CN115148641A - 基板处理方法和基板处理装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种在基板的主面形成有被覆膜的结构中，能够抑制该主面受到污染的基板处理方法和基板处理装置。该基板处理方法，包括：基板保持工序，将具有第一主面和所述第一主面的相反侧的第二主面的基板保持为水平；被覆膜形成工序，通过向所述第一主面供给被覆剂，形成覆盖所述第一主面的升华性的被覆膜；以及被覆膜清洗工序，清洗所述被覆膜的表面。

Description

基板处理方法和基板处理装置

本申请是申请日为2018年6月29日、申请号为201810722348.X、发明名称为“基板处理方法和基板处理装置”的申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及对基板进行处理的基板处理方法和基板处理装置。成为处理对象的基板例如包括半导体晶片、液晶显示装置用基板、有机EL(Electroluminescence：电致发光)显示装置等的FPD(Flat Panel Display：平板显示器)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用基板、陶瓷基板、太阳能电池用基板等的基板。

背景技术

在使用单张式的基板处理装置的基板处理中，对基板一张一张地进行处理。详细地，由旋转卡盘将基板保持为几乎水平。然后，用药液清洗基板的主面后，用冲洗液冲洗主面。然后，进行从基板上排除冲洗液的旋转干燥工序(例如，参照日本特开2000-156362号公报)。

通过用药液对基板的主面进行处理，在基板的主面露出金属图案。若在露出金属图案的状态下长时间放置基板，则存在金属图案氧化的担忧。因此，在日本特开2016-197762号公报和日本特开2015-149410号公报中公开了，形成覆盖基板的主面的外涂敷膜的基板处理方法。由此，能够抑制金属图案氧化。在对基板的主面进一步实施处理时，去除外涂敷膜。

在日本特开2016-197762号公报中记载了，在用去除液去除外涂敷膜后，用冲洗液清洗基板的主面的方法。另一方面，在日本特开2015-149410号公报(第四实施方式)中记载了，通过使外涂敷膜升华来将其去除的方法。

在日本特开2016-197762号公报所述的基板处理中，存在甩掉冲洗液时，不能去除进入到形成于基板的主面的金属图案之间的冲洗液的担忧。因此，存在产生干燥不良的担忧。由于进入到金属图案的内部的冲洗液的液面(空气和液体之间的界面)形成在金属图案内，因此液体的表面张力作用于液面和金属图案之间的接触位置。存在金属图案受到该表面张力而倒塌的担忧。

在日本特开2015-149410号公报(第四实施方式)的基板处理中，与日本特开2016-197762号公报的基板处理不同，在外涂敷膜的去除中不使用液体。因此，能够抑制金属图案倒塌。但是，若在外涂敷膜的表面被污染的情况下使外涂敷膜升华，则存在附着于外涂敷膜的表面的污垢(颗粒)残留于基板的主面的担忧。

发明内容

因此，本发明的一个目的在于，提供一种在基板的主面形成有被覆膜的结构中，能够抑制该主面受到污染的基板处理方法和基板处理装置。

本发明的一实施方式提供一种基板处理方法，其中，包括：基板保持工序，将具有第一主面和所述第一主面的相反侧的第二主面的基板保持为水平；被覆膜形成工序，通过向所述第一主面供给被覆剂，形成覆盖所述第一主面的升华性的被覆膜；以及被覆膜清洗工序，清洗所述被覆膜的表面。

根据该方法，在被覆膜形成工序中形成升华性的被覆膜。因此，可以不使用用于从第一主面去除被覆膜的液体就从第一主面去除被覆膜。此外，在被覆膜清洗工序中清洗升华性的被覆膜的表面。因此，即使在被覆膜清洗工序后被覆膜升华，也能够抑制附着于被覆膜的表面的污垢残留于第一主面。因此，能够抑制基板的第一主面受到污染。

根据本发明的一实施方式中，所述基板处理方法还包括第二主面清洗工序，在所述被覆膜形成工序结束后清洗所述第二主面。而且，所述被覆膜清洗工序在所述第二主面清洗工序结束后开始或者与所述第二主面清洗工序并行执行。

根据该方法，在第二主面清洗工序清洗第二主面。另一方面，存在着落到第二主面的清洗液在基板的周边漂浮并附着到被覆膜的表面的担忧。存在着落到第二主面的清洗液向配置于基板的周边的构件飞散，且从该构件弹回并附着到被覆膜的表面的担忧。而且，着落到第二主面的清洗液有可能绕到第一主面侧并附着到被覆膜的表面。有时一旦着落到第二主面清洗液就含有颗粒等的污垢。从配置于基板的周边的构件弹回的清洗液更容易含有颗粒等的污垢。

根据该基板处理方法，被覆膜清洗工序在第二主面清洗工序结束后开始或者被覆膜清洗工序与第二主面清洗工序并行。因此，即使在第二主面清洗工序引起清洗液附着于被覆膜的表面的情况下，也能在被覆膜清洗工序清洗被覆膜的表面。因此，在通过第二主面清洗工序清洗第二主面的基板处理方法中，能够抑制第一主面受到污染。

根据本发明的一实施方式中，所述被覆膜清洗工序包括第一清洗工序，所述第一清洗工序在所述第二主面清洗工序结束后开始清洗所述被覆膜的表面。此处，由于着落到第二主面的清洗液到达被覆膜的表面需要规定的时间，因此在从第二主面清洗工序结束后到经过规定时间的期间，清洗液有可能附着于被覆膜的表面。若是如该基板处理方法那样的被覆膜的表面的清洗在第二主面清洗工序后开始的方法，则能够可靠地去除由第二主面清洗工序引起的附着于被覆膜的表面的清洗液。此外，即使在第二主面清洗工序开始前污垢附着于被覆膜的表面的情况下，也能够将该污垢与由第二主面清洗工序引起的附着于被覆膜的表面的清洗液一起去除。

根据本发明的一实施方式中，所述被覆膜清洗工序包括第二清洗工序，所述第二清洗工序与所述第二主面清洗工序并行地清洗所述被覆膜的表面。

因此，能够立即去除由第二主面清洗工序引起的附着于被覆膜的表面的清洗液。在开始第二主面清洗工序之前被覆膜的表面已经附着有污垢的情况下，在着落到第二主面的清洗液到达被覆膜的表面之前能够开始去除该污垢。而且，能够缩短到被覆膜清洗工序结束为止的时间。因此，能够增加能够在每个单位时间内处理的基板的张数。即，实现提高处理能力。这样，能够实现提高处理能力，且抑制第一主面受到污染。

由于着落到第二主面的清洗液到达被覆膜的表面需要规定的时间，因此在从第二主面清洗工序结束后到经过规定时间的期间，清洗液有可能附着于被覆膜的表面。因此，在根据本发明的一实施方式中，在第二主面清洗工序结束后使第二清洗工序结束。因此，能够进一步抑制被覆膜清洗工序结束后的、被污染的清洗液附着于被覆膜的表面。

根据本发明的一实施方式中，所述基板处理方法还包括保护液供给工序，所述保护液供给工序向所述被覆膜的表面供给保护所述被覆膜的表面的保护液。而且，所述保护液供给工序在所述被覆膜清洗工序开始与所述第二主面清洗工序并行执行。因此，能够用保护液抑制被污染的清洗液附着到被覆膜的表面。因此，能够抑制第一主面受到污染。

根据本发明的一实施方式中，所述被覆膜清洗工序包括通过向所述被覆膜的表面供给清洗液来清洗所述被覆膜的表面的工序。在被覆膜清洗工序中向被覆膜的表面供给的清洗液在被覆膜的表面上扩散。因此，能够减少被覆膜的表面的清洗时间。

根据本发明的一实施方式中，所述被覆膜清洗工序包括去除所述被覆膜的表层的工序。此处，由于颗粒牢固地附着于被覆膜的表面，因此可能存在从被覆膜的表面很难去除颗粒的情况。即使在这种情况下，也能够在被覆膜清洗工序中与被覆膜的表层一起去除颗粒。因此，能够可靠地清洗被覆膜的表面。

所述被覆膜形成工序包括固化工序，所述固化工序在向所述第一主面供给所述被覆剂后，通过对所述基板进行加热使所述被覆剂固化来形成所述被覆膜。因此，能够可靠地形成被覆膜。

此处，有时向第一主面供给的被覆剂从第一主面的周缘部绕到第二主面，附着到第二主面的周缘部。根据本发明的一实施方式中，所述基板处理方法还包括周缘清洗工序，所述周缘清洗工序在所述固化工序开始前清洗所述第二主面的周缘。因此，能够抑制被覆剂污染第二主面。

根据本发明的一实施方式中，所述基板处理方法还包括升华工序，所述升华工序在所述被覆膜清洗工序结束后使所述被覆膜升华。因此，被覆膜升华而露出第一主面。由于在被覆膜清洗工序中清洗被覆膜的表面，因此能够抑制附着于被覆膜的表面的污垢在被覆膜升华后残留于第一主面。即，能够抑制第一主面受到污染。

根据本发明的一实施方式中，在所述第一主面形成有金属图案。因此，根据在第一主面形成升华性的被覆膜且清洗该被覆膜的表面的基板处理方法，能够抑制金属图案倒塌，且抑制第一主面受到污染。

在本发明的一实施方式中提供一种基板处理装置，其中，包括：基板保持单元，将具有第一主面和所述第一主面的相反侧的第二主面的基板保持为水平，被覆剂供给单元，向所述第一主面供给能够形成覆盖所述第一主面的升华性的被覆膜的被覆剂，被覆膜清洗单元，清洗所述被覆膜的表面，以及控制器，对所述基板保持单元、所述被覆剂供给单元和所述被覆膜清洗单元进行控制；所述控制器以执行基板保持工序、被覆膜形成工序和被覆膜清洗工序的方式被编程，所述基板保持工序通过所述基板保持单元将所述基板保持为水平，所述被覆膜形成工序通过从所述被覆剂供给单元向所述第一主面供给所述被覆剂来形成所述被覆膜，所述被覆膜清洗工序通过所述被覆膜清洗单元清洗所述被覆膜的表面。

根据该装置，在被覆膜形成工序中形成升华性的被覆膜。因此，能够不使用用于从第一主面去除被覆膜的液体就从第一主面去除被覆膜。此外，在被覆膜清洗工序中清洗升华性的被覆膜的表面。因此，即使在被覆膜清洗工序后被覆膜升华，也能够抑制附着于被覆膜的表面的污垢残留于第一主面。因此，能够抑制基板的第一主面受到污染。

根据本发明的一实施方式中，所述基板处理装置还包括第二主面清洗单元，所述第二主面清洗单元清洗所述第二主面。而且，所述控制器以还执行第二主面清洗工序的方式被编程，所述第二主面清洗工序在所述被覆膜形成工序结束后通过所述第二主面清洗单元清洗所述第二主面。而且，所述控制器以在所述第二主面清洗工序结束后开始所述被覆膜清洗工序的方式被编程或者以与所述第二主面清洗工序并行地执行所述被覆膜清洗工序的方式被编程。

根据该装置，在第二主面清洗工序中清洗第二主面。另一方面，在第二主面清洗工序中，存在着落到第二主面的清洗液在基板的周边漂浮并附着到被覆膜的表面的担忧。存在着落到第二主面的清洗液向配置于基板的周边的构件飞散，从该构件弹回并附着到被覆膜的表面的担忧。而且，存在着落到第二主面的清洗液绕到第一主面侧并附着到被覆膜的表面的担忧。有时一旦着落到第二主面的清洗液含有颗粒等的污垢。从基板处理装置所具备的构件弹回的清洗液更容易含有颗粒等的污垢。

根据该基板处理装置，被覆膜清洗工序在第二主面清洗工序结束后开始或者被覆膜清洗工序与第二主面清洗工序并行执行。因此，即使在由第二主面清洗工序引起清洗液附着到被覆膜的表面的情况下，也能够在被覆膜清洗工序中清洗被覆膜的表面。因此，在通过第二主面清洗工序清洗第二主面的基板处理装置中，能够抑制第一主面受到污染。

根据本发明的一实施方式中，所述控制器以在所述被覆膜清洗工序中执行第一清洗工序的方式被编程，所述第一清洗工序在所述第二主面清洗工序结束后，通过所述被覆膜清洗单元开始清洗所述被覆膜。此处，由于着落到第二主面的清洗液到达被覆膜的表面需要规定的时间，因此在从第二主面清洗工序结束后到经过规定时间为止的期间，清洗液有可能附着于被覆膜的表面。若是如该基板处理装置那样的被覆膜的表面的清洗在第二主面清洗工序后开始的结构，则能够可靠地去除由第二主面清洗工序引起的附着于被覆膜的表面的清洗液。此外，即使在第二主面清洗工序的开始前污垢附着于被覆膜的表面的情况下，也能够将该污垢与由第二主面清洗工序引起的附着于被覆膜的表面的清洗液一起去除。

根据本发明的一实施方式中，所述控制器以在所述被覆膜清洗工序中执行第二清洗工序的方式被编程，所述第二清洗工序与所述第二主面清洗工序并行，通过所述被覆膜清洗单元清洗所述被覆膜的表面。

因此，能够立即去除由第二主面清洗工序引起的附着于被覆膜的表面的清洗液。在开始第二主面清洗工序之前被覆膜的表面已经附着有污垢的情况下能够开始去除该污垢，直到着落到第二主面的清洗液到达被覆膜的表面为止。而且，能够缩短直到被覆膜清洗工序结束为止的时间。因此，能够增加能够在每个单位时间内处理的基板的张数。即，实现提高处理能力。这样，能够实现提高处理能力，且抑制第一主面受到污染。

如上所述，由于着落到第二主面的清洗液到达被覆膜的表面为止需要规定的时间，因此在从第二主面清洗工序结束后到经过该规定时间为止的期间，清洗液有可能附着于被覆膜的表面。因此，根据本发明的一实施方式中，所述控制器以在所述第二主面清洗工序结束后结束所述第二清洗工序的方式被编程。因此，能够进一步抑制被覆膜清洗工序结束后的、被污染的清洗液附着于被覆膜的表面。

根据本发明的一实施方式中，所述基板处理装置还包括保护液供给单元，所述保护液供给单元向所述第一主面供给保护所述被覆膜的表面的保护液。而且，所述控制器以执行保护液供给工序的方式被编程，所述保护液供给工序在所述被覆膜清洗工序开始前与所述第二主面清洗工序并行，从所述保护液供给单元向所述被覆膜的表面供给所述保护液。因此，能够用保护液抑制被污染的清洗液附着于被覆膜的表面。因此，能够抑制第一主面受到污染。

根据本发明的一实施方式中，所述被覆膜清洗单元具有清洗液供给单元，所述清洗液供给单元向所述第一主面供给清洗液。而且，所述控制器以在所述被覆膜清洗工序中执行通过从所述清洗液供给单元向所述第一主面供给清洗液来清洗所述被覆膜的表面的工序的方式被编程。

因此，在被覆膜清洗工序中向被覆膜的表面供给的清洗液在被覆膜的表面上扩散。因此，能够减少被覆膜的表面的清洗时间。

根据本发明的一实施方式中，所述控制器以在所述被覆膜清洗工序中执行去除所述被覆膜的表层的工序的方式被编程。此处，由于颗粒牢固地附着于被覆膜的表面，因此可能存在从被覆膜的表面很难去除颗粒的情况。即使在这种情况下，也能够在被覆膜清洗工序中与被覆膜的表层一起去除颗粒。因此，能可靠地清洗被覆膜的表面。

根据本发明的一实施方式中，所述基板处理装置还包括基板加热单元，所述基板加热单元对所述基板进行加热。而且，所述控制器以在所述被覆膜形成工序中执行固化工序的方式被编程，所述固化工序在向所述第一主面供给所述被覆剂后，通过所述基板加热单元对所述基板进行加热使所述被覆膜固化。因此，能够可靠地形成被覆膜。

此处，有时向第一主面供给的被覆剂从第一主面的周缘部绕到第二主面，附着于第二主面的周缘部。根据本发明的一实施方式中，所述基板处理装置还包括周缘清洗单元，所述周缘清洗单元清洗所述第二主面的周缘。而且，所述控制器以执行周缘清洗工序的方式被编程，所述周缘清洗工序在所述固化工序开始前通过所述周缘清洗单元清洗所述第二主面的周缘。因此，能够抑制被覆剂污染第二主面。

根据本发明的一实施方式中，所述基板处理装置还包括升华单元，所述升华单元使所述被覆膜升华。而且，所述控制器以执行升华工序的方式被编程，所述升华工序在所述被覆膜清洗工序结束后通过所述升华单元使所述被覆膜升华。因此，被覆膜升华并露出第一主面。由于在被覆膜清洗工序中清洗被覆膜的表面，因此能够抑制附着于被覆膜的表面的污垢在被覆膜升华后残留于第一主面。即，能够抑制第一主面受到污染。

根据本发明的一实施方式，在所述第一主面形成有金属图案。因此，若是在第一主面形成升华性的被覆膜，清洗该被覆膜的表面的结构的基板处理装置，则能够抑制金属图案倒塌，且抑制第一主面受到污染。

可通过参照附图和下面说明的实施方式，明确本发明中的所述或其他目的、特征和效果。

附图说明

图1A是用于说明本发明的第一实施方式的基板处理装置的结构的俯视图。

图1B是用于说明所述基板处理装置的结构的图解性的立体图。

图2是用于说明所述基板处理装置所具备的第一液处理单元的结构例的图解性的剖视图。

图3是用于说明所述基板处理装置所具备的第二液处理单元的结构例的图解性的剖视图。

图4是用于说明所述基板处理装置所具备的第一加热单元的结构例的图解性的剖视图。

图5是用于说明所述基板处理装置所具备的第二加热单元的结构例的图解性的剖视图。

图6是用于说明所述基板处理装置的主要部分的电气结构的框图。

图7是用于说明使用所述基板处理装置的基板处理的第一例的流程图。

图8A～图8H是用于说明所述基板处理的图解性的剖视图。

图9A是在所述基板处理中开始被覆膜清洗工序刚刚之前的基板的第一主面的周边的示意性的剖视图。

图9B是在所述被覆膜清洗工序结束刚刚之后的基板的第一主面的周边的示意性的剖视图。

图10是用于说明使用所述基板处理装置的基板处理的第二例的图解性的剖视图。

图11A和图11B是用于说明使用所述基板处理装置的基板处理的第三例的图解性的剖视图。

图12A和图12B是用于说明使用所述基板处理装置的基板处理的第四例的图解性的剖视图。

图13是用于说明第二实施方式的基板处理装置所具备的第二液处理单元的结构例的图解性的剖视图。

图14是用于说明第三实施方式的基板处理装置所具备的第二液处理单元的结构例的图解性的剖视图。

图15是用于说明第四实施方式的基板处理装置的结构的图解性的立体图。

具体实施方式

＜第一实施方式＞

图1A是用于说明本发明的第一实施方式的基板处理装置1的结构的俯视图。图1B是用于说明基板处理装置1的结构的图解性的立体图。

参照图1A，基板处理装置1是对半导体晶片等的基板W一张一张地实施清洗处理和蚀刻处理等的各种处理的单张式的装置。在基板处理装置1中处理的基板W例如是在主面形成有金属图案的基板。详细地，基板W具有第一主面W1和第一主面W1的相反侧的主面即第二主面W2(参照图1B)。在第一主面W1形成有金属图案，在第二主面W2没有形成金属图案。

基板处理装置1包括用药液和冲洗液等的处理液对基板W进行处理的多个(本实施方式中为四个)处理塔2A～2D。将多个处理塔2A～2D统称为处理塔2。

基板处理装置1还包括：装载埠LP，载置收容在处理塔2中处理的多张基板W的容纳器C；搬运机械手IR和CR，在装载埠LP和处理塔2之间搬运基板W；以及控制器3，控制基板处理装置1。

基板处理装置1还包括沿着水平方向延伸的搬运路5。搬运路5从搬运机械手IR朝向搬运机械手CR直线状地延伸。搬运机械手IR在容纳器C和搬运机械手CR之间搬运基板W。搬运机械手CR在搬运机械手IR和处理塔2之间搬运基板W。

多个处理塔2隔着搬运路5对称。多个处理塔2分别在搬运路5的两侧沿着搬运路5延伸的方向(延长方向X)排列。在本实施方式中，在搬运路5的两侧分别配置两个处理塔2。

将多个处理塔2A～2D中的、接近搬运机械手IR侧的两个处理塔2分别称为第一处理塔2A和第二处理塔2B。第一处理塔2A和第二处理塔2B隔着搬运路5彼此相对。将多个处理塔2A～2D中的、从搬运机械手IR册远离的两个处理塔2分别称为第三处理塔2C和第四处理塔2D。第三处理塔2C和第四处理塔2D隔着搬运路5彼此相对。第一处理塔2A和第三处理塔2C沿着延长方向X排列。第二处理塔2B和第四处理塔2D沿着延长方向X排列。

各处理塔2具备用处理液对基板W进行处理的单元和对基板W进行加热的单元等。在后面进行详述，作为处理液可以列举出药液、冲洗液、清洗液、被覆剂、去除液等。

具体来说，第一处理塔2A包括第一液处理单元M11、M12和第一加热单元D11。第二处理塔2B包括第一液处理单元M13、M14和第一加热单元D12。第三处理塔2C包括第二液处理单元M21、M22和第二加热单元D21。第四处理塔2D包括第二液处理单元M23、M24和第二加热单元D22。

多个第一液处理单元M11～14例如具有相同的结构。对多个第一液处理单元M11～M14进行统称时称为第一液处理单元M1。多个第一加热单元D11和D12例如具有相同的结构。对多个第一加热单元D11和D12进行统称时称为第一加热单元D1。多个第二液处理单元M21～24例如具有相同的结构。对多个第二液处理单元M21～M24进行统称时称为第二液处理单元M2。多个第二加热单元D21和D22例如具有相同的结构。对多个第二加热单元D21和D22进行统称时称为第二加热单元D2。

参照图1B，在第一处理塔2A中，第一液处理单元M11、第一加热单元D11和第一液处理单元M12在上下方向上层叠。在第一处理塔2A中，第一液处理单元M11配置于最下侧，第一液处理单元M12配置于最上侧。在第二处理塔2B中，第一液处理单元M13、第一加热单元D12和第一液处理单元M14在上下方向上层叠。在第二处理塔2B中，第一液处理单元M13配置于最下侧，第一液处理单元M14配置于最上侧。

在第三处理塔2C中，第二液处理单元M21、第二加热单元D21和第二液处理单元M22在上下方向上层叠。在第三处理塔2C中，第二液处理单元M21配置于最下侧，第二液处理单元M22配置于最上侧。在第四处理塔2D中，第二液处理单元M23、第二加热单元D22和第二液处理单元M24在上下方向上层叠。在第四处理塔2D中，第二液处理单元M23配置于最下侧，第二液处理单元M24配置于最上侧。

图2是用于说明第一液处理单元M1的结构例的图解性的剖视图。

第一液处理单元M1包括：腔室R1；第一旋转卡盘10，将基板W保持为水平并能够使基板W旋转；多个杯11、12(第一杯11和第二杯12)，包围第一旋转卡盘10；以及多个挡板13、14(第一挡板13和第二挡板14)，接收从基板W上向基板W外排除的处理液。第一旋转卡盘10、多个杯11、12、和多个挡板13、14配置在腔室R1内。

第一液处理单元M1还包括药液供给单元15、第一冲洗液供给单元16、被覆剂供给单元17、去除液供给单元18、有机溶剂供给单元19。

药液供给单元15是向基板W的上表面供给氢氟酸等的药液的单元。第一冲洗液供给单元16是向基板W的上表面供给去离子水(DIW：Deionized Water)等的冲洗液的单元。被覆剂供给单元17是向基板W的上表面供给被覆剂的单元。去除液供给单元18是向基板W的下表面的周缘供给用于去除附着于基板W的被覆剂的去除液的单元。有机溶剂供给单元19是向基板W的上表面供给异丙醇(Isopropyl Alcohol：IPA)等的有机溶剂的单元。

第一旋转卡盘10包括旋转基座21、旋转轴22和向旋转轴22提供旋转力的电动马达23。旋转轴22是中空轴。旋转轴22沿着旋转轴线A1在铅垂方向上延伸。在旋转轴22的上端结合有旋转基座21。旋转基座21具有沿着水平方向的圆盘状的圆板部21A和外嵌于旋转轴22的上端的筒状部21B。圆板部21A的上表面的直径比基板W的直径小。

第一旋转卡盘10还包括为了使基板W保持于旋转基座21，对配置于旋转基座21的上表面的基板W进行吸引的吸引单元27。在旋转基座21和旋转轴22贯穿形成有吸引路径25。吸引路径25具有从旋转基座21的上表面的中心露出的吸引口24。吸引路径25与吸引管26连接。吸引管26与真空泵等的吸引单元27连接。在吸引管26上安装有用于开闭该路径的吸引阀28。第一旋转卡盘10是用于将基板W保持为水平的基板保持单元的一例。

电动马达23向旋转轴22提供旋转力。通过利用电动马达23旋转旋转轴22，使旋转基座21旋转。由此，使基板W以旋转轴线A1为中心旋转。以下，将基板W的旋转径向内侧简称为“径向内侧”，将基板W的旋转径向外侧简称为“径向外侧”。电动马达23是使基板W以旋转轴线A1为中心旋转的旋转单元的一例。

在腔室R1的侧壁30形成有利用搬运机械手CR搬入和搬出基板W的出入口31。在腔室R1设置有开闭出入口31的闸门32。闸门32被闸门开闭单元33开闭驱动。

各杯11、12具有向上开放的环状的槽。各杯11、12包围第一旋转卡盘10。第二杯12比第一杯11更靠径向外侧。各杯11、12的槽与回收配管(未图示)或排出配管(未图示)连接。

挡板13、14在俯视下包围第一旋转卡盘10。第二挡板14比第一挡板13更靠径向外侧。第一挡板13包括：第一筒状部13A，比第一杯11更靠上方且包围第一旋转卡盘10；以及第一延设部13B，从第一筒状部13A以朝向径向内侧向上的方式延伸。第二挡板14包括：第二筒状部14A，比第二杯12更靠上方且包围第一旋转卡盘10；以及第二延设部14B，从第二筒状部14A以朝向径向内侧向上的方式延伸。

从基板W排除的处理液由挡板13、14接收。由第一挡板13接收的处理液沿着第一筒状部13A导向第一杯11。由第二挡板14接收的处理液沿着第二筒状部14A导向第二杯12。导向各杯11、12的底部的处理液通过回收配管或排出配管被回收或废弃。

第一挡板13通过第一挡板升降单元36在上位置和下位置之间升降。第二挡板14通过第二挡板升降单元37在上位置和下位置之间升降。在第一挡板13位于上位置时，第一挡板13的上端位于比基板W更靠上方的位置。在第一挡板13位于下位置时，第一挡板13的上端位于比基板W更靠下方的位置。在第二挡板14位于上位置时，第二挡板14的上端位于比基板W更靠上方的位置。在第二挡板14位于下位置时，第二挡板14的上端位于比基板W更靠下方的位置。

第一挡板13的第一延设部13B从下方与第二挡板14的第二延设部14B相对。因此，第二挡板14不能移动到比第一挡板13更靠下方的位置。因此，在第一挡板13位于上位置时，第二挡板14不能位于下位置。在第一挡板13和第二挡板14位于上位置时，从基板W排除的处理液由第一挡板13接收。在第一挡板13位于下位置且第二挡板14位于上位置时，从基板W排除的处理液由第二挡板14接收。在第一挡板13和第二挡板14位于下位置时，搬运机械手CR能够访问旋转基座21。

药液供给单元15包括：药液喷嘴40，向基板W的上表面喷出药液；药液供给管41，与药液喷嘴40连接；以及药液阀42，安装在药液供给管41上。从药液供给源向药液供给管41供给氢氟酸(氟化含氢水：HF)等的药液。药液阀42开闭药液供给管41内的流路。药液喷嘴40在实施方式中是在水平方向和铅垂方向上的位置固定的固定喷嘴。

从药液喷嘴40喷出的药液是用于基板W的蚀刻等的液体。从药液喷嘴40喷出的药液不限于氢氟酸。从药液喷嘴40喷出的药液可以是含有硫酸、乙酸、硝酸、盐酸、氢氟酸、缓冲氢氟酸(BHF)、稀氢氟酸(DHF)、氨水、双氧水、有机酸(例如，柠檬酸、草酸等)、有机碱(例如，TMAH：四甲基氢氧化铵等)、表面活性剂、防腐蚀剂中的至少一种的液体。作为混合这些药液的例子，可以列举出SPM(硫酸双氧水混合液)、SC1(氨双氧水混合液)、SC2(盐酸双氧水混合液)等。

第一冲洗液供给单元16包括：第一冲洗液喷嘴50，向基板W的上表面喷出冲洗液；第一冲洗液供给管51，与第一冲洗液喷嘴50连接；以及第一冲洗液阀52，安装在第一冲洗液供给管51上。从第一冲洗液供给源向第一冲洗液供给管51供给DIW等的冲洗液。第一冲洗液阀52开闭第一冲洗液供给管51内的流路。第一冲洗液喷嘴50在实施方式中是在水平方向和铅垂方向上的位置固定的固定喷嘴。

冲洗液是用于冲掉附着于基板W的药液等的液体。从第一冲洗液喷嘴50喷出的冲洗液不限于DIW。从第一冲洗液喷嘴50喷出的冲洗液可以是碳酸水、电解离子水、臭氧水、氨水、稀释浓度(例如，10ppm～100ppm左右)的盐酸水、还原水(含氢水)。

被覆剂供给单元17包括：被覆剂喷嘴60，向基板W的上表面喷出被覆剂；被覆剂供给管61，与被覆剂喷嘴60连接；以及被覆剂阀62，安装在被覆剂供给管61上。从冲洗液供给源向被覆剂供给管61供给被覆剂。被覆剂阀62开闭被覆剂供给管61内的流路。

从被覆剂喷嘴60喷出的被覆剂是能够形成升华性的被覆膜(覆盖膜)的液体。被覆剂例如是使升华性的丙烯酸类聚合物溶解于有机溶剂的溶液。作为使升华性的丙烯酸类聚合物溶解的有机溶剂可以列举出PGEE(1-乙氧基-2-丙醇)等。在实施方式中，通过将被覆剂加热到250℃使有机溶剂蒸发来形成被覆膜。此外，通过将被覆膜加热到300℃来使其升华。

被覆剂喷嘴60通过被覆剂喷嘴移动单元38在铅垂方向和水平方向上移动。被覆剂喷嘴60通过水平方向的移动在中央位置和退避位置之间移动。在被覆剂喷嘴60位于中央位置时，设置于被覆剂喷嘴60的喷出口60a在铅垂方向上与基板W的上表面的旋转中心位置相对。在被覆剂喷嘴60位于退避位置时，喷出口60a在铅垂方向上不与基板W的上表面相对。基板W的上表面的旋转中心位置是指基板W的上表面中的与旋转轴线A1交叉的位置。

去除液供给单元18包括：去除液喷嘴70，向基板W的下表面的周缘部喷出去除液；去除液供给管71，与去除液喷嘴70连接；以及去除液阀72，安装在去除液供给管71上。从去除液供给源向去除液供给管71供给TMAH等的去除液。去除液阀72开闭去除液供给管71内的流路。

从去除液喷嘴70喷出的去除液例如是IPA。从去除液喷嘴70喷出的去除液不限于IPA。从去除液喷嘴70喷出的去除液可以是TMAH等的具有碱性的液体。从去除液喷嘴70喷出的去除液不限于TMAH。去除液例如可以是氨水、胆碱水溶液。去除液可以是TMAH、氨水、胆碱水溶液等的混合液。

有机溶剂供给单元19包括：有机溶剂喷嘴80，向基板W的上表面喷出有机溶剂；有机溶剂供给管81，与有机溶剂喷嘴80连接；以及有机溶剂阀82，安装在有机溶剂供给管81上。从有机溶剂供给源供给有机溶剂供给管81供给IPA等的有机溶剂。有机溶剂阀82开闭有机溶剂供给管81内的流路。

从有机溶剂喷嘴80喷出的有机溶剂不限于IPA。从有机溶剂喷嘴80喷出的有机溶剂只要能够与被覆剂所含的溶剂和冲洗液所含的水的双方混和即可。

图3是用于说明第二液处理单元M2的结构例的图解性的剖视图。

第二液处理单元M2包括：腔室R2；第二旋转卡盘100，使基板W能够旋转地将基板W保持为水平；第三杯101，包围第二旋转卡盘100；以及第三挡板102，接收从基板W上向基板W外排除的处理液。第二旋转卡盘100、第三杯101和第三挡板102配置在腔室R2内。

第二液处理单元M2还包括第一清洗液供给单元103、第二清洗液供给单元104、第二冲洗液供给单元105、第三冲洗液供给单元106。第一清洗液供给单元103向基板W的上表面供给清洗液。第二清洗液供给单元104向基板W的下表面供给清洗液。第二冲洗液供给单元105向基板W的上表面供给DIW等的冲洗液。第三冲洗液供给单元106向基板W的下表面供给DIW等的冲洗液。

第二旋转卡盘100一边将一张基板W保持为水平的姿势一边使基板W以通过基板W的中央部的铅垂的旋转轴线A2为中心旋转。第二旋转卡盘100包括旋转基座121、多个卡盘销120、旋转轴122和电动马达123。

旋转基座121具有沿着水平方向的圆板形状。在旋转基座121的上表面的周向上隔开间隔配置有多个卡盘销120。基板W被多个卡盘销120挟持时，基板W从旋转基座121的上表面向上方离开。旋转轴122与旋转基座21的下表面中央连接。旋转轴122是中空轴。旋转轴122沿着旋转轴线A2在铅垂方向上延伸。电动马达123向旋转轴122提供旋转力。通过利用电动马达123旋转旋转轴122，使旋转基座121旋转。由此，使基板W以旋转轴线A2为中心旋转。电动马达123包括于使基板W以旋转轴线A2为中心旋转的旋转单元。

在腔室R2的侧壁130形成有使用搬运机械手CR搬入和搬出基板W的出入口131。在腔室R2设置有开闭出入口131的闸门。闸门132被闸门开闭单元133开闭驱动。

第三杯101具有向上开放的环状的槽。第三杯101包围第二旋转卡盘100。第三杯101的槽与回收配管(未图示)或排出配管(未图示)连接。第三挡板102在俯视下包围第二旋转卡盘100。

第三挡板102包括：第三筒状部102A，比第三杯101更靠上方且包围第二旋转卡盘100；以及第三延设部102B，从第三筒状部102A以朝向径向内侧向上的方式延伸。

从基板W排除的处理液沿着第三筒状部102A导向第三杯101。导向第三杯101的底部的处理液通过回收配管或排出配管被回收或废弃。

第三挡板102利用第三挡板升降单元136在上位置和下位置之间升降。在第三挡板102位于上位置时，第三挡板102的上端位于比基板W更靠上方的位置。在第三挡板102位于下位置时，第三挡板102的上端位于比基板W更靠下方的位置。在第三挡板102位于上位置时，第三挡板102接收从基板W排除的处理液。在第三挡板102位于下位置时，搬运机械手CR能够访问旋转基座121。

第一清洗液供给单元103包括：第一清洗液喷嘴140，向基板W的上表面喷出清洗液；第一清洗液供给管141，与第一清洗液喷嘴140连接；以及第一清洗液阀142，安装在第一清洗液供给管141上。从第一清洗液供给源向第一清洗液供给管141供给SC1等的清洗液。第一清洗液喷嘴140在实施方式中是在水平方向和铅垂方向上的位置固定的固定喷嘴。

第二清洗液供给单元104包括：第二清洗液喷嘴150，向基板W的下表面喷出清洗液；第二清洗液供给管151，与第二清洗液喷嘴150连接；以及第二清洗液阀152，安装在第二清洗液供给管151上。从第二清洗液供给源向第二清洗液供给管151供给SC1等的清洗液。第二清洗液喷嘴150插入到插入于旋转轴122的喷嘴收容部125中。喷嘴收容部125从下方与基板W的下表面的中央区域相对。第二清洗液喷嘴150的喷出口150a从喷嘴收容部125的顶端露出。

从第一清洗液喷嘴140喷出的清洗液和从第二清洗液喷嘴150喷出的清洗液不限于SC1。从第一清洗液喷嘴140喷出的清洗液和从第二清洗液喷嘴150喷出的清洗液除了SC1之外，可以是含有氨的液体。从第一清洗液喷嘴140喷出的清洗液和从第二清洗液喷嘴150喷出的清洗液可以是IPA等的有机溶剂。

第二冲洗液供给单元105包括：第二冲洗液喷嘴160，向基板W的上表面喷出冲洗液；第二冲洗液供给管161，与第二冲洗液喷嘴160连接；以及第二冲洗液阀162，安装在第二冲洗液供给管161上。从第二冲洗液供给源向第二冲洗液供给管161供给DIW等的冲洗液。第二冲洗液喷嘴160在实施方式中是在水平方向和铅垂方向上的位置固定的固定喷嘴。

第三冲洗液供给单元106包括：第三冲洗液喷嘴170，向基板W的下表面喷出冲洗液；第三冲洗液供给管171，与第三冲洗液喷嘴170连接；以及第三冲洗液阀172，安装在第三冲洗液供给管171上。1从第三冲洗液供给源向第三冲洗液供给管17供给DIW等的冲洗液。第三冲洗液喷嘴170与第二清洗液喷嘴150一起插入到喷嘴收容部125中。第三冲洗液喷嘴170的喷出口170a从喷嘴收容部125的顶端露出。

从第二冲洗液喷嘴160喷出的冲洗液和从第三冲洗液喷嘴170喷出的冲洗液不限于DIW。从第二冲洗液喷嘴160喷出的冲洗液和从第三冲洗液喷嘴170喷出的冲洗液可以是碳酸水、电解离子水、臭氧水、氨水、稀释浓度(例如，10ppm～100ppm左右)的盐酸水、还原水(含氢水)。

图4是用于说明第一加热单元D1的结构例的图解性的剖视图。第一加热单元D1包括：腔室R3；第一基板保持架200，保持基板W；第一加热器201(基板加热单元)，对基板W进行加热；第一冷却单元202，对基板W进行冷却；以及多个第一升降销203，使基板W上下移动。

第一基板保持架200是从下方以基板W成为水平的姿势的方式支撑基板W的板状的构件。第一基板保持架200包括于将基板W保持为水平的基板保持单元。第一基板保持架200收容在腔室R3内。

第一加热器201和第一冷却单元202内置于第一基板保持架200。由第一加热器201、第一冷却单元202和第一基板保持架200构成温度调节板。第一加热器201通过传热或热辐射对基板W进行加热。第一加热器201与向第一加热器201供给电力的第一加热器通电单元210连接。第一加热器201能够将基板W加热为约250℃。

可以使用照射电磁波(紫外线、红外线、微波、X线、激光等)来对基板W进行加热的电磁波照射单元，来替代第一加热器201。第一冷却单元202可以具有在第一基板保持架200内通过的冷却通路。第一冷却单元202可以具有电子冷却元件。

多个第一升降销203分别插入于贯通第一基板保持架200的多个贯通孔。多个第一升降销203通过第一升降销升降单元216在上位置和下位置之间升降。在多个第一升降销203位于上位置时，基板W从第一基板保持架200向上方离开。在多个第一升降销203位于下位置时，多个第一升降销203的上端部退避至第一基板保持架200的内部。因此，由第一基板保持架200从下方支撑基板W。

腔室R3具有第一基座部211和相对第一基座部211上下移动的第一可动盖部212。由第一基座部211和第一可动盖部212划分出腔室R3的内部空间213。第一可动盖部212通过第一盖部驱动单元214在上位置和下位置之间升降。在第一可动盖部212位于下位置时，第一基座部211和第一可动盖部212接触。由此，关闭腔室R3。在第一可动盖部212位于上位置时，搬运机械手CR能够访问腔室R3的内部空间213。

图5是用于说明第二加热单元D2的结构例的图解性的剖视图。

第二加热单元D2包括：能够密闭的腔室R4；第二基板保持架300，保持基板W；第二加热器301，对基板W进行加热；第二冷却单元302，对基板W进行冷却；多个第二升降销303，使基板W上下移动；以及排气单元304，对腔室R4进行排气。

第二基板保持架300是从下方以使基板W成为水平的姿势的方式支撑基板W的板状的构件。第二基板保持架300包括于将基板W保持为水平的基板保持单元。第二基板保持架300收容于腔室R4内。

第二加热器301和第二冷却单元302内置于第二基板保持架300。由第二加热器301、第二冷却单元302和第二基板保持架300构成温度调节板。第二加热器301通过传热或热辐射对基板W进行加热。第二加热器301与向第二加热器301供给电力的第二加热器通电单元310连接。第二加热器301只要构成为能够对基板W进行加热的温度比第一加热器201(参照图4)对基板W进行加热的温度高即可。第二加热器301例如只要能够将基板W加热为约300℃即可。

可以使用照射电磁波(紫外线、红外线、微波、X线、激光等)来对基板W进行加热的电磁波照射单元，来替代第二加热器301。第二冷却单元302可以具有在第二基板保持架300内通过的冷却通路。第二冷却单元302可以具有电子冷却元件。

多个第二升降销303分别插入于贯通第二基板保持架300的多个贯通孔。多个第二升降销303通过第二升降销升降单元316在上位置和下位置之间升降。在多个第二升降销303位于上位置时，基板W从第二基板保持架300向上方离开。在多个第二升降销303位于下位置时，多个第二升降销303的上端部退避至第二基板保持架300的内部。因此，由第二基板保持架300从下方支撑基板W。

腔室R4具有第二基座部311和相对第二基座部311上下移动的第二可动盖部312。由第二基座部311和第二可动盖部312划分出腔室R4的内部空间313。第二可动盖部312通过第二盖部驱动单元314在上位置和下位置之间升降。在第二可动盖部312位于下位置时，第二基座部311和第二可动盖部312接触。在第二可动盖部312位于下位置时，第二基座部311和第二可动盖部312之间被O环315密闭。在第二可动盖部312位于上位置时，搬运机械手CR能够访问腔室R4的内部空间313。

第二基座部311与将内部空间313内的气体向腔室R4外引导的排气管317连接。在排气管317上安装有开闭排气管317内的流路的排气阀318。排气管317与排气单元304连接。排气单元304例如是真空泵。

图6是用于说明基板处理装置1的主要部分的电气结构的框图。控制器3具备微型计算机，根据规定的程序对基板处理装置1所具备的控制对象进行控制。更具体来说，控制器3包括处理器(CPU：中央处理器)3A和存储有程序的存储器3B。控制器3构成为，通过处理器3A执行程序来执行用于基板处理的各种控制。特别地，控制器3对搬运机械手IR、CR、闸门开闭单元33、133、盖部驱动单元214、314、升降销升降单元216、316、加热器通电单元210、310、挡板升降单元36、37、136、喷嘴移动单元38、阀类28、42、52、62、72、82、142、152、162、172、318等的动作进行控制。

图7是用于说明使用基板处理装置1的基板处理的第一例的流程图，主要表示了，通过控制器3执行程序来实现的处理。图8A～图8H是用于说明基板处理的第一例的图解性的剖视图。

在使用基板处理装置1的基板处理中，对基板W连续地进行处理。在基板W的连续处理中，将第一加热单元D1的第一加热器201维持为通过第一加热器通电单元210通电的状态(参照图4)。相同地，在基板W的连续处理中，将第二加热单元D2的第二加热器301维持为通过第二加热器通电单元310通电的状态(参照图5)。

首先，在基板处理装置1的基板处理中，参照图1A，使用搬运机械手IR、CR从容纳器C向第一液处理单元M1搬入基板W(步骤S1：第一搬入工序)。参照图2，搬运机械手CR能够通过出入口31进入第一液处理单元M1。搬入到第一液处理单元M1的基板W从搬运机械手CR交至第一旋转卡盘10。基板W以第一主面W1成为上表面的方式载置于旋转基座21。

然后，打开吸引阀28。由此，在基板W的第二主面W2与旋转基座21的上表面接触的状态下，基板W由第一旋转卡盘10保持(第一基板保持工序)。之后，在直到使用搬运机械手CR从第一液处理单元M1搬出基板W的期间，将基板W维持为水平地保持的状态。

然后，电动马达23使基板W开始旋转(基板旋转工序)。然后，挡板升降单元36、37将挡板13、14配置于上位置。然后，打开药液阀42。由此，开始从药液供给单元15的药液喷嘴40向基板W的第一主面W1供给药液(药液供给工序)。向第一主面W1供给的药液借助离心力遍布整个第一主面W1。由此，用药液对基板W进行处理(步骤S2：药液处理工序)。借助离心力向基板W外排出的药液由第一挡板13接收。

向第一主面W1以恒定时间供给药液后，关闭药液阀42，打开第一冲洗液阀52。由此，如图8A所示，开始从第一冲洗液供给单元16的第一冲洗液喷嘴50向第一主面W1供给冲洗液(第一冲洗液供给工序)。向第一主面W1供给的冲洗液借助离心力遍布整个第一主面W1。由此，将基板W上的药液置换成冲洗液(步骤S3：冲洗液置换工序)。借助离心力向基板W外排出的药液和冲洗液由第一挡板13接收。

然后，关闭第一冲洗液阀52，打开有机溶剂阀82。由此，如图8B所示，开始从有机溶剂供给单元19的有机溶剂喷嘴80向第一主面W1供给有机溶剂(有机溶剂供给工序)。向第一主面W1供给的有机溶剂借助离心力遍布整个第一主面W1。由此，将基板W上的冲洗液置换为有机溶剂(步骤S4：有机溶剂置换工序)。借助离心力向基板W外排出的冲洗液和有机溶剂由第一挡板13接收。

在向第一主面W1供给有机溶剂的期间，被覆剂喷嘴移动单元38使被覆剂喷嘴60移动到中央位置。此外，第一挡板升降单元36使第一挡板13移动到下位置。向第一主面W1以恒定时间供给有机溶剂后，关闭有机溶剂阀82，打开被覆剂阀62。由此，如图8C所示，开始从被覆剂供给单元17的被覆剂喷嘴60向第一主面W1供给被覆剂(步骤S5：被覆剂供给工序)。向第一主面W1供给的被覆剂借助离心力遍布整个第一主面W1。由此，将基板W上的有机溶剂置换为被覆剂。由此，被覆剂的液膜90覆盖基板W的第一主面W1。借助离心力向基板W外排出的有机溶剂和被覆剂由第二挡板14接收。

从被覆剂喷嘴60向基板W的第一主面W1供给的被覆剂有时从第一主面W1的周缘部绕到基板W的第二主面W2。此外，有时向基板W的第一主面W1外飞散的被覆剂从挡板13、14弹回并附着到第二主面W2的周缘部。因此，在被覆剂的液膜90覆盖第一主面W1后，关闭被覆剂阀62，取而代之，打开去除液阀72。由此，如图8D所示，开始从去除液供给单元18的去除液喷嘴70向基板W的第二主面W2的周缘部供给去除液(去除液供给工序)。通过向基板W的第二主面W2的周缘部供给从去除液喷嘴70喷出的去除液，清洗第二主面W2的周缘部(步骤S6：周缘清洗工序)。因此，能够抑制被覆剂污染第二主面W2。这样，去除液供给单元18作为周缘清洗单元发挥作用。

在从去除液喷嘴70喷出去除液的期间，使被覆剂喷嘴60移动到退避位置。然后，关闭去除液阀72，使第二挡板14移动到下位置。然后，电动马达23使基板W停止旋转。然后，关闭吸引阀28。

然后，参照图2，通过闸门开闭单元33重新打开闸门32。然后，搬运机械手CR通过出入口31访问第一液处理单元M1，从第一液处理单元M1搬出基板W(步骤S7：第一搬出工序)。

然后，参照图4，基板W通过搬运机械手CR搬入到第一加热单元D1(步骤S8：第二搬入工序)。此时，通过第一盖部驱动单元214使第一可动盖部212位于上位置，搬运机械手CR能够进入第一加热单元D1。然后，基板W由第一基板保持架200保持为水平(第二基板保持工序)。具体来说，在基板W交至配置于上位置的多个第一升降销203后，通过第一升降销升降单元216使第一升降销203移动到下位置。由此，将基板W载置于第一基板保持架200的上表面。然后，搬运机械手CR从第一加热单元D1退避。然后，第一盖部驱动单元214使第一可动盖部212位于下位置。由此，关闭腔室R3。

在第一加热单元D1中，如图8E所示，通过内置于第一基板保持架200的第一加热器201来对基板W进行加热(步骤S9：第一基板加热工序)。由此，使覆盖基板W的第一主面W1的被覆剂固化(固化工序)。详细地，被覆剂所含的溶剂蒸发，在第一主面W1上仅残留固体成分。由此，形成覆盖基板W的第一主面W1的升华性的被覆膜250(被覆膜形成工序)。通过执行固化工序，能够可靠地形成被覆膜250。

另外，上述的周缘清洗工序在固化工序开始前进行。因此，在通过固化工序使被覆剂固化前，清洗第二主面W2的周缘部。因此，与在被覆剂固化后清洗第二主面W2的周缘部的情况相比，容易清洗第二主面W2的周缘部。

然后，参照图4，通过第一盖部驱动单元214使第一可动盖部212位于上位置，通过第一升降销升降单元216使多个第一升降销203位于上位置。然后，搬运机械手CR从多个第一升降销203接收基板W，且从第一加热单元搬出基板W(步骤S10：第二搬出工序)。

然后，参照图3，使用搬运机械手CR将基板W搬入第二液处理单元M2(步骤S11：第三搬入工序)。搬入到第二液处理单元M2的基板W从搬运机械手CR交至第二旋转卡盘100。基板W以第一主面W1朝向上方的状态由多个卡盘销120把持。由此，由第二旋转卡盘100将基板W保持为水平(第三基板保持工序)。之后，在直到使用搬运机械手CR从第二液处理单元M2搬出基板W的期间，将基板W维持为水平地保持的状态。

然后，电动马达123使基板W开始旋转。然后，通过第三挡板升降单元136使第三挡板102位于上位置。

在第二液处理单元M2中，参照图8F，用清洗液清洗第二主面W2(步骤S12：第二主面清洗工序)。具体来说，打开第二清洗液阀152。由此，从第二清洗液供给单元104的第二清洗液喷嘴150向基板W的第二主面W2供给清洗液(第二清洗液供给工序)。向第二主面W2供给的清洗液借助离心力遍布整个第二主面W2。由此，清洗第二主面W2。这样，第二清洗液供给单元104作为第二主面清洗单元发挥作用。借助离心力向基板W外飞散的清洗液由第三挡板102接收。第二主面清洗工序在被覆膜形成工序结束后进行。

然后，向第二主面W2以恒定时间供给清洗液后，关闭第二清洗液阀152。然后，如图8G所示，打开第一清洗液阀142。由此，从第一清洗液供给单元103的第一清洗液喷嘴140向被覆膜250的表面供给清洗液(第一清洗液供给工序)。由此，清洗被覆膜250的表面(步骤S13：被覆膜清洗工序)。这样，在第二主面清洗工序结束后开始被覆膜清洗工序。即，被覆膜清洗工序包括在第二主面清洗工序结束后清洗被覆膜250的表面的第一清洗工序。这样，第一清洗液供给单元103包括于被覆膜清洗单元。

然后，关闭第一清洗液阀142。取而代之，打开第二冲洗液阀162和第三冲洗液阀172。由此，开始从第二冲洗液供给单元105的第二冲洗液喷嘴160向第一主面W1供给冲洗液。严格地，向形成于第一主面W1的被覆膜250的表面供给冲洗液。向被覆膜250的表面供给的冲洗液借助离心力遍布被覆膜250的整个表面。由此，将被覆膜250上的清洗液置换为冲洗液。开始从第三冲洗液供给单元106的第三冲洗液喷嘴170向第二主面W2供给冲洗液。由此，将第二主面W2上的清洗液置换为冲洗液。这样，将附着于基板W的两面(严格地，被覆膜250的表面和第二主面W2)的清洗液置换为冲洗液(步骤S14：第二冲洗液置换工序)。

然后，通过电动马达123使基板W高速旋转，甩掉附着于基板W的冲洗液。由此，使基板W干燥(S15：基板干燥工序)。然后，电动马达123使基板W停止旋转。然后，第三挡板升降单元136使第三挡板102移动到下位置。

然后，参照图3，通过闸门开闭单元133重新打开闸门132。然后，搬运机械手CR通过出入口131访问第二液处理单元M2，且从第二液处理单元M2搬出基板W(步骤S16：第三搬出工序)。

然后，参照图5，使用搬运机械手CR向第二加热单元D2搬入基板W(步骤S17：第二搬入工序)。此时，由于第二盖部驱动单元314使第二可动盖部312位于上位置，因此搬运机械手CR能够进入第二加热单元D2。然后，由第二基板保持架300将基板W保持为水平(第四基板保持工序)。具体来说，在将基板W交至配置于上位置的多个第二升降销303后，通过第二升降销升降单元316使第二升降销303移动到下位置。由此，将基板W载置于第二基板保持架300的上表面。然后，搬运机械手CR从第二加热单元D2退避。然后，第二盖部驱动单元314使第二可动盖部312位于下位置。由此，关闭腔室R4。

在第二加热单元D2中，如图8H所示，由内置于第二基板保持架300的第二加热器301对基板W进行加热(步骤S18：第二基板加热工序)。由此，使覆盖基板W的第一主面W1的被覆膜250升华(升华工序)。升华工序在被覆膜清洗工序结束后执行。这样，第二加热器301作为升华单元发挥作用。对基板W进行加热时，可以打开排气阀318。由此，排气单元304向腔室R4的内部空间313外排除被覆膜250升华而产生的气体。

然后，通过第二盖部驱动单元314使第二可动盖部312位于上位置，通过第二升降销升降单元316使多个第二升降销303移动到上位置。然后，搬运机械手CR从多个第二升降销303接收基板W，且从第二加热单元D2搬出基板W(步骤S19：第四搬出工序)。

接着，说明被覆膜清洗工序前后的被覆膜250变化的情形。图9A是开始被覆膜清洗工序(图7的步骤S13)之前的基板W的第一主面W1的周边的示意性的剖视图。图9B是结束被覆膜清洗工序不久的基板W的第一主面W1的周边的示意性的剖视图。

如图9A所示，优选以被覆膜250的厚度T1比形成于第一主面W1的金属图案P的高度T2变大的方式，形成有被覆膜250。

此处，在第二主面清洗工序，存在着落到第二主面W2的清洗液在基板W的周边漂浮并着落到被覆膜250的表面251的担忧。存在着落到第二主面W2的清洗液向配置于基板W的周边的构件(第三挡板102等)飞散，从该构件弹回并附着到被覆膜250的表面251的担忧(参照图8F的箭头)。而且，还存在着落到第二主面W2的清洗液从第二主面W2的周缘部绕到第一主面W1侧并附着到被覆膜250的表面251的担忧。清洗液一旦着落到第二主面W2就可能含有颗粒256等的污垢。从基板处理装置1所具备的构件弹回的清洗液的液滴255更容易含有颗粒256。

在被覆膜清洗工序前的被覆膜250的表面251附着有液滴255和该液滴255所含的颗粒256等。附着于被覆膜250的表面251的颗粒256不限于在第二主面清洗工序中向基板W外飞散的清洗液的液滴255中所含的颗粒。也可能在从向基板W的第一主面W1供给被覆剂到开始被覆膜清洗工序为止的期间，颗粒257基于第二主面清洗工序以外的某种原因附着于被覆膜250的表面251。

在被覆膜清洗工序中，从被覆膜250的表面251去除这些液滴255和颗粒256、257。在被覆膜清洗工序中向被覆膜250的表面251供给的清洗液可以是使被覆膜250的表层252溶解的液体。

若在被覆膜清洗工序中使用的清洗液是使被覆膜250的表层252溶解的液体，则如图9B所示，在被覆膜清洗工序中将附着于表面251的颗粒256、257与表层252一起去除(表层去除工序)。此处，可能存在颗粒256、257牢固地附着于被覆膜250的表面251，很难从被覆膜250的表面251去除颗粒256、257的情况。即使在这种情况下，通过在被覆膜清洗工序中将颗粒256、257与被覆膜250的表层252一起去除，能够可靠地清洗被覆膜250的表面251。

被覆膜250因执行表层去除工序而变薄，从而在比表面251更靠第一主面W1侧形成新的表面253。优选以被覆膜250的厚度T1即使在被覆膜清洗工序后也比金属图案P的高度T2变大的方式进行被覆膜清洗工序。这样，可以在被覆膜清洗工序中进行去除被覆膜250的表层252的工序。

与该基板处理不同，在被覆膜清洗工序中向被覆膜250的表面251供给的清洗液可以是不使被覆膜250的表层252溶解的液体。

如上所述，根据本实施方式的基板处理装置1包括：基板保持单元(第一旋转卡盘10、第二旋转卡盘100、第一基板保持架200和第二基板保持架300)；被覆剂供给单元17，向第一主面W1供给被覆剂；被覆膜清洗单元(第一清洗液供给单元103)，清洗覆盖第一主面W1的被覆膜250的表面；以及控制器3。而且，控制器3执行：基板保持工序(第一～第四基板保持工序)，由第一旋转卡盘10、第二旋转卡盘100、第一基板保持架200和第二基板保持架300将基板W保持为水平；被覆膜形成工序，通过从被覆剂供给单元17向第一主面W1供给被覆剂来形成被覆膜250；以及被覆膜清洗工序，使第一清洗液供给单元103清洗被覆膜250的表面。

这样，在被覆膜形成工序中形成升华性的被覆膜250。因此，能够不使用用于从第一主面去除被覆膜的液体且从第一主面W1去除被覆膜250。因此，能够抑制由供给液体引起的金属图案P倒塌。此外，在被覆膜清洗工序中清洗被覆膜250的表面。因此，即使被覆膜250在被覆膜清洗工序后升华，也能够抑制附着于被覆膜250的表面251的污垢(清洗液的液滴255和颗粒256、257)残留于第一主面W1。因此，能够抑制基板W的第一主面W1受到污染。

此外，根据第一实施方式的基板处理装置1还包括清洗第二主面W2的第二清洗液供给单元104(第二主面清洗单元)。然后，在结束被覆膜形成工序后，控制器3还执行使第二清洗液供给单元104清洗第二主面W2的第二主面清洗工序。而且，控制器3在结束第二主面清洗工序后开始被覆膜清洗工序(第一清洗工序)。

这样，被覆膜清洗工序在第二主面清洗工序结束后开始。因此，即使在由第二主面清洗工序引起的清洗液附着于被覆膜250的表面251的情况下，也可以在被覆膜清洗工序中清洗被覆膜250的表面251。因此，在第二主面清洗工序中清洗第二主面W2的基板处理装置1，能够抑制第一主面W1受到污染。

此处，由于着落到第二主面W2的清洗液到达被覆膜250的表面251需要规定的时间，因此在第二主面清洗工序结束后到经过规定时间为止的期间，清洗液有可能附着于被覆膜250的表面251。若是该基板处理装置1那样的被覆膜250的表面251的清洗在第二主面清洗工序后开始的结构，则能够可靠地去除由第二主面清洗工序引起的附着于被覆膜250的表面251的清洗液。此外，即使在第二主面清洗工序开始前污垢(颗粒257)附着于被覆膜250的表面251的情况下，也能够将该污垢(颗粒257)与由第二主面清洗工序引起的附着于被覆膜250的表面251的清洗液的液滴255(和颗粒256)一起去除。

此外，根据第一实施方式的第一清洗液供给单元103包括于第一主面清洗单元。而且，控制器3在被覆膜清洗工序中执行通过从第一清洗液供给单元103向第一主面W1供给清洗液来清洗被覆膜250的表面251的工序(第一清洗液供给工序)。

因此，在被覆膜清洗工序中向被覆膜250的表面251供给的清洗液在被覆膜250的表面251上扩散。因此，能够减少对被覆膜250的表面251的清洗时间。

此外，根据第一实施方式的基板处理装置1还包括使被覆膜250升华的第二加热器301(升华单元)。而且，控制器3在被覆膜清洗工序结束后执行第二加热器301使被覆膜250升华的升华工序。因此，使被覆膜250升华而露出第一主面W1。由于在被覆膜清洗工序中清洗被覆膜250的表面251，因此能够抑制附着于被覆膜250的表面的污垢在被覆膜250升华后残留于第一主面W1。即，能够抑制第一主面W1受到污染。

此外，根据第一实施方式，在第一主面W1形成有金属图案P。因此，若是在第一主面W1形成升华性的被覆膜250，清洗被覆膜250的表面251的结构的基板处理装置1，则能够抑制金属图案P倒塌且抑制第一主面W1受到污染。

使用第一实施方式的基板处理装置1的基板处理不限于上述的例子。使用第一实施方式的基板处理装置1的基板处理可以是以下所示的例子。

图10是用于说明使用基板处理装置1的基板处理的第二例的图解性的剖视图。如图10所示，在基板处理装置1的基板处理中，可以使被覆膜清洗工序(图7的步骤S13)和第二主面清洗工序(图7的步骤S12)并行执行。即，被覆膜清洗工序包括与第二主面清洗工序并行地清洗被覆膜250的表面的第二清洗工序。因此，能够立即去除由第二主面清洗工序引起的附着于被覆膜250的表面的清洗液。在开始第二主面清洗工序之前被覆膜250的表面已经附着有污垢的情况下，在着落到第二主面W2的清洗液到达被覆膜250的表面之前能够开始去除该污垢。而且，能够缩短到被覆膜清洗工序结束为止的时间。因此，能够增加能够在每个单位时间内处理的基板的张数。即，实现提高处理能力。这样，能够实现提高处理能力，且抑制第一主面W1受到污染。

优选，在第二主面清洗工序结束后继续进行第二清洗工序。如上所述，由于着落到第二主面W2的清洗液到达被覆膜250的表面需要规定的时间，因此在从第二主面清洗工序结束后到经过规定时间的期间，清洗液有可能附着于被覆膜250的表面。因此，通过该第二例的基板处理那样在第二主面清洗工序结束后结束第二清洗工序，能够进一步抑制被覆膜清洗工序结束后的、被污染的清洗液附着于被覆膜250的表面。

图11A和图11B是用于说明使用基板处理装置1的基板处理的第三例的图解性的剖视图。如图11A所示，在基板处理装置1的基板处理中，可以与第二主面清洗工序(图7的步骤S12)并行，从第二冲洗液喷嘴160向被覆膜250的表面供给冲洗液。由此，能够抑制在第二主面清洗工序中从基板W飞散的液滴附着于被覆膜250的表面。换言之，从第二冲洗液喷嘴160喷出的冲洗液保护被覆膜250。这样，从第二冲洗液喷嘴160喷出的冲洗液作为保护被覆膜250的表面的保护液发挥作用。即，向被覆膜250的表面供给保护液的保护液供给工序与第二主面清洗工序并行。优选，保护液供给工序不是与第二主面清洗工序的结束同时结束，而是在第二主面清洗工序结束后结束。

然后，如图11B所示，在从第一清洗液喷嘴140向被覆膜250的表面开始供给清洗液之前，停止从第二冲洗液喷嘴160供给冲洗液。即，保护液供给工序在被覆膜清洗工序(图7的步骤S13)开始前执行。

根据第三例的基板处理，用保护液抑制被污染的清洗液附着于被覆膜250的表面。因此，能够抑制第一主面W1受到污染。

图12A和图12B是用于说明使用基板处理装置1的基板处理的第四例的图解性的剖视图。如图12A和图12B所示，在基板处理装置1的基板处理中，可以将基板W以第二主面W2成为上表面的方式保持于第二液处理单元M2的第二旋转卡盘100。该基板处理在第二主面清洗工序(图7的步骤S12)中，从第一清洗液供给单元103的第一清洗液喷嘴140向第二主面W2供给清洗液。此外，在被覆膜清洗工序(图7的步骤S13)中，从第二清洗液供给单元104的第二清洗液喷嘴150向被覆膜250的表面供给清洗液。这样，在该基板处理中，第一清洗液供给单元103作为第二主面清洗单元发挥作用，第二清洗液供给单元104作为被覆膜清洗单元(清洗液供给单元)发挥作用。

此外，基板处理在第二冲洗液置换工序(图7的步骤S14)中，从第二冲洗液喷嘴160向第二主面W2供给冲洗液，从第三冲洗液喷嘴170向第一主面W1供给冲洗液。

＜第二实施方式＞

图13是用于说明第二实施方式的基板处理装置1P所具备的第二液处理单元M2P的结构例的图解性的剖视图。在图13中，对与至此说明的构件相同的构件标注相同的附图标记，并省略其说明。

第二液处理单元M2P与第一实施方式的第二液处理单元M2(参照图3)的主要不同点在于，第二液处理单元M2P包括刷单元108来代替第一清洗液供给单元103。刷单元108是使刷180与基板W的上表面摩擦来清洗基板W的上表面的单元。刷单元108包括：刷180，用于清洗基板W的上表面；刷保持架181，配置于刷180的上方；以及刷臂182，支撑刷保持架181。

刷180是由PVA(聚乙烯醇)等的合成树脂作成的能够弹性变形的海绵刷。刷180从刷保持架181向下方突出。刷180不限于海绵刷，可以是具备由树脂制成的多个纤维形成的毛束的刷。

刷180通过刷移动单元183在水平方向和铅垂方向上移动。刷移动单元183通过水平方向的移动使刷180在中央位置和退避位置之间移动。在刷180位于中央位置时，在铅垂方向上与基板W的上表面的旋转中心位置相对。在刷180位于退避位置时，在铅垂方向上不与基板W的上表面相对。控制器3控制刷移动单元183(参照图6)

在基板处理装置1P中，除了被覆膜清洗工序(图7的步骤S13)之外，执行与基板处理装置1几乎相同的基板处理。在使用基板处理装置1P的基板处理中的被覆膜清洗工序中，使用刷单元108来擦洗被覆膜250的表面。具体来说，刷移动单元183使刷臂182移动，将刷180按压于被覆膜250的表面。由于基板W旋转，因此刷180与被覆膜250的表面摩擦。因此，能够进一步可靠地清洗被覆膜250。这样，在使用基板处理装置1P的基板处理中，刷单元108作为被覆膜清洗单元发挥作用。另外，在刷180清洗被覆膜250时，与使用第一实施方式的基板处理装置1的基板处理相同地，也可以去除被覆膜250的表层252(参照图9A和图9B)。

根据第二实施方式，带来与第一实施方式相同的效果。

此外，在使用基板处理装置1P的基板处理中，与使用第一实施方式的基板处理装置1的基板处理的第四例相同地，可将基板W以第二主面W2成为上表面的方式保持于第二液处理单元M2P的第二旋转卡盘100。在基板处理中，在第二主面清洗工序(图7的步骤S12)，使用刷180来擦洗第二主面W2。此外，在被覆膜清洗工序(图7的步骤S13)，从第二清洗液喷嘴150向被覆膜250的表面供给清洗液。这样，在基板处理中，刷单元108作为第二主面清洗单元发挥作用，第二清洗液供给单元104作为被覆膜清洗单元(清洗液供给单元)发挥作用。

此外，在第二冲洗液置换工序(图7的步骤S14)，从第二冲洗液喷嘴160向第二主面W2供给冲洗液，从第三冲洗液喷嘴170向第一主面W1供给冲洗液。

＜第三实施方式＞

图14是用于说明第三实施方式的基板处理装置1Q所具备的第二液处理单元M2Q的结构例的图解性的剖视图。在图14中，对与至此说明的构件相同的构件标注相同的附图标记，并省略其说明。

第二液处理单元M2Q与第一实施方式的第二液处理单元M2(参照图3)的主要不同点在于，第二液处理单元M2Q包括第三清洗液供给单元109来代替第一清洗液供给单元103。

第三清洗液供给单元109包括双流体喷嘴190、第三清洗液供给管191、第三清洗液阀192、气体供给管196、气体阀197。双流体喷嘴190将SC1等的清洗液和氮气(N₂)等的气体进行混合并喷出。第三清洗液供给管191和气体供给管196与双流体喷嘴190连接。从第三清洗液供给源向第三清洗液供给管191供给清洗液。第三清洗液阀192开闭第三清洗液供给管191内的流路。从气体供给源向气体供给管196供给氮气等的气体。气体阀197开闭气体供给管196内的流路。第三清洗液阀192和气体阀197被控制器3控制(参照图6)。

从第三清洗液供给源向第三清洗液供给管191供给的清洗液不限于SC1。从第一清洗液喷嘴140喷出的清洗液可以是SC1以外的、含有氨的液体。

作为从气体供给源向气体供给管196供给的气体，优选氮气等非活性气体。非活性气体不限于氮气，非活性气体是对基板W的上表面和图案非活性的气体。作为非活性气体的例子，除了氮气以外可以列举出氩气等的稀有气体。

双流体喷嘴190通过双流体喷嘴移动单元198在铅垂方向和水平方向上移动。双流体喷嘴移动单元198通过水平方向的移动，使双流体喷嘴190在中央位置和退避位置之间移动。在双流体喷嘴190位于中央位置时，设置于双流体喷嘴190的喷出口190a在铅垂方向上与基板W的上表面的旋转中心位置相对。在双流体喷嘴190位于退避位置时，喷出口190a在铅垂方向上不与基板W的上表面相对。双流体喷嘴移动单元198被控制器3控制(参照图6)。

基板处理装置1Q执行与基板处理装置1几乎相同的基板处理。使用基板处理装置1Q的基板处理在使用基板处理装置1的基板处理的使用第一清洗液供给单元103的工序中，使用第三清洗液供给单元109。例如，在被覆膜清洗工序，清洗液的液滴与气体一起从双流体喷嘴190的喷出口190a向被覆膜250的表面喷射。由此，擦洗被覆膜250的表面。因此，能够进一步可靠地清洗被覆膜250。这样，第三清洗液供给单元109作为被覆膜清洗单元发挥作用。另外，在双流体喷嘴190清洗被覆膜250时，与使用第一实施方式的基板处理装置1的基板处理相同地，也可以去除被覆膜250的表层252(参照图9A和图9B)。

此外，根据第三实施方式，带来与第一实施方式相同的效果。

此外，在使用基板处理装置1Q的基板处理中，与使用第一实施方式的基板处理装置1的基板处理的第四例相同地，可将基板W以第二主面W2成为上表面的方式保持于第二液处理单元M2P的第二旋转卡盘100。在基板处理中，在第二主面清洗工序(图7的步骤S12)，从双流体喷嘴190向第二主面W2供给清洗液。此外，在被覆膜清洗工序(图7的步骤S13)，从第二清洗液喷嘴150向被覆膜250的表面供给清洗液。这样，在基板处理中，第三清洗液供给单元109作为第二主面清洗单元发挥作用，第二清洗液供给单元104作为被覆膜清洗单元(清洗液供给单元)发挥作用。

此外，在第二冲洗液置换工序(图7的步骤S14)，从第二冲洗液喷嘴160向第二主面W2供给冲洗液，从第三冲洗液喷嘴170向第一主面W1供给冲洗液。

另外，使用第三实施方式的基板处理装置1Q，可以进行与使用第一实施方式的基板处理装置1的基板处理的第二例和第三例相同的基板处理。即使在这些情况下，显然，也可以使用第三清洗液供给单元109来代替第一清洗液供给单元103。

＜第四实施方式＞

图15是用于说明第四实施方式的基板处理装置1R的结构的图解性的立体图。在图15中，对与至此说明的构件相同的构件标注相同的附图标记，并省略其说明。

基板处理装置1R与第一实施方式的基板处理装置1(参照图1B)的主要不同点在于，基板处理装置1R可以包括第一加热单元D13、D14来代替第二加热单元D21、D22。详细地，第三处理塔2C包括第二液处理单元M21、M22和第一加热单元D13。第四处理塔2D包括第二液处理单元M23、M24和第一加热单元D14。在使用该基板处理装置1R的基板处理中，不执行图7的步骤S17～步骤S19。在从基板处理装置1R取出后，可以通过与基板处理装置1R独立地设置的升华单元(例如，等离子灰化装置)使形成于基板W的第一主面W1的被覆膜250升华。

本发明并不局限于上述说明的实施方式，能够以其他方式实施。

与上述的实施方式不同，在基板处理装置1、1P、1Q中，可以设置能够去除被覆膜250的等离子灰化单元(升华单元)来代替第二加热单元D2。

此外，说明了在使用上述的实施方式的基板处理装置1、1P、1Q、1R的基板处理中，通过在第一加热单元D1内对基板W进行加热来使基板W上的被覆剂固化。但是，与上述的基板处理不同，可以执行通过在第一液处理单元M1或第二液处理单元M2内对基板W进行加热，使基板W上的被覆剂固化的基板处理。为此，需要在第一液处理单元M1或第二液处理单元M2内设置对基板W进行加热的加热器(未图示)。在第一液处理单元M1或第二液处理单元M2内设置对基板W进行加热的加热器的情况下，基板处理装置1、1P、1Q、1R可以不具备第一加热单元D1。

此外，在上述的实施方式中，通过加热使被覆剂固化。但是，被覆剂可以是常温下固化的被覆剂(例如速干性的被覆剂)。该情况下，基板处理装置1、1P、1Q、1R可以不具备第一加热单元D1。此外，被覆剂可以是通过冷却来固化的被覆剂。该情况下，可以通过基板处理装置1、1P、1Q、1R的第一加热单元D1所具备的第一冷却单元202对基板W进行冷却。此外，在形成被覆膜250后向基板W供给的处理液优选被冷却。

此外，上述的实施方式在周缘清洗工序(图7的步骤S6)中用去除液清洗第二主面W2的周缘部。但是，在基板处理中使用在第一主面W1的周缘部没有形成金属图案P的基板W的情况下，在周缘清洗工序(图7的步骤S6)中，除了第二主面W2的周缘部之外，还可以用去除液清洗第一主面W1的周缘部。该情况下，需要在基板处理装置1、1P、1Q、1R的第一液处理单元M1设置向基板W的上表面的周缘部供给去除液的去除液供给单元(未图示)。

此外，说明了在上述的实施方式中，用SC1等的清洗液清洗被覆膜250的表面和第二主面W2。但是，与上述的实施方式不同，在通过向被覆膜250的表面和第二主面W2供给DIW等的冲洗液，能够充分地清洗被覆膜250的表面和第二主面W2的情况下，没必要向被覆膜250的表面和第二主面W2供给SC1等。即，与上述的实施方式不同，可以执行将DIW等的冲洗液用作清洗液的基板处理。该情况下，第二冲洗液供给单元105和第三冲洗液供给单元106中的一个作为被覆膜清洗单元(清洗液供给单元)发挥作用，第二冲洗液供给单元105和第三冲洗液供给单元106中的另一个作为第二主面清洗单元发挥作用。

详细地说明了本发明的实施方式，但是这些仅是用于明确本发明的技术内容的具体例，本发明不应限定于这些具体例来解釈，本发明的范围仅由附加的权利要求书来限定。

本申请与2017年7月31日向日本国专利厅提出的特愿2017-148111号对应，该申请的全部公开通过引用编入于此。

Claims (28)

1.一种基板处理方法，其中，包括：

基板保持工序，将具有形成有金属图案的第一主面和所述第一主面的相反侧的第二主面的基板保持为水平；

被覆膜形成工序，通过向所述第一主面供给被覆剂，形成覆盖所述第一主面的升华性的被覆膜；以及

被覆膜清洗工序，清洗所述被覆膜的表面，

所述被覆膜形成工序包括固化工序，所述固化工序在向所述第一主面供给所述被覆剂后，通过对所述基板进行加热使所述被覆剂固化来形成所述被覆膜，

所述基板处理方法还包括升华工序，在所述被覆膜清洗工序结束后使所述被覆膜升华。

2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，还包括：

周缘清洗工序，在所述固化工序开始前清洗所述第二主面的周缘。

3.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，还包括：

第二主面清洗工序，在所述被覆膜形成工序结束后清洗所述第二主面，

所述被覆膜清洗工序在所述第二主面清洗工序结束后开始或者与所述第二主面清洗工序并行执行。

4.根据权利要求3所述的基板处理方法，其中，还包括：

保护液供给工序，向所述被覆膜的表面供给保护所述被覆膜的表面的保护液，

所述保护液供给工序在所述被覆膜清洗工序开始前与所述第二主面清洗工序并行执行。

5.一种基板处理方法，其中，包括：

基板保持工序，将具有第一主面和所述第一主面的相反侧的第二主面的基板保持为水平；

被覆膜形成工序，通过向所述第一主面供给被覆剂，形成覆盖所述第一主面的升华性的被覆膜；

第二主面清洗工序，在所述被覆膜形成工序结束后清洗所述第二主面；

保护液供给工序，向所述被覆膜的表面供给保护所述被覆膜的表面的保护液；以及

被覆膜清洗工序，在所述第二主面清洗工序结束后开始或者与所述第二主面清洗工序并行执行，清洗所述被覆膜的表面，

所述保护液供给工序在所述被覆膜清洗工序开始前与所述第二主面清洗工序并行执行。

6.根据权利要求3至5中任一项所述的基板处理方法，其中，

所述被覆膜清洗工序包括在所述第二主面清洗工序结束后开始清洗所述被覆膜的表面的第一清洗工序。

7.根据权利要求3至5中任一项所述的基板处理方法，其中，

所述被覆膜清洗工序包括与所述第二主面清洗工序并行地清洗所述被覆膜的表面的第二清洗工序。

8.根据权利要求7所述的基板处理方法，其中，

所述第二清洗工序在所述第二主面清洗工序结束后结束。

9.根据权利要求5所述的基板处理方法，其中，

所述被覆膜形成工序包括固化工序，所述固化工序在向所述第一主面供给所述被覆剂后，通过对所述基板进行加热使所述被覆剂固化来形成所述被覆膜。

10.根据权利要求9所述的基板处理方法，其中，还包括：

周缘清洗工序，在所述固化工序开始前清洗所述第二主面的周缘。

11.根据权利要求5所述的基板处理方法，其中，还包括：

升华工序，在所述被覆膜清洗工序结束后使所述被覆膜升华。

12.根据权利要求5所述的基板处理方法，其中，

在所述第一主面形成有金属图案。

13.根据权利要求1或5所述的基板处理方法，其中，

所述被覆膜清洗工序包括通过向所述被覆膜的表面供给清洗液来清洗所述被覆膜的表面的工序。

14.根据权利要求1或5所述的基板处理方法，其中，

所述被覆膜清洗工序包括去除所述被覆膜的表层的工序。

15.一种基板处理装置，其中，包括：

基板保持单元，将具有形成有金属图案的第一主面和所述第一主面的相反侧的第二主面的基板保持为水平，

被覆剂供给单元，向所述第一主面供给能够形成覆盖所述第一主面的升华性的被覆膜的被覆剂，

被覆膜清洗单元，清洗所述被覆膜的表面，以及

基板加热单元，对所述基板进行加热，

升华单元，使所述被覆膜升华，

控制器，对所述基板保持单元、所述被覆剂供给单元、所述被覆膜清洗单元、所述基板加热单元以及所述升华单元进行控制；

所述控制器以执行基板保持工序、被覆膜形成工序和被覆膜清洗工序的方式被编程，所述基板保持工序通过所述基板保持单元将所述基板保持为水平，所述被覆膜形成工序通过从所述被覆剂供给单元向所述第一主面供给所述被覆剂来形成所述被覆膜，所述被覆膜清洗工序通过所述被覆膜清洗单元清洗所述被覆膜的表面，

所述控制器以在所述被覆膜形成工序中执行固化工序的方式被编程，所述固化工序在向所述第一主面供给所述被覆剂后，通过所述基板加热单元对所述基板进行加热使所述被覆膜固化，

所述控制器以执行升华工序的方式被编程，所述升华工序在所述被覆膜清洗工序结束后通过所述升华单元使所述被覆膜升华。

16.根据权利要求15所述的基板处理装置，其中，还包括：

周缘清洗单元，清洗所述第二主面的周缘，

所述控制器以执行周缘清洗工序的方式被编程，所述周缘清洗工序在所述固化工序开始前通过所述周缘清洗单元清洗所述第二主面的周缘。

17.根据权利要求15所述的基板处理装置，其中，还包括：

第二主面清洗单元，清洗所述第二主面，

所述控制器以还执行第二主面清洗工序的方式被编程，所述第二主面清洗工序在所述被覆膜形成工序结束后通过所述第二主面清洗单元清洗所述第二主面，

所述控制器以在所述第二主面清洗工序结束后开始所述被覆膜清洗工序的方式被编程或者以与所述第二主面清洗工序并行地执行所述被覆膜清洗工序的方式被编程。

18.根据权利要求17所述的基板处理装置，其中，还包括：

保护液供给单元，向所述第一主面供给保护所述被覆膜的表面的保护液，

所述控制器以执行保护液供给工序的方式被编程，所述保护液供给工序在所述被覆膜清洗工序开始前与所述第二主面清洗工序并行，从所述保护液供给单元向所述被覆膜的表面供给所述保护液。

19.一种基板处理装置，其中，包括：

基板保持单元，将具有第一主面和所述第一主面的相反侧的第二主面的基板保持为水平，

被覆剂供给单元，向所述第一主面供给能够形成覆盖所述第一主面的升华性的被覆膜的被覆剂，

被覆膜清洗单元，清洗所述被覆膜的表面，以及

控制器，对所述基板保持单元、所述被覆剂供给单元和所述被覆膜清洗单元进行控制；

所述控制器以执行基板保持工序、被覆膜形成工序和被覆膜清洗工序的方式被编程，所述基板保持工序通过所述基板保持单元将所述基板保持为水平，所述被覆膜形成工序通过从所述被覆剂供给单元向所述第一主面供给所述被覆剂来形成所述被覆膜，所述被覆膜清洗工序通过所述被覆膜清洗单元清洗所述被覆膜的表面，

该基板处理装置还包括清洗所述第二主面的第二主面清洗单元和向所述第一主面供给保护所述被覆膜的表面的保护液的保护液供给单元，

所述控制器以执行第二主面清洗工序的方式被编程，所述第二主面清洗工序在所述被覆膜形成工序结束后通过所述第二主面清洗单元清洗所述第二主面，

所述控制器以在所述第二主面清洗工序结束后开始所述被覆膜清洗工序的方式被编程或者以与所述第二主面清洗工序并行地执行所述被覆膜清洗工序的方式被编程，

所述控制器以执行保护液供给工序的方式被编程，所述保护液供给工序在所述被覆膜清洗工序开始前与所述第二主面清洗工序并行，从所述保护液供给单元向所述被覆膜的表面供给所述保护液。

20.根据权利要求17至19中任一项所述的基板处理装置，其中，

所述控制器以在所述被覆膜清洗工序中执行第一清洗工序的方式被编程，所述第一清洗工序在所述第二主面清洗工序结束后，通过所述被覆膜清洗单元开始清洗所述被覆膜。

21.根据权利要求17至19中任一项所述的基板处理装置，其中，

所述控制器以在所述被覆膜清洗工序中执行第二清洗工序的方式被编程，所述第二清洗工序与所述第二主面清洗工序并行，通过所述被覆膜清洗单元清洗所述被覆膜的表面。

22.根据权利要求21所述的基板处理装置，其中，

所述控制器以在所述第二主面清洗工序结束后结束所述第二清洗工序的方式被编程。

23.根据权利要求19所述的基板处理装置，其中，还包括：

基板加热单元，对所述基板进行加热，

所述控制器以在所述被覆膜形成工序中执行固化工序的方式被编程，所述固化工序在向所述第一主面供给所述被覆剂后，通过所述基板加热单元对所述基板进行加热使所述被覆膜固化。

24.根据权利要求23所述的基板处理装置，其中，还包括：

周缘清洗单元，清洗所述第二主面的周缘，

所述控制器以执行周缘清洗工序的方式被编程，所述周缘清洗工序在所述固化工序开始前通过所述周缘清洗单元清洗所述第二主面的周缘。

25.根据权利要求19所述的基板处理装置，其中，还包括：

升华单元，使所述被覆膜升华，

所述控制器以执行升华工序的方式被编程，所述升华工序在所述被覆膜清洗工序结束后通过所述升华单元使所述被覆膜升华。

26.根据权利要求19所述的基板处理装置，其中，

在所述第一主面形成有金属图案。

27.根据权利要求15或19所述的基板处理装置，其中，

所述被覆膜清洗单元具有清洗液供给单元，所述清洗液供给单元向所述第一主面供给清洗液，

所述控制器以在所述被覆膜清洗工序中执行通过从所述清洗液供给单元向所述第一主面供给清洗液来清洗所述被覆膜的表面的工序的方式被编程。

28.根据权利要求15或19所述的基板处理装置，其中，

所述控制器以在所述被覆膜清洗工序中执行去除所述被覆膜的表层的工序的方式被编程。

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