JP2012190823A - 液処理装置、液処理方法およびこの液処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体 - Google Patents

液処理装置、液処理方法およびこの液処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体 Download PDF

Info

Publication number
JP2012190823A
JP2012190823A JP2011050389A JP2011050389A JP2012190823A JP 2012190823 A JP2012190823 A JP 2012190823A JP 2011050389 A JP2011050389 A JP 2011050389A JP 2011050389 A JP2011050389 A JP 2011050389A JP 2012190823 A JP2012190823 A JP 2012190823A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid processing
liquid
common exhaust
processed
outside air
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2011050389A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5474853B2 (ja
JP2012190823A5 (ja
Inventor
Satoshi Morita
田 聡 守
Nobuhiro Ogata
方 信 博 緒
Shuichi Nagamine
峰 秀 一 長
Kenji Kiyota
田 健 司 清
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2011050389A priority Critical patent/JP5474853B2/ja
Priority to KR1020110040843A priority patent/KR101524334B1/ko
Priority to US13/161,236 priority patent/US9073103B2/en
Priority to TW100128228A priority patent/TWI500101B/zh
Publication of JP2012190823A publication Critical patent/JP2012190823A/ja
Publication of JP2012190823A5 publication Critical patent/JP2012190823A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5474853B2 publication Critical patent/JP5474853B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B15/00—Preventing escape of dirt or fumes from the area where they are produced; Collecting or removing dirt or fumes from that area
    • B08B15/002—Preventing escape of dirt or fumes from the area where they are produced; Collecting or removing dirt or fumes from that area using a central suction system, e.g. for collecting exhaust gases in workshops
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67173—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers in-line arrangement

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

【課題】処理体を液処理する液処理部内の圧力の変動を抑制することができる液処理装置を提供する。
【解決手段】本発明による液処理装置１は、被処理体Ｗに対して処理液を供給して被処理体Ｗを液処理する複数の液処理部３と、複数の液処理部３内の雰囲気を排出する共通排気路６と、液処理部３の各々と共通排気路６とを連結する個別排気路３５と、個別排気路３５に開閉自在に設けられた開閉機構５と、共通排気路６に外気を取り込む外気取込部６５と、を備えている。共通排気路６には、外気取込部６５から取り込まれる外気の流量を調整する取込量調整弁が設けられている。制御部１００は、開閉機構５の各々の開閉状態に基づいて、取込量調整弁の開度を制御するようになっている。
【選択図】図３

Description

本発明は、被処理体を液処理する液処理装置、液処理方法およびこの液処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体に関する。
半導体デバイスなどの製造工程には、半導体ウエハ（以下単にウエハと記す）などの被処理体の表面に薬液や純水などの処理液を供給してウエハに付着したパーティクルや汚染物質を除去する液処理工程がある。こうした液処理工程を行う液処理装置の一つに、ウエハを回転させながら当該ウエハの表面に処理液を供給して液処理する液処理装置がある。この種の液処理装置では、単位時間当たりのウエハの処理枚数（スループット）を増大させるために、例えば同種の液処理を実行可能な複数（例えば４〜５台）の液処理ユニット（液処理部）を設け、共通の搬送機構を用いて各液処理ユニットにウエハを搬送し、複数の液処理ユニットにて並行してウエハの液処理を行うようになっている。
このような液処理ユニットは、例えば、ウエハを載置して回転させるスピンチャックと、スピンチャックに保持されたウエハを囲むように設けられ、ウエハの表面に供給されて飛散した処理液を回収するカップと、を備えている。処理液としては、酸性薬液やアルカリ性薬液などが用いられており、処理に応じて、薬液をウエハＷに選択的に供給するように構成されている。
ここで、特許文献１には、複数の液処理ユニットを水平に配置すると共に、酸性薬液用の排気ラインおよびアルカリ性薬液用の排気ラインを備える液処理装置が記載されている。例えば、酸性薬液用の排気ラインにおいては、各液処理ユニットに、酸性処理時の液処理ユニット内の雰囲気を液処理ユニット毎に排出する酸排気管が接続され、各酸排気管に酸排気配管が接続されて、各液処理ユニット内の雰囲気が、各酸排気管を通って、酸排気配管によって一括して排出されるようになっている。また、各酸排気管には、対応する液処理ユニットにおける液処理の種別に応じて開閉するバルブが設けられている。さらに、各液処理ユニットには、気流導入部から清浄空気が常に導入されており、各液処理ユニット内の清浄度が保たれている。
特開２００８−３４４９０号公報
しかしながら、上述した液処理装置においては、酸排気配管の排気量は一定になっている。このため、各酸排気管に設けられたバルブのうち一のバルブが閉じられた場合、他のバルブに対応する液処理ユニットの排気量が増大し、当該液処理ユニット内の圧力が変動して低下するという問題がある。この場合、当該液処理ユニット内に外部から空気が混入され、液処理ユニット内の清浄度が低下する可能性がある。
本発明は、このような点を考慮してなされたものであり、被処理体を液処理する液処理部内の圧力の変動を抑制することができる液処理装置、液処理方法、およびこの液処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体を提供することを目的とする。
本発明は、被処理体に対して処理液を供給して前記被処理体を液処理する複数の液処理部と、複数の前記液処理部内の雰囲気を排出する共通排気路と、前記液処理部の各々と前記共通排気路とを連結する個別排気路と、前記個別排気路に開閉自在に設けられた開閉機構と、前記共通排気路に外気を取り込む外気取込部と、前記共通排気路に設けられ、前記外気取込部から取り込まれる外気の流量を調整する取込量調整弁と、前記開閉機構の各々の開閉状態に基づいて、前記取込量調整弁の開度を制御する制御部と、を備えたことを特徴とする液処理装置を提供する。
なお、上述した液処理装置において、前記取込量調整弁は、前記共通排気路において、前記液処理部の各々からの排気の合流点より排気方向上流側に配置されている、ことが好ましい。
また、上述した液処理装置において、前記液処理部は、前記被処理体に対して複数種別の前記処理液を選択的に供給するように構成され、前記共通排気路は、前記液処理部において前記被処理体に対して供給される前記処理液の種別毎に前記液処理部内の雰囲気を排出する複数の専用共通排気路を有し、前記個別排気路は、対応する前記液処理部と複数の前記専用共通排気路と連結するようになっており、前記開閉機構は、前記被処理体に対して供給される前記処理液の種別に対応する前記専用共通排気路に前記液処理部を切り替えて連結する流路切替機構を有し、前記専用共通排気路の各々に、外気を取り込む前記外気取込部が設けられ、前記専用共通排気路の各々に、前記外気取込部から取り込まれる外気の流量を調整する前記取込量調整弁が設けられ、前記制御部は、前記流路切替機構の各々の切替状態に基づいて、前記取込量調整弁の各々の開度を制御する、ことが好ましい。
また、上述した液処理装置において、前記液処理部の各々に気体を供給する単一の気体供給部を更に備えた、ことが好ましい。
また、上述した液処理装置において、各液処理部は、前記被処理体を液処理する液処理空間を形成する液処理容器と、前記液処理容器に開閉自在に設けられ、前記液処理空間を開放可能な開閉パネルと、前記開閉パネルの開閉を検出するパネル検出部と、を有し、前記制御部は、前記パネル検出部により前記開閉パネルが開いたことが検出された場合、対応する前記開閉機構を開くように制御する、ことが好ましい。
本発明は、被処理体に対して処理液を供給して前記被処理体を液処理する複数の液処理部と、複数の前記液処理部内の雰囲気を排出する共通排気路と、前記液処理部の各々と前記共通排気路とを連結する個別排気路と、前記個別排気路に設けられた開閉機構と、前記共通排気路に外気を取り込む外気取込部と、前記共通排気路に設けられ、前記外気取込部から取り込まれる外気の流量を調整する取込量調整弁と、を備えた液処理装置を用いて、前記被処理体を液処理する液処理方法において、前記液処理部に前記被処理体を搬入する工程と、前記被処理体が搬入された前記液処理部において、前記被処理体に対して処理液を供給して前記被処理体を液処理する工程と、を備え、前記被処理体を液処理する工程において、前記液処理部の雰囲気が前記個別排気路および前記共通排気路を通って排出されると共に、前記開閉機構の各々の開閉状態に基づいて、前記取込量調整弁の開度が調整されることを特徴とする液処理方法を提供する。
なお、上述した液処理方法において、前記取込量調整弁は、前記共通排気路において、前記液処理部の各々からの排気の合流点より排気方向上流側に配置されている、ことが好ましい。
また、上述した液処理方法において、前記液処理部は、前記被処理体に対して複数種別の前記処理液を選択的に供給するように構成され、前記共通排気路は、前記液処理部において前記被処理体に対して供給される前記処理液の種別毎に前記液処理部内の雰囲気を排出する複数の専用共通排気路を有し、前記個別排気路は、対応する前記液処理部と複数の前記専用共通排気路とを連結するようになっており、前記開閉機構は、前記被処理体に対して供給される前記処理液の種別に対応する前記専用共通排気路に前記液処理部を切り替えて連結する流路切替機構を有し、前記専用共通排気路の各々に、外気を取り込む前記外気取込部が設けられ、前記専用共通排気路の各々に、前記外気取込部から取り込まれる外気の流量を調整する前記取込量調整弁が設けられ、前記被処理体を液処理する工程において、前記流路切替機構の各々の切替状態に基づいて、前記取込量調整弁の各々の開度が調整される、ことが好ましい。
また、上述した液処理方法において、前記被処理体を液処理する工程において、前記液処理部の各々に、単一の気体供給部から気体が供給される、ことが好ましい。
また、上述した液処理方法において、各液処理部は、前記被処理体を液処理する液処理空間を形成する液処理容器と、前記液処理容器に開閉自在に設けられ、前記液処理空間を開放可能な開閉パネルと、前記開閉パネルの開閉を検出するパネル検出部と、を有し、前記被処理体を液処理する工程において、前記パネル検出部により前記開閉パネルが開いたことが検出された場合、対応する前記開閉機構を開くように制御する、ことが好ましい。
本発明は、液処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体であって、この液処理方法は、被処理体に対して処理液を供給して前記被処理体を液処理する複数の液処理部と、複数の前記液処理部内の雰囲気を排出する共通排気路と、前記液処理部の各々と前記共通排気路とを連結する個別排気路と、前記個別排気路に設けられた開閉機構と、前記共通排気路に外気を取り込む外気取込部と、前記共通排気路に設けられ、前記外気取込部から取り込まれる外気の流量を調整する取込量調整弁と、を備えた液処理装置を用いて、前記被処理体を液処理する液処理方法において、前記液処理部に前記被処理体を搬入する工程と、前記被処理体が搬入された前記液処理部において、前記被処理体に対して処理液を供給して前記被処理体を液処理する工程と、を備え、前記被処理体を液処理する工程において、前記液処理部の雰囲気が前記個別排気路および前記共通排気路を通って排出されると共に、前記開閉機構の各々の開閉状態に基づいて、前記取込量調整弁の開度が調整されることを特徴とする記録媒体を提供する。
本発明によれば、被処理体を液処理する液処理部内の圧力の変動を抑制することができる。
図１は、本発明の実施の形態における液処理装置の一例を示す横断平面図である。 図２は、本発明の実施の形態における液処理装置において、液処理ユニットの構成を示す概略図である。 図３は、本発明の実施の形態における液処理装置の排気系を示す概略図である。 図４は、本発明の実施の形態における液処理方法を説明する図である。
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態における液処理装置、液処理方法、およびこの液処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体について説明する。まず、図１により、液処理装置１の全体構成について説明する。
図１に示すように、液処理装置１は、複数枚のウエハＷ（被処理体、以下単にウエハＷと記す）を収容したキャリアを載置するための複数の載置台２１と、載置台２１に載置されたキャリアからウエハＷを取り出すための搬送アーム２２と、搬送アームによって取り出されたウエハＷを載置するための棚ユニット２３と、棚ユニット２３に載置されたウエハＷを受け取り、当該ウエハＷを後述する各液処理ユニット３内に搬送する搬送アーム２４と、を備えている。このうち、搬送アーム２４は、搬送路２５内を移動自在に構成されており、この搬送路２５の両側に、液処理部をなす複数の液処理ユニット３（３Ａ〜３Ｊ）が設けられている。このようにして、搬送アーム２５は、棚ユニット２３と各液処理ユニット３との間を移動し、ウエハＷを、液処理ユニット３に対して搬出入するようになっている。
次に、図２を参照しながら液処理ユニット３の構成について説明する。液処理ユニット３は、ウエハＷに対して複数種別の処理液を選択的に供給して、ウエハＷを枚葉式に液処理するように構成されている。このような液処理ユニット３は、ウエハＷを液処理する密閉された液処理空間３１ａを形成し、開口部３１ｂを含むアウターチャンバ（液処理容器）３１と、アウターチャンバ３１に開閉自在に設けられ、開口部３１ｂを介して処理液空間３１ａを開放可能な開閉パネル３１ｃと、開閉パネル３１ｃの開閉を検出するパネル検出部３１ｄと、を有している。このうち、パネル検出部３１ｄは、アウターチャンバ３１に取り付けられてもよく、あるいは、開閉パネル３１ｃに取り付けられてもよい。なお、各パネル検出部３１ｄには、後述する制御部１００（図３参照）が接続されている。また、図1に示すように、アウターチャンバ３１には、ウエハＷが搬入出されるウエハ搬入出口３１ｅが設けられている。
アウターチャンバ３１内には、液処理空間３１ａ内にてウエハＷをほぼ水平に保持した状態で回転させるウエハ保持機構３２が設けられている。このウエハ保持機構３２には、当該ウエハ保持機構３２を駆動する回転駆動部３２ａが連結されている。また、ウエハ保持機構３２の上方には、ウエハ保持機構３２に保持されたウエハＷの上面に処理液を選択的に供給するノズルアーム３３が設けられており、ウエハ保持機構３２の周囲には、回転するウエハＷから周囲に飛散した薬液（処理液）を受けるためのインナーカップ３４が設けられている。
アウターチャンバ３１には図示しないウエハ搬入出口３１ｅを介して搬送アーム２４（図１参照）によりウエハＷが搬入出される。このアウターチャンバ３１の底面には、当該アウターチャンバ３１内の雰囲気を液処理ユニット３毎に排出するための個別排気路３５が連結されると共に、アウターチャンバ３１の底面に溜まったＤＩＷ液などの液体を排出するための排水路３６が設けられている。インナーカップ３４には、ウエハＷから飛散してインナーカップ３４にて受けた薬液を排出する排液路３７が設けられている。また、ウエハ保持機構３２の内部には薬液供給路３８が形成されており、回転するウエハＷの下面に当該薬液供給路３８を介して薬液を供給するようになっている。
ノズルアーム３３の先端部には、処理液供給用のノズル３３ａが設けられている。このノズル３３ａには、ＩＰＡ供給部４１、ＤＩＷ供給部４２、ＳＣ１供給部４３、ＤＨＦ供給部４４が供給路４５、４６、４７を介して連結されている。また、ＤＩＷ供給部４２、ＳＣ１供給部４３、ＤＨＦ供給部４４は、供給路４７、４８を介して、ウエハ保持機構３２の供給路３８にも連結されている。
ＩＰＡ供給部４１は、高い揮発性を利用してウエハＷを乾燥させるためのＩＰＡ（イソプロピルアルコール）液を供給し、ＤＩＷ供給部４２は、薬液処理後のウエハＷに残存する薬液を除去するためのリンス液（処理液）であるＤＩＷ（Deionized Water）液を供給するようになっている。また、ＳＣ１供給部４３は、ウエハＷ表面のパーティクルや有機性の汚染物質を除去するための薬液であるＳＣ１液（アンモニアと過酸化水素水の混合液）を供給し、ＤＨＦ供給部４４は、ウエハＷ表面の自然酸化膜を除去するＤＨＦ液（希フッ酸水溶液：ＤＨＦ（Diluted Hydrofluoric acid）液）を供給するように構成されている。図中、４１ａは、ノズル３３ａへのＩＰＡ液の供給量を調整するマスフローコントローラであり、４０は切替弁、４９ａ、４９ｂは、各々ノズルアーム３３側、ウエハ保持機構３２側への処理液の供給量を調整するマスフローコントローラである。ここで、薬液の内、ＩＰＡ液が有機系薬液、ＤＨＦ液が酸性薬液、ＳＣ１液がアルカリ性薬液にそれぞれ相当する。
続いて、液処理ユニット３の排気系について説明する。本実施の形態においては、一例として、図１に示すように、搬送路２４の両側に５つの液処理ユニット３がそれぞれ配列されているが、液処理ユニット３Ａ〜３Ｅに対応する排気系と、液処理ユニット３Ｆ〜３Ｊに対応する排気系は、概略等しいため、ここでは、液処理ユニット３Ａ〜３Ｅに対応する排気系について説明する。
図３に示すように、各液処理ユニット３には、個別排気路３５を介して、液処理ユニット３のアウターチャンバ３１内の雰囲気を排出する共通排気路６が連結されている。この共通排気路６は、液処理ユニット３においてウエハＷに対して供給される処理液の種別毎に液処理ユニット３のアウターチャンバ３１内の雰囲気を排出する複数の専用共通排気路６１〜６３を有している。すなわち、図３に示す形態においては、共通排気路６は、乾燥処理時のアウターチャンバ３１内の雰囲気を排出する第１専用共通排気路６１と、アルカリ性薬液処理時のアウターチャンバ３１内の雰囲気を排出する第２専用共通排気路６２と、酸性薬液処理時のアウターチャンバ３１内の雰囲気を排出する第３専用共通排気路６３と、を有している。そして、各個別排気路３５は、対応する液処理ユニット３と各専用共通排気路６１〜６３との間を連結するようになっている。
各専用共通排気路６１〜６３には、各液処理ユニット３のアウターチャンバ３１内からの排気量を調整するための排気ダンパー６４が設けられている。各排気ダンパー６４は、制御部１００に接続され、この制御部１００からの指令に基づいて、液処理ユニット３のアウターチャンバ３１内からの排気量を所定量に設定可能になっている。
また、各専用共通排気路６１〜６３に、排気ダンパー６４よりも排気方向下流側において、液処理装置１の外部に設けられた排気駆動部１１０に連結されており、各専用共通排気路６１〜６３内を吸引して、各アウターチャンバ３１内の雰囲気を排出し、図示しない回収設備に送られるようになっている。なお、図３においては、各液処理ユニット３からの排気の流れを明瞭に示すために模式的に示したものであり、各専用共通排気路６１〜６３の実際の配置を示したものではなく、各専用共通排気路６１〜６３の配置は、任意とすることができる。
各個別排気路３５には、開閉機構５が開閉自在に設けられている。本実施の形態においては、開閉機構５は、液処理ユニット３を、当該液処理ユニット３においてウエハＷに対して供給される処理液の種別に対応した専用共通排気路６１〜６３に切り替えて連結する流路切替機構５を有している。この流路切替機構５は、液処理ユニット３と専用共通排気路６１〜６３とを連通する各流路を選択的に開閉することにより、流路を切り替えるものとして構成されている。このような流路切替機構５としては、例えば、（流体の流れが逆とはなるが）図２に示す切替弁４０のように、３つの開閉弁を用いて構成してもよく、あるいは、これと同等の機能を有するような構造としてもよい。なお、各流路切替機構５には、制御部１００が接続され、この制御部１００からの指令に基づいて、各流路切替機構５が制御されるようになっている。
各専用共通排気路６１〜６３には、外気を取り込む外気取込部６５が設けられている。各外気取込部６５は、図３に示すように、対応する専用共通排気路６１〜６３において、排気駆動部１１０とは反対側の端部に設けられている。なお、このような外気取込部６５は、専用共通排気路６１〜６３の当該端部を外気に対して開放することにより構成することができる。
また、各専用共通排気路６１〜６３には、外気取込部６５から取り込まれる外気の流量を調整する取込量調整弁Ｖ１１〜Ｖ１３が設けられている。具体的には、第１専用共通排気路６１に第１取込量調整弁Ｖ１１が設けられ、第２専用共通排気路６２に第２取込量調整弁Ｖ１２が設けられ、第３専用共通排気路６３に第３取込量調整弁Ｖ１３が設けられている。各取込量調整弁Ｖ１１〜Ｖ１３は、対応する専用共通排気路６１〜６３において、各液処理ユニット３からの排気の合流点６６ａ〜６６ｅより、図３中に矢印で示す排気方向上流側に配置されている。すなわち、各液処理ユニット３Ａ〜３Ｅからの排気は、専用共通排気路６１〜６３において合流点６６ａ〜６６ｅで合流するようになっているが、このうち排気方向上流側に配置されている合流点６６ａより排気方向上流側に、各取込量調整弁Ｖ１１〜Ｖ１３が配置されている。そして、各取込量調整弁Ｖ１１〜Ｖ１３よりさらに排気方向上流側に、外気取込部６５が配置されている。なお、各取込量調整弁Ｖ１１〜Ｖ１３には制御部１００が接続され、この制御部１００からの指令に基づいて、各取込量調整弁Ｖ１１〜Ｖ１３の開度が制御されるようになっている。また、このような取込量調整弁Ｖ１１〜Ｖ１３は、例えば、バタフライバルブにより構成することができる。
各液処理ユニット３には、アウターチャンバ３１に清浄な空気（気体）をダウンフローとして供給する単一のファンフィルターユニット（気体供給部、ＦＦＵ）７が連結されている。各アウターチャンバ３１とファンフィルターユニット７とは、気体供給路７１を介して連結されており、ファンフィルターユニット７からの清浄な気体は、気体供給路７１を介して、各アウターチャンバ３１内に供給されるようになっている。このようにして、薬液から蒸発して気化したガスが、上昇して拡散することを防止すると共に、各液処理容器３内の清浄度を保っている。なお、ファンフィルターユニット７は、制御部１００に接続され、この制御部１００からの指令に基づいて、供給される清浄な空気の流量が制御されるようになっている。
上述したように、流路切替機構５および取込量調整弁Ｖ１１〜Ｖ１３には、制御部１００が接続されている。この制御部１００は、各流路切替機構５の切替状態に基づいて、各取込量調整弁Ｖ１１〜Ｖ１３の開度を制御するようになっている。例えば、制御部１００は、第１専用共通排気路６１に連結されている液処理ユニット３の個数が減少するにつれて、第１取込量調整弁Ｖ１１の開度を大きくするように、当該第１取込量調整弁Ｖ１１を制御する。具体的には、第１専用共通排気路６１に５つの個別排気路３５が連結されている場合には、第１取込量調整弁Ｖ１１の開度を第１の開度に調整する。第１専用共通排気路６１に４つの個別排気路３５が連結されている場合には、第１取込量調整弁Ｖ１１の開度を第２の開度に調整する。同様にして、第１取込量調整弁Ｖ１１の開度を、３つの個別排気路３５が連結されている場合には第３の開度に、２つの個別排気路３５が連結されている場合には第４の開度に、１つの個別排気路３５が連結されている場合には第５の開度に、個別排気路３５がいずれも連結されていない場合には、第６の開度に調整する。ここで上述した各角度の関係は、第１の開度＜第２の開度＜第３の開度＜第４の開度＜第５の開度＜第６の開度となる。このようにして、外気取込部６５から取り込まれる外気の流量を調整することにより、第１専用共通排気路６１に連結されている液処理ユニット３のアウターチャンバ３１からの排気量が変動することを抑制している。また、制御部１００は、第２取込量調整弁Ｖ１２および第３取込量調整弁Ｖ１３についても、上述した第１取込量調整弁Ｖ１１と同様にして、それぞれの開度を調整するようになっている。
また、制御部１００は、上述したパネル検出部３１ｄにより開閉パネル３１ｃが開いたことが検出された場合、対応する流路切替機構５を制御するようになっている。すなわち、制御部１００は、パネル検出部３１ｄにより開閉パネル３１ｃが開いていることが検出された場合、対応する開閉機構５を開くように、すなわち、対応する液処理ユニット３と各専用共通排気路６１〜６３のうちの一つの専用共通排気路が連通するように、流路切替機構５を制御する。この場合、制御部１００は、この流路切替機構５の切替状態を、上述のようにして取込量調整弁Ｖ１１〜Ｖ１３の開度の調整に反映させる。
さらに、制御部１００は、上述したファンフィルターユニット７および排気ダンパー６４をも制御しており、各液処理ユニット３のアウターチャンバ３１の内圧が、所定の圧力（例えば、大気圧）に維持されるようになっている。
ところで、図３に示すように、制御部１００には、工程管理者等が液処理装置１を管理するために、コマンドの入力操作等を行うキーボードや、液処理装置１の稼働状況等を可視化して表示するディスプレイ等からなる入出力装置１０１が接続されている。また、制御部１００は、液処理装置１で実行される処理を実現するためのプログラム等が記録された記録媒体１０２にアクセス可能となっている。記録媒体１０２は、ＲＯＭおよびＲＡＭ等のメモリ、ハードディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−ＲＯＭ、およびフレキシブルディスク等のディスク状記録媒体等、既知の記録媒体から構成され得る。このようにして、制御部１００が、記録媒体１０２に予め記録されたプログラム等を実行することによって、液処理装置１においてウエハＷの処理が行われるようになっている。
次に、このような構成からなる本実施の形態の作用、すなわち本実施の形態による液処理方法について説明する。なお、以下に説明する液処理方法を実行するための各構成要素の動作は、予め記録媒体１０２に記録されたプログラムに基づいた制御部１００からの制御信号によって制御される。
まず、図４に示すように、液処理ユニット３内にウエハＷが搬入される（ステップＳ１）。この場合、まず、図１に示すように、ウエハＷが収容されたキャリアが載置台２１に載置され、搬送アーム２２によりキャリア内からウエハＷが取り出されて棚ユニット２３に載置される。続いて、搬送アーム２４が棚ユニット２３からウエハＷを受け取って、所定の液処理ユニット３のアウターチャンバ３１内にウエハ搬入出口３１ｅを介して搬入され、ウエハＷがウエハ保持機構３２に受け渡されて保持される。
続いて、ウエハ保持機構３２に保持されたウエハＷの上方に、ノズルアーム３３のノズル３３ａが移動する。また、流路切替機構５により、液処理ユニット３のアウターチャンバ３１が第２専用共通排気路６２に切り替えられて連結され、ウエハ保持機構３２が回転駆動部３２ａによって駆動され、ウエハＷが回転する。なお、以下に述べるウエハＷの液処理を行っている間、排気駆動部１１０は駆動され続ける。
次に、液処理ユニット３において、ウエハＷに対して各種処理液が選択的に供給されて、ウエハＷが液処理される。
まず、ウエハＷがアルカリ性薬液処理される（ステップＳ２）。この場合、ノズル３３ａ及び薬液供給路３８によりウエハＷの上下面にＳＣ１液が供給される。このことにより、ウエハＷの上下面がアルカリ洗浄される。この間、アウターチャンバ３１内の雰囲気が、個別排気路３５および第２専用共通排気路６２を通って排出される。なお、アウターチャンバ３１内には、ウエハＷの回転によってＳＣ１液が飛散している。このため、アウターチャンバ３１内の雰囲気は、ＳＣ１液のミストと共に排出される。
アルカリ性薬液処理が終了した後、ノズル３３ａ及び薬液供給路３８によりウエハＷの上下面にＤＩＷ液が供給され、ウエハＷがリンス処理される（ステップＳ３）。その後、振切乾燥が行われる（ステップＳ４）。
次に、流路切替機構５により、アウターチャンバ３１が第３専用共通排気路６３に切り替えられて連結される。
続いて、ウエハＷが酸性薬液処理される（ステップＳ５）。この場合、ノズル３３ａ及び薬液供給路３８によりウエハＷの上下面にＤＨＦ液が供給される。このことにより、ウエハＷの上下面が酸洗浄される。この間、アウターチャンバ３１内の雰囲気が、個別排気路３５および第３専用共通排気路６３を通って排出される。なお、アウターチャンバ３１内には、ウエハＷの回転によってＤＨＦ液が飛散している。このため、アウターチャンバ３１内の雰囲気は、ＤＨＦ液のミストと共に排出される。
酸性薬液処理が終了した後、ノズル３３ａ及び薬液供給路３８によりウエハＷの上下面にＤＩＷ液が供給され、ウエハＷがリンス処理される（ステップＳ６）。
その後、流路切替機構５により、アウターチャンバ３１が第１専用共通排気路６１に切り替えられて連結される。
続いて、ウエハＷが乾燥処理される（ステップＳ７）。この場合、ノズル３３ａによりウエハＷの上面にＩＰＡ液が供給される。このことにより、ウエハＷの上面に残存するＤＩＷ液が除去されて、ウエハＷが乾燥する。この間、アウターチャンバ３１内の雰囲気が、個別排気路３５および第１専用共通排気路６１を通って排出される。なお、アウターチャンバ３１内には、ウエハＷの回転によってＩＰＡ液が飛散している。このため、アウターチャンバ３１内の雰囲気は、ＩＰＡ液のミストと共に排出される。
このようにして、ウエハＷの液処理が終了する。
ところで、各液処理ユニット３における液処理の各ステップは、液処理ユニット３毎にそれぞれのタイミングで行われている。すなわち、各液処理ユニット３におけるアルカリ性薬液処理、酸性薬液処理および乾燥処理のタイミングがずれて、各流路切替機構５の切替状態が互いに異なっている場合がある。例えば、液処理ユニット３Ａに対応する流路切替機構５が、当該液処理ユニット３Ａを第１専用共通排気路６１に連結し、液処理ユニット３Ｂに対応する流路切替機構５が、当該液処理ユニット３Ｂを第２専用共通排気路６２に連結している場合が考えられる。
そこで、本実施の形態においては、ウエハＷの液処理が行われている間、各流路切替機構５の切替状態に基づいて、各専用共通排気路６１〜６３に取り込まれる外気の流量を調整する取込量調整弁Ｖ１１〜Ｖ１３の開度が調整されている。具体的には、例えば、制御部１００は、第１専用共通排気路６１に連結されている液処理ユニット３の個数が減少するにつれて、第１取込量調整弁Ｖ１１の開度を大きくするように、当該第１取込量調整弁Ｖ１１を制御する。第２取込量調整弁Ｖ１２および第３取込量調整弁Ｖ１３も同様にして制御する。このことにより、各外気取込部６５から各専用共通排気路６１〜６３に取り込まれる外気の流量が調整され、各アウターチャンバ３１からの排気量が変動することを抑制している。
ウエハＷの液処理が終了した後、ウエハＷが入れ替えられる（ステップＳ８）。この場合、まず、アウターチャンバ３１のウエハ搬入出口３１ｅが開いて、アウターチャンバ３１内に搬送アーム２４が進入して処理後のウエハＷが搬出される。搬出されたウエハＷは、棚ユニット２３に受け渡され、搬送アーム２２によって載置台２１上のキャリアに収容される。その後、処理前のウエハＷをステップＳ１と同様にして搬入して液処理することにより、複数のウエハＷを連続的に液処理することができる。
ところで、各液処理ユニット３内でウエハＷの液処理が行われている間に、一部の液処理ユニット３のアウターチャンバ３１の内部点検などを目的として、開閉パネル３１ｃが開けられる場合がある。この場合には、まず、アウターチャンバ３１に設けられたパネル検出部３１ｄにより、開閉パネル３１ｃが開いたことが検出される。次に、当該アウターチャンバ３１に対応する個別排気路３５を開くように、すなわち、当該液処理ユニット３のアウターチャンバ３１と各専用共通排気路６１〜６３のうちの一の専用共通排気路とが連通するように、流路切替機構５が制御される。その後、この流路切替機構５の切替状態が、上述のようにして取込量調整弁Ｖ１１〜Ｖ１３の開度の調整に反映される。
このように本実施の形態によれば、各専用共通排気路６１〜６３に、外気を取り込む外気取込部６５が設けられ、この外気取込部６５から取り込まれる外気の取込量を調整する取込量調整弁Ｖ１１〜Ｖ１３が設けられて、各取込量調整弁Ｖ１１〜Ｖ１３の開度が、各流路切替機構５の切替状態に基づいて制御されている。このことにより、各液処理ユニット３におけるアルカリ性薬液処理、酸性薬液処理およびＩＰＡ乾燥処理のタイミングがずれて、各流路切替機構５の切替状態が互いに異なっている場合であっても、外気取込部６５から取り込まれる外気の流量を調整することにより、各液処理ユニット３のアウターチャンバ３１からの排気量が変動することを抑制することができる。このため、各アウターチャンバ３１の内圧が変動して低下することを抑制することができる。この場合、例えば、アウターチャンバ３１の内圧が低下してアウターチャンバ３１内に外気が取り込まれて清浄度が低下することを防止することができる。
また、本実施の形態によれば、例えば、液処理ユニット３のアウターチャンバ３１の内部点検などを目的として、液処理ユニット３の開閉パネル３１ｃが開いた場合、このことをパネル検出部３１ｄが検出することにより、対応する流路切替機構５が、当該液処理ユニット３のアウターチャンバ３１と各専用共通排気路６１〜６３のうちの一の専用共通排気路とが連通するように、制御される。このことにより、ファンフィルターユニット７から供給された空気を、個別排気路３５に排出することができる。また、当該流路切替機構５を含む各流路切替機構５の切替状態に基づいて、取込量調整弁Ｖ１１〜Ｖ１３の開度が調整される。このことにより、例えば、一の液処理ユニット３の開閉パネル３１ｃが開けられた場合であっても、他の液処理ユニット３のアウターチャンバ３１からの排気量が変動することを抑制し、他の液処理ユニット３のアウターチャンバ３１の内圧が変動することを抑制することができる。この場合、例えば、一の液処理ユニット３の内部点検を行いながら、他の液処理ユニット３においてウエハＷの液処理を行うことができる。
以上、本発明による実施の形態について説明してきたが、当然のことながら、本発明の要旨の範囲内で、種々の変形も可能である。以下、代表的な変形例について説明する。
すなわち、本実施の形態においては、各液処理ユニット３には、個別排気路３５を介して各専用共通排気路６１〜６３が連結されている例について説明した。しかしながら、このことに限られることはない。例えば、個別排気路３５が、液処理ユニット３においてウエハＷに対して供給される処理液の種別毎にアウターチャンバ３１内の雰囲気を排出する複数の専用個別排気路（図示せず）を有し、各液処理ユニット３に、各専用個別排気路を介して、対応する専用共通排気路６１〜６３が連結されるようにしてもよい。この場合、各専用個別排気路に開閉自在な開閉弁（図示せず）を設けて、当該３つの開閉弁により流路切替機構５を構成することができる。
また、本実施の形態においては、３種類の処理液に応じて、３つの専用共通排気路６１〜６３が設けられ、開閉機構５が、液処理ユニット３を、処理液の種別に対応した専用共通排気路６１〜６３に切り替えて連結する例について説明した。しかしながらこのことに限られることはなく、共通排気路６が、単一の専用共通排気路からなり、開閉機構５が、個別排気路３５、すなわち液処理ユニット３と当該単一の専用共通排気路との間の流路を単に開閉するように構成されていてもよい。この場合、制御部１００は、当該開閉機構５の開閉状態に基づいて、各取込量調整弁Ｖ１１〜Ｖ１３の開度を制御すればよい。
また、本実施の形態においては、共通排気路６は、３つの専用共通排気路６１〜６３により構成される例について説明したが、液処理ユニット３において使用される処理液の種別数に応じて、２つまたは４つ以上の専用共通排気路により構成されていてもよい。
また、本実施の形態においては、外気取込部６５および各取込量調整弁Ｖ１１〜Ｖ１３が、各液処理ユニット３からの排気の合流点６６ａ〜６６ｅより、排気方向上流側に配置されている例について説明した。しかしながらこのことに限られることはなく、外気取込部６５および各取込量調整弁Ｖ１１〜Ｖ１３は、対応する専用共通排気路６１〜６３において任意の位置に配置することもできる。
さらに、本実施の形態においては、アルカリ性薬液としてＳＣ１液を用い、酸性薬液としてＳＣ１液を用い、リンス液としてＤＩＷ液を用い、有機系薬液としてＩＰＡ液を用いる例について説明した。しかしながら、このことに限られることはなく、アルカリ性薬液としてアンモニア水等を用いても良く、酸性薬液としてＨＦ（フッ化水素）やＳＣ２（塩酸と過酸化水素水の混合溶液）等を用いても良い。また、リンス液および有機系薬液を含め、各処理液には一般に使用されている他の処理液を用いても良い。
なお、以上の説明においては、本発明による液処理装置、液処理方法、およびこの液処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体を、半導体ウエハＷの洗浄処理に適用した例を示している。しかしながらこのことに限られることはなく、ＬＣＤ基板またはＣＤ基板等、種々の基板（被処理体）等の洗浄に本発明を適用することも可能である。
１ 液処理装置
３ 液処理ユニット
３１ アウターチャンバ
３１ａ 液処理空間
３１ｂ 開口部
３１ｃ 開閉パネル
３１ｄ パネル検出部
３５ 個別排気路
５ 開閉機構（流路切替機構）
６ 共通排気路
６１ 第１専用共通排気路
６２ 第２専用共通排気路
６３ 第３専用共通排気路
６５ 外気取込部
６６ａ〜６６ｅ 合流点
７ ファンフィルターユニット
１００ 制御部
１０２ 記録媒体
Ｖ１１ 第１取込量調整弁
Ｖ１２ 第２取込量調整弁
Ｖ１３ 第３取込量調整弁
Ｗ ウエハ

Claims (11)

  1. 被処理体に対して処理液を供給して前記被処理体を液処理する複数の液処理部と、
    複数の前記液処理部内の雰囲気を排出する共通排気路と、
    前記液処理部の各々と前記共通排気路とを連結する個別排気路と、
    前記個別排気路に開閉自在に設けられた開閉機構と、
    前記共通排気路に外気を取り込む外気取込部と、
    前記共通排気路に設けられ、前記外気取込部から取り込まれる外気の流量を調整する取込量調整弁と、
    前記開閉機構の各々の開閉状態に基づいて、前記取込量調整弁の開度を制御する制御部と、を備えたことを特徴とする液処理装置。
  2. 前記取込量調整弁は、前記共通排気路において、前記液処理部の各々からの排気の合流点より排気方向上流側に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の液処理装置。
  3. 前記液処理部は、前記被処理体に対して複数種別の前記処理液を選択的に供給するように構成され、
    前記共通排気路は、前記液処理部において前記被処理体に対して供給される前記処理液の種別毎に前記液処理部内の雰囲気を排出する複数の専用共通排気路を有し、
    前記個別排気路は、対応する前記液処理部と複数の前記専用共通排気路と連結するようになっており、
    前記開閉機構は、前記被処理体に対して供給される前記処理液の種別に対応する前記専用共通排気路に前記液処理部を切り替えて連結する流路切替機構を有し、
    前記専用共通排気路の各々に、外気を取り込む前記外気取込部が設けられ、
    前記専用共通排気路の各々に、前記外気取込部から取り込まれる外気の流量を調整する前記取込量調整弁が設けられ、
    前記制御部は、前記流路切替機構の各々の切替状態に基づいて、前記取込量調整弁の各々の開度を制御することを特徴とする請求項１または２に記載の液処理装置。
  4. 前記液処理部の各々に気体を供給する単一の気体供給部を更に備えたことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の液処理装置。
  5. 各液処理部は、前記被処理体を液処理する液処理空間を形成する液処理容器と、前記液処理容器に開閉自在に設けられ、前記液処理空間を開放可能な開閉パネルと、前記開閉パネルの開閉を検出するパネル検出部と、を有し、
    前記制御部は、前記パネル検出部により前記開閉パネルが開いたことが検出された場合、対応する前記開閉機構を開くように制御することを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の液処理装置。
  6. 被処理体に対して処理液を供給して前記被処理体を液処理する複数の液処理部と、複数の前記液処理部内の雰囲気を排出する共通排気路と、前記液処理部の各々と前記共通排気路とを連結する個別排気路と、前記個別排気路に設けられた開閉機構と、前記共通排気路に外気を取り込む外気取込部と、前記共通排気路に設けられ、前記外気取込部から取り込まれる外気の流量を調整する取込量調整弁と、を備えた液処理装置を用いて、前記被処理体を液処理する液処理方法において、
    前記液処理部に前記被処理体を搬入する工程と、
    前記被処理体が搬入された前記液処理部において、前記被処理体に対して処理液を供給して前記被処理体を液処理する工程と、を備え、
    前記被処理体を液処理する工程において、前記液処理部の雰囲気が前記個別排気路および前記共通排気路を通って排出されると共に、前記開閉機構の各々の開閉状態に基づいて、前記取込量調整弁の開度が調整されることを特徴とする液処理方法。
  7. 前記取込量調整弁は、前記共通排気路において、前記液処理部の各々からの排気の合流点より排気方向上流側に配置されていることを特徴とする請求項６に記載の液処理方法。
  8. 前記液処理部は、前記被処理体に対して複数種別の前記処理液を選択的に供給するように構成され、
    前記共通排気路は、前記液処理部において前記被処理体に対して供給される前記処理液の種別毎に前記液処理部内の雰囲気を排出する複数の専用共通排気路を有し、
    前記個別排気路は、対応する前記液処理部と複数の前記専用共通排気路とを連結するようになっており、
    前記開閉機構は、前記被処理体に対して供給される前記処理液の種別に対応する前記専用共通排気路に前記液処理部を切り替えて連結する流路切替機構を有し、
    前記専用共通排気路の各々に、外気を取り込む前記外気取込部が設けられ、
    前記専用共通排気路の各々に、前記外気取込部から取り込まれる外気の流量を調整する前記取込量調整弁が設けられ、
    前記被処理体を液処理する工程において、前記流路切替機構の各々の切替状態に基づいて、前記取込量調整弁の各々の開度が調整されることを特徴とする請求項６または７に記載の液処理方法。
  9. 前記被処理体を液処理する工程において、前記液処理部の各々に、単一の気体供給部から気体が供給されることを特徴とする請求項６乃至８のいずれかに記載の液処理方法。
  10. 各液処理部は、前記被処理体を液処理する液処理空間を形成する液処理容器と、前記液処理容器に開閉自在に設けられ、前記液処理空間を開放可能な開閉パネルと、前記開閉パネルの開閉を検出するパネル検出部と、を有し、
    前記被処理体を液処理する工程において、前記パネル検出部により前記開閉パネルが開いたことが検出された場合、対応する前記開閉機構を開くように制御することを特徴とする請求項６乃至９のいずれかに記載の液処理方法。
  11. 液処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体であって、
    この液処理方法は、
    被処理体に対して処理液を供給して前記被処理体を液処理する複数の液処理部と、複数の前記液処理部内の雰囲気を排出する共通排気路と、前記液処理部の各々と前記共通排気路とを連結する個別排気路と、前記個別排気路に設けられた開閉機構と、前記共通排気路に外気を取り込む外気取込部と、前記共通排気路に設けられ、前記外気取込部から取り込まれる外気の流量を調整する取込量調整弁と、を備えた液処理装置を用いて、前記被処理体を液処理する液処理方法において、
    前記液処理部に前記被処理体を搬入する工程と、
    前記被処理体が搬入された前記液処理部において、前記被処理体に対して処理液を供給して前記被処理体を液処理する工程と、を備え、
    前記被処理体を液処理する工程において、前記液処理部の雰囲気が前記個別排気路および前記共通排気路を通って排出されると共に、前記開閉機構の各々の開閉状態に基づいて、前記取込量調整弁の開度が調整されることを特徴とする記録媒体。
JP2011050389A 2011-03-08 2011-03-08 液処理装置、液処理方法およびこの液処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体 Active JP5474853B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011050389A JP5474853B2 (ja) 2011-03-08 2011-03-08 液処理装置、液処理方法およびこの液処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体
KR1020110040843A KR101524334B1 (ko) 2011-03-08 2011-04-29 액처리 장치, 액처리 방법 및 이 액처리 방법을 실행하기 위한 컴퓨터 프로그램이 기록된 기록 매체
US13/161,236 US9073103B2 (en) 2011-03-08 2011-06-15 Liquid processing apparatus, liquid processing method, and recording medium having computer program for performing the same method
TW100128228A TWI500101B (zh) 2011-03-08 2011-08-08 液體處理裝置、液體處理方法及記錄有用來實行此液體處理方法之程式的記錄媒體

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011050389A JP5474853B2 (ja) 2011-03-08 2011-03-08 液処理装置、液処理方法およびこの液処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2012190823A true JP2012190823A (ja) 2012-10-04
JP2012190823A5 JP2012190823A5 (ja) 2013-03-28
JP5474853B2 JP5474853B2 (ja) 2014-04-16

Family

ID=46794398

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011050389A Active JP5474853B2 (ja) 2011-03-08 2011-03-08 液処理装置、液処理方法およびこの液処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9073103B2 (ja)
JP (1) JP5474853B2 (ja)
KR (1) KR101524334B1 (ja)
TW (1) TWI500101B (ja)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014103523A1 (ja) * 2012-12-28 2014-07-03 大日本スクリーン製造株式会社 処理装置とその排気切換装置並びに排気切換ユニットと切換弁ボックス
JP2014139970A (ja) * 2013-01-21 2014-07-31 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2016092143A (ja) * 2014-10-31 2016-05-23 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置
JP2016092144A (ja) * 2014-10-31 2016-05-23 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置、排気切替ユニットおよび基板液処理方法
KR20170015162A (ko) 2015-07-29 2017-02-08 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 액처리 장치
WO2017094406A1 (ja) * 2015-12-04 2017-06-08 株式会社 荏原製作所 基板処理装置の排気装置
WO2019031590A1 (ja) * 2017-08-10 2019-02-14 株式会社荏原製作所 基板処理装置
JP2023024746A (ja) * 2018-09-21 2023-02-16 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP7502157B2 (ja) 2020-02-26 2024-06-18 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP7572532B2 (ja) 2023-11-27 2024-10-23 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9446467B2 (en) * 2013-03-14 2016-09-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Integrate rinse module in hybrid bonding platform
JP6281161B2 (ja) * 2013-09-27 2018-02-21 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
KR101910802B1 (ko) * 2016-09-30 2018-10-25 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP6920849B2 (ja) * 2017-03-27 2021-08-18 株式会社荏原製作所 基板処理方法および装置
JP6953286B2 (ja) * 2017-11-09 2021-10-27 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP6956603B2 (ja) * 2017-11-13 2021-11-02 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体
KR102121240B1 (ko) * 2018-05-03 2020-06-18 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
JP7189013B2 (ja) * 2018-12-28 2022-12-13 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理装置の運転方法
JP7314634B2 (ja) * 2019-06-11 2023-07-26 東京エレクトロン株式会社 塗布装置及び塗布方法
JP7370277B2 (ja) 2020-02-26 2023-10-27 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
US20210265177A1 (en) * 2020-02-26 2021-08-26 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate treating apparatus

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0737778A (ja) * 1993-07-19 1995-02-07 Hitachi Ltd 排気制御システム
JPH10312952A (ja) * 1997-05-14 1998-11-24 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JPH113851A (ja) * 1997-06-11 1999-01-06 Tokyo Electron Ltd 液処理装置及び液処理方法
JP2000208472A (ja) * 1999-01-18 2000-07-28 Sony Corp 洗浄流し
JP2009252884A (ja) * 2008-04-03 2009-10-29 Tokyo Electron Ltd 圧力制御機構、基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5006053B2 (ja) * 2005-04-19 2012-08-22 株式会社荏原製作所 基板処理装置
JP4767783B2 (ja) 2006-07-26 2011-09-07 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
JP5369538B2 (ja) * 2008-08-12 2013-12-18 東京エレクトロン株式会社 液処理装置及び液処理方法並びに記憶媒体
JP2010186974A (ja) 2009-02-13 2010-08-26 Tokyo Electron Ltd 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0737778A (ja) * 1993-07-19 1995-02-07 Hitachi Ltd 排気制御システム
JPH10312952A (ja) * 1997-05-14 1998-11-24 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JPH113851A (ja) * 1997-06-11 1999-01-06 Tokyo Electron Ltd 液処理装置及び液処理方法
JP2000208472A (ja) * 1999-01-18 2000-07-28 Sony Corp 洗浄流し
JP2009252884A (ja) * 2008-04-03 2009-10-29 Tokyo Electron Ltd 圧力制御機構、基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014103523A1 (ja) * 2012-12-28 2014-07-03 大日本スクリーン製造株式会社 処理装置とその排気切換装置並びに排気切換ユニットと切換弁ボックス
JPWO2014103523A1 (ja) * 2012-12-28 2017-01-12 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 処理装置とその排気切換装置並びに排気切換ユニットと切換弁ボックス
US10471479B2 (en) 2012-12-28 2019-11-12 SCREEN Holdings Co., Ltd. Treatment device and exhaust switching device therefor, and exhaust switching unit and switching valve box
JP2014139970A (ja) * 2013-01-21 2014-07-31 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2016092143A (ja) * 2014-10-31 2016-05-23 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置
JP2016092144A (ja) * 2014-10-31 2016-05-23 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置、排気切替ユニットおよび基板液処理方法
US10046372B2 (en) 2015-07-29 2018-08-14 Tokyo Electron Limited Liquid processing apparatus
JP2017033988A (ja) * 2015-07-29 2017-02-09 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
KR20170015162A (ko) 2015-07-29 2017-02-08 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 액처리 장치
WO2017094406A1 (ja) * 2015-12-04 2017-06-08 株式会社 荏原製作所 基板処理装置の排気装置
WO2019031590A1 (ja) * 2017-08-10 2019-02-14 株式会社荏原製作所 基板処理装置
JP2019036573A (ja) * 2017-08-10 2019-03-07 株式会社荏原製作所 基板処理装置
CN111201596A (zh) * 2017-08-10 2020-05-26 株式会社荏原制作所 基板处理装置
US11869788B2 (en) 2017-08-10 2024-01-09 Ebara Corporation Substrate processing device
JP2023024746A (ja) * 2018-09-21 2023-02-16 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP7394203B2 (ja) 2018-09-21 2023-12-07 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
US11915945B2 (en) 2018-09-21 2024-02-27 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus
JP7502157B2 (ja) 2020-02-26 2024-06-18 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP7572532B2 (ja) 2023-11-27 2024-10-23 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
US9073103B2 (en) 2015-07-07
US20120227768A1 (en) 2012-09-13
TWI500101B (zh) 2015-09-11
JP5474853B2 (ja) 2014-04-16
KR101524334B1 (ko) 2015-05-29
KR20120102477A (ko) 2012-09-18
TW201237985A (en) 2012-09-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5474853B2 (ja) 液処理装置、液処理方法およびこの液処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体
TWI720261B (zh) 基板處理裝置、基板處理方法及記錄媒體
JP7113949B2 (ja) 基板処理装置
US8509937B2 (en) Processing apparatus and operating method therefor
US11344931B2 (en) Method of removing particles of substrate processing apparatus, and substrate processing apparatus
JP5425745B2 (ja) 液処理装置、液処理方法、およびこの液処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体
US10022758B2 (en) Substrate processing apparatus and method for detecting clogging of exhaust pipe in substrate processing apparatus
JP7493325B2 (ja) 基板処理装置
WO2013054849A1 (ja) 基板処理装置
JP2014197592A (ja) 基板処理装置
JP2013038126A (ja) 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体
KR102406827B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
TW201822269A (zh) 基板處理裝置、排出方法及電腦可讀取之記錄媒體
KR20180016588A (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
TW202014252A (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
KR100521401B1 (ko) 기판세정시스템
KR102113931B1 (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
CN209804605U (zh) 液体处理装置
JP2004119628A (ja) 基板処理装置
KR20110077045A (ko) 로봇 세정 모듈 및 이를 포함하는 기판 세정 장치
US20230290632A1 (en) Substrate processing method and substrate processing system
JP5541627B2 (ja) 処理液供給装置およびこれを備えた基板処理装置
JP2008160021A (ja) 基板搬送装置およびそれを備えた基板処理装置
JP2019140307A (ja) 基板処理装置
KR20160120661A (ko) 기판 처리 시스템

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130213

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20130213

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20130605

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130611

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130806

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20140107

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20140205

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5474853

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250