KR20240051175A - 기판 처리 방법, 및, 기판 처리 장치 - Google Patents

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KR20240051175A
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마사키 이나바
에이지 우메다
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가부시키가이샤 스크린 홀딩스
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Abstract

제1 주연부를 갖는 제1 주면과, 상기 제1 주면과는 반대 측의 면이며 제2 주연부를 갖는 제2 주면과, 상기 제1 주연부 및 상기 제2 주연부를 연결하는 외주단을 갖는 기판을 처리하는 기판 처리 방법을 제공한다. 이 기판 처리 방법은, 상기 제1 주면에 보호막 형성액을 공급하여, 상기 제1 주연부에 보호막을 형성하는 보호막 형성 공정과, 상기 제1 주연부에 상기 보호막이 형성되어 있는 상태에서, 상기 제2 주면에 약액을 공급하고, 당해 약액을 상기 외주단에 도달시켜, 당해 외주단을 상기 약액으로 처리하는 제1 약액 공급 공정과, 상기 제1 약액 공급 공정 후, 상기 보호막을 제거하는 보호막 제거 공정을 포함한다.

Description

기판 처리 방법, 및, 기판 처리 장치
이 출원은, 2021년 9월 24일 제출된 일본국 특허 출원 2021-155043호에 의거하는 우선권을 주장하고 있으며, 이 출원의 전체 내용은 여기에 인용에 의해 편입되는 것으로 한다.
이 발명은, 기판을 처리하는 기판 처리 방법, 및, 기판을 처리하는 기판 처리 장치에 관한 것이다. 처리의 대상이 되는 기판에는, 예를 들면, 반도체 웨이퍼, 액정 표시 장치 및 유기 EL(Electroluminescence) 표시 장치 등의 FPD(Flat Panel Display)용 기판, 광 디스크용 기판, 자기 디스크용 기판, 광자기 디스크용 기판, 포토마스크용 기판, 세라믹 기판, 태양전지용 기판 등이 포함된다.
하기 특허 문헌 1에는, 기판의 디바이스 형성면에 에칭액을 공급하고 있을 때에, 디바이스 비(非)형성면에 에칭 저해액을 공급하는 기판 처리가 개시되어 있다. 이 기판 처리에서는, 에칭 저해액에 의해 에칭액이 희석됨으로써, 에칭 레이트를 저하시킬 수 있다.
일본국 특허공개 2016-139743호 공보
특허 문헌 1에 개시되어 있는 기판 처리에서는, 에칭 저해액과 에칭액의 충돌과의 경계가 명확하지 않다. 그 때문에, 기판의 끝 가장자리 및 그 근변에 있어서 에칭액에 의해 처리되는 영역을 획정(劃定)하는 것이 곤란하다.
그래서, 이 발명의 하나의 목적은, 약액에 의해 기판의 외주단을 정밀도 좋게 처리할 수 있는 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.
이 발명의 일 실시 형태는, 제1 주연부를 갖는 제1 주면과, 상기 제1 주면과는 반대 측의 면이며 제2 주연부를 갖는 제2 주면과, 상기 제1 주연부 및 상기 제2 주연부를 연결하는 외주단을 갖는 기판을 처리하는 기판 처리 방법을 제공한다.
상기 기판 처리 방법은, 상기 제1 주면에 보호막 형성액을 공급하여, 상기 제1 주연부에 보호막을 형성하는 보호막 형성 공정과, 상기 제1 주연부에 상기 보호막이 형성되어 있는 상태에서, 상기 제2 주면에 약액을 공급하고, 당해 약액을 상기 외주단에 도달시켜, 당해 외주단을 상기 약액으로 처리하는 제1 약액 공급 공정과, 상기 제1 약액 공급 공정 후, 상기 보호막을 제거하는 보호막 제거 공정을 포함한다.
이 방법에 의하면, 제1 주면에 보호막 형성액을 공급하여 제1 주면의 제1 주연부에 보호막을 형성한 후, 제1 주연부에 보호막이 형성되어 있는 상태에서, 제2 주면에 약액이 공급된다. 제2 주면에 약액을 공급함으로써, 제1 주면의 제1 주연부 및 제2 주면의 제2 주연부를 연결하는 외주단에 그 약액이 도달하고, 당해 외주단이, 약액으로 처리된다.
외주단이 약액으로 처리될 때, 제1 주면의 제1 주연부는, 보호막에 의해 보호되어 있다. 그 때문에, 제2 주면 상의 약액이 제2 주연부 및 외주단을 타고 제1 주연부에 달했다고 해도, 제1 주연부가 약액으로 처리되는 것을 억제할 수 있다. 그 때문에, 기판의 외주단을 선택적으로 약액으로 처리할 수 있다.
그 결과, 약액에 의해 기판의 외주단을 정밀도 좋게 처리할 수 있다.
이 발명의 일 실시 형태에서는, 상기 보호막 형성 공정이, 상기 제1 주면에 보호막 형성액이 부착되어 있는 상태에서, 상기 제1 주면의 중심부를 지나는 회전축선 둘레로 제1 속도로 상기 기판을 회전시키는 고속 회전 공정을 포함한다. 상기 기판 처리 방법이, 상기 제1 약액 공급 공정 후, 상기 제1 속도보다 저속도인 제2 속도로 상기 기판을 회전시켜 상기 기판을 건조시키는 스핀 드라이 공정을 추가로 포함한다.
이 방법에 의하면, 보호막 형성 공정에서는, 제1 주면에 보호막 형성액이 부착되어 있는 상태에서, 기판을 건조시킬 때의 제2 속도보다 고속인 제1 속도로 기판이 회전된다. 그 때문에, 제1 주면 상의 보호막 형성액이, 외주단을 통해 제2 주연부에 달하는 것을 억제할 수 있다.
이 발명의 일 실시 형태에서는, 상기 제1 약액 공급 공정이, 상기 제2 주면에 약액을 공급하면서, 상기 제1 속도 및 상기 제2 속도보다 저속도인 제3 속도로 상기 기판을 회전시키는 저속 회전 공정을 포함한다.
이 방법에 의하면, 제1 주면에 보호막 형성액이 부착되어 있는 상태에서, 제1 약액 공급 공정에 있어서의 제3 속도보다 고속인 제1 속도로 기판이 회전된다. 따라서, 제1 주면 상의 보호막 형성액이, 외주단을 통해 제2 주연부에 달하는 것을 한층 더 억제할 수 있다.
이 발명의 일 실시 형태에 있어서, 상기 보호막 제거 공정이, 상기 보호막을 제거하는 제거액을 상기 제1 주면에 공급하는 제거액 공급 공정을 포함하고 있어도 된다. 또, 상기 보호막 제거 공정이, 상기 제1 주면에 대해 광을 조사하는 광 조사 공정을 포함하고 있어도 된다.
이 발명의 일 실시 형태에서는, 상기 보호막 형성 공정이, 상기 제1 주면에 있어서 상기 제1 주연부에 인접하는 내측 영역이 노출되도록, 상기 제1 주연부에 상기 보호막을 형성하는 공정을 포함한다.
그 때문에, 제1 주면의 전체에 형성되는 경우와 비교하여, 보호막 형성액의 사용량을 저감할 수 있고, 또한, 제1 주면에 있어서 보호막이 형성되는 영역을 작게 할 수 있다. 또, 제1 주면에 있어서 제1 주연부에 인접하는 내측 영역에는 보호막이 형성되지 않기 때문에, 보호막 제거 공정 후에 보호막이 잔사로서 내측 영역에 남는 것을 미연에 방지할 수 있다.
이 발명의 일 실시 형태에서는, 상기 제1 약액 공급 공정이, 상기 외주단을 통해 상기 제2 주면으로부터 상기 제1 주연부에 약액을 도달시키는 공정을 포함한다. 상기 보호막 형성 공정에 있어서 형성되는 상기 보호막의 내주단이, 상기 제1 주면의 상기 제1 주연부에 있어서 약액이 도달하는 위치보다 내측에 위치한다.
그 때문에, 제1 주연부보다 내측의 영역이 노출되도록 보호막이 형성되는 경우여도, 보호막의 내주단보다 내측에 약액이 도달하는 것을 확실성 높게 억제할 수 있다.
이 발명의 일 실시 형태에서는, 상기 보호막 형성 공정이, 상기 제1 주면의 전체에 상기 보호막을 형성하는 공정을 포함한다. 이 방법에 의하면, 제1 주면의 전체를 약액으로부터 보호할 수 있다.
이 발명의 일 실시 형태에서는, 상기 기판 처리 방법은, 상기 제1 약액 공급 공정에 있어서의 상기 제2 주면으로의 약액의 공급 중에, 상기 보호막의 표면을 향하여 약액을 공급하는 제2 약액 공급 공정을 추가로 포함한다. 보호막의 표면에 부착되어 있는 파티클 등을 약액에 의해 씻어낼 수 있다. 따라서, 보호막 제거 공정에 의해 보호막이 제거될 때에, 보호막에 부착되어 있는 파티클 등에 의해 제1 주면이 오염되는 것을 억제할 수 있다.
이 발명의 일 실시 형태에서는, 상기 보호막 형성 공정이, 상기 보호막 형성액으로서, 폴리머를 함유하는 폴리머 함유액을 상기 제1 주면에 공급함으로써, 상기 보호막으로서, 폴리머를 함유하는 폴리머막을 형성하는 폴리머막 형성 공정을 포함하고 있어도 된다. 또, 상기 보호막 형성 공정이, 상기 보호막 형성액으로서 소수화액을 상기 제1 주면에 공급함으로써, 상기 보호막으로서 소수막을 형성하는 소수막 형성 공정을 포함하고 있어도 된다.
이 발명의 다른 실시 형태는, 제1 주연부를 갖는 제1 주면과, 상기 제1 주면과는 반대 측의 면이며 제2 주연부를 갖는 제2 주면과, 상기 제1 주연부 및 상기 제2 주연부를 연결하는 외주단을 갖는 기판을 처리하는 기판 처리 장치를 제공한다.
상기 기판 처리 장치는, 상기 제1 주면에 보호막 형성액을 공급하여, 상기 제1 주연부에 보호막을 형성하는 보호막 형성 부재와, 상기 제1 주연부에 상기 보호막이 형성되어 있는 상태에서, 상기 제2 주면에 약액을 공급하여, 상기 제2 주면, 및, 상기 외주단을 약액으로 처리하는 약액 공급 부재와, 상기 보호막을 제거하는 보호막 제거 유닛을 포함한다.
도 1은, 이 발명의 제1 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 구성예를 설명하기 위한 평면도이다.
도 2는, 상기 기판 처리 장치에서 처리되는 기판의 구조를 설명하기 위한 모식도이다.
도 3은, 상기 기판 처리 장치에 구비되는 웨트 처리 유닛의 구성을 설명하기 위한 모식도이다.
도 4는, 상기 기판 처리 장치의 전기적 구성을 설명하기 위한 블록도이다.
도 5는, 상기 기판 처리 장치에 의해 실행되는 기판 처리의 일례를 설명하기 위한 플로차트이다.
도 6a는, 상기 기판 처리 중의 기판의 상면의 주연부의 모습에 대해 설명하기 위한 모식도이다.
도 6b는, 상기 기판 처리 중의 기판의 상면의 주연부의 모습에 대해 설명하기 위한 모식도이다.
도 6c는, 상기 기판 처리 중의 기판의 상면의 주연부의 모습에 대해 설명하기 위한 모식도이다.
도 6d는, 상기 기판 처리 중의 기판의 상면의 주연부의 모습에 대해 설명하기 위한 모식도이다.
도 7은, 변형예에 따른 웨트 처리 유닛의 구성을 설명하기 위한 모식도이다.
도 8a는, 변형예에 따른 웨트 처리 유닛을 이용하여 실행되는 기판 처리 중의 기판의 상면의 주연부의 모습에 대해 설명하기 위한 모식도이다.
도 8b는, 변형예에 따른 웨트 처리 유닛을 이용하여 실행되는 기판 처리 중의 기판의 상면의 주연부의 모습에 대해 설명하기 위한 모식도이다.
도 8c는, 변형예에 따른 웨트 처리 유닛을 이용하여 실행되는 기판 처리 중의 기판의 상면의 주연부의 모습에 대해 설명하기 위한 모식도이다.
도 8d는, 변형예에 따른 웨트 처리 유닛을 이용하여 실행되는 기판 처리 중의 기판의 상면의 주연부의 모습에 대해 설명하기 위한 모식도이다.
도 9는, 이 발명의 제2 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 구성예를 설명하기 위한 평면도이다.
도 10은, 상기 제2 실시 형태에 따른 기판 처리 장치에 구비되는 드라이 처리 유닛의 구성을 설명하기 위한 모식도이다.
도 11은, 상기 제2 실시 형태에 따른 기판 처리 장치에 의해 실행되는 기판 처리를 설명하기 위한 플로차트이다.
도 12a는, 상기 제2 실시 형태에 따른 기판 처리 중의 기판의 상면의 주연부의 모습에 대해 설명하기 위한 모식도이다.
도 12b는, 상기 제2 실시 형태에 따른 기판 처리 중의 기판의 상면의 주연부의 모습에 대해 설명하기 위한 모식도이다.
도 12c는, 상기 제2 실시 형태에 따른 기판 처리 중의 기판의 상면의 주연부의 모습에 대해 설명하기 위한 모식도이다.
이하에서는, 이 발명의 실시의 형태를, 첨부 도면을 참조하여 설명한다.
＜제1 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 구성＞
도 1은, 이 발명의 제1 실시 형태에 따른 기판 처리 장치(1)의 구성예를 설명하기 위한 평면도이다.
기판 처리 장치(1)는, 기판(W)을 한 장씩 처리하는 매엽식 장치이다. 이 실시 형태에서는, 기판(W)은, 원판형상을 갖는다. 기판(W)은, 실리콘 웨이퍼 등의 기판이며, 한 쌍의 주면을 갖는다.
기판 처리 장치(1)는, 기판(W)을 처리하는 복수의 처리 유닛(2)과, 처리 유닛(2)에서 처리되는 복수 장의 기판(W)을 수용하는 캐리어(C)(수용기)가 재치(載置)되는 로드 포트(LP)(수용기 유지 유닛)와, 로드 포트(LP)와 처리 유닛(2) 사이에서 기판(W)을 반송하는 반송 로봇(제1 반송 로봇(IR) 및 제2 반송 로봇(CR))과, 기판 처리 장치(1)에 구비되는 각 부재를 제어하는 컨트롤러(3)를 포함한다.
제1 반송 로봇(IR)은, 캐리어(C)와 제2 반송 로봇(CR) 사이에서 기판(W)을 반송한다. 제2 반송 로봇(CR)은, 제1 반송 로봇(IR)과 처리 유닛(2) 사이에서 기판(W)을 반송한다. 각 반송 로봇은, 예를 들면, 다관절 아암 로봇이다.
복수의 처리 유닛(2)은, 제2 반송 로봇(CR)에 의해 기판(W)이 반송되는 반송 경로(TR)를 따라 반송 경로(TR)의 양측으로 배열되고, 또한, 상하 방향으로 적층되어 배열되어 있다.
복수의 처리 유닛(2)은, 수평으로 떨어진 4개의 위치에 각각 배치된 4개의 처리 타워(TW)를 형성하고 있다. 각 처리 타워(TW)는, 상하 방향으로 적층된 복수의 처리 유닛(2)을 포함한다. 처리 타워(TW)는, 반송 경로(TR)의 양측으로 2개씩 배치되어 있다.
처리 유닛(2)은, 처리액으로 기판(W)을 처리하는 웨트 처리 유닛(2W)이다. 처리액으로서는, 상세하게는 후술하지만, 보호막 형성액, 에칭액, 린스액, 제거액 등을 들 수 있다. 처리 유닛(2)은, 기판 처리 시에 기판(W)을 수용하는 챔버(4)를 구비하고 있다.
챔버(4)는, 제2 반송 로봇(CR)에 의해, 챔버(4) 내에 기판(W)을 반입하거나 챔버(4)로부터 기판(W)을 반출하거나 하기 위한 출입구(도시하지 않음)와, 출입구를 개폐하는 셔터 유닛(도시하지 않음)을 포함한다. 웨트 처리 유닛(2W)은, 챔버(4) 내에 배치된 처리 컵(6)을 구비하고 있으며, 처리 컵(6) 내에서 기판(W)을 처리한다.
도 2는, 기판 처리 장치(1)에서 처리되는 기판(W)의 구조를 설명하기 위한 모식도이다.
기판(W)은, 한 쌍의 주면(제1 주면(W1) 및 제2 주면(W2))과, 한 쌍의 주면의 주연부(제1 주연부(110) 및 제2 주연부(111))끼리 연결하는 외주단(E)을 갖는다. 각 주면은, 원 형상의 평탄부 및 평탄부에 연결되고 평탄부에 대해 경사지는 환상의 경사부를 갖고 있어도 된다. 각 주면의 주연부는, 예를 들면, 경사부의 전체와, 평탄부에 있어서 경사부에 인접하는 부분에 의해 구성되어 있다.
외주단(E)의 형상은 한정되는 것은 아니지만, 외주단(E)은, 이 실시 형태에서는, 기판(W)의 외측을 향하여 돌출되는 원호형상의 단면을 갖는다.
각 주면은, 요철 패턴을 갖는 디바이스가 형성된 디바이스면이어도 되고, 디바이스가 형성되지 않은 비(非)디바이스면이어도 된다.
한 쌍의 주면은, 제1 주면(W1)과, 제1 주면(W1)과는 반대 측의 면의 제2 주면(W2)에 의해 구성되어 있다. 제1 주면(W1)의 주연부를, 제1 주연부(110)라고 하고, 제2 주면(W2)의 주연부를 제2 주연부(111)라고 한다. 외주단(E)은, 제1 주연부(110) 및 제2 주연부(111)를 연결한다.
이 실시 형태에서는, 제1 주면(W1)이 디바이스면이고, 제2 주면(W2)이 비디바이스면이다.
기판(W)은, 하지층(112)과, 하지층(112) 상에 형성되고, 제1 주면(W1) 및 외주단(E)으로부터 노출되는 하지 최표층(113)을 갖는다. 하지 최표층(113)은, 예를 들면, 절연체층 또는 금속층이다. 하지층(112)은, 예를 들면, 적층 구조를 갖고 있으며, 반도체층, 절연체층, 금속층 중 적어도 어느 하나에 의해 구성되어 있다. 하지층(112)은, 예를 들면, 반도체층에 의해 구성되는 단층 구조를 갖고 있어도 된다.
절연체층은, 예를 들면, 산화실리콘(SiO2) 또는 질화실리콘(SiN)이다. 금속층은, 예를 들면, 텅스텐(W)이다. 반도체층은, 예를 들면, 실리콘(Si)이다.
이하에서는, 특단의 설명이 있는 경우를 제외하고, 상면(상측의 주면)이 제1 주면(W1)이고, 하면(하측의 주면)이 제2 주면(W2)인 예에 대해 설명한다.
＜제1 실시 형태에 따른 웨트 처리 유닛의 구성＞
도 3은, 웨트 처리 유닛(2W)의 구성을 설명하기 위한 모식도이다.
웨트 처리 유닛(2W)은, 기판(W)을 소정의 제1 처리 자세로 기판(W)을 유지하면서, 회전축선(A1) 둘레로 기판(W)을 회전시키는 스핀 척(5)과, 스핀 척(5)에 유지되어 있는 기판(W)의 상면(제1 주면(W1))을 향하여 처리액을 토출하는 복수의 상면 처리액 노즐(보호막 형성액 노즐(8) 및 제거액 노즐(9))과, 스핀 척(5)에 유지되어 있는 기판(W)의 하면(제2 주면(W2))을 향하여 에칭액 및 린스액을 선택적으로 토출하는 하면 처리액 노즐(10)을 추가로 구비한다.
스핀 척(5), 복수의 상면 처리액 노즐, 및, 하면 처리액 노즐(10)은, 챔버(4) 내에 배치되어 있다.
회전축선(A1)은, 기판(W)의 상면의 중심부(CP)를 지나, 제1 처리 자세로 유지되어 있는 기판(W)의 각 주면에 대해 직교한다. 이 실시 형태에서는, 제1 처리 자세는, 기판(W)의 주면이 수평면이 되는 수평 자세이다. 수평 자세는, 도 3에 나타내는 기판(W)의 자세이며, 제1 처리 자세가 수평 자세인 경우, 회전축선(A1)은, 연직으로 연장된다.
스핀 척(5)은, 처리 컵(6)에 둘러싸여 있다. 스핀 척(5)은, 기판(W)의 하면에 흡착하여 기판(W)을 제1 처리 자세로 유지하는 스핀 베이스(20)와, 회전축선(A1)을 따라 연장되고, 스핀 베이스(20)에 결합된 회전축(21)과, 회전축(21)을 회전축선(A1) 둘레로 회전시키는 회전 구동 기구(22)를 포함한다.
스핀 베이스(20)는, 기판(W)의 하면에 흡착하는 흡착면(20a)을 갖는다. 흡착면(20a)은, 예를 들면, 스핀 베이스(20)의 상면이며, 그 중심부를 회전축선(A1)이 지나는 원형상면이다. 흡착면(20a)의 직경은 기판(W)의 직경보다 작다. 회전축(21)의 상단부는, 스핀 베이스(20)에 결합되어 있다.
스핀 베이스(20) 및 회전축(21)에는, 흡인 경로(23)가 삽입되어 있다. 흡인 경로(23)는, 스핀 베이스(20)의 흡착면(20a)의 중심으로부터 노출되는 흡인구(23a)를 갖는다. 흡인 경로(23)는, 흡인 배관(24)에 연결되어 있다. 흡인 배관(24)은, 진공 펌프 등의 흡인 장치(25)에 연결되어 있다. 흡인 장치(25)는, 기판 처리 장치(1)의 일부를 구성하고 있어도 되고, 기판 처리 장치(1)를 설치하는 시설에 구비된 기판 처리 장치(1)와는 다른 장치여도 된다.
흡인 배관(24)에는, 흡인 배관(24)을 개폐하는 흡인 밸브(26)가 설치되어 있다. 흡인 밸브(26)를 엶으로써, 스핀 베이스(20)의 흡착면(20a)에 배치된 기판(W)이 흡인 경로(23)의 흡인구(23a)에 흡인된다. 그에 따라, 기판(W)은, 흡착면(20a)에 하방으로부터 흡착되어, 제1 처리 자세로 유지된다.
회전 구동 기구(22)에 의해 회전축(21)이 회전됨으로써, 스핀 베이스(20)가 회전된다. 이에 의해, 스핀 베이스(20)와 함께, 기판(W)이 회전축선(A1) 둘레로 회전된다.
스핀 베이스(20)는, 기판(W)을 소정의 제1 처리 자세(수평 자세)로 유지하는 기판 유지 부재의 일례이다. 스핀 척(5)은, 기판(W)을 소정의 제1 처리 자세(수평 자세)로 유지하면서, 회전축선(A1) 둘레로 기판(W)을 회전시키는 회전 유지 유닛의 일례이다. 스핀 척(5)은, 기판(W)을 흡착면(20a)에 흡착시키면서 기판(W)을 회전시키는 흡착 회전 유닛이라고도 한다.
복수의 상면 처리액 노즐은, 스핀 척(5)에 유지되어 있는 기판(W)의 상면을 향하여, 보호막 형성액의 연속류를 토출하는 보호막 형성액 노즐(8)과, 스핀 척(5)에 유지되어 있는 기판(W)의 상면을 향하여 제거액의 연속류를 토출하는 제거액 노즐(9)을 포함한다. 각 상면 처리액 노즐은, 기판(W)의 상면에 대해 비스듬하게 처리액을 토출하는 토출구(15)를 갖는다.
복수의 상면 처리액 노즐은, 각각, 복수의 노즐 구동 기구(제1 노즐 구동 기구(27) 및 제2 노즐 구동 기구(28))에 의해, 기판(W)의 상면을 따르는 방향(수평 방향)으로 이동된다. 노즐 구동 기구는, 대응하는 상면 처리액 노즐을, 중앙 위치와 퇴피 위치 사이에서 이동시킬 수 있다. 각 노즐 구동 기구는, 대응하는 상면 처리액 노즐을 주연 위치에 배치할 수도 있다.
중앙 위치는, 상면 처리액 노즐의 토출구(15)가 기판(W)의 상면의 회전 중심(중심부(CP))에 대향하는 위치이다. 퇴피 위치는, 상면 처리액 노즐의 토출구(15)가 기판(W)의 상면에 대향하지 않는 위치이며, 처리 컵(6)보다 외측의 위치이다. 주연 위치는, 상면 처리액 노즐의 토출구(15)가 기판(W)의 상면의 주연부에 대향하는 위치이다.
각 노즐 구동 기구는, 대응하는 상면 처리액 노즐을 지지하는 아암(도시하지 않음)과, 아암을 기판(W)의 상면을 따르는 방향(수평 방향)으로 이동시키는 아암 구동 기구(도시하지 않음)를 포함한다. 아암 구동 기구는, 전동 모터, 에어 실린더 등의 액추에이터를 포함한다.
각 상면 처리액 노즐은, 소정의 회동축선 둘레로 회동하는 회동식 노즐이어도 되고, 아암이 연장되는 방향으로 직선적으로 이동하는 직동식 노즐이어도 된다. 각 상면 처리액 노즐은, 연직 방향으로도 이동할 수 있도록 구성되어 있어도 된다. 이하에서 설명하는 다른 노즐 이동 기구에 대해서도 동일한 구성을 갖고 있다.
보호막 형성액 노즐(8)로부터 토출되는 보호막 형성액은, 폴리머, 및, 용매를 함유하는 폴리머 함유액이다. 보호막 형성액 노즐(8)은, 폴리머 함유액 노즐이라고도 한다.
보호막 형성액에 함유되는 폴리머는, 에칭액에 대한 용해성이 제거액에 대한 용해성보다 낮다. 폴리머는, 린스액에 대한 용해성이 제거액에 대한 용해성보다 낮다. 바꾸어 말하면, 폴리머는, 에칭액 및 린스액보다 제거액에 용해되기 쉬운 성질을 갖는다.
보호막 형성액에 함유되는 폴리머는, 예를 들면, 아크릴 수지, 페놀 수지, 에폭시 수지, 멜라민 수지, 요소 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 알키드 수지, 폴리우레탄, 폴리이미드, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리염화비닐, 폴리스티렌, 폴리아세트산비닐, 폴리테트라플루오로에틸렌, 아크릴로니트릴부타디엔스티렌 수지, 아크릴로니트릴스티렌 수지, 폴리아미드, 폴리아세탈, 폴리카보네이트, 폴리비닐알코올, 변성 폴리페닐렌에테르, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리페닐렌술피드, 폴리술폰, 폴리에테르에테르케톤, 폴리아미드이미드 등이다. 폴리머는, 이들의 혼합물이어도 된다.
보호막 형성액에 함유되는 용매는, 폴리머를 용해시키는 성질을 갖는다. 용매는, 예를 들면, 이소프로판올(IPA) 등의 유기용제를 함유한다.
용매는, 에탄올(EtOH), IPA 등의 알코올류, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르 등의 에틸렌글리콜모노알킬에테르류, 에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트 등의 에틸렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류, 프로필렌글리콜모노메틸에테르(PGME), 프로필렌글리콜모노에틸에테르(PGEE) 등의 프로필렌글리콜모노알킬에테르류, 락트산메틸, 락트산에틸(EL) 등의 락트산에스테르류, 톨루엔, 크실렌 등의 방향족 탄화수소류, 아세톤, 메틸에틸케톤, 2-헵타논, 시클로헥사논 등의 케톤류 중 적어도 한 종류를 함유한다.
보호막 형성액 노즐(8)은, 보호막 형성액을 보호막 형성액 노즐(8)에 안내하는 보호막 형성액 배관(40)에 접속되어 있다. 보호막 형성액 배관(40)에는, 보호막 형성액 배관(40)을 개폐하는 보호막 형성액 밸브(50)가 설치되어 있다. 보호막 형성액 밸브(50)가 열리면, 보호막 형성액 노즐(8)로부터 연속류의 보호막 형성액이 토출된다.
보호막 형성액 밸브(50)가 보호막 형성액 배관(40)에 설치된다는 것은, 보호막 형성액 밸브(50)가 보호막 형성액 배관(40)에 끼워 설치되는 것을 의미하고 있어도 된다. 이하에서 설명하는 다른 밸브에 있어서도 동일하다.
도시는 하지 않지만, 보호막 형성액 밸브(50)는, 밸브 시트가 내부에 설치된 밸브 보디와, 밸브 시트를 개폐하는 밸브체와, 열린 위치와 닫힌 위치 사이에서 밸브체를 이동시키는 액추에이터를 포함한다. 다른 밸브에 대해서도 동일한 구성을 갖고 있다.
기판(W)의 상면에 공급된 보호막 형성액으로부터 용매의 적어도 일부가 증발함으로써, 기판(W) 상의 보호막 형성액이 반고체상 또는 고체상의 폴리머막으로 변화한다.
반고체상이란, 고체 성분과 액체 성분이 혼합되어 있는 상태, 또는, 기판(W) 상에서 일정한 형상을 유지할 수 있을 정도의 점도를 갖는 상태이다. 고체상이란, 액체 성분이 함유되지 않으며, 고체 성분만에 의해 구성되어 있는 상태이다. 그 때문에, 폴리머막은, 기판(W)의 상면 상에서 확산되지 않으며, 형성되었을 때의 위치에 머문다. 용매가 잔존하고 있는 폴리머막을, 반고체막이라고 하고, 용매가 완전하게 소실되어 있는 폴리머막을 고체막이라고 한다. 폴리머막은, 보호막의 일례이다.
제거액 노즐(9)로부터 토출되는 제거액은, 폴리머막을 용해시킴으로써 기판(W)의 상면으로부터 폴리머막을 제거하는 액체이다. 제거액은, 에칭액 및 린스액보다 폴리머막을 용해시키기 쉬운 액체이다. 기판(W)의 상면에 잔류하는 폴리머막은, 제거액의 액류로부터 작용하는 에너지에 의해 기판(W) 밖으로 밀려나옴으로써 기판(W)의 상면으로부터 제거되어도 된다.
제거액 노즐(9)로부터 토출되는 제거액은, 예를 들면, IPA 등의 유기용제이다. 제거액으로서, 폴리머막 함유액의 용매로서 이용되는 유기용제로서 열거한 액체를 이용할 수 있다. 즉, 제거액으로서는, 보호막 형성액의 용매와 동종의 액체를 이용할 수 있다. 또, 제거액으로서, 폴리머 등의 유기물을 제거하는 산화력을 갖는 오존수를 이용해도 된다.
제거액 노즐(9)은, 제거액을 제거액 노즐(9)에 안내하는 제거액 배관(41)에 접속되어 있다. 제거액 배관(41)에는, 제거액 배관(41)을 개폐하는 제거액 밸브(51)가 설치되어 있다. 제거액 밸브(51)가 열리면, 제거액 노즐(9)로부터 연속류의 제거액이 토출된다.
하면 처리액 노즐(10)은, 스핀 척(5)에 유지되어 있는 기판(W)의 하면을 향하여, 에칭액의 연속류 및 린스액의 연속류를 선택적으로 토출한다.
하면 처리액 노즐(10)로부터 토출되는 에칭액은, 기판(W) 에칭하는 액체이다. 에칭액은, 예를 들면, 과산화수소수(H2O2), 오존수, 불산(HF), 희불산(DHF), 버퍼드 불산(BHF), 염산(HCl), HPM액(hydrochloric acid-hydrogen peroxide mixture：염산과산화수소수 혼합액), SPM액(sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture：황산과산화수소수 혼합액), 암모니아수, TMAH액(Tetramethylammonium hydroxide solution：수산화테트라메틸암모늄 용액), APM액(ammonia-hydrogen peroxide mixture：암모니아과산화수소수 혼합액), FPM액(hydrofluoric acid-hydrogen peroxide mixture：불산과산화수소 혼합액), 또는, FOM액(hydrofluoric acid-ozone mixture：불산 오존수 혼합액)을 함유한다.
하면 처리액 노즐(10)로부터 토출되는 린스액은, 기판(W)의 상면을 린스하고, 에칭액을 기판(W)의 상면으로부터 제거하는 액체이다. 린스액은, 예를 들면, DIW 등의 물이다. 단, 린스액은, DIW에 한정되지 않는다. 린스액은, 예를 들면, 탄산수, 전해 이온수, 희석 농도(예를 들면, 1ppm 이상이고, 또한, 100ppm 이하)의 염산수, 희석 농도(예를 들면, 1ppm 이상이고, 또한, 100ppm 이하)의 암모니아수, 또는, 환원수(수소수)여도 된다.
하면 처리액 노즐(10)은, 하면 처리액 노즐(10)에 처리액을 안내하는 하면 처리액 배관(42)에 접속되어 있다. 하면 처리액 배관(42)에는, 하면 처리액 배관(42)에 에칭액을 공급하는 하면 에칭액 배관(43), 및, 하면 처리액 배관(42)에 린스액을 공급하는 하면 린스액 배관(44)이 접속되어 있다. 하면 처리액 배관(42)은, 믹싱 밸브(도시하지 않음)를 통해 하면 에칭액 배관(43) 및 하면 린스액 배관(44)과 접속되어 있어도 된다.
하면 에칭액 배관(43)에는, 하면 에칭액 배관(43)을 개폐하는 하면 에칭액 밸브(53)가 설치되어 있다. 하면 린스액 배관(44)에는, 하면 린스액 배관(44)을 개폐하는 하면 린스액 밸브(54)가 설치되어 있다.
하면 처리액 노즐(10)은, 스핀 척(5)에 대한 위치가 고정되어 있다. 하면 처리액 노즐(10)은, 기판(W)의 하면의 주연부를 향하는 토출구(16)를 갖는다. 하면 에칭액 밸브(53)가 열리면, 하면 처리액 노즐(10)로부터 에칭액의 연속류가 기판(W)의 하면의 주연부를 향하여 토출된다. 하면 린스액 밸브(54)가 열리면, 하면 처리액 노즐(10)로부터 린스액의 연속류가 기판(W)의 하면의 주연부를 향하여 토출된다.
하면 처리액 노즐(10)은, 처리액을, 기판(W)의 하면에 공급하면 되고, 반드시 기판(W)의 하면의 주연부를 향하여 토출할 필요는 없다.
처리 컵(6)의 구성은, 특별히 한정되는 것은 아니다. 처리 컵(6)은, 예를 들면, 스핀 척(5)에 유지된 기판(W)으로부터 외방으로 비산하는 처리액을 받아내는 복수(도 3에서는 2개)의 가드(31)와, 복수의 가드(31)에 의해 하방으로 안내된 처리액을 각각 받아내는 복수(도 3에서는 2개)의 컵(32)과, 복수의 가드(31) 및 복수의 컵(32)을 둘러싸는 원통형상의 외벽 부재(33)를 포함한다.
각 가드(31)는, 기판(W)의 제1 주면(W1)의 평탄부에 대한 법선 방향(이하에서는 간단히, 「평면에서 봤을 때」라고 한다.)으로 스핀 척(5)을 둘러싸는 통형상의 형태를 갖고 있다. 각 가드(31)의 상단부는, 가드(31)의 내측을 향하도록 경사져 있다. 각 컵(32)은, 상향으로 개방된 환상 홈의 형태를 갖고 있다. 복수의 가드(31) 및 복수의 컵(32)은, 동축 상에 배치되어 있다.
복수의 가드(31)는, 가드 승강 구동 기구(도시하지 않음)에 의해 개별적으로 승강된다. 가드 승강 구동 기구는, 예를 들면, 복수의 가드(31)를 각각 승강 구동하는 복수의 액추에이터를 포함한다. 복수의 액추에이터는, 전동 모터 및 에어 실린더 중 적어도 한쪽을 포함한다.
＜제1 실시 형태에 따른 기판 처리의 전기적 구성＞
도 4는, 기판 처리 장치(1)의 전기적 구성을 설명하기 위한 블록도이다. 컨트롤러(3)는, 마이크로 컴퓨터를 구비하고, 소정의 제어 프로그램에 따라 기판 처리 장치(1)에 구비된 제어 대상을 제어한다.
구체적으로는, 컨트롤러(3)는, 프로세서(3A)(CPU)와, 제어 프로그램이 저장된 메모리(3B)를 포함한다. 컨트롤러(3)는, 프로세서(3A)가 제어 프로그램을 실행함으로써, 기판 처리를 위한 여러 가지 제어를 실행하도록 구성되어 있다.
특히, 컨트롤러(3)는, 제1 반송 로봇(IR), 제2 반송 로봇(CR), 회전 구동 기구(22), 제1 노즐 구동 기구(27), 제2 노즐 구동 기구(28), 흡인 밸브(26), 보호막 형성액 밸브(50), 제거액 밸브(51), 하면 에칭액 밸브(53), 하면 린스액 밸브(54) 등을 제어하도록 프로그램되어 있다.
이하에 나타내는 각 공정은, 컨트롤러(3)가 기판 처리 장치(1)에 구비되는 각 부재를 제어함으로써 실행된다. 바꾸어 말하면, 컨트롤러(3)는, 이하에 나타내는 각 공정을 실행하도록 프로그램되어 있다.
또, 도 4에는, 대표적인 부재가 도시되어 있는데, 도시되지 않은 부재에 대해 컨트롤러(3)에 의해 제어되지 않는 것을 의미하는 것은 아니며, 컨트롤러(3)는, 기판 처리 장치(1)에 구비되는 각 부재를 적절히 제어할 수 있다. 도 4에는, 후술하는 변형예 및 제2 실시 형태에서 설명하는 부재에 대해서도 병기하고 있으며, 이러한 부재도 컨트롤러(3)에 의해 제어된다.
＜기판 처리의 일례＞
도 5는, 기판 처리 장치(1)에 의해 실행되는 기판 처리의 일례를 설명하기 위한 플로차트이다. 도 6a~도 6d는, 기판 처리 중의 기판(W)의 제1 주면(W1)의 제1 주연부(110)의 모습에 대해 설명하기 위한 모식도이다.
기판 처리 장치(1)에 의한 기판 처리에서는, 예를 들면, 도 5에 나타내는 바와 같이, 반입 공정(단계 S1), 보호막 형성 공정(단계 S2), 에칭 공정(단계 S3), 린스 공정(단계 S4), 보호막 제거 공정(단계 S5), 스핀 드라이 공정(단계 S6), 및, 반출 공정(단계 S7)이 실행된다.
이하에서는, 도 3 및 도 5를 주로 참조하여, 기판 처리의 상세에 대해 설명한다. 도 6a~도 6d에 대해서는 적절히 참조한다.
우선, 미처리 기판(W)은, 제2 반송 로봇(CR)(도 1을 참조)에 의해 캐리어(C)로부터 웨트 처리 유닛(2W)에 반입되고, 스핀 척(5)에 건네진다(반입 공정：단계 S1). 이에 의해, 기판(W)은, 스핀 척(5)에 의해 제1 처리 자세로 유지된다(기판 유지 공정). 이 때, 기판(W)은, 제1 주면(W1)이 상면이 되도록 스핀 척(5)에 유지된다. 스핀 척(5)은, 기판(W)을 유지하면서 기판(W)의 회전을 개시한다(기판 회전 공정).
제2 반송 로봇(CR)이 챔버(4)로부터 퇴피한 후, 기판(W)의 제1 주면(W1)의 제1 주연부(110)에 보호막으로서의 폴리머막(100)(도 6b를 참조)을 형성하는 보호막 형성 공정(단계 S2)이 실행된다.
구체적으로는, 제1 노즐 구동 기구(27)가, 보호막 형성액 노즐(8)을 주연 위치로 이동시킨다. 보호막 형성액 노즐(8)이 주연 위치에 위치하는 상태에서, 보호막 형성액 밸브(50)가 열린다. 이에 의해, 도 6a에 나타내는 바와 같이, 제1 주면(W1)의 제1 주연부(110)를 향하여, 보호막 형성액 노즐(8)로부터 보호막 형성액이 공급(토출)된다(보호막 형성액 공급 공정, 보호막 형성액 토출 공정). 보호막 형성액 노즐(8)은, 보호막 형성액 토출 부재의 일례이다.
보호막 형성액 노즐(8)로부터 토출된 보호막 형성액은, 기판(W)의 제1 주면(W1)의 제1 주연부(110)에 착액한다. 기판(W) 상의 보호막 형성액은, 기판(W)의 회전에 기인하는 원심력에 의해, 기판(W)의 외주단(E)을 향하여 이동한다. 이에 의해, 기판(W)의 제1 주면(W1)에 있어서 제1 주연부(110)보다 내측의 영역(내측 영역(114))이 노출되도록, 제1 주면(W1)의 제1 주연부(110)가 보호막 형성액에 의해 덮인다(주연 피복 공정). 내측 영역(114)은, 제1 주연부(110)에 인접하고, 중심부(CP) 및 그 주위의 부분을 포함하는 영역이다.
보호막 형성액의 토출이 정지된 후, 기판(W)의 회전을 계속함으로써, 기판(W) 상의 보호막 형성액의 일부가 기판(W)의 외주단(E)으로부터 기판(W) 밖으로 비산된다. 이에 의해, 기판(W) 상의 보호막 형성액의 액막이 박막화된다(스핀오프 공정, 박막화 공정). 보호막 형성액 밸브(50)가 닫힌 후, 제1 노즐 구동 기구(27)에 의해 보호막 형성액 노즐(8)이 퇴피 위치로 이동된다.
기판(W)의 회전에 기인하는 원심력은, 기판(W) 상의 보호막 형성액뿐만 아니라, 기판(W) 상의 보호막 형성액에 접하는 기체에도 작용한다. 그 때문에, 원심력의 작용에 의해, 당해 기체가 중심부(CP)로부터 외주단(E)으로 향하는 방사상의 기류가 형성된다. 이 기류에 의해, 기판(W) 상의 보호막 형성액에 접하는 기체 상태의 용매가 기판(W)에 접하는 분위기로부터 배제된다. 그 때문에, 기판(W) 상의 보호막 형성액으로부터의 용매의 증발(휘발)이 촉진되고, 도 6b에 나타내는 바와 같이, 폴리머막(100)이 형성된다(증발 형성 공정, 폴리머막 형성 공정). 보호막 형성액 노즐(8)은, 보호막 형성 부재(폴리머막 형성 부재)로서 기능한다.
보호막 형성 공정에 있어서, 기판(W)의 회전은, 소정의 보호막 형성 가속도로 가속되고, 기판(W)의 회전 속도는 보호막 형성 속도(제1 속도)에 달한다(고속 회전 공정). 보호막 형성 속도는, 예를 들면, 1500rpm 이상 4000rpm 이하이다. 보호막 형성 가속도는, 예를 들면, 150rad/sec2 이상 2000rad/sec2 이하이다. 기판(W)은, 보호막 형성 공정에 있어서, 기판(W)의 회전 속도는 보호막 형성액의 공급 정지 전에 보호막 형성 속도에 달해도 되고, 보호막 형성액의 공급 정지 후에 보호막 형성 속도에 달해도 된다.
폴리머막(100)은, 기판(W)의 제1 주면(W1)의 제1 주연부(110)를 피복하고 있으며, 환상을 나타내고 있다. 보호막 형성 공정에 있어서 기판(W)이 고속 회전되기 때문에, 보호막 형성액은, 기판(W)으로부터 비산하기 쉽고 외주단(E)에는 부착되기 어렵다. 그 때문에, 폴리머막(100)은, 외주단(E)이 노출되도록 형성된다. 폴리머막(100)에 피복되지 않고 노출되는 외주단(E)의 폭(L1)은, 예를 들면, 0.3mm 이하인 것이 바람직하다.
보호막 형성 공정 후, 제1 주면(W1)의 제1 주연부(110)에 폴리머막(100)(보호막)이 형성되어 있는 상태에서, 제2 주면(W2)에 에칭액을 공급하고, 그 에칭액을 외주단(E)에 도달시켜, 외주단(E)을 에칭하는 에칭 공정(단계 S3)이 실행된다.
구체적으로는, 하면 에칭액 밸브(53)가 열린다. 이에 의해, 하면 처리액 노즐(10)로부터, 기판(W)의 제2 주면(W2)의 제2 주연부(111)를 향하여 에칭액이 토출된다(제1 에칭액 공급 공정, 제1 약액 토출 공정). 하면 처리액 노즐(10)로부터 토출된 에칭액은, 제2 주연부(111)에 착액한다.
제2 주면(W2) 상의 에칭액은, 기판(W)의 회전에 기인하는 원심력에 의해, 기판(W)의 외주단(E)을 향하여 이동하고, 외주단(E)에 달한다. 에칭액은, 원심력에 의해, 기판(W)의 외주단(E)으로부터 비산한다.
도 6c에 나타내는 바와 같이, 에칭액의 적어도 일부는, 기판(W)의 외주단(E)을 타고, 제1 주면(W1)의 제1 주연부(110)에 공급된다. 에칭액은, 제1 주면(W1)의 제1 주연부(110)에 있어서의 폴리머막(100)의 내주단(100a)으로까지는 도달하지 않으며, 내주단(100a)보다 외측에 머문다. 폴리머막(100)의 내주단(100a)은, 에칭액이 도달하는 위치(에칭액의 내주단(101))보다 내측에 위치한다. 이에 의해, 기판(W)의 외주단(E)이 에칭된다.
이와 같이, 제1 주연부(110)에 폴리머막(100)이 형성되어 있는 상태에서, 제2 주면(W2)에 에칭액을 공급하여, 외주단(E)이 에칭액으로 처리된다(제1 에칭액 공급 공정, 제1 약액 공급 공정). 하면 처리액 노즐(10)은, 제1 약액 공급 부재의 일례이다.
외주단(E)이 에칭액으로 처리될 때, 제1 주면(W1)의 제1 주연부(110)는, 폴리머막(100)에 의해 보호되어 있다. 그 때문에, 제2 주면(W2) 상의 에칭액이 제2 주연부(111) 및 외주단(E)을 타고 제1 주연부(110)에 달했다고 해도, 제1 주연부(110)가 에칭액으로 처리되는 것을 억제할 수 있다. 그 때문에, 기판(W)의 외주단(E)을 선택적으로 에칭액으로 처리할 수 있다. 그 결과, 에칭액에 의해 기판(W)의 외주단(E)을 정밀도 좋게 처리할 수 있다.
폴리머막(100)에 의해 피복되지 않고 노출되어 있는 외주단(E)의 폭(L1)은, 기판(W)에 있어서 에칭되는 부분의 폭, 즉, 에칭폭에 상당한다.
에칭 공정에 있어서, 기판(W)의 회전은 감속되고, 기판(W)의 회전 속도는 에칭 회전 속도(제3 속도)에 달한다(저속 회전 공정). 에칭 회전 속도는, 예를 들면, 500rpm 이상 1500rpm 이하이다. 에칭 회전 속도가 1500rpm일 때, 보호막 형성 속도는, 1500rpm보다 크고 4000rpm 이하인 것이 바람직하다.
다음에, 제2 주면(W2)에 린스액을 공급하여, 기판(W)으로부터 에칭액을 제거하는 린스 공정(단계 S4)이 실행된다.
구체적으로는, 하면 에칭액 밸브(53)를 닫음으로써 하면 처리액 노즐(10)로부터의 에칭액의 토출이 정지된다. 그리고, 하면 린스액 밸브(54)가 열리고, 하면 처리액 노즐(10)로부터, 제2 주면(W2)의 제2 주연부(111)를 향하여 린스액이 토출된다(제1 린스액 토출 공정). 하면 처리액 노즐(10)로부터 토출된 린스액은, 제2 주연부(111)에 착액한다.
제2 주면(W2) 상의 린스액은, 기판(W)의 회전에 기인하는 원심력에 의해, 기판(W)의 외주단(E)을 향하여 확산된다. 린스액은, 원심력에 의해, 기판(W)의 외주단(E)으로부터 비산한다.
도 6d에 나타내는 바와 같이, 린스액의 적어도 일부는, 기판(W)의 외주단(E)을 타고, 제1 주면(W1)의 제1 주연부(110)에 공급된다. 린스액은, 제1 주면(W1)의 제1 주연부(110)에 있어서 폴리머막(100)의 내주단(100a)으로까지는 도달하지 않고, 내주단(100a)보다 외측에 머문다. 폴리머막(100)의 내주단(100a)은, 린스액이 도달하는 위치(린스액의 내주단(102))보다 내측에 위치한다.
이에 의해, 폴리머막(100)의 표면, 외주단(E) 및 제2 주면(W2)에 부착되어 있던 에칭액이 린스액과 함께 기판(W) 밖으로 배제된다. 이에 의해, 폴리머막(100)의 표면, 외주단(E) 및 제2 주면(W2)으로부터 에칭액이 제거된다. 하면 처리액 노즐(10)은, 기판(W)의 하면에 린스액을 공급하여 기판(W)의 외주단(E)으로부터 에칭액을 제거하는 린스액 공급 부재의 일례이다.
이와 같이, 제1 주연부(110)에 폴리머막(100)이 형성되어 있는 상태에서, 제2 주면(W2)에 린스액을 공급하여, 외주단(E)으로부터 에칭액이 제거된다(제1 린스액 공급 공정).
린스 공정에 있어서, 기판(W)은 소정의 린스 회전 속도(제4 속도)로 회전된다. 린스 속도는, 예를 들면, 100rpm 이상 2000rpm 이하이다. 린스 회전 속도는, 에칭 회전 속도와 같은 속도여도 된다.
다음에, 기판(W)의 제1 주면(W1)을 향하여 제거액을 공급하고, 제1 주면(W1)의 제1 주연부(110)로부터 폴리머막(100)을 제거하는 보호막 제거 공정(단계 S5)이 실행된다.
구체적으로는, 제2 노즐 구동 기구(28)가, 제거액 노즐(9)을 주연 위치로 이동시킨다. 제거액 노즐(9)이 주연 위치에 위치하는 상태에서, 제거액 밸브(51)가 열린다. 이에 의해, 기판(W)의 제1 주면(W1)의 제1 주연부(110)를 향하여, 제거액 노즐(9)로부터 제거액이 공급(토출)된다(제거액 공급 공정, 제거액 토출 공정).
제거액 노즐(9)로부터 토출된 제거액은, 기판(W)의 제1 주면(W1)의 제1 주연부(110)에 착액한다. 제1 주면(W1) 상의 제거액은, 기판(W)의 회전에 기인하는 원심력에 의해, 기판(W)의 외주단(E)을 향하여 이동하고, 기판(W)의 외주단(E)으로부터 비산한다.
폴리머막(100)은, 제거액에 용해되고, 폴리머막(100)이 용해된 제거액과 함께 제1 주면(W1)으로부터 배출된다. 폴리머막(100) 모두가 제거액에 용해될 필요는 없으며, 폴리머막(100)의 일부는, 제거액의 액류에 의해 기판(W)의 제1 주면(W1)으로부터 박리되어 기판(W) 밖으로 배출되어도 된다. 이와 같이, 제1 약액 공급 공정 후, 제1 주면(W1)의 제1 주연부(110)로부터 보호막으로서의 폴리머막(100)이 제거된다(보호막 제거 공정, 폴리머막 제거 공정). 제거액 노즐(9)은, 보호막 제거 유닛의 일례이다.
다음에, 기판(W)을 회전시켜 기판(W)을 건조시키는 스핀 드라이 공정(단계 S6)이 실행된다. 구체적으로는, 제거액 밸브(51)를 닫아 기판(W)의 상면으로의 제거액의 공급을 정지시키고, 제2 노즐 구동 기구(28)가 제거액 노즐(9)을 퇴피 위치로 퇴피시킨다.
그리고, 기판(W)의 회전이 가속되어, 기판(W)의 회전 속도가 건조 속도(제2 속도)에 달한다. 건조 속도는, 에칭 회전 속도(제3 속도) 및 린스 속도(제4 속도)보다 고속도이며, 보호막 형성 속도(제1 속도)보다 저속도이다. 건조 속도는, 예를 들면, 1500rpm 이상 2000rpm 이하이다. 건조 속도가 1500rpm 이상 2000rpm 이하의 범위의 소정의 회전 속도여도, 보호막 형성 속도로서, 1500rpm 이상 4000rpm 이하의 범위에 있어서 건조 속도보다 고속도인 임의의 속도를 선택할 수 있다.
기판(W)을 제3 속도로 회전시킴으로써, 기판(W) 상의 액체(주로, 제거액)에 원심력이 작용한다. 이에 의해, 액체가 기판(W)의 주위로 떨쳐내어진다.
스핀 드라이 공정(단계 S6) 후, 스핀 척(5)이 기판(W)의 회전을 정지시킨다. 그 후, 제2 반송 로봇(CR)이, 웨트 처리 유닛(2W)에 진입하고, 스핀 척(5)으로부터 처리 완료된 기판(W)을 수취하여, 웨트 처리 유닛(2W) 밖으로 반출한다(반출 공정：단계 S7). 그 기판(W)은, 제2 반송 로봇(CR)으로부터 제1 반송 로봇(IR)으로 건네지고, 제1 반송 로봇(IR)에 의해, 캐리어(C)에 수납된다.
＜제1 실시 형태의 정리＞
제1 실시 형태와는 달리, 기판 처리를 행함으로써 기판(W)의 제1 주연부(110)에 있어서 하지 최표층(113)을 노출시키는 경우, 기판 처리 후에 실행될 수 있는 드라이 에칭 시에, 제1 주면(W1)의 제1 주연부(110)에 있어서 하지 최표층(113)이 데미지를 받을 우려가 있다. 데미지에 의해, 하지 최표층(113)에 요철이 발생하고, 요철을 구성하는 오목부의 내부에 파티클 등이 진입할 우려가 있다.
제1 실시 형태에 의하면, 외주단(E)을 노출시키도록 폴리머막(100)이 형성되고, 외주단(E)이 에칭된다. 그 때문에, 에칭폭을 극히 작게 할 수 있다. 따라서, 드라이 에칭에 의해 데미지를 받는 영역을 작게 할 수 있다. 나아가서는, 드라이 에칭 후에 파티클이 발생하는 것을 억제할 수 있다.
보호막 형성액의 점도는, 0.1Pa·sec 이상이고 15Pa·sec인 것이 바람직하다. 그러면, 폴리머막(100)에 피복되지 않고 노출되는 외주단(E)의 폭(L1)을 한층 더 작게 할 수 있다.
또, 폴리머막(100)의 두께는, 0.3mm 이하인 것이 바람직하다. 그러면, 폴리머막(100)에 피복되지 않고 노출되는 외주단(E)의 폭(L1)을 한층 더 작게 할 수 있다.
제1 실시 형태에 의하면, 보호막 형성 공정에서는, 제1 주면(W1)에 보호막 형성액이 부착되어 있는 상태에서, 스핀 드라이 시의 기판(W)의 회전 속도(제2 속도)보다 고속도인 보호막 형성 속도(제1 속도)로 기판(W)이 회전된다(고속 회전 공정). 따라서, 제1 주면(W1) 상의 보호막 형성액이, 외주단(E)을 통해 제2 주연부(111)에 달하는 것을 한층 더 억제할 수 있다.
또, 에칭 공정에서는, 보호막 형성 속도(제1 속도)보다 저속도인 에칭 회전 속도(제3 속도)로 기판(W)이 회전한다(저속 회전 공정). 그 때문에, 제1 주면(W1) 상의 보호막 형성액이, 외주단(E)을 통해 제2 주연부(111)에 달하는 것을 억제할 수 있다.
제1 실시 형태에 의하면, 제1 주면(W1)의 내측 영역(114)이 노출되도록, 제1 주연부(110)에 폴리머막(100)이 형성된다. 그 때문에, 제1 주면(W1)의 전체에 형성되는 경우와 비교하여, 보호막 형성액의 사용량을 저감할 수 있고, 또한, 제1 주면(W1)에 있어서 폴리머막(100)이 형성되는 영역을 작게 할 수 있다. 또, 보호막 형성 공정에 있어서 내측 영역(114)에 폴리머막(100)이 형성되지 않기 때문에, 보호막 제거 공정 후에 폴리머막(100)이 잔사로서 내측 영역(114)에 남는 것을 미연에 방지할 수 있다.
또, 제1 실시 형태에 따른 기판 처리의 보호막 제거 공정에서는, 내측 영역(114)이 노출되어 있는데, 제거액 노즐(9)로부터 기판(W)의 제1 주면(W1)의 중심부(CP)를 향하여 제거액을 토출하여 기판(W)의 제1 주면(W1)의 전체에 제거액을 공급해도 된다. 그 경우, 기판(W)의 제1 주면(W1)의 전체를 제거액으로 세정할 수 있다.
＜변형예에 따른 웨트 처리 유닛＞
도 7은, 변형예에 따른 웨트 처리 유닛(2W)의 구성을 설명하기 위한 모식도이다. 도 7에 나타내는 바와 같이, 웨트 처리 유닛(2W)의 복수의 상면 처리액 노즐이, 보호막 형성액 노즐(8) 및 제거액 노즐(9)에 더하여, 에칭액 노즐(11) 및 린스액 노즐(12)을 포함하고 있어도 된다. 또, 각 상면 처리액 노즐의 토출구(15)가 기판(W)의 상면에 대해 수직(연직 방향)으로 처리액을 토출하도록 구성되어 있어도 된다.
에칭액 노즐(11)을 기판(W)의 상면을 따르는 방향(수평 방향)으로 이동시키는 노즐 구동 기구를, 제3 노즐 구동 기구(29)라고 한다. 린스액 노즐(12)을 기판(W)의 상면을 따르는 방향(수평 방향)으로 이동시키는 노즐 구동 기구를, 제4 노즐 구동 기구(30)라고 한다. 노즐 구동 기구의 상세는, 상술과 같다.
에칭액 노즐(11)로부터 토출되는 에칭액으로서는, 하면 처리액 노즐(10)로부터 토출되는 에칭액으로서 열거한 액체를 이용할 수 있다. 린스액 노즐(12)로부터 토출되는 린스액으로서는, 하면 처리액 노즐(10)로부터 토출되는 린스액으로서 열거한 액체를 이용할 수 있다.
에칭액 노즐(11)은, 에칭액을 에칭액 노즐(11)에 안내하는 에칭액 배관(45)에 접속되어 있다. 에칭액 배관(45)에는, 에칭액 배관(45)을 개폐하는 에칭액 밸브(55)가 설치되어 있다. 에칭액 밸브(55)가 열리면, 에칭액 노즐(11)로부터 연속류의 에칭액이 토출된다.
린스액 노즐(12)은, 린스액을 린스액 노즐(12)에 안내하는 린스액 배관(46)에 접속되어 있다. 린스액 배관(46)에는, 린스액 배관(46)을 개폐하는 린스액 밸브(56)가 설치되어 있다. 린스액 밸브(56)가 열리면, 린스액 노즐(12)로부터 연속류의 린스액이 토출된다.
＜변형예에 따른 웨트 처리 유닛을 이용한 기판 처리＞
웨트 처리 유닛(2W)의 구성이 도 7에 나타내는 구성인 경우, 이하의 기판 처리를 실행할 수 있다. 도 8a~도 8d는, 변형예에 따른 웨트 처리 유닛(2W)을 이용하여 실행되는 기판 처리 중의 기판(W)의 제1 주면(W1)의 제1 주연부(110)의 모습에 대해 설명하기 위한 모식도이다.
도 8a~도 8d에 나타내는 기판 처리가 도 5~도 6d에 나타내는 기판 처리와 주로 상이한 점은, 보호막 형성 공정에 있어서, 보호막으로서의 폴리머막(100)이 기판(W)의 제1 주면(W1)의 전체에 형성되는 점이다.
이하에서는, 도 8a~도 8d에 나타내는 기판 처리가 도 5~도 6d에 나타내는 기판 처리와 상이한 점을 중심으로 설명한다. 예를 들면, 기판 처리 중의 회전 속도에 대해서는, 도 5~도 6d에 나타내는 기판 처리와 동일하기 때문에, 언급하지 않는다.
구체적으로는, 제2 반송 로봇(CR)으로부터 스핀 척(5)에 기판(W)이 건네진 후, 제1 노즐 구동 기구(27)가, 보호막 형성액 노즐(8)을 중앙 위치로 이동시킨다. 보호막 형성액 노즐(8)이 중앙 위치에 위치하는 상태에서, 보호막 형성액 밸브(50)가 열린다. 이에 의해, 도 8a에 나타내는 바와 같이, 회전 상태의 기판(W)의 제1 주면(W1)의 중심부(CP)를 향하여, 보호막 형성액 노즐(8)로부터 보호막 형성액이 공급(토출)된다(보호막 형성액 공급 공정, 보호막 형성액 토출 공정).
보호막 형성액 노즐(8)로부터 토출된 보호막 형성액은, 기판(W)의 제1 주면(W1)의 중심부(CP)에 착액한다. 기판(W) 상의 보호막 형성액은, 기판(W)의 회전에 기인하는 원심력에 의해, 기판(W)의 외주단(E)을 향하여 방사상으로 확산된다. 이에 의해, 기판(W)의 제1 주면(W1)의 대략 전체가 보호막 형성액에 의해 덮인다(피복 공정). 상세하게는, 보호막 형성액에 의해, 내측 영역(114) 및 제1 주연부(110)가 덮인다.
보호막 형성액의 토출이 정지된 후, 기판(W)의 회전을 계속함으로써, 기판(W) 상의 보호막 형성액의 일부가 기판(W)의 외주단(E)으로부터 기판(W) 밖으로 비산한다. 이에 의해, 기판(W) 상의 보호막 형성액의 액막이 박막화된다(스핀오프 공정, 박막화 공정). 보호막 형성액 밸브(50)가 닫힌 후, 제1 노즐 구동 기구(27)에 의해 보호막 형성액 노즐(8)이 퇴피 위치로 이동된다.
기판(W)의 회전에 기인하는 원심력의 작용에 의해, 기판(W) 상의 보호막 형성액으로부터의 용매의 증발(휘발)이 촉진되고, 도 8b에 나타내는 바와 같이, 폴리머막(100)이 형성된다(증발 형성 공정). 폴리머막(100)은, 기판(W)의 제1 주면(W1)의 대략 전체를 피복하고 있으며, 원 형상을 나타내고 있다. 상세하게는, 폴리머막(100)은, 내측 영역(114) 및 제1 주연부(110)를 덮고 있다.
폴리머막(100)이 형성된 후, 에칭 공정(단계 S3)이 실행된다. 이 기판 처리에 있어서의 에칭 공정에서는, 제1 주면(W1)의 제1 주연부(110)에 폴리머막(100)(보호막)이 형성되어 있는 상태에서, 제1 주면(W1) 및 제2 주면(W2) 양쪽에 에칭액을 공급함으로써 외주단(E)이 에칭된다.
구체적으로는, 제3 노즐 구동 기구(29)가, 에칭액 노즐(11)을 중앙 위치에 배치한다. 에칭액 노즐(11)이 중앙 위치에 위치하는 상태에서, 에칭액 밸브(55)가 열린다. 이에 의해, 기판(W)의 제1 주면(W1)의 중심부(CP)를 향하여 에칭액 노즐(11)로부터 에칭액이 토출된다(제2 에칭액 공급 공정, 제2 약액 토출 공정). 에칭액 노즐(11)은, 제2 약액 공급 부재의 일례이다. 에칭액 노즐(11)로부터 토출된 에칭액은, 제1 주면(W1)의 중심부(CP)에 착액한다.
제1 주면(W1) 상의 에칭액은, 기판(W)의 회전에 기인하는 원심력에 의해, 기판(W)의 외주단(E)을 향하여 방사상으로 확산된다. 에칭액은, 원심력에 의해, 기판(W)의 외주단(E)에 도달하고, 그곳으로부터 외방으로 비산한다.
에칭액 밸브(55)가 열리는 타이밍과 거의 동시에, 하면 에칭액 밸브(53)가 열린다. 이에 의해, 하면 처리액 노즐(10)로부터, 기판(W)의 제2 주면(W2)의 제2 주연부(111)를 향하여 에칭액이 토출된다(제1 에칭액 공급 공정, 제1 약액 토출 공정). 하면 처리액 노즐(10)로부터 토출된 에칭액은, 제2 주연부(111)에 착액한다.
제2 주면(W2) 상의 에칭액은, 기판(W)의 회전에 기인하는 원심력에 의해, 기판(W)의 외주단(E)을 향하여 이동한다. 에칭액은, 원심력에 의해, 기판(W)의 외주단(E)에 도달하고, 그곳으로부터 외방으로 비산한다.
이와 같이, 제1 주연부(110)에 폴리머막(100)이 형성되어 있는 상태에서, 제2 주면(W2)에 에칭액을 공급하고, 그 에칭액이 외주단(E)에 도달함으로써, 외주단(E)이 에칭액으로 처리된다(제1 에칭액 공급 공정, 제1 약액 공급 공정). 그리고, 제1 에칭액 공급 공정에 있어서의 제2 주면(W2)으로의 약액의 공급 중에, 폴리머막(100)의 표면을 향하여 에칭액이 공급된다(제2 에칭액 공급 공정, 제2 약액 공급 공정).
도 8c에 나타내는 바와 같이, 제1 주면(W1) 및 제2 주면(W2) 양쪽에 대해 에칭액이 공급됨으로써, 제1 주면(W1) 및 제2 주면(W2) 양쪽으로부터, 기판(W)의 외주단(E)에 에칭액을 확실성 높게 공급할 수 있다.
다음에, 제2 주면(W2)에 린스액을 공급하여, 기판(W)으로부터 에칭액을 제거하는 린스 공정(단계 S4)이 실행된다. 린스 공정에 있어서도, 기판(W)의 제1 주면(W1) 및 제2 주면(W2) 양쪽에 린스액이 공급된다.
구체적으로는, 에칭액 밸브(55)를 닫음으로써, 에칭액 노즐(11)로부터의 에칭액의 토출이 정지된다. 에칭액 노즐(11)로부터의 에칭액의 토출이 정지되는 상태에서, 제3 노즐 구동 기구(29)가 에칭액 노즐(11)을 퇴피 위치로 이동시킨다.
에칭액 밸브(55)가 닫히는 타이밍과 거의 동시에, 하면 에칭액 밸브(53)가 닫힌다. 이에 의해, 하면 처리액 노즐(10)로부터의 에칭액의 토출이 정지된다.
그 한편으로, 제4 노즐 구동 기구(30)가, 린스액 노즐(12)을 중앙 위치로 이동시킨다. 기판(W)으로의 에칭액의 공급이 정지되어 있으며, 또한, 린스액 노즐(12)이 중앙 위치에 위치하는 상태에서, 린스액 밸브(56)가 열린다. 이에 의해, 기판(W)의 제1 주면(W1)의 중심부(CP)를 향하여 린스액 노즐(12)로부터 린스액이 토출된다(제2 린스액 토출 공정). 린스액 노즐(12)로부터 토출된 린스액은, 제1 주면(W1)의 중심부(CP)에 착액한다.
제1 주면(W1) 상의 린스액은, 기판(W)의 회전에 기인하는 원심력에 의해, 기판(W)의 외주단(E)을 향하여 방사상으로 확산된다. 린스액은, 원심력에 의해, 기판(W)의 외주단(E)으로부터 비산한다.
린스액 밸브(56)가 열리는 타이밍과 거의 동시에, 하면 린스액 밸브(54)가 열린다. 이에 의해, 하면 처리액 노즐(10)로부터, 제2 주면(W2)의 제2 주연부(111)를 향하여 린스액이 토출된다(제1 린스액 토출 공정). 하면 처리액 노즐(10)로부터 토출된 린스액은, 제2 주연부(111)에 착액한다.
제2 주면(W2) 상의 린스액은, 기판(W)의 회전에 기인하는 원심력에 의해, 기판(W)의 외주단(E)을 향하여 확산된다. 린스액은, 원심력에 의해, 기판(W)의 외주단(E)으로부터 비산한다.
도 8d에 나타내는 바와 같이, 제1 주면(W1) 및 제2 주면(W2) 양쪽에 대해 린스액이 공급됨으로써, 폴리머막(100)은, 외주단(E) 및 제2 주면(W2)에 부착되어 있던 에칭액이 린스액과 함께 기판(W) 밖으로 배제된다. 이에 의해, 기판(W)의 외주단(E)으로부터 에칭액이 제거된다.
이와 같이, 제1 주연부(110)에 폴리머막(100)이 형성되어 있는 상태에서, 제2 주면(W2)에 린스액을 공급하여, 외주단(E)으로부터 에칭액이 제거된다(제1 린스액 공급 공정). 그리고, 제1 린스액 공급 공정에 있어서의 제2 주면(W2)으로의 린스액의 공급 중에, 폴리머막(100)의 표면을 향하여 린스액이 공급된다(제2 린스액 공급 공정).
다음에, 기판(W)의 제1 주면(W1)을 향하여 제거액을 공급하여, 제1 주면(W1)의 제1 주연부(110)로부터 폴리머막(100)을 제거하는 폴리머막 제거 공정(단계 S5)이 실행된다.
구체적으로는, 제2 노즐 구동 기구(28)가, 제거액 노즐(9)을 중앙 위치로 이동시킨다. 제거액 노즐(9)이 중앙 위치에 위치하는 상태에서, 제거액 밸브(51)가 열린다. 이에 의해, 기판(W)의 제1 주면(W1)의 중심부(CP)를 향하여, 제거액 노즐(9)로부터 제거액이 공급(토출)된다(제거액 공급 공정, 제거액 토출 공정).
제거액 노즐(9)로부터 토출된 제거액은, 기판(W)의 제1 주면(W1)의 중심부(CP)에 착액한다. 제1 주면(W1) 상의 제거액은, 기판(W)의 회전에 기인하는 원심력에 의해, 기판(W)의 외주단(E)을 향하여 방사상으로 확산되고, 기판(W)의 외주단(E)으로부터 비산한다.
폴리머막(100)은, 제거액에 용해되고, 폴리머막(100)이 용해된 제거액과 함께 제1 주면(W1)으로부터 배출된다. 폴리머막(100) 모두가 제거액에 용해될 필요는 없으며, 폴리머막(100)의 일부는, 제거액의 액류에 의해 기판(W)의 상면으로부터 박리되어 기판(W) 밖으로 배출되어도 된다.
그 후, 스핀 드라이 공정(단계 S6) 및 반출 공정(단계 S7)이 실행되고, 기판 처리가 종료된다.
변형예에 따른 기판 처리에서는, 제2 주면(W2)으로의 에칭액의 공급 중에, 폴리머막(100)의 표면을 향하여 에칭액이 공급된다. 폴리머막(100)의 표면에 부착되어 있는 파티클 등을 에칭액에 의해 씻어낼 수 있다. 따라서, 보호막 제거 공정에 의해 폴리머막(100)이 제거될 때에, 폴리머막(100)에 부착되어 있는 파티클 등에 의해 제1 주면(W1)이 오염되는 것을 억제할 수 있다.
＜제2 실시 형태에 따른 기판 처리 장치＞
도 9는, 이 발명의 제2 실시 형태에 따른 기판 처리 장치(1A)의 구성예를 설명하기 위한 평면도이다. 도 10에서는, 전술의 도 1~도 8d에 나타내어진 구성과 동등한 구성에 대해서는, 도 1 등과 동일한 참조 부호를 붙이고 그 설명을 생략한다. 후술하는 도 10~도 12c에 있어서도 동일하다.
제2 실시 형태에 따른 기판 처리 장치(1A)가, 제1 실시 형태에 따른 기판 처리 장치(1)와 주로 상이한 점은, 보호막액 형성액으로서 소수화액이 이용되는 점, 및, 복수의 처리 유닛(2)이 복수의 드라이 처리 유닛(2D)을 포함하는 점이다. 이 실시 형태에서는, 보호막 형성액 노즐(8)은, 소수화액 노즐이기도 하다.
보호막 형성액으로서 이용되는 소수화액은, 기판(W)의 하지 최표층(113)을 변질(예를 들면, 메틸화)시켜 순수에 대한 기판(W)의 상면의 접촉각을 상승시키는 액체이다. 소수화에 의해, 기판(W)의 제1 주면(W1)의 접촉각은, 예를 들면, 90°이상으로 상승한다. 소수화액은, 물의 부착을 억제할 수 있기 때문에, 발수화액이라고도 한다.
소수화액은, 예를 들면, 실리콘 자체 및 실리콘을 포함하는 화합물을 소수화시키는 실리콘계의 소수화액, 또는 금속 자체 및 금속을 포함하는 화합물을 소수화시키는 메탈계의 소수화액을 이용할 수 있다.
메탈계의 소수화액은, 예를 들면, 소수기를 갖는 아민, 및 유기 실리콘 화합물 중 적어도 하나를 함유한다.
실리콘계의 소수화액은, 예를 들면, 실란 커플링제이다. 실란 커플링제는, 예를 들면, HMDS(헥사메틸디실라잔), TMS(테트라메틸실란), 불소화알킬클로로실란, 알킬디실라잔, 및 비(非)클로로계의 소수화제 중 적어도 하나를 함유한다.
비클로로계의 소수화액은, 예를 들면, 디메틸실릴디메틸아민, 디메틸실릴디에틸아민, 헥사메틸디실라잔, 테트라메틸디실라잔, 비스(디메틸아미노)디메틸실란, N,N-디메틸아미노트리메틸실란, N-(트리메틸실릴)디메틸아민 및 오르가노실란 화합물 중 적어도 하나를 함유한다.
도 9에 나타내는 예에서는, 제1 반송 로봇(IR) 측의 2개의 처리 타워(TW)가, 복수의 웨트 처리 유닛(2W)에 의해 구성되어 있으며, 제1 반송 로봇(IR)과는 반대 측의 2개의 처리 타워(TW)가, 복수의 드라이 처리 유닛(2D)에 의해 구성되어 있다. 드라이 처리 유닛(2D)은, 챔버(4) 내에 배치되고, 그 내부에서 기판(W)에 대해 광 조사를 행하는 광 조사 챔버(71)를 포함한다.
＜드라이 처리 유닛의 구성＞
도 10은, 제2 실시 형태에 따른 드라이 처리 유닛(2D)의 구성을 설명하기 위한 모식도이다.
광 조사 처리 유닛(70)은, 기판(W)이 재치되는 재치면(72a)을 갖는 베이스(72)와, 재치면(72a)에 재치된 기판(W)의 상면을 향하여 자외선 등의 광을 출사하는 광 출사 부재(73)와, 베이스(72)를 관통하여 상하로 움직이는 복수의 리프트 핀(75)과, 복수의 리프트 핀(75)을 상하 방향으로 이동시키는 핀 구동 기구(76)를 구비하고 있다. 광 조사 챔버(71)는, 베이스(72)를 수용한다.
광 조사 챔버(71)의 측벽에는, 기판(W)의 반입출구(71a)가 형성되어 있으며, 광 조사 챔버(71)는, 반입출구(71a)를 개폐시키는 게이트 밸브(71b)를 갖는다. 반입출구(71a)가 열려 있을 때, 제2 반송 로봇(CR)(도시하지 않음)이 광 조사 챔버(71)에 액세스할 수 있다. 기판(W)은, 베이스(72) 상에 재치됨으로써, 소정의 제2 처리 자세로 수평으로 유지된다. 이 실시 형태에서는, 제2 처리 자세는, 도 10에 나타내는 기판(W)의 자세이며, 예를 들면, 수평 자세이다.
광 출사 부재(73)는, 예를 들면, 복수의 광 조사 램프 등의 광원을 포함하고 있다. 광 조사 램프는, 예를 들면, 크세논 램프, 수은 램프, 중수소 램프 등이다. 광 출사 부재(73)는, 예를 들면, 1nm 이상 400nm 이하, 바람직하게는, 1nm 이상 300nm 이하의 자외선을 조사하도록 구성되어 있다. 구체적으로는, 광 출사 부재(73)에는, 전원 등의 통전 유닛(74)이 접속되어 있으며, 통전 유닛(74)으로부터 전력이 공급됨으로써, 광 출사 부재(73)가 광을 출사한다.
복수의 리프트 핀(75)은, 베이스(72) 및 광 조사 챔버(71)를 관통하는 복수의 관통 구멍에 각각 삽입되어 있다. 복수의 리프트 핀(75)은, 핀 구동 기구(76)에 의해, 재치면(72a)보다 상방에서 기판(W)을 지지하는 상측 위치(도 10에 이점 쇄선으로 나타내는 위치)와, 선단부(상단부)가 재치면(72a)보다 하방으로 몰입되는 하측 위치(도 10에 실선으로 나타내는 위치) 사이에서 상하로 움직이게 된다. 핀 구동 기구(76)는, 전동 모터 또는 에어 실린더를 포함하고 있어도 되고, 이들 이외의 액추에이터를 포함하고 있어도 된다.
＜제2 실시 형태에 따른 기판 처리＞
도 11은, 제2 실시 형태에 따른 기판 처리 장치(1A)에 의해 실행되는 기판 처리를 설명하기 위한 플로차트이다. 도 12a 및 도 12b는, 제2 실시 형태에 따른 기판 처리 중의 기판(W)의 제1 주면(W1)의 제1 주연부(110)의 모습에 대해 설명하기 위한 모식도이다.
제2 실시 형태에 따른 기판 처리에서는, 예를 들면, 도 11에 나타내는 바와 같이, 제1 반입 공정(단계 S10), 보호막 형성 공정(단계 S11), 에칭 공정(단계 S12), 린스 공정(단계 S13), 스핀 드라이 공정(단계 S14), 제1 반출 공정(단계 S15), 제2 반입 공정(단계 S16), 보호막 제거 공정(단계 S17), 및, 제2 반출 공정(단계 S18)이 실행된다.
제1 반입 공정(단계 S10), 보호막 형성 공정(단계 S11), 에칭 공정(단계 S12), 린스 공정(단계 S13), 스핀 드라이 공정(단계 S14), 및, 제1 반출 공정(단계 S15)은, 제1 실시 형태에 따른 기판 처리(도 5를 참조)의 반입 공정(단계 S1), 보호막 형성 공정(단계 S2), 에칭 공정(단계 S3), 린스 공정(단계 S4), 스핀 드라이 공정(단계 S6), 및, 반출 공정(단계 S7) 각각과 동일하다.
그 때문에, 이하에서는, 이러한 공정에 있어서, 예를 들면, 제1 실시 형태에 따른 기판 처리와 상이한 부분에 대해 주로 설명한다. 기판 처리 중의 회전 속도에 대해서는, 도 5~도 6d에 나타내는 기판 처리와 동일하기 때문에, 언급하지 않는다.
보호막 형성 공정(단계 S11)에서는, 도 12a에 나타내는 바와 같이, 보호막 형성액을 기판(W)의 제1 주면(W1)의 제1 주연부(110)에 공급함으로써, 제1 주연부(110)에 있어서 하지 최표층(113)을 변질시켜 보호막으로서의 소수막(105)이 형성된다. 제1 주면(W1) 상의 액막으로부터 용매를 증발시켜 보호막을 형성하는 것이 아닌, 하지 최표층(113)을 변질(소수화)시킴으로써, 보호막으로서의 소수막(105)이 형성된다(소수막 형성 공정). 소수막(105)은 발수막이라고도 한다.
그 후의 에칭 공정(단계 S12)에서는, 도 12b에 나타내는 바와 같이, 소수막(105)을 제거하지 않고, 외주단(E)의 표면으로부터 노출되는 하지 최표층(113)을 에칭할 수 있다.
에칭액은, 제1 주면(W1)의 제1 주연부(110)에 있어서의 소수막(105)의 내주단(105a)으로까지는 도달하지 않고, 내주단(105a)보다 외측에 머문다. 소수막(105)의 내주단(105a)은, 제1 주면(W1)의 제1 주연부(110)에 있어서 에칭액이 도달하는 위치(에칭액의 내주단(101))보다 내측에 위치한다.
에칭 공정(단계 S12) 후의 린스 공정(단계 S13)에서는, 도 12c에 나타내는 바와 같이, 폴리머막(100), 외주단(E) 및 제2 주면(W2)에 부착되어 있던 에칭액이 린스액과 함께 기판(W) 밖으로 배제된다. 이에 의해, 기판(W)의 외주단(E)으로부터 에칭액이 제거된다.
린스액은, 제1 주면(W1)의 제1 주연부(110)에 있어서 소수막(105)의 내주단(105a)으로까지는 도달하지 않고, 내주단(105a)보다 외측에 머문다. 소수막(105)의 내주단(105a)은, 린스액이 도달하는 위치(린스액의 내주단(102))보다 내측에 위치한다.
스핀 드라이 공정(단계 S14)에 있어서, 기판(W)이 건조된 후, 제2 반송 로봇(CR)에 의해 웨트 처리 유닛(2W)으로부터 기판(W)이 반출된다(제1 반출 공정：단계 S15).
제1 반출 공정(단계 S15) 후, 기판(W)은, 제2 반송 로봇(CR)에 의해 드라이 처리 유닛(2D)에 반입되고, 복수의 리프트 핀(75)에 건네진다(제2 반입 공정：단계 S16). 그 후, 핀 구동 기구(76)에 의해 복수의 리프트 핀(75)이 하측 위치로 이동함으로써 베이스(72)의 재치면(72a)에 기판(W)이 재치된다. 이 때, 기판(W)은, 제1 주면(W1)이 상면이 되도록 재치면(72a)에 재치된다.
기판(W)이 재치면(72a)에 재치되어 있는 상태에서, 통전 유닛(74)으로부터 광 출사 부재(73)에 전력을 공급함으로써, 광 출사 부재(73)로부터 광(L)이 출사된다(광 출사 공정). 광 출사 부재(73)로부터 출사된 광(L)이 제1 주면(W1)에 조사된다(광 조사 공정). 광의 조사에 의해, 보호막으로서의 소수막(105)이 제거된다(소수막 제거 공정, 보호막 제거 공정：단계 S17). 상세하게는, 광이 조사됨으로써, 소수막(105)이 변질(친수화)되어 하지 최표층(113)으로 되돌아온다. 이와 같이, 제1 약액 공급 공정 후, 소수막(105)이 제거된다. 광 출사 부재(73)는, 보호막 제거 유닛의 일례이다.
소수막(105)이 제거된 후, 핀 구동 기구(76)가 복수의 리프트 핀(75)을 상측 위치에 이동시킴으로써, 복수의 리프트 핀(75)이 베이스(72)의 재치면(72a)으로부터 기판(W)을 들어 올린다. 제2 반송 로봇(CR)은, 복수의 리프트 핀(75)으로부터 기판(W)을 수취하여, 드라이 처리 유닛(2D)으로부터 기판(W)을 반출한다(제2 반출 공정：단계 S18). 그 기판(W)은, 제2 반송 로봇(CR)으로부터 제1 반송 로봇(IR)으로 건네지고, 제1 반송 로봇(IR)에 의해, 캐리어(C)에 수납된다.
제2 실시 형태에 의하면, 제1 실시 형태와 동일한 효과를 나타낸다.
＜그 외의 실시 형태＞
이 발명은, 이상으로 설명한 실시 형태에 한정되는 것은 아니며, 또 다른 형태로 실시할 수 있다.
(1) 하면 처리액 노즐(10)은, 스핀 베이스(20)의 둘레 방향을 따라 복수 설치되어 있어도 된다. 복수의 하면 처리액 노즐(10)로부터 기판(W)의 하면을 향하여 처리액이 토출됨으로써, 둘레 방향의 전역에 기판(W)의 하면에 처리액을 고르게 공급할 수 있다.
(2) 상술의 실시 형태에서는, 소수막(105)은, 광 조사에 의해 친수화된다. 소수막(105)은, 광 조사 이외의 처리에 의해 친수화되어도 된다. 예를 들면, 소수막(105)에 액체를 공급함으로써 소수막(105)이 친수화되어도 된다. 또, 소수막(105)에 오존 가스 등의 친수화 가스에 의해 소수막(105)이 친수화되어도 된다. 소수막(105)에 친수화 가스를 공급하면서, 제1 주면(W1)에 광을 조사함으로써, 소수막(105)이 친수화되어도 된다.
(3) 상술의 실시 형태에서는, 폴리머막(100)은, 제거액의 공급에 의해 제거된다. 그러나, 폴리머막(100)은, 제거액의 공급 이외의 처리에 의해 제거되어도 된다. 예를 들면, 폴리머막(100)은, 광 조사에 의해 제거되어도 되고, 가스상의 제거제에 의해 제거되어도 된다.
또, 폴리머막(100)은, 폴리머가 분해 또는 전위됨으로써 제1 주면(W1)의 제1 주연부(110)로부터 제거되어도 된다.
(4) 도 7의 변형예에 따른 웨트 처리 유닛(2W)을 제2 실시 형태에 따른 기판 처리 장치(1A)에 적용하는 것도 가능하다. 그렇게 함으로써, 기판(W)의 상면의 전체에 소수막(105)을 형성하고, 기판(W)의 상면 및 하면 양쪽에 에칭액을 공급하는 기판 처리를 실행할 수 있다.
또, 보호막 형성 속도(제1 속도)가, 반드시 스핀 드라이 시의 기판(W)의 회전 속도(제2 속도)보다 고속도일 필요는 없으며, 에칭 회전 속도(제3 속도)가, 보호막 형성 속도(제1 속도)보다 고속도일 필요도 없다. 그러나, 상술의 실시 형태와 같이, 제1 속도가 제2 속도 및 제3 속도보다 고속도이면, 제1 속도가 제2 속도 및 제3 속도 이하의 속도인 경우와 비교하여, 제1 주면(W1) 상의 보호막 형성액이 제2 주연부(111)에 달하는 것을 억제하기 쉽다.
(5) 제1 처리 자세 및 제2 처리 자세는, 반드시 수평 자세일 필요는 없다. 즉, 제1 처리 자세 및 제2 처리 자세는, 연직 자세로 유지되어 있어도 되고, 기판(W)의 주면이 수평면에 대해 경사지는 자세여도 된다.
또, 기판(W)의 제1 주면(W1)이 하면이 되도록 기판(W)이 유지되어도 된다. 즉, 상술의 각 실시 형태에 따른 기판 처리와는 달리, 기판(W)의 하면에 대해 처리가 행해져도 된다. 구체적으로는, 기판 처리 장치가, 기판(W)의 하면의 주연부에 보호막을 형성하고, 에칭액에 의해 기판(W)의 상면의 주연부 및 기판(W)의 외주단(E)을 처리하는 기판 처리를 실행할 수 있도록 구성되어 있어도 된다.
(6) 상술의 각 실시 형태에서는, 에칭에 의한 기판 처리가 실행된다. 기판 처리에서는, 에칭 이외의 처리가 행해져도 되고, 에칭액 이외의 약액에 의한 처리가 실행되어도 된다.
(7) 상술의 각 실시 형태에서는, 복수의 상면 처리액 노즐로부터 복수의 처리액이 각각 토출되도록 구성되어 있다. 그러나, 처리액의 토출의 양태는, 상술의 각 실시 형태에 한정되지 않는다. 예를 들면, 상술의 실시 형태와는 달리, 챔버(4) 내에서 위치가 고정된 고정 노즐로부터 처리액이 토출되어도 되고, 전체 처리액이 단일의 노즐로부터 기판(W)의 상면으로 향하여 토출되도록 구성되어 있어도 된다.
또, 복수의 상면 처리액 노즐이 단일의 노즐 구동 기구에 의해 일체로 이동되도록 구성되어 있어도 된다.
또한, 상술의 각 실시 형태에서는, 처리액을 토출하는 부재로서 노즐을 예시하고 있는데, 각 처리액을 토출하는 부재는, 노즐에 한정되지 않는다. 즉, 각 처리액을 토출하는 부재는, 처리액을 토출하면 처리액 토출 부재로서 기능하는 부재이면 된다.
(8) 상술의 실시 형태에서는, 기판(W)의 상면에 연속류의 보호막 형성액을 공급하고, 원심력으로 보호막 형성액을 확산시킴으로써 폴리머막(100) 또는 소수막(105)을 형성하고 있다. 그러나, 보호막 형성액의 공급 방법은, 이것에 한정되지 않는다.
예를 들면, 기판(W)의 상면에 보호막 형성액을 공급하면서, 보호막 형성액 노즐(8)을 기판(W)의 상면을 따르는 방향으로 이동시켜도 된다. 또, 상술의 실시 형태와는 달리, 폴리머막(100)을 형성할 때, 기판(W) 상의 보호막 형성액을 가열함으로써, 용매의 증발을 촉진하여, 폴리머막(100)의 형성을 촉진해도 된다.
또, 상술의 실시 형태와는 달리, 보호막 형성액을 기판(W)의 상면에 도포함으로써, 폴리머막(100) 또는 소수막(105)을 기판(W)의 상면에 형성해도 된다. 상세하게는, 보호막 형성액이 표면에 부착된 바형상의 도포 부재를 기판(W)의 상면에 접촉시키면서 기판(W)의 상면을 따라 이동시킴으로써 기판(W)의 상면에 보호막 형성액을 도포해도 된다.
(9) 상술 제1 실시 형태와는 달리, 웨트 처리 유닛(2W)에 광 출사 부재(73)가 설치되어 있어도 된다. 그 경우, 광 출사 부재(73)의 광원은, 챔버(4) 밖에 배치되어 있는 것이 바람직하다. 예를 들면, 광원이 챔버(4) 밖에 배치되어 있으며, 광원으로부터 출사되는 광(L)을 통과시키는 광파이버(도시하지 않음)의 선단이 챔버(4) 내에 배치되어 있어도 된다. 그러면, 드라이 처리 유닛(2D)을 설치하지 않고 소수막 제거 공정을 실행할 수 있다.
(10) 상술의 각 실시 형태에서는, 스핀 척(5)은, 스핀 베이스(20)에 기판(W)을 흡착시키는 흡착식의 스핀 척이다. 스핀 척(5)은, 흡착식의 스핀 척에 한정되지 않는다. 예를 들면, 스핀 척(5)은, 기판(W)의 외주단(E)을 복수의 파지(把持) 핀(도시하지 않음)으로 파지하는 파지식의 스핀 척이어도 된다. 파지식의 스핀 척을 채용하는 경우, 기판(W)에 처리액을 공급할 때, 제1군의 복수의 파지 핀과, 제2군의 복수의 파지 핀으로 기판(W)을 바꿔 드는 것이 바람직하다.
파지식의 스핀 척(5)을 채용했을 경우, 기판(W)의 하면의 중심부에 대향하는 하면 처리액 노즐을 설치하는 것이 가능하다. 그 때문에, 기판(W)의 하면의 중심부로 향하여 처리액을 토출시킬 수 있다.
(11) 상술의 각 실시 형태에 있어서, 배관, 펌프, 밸브, 액추에이터 등에 대한 도시를 일부 생략하고 있지만, 이러한 부재가 존재하지 않는 것을 의미하는 것은 아니며, 실제로는 이러한 부재는 적절한 위치에 설치되어 있다.
(12) 상술의 각 실시 형태에서는, 컨트롤러(3)가 기판 처리 장치(1)의 전체를 제어한다. 그러나, 기판 처리 장치(1)의 각 부재를 제어하는 컨트롤러는, 복수 개소에 분산되어 있어도 된다. 또, 컨트롤러(3)는, 각 부재를 직접 제어할 필요는 없으며, 컨트롤러(3)로부터 출력되는 신호는, 기판 처리 장치(1)의 각 부재를 제어하는 슬레이브 컨트롤러에 수신되어도 된다.
(13) 또, 상술의 실시 형태에서는, 기판 처리 장치(1, 1A)가, 반송 로봇(제1 반송 로봇(IR) 및 제2 반송 로봇(CR))과, 복수의 처리 유닛(2)과, 컨트롤러(3)를 구비하고 있다. 그러나, 기판 처리 장치(1, 1A)는, 단일의 처리 유닛(2)과 컨트롤러(3)에 의해 구성되어 있으며, 반송 로봇을 포함하지 않아도 된다. 혹은, 기판 처리 장치(1, 1A)는, 단일의 처리 유닛(2)만에 의해 구성되어 있어도 된다. 바꾸어 말하면, 처리 유닛(2)이 기판 처리 장치의 일례여도 된다.
(14) 또한, 상술의 실시 형태에서는, 「따른다」, 「수평」, 「연직」, 「원통」 등과 같은 표현을 이용했지만, 엄밀하게 「따른다」, 「수평」, 「연직」, 「원통」인 것을 필요로 하지 않는다. 즉, 이들 각 표현은, 제조 정밀도, 설치 정밀도 등의 어긋남을 허용하는 것이다.
(15) 또, 각 구성을 모식적으로 블록으로 나타내고 있는 경우가 있지만, 각 블록의 형상, 크기 및 위치 관계는, 각 구성의 형상, 크기 및 위치 관계를 나타내는 것은 아니다.
본 발명의 실시 형태에 대해 상세하게 설명해 왔는데, 이들은 본 발명의 기술적 내용을 분명히 하기 위해 이용된 구체예에 지나지 않고, 본 발명은 이러한 구체예에 한정하여 해석되어야 하는 것은 아니며, 본 발명의 범위는 첨부의 청구의 범위에 의해서만 한정된다.
1：기판 처리 장치
1A：기판 처리 장치
8：보호막 형성액 노즐(보호막 형성 부재)
9：제거액 노즐(보호막 제거 유닛)
10：하면 처리액 노즐(약액 공급 부재)
11：에칭액 노즐(약액 공급 부재)
62：광 출사 부재(보호막 제거 유닛)
100：폴리머막(보호막)
100a：내주단
105：소수막(보호막)
105a：내주단
110：제1 주연부
111：제2 주연부
A1：회전축선
CP：중심부
W：기판
W1：제1 주면
W2：제2 주면

Claims (12)

  1. 제1 주연부를 갖는 제1 주면과, 상기 제1 주면과는 반대 측의 면이며 제2 주연부를 갖는 제2 주면과, 상기 제1 주연부 및 상기 제2 주연부를 연결하는 외주단을 갖는 기판을 처리하는 기판 처리 방법으로서,
    상기 제1 주면에 보호막 형성액을 공급하여, 상기 제1 주연부에 보호막을 형성하는 보호막 형성 공정과,
    상기 제1 주연부에 상기 보호막이 형성되어 있는 상태에서, 상기 제2 주면에 약액을 공급하고, 당해 약액을 상기 외주단에 도달시켜, 당해 외주단을 상기 약액으로 처리하는 제1 약액 공급 공정과,
    상기 제1 약액 공급 공정 후, 상기 보호막을 제거하는 보호막 제거 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 보호막 형성 공정이, 상기 제1 주면에 보호막 형성액이 부착되어 있는 상태에서, 상기 제1 주면의 중심부를 지나는 회전축선 둘레로 제1 속도로 상기 기판을 회전시키는 고속 회전 공정을 포함하고,
    상기 제1 약액 공급 공정 후, 상기 제1 속도보다 저속도인 제2 속도로 상기 기판을 회전시켜 상기 기판을 건조시키는 스핀 드라이 공정을 추가로 포함하는, 기판 처리 방법.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 제1 약액 공급 공정이, 상기 제2 주면에 약액을 공급하면서, 상기 제1 속도 및 상기 제2 속도보다 저속도인 제3 속도로 상기 기판을 회전시키는 저속 회전 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.
  4. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 보호막 제거 공정이, 상기 보호막을 제거하는 제거액을 상기 제1 주면에 공급하는 제거액 공급 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.
  5. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 보호막 제거 공정이, 상기 제1 주면에 대해 광을 조사하는 광 조사 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.
  6. 청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 보호막 형성 공정이, 상기 제1 주면에 있어서 상기 제1 주연부에 인접하는 내측 영역이 노출되도록, 상기 제1 주연부에 상기 보호막을 형성하는 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.
  7. 청구항 6에 있어서,
    상기 제1 약액 공급 공정이, 상기 외주단을 통해 상기 제2 주면으로부터 상기 제1 주연부에 약액을 도달시키는 공정을 포함하고,
    상기 보호막 형성 공정에 있어서 형성되는 상기 보호막의 내주단이, 상기 제1 주면의 상기 제1 주연부에 있어서 약액이 도달하는 위치보다 내측에 위치하는, 기판 처리 방법.
  8. 청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 보호막 형성 공정이, 상기 제1 주면의 전체에 상기 보호막을 형성하는 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.
  9. 청구항 8에 있어서,
    상기 제1 약액 공급 공정에 있어서의 상기 제2 주면으로의 약액의 공급 중에, 상기 보호막의 표면을 향하여 약액을 공급하는 제2 약액 공급 공정을 추가로 포함하는, 기판 처리 방법.
  10. 청구항 1 내지 청구항 9 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 보호막 형성 공정이, 상기 보호막 형성액으로서, 폴리머를 함유하는 폴리머 함유액을 상기 제1 주면에 공급함으로써, 상기 보호막으로서, 폴리머를 함유하는 폴리머막을 형성하는 폴리머막 형성 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.
  11. 청구항 1 내지 청구항 9 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 보호막 형성 공정이, 상기 보호막 형성액으로서 소수화액을 상기 제1 주면에 공급함으로써, 상기 보호막으로서 소수막을 형성하는 소수막 형성 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.
  12. 제1 주연부를 갖는 제1 주면과, 상기 제1 주면과는 반대 측의 면이며 제2 주연부를 갖는 제2 주면과, 상기 제1 주연부 및 상기 제2 주연부를 연결하는 외주단을 갖는 기판을 처리하는 기판 처리 장치로서,
    상기 제1 주면에 보호막 형성액을 공급하여, 상기 제1 주연부에 보호막을 형성하는 보호막 형성 부재와,
    상기 제1 주연부에 상기 보호막이 형성되어 있는 상태에서, 상기 제2 주면에 약액을 공급하여, 상기 제2 주면, 및, 상기 외주단을 약액으로 처리하는 약액 공급 부재와,
    상기 보호막을 제거하는 보호막 제거 유닛을 포함하는, 기판 처리 장치.
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