TWI704614B - 基板處理方法以及基板處理裝置 - Google Patents

基板處理方法以及基板處理裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI704614B
TWI704614B TW107122120A TW107122120A TWI704614B TW I704614 B TWI704614 B TW I704614B TW 107122120 A TW107122120 A TW 107122120A TW 107122120 A TW107122120 A TW 107122120A TW I704614 B TWI704614 B TW I704614B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
coating film
main surface
substrate
cleaning
unit
Prior art date
Application number
TW107122120A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201911407A (zh
Inventor
中井仁司
金松泰範
Original Assignee
日商斯庫林集團股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商斯庫林集團股份有限公司 filed Critical 日商斯庫林集團股份有限公司
Publication of TW201911407A publication Critical patent/TW201911407A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI704614B publication Critical patent/TWI704614B/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67023—Apparatus for fluid treatment for general liquid treatment, e.g. etching followed by cleaning
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67046—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly scrubbing means, e.g. brushes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)

Abstract

基板處理方法係包含有：基板保持步驟，係水平地保持具有第一主面以及與前述第一主面相反側的第二主面之基板；被覆膜形成步驟，係將被覆劑供給至前述第一主面，藉此形成用以覆蓋前述第一主面之昇華性的被覆膜；以及被覆膜洗淨步驟，係洗淨前述被覆膜的表面。

Description

基板處理方法以及基板處理裝置
本發明係有關於一種用以處理基板之基板處理方法以及基板處理裝置。成為處理對象之基板係包括例如半導體晶圓、液晶顯示裝置用基板、有機EL(Electroluminescence；電致發光)顯示裝置等FPD(Flat Panel Display；平面顯示器)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、光磁碟用基板、光罩(photomask)用基板、陶瓷基板、太陽電池用基板等基板。
在葉片式的基板處理裝置所為之基板處理中，逐片地處理基板。詳細而言，藉由自轉夾具(spin chuck)大致水平地保持基板。而且，在藉由藥液洗淨基板的主面後，藉由清洗(rinse)液清洗主面。之後，進行用以從基板上排除清洗液之旋乾(spin-drying)步驟(參照例如日本特開2001-156362號公報)。
以藥液處理基板的主面，藉此於基板的主面露出金屬圖案(pattern)。當在露出金屬圖案的狀態下長時間置放基板 時，會有金屬圖案氧化之虞。因此，在日本特開2016-197762號公報以及日本特開2015-149410號公報中揭示有一種基板處理方法，係形成用以被覆基板的主面之表塗(top coat)膜。藉此，抑制金屬圖案的氧化。在對基板的主面施予進一步的處理時，去除表塗膜。
在日本特開2016-197762號公報中記載有一種方法，係藉由去除液去除表塗膜後，以清洗液洗淨基板的主面。另一方面，於日本特開2015-149410號公報(第四實施形態)中記載有一種方法，係藉由昇華去除表塗膜。
在日本特開2016-197762號公報所記載的基板處理中，會有在甩離清洗液時無法去除進入至形成於基板的主面的金屬圖案間的清洗液之虞。如此，會有產生乾燥不良之虞。由於進入至金屬圖案的內部之清洗液的液面(空氣與液體之間的界面)係形成於金屬圖案內，因此液體的表面張力係作用於液面與金屬圖案之間的接觸位置。會有金屬圖案因為該表面張力而崩壞之虞。
在日本特開2015-149410號公報(第四實施形態)的基板理中，與日本特開2016-197762號公報的基板處理不同，於表塗膜的去除未使用液體。因此，能抑制金屬圖案的崩壞。然而，在表塗膜的表面被污染之情形中，當表塗膜昇 華時，會有附著於表塗膜的表面的髒污(微粒(particle))殘留於基板的主面之虞。
因此，本發明的目的之一在於提供一種基板處理方法以及基板處理裝置，係能在於基板的主面形成有被覆膜之構成中抑制該主面的污染。
本發明的基板處理方法係包含有：基板保持步驟，係水平地保持具有第一主面以及與前述第一主面相反側的第二主面之基板；被覆膜形成步驟，係將被覆劑供給至前述第一主面，藉此形成用以覆蓋前述第一主面之昇華性的被覆膜；以及被覆膜洗淨步驟，係洗淨前述被覆膜的表面。
依據本方法，在被覆膜形成步驟中形成有昇華性的被覆膜。因此，可從第一主面去除被覆膜而無須使用用以從第一主面去除被覆膜之液體。此外，在被覆膜洗淨步驟中，洗淨昇華性的被覆膜的表面。因此，即使於被覆膜洗淨步驟後被覆膜昇華，亦能抑制附著於被覆膜的表面的髒污殘留於第一主面。因此，能抑制基板的第一主面的污染。
在本發明的實施形態之一中，前述基板處理方法係進一步包含有：第二主面洗淨步驟，係於前述被覆膜形成步驟結束後洗淨前述第二主面。而且，前述被覆膜洗淨步驟係在前述第二主面洗淨步驟結束後開始或者與前述第二主 面洗淨步驟並行地執行。
依據本方法，藉由第二主面洗淨步驟洗淨第二主面。另一方面，會有附著於第二主面的洗淨液浮游於基板的周邊並附著於被覆膜的表面之虞。亦會有著液於第二主面的洗淨液朝配置於基板的周邊的構件飛散並反濺回該構件且附著於被覆膜的表面之虞。再者，亦會有著液於第二主面的洗淨液繞入至第一主面側並附著於被覆膜的表面之虞。會有暫時著液於第二主面的洗淨液包含有微粒等髒污之情形。反濺回配置於基板的周邊的構件之洗淨液更容易包含有微粒等髒污。
依據本基板處理方法，被覆膜洗淨步驟係在第二主面洗淨步驟的結束後開始，或者被覆膜洗淨步驟係與第二主面洗淨步驟並行地執行。因此，即使在起因於第二主面洗淨步驟洗淨液附著於被覆膜的表面之情形中，亦能在被覆膜洗淨步驟中洗淨被覆膜的表面。因此，在藉由第二主面洗淨步驟洗淨第二主面之基板處理方法中，能抑制第一主面的污染。
在本發明的實施形態之一中，前述被覆膜洗淨步驟係包含有：第一洗淨步驟，係於前述第二主面洗淨步驟結束後開始前述被覆膜的表面的洗淨。在此，由於著液於第二主面的洗淨液到達被覆膜的表面需要預定時間，因此會有 在第二主面洗淨步驟結束後直至經過該預定時間為止的期間洗淨液附著於被覆膜的表面之可能性。如本基板處理方法般，只要為在第二主面洗淨步驟後開始被覆膜的表面的洗淨之方法，即能確實地去除起因於第二主面洗淨步驟附著於被覆膜的表面的洗淨液。此外，即使是在從第二主面洗淨步驟開始前於被覆膜的表面附著有髒污之情形中，亦能將該髒污與起因於第二主面洗淨步驟附著於被覆膜的表面的洗淨液同時去除。
在本發明的實施形態之一中，前述被覆膜洗淨步驟係包含有：第二洗淨步驟，係與前述第二主面洗淨步驟並行，用以洗淨前述被覆膜的表面。
因此，能立即地去除起因於第二主面洗淨步驟附著於被覆膜的表面的洗淨液。在第二主面洗淨步驟開始前被覆膜的表面已經附著有髒污之情形中，能開始去除該髒污直至著液於第二主面的洗淨液到達被覆膜的表面為止。再者，能縮短直至被覆膜洗淨步驟結束為止的時間。因此，能使每單位時間所能處理的基板的片數增多。亦即，能謀求產能的提升。如此，能謀求產能的提升，並抑制第一主面的污染。
由於在著液於第二主面的洗淨液到達被覆膜的表面為止需要預定時間，因此會有在第二主面洗淨步驟結束後直 至經過該預定時間為止的期間洗淨液附著於被覆膜的表面之可能性。因此，在本發明的實施形態之一中，前述第二洗淨步驟係在前述第二主面洗淨步驟結束後結束。因此，能進一步抑制被覆膜洗淨步驟結束後被污染的洗淨液附著於被覆膜的表面。
在本發明的實施形態之一中，前述基板處理方法係進一步包含有：保護液供給步驟，係將用以保護前述被覆膜的表面之保護液供給至前述被覆膜的表面。而且，前述保護液供給步驟係在前述被覆膜洗淨步驟開始前與前述第二主面洗淨步驟並行地執行。因此，藉由保護液抑制被污染的洗淨液附著於被覆膜的表面。因此，能抑制第一主面的污染。
在本發明的實施形態之一中，前述被覆膜洗淨步驟係包含有下述步驟：對前述被覆膜的表面供給洗淨液，藉此洗淨前述被覆膜的表面。在被覆膜洗淨步驟中被供給至被覆膜的表面的洗淨液係在被覆膜的表面上擴展。因此，能減少被覆膜的表面的洗淨時間。
在本發明的實施形態之一中，前述被覆膜洗淨步驟係包含有用以去除前述被覆膜的表層之步驟。在此，會有因為微粒強力地附著於被覆膜的表面而難以從被覆膜的表面去除微粒之情形。即使在此種情形中，亦能在被覆膜洗淨 步驟中將被覆膜的表層與微粒一起去除。因此，能確實地洗淨被覆膜的表面。
在本發明的實施形態之一中，前述被覆膜形成步驟係包含有：固化步驟，係在前述被覆劑被供給至前述第一主面後，藉由加熱前述基板使前述被覆劑固化並形成前述被覆膜。因此，能確實地形成被覆膜。
在此，會有被供給至第一主面的被覆劑係從第一主面的周緣部繞入至第二主面並附著於第二主面的周緣部之情形。在本發明的實施形態之一中，前述基板處理方法係進一步包含有：周緣洗淨步驟，係於前述固化步驟開始前洗淨前述第二主面的周緣。因此，能抑制被覆劑導致第二主面的污染。
在本發明的實施形態之一中，前述基板處理方法係進一步包含有：昇華步驟，係於前述被覆膜洗淨步驟結束後使前述被覆膜昇華。因此，被覆膜昇華而露出第一主面。由於在被覆膜洗淨步驟中洗淨被覆膜的表面，因此能抑制附著於被覆膜的表面的髒污在被覆膜昇華後殘留於第一主面。亦即，抑制第一主面的污染。
在本發明的實施形態之一中，於前述第一主面形成有金屬圖案。因此，依據用以將昇華性的被覆膜形成於第一 主面並洗淨該被覆膜的表面之基板處理方法，即能抑制金屬圖案的崩壞並抑制第一主面的污染。
在本發明的實施形態之一中，提供一種基板處理裝置，係包含有：基板保持單元，係水平地保持具有第一主面以及與前述第一主面相反側的第二主面之基板；被覆劑供給單元，係將被覆劑供給至前述第一主面，前述被覆劑係可形成用以覆蓋前述第一主面之昇華性的被覆膜；被覆膜洗淨單元，係洗淨前述被覆膜的表面；以及控制器，係控制前述基板保持單元、前述被覆劑供給單元以及前述被覆膜洗淨單元；前述控制器係被編程為執行：基板保持步驟，係藉由前述基板保持單元水平地保持前述基板；被覆膜形成步驟，係從前述被覆劑供給單元將前述被覆劑供給至前述第一主面，藉此形成前述被覆膜；以及被覆膜洗淨步驟，係藉由前述被覆膜洗淨單元洗淨前述被覆膜的表面。
依據本裝置，在被覆膜形成步驟中形成有昇華性的被覆膜。因此，可從第一主面去除被覆膜而無須使用用以從第一主面去除被覆膜之液體。此外，在被覆膜洗淨步驟中，洗淨昇華性的被覆膜的表面。因此，即使於被覆膜洗淨步驟後被覆膜昇華，亦能抑制附著於被覆膜的表面的髒污殘留於第一主面。因此，能抑制基板的第一主面的污染。
在本發明的實施形態之一中，前述基板處理裝置係進 一步包含有：第二主面洗淨單元，係洗淨前述第二主面。而且，前述控制器係被編程為進一步執行：第二主面洗淨步驟，係於前述被覆膜形成步驟結束後藉由前述第二主面洗淨單元洗淨前述第二主面。再者，前述控制器係被編程為：在前述第二主面洗淨步驟結束後開始前述被覆膜洗淨步驟或者與前述第二主面洗淨步驟並行地執行前述被覆膜洗淨步驟。
依據本裝置，藉由第二主面洗淨步驟洗淨第二主面。另一方面，會有在第二主面洗淨步驟中附著於第二主面的洗淨液浮游於基板的周邊並附著於被覆膜的表面之虞。亦會有著液於第二主面的洗淨液朝配置於基板的周邊的構件飛散並反濺回該構件且附著於被覆膜的表面之虞。再者，亦會有著液於第二主面的洗淨液繞入至第一主面側並附著於被覆膜的表面之虞。會有暫時著液於第二主面的洗淨液包含有微粒等髒污之情形。反濺回基板處理裝置所具備的構件之洗淨液更容易包含有微粒等髒污。
依據本基板處理裝置，被覆膜洗淨步驟係在第二主面洗淨步驟的結束後開始，或者被覆膜洗淨步驟係與第二主面洗淨步驟並行地執行。因此，即使在起因於第二主面洗淨步驟洗淨液附著於被覆膜的表面之情形中，亦能在被覆膜洗淨步驟中洗淨被覆膜的表面。因此，在藉由第二主面洗淨步驟洗淨第二主面之基板處理裝置中，能抑制第一主 面的污染。
在本發明的實施形態之一中，前述控制器係被編程為：在前述被覆膜洗淨步驟中執行第一洗淨步驟，前述第一洗淨步驟係於前述第二主面洗淨步驟結束後藉由前述被覆膜洗淨單元開始前述被覆膜的洗淨。在此，由於著液於第二主面的洗淨液到達被覆膜的表面需要預定時間，因此會有在第二主面洗淨步驟結束後直至經過該預定時間為止的期間洗淨液附著於被覆膜的表面之可能性。如本基板處理裝置般，只要為在第二主面洗淨步驟後開始被覆膜的表面的洗淨之構成，即能確實地去除起因於第二主面洗淨步驟附著於被覆膜的表面的洗淨液。此外，即使是在從第二主面洗淨步驟開始前於被覆膜的表面附著有髒污之情形中，亦能將該髒污與起因於第二主面洗淨步驟附著於被覆膜的表面的洗淨液同時去除。
在本發明的實施形態之一中，前述控制器係被編程為：在前述被覆膜洗淨步驟中執行第二洗淨步驟，前述第二洗淨步驟係與前述第二主面洗淨步驟並行，用以藉由前述被覆膜洗淨單元洗淨前述被覆膜的表面。
因此，能立即地去除起因於第二主面洗淨步驟附著於被覆膜的表面的洗淨液。在第二主面洗淨步驟開始前被覆膜的表面已經附著有髒污之情形中，能開始去除該髒污直 至著液於第二主面的洗淨液到達被覆膜的表面為止。再者，能縮短直至被覆膜洗淨步驟結束為止的時間。因此，能使每單位時間所能處理的基板的片數增多。亦即，能謀求產能的提升。如此，能謀求產能的提升，並抑制第一主面的污染。
如上所述，由於在著液於第二主面的洗淨液到達被覆膜的表面為止需要預定時間，因此會有在第二主面洗淨步驟結束後直至經過該預定時間為止的期間洗淨液附著於被覆膜的表面之可能性。因此，在本發明的實施形態之一中，前述控制器係被編程為：在前述第二主面洗淨步驟結束後結束前述第二洗淨步驟。因此，能進一步抑制被覆膜洗淨步驟結束後被污染的洗淨液附著於被覆膜的表面。
在本發明的實施形態之一中，前述基板處理裝置係進一步包含有：保護液供給單元，係將用以保護前述被覆膜的表面之保護液供給至前述第一主面。而且，前述控制器係被編程為執行：保護液供給步驟，係在前述被覆膜洗淨步驟開始前與前述第二主面洗淨步驟並行，從前述保護液供給單元對前述被覆膜的表面供給前述保護液。因此，藉由保護液抑制被污染的洗淨液附著於被覆膜的表面。因此，能抑制第一主面的污染。
在本發明的實施形態之一中，前述被覆膜洗淨單元係 具有用以朝前述第一主面供給洗淨液之洗淨液供給單元。而且，前述控制器係被編程為在前述被覆膜洗淨步驟中執行下述步驟：從前述洗淨液供給單元朝前述第一主面供給洗淨液，藉此洗淨前述被覆膜的表面。
因此，在被覆膜洗淨步驟中被供給至被覆膜的表面的洗淨液係在被覆膜的表面上擴展。因此，能減少被覆膜的表面的洗淨時間。
在本發明的實施形態之一中，前述控制器係被編程為在前述被覆膜洗淨步驟中執行用以去除前述被覆膜的表層之步驟。在此，會有因為微粒強力地附著於被覆膜的表面而難以從被覆膜的表面去除微粒之情形。即使在此種情形中，亦能在被覆膜洗淨步驟中將被覆膜的表層與微粒一起去除。因此，能確實地洗淨被覆膜的表面。
在本發明的實施形態之一中，前述基板處理裝置係進一步包含有：基板加熱單元，係加熱前述基板。而且，前述控制器係被編程為：在前述被覆膜形成步驟中執行固化步驟，前述固化步驟係在前述被覆劑被供給至前述第一主面後，藉由前述基板加熱單元加熱前述基板，藉此使前述被覆膜固化。因此，能確實地形成被覆膜。
在此，會有被供給至第一主面的被覆劑從第一主面的 周緣部繞入至第二主面並附著於第二主面的周緣部之情形。在本發明的實施形態之一中，前述基板處理裝置係進一步包含有：周緣洗淨單元，係洗淨前述第二主面的周緣。而且，前述控制器係被編程為：在前述固化步驟開始前執行周緣洗淨步驟，前述周緣洗淨步驟係藉由前述周緣洗淨單元洗淨前述第二主面的周緣。因此，能抑制被覆劑導致第二主面的污染。
在本發明的實施形態之一中，前述基板處理裝置係進一步包含有：昇華單元，係使前述被覆膜昇華。而且，前述控制器係被編程為：在前述被覆膜洗淨步驟結束後執行昇華步驟，前述昇華步驟係藉由前述昇華單元使前述被覆膜昇華。因此，被覆膜昇華而露出第一主面。由於在被覆膜洗淨步驟中洗淨被覆膜的表面，因此能抑制附著於被覆膜的表面的髒污在被覆膜昇華後殘留於第一主面。亦即，抑制第一主面的污染。
在本發明的實施形態之一中，於前述第一主面形成有金屬圖案。因此，依據用以將昇華性的被覆膜形成於第一主面並洗淨該被覆膜的表面之構成的基板處理裝置，即能抑制金屬圖案的崩壞並抑制第一主面的污染。
本發明的上述目的、特徵及功效以及其他的目的、特徵及功效係參照圖式並藉由下述實施形態的說明而更明 瞭。
1、1P、1Q、1R‧‧‧基板處理裝置
2‧‧‧處理塔
2A‧‧‧第一處理塔
2B‧‧‧第二處理塔
2C‧‧‧第三處理塔
2D‧‧‧第四處理塔
3‧‧‧控制器
3A‧‧‧處理器
3B‧‧‧記憶體
5‧‧‧搬運路徑
10‧‧‧第一自轉夾具
11‧‧‧第一罩部
12‧‧‧第二罩部
13‧‧‧第一防護罩
13A‧‧‧第一筒狀部
13B‧‧‧第一延設部
14‧‧‧第二防護罩
14A‧‧‧第二筒狀部
14B‧‧‧第二延設部
15‧‧‧藥液供給單元
16‧‧‧第一清洗液供給單元
17‧‧‧被覆劑供給單元
18‧‧‧去除液供給單元
19‧‧‧有機溶劑供給單元
21‧‧‧自轉基座
21A‧‧‧圓板部
21B‧‧‧筒狀部
22‧‧‧旋轉軸
23‧‧‧電動馬達
24‧‧‧吸引口
25‧‧‧吸引路徑
26‧‧‧吸引管
27‧‧‧吸引單元
28‧‧‧吸引閥
30‧‧‧側壁
31‧‧‧書入口
32‧‧‧擋門
33‧‧‧擋門開閉單元
36‧‧‧第一防護罩升降單元
37‧‧‧第二防護罩升降單元
38‧‧‧被覆劑噴嘴移動單元
40‧‧‧藥液噴嘴
41‧‧‧藥液供給管
42‧‧‧藥液閥
50‧‧‧第一清洗液噴嘴
51‧‧‧第一清洗液供給管
52‧‧‧第一清洗液閥
60‧‧‧被覆劑噴嘴
60a、150a、170a、190a‧‧‧噴出口
61‧‧‧被覆劑供給管
62‧‧‧被覆劑閥
70‧‧‧去除液噴嘴
71‧‧‧去除液供給管
72‧‧‧去除液閥
80‧‧‧有機溶劑噴嘴
81‧‧‧有機溶劑供給管
82‧‧‧有機溶劑閥
90‧‧‧液膜
100‧‧‧第二自轉夾具
101‧‧‧第三罩部
102‧‧‧第三防護罩
102A‧‧‧第三筒狀部
102B‧‧‧第三延設部
103‧‧‧第一洗淨液供給單元
104‧‧‧第二洗淨液供給單元
105‧‧‧第二清洗液供給單元
106‧‧‧第三清洗液供給單元
108‧‧‧刷子單元
109‧‧‧第三洗淨液供給單元
120‧‧‧夾具銷
121‧‧‧自轉基座
122‧‧‧旋轉軸
123‧‧‧電動馬達
125‧‧‧噴嘴收容部
130‧‧‧側壁
131‧‧‧出入口
132‧‧‧擋門
133‧‧‧擋門開閉單元
136‧‧‧第三防護罩升降單元
140‧‧‧第一洗淨液噴嘴
141‧‧‧第一洗淨液供給管
142‧‧‧第一洗淨液閥
150‧‧‧第二洗淨液噴嘴
151‧‧‧第二洗淨液供給管
152‧‧‧第二洗淨液閥
160‧‧‧第二清洗液噴嘴
161‧‧‧第二清洗液供給管
162‧‧‧第二清洗液閥
170‧‧‧第三清洗液噴嘴
171‧‧‧第三清洗液供給管
180‧‧‧刷子
181‧‧‧刷子固持具
182‧‧‧刷子臂
183‧‧‧刷子移動單元
190‧‧‧二流體噴嘴
191‧‧‧第三洗淨液供給管
192‧‧‧第三洗淨液閥
196‧‧‧氣體供給管
197‧‧‧氣體閥
198‧‧‧二流體噴嘴移動單元
200‧‧‧第一基板固持具
201‧‧‧第一加熱器
202‧‧‧第一冷卻單元
203‧‧‧第一升降銷
210‧‧‧第一加熱器通電單元
211‧‧‧第一基座部
212‧‧‧第一可動蓋部
213‧‧‧內部空間
214‧‧‧第一蓋部驅動單元
216‧‧‧第一升降銷升降單元
250‧‧‧被覆膜
251、253‧‧‧表面
252‧‧‧表層
255‧‧‧液滴
256、257‧‧‧微粒
300‧‧‧第二基板固持具
301‧‧‧第二加熱器
302‧‧‧第二冷卻單元
303‧‧‧第二升降銷
304‧‧‧排氣單元
310‧‧‧第二加熱器通電單元
311‧‧‧第二基座部
312‧‧‧第二可動蓋部
313‧‧‧內部空間
314‧‧‧第二蓋部驅動單元
315‧‧‧O形環
316‧‧‧第二升降銷升降單元
317‧‧‧排氣管
318‧‧‧排氣閥
A1、A2‧‧‧旋轉軸線
C‧‧‧承載器
CR、IR‧‧‧搬運機器人
D1、D11、D12、D13、D14‧‧‧第一加熱單元
D2、D21、D22‧‧‧第二加熱單元
LP‧‧‧裝載埠
M1、M11、M12、M13、M14‧‧‧第一液體處理單元
M2、M21、M22、M23、M24、M2P、M2Q‧‧‧第二液體處理單元
P‧‧‧金屬圖案
T2‧‧‧高度
W‧‧‧基板
W1‧‧‧第一主面
W2‧‧‧第二主面
X‧‧‧延長方向
圖1A係用以說明本發明的第一實施形態的基板處理裝置的構成之俯視圖。
圖1B係用以說明前述基板處理裝置的構成之圖解性的立面圖。
圖2係用以說明前述基板處理裝置所具備的第一液體處理單元的構成例之圖解性的剖視圖。
圖3係用以說明前述基板處理裝置所具備的第二液體處理單元的構成例之圖解性的剖視圖。
圖4係用以說明前述基板處理裝置所具備的第一加熱單元的構成例之圖解性的剖視圖。
圖5係用以說明前述基板處理裝置所具備的第二加熱單元的構成例之圖解性的剖視圖。
圖6係用以說明前述基板處理裝置的主要部分的電性構成之方塊圖。
圖7係用以說明前述基板處理裝置所為之基板處理的第一例之流程圖。
圖8A至圖8H係用以說明前述基板處理之圖解性的剖視圖。
圖9A係在前述基板處理中即將開始被覆膜洗淨步驟之前的基板的第一主面的周邊的示意性的剖視圖。
圖9B係前述被覆膜洗淨步驟剛結束後的基板的第一主面的周邊的示意性的剖視圖。
圖10係前述基板處理裝置所為之基板處理的第二例之圖解性的剖視圖。
圖11A以及圖11B係用以說明前述基板處理裝置所為之基板處理的第三例之圖解性的剖視圖。
圖12A以及圖12B係用以說明前述基板處理裝置所為之基板處理的第四例之圖解性的剖視圖。
圖13係用以說明第二實施形態的基板處理裝置所具備的第二液體處理單元的構成例之圖解性的剖視圖。
圖14係用以說明第三實施形態的基板處理裝置所具備的第二液體處理單元的構成例之圖解性的剖視圖。
圖15係用以說明第四實施形態的基板處理裝置的構成之圖解性的立面圖。
<第一實施形態>
圖1A係用以說明本發明第一實施形態的基板處理裝置1的構成之俯視圖。圖1B係用以說明基板處理裝置1的構成之圖解性的立面圖。
參照圖1A，基板處理裝置1係葉片式的裝置，用以對半導體晶圓等基板W逐片地施予洗淨處理以及/或者蝕刻處理等各種處理。在基板處理裝置1中進行處理之基板W係例如為於主面形成有金屬圖案之基板。詳細而言，基板W係具有第一主面W1以及第二主面W2，第二主面W2為與第一主面W1相反側的主面(參照圖1B)。於第一主面W1形成有金屬圖案，於第二主面W2未形成有金屬圖案。
基板處理裝置1係包含有：複數個(在本實施形態中為四個)處理塔(processing tower)2A至2D，係以藥液或清洗液等處理液處理基板W。將複數個處理塔2A至2D統稱為處理塔2。
基板處理裝置1係進一步包含有：裝載埠(load port)LP，係載置有承載器(carrier)C，該承載器C係用以收容被處理塔2處理的複數片基板W；搬運機器人IR以及搬運機器人CR，係在裝載埠LP與處理塔2之間搬運基板W；以及控制器3，係控制基板處理裝置1。
基板處理裝置1係進一步包含有：搬運路徑5，係於水平方向延伸。搬運路徑5係從搬運機器人IR朝搬運機器人CR直線狀地延伸。搬運機器人IR係在承載器C與搬運機器人CR之間搬運基板W。搬運機器人CR係在搬運機器人IR與處理塔2之間搬運基板W。
複數個處理塔2係夾著搬運路徑5對稱地配置。複數個處理塔2係在搬運路徑5的兩側分別沿著搬運路徑5延伸的方向(延長方向X)排列。在本實施形態中，處理塔2係於搬運路徑5的兩側分別配置兩個。
將複數個處理塔2A至2D中之接近搬運機器人IR一側的兩個處理塔2分別稱為第一處理塔2A以及第二處理塔2B。第一處理塔2A以及第二處理塔2B係夾著搬運路徑5彼此對向。將複數個處理塔2A至2D中之遠離搬運機器人IR之側的兩個處理塔2分別稱為第三處理塔2C以及第四處理塔2D。第三處理塔2C以及第四處理塔2D係夾 著搬運路徑5彼此對向。第一處理塔2A以及第三處理塔2C係沿著延長方向X排列配置。第二處理塔2B以及第四處理塔2D係沿著延長方向X排列配置。
各個處理塔2係具備有用以以處理液處理基板W之單元以及用以加熱基板W之單元等。雖然於後詳述，但作為處理液係能例舉藥液、清洗液、洗淨液、被覆劑、去除液等。
具體而言，第一處理塔2A係包含有第一液體處理單元M11、M12以及第一加熱單元D11。第二處理塔2B係包含有第一液體處理單元M13、M14以及第一加熱單元D12。第三處理塔2C係包含有第二液體處理單元M21、M22以及第二加熱單元D21。第四處理塔2D係包含有第二液體處理單元M23、M24以及第二加熱單元D22。
複數個第一液體處理單元M11至M14係例如具有同樣的構成。將複數個第一液體處理單元M11至M14總稱為第一液體處理單元M1。複數個第一加熱單元D11、D12係例如具有同樣的構成。將複數個第一加熱單元D11、D12總稱為第一加熱單元D1。複數個第二液體處理單元M21至M24係例如具有同樣的構成。將複數個第二液體處理單元M21至M24總稱為第二液體處理單元M2。複數個第二加熱單元D21、D22係例如具有同樣的構成。將複數個第二 加熱單元D21、D22總稱為第二加熱單元D2。
參照圖1B，在第一處理塔2A中，第一液體處理單元M11、第一加熱單元D11以及第一液體處理單元M12係上下地積層。在第一處理塔2A中，第一液體處理單元M11係配置於最下側，第一液體處理單元M12係配置於最上側。在第二處理塔2B中，第一液體處理單元M13、第一加熱單元D12以及第一液體處理單元M14係上下地積層。在第二處理塔2B中，第一液體處理單元M13係配置於最下側，第一液體處理單元M14係配置於最上側。
在第三處理塔2C中，第二液體處理單元M21、第二加熱單元D21以及第二液體處理單元M22係上下地積層。在第三處理塔2C中，第二液體處理單元M21係配置於最下側，第二液體處理單元M22係配置於最上側。在第四處理塔2D中，第二液體處理單元M23、第二加熱單元D22以及第二液體處理單元M24係上下地積層。在第四處理塔2D中，第二液體處理單元M23係配置於最下側，第二液體處理單元M24係配置於最上側。
圖2係用以說明第一液體處理單元M1的構成例之圖解性的剖視圖。
第一液體處理單元M1係包含有：腔室(chamber)R1； 第一自轉夾具(spin chuck)10，係以可旋轉之方式水平地保持基板W；第一罩部(cup)11以及第二罩部12，係圍繞第一自轉夾具10；以及第一防護罩(guard)13以及第二防護罩14，係接受從基板W上排除至基板W外之處理液。第一自轉夾具10、第一罩部11、第二罩部12、第一防護罩13以及第二防護罩14係配置於腔室R1內。
第一液體處理單元M1係進一步包含有藥液供給單元15、第一清洗液供給單元16、被覆劑供給單元17、去除液供給單元18以及有機溶劑供給單元19。
藥液供給單元15係用以對基板W的上表面供給氫氟酸等藥液之單元。第一清洗液供給單元16係用以對基板W的上表面供給去離子水(DIW；Deionized Water)等清洗液之單元。被覆劑供給單元17係用以將被覆劑供給至基板W的上表面之單元。去除液供給單元18係用以將去除液供給至基板W的下表面的周緣之單元，該去除液係用以去除附著於基板W的被覆劑。有機溶劑供給單元19係用以將異丙醇(IPA；Isopropyl Alcohol)等有機溶劑供給至基板W的上表面。
第一自轉夾具10係包含有自轉基座(spin base)21、旋轉軸22以及用以對旋轉軸22賦予旋轉力之電動馬達23。旋轉軸22係中空軸。旋轉軸22係沿著旋轉軸線A1於鉛直 方向延伸。於旋轉軸22的上端結合有自轉基座21。自轉基座21係具有：圓盤狀的圓板部21A，係沿著水平方向；以及筒狀部21B，係外嵌於旋轉軸22的上端。圓板部21A的上表面的直徑係比基板W的直徑還小。
為了使自轉基座21保持基板W，第一自轉夾具10係進一步具備有：吸引單元27，係吸引配置於自轉基座21的上表面之基板W。於自轉基座21以及旋轉軸22插通有吸引路徑25。吸引路徑25係具有從自轉基座21的上表面的中心露出之吸引口24。吸引路徑25係連結於吸引管26。吸引管26係連結於真空泵等吸引單元27。於吸引管26夾設有用以將吸引管26的路徑予以開閉之吸引閥28。第一自轉夾具10係用以水平地保持基板W之基板保持單元的一例。
電動馬達23係對旋轉軸22賦予旋轉力。藉由電動馬達23使旋轉軸22旋轉，藉此使自轉基座21旋轉。藉此，基板W係繞著旋轉軸線A1旋轉。以下，將基板W的旋轉徑方向內側簡稱為「徑方向內側」，將基板W的旋轉徑方向外側簡稱為「徑方向外側」。電動馬達23係用以使基板W繞著旋轉軸線A1旋轉之旋轉單元的一例。
於腔室R1的側壁30形成有出入口31，該出入口31係用以使搬運機器人CR搬入基板W以及搬出基板W。於 腔室R1設置有用以將出入口31予以開閉之擋門(shutter)32。擋門32係被擋門開閉單元33開閉驅動。
第一罩部11以及第二罩部12係具有朝上方開放的環狀的槽。第一罩部11以及第二罩部12係圍繞第一自轉夾具10。第二罩部12係配置於比第一罩部11還靠近徑方向外側。於第一罩部11以及第二罩部12的槽係連接有回收配管(未圖式)或者排出配管(未圖式)。
第一防護罩13以及第二防護罩14係以俯視觀看時圍繞第一自轉夾具10之方式配置。第二防護罩14係配置於比第一防護罩13還靠近徑方向外側。第一防護罩13係包含有：第一筒狀部13A，係位於比第一罩部11還上方且圍繞第一自轉夾具10；以及第一延設部13B，係以愈朝向徑方向內側則愈朝向上方之方式從第一筒狀部13A延伸。第二防護罩14係包含有：第二筒狀部14A，係位於比第二防護罩12還上方且圍繞第一自轉夾具10；以及第二延設部14B，係以愈朝向徑方向內側則愈朝向上方之方式從第二筒狀部14A延伸。
從基板W排除的處理液係被第一防護罩13以及第二防護罩14接住。被第一防護罩13接住的處理液係於第一筒狀部13A流動並被導引至第一罩部11。被第二防護罩14接住的處理液係於第二筒狀部14A流動並被導引至第二罩 部12。被導引至第一罩部11以及第二罩部12的底部之處理液係通過回收配管或排出配管而被回收或廢棄。
第一防護罩13係藉由第一防護罩升降單元36而在上位置與下位置之間升降。第二防護罩14係藉由第二防護罩升降單元37而於上位置與下位置之間升降。在第一防護罩13位於上位置時，第一防護罩13的上端係位於比基板W還上方。在第一防護罩13位於下位置時，第一防護罩13的上端係位於比基板W還下方。在第二防護罩14位於上位置時，第二防護罩14的上端係位於比基板W還上方。在第二防護罩14位於下位置時，第二防護罩14的上端係位於比基板W還下方。
第一防護罩13的第一延設部13B係從下方與第二防護罩14的第二延設部14B對向。因此，第二防護罩14係無法於比第一防護罩13還下方移動。因此，在第一防護罩13位於上位置時，第二防護罩14無法位於下位置。在第一防護罩13以及第二防護罩14兩者位於上位置時，從基板W排除的處理液係被第一防護罩13接住。在第一防護罩13位於下位置且第二防護罩14位於上位置時，從基板W排除的處理液係被第二防護罩14接住。在第一防護罩13以及第二防護罩14兩者位於下位置時，搬運機器人CR係能對自轉基座21進行存取(access)。
藥液供給單元15係包含有：藥液噴嘴40，係朝基板W的上表面噴出藥液；藥液供給管41，係結合至藥液噴嘴40；以及藥液閥42，係夾設於藥液供給管41。從藥液供給源對藥液供給管41供給有氫氟酸(氟化氫(HF；hydrogen fluoride))等藥液。藥液閥42係將藥液供給管41內的流路予以開閉。在本實施形態中，藥液噴嘴40係水平方向以及鉛直方向中的位置被固定之固定噴嘴。
從藥液噴嘴40噴出的藥液係使用於基板W的蝕刻等之液體。從藥液噴嘴40噴出的藥液並未限定於氫氟酸。從藥液噴嘴40噴出的藥液亦可為包含有硫酸、醋酸、硝酸、鹽酸、氫氟酸、緩衝氫氟酸(BHF；buffered hydrogen fluoride)、稀釋氫氟酸(DHF；dilute hydrofluoric acid)、氨水、過氧化氫水、有機酸(例如檸檬酸、草酸等)、有機鹼(例如氫氧化四甲銨(TMAH；Tetra Methyl Ammonium Hydroxide)等)、界面活性劑、防腐蝕劑中的至少一者的液體。作為已混合這些之藥液的例子，能例舉SPM(sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture；硫酸過氧化氫混合液)、SC1(Standard clean-1；第一標準清洗液，亦即氨水過氧化氫混和液(ammonia-hydrogen peroxide))、SC2(Standard clean-2；第二標準清洗液，亦即鹽酸過氧化氫混合液(hydrochloric acid-hydrogen peroxide mixture))等。
第一清洗液供給單元16係包含有：第一清洗液噴嘴 50，係朝基板W的上表面噴出清洗液；第一清洗液供給管51，係結合至第一清洗液噴嘴50；以及第一清洗液閥52，係夾設於第一清洗液供給管51。從第一清洗液供給源對第一清洗液供給管51供給有DIW等清洗液。第一清洗液閥52係將第一清洗液供給管51內的流路予以開閉。在本實施形態中，第一清洗液噴嘴50係水平方向以及鉛直方向中的位置被固定之固定噴嘴。
清洗液係用以沖洗附著於基板W的藥液等之液體。從第一清洗液噴嘴50噴出的清洗液並未限定於DIW。從第一清洗液噴嘴50噴出的清洗液亦可為碳酸水、電解離子水、臭氧水、氨水、稀釋濃度(例如10ppm至100ppm左右)的鹽酸水、還原水(氫水)。
被覆劑供給單元17係包含有：被覆劑噴嘴60，係朝基板W的上表面噴出被覆劑；被覆劑供給管61，係結合至被覆劑噴嘴60；以及被覆劑閥62，係夾設於被覆劑供給管61。從清洗液供給源對被覆劑供給管61供給有被覆劑。被覆劑閥62係將被覆劑供給管61內的流路予以開閉。
從被覆劑噴嘴60噴出的被覆劑係用以形成昇華性的被覆膜之液體。被覆劑係例如為用以使昇華性的丙烯酸系聚合物溶解於有機溶媒之液體。作為用以使昇華性的丙烯酸系聚合物溶解之有機溶媒，能例舉PGEE(Propylene Glycol Monoethyl Ether；丙二醇甲醚(亦即1-甲氧基-2-丙醇(1-Ethoxy-2-propanol))等。在本實施形態中，被覆劑被加熱至250℃，藉此使有機溶媒蒸發並形成被覆膜。此外，被覆膜係藉由被加熱至300℃而昇華。
被覆劑噴嘴60係藉由被覆劑噴嘴移動單元38於鉛直方向以及水平方向移動。被覆劑噴嘴60係藉由水平方向的移動而在中央位置與退避位置之間移動。在被覆劑噴嘴60位於中央位置時，設置於被覆劑噴嘴60的噴出口60a係從鉛直方向與基板W的上表面的旋轉中心位置對向。在被覆劑噴嘴60位於退避位置時，噴出口60a係未從鉛直方向與基板W的上表面對向。所謂基板W的上表面的旋轉中心位置係指基板W的上表面中之與旋轉軸線A1的交差位置。
去除液供給單元18係包含有：去除液噴嘴70，係朝基板W的下表面的周緣部噴出去除液；去除液供給管71，係結合至去除液噴嘴70；以及去除液閥72，係夾設於去除液供給管71。從去除液供給源對去除液供給管71供給有TMAH等去除液。去除液閥72係將去除液供給管71內的流路予以開閉。
從去除液噴嘴70噴出的去除液係例如為IPA。從去除液噴嘴70噴出的去除液並未限定於IPA。從去除液噴嘴70 噴出的去除液亦可為TMAH等之具有鹼性之液體。從去除液噴嘴70噴出的去除液並未限定於TMAH。去除液亦可例如為氨水、膽鹼(choline)水溶液。去除液亦可為TMAH、氨水、膽鹼水溶液等的混合液。
有機溶劑供給單元19係包含有：有機溶劑噴嘴80，係朝基板W的上表面噴出有機溶劑；有機溶劑供給管81，係結合至有機溶劑噴嘴80；以及有機溶劑閥82，係夾設於有機溶劑供給管81。從有機溶劑供給源對有機溶劑供給管81供給有IPA等有機溶劑。有機溶劑閥82係將有機溶劑供給管81內的流路予以開閉。
從有機溶劑噴嘴80噴出的有機溶劑並未限定於IPA。從有機溶劑噴嘴80噴出的有機溶劑只要為可與被覆劑所含有之溶媒以及清洗液所含有之水兩者混合即可。
圖3係用以說明第二液體處理單元M2的構成例之圖解性的剖視圖。
第二液體處理單元M2係包含有：腔室R2；第二自轉夾具100，係以可旋轉之方式水平地保持基板W；第三罩部101，係圍繞第二自轉夾具100；以及第三防護罩102，係接受從基板W上排除至基板W外之處理液。第二自轉夾具100、第三罩部101以及第三防護罩102係配置於腔室 R2內。
第二液體處理單元M2係進一步包含有第一洗淨液供給單元103、第二洗淨液供給單元104、第二清洗液供給單元105以及第三清洗液供給單元106。第一洗淨液供給單元103係對基板W的上表面供給洗淨液。第二洗淨液供給單元104係對基板W的下表面供給洗淨液。第二清洗液供給單元105係對基板W的上表面供給DIW等清洗液。第三清洗液供給單元106係對基板W的下表面供給DIW等清洗液。
第二自轉夾具100係一邊以水平的姿勢保持一片基板W，一邊使基板W繞著通過基板W的中央部之鉛直的旋轉軸線A2旋轉。第二自轉夾具100係包含有自轉基座121、複數個夾具銷120、旋轉軸122以及電動馬達123。
自轉基座121係具有沿著水平方向之圓板形狀。在自轉基座121的上表面於周方向隔著間隔配置有複數個夾具銷120。基板W係在被複數個夾具銷120夾持時，從自轉基座121的上表面離開至上方。旋轉軸122係結合至自轉基座121的下表面中央。旋轉軸122為中空軸。旋轉軸122係沿著旋轉軸線A2於鉛直方向延伸。電動馬達123係對旋轉軸122賦予旋轉力。藉由電動馬達123使旋轉軸122旋轉，藉此使自轉基座121旋轉。藉此，基板W係繞著旋 轉軸線A2旋轉。電動馬達123係包含於用以使基板W繞著旋轉軸線A2旋轉之旋轉單元。
於腔室R2的側壁130形成有出入口131，該出入口131係用以使搬運機器人CR搬入基板W以及搬出基板W。於腔室R2設置有用以將出入口131予以開閉之擋門132。擋門132係被擋門開閉單元133開閉驅動。
第三罩部101係具有朝上方開放的環狀的槽。第三罩部101係圍繞第二自轉夾具100。於第三罩部101的槽係連接有回收配管(未圖式)或者排出配管(未圖式)。第三防護罩102係以俯視觀看時圍繞第二自轉夾具100之方式配置。
第三防護罩102係包含有：第三筒狀部102A，係位於比第三罩部101還上方且圍繞第二自轉夾具100；以及第三延設部102B，係以愈朝向徑方向內側則愈朝向上方之方式從第三筒狀部102A延伸。
從基板W排除的處理液係於第三筒狀部102A流動並被導引至第三罩部101。被導引至第三罩部101的底部之處理液係通過回收配管或排出配管而被回收或廢棄。
第三防護罩102係藉由第三防護罩升降單元136而在上位置與下位置之間升降。在第三防護罩102位於上位置 時，第三防護罩102的上端係位於比基板W還上方。在第三防護罩102位於下位置時，第三防護罩102的上端係位於比基板W還下方。在第三防護罩102位於上位置時，接住從基板W排除的處理液。在第三防護罩102位於下位置時，搬運機器人CR係能對自轉基座121進行存取。
第一洗淨液供給單元103係包含有：第一洗淨液噴嘴140，係朝基板W的上表面噴出洗淨液；第一洗淨液供給管141，係結合至第一洗淨液噴嘴140；以及第一洗淨液閥142，係夾設於第一洗淨液供給管141。從第一洗淨液供給源對第一洗淨液供給管141供給有SC1等洗淨液。在本實施形態中，第一洗淨液噴嘴140係水平方向以及鉛直方向中的位置被固定之固定噴嘴。
第二洗淨液供給單元104係包含有：第二洗淨液噴嘴150，係朝基板W的下表面噴出洗淨液；第二洗淨液供給管151，係結合至第二洗淨液噴嘴150；以及第二洗淨液閥152，係夾設於第二洗淨液供給管151。從第二洗淨液供給源對第二洗淨液供給管151供給有SC1等洗淨液。第二洗淨液噴嘴150係插通於噴嘴收容部125，該噴嘴收容部125係插通於旋轉軸122。噴嘴收容部125係從下方與基板W的下表面的中央區域對向。第二洗淨液噴嘴150的噴出口150a係從噴嘴收容部125的前端露出。
從第一洗淨液噴嘴140噴出的洗淨液以及從第二洗淨液噴嘴150噴出的洗淨液並未限定於SC1。從第一洗淨液噴嘴140噴出的洗淨液以及從第二洗淨液噴嘴150噴出的洗淨液除了SC1以外亦可為含有氨之液體。從第一洗淨液噴嘴140噴出的洗淨液以及從第二洗淨液噴嘴150噴出的洗淨液亦可為IPA等有機溶劑。
第二清洗液供給單元105係包含有：第二清洗液噴嘴160，係朝基板W的上表面噴出清洗液；第二清洗液供給管161，係結合至第二清洗液噴嘴160；以及第二清洗液閥162，係夾設於第二清洗液供給管161。從第二清洗液供給源對第二清洗液供給管161供給有DIW等清洗液。在本實施形態中，第二清洗液噴嘴160係水平方向以及鉛直方向中的位置被固定之固定噴嘴。
第三清洗液供給單元106係包含有：第三清洗液噴嘴170，係朝基板W的下表面噴出清洗液；第三清洗液供給管171，係結合至第三清洗液噴嘴170；以及第三清洗液閥172，係夾設於第三清洗液供給管171。從第三清洗液供給源對第三清洗液供給管171供給有DIW等清洗液。第三清洗液噴嘴170係與第二洗淨液噴嘴150一起插通於噴嘴收容部125。第三清洗液噴嘴170的噴出口170a係從噴嘴收容部125的前端露出。
從第二清洗液噴嘴160噴出的清洗液以及從第三清洗液噴嘴170噴出的清洗液並未限定於DIW。從第二清洗液噴嘴160噴出的清洗液以及從第三清洗液噴嘴170噴出的清洗液亦可為碳酸水、電解離子水、臭氧水、氨水、稀釋濃度(例如10ppm至100ppm左右)的鹽酸水、還原水(氫水)。
圖4係用以說明第一加熱單元D1的構成例之圖解性的剖視圖。第一加熱單元D1係包含有：腔室R3；第一基板固持具200，係保持基板W；第一加熱器201(基板加熱單元)，係加熱基板W；第一冷卻單元202，係冷卻基板W；以及複數個第一升降銷(lift pin)203，係使基板W上下移動。
第一基板固持具200係板狀的構件，以基板W成為水平的姿勢之方式從下方支撐基板W。第一基板固持具200係包含於用以水平地保持基板W之基板保持單元。第一基板固持具200係收容於腔室R3內。
第一加熱器201以及第一冷卻單元202係內建於第一基板固持具200。藉由第一加熱器201、第一冷卻單元202以及第一基板固持具200構成溫度調節板。第一加熱器201係藉由傳熱或熱輻射來加熱基板W。於第一加熱器201連接有用以對第一加熱器201供給電力之第一加熱器通電單元210。第一加熱器201係可將基板W加熱至約250℃。
亦可使用電磁波照射單元來取代第一加熱器201，該電磁波照射單元係照射電磁波(紫外線、紅外線、微波、X射線、雷射光等)來加熱基板W。第一冷卻單元202亦可具有通過第一基板固持具200內之冷卻通路。第一冷卻單元202亦可具有電子冷卻元件。
複數個第一升降銷203係分別插入至貫通第一基板固持具200之複數個貫通孔。複數個第一升降銷203係藉由第一升降銷升降單元216在上位置與下位置之間升降。在複數個第一升降銷203位於上位置時，基板W係從第一基板固持具200朝上方離開。在複數個第一升降銷203位於下位置時，複數個第一升降銷203的上端部係退避至第一基板固持具200的內部。因此，基板W係被第一基板固持具200從下方支撐。
腔室R3係具有第一基座部211以及第一可動蓋部212，該第一可動蓋部212係相對於第一基座部211上下移動。藉由第一基座部211與第一可動蓋部212區劃腔室R3的內部空間213。第一可動蓋部212係藉由第一蓋部驅動單元214而在上位置與下位置之間升降。在第一可動蓋部212位於下位置時，第一基座部211與第一可動蓋部212係接觸。藉此，關閉腔室R3。在第一可動蓋部212位於上位置時，搬運機器人CR係能對腔室R3的內部空間213進行存 取。
圖5係用以說明第二加熱單元D2的構成例之圖解性的剖視圖。
第二加熱單元D2係包含有：可密閉的腔室R4；第二基板固持具300，係保持基板W；第二加熱器301，係加熱基板W；第二冷卻單元302，係冷卻基板W；複數個第二升降銷303，係使基板W上下移動；以及排氣單元304，係將腔室R4予以排氣。
第二基板固持具300係板狀的構件，以基板W成為水平的姿勢之方式從下方支撐基板W。第二基板固持具300係包含於用以水平地保持基板W之基板保持單元。第二基板固持具300係收容於腔室R4內。
第二加熱器301以及第二冷卻單元302係內建於第二基板固持具300。藉由第二加熱器301、第二冷卻單元302以及第二基板固持具300構成溫度調節板。第二加熱器301係藉由傳熱或熱輻射來加熱基板W。於第二加熱器301連接有用以對第二加熱器301供給電力之第二加熱器通電單元310。第二加熱器301只要以能比第一加熱器201(參照圖4)還將基板W加熱至高溫之方式構成即可。第二加熱器301例如只要可將基板W加熱至約300℃即可。
亦可使用電磁波照射單元來取代第二加熱器301，該電磁波照射單元係照射電磁波(紫外線、紅外線、微波、X射線、雷射光等)來加熱基板W。第二冷卻單元302亦可具有通過第二基板固持具300內之冷卻通路。第二冷卻單元302亦可具有電子冷卻元件。
複數個第二升降銷303係分別插入至貫通第二基板固持具300之複數個貫通孔。複數個第二升降銷303係藉由第二升降銷升降單元316在上位置與下位置之間升降。在複數個第二升降銷303位於上位置時，基板W係從第二基板固持具300朝上方離開。在複數個第二升降銷303位於下位置時，複數個第二升降銷303的上端部係退避至第二基板固持具300的內部。因此，基板W係被第二基板固持具300從下方支撐。
腔室R4係具有第二基座部311以及第二可動蓋部312，該第二可動蓋部312係相對於第二基座部311上下移動。藉由第二基座部311與第二可動蓋部312區劃腔室R4的內部空間313。第二可動蓋部312係藉由第二蓋部驅動單元314而在上位置與下位置之間升降。在第二可動蓋部312位於下位置時，第二基座部311與第二可動蓋部312係接觸。在第二可動蓋部312位於下位置時，第二基座部311與第二可動蓋部312之間係被O形環(o-ring)315密閉。在 第二可動蓋部312位於上位置時，搬運機器人CR係能對腔室R4的內部空間313進行存取。
於第二基座部311連接有排氣管317，該排氣管317係用以將內部空間313內的氣體導引至腔室R4外。於排氣管317夾設有用以將排氣管317內的流路予以開閉之排氣閥318。排氣管317係連接至排氣單元304。排氣單元304係例如為真空泵。
圖6係用以說明基板處理裝置1的主要部分的電性構成之方塊圖。控制器3係具備有微電腦，並依循預定的程式控制基板處理裝置1所具有的控制對象。更具體而言，控制器3係包含有處理器(CPU(Central Processing Unit；中央處理器))3A以及儲存有程式的記憶體3B。控制器3係構成為藉由處理器3A執行程式來執行用以進行基板處理的各種控制。尤其是，控制器3係控制搬運機器人IR、CR、擋門開閉單元33、133、蓋部驅動單元214、314、升降銷升降單元216、316、加熱器通電單元210、310、防護罩升降單元36、37、136、噴嘴移動單元38以及閥類(28、42、52、62、72、82、142、152、162、172、318)等的動作。
圖7係用以說明基板處理裝置1所為之基板處理的第一例之流程圖，主要顯示藉由控制器3執行程式所實現之處理。圖8A至圖8H係用以說明基板處理的第一例之圖解 性的剖視圖。
在基板處理裝置1所為之基板處理中，基板W係被連續地處理。在基板W的連續處理中，第一加熱單元D1的第一加熱器201係維持在被第一加熱器通電單元210通電的狀態(參照圖4)。同樣地，在基板W的連續處理中，第二加熱器單元D2的第二加熱器301係維持在被第二加熱器通電單元310通電的狀態(參照圖5)。
首先，亦參照圖1A，在基板處理裝置1所為之基板處理中，基板W係被搬運機器人IR、CR從承載器C搬入至第一液體處理單元M1(步驟S1：第一搬入步驟)。亦參照圖2，搬運機器人CR係能經由出入口31進入至第一液體處理單元M1。被搬入至第一液體處理單元M1的基板W係從搬運機器人CR被傳遞至第一自轉夾具10。基板W係以第一主面W1成為上表面之方式載置於自轉基座21。
接著，開啟吸引閥28。藉此，在基板W的第二主面W2接觸至自轉基座21的上表面的狀態下，基板W係被第一自轉夾具10保持(第一基板保持步驟)。之後，在直至被搬運機器人CR從第一液體處理單元M1搬出為止的期間，基板W係維持在被水平保持的狀態。
接著，電動馬達23係使基板W開始旋轉(基板旋轉步 驟)。接著，防護罩升降單元36、37係將第一防護罩13以及第二防護罩14配置於上位置。接著，開啟藥液閥42。藉此，開始從藥液供給單元15的藥液噴嘴40朝基板W的第一主面W1供給藥液(藥液供給步驟)。被供給至第一主面W1的藥液係藉由離心力遍及至第一主面W1整體。藉此，藉由藥液處理基板W(步驟S2：藥液處理步驟)。藉由離心力被排出至基板W外的藥液係被第一防護罩13接住。
將藥液供給至第一主面W1一定時間後，關閉藥液閥42並開啟第一清洗液閥52。藉此，如圖8A所示，開始從第一清洗液供給單元16的第一清洗液噴嘴50朝第一主面W1供給清洗液(第一清洗液供給步驟)。被供給至第一主面W1的清洗液係藉由離心力遍及至第一主面W1整體。藉此，基板W上的藥液被置換成清洗液(步驟S3：清洗液置換步驟)。藉由離心力排出至基板W外的藥液以及清洗液係被第一防護罩13接住。
接著，關閉第一清洗液閥52並開啟有機溶劑閥82。藉此，如圖8B所示，開始從有機溶劑供給單元19的有機溶劑噴嘴80朝第一主面W1供給有機溶劑(有機溶劑供給步驟)。被供給至第一主面W1的有機溶劑係藉由離心力遍及至第一主面W1整體。藉此，基板W上的清洗液係被置換成有機溶劑(步驟S4：有機溶劑置換步驟)。藉由離心力排出至基板W外的清洗液以及有機溶劑係被第一防護罩 13接住。
在有機溶劑被供給至第一主面W1的期間，被覆劑噴嘴移動單元38係使被覆劑噴嘴60移動至中央位置。此外，第一防護罩升降單元36係使第一防護罩13移動至下位置。將有機溶劑供給至第一主面W1一定時間後，關閉有機溶劑閥82並開啟被覆劑閥62。藉此，如圖8C所示，開始從被覆劑供給單元17的被覆劑噴嘴60朝第一主面W1供給被覆劑(步驟S5：被覆劑供給步驟)。被供給至第一主面W1的被覆劑係藉由離心力遍及至第一主面W1整體。藉此，基板W上的有機溶劑係被置換成被覆劑。藉此，基板W的第一主面W1係被被覆劑的液膜90覆蓋。藉由離心力排出至基板W外的有機溶劑以及被覆劑係被第二防護罩14接住。
會有從被覆劑噴嘴60被供給至基板W的第一主面W1的被覆劑從第一主面W1的周緣部繞入至基板W的第二主面W2之情形。此外，亦會有飛散至基板W第一主面W1外的被覆劑從第一防護罩13以及第二防護罩14濺回並附著於第二主面W2的周緣部之情形。因此，第一主面W1被被覆劑的液膜90覆蓋後，關閉被覆劑閥62，取而代之的是開啟去除液閥72。藉此，如圖8D所示，從去除液供給單元18的去除液噴嘴70對基板W的第二主面W2的周緣部供給去除液(去除液供給步驟)。從去除液噴嘴70噴出 的去除液係被供給至基板W的第二主面W2的周緣部，藉此洗淨第二主面W2的周緣部(步驟S6：周緣洗淨步驟)。因此，能抑制被覆劑所致使之第二主面W2的污染。如此，去除液供給單元18係作為周緣洗淨單元發揮作用。
在從去除液噴嘴70噴出去除液的期間，被覆劑噴嘴60係移動至退避位置。之後，關閉去除液閥72，第二防護罩14係移動至下位置。接著，電動馬達23係使基板W停止旋轉。接著，關閉吸引閥28。
之後，參照圖2，藉由擋門開閉單元33再次開啟擋門32。接著，搬運機器人CR係藉由出入口31對第一液體處理單元M1進行存取，從第一液體處理單元M1搬出基板W(步驟S7：第一搬出步驟)。
接著，參照圖4，基板W係被搬運機器人CR搬入至第一加熱單元D1(步驟S8：第二搬入步驟)。此時，第一蓋部驅動單元214係使第一可動蓋部212位於上位置，藉此搬運機器人CR係能進入至第一加熱單元D1。接著，基板W係被第一基板固持具200水平地保持(第二基板保持步驟)。具體而言，基板W係被授受至配置於上位置的複數個第一升降銷203後，第一升降銷203係藉由第一升降銷升降單元216移動至下位置。藉此，基板W係被載置於第一基板固持具200的上表面。接著，搬運機器人CR係從 第一加熱單元D1退避。之後，第一蓋部驅動單元214係使第一可動蓋部212位於下位置。藉此，關閉腔室R3。
如圖8E所示，第一加熱單元D1係藉由內建於第一基板固持具200的第一加熱器201加熱基板W(步驟S9：第一基板加熱步驟)。藉此，覆蓋基板W的第一主面W1之被覆劑係被固化(固化步驟)。詳細而言，於被覆劑所含有之溶媒係蒸發，僅固體成分殘留於第一主面W1上。藉此，形成有覆蓋基板W的第一主面W1之昇華性的被覆膜250(被覆膜形成步驟)。藉由執行固化步驟，能確實地形成被覆膜250。
此外，前述周緣洗淨步驟係在固化步驟開始前進行。因此，藉由固化步驟固化被覆劑之前，洗淨第二主面W2的周緣部。因此，與被覆劑被固化後再洗淨第二主面W2的周緣部之情形相比，容易洗淨第二主面W2的周緣部。
接著，參照圖4，藉由第一蓋部驅動單元214使第一可動蓋部212位於上位置，並藉由第一升降銷升降單元216使複數個第一升降銷203移動至上位置。接著，搬運機器人CR係從複數個第一升降銷203接取基板W，並從第一加熱單元搬出基板W(步驟S10：第二搬出步驟)。
接著，亦參照圖3，基板W係被搬運機器人CR搬入 至第二液體處理單元M2(步驟S11：第三搬入步驟)。被搬入至第二液體處理單元M2的基板W係從搬運機器人CR被傳遞至第二自轉夾具100。基板W係在第一主面W1朝向上方的狀態下被複數個夾具銷120把持。藉此，基板W係被第二自轉夾具100水平地保持(第三基板保持步驟)。之後，基板W係在直至被搬運機器人CR從第二液體處理單元M2搬出為止之期間維持在被水平保持的狀態。
接著，電動馬達123係使基板W開始旋轉。接著，第三防護罩102係藉由第三防護罩升降單元136配置於上位置。
參照圖8F，在第二液體處理單元M2中，第二主面W2係被洗淨液洗淨(步驟S12：第二主面洗淨步驟)。具體而言，開啟第二洗淨液閥152。藉此，從第二洗淨液供給單元104的第二洗淨液噴嘴150朝基板W的第二主面W2供給洗淨液(第二洗淨液供給步驟)。被供給至第二主面W2的洗淨液係藉由離心力遍及至第二主面W2的整體。藉此，洗淨第二主面W2。如此，第二洗淨液供給單元104係作為第二主面洗淨單元發揮作用。藉由離心力飛散至基板W外的洗淨液係被第三防護罩102接住。第二主面洗淨步驟係在被覆膜形成步驟結束後進行。
接著，將洗淨液供給至第二主面W2一定時間後，關 閉第二洗淨液閥152。之後，如圖8G所示，開啟第一洗淨液閥142。藉此，從第一洗淨液供給單元103的第一洗淨液噴嘴140朝被覆膜250的表面供給洗淨液(第一洗淨液供給步驟)。藉此，洗淨被覆膜250的表面(步驟S13：被覆膜洗淨步驟)。如此，在第二主面洗淨步驟結束後開始被覆膜洗淨步驟。亦即，被覆膜洗淨步驟係包含有：第一洗淨步驟，係於第二主面洗淨步驟結束後洗淨被覆膜250的表面。如此，第一洗淨液供給單元103係包含於被覆膜洗淨單元。
接著，關閉第一洗淨液閥142。取而代之的是開啟第二清洗液閥162以及第三清洗液閥172。藉此，開始從第二清洗液供給單元105的第二清洗液噴嘴160朝第一主面W1供給清洗液。嚴格來說，是對形成於第一主面W1的被覆膜250的表面供給清洗液。被供給至被覆膜250的表面的清洗液係藉由離心力遍及至被覆膜250的表面整體。藉此，被覆膜250上的洗淨液係被置換成清洗液。亦開始從第三清洗液供給單元106的第三清洗液噴嘴170朝第二主面W2供給清洗液。藉此，第二主面W2上的洗淨液係被置換成清洗液。如此，附著於基板W的雙面(嚴格來說為被覆膜250的表面以及第二主面W2)的洗淨液係被置換成清洗液(步驟S14：第二清洗液置換步驟)。
之後，電動馬達123係使基板W高速旋轉，藉此甩離 附著於基板W的清洗液。藉此，使基板W乾燥(步驟S15：基板乾燥步驟)。接著，電動馬達123係使基板W停止旋轉。接著，第三防護罩升降單元136係使第三防護罩102移動至下位置。
之後，亦參照圖3，藉由擋門開閉單元133再次開啟擋門132。接著，搬運機器人CR係經由出入口131對第二液體處理單元M2進行存取，並從第二液體處理單元M2搬出基板W(步驟S16：第三搬出步驟)。
接著，亦參照圖5，基板W係被搬運機器人CR搬入至第二加熱單元D2(步驟S17：第二搬入步驟)。此時，由於第二蓋部驅動單元314係使第二可動蓋部312位於上位置，因此搬運機器人CR係能進入至第二加熱單元D2。接著，基板W係被第二基板固持具300水平地保持(第四基板保持步驟)。具體而言，基板W被授受至配置於上位置的複數個第二升降銷303後，藉由第二升降銷升降單元316使第二升降銷303移動至下位置。藉此，基板W係被載置於第二基板固持具300的上表面。接著，搬運機器人CR係從第二加熱單元D2退避。之後，第二蓋部驅動單元314係使第二可動蓋部312位於下位置。藉此，關閉腔室R4。
如圖8H所示，在第二加熱單元D2中，藉由內建於第二基板固持具300的第二加熱器301加熱基板W(步驟S18： 第二基板加熱步驟)。藉此，覆蓋基板W的第一主面W1之被覆膜250係昇華(昇華步驟)。昇華步驟係在被覆膜洗淨步驟結束後執行。如此，第二加熱器301係作為昇華單元發揮功能。亦可在加熱基板W時開啟排氣閥318。藉此，排氣單元304係將藉由被覆膜250的昇華所產生的氣體排除至腔室R4的內部空間313外。
接著，藉由第二蓋部驅動單元314使第二可動蓋部312位於上位置，並藉由第二升降銷升降單元316使複數個第二升降銷303移動至上位置。接著，搬運機器人CR係從複數個第二升降銷303接取基板W，並從第二加熱單元D2搬出基板W(不驟S19：第四搬出步驟)。
接著，說明被覆膜洗淨步驟前後中的被覆膜250的變化的樣子。圖9A係在即將開始被覆膜洗淨步驟(圖7的步驟S13)之前的基板W的第一主面W1的周邊的示意性的剖視圖。圖9B係被覆膜洗淨步驟剛結束後的基板W的第一主面W1的周邊的示意性的剖視圖。
如圖9A所示，較佳為以被覆膜250的厚度T1變成比形成於第一主面W1的金屬圖案P的高度T2還大之方式形成有被覆膜250。
在此，在第二主面洗淨步驟中，會有著液於第二主面 W2的洗淨液浮游於基板W的周邊並附著於被覆膜250的表面251之虞。亦會有著液於第二主面W2的洗淨液係朝配置於基板W的周邊之構件(第三防護罩102等)飛散並濺回至該構件且附著於被覆膜250的表面251之虞(參照圖8F的箭頭)。再者，亦會有著液於第二主面W2的洗淨液從第二主面W2的周緣部繞入至第一主面W1側並附著於被覆膜250的表面251之虞。會有暫時附著於第二主面W2的洗淨液包含有微粒256等污染之情形。於濺回至基板處理裝置1所具有的構件之洗淨液的液滴255係進一步含有微粒256。
於被覆膜洗淨步驟之前的被覆膜250的表面251附著有液滴255以及該液滴255所含有之微粒256等。附著於被覆膜250的表面251的微粒256並未限定於在第二主面洗淨步驟中飛散至基板W外的洗淨液的液滴255所含有之微粒。亦會有被覆劑被供給至基板W的第一主面W1後直至開始被覆膜洗淨步驟為止的期間因為第二主面洗淨步驟以外的某種原因而於被覆膜250的表面251附著有微粒257之情形。
在被覆膜洗淨步驟中，從被覆膜250的表面251去除這些液滴255以及微粒256、257。在被覆膜洗淨步驟中被供給至被覆膜250的表面251的洗淨液亦可為用以使被覆膜250的表層252溶解之液體。
在被覆膜洗淨步驟中所使用的洗淨液只要為用以使被覆膜250的表層252溶解之液體，則如圖9B所示能藉由被覆膜洗淨步驟連同表層252一起去除附著於表面251的微粒256、257(表層去除步驟)。在此，會有微粒256、257強力地附著於被覆膜250的表面251而難以從被覆膜250的表面251去除微粒256、257之情形。即使是在此情形中，亦能藉由在被覆膜洗淨步驟中將被覆膜250的表層252與微粒256、257一起去除，從而確實地洗淨被覆膜250的表面251。
藉由執行表層去除步驟，被覆膜250係變薄而於比表面251還靠近第一主面W1側形成有新的表面253。較佳為以被覆膜250的厚度T1在被覆膜洗淨步驟後亦會變得比金屬圖案P的高度T2還大之方式進行被覆膜洗淨步驟。如此，較佳為於被覆膜洗淨步驟中執行用以去除被覆膜250的表層252之步驟。
與該基板處理不同，在被覆膜洗淨步驟中被供給至被覆膜250的表面251的洗淨液亦可為不會使被覆膜250的表層252溶解之液體。
如上所述，依據本實施形態，基板處理裝置1係包含有：基板保持單元(第一自轉夾具10、第二自轉夾具100、 第一基板固持具200以及第二基板固持具300)；被覆劑供給單元17，係將被覆劑供給至第一主面W1；被覆膜洗淨單元(第一洗淨液供給單元103)，係洗淨覆蓋第一表面W1之被覆膜250的表面；以及控制器3。而且，控制器3係執行：基板保持步驟(第一基板保持步驟至第四基板保持步驟)，係使第一自轉夾具10、第二自轉夾具100、第一基板固持具200以及第二基板固持具300水平地保持基板W；被覆膜形成步驟，係從被覆劑供給單元17將被覆劑供給至第一主面W1，藉此形成被覆膜250；以及被覆膜洗淨步驟，係使第一洗淨液供給單元103洗淨被覆膜250的表面。
如此，在被覆膜形成步驟中形成有昇華性的被覆膜250。因此，無須使用用以從第一主面去除被覆膜之液體，而可從第一主面W1去除被覆膜250。因此，能抑制起因於液體的供給導致金屬圖案P的崩壞。此外，在被覆膜洗淨步驟中洗淨被覆膜250的表面。因此，即使在被覆膜洗淨步驟後被覆膜250昇華，亦能抑制附著於被覆膜250的表面251的髒污(洗淨液的液滴255以及微粒256、257)殘留於第一主面W1。因此，能抑制基板W的第一主面W1的污染。
此外，依據第一實施形態，基板處理裝置1係進一步包含有：第二洗淨液供給單元104(第二主面洗淨單元)，係洗淨第二主面W2。而且，控制器3係於被覆膜形成步驟結 束後進一步執行：第二主面洗淨步驟，係使第二洗淨液供給單元104洗淨第二主面W2。再者，控制器3係於第二主面洗淨步驟結束後開始被覆膜洗淨步驟(第一洗淨步驟)。
如此，被覆膜洗淨步驟係在第二主面洗淨步驟結束後開始。因此，即使在起因於第二主面洗淨步驟導致於被覆膜250的表面251附著有洗淨液之情形中，亦能在被覆膜洗淨步驟中洗淨被覆膜250的表面251。因此，在藉由第二主面洗淨步驟洗淨第二主面W2之基板處理裝置1中能抑制第一主面W1的污染。
在此，由於直至著液至第二主面W2的洗淨液達至被覆膜250的表面251為止需要預定時間，因此會有在第二主面洗淨步驟結束後直至經過預定時間為止的期間洗淨液附著於被覆膜250的表面251之可能性。只要為基板處理裝置1般在第二主面洗淨步驟後開始被覆膜250的表面251的洗淨之構成，即能確實地去除起因於第二主面洗淨步驟而附著於被覆膜250的表面251的洗淨液。此外，即使在從第二主面洗淨步驟開始前已於被覆膜250的表面251附著有髒污(微粒257)之情形中，亦能將該髒污(微粒257)與起因與第二主面洗淨步驟而附著於被覆膜250的表面251的洗淨液的液滴255(以及微粒256)同時去除。
此外，依據第一實施形態，第一洗淨液供給單元103 係包含於第一主面洗淨單元。而且，控制器3係在被覆膜洗淨步驟中執行下述步驟(第一洗淨液供給步驟)，從第一洗淨液供給單元103朝第一主面W1供給洗淨液，藉此洗淨被覆膜250的表面251。
因此，在被覆膜洗淨步驟中被供給至被覆膜250的表面251之洗淨液係在被覆膜250的表面251上擴展。因此，能降低被覆膜250的表面251的洗淨時間。
此外，依據第一實施形態，基板處理裝置1係進一步包含有：第二加熱器301(昇華單元)，係用以將被覆膜250昇華。而且，控制器3係在被覆膜洗淨步驟結束後執行：昇華步驟，係使第二加熱器301將被覆膜250昇華。因此，被覆膜250昇華而露出第一主面W1。由於在被覆膜洗淨步驟中洗淨被覆膜250的表面251，因此能抑制附著於被覆膜250的表面的髒污在被覆膜250昇華後殘留於第一主面W1。亦即，抑制第一主面W1的污染。
此外，依據第一實施形態，於第一主面W1形成有金屬圖案P。因此，只要為用以將昇華性的被覆膜250形成於第一主面W1並洗淨被覆膜250的表面251之構成的基板處理裝置1，即能抑制金屬圖案P的崩壞並抑制第一主面W1的污染。
第一實施形態的基板處理裝置1所為之基板處理並未限定於上述例子。第一實施形態的基板處理裝置1所為之基板處理亦可為以下所示的例子。
圖10係用以說明基板處理裝置1所為之基板處理的第二例之圖解性的剖視圖。如圖10所示，亦可在基板處理裝置1所為之基板處理中並行地執行被覆膜洗淨步驟(圖7的步驟S13)與第二主面洗淨步驟(圖7的步驟S12)。亦即，被覆膜洗淨步驟係包含有：第二洗淨步驟，係與第二主面洗淨步驟並行，用以洗淨被覆膜250的表面。因此，能立即地去除起因於第二主面洗淨步驟而附著於被覆膜250的表面的洗淨液。在第二主面洗淨步驟開始前已經有髒污附著於被覆膜250的表面之情形中，能開始去除該髒污直至著液於第二主面W2的洗淨液到達被覆膜250的表面為止。再者，亦能縮短直至被覆膜洗淨步驟結束為止的時間。因此，能增大每單位時間所能處理之基板的片數。亦即，能謀求產能的提升。如此，能謀求產能的提升並抑制第一主面W1的污染。
較佳為第二洗淨步驟係在第二主面洗淨步驟結束後亦持續。如上所述，由於直至著液於第二主面W2的洗淨液到達被覆膜250的表面需要預定的時間，因此會有在第二主面洗淨步驟結束後直至經過預定時間為止的期間洗淨液附著於被覆膜250的表面之可能性。因此，如該第二例子 的基板處理般，使第二洗淨步驟在第二主面洗淨步驟結束後再結束，藉此能進一步抑制被覆膜洗淨步驟結束後被污染的洗淨液附著於被覆膜250的表面。
圖11A以及圖11B係用以說明基板處理裝置1所為之基板處理的第三例之圖解性的剖視圖。如圖11A所示，在基板處理裝置1所為之基板處理中，亦可與第二主面洗淨步驟(圖7的步驟S12)並行地從第二清洗液噴嘴160朝被覆膜250的表面供給清洗液。藉此，抑制在第二主面洗淨步驟中從基板W飛散的液滴附著於被覆膜250的表面。換言之，藉由從第二清洗液噴嘴160噴出的清洗液保護被覆膜250。如此，從第二清洗液噴嘴160噴出的清洗液係作為用以保護被覆膜250的表面之保護液發揮作用。亦即，用以將保護液供給至被覆膜250的表面之保護液供給步驟係與第二主面洗淨步驟並行地執行。較佳為保護液供給步驟係於第二主面洗淨步驟結束後再結束，而非是與第二主面洗淨步驟結束同時結束。
接著，如圖11B所示，在開始從第一洗淨液噴嘴140朝被覆膜250的表面供給洗淨液之前，停止從第二清洗液噴嘴160供給清洗液。亦即，保護液供給步驟係在被覆膜洗淨步驟(圖7的步驟S13)開始前執行。
依據第三例的基板處理，藉由保護液抑制被污染的洗 淨液附著於被覆膜250的表面。因此，能抑制第一主面W1的污染。
圖12A以及圖12B係用以說明基板處理裝置1所為之基板處理的第四例之圖解性的剖視圖。如圖12A以及圖12B所示，亦可在基板處理裝置1所為之基板處理中以第二主面W2成為上表面之方式使第二液體處理單元M2的第二自轉夾具100保持基板W。在該基板處理中，在第二主面洗淨步驟(圖7的步驟S12)中從第一洗淨液供給單元103的第一洗淨液噴嘴140朝第二主面W2供給洗淨液。此外，在被覆膜洗淨步驟(圖7的步驟S13)中從第二洗淨液供給單元104的第二洗淨液噴嘴150朝被覆膜250的表面供給洗淨液。如此，在該基板處理中，第一洗淨液供給單元103係作為第二主面洗淨單元發揮作用，第二洗淨液供給單元104係作為被覆膜洗淨單元(洗淨液供給單元)發揮作用。
此外，在該基板處理中，在第二清洗液置換步驟(圖7的步驟S14)中從第二清洗液噴嘴160朝第二主面W2供給清洗液，並從第三清洗液噴嘴170朝第一主面W1供給清洗液。
<第二實施形態>
圖13係用以說明第二實施形態的基板處理裝置1P所具備之第二液體處理單元M2P的構成例之圖解性的剖視圖。 在圖13中，於與上述說明的構件相同的構件附上相同的元件符號並省略其說明。
第二液體處理單元M2P與第一實施形態的第二液體處理單元M2(參照圖3)的主要差異點在於：第二液體處理單元M2P係包含有刷子單元108以取代第一洗淨液供給單元103。刷子單元108係下述單元：將刷子108擦拭基板W的上表面並洗淨基板W的上表面。刷子單元108係包含有：刷子180，係用以洗淨基板W的上表面；刷子固持具181，係配置於刷子180的上方；以及刷子臂182，係支撐刷子固持具181。
刷子180係由PVA(polyvinyl alcohol；聚乙烯醇)等合成樹脂所作成之可彈性變形的海綿刷子。刷子180係從刷子固持具181朝下方突出。刷子180並未限定於海綿刷子，亦可為具備有藉由樹脂製的複數個纖維所形成的毛束之刷子。
刷子180係藉由刷子移動單元183於水平方向以及鉛直方向移動。刷子移動單元183係藉由水平方向的移動使刷子180在中央位置與退避位置之間移動。刷子180係在位於中央位置時，從鉛直方向與基板W的上表面的旋轉中心位置對向。刷子180係在位於退避位置時，未從鉛直方向與基板W的上表面對向。刷子移動單元183係被控制器 3控制(參照圖6)。
在基板處理裝置1P中，除了被覆膜洗淨步驟(圖7的步驟S13)之外，執行與基板處理裝置1大致同樣的基板處理。在基板處理裝置1P所為之基板處理中的被覆膜洗淨步驟中，藉由刷子單元108刷洗(scrub cleaning)被覆膜250的表面。具體而言，刷子移動單元183係使刷子臂182移動並將刷子180按壓至被覆膜250的表面。由於基板W正在旋轉中，因此刷子180係擦拭被覆膜250的表面。因此，能更確實地洗淨被覆膜250。如此，在基板處理裝置1P所為之基板處理中，刷子單元108係作為被覆膜洗淨單元發揮作用。此外，亦可在刷子180洗淨被覆膜250時，與第一實施形態的基板處理裝置1所為之基板處理同樣地去除被覆膜250的表層252(參照圖9A以及圖9B)。
依據第二實施形態，達成與第一實施形態同樣的功效。
此外，在基板處理裝置1P所為之基板處理中，亦可與第一實施形態的基板處理裝置1所為之基板處理的第四例同樣地，以第二主面W2成為上表面之方式使第二液體處理單元M2P的第二自轉夾具100保持基板W。在該基板處理中，在第二主面洗淨步驟(圖7的步驟S12)中藉由刷子180刷洗第二主面W2。此外，在被覆膜洗淨步驟(圖7的 步驟S13)中從第二洗淨液噴嘴150朝被覆膜250的表面供給洗淨液。如此，在該基板處理中，刷子單元108係作為第二主面洗淨單元發揮作用，第二洗淨液供給單元104係作為被覆膜洗淨單元(洗淨液供給單元)發揮作用。
此外，在第二清洗液置換步驟(圖7的步驟S14)中，從第二清洗液噴嘴160朝第二主面W2供給清洗液，並從第三清洗液噴嘴170朝第一主面W1供給清洗液。
<第三實施形態>
圖14係用以說明第三實施形態的基板處理裝置1Q所具備的第二液體處理單元M2Q的構成例之圖解性的剖視圖。在圖14中，於與前述說明的構件相同的構件附上相同的元件符號並省略其說明。
第二液體處理單元M2Q與第一實施形態的第二液體處理單元M2(參照圖3)的主要差異點在於：第二液體處理單元M2Q係包含有第三洗淨液供給單元109以取代第一洗淨液供給單元103。
第三洗淨液供給單元109係包含有二流體噴嘴190、第三洗淨液供給管191、第三洗淨液閥192、氣體供給管196以及氣體閥197。二流體噴嘴190係將SC1等洗淨液與氮氣(N2)等氣體予以混合並噴出。第三洗淨液供給管191 以及氣體供給管196係結合至二流體噴嘴190。從第三洗淨液供給源對第三洗淨液供給管191供給有洗淨液。第三洗淨液閥192係將第三洗淨液供給管191內的流路予以開閉。從氣體供給源對氣體供給管196供給有氮氣等氣體。氣體閥197係將氣體供給管196內的流路予以開閉。第三洗淨液閥192以及氣體閥197係被控制器3控制(參照圖6)。
從第三洗淨液供給源供給至第三洗淨液供給管191的洗淨液並未限定於SC1。從第一洗淨液噴嘴140噴出的洗淨液除了SC1以外亦可為含有氨之液體。
作為從氣體供給源供給至氣體供給管196之氣體，較佳為氮氣等惰性氣體。所謂惰性氣體係指相對於基板W的上表面以及圖案為惰性的氣體，而未限定於氮氣。作為氮氣的例子，除了氮氣以外，能例舉氬等稀有氣體類。
二流體噴嘴190係藉由二流體噴嘴移動單元198於鉛直方向以及水平方向移動。二流體噴嘴移動單元198係藉由水平方向的移動而使二流體噴嘴190在中央位置與退避位置之間移動。在二流體噴嘴190位於中央位置時，設置於二流體噴嘴190的噴出口190a係從鉛直方向與基板W的上表面的旋轉中心位置對向。在二流體噴嘴190位於退避位置時，噴出口190a係未從鉛直方向與基板W的上表 面對向。二流體噴嘴移動單元198係被控制器3控制(參照圖6)。
在基板處理裝置1Q中，執行與基板處理裝置1大致同樣的基板處理。在基板處理裝置1Q所為之基板處理中，在基板處理裝置1所為之基板處理中使用了第一洗淨液供給單元103的步驟中係使用了第三洗淨液供給單元109。例如，在被覆膜洗淨步驟中，從二流體噴嘴190的噴出口190a將洗淨液的液滴連同氣體一起噴射至被覆膜250的表面。藉此，刷洗被覆膜250的表面。因此，能更確實地洗淨被覆膜250。如此，第三洗淨液供給單元109係作為被覆膜洗淨單元發揮作用。此外，在二流體噴嘴190洗淨被覆膜250時，與第一實施形態的基板處理裝置1所為之基板處理同樣地，亦可去除被覆膜250的表層252(參照圖9A以及圖9B)。
此外，依據第三實施形態，達成與第一實施形態同樣的功效。
此外，在基板處理裝置1Q所為之基板處理中，亦可與第一實施形態的基板處理裝置1所為之基板處理的第四例同樣地，以第二主面W2成為上表面之方式使第二液體處理單元M2P的第二自轉夾具100保持基板W。在該基板處理中，在第二主面洗淨步驟(圖7的步驟S12)中從二流體 噴嘴190朝第二主面W2供給洗淨液。此外，在被覆膜洗淨步驟(圖7的步驟S13)中，從第二洗淨液噴嘴150朝被覆膜250的表面供給洗淨液。如此，在該基板處理中，第三洗淨液供給單元109係作為第二主面洗淨單元發揮作用，第二洗淨液供給單元104係作為被覆膜洗淨單元(洗淨液供給單元)發揮作用。
此外，在第二清洗液置換步驟(圖7的步驟S14)中，從第二清洗液噴嘴160朝第二主面W2供給清洗液，並從第三清洗液噴嘴170朝第一主面W1供給清洗液。
此外，亦能藉由第三實施形態的基板處理裝置1Q進行與第一實施形態的基板處理裝置1所為之基板處理的第二例與第三例同樣的基板處理。即使是在這些情形中，同樣亦能使用第三洗淨液供給單元109來取代第一洗淨液供給單元103。
<第四實施形態>
圖15係用以說明第四實施形態的基板處理裝置1R的構成之圖解性的立面圖。在圖15中，於與前述說明的構件相同的構件附上相同的元件符號並省略其說明。
基板處理裝置1R與第一實施形態的基板處理裝置1(參照圖1B)的主要差異在於：基板處理裝置1R包含有第 一加熱單元D13、D14以取代第二加熱單元D21、D22。詳細而言，第三處理塔2C係包含有第二液體處理單元M21、M22以及第一加熱單元D13。第四處理塔2D係包含有第二液體處理單元M23、M24以及第一加熱單元D14。在該基板處理裝置1R所為之基板處理中，未執行圖7的步驟S17至步驟S19。形成於基板W的第一主面W1的被覆膜250亦可在從基板處理裝置1R被取出後，藉由與基板處理裝置1R獨立地設置的昇華單元(例如電漿灰化(plasma ashing)裝置)而被昇華。
本發明並未限定於以上所說明的實施形態，亦可以其他的形態來實施。
亦可與上述實施形態不同，在基板處理裝置1、1P、1Q中設置有可去除被覆膜250之電漿灰化器(plasma asher)單元(昇華單元)以取代第二加熱單元D2。
此外，已說明在上述實施形態的基板處理裝置1、1P、1Q、1R所為之基板處理裝置中，在第一加熱單元D1內加熱基板W，藉此使基板W上的被覆劑固化。然而，亦可與上述基板處理不同，亦可執行下述基板處理：在第一液體處理單元M1或第二液體處理單元M2內加熱基板W，藉此固化基板W上的被覆劑。為此，需要於第一液體處理單元M1或第二液體處理單元M2內設置用以加熱基板W之 加熱器(未圖式)。在第一液體處理單元M1或第二液體處理單元M2內設置有用以加熱基板W之加熱器的情形中，基板處理裝置1、1P、1Q、1R亦可不具備有第一加熱單元D1。
此外，在上述實施形態中，被覆劑係藉由加熱而固化。然而，被覆劑亦可為在常溫被固化的被覆劑(例如速乾性的被覆劑)。在此情形中，基板處理裝置1、1P、1Q、1R亦可不具備有第一加熱單元D1。此外，被覆劑亦可為藉由冷卻而固化之被覆劑。在此情形中，亦可藉由基板處理裝置1、1P、1Q、1R的第一加熱單元D1所具備的第一冷卻單元202來冷卻基板W。此外，較佳為形成被覆膜250後，供給至基板W的處理液係被冷卻。
此外，在上述實施形態中，在周緣洗淨步驟(圖7的步驟S6)中以去除液洗淨第二主面W2的周緣部。然而，在將於第一主面W1的周緣部未形成有金屬圖案P的基板W使用於基板處理之情形中，亦可在周緣洗淨步驟(圖7的步驟S6)中以去除液洗淨第二主面W2的周緣部以及第一主面W1的周緣部。在此情形中，需要於基板處理裝置1、1P、1Q、1R的第一液體處理單元M1設置有用以將去除液供給至基板W的上表面的周緣部之去除液供給單元(未圖式)。
此外，在上述實施形態中，已說明使用SC1等洗淨液 洗淨被覆膜250的表面以及第二主面W2。然而，與上述實施形態不同，在能藉由對被覆膜250的表面以及/或者第二主面W2供給DIW等清洗液即能充分地洗淨被覆膜250的表面以及/或者第二主面W2之情形中，無須對被覆膜250的表面以及/或者第二主面W2供給SC1等。亦即，亦可與上述實施形態不同，執行使用DIW等清洗液作為洗淨液之基板處理。在此情形中，第二清洗液供給單元105以及第三清洗液供給單元106中的一者係作為被覆膜洗淨單元(洗淨液供給單元)發揮作用，第二清洗液供給單元105以及第三清洗液供給單元106中的另一者係作為第二主面洗淨單元發揮作用。
雖然已詳細地說明本發明的實施形態，但這些實施形態僅為用以明瞭本發明的技術性內容之具體例，本發明不應被解釋成界定於這些具體例，本發明的範圍僅界定於隨附的申請專利範圍。
本發明係與2017年7月31日於日本特許廳所提出的日本特願2017-148111號對應，且日本特願2017-148111號的所有內容係被援用於此。
100‧‧‧第二自轉夾具
101‧‧‧第三罩部
102‧‧‧第三防護罩
103‧‧‧第一洗淨液供給單元
120‧‧‧夾具銷
121‧‧‧自轉基座
122‧‧‧旋轉軸
123‧‧‧電動馬達
125‧‧‧噴嘴收容部
140‧‧‧第一洗淨液噴嘴
141‧‧‧第一洗淨液供給管
142‧‧‧第一洗淨液閥
250‧‧‧被覆膜
A2‧‧‧旋轉軸線
M2‧‧‧第二液體處理單元
W‧‧‧基板
W1‧‧‧第一主面
W2‧‧‧第二主面

Claims (26)

  1. 一種基板處理方法，係包含有：基板保持步驟，係水平地保持具有已形成有圖案的第一主面以及與前述第一主面相反側的第二主面之基板；被覆膜形成步驟，係將被覆劑供給至前述第一主面，藉此以被覆膜的厚度變成比前述圖案的高度還大之方式，形成用以覆蓋前述第一主面之昇華性的前述被覆膜；被覆膜洗淨步驟，係洗淨前述被覆膜的表面；以及昇華步驟，係於前述被覆膜洗淨步驟結束後，藉由加熱前述基板使前述被覆膜昇華；前述被覆膜洗淨步驟係用以去除前述被覆膜的表層之步驟；前述被覆膜的前述表層的去除係以即使在前述被覆膜的前述表層的去除之後前述被覆膜的厚度亦會變得比前述圖案的高度還大且不露出前述圖案之方式進行；前述昇華步驟係於前述被覆膜的前述表層的去除後將殘留於前述第一主面之所有的前述被覆膜予以去除。
  2. 如請求項1所記載之基板處理方法，其中進一步包含有：第二主面洗淨步驟，係於前述被覆膜形成步驟結束後洗淨前述第二主面；前述被覆膜洗淨步驟係在前述第二主面洗淨步驟結束後開始或者與前述第二主面洗淨步驟並行地執行。
  3. 如請求項2所記載之基板處理方法，其中前述被覆膜洗淨步驟係包含有：第一洗淨步驟，係於前述第二主面洗淨步驟結束後開始前述被覆膜的表面的洗淨。
  4. 如請求項2所記載之基板處理方法，其中前述被覆膜洗淨步驟係包含有：第二洗淨步驟，係與前述第二主面洗淨步驟並行，用以洗淨前述被覆膜的表面。
  5. 如請求項4所記載之基板處理方法，其中前述第二洗淨步驟係在前述第二主面洗淨步驟結束後結束。
  6. 如請求項2至5中任一項所記載之基板處理方法，其中進一步包含有：保護液供給步驟，係將用以保護前述被覆膜的表面之保護液供給至前述被覆膜的表面；前述保護液供給步驟係在前述被覆膜洗淨步驟開始前與前述第二主面洗淨步驟並行地執行。
  7. 如請求項1至5中任一項所記載之基板處理方法，其中前述被覆膜洗淨步驟中之前述被覆膜的前述表層的去除係藉由對前述被覆膜的表面供給洗淨液來進行。
  8. 如請求項1至5中任一項所記載之基板處理方法，其中前述被覆膜形成步驟係包含有：固化步驟，係在前述被覆劑被供給至前述第一主面後，藉由加熱前述基板使前述被覆劑固化並形成前述被覆膜。
  9. 如請求項8所記載之基板處理方法，其中進一步包含有：周緣洗淨步驟，係於前述固化步驟開始前洗淨前述第二主面的周緣。
  10. 如請求項8所記載之基板處理方法，其中前述昇華步驟中之前述基板的加熱溫度係比前述固化步驟中之前述基板的加熱溫度還要高。
  11. 如請求項10所記載之基板處理方法，其中前述固化步驟係包含有下述步驟：藉由第一加熱器加熱前述基板，藉此使前述被覆劑固化；前述昇華步驟係包含有下述步驟：藉由比前述第一加熱器更高溫的第二加熱器加熱前述基板，藉此使前述被覆劑昇華。
  12. 如請求項11所記載之基板處理方法，其中前述基板保持步驟係包含有：使第一基板保持單元水平地保持前述基板的步驟以及使第二基板保持單元水平地保持前述基板的步驟；前述基板處理方法係進一步包含有：第一搬運步驟，係從前述第一基板保持單元將前述基板搬運至前述第一加熱器；第二搬運步驟，係從前述第一加熱器將前述基板搬運至前述第二基板保持單元；以及第三搬運步驟，係從前述第二基板保持單元將前述基板搬運至前述第二加熱器；前述被覆膜形成步驟係包含有下述步驟：將前述被覆劑供給至由前述第一基板保持單元所保持之前述基板的前述第一主面；以及 將前述被覆劑保持於前述第一主面之前述基板從前述第一基板保持單元搬運至前述第一加熱器後，藉由前述第一加熱器加熱前述基板，藉此使前述被覆劑固化；前述被覆膜洗淨步驟係包含有下述步驟：於前述第一主面已形成前述被覆膜的狀態的前述基板從前述第一加熱器搬運至前述第二基板保持單元後，洗淨前述被覆膜的表面；前述昇華步驟係包含有下述步驟：於前述被覆膜已被洗淨的狀態的前述基板從前述第二基板保持單元搬運至前述第二加熱器後，藉由前述第二加熱器加熱前述基板。
  13. 如請求項1至5中任一項所記載之基板處理方法，其中前述被覆膜洗淨步驟中之前述被覆膜的前述表層的去除係藉由刷子刷洗前述第一主面來進行。
  14. 如請求項1所記載之基板處理方法，其中進一步包含有：第二主面洗淨步驟，係於前述被覆膜形成步驟結束後藉由對前述第二主面供給洗淨液而洗淨前述第二主面；以及防護罩配置步驟，係將從前述第二主面飛散之洗淨液予以接受之防護罩配置於前述基板的側邊。
  15. 如請求項14所記載之基板處理方法，其中前述被覆膜洗淨步驟係包含有下述步驟：沖洗從前述防護罩濺回並附著於前述被覆膜的表面的洗淨液。
  16. 一種基板處理裝置，係包含有：基板保持單元，係水平地保持具有已形成有圖案的第一主面以及與前述第一主面相反側的第二主面之基板；被覆劑供給單元，係將被覆劑供給至前述第一主面，前述被覆劑係可形成用以覆蓋前述第一主面之昇華性的被覆膜；被覆膜洗淨單元，係洗淨前述被覆膜的表面；基板加熱單元，係加熱前述基板；以及控制器，係控制前述基板保持單元、前述被覆劑供給單元、前述被覆膜洗淨單元以及前述基板加熱單元；前述控制器係被編程為執行：基板保持步驟，係藉由前述基板保持單元水平地保持前述基板；被覆膜形成步驟，係以前述被覆膜的厚度變成比前述圖案的高度還大之方式，從前述被覆劑供給單元將前述被覆劑供給至前述第一主面，藉此形成前述被覆膜；被覆膜洗淨步驟，係藉由前述被覆膜洗淨單元洗淨前述被覆膜的表面；以及昇華步驟，係於前述被覆膜洗淨步驟結束後，使前述基板加熱單元加熱前述基板，藉此使前述被覆膜昇華；前述被覆膜洗淨步驟係用以去除前述被覆膜的表層之步驟；前述控制器係被編程為： 前述被覆膜的前述表層的去除係以即使在前述被覆膜的前述表層的去除之後前述被覆膜的厚度亦會變得比前述圖案的高度還大且不露出前述圖案之方式進行，且在前述昇華步驟中於前述被覆膜的前述表層的去除後將殘留於前述第一主面之所有的前述被覆膜予以去除。
  17. 如請求項16所記載之基板處理裝置，其中進一步包含有：第二主面洗淨單元，係洗淨前述第二主面；前述控制器係被編程為進一步執行：第二主面洗淨步驟，係於前述被覆膜形成步驟結束後藉由前述第二主面洗淨單元洗淨前述第二主面；前述控制器係被編程為：在前述第二主面洗淨步驟結束後開始前述被覆膜洗淨步驟或者與前述第二主面洗淨步驟並行地執行前述被覆膜洗淨步驟。
  18. 如請求項17所記載之基板處理裝置，其中前述控制器係被編程為：在前述被覆膜洗淨步驟中執行第一洗淨步驟，前述第一洗淨步驟係於前述第二主面洗淨步驟結束後藉由前述被覆膜洗淨單元開始前述被覆膜的表面的洗淨。
  19. 如請求項17所記載之基板處理裝置，其中前述控制器係被編程為：在前述被覆膜洗淨步驟中執行第二洗淨步驟，前述第二洗淨步驟係與前述第二主面洗淨步驟並行，用以藉由前述被覆膜洗淨單元洗淨前述被覆膜的表面。
  20. 如請求項19所記載之基板處理裝置，其中前述控制器係被編程為：在前述第二主面洗淨步驟結束後結束前述第二洗淨步驟。
  21. 如請求項17至20中任一項所記載之基板處理裝置，其中進一步包含有：保護液供給單元，係將用以保護前述被覆膜的表面之保護液供給至前述第一主面；前述控制器係被編程為執行：保護液供給步驟，係在前述被覆膜洗淨步驟開始前與前述第二主面洗淨步驟並行，從前述保護液供給單元對前述被覆膜的表面供給前述保護液。
  22. 如請求項16至20中任一項所記載之基板處理裝置，其中前述被覆膜洗淨單元係具有用以朝前述第一主面供給洗淨液之洗淨液供給單元；前述控制器係被編程為在前述被覆膜洗淨步驟中執行下述步驟：從前述洗淨液供給單元朝前述第一主面供給洗淨液，藉此洗淨前述被覆膜的表面。
  23. 如請求項16至20中任一項所記載之基板處理裝置，其中前述控制器係被編程為：在前述被覆膜形成步驟中執行固化步驟，前述固化步驟係在前述被覆劑被供給至前述第一主面後，藉由前述基板加熱單元加熱前述基板，藉此使前述被覆膜固化。
  24. 如請求項23所記載之基板處理裝置，其中進一步包含有：周緣洗淨單元，係洗淨前述第二主面的周緣； 前述控制器係被編程為：在前述固化步驟開始前執行周緣洗淨步驟，前述周緣洗淨步驟係藉由前述周緣洗淨單元洗淨前述第二主面的周緣。
  25. 一種基板處理方法，係包含有：基板保持步驟，係水平地保持具有第一主面以及與前述第一主面相反側的第二主面之基板；被覆膜形成步驟，係將被覆劑供給至前述第一主面，藉此形成用以覆蓋前述第一主面之昇華性的前述被覆膜；被覆膜洗淨步驟，係洗淨前述被覆膜的表面；以及第二主面洗淨步驟，係於前述被覆膜形成步驟結束後洗淨前述第二主面；前述被覆膜洗淨步驟係在前述第二主面洗淨步驟結束後開始或者與前述第二主面洗淨步驟並行地執行；前述基板處理方法進一步包含有：保護液供給步驟，係將用以保護前述被覆膜的表面之保護液供給至前述被覆膜的表面；前述保護液供給步驟係在前述被覆膜洗淨步驟開始前與前述第二主面洗淨步驟並行地執行。
  26. 一種基板處理裝置，係包含有：基板保持單元，係水平地保持具有第一主面以及與前述第一主面相反側的第二主面之基板；被覆劑供給單元，係將被覆劑供給至前述第一主面，前述被覆劑係可形成用以覆蓋前述第一主面之昇華性的被覆膜； 被覆膜洗淨單元，係洗淨前述被覆膜的表面；以及控制器，係控制前述基板保持單元、前述被覆劑供給單元以及前述被覆膜洗淨單元；前述控制器係被編程為執行：基板保持步驟，係藉由前述基板保持單元水平地保持前述基板；被覆膜形成步驟，係從前述被覆劑供給單元將前述被覆劑供給至前述第一主面，藉此形成前述被覆膜；以及被覆膜洗淨步驟，係藉由前述被覆膜洗淨單元洗淨前述被覆膜的表面；前述基板處理裝置進一步包含有：第二主面洗淨單元，係洗淨前述第二主面；以及保護液供給單元，係將用以保護前述被覆膜的表面之保護液供給至前述第一主面；前述控制器係被編程為進一步執行：第二主面洗淨步驟，係於前述被覆膜形成步驟結束後藉由前述第二主面洗淨單元洗淨前述第二主面；前述控制器係被編程為：在前述第二主面洗淨步驟結束後開始前述被覆膜洗淨步驟或者與前述第二主面洗淨步驟並行地執行前述被覆膜洗淨步驟；前述控制器係被編程為執行：保護液供給步驟，係在前述被覆膜洗淨步驟開始前與前述第二主面洗淨步驟並行，從前述保護液供給單元對前述被覆膜的表面供給前述保護液。
TW107122120A 2017-07-31 2018-06-27 基板處理方法以及基板處理裝置 TWI704614B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017-148111 2017-07-31
JP2017148111A JP6993806B2 (ja) 2017-07-31 2017-07-31 基板処理方法および基板処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201911407A TW201911407A (zh) 2019-03-16
TWI704614B true TWI704614B (zh) 2020-09-11

Family

ID=65038879

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW107122120A TWI704614B (zh) 2017-07-31 2018-06-27 基板處理方法以及基板處理裝置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10651058B2 (zh)
JP (1) JP6993806B2 (zh)
KR (2) KR102159477B1 (zh)
CN (2) CN115148641A (zh)
TW (1) TWI704614B (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7160624B2 (ja) 2018-10-17 2022-10-25 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP7191748B2 (ja) * 2019-03-25 2022-12-19 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
KR102288985B1 (ko) * 2019-06-27 2021-08-13 세메스 주식회사 액공급유닛, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US11177146B2 (en) * 2019-10-31 2021-11-16 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for processing a substrate
KR102248770B1 (ko) * 2020-02-06 2021-05-04 세메스 주식회사 기판 처리 장치

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080016714A1 (en) * 2006-07-24 2008-01-24 Koji Kaneyama Substrate processing apparatus
US20130008868A1 (en) * 2011-07-05 2013-01-10 Yoshihiro Uozumi Substrate processing method and substrate processing apparatus

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3739220B2 (ja) 1998-11-19 2006-01-25 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理方法及びその装置
JP4897159B2 (ja) * 2001-08-03 2012-03-14 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法
JP5011981B2 (ja) 2006-11-30 2012-08-29 富士通株式会社 デバイス素子製造方法およびダイシング方法
JP2009099856A (ja) * 2007-10-18 2009-05-07 Toshiba Corp 基板処理方法及び基板処理装置
JP5681560B2 (ja) 2011-05-17 2015-03-11 東京エレクトロン株式会社 基板乾燥方法及び基板処理装置
JP2013042093A (ja) 2011-08-19 2013-02-28 Central Glass Co Ltd ウェハの洗浄方法
JP5586734B2 (ja) * 2012-08-07 2014-09-10 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄装置、基板洗浄システム、基板洗浄方法および記憶媒体
JP2014216556A (ja) * 2013-04-26 2014-11-17 三星ダイヤモンド工業株式会社 パターン付き基板の加工方法およびパターン付き基板の加工装置
US20150064911A1 (en) 2013-08-27 2015-03-05 Tokyo Electron Limited Substrate processing method, substrate processing apparatus and storage medium
JP6022490B2 (ja) 2013-08-27 2016-11-09 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、基板処理システムおよび記憶媒体
JP5937632B2 (ja) 2014-02-06 2016-06-22 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、前処理装置、後処理装置、基板処理システムおよび記憶媒体
TWI584370B (zh) * 2013-08-27 2017-05-21 Tokyo Electron Ltd A substrate processing method, a substrate processing apparatus, and a memory medium
JP6438649B2 (ja) * 2013-12-10 2018-12-19 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP2015157396A (ja) * 2014-02-24 2015-09-03 凸版印刷株式会社 金属箔パターン積層体及び太陽電池モジュール
US10008396B2 (en) 2014-10-06 2018-06-26 Lam Research Corporation Method for collapse-free drying of high aspect ratio structures
JP6425517B2 (ja) 2014-11-28 2018-11-21 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、基板処理装置および記憶媒体
TWI651574B (zh) * 2015-01-12 2019-02-21 友達光電股份有限公司 顯示面板及其製造方法
JP2017004788A (ja) * 2015-06-11 2017-01-05 株式会社リコー 導電パターン形成基板及び基板製造方法
JP6279037B2 (ja) 2016-08-30 2018-02-14 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄方法および基板洗浄システム
JP6325067B2 (ja) 2016-12-15 2018-05-16 東京エレクトロン株式会社 基板乾燥方法及び基板処理装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080016714A1 (en) * 2006-07-24 2008-01-24 Koji Kaneyama Substrate processing apparatus
US20130008868A1 (en) * 2011-07-05 2013-01-10 Yoshihiro Uozumi Substrate processing method and substrate processing apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
JP2019029527A (ja) 2019-02-21
KR20200110727A (ko) 2020-09-25
JP6993806B2 (ja) 2022-01-14
US10651058B2 (en) 2020-05-12
KR102159477B1 (ko) 2020-09-24
KR20190013470A (ko) 2019-02-11
TW201911407A (zh) 2019-03-16
CN115148641A (zh) 2022-10-04
CN109326535B (zh) 2022-07-12
CN109326535A (zh) 2019-02-12
KR102276773B1 (ko) 2021-07-12
US20190035650A1 (en) 2019-01-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI704614B (zh) 基板處理方法以及基板處理裝置
JP6000822B2 (ja) 基板洗浄方法および基板洗浄システム
TWI552220B (zh) Substrate cleaning system, substrate cleaning method and memory media
TW200527498A (en) Substrate treating apparatus and substrate treating method
JP6725384B2 (ja) 基板処理方法
JP2017108188A (ja) 基板洗浄装置、基板洗浄方法および記憶媒体
JP6279037B2 (ja) 基板洗浄方法および基板洗浄システム
TW201916219A (zh) 基板處理方法及基板處理裝置
US11469117B2 (en) Substrate processing apparatus, and substrate processing method
JP2019062171A (ja) 基板洗浄方法および基板洗浄装置
TWI673115B (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
WO2019230612A1 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
TWI830265B (zh) 基板處理方法以及基板處理裝置
CN209747470U (zh) 基板清洗系统
WO2023037660A1 (ja) 基板処理方法
WO2020209127A1 (ja) 基板処理方法及び基板処理システム
JP2019186388A (ja) 基板処理方法および基板処理装置
TW201820409A (zh) 顯像裝置、基板處理裝置、顯像方法以及基板處理方法