TWI816227B - 基板處理裝置、洗淨單元及多通道閥洗淨方法 - Google Patents

基板處理裝置、洗淨單元及多通道閥洗淨方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI816227B
TWI816227B TW110142931A TW110142931A TWI816227B TW I816227 B TWI816227 B TW I816227B TW 110142931 A TW110142931 A TW 110142931A TW 110142931 A TW110142931 A TW 110142931A TW I816227 B TWI816227 B TW I816227B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
valve
mentioned
cleaning
processing
channel valve
Prior art date
Application number
TW110142931A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202224797A (zh
Inventor
脇田明日香
野村高幸
藤原友則
小路丸友則
東克栄
Original Assignee
日商斯庫林集團股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商斯庫林集團股份有限公司 filed Critical 日商斯庫林集團股份有限公司
Publication of TW202224797A publication Critical patent/TW202224797A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI816227B publication Critical patent/TWI816227B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B9/00—Cleaning hollow articles by methods or apparatus specially adapted thereto 
    • B08B9/02—Cleaning pipes or tubes or systems of pipes or tubes
    • B08B9/027—Cleaning the internal surfaces; Removal of blockages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67184—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the presence of more than one transfer chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67196—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the transfer chamber
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

本發明之課題在於有效地洗淨多通道閥。 本發明之基板處理裝置具備：貯槽，其用於供給藥液；多通道閥，其可選擇性供給複數種處理液；及處理液噴嘴，其使用自多通道閥供給之處理液處理基板；可切換用於處理基板之基板處理模式、與用於至少洗淨多通道閥之洗淨模式；於洗淨模式下，於不經由處理液噴嘴而經由貯槽與多通道閥之路徑即洗淨路徑中，自貯槽向多通道閥供給藥液。

Description

基板處理裝置、洗淨單元及多通道閥洗淨方法
本案說明書所揭示之技術係關於一種基板處理技術者。於成為處理對象之基板，包含例如半導體晶圓、液晶顯示裝置用玻璃基板、有機EL(electroluminescence：電致發光)顯示裝置等之平面顯示器(FPD，flat panel display)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光罩用玻璃基板、陶瓷基板、場發射顯示器(field emission display，即FED)用基板、或太陽能電池用基板等。
於基板處理裝置中，有為了於基板處理中使用複數種處理液，而設置可選擇性供給複數種處理液中之1種之閥門單元即多通道閥之情形(例如，參照專利文獻1)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2019-012791號公報
上述般之多通道閥為分別自連接於上游側之複數個配管供給處理液之構造，由於為配管連接集中之部位故容易積留污垢。另一方面，由於構造複雜，故有不容易充分洗淨之問題。
本案說明書所揭示之技術係鑑於以上記載之問題而完成者，即用於有效地洗淨多通道閥之技術。
本案說明書所揭示之技術之第1態樣之基板處理裝置具備：貯槽，其用於供給藥液；多通道閥，其被供給用於處理基板之複數種處理液，且可選擇性供給複數種上述處理液中之至少1種；及處理液噴嘴，其用於使用自上述多通道閥供給之上述處理液處理上述基板；可切換用於處理上述基板之基板處理模式、與用於至少洗淨上述多通道閥之洗淨模式；於上述基板處理模式下，藉由供給至上述處理液噴嘴之上述處理液處理上述基板；於上述洗淨模式下，於不經由上述處理液噴嘴而經由上述貯槽與上述多通道閥之路徑即洗淨路徑中，自上述貯槽向上述多通道閥供給上述藥液。
本案說明書所揭示之技術之第2態樣之基板處理裝置與第1態樣之基板處理裝置相關聯，其中上述藥液為複數種上述處理液中之1種。
本案說明書所揭示之技術之第3態樣之基板處理裝置與第1或第2態樣之基板處理裝置相關聯，其中於上述洗淨路徑之上述貯槽之下游，且上述多通道閥之上游之位置，進而具備：複數個供給配管，其等被供給上述藥液；及至少1個連接配管，其跨及複數個上述供給配管而連接。
本案說明書所揭示之技術之第4態樣之基板處理裝置與第3態樣之基板處理裝置相關聯，其中上述連接配管收納於收納上述多通道閥之殼體內。
本案說明書所揭示之技術之第5態樣之基板處理裝置與第3或第4態樣之基板處理裝置相關聯，其中上述連接配管收納於收納上述貯槽及上述多通道閥之殼體內。
本案說明書所揭示之技術之第6態樣之基板處理裝置與第3至5中任一態樣之基板處理裝置相關聯，其中上述多通道閥具備使複數個上述供給配管之各者開關之複數個選擇閥門，於上述洗淨模式下，複數個上述供給配管中之至少1個藉由對應之上述選擇閥門而開關。
本案說明書所揭示之技術之第7態樣之基板處理裝置與第1至6中任一態樣之基板處理裝置相關聯，其中於上述洗淨模式下，上述藥液於上述洗淨路徑中循環。
本案說明書所揭示之技術之第8態樣之基板處理裝置與第7態樣之基 板處理裝置相關聯，其進而具備：沖洗液供給源，其用於供給沖洗液；及抽吸部，其對於上述多通道閥內進行抽吸；於上述洗淨模式下，於上述洗淨路徑中之上述藥液循環之後，對上述多通道閥供給上述沖洗液，進而藉由上述抽吸部抽吸上述多通道閥內。
本案說明書所揭示之技術之第9態樣之基板處理裝置與第8態樣之基板處理裝置相關聯，其中於上述洗淨模式下，重複複數次上述洗淨路徑中之上述藥液循環、於上述藥液循環之後供給上述沖洗液、及供給上述沖洗液之後之上述多通道閥內之抽吸。
本案說明書所揭示之技術之第10態樣之基板處理裝置與第1至7中之任一態樣之基板處理裝置相關聯，其中於上述洗淨模式下，上述藥液之供給壓變動。
本案說明書所揭示之技術之第11態樣之洗淨單元具備：貯槽，其用於供給藥液；及洗淨配管，其用於形成用以至少洗淨多通道閥之路徑即洗淨路徑；上述多通道閥被供給複數種處理液，且可選擇性供給複數種上述處理液中之至少一種；上述洗淨路徑經過上述貯槽；上述多通道閥於上述洗淨路徑中，藉由自上述貯槽供給之上述藥液被洗淨；上述洗淨配管可相對於上述多通道閥裝卸。
本案說明書所揭示之技術之第12態樣之洗淨單元與第11態樣之洗淨單元相關聯，其中於上述洗淨路徑之上述貯槽之下游、且上述多通道閥之 上游之位置，進而具備：複數個供給配管，其等被供給上述藥液；及至少1個連接配管，其跨及複數個上述供給配管而連接。
本案說明書所揭示之技術之第13態樣之洗淨單元與第12態樣之洗淨單元相關聯，其中上述多通道閥具備使複數個上述供給配管之各者開關之複數個選擇閥門，複數個上述供給配管中之至少1個藉由對應之上述選擇閥門而開關。
本案說明書所揭示之技術之第14態樣之洗淨單元與第11至13中任一態樣之洗淨單元相關聯，其中上述藥液於上述洗淨路徑中循環。
本案說明書所揭示之技術之第15態樣之洗淨單元與第11至14中任一態樣之洗淨單元相關聯，其進而具備：沖洗液供給源，其用於供給沖洗液；及抽吸部，其對於上述多通道閥內進行抽吸；於上述洗淨路徑中之上述藥液循環之後，對上述多通道閥供給上述沖洗液，進而藉由上述抽吸部抽吸上述多通道閥內。
本案說明書所揭示之技術之第16態樣之洗淨單元與第15態樣之洗淨單元相關聯，重複複數次上述洗淨路徑中之上述藥液循環、於上述藥液循環之後供給上述沖洗液、及供給上述沖洗液之後之上述多通道閥內之抽吸。
本案說明書所揭示之技術之第17態樣之多通道閥洗淨方法將以被供 給用於處理基板之複數種處理液，且可選擇性供給複數種上述處理液中之至少1種之狀態連接於基板處理裝置之多通道閥洗淨，且上述基板處理裝置具備：貯槽，其用於供給藥液；及處理液噴嘴，其用於使用自上述多通道閥供給之上述處理液處理上述基板；上述基板處理裝置可切換用於處理上述基板之基板處理模式、與用於至少洗淨上述多通道閥之洗淨模式；於上述基板處理模式下，藉由供給至上述處理液噴嘴之上述處理液處理上述基板；於上述洗淨模式下，於不經由上述處理液噴嘴而經由上述貯槽與上述多通道閥之路徑即洗淨路徑中，自上述貯槽向上述多通道閥供給上述藥液；於上述洗淨模式下，具備洗淨上述多通道閥之步驟。
根據本案說明書所揭示之技術之至少第1、第11、第17態樣，藉由對不經由處理液噴嘴之洗淨路徑供給藥液，而可有效地洗淨多通道閥。
又，與本案說明書所揭示之技術相關聯之目的、特徵、態樣、優點藉由以下所示之詳細說明隨附圖式而進一步明瞭。
1:基板處理裝置
1A:基板處理裝置
1B:基板處理裝置
10:旋轉卡盤
10A:旋轉基台
10C:旋轉軸
10D:旋轉馬達
12:處理杯
20:處理液噴嘴
22:噴嘴臂
22A:臂部
22B:軸體
22C:致動器
30:箱櫃
32:藥液貯槽
34:閥門
36:泵
38:過濾器
39:供給配管
40:箱櫃
42:藥液貯槽
44:閥門
46:泵
48:過濾器
49:供給配管
50:箱櫃
52:藥液貯槽
54:閥門
56:泵
58:過濾器
59:供給配管
60:流體箱
61:供給配管
62A:供給閥門
62B:供給閥門
62C:供給閥門
62D:供給閥門
64E:連接配管
64F:連接配管
64G:連接配管
65:開放閥門
66E:連接閥門
66F:連接閥門
66G:連接閥門
67:供給閥門
68:多通道閥
68A:連接部
68B:選擇閥門
68C:選擇閥門
68D:選擇閥門
68E:選擇閥門
68F:選擇閥門
69:排液閥門
70:流體箱
71:供給配管
72A:供給閥門
72B:供給閥門
72C:供給閥門
72D:供給閥門
74E:連接配管
74F:連接配管
74G:連接配管
75:開放閥門
76E:連接閥門
76F:連接閥門
76G:連接閥門
77:供給閥門
78:多通道閥
78A:連接部
78B:選擇閥門
78C:選擇閥門
78D:選擇閥門
78E:選擇閥門
78F:選擇閥門
79:排液閥門
80:洗淨單元
81:閥門
82:藥液貯槽
83:閥門
84:閥門
85:閥門
86:泵
87:開放閥門
88:過濾器
89:開放閥門
90:控制部
91:CPU
92:ROM
93:RAM
94:記錄裝置
94P:處理程式
95:匯流排線
96:輸入部
97:顯示部
98:通信部
100:供給配管
160:流體箱
162A:供給閥門
162B:供給閥門
162C:供給閥門
164E:連接配管
164F:連接配管
164G:連接配管
166E:連接閥門
166F:連接閥門
166G:連接閥門
170:流體箱
180:腔室
230:洗淨櫃
232:藥液貯槽
234:閥門
236:泵
238:過濾器
239:供給配管
240:供給閥門
241:供給閥門
260:流體箱
262:循環閥門
264:循環配管
270:流體箱
272:循環閥門
274:循環配管
330:箱櫃
331:閥門
332:藥液貯槽
333:閥門
334:閥門
335:閥門
336:泵
337:開放閥門
338:過濾器
339:供給配管
340:配管
402:循環配管
404:供給配管
406:供給配管
408:供給配管
410:供給配管
412:連接配管
414:供給配管
502:供給配管
504:連接配管
506:供給配管
508:供給配管
510:供給配管
512:供給配管
514:循環配管
516:排液配管
600:處理單元
600A:處理單元
600B:處理單元
601:裝載埠
602:傳載機械手
603:中心機械手
604:基板載置部
C:載體
W:基板
Z1:旋轉軸線
圖1係概略性顯示實施形態相關之基板處理裝置之構成例之俯視圖。
圖2係顯示圖1中例示之控制部之構成例之圖。
圖3係顯示實施形態相關之基板處理裝置之構成中經由配管連接於各個處理單元之構造例的圖。
圖4係顯示處理單元之構成例之圖。
圖5係顯示實施形態相關之基板處理裝置之構成中經由配管連接於各個處理單元之構造之變化例之圖。
圖6係顯示實施形態相關之基板處理裝置之構成中經由配管連接於各個處理單元之構造之另一變化例的圖。
圖7係顯示以收納洗淨模式下拆除之多通道閥之方式構成之箱櫃之構成例的圖。
圖8係顯示以收納多通道閥之方式構成之洗淨單元之構成例的圖。
以下，一面參照隨附之圖式一面對實施形態進行說明。於以下實施形態，雖為說明技術亦顯示詳細之特徵等，但該等為例示，該等全部未必為實施形態可實施所必要之特徵。
另，圖式係概略性顯示者，係為了方便說明起見，而於圖式中適當地省略構成、或簡化構成者。又，不同之圖式各自所示之構成等之大小及位置之相互關係未必為準確記載者，而為可適當變更者。又，於非剖視圖之俯視圖等圖式中，有為容易理解實施形態之內容，而附加陰影線之情形。
又，於以下所示之說明，對同樣之構成要件附註相同之符號而圖示，其等之名稱與功能亦同樣。因此，有為避免重複而省略其等相關之詳細說明之情形。
又，於本案說明書記載之說明中，於將某構成要件記載為「具備」、「包含」或「具有」等之情形時，只要無特別記述，則並非排除其他構成要件之存在之排他性之表現。
又，於本案說明書記載之說明中，即使於使用「第1」或「第2」等序數之情形時，該等用語亦係為了便於容易理解實施形態之內容而使用者，並非限定於可能藉由該等序數而產生之順序等者。
又，於本案說明書記載之說明中，即使於使用「上」、「下」、「左」、「右」、「側」、「底」、「正」或「背」等意為特定之位置或方向之用語之情形時，該等用語亦係為了便於容易理解實施形態之內容而使用者，與實際實施時之位置或方向無關係。
又，於本案說明書記載之說明中，於記載為「...之上表面」或「...之下表面」等之情形時，設為除成為對象之構成要件之上表面自身或下表面自身以外，亦包含於成為對象之構成要件之上表面或下表面形成有其他構成要件之狀態者。即，例如，於記載為「設置於甲之上表面之乙」之情形時，並不妨礙於甲與乙之間介存其他構成要件「丙」者。
<實施形態>
以下，對本實施形態相關之基板處理裝置、及洗淨單元進行說明。
<關於基板處理裝置之構成>
圖1係概略性顯示本實施形態相關之基板處理裝置1之構成例之俯視圖。基板處理裝置1具備裝載埠601、傳載機械手602、中心機械手603、控制部90、及至少1個處理單元600(於圖1中為4個處理單元)。
處理單元600為可使用於基板處理之單片式之裝置，具體而言為進行去除附著於基板W之有機物之處理之裝置。附著於基板W之有機物為例如已使用之光阻膜。該光阻膜係例如作為離子注入步驟用之注入遮罩使用者。
另，處理單元600可具有腔室180。於該情形時，藉由控制部90控制腔室180內之氛圍，處理單元600可於期望之氛圍中進行基板處理。
控制部90可控制基板處理裝置1之各個構成之動作。載體C係收納基板W之收納器。又，裝載埠601係保持複數個載體C之收納器保持機構。傳載機械手602可於裝載埠601與基板載置部604之間搬送基板W。中心機械手603可於基板載置部604及處理單元600之間搬送基板W。
藉由以上之構成，傳載機械手602、基板載置部604及中心機械手603作為於各個處理單元600與裝載埠601之間搬送基板W之搬送機構發揮功能。
藉由傳載機械手602自載體C取出未處理之基板W。且，將未處理之基板W經由基板載置部604交接至中心機械手603。
中心機械手603將該未處理之基板W搬入至處理單元600。且，處理單元600對基板W進行處理。
藉由中心機械手603自處理單元600取出於處理單元600中已處理之基板W。且，於根據需要，將已處理之基板W經過其他處理單元600之後，經由基板載置部604交接至傳載機械手602。傳載機械手602將已處理之基板W搬入載體C。藉由以上，進行對基板W之處理。
圖2係顯示圖1例示之控制部90之構成例之圖。控制部90亦可藉由具有電路之一般電腦構成。具體而言，控制部90具備中央運算處理裝置(central processing unit，即CPU)91、唯讀記憶體(read only memory，即ROM)92、隨機存取記憶體(random access memory，即RAM)93、記錄裝置94、輸入部96、顯示部97及通信部98、及將該等相互連接之匯流排線95。
ROM92存儲基本程式。RAM93作為供CPU91進行特定之處理時之作業區域使用。記錄裝置94由快閃記憶體或硬碟裝置等非揮發性記錄裝置構成。輸入部96由各種開關或觸控面板等構成，自使用者接收處理配方等輸入設定指示。顯示部97由例如液晶顯示裝置及燈等構成，於CPU91之控制下顯示各種資訊。通信部98具有經由區域網路(LAN，local area network)等之資料通信功能。
於記錄裝置94，預先設定圖1之基板處理裝置1之各個構成之控制相關之複數個模式。藉由使CPU91執行處理程式94P，而選擇上述複數個模式中之1個模式，於該模式下控制各個控制。另，亦可將處理程式94P記錄於外部之記錄媒體。若使用該記錄媒體，則可於控制部90安裝處理程式94P。又，控制部90執行之功能之一部分或全部未必由軟體實現，亦可由專用之邏輯電路等之硬體實現。
圖3係顯示本實施形態相關之基板處理裝置1之構成中經由配管連接於各個處理單元600之構造例之圖。
如圖3所例示，基板處理裝置1具備箱櫃30、箱櫃40、箱櫃50、流體箱60、流體箱70、處理單元600A、及處理單元600B。另，箱櫃之數量並非限定於圖3所示之數量者。又，流體箱只要相對於1個處理單元具備1個即可。又，處理單元600A及處理單元600B為與圖1所示之處理單元600同等者。
箱櫃30具備藥液貯槽32、閥門34、泵36、及過濾器38。於藥液貯槽32，貯存有可用於處理基板W之藥液(例如H2O2、NH4OH、O3或IPA(Isopropyl Alcohol：異丙醇)等有機溶劑等)、可用於洗淨稍後敘述之多通道閥之藥液、或兼用於該等之藥液。閥門34、泵36及過濾器38分別設置於連接於藥液貯槽32之配管即供給配管39。
貯存於藥液貯槽32之藥液於藉由控制部90之控制而調整開關之閥門 34打開之狀態下，藉由同樣由控制部90之控制而動作之泵36通過過濾器38且流到供給配管39內，流向下游之流體箱60，進而流向處理單元600A等。
箱櫃40具備藥液貯槽42、閥門44、泵46、及過濾器48。於藥液貯槽42，貯存有可用於處理基板W之藥液、可用於洗淨稍後敘述之多通道閥之藥液、或兼用於該等之藥液。閥門44、泵46及過濾器48分別設置於連接於藥液貯槽42之配管即供給配管49。
貯存於藥液貯槽42之藥液於藉由控制部90之控制而調整開關之閥門44打開之狀態下，藉由同樣由控制部90之控制而動作之泵46通過過濾器48且流到供給配管49內，流向下游之流體箱60，進而流向處理單元600A等。
箱櫃50具備藥液貯槽52、閥門54、泵56、及過濾器58。於藥液貯槽52，貯存有可用於處理基板W之藥液、可用於洗淨稍後敘述之多通道閥之藥液、或兼用於該等之藥液。閥門54、泵56及過濾器58分別設置於連接於藥液貯槽52之配管即供給配管59。
貯存於藥液貯槽52之藥液於藉由控制部90之控制而調整開關之閥門54打開之狀態下，藉由同樣由控制部90之控制而動作之泵56通過過濾器58且流到供給配管59內，流向下游之流體箱60，進而流向處理單元600A等。
又，作為自純水供給源供給之沖洗液之純水亦流到連接於純水供給源之供給配管100內，流向下游之流體箱60，進而流向處理單元600A等。
供給配管39亦連接於流體箱60以外之流體箱(例如流體箱70或未圖示之其他流體箱)，使藥液貯槽32內之藥液流向各個流體箱。
供給配管49亦連接於流體箱60以外之流體箱(例如流體箱70或未圖示之其他流體箱)，使藥液貯槽32內之藥液流向各個流體箱。
供給配管59亦連接於流體箱60以外之流體箱(例如流體箱70或未圖示之其他流體箱)，使藥液貯槽32內之藥液流向各個流體箱。
供給配管100亦連接於流體箱60以外之流體箱(例如流體箱70或未圖示之其他流體箱)，使作為沖洗液之純水流向各個流體箱。
流體箱60具備供給閥門62A、供給閥門62B、供給閥門62C及供給閥門62D、連接配管64E、連接配管64F、連接配管64G、連接閥門66E、連接閥門66F、連接閥門66G、多通道閥68、開放閥門65、供給閥門67、及排液閥門69。
供給閥門62A、供給閥門62B、供給閥門62C及供給閥門62D係設置於自上游側連接之各個配管(例如供給配管39、供給配管49、供給配管59 及供給配管100)之閥門。
連接配管64E係於供給閥門62A及供給閥門62B之下游，跨及設置有供給閥門62A之配管與設置有供給閥門62B之配管的配管。
連接配管64F係於供給閥門62B及供給閥門62C之下游，跨及設置有供給閥門62B之配管與設置有供給閥門62C之配管的配管。
連接配管64G係於供給閥門62C及供給閥門62D之下游，跨及設置有供給閥門62C之配管與設置有供給閥門62D之配管的配管。
連接閥門66E係設置於連接配管64E之閥門。連接閥門66F係設置於連接配管64F之閥門。連接閥門66G係設置於連接配管64G之閥門。
多通道閥68係可連接於與供給閥門62A、供給閥門62B、供給閥門62C及供給閥門62D各者對應之複數個配管，且選擇該等複數個配管中之至少1個並流向下游之供給配管61之閥。
開放閥門65係設置於配管之閥門，且該配管於設置有供給閥門之任一配管中之連接閥門之下游且多通道閥68之上游分支。開放閥門65係用於對配管內導入空氣或惰性氣體(例如氮)，或對於配管內進行抽吸(即，將配管內排氣)之閥門。
供給閥門67係設置於多通道閥68之下游之供給配管61之閥門。於藉由控制部90之控制而供給閥門67打開之狀態下，自多通道閥68供給之處理液供給至處理單元600A。
排液閥門69係設置於在供給配管61中之多通道閥68之下游且供給閥門67之上游分支之配管之閥門。排液閥門69係用於排出配管內之處理液之閥門。
此處，處理液不限於貯存於藥液貯槽32、藥液貯槽42及藥液貯槽52之藥液，例如亦包含純水(DIW：Deionized Water：去離子水)等之沖洗液、或該等之混合液。
流體箱70具備供給閥門72A、供給閥門72B、供給閥門72C及供給閥門72D、連接配管74E、連接配管74F、連接配管74G、連接閥門76E、連接閥門76F、連接閥門76G、多通道閥78、開放閥門75、供給閥門77、及排液閥門79。
供給閥門72A、供給閥門72B、供給閥門72C及供給閥門72D係設置於自上游側連接之各個配管之閥門。
連接配管74E係於供給閥門72A及供給閥門72B之下游，跨及設置有供給閥門72A之配管與設置有供給閥門72B之配管的配管。
連接配管74F係於供給閥門72B及供給閥門72C之下游，跨及設置有供給閥門72B之配管與設置有供給閥門72C之配管的配管。
連接配管74G係於供給閥門72C及供給閥門72D之下游，跨及設置有供給閥門72C之配管與設置有供給閥門72D之配管的配管。
連接閥門76E係設置於連接配管74E之閥門。連接閥門76F係設置於連接配管74F之閥門。連接閥門76G係設置於連接配管74G之閥門。
多通道閥78係可連接於與供給閥門72A、供給閥門72B、供給閥門72C及供給閥門72D分別對應之複數個配管，且選擇該等複數個配管中之至少1個並流向下游之供給配管71之閥。
開放閥門75係設置於配管之閥門，且該配管於設置有供給閥門之任一個配管中之連接閥門之下游且多通道閥78之上游分支。開放閥門75係用於對配管內導入空氣或惰性氣體(例如氮)，或對於配管內進行抽吸之閥門。
供給閥門77係設置於多通道閥78之下游之供給配管71之閥門。於藉由控制部90之控制供給閥門77打開之狀態下，自多通道閥78供給之處理液供給至處理單元600B。
排液閥門79係設置於在供給配管71中之多通道閥78之下游且供給閥 門77之上游分支之配管之閥門。排液閥門79係用於排出配管內之處理液之閥門。
多通道閥68具備：連接部68A，其跨及自上游側連接之複數個配管(例如供給配管39、供給配管49、供給配管59及供給配管100)而連接；選擇閥門68B、選擇閥門68C、選擇閥門68D及選擇閥門68E，其等於連接部68A之上游側，設置於複數個配管各者；及選擇閥門68F，其於連接部68A之下游側，設置於與連接部68A連接之供給配管61。
於多通道閥68中之選擇閥門68B、選擇閥門68C、選擇閥門68D及選擇閥門68E中之至少1個、及選擇閥門68F打開之狀態下，將自上游側供給之處理液經由多通道閥68供給至處理單元600A。
多通道閥78具備：連接部78A，其跨及自上游側連接之複數個配管而連接；選擇閥門78B、選擇閥門78C、選擇閥門78D及選擇閥門78E，其等於連接部78A之上游側，設置於複數個配管各者；及選擇閥門78F，其於連接部78A之下游側，設置於與連接部78A連接之供給配管71。
於多通道閥78中之選擇閥門78B、選擇閥門78C、選擇閥門78D及選擇閥門78E中之至少1個、及選擇閥門78F打開之狀態下，將自上游側供給之處理液經由多通道閥78供給至處理單元600B。此處，於多通道閥68以複數個選擇閥門(即選擇閥門68B、選擇閥門68C、選擇閥門68D及選擇閥門68E)沿鉛直方向排列之方式配置之情形時，期望對選擇閥門68E供給來 自純水供給源之純水(DIW)。
控制部90藉由控制各個箱櫃中之閥門之開關及泵之輸出，而向流體箱供給處理液。且，控制部90藉由控制流體箱中之各個閥門之開關及設置於多通道閥68之各個閥門之開關，而調整供給至多通道閥68之各種處理液之流量，並使處理液供給至對應之處理單元600供給。
<關於處理單元>
圖4係顯示處理單元600之構成例之圖。如圖4所例示，處理單元600具備：旋轉卡盤10，其以大致水平姿勢保持1塊基板W，且使基板W繞通過基板W之中央部之鉛直之旋轉軸線Z1旋轉；處理液噴嘴20，其對基板W噴出處理液；噴嘴臂22，其將處理液噴嘴20安裝於端部；及筒狀之處理杯12，其繞基板W之旋轉軸線Z1包圍旋轉卡盤10。
於假設複數種處理液之情形時，可與各種處理液對應地設置複數個處理液噴嘴20。處理液噴嘴20對基板W之上表面噴出處理液。
旋轉卡盤10具備：圓板狀之旋轉基台10A，其真空吸附大致水平姿勢之基板W之下表面；旋轉軸10C，其自旋轉基台10A之中央部向下方延伸；及旋轉馬達10D，其藉由使旋轉軸10C旋轉，而使吸附於旋轉基台10A之基板W旋轉。另，亦可取代旋轉卡盤10，使用夾持式之卡盤，該夾持式之卡盤具備自旋轉基台之上表面外周部向上方突出之複數根卡盤銷，藉由該等卡盤銷夾持基板W之周緣部。
噴嘴臂22具備臂部22A、軸體22B、及致動器22C。致動器22C調整軸體22B之繞軸之角度。臂部22A之一端部固定於軸體22B，臂部22A之另一端部與軸體22B之軸分離而配置。又，於臂部22A之另一端部，安裝有處理液噴嘴20。藉此，處理液噴嘴20構成為可沿基板W之半徑方向搖動。另，搖動之處理液噴嘴20之移動方向只要具有基板W之半徑方向之成分即可，無需與基板W之半徑方向嚴密平行。此處，噴嘴臂22亦可藉由未圖示之馬達等，能沿鉛直方向升降。於此情形時，可藉由噴嘴臂22之升降而調整安裝於噴嘴臂22之端部之處理液噴嘴20與基板W之上表面之間之距離。
控制部90控制旋轉馬達10D之轉速，且自處理液噴嘴20向基板W之上表面噴出處理液。又，控制部90藉由控制致動器22C之驅動，而使處理液噴嘴20於基板W之上表面搖動。
<關於基板處理裝置之動作>
接著，參照圖1至圖4，且說明關於本實施形態之基板處理裝置1之動作。
傳載機械手602自裝載埠601之載體C對基板載置部604搬送基板W。中心機械手603自基板載置部604對1個處理單元600搬送基板W。處理單元600處理基板W。中心機械手603自處理單元600對基板載置部604搬送基板W。傳載機械手602自基板載置部604對裝載埠601之載體C搬送基板W。
上述基板W之處理於將基板處理裝置1設定為基板處理模式之狀態下進行。於基板處理模式下，首先藉由控制部90之控制，自箱櫃30、箱櫃40、箱櫃50及未圖示之處理液(包含純水)之供給源之至少1者供給可用於處理基板W之處理液。
接著，藉由控制部90之控制，於與進行基板W之處理之處理單元600(此處設為處理單元600A)對應之流體箱(此處設為流體箱60)中，打開設置於供給之處理液流經之至少1根配管之閥門(即供給閥門62A、供給閥門62B、供給閥門62C及供給閥門62D中之至少1個)，將處理液供給至多通道閥68。
此時，設置於連接配管64E之連接閥門66E、設置於連接配管64F之連接閥門66F、設置於連接配管64G之連接閥門66G、及開放閥門65分別關閉。但，根據需要，開放閥門65對配管內導入空氣或惰性氣體。
接著，藉由控制部90之控制，調整選擇閥門68B、選擇閥門68C、選擇閥門68D、選擇閥門68E及選擇閥門68F中之至少1者之開關，經由連接部68A，將處理液供給至多通道閥68之下游側。
接著，藉由控制部90之控制，打開供給閥門67，將處理液供給至對應之處理單元600A。其中，排液閥門69為了調整可用於處理基板W之處理液，根據需要，排出配管內之處理液。
另一方面，基板處理裝置1可切換為用於洗淨包含多通道閥68之配管構造等之模式即洗淨模式。如以下所示，該切換主要藉由配管構造之閥門之開關而進行。
於洗淨模式下，首先藉由控制部90之控制，自箱櫃30、箱櫃40、箱櫃50及未圖示之處理液(包含純水)之供給源之至少1者供給可用於洗淨包含多通道閥68之配管構造之處理液。
接著，藉由控制部90之控制，於成為洗淨之對象之流體箱(此處設為流體箱60)中，打開設置於供給之處理液流經之至少1個配管之閥門(即供給閥門62A、供給閥門62B、供給閥門62C及供給閥門62D中之至少1個)，將處理液供給至多通道閥68。
此時，設置於連接配管64E之連接閥門66E、設置於連接配管64F之連接閥門66F及設置於連接配管64G之連接閥門66G分別打開。因此，供給至流體箱60之處理液可同時供給至多通道閥68之選擇閥門68B、選擇閥門68C、選擇閥門68D及選擇閥門68E。
另，亦可藉由關閉連接閥門66E、連接閥門66F及連接配管64G中之至少1個，而僅洗淨多通道閥68之選擇閥門68B、選擇閥門68C、選擇閥門68D及選擇閥門68E中之一部分。
又，藉由控制部90之控制，調整選擇閥門68B、選擇閥門68C、選擇閥門68D、選擇閥門68E及選擇閥門68F中之至少1個之開關，經由連接部68A將處理液供給至多通道閥68之下游側。
此處，若於位於連接部68A之上游側之選擇閥門68B、選擇閥門68C、選擇閥門68D及選擇閥門68E中之至少1個，因(例如隔開2秒重複之)開關動作而產生急劇之流速變化，則有產生因管內之壓力變動而使配管振動之水錘之情形。又，有產生因管內之壓力變動而發泡之空化之情形。
該等現象係可於洗淨模式下對洗淨對象帶來物理衝擊者，可提高洗淨效果。
又，藉由控制部90之控制，關閉供給閥門67，且打開排液閥門69，排出洗淨多通道閥68所使用之處理液。
另，亦可使流經排液閥門69之處理液循環至貯存同種處理液之藥液貯槽或未圖示之供給源。於該情形時，可減少洗淨模式下使用之處理液之量。
又，可使用如下方法：首先使用藥液進行上述般之洗淨模式之洗淨，進而將使用之處理液變更為純水(DIW)進行洗淨，最後使用開放閥門65於包含多通道閥68之配管內進行抽吸。再者，亦可重複複數次於供給藥液後供給沖洗液(純水)，進而對於配管內進行抽吸之循環。
根據此種方法，由藥液及純水，沖洗殘存於配管內之洗淨對象之物質，進而抽吸可能包含洗淨對象之物質之藥液及純水，藉此可提高洗淨效果。另，根據發明者們之實驗，可知，於藉由藥液及純水進行洗淨之後進行抽吸之情形時，較不進行抽吸而長時間(例如24小時)進行藥液及純水之洗淨之情形，更短時間(例如2小時至6小時)內進行使用藥液及純水之洗淨，且每次洗淨後進行抽吸之洗淨效果更佳。
如以上，基板處理裝置1於洗淨模式下，可洗淨包含多通道閥68之配管構造。藉此，可去除殘存於配管內之洗淨對象之物質，於基板處理模式下，維持處理液之雜質較少之狀態，且進行基板處理。
此處，將洗淨模式中形成之被供給處理液之路徑稱為洗淨路徑。於上述情形時，洗淨路徑相當於自任一藥液貯槽經由供給配管到達流體箱內之多通道閥，進而到達設置有位於多通道閥之下游之排液閥門69(或排液閥門79)之配管為止之路徑。藉由關閉供給閥門67，而形成自藥液貯槽到達多通道閥之洗淨路徑，作為不包含處理液噴嘴20之路徑。
又，貯存於洗淨模式下可用於洗淨配管構造之處理液之藥液貯槽可兼用為貯存可用於基板處理之處理液之藥液貯槽。因此，無需另外設置貯存可用於洗淨配管構造之處理液之藥液貯槽。又，若具備複數個藥液貯槽，則可根據成為洗淨對象之物質分開使用複數種藥液進行洗淨。
又，亦可同時洗淨複數個流體箱中之多通道閥68。藉此，可縮短洗淨時間。又，藉由將各不相同之藥液供給至流體箱，而可有效地進行藥液對洗淨對象之效果之比較等。
又，若僅限定於一部分流體箱，則於其他流體箱中以基板處理模式進行基板處理，故作為基板處理裝置1整體，可不中斷基板處理而進行洗淨。
又，亦可藉由箱櫃中之泵之輸出調整、閥門之開關調整、選擇閥門之開關調整等使洗淨模式之藥液之供給壓變動。
另，於洗淨模式下，可以處理液噴嘴20自基板W之上方退避之方式，藉由致動器22C之驅動使處理液噴嘴20移動，但處理液噴嘴20亦可仍位於基板W之上方。於洗淨模式下，因關閉供給閥門67，故於洗淨模式下使用之處理液不會到達處理單元600。因此，即使處理液噴嘴20仍位於基板W之上方，亦不會因處理液而污染基板W。
<關於基板處理裝置之構成之變化例>
圖5係顯示本實施形態相關之基板處理裝置1A之構成中經由配管連接於各個處理單元600之構造之變化例的圖。
於圖5中與圖3之情形不同，於流體箱160內未設置供給閥門62D以外之供給閥門、連接配管、及連接閥門。同樣地，於流體箱170內，未設置 供給閥門72D以外之供給閥門、及連接閥門。另，供給閥門62D及供給閥門72D亦可設置於較對應之流體箱更上游側。
取而代之，於各個箱櫃之下游、且流體箱之上游，設置有對應之配管及閥門。
即，於箱櫃之下游、且流體箱之上游之供給配管39中，設置供給閥門162A，於箱櫃之下游、且流體箱之上游之供給配管49中，設置供給閥門162B，於箱櫃之下游、且流體箱之上游之供給配管59中，設置供給閥門162C。
又，連接配管164E於供給閥門162A及供給閥門162B之下游，跨及設置有供給閥門162A之配管與設置有供給閥門162B之配管而設置。
又，連接配管164F於供給閥門162B及供給閥門162C之下游，跨及設置有供給閥門162B之配管與設置有供給閥門162C之配管而設置。
又，連接配管164G於供給閥門162C之下游，跨及設置有供給閥門162C之配管與供給配管100而設置。
又，連接閥門166E設置於連接配管164E。又，連接閥門166F設置於連接配管164F。連接閥門166G設置於連接配管164G。
於此種構成中，與圖3之情形同樣，切換基板處理模式與洗淨模式，且進行處理。
具體而言，於基板處理模式下，藉由控制部90之控制，打開與貯存可用於處理基板W之處理液之箱櫃(此處設為箱櫃30)對應之閥門(即供給閥門162A)，並將處理液供給至流體箱160。
此時，分別關閉連接閥門166E、連接閥門166F及連接閥門166G。
接著，藉由控制部90之控制，打開供給閥門67，將處理液供給至對應之處理單元600A。
另一方面，於洗淨模式下，藉由控制部90之控制，打開與貯存可用於洗淨包含多通道閥68之配管構造之處理液之箱櫃(此處設為箱櫃30)對應之閥門(即供給閥門162A)，將處理液供給至流體箱160。
此時，分別打開連接閥門166E、連接閥門166F及連接閥門166G。因此，供給至流體箱160之處理液可同時供給至多通道閥68之選擇閥門68B、選擇閥門68C、選擇閥門68D及選擇閥門68E。
接著，藉由控制部90之控制，關閉供給閥門67，且打開排液閥門69，排出可用於洗淨多通道閥68之處理液。
如以上，基板處理裝置1A於洗淨模式下，可洗淨包含多通道閥68之配管構造。
又，除藉由圖3所示之基板處理裝置發揮之效果以外，藉由將連接配管及連接閥門設置於較各個流體箱更上游側，與於各個流體箱內設置該等構成之情形相比，可將構成簡化。
圖6係顯示本實施形態相關之基板處理裝置1B之構成中經由配管連接於各個處理單元600之構造之另一變化例的圖。另，於圖6中，對於與圖3所示之構成同樣之構成，省略一部分圖示。
於圖6中與圖3之情形不同，於設置有流體箱260中之任一供給閥門(即，供給閥門62A、供給閥門62B、供給閥門62C及供給閥門62D中之任一者)之配管之下游，連接有用於供給為洗淨配管構造而使用之藥液的供給配管239。同樣地，於設置有流體箱270中之任一供給閥門(即，供給閥門72A、供給閥門72B、供給閥門72C及供給閥門72D中之任一者)之配管之下游，連接有用於供給為洗淨配管構造而使用之藥液的供給配管239。另，供給配管239亦可為於較各個流體箱更靠上游之位置連接之配管。
且，供給配管239於上游側連接於洗淨櫃230。洗淨櫃230具備藥液貯槽232、閥門234、泵236、及過濾器238。於藥液貯槽232，貯存有可用於洗淨包含多通道閥之配管構造之藥液。閥門234、泵236及過濾器238分別設置於連接於藥液貯槽232之配管即供給配管239。
貯存於藥液貯槽232之藥液於藉由控制部90之控制而調整開關之閥門234打開之狀態下，藉由同樣由控制部90之控制而動作之泵236通過過濾器238且流到供給配管239內，流向下游之流體箱260。進而，藉由打開流體箱260中之供給閥門240(或流體箱270中之供給閥門241)，而對多通道閥68(或多通道閥78)供給藥液。
另，於流體箱260，設置自設置有排液閥門69之配管進而分支之配管即循環配管264。於循環配管264設置有循環閥門262，由控制部90之控制來控制排液閥門69及循環閥門262之開關動作，藉此可選擇將可用於洗淨之藥液排液還是使之循環。
同樣地，於流體箱270，設置自設置有排液閥門79之配管進而分支之配管即循環配管274。於循環配管274設置有循環閥門272，由控制部90之控制來控制排液閥門79及循環閥門272之開關動作，藉此可選擇將可用於洗淨之藥液排液還是使之循環。
如以上，基板處理裝置1B於洗淨模式下，可洗淨包含多通道閥68之配管構造。
又，除藉由圖3所示之基板處理裝置發揮之效果以外，藉由具備貯存可用於洗淨包含多通道閥之配管構造之藥液之專用藥液貯槽232，亦可使洗淨所使用之藥液之種類及濃度等不依存於基板處理。因此，供給之藥液 之自由度提高。
此處，於上述洗淨模式下，亦可自流體箱內拆除洗淨對象即多通道閥，而於其他部位予以洗淨。
圖7係顯示以收納於洗淨模式下拆除之多通道閥68之方式構成之箱櫃330之構成例的圖。
如圖7所例示，箱櫃330具備藥液貯槽332、閥門331、閥門333、閥門334、閥門335、泵336、開放閥門337、過濾器338、供給配管339、循環配管402、供給配管404、供給配管406、供給配管408、供給配管410、供給配管414、及連接配管412。
於藥液貯槽332，貯存有可用於處理基板W之藥液、可用於洗淨多通道閥68之藥液、或可用於洗淨多通道閥68之純水。藉由打開閥門331而自藥液供給源供給藥液，藉由打開閥門333而自純水供給源供給純水。
閥門335、開放閥門337、泵336及過濾器338分別設置於自藥液貯槽332連接於多通道閥68之供給配管414。又，閥門334於閥門335之上游設置於自供給配管414分支之循環配管402。循環配管402使流經供給配管414之藥液循環至藥液貯槽332。
於搭載之多通道閥68之上游側，連接自供給配管414分別分支之供給 配管404、供給配管406、供給配管408及供給配管410，又，跨及供給配管404、供給配管406、供給配管408及供給配管410設置連接配管412。
又，於搭載之多通道閥68之下游側，連接有將已用於洗淨多通道閥68之處理液排液、或使之循環之配管340。
於基板處理模式下，於關閉閥門335且打開閥門334之狀態下，將用於處理基板W之藥液自藥液貯槽332經由供給配管414、循環配管402及供給配管339，供給至下游之流體箱。此時，多通道閥68搭載於下游之流體箱內。
另一方面，於洗淨模式下，於關閉閥門334且打開閥門335之狀態下，將用於洗淨多通道閥68之藥液自藥液貯槽332經由供給配管414、連接配管412、供給配管404、供給配管406、供給配管408及供給配管410供給至多通道閥68。之後，自連接於多通道閥68之下游之配管340將藥液排液或回收。
再者，於洗淨模式下，也可於關閉閥門334且打開閥門335之狀態下，將用於洗淨多通道閥68之純水自藥液貯槽332經由供給配管414、連接配管412、供給配管404、供給配管406、供給配管408及供給配管410供給至多通道閥68。再者，之後，亦可使用開放閥門337於包含多通道閥68之配管內進行抽吸。
如以上，於洗淨模式之箱櫃330內，可洗淨包含多通道閥68之配管構造。
又，除由圖3所示之基板處理裝置發揮之效果以外，藉由拆除多通道閥68將其配置於藥液貯槽332之附近，即使挪用基板處理裝置之構成，亦可將用於洗淨之配管構造短化且簡易化，縮短用於洗淨之時間。
此處，用於洗淨多通道閥之專用單元即洗淨單元亦可與基板處理裝置分開設置。
圖8係顯示以收納多通道閥68之方式構成之洗淨單元80之構成例的圖。
如圖8所例示，洗淨單元80具備藥液貯槽82、閥門81、閥門83、閥門84、閥門85、泵86、開放閥門87、過濾器88、開放閥門89、供給配管502、循環配管514、供給配管506、供給配管508、供給配管510、供給配管512、連接配管504、及排液配管516。
於藥液貯槽82，貯存有可用於洗淨多通道閥68之藥液。藥液藉由打開閥門81而供給至多通道閥68。另，純水藉由打開閥門83而自純水供給源供給至多通道閥68。
開放閥門87、泵86及過濾器88分別設置於對所搭載之多通道閥68供 給藥液或純水之供給配管502。此處，開放閥門87可用於配管內之抽吸。
於搭載之多通道閥68之上游側，連接分別自供給配管502分支之供給配管506、供給配管508、供給配管510及供給配管512，又，跨及供給配管506、供給配管508、供給配管510及供給配管512設置連接配管504。
又，於搭載之多通道閥68之下游，在用於將可用於洗淨多通道閥68之處理液排液之排液配管516設置閥門85，在用於使可用於洗淨多通道閥68之藥液循環至藥液貯槽82之循環配管514設置閥門84。此處，開放閥門89可用於多通道閥68之下游之配管內之抽吸。
於洗淨單元80中，用於洗淨搭載之多通道閥68之洗淨路徑藉由洗淨配管形成。此處，於圖8之例中，洗淨配管包含自藥液貯槽82向下游側到達供給配管502，進而到達供給配管506、供給配管508、供給配管510及供給配管512之配管、與自藥液貯槽82向上游側到達循環配管514及排液配管516之配管。洗淨配管構成為可相對於多通道閥68裝卸。
又，於搭載之多通道閥68之下游，在用於將可用於洗淨多通道閥68之處理液之排液之排液配管516設置閥門85，在用於使可用於洗淨多通道閥68之藥液循環至藥液貯槽82之循環配管514設置閥門84。此處，開放閥門89用於多通道閥68之下游之配管內之抽吸。
於使用洗淨單元80洗淨多通道閥68之情形時，將藥液，進而根據需 要將純水自藥液貯槽82供給至多通道閥68。且，於使可用於洗淨之藥液循環至藥液貯槽82之情形時，打開閥門84，且關閉閥門85。另一方面，於將可用於洗淨之藥液或純水排液之情形時，關閉閥門84，且打開閥門85。
尤其，於藥液之洗淨之後，進而進行純水之洗淨之後，藉由開放閥門87及開放閥門89於多通道閥68之上游側及下游側之兩者進行配管內之抽吸，抽吸可能包含洗淨對象之物質之藥液或純水，藉此可提高洗淨效果。又，藉由重複複數次該循環，可提高洗淨效果。
如以上，使用洗淨單元80，可洗淨包含多通道閥68之配管構造。
又，除藉由圖3所示之基板處理裝置發揮之效果以外，因拆除多通道閥68於為了洗淨多通道閥68而設置之洗淨單元80中進行洗淨，故洗淨所使用之藥液之種類及濃度等不依存於基板處理。因此，供給之藥液之自由度提高。
<關於藉由以上記載之實施形態產生之效果>
接著，顯示藉由以上記載之實施形態產生之效果之例。另，於以下之說明中，雖基於以上記載之實施形態所例示之具體之構成來記載該效果，但於產生同樣之效果之範圍內，可置換為本案說明書所例示之其他具體之構成。即，以下為方便起見，有僅代表性記載建立對應之具體構成中之任一者之情形，但亦可將代表性記載之具體構成置換為建立對應之其他 具體構成。
根據以上記載之實施形態，基板處理裝置具備用於供給藥液之貯槽、多通道閥68(或多通道閥78)、及處理液噴嘴20。此處，貯槽係與例如藥液貯槽32、藥液貯槽42、藥液貯槽52、藥液貯槽232、藥液貯槽332等中之至少1個對應者。多通道閥68供給用於處理基板W之複數種處理液。又，多通道閥68選擇性供給複數種處理液中之至少1種。處理液噴嘴20使用自多通道閥68供給之處理液處理基板W。此處，基板處理裝置可切換用於處理基板W之基板處理模式、與至少用於洗淨多通道閥68之洗淨模式。於基板處理模式下，藉由供給至處理液噴嘴20之處理液處理基板W。於洗淨模式下，於不經由處理液噴嘴20而經由藥液貯槽32與多通道閥68之路徑之洗淨路徑中，自藥液貯槽32向多通道閥68供給藥液。
根據此種構成，藉由對不經由處理液噴嘴20之洗淨路徑供給藥液，而可有效地洗淨多通道閥68。又，因該洗淨路徑不包含處理液噴嘴20，故於洗淨模式下不會自處理液噴嘴20噴出藥液，而不會因該藥液污染基板W。
另，即使於對上述構成適當追加本案說明書所例示之其他構成之情形，即，適當追加作為上述構成未言及之本案說明書中之其他構成之情形時，亦可產生同樣之效果。
又，根據以上記載之實施形態，藥液為複數種處理液中之1種。根據 此種構成，因可將可用於處理基板W之自藥液貯槽供給之藥液挪用於洗淨多通道閥68，故無需為了洗淨多通道閥68而另外準備藥液貯槽。
又，根據以上記載之實施形態，基板處理裝置具備：複數個供給配管，其等於洗淨路徑之藥液貯槽32之下游、且多通道閥68之上游之位置被供給藥液；及至少1個連接配管，其跨及複數個供給配管而連接。此處，供給配管與例如供給配管39、供給配管49、供給配管59、供給配管100、供給配管404、供給配管406、供給配管408、供給配管410等對應。又，連接配管與例如連接配管64E、連接配管64F、連接配管64G、連接配管74E、連接配管74F、連接配管74G、連接配管164E、連接配管164F、連接配管164G、連接配管412等對應。根據此種構成，可經由連接配管對連接於多通道閥68之複數個供給配管同時供給藥液。因此，可同時洗淨連接於多通道閥68之複數個供給配管，縮短洗淨時間。
又，根據以上記載之實施形態，連接配管收納於收納多通道閥68之殼體(例如流體箱60、流體箱70、箱櫃330等)內。根據此種構成，可於每個流體箱60，切換基板處理模式與洗淨模式執行處理。因此，作為基板處理裝置1整體，可縮短基板處理之中斷時間。
又，根據以上記載之實施形態，連接配管412收納於收納藥液貯槽332及多通道閥68之箱櫃330內。根據此種構成，於箱櫃330內，收納多通道閥68、藥液貯槽332及連接配管412，藉此，即使挪用基板處理裝置之構成，亦可將用於洗淨之配管構造短化且簡易化，縮短用於洗淨之時間。
又，根據以上記載之實施形態，多通道閥68具備使複數個供給配管各者開關之複數個選擇閥門。此處，選擇閥門為與例如選擇閥門68B、選擇閥門68C、選擇閥門68D、選擇閥門68E、選擇閥門68F、選擇閥門78B、選擇閥門78C、選擇閥門78D、選擇閥門78E、選擇閥門78F等中之至少1個對應者。
於洗淨模式下，複數個供給配管中之至少1個藉由對應之選擇閥門而開關。根據此種構成，若因選擇閥門之開關動作而產生急劇之流速變化，則有產生因管內之壓力變動而使配管振動之水錘之情形。又，有產生因管內之壓力變動而發泡之空化之情形。藉由該等現象，對洗淨對象帶來物理衝擊，可提高洗淨效果。
又，根據以上記載之實施形態，於洗淨模式下，藥液於洗淨路徑中循環。根據此種構成，可減少用於洗淨之藥液之量。
又，根據以上記載之實施形態，基板處理裝置具備：沖洗液供給源(例如純水供給源)，其用於供給沖洗液；及抽吸部，其於多通道閥68內進行抽吸。此處，抽吸部為與例如開放閥門65、開放閥門75、開放閥門337等中之至少1個對應者。於洗淨模式下，於洗淨路徑中之藥液循環之後，對多通道閥68供給沖洗液，進而藉由開放閥門65於多通道閥68內抽吸。根據此種構成，由藥液及純水，沖洗殘存於配管內之洗淨對象之物質，進而抽吸可能包含洗淨對象之物質之藥液及純水，藉此可提高洗淨效果。
又，根據以上記載之實施形態，於洗淨模式下，重複複數次洗淨路徑中之藥液循環、於藥液循環之後供給沖洗液、及於供給沖洗液之後之多通道閥68內之抽吸。根據此種構成，藉由重複由藥液及純水，沖洗殘存於配管內之洗淨對象之物質，進而抽吸可能包含洗淨對象之物質之藥液及純水之循環，而可提高洗淨效果。
又，根據以上記載之實施形態，於洗淨模式下，使藥液之供給壓變動。根據此種構成，若產生急劇之流速變化，則有產生因管內之壓力變動而使配管振動之水錘之情形。又，有產生因管內之壓力變動而發泡之空化之情形。藉由該等現象，對洗淨對象帶來物理衝擊，可提高洗淨效果。
根據以上記載之實施形態，洗淨單元具備用於供給藥液之貯槽、與洗淨配管。此處，貯槽為與例如藥液貯槽82等對應者。洗淨配管形成用於至少洗淨多通道閥68之路徑即洗淨路徑。洗淨路徑經過藥液貯槽82。於洗淨路徑中，藉由自藥液貯槽82供給之藥液洗淨多通道閥68。又，洗淨配管可相對於多通道閥68裝卸。
根據此種構成，藉由對洗淨路徑供給藥液，而可有效地洗淨多通道閥68。又，因拆除多通道閥68於為了洗淨多通道閥68而設置之洗淨單元80中進行洗淨，故洗淨所使用之藥液之種類及濃度等不依存於基板處理。因此，供給之藥液之自由度提高。
另，於無特別限制之情形時，可變更進行各個處理之順序。
又，即使於對上述構成適當追加本案說明書所例示之其他構成之情形，即適當追加作為上述構成未言及之本案說明書中之其他構成之情形時，亦可產生同樣之效果。
又，根據以上記載之實施形態，洗淨單元具備：複數個供給配管506(或供給配管508、供給配管510、供給配管512)，其等於洗淨路徑之藥液貯槽82之下游、且多通道閥68之上游之位置，被供給藥液；及至少1個連接配管504，其跨及複數個供給配管而連接。根據此種構成，可經由連接配管對連接於多通道閥68之複數個供給配管同時供給藥液。藉此，可同時洗淨連接於多通道閥68之複數個供給配管，縮短洗淨時間。
又，根據以上記載之實施形態，多通道閥68具備使複數個供給配管各者開關之複數個選擇閥門。且，複數個供給配管中之至少1個藉由對應之選擇閥門而開關。根據此種構成，若藉由選擇閥門之開關動作產生急劇之流速變化，則有產生因管內之壓力變動而使配管振動之水錘之情形。又，有產生因管內之壓力變動而發泡之空化之情形。藉由該等現象，對洗淨對象帶來物理衝擊，可提高洗淨效果。
又，根據以上記載之實施形態，於洗淨路徑中使藥液循環。根據此種構成，可減少用於洗淨之藥液之量。
又，根據以上記載之實施形態，洗淨單元具備：沖洗液供給源(例如純水供給源)，其用於供給沖洗液；及抽吸部，其於多通道閥68內進行抽吸。此處，抽吸部為與例如開放閥門87、開放閥門89等中之至少1個對應者。於洗淨路徑中之藥液循環之後，對多通道閥68供給沖洗液，進而藉由開放閥門87於多通道閥68內抽吸。根據此種構成，由藥液及純水，沖洗殘存於配管內之洗淨對象之物質，進而抽吸可能包含洗淨對象之物質之藥液及純水，藉此可提高洗淨效果。
又，根據以上記載之實施形態，重複複數次洗淨路徑中之藥液循環、於藥液循環之後供給沖洗液、及於供給沖洗液之後之多通道閥68內之抽吸。根據此種構成，藉由重複由藥液及純水，沖洗殘存於配管內之洗淨對象之物質，進而抽吸可能包含洗淨對象之物質之藥液及純水之循環，而可提高洗淨效果。
<關於以上記載之實施形態之變化例>
於以上記載之實施形態中，雖有亦記載各個構成要件之尺寸、形狀、相對之配置關係或實施條件等之情形，但其等係所有態樣中之一例，並非限定者。
因此，於本案說明書所揭示之技術範圍內假設未例示之無數變化例、及均等物。例如，包含將至少1個構成要件加以變化之情形、追加之情形或省略之情形。
又，於以上記載之實施形態中，未特別指定地記載材料名稱等之情形時，只要不產生矛盾，則包含於該材料包含有其他添加物之例如合金等。
1:基板處理裝置
30:箱櫃
32:藥液貯槽
34:閥門
36:泵
38:過濾器
39:供給配管
40:箱櫃
42:藥液貯槽
44:閥門
46:泵
48:過濾器
49:供給配管
50:箱櫃
52:藥液貯槽
54:閥門
56:泵
58:過濾器
59:供給配管
60:流體箱
61:供給配管
62A:供給閥門
62B:供給閥門
62C:供給閥門
62D:供給閥門
64E:連接配管
64F:連接配管
64G:連接配管
65:開放閥門
66E:連接閥門
66F:連接閥門
66G:連接閥門
67:供給閥門
68:多通道閥
68A:連接部
68B:選擇閥門
68C:選擇閥門
68D:選擇閥門
68E:選擇閥門
68F:選擇閥門
69:排液閥門
70:流體箱
71:供給配管
72A:供給閥門
72B:供給閥門
72C:供給閥門
72D:供給閥門
74E:連接配管
74F:連接配管
74G:連接配管
75:開放閥門
76E:連接閥門
76F:連接閥門
76G:連接閥門
77:供給閥門
78:多通道閥
78A:連接部
78B:選擇閥門
78C:選擇閥門
78D:選擇閥門
78E:選擇閥門
78F:選擇閥門
79:排液閥門
100:供給配管
600A:處理單元
600B:處理單元

Claims (16)

  1. 一種基板處理裝置，其具備：貯槽，其用於供給藥液；多通道閥，其被供給用於處理基板之複數種處理液，且可選擇性供給複數種上述處理液中之至少1種；及處理液噴嘴，其用於使用自上述多通道閥供給之上述處理液處理上述基板；且可切換用於處理上述基板之基板處理模式、與用於至少洗淨上述多通道閥之洗淨模式；於上述基板處理模式下，藉由供給至上述處理液噴嘴之上述處理液處理上述基板；且於上述洗淨模式下，於不經由上述處理液噴嘴而經由上述貯槽與上述多通道閥之路徑之洗淨路徑中，自上述貯槽向上述多通道閥供給上述藥液；於上述洗淨路徑之上述貯槽之下游，且上述多通道閥之上游之位置，進而具備：複數個供給配管，其等被供給上述藥液；及至少1個連接配管，其跨及複數個上述供給配管而連接。
  2. 如請求項1之基板處理裝置，其中上述藥液為複數種上述處理液中之1種。
  3. 如請求項1或2之基板處理裝置，其中上述連接配管收納於收納上述多通道閥之殼體內。
  4. 如請求項1或2之基板處理裝置，其中上述連接配管收納於收納上述貯槽及上述多通道閥之殼體內。
  5. 如請求項1或2之基板處理裝置，其中上述多通道閥具備使複數個上述供給配管之各者開關之複數個選擇閥門，於上述洗淨模式下，複數個上述供給配管中之至少1個藉由對應之上述選擇閥門而開關。
  6. 一種基板處理裝置，其具備：貯槽，其用於供給藥液；多通道閥，其被供給用於處理基板之複數種處理液，且可選擇性供給複數種上述處理液中之至少1種；及處理液噴嘴，其用於使用自上述多通道閥供給之上述處理液處理上述基板；且可切換用於處理上述基板之基板處理模式、與用於至少洗淨上述多通道閥之洗淨模式；於上述基板處理模式下，藉由供給至上述處理液噴嘴之上述處理液處理上述基板；且於上述洗淨模式下，於不經由上述處理液噴嘴而經由上述貯槽與上 述多通道閥之路徑之洗淨路徑中，自上述貯槽向上述多通道閥循環供給上述藥液。
  7. 如請求項6之基板處理裝置，其進而具備：沖洗液供給源，其用於供給沖洗液；及抽吸部，其對於上述多通道閥內進行抽吸；且於上述洗淨模式下，於上述洗淨路徑中之上述藥液循環之後，對上述多通道閥供給上述沖洗液，進而藉由上述抽吸部抽吸上述多通道閥內。
  8. 如請求項7之基板處理裝置，其中於上述洗淨模式下，重複複數次上述洗淨路徑中之上述藥液循環、於上述藥液循環之後供給上述沖洗液、及供給上述沖洗液之後之上述多通道閥內之抽吸。
  9. 如請求項1、2、6、7、8中任一項之基板處理裝置，其中於上述洗淨模式下，上述藥液之供給壓變動。
  10. 一種洗淨單元，其具備：貯槽，其用於供給藥液；及洗淨配管，其用於形成用以至少洗淨多通道閥之路徑即洗淨路徑；且於上述洗淨路徑之上述貯槽之下游，且上述多通道閥之上游之位置，具備： 複數個供給配管，其等被供給上述藥液；及至少1個連接配管，其跨及複數個上述供給配管而連接；且上述多通道閥被供給複數種處理液，且可選擇性供給複數種上述處理液中之至少一種；上述洗淨路徑經過上述貯槽；上述多通道閥於上述洗淨路徑中，藉由自上述貯槽供給之上述藥液被洗淨；上述洗淨配管可相對於上述多通道閥裝卸。
  11. 如請求項10之洗淨單元，其中上述多通道閥具備使複數個上述供給配管之各者開關之複數個選擇閥門，且複數個上述供給配管中之至少1個藉由對應之上述選擇閥門而開關。
  12. 一種洗淨單元，其具備：貯槽，其用於供給藥液；及洗淨配管，其用於形成用以至少洗淨多通道閥之路徑即洗淨路徑；且上述多通道閥被供給複數種處理液，且可選擇性供給複數種上述處理液中之至少1種；上述洗淨路徑經過上述貯槽；上述多通道閥於上述洗淨路徑中，藉由自上述貯槽供給之上述藥液之循環而被洗淨； 上述洗淨配管可相對於上述多通道閥裝卸。
  13. 如請求項10至12中任一項之洗淨單元，其進而具備：沖洗液供給源，其用於供給沖洗液；及抽吸部，其對於上述多通道閥內進行抽吸；且於上述洗淨路徑中之上述藥液循環之後，對上述多通道閥供給上述沖洗液，進而藉由上述抽吸部抽吸上述多通道閥內。
  14. 如請求項13之洗淨單元，其中重複複數次上述洗淨路徑中之上述藥液循環、於上述藥液循環之後供給上述沖洗液、及供給上述沖洗液之後之上述多通道閥內之抽吸。
  15. 一種多通道閥洗淨方法，其將以被供給用於處理基板之複數種處理液，且可選擇性供給複數種上述處理液中之至少1種之狀態連接於基板處理裝置之多通道閥洗淨，且上述基板處理裝置具備：貯槽，其用於供給藥液；及處理液噴嘴，其用於使用自上述多通道閥供給之上述處理液處理上述基板；且上述基板處理裝置可切換用於處理上述基板之基板處理模式、與用於至少洗淨上述多通道閥之洗淨模式；於上述基板處理模式下，藉由供給至上述處理液噴嘴之上述處理液處理上述基板； 於上述洗淨模式下，於不經由上述處理液噴嘴而經由上述貯槽與上述多通道閥之路徑即洗淨路徑中，自上述貯槽向上述多通道閥供給上述藥液；且於上述洗淨路徑之上述貯槽之下游，且上述多通道閥之上游之位置，進而具備：複數個供給配管，其等被供給上述藥液；及至少1個連接配管，其跨及複數個上述供給配管而連接；於上述洗淨模式下，具備洗淨上述多通道閥之步驟。
  16. 一種多通道閥洗淨方法，其將以被供給用於處理基板之複數種處理液，且可選擇性供給複數種上述處理液中之至少1種之狀態連接於基板處理裝置之多通道閥洗淨，且上述基板處理裝置具備：貯槽，其用於供給藥液；及處理液噴嘴，其用於使用自上述多通道閥供給之上述處理液處理上述基板；且上述基板處理裝置可切換用於處理上述基板之基板處理模式、與用於至少洗淨上述多通道閥之洗淨模式；於上述基板處理模式下，藉由供給至上述處理液噴嘴之上述處理液處理上述基板；於上述洗淨模式下，於不經由上述處理液噴嘴而經由上述貯槽與上述多通道閥之路徑即洗淨路徑中，自上述貯槽向上述多通道閥循環供給上述藥液；且於上述洗淨模式下，具備洗淨上述多通道閥之步驟。
TW110142931A 2020-12-28 2021-11-18 基板處理裝置、洗淨單元及多通道閥洗淨方法 TWI816227B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020-218667 2020-12-28
JP2020218667A JP7461288B2 (ja) 2020-12-28 2020-12-28 基板処理装置、洗浄ユニット、および、多連弁洗浄方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202224797A TW202224797A (zh) 2022-07-01
TWI816227B true TWI816227B (zh) 2023-09-21

Family

ID=82136486

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW110142931A TWI816227B (zh) 2020-12-28 2021-11-18 基板處理裝置、洗淨單元及多通道閥洗淨方法

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP7461288B2 (zh)
KR (1) KR102654741B1 (zh)
CN (1) CN114695188A (zh)
TW (1) TWI816227B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI811028B (zh) * 2022-07-19 2023-08-01 凱爾迪科技股份有限公司 自吸回收系統
WO2024057787A1 (ja) * 2022-09-15 2024-03-21 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置、および、フィルタの気泡除去方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201613012A (en) * 2014-09-18 2016-04-01 Screen Holdings Co Ltd Substrate processing device
TW201907469A (zh) * 2017-06-30 2019-02-16 日商斯庫林集團股份有限公司 基板處理裝置以及基板處理方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5148465B2 (ja) 2008-12-08 2013-02-20 東京エレクトロン株式会社 液処理方法、液処理装置および記憶媒体
JP5406518B2 (ja) 2008-12-18 2014-02-05 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
CN109285800B (zh) 2014-03-10 2022-02-08 株式会社斯库林集团 基板处理系统以及管道清洗方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201613012A (en) * 2014-09-18 2016-04-01 Screen Holdings Co Ltd Substrate processing device
TW201907469A (zh) * 2017-06-30 2019-02-16 日商斯庫林集團股份有限公司 基板處理裝置以及基板處理方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN114695188A (zh) 2022-07-01
JP7461288B2 (ja) 2024-04-03
JP2022103812A (ja) 2022-07-08
KR102654741B1 (ko) 2024-04-04
KR20220094151A (ko) 2022-07-05
TW202224797A (zh) 2022-07-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI816227B (zh) 基板處理裝置、洗淨單元及多通道閥洗淨方法
JP3563605B2 (ja) 処理装置
KR101464387B1 (ko) 세정 장치, 세정 방법 및 기억 매체
CN107221491B (zh) 基板清洗装置
JP6494536B2 (ja) 基板処理装置および基板処理装置の洗浄方法
US20080142051A1 (en) Recovery cup cleaning method and substrate treatment apparatus
JP6887280B2 (ja) 基板処理装置、基板処理方法およびプログラム記録媒体
TWI668060B (zh) 回收配管洗淨方法以及基板處理裝置
JP6900257B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
KR102262348B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102189980B1 (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
KR20150125586A (ko) 기판 액처리 장치 및 기판 액처리 방법
TWI423854B (zh) Liquid treatment device
JP4815274B2 (ja) 基板処理装置、基板処理方法、および記録媒体
JP6328538B2 (ja) 基板液処理装置の洗浄方法、記憶媒体及び基板液処理装置
KR102274725B1 (ko) 기판 세정 장치
CN110073472B (zh) 基板处理方法、送液方法以及基板处理装置
KR102657210B1 (ko) 기판 처리 방법
KR102683887B1 (ko) 기판 처리 장치 및 배관 착탈 파트 세정 방법
JP5396460B2 (ja) 基板処理装置、基板処理方法、基板処理プログラム、及び基板処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体
JP2010212488A (ja) 基板処理装置
KR20240028293A (ko) 기판 처리 장치
JP2008166574A (ja) 基板処理装置、基板乾燥方法および基板処理方法