JP2023046448A - 基板処理方法、および、基板処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】薬液によって基板の外周端を精度良く処理できる基板処理方法および基板処理装置を提供する。【解決手段】基板Ｗの第１主面Ｗ１に保護膜形成液を供給することで、基板Ｗの第１周縁部１１０に保護膜が形成される（保護膜形成工程）。第１周縁部１１０にポリマー膜１００が形成されている状態で、基板Ｗの第２主面Ｗ２にエッチング液を供給することで、基板Ｗの外周端Ｅが薬液で処理される（第１薬液供給工程）。第１薬液供給工程の後、ポリマー膜１００が除去される（保護膜除去工程）。【選択図】図６Ｃ

Description

この発明は、基板を処理する基板処理方法、および、基板を処理する基板処理装置に関する。

処理の対象となる基板には、たとえば、半導体ウェハ、液晶表示装置および有機ＥＬ(Electroluminescence)表示装置等のＦＰＤ(Flat Panel Display)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板等が含まれる。

下記特許文献１には、基板のデバイス形成面にエッチング液を供給しているときに、デバイス非形成面にエッチング阻害液を供給する基板処理が開示されている。この基板処理では、エッチング阻害液によってエッチング液が希釈されることで、エッチングレートを低下させることができる。

特開２０１６－１３９７４３号公報

特許文献１に開示されている基板処理では、エッチング阻害液とエッチング液との衝突との境界が明確でない。そのため、基板の端縁およびその近辺においてエッチング液によって処理される領域を画定することが困難である。

そこで、この発明の１つの目的は、薬液によって基板の外周端を精度良く処理できる基板処理方法および基板処理装置を提供することである。

この発明の一実施形態は、第１周縁部を有する第１主面と、前記第１主面とは反対側の面であり第２周縁部を有する第２主面と、前記第１周縁部および前記第２周縁部を連結する外周端とを有する基板を処理する基板処理方法を提供する。

前記基板処理方法は、前記第１主面に保護膜形成液を供給して、前記第１周縁部に保護膜を形成する保護膜形成工程と、前記第１周縁部に前記保護膜が形成されている状態で、前記第２主面に薬液を供給し、前記外周端を薬液で処理する第１薬液供給工程と、前記第１薬液供給工程の後、前記保護膜を除去する保護膜除去工程とを含む。

この方法によれば、第１主面に保護膜形成液を供給して第１主面の第１周縁部に保護膜を形成した後、第１周縁部に保護膜が形成されている状態で、第２主面に薬液が供給される。第２主面に薬液を供給することで、第１主面の第１周縁部および第２主面の第２周縁部を連結する外周端が、薬液で処理される。

外周端が薬液で処理される際、第１主面の第１周縁部は、保護膜によって保護されている。そのため、第２主面上の薬液が第２周縁部および外周端を伝って第１周縁部に達したとしても、第１周縁部が薬液で処理されることを抑制できる。そのため、基板の外周端を選択的に薬液で処理することができる。

その結果、薬液によって基板の外周端を精度良く処理できる。

この発明の一実施形態では、前記保護膜形成工程が、前記第１主面に保護膜形成液が付着している状態で、前記第１主面の中心部を通る回転軸線のまわりに第１速度で前記基板を回転させる高速回転工程を含む。前記基板処理方法が、前記第１薬液供給工程の後、前記第１速度よりも低速度な第２速度で前記基板を回転させて前記基板を乾燥させるスピンドライ工程をさらに含む。

この方法によれば、保護膜形成工程では、第１主面に保護膜形成液が付着している状態で、基板を乾燥させる際の第２速度よりも高速な第１速度で基板が回転される。そのため、第１主面上の保護膜形成液が、外周端を介して第２周縁部に達することを抑制できる。

この発明の一実施形態では、前記第１薬液供給工程が、前記第２主面に薬液を供給しながら、前記第１速度および前記第２速度よりも低速度な第３速度で前記基板を回転させる低速回転工程を含む。

この方法によれば、第１主面に保護膜形成液が付着している状態で、第１薬液供給工程における第３速度よりも高速な第１速度で基板が回転される。したがって、第１主面上の保護膜形成液が、外周端を介して第２周縁部に達することを一層抑制できる。

この発明の一実施形態において、前記保護膜除去工程が、前記保護膜を除去する除去液を前記第１主面に供給する除去液供給工程を含んでいてもよい。また、前記保護膜除去工程が、前記第１主面に対して光を照射する光照射工程を含んでいてもよい。

この発明の一実施形態では、前記保護膜形成工程が、前記第１主面において前記第１周縁部に隣接する内側領域が露出されるように、前記第１周縁部に前記保護膜を形成する工程を含む。

そのため、第１主面の全体に形成される場合と比較して、保護膜形成液の使用量を低減でき、かつ、第１主面において保護膜が形成される領域を小さくすることができる。また、第１主面において第１周縁部に隣接する内側領域には保護膜が形成されないため、保護膜除去工程後に保護膜が残渣として内側領域に残ることを未然に防止できる。

この発明の一実施形態では、前記第１薬液供給工程が、前記外周端を介して前記第２主面から前記第１周縁部に薬液を到達させる工程を含む。前記保護膜形成工程において形成される前記保護膜の内周端が、前記第１主面の前記第１周縁部において薬液が到達する位置よりも内側に位置する。

そのため、第１周縁部よりも内側の領域が露出されるように保護膜が形成される場合であっても、保護膜の内周端よりも内側に薬液が到達することを確実性高く抑制できる。

この発明の一実施形態では、前記保護膜形成工程が、前記第１主面の全体に前記保護膜を形成する工程を含む。この方法によれば、第１主面の全体を薬液から保護することができる。

この発明の一実施形態では、前記基板処理方法は、前記第１薬液供給工程における前記第２主面への薬液の供給中に、前記保護膜の表面に向けて薬液を供給する第２薬液供給工程をさらに含む。保護膜の表面に付着しているパーティクル等を薬液によって洗い流すことができる。したがって、保護膜除去工程によって保護膜が除去される際に、保護膜に付着しているパーティクル等によって第１主面が汚染されることを抑制できる。

この発明の一実施形態では、前記保護膜形成工程が、前記保護膜形成液として、ポリマーを含有するポリマー含有液を前記第１主面に供給することで、前記保護膜として、ポリマーを含有するポリマー膜を形成するポリマー膜形成工程を含んでいてもよい。また、前記保護膜形成工程が、前記保護膜形成液として疎水化液を前記第１主面に供給することで、前記保護膜として疎水膜を形成する疎水膜形成工程を含んでいてもよい。

この発明の他の実施形態は、第１周縁部を有する第１主面と、前記第１主面とは反対側の面であり第２周縁部を有する第２主面と、前記第１周縁部および前記第２周縁部を連結する外周端とを有する基板を処理する基板処理装置を提供する。

前記基板処理装置は、前記第１主面に保護膜形成液を供給して、前記第１周縁部に保護膜を形成する保護膜形成部材と、前記第１周縁部に前記保護膜が形成されている状態で、前記第２主面に薬液を供給し、前記第２主面、および、前記外周端を薬液で処理する薬液供給部材と、前記保護膜を除去する保護膜除去ユニットとを含む。

図１は、この発明の第１実施形態に係る基板処理装置の構成例を説明するための平面図である。 図２は、前記基板処理装置で処理される基板の構造を説明するための模式図である。 図３は、前記基板処理装置に備えられるウェット処理ユニットの構成を説明するための模式図である。 図４は、前記基板処理装置の電気的構成を説明するためのブロック図である。 図５は、前記基板処理装置によって実行される基板処理の一例を説明するためのフローチャートである。 図６Ａは、前記基板処理中の基板の上面の周縁部の様子について説明するための模式図である。 図６Ｂは、前記基板処理中の基板の上面の周縁部の様子について説明するための模式図である。 図６Ｃは、前記基板処理中の基板の上面の周縁部の様子について説明するための模式図である。 図６Ｄは、前記基板処理中の基板の上面の周縁部の様子について説明するための模式図である。 図７は、変形例に係るウェット処理ユニットの構成を説明するための模式図である。 図８Ａは、変形例に係るウェット処理ユニットを用いて実行される基板処理中の基板の上面の周縁部の様子について説明するための模式図である。 図８Ｂは、変形例に係るウェット処理ユニットを用いて実行される基板処理中の基板の上面の周縁部の様子について説明するための模式図である。 図８Ｃは、変形例に係るウェット処理ユニットを用いて実行される基板処理中の基板の上面の周縁部の様子について説明するための模式図である。 図８Ｄは、変形例に係るウェット処理ユニットを用いて実行される基板処理中の基板の上面の周縁部の様子について説明するための模式図である。 図９は、この発明の第２実施形態に係る基板処理装置の構成例を説明するための平面図である。 図１０は、前記第２実施形態に係る基板処理装置に備えられるドライ処理ユニットの構成を説明するための模式図である。 図１１は、前記第２実施形態に係る基板処理装置によって実行される基板処理を説明するためのフローチャートである。 図１２Ａは、前記第２実施形態に係る基板処理中の基板の上面の周縁部の様子について説明するための模式図である。 図１２Ｂは、前記第２実施形態に係る基板処理中の基板の上面の周縁部の様子について説明するための模式図である。 図１２Ｃは、前記第２実施形態に係る基板処理中の基板の上面の周縁部の様子について説明するための模式図である。

以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して説明する。

＜第１実施形態に係る基板処理装置の構成＞
図１は、この発明の第１実施形態に係る基板処理装置１の構成例を説明するための平面図である。

基板処理装置１は、基板Ｗを一枚ずつ処理する枚葉式の装置である。この実施形態では、基板Ｗは、円板状を有する。基板Ｗは、シリコンウエハ等の基板であり、一対の主面を有する。

基板処理装置１は、基板Ｗを処理する複数の処理ユニット２と、処理ユニット２で処理される複数枚の基板Ｗを収容するキャリアＣ（収容器）が載置されるロードポートＬＰ（収容器保持ユニット）と、ロードポートＬＰと処理ユニット２との間で基板Ｗを搬送する搬送ロボット（第１搬送ロボットＩＲおよび第２搬送ロボットＣＲ）と、基板処理装置１に備えられる各部材を制御するコントローラ３とを含む。

第１搬送ロボットＩＲは、キャリアＣと第２搬送ロボットＣＲとの間で基板Ｗを搬送する。第２搬送ロボットＣＲは、第１搬送ロボットＩＲと処理ユニット２との間で基板Ｗを搬送する。各搬送ロボットは、たとえば、多関節アームロボットである。

複数の処理ユニット２は、第２搬送ロボットＣＲによって基板Ｗが搬送される搬送経路ＴＲに沿って搬送経路ＴＲの両側に配列され、かつ、上下方向に積層されて配列されている。

複数の処理ユニット２は、水平に離れた４つの位置にそれぞれ配置された４つの処理タワーＴＷを形成している。各処理タワーＴＷは、上下方向に積層された複数の処理ユニット２を含む。処理タワーＴＷは、搬送経路ＴＲの両側に２つずつ配置されている。

処理ユニット２は、処理液で基板Ｗを処理するウェット処理ユニット２Ｗである。処理液としては、詳しくは後述するが、保護膜形成液、エッチング液、リンス液、除去液等が挙げられる。処理ユニット２は、基板処理の際に基板Ｗを収容するチャンバ４を備えている。

チャンバ４は、第２搬送ロボットＣＲによって、チャンバ４内に基板Ｗを搬入したりチャンバ４から基板Ｗを搬出したりするための出入口（図示せず）と、出入口を開閉するシャッタユニット（図示せず）とを含む。ウェット処理ユニット２Ｗは、チャンバ４内に配置された処理カップ６を備えており、処理カップ６内で基板Ｗを処理する。

図２は、基板処理装置１で処理される基板Ｗの構造を説明するための模式図である。

基板Ｗは、一対の主面（第１主面Ｗ１および第２主面Ｗ２）と、一対の主面の周縁部（第１周縁部１１０および第２周縁部１１１）同士を連結する外周端Ｅとを有する。各主面は、円形状の平坦部および平坦部に連結され平坦部に対して傾斜する環状の傾斜部を有していてもよい。各主面の周縁部は、たとえば、傾斜部の全体と、平坦部において傾斜部に隣接する部分とによって構成されている。

外周端Ｅの形状は限定されるものではないが、外周端Ｅは、この実施形態では、基板Ｗの外側に向けて張り出す円弧状の断面を有する。

各主面は、凹凸パターンを有するデバイスが形成されたデバイス面であってもよいし、デバイスが形成されていない非デバイス面であってもよい。

一対の主面は、第１主面Ｗ１と、第１主面Ｗ１とは反対側の面の第２主面Ｗ２とによって構成されている。第１主面Ｗ１の周縁部を、第１周縁部１１０といい、第２主面Ｗ２の周縁部を第２周縁部１１１という。外周端Ｅは、第１周縁部１１０および第２周縁部１１１を連結する。

この実施形態では、第１主面Ｗ１がデバイス面であり、第２主面Ｗ２が非デバイス面である。

基板Ｗは、下地層１１２と、下地層１１２上に形成され、第１主面Ｗ１および外周端Ｅから露出する下地最表層１１３とを有する。下地最表層１１３は、たとえば、絶縁体層または金属層である。下地層１１２は、たとえば、積層構造を有しており、半導体層、絶縁体層、金属層の少なくともいずれかによって構成されている。下地層１１２は、たとえば、半導体層によって構成される単層構造を有していてもよい。

絶縁体層は、たとえば、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）または窒化シリコン（ＳｉＮ）である。金属層は、たとえば、タングステン（Ｗ）である。半導体層は、たとえば、シリコン（Ｓｉ）である。

以下では、特段説明がある場合を除いて、上面（上側の主面）が第１主面Ｗ１であり、下面（下側の主面）が第２主面Ｗ２である例について説明する。

＜第１実施形態に係るウェット処理ユニットの構成＞
図３は、ウェット処理ユニット２Ｗの構成を説明するための模式図である。

ウェット処理ユニット２Ｗは、基板Ｗを所定の第１処理姿勢に基板Ｗを保持しながら、回転軸線Ａ１まわりに基板Ｗを回転させるスピンチャック５と、スピンチャック５に保持されている基板Ｗの上面（第１主面Ｗ１）に向けて処理液を吐出する複数の上面処理液ノズル（保護膜形成液ノズル８および除去液ノズル９）と、スピンチャック５に保持されている基板Ｗの下面（第２主面Ｗ２）に向けてエッチング液およびリンス液を選択的に吐出する下面処理液ノズル１０とをさらに備える。

スピンチャック５、複数の上面処理液ノズル、および、下面処理液ノズル１０は、チャンバ４内に配置されている。

回転軸線Ａ１は、基板Ｗの上面の中心部ＣＰを通り、第１処理姿勢に保持されている基板Ｗの各主面に対して直交する。この実施形態では、第１処理姿勢は、基板Ｗの主面が水平面となる水平姿勢である。水平姿勢は、図３に示す基板Ｗの姿勢であり、第１処理姿勢が水平姿勢である場合、回転軸線Ａ１は、鉛直に延びる。

スピンチャック５は、処理カップ６に取り囲まれている。スピンチャック５は、基板Ｗの下面に吸着し基板Ｗを第１処理姿勢に保持するスピンベース２０と、回転軸線Ａ１に沿って延び、スピンベース２０に結合された回転軸２１と、回転軸２１を回転軸線Ａ１まわりに回転させる回転駆動機構２２とを含む。

スピンベース２０は、基板Ｗの下面に吸着する吸着面２０ａを有する。吸着面２０ａは、たとえば、スピンベース２０の上面であり、その中心部を回転軸線Ａ１が通る円形状面である。吸着面２０ａの直径は基板Ｗの直径よりも小さい。回転軸２１の上端部は、スピンベース２０に結合されている。

スピンベース２０および回転軸２１には、吸引経路２３が挿入されている。吸引経路２３は、スピンベース２０の吸着面２０ａの中心から露出する吸引口２３ａを有する。吸引経路２３は、吸引配管２４に連結されている。吸引配管２４は、真空ポンプ等の吸引装置２５に連結されている。吸引装置２５は、基板処理装置１の一部を構成していてもよいし、基板処理装置１を設置する施設に備えられた基板処理装置１とは別の装置であってもよい。

吸引配管２４には、吸引配管２４を開閉する吸引バルブ２６が設けられている。吸引バルブ２６を開くことによって、スピンベース２０の吸着面２０ａに配置された基板Ｗが吸引経路２３の吸引口２３ａに吸引される。それによって、基板Ｗは、吸着面２０ａに下方から吸着されて、第１処理姿勢に保持される。

回転駆動機構２２によって回転軸２１が回転されることにより、スピンベース２０が回転される。これにより、スピンベース２０と共に、基板Ｗが回転軸線Ａ１まわりに回転される。

スピンベース２０は、基板Ｗを所定の第１処理姿勢（水平姿勢）に保持する基板保持部材の一例である。スピンチャック５は、基板Ｗを所定の第１処理姿勢（水平姿勢）に保持しながら、回転軸線Ａ１まわりに基板Ｗを回転させる回転保持ユニットの一例である。スピンチャック５は、基板Ｗを吸着面２０ａに吸着させながら基板Ｗを回転させる吸着回転ユニットともいう。

複数の上面処理液ノズルは、スピンチャック５に保持されている基板Ｗの上面に向けて、保護膜形成液の連続流を吐出する保護膜形成液ノズル８と、スピンチャック５に保持されている基板Ｗの上面に向けて除去液の連続流を吐出する除去液ノズル９とを含む。各上面処理液ノズルは、基板Ｗの上面に対して斜めに処理液を吐出する吐出口１５を有する。

複数の上面処理液ノズルは、それぞれ、複数のノズル駆動機構（第１ノズル駆動機構２７および第２ノズル駆動機構２８）によって、基板Ｗの上面に沿う方向（水平方向）に移動される。ノズル駆動機構は、対応する上面処理液ノズルを、中央位置と退避位置との間で移動させることができる。各ノズル駆動機構は、対応する上面処理液ノズルを周縁位置に配置することもできる。

中央位置は、上面処理液ノズルの吐出口１５が基板Ｗの上面の回転中心（中心部ＣＰ）に対向する位置である。退避位置は、上面処理液ノズルの吐出口１５が基板Ｗの上面に対向しない位置であり、処理カップ６よりも外側の位置である。周縁位置は、上面処理液ノズルの吐出口１５が基板Ｗの上面の周縁部に対向する位置である。

各ノズル駆動機構は、対応する上面処理液ノズルを支持するアーム（図示せず）と、アームを基板Ｗの上面に沿う方向（水平方向）に移動させるアーム駆動機構（図示せず）とを含む。アーム駆動機構は、電動モータ、エアシリンダ等のアクチュエータを含む。

各上面処理液ノズルは、所定の回動軸線まわりに回動する回動式ノズルであってもよいし、アームが延びる方向に直線的に移動する直動式ノズルであってもよい。各上面処理液ノズルは、鉛直方向にも移動できるように構成されていてもよい。以下で説明する他のノズル移動機構についても同様の構成を有している。

保護膜形成液ノズル８から吐出される保護膜形成液は、ポリマー、および、溶媒を含有するポリマー含有液である。保護膜形成液ノズル８は、ポリマー含有液ノズルともいう。

保護膜形成液に含有されるポリマーは、エッチング液に対する溶解性が除去液に対する溶解性よりも低い。ポリマーは、リンス液に対する溶解性が除去液に対する溶解性よりも低い。言い換えると、ポリマーは、エッチング液およびリンス液よりも除去液に溶解し易い性質を有する。

保護膜形成液に含有されるポリマーは、たとえば、アクリル樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、尿素樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、ポリウレタン、ポリイミド、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリ酢酸ビニル、ポリテトラフルオロエチレン、アクリロニトリルブタジエンスチレン樹脂、アクリロニトリルスチレン樹脂、ポリアミド、ポリアセタール、ポリカーボネート、ポリビニルアルコール、変性ポリフェニレンエーテル、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリアミドイミド等である。ポリマーは、これらの混合物であってもよい。

保護膜形成液に含有される溶媒は、ポリマーを溶解させる性質を有する。溶媒は、たとえば、イソプロパノール（ＩＰＡ）等の有機溶剤を含有する。

溶媒は、エタノール（ＥｔＯＨ）、ＩＰＡ等のアルコール類、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル等のエチレングリコールモノアルキルエーテル類、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート等のエチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）、プロピレングリコールモノエチルエーテル（ＰＧＥＥ）等のプロピレングリコールモノアルキルエーテル類、乳酸メチル、乳酸エチル（ＥＬ）等の乳酸エステル類、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類、アセトン、メチルエチルケトン、２－ヘプタノン、シクロヘキサノン等のケトン類のうち少なくとも一種類を含有する。

保護膜形成液ノズル８は、保護膜形成液を保護膜形成液ノズル８に案内する保護膜形成液配管４０に接続されている。保護膜形成液配管４０には、保護膜形成液配管４０を開閉する保護膜形成液バルブ５０が設けられている。保護膜形成液バルブ５０が開かれると、保護膜形成液ノズル８から連続流の保護膜形成液が吐出される。

保護膜形成液バルブ５０が保護膜形成液配管４０に設けられるとは、保護膜形成液バルブ５０が保護膜形成液配管４０に介装されることを意味していてもよい。以下で説明する他のバルブにおいても同様である。

図示はしないが、保護膜形成液バルブ５０は、弁座が内部に設けられたバルブボディと、弁座を開閉する弁体と、開位置と閉位置との間で弁体を移動させるアクチュエータとを含む。他のバルブについても同様の構成を有している。

基板Ｗの上面に供給された保護膜形成液から溶媒の少なくとも一部が蒸発することによって、基板Ｗ上の保護膜形成液が半固体状または固体状のポリマー膜に変化する。

半固体状とは、固体成分と液体成分とが混合している状態、または、基板Ｗ上で一定の形状を保つことができる程度の粘度を有する状態である。固体状とは、液体成分が含有されておらず、固体成分のみによって構成されている状態である。そのため、ポリマー膜は、基板Ｗの上面上で広がらず、形成されたときの位置に留まる。溶媒が残存しているポリマー膜を、半固体膜といい、溶媒が完全に消失しているポリマー膜を固体膜という。ポリマー膜は、保護膜の一例である。

除去液ノズル９から吐出される除去液は、ポリマー膜を溶解させることで基板Ｗの上面からポリマー膜を除去する液体である。除去液は、エッチング液およびリンス液よりもポリマー膜を溶解させ易い液体である。基板Ｗの上面に残留するポリマー膜は、除去液の液流から作用するエネルギーによって基板Ｗ外に押し出されることによって基板Ｗの上面から除去されてもよい。

除去液ノズル９から吐出される除去液は、たとえば、ＩＰＡ等の有機溶剤である。除去液として、ポリマー膜含有液の溶媒として用いられる有機溶剤として列挙した液体を用いることができる。すなわち、除去液としては、保護膜形成液の溶媒と同種の液体を用いることができる。また、除去液として、ポリマー等の有機物を除去する酸化力を有するオゾン水を用いてもよい。

除去液ノズル９は、除去液を除去液ノズル９に案内する除去液配管４１に接続されている。除去液配管４１には、除去液配管４１を開閉する除去液バルブ５１が設けられている。除去液バルブ５１が開かれると、除去液ノズル９から連続流の除去液が吐出される。

下面処理液ノズル１０は、スピンチャック５に保持されている基板Ｗの下面に向けて、エッチング液の連続流およびリンス液の連続流を選択的に吐出する。

下面処理液ノズル１０から吐出されるエッチング液は、基板Ｗエッチングする液体である。エッチング液は、たとえば、過酸化水素水（Ｈ_２Ｏ_２）、オゾン水、フッ酸（ＨＦ）、希フッ酸（ＤＨＦ）、バッファードフッ酸（ＢＨＦ）、塩酸（ＨＣｌ）、ＨＰＭ液（hydrochloric acid-hydrogen peroxide mixture：塩酸過酸化水素水混合液）、ＳＰＭ液（sulfuric acid／hydrogen peroxide mixture：硫酸過酸化水素水混合液）、アンモニア水、ＴＭＡＨ液（Tetramethylammonium hydroxide solution：水酸化テトラメチルアンモニウム溶液）、ＡＰＭ液（ammonia-hydrogen peroxide mixture：アンモニア過酸化水素水混合液）、ＦＰＭ液（hydrofluoric acid-hydrogen peroxide mixture：フッ酸過酸化水素混合液）、または、ＦＯＭ液（hydrofluoric acid-ozone mixture：フッ酸オゾン水混合液）を含有する。

下面処理液ノズル１０から吐出されるリンス液は、基板Ｗの上面をリンスして、エッチング液を基板Ｗの上面から除去する液体である。リンス液は、たとえば、ＤＩＷ等の水である。ただし、リンス液は、ＤＩＷに限られない。リンス液は、たとえば、炭酸水、電解イオン水、希釈濃度（たとえば、１ｐｐｍ以上で、かつ、１００ｐｐｍ以下）の塩酸水、希釈濃度（たとえば、１ｐｐｍ以上で、かつ、１００ｐｐｍ以下）のアンモニア水、または、還元水（水素水）であってもよい。

下面処理液ノズル１０は、下面処理液ノズル１０に処理液を案内する下面処理液配管４２に接続されている。下面処理液配管４２には、下面処理液配管４２にエッチング液を供給する下面エッチング液配管４３、および、下面処理液配管４２にリンス液を供給する下面リンス液配管４４が接続されている。下面処理液配管４２は、ミキシングバルブ（図示せず）を介して下面エッチング液配管４３および下面リンス液配管４４と接続されていてもよい。

下面エッチング液配管４３には、下面エッチング液配管４３を開閉する下面エッチング液バルブ５３が設けられている。下面リンス液配管４４には、下面リンス液配管４４を開閉する下面リンス液バルブ５４が設けられている。

下面処理液ノズル１０は、スピンチャック５に対する位置が固定されている。下面処理液ノズル１０は、基板Ｗの下面の周縁部に向く吐出口１６を有する。下面エッチング液バルブ５３が開かれると、下面処理液ノズル１０からエッチング液の連続流が基板Ｗの下面の周縁部に向けて吐出される。下面リンス液バルブ５４が開かれると、下面処理液ノズル１０からリンス液の連続流が基板Ｗの下面の周縁部に向けて吐出される。

下面処理液ノズル１０は、処理液を、基板Ｗの下面に供給すればよく、必ずしも基板Ｗの下面の周縁部に向けて吐出する必要はない。

処理カップ６の構成は、特に限定されるものではない。処理カップ６は、たとえば、スピンチャック５に保持された基板Ｗから外方に飛散する処理液を受け止める複数（図３では２つ）のガード３１と、複数のガード３１によって下方に案内された処理液をそれぞれ受け止める複数（図３では２つ）のカップ３２と、複数のガード３１および複数のカップ３２を取り囲む円筒状の外壁部材３３とを含む。

各ガード３１は、基板Ｗの第１主面Ｗ１の平坦部に対する法線方向（以下では単に、「平面視」という。）でスピンチャック５を取り囲む筒状の形態を有している。各ガード３１の上端部は、ガード３１の内側に向かうように傾斜している。各カップ３２は、上向きに開放された環状溝の形態を有している。複数のガード３１および複数のカップ３２は、同軸上に配置されている。

複数のガード３１は、ガード昇降駆動機構（図示せず）によって個別に昇降される。ガード昇降駆動機構は、たとえば、複数のガード３１をそれぞれ昇降駆動する複数のアクチュエータを含む。複数のアクチュエータは、電動モータおよびエアシリンダの少なくとも一方を含む。

＜第１実施形態に係る基板処理の電気的構成＞
図４は、基板処理装置１の電気的構成を説明するためのブロック図である。コントローラ３は、マイクロコンピュータを備え、所定の制御プログラムに従って基板処理装置１に備えられた制御対象を制御する。

具体的には、コントローラ３は、プロセッサ３Ａ（ＣＰＵ）と、制御プログラムが格納されたメモリ３Ｂとを含む。コントローラ３は、プロセッサ３Ａが制御プログラムを実行することによって、基板処理のための様々な制御を実行するように構成されている。

とくに、コントローラ３は、第１搬送ロボットＩＲ、第２搬送ロボットＣＲ、回転駆動機構２２、第１ノズル駆動機構２７、第２ノズル駆動機構２８、吸引バルブ２６、保護膜形成液バルブ５０、除去液バルブ５１、下面エッチング液バルブ５３、下面リンス液バルブ５４等を制御するようにプログラムされている。

以下に示す各工程は、コントローラ３が基板処理装置１に備えられる各部材を制御することにより実行される。言い換えると、コントローラ３は、以下に示す各工程を実行するようにプログラムされている。

また、図４には、代表的な部材が図示されているが、図示されていない部材についてコントローラ３によって制御されないことを意味するものではなく、コントローラ３は、基板処理装置１に備えられる各部材を適切に制御することができる。図４には、後述する変形例および第２実施形態で説明する部材についても併記しており、これらの部材もコントローラ３によって制御される。

＜基板処理の一例＞
図５は、基板処理装置１によって実行される基板処理の一例を説明するためのフローチャートである。図６Ａ～図６Ｄは、基板処理中の基板Ｗの第１主面Ｗ１の第１周縁部１１０の様子について説明するための模式図である。

基板処理装置１による基板処理では、たとえば、図５に示すように、搬入工程（ステップＳ１）、保護膜形成工程（ステップＳ２）、エッチング工程（ステップＳ３）、リンス工程（ステップＳ４）、保護膜除去工程（ステップＳ５）、スピンドライ工程（ステップＳ６）、および、搬出工程（ステップＳ７）が実行される。

以下では、図３および図５を主に参照し、基板処理の詳細について説明する。図６Ａ～図６Ｄについては適宜参照する。

まず、未処理の基板Ｗは、第２搬送ロボットＣＲ（図１を参照）によってキャリアＣからウェット処理ユニット２Ｗに搬入され、スピンチャック５に渡される（搬入工程：ステップＳ１）。これにより、基板Ｗは、スピンチャック５によって第１処理姿勢に保持される（基板保持工程）。このとき、基板Ｗは、第１主面Ｗ１が上面となるようにスピンチャック５に保持される。スピンチャック５は、基板Ｗを保持しながら基板Ｗの回転を開始する（基板回転工程）。

第２搬送ロボットＣＲがチャンバ４から退避した後、基板Ｗの第１主面Ｗ１の第１周縁部１１０に保護膜としてのポリマー膜１００（図６Ｂを参照）を形成する保護膜形成工程（ステップＳ２）が実行される。

具体的には、第１ノズル駆動機構２７が、保護膜形成液ノズル８を周縁位置に移動させる。保護膜形成液ノズル８が周縁位置に位置する状態で、保護膜形成液バルブ５０が開かれる。これにより、図６Ａに示すように、第１主面Ｗ１の第１周縁部１１０に向けて、保護膜形成液ノズル８から保護膜形成液が供給（吐出）される（保護膜形成液供給工程、保護膜形成液吐出工程）。保護膜形成液ノズル８は、保護膜形成液吐出部材の一例である。

保護膜形成液ノズル８から吐出された保護膜形成液は、基板Ｗの第１主面Ｗ１の第１周縁部１１０に着液する。基板Ｗ上の保護膜形成液は、基板Ｗの回転に起因する遠心力によって、基板Ｗの外周端Ｅに向かって移動する。これにより、基板Ｗの第１主面Ｗ１において第１周縁部１１０よりも内側の領域（内側領域１１４）が露出されるように、第１主面Ｗ１の第１周縁部１１０が保護膜形成液によって覆われる（周縁被覆工程）。内側領域１１４は、第１周縁部１１０に隣接し、中心部ＣＰおよびその周囲の部分を含む領域である。

保護膜形成液の吐出が停止された後、基板Ｗの回転を継続することで、基板Ｗ上の保護膜形成液の一部が基板Ｗの外周端Ｅから基板Ｗ外に飛散される。これにより、基板Ｗ上の保護膜形成液の液膜が薄膜化される（スピンオフ工程、薄膜化工程）。保護膜形成液バルブ５０が閉じられた後、第１ノズル駆動機構２７によって保護膜形成液ノズル８が退避位置に移動される。

基板Ｗの回転に起因する遠心力は、基板Ｗ上の保護膜形成液だけでなく、基板Ｗ上の保護膜形成液に接する気体にも作用する。そのため、遠心力の作用により、当該気体が中心部ＣＰから外周端Ｅへ向かう放射状の気流が形成される。この気流により、基板Ｗ上の保護膜形成液に接する気体状態の溶媒が基板Ｗに接する雰囲気から排除される。そのため、基板Ｗ上の保護膜形成液からの溶媒の蒸発（揮発）が促進されて、図６Ｂに示すように、ポリマー膜１００が形成される（蒸発形成工程、ポリマー膜形成工程）。保護膜形成液ノズル８は、保護膜形成部材（ポリマー膜形成部材）として機能する。

保護膜形成工程において、基板Ｗの回転は、所定の保護膜形成加速度で加速されて、基板Ｗの回転速度は保護膜形成速度（第１速度）に達する（高速回転工程）。保護膜形成速度は、たとえば、１５００ｒｐｍ以上４０００ｒｐｍ以下である。保護膜形成加速度は、たとえば、１５０ｒａｄ／ｓｅｃ^２以上２０００ｒａｄ／ｓｅｃ^２以下である。基板Ｗは、保護膜形成工程において、基板Ｗの回転速度は保護膜形成液の供給停止の前に保護膜形成速度に達してもよいし、保護膜形成液の供給停止後に保護膜形成速度に達してもよい。

ポリマー膜１００は、基板Ｗの第１主面Ｗ１の第１周縁部１１０を被覆しており、環状を呈している。保護膜形成工程において基板Ｗが高速回転されるため、保護膜形成液は、基板Ｗから飛散し易く外周端Ｅには付着しにくい。そのため、ポリマー膜１００は、外周端Ｅが露出するように形成される。ポリマー膜１００に被覆されずに露出される外周端Ｅの幅Ｌ１は、たとえば、０．３ｍｍ以下であることが好ましい。

保護膜形成工程の後、第１主面Ｗ１の第１周縁部１１０にポリマー膜１００（保護膜）が形成されている状態で、第２主面Ｗ２にエッチング液を供給し、外周端Ｅをエッチングするエッチング工程（ステップＳ３）が実行される。

具体的には、下面エッチング液バルブ５３が開かれる。これにより、下面処理液ノズル１０から、基板Ｗの第２主面Ｗ２の第２周縁部１１１に向けてエッチング液が吐出される（第１エッチング液供給工程、第１薬液吐出工程）。下面処理液ノズル１０から吐出されたエッチング液は、第２周縁部１１１に着液する。

第２主面Ｗ２上のエッチング液は、基板Ｗの回転に起因する遠心力によって、基板Ｗの外周端Ｅに向かって移動する。エッチング液は、遠心力によって、基板Ｗの外周端Ｅから飛散する。

図６Ｃに示すように、エッチング液の少なくとも一部は、基板Ｗの外周端Ｅを伝って、第１主面Ｗ１の第１周縁部１１０に供給される。エッチング液は、第１主面Ｗ１の第１周縁部１１０におけるポリマー膜１００の内周端１００ａにまでは到達せず、内周端１００ａよりも外側に留まる。ポリマー膜１００の内周端１００ａは、エッチング液が到達する位置（エッチング液の内周端１０１）よりも内側に位置する。これにより、基板Ｗの外周端Ｅがエッチングされる。

このように、第１周縁部１１０にポリマー膜１００が形成されている状態で、第２主面Ｗ２にエッチング液を供給し、外周端Ｅがエッチング液で処理される（第１エッチング液供給工程、第１薬液供給工程）。下面処理液ノズル１０は、第１薬液供給部材の一例である。

外周端Ｅがエッチング液で処理される際、第１主面Ｗ１の第１周縁部１１０は、ポリマー膜１００によって保護されている。そのため、第２主面Ｗ２上のエッチング液が第２周縁部１１１および外周端Ｅを伝って第１周縁部１１０に達したとしても、第１周縁部１１０がエッチング液で処理されることを抑制できる。そのため、基板Ｗの外周端Ｅを選択的にエッチング液で処理することができる。その結果、エッチング液によって基板Ｗの外周端Ｅを精度良く処理できる。

ポリマー膜１００によって被覆されておらず露出している外周端Ｅの幅Ｌ１は、基板Ｗにおいてエッチングされる部分の幅、すなわち、エッチング幅に相当する。

エッチング工程において、基板Ｗの回転は減速され、基板Ｗの回転速度はエッチング回転速度（第３速度）に達する（低速回転工程）。エッチング回転速度は、たとえば、５００ｒｐｍ以上１５００ｒｐｍ以下である。エッチング回転速度が１５００ｒｐｍであるとき、保護膜形成速度は、１５００ｒｐｍよりも大きく４０００ｒｐｍ以下であることが好ましい。

次に、第２主面Ｗ２にリンス液を供給し、基板Ｗからエッチング液を除去するリンス工程（ステップＳ４）が実行される。

具体的には、下面エッチング液バルブ５３を閉じることによって下面処理液ノズル１０からのエッチング液の吐出が停止される。そして、下面リンス液バルブ５４が開かれて、下面処理液ノズル１０から、第２主面Ｗ２の第２周縁部１１１に向けてリンス液が吐出される（第１リンス液吐出工程）。下面処理液ノズル１０から吐出されたリンス液は、第２周縁部１１１に着液する。

第２主面Ｗ２上のリンス液は、基板Ｗの回転に起因する遠心力によって、基板Ｗの外周端Ｅに向かって広がる。リンス液は、遠心力によって、基板Ｗの外周端Ｅから飛散する。

図６Ｄに示すように、リンス液の少なくとも一部は、基板Ｗの外周端Ｅを伝って、第１主面Ｗ１の第１周縁部１１０に供給される。リンス液は、第１主面Ｗ１の第１周縁部１１０においてポリマー膜１００の内周端１００ａにまでは到達せず、内周端１００ａよりも外側に留まる。ポリマー膜１００の内周端１００ａは、リンス液が到達する位置（リンス液の内周端１０２）よりも内側に位置する。

これにより、ポリマー膜１００の表面、外周端Ｅおよび第２主面Ｗ２に付着していたエッチング液がリンス液とともに基板Ｗ外へ排除される。これにより、ポリマー膜１００の表面、外周端Ｅおよび第２主面Ｗ２からエッチング液が除去される。下面処理液ノズル１０は、基板Ｗの下面にリンス液を供給し基板Ｗの外周端Ｅからエッチング液を除去するリンス液供給部材の一例である。

このように、第１周縁部１１０にポリマー膜１００が形成されている状態で、第２主面Ｗ２にリンス液を供給し、外周端Ｅからエッチング液が除去される（第１リンス液供給工程）。

リンス工程において、基板Ｗは所定のリンス回転速度（第４速度）で回転される。リンス速度は、たとえば、１００ｒｐｍ以上２０００ｒｐｍ以下である。リンス回転速度は、エッチング回転速度と同速度であってもよい。

次に、基板Ｗの第１主面Ｗ１に向けて除去液を供給して、第１主面Ｗ１の第１周縁部１１０からポリマー膜１００を除去する保護膜除去工程（ステップＳ５）が実行される。

具体的には、第２ノズル駆動機構２８が、除去液ノズル９を周縁位置に移動させる。除去液ノズル９が周縁位置に位置する状態で、除去液バルブ５１が開かれる。これにより、基板Ｗの第１主面Ｗ１の第１周縁部１１０に向けて、除去液ノズル９から除去液が供給（吐出）される（除去液供給工程、除去液吐出工程）。

除去液ノズル９から吐出された除去液は、基板Ｗの第１主面Ｗ１の第１周縁部１１０に着液する。第１主面Ｗ１上の除去液は、基板Ｗの回転に起因する遠心力によって、基板Ｗの外周端Ｅに向かって移動し、基板Ｗの外周端Ｅから飛散する。

ポリマー膜１００は、除去液に溶解されて、ポリマー膜１００が溶け込んだ除去液とともに第１主面Ｗ１から排出される。ポリマー膜１００の全てが除去液に溶解される必要はなく、ポリマー膜１００の一部は、除去液の液流によって基板Ｗの第１主面Ｗ１から剥離されて基板Ｗ外に排出されてもよい。このように、第１薬液供給工程の後、第１主面Ｗ１の第１周縁部１１０から保護膜としてのポリマー膜１００が除去される（保護膜除去工程、ポリマー膜除去工程）。除去液ノズル９は、保護膜除去ユニットの一例である。

次に、基板Ｗを回転させて基板Ｗを乾燥させるスピンドライ工程（ステップＳ６）が実行される。具体的には、除去液バルブ５１を閉じて基板Ｗの上面への除去液の供給を停止させ、第２ノズル駆動機構２８が除去液ノズル９を退避位置に退避させる。

そして、基板Ｗの回転が加速されて、基板Ｗの回転速度が乾燥速度（第２速度）に達する。乾燥速度は、エッチング回転速度（第３速度）およびリンス速度（第４速度）よりも高速度であり、保護膜形成速度（第１速度）よりも低速度である。乾燥速度は、たとえば、１５００ｒｐｍ以上２０００ｒｐｍ以下である。乾燥速度が１５００ｒｐｍ以上２０００ｒｐｍ以下の範囲の所定の回転速度であっても、保護膜形成速度として、１５００ｒｐｍ以上４０００ｒｐｍ以下の範囲において乾燥速度よりも高速度な任意の速度を選択することができる。

基板Ｗを第３速度で回転させることで、基板Ｗ上の液体（主に、除去液）に遠心力が作用する。これにより、液体が基板Ｗの周囲に振り切られる。

スピンドライ工程（ステップＳ６）の後、スピンチャック５が基板Ｗの回転を停止させる。その後、第２搬送ロボットＣＲが、ウェット処理ユニット２Ｗに進入して、スピンチャック５から処理済みの基板Ｗを受け取って、ウェット処理ユニット２Ｗ外へと搬出する（搬出工程：ステップＳ７）。その基板Ｗは、第２搬送ロボットＣＲから第１搬送ロボットＩＲへと渡され、第１搬送ロボットＩＲによって、キャリアＣに収納される。

＜第１実施形態のまとめ＞
第１実施形態とは異なり、基板処理を行うことによって基板Ｗの第１周縁部１１０において下地最表層１１３を露出させる場合、基板処理の後に実行され得るドライエッチングの際に、第１主面Ｗ１の第１周縁部１１０において下地最表層１１３がダメージを受けるおそれがある。ダメージにより、下地最表層１１３に凹凸が生じ、凹凸を構成する凹部の内部にパーティクル等が進入するおそれがある。

第１実施形態によれば、外周端Ｅを露出させるようにポリマー膜１００が形成され、外周端Ｅがエッチングされる。そのため、エッチング幅を極めて小さくできる。したがって、ドライエッチングによってダメージを受ける領域を小さくすることができる。ひいては、ドライエッチング後にパーティクルが発生することを抑制できる。

保護膜形成液の粘度は、０．１Ｐａ・ｓｅｃ以上で１５Ｐａ・ｓｅｃであることが好ましい。そうであれば、ポリマー膜１００に被覆されずに露出される外周端Ｅの幅Ｌ１を一層小さくすることができる。

また、ポリマー膜１００の厚さは、０．３ｍｍ以下であることが好ましい。そうであれば、ポリマー膜１００に被覆されずに露出される外周端Ｅの幅Ｌ１を一層小さくすることができる。

第１実施形態によれば、保護膜形成工程では、第１主面Ｗ１に保護膜形成液が付着している状態で、スピンドライ時の基板Ｗの回転速度（第２速度）よりも高速度である保護膜形成速度（第１速度）で基板Ｗが回転される（高速回転工程）。したがって、第１主面Ｗ１上の保護膜形成液が、外周端Ｅを介して第２周縁部１１１に達することを一層抑制することができる。

また、エッチング工程では、保護膜形成速度（第１速度）よりも低速度なエッチング回転速度（第３速度）で基板Ｗが回転される（低速回転工程）。そのため、第１主面Ｗ１上の保護膜形成液が、外周端Ｅを介して第２周縁部１１１に達することを抑制できる。

第１実施形態によれば、第１主面Ｗ１の内側領域１１４が露出されるように、第１周縁部１１０にポリマー膜１００が形成される。そのため、第１主面Ｗ１の全体に形成される場合と比較して、保護膜形成液の使用量を低減でき、かつ、第１主面Ｗ１においてポリマー膜１００が形成される領域を小さくすることができる。また、保護膜形成工程において内側領域１１４にポリマー膜１００が形成されないので、保護膜除去工程後にポリマー膜１００が残渣として内側領域１１４に残ることを未然に防止できる。

また、第１実施形態に係る基板処理の保護膜除去工程では、内側領域１１４が露出されているが、除去液ノズル９から基板Ｗの第１主面Ｗ１の中心部ＣＰに向けて除去液を吐出して基板Ｗの第１主面Ｗ１の全体に除去液を供給してもよい。その場合、基板Ｗの第１主面Ｗ１の全体を除去液で洗浄することができる。

＜変形例に係るウェット処理ユニット＞
図７は、変形例に係るウェット処理ユニット２Ｗの構成を説明するための模式図である。図７に示すように、ウェット処理ユニット２Ｗの複数の上面処理液ノズルが、保護膜形成液ノズル８および除去液ノズル９に加えて、エッチング液ノズル１１およびリンス液ノズル１２を含んでいてもよい。また、各上面処理液ノズルの吐出口１５が基板Ｗの上面に対して垂直（鉛直方向）に処理液を吐出するように構成されていてもよい。

エッチング液ノズル１１を基板Ｗの上面に沿う方向（水平方向）に移動させるノズル駆動機構を、第３ノズル駆動機構２９という。リンス液ノズル１２を基板Ｗの上面に沿う方向（水平方向）に移動させるノズル駆動機構を、第４ノズル駆動機構３０という。ノズル駆動機構の詳細は、上述の通りである。

エッチング液ノズル１１から吐出されるエッチング液としては、下面処理液ノズル１０から吐出されるエッチング液として列挙した液体を用いることができる。リンス液ノズル１２から吐出されるリンス液としては、下面処理液ノズル１０から吐出されるリンス液として列挙した液体を用いることができる。

エッチング液ノズル１１は、エッチング液をエッチング液ノズル１１に案内するエッチング液配管４５に接続されている。エッチング液配管４５には、エッチング液配管４５を開閉するエッチング液バルブ５５が設けられている。エッチング液バルブ５５が開かれると、エッチング液ノズル１１から連続流のエッチング液が吐出される。

リンス液ノズル１２は、リンス液をリンス液ノズル１２に案内するリンス液配管４６に接続されている。リンス液配管４６には、リンス液配管４６を開閉するリンス液バルブ５６が設けられている。リンス液バルブ５６が開かれると、リンス液ノズル１２から連続流のリンス液が吐出される。

＜変形例に係るウェット処理ユニットを用いた基板処理＞
ウェット処理ユニット２Ｗの構成が図７に示す構成である場合、以下の基板処理を実行することができる。図８Ａ～図８Ｄは、変形例に係るウェット処理ユニット２Ｗを用いて実行される基板処理中の基板Ｗの第１主面Ｗ１の第１周縁部１１０の様子について説明するための模式図である。

図８Ａ～図８Ｄに示す基板処理が図５～図６Ｄに示す基板処理と主に異なる点は、保護膜形成工程において、保護膜としてのポリマー膜１００が基板Ｗの第１主面Ｗ１の全体に形成される点である。

以下では、図８Ａ～図８Ｄに示す基板処理が図５～図６Ｄに示す基板処理と異なる点を中心に説明する。たとえば、基板処理中の回転速度については、図５～図６Ｄに示す基板処理と同様であるため、言及しない。

具体的には、第２搬送ロボットＣＲからスピンチャック５に基板Ｗが渡された後、第１ノズル駆動機構２７が、保護膜形成液ノズル８を中央位置に移動させる。保護膜形成液ノズル８が中央位置に位置する状態で、保護膜形成液バルブ５０が開かれる。これにより、図８Ａに示すように、回転状態の基板Ｗの第１主面Ｗ１の中心部ＣＰに向けて、保護膜形成液ノズル８から保護膜形成液が供給（吐出）される（保護膜形成液供給工程、保護膜形成液吐出工程）。

保護膜形成液ノズル８から吐出された保護膜形成液は、基板Ｗの第１主面Ｗ１の中心部ＣＰに着液する。基板Ｗ上の保護膜形成液は、基板Ｗの回転に起因する遠心力によって、基板Ｗの外周端Ｅに向かって放射状に広がる。これにより、基板Ｗの第１主面Ｗ１の略全体が保護膜形成液によって覆われる（被覆工程）。詳しくは、保護膜形成液によって、内側領域１１４および第１周縁部１１０が覆われる。

保護膜形成液の吐出が停止された後、基板Ｗの回転を継続することで、基板Ｗ上の保護膜形成液の一部が基板Ｗの外周端Ｅから基板Ｗ外に飛散する。これにより、基板Ｗ上の保護膜形成液の液膜が薄膜化される（スピンオフ工程、薄膜化工程）。保護膜形成液バルブ５０が閉じられた後、第１ノズル駆動機構２７によって保護膜形成液ノズル８が退避位置に移動される。

基板Ｗの回転に起因する遠心力の作用によって、基板Ｗ上の保護膜形成液からの溶媒の蒸発（揮発）が促進されて、図８Ｂに示すように、ポリマー膜１００が形成される（蒸発形成工程）。ポリマー膜１００は、基板Ｗの第１主面Ｗ１の略全体を被覆しており、円形状を呈している。詳しくは、ポリマー膜１００は、内側領域１１４および第１周縁部１１０を覆っている。

ポリマー膜１００が形成された後、エッチング工程（ステップＳ３）が実行される。この基板処理におけるエッチング工程では、第１主面Ｗ１の第１周縁部１１０にポリマー膜１００（保護膜）が形成されている状態で、第１主面Ｗ１および第２主面Ｗ２の両方にエッチング液を供給することで外周端Ｅがエッチングされる。

具体的には、第３ノズル駆動機構２９が、エッチング液ノズル１１を中央位置に配置する。エッチング液ノズル１１が中央位置に位置する状態で、エッチング液バルブ５５が開かれる。これにより、基板Ｗの第１主面Ｗ１の中心部ＣＰに向けてエッチング液ノズル１１からエッチング液が吐出される（第２エッチング液供給工程、第２薬液吐出工程）。エッチング液ノズル１１は、第２薬液供給部材の一例である。エッチング液ノズル１１から吐出されたエッチング液は、第１主面Ｗ１の中心部ＣＰに着液する。

第１主面Ｗ１上のエッチング液は、基板Ｗの回転に起因する遠心力によって、基板Ｗの外周端Ｅに向かって放射状に広がる。エッチング液は、遠心力によって、基板Ｗの外周端Ｅから飛散する。

エッチング液バルブ５５が開かれるタイミングとほぼ同時に、下面エッチング液バルブ５３が開かれる。これにより、下面処理液ノズル１０から、基板Ｗの第２主面Ｗ２の第２周縁部１１１に向けてエッチング液が吐出される（第１エッチング液供給工程、第１薬液吐出工程）。下面処理液ノズル１０から吐出されたエッチング液は、第２周縁部１１１に着液する。

第２主面Ｗ２上のエッチング液は、基板Ｗの回転に起因する遠心力によって、基板Ｗの外周端Ｅに向かって移動する。エッチング液は、遠心力によって、基板Ｗの外周端Ｅから飛散する。

このように、第１周縁部１１０にポリマー膜１００が形成されている状態で、第２主面Ｗ２にエッチング液を供給し、外周端Ｅがエッチング液で処理される（第１エッチング液供給工程、第１薬液供給工程）。そして、第１エッチング液供給工程における第２主面Ｗ２への薬液の供給中に、ポリマー膜１００の表面に向けてエッチング液が供給される（第２エッチング液供給工程、第２薬液供給工程）。

図８Ｃに示すように、第１主面Ｗ１および第２主面Ｗ２の両方に対してエッチング液が供給されることで、基板Ｗの外周端Ｅにエッチング液を確実性高く供給することができる。

次に、第２主面Ｗ２にリンス液を供給し、基板Ｗからエッチング液を除去するリンス工程（ステップＳ４）が実行される。リンス工程においても、基板Ｗの第１主面Ｗ１および第２主面Ｗ２の両方にリンス液が供給される。

具体的には、エッチング液バルブ５５を閉じることによって、エッチング液ノズル１１からのエッチング液の吐出が停止される。エッチング液ノズル１１からのエッチング液の吐出が停止される状態で、第３ノズル駆動機構２９がエッチング液ノズル１１を退避位置に移動させる。

エッチング液バルブ５５が閉じられるタイミングとほぼ同時に、下面エッチング液バルブ５３が閉じられる。これにより、下面処理液ノズル１０からのエッチング液の吐出が停止される。

その一方で、第４ノズル駆動機構３０が、リンス液ノズル１２を中央位置に移動させる。基板Ｗへのエッチング液の供給が停止されており、かつ、リンス液ノズル１２が中央位置に位置する状態で、リンス液バルブ５６が開かれる。これにより、基板Ｗの第１主面Ｗ１の中心部ＣＰに向けてリンス液ノズル１２からリンス液が吐出される（第２リンス液吐出工程）。リンス液ノズル１２から吐出されたリンス液は、第１主面Ｗ１の中心部ＣＰに着液する。

第１主面Ｗ１上のリンス液は、基板Ｗの回転に起因する遠心力によって、基板Ｗの外周端Ｅに向かって放射状に広がる。リンス液は、遠心力によって、基板Ｗの外周端Ｅから飛散する。

リンス液バルブ５６が開かれるタイミングとほぼ同時に、下面リンス液バルブ５４が開かれる。これにより、下面処理液ノズル１０から、第２主面Ｗ２の第２周縁部１１１に向けてリンス液が吐出される（第１リンス液吐出工程）。下面処理液ノズル１０から吐出されたリンス液は、第２周縁部１１１に着液する。

第２主面Ｗ２上のリンス液は、基板Ｗの回転に起因する遠心力によって、基板Ｗの外周端Ｅに向かって広がる。リンス液は、遠心力によって、基板Ｗの外周端Ｅから飛散する。

図８Ｄに示すように、第１主面Ｗ１および第２主面Ｗ２の両方に対してリンス液が供給されることで、ポリマー膜１００は、外周端Ｅおよび第２主面Ｗ２に付着していたエッチング液がリンス液とともに基板Ｗ外へ排除される。これにより、基板Ｗの外周端Ｅからエッチング液が除去される。

このように、第１周縁部１１０にポリマー膜１００が形成されている状態で、第２主面Ｗ２にリンス液を供給し、外周端Ｅからエッチング液が除去される（第１リンス液供給工程）。そして、第１リンス液供給工程における第２主面Ｗ２へのリンス液の供給中に、ポリマー膜１００の表面に向けてリンス液が供給される（第２リンス液供給工程）。

次に、基板Ｗの第１主面Ｗ１に向けて除去液を供給して、第１主面Ｗ１の第１周縁部１１０からポリマー膜１００を除去するポリマー膜除去工程（ステップＳ５）が実行される。

具体的には、第２ノズル駆動機構２８が、除去液ノズル９を中央位置に移動させる。除去液ノズル９が中央位置に位置する状態で、除去液バルブ５１が開かれる。これにより、基板Ｗの第１主面Ｗ１の中心部ＣＰに向けて、除去液ノズル９から除去液が供給（吐出）される（除去液供給工程、除去液吐出工程）。

除去液ノズル９から吐出された除去液は、基板Ｗの第１主面Ｗ１の中心部ＣＰに着液する。第１主面Ｗ１上の除去液は、基板Ｗの回転に起因する遠心力によって、基板Ｗの外周端Ｅに向かって放射状に広がり、基板Ｗの外周端Ｅから飛散する。

ポリマー膜１００は、除去液に溶解されて、ポリマー膜１００が溶け込んだ除去液とともに第１主面Ｗ１から排出される。ポリマー膜１００の全てが除去液に溶解される必要はなく、ポリマー膜１００の一部は、除去液の液流によって基板Ｗの上面から剥離されて基板Ｗ外に排出されてもよい。

その後、スピンドライ工程（ステップＳ６）および搬出工程（ステップＳ７）が実行されて、基板処理が終了する。

変形例に係る基板処理では、第２主面Ｗ２へのエッチング液の供給中に、ポリマー膜１００の表面に向けてエッチング液が供給される。ポリマー膜１００の表面に付着しているパーティクル等をエッチング液によって洗い流すことができる。したがって、保護膜除去工程によってポリマー膜１００が除去される際に、ポリマー膜１００に付着しているパーティクル等によって第１主面Ｗ１が汚染されることを抑制できる。

＜第２実施形態に係る基板処理装置＞
図９は、この発明の第２実施形態に係る基板処理装置１Ａの構成例を説明するための平面図である。図１０では、前述の図１～図８Ｄに示された構成と同等の構成については、図１等と同一の参照符号を付してその説明を省略する。後述する図１０～図１２Ｃにおいても同様である。

第２実施形態に係る基板処理装置１Ａが、第１実施形態に係る基板処理装置１と主に異なる点は、保護膜液形成液として疎水化液が用いられる点、および、複数の処理ユニット２が複数のドライ処理ユニット２Ｄを含む点である。この実施形態では、保護膜形成液ノズル８は、疎水化液ノズルでもある。

保護膜形成液として用いられる疎水化液は、基板Ｗの下地最表層１１３を変質（たとえば、メチル化）させて純水に対する基板Ｗの上面の接触角を上昇させる液体である。疎水化によって、基板Ｗの第１主面Ｗ１の接触角は、たとえば、９０°以上に上昇する。疎水化液は、水の付着を抑制できるため、撥水化液ともいう。

疎水化液は、たとえば、シリコン自体およびシリコンを含む化合物を疎水化させるシリコン系の疎水化液、または金属自体および金属を含む化合物を疎水化させるメタル系の疎水化液を用いることができる。

メタル系の疎水化液は、たとえば、疎水基を有するアミン、および有機シリコン化合物の少なくとも一つを含有する。

シリコン系の疎水化液は、たとえば、シランカップリング剤である。シランカップリング剤は、たとえば、ＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）、ＴＭＳ（テトラメチルシラン）、フッ素化アルキルクロロシラン、アルキルジシラザン、および非クロロ系の疎水化剤の少なくとも一つを含有する。

非クロロ系の疎水化液は、たとえば、ジメチルシリルジメチルアミン、ジメチルシリルジエチルアミン、ヘキサメチルジシラザン、テトラメチルジシラザン、ビス（ジメチルアミノ）ジメチルシラン、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノトリメチルシラン、Ｎ－（トリメチルシリル）ジメチルアミンおよびオルガノシラン化合物の少なくとも一つを含有する。

図９に示す例では、第１搬送ロボットＩＲ側の２つの処理タワーＴＷが、複数のウェット処理ユニット２Ｗによって構成されており、第１搬送ロボットＩＲとは反対側の２つの処理タワーＴＷが、複数のドライ処理ユニット２Ｄによって構成されている。ドライ処理ユニット２Ｄは、チャンバ４内に配置され、その内部で基板Ｗに対して光照射を行う光照射チャンバ７１を含む。

＜ドライ処理ユニットの構成＞
図１０は、第２実施形態に係るドライ処理ユニット２Ｄの構成を説明するための模式図である。

光照射処理ユニット７０は、基板Ｗが載置される載置面７２ａを有するベース７２と、載置面７２ａに載置された基板Ｗの上面に向けて紫外線等の光を出射する光出射部材７３と、ベース７２を貫通して上下動する複数のリフトピン７５と、複数のリフトピン７５を上下方向に移動させるピン駆動機構７６とを備えている。光照射チャンバ７１は、ベース７２を収容する。

光照射チャンバ７１の側壁には、基板Ｗの搬入出口７１ａが設けられており、光照射チャンバ７１は、搬入出口７１ａを開閉させるゲートバルブ７１ｂを有する。搬入出口７１ａが開かれているとき、第２搬送ロボットＣＲ（図示せず）が光照射チャンバ７１にアクセスできる。基板Ｗは、ベース７２上に載置されることによって、所定の第２処理姿勢に水平に保持される。この実施形態では、第２処理姿勢は、図１０に示す基板Ｗの姿勢であり、たとえば、水平姿勢である。

光出射部材７３は、たとえば、複数の光照射ランプ等の光源を含んでいる。光照射ランプは、たとえば、キセノンランプ、水銀ランプ、重水素ランプ等である。光出射部材７３は、たとえば、１ｎｍ以上４００ｎｍ以下、好ましくは、１ｎｍ以上３００ｎｍ以下の紫外線を照射するように構成されている。具体的には、光出射部材７３には、電源等の通電ユニット７４が接続されており、通電ユニット７４から電力が供給されることによって、光出射部材７３が光を出射する。

複数のリフトピン７５は、ベース７２および光照射チャンバ７１を貫通する複数の貫通孔にそれぞれ挿入されている。複数のリフトピン７５は、ピン駆動機構７６によって、載置面７２ａよりも上方で基板Ｗを支持する上位置（図１０に二点鎖線で示す位置）と、先端部（上端部）が載置面７２ａよりも下方に没入する下位置（図１０に実線で示す位置）との間で上下動される。ピン駆動機構７６は、電動モータまたはエアシリンダを含んでいてもよいし、これら以外のアクチュエータを含んでいてもよい。

＜第２実施形態に係る基板処理＞
図１１は、第２実施形態に係る基板処理装置１Ａによって実行される基板処理を説明するためのフローチャートである。図１２Ａおよび図１２Ｂは、第２実施形態に係る基板処理中の基板Ｗの第１主面Ｗ１の第１周縁部１１０の様子について説明するための模式図である。

第２実施形態に係る基板処理では、たとえば、図１１に示すように、第１搬入工程（ステップＳ１０）、保護膜形成工程（ステップＳ１１）、エッチング工程（ステップＳ１２）、リンス工程（ステップＳ１３）、スピンドライ工程（ステップＳ１４）、第１搬出工程（ステップＳ１５）、第２搬入工程（ステップＳ１６）、保護膜除去工程（ステップＳ１７）、および、第２搬出工程（ステップＳ１８）が実行される。

第１搬入工程（ステップＳ１０）、保護膜形成工程（ステップＳ１１）、エッチング工程（ステップＳ１２）、リンス工程（ステップＳ１３）、スピンドライ工程（ステップＳ１４）、および、第１搬出工程（ステップＳ１５）は、第１実施形態に係る基板処理（図５を参照）の搬入工程（ステップＳ１）、保護膜形成工程（ステップＳ２）、エッチング工程（ステップＳ３）、リンス工程（ステップＳ４）、スピンドライ工程（ステップＳ６）、および、搬出工程（ステップＳ７）のそれぞれと同様である。

そのため、以下では、これらの工程において、たとえば、第１実施形態に係る基板処理と異なる部分について主に説明する。基板処理中の回転速度については、図５～図６Ｄに示す基板処理と同様であるため、言及しない。

保護膜形成工程（ステップ１１）では、図１２Ａに示すように、保護膜形成液を基板Ｗの第１主面Ｗ１の第１周縁部１１０に供給することによって、第１周縁部１１０において下地最表層１１３を変質させて保護膜としての疎水膜１０５が形成される。第１主面Ｗ１上の液膜から溶媒を蒸発させて保護膜を形成するのではなく、下地最表層１１３を変質（疎水化）させることで、保護膜としての疎水膜１０５が形成される（疎水膜形成工程）。疎水膜１０５は撥水膜ともいう。

その後のエッチング工程（ステップＳ１２）では、図１２Ｂに示すように、疎水膜１０５を除去することなく、外周端Ｅの表面から露出する下地最表層１１３をエッチングすることができる。

エッチング液は、第１主面Ｗ１の第１周縁部１１０における疎水膜１０５の内周端１０５ａにまでは到達せず、内周端１０５ａよりも外側に留まる。疎水膜１０５の内周端１０５ａは、第１主面Ｗ１の第１周縁部１１０においてエッチング液が到達する位置（エッチング液の内周端１０１）よりも内側に位置する。

エッチング工程（ステップＳ１２）の後のリンス工程（ステップＳ１３）では、図１２Ｃに示すように、ポリマー膜１００、外周端Ｅおよび第２主面Ｗ２に付着していたエッチング液がリンス液とともに基板Ｗ外へ排除される。これにより、基板Ｗの外周端Ｅからエッチング液が除去される。

リンス液は、第１主面Ｗ１の第１周縁部１１０において疎水膜１０５の内周端１０５ａにまでは到達せず、内周端１０５ａよりも外側に留まる。疎水膜１０５の内周端１０５ａは、リンス液が到達する位置（リンス液の内周端１０２）よりも内側に位置する。

スピンドライ工程（ステップＳ１４）において、基板Ｗが乾燥された後、第２搬送ロボットＣＲによってウェット処理ユニット２Ｗから基板Ｗが搬出される（第１搬出工程：ステップＳ１５）。

第１搬出工程（ステップＳ１５）の後、基板Ｗは、第２搬送ロボットＣＲによってドライ処理ユニット２Ｄに搬入され、複数のリフトピン７５に渡される（第２搬入工程：ステップＳ１６）。その後、ピン駆動機構７６によって複数のリフトピン７５が下位置に移動することでベース７２の載置面７２ａに基板Ｗが載置される。このとき、基板Ｗは、第１主面Ｗ１が上面となるように載置面７２ａに載置される。

基板Ｗが載置面７２ａに載置されている状態で、通電ユニット７４から光出射部材７３に電力を供給することによって、光出射部材７３から光Ｌが出射される（光出射工程）。光出射部材７３から出射された光Ｌが第１主面Ｗ１に照射される（光照射工程）。光の照射によって、保護膜としての疎水膜１０５が除去される（疎水膜除去工程、保護膜除去工程：ステップＳ１７）。詳しくは、光が照射されることによって、疎水膜１０５が変質（親水化）されて下地最表層１１３に戻る。このように、第１薬液供給工程の後、疎水膜１０５が除去される。光出射部材７３は、保護膜除去ユニットの一例である。

疎水膜１０５が除去された後、ピン駆動機構７６が複数のリフトピン７５を上位置に移動させることで、複数のリフトピン７５がベース７２の載置面７２ａから基板Ｗを持ち上げる。第２搬送ロボットＣＲは、複数のリフトピン７５から基板Ｗを受け取って、ドライ処理ユニット２Ｄから基板Ｗを搬出する（第２搬出工程：ステップＳ１８）。その基板Ｗは、第２搬送ロボットＣＲから第１搬送ロボットＩＲへと渡され、第１搬送ロボットＩＲによって、キャリアＣに収納される。

第２実施形態によれば、第１実施形態と同様の効果を奏する。

＜その他の実施形態＞
この発明は、以上に説明した実施形態に限定されるものではなく、さらに他の形態で実施することができる。

（１）下面処理液ノズル１０は、スピンベース２０の周方向に沿って複数設けられていてもよい。複数の下面処理液ノズル１０から基板Ｗの下面に向けて処理液を吐出されることで、周方向の全域に基板Ｗの下面に処理液をむらなく供給することができる。

（２）上述の実施形態では、疎水膜１０５は、光照射によって親水化される。疎水膜１０５は、光照射以外の処理によって親水化されてもよい。たとえば、疎水膜１０５に液体を供給することで疎水膜１０５が親水化されてもよい。また、疎水膜１０５にオゾンガス等の親水化ガスによって疎水膜１０５が親水化されてもよい。疎水膜１０５に親水化ガスを供給しながら、第１主面Ｗ１に光を照射することによって、疎水膜１０５が親水化されてもよい。

（３）上述の実施形態では、ポリマー膜１００は、除去液の供給によって除去される。しかしながら、ポリマー膜１００は、除去液の供給以外の処理によって除去されてもよい。たとえば、ポリマー膜１００は、光照射によって除去されてもよいし、ガス状の除去剤によって除去されてもよい。

また、ポリマー膜１００は、ポリマーが分解または転位されることによって第１主面Ｗ１の第１周縁部１１０から除去されてもよい。

（４）図７の変形例に係るウェット処理ユニット２Ｗを第２実施形態に係る基板処理装置１Ａに適用することも可能である。そうすることによって、基板Ｗの上面の全体に疎水膜１０５を形成し、基板Ｗの上面および下面の両方にエッチング液を供給する基板処理を実行することができる。

また、保護膜形成速度（第１速度）が、必ずしもスピンドライ時の基板Ｗの回転速度（第２速度）よりも高速度である必要はなく、エッチング回転速度（第３速度）が、保護膜形成速度（第１速度）よりも高速度である必要もない。しかしながら、上述の実施形態のように、第１速度が第２速度および第３速度よりも高速度であれば、第１速度が第２速度および第３速度以下の速度である場合と比較して、第１主面Ｗ１上の保護膜形成液が第２周縁部１１１に達することを抑制し易い。

（５）第１処理姿勢および第２処理姿勢は、必ずしも水平姿勢である必要はない。すなわち、第１処理姿勢および第２処理姿勢は、鉛直姿勢で保持されていてもよいし、基板Ｗの主面が水平面に対して傾斜する姿勢であってもよい。

また、基板Ｗの第１主面Ｗ１が下面となるように基板Ｗが保持されてもよい。すなわち、上述の各実施形態に係る基板処理とは異なり、基板Ｗの下面に対して処理が行われてもよい。具体的には、基板処理装置が、基板Ｗの下面の周縁部に保護膜を形成し、エッチング液によって基板Ｗの上面の周縁部および基板Ｗの外周端Ｅを処理する基板処理を実行できるように構成されていてもよい。

（６）上述の各実施形態では、エッチングによる基板処理が実行される。基板処理では、エッチング以外の処理が行われてもよく、エッチング液以外の薬液による処理が実行されてもよい。

（７）上述の各実施形態では、複数の上面処理液ノズルから複数の処理液がそれぞれ吐出されるように構成されている。しかしながら、処理液の吐出の態様は、上述の各実施形態に限定されない。たとえば、上述の実施形態とは異なり、チャンバ４内で位置が固定された固定ノズルから処理液が吐出されてもよいし、全処理液が単一のノズルから基板Ｗの上面へ向けて吐出されるように構成されていてもよい。

また、複数の上面処理液ノズルが単一のノズル駆動機構によって一体に移動されるように構成されていてもよい。

さらに、上述の各実施形態では、処理液を吐出する部材としてノズルを例示しているが、各処理液を吐出する部材は、ノズルに限られない。すなわち、各処理液を吐出する部材は、処理液を吐出すると処理液吐出部材として機能する部材であればよい。

（８）上述の実施形態では、基板Ｗの上面に連続流の保護膜形成液を供給し、遠心力で保護膜形成液を広げることでポリマー膜１００または疎水膜１０５を形成している。しかしながら、保護膜形成液の供給方法は、に限定されない。

たとえば、基板Ｗの上面に保護膜形成液を供給しながら、保護膜形成液ノズル８を基板Ｗの上面に沿う方向に移動させてもよい。また、上述の実施形態とは異なり、ポリマー膜１００を形成する際、基板Ｗ上の保護膜形成液を加熱することで、溶媒の蒸発を促進して、ポリマー膜１００の形成を促進してもよい。

また、上述の実施形態とは異なり、保護膜形成液を基板Ｗの上面に塗布することによって、ポリマー膜１００または疎水膜１０５を基板Ｗの上面に形成してもよい。詳しくは、保護膜形成液が表面に付着したバー状の塗布部材を基板Ｗの上面に接触させながら基板Ｗの上面に沿って移動させることで基板Ｗの上面に保護膜形成液を塗布してもよい。

（９）上述第１実施形態とは異なり、ウェット処理ユニット２Ｗに光出射部材７３が設けられていてもよい。その場合、光出射部材７３の光源は、チャンバ４外に配置されていることが好ましい。たとえば、光源がチャンバ４外に配置されており、光源から出射される光Ｌを通過させる光ファイバ（図示せず）の先端がチャンバ４内に配置されていてもよい。そうであれば、ドライ処理ユニット２Ｄを設けることなく疎水膜除去工程を実行することができる。

（１０）上述の各実施形態では、スピンチャック５は、スピンベース２０に基板Ｗを吸着させる吸着式のスピンチャックである。スピンチャック５は、吸着式のスピンチャックに限られない。たとえば、スピンチャック５は、基板Ｗの外周端Ｅを複数の把持ピン（図示せず）で把持する把持式のスピンチャックであってもよい。把持式のスピンチャックを採用する場合、基板Ｗに処理液を供給する際、第１群の複数の把持ピンと、第２群の複数の把持ピンとで基板Ｗを持ち替えることが好ましい。

把持式のスピンチャック５を採用した場合、基板Ｗの下面の中心部に対向する下面処理液ノズルを設けることが可能である。そのため、基板Ｗの下面の中心部へ向けて処理液を吐出させることができる。

（１１）上述の各実施形態において、配管、ポンプ、バルブ、アクチュエータ等についての図示を一部省略しているが、これらの部材が存在しないことを意味するものではなく、実際にはこれらの部材は適切な位置に設けられている。

（１２）上述の各実施形態では、コントローラ３が基板処理装置１の全体を制御する。しかしながら、基板処理装置１の各部材を制御するコントローラは、複数箇所に分散されていてもよい。また、コントローラ３は、各部材を直接制御する必要はなく、コントローラ３から出力される信号は、基板処理装置１の各部材を制御するスレーブコントローラに受信されてもよい。

（１３）また、上述の実施形態では、基板処理装置１，１Ａが、搬送ロボット（第１搬送ロボットＩＲおよび第２搬送ロボットＣＲ）と、複数の処理ユニット２と、コントローラ３とを備えている。しかしながら、基板処理装置１，１Ａは、単一の処理ユニット２とコントローラ３とによって構成されており、搬送ロボットを含んでいなくてもよい。あるいは、基板処理装置１，１Ａは、単一の処理ユニット２のみによって構成されていてもよい。言い換えると、処理ユニット２が基板処理装置の一例であってもよい。

（１４）なお、上述の実施形態では、「沿う」、「水平」、「鉛直」、「円筒」といった表現を用いたが、厳密に「沿う」、「水平」、「鉛直」、「円筒」であることを要しない。すなわち、これらの各表現は、製造精度、設置精度等のずれを許容するものである。

（１５）また、各構成を模式的にブロックで示している場合があるが、各ブロックの形状、大きさおよび位置関係は、各構成の形状、大きさおよび位置関係を示すものではない。

その他、特許請求の範囲に記載した範囲で種々の変更を行うことができる。

１ ：基板処理装置
１Ａ ：基板処理装置
８ ：保護膜形成液ノズル（保護膜形成部材）
９ ：除去液ノズル（保護膜除去ユニット）
１０ ：下面処理液ノズル（薬液供給部材）
１１ ：エッチング液ノズル（薬液供給部材）
６２ ：光出射部材（保護膜除去ユニット）
１００ ：ポリマー膜（保護膜）
１００ａ ：内周端
１０５ ：疎水膜（保護膜）
１０５ａ ：内周端
１１０ ：第１周縁部
１１１ ：第２周縁部
Ａ１ ：回転軸線
ＣＰ ：中心部
Ｗ ：基板
Ｗ１ ：第１主面
Ｗ２ ：第２主面

Claims (12)

1. 第１周縁部を有する第１主面と、前記第１主面とは反対側の面であり第２周縁部を有する第２主面と、前記第１周縁部および前記第２周縁部を連結する外周端とを有する基板を処理する基板処理方法であって、
   前記第１主面に保護膜形成液を供給して、前記第１周縁部に保護膜を形成する保護膜形成工程と、
   前記第１周縁部に前記保護膜が形成されている状態で、前記第２主面に薬液を供給し、前記外周端を薬液で処理する第１薬液供給工程と、
   前記第１薬液供給工程の後、前記保護膜を除去する保護膜除去工程とを含む、基板処理方法。
2. 前記保護膜形成工程が、前記第１主面に保護膜形成液が付着している状態で、前記第１主面の中心部を通る回転軸線のまわりに第１速度で前記基板を回転させる高速回転工程を含み、
   前記第１薬液供給工程の後、前記第１速度よりも低速度な第２速度で前記基板を回転させて前記基板を乾燥させるスピンドライ工程をさらに含む、請求項１に記載の基板処理方法。
3. 前記第１薬液供給工程が、前記第２主面に薬液を供給しながら、前記第１速度および前記第２速度よりも低速度な第３速度で前記基板を回転させる低速回転工程を含む、請求項２に記載の基板処理方法。
4. 前記保護膜除去工程が、前記保護膜を除去する除去液を前記第１主面に供給する除去液供給工程を含む、請求項１～３のいずれか一項に記載の基板処理方法。
5. 前記保護膜除去工程が、前記第１主面に対して光を照射する光照射工程を含む、請求項１～３のいずれか一項に記載の基板処理方法。
6. 前記保護膜形成工程が、前記第１主面において前記第１周縁部に隣接する内側領域が露出されるように、前記第１周縁部に前記保護膜を形成する工程を含む、請求項１～５のいずれか一項に記載の基板処理方法。
7. 前記第１薬液供給工程が、前記外周端を介して前記第２主面から前記第１周縁部に薬液を到達させる工程を含み、
   前記保護膜形成工程において形成される前記保護膜の内周端が、前記第１主面の前記第１周縁部において薬液が到達する位置よりも内側に位置する、請求項６に記載の基板処理方法。
8. 前記保護膜形成工程が、前記第１主面の全体に前記保護膜を形成する工程を含む、請求項１～５のいずれか一項に記載の基板処理方法。
9. 前記第１薬液供給工程における前記第２主面への薬液の供給中に、前記保護膜の表面に向けて薬液を供給する第２薬液供給工程をさらに含む、請求項８に記載の基板処理方法。
10. 前記保護膜形成工程が、前記保護膜形成液として、ポリマーを含有するポリマー含有液を前記第１主面に供給することで、前記保護膜として、ポリマーを含有するポリマー膜を形成するポリマー膜形成工程を含む、請求項１～９のいずれか一項に記載の基板処理方法。
11. 前記保護膜形成工程が、前記保護膜形成液として疎水化液を前記第１主面に供給することで、前記保護膜として疎水膜を形成する疎水膜形成工程を含む、請求項１～９のいずれか一項に記載の基板処理方法。
12. 第１周縁部を有する第１主面と、前記第１主面とは反対側の面であり第２周縁部を有する第２主面と、前記第１周縁部および前記第２周縁部を連結する外周端とを有する基板を処理する基板処理装置であって、
    前記第１主面に保護膜形成液を供給して、前記第１周縁部に保護膜を形成する保護膜形成部材と、
    前記第１周縁部に前記保護膜が形成されている状態で、前記第２主面に薬液を供給し、前記第２主面、および、前記外周端を薬液で処理する薬液供給部材と、
    前記保護膜を除去する保護膜除去ユニットとを含む、基板処理装置。

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