力を制御する圧力制御部が別途設けられていてもよい。このような構成によれば、それらの箇所においても、配管内外の圧力差によって配管外の雰囲気に含まれる成分が配管内の処理液に混合することを抑制することができる。
なお、図４、図５および図６の態様が、互いに組み合わせられて適用されてもよい。
＜内壁の変形例＞
配管外の雰囲気を隔離し、かつ、密閉するための内壁は、流体ボックスだけでなく、特に、複数の配管が近接して配置される箇所、たとえば、図１の配管部などにおいて設けられていてもよい。
また、上記の内壁は、それぞれの密閉区画の雰囲気を隔離し、かつ、密閉するものであればよいが、以下のような構造の内壁であってもよい。
図７は、流体ボックスの一部の構成の変形例を示す断面図である。なお、以下の図では、流体ボックスにおける内壁の断面構造が示されるが、それぞれの内壁層の厚さは便宜的なものであり、流体ボックスの外壁を含めて実際の厚さの比率などを示すものではない。
流体ボックス４４は、少なくとも、密閉区画１６０と密閉区画１６４との間を隔離する内壁層１４４Ａおよび内壁層１４４Ｂを備える。内壁層１４４Ａと内壁層１４４Ｂとは互いに接触し、かつ、密閉区画１６０と密閉区画１６４とを結ぶ方向に積層されている。また、内壁層１４４Ａは、内壁層１４４Ｂとは異なる材料からなる。なお、流体ボックス４４が備える内壁の数は図７に示される数に限られるものではない。
ここで、内壁層１４４Ａおよび内壁層１４４Ｂのうちの一方（図７においては内壁層１４４Ｂだが、逆であってもよい）は、特に限定されないが、たとえば、ステンレス鋼（ＳＵＳ）などの金属、または、パーフルオロアルコキシアルカン（ＰＦＡ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）またはポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）などのフッ素樹脂であってもよい。
図７に示されるような構成によれば、内壁層１４４Ｂが区画間の浸透を効果的に抑制するため、配管内の処理液の混合を抑制することができる。
図８は、流体ボックスの一部の構成の他の変形例を示す断面図である。流体ボックス４５は、少なくとも、密閉区画１６０と密閉区画１６４との間を隔離する内壁層１４５Ａおよび内壁層１４５Ｂを備える。内壁層１４５Ａおよび内壁層１４５Ｂは、たとえば、ＳＵＳなどの金属、または、ＰＦＡ、ＰＴＦＥまたはＰＶＤＦなどのフッ素樹脂であってもよい。
内壁層１４５Ａと内壁層１４５Ｂとは互いに離間しており、内壁層１４５Ａと内壁層１４５Ｂとの間に空気層である隙間１６５が形成されている。また、内壁層１４５Ａと内壁層１４５Ｂとは、空気層を挟んで、密閉区画１６０と密閉区画１６４とを結ぶ方向に積層されている。なお、流体ボックス４５が備える内壁の数は図８に示されるものに限られるものではない。
このような構成によれば、内壁層１４５Ａと内壁層１４５Ｂとの間の隙間１６５が区画間の浸透を効果的に抑制するため、配管内の処理液の混合を抑制することができる。
さらに、上記の隙間１６５に気体を供給する気体供給部が別途設けられていてもよい。このような構成によれば、隙間１６５における雰囲気の湿度を低く抑えることによって、隙間１６５の雰囲気に含まれる水分が配管内に浸透する度合いを低くすることができる。
なお、内壁層１４５Ａおよび内壁層１４５Ｂのうちの少なくとも一方は、ＳＵＳなどの金属、または、ＰＦＡ、ＰＴＦＥまたはＰＶＤＦなどのフッ素樹脂からなっていてもよい。
図９は、流体ボックスの一部の構成の他の変形例を示す断面図である。流体ボックス４６は、少なくとも、密閉区画１６０と密閉区画１６４との間を隔離する内壁層１４６Ａ、内壁層１４６Ｂおよび内壁層１４６Ｃを備える。内壁層１４６Ａおよび内壁層１４６Ｃは、たとえば、ＳＵＳなどの金属、または、ＰＦＡ、ＰＴＦＥまたはＰＶＤＦなどのフッ素樹脂であってもよい。
内壁層１４６Ｂは、内壁層１４６Ａおよび内壁層１４６Ｃとは異なる材料からなり、かつ、内壁層１４６Ａと内壁層１４６Ｃとの間に形成される。内壁層１４６Ａと内壁層１４６Ｂとは互いに接触し、また、内壁層１４６Ｂと内壁層１４６Ｃとは互いに接触する。また、内壁層１４６Ａ、内壁層１４６Ｂおよび内壁層１４６Ｃは、密閉区画１６０と密閉区画１６４とを結ぶ方向に積層されている。なお、流体ボックス４６が備える内壁の数は図９に示されるものに限られるものではない。
ここで、内壁層１４６Ｂは、特に限定されないが、たとえば、ＳＵＳなどの金属、または、ＰＦＡ、ＰＴＦＥまたはＰＶＤＦなどのフッ素樹脂からなっていてもよい。
図９に示されるような構成によれば、内壁層１４６Ｂが区画間の浸透を効果的に抑制するため、配管内の処理液の混合を抑制することができる。
また、内壁層１４６Ｂは、密閉区画１６０および密閉区画１６４のうちのいずれの区画にも面していない。そのため、浸透を抑制するための材料の成分が密閉区画内の雰囲気に混入するなどによって当該雰囲気が汚染されてしまうことが抑制される。
なお、流体ボックスに設けられる複数の内壁に、図７、図８および図９のうちの異なる態様がそれぞれ適用されていてもよい。
＜配管の変形例＞
上記の説明では、流体ボックスにおける構成の変形例が示されたが、流体ボックスに限られず、たとえば、図１の配管部、図２の循環キャビネット６００内、図２の循環キャビネット６００と流体ボックス４１Ａとを接続する配管経路などを含む領域において、配置される配管を二重配管とすることによって、配管外の雰囲気と配管内の雰囲気とを隔離することが望ましい。特に、図１の配管部などの、複数の配管が近接して（たとえば、１ｃｍ程度の距離に）配置される箇所では、二重配管によって配管内外の雰囲気を隔離することによって配管内の処理液の混合を抑制する効果は大きい。
図１０は、二重配管の構成の例を示す断面図である。なお、以下の図では、配管の断面構造が示されるが、それぞれの配管材の厚さは便宜的なものであり、実際の厚さの比率などを示すものではない。
図１０に例が示されるように、配管３５０は、リンス液、洗浄液または薬液などの処理液が流れる流路（図１０の中心部分）を囲む筒状の配管材３５０Ａと、配管材３５０Ａをさらに囲む筒状の配管材３５０Ｂとを備える。配管材３５０Ｂは、配管材３５０Ａとは異なる材料からなる。なお、配管材３５０Ａおよび配管材３５０Ｂの形状は、図１０に示されるような円筒形状に限られるものではなく、たとえば、角筒形状などであってもよい。
配管材３５０Ａは、ＰＦＡなどの樹脂材料からなる。一方で、配管材３５０Ｂは、配管材３５０Ａとは異なる材料からなる。そして、配管材３５０Ｂは、特に限定されないが、たとえば、ＳＵＳなどの金属、または、ＰＦＡ、ＰＴＦＥまたはＰＶＤＦなどのフッ素樹脂であってもよい。
図１０に示されるような構成によれば、配管材３５０Ｂが配管内外の浸透を効果的に抑制するため、配管内の処理液の混合を抑制することができる。
図１１は、二重配管の構成の他の例を示す断面図である。図１１に例が示されるように、配管３５１は、処理液が流れる流路（図１１の中心部分）を囲む筒状の配管材３５１Ａと、配管材３５１Ａをさらに囲む筒状の配管材３５１Ｂと、配管材３５１Ｂをさらに囲む筒状の配管材３５１Ｃとを備える。配管材３５１Ｂは、配管材３５１Ａおよび配管材３５１Ｃとは異なる材料からなる。なお、配管材３５１Ａ、配管材３５１Ｂおよび配管材３５１Ｃの形状は、図１１に示されるような円筒形状に限られるものではなく、たとえば、角筒形状などであってもよい。
配管材３５１Ａおよび配管材３５１Ｃは、ＰＦＡなどの樹脂材料からなる。なお、配管材３５１Ａと配管材３５１Ｃとは、同じ材料から構成されていてもよい。一方で、配管材３５１Ｂは、配管材３５１Ａおよび配管材３５１Ｃとは異なる材料からなる。そして、配管材３５１Ｂは、特に限定されないが、たとえば、ＳＵＳなどの金属、または、ＰＦＡ、ＰＴＦＥまたはＰＶＤＦなどのフッ素樹脂であってもよい。
図１１に示されるような構成によれば、配管材３５１Ｂが配管内外の浸透を効果的に抑制するため、配管内の処理液の混合を抑制することができる。また、配管材３５１Ｃがさらに設けられることによって、たとえば、ＳＵＳなどの金属、または、ＰＦＡ、ＰＴＦＥまたはＰＶＤＦなどのフッ素樹脂からなる配管材３５１Ｂが配管外の雰囲気に曝されることがないため、配管材３５１Ｂと配管外の雰囲気との間で生じ得る反応を抑制することができる。
図１２は、二重配管の構成の他の例を示す断面図である。図１２に例が示されるように、配管３５２は、処理液が流れる流路（図１２の中心部分）を囲む筒状の配管材３５２Ａと、配管材３５２Ａをさらに囲む筒状の配管材３５２Ｂとを備える。なお、配管材３５２Ａおよび配管材３５２Ｂの形状は、図１２に示されるような円筒形状に限られるものではなく、たとえば、角筒形状などであってもよい。
ここで、配管材３５２Ａと配管材３５２Ｂとの間に密閉された空間である隙間３５３が形成される。また、配管材３５２Ａおよび配管材３５２Ｂは、ＰＦＡなどの樹脂材料からなる。
図１２に示されるような構成によれば、配管材３５２Ａと配管材３５２Ｂとの間の隙間３５３が配管内外の浸透を効果的に抑制するため、外部の雰囲気の成分が配管内の処理液に混合することを抑制することができる。
さらに、上記の隙間３５３内に気体を供給する気体供給部３５４が別途設けられていてもよい。このような構成によれば、隙間３５３における雰囲気の湿度を低く抑えることによって、隙間３５３の雰囲気に含まれる水分が配管内に浸透する度合いを低くすることができる。
＜以上に記載された実施の形態によって生じる効果について＞
次に、以上に記載された実施の形態によって生じる効果の例を示す。なお、以下の説明においては、以上に記載された実施の形態に例が示された具体的な構成に基づいて当該効果が記載されるが、同様の効果が生じる範囲で、本願明細書に例が示される他の具体的な構成と置き換えられてもよい。
以上に記載された実施の形態によれば、基板処理装置は、複数の配管（配管５１Ａ、配管５１Ｂおよび配管５１Ｃ）と、基板処理部と、配管配置部とを備える。ここで、基板処理部は、たとえば、液処理ユニット３１Ａに対応するものである。また、配管配置部は、たとえば、流体ボックス４１Ａまたは配管部５１など、複数の配管が近接して配置される箇所に対応するものである。配管は、基板Ｗの処理を行うための処理液（薬液、リンス液および洗浄液を含む）を供給する。液処理ユニット３１Ａには、複数の配管が接続される。また、液処理ユニット３１Ａは、処理液を用いて基板Ｗを処理する。流体ボックス４１Ａでは、複数の配管が互いに近接して配置される。また、流体ボックス４１Ａは、複数のうちの少なくとも１つの配管５１Ａを他の配管５１Ｂと隔離し、かつ、隔離されたそれぞれの区画（図２においては、密閉区画１６０および密閉区画１６４）における雰囲気を密閉する内壁１４１Ａを備える。
このような構成によれば、処理液の混合およびそれに伴うパーティクルの発生を抑制することができる。具体的には、内壁によってそれぞれの密閉区画の雰囲気が隔離されているため、近接して配置された配管（たとえば、１ｃｍ程度の距離に配置された配管）から当該配管外の雰囲気へ浸透した処理液が、隣接する密閉区画における配管内へ浸透することは十分に抑制される。
なお、本願明細書に例が示される他の構成のうちの少なくとも１つを、以上に記載された構成に適宜追加した場合、すなわち、以上に記載された構成としては言及されなかった本願明細書に例が示される他の構成が適宜追加された場合であっても、同様の効果を生じさせることができる。
また、以上に記載された実施の形態によれば、配管配置部は、液処理ユニット３１Ａに隣接する流体ボックスである。このような構成によれば、液処理ユニット３１Ａに接続される複数の配管が近接して配置される流体ボックスにおいて内壁が設けられることによって、密閉区画を跨いで近接して配置された配管から当該配管外の雰囲気へ浸透した処理液が、隣の密閉区画における配管内へ浸透することは十分に抑制される。
また、以上に記載された実施の形態によれば、少なくとも１つの密閉区画１６６内には、複数の配管５１Ａおよび配管５１Ｂが配置される。そして、同じ密閉区画１６６内における複数の配管５１Ａおよび配管５１Ｂは、同種の処理液を供給するための配管である。このような構成によれば、内壁の数を削減しつつも、異なる処理液間の雰囲気を介する混合を抑制することができる。
また、以上に記載された実施の形態によれば、基板処理装置は、密閉区画内に気体を供給する気体供給部２０１、気体供給部２０２および気体供給部２０３を備える。このような構成によれば、密閉区画内の湿度を低く抑えることによって、それぞれの密閉区画に配置された配管内に当該密閉区画内の雰囲気に含まれる水分などが浸透する度合いを低くすることができる。
また、以上に記載された実施の形態によれば、気体供給部２０１によって密閉区画１６０内に供給される気体は、ドライエアーまたは不活性ガスである。このような構成によれば、密閉区画内の湿度を低く抑えるように湿度を制御することができる。
また、以上に記載された実施の形態によれば、基板処理装置は、密閉区画１６０内における圧力を制御する圧力制御部３０１を備える。そして、圧力制御部３０１が、密閉区画１６０内における圧力を、配管５１Ｂ内における圧力以下に制御する。このような構成によれば、配管内外の圧力差によって配管外の雰囲気に含まれる成分（たとえば、水分）が配管内の処理液に混合することを抑制することができる。
また、以上に記載された実施の形態によれば、圧力制御部３０１が、密閉区画１６０内における圧力を、配管５１Ｂ内における圧力と等しくなるように制御する。このような構成によれば、配管内外の圧力差によって配管外の雰囲気に含まれる成分（たとえば、水分）が配管内の処理液に混合することを抑制することができる。
また、以上に記載された実施の形態によれば、内壁は、第１の内壁層と、第２の内壁層とを備える。ここで、第１の内壁層は、たとえば、内壁層１４４Ａおよび内壁層１４６Ａのうちのいずれか１つに対応するものである。また、第２の内壁層は、たとえば、内壁層１４４Ｂおよび内壁層１４６Ｂのうちのいずれか１つに対応するものである。ここで、内壁層１４４Ｂは内壁層１４４Ａとは異なる材料からなる。また、内壁層１４４Ｂは、内壁層１４４Ａに積層される。同様に、内壁層１４６Ｂは内壁層１４６Ａとは異なる材料からなる。また、内壁層１４６Ｂは、内壁層１４６Ａに積層される。また、第１の内壁層と第２の内壁層とは、互いに隔離される区画間を結ぶ方向に積層される。このような構成によれば、内壁層１４４Ｂ（内壁層１４６Ｂ）が区画間の浸透を効果的に抑制するため、配管内の処理液の混合を抑制することができる。
また、以上に記載された実施の形態によれば、内壁層１４４Ｂおよび内壁層１４６Ｂは、金属またはフッ素樹脂からなる。このような構成によれば、内壁層１４４Ｂ（内壁層１４６Ｂ）が区画間の浸透を効果的に抑制するため、配管内の処理液の混合を抑制することができる。
また、以上に記載された実施の形態によれば、内壁は、第１の内壁層と、第２の内壁層とを備える。ここで、第１の内壁層は、たとえば、内壁層１４５Ａおよび内壁層１４６Ａのうちのいずれか１つに対応するものである。また、第２の内壁層は、たとえば、内壁層１４５Ｂおよび内壁層１４６Ｃのうちのいずれか１つに対応するものである。内壁層１４５Ｂは、内壁層１４５Ａとの間に隙間１６５が形成される。そして、内壁層１４５Ａと内壁層１４５Ｂとは、互いに隔離される区画間を結ぶ方向に積層される。このような構成によれば、内壁層１４５Ａと内壁層１４５Ｂとの間の隙間１６５が区画間の浸透を効果的に抑制するため、配管内の処理液の混合を抑制することができる。
また、以上に記載された実施の形態によれば、内壁は、内壁層１４６Ａと内壁層１４６Ｃとの間の隙間に形成される第３の内壁層を備える。ここで、第３の内壁層は、たとえば、内壁層１４６Ｂに対応するものである。そして、内壁層１４６Ｂは、金属またはフッ素樹脂からなる。このような構成によれば、内壁層１４６Ｂは、密閉区画１６０および密閉区画１６４のうちのいずれの区画にも面していない。そのため、浸透を抑制するための材料が密閉区画内の雰囲気に混入するなどによって当該雰囲気が汚染されてしまうことが抑制される。
また、以上に記載された実施の形態によれば、基板処理装置は、基板Ｗを処理するための処理液を供給するための配管３５２と、配管３５２が接続され、かつ、処理液を用いて基板Ｗを処理するための液処理ユニット３１Ａとを備える。配管３５２は、筒状の第１の配管材と、筒状の第２の配管材とを備える。ここで、第１の配管材は、たとえば、配管材３５２Ａに対応するものである。また、第２の配管材は、たとえば、配管材３５２Ｂに対応するものである。配管材３５２Ａは、処理液が流れる流路を囲む。配管材３５２Ｂは、配管材３５２Ａを囲む。そして、配管材３５２Ａと配管材３５２Ｂとの間に密閉された隙間３５３が形成される。このような構成によれば、配管材３５２Ａと配管材３５２Ｂとの間の隙間３５３が配管内外の浸透を効果的に抑制するため、外部の雰囲気の成分（たとえば、水分）が配管内の処理液に混合することを抑制することができる。
また、以上に記載された実施の形態によれば、基板処理装置は、隙間３５３内に気体を供給する気体供給部３５４を備える。このような構成によれば、隙間３５３における雰囲気の湿度を低く抑えることによって、隙間３５３の雰囲気に含まれる水分が配管内に浸透する度合いを低くすることができる。
また、以上に記載された実施の形態によれば、基板処理装置は、基板Ｗを処理するための処理液を供給するための配管３５０と、配管３５０が接続され、かつ、処理液を用いて基板Ｗを処理するための液処理ユニット３１Ａとを備える。そして、配管３５０は、筒状の第１の配管材と、筒状の第２の配管材とを備える。ここで、第１の配管材は、たとえば、配管材３５０Ａに対応するものである。また、第２の配管材は、たとえば、配管材３５０Ｂに対応するものである。配管材３５０Ａは、処理液が流れる流路を囲む。配管材３５０Ｂは、配管材３５０Ａとは異なる材料からなる。また、配管材３５０Ｂは、配管材３５０Ａを囲む。そして、配管材３５０Ｂは、ＳＵＳなどの金属、または、ＰＦＡ、ＰＴＦＥまたはＰＶＤＦなどのフッ素樹脂からなる。このような構成によれば、配管材３５０Ｂが配管内外の浸透を効果的に抑制するため、外部の雰囲気の成分が配管内の処理液に混合することを抑制することができる。
また、以上に記載された実施の形態によれば、配管３５１は、筒状の第３の配管材を備える。ここで、第３の配管材は、たとえば、配管材３５１Ｃに対応するものである。配管材３５１Ｃは、配管材３５１Ｂとは異なる材料からなる。また、配管材３５１Ｃは、配管材３５１Ｂを囲む。このような構成によれば、配管材３５１Ｃが設けられることによって、ＳＵＳなどの金属、または、ＰＦＡ、ＰＴＦＥまたはＰＶＤＦなどのフッ素樹脂からなる配管材３５１Ｂが配管外の雰囲気に曝されることがないため、配管材３５１Ｂと配管外の雰囲気との間で生じ得る反応を抑制することができる。
＜以上に記載された実施の形態における変形例について＞
以上に記載された実施の形態では、それぞれの構成要素の材質、材料、寸法、形状、相対的配置関係または実施の条件などについても記載する場合があるが、これらはすべての局面においてひとつの例であって、本願明細書に記載されたものに限られることはないものとする。
したがって、例が示されていない無数の変形例、および、均等物が、本願明細書に開示される技術の範囲内において想定される。たとえば、少なくとも１つの構成要素を変形する場合、追加する場合または省略する場合が含まれるものとする。
Ｚ１ 回転軸線
ＴＷ３１，ＴＷ３２，ＴＷ３３ 処理タワー
Ｗ 基板
１ 基板処理装置
２ インデクサセクション
３ 処理セクション
７ 制御部
２１ 基板収容器
２２ ステージ
２３ インデクサロボット
２３Ａ 基台部
２３Ｂ 多関節アーム
２３Ｃ，２３Ｄ ハンド
３０ 搬送領域
３１，３２，３３ 処理モジュール
３１Ａ，３１Ｂ，３１Ｃ，３２Ａ，３２Ｂ，３２Ｃ，３３Ａ，３３Ｂ，３３Ｃ 液処理ユニット
４１Ａ，４１Ｂ，４１Ｃ，４２Ａ，４２Ｂ，４２Ｃ，４３Ａ，４３Ｂ，４３Ｃ，４４，４５，４６，４７，４８，４９ 流体ボックス
５１，５２，５３ 配管部
５１Ａ，５１Ｂ，５１Ｃ，５１Ｄ，５２Ａ，５２Ｂ，５２Ｃ，５３Ａ，５３Ｂ，５３Ｃ，３５０，３５１，３５２ 配管
５１Ｄ，５２Ｄ，５３Ｄ 排液用配管
６０ リンス液ノズル
６２ リンス液バルブ
６４ 洗浄液ノズル
６６ 洗浄液バルブ
７１ ＣＰＵ
７２ ＲＯＭ
７３ ＲＡＭ
７４ 記憶部
７５ バス配線
７６ 入力部
７７ 表示部
１４１Ａ，１４１Ｂ，１４１Ｃ 内壁
１４４Ａ，１４４Ｂ，１４５Ａ，１４５Ｂ，１４６Ａ，１４６Ｂ，１４６Ｃ 内壁層
１５２，１５４，１６０，１６４，１６６，１６７，１６８ 密閉区画
１６５，３５３ 隙間
２０１，２０２，２０３，３５４ 気体供給部
２５０ 処理室
２５０Ａ 壁
２５０Ｂ 開口部
２５０Ｃ シャッタ
２５１ スピンチャック
２５１Ａ スピンベース
２５１Ｃ 回転軸
２５１Ｄ スピンモータ
２５２ 薬液ノズル
２５３ 薬液タンク
２５５ 送液装置
２５６ 薬液バルブ
２５７ 循環配管
２５８ 循環バルブ
３０１，３０２，３０３ 圧力制御部
３５０Ａ，３５０Ｂ，３５１Ａ，３５１Ｂ，３５１Ｃ，３５２Ａ，３５２Ｂ 配管材
５１１ 処理カップ
５１３ 排液口
５１５ 排気口
６００ 循環キャビネット

Claims (23)

  1. 基板の処理を行うための処理液を供給するための複数の配管と、
    複数の前記配管が接続され、かつ、前記処理液を用いて前記基板を処理するための基板処理部と、
    複数の前記配管が互いに近接して配置される配管配置部とを備え、
    前記配管配置部は、複数のうちの少なくとも１つの前記配管を他の前記配管と隔離し、かつ、隔離されたそれぞれの区画における雰囲気を密閉する少なくとも１つの内壁を備える、
    基板処理装置。
  2. 請求項１に記載の基板処理装置であり、
    前記配管配置部は、前記基板処理部に隣接する流体ボックスである、
    基板処理装置。
  3. 請求項１または２に記載の基板処理装置であり、
    少なくとも１つの前記区画内には、複数の前記配管が配置され、
    同じ前記区画内における複数の前記配管は、同種の前記処理液を供給するための前記配管である、
    基板処理装置。
  4. 請求項１から３のうちのいずれか１つに記載の基板処理装置であり、
    前記区画内に気体を供給する気体供給部をさらに備える、
    基板処理装置。
  5. 請求項４に記載の基板処理装置であり、
    前記気体供給部によって前記区画内に供給される前記気体は、ドライエアーまたは不活性ガスである、
    基板処理装置。
  6. 請求項１から５のうちのいずれか１つに記載の基板処理装置であり、
    前記区画内における圧力を制御する圧力制御部をさらに備え、
    前記圧力制御部が、前記区画内における圧力を、前記配管内における圧力以下に制御する、
    基板処理装置。
  7. 請求項６に記載の基板処理装置であり、
    前記圧力制御部が、前記区画内における圧力を、前記配管内における圧力と等しくなるように制御する、
    基板処理装置。
  8. 請求項１から７のうちのいずれか１つに記載の基板処理装置であり、
    前記内壁は、
    第１の内壁層と、
    前記第１の内壁層とは異なる材料からなり、かつ、前記第１の内壁層に積層される第２の内壁層とを備え、
    前記第１の内壁層と前記第２の内壁層とは、互いに隔離される区画間を結ぶ方向に積層される、
    基板処理装置。
  9. 請求項８に記載の基板処理装置であり、
    前記第２の内壁層は、金属またはフッ素樹脂からなる、
    基板処理装置。
  10. 請求項１から７のうちのいずれか１つに記載の基板処理装置であり、
    前記内壁は、
    第１の内壁層と、
    前記第１の内壁層との間に隙間が形成される第２の内壁層とを備え、
    前記第１の内壁層と前記第２の内壁層とは、互いに隔離される区画間を結ぶ方向に積層される、
    基板処理装置。
  11. 請求項１０に記載の基板処理装置であり、
    前記内壁は、前記隙間に形成される第３の内壁層をさらに備え、
    前記第３の内壁層は、金属またはフッ素樹脂からなる、
    基板処理装置。
  12. 基板を洗浄処理またはエッチング処理するための処理液を供給するための複数の配管と、
    複数の前記配管が接続され、かつ、前記処理液を用いて前記基板を洗浄処理またはエッチング処理するための基板処理部と、
    複数の前記配管が互いに近接して配置される配管配置部とを備え、
    前記配管配置部内の前記配管は、
    前記処理液が流れる流路を囲む筒状の第１の配管材と、
    前記第１の配管材を囲む筒状の第２の配管材とを備え、
    前記第１の配管材と前記第２の配管材との間に密閉された隙間が形成される、
    基板処理装置。
  13. 請求項１２に記載の基板処理装置であり、
    前記配管配置部は、複数のうちの少なくとも１つの前記配管を他の前記配管と隔離し、かつ、隔離されたそれぞれの区画における雰囲気を密閉する少なくとも１つの内壁を備える、
    基板処理装置。
  14. 請求項１２に記載の基板処理装置であり、
    前記隙間内に気体を供給する気体供給部をさらに備える、
    基板処理装置。
  15. 基板を処理するための処理液を供給するための複数の配管と、
    複数の前記配管が接続され、かつ、前記処理液を用いて前記基板を処理するための基板処理部と、
    複数の前記配管が互いに近接して配置される配管配置部とを備え、
    前記配管配置部内の前記配管は、
    前記処理液が流れる流路を囲む筒状の第１の配管材と、
    前記第１の配管材とは異なる材料からなり、かつ、前記第１の配管材を囲む筒状の第２の配管材と、
    前記第２の配管材とは異なる材料からなり、かつ、前記第２の配管材を囲む筒状の第３の配管材とを備える、
    基板処理装置。
  16. 請求項１５に記載の基板処理装置であり、
    前記第１の配管材および前記第３の配管材は、ＰＦＡからなり、
    前記第２の配管材は、ＳＵＳを含む金属、または、ＰＦＡ、ＰＴＦＥまたはＰＶＤＦを含むフッ素樹脂からなる、
    基板処理装置。
  17. 処理液を供給するための複数の配管が接続され、かつ、前記処理液を用いて基板を処理するための基板処理部と、複数の前記配管が互いに近接して配置される配管配置部とを備える基板処理装置を用いて前記基板を処理する基板処理方法であり、
    前記基板処理部が、前記処理液を用いて前記基板を処理する工程を備え、
    前記配管配置部は、複数のうちの少なくとも１つの前記配管を他の前記配管と隔離し、かつ、隔離されたそれぞれの区画における雰囲気を密閉する少なくとも１つの内壁を備える、
    基板処理方法。
  18. 請求項１７に記載の基板処理方法であり、
    前記区画内に気体を供給する工程をさらに備える、
    基板処理方法。
  19. 請求項１７または１８に記載の基板処理方法であり、
    前記区画内における圧力を、前記配管内における圧力以下にする工程をさらに備える、
    基板処理方法。
  20. 請求項１７から１９のうちのいずれか１つに記載の基板処理方法であり、
    前記区画内における圧力を、前記配管内における圧力と等しくする工程をさらに備える、
    基板処理方法。
  21. 処理液を供給するための複数の配管が接続され、かつ、前記処理液を用いて基板の洗浄処理またはエッチング処理を行うための基板処理部と、複数の前記配管が互いに近接して配置される配管配置部とを備える基板処理装置を用いて前記基板の洗浄処理またはエッチング処理を行う基板処理方法であり、
    前記基板処理部が、前記処理液を用いて前記基板を洗浄処理またはエッチング処理する工程を備え、
    前記配管配置部内の前記配管は、
    前記処理液が流れる流路を囲む筒状の第１の配管材と、
    前記第１の配管材を囲む筒状の第２の配管材とを備え、
    前記第１の配管材と前記第２の配管材との間に密閉された隙間が形成される、
    基板処理方法。
  22. 請求項２１に記載の基板処理方法であり、
    前記隙間内に気体を供給する工程をさらに備える、
    基板処理方法。
  23. 処理液を供給するための複数の配管が接続され、かつ、前記処理液を用いて基板の処理を行うための基板処理部と、複数の前記配管が互いに近接して配置される配管配置部とを備える基板処理装置を用いて前記基板の処理を行う基板処理方法であり、
    前記基板処理部が、前記処理液を用いて前記基板を処理する工程を備え、
    前記配管配置部内の前記配管は、
    前記処理液が流れる流路を囲む筒状の第１の配管材と、
    前記第１の配管材とは異なる材料からなり、かつ、前記第１の配管材を囲む筒状の第２の配管材と、
    前記第２の配管材とは異なる材料からなり、かつ、前記第２の配管材を囲む筒状の第３の配管材とを備える、
    基板処理方法。
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006112507A (ja) 2004-10-14 2006-04-27 Tohoku Univ フッ素樹脂２層チューブ及びその製造方法
WO2008047541A1 (fr) 2006-09-29 2008-04-24 National University Corporation Tohoku University Appareil d'application en revêtement de film et procédé d'application en revêtement de film

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3280880B2 (ja) * 1997-02-07 2002-05-13 東京エレクトロン株式会社 脱気機構およびそれを用いた処理装置
KR101685096B1 (ko) * 2015-11-17 2016-12-12 주식회사 유진테크 기판처리장치 및 이를 이용한 기판처리방법

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006112507A (ja) 2004-10-14 2006-04-27 Tohoku Univ フッ素樹脂２層チューブ及びその製造方法
WO2008047541A1 (fr) 2006-09-29 2008-04-24 National University Corporation Tohoku University Appareil d'application en revêtement de film et procédé d'application en revêtement de film

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