JP2022103812A - 基板処理装置、洗浄ユニット、および、多連弁洗浄方法 - Google Patents
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Abstract
Description
以下、本実施の形態に関する基板処理装置、および、洗浄ユニットについて説明する。
図1は、本実施の形態に関する基板処理装置1の構成の例を概略的に示す平面図である。基板処理装置1は、ロードポート601と、インデクサロボット602と、センターロボット603と、制御部90と、少なくとも1つの処理ユニット600(図1においては4つの処理ユニット)とを備える。
図4は、処理ユニット600の構成の例を示す図である。図4に例が示されるように、処理ユニット600は、1枚の基板Wを略水平姿勢で保持しつつ、基板Wの中央部を通る鉛直な回転軸線Z1まわりに基板Wを回転させるスピンチャック10と、基板Wに処理液を吐出する処理液ノズル20と、処理液ノズル20が端部に取り付けられたノズルアーム22と、基板Wの回転軸線Z1まわりにスピンチャック10を取り囲む筒状の処理カップ12とを備える。
次に、図1から図4を参照しつつ、本実施の形態に関する基板処理装置1の動作を説明する。
図5は、本実施の形態に関する基板処理装置1Aの構成のうち、それぞれの処理ユニット600に配管を介して接続される構造の変形例を示す図である。
次に、以上に記載された実施の形態によって生じる効果の例を示す。なお、以下の説明においては、以上に記載された実施の形態に例が示された具体的な構成に基づいて当該効果が記載されるが、同様の効果が生じる範囲で、本願明細書に例が示される他の具体的な構成と置き換えられてもよい。すなわち、以下では便宜上、対応づけられる具体的な構成のうちのいずれか1つのみが代表して記載される場合があるが、代表して記載された具体的な構成が対応づけられる他の具体的な構成に置き換えられてもよい。
以上に記載された実施の形態では、それぞれの構成要素の寸法、形状、相対的配置関係または実施の条件などについても記載する場合があるが、これらはすべての局面においてひとつの例であって、限定的なものではないものとする。
10 スピンチャック
10A スピンベース
10C 回転軸
10D スピンモータ
12 処理カップ
20 処理液ノズル
22 ノズルアーム
22A アーム部
22B 軸体
22C アクチュエータ
30,40,50,330 キャビネット
32,42,52,82,232,332 薬液タンク
34,44,54,81,83,84,85,234,331,333,334,335 バルブ
36,46,56,86,236,336 ポンプ
38,48,58,88,238,338 フィルター
39,49,59,61,71,100,239,339,404,406,408,410,414,502,506,508,510,512 供給配管
60,70,160,170,260,270 流体ボックス
62A,62B,62C,62D,67,72A,72B,72C,72D,77,162A,162B,162C,240,241 供給バルブ
64E,64F,64G,74E,74F,74G,164E,164F,164G,412,504 接続配管
65,75,87,89,337 開放バルブ
66E,66F,66G,76E,76F,76G,166E,166F,166G 接続バルブ
68,78 多連弁
68A,78A 接続部
68B,68C,68D,68E,68F,78B,78C,78D,78E,78F 選択バルブ
69,79 排液バルブ
80 洗浄ユニット
90 制御部
91 CPU
92 ROM
93 RAM
94 記録装置
94P 処理プログラム
95 バスライン
96 入力部
97 表示部
98 通信部
180 チャンバ
230 洗浄キャビネット
262,272 循環バルブ
264,274,402,514 循環配管
340 配管
516 排液配管
600,600A,600B 処理ユニット
601 ロードポート
602 インデクサロボット
603 センターロボット
604 基板載置部
Claims (17)
- 薬液を供給するためのタンクと、
基板を処理するための複数種の処理液が供給され、かつ、複数種の前記処理液のうちの少なくとも1つを選択的に供給可能な多連弁と、
前記多連弁から供給される前記処理液を用いて前記基板を処理するための処理液ノズルとを備え、
前記基板を処理するための基板処理モードと、少なくとも前記多連弁を洗浄するための洗浄モードとで切り替え可能であり、
前記基板処理モードでは、前記処理液ノズルに供給された前記処理液によって前記基板が処理され、
前記洗浄モードでは、前記処理液ノズルを介さずに、前記タンクと前記多連弁とを介する経路である洗浄経路において、前記タンクから前記多連弁へ前記薬液が供給される、
基板処理装置。 - 請求項1に記載の基板処理装置であり、
前記薬液が、複数種の前記処理液のうちの1つである、
基板処理装置。 - 請求項1または2に記載の基板処理装置であり、
前記洗浄経路の、前記タンクの下流、かつ、前記多連弁の上流の位置において、
前記薬液が供給される複数の供給配管と、
複数の前記供給配管に跨って接続される少なくとも1つの接続配管とをさらに備える、
基板処理装置。 - 請求項3に記載の基板処理装置であり、
前記接続配管は、前記多連弁を収容する筐体内に収容される、
基板処理装置。 - 請求項3または4に記載の基板処理装置であり、
前記接続配管は、前記タンクおよび前記多連弁を収容する筐体内に収容される、
基板処理装置。 - 請求項3から5のうちのいずれか1つに記載の基板処理装置であり、
前記多連弁は、複数の前記供給配管のそれぞれを開閉させる複数の選択バルブを備え、
前記洗浄モードでは、複数の前記供給配管のうちの少なくとも1つが、対応する前記選択バルブによって開閉される、
基板処理装置。 - 請求項1から6のうちのいずれか1つに記載の基板処理装置であり、
前記洗浄モードでは、前記洗浄経路において前記薬液が循環する、
基板処理装置。 - 請求項7に記載の基板処理装置であり、
リンス液を供給するためのリンス液供給源と、
前記多連弁内を吸引する吸引部とをさらに備え、
前記洗浄モードでは、前記洗浄経路における前記薬液の循環の後、前記多連弁に前記リンス液が供給され、さらに、前記吸引部によって前記多連弁内が吸引される、
基板処理装置。 - 請求項8に記載の基板処理装置であり、
前記洗浄モードでは、前記洗浄経路における前記薬液の循環、前記薬液の循環の後の前記リンス液の供給、および、前記リンス液の供給の後の前記多連弁内の吸引が、複数回繰り返される、
基板処理装置。 - 請求項1から7のうちのいずれか1つに記載の基板処理装置であり、
前記洗浄モードでは、前記薬液の供給圧が変動する、
基板処理装置。 - 薬液を供給するためのタンクと、
少なくとも多連弁を洗浄するための経路である洗浄経路を形成するための洗浄配管とを備え、
前記多連弁は、複数種の処理液が供給され、かつ、複数種の前記処理液のうちの少なくとも1つを選択的に供給可能であり、
前記洗浄経路は、前記タンクを介し、
前記多連弁は、前記洗浄経路において、前記タンクから供給される前記薬液によって洗浄され、
前記洗浄配管は、前記多連弁に対して着脱可能である、
洗浄ユニット。 - 請求項11に記載の洗浄ユニットであり、
前記洗浄経路の、前記タンクの下流、かつ、前記多連弁の上流の位置において、
前記薬液が供給される複数の供給配管と、
複数の前記供給配管に跨って接続される少なくとも1つの接続配管とをさらに備える、
洗浄ユニット。 - 請求項12に記載の洗浄ユニットであり、
前記多連弁は、複数の前記供給配管のそれぞれを開閉させる複数の選択バルブを備え、
複数の前記供給配管のうちの少なくとも1つが、対応する前記選択バルブによって開閉される、
洗浄ユニット。 - 請求項11から13のうちのいずれか1つに記載の洗浄ユニットであり、
前記洗浄経路において前記薬液が循環する、
洗浄ユニット。 - 請求項11から14のうちのいずれか1つに記載の洗浄ユニットであり、
リンス液を供給するためのリンス液供給源と、
前記多連弁内を吸引する吸引部とをさらに備え、
前記洗浄経路における前記薬液の循環の後、前記多連弁に前記リンス液が供給され、さらに、前記吸引部によって前記多連弁内が吸引される、
洗浄ユニット。 - 請求項15に記載の洗浄ユニットであり、
前記洗浄経路における前記薬液の循環、前記薬液の循環の後の前記リンス液の供給、および、前記リンス液の供給の後の前記多連弁内の吸引が、複数回繰り返される、
洗浄ユニット。 - 基板を処理するための複数種の処理液が供給され、かつ、複数種の前記処理液のうちの少なくとも1つを選択的に供給可能な状態で基板処理装置に接続された多連弁を洗浄する多連弁洗浄方法であり、
前記基板処理装置は、
薬液を供給するためのタンクと、
前記多連弁から供給される前記処理液を用いて前記基板を処理するための処理液ノズルとを備え、
前記基板処理装置は、前記基板を処理するための基板処理モードと、少なくとも前記多連弁を洗浄するための洗浄モードとで切り替え可能であり、
前記基板処理モードでは、前記処理液ノズルに供給された前記処理液によって前記基板が処理され、
前記洗浄モードでは、前記処理液ノズルを介さずに、前記タンクと前記多連弁とを介する経路である洗浄経路において、前記タンクから前記多連弁へ前記薬液が供給され、
前記洗浄モードで、前記多連弁を洗浄する工程を備える、
多連弁洗浄方法。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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