JP6900257B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

Description

この発明は、基板処理装置および基板処理方法に関する。処理対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、有機ＥＬ（electroluminescence）表示装置などのＦＰＤ（Flat Panel Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などが含まれる。

半導体装置や液晶表示装置などの製造工程では、半導体ウエハや液晶表示装置用ガラス基板などの基板を処理するための基板処理装置が用いられる。基板を１枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置は、たとえば、基板を水平に保持して回転させるスピンチャックと、スピンチャックに保持されている基板に上方から対向する対向部材と、対向部材の中央部に形成される中央開口に収容された中心軸ノズルと、中心軸ノズルに処理液を供給する処理液配管と、処理液配管の内部の処理液を吸引する吸引装置とを含む。対向部材は、基板の上面に近接して、当該上面をその周囲の空間から遮断するための部材である。処理液の吐出後に処理液を吸引して、中心軸ノズル内の処理液の先端面を後退させることが知られている。

特開２０１５−１３５８４３号公報

処理液配管内の処理液が経時変化している場合（たとえば、処理液配管内の処理液が成分変化（劣化）したり温度低下したりしている場合）には、その処理液を次の基板処理に用いることは好ましくないので、次の基板処理に先立って、処理液配管内の処理液を全て配管外に排出する必要がある。一方、処理液配管内の処理液をそのまま次の基板処理に用いることが可能な場合にも、吐出口から処理液がボタ落ちしないように、処理液配管内の処理液を吸引して処理液の先端面を後退させる。

しかしながら、吸引の目的を問わずに一律に、処理液の吸引によって処理液配管内の処理液を全て配管外に排出するとすれば、処理液の消費量が増大する。そればかりか、処理液配管の各吸引のために長期間を要するようなり、スループットの低下を招くおそれがある。そのため、処理液の消費量の低減を図りながら、そして、スループットの低下を抑制しながら、処理液配管内の処理液を吸引して処理液の先端面を後退させることが求められている。

そこで、この発明の一つの目的は、処理液の消費量の低減を図りながら、処理液配管内の処理液を吸引することができる基板処理装置および基板処理方法を提供することである。また、この発明の他の目的は、スループットの低下を抑制しながら、処理液配管内の処理液を吸引することができる基板処理装置および基板処理方法を提供することである。

この発明の一実施形態は、基板を保持する基板保持ユニットと、前記基板保持ユニットに保持されている基板の主面に向けて処理液を吐出するための吐出口に連通する処理液配管と、前記処理液配管に処理液を供給するための処理液供給ユニットと、前記処理液配管の内部に存在している処理液を吸引するための吸引ユニットと、前記処理液供給ユニットおよび前記吸引ユニットを制御する制御装置とを含み、前記制御装置は、前記処理液供給ユニットにより、前記吐出口から吐出するべく前記処理液配管に処理液を供給する処理液供給工程と、前記吸引ユニットにより、前記処理液配管の内部に存在している処理液を吸引する吸引工程とを実行し、前記制御装置は、前記吸引工程において、処理液を吸引して、吸引後の処理液の先端面を、前記処理液配管の内部における予め定める待機位置に配置させる第１の吸引工程と、処理液を吸引して、処理液の先端面を前記待機位置よりも後退させる第２の吸引工程とを選択的に実行する、基板処理装置を提供する。

この構成によれば、吸引工程において、処理液配管の内部に存在している処理液が吸引され、処理液の先端面が後退される。吸引工程として、処理液の先端面が待機位置に配置される第１の吸引工程と、処理液の先端面が待機位置よりも後退させられる第２の吸引工程とが選択的に実行される。
第１の吸引工程において、第２の吸引工程よりも、吸引される処理液の量および時間が低減される。そのため、吸引工程の全てにおいて第２の吸引工程を実行する場合と比較して、処理液の消費量の低減を図ることができ、また、スループットの低下を抑制することもできる。

以上により、処理液の消費量の低減を図りながら、また、スループットの低下の抑制を図りながら、処理液配管内の処理液を吸引することができる。
この発明の一実施形態では、前記基板処理装置が、前記処理液配管に接続され、液体が流通するための流通空間を内部に有する接続部をさらに含む。そして、前記制御装置は、前記第２の吸引工程において、処理液の先端面を前記接続部の上流端よりも後退させる工程を実行する。

この構成によれば、第２の吸引工程において、処理液の先端面が接続部の上流端よりも後退させられる。すなわち、第２の吸引工程において、処理液配管の内部および接続部の流通空間の全域から処理液を排除することができる。これにより、処理液配管内の処理液が経時変化（成分変化（劣化）や温度低下）している場合、その処理液が、次の基板処理に用いることを確実に防止することができる。

この発明の一実施形態では、前記吸引ユニットは、前記処理液配管の内部の処理液を所定の吸引力で吸引する第１の吸引装置と、前記第１の吸引装置よりも大きな吸引力で前記処理液配管の内部の処理液を吸引する第２の吸引装置とを含む。そして、前記制御装置は、前記第１の吸引工程において前記第１の吸引装置によって処理液を吸引し、前記第２の吸引工程において前記第２の吸引装置によって処理液を吸引する。

第１および第２の吸引工程の双方において強い吸引力で処理液を吸引すると、第１の吸引工程の吸引後の処理液の先端面を正確に制御できないおそれがある。第１および第２の吸引工程の双方において弱い吸引力で処理液を吸引すると、第２の吸引工程の実行に長期間を要するおそれがある。
この構成によれば、第１の吸引工程において、処理液配管内の処理液が比較的弱い吸引力で吸引され、処理液の先端面が後退させられる。そのため、第１の吸引工程の吸引後の処理液の先端面を正確に制御することが可能であり、かつ、第２の吸引工程の実行を短時間で行うことができる。

この発明の一実施形態では、前記基板処理装置が、前記処理液配管に接続され、液体が流通するための流通空間を内部に有する接続部をさらに含む。そして、前記第１の吸引装置は、前記処理液配管に介装または前記処理液配管に分岐接続されている。そして、前記第２の吸引装置は、前記接続部に接続された吸引配管を介して処理液を吸引する。
この構成によれば、第１の吸引装置は、接続部に対し吐出口側に配置されており、第２の吸引装置は、接続部に対し吐出口とは反対側に配置されている。すなわち、第１の吸引工程による吸引後の処理液の先端面を待機位置に配置させ、かつ第２の吸引工程において処理液の先端面が接続部の上流端よりも後退させることを、実現させることが可能な構成である。

前記第２の吸引装置は、エジェクタ式の吸引装置を含んでいてもよい。
前記第１の吸引装置は、ダイヤフラム式の吸引装置を含んでいてもよい。
この場合、前記基板処理装置が、前記処理液配管に接続され、前記ダイヤフラム式の吸引装置が介装される吸引配管と、前記処理液配管を開閉する処理液バルブとをさらに含んでいてもよい。そして、前記ダイヤフラム式の吸引装置を駆動するための第１の駆動源と、前記処理液バルブを駆動するための第２の駆動源とは互いに独立していてもよい。

仮に、ダイヤフラム式の吸引装置を駆動するための駆動源と、処理液バルブを駆動するための駆動源とが共通であると、処理液バルブの開閉に連動して、ダイヤフラム式の吸引装置の吸引／吸引解除が行われてしまうおそれがある。
この構成によれば、ダイヤフラム式の吸引装置を駆動するための駆動源と、処理液バルブを駆動するための駆動源とが互いに独立しているので、処理液バルブの開閉と、ダイヤフラム式の吸引装置の吸引／吸引解除とを、それぞれ最適な動作タイミングで行うことができる。

前記第１の吸引装置は、サイフォン式の吸引装置を含んでいてもよい。
この発明の一実施形態では、前記制御装置は、前記吐出口から吐出される処理液を用いて複数の基板を連続して処理する連続処理において前記第１の吸引工程を実行し、前記連続処理の前および／または前記連続処理の後に前記第２の吸引工程を実行する。

この構成によれば、連続処理中は、複数の基板が連続して処理されるため、処理液配管内に処理液が長期間滞留し続けることはない。そのため、処理液消費量の低減の観点および／またはスループットの低下抑制の観点から、連続処理中は、吸引後の処理液の先端面が待機位置に配置される第１の吸引工程が吸引工程として実行される。
一方、連続処理の前および／または連続処理の後には、処理液配管内に処理液が長期間滞留し続けている。経時変化している処理液を次の基板処理に用いることはできないから、連続処理の前および／または連続処理の後には、処理液の先端面が待機位置よりも後退させられる第２の吸引工程が吸引工程として実行される。

以上により、処理液配管内に残留した処理液を、その処理液の状態に適した態様で吸引することができる。
この発明の一実施形態では、前記制御装置は、前記吐出口から吐出される処理液を用いて一枚の基板を処理する基板処理の間に前記第１の吸引工程を実行し、前記基板処理の前および／または前記基板処理の後に前記第２の吸引工程を実行する。

この構成によれば、一枚の基板に対する基板処理中は、処理液配管内に処理液が長期間滞留し続けることはない。そのため、処理液消費量の低減の観点および／またはスループットの低下抑制の観点から、基板処理中は、吸引後の処理液の先端面が待機位置に配置される第１の吸引工程が吸引工程として実行される。
一方、基板処理の内容によっては、基板処理の前および／または基板処理の後に、処理液配管内に処理液が長期間滞留し続けることがある。経時変化（成分変化（劣化）や温度低下）している処理液を次の基板処理に用いることはできないから、連続処理の前および／または連続処理の後には、処理液の先端面が待機位置よりも後退させられる第２の吸引工程が吸引工程として実行される。

以上により、処理液配管内に残留した処理液を、その処理液の状態に適した態様で吸引することができる。
この発明の一実施形態では、前記制御装置は、前記吐出口からの処理液の吐出終了からその次の吐出開始までの期間が所定期間未満である場合に前記第１の吸引工程を実行し、前記吐出口からの処理液の吐出終了からその次の吐出開始までの期間が所定期間以上である場合に前記第２の吸引工程を実行する。

この構成によれば、吐出口からの処理液の吐出終了からその次の吐出開始までの期間がさほど長くない場合には、処理液配管内に滞留している処理液は、経時変化（成分変化（劣化）や温度低下）していないから、次の基板処理に用いられる。この場合、処理液消費量の低減の観点および／またはスループットの低下抑制の観点から、吸引後の処理液の先端面が待機位置に配置される第１の吸引工程が吸引工程として実行される。

一方、処理液の吐出停止から長期間が経過している場合には、処理液配管内に残留している処理液が経時変化（成分変化（劣化）や温度低下）していることがある。このような処理液はそのまま処理に用いることは好ましくないので、次の基板処理に先立って、処理液配管内の処理液を全て配管外に排出する必要がある。そのため、この場合には、処理液の先端面が待機位置よりも後退させられる第２の吸引工程が吸引工程として実行される。

以上により、処理液配管内に残留した処理液を、その処理液の状態に適した態様で吸引することができる。
この発明の一実施形態では、前記制御装置は、前記吐出口からの処理液の吐出停止からの経過期間を計測する経過期間計測工程をさらに実行する。そして、前記制御装置は、前記経過期間が前記所定期間未満である場合に前記第１の吸引工程を実行し、前記経過期間が前記所定期間以上である場合に前記第２の吸引工程を実行する。

この構成によれば、吐出口からの処理液の吐出停止からの経過期間を計測することにより、吐出口からの処理液の吐出終了からその次の吐出開始までの期間が前記の所定期間以上であるか否かを高精度に判別することができる。
この発明の一実施形態では、前記吐出口は、前記基板保持ユニットに保持されている基板の主面に沿う方向に移動不能に設けられている。

この構成によれば、吐出口が、基板保持ユニットに保持されている基板の表面に沿う方向に移動不能に設けられている。
処理液配管の内部の処理液が経時変化（成分変化（劣化）または温度低下）している場合には、次の基板処理の開始前に、処理液配管内の処理液を全て配管外に排出する必要がある。しかしながら、吐出口が、基板保持ユニットに保持されている基板の主面に沿う方向に移動不能に設けられている場合には、吐出口から処理液を吐出する方式の処理液排出を行うことができない。そのため、処理液配管の内部に残留している処理液の排出を、吸引を用いて行う必要がある。また、吐出口が、基板保持ユニットに保持されている基板の主面に沿う方向に移動不能に設けられている場合には、基板の主面に吐出口が対向している場合には、吐出口からの処理液の落液（いわゆるボタ落ち）を防止するために、吐出口からの処理液の吐出後、処理液配管の内部を吸引して処理液の先端面を後退させる必要がある。

処理液配管内の吸引の目的（ボタ落ち防止のための吸引であるか、処理液の排出のための吸引であるか）に応じて吸引工程を使い分けることにより、処理液の消費量の低減および処理液の消費量の低減を図りながら、処理液配管内の処理液を吸引することができる。
この発明の一実施形態では、前記基板処理装置が、前記基板保持ユニットに保持されている基板の主面に対向し、前記基板の主面に沿う方向に移動不能な基板対向面を有する対向部材をさらに含む。そして、前記吐出口は、前記基板対向面に形成されている。

この構成によれば、吐出口を、基板保持ユニットに保持されている基板の表面に沿う方向に移動させることができない。この場合においても、処理液の消費量の低減を図りながら、また、スループットの低下の抑制を図りながら、処理液配管内の処理液を吸引することができる。
この発明の一実施形態は、吐出口に連通する処理液配管を含む基板処理装置で実行される基板処理方法であって、前記吐出口から処理液を吐出するべく前記処理液配管に処理液を供給する処理液供給工程と、前記処理液配管の内部に存在している処理液を吸引する吸引工程とを含み、前記吸引工程は、処理液の先端面を後退させて、吸引後の処理液の先端面を、前記処理液配管の内部における予め定める待機位置に配置させる第１の吸引工程と、処理液の先端面を前記待機位置よりも大きく後退させる第２の吸引工程とを含み、前記第１および第２の吸引工程は、選択的に実行されるものである、基板処理方法を提供する。

この方法によれば、吸引工程において、処理液配管の内部に存在している処理液が吸引され、処理液の先端面が後退される。吸引工程として、処理液の先端面が待機位置に配置される第１の吸引工程と、処理液の先端面が待機位置よりも後退させられる第２の吸引工程とが選択的に実行される。
第１の吸引工程において、第２の吸引工程よりも、吸引される処理液の量および時間が低減される。そのため、吸引工程の全てにおいて第２の吸引工程を実行する場合と比較して、処理液の消費量の低減を図ることができ、また、スループットの低下を抑制することもできる。

以上により、処理液の消費量の低減を図りながら、また、スループットの低下の抑制を図りながら、処理液配管内の処理液を吸引することができる。
この発明の一実施形態では、前記基板処理装置は、前記処理液配管に接続され、液体が流通するための流通空間を内部に有する接続部をさらに含む。そして、前記第２の吸引工程は、処理液の先端面を前記接続部の上流端よりも後退させる工程を含む。

この方法によれば、第２の吸引工程において、処理液の先端面が接続部の上流端よりも後退させられる。すなわち、第２の吸引工程において、処理液配管の内部および接続部の流通空間の全域から処理液を排除することができる。これにより、処理液配管内の処理液が経時変化（成分変化（劣化）や温度低下）している場合、その処理液が、次の基板処理に用いることを確実に防止することができる。

この発明の一実施形態では、前記第１の吸引工程は、所定の吸引力で前記処理液配管の内部の処理液を吸引する工程を含む。そして、前記第２の吸引工程は、前記第１の吸引工程よりも大きな吸引力で前記処理液配管の内部の処理液を吸引する工程を含む。
第１および第２の吸引工程の双方において強い吸引力で処理液を吸引すると、第１の吸引工程の吸引後の処理液の先端面を正確に制御できないおそれがある。第１および第２の吸引工程の双方において弱い吸引力で処理液を吸引すると、第２の吸引工程の実行に長期間を要するおそれがある。

この方法によれば、第１の吸引工程において、処理液配管内の処理液が比較的弱い吸引力で吸引され、処理液の先端面が後退させられる。そのため、第１の吸引工程の吸引後の処理液の先端面を正確に制御することが可能であり、かつ、第２の吸引工程の実行を短時間で行うことができる。
この発明の一実施形態では、前記第１の吸引工程は、前記吐出口から吐出される処理液を用いて複数の基板を連続して処理する連続処理において行われる工程であり、前記第２の吸引工程は、前記連続処理の前および／または前記連続処理の後に行われる工程である。

この方法によれば、連続処理中は、複数の基板が連続して処理されるため、処理液配管内に処理液が長期間滞留し続けることはない。そのため、処理液消費量の低減の観点および／またはスループットの低下抑制の観点から、連続処理中は、吸引後の処理液の先端面が待機位置に配置される第１の吸引工程が吸引工程として実行される。
一方、連続処理の前および／または連続処理の後には、処理液配管内に処理液が長期間滞留し続けている。経時変化している処理液を次の基板処理に用いることはできないから、連続処理の前および／または連続処理の後には、処理液の先端面が待機位置よりも後退させられる第２の吸引工程が吸引工程として実行される。

以上により、処理液配管内に残留した処理液を、その処理液の状態に適した態様で吸引することができる。
この発明の一実施形態では、前記第１の吸引工程は、前記吐出口から吐出される処理液を用いて一枚の基板を処理する基板処理の間に行われる工程であり、前記第２の吸引工程は、前記基板処理の前および／または前記基板処理の後に行われる工程である。

この方法によれば、一枚の基板に対する基板処理中は、処理液配管内に処理液が長期間滞留し続けることはない。そのため、処理液消費量の低減の観点および／またはスループットの低下抑制の観点から、基板処理中は、吸引後の処理液の先端面が待機位置に配置される第１の吸引工程が吸引工程として実行される。
一方、基板処理の内容によっては、基板処理の前および／または基板処理の後に、処理液配管内に処理液が長期間滞留し続けることがある。経時変化（成分変化（劣化）や温度低下）している処理液を次の基板処理に用いることはできないから、連続処理の前および／または連続処理の後には、処理液の先端面が待機位置よりも後退させられる第２の吸引工程が吸引工程として実行される。

以上により、処理液配管内に残留した処理液を、その処理液の状態に適した態様で吸引することができる。
この発明の一実施形態では、前記第１の吸引工程は、前記吐出口からの処理液の吐出終了からその次の吐出開始までの期間が所定期間未満である場合に行われる工程であり、前記第２の吸引工程は、前記吐出口からの処理液の吐出終了からその次の吐出開始までの期間が所定期間以上である場合に行われる工程である。

この方法によれば、吐出口からの処理液の吐出終了からその次の吐出開始までの期間がさほど長くない場合には、処理液配管内に滞留している処理液は、経時変化（成分変化（劣化）や温度低下）していないから、次の基板処理に用いられる。この場合、処理液消費量の低減の観点および／またはスループットの低下抑制の観点から、吸引後の処理液の先端面が待機位置に配置される第１の吸引工程が吸引工程として実行される。

一方、処理液の吐出停止から長期間が経過している場合には、処理液配管内に残留している処理液が経時変化（成分変化（劣化）や温度低下）していることがある。このような処理液はそのまま処理に用いることは好ましくないので、次の基板処理に先立って、処理液配管内の処理液を全て配管外に排出する必要がある。そのため、この場合には、処理液の先端面が待機位置よりも後退させられる第２の吸引工程が吸引工程として実行される。

以上により、処理液配管内に残留した処理液を、その処理液の状態に適した態様で吸引することができる。
この発明の一実施形態では、前記基板処理方法が、前記吐出口からの処理液の吐出停止からの経過期間を計測する経過期間計測工程をさらに含む。そして、前記第１の吸引工程は、前記経過期間が前記所定期間未満である場合に実行される工程であり、前記第２の吸引工程は、前記経過期間が前記所定期間以上である場合に実行される工程である。

この方法によれば、吐出口からの処理液の吐出停止からの経過期間を計測することにより、吐出口からの処理液の吐出終了からその次の吐出開始までの期間が前記の所定期間以上であるか否かを高精度に判別することができる。

図１は、この発明の第１の実施形態に係る基板処理装置を水平方向に見た図である。 図２は、前記基板処理装置に備えられた対向部材の縦断面図である。 図３は、前記対向部材の底面図である。 図４は、前記基板処理装置に備えられた第１の供給／吸引ユニットの構成を示す図である。 図５は、前記基板処理装置に備えられた第２の供給／吸引ユニットの構成を示す図である。 図６は、前記基板処理装置に備えられた第３の供給／吸引ユニットの構成を示す図である。 図７は、前記基板処理装置の主要部の電気的構成を説明するためのブロック図である。 図８は、前記基板処理装置によって実行される基板処理例を説明するための流れ図である。 図９は、前記第１の供給／吸引ユニットを用いた薬液の吐出を示す図である。 図１０は、前記第１の供給／吸引ユニットを用いた薬液の吐出停止を示す図である。 図１１は、前記第１の供給／吸引ユニットを用いた薬液の第１の吸引を示す図である。 図１２は、前記第１の供給／吸引ユニットを用いた薬液の第２の吸引を示す図である。 図１３は、前記第２の供給／吸引ユニットを用いた有機溶剤の吐出を示す図である。 図１４は、前記第２の供給／吸引ユニットを用いた有機溶剤の吐出停止を示す図である。 図１５は、前記第２の供給／吸引ユニットを用いた有機溶剤の第１の吸引を示す図である。 図１６は、前記第２の供給／吸引ユニットを用いた有機溶剤の第２の吸引を示す図である。 図１７は、前記基板処理例に含まれる各処理液供給工程を詳細に説明するための流れ図である。 図１８は、本発明の第１の変形例を説明するための図である。 図１９は、本発明の第２の変形例を説明するための図である。 図２０は、本発明の第２の実施形態に係る基板処理装置の内部のレイアウトを説明するための図解的な平面図である。 図２１は、図２０に示す処理ユニットの構成例を説明するための図解的な断面図である。 図２２は、図２１に示す中心軸ノズルの縦断面図である。 図２３は、前記中心軸ノズルの底面図である。 図２４は、図２１に示す、疎水化剤供給ユニットの構成を説明するための図である。 図２５は、前記基板処理装置の主要部の電気的構成を説明するためのブロック図である。 図２６は、前記処理ユニットにおいて実行される基板処理の内容を説明するための流れ図である。 図２７は、前記処理ユニットにおいてプレレシピによって実行される前処理の流れを示す流れ図である。 図２８は、前記処理ユニットにおいてプロセスレシピによって実行される基板処理の流れを示す流れ図である。 図２９は、前記処理ユニットにおいてプロセスレシピによって実行される前処理の流れを示す流れ図である。 図３０Ａは、前記基板処理装置への基板の搬入前における、処理ユニットの状態を示す図である。 図３０Ｂは、図２７に示すプリディスペンス工程を説明するための図である。 図３１は、図２８に示す疎水化剤供給工程を説明するための図である。 図３２は、前記疎水化剤供給工程後に行われる第１の吸引工程を説明するための図である。 図３３は、図２９に示す接続部洗浄工程を説明するための図である。 図３４は、図２９に示す配管洗浄工程を説明するための図である。 図３５は、図２９に示す第２の吸引工程を説明するための図である。 図３６は、図２９に示す充填工程を説明するための図である。

以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の第１の実施形態に係る基板処理装置１を水平方向に見た図である。基板処理装置１は、基板Ｗの一例としての半導体ウエハを１枚ずつ処理する枚葉型の装置である。基板処理装置１は、基板Ｗを処理する処理ユニット２と、基板処理装置１に備えられた装置やバルブの開閉を制御する制御装置３とを含む。

処理ユニット２は、内部空間を有する箱形のチャンバ４と、チャンバ４内で一枚の基板Ｗを水平な姿勢で保持しながら、基板Ｗの中央部を通る鉛直な回転軸線まわりに基板Ｗを回転させるスピンチャック（基板保持ユニット）５と、スピンチャック５に保持されている基板Ｗの上面（主面）の中央部に向けて処理液を吐出するための第１の吐出口（吐出口）８を有する第１のノズル配管（処理液配管）９と、スピンチャック５に保持されている基板Ｗの上面の中央部に向けて処理液を吐出するための第２の吐出口（吐出口）１０を有する第２のノズル配管（処理液配管）１１と、スピンチャック５に保持されている基板Ｗの上面の中央部に向けて処理液を吐出するための第３の吐出口（吐出口）１２を有する第３のノズル配管（処理液配管）１３と、第１のノズル配管９に薬液およびリンス液を選択的に供給し、かつ第１のノズル配管９内の薬液を吸引するための第１の供給／吸引ユニット（処理液供給ユニット、吸引ユニット）１４と、第２のノズル配管１１に液体の有機溶剤を供給し、かつ第２のノズル配管１１内の有機溶剤を吸引するための第２の供給／吸引ユニット（処理液供給ユニット、吸引ユニット）１５と、第３のノズル配管１３に液体の表面改質剤を供給し、かつ第３のノズル配管１３内の表面改質剤を吸引するための第３の供給／吸引ユニット（処理液供給ユニット、吸引ユニット）１６と、スピンチャック５を取り囲む筒状のカップ１７とを含む。

チャンバ４は、スピンチャック５やノズルを収容する箱状の隔壁１８と、隔壁１８の上部から隔壁１８内に清浄空気（フィルタによってろ過された空気）を送る送風ユニットとしてのＦＦＵ（ファン・フィルタ・ユニット）１９と、隔壁１８の下部からチャンバ４内の気体を排出する排気ダクト２０とを含む。ＦＦＵ１４は、隔壁１８の上方に配置されており、隔壁１８の天井に取り付けられている。ＦＦＵ１４は、隔壁１８の天井からチャンバ４内に下向きに清浄空気を送る。排気ダクト２０は、カップ１７の底部に接続されており、基板処理装置１が設置される工場に設けられた排気処理設備に向けてチャンバ４内の気体を導出する。したがって、チャンバ４内を下方に流れるダウンフロー（下降流）が、ＦＦＵ１４および排気ダクト２０によって形成される。基板Ｗの処理は、チャンバ４内にダウンフローが形成されている状態で行われる。

スピンチャック５として、基板Ｗを水平方向に挟んで基板Ｗを水平に保持する挟持式のチャックが採用されている。具体的には、スピンチャック５は、スピンモータ２２と、このスピンモータ２２の駆動軸と一体化された下スピン軸２３と、下スピン軸２３の上端に略水平に取り付けられた円板状のスピンベース２４とを含む。
スピンベース２４の上面には、その周縁部に複数個（３個以上。たとえば６個）の挟持部材２５が配置されている。複数個の挟持部材２５は、スピンベース２４の上面周縁部において、基板Ｗの外周形状に対応する円周上で適当な間隔を空けて配置されている。

また、スピンチャック５としては、挟持式のものに限らず、たとえば、基板Ｗの裏面を真空吸着することにより、基板Ｗを水平な姿勢で保持し、さらにその状態で鉛直な回転軸線まわりに回転することにより、スピンチャック５に保持されている基板Ｗを回転させる真空吸着式のもの（バキュームチャック）が採用されてもよい。
基板処理装置１は、スピンチャック５に保持されている基板Ｗの上面に対向する対向部材２６をさらに含む。図２は、対向部材２６の縦断面図である。図３は、対向部材２６の底面図である。図１〜図３を参照しながら対向部材２６について説明する。

対向部材２６は、遮断板２７と、遮断板２７に一体回転可能に設けられた回転軸２８とを含む。遮断板２７は、基板Ｗとほぼ同じ径またはそれ以上の径を有する円板状である。遮断板２７は、その下面に基板Ｗの上面全域に対向する円形の水平平坦面からなる基板対向面２９を有している。基板対向面２９の中央部には、遮断板２７を上下に貫通する円筒状の貫通穴３０が形成されている。貫通穴３０は、円筒状の内周面によって区画されている。

回転軸２８は、遮断板２７の中心を通り鉛直に延びる回転軸線Ａ２（基板Ｗの回転軸線Ａ１と一致する軸線）まわりに回転可能に設けられている。回転軸２８は、円筒状である。回転軸２８の内周面は、回転軸線Ａ２を中心とする円筒面に形成されている。回転軸２８の内部空間は、遮断板２７の貫通穴３０に連通している。回転軸２８は、遮断板２７の上方で水平に延びる支持アーム３１に相対回転可能に支持されている。この実施形態では、支持アーム３１は、上下方向にのみ移動可能であり、左右方向（すなわち、基板Ｗの表面に沿う方向）には移動しない。換言すると基板対向面２９および各吐出口８，１０，１２は上下方向にのみ移動可能であり、左右方向（すなわち、基板Ｗの表面に沿う方向）には移動不能である。

貫通穴３０の内部には、遮断板２７の回転軸線Ａ２に沿って上下に延びる中心軸ノズル３２が挿通している。中心軸ノズル３２は、ケーシングと、ケーシングの内部を上下に相通する第１のノズル配管９、第２のノズル配管１１および第３のノズル配管１３とを含む。この実施形態では、第１〜第３のノズル配管９，１１，１３は、それぞれインナーチューブである。ケーシング３３は、貫通穴３０の内部に、遮断板２７や回転軸２８と非接触の状態で挿入されている。

遮断板２７には、電動モータ等を含む構成の遮断板回転ユニット３４が結合されている。遮断板回転ユニット３４は、遮断板２７および回転軸２８を、支持アーム３１に対して回転軸線Ａ２まわりに回転させる。
支持アーム３１には、電動モータ、ボールねじ等を含む構成の対向部材昇降ユニット３５が結合されている。対向部材昇降ユニット３５は、対向部材２６（遮断板２７および回転軸２８）および第１〜第３のノズル配管９，１１，１３を、支持アーム３１と共に鉛直方向に昇降する。対向部材昇降ユニット３５は、遮断板２７の基板対向面２９がスピンチャック５に保持されている基板Ｗの上面に近接する近接位置と、近接位置の上方に設けられた退避位置の間で、遮断板２７およびノズル配管９，１１，１３を昇降させる。対向部材昇降ユニット３５は、近接位置と退避位置との間の各位置で遮断板２７を保持可能である。

図１に示すように、カップ１７は、スピンチャック５に保持されている基板Ｗよりも外方（回転軸線Ａ１から離れる方向）に配置されている。カップ１７は、スピンベース２４の周囲を取り囲んでいる。スピンチャック５が基板Ｗを回転させている状態で、処理液が基板Ｗに供給されると、基板Ｗに供給された処理液が基板Ｗの周囲に振り切られる。処理液が基板Ｗに供給されるとき、上向きに開いたカップ１７の上端部１７ａは、スピンベース２４よりも上方に配置される。したがって、基板Ｗの周囲に排出された処理液（薬液、リンス液、有機溶剤、表面改質剤等）は、カップ１７によって受け止められる。そして、カップ１７に受け止められた処理液は、図示しない回収装置または排液装置に送られる。

図４は、第１の供給／吸引ユニット１４の構成を示す図である。
第１のノズル配管９は、第１の上下方向部４１と、第１の左右方向部４２とを有している。第１の左右方向部４２の先端部が、第１の上下方向部４１の基端部（上端部）に接続されている。第１の上下方向部４１の先端部（下端部）に第１の吐出口８が形成されている。

第１の供給／吸引ユニット１４は、第１のノズル配管９の第１の左右方向部４２に一端側（図４の左側）が接続された第１の共通配管４３と、第１の共通配管４３の他端側（図４の右側）が接続された第１の接続部４４と、第１の接続部４４に一端側（図４の左側）が接続された第１の排液配管４５と、第１の接続部４４に一端側（図４の左側）が接続された薬液配管４６と、第１の接続部４４に一端側（図４の左側）が接続されたリンス液配管４７と、第１の共通配管４３の途中部に一端側（図４の左側）が分岐接続された第１の薬液／リンス液吸引配管４８と、第１の接続部４４に一端側（図４の左側）が接続された第２の薬液／リンス液吸引配管４９とを含む。

第１の共通配管４３における、第１の薬液／リンス液吸引配管４８の分岐位置の上流側部分（第１の吐出口８側の部分）には、第１の共通配管４３を開閉するための第１の共通バルブ５０が介装されている。
第１の排液配管４５には、第１の排液配管４５を開閉するための第１の排液バルブ５１が介装されている。第１の排液配管４５の他端側は、機外の排液設備に接続されている。

薬液配管４６には、薬液配管４６を開閉するための薬液バルブ５２が介装されている。薬液配管４６の他端側には、薬液供給源から薬液が供給されるようになっている。薬液の具体例は、フッ酸（ＨＦ）である。しかしながら、薬液は、フッ酸に限られず、硫酸、酢酸、硝酸、塩酸、フッ酸、アンモニア水、過酸化水素水、有機酸（例えばクエン酸、蓚酸など）、有機アルカリ（例えば、ＴＭＡＨ：テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドなど）、界面活性剤、腐食防止剤のうちの少なくとも１つを含む液であってもよい。

リンス液配管４７には、リンス液配管４７を開閉するためのリンス液バルブ５３が介装されている。リンス液配管４７の他端側には、リンス液供給源からリンス液が供給されるようになっている。
リンス液の具体例は、たとえば脱イオン水（ＤＩＷ）であるが、ＤＩＷに限らず、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水および希釈濃度（たとえば、１０ｐｐｍ〜１００ｐｐｍ程度）のアンモニア水のいずれかであってもよい。

第１の共通配管４３には、第１の薬液／リンス液吸引配管４８が分岐接続されている。第１の薬液／リンス液吸引配管４８には、第１の薬液／リンス液吸引配管４８を開閉するための第１の薬液／リンス液吸引バルブ５４が介装されている。第１の薬液／リンス液吸引配管４８の他端側（先端）には、第１の薬液／リンス液吸引装置（第１の吸引装置）５５が接続されている。第１の薬液／リンス液吸引装置５５は、サイフォン式の吸引装置である。

サイフォン式の吸引装置とは、配管（第１の薬液／リンス液吸引配管４８）内を液体で満たし、サイフォンの原理を利用して第１の共通配管４３内の液体を吸引（排液）する装置をいう。サイフォン式の吸引装置は、次に述べる真空発生器やアスピレータ等のエジェクタ式の吸引装置と比較して、吸引のためのエネルギー消費を抑制することができる。
第２の薬液／リンス液吸引配管４９には、第２の薬液／リンス液吸引配管４９を開閉するための第２の薬液／リンス液吸引バルブ５６が介装されている。第２の薬液／リンス液吸引配管４９の他端側（先端）には、第２の薬液／リンス液吸引装置（第２の吸引装置）５７が接続されている。第２の薬液／リンス液吸引装置５７は、エジェクタ式の吸引装置である。エジェクタ式の吸引装置は、サイフォン式の吸引装置と比較して、吸引力が強く（吸引速度が速く）、また吸引可能な液流量も多い。

他のバルブが閉じられた状態で、薬液バルブ５２および第１の共通バルブ５０が開かれると、薬液配管４６から薬液が第１のノズル配管９に供給され、第１の吐出口８から下方に向けて薬液が吐出される。
また、他のバルブが閉じられた状態で、薬液バルブ５２および第１の排液バルブ５１が開かれると、薬液配管４６から薬液が第１の排液配管４５に供給される。これにより、薬液配管４６内の薬液を排液（廃棄）することができる。

他のバルブが閉じられた状態で、リンス液バルブ５３および第１の共通バルブ５０が開かれると、リンス液バルブ５３からリンス液が第１のノズル配管９に供給され、第１の吐出口８から下方に向けてリンス液が吐出される。
また、他のバルブが閉じられた状態で、リンス液バルブ５３および第１の排液バルブ５１が開かれると、リンス液バルブ５３からリンス液が第１の排液配管４５に供給される。これにより、リンス液配管４７内のリンス液を排液（廃棄）することができる。

第１の薬液／リンス液吸引装置５５は、たとえば常時作動状態とされている。第１の薬液／リンス液吸引装置５５の作動状態において、第１の薬液／リンス液吸引バルブ５４が開かれると、第１の薬液／リンス液吸引装置５５の働きが有効化され、第１の薬液／リンス液吸引配管４８の内部が吸引され、第１の薬液／リンス液吸引配管４８に含まれる処理液（薬液またはリンス液）が、第２の薬液／リンス液吸引配管４９へと引き込まれる。第１の薬液／リンス液吸引装置５５の吸引力は比較的弱く、その吸引速度も比較的遅い。

また、第２の薬液／リンス液吸引装置５７は、たとえば常時作動状態とされている。第２の薬液／リンス液吸引装置５７の作動状態において、第２の薬液／リンス液吸引バルブ５６が開かれると、第２の薬液／リンス液吸引装置５７の働きが有効化され、第２の薬液／リンス液吸引配管４９の内部が吸引され、第２の薬液／リンス液吸引配管４９、第１の接続部４４、第１の共通配管４３および第１のノズル配管９に含まれる処理液（薬液またはリンス液）が、第２の薬液／リンス液吸引配管４９へと引き込まれる。第２の薬液／リンス液吸引装置５７の吸引力は、第１の薬液／リンス液吸引装置５５の場合と比較して強く、その吸引速度も、第１の薬液／リンス液吸引装置５５の場合と比較して遅い。

第１の供給／吸引ユニット１４のうち、第１の共通配管４３、第１の接続部４４、薬液配管４６、薬液バルブ５２、リンス液配管４７およびリンス液バルブ５３が、処理液供給ユニットを構成している。また、第１の供給／吸引ユニット１４のうち、第１の共通配管４３、第１の薬液／リンス液吸引配管４８、第１の薬液／リンス液吸引装置５５、第１の接続部４４、第２の薬液／リンス液吸引配管４９および第２の薬液／リンス液吸引装置５７が、吸引ユニットを構成している。

図５は、第２の供給／吸引ユニット１５の構成を示す図である。
第２のノズル配管１１は、第２の上下方向部６１と、第２の左右方向部６２とを有している。第２の左右方向部６２の先端部が、第２の上下方向部６１の基端部（上端部）に接続されている。第２の上下方向部６１の先端部（下端部）に第２の吐出口１０が形成されている。

第２の供給／吸引ユニット１５は、第２のノズル配管１１の第２の左右方向部６２に一端側（図５の左側）が接続された第２の共通配管６３と、第２の共通配管６３の他端側（図５の右側）が接続された第２の接続部６４と、第２の接続部６４に一端側（図５の左側）が接続された第２の排液配管６５と、第２の接続部６４に一端側（図５の左側）が接続された有機溶剤配管６６と、第２の接続部６４に一端側（図５の左側）が接続された有機溶剤吸引配管６９とを含む。

第２の共通配管６３には、第２の共通配管６３を開閉するための第２の共通バルブ７０が介装されている。
第２の排液配管６５には、第２の排液配管６５を開閉するための第２の排液バルブ７１が介装されている。第２の排液配管６５の他端側は、機外の排液設備に接続されている。
有機溶剤配管６６には、有機溶剤配管６６を開閉するための有機溶剤バルブ７２が介装されている。有機溶剤配管６６の他端側には、有機溶剤供給源から有機溶剤が供給されるようになっている。有機溶剤の一例はＩＰＡ（isopropyl alcohol）である。

第２の共通配管６３には、第２の共通バルブ７０の介装位置よりも下流側部分に、第１の有機溶剤吸引装置（第１の吸引装置）７５が介装されている。第１の有機溶剤吸引装置７５は、ダイヤフラム式の吸引装置である。ダイヤフラム式の吸引装置は、第２の共通配管６３の途中部に介装される筒状のヘッドと、ヘッド内に収容されたダイヤフラムとを含み、ダイヤフラムの駆動により、ヘッド内に形成される流路の容積を変化させるような吸引装置である（特開２０１６-１１１３０６号公報等参照）。

有機溶剤吸引配管６９には、有機溶剤吸引配管６９を開閉するための有機溶剤吸引バルブ７６が介装されている。有機溶剤吸引配管６９の他端側（先端）には、第２の有機溶剤吸引装置（第２の吸引装置）７７が接続されている。第２の有機溶剤吸引装置７７は、第２の薬液／リンス液吸引装置５７と同様のエジェクタ式の吸引装置である。エジェクタ式の吸引装置は、ダイヤフラム式の吸引装置と比較して、吸引力が強く（吸引速度が速く）、また吸引可能な液流量も多い。

他のバルブが閉じられた状態で、有機溶剤バルブ７２および第２の共通バルブ７０が開かれると、有機溶剤配管６６から有機溶剤が第２のノズル配管１１に供給され、第２の吐出口１０から下方に向けて有機溶剤が吐出される。
また、他のバルブが閉じられた状態で、有機溶剤バルブ７２および第２の排液バルブ７１が開かれると、有機溶剤配管６６から有機溶剤が第２の排液配管６５に供給される。これにより、有機溶剤配管６６内の有機溶剤を排液（廃棄）することができる。

第１の有機溶剤吸引装置７５は、制御装置３により作動させられる（第１の有機溶剤吸引装置７５の働きが有効化される）。この作動状態では、第２の共通配管６３に含まれる有機溶剤が、第１の有機溶剤吸引装置７５へと引き込まれる。第１の有機溶剤吸引装置７５の吸引力は比較的弱く、その吸引速度も比較的遅い。
また、第２の有機溶剤吸引装置７７は、たとえば常時作動状態とされている。第２の有機溶剤吸引装置７７の作動状態において、有機溶剤吸引バルブ７６が開かれると、第２の有機溶剤吸引装置７７の働きが有効化され、有機溶剤吸引配管６９の内部が吸引され、有機溶剤吸引配管６９、第２の接続部６４、第２の共通配管６３および第２のノズル配管１１に含まれる有機溶剤が、有機溶剤吸引配管６９へと引き込まれる。第２の有機溶剤吸引装置７７の吸引力は、第１の有機溶剤吸引装置７５の場合と比較して強く、その吸引速度も、第１の有機溶剤吸引装置７５の場合と比較して遅い。

第２の供給／吸引ユニット１５のうち、第２の共通配管６３、第２の接続部６４、有機溶剤配管６６および有機溶剤バルブ７２が、処理液供給ユニットを構成している。また、第２の供給／吸引ユニット１５のうち、第２の共通配管６３、第１の有機溶剤吸引装置７５、第２の接続部６４、有機溶剤吸引配管６９および第２の有機溶剤吸引装置７７が、処吸引ユニットを構成している。

図６は、第３の供給／吸引ユニット１６の構成を示す図である。
第３のノズル配管１３は、第３の上下方向部８１と、第３の左右方向部８２とを有している。第３の左右方向部８２の先端部が、第３の上下方向部８１の基端部（上端部）に接続されている。第３の上下方向部８１の先端部（下端部）に第３の吐出口１２が形成されている。

第３の供給／吸引ユニット１６は、第３のノズル配管１３の第３の左右方向部８２に一端側（図６の左側）が接続された第３の共通配管８３と、第３の共通配管８３の他端側（図６の右側）が接続された第３の接続部８４と、第３の接続部８４に一端側（図６の左側）が接続された第３の排液配管８５と、第３の接続部８４に一端側（図６の左側）が接続された第１の表面改質剤配管８６と、第３の接続部８４に一端側（図６の左側）が接続された第２の表面改質剤配管８７と、第３の接続部８４に一端側（図６の左側）が接続された表面改質剤吸引配管８９とを含む。表面改質剤の一例は、疎水化剤である。疎水化剤は、シリコン系の疎水化剤であってもよいし、メタル系の疎水化剤であってもよい。

シリコン系の疎水化剤は、シリコン（Ｓｉ）自体およびシリコンを含む化合物を疎水化させる疎水化剤である。シリコン系疎水化剤は、たとえば、シランカップリング剤である。シランカップリング剤は、たとえば、ＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）、ＴＭＳ（テトラメチルシラン）、フッ素化アルキルクロロシラン、アルキルジシラザン、および非クロロ系疎水化剤の少なくとも一つを含む。非クロロ系疎水化剤は、たとえば、ジメチルシリルジメチルアミン、ジメチルシリルジエチルアミン、ヘキサメチルジシラザン、テトラメチルジシラザン、ビス（ジメチルアミノ）ジメチルシラン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノトリメチルシラン、Ｎ−（トリメチルシリル）ジメチルアミンおよびオルガノシラン化合物の少なくとも一つを含む。

メタル系の疎水化剤は、たとえば高い配位性を有し、主として配位結合によって金属を疎水化する溶剤である。この疎水化剤は、たとえば、疎水基を有するアミン、および有機シリコン化合物の少なくとも一つを含む。
第３の共通配管８３には、第３の共通配管８３を開閉するための第３の共通バルブ９０が介装されている。

第３の排液配管８５には、第３の排液配管８５を開閉するための第３の排液バルブ９１が介装されている。第３の排液配管８５の他端側は、機外の排液設備に接続されている。
第１の表面改質剤配管８６には、第１の表面改質剤配管８６を開閉するための第１の表面改質剤バルブ９２が介装されている。第１の表面改質剤配管８６の他端側には、第１の表面改質剤原液供給源から第１の表面改質剤原液が供給されるようになっている。

第２の表面改質剤配管８７には、第２の表面改質剤配管８７を開閉するための第２の表面改質剤バルブ９３が介装されている。第２の表面改質剤配管８７の他端側には、第２の表面改質剤原液供給源から第２の表面改質剤原液が供給されるようになっている。
第３の共通配管８３には、第３の共通バルブ９０の介装位置よりも下流側部分に、第１の表面改質剤吸引装置（第１の吸引装置）９５が介装されている。第１の表面改質剤吸引装置９５は、第１の有機溶剤吸引装置７５と同様のダイヤフラム式の吸引装置である。

表面改質剤吸引配管８９には、表面改質剤吸引配管８９を開閉するための表面改質剤吸引バルブ９６が介装されている。表面改質剤吸引配管８９の他端側（先端）には、第２の表面改質剤吸引装置（第２の吸引装置）９７が接続されている。第２の表面改質剤吸引装置９７は、第２の薬液／リンス液吸引装置５７と同様のエジェクタ式の吸引装置である。
他のバルブが閉じられた状態で、第１の表面改質剤バルブ９２、第２の表面改質剤バルブ９２および第３の共通バルブ９０が開かれると、第１の表面改質剤配管８６からの第１の表面改質剤原液と、第２の表面改質剤配管８７からの第２の表面改質剤原液とが第３の接続部８４に流入して、第３の接続部８４内で混合されて表面改質剤が生成される。この表面改質剤が第３のノズル配管１３に供給され、第３の吐出口１２から下方に向けて表面改質剤が吐出される。

また、他のバルブが閉じられた状態で、第１の表面改質剤バルブ９２および第３の排液バルブ９１が開かれると、第１の表面改質剤配管８６から第１の表面改質剤原液が第３の排液配管８５に供給される。これにより、第１の表面改質剤配管８６内の第１の表面改質剤原液を排液（廃棄）することができる。
また、他のバルブが閉じられた状態で、第２の表面改質剤バルブ９３および第３の排液バルブ９１が開かれると、第２の表面改質剤配管８７から第２の表面改質剤原液が第３の排液配管８５に供給される。これにより、第２の表面改質剤配管８７内の第２の表面改質剤原液を排液（廃棄）することができる。

第１の表面改質剤吸引装置９５は、制御装置３により作動させられる（第１の表面改質剤吸引装置９５の働きが有効化される）。この作動状態では、第３の共通配管８３に含まれる表面改質剤が、第１の表面改質剤吸引装置９５へと引き込まれる。第１の表面改質剤吸引装置９５の吸引力は比較的弱く、その吸引速度も比較的遅い。
また、第２の表面改質剤吸引装置９７は、たとえば常時作動状態とされている。第２の表面改質剤吸引装置９７の作動状態において、表面改質剤吸引バルブ９６が開かれると、第２の表面改質剤吸引装置９７の働きが有効化され、表面改質剤吸引配管８９の内部が吸引され、表面改質剤吸引配管８９、第３の接続部８４、第３の共通配管８３および第３のノズル配管１３に含まれる表面改質剤が、表面改質剤吸引配管８９へと引き込まれる。第２の表面改質剤吸引装置９７の吸引力は、第１の表面改質剤吸引装置９５の場合と比較して強く、その吸引速度も、第１の表面改質剤吸引装置９５の場合と比較して遅い。

第３の供給／吸引ユニット１６のうち、第３の共通配管８３、第３の接続部８４、第１の表面改質剤配管８６、第１の表面改質剤バルブ９２および第２の表面改質剤バルブ９３が、処理液供給ユニットを構成している。また、第３の供給／吸引ユニット１６のうち、第３の共通配管８３、第１の表面改質剤吸引装置９５、第３の接続部８４、表面改質剤吸引配管８９および第２の表面改質剤吸引装置９７が、吸引ユニットを構成している。

図７は、基板処理装置１の主要部の電気的構成を説明するためのブロック図である。
制御装置３は、たとえばマイクロコンピュータを用いて構成されている。制御装置３には、基板処理装置１のユーザなどにより操作される操作キー１０１が接続されている。制御装置３はＣＰＵ等の演算ユニット、固定メモリデバイス、ハードディスクドライブ等の記憶ユニット、および入出力ユニット（図示しない）を有している。記憶ユニットには、演算ユニットが実行するプログラムが記憶されている。

記憶ユニットは、基板Ｗに対する各処理の内容を記憶するレシピを記憶するレシピ記憶部１０２を含む。レシピ記憶部１０２は、電気的にデータを書き換え可能な不揮発性メモリから構成されている。操作キー１０１の操作により、ユーザは各処理工程における基板Ｗの回転数などの実行内容を入力することにより、レシピを作成することができる。操作キー１０１の操作により作成されたレシピは、レシピ記憶部１０２に記憶（保存）される。

レシピ記憶部１０２（図７参照）に記憶（保存）されるレシピは、薬液供給工程（図８のＳ３）の実行に用いられる薬液供給レシピＲＥ１と、有機溶剤供給工程（図８のＳ５，Ｓ７）の実行に用いられる有機溶剤供給レシピＲＥ２と、表面改質剤供給工程（図８のＳ６）の実行に用いられる表面改質剤供給レシピＲＥ３とを含む。
薬液供給レシピＲＥ１には、薬液供給工程（図８のＳ３）における処理条件が定められている。具体的には、薬液供給工程（図８のＳ３）における、基板Ｗの回転速度、処理期間等の処理条件が定められている。また、薬液供給レシピＲＥ１には、薬液の吐出後に、第１の薬液／リンス液吸引装置５５（図４参照）を用いた吸引動作を行うことが指定されている。このような薬液供給レシピＲＥ１に基づいて、薬液供給工程（図８のＳ３）が実行される。

有機溶剤供給レシピＲＥ２には、第１の有機溶剤供給工程（図８のＳ５）における処理条件、および第２の有機溶剤供給工程（図８のＳ７）における処理条件が定められている。具体的には、第１の有機溶剤供給工程（図８のＳ５）および第２の有機溶剤供給工程（図８のＳ７）における、基板Ｗの回転速度、処理期間等の処理条件が定められている。また、有機溶剤供給レシピＲＥ２には、有機溶剤の吐出後に、第１の有機溶剤吸引装置７５（図５参照）を用いた吸引動作を行うことが指定されている。このような有機溶剤供給レシピＲＥ２に基づいて、第１の有機溶剤供給工程（図８のＳ５）および第２の有機溶剤供給工程（図８のＳ７）が実行される。

表面改質剤供給レシピＲＥ３には、表面改質剤供給工程（図８のＳ６）における処理条件が定められている。具体的には、表面改質剤供給工程（図８のＳ６）における、基板Ｗの回転速度、処理期間等の処理条件が定められている。また、表面改質剤供給レシピＲＥ３には、表面改質剤の吐出後に、第１の表面改質剤吸引装置９５（図６参照）を用いた吸引動作を行うことが指定されている。このような表面改質剤供給レシピＲＥ３に基づいて、表面改質剤供給工程（図８のＳ６）が実行される。

また、記憶ユニットは、薬液供給工程（図８のＳ３）における吸引の態様の設定に用いられる第１の吸引フラグ１０３Ａと、第１の有機溶剤供給工程（図８のＳ５）および第２の有機溶剤供給工程（図８のＳ７）における吸引の態様の設定に用いられる第２の吸引フラグ１０３Ｂと、表面改質剤供給工程（図８のＳ６）における吸引の態様の設定に用いられる第３の吸引フラグ１０３Ｃとを含む。

各吸引フラグ１０３Ａ，１０３Ｂ，１０３Ｃには、予め定める値（５Ａ［Ｈ］または００［Ｈ］）が選択格納されるようになっている。吸引フラグ１０３Ａ，１０３Ｂ，１０３Ｃには、イニシャルとして００［Ｈ］が格納されている。前回の薬液供給工程（図８のＳ３）の終了から所定の期間が経過している場合に、第１の吸引フラグ１０３Ａに５Ａ［Ｈ］が格納される。前回の第１の有機溶剤供給工程（図８のＳ５）の終了または前回の第２の有機溶剤供給工程（図８のＳ７）の終了から所定の期間が経過している場合に、第２の吸引フラグ１０３Ｂに５Ａ［Ｈ］が格納される。前回の表面改質剤供給工程（図８のＳ６）の終了から所定の期間が経過している場合に、第３の吸引フラグ１０３Ｃに５Ａ［Ｈ］が格納される。吸引フラグ１０３Ａ，１０３Ｂ，１０３Ｃに５Ａ［Ｈ］が格納されている場合には、当該吸引フラグはオン状態である。一方、吸引フラグ１０３Ａ，１０３Ｂ，１０３Ｃに００［Ｈ］が格納されている場合には、当該吸引フラグはオフ状態になる。

また、制御装置３は、タイマを内蔵している。タイマは、前回の薬液供給工程（図８のＳ３）の終了後（すなわち、第１の吐出口８からの前回の薬液吐出終了後）からの経過期間を計時（計測）するための第１の経過期間タイマ１０４Ａと、前回の第１の有機溶剤供給工程（図８のＳ５）の終了後、または前回の第２の有機溶剤供給工程（図８のＳ７）の終了後（すなわち、第２の吐出口１０からの前回の有機溶剤吐出終了後）からの経過期間を計時（計測）するための第２の経過期間タイマ１０４Ｂと、前回の表面改質剤供給工程（図８のＳ６）の終了後（すなわち、第３の吐出口１２からの前回の表面改質剤吐出終了後）からの経過期間を計時（計測）するための第３の経過期間タイマ１０４Ｃとを含む。

さらに、制御装置３は、スピンモータ２２、対向部材昇降ユニット３５、遮断板回転ユニット３４、第１の薬液／リンス液吸引装置５５、第２の薬液／リンス液吸引装置５７、第１の有機溶剤吸引装置７５、第２の有機溶剤吸引装置７７、第１の表面改質剤吸引装置９５、第２の表面改質剤吸引装置９７等の動作を制御する。また、制御装置３は、第１の共通バルブ５０、第１の排液バルブ５１、薬液バルブ５２、リンス液バルブ５３、第１の薬液／リンス液吸引バルブ５４、第２の薬液／リンス液吸引バルブ５６、第２の共通バルブ７０、第２の排液バルブ７１、有機溶剤バルブ７２、有機溶剤吸引バルブ７６、第３の共通バルブ９０、第３の排液バルブ９１、第１の表面改質剤バルブ９２、第２の表面改質剤バルブ９３、表面改質剤吸引バルブ９６等を開閉する。

基板Ｗは、基板搬送ロボット（図示しない）のハンド（図示しない）に保持された状態で処理ユニット２内に搬入される。基板Ｗが処理ユニット２内に搬入されると、制御装置３の演算ユニットは、当該基板Ｗに対応するレシピを、レシピ記憶部１０２から読み出す。このレシピには、次に述べる各工程を順に実行させるための制御パラメータが設定されている。そして、制御装置３は、処理ユニット２を制御して、読み出したレシピに規定されている一連の処理を実行する。

図８は、処理ユニット２による基板処理例を説明するための流れ図である。図９〜図１２は、薬液供給工程（図８のＳ３）における薬液の吐出動作および吸引動作を示す図である。図１３〜図１６は、第１の有機溶剤供給工程（図８のＳ５）または第２の有機溶剤供給工程（図８のＳ７）における有機溶剤の吐出動作および吸引動作を示す図である。以下、図１〜図８を参照しながら基板処理例について説明する。図９〜図１６については適宜参照する。基板処理例は、エッチング処理であってもよいし、洗浄処理であってもよい。基板処理例の実行に関し、レシピ記憶部１０２から読み出されたレシピは、常時参照されている。

基板処理例が実行されるときには、未処理の基板Ｗが、チャンバ４の内部に搬入される（図８のステップＳ１）。
具体的には、基板Ｗを保持している基板搬送ロボットのハンドをチャンバ４の内部に進入させることにより、基板Ｗがその表面（薬液処理対象面）を上方に向けた状態でスピンチャック５に受け渡される。その後、スピンチャック５に基板Ｗが保持される。

その後、制御装置３は、スピンモータ２２によって基板Ｗの回転を開始させる（図８のステップＳ２）。基板Ｗは予め定める液処理速度（約１０〜１２００ｒｐｍの範囲内で、たとえば約１０００ｒｐｍ）まで上昇させられ、その液処理速度に維持される。
次いで、制御装置３は、基板Ｗの上面に薬液を供給する薬液供給工程（図８のステップＳ３）を行う。制御装置３は、他のバルブを閉じながら薬液バルブ５２および第１の共通バルブ５０を開く。これにより、図９に示すように、遮断板２７の基板対向面２９に形成された第１の吐出口８から基板Ｗの上面中央部に向けて薬液が吐出される。基板Ｗの上面に供給された薬液は、基板Ｗの回転による遠心力を受けて基板Ｗの周縁部に移動する。これにより、基板Ｗの上面の全域が薬液を用いて処理される。

薬液の吐出開始から予め定める期間が経過すると、制御装置３は、薬液バルブ５２を閉じる。これにより、図１０に示すように、第１の吐出口８からの薬液の吐出が停止される。このとき、第１のノズル配管９内、第１の共通配管４３内および第１の接続部４４内に薬液が残っている。
その後、制御装置３は、第１の薬液／リンス液吸引装置５５および第２の薬液／リンス液吸引装置５７の一方の働きのみを有効化して、第１のノズル配管９内の薬液を吸引する。第１の薬液／リンス液吸引装置５５および第２の薬液／リンス液吸引装置５７のいずれの働きを有効化するかは、第１の供給／吸引ユニット１４に対応する第１の吸引フラグ１０３Ａの値を参照して決められる。

吸引フラグ１０３がオフ状態である場合には、制御装置３は、第１の共通バルブ５０を閉じ、かつ第１の薬液／リンス液吸引バルブ５４を開いて第１の薬液／リンス液吸引装置５５の働きを有効化する。これにより、第１の共通配管４３における、第１の薬液／リンス液吸引配管４８の分岐部分よりも上流側部分の内部が吸引され、図１１に示すように、当該上流側部分の内部に残っている薬液が、第１の薬液／リンス液吸引配管４８へと比較的弱い吸引力により引き込まれる。薬液の吸引は、薬液の先端面が、第１の左右方向部４２内に設定された所定の待機位置に後退するまで行われる。薬液の先端面が、待機位置まで後退すると、制御装置３は第１の薬液／リンス液吸引バルブ５４および第１の共通バルブ５０を閉じる。

一方、吸引フラグ１０３がオン状態である場合には、制御装置３は、第１の共通バルブ５０を閉じたままの状態で第２の薬液／リンス液吸引バルブ５６を開いて第２の薬液／リンス液吸引装置５７の働きを有効化する。これにより、第１の接続部４４の内部が吸引され、図１２に示すように、第１のノズル配管９および第１の共通配管４３の内部に残っている薬液が、第１の接続部４４を通って第２の薬液／リンス液吸引配管４９へと比較的強い吸引力により引き込まれる。第１のノズル配管９内、第１の共通配管４３内、第１の接続部４４内および第２の薬液／リンス液吸引配管４９内から全て薬液が排出されると、制御装置３は第２の薬液／リンス液吸引バルブ５６および第１の共通バルブ５０を閉じる。

第１の共通バルブ５０の閉成により、薬液供給工程Ｓ３が終了する。
次いで、制御装置３は、基板Ｗの上面にリンス液を供給するリンス工程（図８のステップＳ４）を行う。制御装置３は、他のバルブを閉じながらリンス液バルブ５３および第１の共通バルブ５０を開く。これにより、遮断板２７の基板対向面２９に形成された第１の吐出口８から基板Ｗの上面中央部に向けてリンス液が吐出される。基板Ｗの上面に供給されたリンス液は、基板Ｗの回転による遠心力を受けて基板Ｗの周縁部に移動する。これにより、基板Ｗの上面上の薬液がリンス液に置換される。

リンス液の吐出開始から予め定める期間が経過すると、基板Ｗの上面全域がリンス液に覆われている状態で、制御装置３は、スピンモータ２２を制御して、基板Ｗの回転速度を液処理速度からパドル速度（零または約４０ｒｐｍ以下の低回転速度。第１の基板処理例では、たとえば約１０ｒｐｍ）まで段階的に減速させる。その後、基板Ｗの回転速度をパドル速度に維持する。これにより、基板Ｗの上面に、基板Ｗの上面全域を覆うリンス液の液膜がパドル状に支持される。この状態では、基板Ｗの上面のリンス液の液膜に作用する遠心力がリンス液と基板Ｗの上面との間で作用する表面張力よりも小さいか、あるいは前記の遠心力と前記の表面張力とがほぼ拮抗している。基板Ｗの減速により、基板Ｗ上のリンス液に作用する遠心力が弱まり、基板Ｗ上から排出されるリンス液の量が減少する。

基板Ｗをパドル速度に減速してから予め定める期間が経過すると、制御装置３は、リンス液バルブ５３および第１の共通バルブ５０を閉じる。これにより、第１の吐出口８からのリンス液の吐出が停止される。このとき、第１のノズル配管９内、第１の共通配管４３内および第１の接続部４４内にリンス液が残っている。
その後、制御装置３は、第１の共通バルブ５０を閉じたままの状態で、第１の薬液／リンス液吸引装置５５の働きのみを有効化して、第１のノズル配管９内のリンス液を吸引する。これにより、第１の共通配管４３における、第１の薬液／リンス液吸引配管４８の分岐部分よりも上流側部分の内部が吸引され、当該上流側部分の内部に残っているリンス液が、第１の薬液／リンス液吸引配管４８へと比較的弱い吸引力により引き込まれる。リンス液の吸引は、リンス液の先端面が、第１の左右方向部４２内に設定された所定の待機位置に後退するまで行われる。リンス液の先端面が、待機位置まで後退すると、制御装置３は第１の薬液／リンス液吸引バルブ５４を閉じる。これにより、リンス工程Ｓ４が終了する。

次いで、制御装置３は、基板Ｗの上面に存在するリンス液を有機溶剤（たとえばＩＰＡ）に置換する第１の有機溶剤供給工程（図８のステップＳ５）を行う。具体的には、制御装置３は、対向部材昇降ユニット３５を制御して、遮断板２７を近接位置と退避位置との間の処理位置に配置する。
また、制御装置３は、基板Ｗの回転をパドル速度に維持しつつ、他のバルブを閉じながら有機溶剤バルブ７２および第２の共通バルブ７０を開く。これにより、図１３に示すように、遮断板２７の基板対向面２９に形成された第２の吐出口１０から基板Ｗの上面中央部に向けて有機溶剤が吐出される。基板Ｗの上面に供給された有機溶剤は、基板Ｗの回転による遠心力を受けて基板Ｗの周縁部に移動する。これにより、基板Ｗの上面上のリンス液が有機溶剤によって置換される。

有機溶剤の吐出開始から予め定める期間が経過すると、制御装置３は、有機溶剤バルブ７２および第２の共通バルブ７０を閉じる。これにより、図１４に示すように、第２の吐出口１０からの有機溶剤の吐出が停止される。このとき、第２のノズル配管１１内、第２の共通配管６３内および第２の接続部６４内に有機溶剤が残っている。
その後、制御装置３は、第２の共通バルブ７０を閉じたままの状態で、第１の有機溶剤吸引装置７５および第２の有機溶剤吸引装置７７の一方の働きのみを有効化して、第２のノズル配管１１内の有機溶剤を吸引する。第１の有機溶剤吸引装置７５および第２の有機溶剤吸引装置７７のいずれの働きを有効化するかは、第２の供給／吸引ユニット１５に対応する第２の吸引フラグ１０３Ｂの値を参照して決められる。

第２の吸引フラグ１０３Ｂがオフ状態である場合には、制御装置３は、第１の有機溶剤吸引装置７５を作動させて、第１の有機溶剤吸引装置７５の働きを有効化する。これにより、第２の共通配管６３における、第１の有機溶剤吸引装置７５の介装部分よりも下流側部分（第２の吐出口１０側の部分）の内部が吸引され、図１５に示すように、当該下流側部分の内部に残っている有機溶剤が、第１の有機溶剤吸引装置７５の内部（ダイヤフラムの駆動により拡張した領域）へと比較的弱い吸引力により引き込まれる。有機溶剤の吸引は、有機溶剤の先端面が、第２の左右方向部６２内に設定された所定の待機位置に後退するまで行われる。このときの有機溶剤の吸引量は約０．１〜１ミリリットルである。有機溶剤の先端面が、待機位置まで後退すると、制御装置３は第２の共通バルブ７０を閉じる。

一方、第２の吸引フラグ１０３Ｂがオン状態である場合には、制御装置３は、有機溶剤吸引バルブ７６を開いて第２の有機溶剤吸引装置７７の働きを有効化する。これにより、第２の接続部６４の内部が吸引され、図１６に示すように、第２のノズル配管１１および第２の共通配管６３の内部に残っている有機溶剤が、第２の接続部６４を通って有機溶剤吸引配管６９へと比較的強い吸引力により引き込まれる。第２のノズル配管１１内、第２の共通配管６３内、第２の接続部６４内および有機溶剤吸引配管６９内から全て有機溶剤が排出されると、制御装置３は有機溶剤吸引バルブ７６および第２の共通バルブ７０を閉じる。

第２の共通バルブ７０の閉成により、第１の有機溶剤供給工程Ｓ５が終了する。
次いで、制御装置３は、基板Ｗの上面に存在するリンス液を液体の表面改質剤に置換する表面改質剤供給工程（図８のステップＳ６）を行う。具体的には、制御装置３は、遮断板２７を処理位置に維持しつつ、他のバルブを閉じながら第１の表面改質剤バルブ９２、第２の表面改質剤バルブ９３および第３の共通バルブ９０を開く。これにより、遮断板２７の基板対向面２９に形成された第３の吐出口１２から基板Ｗの上面中央部に向けて表面改質剤が吐出される。基板Ｗの上面に供給された表面改質剤は、基板Ｗの回転による遠心力を受けて基板Ｗの周縁部に移動する。これにより、基板Ｗの上面上の有機溶剤が表面改質剤によって置換される。

表面改質剤の吐出開始から予め定める期間が経過すると、制御装置３は、第１の表面改質剤バルブ９２、第２の表面改質剤バルブ９３および第３の共通バルブ９０を閉じる。これにより、第３の吐出口１２からの表面改質剤の吐出が停止される。このとき、第３のノズル配管１３内、第３の共通配管８３内および第３の接続部８４内に表面改質剤が残っている。

その後、制御装置３は、第３の共通バルブ９０を閉じたままの状態で、第１の表面改質剤吸引装置９５および第２の表面改質剤吸引装置９７の一方の働きのみを有効化して、第３のノズル配管１３内の表面改質剤を吸引する。第１の表面改質剤吸引装置９５および第２の表面改質剤吸引装置９７のいずれの働きを有効化するかは、第３の供給／吸引ユニット１６に対応する第３の吸引フラグ１０３Ｃの値を参照して決められる。

第３の吸引フラグ１０３Ｃがオフ状態である場合には、制御装置３は、第１の表面改質剤吸引装置９５を作動させて、第１の表面改質剤吸引装置９５の働きを有効化する。これにより、第３の共通配管８３における、第１の表面改質剤吸引装置９５の介装部分よりも下流側部分（第３の吐出口１２側の部分）の内部が吸引され、当該上流側部分の内部に残っている表面改質剤が、第１の表面改質剤吸引装置９５の内部（ダイヤフラムの駆動により拡張した領域）へと比較的弱い吸引力により引き込まれる。表面改質剤の吸引は、表面改質剤の先端面が、第２の左右方向部６２内に設定された所定の待機位置に後退するまで行われる。このときの表面改質剤の吸引量は約０．１〜１ミリリットルである。表面改質剤の先端面が、待機位置まで後退すると、制御装置３は第３の共通バルブ９０を閉じる。

一方、第３の吸引フラグ１０３Ｃがオン状態である場合には、制御装置３は、表面改質剤吸引バルブ９６を開いて第２の表面改質剤吸引装置９７の働きを有効化する。これにより、第３の接続部８４の内部が吸引され、第３のノズル配管１３および第３の共通配管８３の内部に残っている表面改質剤が、第３の接続部８４を通って表面改質剤吸引配管８９へと比較的強い吸引力により引き込まれる。第３のノズル配管１３内、第３の共通配管８３内、第３の接続部８４内および表面改質剤吸引配管８９内から全て表面改質剤が排出されると、制御装置３は表面改質剤吸引バルブ９６および第３の共通バルブ９０を閉じる。

第３の共通バルブ９０の閉成により、表面改質剤供給工程Ｓ６が終了する。
次いで、制御装置３は、基板Ｗの上面に存在するリンス液を有機溶剤（たとえばＩＰＡ）に置換する第２の有機溶剤供給工程（図８のステップＳ７）を行う。具体的には、制御装置３は、遮断板２７を処理位置に維持し、かつ基板Ｗの回転をスピンドライ速度に維持しつつ、他のバルブを閉じながら有機溶剤バルブ７２および第２の共通バルブ７０を開く。これにより、図１３に示すように、第２の吐出口１０から基板Ｗの上面中央部に向けて有機溶剤が吐出される。基板Ｗの上面に供給された有機溶剤は、基板Ｗの回転による遠心力を受けて基板Ｗの周縁部に移動する。これにより、基板Ｗの上面上の表面改質剤が有機溶剤によって置換される。

有機溶剤の吐出開始から予め定める期間が経過すると、制御装置３は、有機溶剤バルブ７２および第２の共通バルブ７０を閉じる。これにより、図１４に示すように、第２の吐出口１０からの有機溶剤の吐出が停止される。このとき、第２のノズル配管１１内、第２の共通配管６３内および第２の接続部６４内に有機溶剤が残っている。
その後、制御装置３は、第２の共通バルブ７０を閉じたままの状態で、第１の有機溶剤吸引装置７５および第２の有機溶剤吸引装置７７の働きの一方のみを有効化して、第２のノズル配管１１内の有機溶剤を吸引する。第１の有機溶剤吸引装置７５および第２の有機溶剤吸引装置７７の働きのいずれを有効化するかは、第２の供給／吸引ユニット１５に対応する第２の吸引フラグ１０３Ｂの値を参照して決められる。

第２の吸引フラグ１０３Ｂがオフ状態である場合には、制御装置３は、第１の有機溶剤吸引装置７５を作動させて、第１の有機溶剤吸引装置７５の働きを有効化する。これにより、第２の共通配管６３における、第１の有機溶剤吸引装置７５の介装部分よりも上流側部分の内部が吸引され、図１５に示すように、当該上流側部分の内部に残っている有機溶剤が、第１の有機溶剤吸引装置７５の内部（ダイヤフラムの駆動により拡張した領域）へと比較的弱い吸引力により引き込まれる。有機溶剤の吸引は、有機溶剤の先端面が、第２の左右方向部６２内に設定された所定の待機位置に後退するまで行われる。このときの有機溶剤の吸引量は約０．１〜１ミリリットルである。有機溶剤の先端面が、待機位置まで後退すると、制御装置３は第２の共通バルブ７０を閉じる。

一方、第２の吸引フラグ１０３Ｂがオン状態である場合には、制御装置３は、有機溶剤吸引バルブ７６を開いて第２の有機溶剤吸引装置７７の働きを有効化する。これにより、第２の接続部６４の内部が吸引され、図１６に示すように、第２のノズル配管１１および第２の共通配管６３の内部に残っている有機溶剤が、第２の接続部６４を通って有機溶剤吸引配管６９へと比較的強い吸引力により引き込まれる。第２のノズル配管１１内、第２の共通配管６３内、第２の接続部６４内および有機溶剤吸引配管６９内から全て有機溶剤が排出されると、制御装置３は有機溶剤吸引バルブ７６および第２の共通バルブ７０を閉じる。

第２の共通バルブ７０の閉成により、第２の有機溶剤供給工程Ｓ７が終了する。
次いで、基板Ｗを乾燥させるスピンドライ工程（図８のステップＳ８）が行われる。具体的には、制御装置３は、対向部材昇降ユニット３５を制御して、遮断板２７を近接位置に配置する。遮断板２７が処理位置にあるときには、遮断板２７が、基板Ｗの上面をその周囲の空間から遮断する。また、制御装置３はスピンモータ２２を制御することにより、薬液供給工程Ｓ３〜第２の有機溶剤供給工程Ｓ７の各工程における回転速度よりも大きい乾燥回転速度（たとえば数千ｒｐｍ）まで基板Ｗを加速させ、その乾燥回転速度で基板Ｗを回転させる。これにより、大きな遠心力が基板Ｗ上の液体に加わり、基板Ｗに付着している液体が基板Ｗの周囲に振り切られる。このようにして、基板Ｗから液体が除去され、基板Ｗが乾燥する。

基板Ｗの加速から予め定める期間が経過すると、制御装置３は、スピンモータ２２を制御することにより、スピンチャック５による基板Ｗの回転を停止させる（図８のステップＳ９）。その後、制御装置３は、対向部材昇降ユニット３５を制御して、遮断板２７を上昇させて退避位置に配置する。
次に、チャンバ４内から基板Ｗが搬出される（図８のステップＳ１０）。具体的には、制御装置３は、基板搬送ロボット（図示しない）のハンド（図示しない）をチャンバ４の内部に進入させる。そして、制御装置３は、基板搬送ロボットのハンドにスピンチャック５上の基板Ｗを保持させる。その後、制御装置３は、基板搬送ロボットのハンドをチャンバ４内から退避させる。これにより、洗浄後の基板Ｗがチャンバ４から搬出される。

図１７は、各処理液供給工程（図８のステップＳ３，Ｓ５〜Ｓ７）における処理液の吐出動作および吸引動作を詳細に説明するための流れ図である。
各処理液供給工程（図８のＳ３，Ｓ５〜Ｓ７）において、予め定める処理液吐出開始タイミングになると（ステップＴ１でＹＥＳ）、制御装置３は、他のバルブを閉じながら、当該処理に用いられるべき処理液バルブ（薬液バルブ５２、有機溶剤バルブ７２または表面改質剤バルブ９２，９３）を開き（ステップＴ２）、かつ当該処理液バルブに対応する共通バルブ（第１の共通バルブ５０、第２の共通バルブ７０または第３の共通バルブ９０）を開く。これにより、吐出口（第１の吐出口８、第２の吐出口１０または第３の吐出口１２）から、処理液（薬液、有機溶剤または表面改質剤）が吐出される。

処理液の吐出開始から、供給レシピＲＥ１，ＲＥ２，ＲＥ３によって指示された処理液吐出期間が経過すると（ステップＴ３でＹＥＳ）、制御装置３は処理に用いられるべき処理液バルブを閉じる（ステップＴ４）。これにより、吐出口からの処理液の吐出が停止される。
また、処理液の吐出開始から処理液吐出期間が経過すると（ステップＴ３でＹＥＳ）、経過期間タイマ（第１の経過期間タイマ１０４Ａ、第２の経過期間タイマ１０４Ｂまたは第３の経過期間タイマ１０４Ｃ）による計時が開始する（経過時間計測工程の開始。ステップＴ５）。その後、予め定める処理液吐出開始タイミングになる。

処理液供給工程（図８のＳ３，Ｓ５〜Ｓ７）において、予め定める吸引タイミングになると（ステップＴ６でＹＥＳ）、制御装置３は、対応する吸引フラグ（第１の吸引フラグ１０３Ａ、第２の吸引フラグ１０３Ｂまたは第３の吸引フラグ１０３Ｃ）の値を参照する。対応する吸引フラグの値が００［Ｈ］（吸引フラグオフ）である場合には、制御装置３の演算ユニットは、対応する第１の吸引装置（第１の薬液／リンス液吸引装置５５、第１の有機溶剤吸引装置７５または第１の表面改質剤吸引装置９５）の働きを有効化させて処理液の吸引動作を行う。一方、対応する吸引フラグの値が５Ａ［Ｈ］（吸引フラグオン）である場合には、制御装置３の演算ユニットは、対応する第２の吸引装置（第２の薬液／リンス液吸引装置５７、第２の有機溶剤吸引装置７７または第２の表面改質剤吸引装置９７）を有効化させて処理液の吸引動作を行う。

以上によりこの実施形態によれば、各処理液供給工程（図８のＳ３，Ｓ５〜Ｓ７）の終了時に実行される吸引において、処理液の吐出停止の終了からの経過期間が基準期間未満である場合には、比較的弱い吸引力で吸引され、一方、経過期間が基準期間以上である場合には、比較的強い吸引力で吸引される。
処理液の吐出停止からさほど期間が経過していない場合には、ノズル配管９，１１，１３内に残留している処理液（薬液、有機溶剤、表面改質剤等）は、次回の処理液供給工程においても引き続き使用される。この場合、処理液の先端面が所定位置に後退するように、処理液が吸引される。したがって、処理液の吐出停止の終了からの経過期間が基準期間未満である場合には比較的弱い吸引力により吸引する。これにより、処理液の先端面を所定位置まで正確に後退させることができ、その結果、処理液のボタ落ちの懸念を解消することができる。

一方、処理液の吐出停止から長期間が経過している場合には、ノズル配管９，１１，１３や共通配管４３，６３，８３内に残留している処理液（薬液、有機溶剤、表面改質剤等）が経時変化（温度変化または成分変化）していることがある。このような処理液はそのまま処理に用いることは好ましくなく、次回の処理液吸引供給工程の実行に先立って機外に排出する（いわゆるプリディスペンスを行う）必要がある。処理液の吐出停止からの経過期間が基準期間以上である場合には強い吸引力により吸引する。これにより、経時変化している処理液を、ノズル配管９，１１，１３や共通配管４３，６３，８３内から排出することができる。

以上により、ノズル配管９，１１，１３や共通配管４３，６３，８３内に残留した処理液を、その処理液の状態に適した態様で吸引することができる。
たとえば、第１の供給／吸引ユニット１４に設けられる第１の吸引装置として、図１８に示すように、第２の薬液／リンス液吸引装置５７と同様のエジェクタ式の吸引装置からなる第１の薬液／リンス液吸引装置１１２が設けられてもよい。具体的には、第１の供給／吸引ユニット１４は、第１の接続部４４に一端側（図１８の左側）が接続された第１の薬液／リンス液吸引配管１１１と、第１の薬液／リンス液吸引配管１１１の他端側（先端）に接続された第１の薬液／リンス液吸引装置１１２と、第１の薬液／リンス液吸引配管１１１を開閉するための吸引バルブ１１３とを備えている。このように第１の吸引装置としてエジェクタ式の吸引装置を採用する場合には、エア圧や圧損を異ならせることにより、第１の薬液／リンス液吸引装置１１２の吸引力（吸引速度）が、第２の薬液／リンス液吸引装置５７よりも弱くなるように（遅くなるように）設定される。

また、第２の供給／吸引ユニット１５や第３の供給／吸引ユニット１６において、図１８に示す変形例と同様に、エジェクタ式の第１の薬液／リンス液吸引装置１１２が設けられてもよい。
また、第１の供給／吸引ユニット１４において１つの吸引装置のみが設けられる構成であってもよい。図１９に示すように、第１の供給／吸引ユニット１４が、第１の接続部４４に一端側（図１９の左側）が接続された吸引配管１２１と、吸引配管１２１の他端側（先端）に接続された薬液／リンス液吸引装置（吸引装置）１２２と、吸引配管１２１に介装され、吸引配管１２１の開度を調整して、吸引力（吸引速度）を調整するための流量調整バルブ（吸引力調整ユニット）１２３と、吸引配管１２１を開閉するための吸引バルブ１２４とを含んでいてもよい。薬液／リンス液吸引装置（吸引装置）１２２は、たとえば、第２の薬液／リンス液吸引装置５７と同様のエジェクタ式の吸引装置である。流量調整バルブ１２３は、弁座が内部に設けられたバルブボディと、弁座を開閉する弁体と、開位置と閉位置との間で弁体を移動させるアクチュエータとを含む。他の流量調整バルブについても同様である。流量調整バルブ１２３は、吸引配管１２１ではなく、第１の共通配管４３に介装されていてもよい。

図２０は、本発明の第２の実施形態に係る基板処理装置２０１の内部のレイアウトを説明するための図解的な平面図である。基板処理装置２０１は、シリコンウエハなどの基板Ｗを一枚ずつ処理する枚葉式の装置である。この実施形態では、基板Ｗは、円板状の基板である。基板処理装置２０１は、処理液で基板Ｗを処理する複数の処理ユニット２０２と、処理ユニット２０２で処理される複数枚の基板Ｗを収容する基板収容器Ｃが載置されるロードポートＬＰと、ロードポートＬＰと処理ユニット２０２との間で基板Ｗを搬送する搬送ロボットＩＲおよびＣＲと、基板処理装置２０１を制御する制御装置２０３とを含む。搬送ロボットＩＲは、基板収容器Ｃと搬送ロボットＣＲとの間で基板Ｗを搬送する。搬送ロボットＣＲは、搬送ロボットＩＲと処理ユニット２０２との間で基板Ｗを搬送する。複数の処理ユニット２０２は、たとえば、同様の構成を有している。

図２１は、処理ユニット２０２の構成例を説明するための図解的な断面図である。図２２は、中心軸ノズル２０７の縦断面図である。図２３は、中心軸ノズル２０７の底面図である。
処理ユニット２０２は、箱形のチャンバー２０４と、チャンバー２０４内で一枚の基板Ｗを水平な姿勢で保持して、基板Ｗの中心を通る鉛直な回転軸線Ａ１まわりに基板Ｗを回転させるスピンチャック（基板保持ユニット）２０５と、スピンチャック２０５に保持されている基板Ｗの上面に対向する対向部材２０６と、対向部材２０６の内部を上下に挿通し、スピンチャック２０５に保持されている基板Ｗの上面の中央部に向けて処理液を吐出するための中心軸ノズル２０７と、中心軸ノズル２０７に薬液を供給するための薬液供給ユニット２０８と、中心軸ノズル２０７にリンス液を供給するためのリンス液供給ユニット２０９と、中心軸ノズル２０７に液体の疎水化剤を供給するための疎水化剤供給ユニット２１０と、中心軸ノズル２０７に、空気よりも比重が大きくかつ水よりも低い表面張力を有する低表面張力液体としての有機溶剤を供給するための有機溶剤供給ユニット２１１と、スピンチャック２０５を取り囲む筒状の処理カップ２１２とを含む。

チャンバー２０４は、スピンチャック２０５やノズルを収容する箱状の隔壁２１３と、隔壁２１３の上部から隔壁２１３内に清浄空気（フィルタによってろ過された空気）を送る送風ユニットとしてのＦＦＵ（ファン・フィルタ・ユニット）２１４と、隔壁２１３の下部からチャンバー２０４内の気体を排出する排気ダクト２１５とを含む。ＦＦＵ２１４は、隔壁２１３の上方に配置されており、隔壁２１３の天井に取り付けられている。ＦＦＵ２１４は、隔壁２１３の天井からチャンバー２０４内に下向きに清浄空気を送る。排気ダクト２１５は、処理カップ２１２の底部に接続されており、基板処理装置２０１が設置される工場に設けられた排気処理設備に向けてチャンバー２０４内の気体を導出する。したがって、チャンバー２０４内を下方に流れるダウンフロー（下降流）が、ＦＦＵ２１４および排気ダクト２１５によって形成される。基板Ｗの処理は、チャンバー２０４内にダウンフローが形成されている状態で行われる。

スピンチャック２０５として、基板Ｗを水平方向に挟んで基板Ｗを水平に保持する挟持式のチャックが採用されている。具体的には、スピンチャック２０５は、スピンモータ２１６と、このスピンモータ２１６の駆動軸と一体化されたスピン軸２１７と、スピン軸２１７の上端に略水平に取り付けられた円板状のスピンベース２１８とを含む。
スピンベース２１８の上面には、その周縁部に複数個（３個以上。たとえば６個）の挟持部材２１９が配置されている。複数個の挟持部材２１９は、スピンベース２１８の上面周縁部において、基板Ｗの外周形状に対応する円周上で適当な間隔を空けて配置されている。スピンベース２１８の上面には、回転軸線Ａ１を中心とする円周上に、対向部材２０６を下方から支持するための複数個（３個以上）の対向部材支持部２２０が配置されている。対向部材支持部２２０と回転軸線Ａ１との間の距離は、挟持部材２１９と回転軸線Ａ１との間の距離よりも、大きく設定されている。

また、スピンチャック２０５としては、挟持式のものに限らず、たとえば、基板Ｗの裏面を真空吸着することにより、基板Ｗを水平な姿勢で保持し、さらにその状態で鉛直な回転軸線まわりに回転することにより、スピンチャック２０５に保持されている基板Ｗを回転させる真空吸着式のもの（バキュームチャック）が採用されてもよい。
対向部材２０６は、スピンチャック２０５に従って回転する従動型の対向部材（すなわち、遮断部材）である。すなわち、対向部材２０６は、基板処理中において、対向部材２０６がスピンチャック２０５に一体回転可能に支持される。

対向部材２０６は、遮断板２２１と、遮断板２２１に同伴昇降可能に設けられた係合部２２２と、係合部２２２と係合して遮断板２２１を上方から支持するための支持部２２３とを含む。
遮断板２２１は、基板Ｗより大きい径を有する円板状である。遮断板２２１は、その下面に基板Ｗの上面全域に対向する円形の基板対向面２２１ａと、基板対向面２２１ａの周縁部において下方に向けて突出する円環状の鍔部２２１ｂと、基板対向面２２１ａに設けられて対向部材支持部２２０に係合するためのスピンチャック係合部２２１ｃとを有している。基板対向面２２１ａの中央部には、対向部材２０６を上下に貫通する貫通穴２２４が形成されている。貫通穴２２４は、円筒状の内周面によって区画されている。

係合部２２２は、遮断板２２１の上面において、貫通穴２２４の周囲を包囲する円筒部２２５と、円筒部２２５の上端から径方向外方に広がるフランジ部２２６とを含む。フランジ部２２６は、支持部２２３に含まれる、次に述べるフランジ支持部２２８よりも上方に位置しており、フランジ部２２６の外周は、フランジ支持部２２８の内周よりも大径とされている。

支持部２２３は、たとえば略円板状の支持部本体２２７と、水平なフランジ支持部２２８と、支持部本体２２７とフランジ支持部２２８とを接続する接続部２２９とを含む。
中心軸ノズル２０７は、遮断板２２１および基板Ｗの中心を通る鉛直な軸線、すなわち、回転軸線Ａ１に沿って上下方向に延びている。中心軸ノズル２０７は、スピンチャック２０５の上方に配置され、遮断板２２１および支持部２２３の内部空間を挿通する。中心軸ノズル２０７は、遮断板２２１および支持部２２３と共に昇降する。

中心軸ノズル２０７は、貫通穴２２４の内部を上下に延びる円柱状のケーシング２３０と、ケーシング２３０の内部を上下に挿通する第１のノズル配管２３１、第２のノズル配管２３２、第３のノズル配管２３３および第４のノズル配管２３４とを含む。ケーシング２３０は、円筒状の外周面２３０ａと、ケーシング２３０の下端部に設けられ、基板Ｗの上面の中央部に対向する対向面２３０ｂとを有している。第１〜第４のノズル配管２３１〜２３４は、それぞれインナーチューブである。

支持部２２３には、支持部２２３を昇降させて対向部材２０６を昇降させるための対向部材昇降ユニット２４７が結合されている。対向部材昇降ユニット２４７は、サーボモータやボールねじ機構などを含む構成である。
対向部材昇降ユニット２４７は、対向部材２０６および第１〜第４のノズル配管２３１〜２３４を、支持部２２３と共に鉛直方向に昇降する。対向部材昇降ユニット２４７は、遮断板２２１の基板対向面２２１ａがスピンチャック２０５に保持されている基板Ｗの上面に近接する近接位置と、近接位置の上方に設けられた退避位置の間で、遮断板２２１および第１〜第４のノズル配管２３１〜２３４を昇降させる。対向部材昇降ユニット２４７は、近接位置と退避位置との間の各位置で遮断板２２１を保持可能である。

対向部材昇降ユニット２４７により、支持部２２３を下位置（図２１に破線で示す位置）と上位置（図２１に実線で示す位置）との間で昇降させることができ、これにより、対向部材２０６の遮断板２２１を、スピンチャック２０５に保持された基板Ｗの上面に近接する近接位置（図２１に破線で示す位置）と、スピンチャック２０５の上方に大きく退避した退避位置（図２１に実線で示す位置）との間で昇降させることができる。

具体的には、支持部２２３が上位置に位置する状態では、支持部２２３のフランジ支持部２２８とフランジ部２２６とが係合することにより、係合部２２２、遮断板２２１および中心軸ノズル２０７が支持部２２３に支持される。すなわち、遮断板２２１が支持部２２３によって吊り下げられる。
支持部２２３が上位置に位置する状態では、フランジ支持部２２８の上面に突設された突起２２８ａが、フランジ部２２６に周方向に間隔を空けて形成された係合穴２２６ａに係合することにより、遮断板２２１が支持部２２３に対して周方向に位置決めされる。

対向部材昇降ユニット２４７が、支持部２２３を上位置から下降させると、遮断板２２１も退避位置から下降する。その後、遮断板２２１のスピンチャック係合部２２１ｃが、対向部材支持部２２０に当接すると、遮断板２２１および中心軸ノズル２０７が対向部材支持部２２０によって受け止められる。そして、対向部材昇降ユニット２４７が支持部２２３を下降させると、支持部２２３のフランジ支持部２２８とフランジ部２２６との係合が解除されて、係合部２２２、遮断板２２１および中心軸ノズル２０７は支持部２２３から離脱し、スピンチャック２０５によって支持される。この状態で、スピンチャック２０５（スピンベース２１８）の回転に同伴して、遮断板２２１が回転させられる。

第１のノズル配管２３１は、鉛直方向に沿って延びる鉛直部分を含む。第１のノズル配管２３１の下端は、ケーシング２３０の対向面２３０ｂに開口して、第１の吐出口２３１ａを形成している。第１のノズル配管２３１には、薬液供給ユニット２０８からの薬液が供給される。薬液供給ユニット２０８は、第１のノズル配管２３１の上流端側に接続された薬液配管２３６と、薬液配管２３６の途中部に介装された薬液バルブ２３７とを含む。薬液バルブ２３７が開かれると、第１の吐出口２３１ａから下方に向けて薬液が吐出される。薬液バルブ２３７が閉じられると、第１の吐出口２３１ａからの薬液の吐出が停止される。薬液は、薬液は、たとえば、硫酸、酢酸、硝酸、塩酸、フッ酸、アンモニア水、過酸化水素水、有機酸（たとえばクエン酸、蓚酸など）、有機アルカリ（たとえば、ＴＭＡＨ：テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドなど）、および界面活性剤、腐食防止剤の少なくとも１つを含む液であってもよい。

第２のノズル配管２３２は、鉛直方向に沿って延びる鉛直部分を含む。第２のノズル配管２３２の下端は、ケーシング２３０の対向面２３０ｂに開口して、第２の吐出口２３２ａを形成している。第２のノズル配管２３２には、リンス液供給ユニット２０９からのリンス液が供給される。リンス液供給ユニット２０９は、第２のノズル配管２３２の上流端側に接続されたリンス液配管２３８と、リンス液配管２３８の途中部に介装されたリンス液バルブ２３９とを含む。リンス液バルブ２３９が開かれると、第２の吐出口２３２ａから下方に向けてリンス液が吐出される。リンス液バルブ２３９が閉じられると、第２の吐出口２３２ａからのリンス液の吐出が停止される。リンス液は、水である。この実施形態において、水は、純水（脱イオン水）、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水、および希釈濃度（たとえば、１０〜１００ｐｐｍ程度）のアンモニア水のいずれかである。

第３のノズル配管２３３は、鉛直方向に沿って延びる鉛直部分を含む。第３のノズル配管２３３の下端は、ケーシング２３０の対向面２３０ｂに開口して、第３の吐出口２３３ａを形成している。第３のノズル配管２３３には、疎水化剤供給ユニット２１０からの疎水化剤が供給される。疎水化剤供給ユニット２１０は、第３のノズル配管２３３の上流端側に接続された疎水化剤配管（処理液配管）２４０（後述する共通配管２５１と同じ）と、疎水化剤配管２４０の途中部に介装された疎水化剤バルブ２４１（後述する共通バルブ２６０と同じ）とを含む。疎水化剤バルブ２４１が開かれると、第３の吐出口２３３ａから下方に向けて疎水化剤が吐出される。疎水化剤バルブ２４１が閉じられると、第３の吐出口２３３ａからの疎水化剤の吐出が停止される。疎水化剤は、シリコン系の疎水化剤であってもよいし、メタル系の疎水化剤であってもよい。

シリコン系の疎水化剤は、シリコン（Ｓｉ）自体およびシリコンを含む化合物を疎水化させる疎水化剤である。シリコン系疎水化剤は、たとえば、シランカップリング剤である。シランカップリング剤は、たとえば、ＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）、ＴＭＳ（テトラメチルシラン）、フッ素化アルキルクロロシラン、アルキルジシラザン、および非クロロ系疎水化剤の少なくとも一つを含む。非クロロ系疎水化剤は、たとえば、ジメチルシリルジメチルアミン、ジメチルシリルジエチルアミン、ヘキサメチルジシラザン、テトラメチルジシラザン、ビス（ジメチルアミノ）ジメチルシラン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノトリメチルシラン、Ｎ−（トリメチルシリル）ジメチルアミンおよびオルガノシラン化合物の少なくとも一つを含む。

メタル系の疎水化剤は、たとえば高い配位性を有し、主として配位結合によって金属を疎水化する溶剤である。この疎水化剤は、たとえば、疎水基を有するアミン、および有機シリコン化合物の少なくとも一つを含む。
第４のノズル配管２３４は、鉛直方向に沿って延びる鉛直部分を含む。第４のノズル配管２３４の下端は、ケーシング２３０の対向面２３０ｂに開口して、第４の吐出口２３４ａを形成している。第４のノズル配管２３４には、有機溶剤供給ユニット２１１からの液体の有機溶剤が供給される。

第４のノズル配管２３４は、鉛直方向に沿って延びる鉛直部分を含む。第４のノズル配管２３４の下端は、ケーシング２３０の対向面２３０ｂに開口して、第４の吐出口２３４ａを形成している。第４のノズル配管２３４には、有機溶剤供給ユニット２１１からの液体の有機溶剤が供給される。有機溶剤供給ユニット２１１は、第４のノズル配管２３４の上流端側に接続された有機溶剤配管２４２と、有機溶剤配管２４２の途中部に介装された有機溶剤バルブ２４３とを含む。有機溶剤バルブ２４３が開かれると、第４の吐出口２３４ａから下方に向けて液体の有機溶剤が吐出される。有機溶剤バルブ２４３が閉じられると、第４の吐出口２３４ａからの液体の有機溶剤の吐出が停止される。

この実施形態において、有機溶剤は、たとえばＩＰＡ（isopropyl alcohol）であるが、このような有機溶剤として、ＩＰＡ以外に、たとえば、メタノール、エタノール、アセトン、ＥＧ（エチレングリコール）およびＨＦＥ（ハイドロフルオロエーテル）を例示することができる。また、有機溶剤としては、単体成分のみからなる場合だけでなく、他の成分と混合した液体であってもよい。たとえば、ＩＰＡとアセトンの混合液であってもよいし、ＩＰＡとメタノールの混合液であってもよい。

図２１に示すように、処理カップ２１２は、スピンチャック２０５に保持されている基板Ｗよりも外方（回転軸線Ａ１から離れる方向）に配置されている。処理カップ２１２は、スピンベース２１８の周囲を取り囲んでいる。スピンチャック２０５が基板Ｗを回転させている状態で、処理液が基板Ｗに供給されると、基板Ｗに供給された処理液が基板Ｗの周囲に振り切られる。処理液が基板Ｗに供給されるとき、上向きに開いた処理カップ２１２の上端部２１２ａは、スピンベース２１８よりも上方に配置される。したがって、基板Ｗの周囲に排出された処理液（薬液やリンス液、疎水化剤、有機溶剤）は、処理カップ２１２によって受け止められる。そして、処理カップ２１２に受け止められた処理液は、図示しない回収装置または排液装置に送られる。

図２４は、図２１に示す、疎水化剤供給ユニット２１０の構成を説明するための図である。
疎水化剤供給ユニット２１０は、第１のノズル配管２３１に接続された共通配管２５１と、共通配管２５１を介して第１のノズル配管２３１に接続されたミキシングバルブユニットＭＶとを含む。ミキシングバルブユニットＭＶは、第１のノズル配管２３１に送液する接続部２５２と、複数のバルブ２５９，２６０，２６２，２６３，２６７とを含む。複数のバルブ２５９，２６０，２６２，２６３，２６７は、いずれも開閉弁である。ミキシングバルブユニットＭＶは、接続部２５２にそれぞれ接続された、排出配管２５３、疎水化剤供給配管２５５、吸引配管２５６および洗浄液供給配管２５７をさらに含む。

接続部２５２は、所定の一方向に沿って長手を有している。接続部２５２は、流通方向Ｄ１に延びる筒状（たとえば円筒状または角筒状）の側壁２５２ａと、側壁２５２ａの一方側端部を閉塞する一端壁２５２ｂと、側壁２５２ａの他方側端部を閉塞する他端壁２５２ｃとを含む。接続部２５２の内部には、液体が流通するための流通空間ＳＰ１が形成されている。流通空間ＳＰ１は、流通方向Ｄ１に沿って延びている。接続部２５２の側壁には、一方側（図２４の上側）から、排出配管２５３、共通配管２５１、疎水化剤供給配管２５５、吸引配管２５６および洗浄液供給配管２５７の順で接続されている。

共通配管２５１は、上下方向部分２５１ａと、左右方向部分２５１ｂとを有している。上下方向部分２５１ａの下流端が、第１のノズル配管２３１の上流端に接続されている。左右方向部分２５１ｂの下流端が、上下方向部分２５１ａの上流端に接続されている。左右方向部分２５１ｂの上流端が接続部２５２に接続されている。共通配管２５１の左右方向部分２５１ｂには、共通配管２５１を開閉するための共通バルブ２６０が介装されている。共通バルブ２６０は、エアオペレート式の開閉バルブである。このようなエアオペレート式の開閉バルブとして、ダイヤフラムバルブや、バタフライバルブ、ニードルバルブ等を例に挙げることができる。

共通配管２５１の左右方向部分２５１ｂには、共通バルブ２６０よりも下流側に、第１の吸引装置２６１が介装されている。第１の吸引装置２６１は、ダイヤフラム式の吸引装置である。ダイヤフラム式の吸引装置は、共通配管２５１の途中部に介装される筒状のヘッドと、ヘッド内に収容されたダイヤフラムとを含み、ダイヤフラムの駆動により、ヘッド内に形成される流路の容積を変化させるような吸引装置である（特開２０１６-１１１３０６号公報等参照）。

ダイヤフラム式の吸引装置からなる第１の吸引装置２６１は、エアオペレート式の吸引装置である。第１の吸引装置２６１の内部へのエアの供給停止により、ダイヤフラムが形体変化してヘッド内の容積が増大し、その結果、共通配管２５１のうち第１の吸引装置２６１よりも下流側部分に存在する疎水化剤がヘッド内に引き込まれ、当該下流側部分の内部が吸引される（すなわち、吐出停止信号の入力に従って、ヘッド内に疎水化剤が吸引される）。これにより、第１の吸引装置２６１の働きが有効化される。また、第１の吸引装置２６１の内部へのエアの供給によりダイヤフラムが形体変化してヘッド内の容積が減少し、これにより、ヘッド内に吸引されていた液体（処理液）が押し出される（すなわち、吐出開始信号の入力に従って、ヘッド内の疎水化剤が押し出される）。これにより、第１の吸引装置２６１の働きが無効化される。

共通バルブ２６０を駆動するための駆動源（たとえば電磁バルブ。第２の駆動源）と、第１の吸引装置２６１を駆動するための駆動源（たとえば電磁バルブ。第１の駆動源）とは互いに独立している。仮に、共通バルブ２６０を駆動するための駆動源と、第１の吸引装置２６１を駆動するための駆動源とが共通であると、共通バルブ２６０の開閉に連動して、第１の吸引装置２６１の吸引／吸引解除が行われてしまう。共通バルブ２６０を駆動するための駆動源と、第１の吸引装置２６１を駆動するための駆動源とが互いに独立しているので、共通バルブ２６０の開閉と、第１の吸引装置２６１の吸引／吸引解除とのそれぞれを、互いに最適な動作タイミングで行うことができる。

排出配管２５３には、排出配管２５３を開閉するための排出バルブ２５９が介装されている。排出配管２５３の下流端側は、機外の排液設備に接続されている。
疎水化剤供給配管２５５には、疎水化剤供給配管２５５を開閉するための疎水化剤供給バルブ２６２が介装されている。疎水化剤供給配管２５５の上流端側には、疎水化剤供給源から疎水化剤が供給されるようになっている。

吸引配管２５６には、吸引配管２５６を開閉するための吸引バルブ２６３が介装されている。吸引配管２５６の下流端端には、第２の吸引装置２６４が接続されている。第２の吸引装置２６４は、エジェクタ式の吸引装置である。エジェクタ式の吸引装置は、真空発生器やアスピレータを含む。エジェクタ式の吸引装置は、ダイヤフラム式の吸引装置やサイフォン式の吸引装置と比較して、吸引力が強く（吸引速度が速く）かつ吸引可能な液流量が多い。

第２の吸引装置２６４は、流体供給配管２６５と、流体供給配管２６５の開閉を切り換えるための流体供給バルブ２６６とを含む。流体供給バルブ２６６は、たとえば電磁弁である。第２の吸引装置２６４の通電状態において、流体供給バルブ２６６が開かれて、流体供給配管２６５内に流体が流れることにより、第２の吸引装置２６４の内部が減圧される。これにより、吸引配管２５６の内部が吸引される。すなわち、第２の吸引装置２６４の働きが有効化される。

洗浄液供給配管２５７には、洗浄液供給配管２５７を開閉するための洗浄液供給バルブ２６７が介装されている。洗浄液供給配管２５７の上流端側には、洗浄液供給源から洗浄液が供給されるようになっている。洗浄液は、図２４の例では、たとえば有機溶剤（たとえばＩＰＡ）であるが、それ以外に水を洗浄液として用いることもできる。
疎水化剤供給ユニット２１０における他のバルブが閉じられている状態で、共通バルブ２６０および疎水化剤供給バルブ２６２が開かれると、疎水化剤供給配管２５５からの疎水化剤が接続部２５２の内部に流入し、この疎水化剤が共通配管２５１を介して第１のノズル配管２３１に供給され、第３の吐出口２３３ａから下方に向けて疎水化剤が吐出される。

また、疎水化剤供給ユニット２１０における他のバルブが閉じられている状態で、疎水化剤供給バルブ２６２および排出バルブ２５９が開かれると、疎水化剤供給配管２５５からの疎水化剤が接続部２５２に流入し、この疎水化剤が、排出配管２５３を通して接続部２５２外に排出させられる（プリディスペンス工程）。
また、疎水化剤供給ユニット２１０における他のバルブが閉じられている状態で、洗浄液供給バルブ２６７および排出バルブ２５９が開かれると、洗浄液供給配管２５７からの洗浄液が接続部２５２に流入し、この洗浄液が、排出配管２５３を通して接続部２５２外に排出させられる（接続部洗浄工程）。

また、疎水化剤供給ユニット２１０における他のバルブが閉じられている状態で、洗浄液供給バルブ２６７および共通バルブ２６０が開かれると、洗浄液供給配管２５７からの洗浄液が接続部２５２に流入し、この洗浄液が、共通バルブ２６０を通して第３の吐出口２３３ａから吐出させられる（配管洗浄工程）。
また、疎水化剤供給ユニット２１０における他のバルブ（共通バルブ２６０を含む）が閉じられている状態で、第１の吸引装置２６１の働きが有効化されると、共通配管２５１における第１の吸引装置２６１の介装位置よりも下流側部分に存在する液体が第１の吸引装置２６１に吸引される（第１の吸引工程）。このときの疎水化剤の吸引量は約０．１〜１ミリリットルである。

また、流体供給バルブ２６６の開成により第２の吸引装置２６４の働きが有効化されている状態で、吸引バルブ２６３および共通バルブ２６０が開かれると、吸引配管２５６の内部が吸引され、接続部２５２の内部（流通空間ＳＰ１）の液体、および共通配管２５１の内部の液体が第２の吸引装置２６４によって吸引される（第２の吸引工程）。
図２５は、基板処理装置２０１の主要部の電気的構成を説明するためのブロック図である。

制御装置２０３は、たとえばマイクロコンピュータを用いて構成されている。制御装置２０３はＣＰＵ等の演算ユニット３０１、固定メモリデバイス（図示しない）、ハードディスクドライブ等の記憶ユニット３０２、および入出力ユニット（図示しない）を有している。記憶ユニット３０２には、演算ユニット３０１が実行するプログラム３０３が記憶されている。

記憶ユニット３０２は、基板Ｗに対する各処理の内容を規定するレシピを記憶するレシピ記憶部３０４を含む。レシピ記憶部３０４は、電気的にデータを書き換え可能な不揮発性メモリからなる。レシピ記憶部３０４には、操作部３０５の操作により作成されるプロセスレシピ３０６、プレレシピ３０７、ポストレシピ３０８およびフローレシピ３０９が記憶される。プロセスレシピ３０６は、基板Ｗに対する処理の内容（手順および条件を含む。以下同じ。）を定めたものである。プレレシピ３０７は、予備動作レシピの一例であり、予め定める前処理の内容を定めたものである。ポストレシピ３０８は、予備動作レシピの一例であり、予め定める後処理の内容を定めたものである。フローレシピ３０９は、プロセスレシピ３０６に従った制御（プロセスレシピ制御）、プリレシピに従った制御（プリレシピ制御）およびポストレシピに従った制御（ポストレシピ制御）の実行順序および実行回数を定めたものである。

基板処理装置２０１には、一つのロットを構成する所定枚数（たとえば、２５枚）の基板Ｗが基板収容器Ｃ（図２０参照）に一括して収容された状態で搬入される。基板処理装置２０１では、基板収容器Ｃごとに、１つのフローレシピ３０９が設定される。
さらに、制御装置２０３は、予め定められたプログラムに従って、スピンモータ２１６、対向部材昇降ユニット２４７等を駆動し、また、第１の吸引装置２６１、第２の吸引装置２６４等の働きを有効化させる。さらに、制御装置２０３は、薬液バルブ２３７、リンス液バルブ２３９、有機溶剤バルブ２４３、排出バルブ２５９、共通バルブ２６０、疎水化剤供給バルブ２６２、吸引バルブ２６３、洗浄液供給バルブ２６７等を開閉する。

図２６は、処理ユニット２０２において実行される処理の内容を説明するための流れ図である。図２７は、処理ユニット２０２においてプレレシピ３０７によって実行される前処理の流れを示す流れ図である。図２８は、処理ユニット２０２においてプロセスレシピ３０６によって実行される基板処理の流れを示す流れ図である。図２９は、処理ユニット２０２においてポストレシピ３０８によって実行される後処理の流れを示す流れ図である。図３０Ａは、基板処理装置２０１への基板Ｗの搬入前における、処理ユニット２０２の状態を示す図である。図３０Ｂは、プリディスペンス工程Ｔ１を説明するための図である。図３１は、疎水化剤供給工程Ｅ６を説明するための図である。図３２は、疎水化剤供給工程Ｅ６後に行われる第１の吸引工程を説明するための図である。図３３は、接続部洗浄工程Ｐ１を説明するための図である。図３４は、配管洗浄工程Ｐ２を説明するための図である。図３５は、第２の吸引工程Ｐ３を説明するための図である。図３６は、充填工程Ｐ４を説明するための図である。

図２０〜図２９を参照しながら、処理ユニット２０２で実行される基板処理例について説明する。図３０Ａ〜図３６については適宜参照する。また、基板処理例は、エッチング処理であってもよいし、洗浄処理であってもよい。
１つのロットに含まれる複数枚の基板Ｗ（１つの基板収容器Ｃ（図２０参照）に収容される複数枚の基板Ｗ）に対し、１または複数の処理ユニット２０２において処理が施される。基板収容器Ｃ（図２０参照）が、基板処理装置２０１のロードポートＬＰ（図２０参照）に載置されると、基板収容器Ｃに含まれるロットの情報を示す基板情報が、ホストコンピュータから制御装置２０３に送られる。ホストコンピュータは、半導体製造工場に設置された複数の基板処理装置を統括するコンピュータである。制御装置２０３は、ホストコンピュータから送られた基板情報に基づいて、そのロットに対するフローレシピ３０９がレシピ記憶部３０４から読み出される。そして、フローレシピ３０９に従って、プリレシピ制御、プロセスレシピ制御およびポストレシピ制御が順に行われる。

まず、各処理ユニット２０２（図２０参照）においてプレレシピ３０７に従った制御が実行され、これにより前処理Ｓ１１（図２６参照）が行われる。
その後、プロセスレシピ３０６に従った制御が繰り返し実行されることにより、１つの基板収容器Ｃに収容された基板Ｗは、次々と連続して処理ユニット２０２に搬入され、処理ユニット２０２で基板処理Ｓ１２（図２６参照）を受ける。

そして、プロセスレシピ３０６に従った制御が基板収容器Ｃに収容された基板の枚数に等しい所定回数だけ実行され、一連の所定回数の処理が終了すると、各処理ユニット２０２においてポストレシピ３０８に従った制御が実行されることにより、後処理Ｓ１３（図２６参照）が実行される。
フローレシピ３０９によって規定される、プロセスレシピ３０６の実行回数が、１回の場合には、前処理Ｓ１１と後処理Ｓ１３との間に、基板処理Ｓ１２が１回だけ実行される。しかしながら、プロセスレシピ３０６の実行回数が、Ｎ（Ｎは２以上の整数）回の場合には、前処理Ｓ１１と後処理Ｓ１３との間に、基板処理Ｓ１２がＮ回実行される。つまり、基板処理Ｓ１２が連続して実行（連続処理）される。

前処理Ｓ１１について説明する。
前回の基板Ｗに対する一連の処理後には、図３０Ｂに示すように、疎水化剤の先端面Ｆが待機位置ＳＰに配置されている。待機位置ＳＰは、共通配管２５１の左右方向部分２５１ｂに設定された流通方向の一部分である。
前処理Ｓ１１において、制御装置２０３は、図３０Ａに示すように、プリディスペンス工程Ｔ１を実行する。プリディスペンス工程Ｔ１は、疎水化剤供給配管２５５の内部に存在している疎水化剤を、疎水化剤供給配管２５５から排出するための工程である。前回の基板Ｗに対する一連の処理の終了から長期間が経過している場合、疎水化剤供給配管２５５の内部や接続部２５２の内部（流通空間ＳＰ１（図２４参照））に滞留している疎水化剤が経時変化（成分変化（劣化）や温度低下）しているおそれがある。そのため、基板処理Ｓ１２に先立って、疎水化剤供給配管２５５の内部や接続部２５２の内部に滞留している疎水化剤を疎水化剤供給配管２５５の内部および接続部２５２の内部から排出させて、新しい疎水化剤に置換させることにより、経時変化している疎水化剤が基板処理Ｓ１２に用いられないようにしたものである。

具体的には、プリディスペンス工程Ｔ１を行う場合には、制御装置２０３は、疎水化剤供給ユニット２１０における他のバルブが閉じられている状態で、疎水化剤供給バルブ２６２および排出バルブ２５９を開く。これにより、疎水化剤供給配管２５５からの疎水化剤が接続部２５２の内部に流入し排出配管２５３を通して排出させられる。
プリディスペンス工程Ｔ１が終了すると、前処理Ｓ１１は終了する。

次に、基板処理Ｓ１２（図２６参照）について説明する。基板処理Ｓ１２の実行に関し、レシピ記憶部３０４（図２５参照）から読み出されたプロセスレシピ３０６は、常時参照されている。
基板処理Ｓ１２が実行されるときには、未処理の基板Ｗが、チャンバー２０４の内部に搬入される（図２８のステップＥ１）。基板Ｗを保持している搬送ロボットＣＲのハンドＨをチャンバー２０４の内部に進入させることにより、具体的には、基板Ｗがその表面（デバイス形成面）を上方に向けた状態でスピンチャック２０５に受け渡される。その後、スピンチャック２０５に基板Ｗが保持される。

その後、制御装置２０３は、スピンモータ２１６を制御して基板Ｗの回転を開始させる（図２８のステップＥ２）。基板Ｗは予め定める液処理速度（約１０〜１２００ｒｐｍの範囲内で、たとえば約１０００ｒｐｍ）まで上昇させられ、その液処理速度に維持される。また、制御装置２０３は、対向部材昇降ユニット２４７を制御して、遮断板２２１を近接位置に配置する。

遮断板２２１が近接位置に配置された後、次いで、制御装置２０３は、基板Ｗの上面に薬液を供給する薬液供給工程Ｅ３（図２８参照）を行う。制御装置２０３は、薬液バルブ２３７を開く。これにより、遮断板２２１の基板対向面２２１ａに形成された第１の吐出口２３１ａから、基板Ｗの上面中央部に向けて薬液が吐出される。基板Ｗの上面中央部に供給された薬液は、基板Ｗの回転による遠心力を受けて基板Ｗの周縁部に移動する。これにより、基板Ｗの上面の全域が薬液を用いて処理される。

第１の吐出口２３１ａからの薬液の吐出開始から、プロセスレシピ３０６によって規定されている期間が経過すると、制御装置２０３は、薬液バルブ２３７を閉じる。
次いで、制御装置２０３は、基板Ｗの上面にリンス液を供給するリンス工程Ｅ４（図２８参照）を行う。具体的には、制御装置２０３は、リンス液バルブ２３９を開く。これにより、遮断板２２１の基板対向面２２１ａに形成された第２の吐出口２３２ａから基板Ｗの上面中央部に向けてリンス液が吐出される。基板Ｗの上面中央部に供給されたリンス液は、基板Ｗの回転による遠心力を受けて基板Ｗの周縁部に移動する。これにより、基板Ｗの上面上の薬液がリンス液に置換される。

第２の吐出口２３２ａからの薬液の吐出開始から、プロセスレシピ３０６によって規定されている期間が経過すると、リンス液の吐出開始から所定期間が経過すると、制御装置２０３は、リンス液バルブ２３９を閉じる。これにより、第２の吐出口２３２ａからのリンス液の吐出が停止され、リンス工程Ｅ４が終了する。
次いで、制御装置２０３は、基板Ｗの上面に存在するリンス液を有機溶剤（たとえばＩＰＡ）に置換する第１の有機溶剤供給工程Ｅ５（図２８参照）を行う。

具体的には、制御装置２０３は、基板Ｗの回転を液処理速度に維持しながら、有機溶剤バルブ２４３を開く。これにより、遮断板２２１の基板対向面２２１ａに形成された第４の吐出口２３４ａから基板Ｗの上面中央部に向けて有機溶剤が吐出される。基板Ｗの上面中央部に供給された有機溶剤は、基板Ｗの回転による遠心力を受けて基板Ｗの周縁部に移動する。これにより、基板Ｗの上面上のリンス液が有機溶剤に置換される。

第４の吐出口２３４ａからの有機溶剤の吐出開始から、プロセスレシピ３０６によって規定されている期間が経過すると、リンス液の吐出開始から所定期間が経過すると、制御装置２０３は、有機溶剤バルブ２４３を閉じる。これにより、第４の吐出口２３４ａからの有機溶剤の吐出が停止され、第１の有機溶剤供給工程Ｅ５が終了する。
次いで、制御装置２０３は、基板Ｗの上面に存在する有機溶剤を液体の疎水化剤に置換する疎水化剤供給工程Ｅ６（図２８参照）を行う。具体的には、制御装置２０３は、遮断板２２１を近接位置に維持しつつ、疎水化剤供給ユニット２１０における他のバルブを閉じながら共通バルブ２６０および疎水化剤供給バルブ２６２を開く。疎水化剤供給工程Ｅ６の開始前において、疎水化剤の先端面Ｆは、待機位置ＳＰに配置されている。

共通バルブ２６０および疎水化剤供給バルブ２６２の開成により、疎水化剤供給配管２５５からの疎水化剤が、接続部２５２を介して共通配管２５１に供給される。これにより、図３１に示すように、遮断板２２１の基板対向面２２１ａに形成された第３の吐出口２３３ａから基板Ｗの上面中央部に向けて疎水化剤が吐出される。基板Ｗの上面中央部に供給された疎水化剤は、基板Ｗの回転による遠心力を受けて基板Ｗの周縁部に移動する。これにより、基板Ｗの上面上の有機溶剤が疎水化剤によって置換される。

また、制御装置２０３は、第１の吸引装置２６１にエアを供給する。これにより、第１の吸引装置２６１に吸引されていた少量の疎水化剤が共通配管２５１に吐き出される。
疎水化剤供給工程Ｅ６において、第３の吐出口２３３ａからの疎水化剤の吐出開始から、プロセスレシピ３０６によって規定されている期間が経過すると、制御装置２０３は、共通バルブ２６０および疎水化剤供給バルブ２６２を閉じる。これにより、図３２に示すように、第３の吐出口２３３ａからの疎水化剤の吐出が停止される。また、制御装置２０３は、第１の吸引装置２６１を有効化させる。これにより、共通配管２５１における、第１の吸引装置２６１の介装部分よりも下流側部分（中心軸ノズル２０７側の部分）の内部が吸引され、図３２に示すように、当該下流側部分の内部に残っている疎水化剤が、第１の吸引装置２６１の内部（ダイヤフラムの駆動により拡張した領域）へと引き込まれる（第１の吸引工程）。第１の吸引装置２６１の吸引量は、疎水化剤の先端面Ｆが、左右方向部分２５１ｂ内に設定された所定の待機位置ＳＰに後退するように定められている。このときの疎水化剤の吸引量は約０．１〜１ミリリットルである。これにより、吸引後の疎水化剤の先端面Ｆが待機位置ＳＰに配置される。

第３の吐出口２３３ａからの疎水化剤の吐出停止に基づいて、疎水化剤供給工程Ｅ６が終了する。
次いで、制御装置２０３は、基板Ｗの上面に存在する疎水化剤を有機溶剤（たとえばＩＰＡ）に置換する第２の有機溶剤供給工程Ｅ７（図２８参照）を行う。
具体的には、制御装置２０３は、基板Ｗの回転を液処理速度に維持しながら、有機溶剤バルブ２４３を開く。これにより、遮断板２２１の基板対向面２２１ａに形成された第４の吐出口２３４ａから基板Ｗの上面中央部に向けて有機溶剤が吐出される。基板Ｗの上面中央部に供給された有機溶剤は、基板Ｗの回転による遠心力を受けて基板Ｗの周縁部に移動する。これにより、基板Ｗの上面上の疎水化剤が有機溶剤に置換される。

第４の吐出口２３４ａからの有機溶剤の吐出開始から、プロセスレシピ３０６によって規定されている期間が経過すると、リンス液の吐出開始から所定期間が経過すると、制御装置２０３は、有機溶剤バルブ２４３を閉じる。これにより、第４の吐出口２３４ａからの有機溶剤の吐出が停止され、第２の有機溶剤供給工程Ｅ７が終了する。
次いで、基板Ｗを乾燥させるスピンドライ工程Ｅ８（図２８参照）が行われる。具体的には、制御装置２０３は、遮断板２２１が近接位置に配置された状態で、スピンモータ２１６を制御して薬液供給工程Ｅ３〜第２の有機溶剤供給工程Ｅ７の各工程における回転速度よりも大きい乾燥回転速度（たとえば数千ｒｐｍ）まで基板Ｗを加速させ、その乾燥回転速度で基板Ｗを回転させる。これにより、大きな遠心力が基板Ｗ上の液体に加わり、基板Ｗに付着している液体が基板Ｗの周囲に振り切られる。このようにして、基板Ｗから液体が除去され、基板Ｗが乾燥する。

基板Ｗの加速から所定期間が経過すると、制御装置２０３は、スピンモータ２１６を制御することにより、スピンチャック２０５による基板Ｗの回転を停止させる（図２８のステップＥ９）。その後、制御装置２０３は、対向部材昇降ユニット２４７を制御して、遮断板２２１を上昇させて退避位置に配置する。
その後、チャンバー２０４内から基板Ｗが搬出される（図２８のステップＥ１０）。具体的には、制御装置２０３は、搬送ロボットＣＲのハンドをチャンバー２０４の内部に進入させる。そして、制御装置２０３は、搬送ロボットＣＲのハンドにスピンチャック２０５上の基板Ｗを保持させる。その後、制御装置２０３は、搬送ロボットＣＲのハンドをチャンバー２０４内から退避させる。これにより、処理後の基板Ｗがチャンバー２０４から搬出され、基板処理Ｓ１２は終了する。

次に、後処理Ｓ１３について説明する。
後処理Ｓ１３において、制御装置２０３は、まず、接続部洗浄工程Ｐ１（図２９参照）を実行する。
接続部洗浄工程Ｐ１では、制御装置２０３は、疎水化剤供給ユニット２１０における他のバルブが閉じられている状態で、図３３に示すように、洗浄液供給バルブ２６７および排出バルブ２５９を開く。これにより、洗浄液供給配管２５７からの洗浄液が接続部２５２の内部に流入し、その洗浄液が接続部２５２の内部を流通した後、排出配管２５３へと排出される。これにより、接続部２５２の内部に存在している疎水化剤を、洗浄液を用いて接続部２５２外に押し出すことができる。

洗浄液供給バルブ２６７および排出バルブ２５９の開成から所定期間（たとえば２〜３秒間）が経過すると、制御装置２０３は、洗浄液供給バルブ２６７を開けたまま、図３４に示すように、排出バルブ２５９を閉じかつ共通バルブ２６０を開く。これにより、接続部２５２に流入した洗浄液が共通配管２５１に導かれる。すなわち、接続部洗浄工程Ｐ１が終了し、配管洗浄工程Ｐ２（図２９参照）が開始される。

配管洗浄工程Ｐ２において、共通配管２５１に導かれた洗浄液は、共通配管２５１の内部を通って第３の吐出口２３３ａから吐出される。共通配管２５１の内部を洗浄液が流通することにより、共通配管２５１の内部が洗浄液によって洗浄される。また、制御装置２０３は、第１の吸引装置２６１の駆動を停止させる。これにより、第１の吸引装置２６１に吸引されていた少量の疎水化剤が共通配管２５１に吐き出される。共通バルブ２６０の開成から所定期間が経過すると、洗浄液供給バルブ２６７が閉じられる。これにより、配管洗浄工程Ｐ２が終了する。

次いで、第２の吸引工程Ｐ３（図２９参照）が実行される。
第２の吸引工程Ｐ３において、制御装置２０３は、図３５に示すように、流体供給バルブ２６６の開成により第２の吸引装置２６４の働きが有効化されている状態で、吸引バルブ２６３および共通バルブ２６０が開くことにより、吸引配管２５６の内部が吸引される。これにより、接続部２５２の内部に滞留している洗浄液、および共通配管２５１の内部に滞留している全ての洗浄液が、第２の吸引装置２６４によって吸引される。第２の吸引工程Ｐ３において、エジェクタ装置等からなる第２の吸引装置２６４を用いて吸引を行うので、長い距離を吸引することができ、かつその吸引を短時間のうちに行うことができる。吸引バルブ２６３の開成から所定期間が経過すると、洗浄液供給バルブ２６７が閉じられる。

次いで、制御装置２０３は、充填工程Ｐ４（図２９参照）を実行する。充填工程Ｐ４は、共通配管２５１に疎水化剤を充填（供給）し、これにより、先端面Ｆを待機位置ＳＰに配置する工程である。具体的には、充填工程Ｐ４において、制御装置２０３は、疎水化剤供給ユニット２１０における他のバルブを閉じた状態で、共通バルブ２６０および疎水化剤供給バルブ２６２を開く。共通バルブ２６０および疎水化剤供給バルブ２６２の開成により、疎水化剤供給配管２５５からの疎水化剤が、接続部２５２を介して共通配管２５１に供給される。疎水化剤供給バルブ２６２の開成から所定期間が経過すると、制御装置２０３は、疎水化剤供給バルブ２６２を閉じる。これにより、図３６に示すように、疎水化剤の先端面Ｆが待機位置ＳＰに配置される。

充填工程Ｐ４が終了すると、後処理Ｓ１３は終了する。
以上、第２の実施形態によれば、吸引工程において、共通配管２５１の内部に存在している疎水化剤が吸引され、疎水化剤の先端面Ｆが後退される。吸引工程として、疎水化剤の先端面Ｆが待機位置ＳＰに配置される第１の吸引工程（図３２参照）と、疎水化剤の先端面Ｆが接続部２５２の上流端よりも後退させられる第２の吸引工程Ｐ３とが選択的に実行される。

第１の吸引工程において、第２の吸引工程Ｐ３よりも、吸引される疎水化剤の量（排液される疎水化剤の量）が低減される。そのため、吸引工程の全てにおいて第２の吸引工程Ｐ３を実行する場合と比較して、疎水化剤の消費量の低減を図ることができる。第１の吸引工程は、共通配管２５１内の疎水化剤を次の基板処理Ｓ１２に用いることができる場合に実行され、第２の吸引工程Ｐ３は、共通配管２５１内の疎水化剤が次の基板処理Ｓ１２に用いることができない場合に実行してもよい。これにより、疎水化剤の消費量の低減を図りながら、共通配管２５１内の疎水化剤の先端面Ｆを後退させることができる。

以上により、疎水化剤の消費量の低減を図りながら、共通配管２５１内の疎水化剤を吸引することができる。
また、第１の吸引工程（図３２参照）において、ダイヤフラム式の吸引装置である第１の吸引装置２６１を用いて吸引を行うので、吸引後の疎水化剤の先端面Ｆを正確に制御することができる。

また、第２の吸引工程Ｐ３において、エジェクタ装置等からなる第２の吸引装置２６４を用いて吸引を行うので、長い距離を吸引することができ、かつその吸引を短時間のうちに行うことができる。
また、連続処理中（基板処理Ｓ１２の連続実行中）は、第１の吸引工程が吸引工程として実行される。一方、連続処理の後に実行される後処理Ｓ１３において、第２の吸引工程Ｐ３が実行される。

連続処理中は、基板処理Ｓ１２が連続して実行されるため、共通配管２５１内に疎水化剤が長期間滞留し続けることはない。そのため、疎水化剤の消費量の低減の観点および／またはスループットの低下抑制の観点から、連続処理中は第１の吸引工程が実行され、吸引後の疎水化剤の先端面Ｆが待機位置に配置される。
一方、後処理Ｓ１３の後、次の前処理Ｓ１１まで長期間を要することも考えられる。共通配管２５１内や接続部２５２内に疎水化剤が長期間滞留し続けると、当該疎水化剤が経時変化または温度低下するおそれがある。経時変化している疎水化剤や温度低下している疎水化剤を、次の基板処理Ｓ１２に用いることはできないから、後処理Ｓ１３において吸引を行う。この吸引として、第２の吸引工程Ｐ３が実行される。そのため、後処理Ｓ１３の終了後には、共通配管２５１内および接続部２５２内が空に保たれる。

以上、この発明の２つの実施形態について説明したが、この発明は、さらに他の実施形態で実施することができる。
たとえば、第１の実施形態において、第２の供給／吸引ユニット１５や第３の供給／吸引ユニット１６において、図１９に示す変形例と同様に、薬液／リンス液吸引装置（吸引装置）１２２と、流量調整バルブ１２３とが設けられていてもよい。

また、第１の実施形態に係る第１の供給／吸引ユニット１４において、第１の吸引装置としてダイヤフラム式の吸引装置が採用されていてもよいし、第２および／または第３の供給／吸引ユニット１５，１６において、第１の吸引装置としてサイフォン式の吸引装置が採用されていてもよい。
３つのノズル配管９，１１，１３の全てに対応して供給／吸引ユニット１４，１５，１６が設けられているとして説明したが、３つのノズル配管９，１１，１３の少なくとも１つに供給／吸引ユニットが設けられていればよい。

また、第１〜第３の供給／吸引ユニット１４，１５，１６では、処理液供給ユニットと処理液吸引ユニットとが接続部４４，６４，８４を介して並列に接続されている構成を例に挙げて説明したが、処理液供給ユニットと吸引ユニットと並列に接続されていなくてもよいのは無論のことである。
また、第１の実施形態において、吐出口８，１０，１２が基板対向面２９に形成された処理液配管について説明したが、遮断板２７に組み込まれない単一のノズルとして設けることもできる。この場合もノズルの吐出口が、左右方向（すなわち、基板Ｗの表面に沿う方向）には移動不能であることが好ましい。

また、第１の実施形態において、有機溶剤は、ＩＰＡに限られず、ＩＰＡ、メタノール、エタノール、ＨＦＥ（ハイドロフロロエーテル）およびアセトンのうちの少なくとも１つを含む。また、有機溶剤としては、単体成分のみからなる場合だけでなく、他の成分と混合した液体であってもよい。たとえば、ＩＰＡとアセトンの混合液であってもよいし、ＩＰＡとメタノールの混合液であってもよい。

また、第２の実施形態において、第１の吸引装置２６１として、ダイヤフラム式の吸引装置を例に挙げたが、これに代えて、サイフォン式の吸引装置が採用されていてもよい。サイフォン式の吸引装置は、配管を有し、当該配管の内部を液体で満たした状態で、サイフォンの原理を利用して共通配管２５１の内部の疎水化剤を吸引（排液）する。サイフォン式の吸引装置では、吸引のためのエネルギー消費が抑制される。

また、第２の実施形態において、第２の吸引工程Ｐ３に先立って行う洗浄工程が、接続部洗浄工程Ｐ１と配管洗浄工程Ｐ２との双方を含むとして説明したが、洗浄工程としては、このうちの少なくとも一方を含んでいれば足りる。また、第２の吸引工程Ｐ３に先立って洗浄工程を行わなくてもよい。
第２の吸引工程Ｐ３を、後処理Ｓ１３において実行するとして説明したが、第２の吸引工程Ｐ３を、前処理Ｓ１１において行ってもよい。この場合には、第２の吸引工程Ｐ３を、プリディスペンス工程Ｔ１の前または後に行うようにしてもよい。この場合、前処理Ｓ１１において、共通配管２５１内に残留していた疎水化剤の除去と、疎水化剤供給配管２５５の内部に存在していた疎水化剤の除去とを行うことができるので、経時変化または温度低下した疎水化剤が、基板処理Ｓ１２の開始時に基板Ｗに供給されることを確実に防止することができる。

また、第２の吸引工程Ｐ３を、後処理 Ｓ１３および前処理Ｓ１１の双方において行うようにしてもよい。
また、第２の実施形態において、プロセスレシピ３０６の実行回数を１回とすることにより、各基板処理Ｓ１２の後または各基板処理Ｓ１２の前に、第２の吸引工程Ｐ３を実行することができる。

また、第２の実施形態において、第２の吸引工程Ｐ３が、プレレシピ３０７によって規定される前処理Ｓ１１、および／またはポストレシピ３０８によって規定される後処理Ｓ１３においてではなく、プロセスレシピ３０６によって規定される基板処理Ｓ１２において実行されるようになっていてもよい。
この場合、プロセスレシピ３０６において、前回の吐出口２３３ａからの疎水化剤の吐出終了からその次の吐出開始までの期間が所定期間未満になるような期間において実行される吸引工程においては、第１の吸引工程が規定されていてもよい。また、プロセスレシピ３０６において、前回の吐出口２３３ａからの疎水化剤の吐出終了からその次の吐出開始までの期間が所定期間未満になるような期間において実行される吸引工程においては、第２の吸引工程Ｐ３が規定されていてもよい。

また、第２の実施形態では、薬液供給ユニット２０８、リンス液供給ユニット２０９および有機溶剤供給ユニット２１１において、図２４に示すような疎水化剤供給ユニット２１０と同等の構成が採用されていてもよい。そして、この場合、これらのユニット２０８，２０９，２１１においても、第１の吸引工程および第２の吸引工程Ｐ３が選択的に実行されるようになっていてもよい。すなわち、吸引対象の処理液は疎水化剤に限られず、他の処理液（薬液、リンス液、有機溶剤等）であてもよい。また、洗浄液としては、吸引対象の処理液に応じた液種が採用される。

また、第２の実施形態において、吐出口（吐出口２３１ａ〜２３４ａ）が基板対向面２１ａに形成された共通配管について説明したが、遮断板２２１に組み込まれない単一のノズルとして設けることもできる。この場合もノズルの吐出口が、左右方向（すなわち、基板Ｗの表面に沿う方向）には移動不能であると、このノズルに本発明を好適に適用することができる。

また、前述の実施形態では、基板処理装置１，２０１が円板状の基板Ｗを処理する装置である場合について説明したが、基板処理装置１，２０１が、液晶表示装置用ガラス基板などの多角形の基板を処理する装置であってもよい。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能で
ある。

１ ：基板処理装置
３ ：制御装置
５ ：スピンチャック（基板保持ユニット）
８ ：第１の吐出口（吐出口）
９ ：第１のノズル配管
１０ ：第２の吐出口（吐出口）
１１ ：第２のノズル配管
１２ ：第３の吐出口
１３ ：第３のノズル配管
１４ ：第１の吸引ユニット（処理液供給ユニット、吸引ユニット）
１５ ：第２の吸引ユニット（処理液供給ユニット、吸引ユニット）
１６ ：第３の吸引ユニット（処理液供給ユニット、吸引ユニット）
５５ ：第１の薬液／リンス液吸引装置（第１の吸引装置）
５７ ：第２の薬液／リンス液吸引装置（第２の吸引装置）
７５ ：第１の有機溶剤吸引装置（第１の吸引装置）
７７ ：第２の有機溶剤吸引装置（第２の吸引装置）
９５ ：第１の表面改質剤吸引装置（第１の吸引装置）
９７ ：第２の表面改質剤吸引装置（第２の吸引装置）
１２２ ：第１の薬液／リンス液吸引装置（第１の吸引装置）
１２２ ：薬液／リンス液吸引装置
１２３ ：流量調整バルブ（吸引力調整ユニット）
２０１ ：基板処理装置
２０３ ：制御装置
２０８ ：薬液供給ユニット
２０９ ：リンス液供給ユニット
２１０ ：疎水化剤供給ユニット
２２１ ：遮断板
２２１ａ ：基板対向面
２３１ａ ：第１の吐出口
２３２ａ ：第２の吐出口
２３３ａ ：第３の吐出口
２３４ａ ：第４の吐出口
２５１ ：共通配管
２５２ ：接続部
２５５ ：疎水化剤供給配管
２５６ ：吸引配管
２６１ ：第１の吸引装置
２６４ ：第２の吸引装置
ＳＰ１ ：流通空間
Ｗ ：基板

Claims (19)

1. 基板を保持する基板保持ユニットと、
   前記基板保持ユニットに保持されている基板の主面に向けて処理液を吐出するための吐出口に連通する処理液配管と、
   前記処理液配管に処理液を供給するための処理液供給ユニットと、
   前記処理液配管の内部に存在している処理液を吸引するための吸引ユニットと、
   前記処理液供給ユニットおよび前記吸引ユニットを制御する制御装置とを含み、
   前記制御装置は、
   前記処理液供給ユニットにより、前記吐出口から吐出するべく前記処理液配管に処理液を供給する処理液供給工程と、
   前記吸引ユニットにより、前記処理液配管の内部に存在している処理液を吸引する吸引工程とを実行し、
   前記制御装置は、前記吸引工程において、処理液を吸引して、吸引後の処理液の先端面を、前記処理液配管の内部における予め定める待機位置に配置させる第１の吸引工程と、処理液を吸引して、処理液の先端面を前記待機位置よりも後退させる第２の吸引工程とを実行し、
   前記制御装置が、
   前記吐出口から吐出される処理液を用いて複数の基板を連続して処理する連続処理において前記第１の吸引工程を実行し、
   前記連続処理の前および／または前記連続処理の後に前記第２の吸引工程を実行する、基板処理装置。
2. 基板を保持する基板保持ユニットと、
   前記基板保持ユニットに保持されている基板の主面に向けて処理液を吐出するための吐出口に連通する処理液配管と、
   前記処理液配管に処理液を供給するための処理液供給ユニットと、
   前記処理液配管の内部に存在している処理液を吸引するための吸引ユニットと、
   前記処理液供給ユニットおよび前記吸引ユニットを制御する制御装置とを含み、
   前記制御装置は、
   前記処理液供給ユニットにより、前記吐出口から吐出するべく前記処理液配管に処理液を供給する処理液供給工程と、
   前記吸引ユニットにより、前記処理液配管の内部に存在している処理液を吸引する吸引工程とを実行し、
   前記制御装置は、前記吸引工程において、処理液を吸引して、吸引後の処理液の先端面を、前記処理液配管の内部における予め定める待機位置に配置させる第１の吸引工程と、処理液を吸引して、処理液の先端面を前記待機位置よりも後退させる第２の吸引工程とを実行し、
   前記制御装置は、
   前記吐出口からの処理液の吐出終了からその次の吐出開始までの期間が所定期間未満である場合に前記第１の吸引工程を実行し、
   前記吐出口からの処理液の吐出終了からその次の吐出開始までの期間が所定期間以上である場合に前記第２の吸引工程を実行する、基板処理装置。
3. 前記制御装置は、
   前記吐出口からの処理液の吐出停止からの経過期間を計測する経過期間計測工程をさらに実行し、
   前記経過期間が前記所定期間未満である場合に前記第１の吸引工程を実行し、
   前記経過期間が前記所定期間以上である場合に前記第２の吸引工程を実行する、請求項２に記載の基板処理装置。
4. 前記制御装置は、
   前記吐出口から吐出される処理液を用いて一枚の基板を処理する基板処理の間に前記第１の吸引工程を実行し、
   前記基板処理の前および／または前記基板処理の後に前記第２の吸引工程を実行する、請求項２または３に記載の基板処理装置。
5. 前記処理液配管に接続され、液体が流通するための流通空間を内部に有する接続部をさらに含み、
   前記制御装置は、前記第２の吸引工程において、処理液の先端面を前記接続部の上流端よりも後退させる工程を実行する、請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
6. 前記吸引ユニットは、
   前記処理液配管の内部の処理液を所定の吸引力で吸引する第１の吸引装置と、
   前記第１の吸引装置よりも大きな吸引力で前記処理液配管の内部の処理液を吸引する第２の吸引装置とを含み、
   前記制御装置は、前記第１の吸引工程において前記第１の吸引装置によって処理液を吸引し、前記第２の吸引工程において前記第２の吸引装置によって処理液を吸引する、請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
7. 前記処理液配管に接続され、液体が流通するための流通空間を内部に有する接続部をさらに含み、
   前記第１の吸引装置は、前記処理液配管に介装または前記処理液配管に分岐接続されており、
   前記第２の吸引装置は、前記接続部に接続された吸引配管を介して処理液を吸引する、請求項６に記載の基板処理装置。
8. 前記第２の吸引装置は、エジェクタ式の吸引装置を含む、請求項７に記載の基板処理装置。
9. 前記第１の吸引装置は、ダイヤフラム式の吸引装置を含む、請求項７または８に記載の基板処理装置。
10. 前記処理液配管に接続され、前記ダイヤフラム式の吸引装置が介装される吸引配管と、
    前記処理液配管を開閉する処理液バルブとをさらに含み、
    前記ダイヤフラム式の吸引装置を駆動するための第１の駆動源と、前記処理液バルブを駆動するための第２の駆動源とは互いに独立している、請求項９に記載の基板処理装置。
11. 前記第１の吸引装置は、サイフォン式の吸引装置を含む、請求項７〜１０のいずれか一項に記載の基板処理装置。
12. 前記吐出口は、前記基板保持ユニットに保持されている基板の主面に沿う方向に移動不能に設けられている、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の基板処理装置。
13. 前記基板保持ユニットに保持されている基板の主面に対向し、前記基板の主面に沿う方向に移動不能な基板対向面を有する対向部材をさらに含み、
    前記吐出口は、前記基板対向面に形成されている、請求項１２に記載の基板処理装置。
14. 吐出口に連通する処理液配管を含む基板処理装置で実行される基板処理方法であって、
    前記吐出口から処理液を吐出するべく前記処理液配管に処理液を供給する処理液供給工程と、
    前記処理液配管の内部に存在している処理液を吸引する吸引工程とを含み、
    前記吸引工程は、処理液の先端面を後退させて、吸引後の処理液の先端面を、前記処理液配管の内部における予め定める待機位置に配置させる第１の吸引工程と、処理液の先端面を前記待機位置よりも大きく後退させる第２の吸引工程とを含み、
    前記第１の吸引工程が、前記吐出口から吐出される処理液を用いて複数の基板を連続して処理する連続処理において行われる工程であり、
    前記第２の吸引工程が、前記連続処理の前および／または前記連続処理の後に行われる工程である、基板処理方法。
15. 吐出口に連通する処理液配管を含む基板処理装置で実行される基板処理方法であって、
    前記吐出口から処理液を吐出するべく前記処理液配管に処理液を供給する処理液供給工程と、
    前記処理液配管の内部に存在している処理液を吸引する吸引工程とを含み、
    前記吸引工程は、処理液の先端面を後退させて、吸引後の処理液の先端面を、前記処理液配管の内部における予め定める待機位置に配置させる第１の吸引工程と、処理液の先端面を前記待機位置よりも大きく後退させる第２の吸引工程とを含み、
    前記第１の吸引工程は、前記吐出口からの処理液の吐出終了からその次の吐出開始までの期間が所定期間未満である場合に行われる工程であり、
    前記第２の吸引工程は、前記吐出口からの処理液の吐出終了からその次の吐出開始までの期間が所定期間以上である場合に行われる工程である、基板処理方法。
16. 前記吐出口からの処理液の吐出停止からの経過期間を計測する経過期間計測工程をさらに含み、
    前記第１の吸引工程は、前記経過期間が前記所定期間未満である場合に実行される工程であり、
    前記第２の吸引工程は、前記経過期間が前記所定期間以上である場合に実行される工程である、請求項１５に記載の基板処理方法。
17. 前記第１の吸引工程は、前記吐出口から吐出される処理液を用いて一枚の基板を処理する基板処理の間に行われる工程であり、
    前記第２の吸引工程は、前記基板処理の前および／または前記基板処理の後に行われる工程である、請求項１５または１６に記載の基板処理方法。
18. 前記基板処理装置は、前記処理液配管に接続され、液体が流通するための流通空間を内部に有する接続部をさらに含み、
    前記第２の吸引工程は、処理液の先端面を前記接続部の上流端よりも後退させる工程を含む、請求項１４〜１７のいずれか一項に記載の基板処理方法。
19. 前記第１の吸引工程は、所定の吸引力で前記処理液配管の内部の処理液を吸引する工程を含み、
    前記第２の吸引工程は、前記第１の吸引工程よりも大きな吸引力で前記処理液配管の内部の処理液を吸引する工程を含む、請求項１４〜１８のいずれか一項に記載の基板処理方法。

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