KR102657210B1

KR102657210B1 - 기판 처리 방법

Info

Publication number: KR102657210B1
Application number: KR1020220047094A
Authority: KR
Inventors: 아키라 이시마루; 류타 츠카하라; 히데카즈 이시카와; 유스케 다케마츠
Original assignee: 가부시키가이샤 스크린 홀딩스
Priority date: 2021-06-28
Filing date: 2022-04-15
Publication date: 2024-04-12
Also published as: JP2023004684A; CN115602572A; KR20230001502A

Abstract

(과제) 기판 처리에 있어서의 흡인 동작에서 기인하는 문제를 억제한다.
(해결 수단) 기판 처리 방법은, 적어도, 기판을 처리하기 위한 처리액과 세정을 실시하기 위한 세정액 중 적어도 일방을 선택적으로 공급 가능한 다련 밸브와, 기판에 처리액을 토출하기 위한 처리액 노즐과, 다련 밸브와 처리액 노즐을 접속하는 접속 배관과, 접속 배관으로부터 분기하여 형성되고, 또한, 접속 배관 내를 흡인하기 위한 흡인 배관을 구비하고, 다련 밸브로부터 흡인 배관으로 세정액을 공급함으로써 흡인 배관 내를 세정하는 공정을 구비한다.

Description

기판 처리 방법{SUBSTRATE PROCESSING METHOD}

본원 명세서에 개시되는 기술은 기판 처리 기술에 관한 것이다. 처리 대상이 되는 기판에는, 예를 들어, 반도체 웨이퍼, 액정 표시 장치용 유리 기판, 유기 EL (electroluminescence) 표시 장치 등의 flat panel display (FPD) 용 기판, 광 디스크용 기판, 자기 디스크용 기판, 광 자기 디스크용 기판, 포토마스크용 유리 기판, 세라믹 기판, 전계 방출 디스플레이 (field emission display, 즉, FED) 용 기판, 또는, 태양 전지용 기판 등이 포함된다.

종래부터, 반도체 기판 (이하, 간단히 「기판」 이라고 칭한다) 의 제조 공정에서는, 기판 처리 장치를 사용하여 기판에 대하여 다양한 처리가 실시되고 있다.

기판 처리에 있어서는, 1 또는 복수의 약액이 노즐을 통해서 기판에 대해 토출되지만, 노즐로부터의 액떨어짐 등을 억제하기 위해서, 노즐 내의 약액을 흡인하는 흡인 동작이 실시되는 경우가 있다 (예를 들어, 특허문헌 1 을 참조).

일본 공개특허공보 2016-152375호

상기와 같은 흡인 동작에 의해 흡인된 처리액은 흡인 배관에 잔존하고, 후의 기판 처리에 있어서 기판에 토출되는 다른 처리액에 혼입해 버리는 경우가 있다. 그러면, 후의 기판 처리에 있어서의 의도하지 않는 오버 에칭 등의 원인이 될 수 있다. 그리고, 기판 처리의 정밀도를 저하시키게 된다.

본원 명세서에 개시되는 기술은, 이상에 기재된 바와 같은 문제를 감안하여 이루어진 것이며, 기판 처리에 있어서의 흡인 동작에서 기인하는 문제를 억제하기 위한 기술이다.

본원 명세서에 개시되는 기술의 제 1 양태인 기판 처리 방법은, 기판을 처리하기 위한 기판 처리 장치를 사용하는 기판 처리 방법이며, 상기 기판 처리 장치는, 적어도, 상기 기판을 처리하기 위한 처리액과 세정을 실시하기 위한 세정액 중 적어도 일방을 선택적으로 공급 가능한 다련 (多連) 밸브와, 상기 기판에 상기 처리액을 토출하기 위한 처리액 노즐과, 상기 다련 밸브와 상기 처리액 노즐을 접속하는 접속 배관과, 상기 접속 배관으로부터 분기하여 형성되고, 또한, 상기 접속 배관 내를 흡인하기 위한 흡인 배관을 구비하고, 상기 다련 밸브로부터 상기 흡인 배관으로 상기 세정액을 공급함으로써 상기 흡인 배관 내를 세정하는 공정을 구비한다.

본원 명세서에 개시되는 기술의 제 2 양태인 기판 처리 방법은, 제 1 양태인 기판 처리 방법에 관련되며, 상기 다련 밸브는, 상기 다련 밸브 내의 상기 처리액과 상기 세정액 중 적어도 일방을 배액하기 위한 배액 배관을 추가로 구비하고, 상기 다련 밸브로부터 상기 배액 배관으로 상기 세정액을 공급하는 공정을 추가로 구비한다.

본원 명세서에 개시되는 기술의 제 3 양태인 기판 처리 방법은, 제 2 양태인 기판 처리 방법에 관련되며, 상기 다련 밸브로부터 상기 배액 배관으로 상기 세정액을 공급하는 공정은, 상기 흡인 배관 내를 세정하는 공정과 동시에 실시된다.

본원 명세서에 개시되는 기술의 제 4 양태인 기판 처리 방법은, 제 1 내지 3 중 어느 하나의 양태인 기판 처리 방법에 관련되며, 상기 처리액 노즐은, 상기 기판을 처리하기 위한 처리 위치와, 상기 기판으로부터 퇴피하기 위한 퇴피 위치에 위치 가능하고, 상기 흡인 배관 내를 세정하는 공정은, 상기 처리액 노즐이 상기 퇴피 위치에 위치하는 동안에 실시된다.

본원 명세서에 개시되는 기술의 제 5 양태인 기판 처리 방법은, 제 4 양태인 기판 처리 방법에 관련되며, 상기 기판 처리 장치는, 상기 기판에 린스액을 토출하기 위한 린스액 노즐을 추가로 구비하고, 상기 린스액 노즐은, 상기 흡인 배관 내를 세정하는 공정 동안에, 상기 처리 위치에 있어서 상기 기판에 상기 린스액을 토출한다.

본원 명세서에 개시되는 기술의 제 6 양태인 기판 처리 방법은, 제 1 내지 5 중 어느 하나의 양태인 기판 처리 방법에 관련되며, 상기 기판 처리 장치는, 상기 흡인 배관에 형성되고, 또한, 상기 흡인 배관 내의 도전율을 측정하기 위한 도전율계와, 상기 도전율계로부터 출력되는 상기 도전율의 값이 미리 정해진 임계값 이하인 경우에, 상기 다련 밸브로부터 상기 흡인 배관으로의 상기 세정액의 공급을 정지시키기 위한 정지부를 추가로 구비한다.

본원 명세서에 개시되는 기술의 적어도 제 1 양태에 의하면, 흡인 배관 내가 충분히 세정되기 때문에, 기판 처리에 있어서의 흡인 동작에서 기인하는 문제를 억제할 수 있다.

또, 본원 명세서에 개시되는 기술에 관련된 목적과, 특징과, 국면과, 이점은, 이하에 나타내어지는 상세한 설명과 첨부 도면에 의해 더욱 명백해진다.

도 1 은, 실시형태에 관한, 기판 처리 장치의 구성의 예를 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 2 는, 도 1 에 예가 나타난 제어부의 구성의 예를 나타내는 도면이다.
도 3 은, 처리 유닛의 구성의 예를 나타내는 도면이다.
도 4 는, 실시형태에 관한 기판 처리 장치의 구성 중, 처리액 노즐에 접속되는 배관의 구성의 예를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 5 는, 처리액 노즐을 퇴피 위치에 이동시킨 상태를 나타내는 도면이다.

이하, 첨부되는 도면을 참조하면서 실시형태에 대해서 설명한다. 이하의 실시형태에서는, 기술의 설명을 위해서 상세한 특징 등도 제시되지만, 그것들은 예시이며, 실시형태가 실시 가능해지기 위해서 그것들 모든 것이 반드시 필수 특징인 것은 아니다.

또한, 도면은 개략적으로 도시되는 것이며, 설명의 편의를 위해서, 적절히, 구성의 생략, 또는, 구성의 간략화 등이 도면에 있어서 이루어지는 것이다. 또, 상이한 도면에 각각 도시되는 구성 등의 크기 및 위치의 상호 관계는, 반드시 정확하게 기재되는 것은 아니고, 적절히 변경될 수 있는 것이다. 또, 단면도가 아닌 평면도 등의 도면에 있어서도, 실시형태의 내용을 이해하는 것을 용이하게 하기 위해서, 해칭이 부여되는 경우가 있다.

또, 이하에 제시되는 설명에서는, 동일한 구성 요소에는 동일한 부호를 붙여 도시하고, 그들의 명칭과 기능에 대해서도 동일한 것으로 한다. 따라서, 그것들에 대한 상세한 설명을, 중복을 피하기 위해서 생략하는 경우가 있다.

또, 본원 명세서에 기재되는 설명에 있어서, 어느 구성 요소를 「구비한다」, 「포함한다」 또는 「갖는다」 등으로 기재되는 경우, 특별히 언급하지 않는 한은, 다른 구성 요소의 존재를 제외하는 배타적인 표현은 아니다.

또, 본원 명세서에 기재되는 설명에 있어서, 「… 축 정 (正) 방향」 또는 「… 축 부 (負) 방향」 등의 표현은, 도시되는 … 축의 화살표를 따른 방향을 정 방향으로 하고, 도시되는 … 축의 화살표와는 반대측의 방향을 부 방향으로 하는 것이다.

또, 본원 명세서에 기재되는 설명에 있어서, 「상」, 「하」, 「좌」, 「 우」, 「측」, 「바닥」, 「겉」 또는 「속」 등의 특정한 위치 또는 방향을 의미하는 용어가 사용되는 경우가 있더라도, 이들 용어는, 실시형태의 내용을 이해하는 것을 용이하게 하기 위해서 편의상 사용되는 것이며, 실시형태가 실제로 실시될 때의 위치 또는 방향과는 관계하지 않는 것이다.

또, 본원 명세서에 기재되는 설명에 있어서, 「… 의 상면」 또는 「… 의 하면」 등이라고 기재되는 경우, 대상이 되는 구성 요소의 상면 자체 또는 하면 자체에 더하여, 대상이 되는 구성 요소의 상면 또는 하면에 다른 구성 요소가 형성된 상태도 포함하는 것으로 한다. 즉, 예를 들어, 「A 의 상면에 형성되는 B」 라고 기재되는 경우, A 와 B 사이에 다른 구성 요소 「C」 가 개재하는 것을 방해하는 것은 아니다.

＜실시형태＞

이하, 본 실시형태에 관한 기판 처리 장치, 및, 기판 처리 방법에 대해서 설명한다.

＜기판 처리 장치의 구성에 대해서＞

도 1 은, 본 실시형태에 관한 기판 처리 장치 (1) 의 구성의 예를 개략적으로 나타내는 평면도이다. 기판 처리 장치 (1) 는, 로드 포트 (601) 와, 인덱서 로봇 (602) 과, 센터 로봇 (603) 과, 제어부 (90) 와, 적어도 1 개의 처리 유닛 (600) (도 1 에 있어서는 4 개의 처리 유닛) 을 구비한다.

처리 유닛 (600) 은, 기판 처리에 사용할 수 있는 매엽식 (枚葉式) 장치이며, 구체적으로는, 기판 (W) 에 부착되어 있는 유기물을 제거하는 처리를 실시하는 장치이다. 기판 (W) 에 부착되어 있는 유기물은, 예를 들어, 사용이 끝난 레지스트막이다. 당해 레지스트막은, 예를 들어, 이온 주입 공정용의 주입 마스크로서 사용된 것이다.

또한, 처리 유닛 (600) 은, 챔버 (180) 를 가질 수 있다. 그 경우, 챔버 (180) 내의 분위기를 제어부 (90) 에 의해 제어함으로써, 처리 유닛 (600) 은, 원하는 분위기 중에 있어서의 기판 처리를 실시할 수 있다.

제어부 (90) 는, 기판 처리 장치 (1) 에 있어서의 각각의 구성의 동작을 제어할 수 있다. 캐리어 (C) 는, 기판 (W) 을 수용하는 수용기이다. 또, 로드 포트 (601) 는, 복수의 캐리어 (C) 를 유지하는 수용기 유지 기구이다. 인덱서 로봇 (602) 은, 로드 포트 (601) 와 기판 재치부 (載置部) (604) 의 사이에서 기판 (W) 을 반송할 수 있다. 센터 로봇 (603) 은, 기판 재치부 (604) 및 처리 유닛 (600) 사이에서 기판 (W) 을 반송할 수 있다.

이상의 구성에 의해, 인덱서 로봇 (602), 기판 재치부 (604) 및 센터 로봇 (603) 은, 각각의 처리 유닛 (600) 과 로드 포트 (601) 의 사이에서 기판 (W) 을 반송하는 반송 기구로서 기능한다.

미처리의 기판 (W) 은 캐리어 (C) 로부터 인덱서 로봇 (602) 에 의해 꺼내진다. 그리고, 미처리의 기판 (W) 은, 기판 재치부 (604) 를 개재하여 센터 로봇 (603) 에 수수된다.

센터 로봇 (603) 은, 당해 미처리의 기판 (W) 을 처리 유닛 (600) 에 반입한다. 그리고, 처리 유닛 (600) 은 기판 (W) 에 대하여 처리를 실시한다.

처리 유닛 (600) 에 있어서 처리 완료된 기판 (W) 은, 센터 로봇 (603) 에 의해 처리 유닛 (600) 으로부터 꺼내진다. 그리고, 처리 완료된 기판 (W) 은, 필요에 따라 다른 처리 유닛 (600) 을 경유한 후, 기판 재치부 (604) 를 개재하여 인덱서 로봇 (602) 에 수수된다. 인덱서 로봇 (602) 은, 처리 완료된 기판 (W) 을 캐리어 (C) 에 반입한다. 이상에 의해, 기판 (W) 에 대한 처리가 실시된다.

도 2 는, 도 1 에 예가 나타난 제어부 (90) 의 구성의 예를 나타내는 도면이다. 제어부 (90) 는, 전기 회로를 갖는 일반적인 컴퓨터에 의해 구성되어 있어도 된다. 구체적으로는, 제어부 (90) 는, 중앙 연산 처리장치 (central processing unit, 즉, CPU) (91), 리드 온리 메모리 (read only memory, 즉, ROM) (92), 랜덤 액세스 메모리 (random access memory, 즉, RAM) (93), 기록 장치 (94), 입력부 (96), 표시부 (97) 및 통신부 (98) 와, 이들을 서로 접속하는 버스 라인 (95) 을 구비한다.

ROM (92) 은 기본 프로그램을 격납하고 있다. RAM (93) 은, CPU (91) 가 소정의 처리를 실시할 때의 작업 영역으로서 사용된다. 기록 장치 (94) 는, 플래쉬 메모리 또는 하드 디스크 장치 등의 불휘발성 기록 장치에 의해 구성되어 있다. 입력부 (96) 는, 각종 스위치 또는 터치 패널 등에 의해 구성되어 있고, 사용자로부터 처리 레시피 등의 입력 설정 지시를 받는다. 표시부 (97) 는, 예를 들어, 액정 표시 장치 및 램프 등에 의해 구성되어 있고, CPU (91) 의 제어 아래, 각종 정보를 표시한다. 통신부 (98) 는, local area network (LAN) 등을 개재한 데이터 통신 기능을 갖는다.

기록 장치 (94) 에는, 도 1 의 기판 처리 장치 (1) 에 있어서의 각각의 구성의 제어를 위한 설정값이 미리 설정되어 있다. CPU (91) 가 처리 프로그램 (94P) 을 실행함으로써, 각각의 구성이 당해 설정값에 기초하여 제어된다. 또한, 처리 프로그램 (94P) 은, 외부의 기록 매체에 기록되어 있어도 된다. 이 기록 매체를 이용하면, 제어부 (90) 에 처리 프로그램 (94P) 을 인스톨 할 수 있다. 또, 제어부 (90) 가 실행하는 기능의 일부 또는 전부는, 반드시 소프트웨어에 의해 실현될 필요는 없고, 전용의 논리 회로 등의 하드웨어에 의해 실현되어도 된다.

＜처리 유닛에 대해서＞

도 3 은, 처리 유닛 (600) 의 구성의 예를 나타내는 도면이다. 도 3 에 예가 나타내어지는 바와 같이, 처리 유닛 (600) 은, 1 매의 기판 (W) 을 대략 수평 자세로 유지하면서, 기판 (W) 의 중앙부를 지나는 연직인 회전 축선 (Z1) 둘레에 기판 (W) 을 회전시키는 스핀 척 (10) 과, 기판 (W) 에 처리액을 토출하는 처리액 노즐 (20) 과, 처리액 노즐 (20) 이 단부 (端部) 에 장착된 노즐 아암 (22) 과, 기판 (W) 의 회전 축선 (Z1) 둘레에 스핀 척 (10) 을 둘러싸는 통상 (筒狀) 의 처리 컵 (12) 과, 린스액 노즐 (60) 과, 기체 노즐 (30) 을 구비한다.

처리액 노즐 (20) 은, 복수 종의 처리액을 토출할 수 있는 것으로 하지만, 각각의 처리액에 대응하여 처리액 노즐 (20) 이 복수 형성되어 있어도 된다. 처리액 노즐 (20) 은, 기판 (W) 의 상면에 처리액을 토출한다. 여기서 처리액이란, 기판 (W) 을 처리하기 위한 액체이며, 기판 (W) 을 에칭하기 위한 에칭액 (암모니아와 과산화수소수의 혼합 용액 (SC1) 등), CO₂ 수 등의 기능액, IPA (이소프로필알코올) 등의 유기 용제, 또는, 순수 (DIW) 등을 포함하는 것이다.

스핀 척 (10) 은, 대략 수평 자세의 기판 (W) 의 하면을 진공 흡착하는 원 판상의 스핀 베이스 (10A) 와, 스핀 베이스 (10A) 의 중앙부로부터 하방으로 연장되는 회전축 (10C) 과, 회전축 (10C) 을 회전시킴으로써, 스핀 베이스 (10A) 에 흡착되어 있는 기판 (W) 을 회전시키는 스핀 모터 (10D) 를 구비한다. 또한, 스핀 척 (10) 대신에, 스핀 베이스의 상면 외주부로부터 상방으로 돌출하는 복수의 척 핀을 구비하고, 당해 척 핀에 의해 기판 (W) 의 둘레가장자리부를 협지 (挾持) 하는 협지식 척이 사용되어도 된다.

노즐 아암 (22) 은, 아암부 (22A) 와, 축체 (22B) 와, 액추에이터 (22C) 를 구비한다. 액추에이터 (22C) 는, 축체 (22B) 의 축둘레의 각도를 조정한다. 아암부 (22A) 의 일방의 단부는 축체 (22B) 에 고정되어 있고, 아암부 (22A) 의 타방의 단부는 축체 (22B) 의 축으로부터 떨어져 배치된다. 또, 아암부 (22A) 의 타방의 단부에는, 처리액 노즐 (20) 이 장착되어 있다. 그렇게 함으로써, 처리액 노즐 (20) 은, 기판 (W) 의 반경 방향으로 요동 가능하게 구성된다.

노즐 아암 (22) 의 구동에 의해 처리액 노즐 (20) 이 이동 가능한 위치 중, 기판 (W) 에 처리액을 토출하여 기판 처리를 실시하기 위한 위치를 처리 위치로 하고, 기판 (W) 의 상방으로부터 퇴피하는 위치 (즉, 기판 (W) 과 처리액 노즐 (20) 이 평면에서 보아 겹치지 않는 위치) 를 퇴피 위치로 하면, 노즐 아암 (22) 은, 처리액 노즐 (20) 을 처리 위치와 퇴피 위치로 이동 가능하다.

또한, 요동에 의한 처리액 노즐 (20) 의 이동 방향은, 기판 (W) 의 반경 방향의 성분을 갖고 있으면 되고, 기판 (W) 의 반경 방향으로 엄밀하게 평행일 필요는 없다.

여기서, 노즐 아암 (22) 은, 도시되지 않은 모터 등에 의해, 연직 방향으로 승강 가능해도 된다. 그 경우, 노즐 아암 (22) 의 단부에 장착된 처리액 노즐 (20) 과 기판 (W) 의 상면의 사이의 거리를, 노즐 아암 (22) 의 승강에 의해 조정 가능하다.

제어부 (90) 는, 스핀 모터 (10D) 의 회전수를 제어하면서, 처리액 노즐 (20) 로부터 처리액을 기판 (W) 의 상면에 토출시킨다. 또, 제어부 (90) 는, 액추에이터 (22C) 의 구동을 제어함으로써, 처리액 노즐 (20) 을 기판 (W) 의 상면에 있어서 요동시킨다.

처리 유닛 (600) 은, 기판 (W) 의 상방에서 린스액을 토출하는 린스액 노즐 (60) 을 구비한다. 린스액 노즐 (60) 은, 기판 (W) 의 상방에 고정되어 있어도 된다. 린스액 노즐 (60) 에는, 린스액 밸브 (61) 가 구비된 린스액 공급관 (62) 에 접속되어 있다. 린스액 밸브 (61) 는, 제어부 (90) 에 의해 그 개폐가 제어된다. 린스액 노즐 (60) 은, 스핀 척 (10) 에 유지되고 있는 기판 (W) 의 상면을 향해서 린스액을 토출한다.

린스액 노즐 (60) 에는, 린스액 공급관 (62) 을 통해서 린스액 공급원으로부터 린스액이 공급된다. 린스액으로는, DIW (탈이온수) 등이 사용된다. 린스액 노즐 (60) 로부터 린스액이 기판 (W) 에 공급됨으로써, 기판 (W) 에 부착되어 있는 부착물 등을 씻어낼 수 있다.

처리 유닛 (600) 은, 기판 (W) 의 상방으로부터 기체를 내뿜는 기체 노즐 (30) 을 구비한다. 기체 노즐 (30) 은, 스핀 척 (10) 의 상방에 있어서 연직인 자세로 지지되어 있다. 기체 노즐 (30) 에는, 기체 밸브 (31) 가 구비된 기체 공급관 (32) 이 접속되어 있다. 기체 밸브 (31) 는, 제어부 (90) 에 의해 그 개폐가 제어된다.

기체 노즐 (30) 에는, 기체 공급관 (32) 을 통해서 기체 공급원으로부터 기체가 공급된다. 기체 노즐 (30) 에 공급되는 기체로는, 예를 들어, 질소 (N₂) 가스 등의 불활성 가스, 건조 공기 또는 청정 공기 등을 들 수 있다.

도 4 는, 본 실시형태에 관한 기판 처리 장치 (1) 의 구성 중, 처리액 노즐 (20) 에 접속되는 배관의 구성의 예를 개략적으로 나타내는 도면이다.

도 4 에 예가 나타내어지는 바와 같이, 처리액 노즐 (20) 에는 접속 배관 (50) 을 개재하여 다련 밸브 (40) 가 접속되고, 또한, 다련 밸브 (40) 에 복수의 처리액 공급원이 접속된다.

다련 밸브 (40) 는, 접속부 (40A) 와, 접속부 (40A) 에 하류측으로부터 접속되는 접속 배관 (50) 의 밸브 (50A) 와, 접속부 (40A) 에 상류측으로부터 접속되는 공급 배관 (42) 의 밸브 (42A) 와, 접속부 (40A) 에 상류측으로부터 접속되는 공급 배관 (43) 의 밸브 (43A) 와, 접속부 (40A) 에 상류측으로부터 접속되는 공급 배관 (44) 의 밸브 (44A) 와, 접속부 (40A) 에 상류측으로부터 접속되는 공급 배관 (45) 의 밸브 (45A) 와, 접속부 (40A) 에 접속되는 배액 배관 (41) 의 밸브 (41A) 를 구비한다. 다련 밸브 (40) 는, 이들 공급 배관으로부터 공급되는 처리액 또는 후술하는 세정액 중 적어도 1 개를 선택적으로 공급한다.

공급 배관 (42) 에는, 예를 들어, 암모니아 (NH₃) 가 공급된다. 공급 배관 (43) 에는, 예를 들어, 과산화수소 (H₂O₂) 가 공급된다. 공급 배관 (44) 에는, 예를 들어, 순수 (DIW) 가 공급된다. 공급 배관 (45) 에는, 예를 들어, CO₂ 수가 공급된다.

배액 배관 (41) 은, 접속부 (40A) 내의 처리액 또는 후술하는 세정액을 배액한다. 또한, 배액 배관 (41) 은, 상기의 공급 배관 (공급 배관 (42), 공급 배관 (43), 공급 배관 (44) 또는 공급 배관 (45)) 보다, 접속부 (40A) 의 연직 상측의 위치에 접속되는 것이 바람직하다.

접속 배관 (50) 에는, 밸브 (50A) 의 하류에 있어서 분기하는 흡인 배관 (52) 이 접속된다. 흡인 배관 (52) 에는, 흡인 기구 (56), 도전율계 (54), 밸브 (52A) 가 형성된다. 또, 흡인 배관 (52) 은, 하류에 있어서 배액 배관 (58) 에 합류한다.

흡인 기구 (56) 는, 예를 들어, 사이펀식 흡인 기구이다. 여기서, 사이펀식 흡인 기구란, 배관 (흡인 배관 (52)) 내를 액체로 채우고, 사이펀의 원리를 이용하여 접속 배관 (50) 내의 액체를 흡인 (배액) 하는 기구를 말한다. 또한, 흡인 기구 (56) 는, 이젝터식 흡인 기구여도 된다.

도전율계 (54) 는, 흡인 배관 (52) 내의 도전율을 측정하는 장치이다. 도전율계 (54) 는, 예를 들어, 흡인 배관 (52) 내에 잔존하는 액체 (순수를 포함하는 처리액 등) 의 도전율을 측정한다. 또한, 도전율계 (54) 는 구비되어 있지 않아도 되며, 도전율계 (54) 는, 흡인 배관 (52) 과 분기하는 위치로부터 하류의 접속 배관 (50) 에 형성되어 있어도 된다. 도전율계 (54) 가 접속 배관 (50) 에 형성되는 경우에는, 처리액 노즐 (20) 로부터 토출되는 처리액의 도전율을 직접 측정할 수 있기 때문에, 기판 처리에 사용되는 처리액의 농도 관리 등에 유용하다.

＜기판 처리 장치의 동작에 대해서＞

다음으로, 도 1 내지 도 4 를 참조하면서, 본 실시형태에 관한 기판 처리 장치 (1) 의 동작을 설명한다.

인덱서 로봇 (602) 은, 로드 포트 (601) 에 있어서의 캐리어 (C) 로부터 기판 재치부 (604) 에 기판 (W) 을 반송한다. 센터 로봇 (603) 은, 기판 재치부 (604) 로부터 1 개의 처리 유닛 (600) 에 기판 (W) 을 반송한다. 처리 유닛 (600) 은, 기판 (W) 을 처리한다. 센터 로봇 (603) 은, 처리 유닛 (600) 으로부터 기판 재치부 (604) 에 기판 (W) 을 반송한다. 인덱서 로봇 (602) 은, 기판 재치부 (604) 로부터 로드 포트 (601) 에 있어서의 캐리어 (C) 에 기판 (W) 을 반송한다.

상기의 기판 (W) 의 처리는, 제어부 (90) 의 제어에 의해, 처리액 노즐 (20) 에 처리액이 공급됨으로써 실시된다. 당해 처리액은, 예를 들어, 기판 (W) 의 상면에 형성되는 금속층 (예를 들어, 코발트, 알루미늄, 텅스텐, 구리, 루테늄, 몰리브덴, 질화티탄 또는 질화탄탈 등으로 형성되는 금속층) 을 에칭하기 위한 에칭액이다.

구체적으로는, 제어부 (90) 의 제어에 의해, 밸브 (41A) 가 닫히고, 밸브 (50A) 가 열린다. 또, 제어부 (90) 의 제어에 의해, 밸브 (42A), 밸브 (43A), 밸브 (44A) 및 밸브 (45A) 중 적어도 1 개가 열린다. 여기서, 밸브 (42A), 밸브 (43A), 밸브 (44A) 및 밸브 (45A) 중 어느 밸브를 열지는, 공급되는 처리액의 종류에 따라 변경 가능하다.

그리고, 대응하는 공급원으로부터 처리액이 다련 밸브 (40) 에 공급됨으로써, 처리액이 다련 밸브 (40) 로부터 접속 배관 (50) 을 통해서 처리액 노즐 (20) 에 공급된다. 그리고, 처리액이 대응하는 기판 (W) 에 공급된다.

이 때, 접속 배관 (50) 에 접속되는 흡인 배관 (52) 의 밸브 (52A) 는 닫히고, 흡인 기구 (56) 는 동작하고 있지 않다.

그 후, 기판 (W) 의 처리가 종료하고, 제어부 (90) 의 제어에 의해, 처리액 노즐 (20) 에 대한 처리액의 공급이 정지된다. 그리고, 제어부 (90) 의 제어에 의해, 밸브 (52A) 가 열리고, 밸브 (52A) 가 열린 상태에서 흡인 기구 (56) 를 동작시킨다. 그렇게 하면, 흡인 배관 (52) 의 내부가 흡인된다. 즉, 접속 배관 (50) 및 흡인 배관 (52) 에 잔존하는 처리액이, 흡인 배관 (52) 으로 인입되고, 또한, 배액 배관 (58) 을 통해서 배액된다.

한편, 기판 처리 장치 (1) 는, 동일 또는 상이한 기판 (W) 에 대한 기판 처리 동안에, 다련 밸브 (40) 를 포함하는 배관 구조 등을 세정하기 위해서, 각각의 밸브의 개폐를 전환 가능하다.

이 경우, 먼저, 제어부 (90) 의 제어에 의해, 다련 밸브 (40) 에 세정액이 공급된다. 여기서, 세정액은, 예를 들어, 순수 (DIW) 이며, 세정액이 다련 밸브 (40) 에 공급되는 시간은, 예를 들어, 몇 초 정도이다.

구체적으로는, 제어부 (90) 의 제어에 의해, 밸브 (41A) 가 열리고, 밸브 (44A) 가 열린다. 또, 제어부 (90) 의 제어에 의해, 밸브 (42A), 밸브 (43A), 밸브 (45A) 및 밸브 (50A) 가 닫힌다.

그리고, 세정액이 대응하는 다련 밸브 (40) 에 공급되고, 또한, 배액 배관 (41) 으로부터 배액됨으로써, 세정액에 의해 다련 밸브 (40) 내가 세정된다.

다음으로, 제어부 (90) 의 제어에 의해, 접속 배관 (50) 으로 다련 밸브 (40) 를 통해서 세정액이 공급된다. 여기서, 세정액은, 예를 들어, 순수 (DIW) 이며, 세정액이 접속 배관 (50) 에 공급되는 시간은, 예를 들어, 몇 초 정도이다.

구체적으로는, 제어부 (90) 의 제어에 의해, 밸브 (44A) 가 열리고, 밸브 (50A) 가 열린다. 또, 제어부 (90) 의 제어에 의해, 밸브 (42A), 밸브 (43A), 밸브 (45A) 및 밸브 (41A) 가 닫힌다.

그리고, 세정액이 대응하는 다련 밸브 (40) 를 통해서 접속 배관 (50) 및 처리액 노즐 (20) 에 공급되며, 또한, 처리 컵 (12) 의 하부로부터 배액 배관 (58) 으로 배액됨으로써, 세정액에 의해 접속 배관 (50) 내 및 처리액 노즐 (20) 내가 세정된다.

이 때, 접속 배관 (50) 에 접속되는 흡인 배관 (52) 의 밸브 (52A) 를 열음으로써, 흡인 배관 (52) 에 세정액을 공급할 수 있다. 흡인 배관 (52) 에 공급된 세정액은, 또한 배액 배관 (58) 으로 배액된다. 이와 같이 하여, 세정액에 의해 흡인 배관 (52) 내가 세정된다.

상기와 같이 흡인 배관 (52) 에 세정액을 공급함으로써, 기판 처리 후의 흡인 동작에 의해 흡인 배관 (52) 내에 잔존하는 처리액을 효과적으로 세정할 수 있다.

기판 처리 후의 흡인 동작에 의해, 흡인 배관 (52) 의 주로 접속 배관 (50) 으로부터의 분기부에 처리액이 잔존한다. 그리고, 잔존하는 당해 처리액이 나중의 타이밍에 기판 (W) 에 공급되는 다른 종류의 처리액에 혼입하면, 의도하지 않는 작용 (오버 에칭, 또는, 에칭 부족 등) 이 생겨 버리는 경우가 있다. 발명자들의 실험에 의하면, 당해 혼입이 충분히 작아질 때까지는, 접속 배관 (50) 만의 세정으로는 수 십 초 정도가 필요해진다.

한편, 본 실시형태에 나타내어진 바와 같이 흡인 배관 (52) 에 직접 세정액을 공급하는 세정 방법에 의하면, 상기의 혼입이 충분히 작아질 때까지 몇 초 정도로 충분해진다.

또한, 흡인 배관 (52) 에 형성된 도전율계 (54) 로부터 출력되는 흡인 배관 (52) 내의 도전율의 값에 기초하면 흡인 배관 (52) 내에 잔존하는 처리액의 농도를 산출 가능하기 때문에, 흡인 배관 (52) 에 직접 세정액을 공급하는 상기의 세정 방법의 종료 타이밍을 제어할 수 있다.

즉, 흡인 배관 (52) 내의 도전율이 미리 정해진 임계값 (예를 들어, 0.05 μS/㎝ 이상, 또한, 0.1 μS/㎝ 이하 등의, 상기의 혼입이 충분히 작아지는 값) 이하가 되었을 경우에, 제어부 (90) 가, 밸브 (52A) 를 닫아 흡인 배관 (52) 에 대한 세정액의 공급을 정지시킬 수 있다. 또는, 미리 정해진 시간만 세정을 실시한 후에 상기의 임계값 이하가 되지 않았을 경우에, 추가 세정을 실시하도록 다시 밸브 (52A) 를 열어 흡인 배관 (52) 에 대한 세정액의 공급을 재개시킬 수 있다. 상기의 임계값은, 예를 들어, 측정된 도전율과 실제로 토출된 처리액 중의 혼입량과의 대응 관계로부터 미리 결정해 둘 수 있다.

여기서, 접속 배관 (50) 및 흡인 배관 (52) 의 세정 시에는, 세정액이 처리액 노즐 (20) 로부터 토출된다. 그 때문에, 당해 세정 시에는, 처리액 노즐 (20) 이 기판 (W) 의 상방으로부터 퇴피해 있는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 도 5 에 예가 나타내어지는 바와 같이, 접속 배관 (50) 및 흡인 배관 (52) 의 세정 시에는, 제어부 (90) 의 제어에 의해 노즐 아암 (22) 의 구동을 제어하고, 처리액 노즐 (20) 을 퇴피 위치로 이동시키는 것이 바람직하다. 또한, 도 5 는, 처리액 노즐 (20) 을 퇴피 위치로 이동시킨 상태를 나타내는 도면이다.

또, 접속 배관 (50) 및 흡인 배관 (52) 의 세정 동안에 기판 (W) 이 건조되는 것을 억제하기 위해서, 도 5 에 나타내어지는 바와 같이, 상기의 세정 동안에, 린스액 노즐 (60) 로부터 기판 (W) 으로 린스액이 공급되는 것이 바람직하다.

또한, 상기의 설명에서는, 흡인 배관 (52) 의 세정은 처리액 노즐 (20) 의 세정 시에 실시되었지만, 흡인 배관 (52) 의 세정만이 실시되어도 된다.

또, 상기의 설명에서는, 흡인 배관 (52) 의 세정은, 다련 밸브 (40) 의 세정 후에 실시되었지만, 흡인 배관 (52) 의 세정이 먼저 실시되어도 되고, 다련 밸브 (40) 의 세정이 실시되지 않고 흡인 배관 (52) 의 세정만이 실시되어도 된다. 나아가서는, 밸브 (41A), 밸브 (50A) 및 밸브 (52A) 가 열림으로써, 흡인 배관 (52) 의 세정과 다련 밸브 (40) 의 세정이 동시에 실시되어도 된다.

또, 1 개의 다련 밸브 (40) 에 대하여 복수의 접속 배관 (50) 이 접속되고, 그것에 대응하여 복수의 처리액 노즐 (20) 이 형성되는 경우에, 다련 밸브 (40), 접속 배관 (50) 및 흡인 배관 (52) 의 세정은, 복수의 접속 배관 (50) 및 대응하는 복수의 흡인 배관 (52) 에 있어서 동시에 실시되어도 된다. 이와 같이 하면, 세정 시간을 단축할 수 있다.

그리고, 다련 밸브 (40), 접속 배관 (50) 및 흡인 배관 (52) 의 세정 전후로, 상이한 처리액 노즐 (20) 로부터 처리액을 토출할 수 있다.

＜이상으로 기재된 실시형태에 의해 발생하는 효과에 대해서＞

다음으로, 이상으로 기재된 실시형태에 의해 발생하는 효과의 예를 나타낸다. 또한, 이하의 설명에 있어서는, 이상으로 기재된 실시형태에 예가 나타난 구체적인 구성에 기초하여 당해 효과가 기재되지만, 동일한 효과가 발생하는 범위에서, 본원 명세서에 예가 나타나는 다른 구체적인 구성과 치환되어도 된다. 즉, 이하에서는 편의상, 대응지어지는 구체적인 구성 중 어느 1 개만이 대표해서 기재되는 경우가 있지만, 대표해서 기재된 구체적인 구성이 대응지어지는 다른 구체적인 구성으로 치환되어도 된다.

이상으로 기재된 실시형태에 의하면, 기판 (W) 을 처리하기 위한 기판 처리 장치를 사용하는 기판 처리 방법에 있어서, 기판 처리 장치는, 다련 밸브 (40) 와, 처리액 노즐 (20) 과, 접속 배관 (50) 과, 흡인 배관 (52) 을 구비한다. 다련 밸브 (40) 는, 적어도, 기판 (W) 을 처리하기 위한 처리액과 세정을 실시하기 위한 세정액 중 적어도 일방을 선택적으로 공급 가능하다. 처리액 노즐 (20) 은, 기판 (W) 에 처리액을 토출한다. 접속 배관 (50) 은, 다련 밸브 (40) 와 처리액 노즐 (20) 을 접속한다. 흡인 배관 (52) 은, 접속 배관 (50) 으로부터 분기하여 형성된다. 또, 흡인 배관 (52) 은, 접속 배관 (50) 내를 흡인한다. 그리고, 기판 처리 방법에 있어서, 다련 밸브 (40) 로부터 흡인 배관 (52) 으로 세정액을 공급함으로써 흡인 배관 (52) 내를 세정하는 공정을 구비한다.

이와 같은 구성에 의하면, 흡인 배관 (52) 내가 충분히 세정되기 때문에, 흡인에 의해 흡인 배관 (52) 내에 잔존한 처리액이 후의 기판 처리로 기판 (W) 에 토출되어 버리는 것에서 기인하는 문제를 억제할 수 있다. 흡인 배관 (52) 내에 잔존하는 처리액이 에칭액인 경우에는, 후의 기판 처리에 있어서의 의도하지 않는 오버 에칭을 억제할 수 있다. 또, 흡인 배관 (52) 내에 잔존하는 처리액이 순수 (저도전성의 DIW) 인 경우에는, 흡인 배관 (52) 내에서 잔존하는 시간이 길어짐으로써 대기 중의 O₂ 또는 CO₂ 등이 혼입하여 도전성을 띤 상태의 당해 순수가 후의 기판 처리에 있어서의 의도하지 않는 아크 방전을 발생시키는 것을 억제할 수 있다.

또, 상기의 구성에 본원 명세서에 예가 나타난 다른 구성을 적절히 추가한 경우, 즉, 상기의 구성으로는 언급되지 않았던 본원 명세서 중의 다른 구성이 적절히 추가된 경우이더라도, 동일한 효과를 발생시킬 수 있다.

또, 이상으로 기재된 실시형태에 의하면, 다련 밸브 (40) 는, 다련 밸브 (40) 내의 처리액과 세정액 중 적어도 일방을 배액하기 위한 배액 배관 (41) 을 구비한다. 그리고, 기판 처리 방법에 있어서, 다련 밸브 (40) 로부터 배액 배관 (41) 으로 세정액을 공급하는 공정을 구비한다. 이와 같은 구성에 의하면, 다련 밸브 (40) 로부터 배액 배관 (41) 으로 세정액을 공급함으로써, 다련 밸브 (40) 내를 세정할 수 있다. 따라서, 다련 밸브 (40) 내에 잔존한 처리액이 후의 기판 처리로 기판 (W) 에 토출되어 버리는 것에서 기인하는 문제를 억제할 수 있다.

또, 이상으로 기재된 실시형태에 의하면, 다련 밸브 (40) 로부터 배액 배관 (41) 으로 세정액을 공급하는 공정은, 흡인 배관 (52) 내를 세정하는 공정과 동시에 실시된다. 이와 같은 구성에 의하면, 다련 밸브 (40) 와 흡인 배관 (52) 이 동시에 세정되기 때문에, 세정에 필요로 하는 시간을 단축할 수 있다.

또, 이상으로 기재된 실시형태에 의하면, 처리액 노즐 (20) 은, 기판 (W) 을 처리하기 위한 처리 위치와, 기판 (W) 으로부터 퇴피하기 위한 퇴피 위치에 위치 가능하다. 그리고, 흡인 배관 (52) 내를 세정하는 공정은, 처리액 노즐 (20) 이 퇴피 위치에 위치하는 동안에 실시된다. 이와 같은 구성에 의하면, 흡인 배관 (52) 내의 세정이, 처리액 노즐 (20) 이 퇴피 위치에 위치하는 동안에 실시되기 때문에, 흡인 배관 (52) 에 공급되는 세정액이 처리액 노즐 (20) 로부터 토출되어 버리는 경우이더라도, 토출된 세정액이 기판 (W) 을 오염시키는 것을 억제할 수 있다.

또, 이상으로 기재된 실시형태에 의하면, 기판 처리 장치는, 기판 (W) 에 린스액을 토출하기 위한 린스액 노즐 (60) 을 구비한다. 그리고, 린스액 노즐 (60) 은, 흡인 배관 (52) 내를 세정하는 공정 동안에, 처리 위치에 있어서 기판 (W) 에 린스액을 토출한다. 이와 같은 구성에 의하면, 흡인 배관 (52) 내의 세정 중에 기판 (W) 에 대하여 린스 처리를 실시할 수 있기 때문에, 효율적으로 기판 처리를 진행시킬 수 있다.

또, 이상으로 기재된 실시형태에 의하면, 기판 처리 장치는, 흡인 배관 (52) 에 형성되고, 또한, 흡인 배관 (52) 내의 도전율을 측정하기 위한 도전율계 (54) 와, 도전율계 (54) 로부터 출력되는 도전율의 값이 미리 정해진 임계값 이하인 경우에, 다련 밸브 (40) 로부터 흡인 배관 (52) 으로의 세정액의 공급을 정지시키는 정지부를 구비한다. 여기서, 정지부는, 예를 들어, 제어부 (90) 등에 대응하는 것이다. 이와 같은 구성에 의하면, 제어부 (90) 의 제어에 의해, 도전율계 (54) 로부터 출력되는 도전율의 값에 따라 흡인 배관 (52) 내의 세정 시간을 조정할 수 있기 때문에, 흡인 배관 (52) 내의 세정 시간이 필요 이상으로 길어지는 것을 억제하면서, 효과적으로 흡인 배관 (52) 내에 잔존하는 처리액을 제거할 수 있다.

＜이상으로 기재된 실시형태의 변형예에 대해서＞

이상으로 기재된 실시형태에서는, 각각의 구성 요소의 재질, 재료, 치수, 형상, 상대적 배치 관계 또는 실시의 조건 등에 대해서도 기재하는 경우가 있지만, 이들은 모든 국면에 있어서 하나의 예로서, 한정적인 것은 아닌 것으로 한다.

따라서, 예가 나타나 있지 않은 무수한 변형예와 균등물이, 본원 명세서에 개시되는 기술의 범위 내에 있어서 상정된다. 예를 들어, 적어도 하나의 구성 요소를 변형하는 경우, 추가하는 경우 또는 생략하는 경우가 포함되는 것으로 한다.

또, 이상으로 기재된 실시형태에 있어서, 특별히 지정되지 않고 재료명 등이 기재된 경우에는, 모순이 발생하지 않는 한, 당해 재료에 다른 첨가물이 포함된, 예를 들어, 합금 등이 포함되는 것으로 한다.

1 : 기판 처리 장치
10 : 스핀 척
10A : 스핀 베이스
10C : 회전축
10D : 스핀 모터
12 : 처리 컵
20 : 처리액 노즐
22 : 노즐 아암
22A : 아암부
22B : 축체
22C : 액추에이터
30 : 기체 노즐
31 : 기체 밸브
32 : 기체 공급관
40 : 다련 밸브
40A : 접속부
41, 58 : 배액 배관
41A, 42A, 43A, 44A, 45A, 50A, 52A : 밸브
42, 43, 44, 45 : 공급 배관
50 : 접속 배관
52 : 흡인 배관
54 : 도전율계
56 : 흡인 기구
60 : 린스액 노즐
61 : 린스액 밸브
62 : 린스액 공급관
90 : 제어부
91 : CPU
92 : ROM
93 : RAM
94 : 기록 장치
94P : 처리 프로그램
95 : 버스 라인
96 : 입력부
97 : 표시부
98 : 통신부
180 : 챔버
600 : 처리 유닛
601 : 로드 포트
602: 인덱서 로봇
603 : 센터 로봇
604 : 기판 재치부

Claims

기판을 처리하기 위한 기판 처리 장치를 사용하는 기판 처리 방법이며,
상기 기판 처리 장치는,
적어도, 상기 기판을 처리하기 위한 처리액과 세정을 실시하기 위한 세정액 중 적어도 일방을 선택적으로 공급 가능한 다련 (多連) 밸브와,
상기 기판에 상기 처리액을 토출하기 위한 처리액 노즐과,
상기 다련 밸브와 상기 처리액 노즐을 접속하는 접속 배관과,
상기 접속 배관으로부터 분기하여 형성되고, 또한, 상기 접속 배관 내를 흡인하기 위한 흡인 배관을 구비하고,
상기 다련 밸브로부터 상기 처리액 노즐에 상기 세정액을 공급할 때에, 상기 흡인 배관으로 상기 세정액을 공급함으로써 상기 흡인 배관 내를 세정하는 공정을 구비하는, 기판 처리 방법.
제 1 항에 있어서,
상기 기판 처리 장치는, 상기 흡인 배관에 형성되고 개폐 가능한 밸브를 구비하고,
상기 처리액 노즐에 상기 세정액을 공급할 때에, 상기 밸브를 열어 상기 흡인 배관으로 상기 세정액을 공급하는, 기판 처리 방법.
제 1 항에 있어서,
상기 다련 밸브는, 상기 다련 밸브 내의 상기 처리액과 상기 세정액 중 적어도 일방을 배액하기 위한 배액 배관을 추가로 구비하고,
상기 다련 밸브로부터 상기 배액 배관으로 상기 세정액을 공급하는 공정을 추가로 구비하는, 기판 처리 방법.
제 3 항에 있어서,
상기 다련 밸브로부터 상기 배액 배관으로 상기 세정액을 공급하는 공정은, 상기 흡인 배관 내를 세정하는 공정과 동시에 실시되는, 기판 처리 방법.
제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 처리액 노즐은, 상기 기판을 처리하기 위한 처리 위치와, 상기 기판으로부터 퇴피하기 위한 퇴피 위치에 위치 가능하고,
상기 흡인 배관 내를 세정하는 공정은, 상기 처리액 노즐이 상기 퇴피 위치에 위치하는 동안에 실시되는, 기판 처리 방법.
제 5 항에 있어서,
상기 기판 처리 장치는, 상기 기판에 린스액을 토출하기 위한 린스액 노즐을 추가로 구비하고,
상기 린스액 노즐은, 상기 흡인 배관 내를 세정하는 공정 동안에, 상기 처리 위치에 있어서 상기 기판에 상기 린스액을 토출하는, 기판 처리 방법.
기판을 처리하기 위한 기판 처리 장치를 사용하는 기판 처리 방법이며,
상기 기판 처리 장치는,
적어도, 상기 기판을 처리하기 위한 처리액과 세정을 실시하기 위한 세정액 중 적어도 일방을 선택적으로 공급 가능한 다련 밸브와,
상기 기판에 상기 처리액을 토출하기 위한 처리액 노즐과,
상기 다련 밸브와 상기 처리액 노즐을 접속하는 접속 배관과,
상기 접속 배관으로부터 분기하여 형성되고, 또한, 상기 접속 배관 내를 흡인하기 위한 흡인 배관과,
상기 흡인 배관에 형성되고, 또한, 상기 흡인 배관 내의 도전율을 측정하기 위한 도전율계를 구비하고,
상기 다련 밸브로부터 상기 흡인 배관으로 상기 세정액을 공급함으로써 상기 흡인 배관 내를 세정하는 공정과,
상기 도전율계로부터 출력되는 상기 도전율의 값이 미리 정해진 임계값 이하인 경우에, 상기 다련 밸브로부터 상기 흡인 배관으로의 상기 세정액의 공급을 정지시키는 공정을 구비하는, 기판 처리 방법.
기판을 처리하기 위한 기판 처리 장치이며,
접속부와 복수의 제 1 밸브를 구비하고, 적어도, 상기 기판을 처리하기 위한 처리액과 세정을 실시하기 위한 세정액 중 적어도 일방을 선택적으로 공급 가능한 다련 밸브와,
상기 접속부에 접속되고, 복수의 상기 제 1 밸브 중 하나를 구비하는 접속 배관과,
상기 접속 배관을 개재하여 상기 기판에 상기 처리액을 토출하기 위한 처리액 노즐과,
상기 접속 배관으로부터 분기하여 형성되고, 또한, 상기 접속 배관 내를 흡인하기 위한 흡인 배관과,
상기 흡인 배관에 형성된 제 2 밸브와,
복수의 상기 제 1 밸브 및 상기 제 2 밸브의 개폐를 제어하는 제어부를 구비하고,
상기 제어부가, 상기 접속부로부터 상기 처리액 노즐에 상기 세정액을 공급할 때에, 복수의 상기 제 1 밸브 중 적어도 하나와 상기 제 2 밸브를 열어, 상기 흡인 배관으로 상기 세정액을 공급함으로써 상기 흡인 배관 내를 세정하는, 기판 처리 장치.
기판을 처리하기 위한 기판 처리 장치이며,
적어도, 상기 기판을 처리하기 위한 처리액과 세정을 실시하기 위한 세정액 중 적어도 일방을 선택적으로 공급 가능한 다련 밸브와,
상기 기판에 상기 처리액을 토출하기 위한 처리액 노즐과,
상기 다련 밸브와 상기 처리액 노즐을 접속하는 접속 배관과,
상기 접속 배관으로부터 분기하여 형성되고, 또한, 상기 접속 배관 내를 흡인하기 위한 흡인 배관과,
상기 흡인 배관에 형성되고, 또한, 상기 흡인 배관 내의 도전율을 측정하기 위한 도전율계와,
상기 도전율계로부터 출력되는 상기 도전율의 값이 미리 정해진 임계값 이하인 경우에, 상기 다련 밸브로부터 상기 흡인 배관으로의 상기 세정액의 공급을 정지시키는 정지부를 구비하는, 기판 처리 장치.