JP2023004684A - 基板処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】基板処理における吸引動作に起因する不具合を抑制する。【解決手段】基板処理方法は、少なくとも、基板を処理するための処理液と洗浄を行うための洗浄液とのうちの少なくとも一方を選択的に供給可能な多連弁と、基板に処理液を吐出するための処理液ノズルと、多連弁と処理液ノズルとを接続する接続配管と、接続配管から分岐して設けられ、かつ、接続配管内を吸引するための吸引配管とを備え、多連弁から吸引配管へ洗浄液を供給することによって吸引配管内を洗浄する工程を備える。【選択図】図４

Description

本願明細書に開示される技術は、基板処理技術に関するものである。処理対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、有機ＥＬ(ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ)表示装置などのｆｌａｔ ｐａｎｅｌ ｄｉｓｐｌａｙ（ＦＰＤ）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用ガラス基板、セラミック基板、電界放出ディスプレイ（ｆｉｅｌｄ ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｄｉｓｐｌａｙ、すなわち、ＦＥＤ）用基板、または、太陽電池用基板などが含まれる。

従来より、半導体基板（以下、単に「基板」と称する）の製造工程では、基板処理装置を用いて基板に対して様々な処理が行われている。

基板処理においては、１または複数の薬液がノズルを介して基板に対して吐出されるが、ノズルからの液だれなどを抑制するため、ノズル内の薬液を吸引する吸引動作が行われる場合がある（たとえば、特許文献１を参照）。

特開２０１６－１５２３７５号公報

上記のような吸引動作によって吸引された処理液は吸引配管に残存し、後の基板処理において基板に吐出される他の処理液に混入してしまう場合がある。そうすると、後の基板処理における意図しないオーバーエッチングなどの原因となり得る。そして、基板処理の精度を低下させることとなる。

本願明細書に開示される技術は、以上に記載されたような問題を鑑みてなされたものであり、基板処理における吸引動作に起因する不具合を抑制するための技術である。

本願明細書に開示される技術の第１の態様である基板処理方法は、基板を処理するための基板処理装置を使う基板処理方法であり、前記基板処理装置は、少なくとも、前記基板を処理するための処理液と洗浄を行うための洗浄液とのうちの少なくとも一方を選択的に供給可能な多連弁と、前記基板に前記処理液を吐出するための処理液ノズルと、前記多連弁と前記処理液ノズルとを接続する接続配管と、前記接続配管から分岐して設けられ、かつ、前記接続配管内を吸引するための吸引配管とを備え、前記多連弁から前記吸引配管へ前記洗浄液を供給することによって前記吸引配管内を洗浄する工程を備える。

本願明細書に開示される技術の第２の態様である基板処理方法は、第１の態様である基板処理方法に関連し、前記多連弁は、前記多連弁内の前記処理液と前記洗浄液とのうちの少なくとも一方を排液するための排液配管をさらに備え、前記多連弁から前記排液配管へ前記洗浄液を供給する工程をさらに備える。

本願明細書に開示される技術の第３の態様である基板処理方法は、第２の態様である基板処理方法に関連し、前記多連弁から前記排液配管へ前記洗浄液を供給する工程は、前記吸引配管内を洗浄する工程と同時に行われる。

本願明細書に開示される技術の第４の態様である基板処理方法は、第１から３のうちのいずれか１つの態様である基板処理方法に関連し、前記処理液ノズルは、前記基板を処理するための処理位置と、前記基板から退避するための退避位置とに位置可能であり、前記吸引配管内を洗浄する工程は、前記処理液ノズルが前記退避位置に位置する間に行われる。

本願明細書に開示される技術の第５の態様である基板処理方法は、第４の態様である基板処理方法に関連し、前記基板処理装置は、前記基板にリンス液を吐出するためのリンス液ノズルをさらに備え、前記リンス液ノズルは、前記吸引配管内を洗浄する工程の間に、前記処理位置において前記基板に前記リンス液を吐出する。

本願明細書に開示される技術の第６の態様である基板処理方法は、第１から５のうちのいずれか１つの態様である基板処理方法に関連し、前記基板処理装置は、前記吸引配管に設けられ、かつ、前記吸引配管内の導電率を測定するための導電率計と、前記導電率計から出力される前記導電率の値があらかじめ定められたしきい値以下である場合に、前記多連弁から前記吸引配管への前記洗浄液の供給を停止させるための停止部とをさらに備える。

本願明細書に開示される技術の少なくとも第１の態様によれば、吸引配管内が十分に洗浄されるため、基板処理における吸引動作に起因する不具合を抑制することができる。

また、本願明細書に開示される技術に関連する目的と、特徴と、局面と、利点とは、以下に示される詳細な説明と添付図面とによって、さらに明白となる。

実施の形態に関する、基板処理装置の構成の例を概略的に示す平面図である。 図１に例が示された制御部の構成の例を示す図である。 処理ユニットの構成の例を示す図である。 実施の形態に関する基板処理装置の構成のうち、処理液ノズルに接続される配管の構成の例を概略的に示す図である。 処理液ノズルを退避位置に移動させた状態を示す図である。

以下、添付される図面を参照しながら実施の形態について説明する。以下の実施の形態では、技術の説明のために詳細な特徴なども示されるが、それらは例示であり、実施の形態が実施可能となるためにそれらすべてが必ずしも必須の特徴ではない。

なお、図面は概略的に示されるものであり、説明の便宜のため、適宜、構成の省略、または、構成の簡略化などが図面においてなされるものである。また、異なる図面にそれぞれ示される構成などの大きさおよび位置の相互関係は、必ずしも正確に記載されるものではなく、適宜変更され得るものである。また、断面図ではない平面図などの図面においても、実施の形態の内容を理解することを容易にするために、ハッチングが付される場合がある。

また、以下に示される説明では、同様の構成要素には同じ符号を付して図示し、それらの名称と機能とについても同様のものとする。したがって、それらについての詳細な説明を、重複を避けるために省略する場合がある。

また、本願明細書に記載される説明において、ある構成要素を「備える」、「含む」または「有する」などと記載される場合、特に断らない限りは、他の構成要素の存在を除外する排他的な表現ではない。

また、本願明細書に記載される説明において、「…軸正方向」または「…軸負方向」などの表現は、図示される…軸の矢印に沿う方向を正方向とし、図示される…軸の矢印とは反対側の方向を負方向とするものである。

また、本願明細書に記載される説明において、「上」、「下」、「左」、「右」、「側」、「底」、「表」または「裏」などの特定の位置または方向を意味する用語が使われる場合があっても、これらの用語は、実施の形態の内容を理解することを容易にするために便宜上使われるものであり、実施の形態が実際に実施される際の位置または方向とは関係しないものである。

また、本願明細書に記載される説明において、「…の上面」または「…の下面」などと記載される場合、対象となる構成要素の上面自体または下面自体に加えて、対象となる構成要素の上面または下面に他の構成要素が形成された状態も含むものとする。すなわち、たとえば、「Ａの上面に設けられるＢ」と記載される場合、ＡとＢとの間に別の構成要素「Ｃ」が介在することを妨げるものではない。

＜実施の形態＞
以下、本実施の形態に関する基板処理装置、および、基板処理方法について説明する。

＜基板処理装置の構成について＞
図１は、本実施の形態に関する基板処理装置１の構成の例を概略的に示す平面図である。基板処理装置１は、ロードポート６０１と、インデクサロボット６０２と、センターロボット６０３と、制御部９０と、少なくとも１つの処理ユニット６００（図１においては４つの処理ユニット）とを備える。

処理ユニット６００は、基板処理に用いることができる枚葉式の装置であり、具体的には、基板Ｗに付着している有機物を除去する処理を行う装置である。基板Ｗに付着している有機物は、たとえば、使用済のレジスト膜である。当該レジスト膜は、たとえば、イオン注入工程用の注入マスクとして用いられたものである。

なお、処理ユニット６００は、チャンバ１８０を有することができる。その場合、チャンバ１８０内の雰囲気を制御部９０によって制御することで、処理ユニット６００は、所望の雰囲気中における基板処理を行うことができる。

制御部９０は、基板処理装置１におけるそれぞれの構成の動作を制御することができる。キャリアＣは、基板Ｗを収容する収容器である。また、ロードポート６０１は、複数のキャリアＣを保持する収容器保持機構である。インデクサロボット６０２は、ロードポート６０１と基板載置部６０４との間で基板Ｗを搬送することができる。センターロボット６０３は、基板載置部６０４および処理ユニット６００間で基板Ｗを搬送することができる。

以上の構成によって、インデクサロボット６０２、基板載置部６０４およびセンターロボット６０３は、それぞれの処理ユニット６００とロードポート６０１との間で基板Ｗを搬送する搬送機構として機能する。

未処理の基板ＷはキャリアＣからインデクサロボット６０２によって取り出される。そして、未処理の基板Ｗは、基板載置部６０４を介してセンターロボット６０３に受け渡される。

センターロボット６０３は、当該未処理の基板Ｗを処理ユニット６００に搬入する。そして、処理ユニット６００は基板Ｗに対して処理を行う。

処理ユニット６００において処理済みの基板Ｗは、センターロボット６０３によって処理ユニット６００から取り出される。そして、処理済みの基板Ｗは、必要に応じて他の処理ユニット６００を経由した後、基板載置部６０４を介してインデクサロボット６０２に受け渡される。インデクサロボット６０２は、処理済みの基板ＷをキャリアＣに搬入する。以上によって、基板Ｗに対する処理が行われる。

図２は、図１に例が示された制御部９０の構成の例を示す図である。制御部９０は、電気回路を有する一般的なコンピュータによって構成されていてよい。具体的には、制御部９０は、中央演算処理装置（ｃｅｎｔｒａｌ ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ ｕｎｉｔ、すなわち、ＣＰＵ）９１、リードオンリーメモリ（ｒｅａｄ ｏｎｌｙ ｍｅｍｏｒｙ、すなわち、ＲＯＭ）９２、ランダムアクセスメモリ（ｒａｎｄｏｍ ａｃｃｅｓｓ ｍｅｍｏｒｙ、すなわち、ＲＡＭ）９３、記録装置９４、入力部９６、表示部９７および通信部９８と、これらを相互に接続するバスライン９５とを備える。

ＲＯＭ９２は基本プログラムを格納している。ＲＡＭ９３は、ＣＰＵ９１が所定の処理を行う際の作業領域として用いられる。記録装置９４は、フラッシュメモリまたはハードディスク装置などの不揮発性記録装置によって構成されている。入力部９６は、各種スイッチまたはタッチパネルなどによって構成されており、ユーザーから処理レシピなどの入力設定指示を受ける。表示部９７は、たとえば、液晶表示装置およびランプなどによって構成されており、ＣＰＵ９１の制御の下、各種の情報を表示する。通信部９８は、ｌｏｃａｌ ａｒｅａ ｎｅｔｗｏｒｋ（ＬＡＮ）などを介してのデータ通信機能を有する。

記録装置９４には、図１の基板処理装置１におけるそれぞれの構成の制御のための設定値があらかじめ設定されている。ＣＰＵ９１が処理プログラム９４Ｐを実行することによって、それぞれの構成が当該設定値に基づいて制御される。なお、処理プログラム９４Ｐは、外部の記録媒体に記録されていてもよい。この記録媒体を用いれば、制御部９０に処理プログラム９４Ｐをインストールすることができる。また、制御部９０が実行する機能の一部または全部は、必ずしもソフトウェアによって実現される必要はなく、専用の論理回路などのハードウェアによって実現されてもよい。

＜処理ユニットについて＞
図３は、処理ユニット６００の構成の例を示す図である。図３に例が示されるように、処理ユニット６００は、１枚の基板Ｗを略水平姿勢で保持しつつ、基板Ｗの中央部を通る鉛直な回転軸線Ｚ１まわりに基板Ｗを回転させるスピンチャック１０と、基板Ｗに処理液を吐出する処理液ノズル２０と、処理液ノズル２０が端部に取り付けられたノズルアーム２２と、基板Ｗの回転軸線Ｚ１まわりにスピンチャック１０を取り囲む筒状の処理カップ１２と、リンス液ノズル６０と、気体ノズル３０とを備える。

処理液ノズル２０は、複数種の処理液を吐出することができるものとするが、それぞれの処理液に対応して処理液ノズル２０が複数設けられていてもよい。処理液ノズル２０は、基板Ｗの上面に処理液を吐出する。ここで処理液とは、基板Ｗを処理するための液体であり、基板Ｗをエッチングするためのエッチング液（アンモニアと過酸化水素水との混合溶液（ＳＣ１）など）、ＣＯ_２水などの機能液、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）などの有機溶剤、または、純水（ＤＩＷ）などを含むものである。

スピンチャック１０は、略水平姿勢の基板Ｗの下面を真空吸着する円板状のスピンベース１０Ａと、スピンベース１０Ａの中央部から下方に延びる回転軸１０Ｃと、回転軸１０Ｃを回転させることによって、スピンベース１０Ａに吸着されている基板Ｗを回転させるスピンモータ１０Ｄとを備える。なお、スピンチャック１０の代わりに、スピンベースの上面外周部から上方に突出する複数のチャックピンを備え、当該チャックピンによって基板Ｗの周縁部を挟持する挟持式のチャックが用いられてもよい。

ノズルアーム２２は、アーム部２２Ａと、軸体２２Ｂと、アクチュエータ２２Ｃとを備える。アクチュエータ２２Ｃは、軸体２２Ｂの軸周りの角度を調整する。アーム部２２Ａの一方の端部は軸体２２Ｂに固定されており、アーム部２２Ａの他方の端部は軸体２２Ｂの軸から離れて配置される。また、アーム部２２Ａの他方の端部には、処理液ノズル２０が取り付けられている。そうすることによって、処理液ノズル２０は、基板Ｗの半径方向に揺動可能に構成される。

ノズルアーム２２の駆動によって処理液ノズル２０が移動可能な位置のうち、基板Ｗに処理液を吐出して基板処理を行うための位置を処理位置とし、基板Ｗの上方から退避する位置（すなわち、基板Ｗと処理液ノズル２０とが平面視で重ならない位置）を退避位置とすると、ノズルアーム２２は、処理液ノズル２０を処理位置と退避位置とに移動可能である。

なお、揺動による処理液ノズル２０の移動方向は、基板Ｗの半径方向の成分を有していればよく、基板Ｗの半径方向に厳密に平行である必要はない。

ここで、ノズルアーム２２は、図示しないモータなどによって、鉛直方向に昇降可能であってもよい。その場合、ノズルアーム２２の端部に取り付けられた処理液ノズル２０と基板Ｗの上面との間の距離を、ノズルアーム２２の昇降によって調整可能である。

制御部９０は、スピンモータ１０Ｄの回転数を制御しつつ、処理液ノズル２０から処理液を基板Ｗの上面に吐出させる。また、制御部９０は、アクチュエータ２２Ｃの駆動を制御することによって、処理液ノズル２０を基板Ｗの上面において揺動させる。

処理ユニット６００は、基板Ｗの上方でリンス液を吐出するリンス液ノズル６０を備える。リンス液ノズル６０は、基板Ｗの上方に固定されていてよい。リンス液ノズル６０には、リンス液バルブ６１が備えられたリンス液供給管６２に接続されている。リンス液バルブ６１は、制御部９０によってその開閉が制御される。リンス液ノズル６０は、スピンチャック１０に保持されている基板Ｗの上面に向けてリンス液を吐出する。

リンス液ノズル６０には、リンス液供給管６２を介してリンス液供給源からリンス液が供給される。リンス液としては、ＤＩＷ（脱イオン水）などが用いられる。リンス液ノズル６０からリンス液が基板Ｗに供給されることによって、基板Ｗに付着している付着物などを洗い流すことができる。

処理ユニット６００は、基板Ｗの上方から気体を吹き付ける気体ノズル３０を備える。気体ノズル３０は、スピンチャック１０の上方において鉛直な姿勢で支持されている。気体ノズル３０には、気体バルブ３１が備えられた気体供給管３２が接続されている。気体バルブ３１は、制御部９０によってその開閉が制御される。

気体ノズル３０には、気体供給管３２を介して気体供給源から気体が供給される。気体ノズル３０に供給される気体としては、たとえば、窒素（Ｎ_２）ガスなどの不活性ガス、乾燥空気または清浄空気などが挙げられる。

図４は、本実施の形態に関する基板処理装置１の構成のうち、処理液ノズル２０に接続される配管の構成の例を概略的に示す図である。

図４に例が示されるように、処理液ノズル２０には接続配管５０を介して多連弁４０が接続され、さらに、多連弁４０に複数の処理液供給源が接続される。

多連弁４０は、接続部４０Ａと、接続部４０Ａに下流側から接続される接続配管５０のバルブ５０Ａと、接続部４０Ａに上流側から接続される供給配管４２のバルブ４２Ａと、接続部４０Ａに上流側から接続される供給配管４３のバルブ４３Ａと、接続部４０Ａに上流側から接続される供給配管４４のバルブ４４Ａと、接続部４０Ａに上流側から接続される供給配管４５のバルブ４５Ａと、接続部４０Ａに接続される排液配管４１のバルブ４１Ａとを備える。多連弁４０は、これらの供給配管から供給される処理液または後述の洗浄液のうちの少なくとも１つを選択的に供給する。

供給配管４２には、たとえば、アンモニア（ＮＨ_３）が供給される。供給配管４３には、たとえば、過酸化水素（Ｈ_２Ｏ_２）が供給される。供給配管４４には、たとえば、純水（ＤＩＷ）が供給される。供給配管４５には、たとえば、ＣＯ_２水が供給される。

排液配管４１は、接続部４０Ａ内の処理液または後述の洗浄液を排液する。なお、排液配管４１は、上記の供給配管（供給配管４２、供給配管４３、供給配管４４または供給配管４５）よりも、接続部４０Ａの鉛直上側の位置に接続されることが望ましい。

接続配管５０には、バルブ５０Ａの下流において分岐する吸引配管５２が接続される。吸引配管５２には、吸引機構５６、導電率計５４、バルブ５２Ａが設けられる。また、吸引配管５２は、下流において排液配管５８に合流する。

吸引機構５６は、たとえば、サイフォン式の吸引機構である。ここで、サイフォン式の吸引機構とは、配管（吸引配管５２）内を液体で満たし、サイフォンの原理を利用して接続配管５０内の液体を吸引（排液）する機構をいう。なお、吸引機構５６は、エジェクター式の吸引機構であってもよい。

導電率計５４は、吸引配管５２内の導電率を測定する装置である。導電率計５４は、たとえば、吸引配管５２内に残存する液体（純水を含む処理液など）の導電率を測定する。なお、導電率計５４は備えられていなくてもよいし、導電率計５４は、吸引配管５２と分岐する位置より下流の接続配管５０に設けられていてもよい。導電率計５４が接続配管５０に設けられる場合には、処理液ノズル２０から吐出される処理液の導電率を直接測定することができるため、基板処理に使われる処理液の濃度管理などに有用である。

＜基板処理装置の動作について＞
次に、図１から図４を参照しつつ、本実施の形態に関する基板処理装置１の動作を説明する。

インデクサロボット６０２は、ロードポート６０１におけるキャリアＣから基板載置部６０４に基板Ｗを搬送する。センターロボット６０３は、基板載置部６０４から１つの処理ユニット６００に基板Ｗを搬送する。処理ユニット６００は、基板Ｗを処理する。センターロボット６０３は、処理ユニット６００から基板載置部６０４に基板Ｗを搬送する。インデクサロボット６０２は、基板載置部６０４からロードポート６０１におけるキャリアＣに基板Ｗを搬送する。

上記の基板Ｗの処理は、制御部９０の制御によって、処理液ノズル２０へ処理液が供給されることによって行われる。当該処理液は、たとえば、基板Ｗの上面に形成される金属層（たとえば、コバルト、アルミニウム、タングステン、銅、ルテニウム、モリブデン、窒化チタンまたは窒化タンタルなどで形成される金属層）をエッチングするためのエッチング液である。

具体的には、制御部９０の制御によって、バルブ４１Ａが閉じられ、バルブ５０Ａが開かれる。また、制御部９０の制御によって、バルブ４２Ａ、バルブ４３Ａ、バルブ４４Ａおよびバルブ４５Ａのうちの少なくとも１つが開かれる。ここで、バルブ４２Ａ、バルブ４３Ａ、バルブ４４Ａおよびバルブ４５Ａのうちのいずれのバルブを開くかは、供給される処理液の種類に応じて変更可能である。

そして、対応する供給源から処理液が多連弁４０に供給されることによって、処理液が多連弁４０から接続配管５０を介して処理液ノズル２０へ供給される。そして、処理液が対応する基板Ｗへ供給される。

この際、接続配管５０に接続される吸引配管５２のバルブ５２Ａは閉じられ、吸引機構５６は動作していない。

その後、基板Ｗの処理が終了し、制御部９０の制御によって、処理液ノズル２０への処理液の供給が停止される。そして、制御部９０の制御によって、バルブ５２Ａが開かれ、バルブ５２Ａが開かれた状態で吸引機構５６を動作させる。そうすると、吸引配管５２の内部が吸引される。すなわち、接続配管５０および吸引配管５２に残存する処理液が、吸引配管５２へと引き込まれ、さらに、排液配管５８を介して排液される。

一方で、基板処理装置１は、同一または異なる基板Ｗに対する基板処理の間に、多連弁４０を含む配管構造などを洗浄するために、それぞれのバルブの開閉を切り替え可能である。

この場合、まず、制御部９０の制御によって、多連弁４０へ洗浄液が供給される。ここで、洗浄液は、たとえば、純水（ＤＩＷ）であり、洗浄液が多連弁４０に供給される時間は、たとえば、数秒程度である。

具体的には、制御部９０の制御によって、バルブ４１Ａが開かれ、バルブ４４Ａが開かれる。また、制御部９０の制御によって、バルブ４２Ａ、バルブ４３Ａ、バルブ４５Ａおよびバルブ５０Ａが閉じられる。

そして、洗浄液が対応する多連弁４０に供給され、さらに、排液配管４１から排液されることによって、洗浄液によって多連弁４０内が洗浄される。

次に、制御部９０の制御によって、接続配管５０へ多連弁４０を介して洗浄液が供給される。ここで、洗浄液は、たとえば、純水（ＤＩＷ）であり、洗浄液が接続配管５０に供給される時間は、たとえば、数秒程度である。

具体的には、制御部９０の制御によって、バルブ４４Ａが開かれ、バルブ５０Ａが開かれる。また、制御部９０の制御によって、バルブ４２Ａ、バルブ４３Ａ、バルブ４５Ａおよびバルブ４１Ａが閉じられる。

そして、洗浄液が対応する多連弁４０を介して接続配管５０および処理液ノズル２０に供給され、さらに、処理カップ１２の下部から排液配管５８へ排液されることによって、洗浄液によって接続配管５０内および処理液ノズル２０内が洗浄される。

この際、接続配管５０に接続される吸引配管５２のバルブ５２Ａを開けることによって、吸引配管５２に洗浄液を供給することができる。吸引配管５２に供給された洗浄液は、さらに排液配管５８へ排液される。このようにして、洗浄液によって吸引配管５２内が洗浄される。

上記のように吸引配管５２に洗浄液を供給することによって、基板処理後の吸引動作によって吸引配管５２内に残存する処理液を、効果的に洗浄することができる。

基板処理後の吸引動作によって、吸引配管５２の主に接続配管５０からの分岐部に処理液が残存する。そして、残存する当該処理液が後のタイミングで基板Ｗに供給される他の種類の処理液に混入すると、意図しない作用（オーバーエッチング、または、エッチング不足など）が生じてしまう場合がある。発明者らの実験によれば、当該混入が十分に小さくなるまでには、接続配管５０のみの洗浄では数十秒程度が必要となる。

一方で、本実施の形態に示されたように吸引配管５２に直接洗浄液を供給する洗浄方法によれば、上記の混入が十分に小さくなるまでに数秒程度で十分となる。

さらに、吸引配管５２に設けられた導電率計５４から出力される吸引配管５２内の導電率の値に基づけば吸引配管５２内に残存する処理液の濃度を算出可能であるため、吸引配管５２に直接洗浄液を供給する上記の洗浄方法の終了タイミングを制御することができる。

すなわち、吸引配管５２内の導電率があらかじめ定められたしきい値（たとえば、０．０５μＳ／ｃｍ以上、かつ、０．１μＳ／ｃｍ以下などの、上記の混入が十分に小さくなる値）以下となった場合に、制御部９０が、バルブ５２Ａを閉じて吸引配管５２への洗浄液の供給を停止させることができる。または、あらかじめ定められた時間だけ洗浄を行った後で上記のしきい値以下にならなかった場合に、追加の洗浄を行うように再びバルブ５２Ａを開き吸引配管５２への洗浄液の供給を再開させることができる。上記のしきい値は、たとえば、測定された導電率と実際に吐出された処理液中の混入量との対応関係からあらかじめ決定しておくことができる。

ここで、接続配管５０および吸引配管５２の洗浄の際には、洗浄液が処理液ノズル２０から吐出される。そのため、当該洗浄の際には、処理液ノズル２０が基板Ｗの上方から退避していることが望ましい。具体的には、図５に例が示されるように、接続配管５０および吸引配管５２の洗浄の際には、制御部９０の制御によってノズルアーム２２の駆動を制御し、処理液ノズル２０を退避位置に移動させることが望ましい。なお、図５は、処理液ノズル２０を退避位置に移動させた状態を示す図である。

また、接続配管５０および吸引配管５２の洗浄の間に基板Ｗが乾燥することを抑制するために、図５に示されるように、上記の洗浄の間に、リンス液ノズル６０から基板Ｗへリンス液が供給されることが望ましい。

なお、上記の説明では、吸引配管５２の洗浄は処理液ノズル２０の洗浄の際に行われたが、吸引配管５２の洗浄のみが行われてもよい。

また、上記の説明では、吸引配管５２の洗浄は、多連弁４０の洗浄の後に行われたが、吸引配管５２の洗浄が先に行われてもよいし、多連弁４０の洗浄が行われずに吸引配管５２の洗浄のみが行われてもよい。さらには、バルブ４１Ａ、バルブ５０Ａおよびバルブ５２Ａが開かれることによって、吸引配管５２の洗浄と多連弁４０の洗浄とが同時に行われてもよい。

また、１つの多連弁４０に対して複数の接続配管５０が接続され、それに対応して複数の処理液ノズル２０が設けられる場合に、多連弁４０、接続配管５０および吸引配管５２の洗浄は、複数の接続配管５０および対応する複数の吸引配管５２において同時に行われてもよい。このようにすれば、洗浄時間を短縮することができる。

そして、多連弁４０、接続配管５０および吸引配管５２の洗浄の前後で、異なる処理液ノズル２０から処理液を吐出することができる。

＜以上に記載された実施の形態によって生じる効果について＞
次に、以上に記載された実施の形態によって生じる効果の例を示す。なお、以下の説明においては、以上に記載された実施の形態に例が示された具体的な構成に基づいて当該効果が記載されるが、同様の効果が生じる範囲で、本願明細書に例が示される他の具体的な構成と置き換えられてもよい。すなわち、以下では便宜上、対応づけられる具体的な構成のうちのいずれか１つのみが代表して記載される場合があるが、代表して記載された具体的な構成が対応づけられる他の具体的な構成に置き換えられてもよい。

以上に記載された実施の形態によれば、基板Ｗを処理するための基板処理装置を使う基板処理方法において、基板処理装置は、多連弁４０と、処理液ノズル２０と、接続配管５０と、吸引配管５２とを備える。多連弁４０は、少なくとも、基板Ｗを処理するための処理液と洗浄を行うための洗浄液とのうちの少なくとも一方を選択的に供給可能である。処理液ノズル２０は、基板Ｗに処理液を吐出する。接続配管５０は、多連弁４０と処理液ノズル２０とを接続する。吸引配管５２は、接続配管５０から分岐して設けられる。また、吸引配管５２は、接続配管５０内を吸引する。そして、基板処理方法において、多連弁４０から吸引配管５２へ洗浄液を供給することによって吸引配管５２内を洗浄する工程を備える。

このような構成によれば、吸引配管５２内が十分に洗浄されるため、吸引によって吸引配管５２内に残存した処理液が後の基板処理で基板Ｗに吐出されてしまうことに起因する不具合を抑制することができる。吸引配管５２内に残存する処理液がエッチング液である場合には、後の基板処理における意図しないオーバーエッチングを抑制することができる。また、吸引配管５２内に残存する処理液が純水（低導電性のＤＩＷ）である場合には、吸引配管５２内で残存する時間が長くなることで大気中のＯ_２またはＣＯ_２などが混入して導電性を帯びた状態の当該純水が後の基板処理における意図しないアーク放電を生じさせることを抑制することができる。

また、上記の構成に本願明細書に例が示された他の構成を適宜追加した場合、すなわち、上記の構成としては言及されなかった本願明細書中の他の構成が適宜追加された場合であっても、同様の効果を生じさせることができる。

また、以上に記載された実施の形態によれば、多連弁４０は、多連弁４０内の処理液と洗浄液とのうちの少なくとも一方を排液するための排液配管４１を備える。そして、基板処理方法において、多連弁４０から排液配管４１へ洗浄液を供給する工程を備える。このような構成によれば、多連弁４０から排液配管４１へ洗浄液を供給することによって、多連弁４０内を洗浄することができる。よって、多連弁４０内に残存した処理液が後の基板処理で基板Ｗに吐出されてしまうことに起因する不具合を抑制することができる。

また、以上に記載された実施の形態によれば、多連弁４０から排液配管４１へ洗浄液を供給する工程は、吸引配管５２内を洗浄する工程と同時に行われる。このような構成によれば、多連弁４０と吸引配管５２とが同時に洗浄されるため、洗浄に要する時間を短縮することができる。

また、以上に記載された実施の形態によれば、処理液ノズル２０は、基板Ｗを処理するための処理位置と、基板Ｗから退避するための退避位置とに位置可能である。そして、吸引配管５２内を洗浄する工程は、処理液ノズル２０が退避位置に位置する間に行われる。このような構成によれば、吸引配管５２内の洗浄が、処理液ノズル２０が退避位置に位置する間に行われるため、吸引配管５２に供給される洗浄液が処理液ノズル２０から吐出されてしまう場合であっても、吐出された洗浄液が基板Ｗを汚染することを抑制することができる。

また、以上に記載された実施の形態によれば、基板処理装置は、基板Ｗにリンス液を吐出するためのリンス液ノズル６０を備える。そして、リンス液ノズル６０は、吸引配管５２内を洗浄する工程の間に、処理位置において基板Ｗにリンス液を吐出する。このような構成によれば、吸引配管５２内の洗浄中に基板Ｗに対してリンス処理を行うことができるため、効率的に基板処理を進めることができる。

また、以上に記載された実施の形態によれば、基板処理装置は、吸引配管５２に設けられ、かつ、吸引配管５２内の導電率を測定するための導電率計５４と、導電率計５４から出力される導電率の値があらかじめ定められたしきい値以下である場合に、多連弁４０から吸引配管５２への洗浄液の供給を停止させる停止部とを備える。ここで、停止部は、たとえば、制御部９０などに対応するものである。このような構成によれば、制御部９０の制御によって、導電率計５４から出力される導電率の値に応じて吸引配管５２内の洗浄時間を調整することができるため、吸引配管５２内の洗浄時間が必要以上に長くなることを抑制しつつ、効果的に吸引配管５２内に残存する処理液を除去することができる。

＜以上に記載された実施の形態の変形例について＞
以上に記載された実施の形態では、それぞれの構成要素の材質、材料、寸法、形状、相対的配置関係または実施の条件などについても記載する場合があるが、これらはすべての局面においてひとつの例であって、限定的なものではないものとする。

したがって、例が示されていない無数の変形例と均等物とが、本願明細書に開示される技術の範囲内において想定される。たとえば、少なくとも１つの構成要素を変形する場合、追加する場合または省略する場合が含まれるものとする。

また、以上に記載された実施の形態において、特に指定されずに材料名などが記載された場合は、矛盾が生じない限り、当該材料に他の添加物が含まれた、たとえば、合金などが含まれるものとする。

１ 基板処理装置
１０ スピンチャック
１０Ａ スピンベース
１０Ｃ 回転軸
１０Ｄ スピンモータ
１２ 処理カップ
２０ 処理液ノズル
２２ ノズルアーム
２２Ａ アーム部
２２Ｂ 軸体
２２Ｃ アクチュエータ
３０ 気体ノズル
３１ 気体バルブ
３２ 気体供給管
４０ 多連弁
４０Ａ 接続部
４１，５８ 排液配管
４１Ａ，４２Ａ，４３Ａ，４４Ａ，４５Ａ，５０Ａ，５２Ａ バルブ
４２，４３，４４，４５ 供給配管
５０ 接続配管
５２ 吸引配管
５４ 導電率計
５６ 吸引機構
６０ リンス液ノズル
６１ リンス液バルブ
６２ リンス液供給管
９０ 制御部
９１ ＣＰＵ
９２ ＲＯＭ
９３ ＲＡＭ
９４ 記録装置
９４Ｐ 処理プログラム
９５ バスライン
９６ 入力部
９７ 表示部
９８ 通信部
１８０ チャンバ
６００ 処理ユニット
６０１ ロードポート
６０２ インデクサロボット
６０３ センターロボット
６０４ 基板載置部

Claims (6)

1. 基板を処理するための基板処理装置を使う基板処理方法であり、
   前記基板処理装置は、
   少なくとも、前記基板を処理するための処理液と洗浄を行うための洗浄液とのうちの少なくとも一方を選択的に供給可能な多連弁と、
   前記基板に前記処理液を吐出するための処理液ノズルと、
   前記多連弁と前記処理液ノズルとを接続する接続配管と、
   前記接続配管から分岐して設けられ、かつ、前記接続配管内を吸引するための吸引配管とを備え、
   前記多連弁から前記吸引配管へ前記洗浄液を供給することによって前記吸引配管内を洗浄する工程を備える、
   基板処理方法。
2. 請求項１に記載の基板処理方法であり、
   前記多連弁は、前記多連弁内の前記処理液と前記洗浄液とのうちの少なくとも一方を排液するための排液配管をさらに備え、
   前記多連弁から前記排液配管へ前記洗浄液を供給する工程をさらに備える、
   基板処理方法。
3. 請求項２に記載の基板処理方法であり、
   前記多連弁から前記排液配管へ前記洗浄液を供給する工程は、前記吸引配管内を洗浄する工程と同時に行われる、
   基板処理方法。
4. 請求項１から３のうちのいずれか１つに記載の基板処理方法であり、
   前記処理液ノズルは、前記基板を処理するための処理位置と、前記基板から退避するための退避位置とに位置可能であり、
   前記吸引配管内を洗浄する工程は、前記処理液ノズルが前記退避位置に位置する間に行われる、
   基板処理方法。
5. 請求項４に記載の基板処理方法であり、
   前記基板処理装置は、前記基板にリンス液を吐出するためのリンス液ノズルをさらに備え、
   前記リンス液ノズルは、前記吸引配管内を洗浄する工程の間に、前記処理位置において前記基板に前記リンス液を吐出する、
   基板処理方法。
6. 請求項１から５のうちのいずれか１つに記載の基板処理方法であり、
   前記基板処理装置は、
   前記吸引配管に設けられ、かつ、前記吸引配管内の導電率を測定するための導電率計と、
   前記導電率計から出力される前記導電率の値があらかじめ定められたしきい値以下である場合に、前記多連弁から前記吸引配管への前記洗浄液の供給を停止させるための停止部とをさらに備える、
   基板処理方法。

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