JP2020155735A - 基板処理装置、および、基板処理方法 - Google Patents
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- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 190
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 182
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 20
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 258
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims description 167
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 164
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 68
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 54
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 20
- 239000004813 Perfluoroalkoxy alkane Substances 0.000 claims description 18
- 229920011301 perfluoro alkoxyl alkane Polymers 0.000 claims description 18
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 claims description 15
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 claims description 15
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 claims description 15
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 claims description 15
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 40
- 238000002156 mixing Methods 0.000 abstract description 26
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 9
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 43
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 30
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 27
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 13
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 12
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 12
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 6
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 6
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 229910001867 inorganic solvent Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003049 inorganic solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 239000012487 rinsing solution Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
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Abstract
Description
以下、本実施の形態に関する基板処理装置、および、基板処理方法について説明する。
図1は、本実施の形態に関する基板処理装置の構成の例を概略的に示す図である。なお、構成を理解しやすくする観点から、当該図面においては、一部の構成要素が省略、または、簡略化されて示される場合がある。
インデクサセクション2は、複数枚の基板Wを積層状態で収容可能な基板収容器21と、基板収容器21を支持するステージ22と、基板収容器21から未処理の基板Wを受け取り、また、処理セクション3において処理が完了した基板Wを基板収容器21へ渡すインデクサロボット23とを備える。
搬送機構によって、基板Wは、インデクサセクション2に近いX軸負方向の位置と、それぞれの液処理ユニットとの間で搬送される。搬送領域30は、搬送機構によって基板Wが移動する空間である。
図2に示された例では、それぞれの密閉区画に1本の配管が配置されていたが、1つの密閉区画に複数本の配管が配置されていてもよい。
配管外の雰囲気を隔離し、かつ、密閉するための内壁は、流体ボックスだけでなく、特に、複数の配管が近接して配置される箇所、たとえば、図1の配管部などにおいて設けられていてもよい。
上記の説明では、流体ボックスにおける構成の変形例が示されたが、流体ボックスに限られず、たとえば、図1の配管部、図2の循環キャビネット600内、図2の循環キャビネット600と流体ボックス41Aとを接続する配管経路などを含む領域において、配置される配管を二重配管とすることによって、配管外の雰囲気と配管内の雰囲気とを隔離することが望ましい。特に、図1の配管部などの、複数の配管が近接して(たとえば、1cm程度の距離に)配置される箇所では、二重配管によって配管内外の雰囲気を隔離することによって配管内の処理液の混合を抑制する効果は大きい。
次に、以上に記載された実施の形態によって生じる効果の例を示す。なお、以下の説明においては、以上に記載された実施の形態に例が示された具体的な構成に基づいて当該効果が記載されるが、同様の効果が生じる範囲で、本願明細書に例が示される他の具体的な構成と置き換えられてもよい。
以上に記載された実施の形態では、それぞれの構成要素の材質、材料、寸法、形状、相対的配置関係または実施の条件などについても記載する場合があるが、これらはすべての局面においてひとつの例であって、本願明細書に記載されたものに限られることはないものとする。
TW31,TW32,TW33 処理タワー
W 基板
1 基板処理装置
2 インデクサセクション
3 処理セクション
7 制御部
21 基板収容器
22 ステージ
23 インデクサロボット
23A 基台部
23B 多関節アーム
23C,23D ハンド
30 搬送領域
31,32,33 処理モジュール
31A,31B,31C,32A,32B,32C,33A,33B,33C 液処理ユニット
41A,41B,41C,42A,42B,42C,43A,43B,43C,44,45,46,47,48,49 流体ボックス
51,52,53 配管部
51A,51B,51C,51D,52A,52B,52C,53A,53B,53C,350,351,352 配管
51D,52D,53D 排液用配管
60 リンス液ノズル
62 リンス液バルブ
64 洗浄液ノズル
66 洗浄液バルブ
71 CPU
72 ROM
73 RAM
74 記憶部
75 バス配線
76 入力部
77 表示部
141A,141B,141C 内壁
144A,144B,145A,145B,146A,146B,146C 内壁層
152,154,160,164,166,167,168 密閉区画
165,353 隙間
201,202,203,354 気体供給部
250 処理室
250A 壁
250B 開口部
250C シャッタ
251 スピンチャック
251A スピンベース
251C 回転軸
251D スピンモータ
252 薬液ノズル
253 薬液タンク
255 送液装置
256 薬液バルブ
257 循環配管
258 循環バルブ
301,302,303 圧力制御部
350A,350B,351A,351B,351C,352A,352B 配管材
511 処理カップ
513 排液口
515 排気口
600 循環キャビネット
Claims (22)
- 基板の処理を行うための処理液を供給するための複数の配管と、
複数の前記配管が接続され、かつ、前記処理液を用いて前記基板を処理するための基板処理部と、
複数の前記配管が互いに近接して配置される配管配置部とを備え、
前記配管配置部は、複数のうちの少なくとも1つの前記配管を他の前記配管と隔離し、かつ、隔離されたそれぞれの区画における雰囲気を密閉する少なくとも1つの内壁を備える、
基板処理装置。 - 請求項1に記載の基板処理装置であり、
前記配管配置部は、前記基板処理部に隣接する流体ボックスである、
基板処理装置。 - 請求項1または2に記載の基板処理装置であり、
少なくとも1つの前記区画内には、複数の前記配管が配置され、
同じ前記区画内における複数の前記配管は、同種の前記処理液を供給するための前記配管である、
基板処理装置。 - 請求項1から3のうちのいずれか1つに記載の基板処理装置であり、
前記区画内に気体を供給する気体供給部をさらに備える、
基板処理装置。 - 請求項4に記載の基板処理装置であり、
前記気体供給部によって前記区画内に供給される前記気体は、ドライエアーまたは不活性ガスである、
基板処理装置。 - 請求項1から5のうちのいずれか1つに記載の基板処理装置であり、
前記区画内における圧力を制御する圧力制御部をさらに備え、
前記圧力制御部が、前記区画内における圧力を、前記配管内における圧力以下に制御する、
基板処理装置。 - 請求項6に記載の基板処理装置であり、
前記圧力制御部が、前記区画内における圧力を、前記配管内における圧力と等しくなるように制御する、
基板処理装置。 - 請求項1から7のうちのいずれか1つに記載の基板処理装置であり、
前記内壁は、
第1の内壁層と、
前記第1の内壁層とは異なる材料からなり、かつ、前記第1の内壁層に積層される第2の内壁層とを備え、
前記第1の内壁層と前記第2の内壁層とは、互いに隔離される区画間を結ぶ方向に積層される、
基板処理装置。 - 請求項8に記載の基板処理装置であり、
前記第2の内壁層は、金属またはフッ素樹脂からなる、
基板処理装置。 - 請求項1から7のうちのいずれか1つに記載の基板処理装置であり、
前記内壁は、
第1の内壁層と、
前記第1の内壁層との間に隙間が形成される第2の内壁層とを備え、
前記第1の内壁層と前記第2の内壁層とは、互いに隔離される区画間を結ぶ方向に積層される、
基板処理装置。 - 請求項10に記載の基板処理装置であり、
前記内壁は、前記隙間に形成される第3の内壁層をさらに備え、
前記第3の内壁層は、金属またはフッ素樹脂からなる、
基板処理装置。 - 基板を処理するための処理液を供給するための配管と、
前記配管が接続され、かつ、前記処理液を用いて前記基板を処理するための基板処理部とを備え、
前記配管は、
前記処理液が流れる流路を囲む筒状の第1の配管材と、
前記第1の配管材を囲む筒状の第2の配管材とを備え、
前記第1の配管材と前記第2の配管材との間に密閉された隙間が形成される、
基板処理装置。 - 請求項12に記載の基板処理装置であり、
前記隙間内に気体を供給する気体供給部をさらに備える、
基板処理装置。 - 基板を処理するための処理液を供給するための配管と、
前記配管が接続され、かつ、前記処理液を用いて前記基板を処理するための基板処理部とを備え、
前記配管は、
前記処理液が流れる流路を囲む筒状の第1の配管材と、
前記第1の配管材とは異なる材料からなり、かつ、前記第1の配管材を囲む筒状の第2の配管材とを備え、
前記第2の配管材は、SUSを含む金属、または、PFA、PTFEまたはPVDFを含むフッ素樹脂からなる、
基板処理装置。 - 請求項14に記載の基板処理装置であり、
前記配管は、前記第2の配管材とは異なる材料からなり、かつ、前記第2の配管材を囲む筒状の第3の配管材をさらに備える、
基板処理装置。 - 処理液を供給するための複数の配管が接続され、かつ、前記処理液を用いて基板を処理するための基板処理部と、複数の前記配管が互いに近接して配置される配管配置部とを備える基板処理装置を用いて前記基板を処理する基板処理方法であり、
前記基板処理部が、前記処理液を用いて前記基板を処理する工程を備え、
前記配管配置部は、複数のうちの少なくとも1つの前記配管を他の前記配管と隔離し、かつ、隔離されたそれぞれの区画における雰囲気を密閉する少なくとも1つの内壁を備える、
基板処理方法。 - 請求項16に記載の基板処理方法であり、
前記区画内に気体を供給する工程をさらに備える、
基板処理方法。 - 請求項16または17に記載の基板処理方法であり、
前記区画内における圧力を、前記配管内における圧力以下にする工程をさらに備える、
基板処理方法。 - 請求項16から18のうちのいずれか1つに記載の基板処理方法であり、
前記区画内における圧力を、前記配管内における圧力と等しくする工程をさらに備える、
基板処理方法。 - 処理液を供給するための配管が接続され、かつ、前記処理液を用いて基板の処理を行うための基板処理部を備える基板処理装置を用いて前記基板の処理を行う基板処理方法であり、
前記基板処理部が、前記処理液を用いて前記基板を処理する工程を備え、
前記配管は、
前記処理液が流れる流路を囲む筒状の第1の配管材と、
前記第1の配管材を囲む筒状の第2の配管材とを備え、
前記第1の配管材と前記第2の配管材との間に密閉された隙間が形成される、
基板処理方法。 - 請求項20に記載の基板処理方法であり、
前記隙間内に気体を供給する工程をさらに備える、
基板処理方法。 - 処理液を供給するための配管が接続され、かつ、前記処理液を用いて基板の処理を行うための基板処理部を備える基板処理装置を用いて前記基板の処理を行う基板処理方法であり、
前記基板処理部が、前記処理液を用いて前記基板を処理する工程を備え、
前記配管は、
前記処理液が流れる流路を囲む筒状の第1の配管材と、
前記第1の配管材とは異なる材料からなり、かつ、前記第1の配管材を囲む筒状の第2の配管材とを備え、
前記第2の配管材は、SUSを含む金属、または、PFA、PTFEまたはPVDFを含むフッ素樹脂からなる、
基板処理方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019055429A JP7278822B2 (ja) | 2019-03-22 | 2019-03-22 | 基板処理装置、および、基板処理方法 |
PCT/JP2020/008253 WO2020195533A1 (ja) | 2019-03-22 | 2020-02-28 | 基板処理装置、および、基板処理方法 |
CN202080019624.1A CN113544821A (zh) | 2019-03-22 | 2020-02-28 | 基板处理装置及基板处理方法 |
TW109107344A TWI750603B (zh) | 2019-03-22 | 2020-03-06 | 基板處理裝置以及基板處理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019055429A JP7278822B2 (ja) | 2019-03-22 | 2019-03-22 | 基板処理装置、および、基板処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020155735A true JP2020155735A (ja) | 2020-09-24 |
JP7278822B2 JP7278822B2 (ja) | 2023-05-22 |
Family
ID=72559786
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019055429A Active JP7278822B2 (ja) | 2019-03-22 | 2019-03-22 | 基板処理装置、および、基板処理方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7278822B2 (ja) |
CN (1) | CN113544821A (ja) |
TW (1) | TWI750603B (ja) |
WO (1) | WO2020195533A1 (ja) |
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-
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- 2019-03-22 JP JP2019055429A patent/JP7278822B2/ja active Active
-
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- 2020-02-28 WO PCT/JP2020/008253 patent/WO2020195533A1/ja active Application Filing
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- 2020-03-06 TW TW109107344A patent/TWI750603B/zh active
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006112507A (ja) * | 2004-10-14 | 2006-04-27 | Tohoku Univ | フッ素樹脂2層チューブ及びその製造方法 |
WO2008047541A1 (fr) * | 2006-09-29 | 2008-04-24 | National University Corporation Tohoku University | Appareil d'application en revêtement de film et procédé d'application en revêtement de film |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2020195533A1 (ja) | 2020-10-01 |
JP7278822B2 (ja) | 2023-05-22 |
TW202044512A (zh) | 2020-12-01 |
TWI750603B (zh) | 2021-12-21 |
CN113544821A (zh) | 2021-10-22 |
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