CN209804605U - 液体处理装置 - Google Patents

液体处理装置 Download PDF

Info

Publication number
CN209804605U
CN209804605U CN201920580093.8U CN201920580093U CN209804605U CN 209804605 U CN209804605 U CN 209804605U CN 201920580093 U CN201920580093 U CN 201920580093U CN 209804605 U CN209804605 U CN 209804605U
Authority
CN
China
Prior art keywords
liquid
liquid treatment
exhaust passage
common exhaust
unit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201920580093.8U
Other languages
English (en)
Inventor
守田聪
绪方信博
长峰秀一
清田健司
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to CN201920580093.8U priority Critical patent/CN209804605U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN209804605U publication Critical patent/CN209804605U/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

一种液体处理装置,其包含:液体处理部,其具有多个,对被处理体供给处理液并对被处理体进行液体处理;共通排气通路,其与多个液体处理部分别连接,将多个液体处理部内的环境气体排出;个别排气通路,其将各个液体处理部与共通排气通路连接;开闭机构,其以可自由开闭的方式设置在个别排气通路上;外部气体吸入部,其将外部气体吸入共通排气通路;吸入量调整阀,其设置于共通排气通路,调整从外部气体吸入部吸入的外部气体的流量;以及控制部,其以随着通过开闭机构与共通排气通路连通的液体处理部的个数的减少,使吸入量调整阀的开度变大的方式,控制吸入量调整阀的开度。

Description

液体处理装置
技术领域
本实用新型涉及一种对被处理体进行液体处理的液体处理装置。
背景技术
在半导体器件等产品的制造工序中,包含有液体处理工序,其对半导体晶圆(以下简称为晶圆)等被处理体的表面,供给药液或纯水等处理液,以除去晶圆上附着的颗粒或污染物质。作为实施这样的液体处理步骤的液体处理装置中的一种,存在在使晶圆旋转的同时对该晶圆表面供给处理液来进行液体处理的液体处理装置。在这种液体处理装置中,为了增加每单位时间的晶圆处理数量(处理量),会设置多台(例如4~5台)可实施同种液体处理的液体处理单元(液体处理部),利用共通的搬运机构,将晶圆搬运到各个液体处理单元,并在多台液体处理单元并行地进行对晶圆的液体处理。
这样的液体处理单元例如具备:旋转卡盘,其用于载置晶圆,并使其旋转;以及杯体,其设置成包围被保持于旋转卡盘的晶圆,并回收被供给到晶圆表面后飞散开的处理液。作为处理液,可以使用酸性药液或碱性药液等,也可以根据处理的情况,对晶圆W选择性地供给药液。
在此,在专利文献1中,记载了一种液体处理装置,其是将多个液体处理单元水平地配置的同时,还具备酸性药液用的排气管路以及碱性药液用的排气管路。例如,对于酸性药液用的排气管路,各液体处理单元与酸排气管相连,该酸排气管用于将进行酸性处理时的液体处理单元内的环境气体按照各个液体处理单元分别排出,各酸排气管与酸排气总管连接,各液体处理单元内的环境气体通过各酸排气管,由酸排气总管一起排出。此外,在各酸排气管设有根据与其对应的液体处理单元中进行的液体处理的种类而进行开闭的阀门。进而,对各液体处理单元,常时从气流导入部持续导入结净的空气,以保持各液体处理单元内的洁净度。
专利文献1:日本特开2008-34490号公报
实用新型内容
然而,在上述液体处理装置中,酸排气总管的排气量是一定的。因此,当设置于各酸排气管的阀门中的一个被关闭时,与其他阀门对应的液体处理单元的排气量会增加,会产生该液体处理单元内的压力发生变动而降低的问题。这种情况下,存在从外部有空气混入该液体处理单元内,使得液体处理单元内的洁净度降低的可能性。
本实用新型是鉴于上述问题而完成的,其目的在于,提供能够抑制对被处理体进行液体处理时液体处理部内的压力的变动的液体处理装置。
为实现上述目的,本实用新型涉及的液体处理装置包含:液体处理部,其具有多个,对被处理体供给处理液并对所述被处理体进行液体处理;共通排气通路,其与多个所述液体处理部分别连接,将多个所述液体处理部内的环境气体排出;个别排气通路,其将各个所述液体处理部与所述共通排气通路连接;开闭机构,其以可自由开闭的方式设置在所述个别排气通路上;外部气体吸入部,其将外部气体吸入所述共通排气通路;吸入量调整阀,其设置于所述共通排气通路,调整从所述外部气体吸入部吸入的外部气体的流量;以及控制部,其以随着通过所述开闭机构与所述共通排气通路连通的所述液体处理部的个数的减少,使所述吸入量调整阀的开度变大的方式,控制所述吸入量调整阀的开度。
本实用新型涉及的液体处理装置,优选地,所述吸入量调整阀在所述共通排气通路中,配置在比来自各个所述液体处理部的排气的合流点更靠排气方向的上游侧的位置。
本实用新型涉及的液体处理装置,优选地,所述液体处理部以对所述被处理体选择性地供给多种所述处理液的方式构成;所述共通排气通路,按照在所述液体处理部中对所述被处理体供给的所述处理液的种类,设有将所述液体处理部内的环境气体排出的多个专用共通排气通路;所述个别排气通路将对应的所述液体处理部与多个所述专用共通排气通路连接;所述开闭机构设有用于将所述液体处理部切换连接到与对所述被处理体供给的所述处理液的种类对应的所述专用共通排气通路的流路切换机构;用于将外部气体吸入的所述外部气体吸入部,设置于各个所述专用共通排气通路;用于调整从所述外部气体吸入部吸入的外部气体的流量的所述吸入量调整阀,设置于各个所述专用共通排气通路;所述控制部,以随着通过所述流路切换机构与所述专用共通排气通路连通的所述液体处理部的个数的减少,使与所述专用共通排气通路对应的所述吸入量调整阀的开度变大的方式,控制各个所述吸入量调整阀的开度。
本实用新型涉及的液体处理装置,优选地,还设有:气体供给部,其具有一个,与各个所述液体处理部的上方连接,对各个所述液体处理部供给气体。
本实用新型涉及的液体处理装置,优选地,各个所述液体处理部包括:液体处理容器,其形成有用于对所述被处理体进行液体处理的液体处理空间;开闭面板,其以可以自由开闭的方式设置于所述液体处理容器,可以使所述液体处理空间开放;以及面板检测部,其用于检测所述开闭面板的开闭;所述控制部以进行在通过所述面板检测部检测到所述开闭面板打开时将对应的所述开闭机构打开的控制的方式构成。
根据本实用新型,能够抑制对被处理体进行液体处理的液体处理部内的压力的变动。
附图说明
图1为表示本实用新型的实施方式的液体处理装置的一个示例的横剖俯视图。
图2为表示本实用新型的实施方式的液体处理装置中,液体处理单元的结构的示意图。
图3为表示本实用新型的实施方式的液体处理装置的排气系统的示意图。
图4为用于说明基于本实用新型的实施方式的液体处理方法的图。
具体实施方式
以下,参照附图,对本实用新型的实施形态的液体处理装置、液体处理方法、以及存储有用于实施该液体处理方法的计算机程序的存储介质进行说明。首先,基于图1,对液体处理装置1的整体结构进行说明。
如图1所示,液体处理装置1包含:载置台21,其有多个,用于载置收纳有多片晶圆W(被处理体,以下简称为晶圆W)的载体;搬运臂22,其用于从载置于载置台21上的载体取出晶圆W;承架单元23,其用于载置由搬运臂取出的晶圆W;以及搬运臂24,其用于接收载置于承架单元23的晶圆W,并将该晶圆W搬运到后述各液体处理单元3内。其中,搬运臂24构成为能够在搬运路径25内自由移动,并且在该搬运路径25的两侧,设置有构成液体处理部的多个液体处理单元3(3A~3J)。通过这样设置,搬运臂24能够在承架单元23与各液体处理单元3之间移动,将晶圆W搬出或搬入液体处理单元3。
接下来,参照图2对液体处理单元3的结构进行说明。液体处理单元3构成为对晶圆W选择性地供给多种处理液,并对晶圆W进行单片式液体处理。这些液体处理单元3具备:外室(液体处理容器)31,其形成有用于对晶圆W进行液体处理的密闭液体处理空间31a,并含有开口部31b;开闭面板31c,其以能够自由开闭的方式设置于外室31,并能够通过开口部31b使液体处理空间31a开放;以及面板检测部31d,其用于检测开闭面板31c的开闭状态。其中,面板检测部31d可以安装于外室31,或者,也可以安装于开闭面板31c。另外,各面板检测部31d,均与后述的控制部100(参见图3)连接。此外,如图1所示,在外室31设有晶圆搬入搬出口31e,其用于搬入或搬出晶圆W。
在外室31内,设有晶圆保持机构32,其使晶圆W在液体处理空间31a内,以保持几乎水平的状态旋转。该晶圆保持机构32与旋转驱动部32a连接,该转驱动部32a用于驱动该晶圆保持机构32。此外,在晶圆保持机构32的上方,设有喷嘴臂33,其对由晶圆保持机构32保持的晶圆W的上表面选择性地供给处理液的,并且在晶圆保持机构32的周围,设有内杯34,其用于接收从旋转的晶圆W向周围飞散的药液(处理液)。
晶圆W经过晶圆搬入搬出口31e,被搬运臂24(参见图1)搬入或搬出外室31。在该外室31的底面,连接有个别排气通路35,其用于将该外室31内的环境气体按照各个液体处理单元3的排出;并且设置了排水通路36,其用于将积存于外室31的底面的DIW液等液体排出。在内杯34设有排液通路37,其用于将从晶圆W飞散而被内杯34接收的药液排出。此外,在晶圆保持机构32的内部,形成有药液供给通路38,使得能够通过该药液供给通路38对旋转的晶圆W的底面供给药液。
在喷嘴臂33的前端部,设置有喷嘴33a,其用于供给处理液。该喷嘴33a通过供给通路45、46、47,与IPA供给部41、DIW供给部42、SC1供给部43、DHF供给部44连接。此外,DIW供给部42、SC1供给部43、DHF供给部44通过供给通路47、48,与晶圆保持机构32的供给通路38连接。
IPA供给部41用于供给IPA(异丙醇)液,其利用其高挥发性使晶圆W干燥;DIW供给部42用于供给冲洗液(处理液)即DIW(Deionized Water,去离子水)液,其用于除去残存于药液体处理后的晶圆W上的药液。此外,SC1供给部43用于供给用于除去晶圆W表面的颗粒或有机的污染物质的药液即SC1液(氨水与双氧水的混合液),DHF供给部44用于供给用于除去晶圆W表面的自然氧化膜的DHF液[稀氢氟酸水溶液:DHF(Diluted Hydrofluoric acid)液]。图中,41a为质量流量控制器,其用于调整向喷嘴33a供给的IPA液的供给量,40为切换阀,49a、49b为质量流量控制器,分别用于调整向喷嘴臂33侧、晶圆保持机构32侧的处理液的供给量。这里,在药液当中,IPA液相当于有机类药液,DHF液相当于酸性药液,SC1液相当于碱性药液。
接下来,对液体处理单元3的排气系统进行说明。如图1所示,在本实施方式中,作为一个示例,在搬运路径25的两侧分别排列设置了5个液体处理单元3,而与液体处理单元3A~3E对应的排气系统和与液体处理单元3F~3J对应的排气系统大致相同,在此,对与液体处理单元3A~3E对应的排气系统进行说明。
如图3所示,各液体处理单元3通过个别排气通路35,与共通排气通路6连接,该共通排气通路6用于将液体处理单元3的外室31内的环境气体排出。该共通排气通路6具有多条专用的共通排气通路61~63,该共通排气通路61~63按照在液体处理单元3中对晶圆W供给的处理液的种类,将液体处理单元3的外室31内的环境气体排出。即,在图3所示的形态中,共通排气通路6具有:第一专用共通排气通路61,其将干燥处理时的外室31内的环境气体排出;第二专用共通排气通路62,其将碱性药液处理时的外室31内的环境气体排出;以及第三专用共通排气通路63,其将酸性药液处理时的外室31内的环境气体排出。并且,各个别排气通路35将对应的液体处理单元3与各专用共通排气通路61~63之间连接。
各专用共通排气通路61~63设有排气风门64,其用于调节来自各液体处理单元3的外室31内的排气量。各排气风门64与控制部100连接,基于该控制部100的指令,能够将来自液体处理单元3的外室31内的排气量设定为规定量。
此外,在与排气风门64相比更加靠排气方向下游侧,各专用共通排气通路61~63与设置在液体处理装置1的外部的排气驱动部110连接,该排气驱动部110对各专用共通排气通路61~63内进行抽气,将各外室31内的环境气体排出,并将其输送至未图示的回收设备。另外,在图3中,是为了清楚地显示出从各液体处理单元3排气的流向而示意性地进行了表示,并非表示各专用共通排气通路61~63的实际配置,各专用共通排气通路61~63的配置能够进行任意设定。
在各个别排气通路35,设置有开闭机构,其可自由开闭。在本实施方式中,开闭机构具有流路切换机构5,该流路切换机构5用于将液体处理单元3切换连接到与在该液体处理单元3中对晶圆W供给的处理液的种类对应的专用共通排气通路61~63。该流路切换机构5构成为:通过对将液体处理单元3与专用共通排气通路61~63连通的各流路进行选择性地开闭,来切换流路。作为这些流路切换机构5,可以如(与流体的流向相反)图2所示的切换阀40那样,使用3个开闭阀来构成;或者,也可以是具有与其相同功能的构造。另外,各流路切换机构5与控制部100连接,基于该控制部100的指令,对各流路切换机构5进行控制。
各专用共通排气通路61~63设有可吸入外部气体的外部气体吸入部65。如图3所示,各外部气体吸入部65,在对应的专用共通排气通路61~63中,设置于与排气驱动部110相反的一侧的端部。另外,这些外部气体吸入部65能够通过使专用共通排气通路61~63的该端部对外部气体开放来构成。
此外,在各专用共通排气通路61~63设有吸入量调整阀V11~V13,其用于调整从外部气体吸入部65吸入的外部气体的流量。具体地,在第一专用共通排气通路61设有第一吸入量调整阀V11,在第二专用共通排气通路62设有第二吸入量调整阀V12,在第三专用共通排气通路63设有第三吸入量调整阀V13。各吸入量调整阀V11~V13,在对应的专用共通排气通路61~63中,配置于与来自各液体处理单元3的排气的合流点66a~66e相比,更加靠图3中以箭头表示的排气方向上游侧的位置。即,来自各液体处理单元3A~3E的排气,在专用共通排气通路61~63中的合流点66a~66e处合流,而各吸入量调整阀V11~V13配置在与这些合流点66a~66e中配置在排气方向上游侧的合流点66a相比,更加靠排气方向上游侧的位置。并且,外部气体吸入部65配置在与各吸入量调整阀V11~V13相比,更加靠排气方向上游侧的位置。另外,各吸入量调整阀V11~V13与控制部100连接,基于该控制部100的指令,对各吸入量调整阀V11~V13的开度进行控制。此外,这些吸入量调整阀V11~V13能够通过例如蝶型阀来构成。
各液体处理单元3与单一的风扇过滤单元(气体供给部,FFU:Fan Filter Unit)7连接,该风扇过滤单元7将洁净空气(气体)以降流方式供给到外室31。各外室31与风扇过滤单元7通过气体供给通路71连接,来自风扇过滤单元7的洁净气体通过气体供给通路71被供给到各外室31内。如此,在防止药液蒸发气化而形成的气体上升扩散的同时,保持了各液体处理容器3内的洁净度。另外,风扇过滤单元7与控制部100连接,基于该控制部100的指令,对供给的洁净空气的流量进行控制。
如上所述,流路切换机构5以及吸入量调整阀V11~V13与控制部100连接。该控制部100根据各流路切换机构5的切换状态,对各吸入量调整阀V11~V13的开度进行控制。例如,随着与第一专用共通排气通路61连接的液体处理单元3的个数减少,控制部100会控制该第一吸入量调整阀V11,以增大第一吸入量调整阀V11的开度。具体地,在第一专用共通排气通路61连接有5个个别排气通路35时,将第一吸入量调整阀V11的开度调整为第一开度。在第一专用共通排气通路61连接有4个个别排气通路35时,将第一吸入量调整阀V11的开度调整为第二开度。同样地,在连接有3个个别排气通路35时,将第一吸入量调整阀V11的开度调整为第三开度;在连接有2个个别排气通路35时,将其调整为第四开度;在连接有1个个别排气通路35时,将其调整为第五开度;而在未连接任何个别排气通路35时,则将其调整为第六开度。这里,上述各开度的关系为:第一开度<第二开度<第三开度<第四开度<第五开度<第六开度。如此,通过对由外部气体吸入部65吸入的外部气体流量进行调整,来对来自与第一专用共通排气通路61连接的液体处理单元3的外室31的排气量的变动进行抑制。此外,控制部100对于第二吸入量调整阀V12以及第三吸入量调整阀V13,也与上述第一吸入量调整阀V11同样地,对它们的开度分别进行调整。
此外,控制部100在通过上述面板检测部31d检测到开闭面板31c打开时,控制对应的流路切换机构5。即,控制部100在通过面板检测部31d检测到开闭面板31c处于打开状态时,对流路切换机构5进行控制,以打开对应的开闭机构,即,使对应的液体处理单元3与各专用共通排气通路61~63中的一条专用共通排气通路连通。这种情况下,控制部100将该流路切换机构5的切换状态以上述方式反映到对于吸入量调整阀V11~V13的开度调整上。
进而,控制部100对于上述风扇过滤单元7以及排气风门64也进行控制,将各液体处理单元3的外室31的内压维持在规定的压力(例如,大气压)。
另外,如图3所示,控制部100与由键盘以及显示器等构成的输入输出装置101连接;该键盘用于工程管理人员为了对液体处理装置1进行管理而输入指令等,该显示器用于对液体处理装置1的工作状况等进行可视化显示。此外,控制部100能够访问存储介质102,该存储介质102中存储有用于实现在液体处理装置1进行的处理的程序等。存储介质102可以由ROM及RAM等存储器(Memory)、硬盘、CD-ROM、DVD-ROM、以及软盘等的盘状存储介质等、已知的存储介质构成。如此,控制部100通过执行预先存储于存储介质102中的程序,来在液体处理装置1中对晶圆W进行处理。
接下来,对由上述构造构成的本实施方式的作用,即基于本实施方式的液体处理方法进行说明。另外,以下说明的用于执行液体处理方法的各构成要素的动作,通过基于预先存储于存储介质102的程序的、由控制部100发出的控制信号,来进行控制。
首先,如图4所示,将晶圆W搬入液体处理单元3内(步骤S1)。此时,首先如图1所示,收纳有晶圆W的载体被载置于载置台21上,通过搬运臂22将晶圆W从载体内取出并将其载置于承架单元23上。接着,搬运臂24从承架单元23接收晶圆W,通过晶圆搬入搬出口31e搬入规定的液体处理单元3的外室31内,晶圆W被传递到晶圆保持机构32并被保持。
然后,喷嘴臂33的喷嘴33a移动到被保持于晶圆保持机构32的晶圆W的上方。此外,通过流路切换机构5,使液体处理单元3的外室31被切换至与第二专用共通排气通路62连接,晶圆保持机构32被旋转驱动部32a驱动,从而晶圆W开始旋转。另外,在以下所述的进行晶圆W的液体处理的期间,排气驱动部110持续进行驱动。
接下来,在液体处理单元3中,对晶圆W选择性地供给各种处理液,对晶圆W进行液体处理。
首先,对晶圆W进行碱性药液处理(步骤S2)。此时,通过喷嘴33a以及药液供给通路38,将SC1液供给到晶圆W的上下表面。由此,晶圆W的上下表面被碱洗净。在此期间,外室31内的环境气体通过个别排气通路35以及第二专用共通排气通路62被排出。另外,在外室31内,由于晶圆W的旋转,会使SC1液飞散。因此,外室31内的环境气体会与SC1液的液雾一同被排出。
在碱性药液处理结束之后,通过喷嘴33a以及药液供给通路38,将DIW液供给到晶圆W的上下表面,来对晶圆W进行冲洗处理(步骤S3)。其后,进行甩干干燥(步骤S4)。
然后,利用流路切换机构5,将外室31切换至与第三专用共通排气通路63连接。
接着,对晶圆W进行酸性药液处理(步骤S5)。此时,通过喷嘴33a以及药液供给通路38,将DHF液供给到晶圆W的上下表面。由此,晶圆W的上下表面被酸洗净。在此期间,外室31内的环境气体通过个别排气通路35以及第三专用共通排气通路63被排出。另外,在外室31内,由于晶圆W的旋转,会使DHF液飞散。因此,外室31内的环境气体会与DHF液的液雾一同被排出。
在酸性药液处理结束之后,通过喷嘴33a以及药液供给通路38,将DIW液供给到晶圆W的上下表面,来对晶圆W进行冲洗处理(步骤S6)。
其后,利用流路切换机构5,将外室31切换至与第一专用共通排气通路61连接。
接着,对晶圆W进行干燥处理(步骤S7)。此时,通过喷嘴33a,将IPA液供给到晶圆W的上表面。由此,残存于晶圆W的上表面的DIW液被除去,晶圆W变得干燥。在此期间,外室31内的环境气体通过个别排气通路35以及第一专用共通排气通路61被排出。另外,在外室31内,由于晶圆W的旋转,会使IPA液飞散。因此,外室31内的环境气体会与IPA液的液雾一同被排出。
如此,晶圆W的液体处理结束。
另外,在各液体处理单元3中的各液体处理步骤,按照液体处理单元3以各自的时间进行。即,存在各液体处理单元3的碱性药液处理、酸性药液处理以及干燥处理的时间错开,并且各流路切换机构5的切换状态彼此不同的情况。例如能够想到这样的情况:与液体处理单元3A对应的流路切换机构5使该液体处理单元3A与第一专用共通排气通路61连接;而与液体处理单元3B对应的流路切换机构5使该液体处理单元3B与第二专用共通排气通路62连接。
因此,在本实施方式中,在进行晶圆W的液体处理的期间,基于各流路切换机构5的切换状态,来调整用于调整由各专用共通排气通路61~63吸入的外部气体的流量的吸入量调整阀V11~V13的开度。具体地,例如随着与第一专用共通排气通路61连接的液体处理单元3的个数减少,控制部100控制该第一吸入量调整阀V11,以使第一吸入量调整阀V11的开度变大。第二吸入量调整阀V12以及第三吸入量调整阀V13也同样地进行控制。由此,可以调整从各外部气体吸入部65吸入各专用共通排气通路61~63的外部气体的流量,抑制来自各外室31的排气量的变动。
在晶圆W的液体处理结束后,晶圆W被替换(步骤S8)。此时,首先外室31的晶圆搬入搬出口31e打开,搬运臂24进入外室31内,将处理后的晶圆W搬出。被搬出的晶圆W被传递到承架单元23,并通过搬运臂22被收纳到载置台21上的载体内。其后,将处理前的晶圆W以与步骤S1同样的方式搬入并进行液体处理,由此,能够对多个晶圆W进行连续的液体处理。
另外,在各液处理单元3内进行晶圆W的液处理的期间,存在出于对一部分液体处理单元3的外室31进行内部检查等目的,而将开闭面板31c打开的情况。此时,首先通过设置于外室31的面板检测部31d,检测出开闭面板31c已打开。接下来,控制流路切换机构5,以将与该外室31对应的个别排气通路35打开,即,使该液体处理单元3的外室31与各专用共通排气通路61~63中的一条专用共通排气通路连通。其后,使该流路切换机构5的切换状态,以上述方式反映到对于吸入量调整阀V11~V13的开度的调整上。
如此,根据本实施方式,在各专用共通排气通路61~63,设置用于吸入外部气体的外部气体吸入部65,并且设置用于调整从该外部气体吸入部65吸入的外部气体吸入量的吸入量调整阀V11~V13,并基于各流路切换机构5的切换状态,对各吸入量调整阀V11~V13的开度进行控制。由此,即使是在各液体处理单元3的碱性药液处理、酸性药液处理以及IPA干燥处理的时间错开,各流路切换机构5的切换状态彼此不同的情况下,也能够通过调整从外部气体吸入部65吸入的外部气体流量,来抑制来自各液体处理单元3的外室31的排气量变动。因此,能够抑制各外室31的内压变动及降低。此时,例如能够防止外室31的内压降低而将外部气体吸入外室31内,使得洁净度降低的情况。
此外,根据本实施方式,例如在出于对液体处理单元3的外室31的内部进行检查等目的,而将液体处理单元3的开闭面板31c打开时,通过面板检测部31d检测出该情况,从而对对应的流路切换机构5进行控制,以使该液体处理单元3的外室31与各专用共通排气通路61~63中的一条专用共通排气通路连通。由此,能够将从风扇过滤单元7供给的空气排出到个别排气通路35。此外,基于包含该流路切换机构5的各流路切换机构5的切换状态,对吸入量调整阀V11~V13的开度进行调整。由此,例如即使在一个液体处理单元3的开闭面板31c被打开的情况下,也能够抑制其他液体处理单元3的外室31的排气量变动,并抑制其他液体处理单元3的外室31的内压变动。此时,例如能够在对一个液体处理单元3的内部进行检查的同时,在其他液体处理单元3中进行晶圆W的液体处理。
以上,对本实用新型的实施方式进行了说明,但无需赘言,在本实用新型的技术思想的范围内,可以进行各种变形。以下,对具有代表性的变形例进行说明。
即,在本实施方式中,对各液体处理单元3通过个别排气通路35与各专用共通排气通路61~63连接的示例进行了说明。然而,并不限定于此。例如,个别排气通路35也可以是:按照在液体处理单元3中被供给到晶圆W的处理液的种类,具有多条用于将外室31内的环境气体排出的专用个别排气通路(未图示),并使各液体处理单元3通过各专用个别排气通路,与对应的专用共通排气通路61~63连接。这种情况下,能够在各专用个别排气通路设置可自由开闭的开闭阀(未图示),并通过3个开闭阀构成流路切换机构5。
另外,在本实施方式中,对与3种处理液对应地设置了3条专用共通排气通路61~63,并且开闭机构将液体处理单元3切换至与对应的处理液种类的专用共通排气通路61~63连接的实施例进行了说明。然而并不限定于此,共通排气通路6也可以构成为:由单一的专用共通排气通路所构成,而开闭机构仅对个别排气通路35,即液体处理单元3与该单一的专用共通排气通路之间的流路进行单独开闭。这种情况下,控制部100仅需基于该开闭机构的开闭状态,对各吸入量调整阀V11~V13的开度进行控制即可。
此外,在本实施方式中,对共通排气通路6由3条专用共通排气通路61~63构成的实施例进行了说明,但也可以与在液体处理单元3中所使用的处理液的种类数量对应地,通过2条或4条以上的专用共通排气通路构成。
此外,在本实施方式中,对外部气体吸入部65以及各吸入量调整阀V11~V13与各液体处理单元3的排气合流点66a~66e相比,配置在更加靠排气方向上游侧的实施例进行了说明。然而,并不限定于此,外部气体吸入部65以及各吸入量调整阀V11~V13也可以配置在对应的专用共通排气通路61~63上的任意位置。
进而,在本实施方式中,对作为碱性药液使用SC1液、作为酸性药液使用DHF液、作为冲洗液使用DIW液、作为有机类药液使用IPA液的实施例进行说明。然而,并不限定于此,作为碱性药液也可以使用氨水等,作为酸性药液也可以使用HF(氢氟酸)或SC2(盐酸与双氧水的混合溶液)等。此外,包括冲洗液以及有机类药液,各处理液也可以使用一般使用的其他处理液。
AI:人工智能
控制部100还可以具备AI(Artificial Intelligence,人工智能)。AI包括机械学习模块,其使用例如将包含各种参数的处理方法数据、根据上述处理方法数据执行的基板处理的结果(处理后的晶圆W的检验结果等)与基板处理中从各种传感器获取的传感器值等关联起来而得到的积累数据来进行机械学习。
由此,AI例如能够输出以能获得更佳检验结果的方式使参数最优化的处理方法数据。能够进行最优化的参数例如有:各种处理液的温度、流量及供给时间;装置内的温度、湿度、气压及排气流量;晶圆W的搬运速度、待机时间等。
控制部100通过使用最优化的处理方法数据,能够使一系列基板处理最优化。例如,能够降低在检验工序中判定为次品的晶圆W的比例,或者能够提高晶圆W的加工精度。
另外,作为机械学习例如能够使用深度学习、SVM(Support Vector Machine,支持向量机),自适应增强(AdaBoost)、随机森林(Random Forest)等公知算法。
另外,在以上的说明中,示出了将本实用新型的液体处理装置、液体处理方法以及存储有用于实施该液体处理方法的计算机程序的存储介质,应用于半导体晶圆W的洗净处理中的示例。然而,并不限定于此,也可以将本实用新型应用于LCD基板或者CD基板等各种基板(被处理体)等的洗净中。

Claims (5)

1.一种液体处理装置,其特征在于,包含:
液体处理部,其具有多个,对被处理体供给处理液并对所述被处理体进行液体处理;
共通排气通路,其与多个所述液体处理部分别连接,将多个所述液体处理部内的环境气体排出;
个别排气通路,其将各个所述液体处理部与所述共通排气通路连接;
开闭机构,其以可自由开闭的方式设置在所述个别排气通路上;
外部气体吸入部,其将外部气体吸入所述共通排气通路;
吸入量调整阀,其设置于所述共通排气通路,调整从所述外部气体吸入部吸入的外部气体的流量;以及
控制部,其以随着通过所述开闭机构与所述共通排气通路连通的所述液体处理部的个数的减少,使所述吸入量调整阀的开度变大的方式,控制所述吸入量调整阀的开度。
2.根据权利要求1所述的液体处理装置,其特征在于:
所述吸入量调整阀在所述共通排气通路中,配置在比来自各个所述液体处理部的排气的合流点更靠排气方向的上游侧的位置。
3.根据权利要求1或2所述的液体处理装置,其特征在于:
所述液体处理部以对所述被处理体选择性地供给多种所述处理液的方式构成;
所述共通排气通路,按照在所述液体处理部中对所述被处理体供给的所述处理液的种类,设有将所述液体处理部内的环境气体排出的多个专用共通排气通路;
所述个别排气通路将对应的所述液体处理部与多个所述专用共通排气通路连接;
所述开闭机构设有用于将所述液体处理部切换连接到与对所述被处理体供给的所述处理液的种类对应的所述专用共通排气通路的流路切换机构;
用于将外部气体吸入的所述外部气体吸入部,设置于各个所述专用共通排气通路;
用于调整从所述外部气体吸入部吸入的外部气体的流量的所述吸入量调整阀,设置于各个所述专用共通排气通路;
所述控制部,以随着通过所述流路切换机构与所述专用共通排气通路连通的所述液体处理部的个数的减少,使与所述专用共通排气通路对应的所述吸入量调整阀的开度变大的方式,控制各个所述吸入量调整阀的开度。
4.根据权利要求1或2所述的液体处理装置,其特征在于,还设有:
气体供给部,其具有一个,与各个所述液体处理部的上方连接,对各个所述液体处理部供给气体。
5.根据权利要求1或2所述的液体处理装置,其特征在于,各个所述液体处理部包括:
液体处理容器,其形成有用于对所述被处理体进行液体处理的液体处理空间;
开闭面板,其以可以自由开闭的方式设置于所述液体处理容器,可以使所述液体处理空间开放;以及
面板检测部,其用于检测所述开闭面板的开闭;
所述控制部以进行在通过所述面板检测部检测到所述开闭面板打开时将对应的所述开闭机构打开的控制的方式构成。
CN201920580093.8U 2019-04-25 2019-04-25 液体处理装置 Active CN209804605U (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201920580093.8U CN209804605U (zh) 2019-04-25 2019-04-25 液体处理装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201920580093.8U CN209804605U (zh) 2019-04-25 2019-04-25 液体处理装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN209804605U true CN209804605U (zh) 2019-12-17

Family

ID=68831159

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201920580093.8U Active CN209804605U (zh) 2019-04-25 2019-04-25 液体处理装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN209804605U (zh)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101524334B1 (ko) 액처리 장치, 액처리 방법 및 이 액처리 방법을 실행하기 위한 컴퓨터 프로그램이 기록된 기록 매체
TWI720261B (zh) 基板處理裝置、基板處理方法及記錄媒體
US11344931B2 (en) Method of removing particles of substrate processing apparatus, and substrate processing apparatus
TWI775948B (zh) 基板處理裝置
US20100143081A1 (en) Semiconductor manufacturing apparatus and method
US11557493B2 (en) Substrate cleaning apparatus and substrate cleaning method
US11557492B2 (en) Substrate processing apparatus and control method thereof
TWI584390B (zh) A substrate processing apparatus, a substrate processing method, and a memory medium
JP2006278955A (ja) 基板処理方法および基板処理装置
CN209804605U (zh) 液体处理装置
US20230226571A1 (en) Substrate processing method and ionic liquid
CN210160054U (zh) 晶圆处理设备
KR101558283B1 (ko) 기판 처리용 클러스터 설비
JP2003115519A (ja) 半導体装置の製造方法、半導体製造装置、ロードロック室、基板収納ケース、ストッカ
KR101503728B1 (ko) 기판 처리 장치, 기판 처리용 클러스터 설비 및 기판 처리 방법
KR101552110B1 (ko) 기판 처리 방법
JPH11253894A (ja) 基板処理装置
CN210349782U (zh) 干燥装置及基板处理装置
US20230290632A1 (en) Substrate processing method and substrate processing system
KR20110077045A (ko) 로봇 세정 모듈 및 이를 포함하는 기판 세정 장치
TWI841616B (zh) 側儲存倉、設備前端模組、和其操作方法
KR102178870B1 (ko) 기판 처리 방법 및 장치
KR20230034458A (ko) 기판 처리 장치
TW202347556A (zh) 具有機械性驅動排氣閥的基板容器
KR20230045144A (ko) 기판 처리 장치

Legal Events

Date Code Title Description
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant