TW202014252A - 基板處理裝置及基板處理方法 - Google Patents

基板處理裝置及基板處理方法 Download PDF

Info

Publication number
TW202014252A
TW202014252A TW108121187A TW108121187A TW202014252A TW 202014252 A TW202014252 A TW 202014252A TW 108121187 A TW108121187 A TW 108121187A TW 108121187 A TW108121187 A TW 108121187A TW 202014252 A TW202014252 A TW 202014252A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
processing
substrate
wafer
time point
transfer
Prior art date
Application number
TW108121187A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI800660B (zh
Inventor
金子知廣
後藤修平
Original Assignee
日商東京威力科創股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商東京威力科創股份有限公司 filed Critical 日商東京威力科創股份有限公司
Publication of TW202014252A publication Critical patent/TW202014252A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI800660B publication Critical patent/TWI800660B/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02101—Cleaning only involving supercritical fluids
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
    • B08B7/0021—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by liquid gases or supercritical fluids
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B19/00—Programme-control systems
    • G05B19/02—Programme-control systems electric
    • G05B19/418—Total factory control, i.e. centrally controlling a plurality of machines, e.g. direct or distributed numerical control [DNC], flexible manufacturing systems [FMS], integrated manufacturing systems [IMS], computer integrated manufacturing [CIM]
    • G05B19/41865—Total factory control, i.e. centrally controlling a plurality of machines, e.g. direct or distributed numerical control [DNC], flexible manufacturing systems [FMS], integrated manufacturing systems [IMS], computer integrated manufacturing [CIM] characterised by job scheduling, process planning, material flow
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B19/00—Programme-control systems
    • G05B19/02—Programme-control systems electric
    • G05B19/418—Total factory control, i.e. centrally controlling a plurality of machines, e.g. direct or distributed numerical control [DNC], flexible manufacturing systems [FMS], integrated manufacturing systems [IMS], computer integrated manufacturing [CIM]
    • G05B19/4189—Total factory control, i.e. centrally controlling a plurality of machines, e.g. direct or distributed numerical control [DNC], flexible manufacturing systems [FMS], integrated manufacturing systems [IMS], computer integrated manufacturing [CIM] characterised by the transport system
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67173—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers in-line arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67196—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the transfer chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67276—Production flow monitoring, e.g. for increasing throughput
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67745—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber characterized by movements or sequence of movements of transfer devices
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B2219/00—Program-control systems
    • G05B2219/30—Nc systems
    • G05B2219/32—Operator till task planning
    • G05B2219/32265—Waiting, queue time, buffer
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B2219/00—Program-control systems
    • G05B2219/30—Nc systems
    • G05B2219/45—Nc applications
    • G05B2219/45031—Manufacturing semiconductor wafers
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P90/00—Enabling technologies with a potential contribution to greenhouse gas [GHG] emissions mitigation
    • Y02P90/02—Total factory control, e.g. smart factories, flexible manufacturing systems [FMS] or integrated manufacturing systems [IMS]

Abstract

本發明之課題係提供一種技術，在搬運表面形成有液膜的晶圓之際，可以抑制搬運時間不規律的情形。 其解決手段係提供本發明一態樣之基板處理裝置，其具備：複數之第1處理部、複數之第2處理部、搬運部、以及控制部。複數之第1處理部，對基板施行第1處理。複數之第2處理部，對於施行過第1處理的基板，施行第2處理。搬運部，共用於對複數之第1處理部及複數之第2處理部搬運基板。控制部，控制複數之第1處理部、複數之第2處理部及搬運部。然後，控制部，控制第1搬運處理的開始時間點，以使第2搬運處理的時間點，不與其他之基板受到搬運部搬運的時間點重複；第1搬運處理，係將基板搬運至第1處理部；第2搬運處理，係將第1處理後形成有液膜之基板，從第1處理部搬運至第2處理部。

Description

基板處理裝置及基板處理方法
所揭露之實施形態，係有關於基板處理裝置及基板處理方法。
於習知技術，已知有一種基板處理裝置，在作為基板之半導體晶圓（於下文中，稱為晶圓。）等等的表面上形成防止乾燥用的液膜，再使形成有該液膜之晶圓接觸超臨界狀態的處理流體以進行乾燥處理（例如，參照專利文獻1）。 ［習知技術文獻］ ［專利文獻］
［專利文獻1］日本特開2013－12538號公報
［發明所欲解決的問題］
本發明提供一種技術，在搬運表面形成有液膜的晶圓之際，可以抑制搬運時間不規律的情形。 ［解決問題之技術手段］
本發明一態樣之基板處理裝置，具備：複數之第1處理部、複數之第2處理部、搬運部、以及控制部。複數之第1處理部，對基板施行第1處理。複數之第2處理部，對於施行過該第1處理的該基板，施行第2處理。搬運部，共用於對該複數之第1處理部及該複數之第2處理部搬運該基板。控制部，控制該複數之第1處理部、該複數之第2處理部及該搬運部。然後，該控制部，控制第1搬運處理的開始時間點，以使第2搬運處理的時間點，不與其他之該基板受到該搬運部搬運的時間點重複；該第1搬運處理，係將該基板搬運至該第1處理部；該第2搬運處理，係將該第1處理後形成有液膜之該基板，從該第1處理部搬運至該第2處理部。 ［發明之效果］
若藉由本發明，則在搬運表面形成有液膜的晶圓之際，可以抑制搬運時間不規律的情形。
以下，參照隨附圖式，詳細說明本案所揭露之基板處理裝置及基板處理方法的實施形態。又，本發明並不受下述實施形態所限定。再者，圖式係示意性繪示者，需注意各要素之相對尺寸、各要素之比例等等，會有與現實不同的情形。更進一步地，圖式彼此間，有時也會含有彼此之相對尺寸或比例有所不同之部分。
於習知技術，已知有一種基板處理裝置，在作為基板之半導體晶圓（於下文中，稱為晶圓。）等等的表面上形成防止乾燥用的液膜，再使形成有該液膜之晶圓接觸超臨界狀態的處理流體以進行乾燥處理。
然而，若表面形成有液膜的晶圓在要搬運至下一乾燥單元的時間點，有其他晶圓正在進行搬運處理，則形成有液膜之晶圓，必須原地待機，直到其他晶圓的搬運處理完成為止。
然後，當待機的期間中，若液膜乾掉等等，在晶圓表面的液膜狀態有所變化的情況下，會在之後的乾燥處理發生形成在晶圓上的圖案崩塌等等的不良，所以恐有導致晶圓的良率低落之虞。
有鑑於此，在搬運表面形成有液膜的晶圓之際，期待抑制搬運時間不規律的情形。
＜基板處理系統之構成＞ 首先，針對實施形態之基板處理系統1（基板處理裝置之一例）的構成，參照圖1及圖2以進行說明。圖1係由上方觀察實施形態之基板處理系統1的示意剖面圖。再者，圖2係由側向觀察實施形態之基板處理系統1的示意剖面圖。又，於下文中，為使相對位置明確，而定出彼此正交的X軸、Y軸及Z軸，並以Z軸正方向作為鉛直朝上方向。
如圖1所示，基板處理系統1包含搬入搬出站2與處理站3。搬入搬出站2與處理站3係鄰接設置。
搬入搬出站2包含載體載置部11與搬運部12。在載體載置部11載置複數之載體C，該複數之載體C以水平狀態容納複數片半導體晶圓W（於下文中，稱作「晶圓W」）。
搬運部12，係鄰接載體載置部11而設置。於搬運部12之內部，配置著搬運裝置13與傳遞部14。
搬運裝置13具備晶圓固持機構，用以固持晶圓W。再者，搬運裝置13能向水平方向及鉛直方向移動、以鉛直軸為中心旋轉，並使用晶圓固持機構，而在載體C與傳遞部14之間搬運晶圓W。
處理站3，係鄰接搬運部12而設置。處理站3具備：搬運區塊4、以及複數之處理區塊5。
搬運區塊4具備：搬運區15、以及搬運裝置16。搬運區15，係例如沿著搬入搬出站2及處理站3之排列方向（X軸方向）延伸的直方體狀之區域。於搬運區15，配置著搬運裝置16。
搬運裝置16具備晶圓固持機構，用以固持晶圓W。再者，搬運裝置16能向水平方向及鉛直方向移動、以鉛直軸為中心旋轉，並使用晶圓固持機構，而在傳遞部14與複數之處理區塊5之間搬運晶圓W。
複數之處理區塊5，係於搬運區15的一邊，與搬運區15鄰接配置。具體而言，複數之處理區塊5係配置在：正交於搬入搬出站2及處理站3之排列方向（X軸方向）的方向（Y軸方向）上的搬運區15的一邊（於圖中，係Y軸負方向側）。
再者，如圖2所示，複數之處理區塊5，係沿著鉛直方向而配置成許多層。於實施形態，複數之處理區塊5的層數係3層，但複數之處理區塊5的層數並不限定於3層。
如此這般，於實施形態之基板處理系統1，複數之處理區塊5，係在搬運區塊4的一邊，配置成許多層。然後，配置於各層的處理區塊5與傳遞部14之間所進行的晶圓W之搬運，係以配置於搬運區塊4的共用之搬運裝置16進行。
各處理區塊5，具備：液體處理單元17、以及乾燥單元18。液體處理單元17係第1處理部之一例，乾燥單元18係第2處理部之一例。
液體處理單元17，進行洗淨處理，以洗淨作為晶圓W之圖案形成面的頂面。該洗淨處理，係第1處理之一例。又，於下文說明之實施形態，作為第1處理，係以進行洗淨處理為例說明，但該第1處理並不限定於洗淨處理。
更進一步地，液體處理單元17，進行液膜形成處理，在洗淨處理後之晶圓W的頂面形成液膜。液體處理單元17的構成，將於後文敘述。
乾燥單元18，對於液膜形成處理後的晶圓W，進行超臨界乾燥處理。具體而言，乾燥單元18，藉由使得液膜形成處理後的晶圓W接觸超臨界狀態的處理流體（於下文中，亦會稱為「超臨界流體」。），以使該晶圓W乾燥。該超臨界乾燥處理，係第2處理之一例。
又，於下文說明的實施形態，係針對進行超臨界乾燥處理以作為第2處理的例子敘述，但該第2處理並不限定於超臨界乾燥處理，亦可係旋乾處理等等其他乾燥處理。更進一步地，第2處理並不限定於乾燥處理，亦可係液體處理等等。乾燥單元18之構成，將於後文敘述。
又，雖然於圖1及圖2並未圖示，但基板處理系統1具有供給單元，其對於乾燥單元18供給處理流體。具體而言，該供給單元，具備供給機器群、以及容納供給機器群的殼體；該供給機器群包含：流量計、流量調整器、背壓閥、加熱器等等。於實施形態，供給單元對乾燥單元18供給CO2 以作為處理流體。
液體處理單元17及乾燥單元18，係沿著搬運區15（亦即，沿著X軸方向）排列。在液體處理單元17及乾燥單元18之中，液體處理單元17係配置於靠近搬入搬出站2的位置，乾燥單元18係配置於遠離搬入搬出站2的位置。
如此這般，各處理區塊5，分別各具備1個液體處理單元17及乾燥單元18。亦即，於基板處理系統1，設有相同數量的液體處理單元17及乾燥單元18。
如圖1所示，基板處理系統1，具備控制裝置6。控制裝置6，例如係電腦，其具備控制部61及記錄部62。
控制部61包含微電腦及各種電路，該微電腦具有CPU（Central Processing Unit；中央處理器）、ROM（Read Only Memory；唯讀記憶體）、RAM（Random Access Memory；隨機存取記憶體）、及輸入輸出埠等等。該微電腦的CPU，藉由讀取記錄於ROM的程式而加以執行，以實現搬運裝置13與16、液體處理單元17及乾燥單元18等的控制。
又，該程式亦可係儲存於電腦可讀取的記錄媒體，而自該記錄媒體安裝至控制裝置6之記錄部62。作為電腦可讀取的記錄媒體，例如有硬碟（HD）、軟性磁碟（FD）、光碟（CD）、磁光碟（MO）及記憶卡等。
記錄部62，係以例如RAM、快閃記憶體（Flash Memory）等的半導體記憶元件，或是硬碟、光碟等的儲存裝置來實現。
＜液體處理單元之構成＞ 接著，針對液體處理單元17之構成，參照圖3以進行說明。圖3係繪示液體處理單元17之構成例的圖式。液體處理單元17，例如構成為藉由旋轉清洗而一次清洗1片晶圓W的單片式洗淨裝置。
如圖3所示，液體處理單元17，係以形成處理空間的外處理室23內所配置之晶圓固持機構25，而將晶圓W固持成幾乎水平，並藉由使此晶圓固持機構25繞鉛直軸旋轉，而使晶圓W旋轉。
然後，液體處理單元17，藉由使噴嘴臂26進入旋轉中的晶圓W上方，再從設在該噴嘴臂26之前端部的化學藥液噴嘴26a，依照預先定妥的順序供給化學藥液或沖洗液，以進行晶圓W頂面之洗淨處理。
再者，於液體處理單元17，在晶圓固持機構25的內部亦有形成化學藥液供給管路25a。然後，藉由從該化學藥液供給管路25a供給的化學藥液或沖洗液，將晶圓W的底面也加以洗淨。
洗淨處理，係例如首先以作為鹼性化學藥液的SC1液（氨水與過氧化氫水的混合液），進行微粒或有機性汙染物質之去除。接著，以作為沖洗液的去離子水（Deionized Water：於下文中，記載為「DIW」）來進行沖淋洗淨。
接著，以作為酸性化學藥液的稀氫氟酸水溶液（Diluted Hydrofluoric Acid：於下文中，記載為「DHF」），進行自然氧化膜之去除；接著，再以DIW進行沖淋洗淨。
上述各種化學藥液，係以外處理室23、或配置於外處理室23內的內杯24承接，再從設於外處理室23之底部的排液口23a、或是設於內杯24之底部的排液口24a排出。更進一步地，外處理室23內的氛圍氣體，會從設於外處理室23之底部的排氣口23b排出。
液膜形成處理，係在洗淨處理中之沖洗處理後進行。具體而言，液體處理單元17，會一邊使晶圓固持機構25旋轉、一邊對晶圓W之頂面及底面供給液體狀態的IPA（於下文中，亦會稱為「IPA液體」）。藉此，將殘留於晶圓W之兩面的DIW置換成IPA。之後，液體處理單元17，會使晶圓固持機構25的旋轉緩緩地停止。
結束液膜形成處理的晶圓W，在其頂面維持著形成有IPA液體液膜之狀態下，藉由設於晶圓固持機構25之未圖示的傳遞機構以傳遞至搬運裝置16，而從液體處理單元17搬出。
形成在晶圓W上的液膜，係在晶圓W從液體處理單元17到乾燥單元18的搬運當中、或是往乾燥單元18的搬入動作當中，防止因晶圓W頂面的液體蒸發（氣化）而發生圖案崩塌。
＜乾燥單元之概要＞ 接著，針對乾燥單元18之構成，參照圖4以進行說明。圖4係繪示乾燥單元之構成例的示意立體圖。
乾燥單元18，具有：主體31、固持板32、以及蓋子構件33。於殼體狀的主體31，形成有開口部34，用以搬入搬出晶圓W。固持板32，將所要處理的晶圓W朝水平方向固持。蓋子構件33，在支持該固持板32的同時，亦在將晶圓W搬入主體31內時，使開口部34密閉。
主體31，係在內部形成可容納例如直徑300mm之晶圓W之處理空間的容器，而在其壁部，則設有供給埠35、36及排出埠37。供給埠35、36及排出埠37，分別連接至用以對乾燥單元18流通超臨界流體的供給流路及排出流路。
供給埠35，係在殼體狀的主體31，連接於開口部34之相反側的側面。再者，供給埠36，連接於主體31的底面。更進一步地，排出埠37，連接於開口部34的下方側。又，於圖4雖繪示2個供給埠35、36及1個排出埠37，但供給埠35、36或排出埠37的數量，並無特別限定。
再者，於主體31的內部，設有：流體供給管集箱38、39，以及流體排出管集箱40。然後，於流體供給管集箱38、39，有複數之供給口排列形成在該流體供給管集箱38、39的長度方向；於流體排出管集箱40，有複數之排出口排列形成在該流體排出管集箱40的長度方向。
流體供給管集箱38，連接至供給埠35，並於殼體狀的主體31內部，鄰接開口部34之相反側的側面而設置。再者，排列形成在流體供給管集箱38的複數之供給口，係朝向開口部34側。
流體供給管集箱39，連接至供給埠36，並設在殼體狀的主體31內部之底面的中央部。再者，排列形成在流體供給管集箱39的複數之供給口，係朝向上方。
流體排出管集箱40，連接至排出埠37，係在殼體狀的主體31內部，鄰接開口部34側的側面，同時係設在比開口部34更為下方處。再者，排列形成在流體排出管集箱40的複數之排出口，係朝向上方。
流體供給管集箱38、39，向主體31內供給超臨界流體。再者，流體排出管集箱40，將主體31內的超臨界流體，導向主體31之外部並排出。又，經由流體排出管集箱40而排出至主體31之外部的超臨界流體中，含有從晶圓W之表面溶入超臨界狀態之超臨界流體的IPA液體。
在該乾燥單元18內，形成於晶圓W上的圖案之間的IPA液體，藉由接觸高壓狀態（例如：16MPa）的超臨界流體，而逐漸溶解於超臨界流體，圖案之間就逐漸地置換成超臨界流體。然後，最終，圖案之間就會僅以超臨界流體填滿。
然後，在從圖案之間去除IPA液體後，藉由將主體31內部的壓力從高壓狀態減壓到大氣壓為止，CO2 就會從超臨界狀態變化成氣體狀態，而圖案之間就會僅以氣體占據。如此這般，圖案之間的IPA液體會受到去除，而完成晶圓W的乾燥處理。
此處，超臨界流體之黏度小於液體（例如IPA液體），再加上溶解液體的能力也高，在處於與超臨界流體平衡之狀態的液體或氣體之間，並不存在界面。藉此，在使用超臨界流體的乾燥處理，可以不受表面張力之影響，而使液體乾燥。因此，若藉由實施形態，可以抑制在乾燥處理之際的圖案崩塌。
又，於實施形態，係針對使用IPA液體以作為防止乾燥用的液體、使用超臨界狀態的CO2 以作為處理流體為例敘述；但亦可使用IPA以外的液體以作為防止乾燥用的液體，亦可使用超臨界狀態的CO2 以外的流體以作為處理流體。
＜基板處理流程＞ 接著，針對上述基板處理系統1中的晶圓W之處理流程，參照圖5以進行說明。圖5係繪示實施形態之基板處理系統1所執行的一連串基板處理之程序的流程圖。又，圖5所示之一連串基板處理，係遵照控制部61之控制而執行。
於基板處理系統1，首先使搬運裝置13將晶圓W從載體C取出，再載置到傳遞部14（步驟階段S101）。接著，基板處理系統1進行第1搬運處理：使搬運裝置16將晶圓W從傳遞部14取出，再搬運至液體處理單元17（步驟階段S102）。又，在後續的圖式中，亦會將該第1搬運處理記載為「T1」。
接著，基板處理系統1，在液體處理單元17進行第1處理（於實施形態，係洗淨處理）（步驟階段S103）。液體處理單元17，藉由例如對於係晶圓W之圖案形成面的頂面供給各種處理液，而從晶圓W之頂面去除微粒或自然氧化膜等。
接著，基板處理系統1，在液體處理單元17進行液膜形成處理（步驟階段S104）。液體處理單元17，藉由例如對於洗淨處理後的晶圓W之頂面供給IPA液體，而在晶圓W之頂面形成IPA液體構成的液膜。又，在後續的圖式中，亦會將液體處理單元17所實施之第1處理及液膜形成處理總稱而記載為「SPIN」。
接著，基板處理系統1，使搬運裝置16進行第2搬運處理：將形成有液膜之晶圓W從液體處理單元17取出，再搬運至乾燥單元18（步驟階段S105）。又，在後續的圖式中，亦會將該第2搬運處理記載為「T2」。
然後，基板處理系統1，在乾燥單元18進行第2處理（於實施形態，係超臨界乾燥處理）（步驟階段S106）。於該超臨界乾燥處理，乾燥單元18藉由使液膜形成處理後的晶圓W接觸超臨界流體，而使液膜形成處理後的晶圓W乾燥。又，在後續的圖式中，亦會將該第2處理記載為「SCC」。
接著，基板處理系統1，使搬運裝置16進行第3搬運處理：將超臨界乾燥處理過的晶圓W從乾燥單元18取出，再搬運至傳遞部14（步驟階段S107）。又，在後續的圖式中，亦會將該第3搬運處理記載為「T3」。
最後，基板處理系統1，使搬運裝置13從傳遞部14取出晶圓W，再搬出至載體C（步驟階段S108）。一旦結束該搬出處理，針對1片晶圓W的一連串基板處理就完成了。
此處，在此一連串基板處理，若液膜形成處理過的晶圓W在要接受第2搬運處理之時間點，有其他之晶圓W正在接受搬運裝置16的搬運處理，則形成有液膜之晶圓W，就必須原地待機，直到其他之晶圓W的搬運處理完成為止。
然後，在待機的期間中，若液膜乾掉等等，在晶圓W表面的液膜狀態有所變化的情況下，會在之後的超臨界乾燥處理發生形成在晶圓W上的圖案崩塌等等的不良，所以恐有導致晶圓W的良率低落之虞。
有鑑於此，於實施形態，會在晶圓W接受第1搬運處理前，進行「開始時間點設定處理」，以既定程序設定第1搬運處理的開始時間點。藉由該處理，可以抑制液膜形成處理過的晶圓W在要接受第2搬運處理的時間點，有其他之晶圓W正在接受搬運裝置16的搬運處理之情形。
＜開始時間點設定處理之詳情＞ 接著，針對第1搬運處理的開始時間點設定處理之詳情，參照圖6～圖11以進行說明。圖6～圖11，係用以說明實施形態之第1搬運處理的開始時間點設定處理的時序圖（1）～（6）。又，圖6～圖11所示之第1搬運處理的開始時間點設定處理，係遵照控制部61的控制而執行。
再者，於下文所示之實施形態，係針對3組液體處理單元17及乾燥單元18分別成對而連續進行基板處理的情況進行敘述。然後，第1組液體處理單元17所進行之第1處理及液膜形成處理，記載為「SPIN1」；第1組乾燥單元18所進行之超臨界乾燥處理，記載為「SCC1」。
同樣地，第2組液體處理單元17所進行之第1處理及液膜形成處理，記載為「SPIN2」；第2組乾燥單元18所進行之超臨界乾燥處理，記載為「SCC2」。更進一步地，第3組液體處理單元17所進行之第1處理及液膜形成處理，記載為「SPIN3」；第3組乾燥單元18所進行之超臨界乾燥處理，記載為「SCC3」。
如圖6（a）所示，在基板處理系統1使第1片晶圓W1開始第1搬運處理（T1）後、且使第2片晶圓W2開始第1搬運處理前，進行針對該晶圓W2之第1搬運處理的開始時間點設定處理。
首先，控制部61，將前一片投入之晶圓W1結束第1搬運處理的時間點Ta，設定為晶圓W2之第1搬運處理的開始時間點。接著，控制部61，判定在預定要讓晶圓W2接受第1處理的第2組液體處理單元17（亦即SPIN2），是否沒有其他之晶圓W正在處理中。
此處，在圖6（a）所示之狀態，預定要讓晶圓W2接受第1處理的第2組液體處理單元17，並無其他之晶圓W在處理中。於是，控制部61，判定晶圓W2接受第1搬運處理的時間點，與其他之晶圓W接受搬運處理的時間點，是否沒有重複。
此處，在圖6（a）所示之狀態，晶圓W2的第1搬運處理與其他之晶圓W的搬運處理並不重複。於是，控制部61，判定晶圓W2要接受第2搬運處理（T2）的時間點，與其他之晶圓W要接受搬運處理的時間點，是否沒有重複。
此處，在圖6（a）所示之狀態，在晶圓W2之第2搬運處理的開始時間點Tb，有晶圓W1正在接受第2搬運處理。於是，控制部61會如圖6（b）所示，將晶圓W2之第2搬運處理的開始時間點，挪移到晶圓W1之第2搬運處理的結束時間點Tc。
之所以如此，是由於晶圓W1之第2搬運處理的結束時間點Tc，係不與其他之晶圓W的搬運處理重複之最早的時間點。如此這般，藉由挪移到不與其他之晶圓W的搬運處理重複之最早的時間點，會減少多餘的待機時間，所以可以提高基板處理系統1之晶圓W的吞吐量。
然後，隨著該第2搬運處理之挪移，控制部61將晶圓W2之第1搬運處理的開始時間點從Ta挪移到Td。
接下來，控制部61判定晶圓W2接受第1搬運處理之新的時間點，與其他之晶圓W接受搬運處理之時間點是否沒有重複。此處，於圖6（b）所示之狀態，在晶圓W2之第1搬運處理的時間點，沒有其他之晶圓W在接受搬運處理。
亦即，於圖6（b）所示之狀態，晶圓W2的第1搬運處理及第2搬運處理皆不與其他之晶圓W的搬運處理重複。因此，控制部61，將新設定之開始時間點Td，設定為晶圓W2之第1搬運處理的開始時間點。然後，控制部61，在所設定之開始時間點Td，開始晶圓W2的第1搬運處理。
接著，如圖7（a）所示，在第3片晶圓W3開始第1搬運處理前，對於該晶圓W3進行第1搬運處理的開始時間點設定處理。
首先，控制部61，將前一片投入之晶圓W2結束第1搬運處理的時間點Te，設定為晶圓W3之第1搬運處理的開始時間點。接著，控制部61，判定在預定要讓晶圓W3接受第1處理的第3組液體處理單元17（亦即SPIN3），是否沒有其他之晶圓W正在處理中。
此處，在圖7（a）所示之狀態，預定要讓晶圓W3接受第1處理的第3組液體處理單元17，並無其他之晶圓W在處理中。於是，控制部61，判定晶圓W3接受第1搬運處理的時間點，與其他之晶圓W接受搬運處理的時間點，是否沒有重複。
此處，在圖7（a）所示之狀態，晶圓W3的第1搬運處理與其他之晶圓W的搬運處理並不重複。於是，控制部61，判定晶圓W3接受第2搬運處理的時間點，與其他之晶圓W接受搬運處理的時間點，是否沒有重複。
此處，在圖7（a）所示之狀態，在晶圓W3之第2搬運處理的開始時間點Tf，有晶圓W2正在接受第2搬運處理。於是，控制部61會如圖7（b）所示，將晶圓W3之第2搬運處理的開始時間點，挪移到晶圓W2之第2搬運處理的結束時間點Tg。
然後，隨著該第2搬運處理之挪移，控制部61將晶圓W3之第1搬運處理的開始時間點從Te挪移到Th。
接下來，控制部61，判定晶圓W3接受第1搬運處理之新的時間點，與其他之晶圓W接受搬運處理之時間點，是否沒有重複。此處，於圖7（b）所示之狀態，在晶圓W3之第1搬運處理的時間點，沒有其他之晶圓W在接受搬運處理。
亦即，於圖7（b）所示之狀態，晶圓W3的第1搬運處理及第2搬運處理皆不與其他之晶圓W的搬運處理重複。因此，控制部61，將新設定之開始時間點Th，設定為晶圓W3之第1搬運處理的開始時間點。然後，控制部61，在所設定之開始時間點Th，開始晶圓W3的第1搬運處理。
接著，如圖8（a）所示，在第4片晶圓W4開始第1搬運處理前，對於該晶圓W4進行第1搬運處理的開始時間點設定處理。
首先，控制部61，將前一片投入之晶圓W3結束第1搬運處理的時間點Ti，設定為晶圓W4之第1搬運處理的開始時間點。接著，控制部61，判定在預定要讓晶圓W4接受第1處理的第1組液體處理單元17（亦即SPIN1），是否沒有其他之晶圓W正在處理中。
此處，在圖8（a）所示之狀態，預定要讓晶圓W4接受第1處理的第1組液體處理單元17，有其他之晶圓W1正在處理中。於是，控制部61，如圖8（b）所示，將晶圓W4之第1搬運處理的開始時間點，挪移到晶圓W3之第2搬運處理的結束時間點Tj。
之所以如此，是由於晶圓W3之第2搬運處理的結束時間點Tj，係不與在第1組液體處理單元17之處理、及其他之晶圓W的搬運處理重複之最早的時間點。
如此這般，藉由挪移到不與在所使用之液體處理單元17之處理及其他之晶圓W的搬運處理重複之最早的時間點，會減少多餘的待機時間，所以可以提高基板處理系統1之晶圓W的吞吐量。
接著，控制部61，判定晶圓W4接受第2搬運處理的時間點，與其他之晶圓W接受搬運處理的時間點，是否沒有重複。
此處，於圖8（b）所示之狀態，在晶圓W4的第2搬運處理之時間點當中，會有晶圓W3在時間點Tk接受第3搬運處理。於是，控制部61會如圖8（c）所示，將晶圓W4之第2搬運處理的開始時間點，挪移到晶圓W3之第3搬運處理的結束時間點Tl。
然後，隨著該第2搬運處理之挪移，控制部61將晶圓W4之第1搬運處理的開始時間點從Tj挪移到Tm。
接下來，控制部61判定晶圓W4接受第1搬運處理之新的時間點，與其他之晶圓W接受搬運處理之時間點是否沒有重複。此處，於圖8（c）所示之狀態，在晶圓W4之第1搬運處理的時間點，沒有其他之晶圓W在接受搬運處理。
亦即，於圖8（c）所示之狀態，晶圓W4的第1搬運處理及第2搬運處理皆不與其他之晶圓W的搬運處理重複。因此，控制部61，將新設定之開始時間點Tm，設定為晶圓W4之第1搬運處理的開始時間點。然後，控制部61，在所設定之開始時間點Tm，開始晶圓W4的第1搬運處理。
接著，如圖9（a）所示，在第5片晶圓W5開始第1搬運處理前，對於該晶圓W5進行第1搬運處理的開始時間點設定處理。
首先，控制部61，將前一片投入之晶圓W4結束第1搬運處理的時間點Tn，設定為晶圓W5之第1搬運處理的開始時間點。接著，控制部61，判定在預定要讓晶圓W5接受第1處理的第2組液體處理單元17，是否沒有其他之晶圓W正在處理中。
此處，在圖9（a）所示之狀態，預定要讓晶圓W5接受第1處理的第2組液體處理單元17，並無其他之晶圓W在處理中。於是，控制部61，判定晶圓W5接受第1搬運處理的時間點，與其他之晶圓W接受搬運處理的時間點，是否沒有重複。
此處，在圖9（a）所示之狀態，晶圓W5的第1搬運處理與其他之晶圓W的搬運處理並不重複。於是，控制部61，判定晶圓W5接受第2搬運處理的時間點，與其他之晶圓W接受搬運處理的時間點，是否沒有重複。
此處，在圖9（a）所示之狀態，在晶圓W5之第2搬運處理的開始時間點To，有晶圓W4正在接受第2搬運處理。於是，控制部61會如圖9（b）所示，將晶圓W5之第2搬運處理的開始時間點，挪移到晶圓W4之第2搬運處理的結束時間點Tp。
然後，隨著該第2搬運處理之挪移，控制部61將晶圓W5之第1搬運處理的開始時間點從Tn挪移到Tq。
接下來，控制部61判定晶圓W5接受第1搬運處理之新的時間點，與其他之晶圓W接受搬運處理之時間點是否沒有重複。此處，於圖9（b）所示之狀態，在晶圓W5之第1搬運處理的時間點，沒有其他之晶圓W在接受搬運處理。
亦即，於圖9（b）所示之狀態，晶圓W5的第1搬運處理及第2搬運處理皆不與其他之晶圓W的搬運處理重複。因此，控制部61，將新設定之開始時間點Tq，設定為晶圓W5之第1搬運處理的開始時間點。然後，控制部61，在所設定之開始時間點Tq，開始晶圓W5的第1搬運處理。
接著，如圖10（a）所示，在第6片晶圓W6開始第1搬運處理前，對於該晶圓W6進行第1搬運處理的開始時間點設定處理。
首先，控制部61，將前一片投入之晶圓W5結束第1搬運處理的時間點Tr，設定為晶圓W6之第1搬運處理的開始時間點。接著，控制部61，判定在預定要讓晶圓W6接受第1處理的第3組液體處理單元17，是否沒有其他之晶圓W正在處理中。
此處，在圖10（a）所示之狀態，預定要讓晶圓W6接受第1處理的第3組液體處理單元17，並無其他之晶圓W在處理中。於是，控制部61，判定晶圓W6接受第1搬運處理的時間點，與其他之晶圓W接受搬運處理的時間點，是否沒有重複。
此處，於圖10（a）所示之狀態，在晶圓W6的第1搬運處理之時間點當中，會有晶圓W1在時間點Ts接受第3搬運處理。於是，控制部61會如圖10（b）所示，將晶圓W6之第1搬運處理的開始時間點，挪移到晶圓W5之第2搬運處理的結束時間點Tt。
之所以如此，是由於晶圓W5之第2搬運處理的結束時間點Tt，係不與其他之晶圓W的搬運處理重複之最早的時間點。
接著，控制部61，判定晶圓W6接受第2搬運處理的時間點，與其他之晶圓W接受搬運處理的時間點，是否沒有重複。
此處，在圖10（b）所示之狀態，在晶圓W6的第2搬運處理之時間點當中，會有晶圓W5在時間點Tu接受第3搬運處理。於是，控制部61會如圖11所示，將晶圓W6之第2搬運處理的開始時間點，挪移到晶圓W5之第3搬運處理的結束時間點Tv。
然後，隨著該第2搬運處理之挪移，控制部61將晶圓W6之第1搬運處理的開始時間點從Tt挪移到Tw。
接下來，控制部61，判定晶圓W6接受第1搬運處理之新的時間點，與其他之晶圓W接受搬運處理之時間點是否沒有重複。此處，於圖11所示之狀態，在晶圓W6之第1搬運處理的時間點，沒有其他之晶圓W在接受搬運處理。
亦即，於圖11所示之狀態，晶圓W6的第1搬運處理及第2搬運處理皆不與其他之晶圓W的搬運處理重複。因此，控制部61，將新設定之開始時間點Tw，設定為晶圓W6之第1搬運處理的開始時間點。然後，控制部61，在所設定之開始時間點Tw，開始晶圓W6的第1搬運處理。
藉由進行上述說明之處理，則在複數對之液體處理單元17及乾燥單元18、與傳遞部14之間，以共用的搬運裝置16進行複數之晶圓W的搬運時，可以抑制與各晶圓W之搬運處理重複的情形。
亦即，可以抑制液膜形成處理過的晶圓W在要接受第2搬運處理之時間點，有其他之晶圓W正在接受搬運裝置16的搬運處理之情形。因此，若藉由實施形態，則在搬運表面形成有液膜的晶圓W之際，可以抑制搬運時間不規律的情形。
＜開始時間點設定處理之程序＞ 接著，針對實施形態之第1搬運處理的開始時間點設定處理之程序，參照圖12以進行說明。圖12係繪示實施形態之第1搬運處理的開始時間點設定處理之程序的流程圖。
首先，控制部61將所要處理之晶圓W之第1搬運處理的開始時間點，設定在前一片晶圓W之第1搬運處理結束的時間點（步驟階段S201）。接著，判定在所要處理之晶圓W預定使用的液體處理單元17，是否沒有其他之晶圓W正在使用中（步驟階段S202）。
然後，在預定使用的液體處理單元17沒有其他之晶圓W正在使用中的情況下（步驟階段S202，Yes），控制部61判定所要處理之晶圓W的第1搬運處理，是否沒有與其他之晶圓W的搬運處理重複（步驟階段S203）。
然後，在所要處理之晶圓W的第1搬運處理並未與其他之晶圓W的搬運處理重複的情況下（步驟階段S203，Yes），控制部61判定所要處理之晶圓W的第2搬運處理，是否沒有與其他之晶圓W的搬運處理重複（步驟階段S204）。
然後，在所要處理之晶圓W的第2搬運處理並未與其他之晶圓W的搬運處理重複的情況下（步驟階段S204，Yes），控制部61在所設定之第1搬運處理的開始時間點，開始所要處理之晶圓W的第1搬運處理（步驟階段S205）。然後，所要處理之晶圓W的開始時間點設定處理就完成了。
另一方面，若在步驟階段S202，有其他之晶圓W正在使用中的情況下（步驟階段S202，No），則控制部61會將所要處理之晶圓W之第1搬運處理的開始時間點，設定在預定使用的液體處理單元17騰空之最早的時間點（步驟階段S206）。然後，進行至步驟階段S203的處理。
再者，若在步驟階段S203，第1搬運處理與其他之晶圓W的搬運處理有所重複的情況下（步驟階段S203，No），則控制部61會將第1搬運處理的開始時間點，設定在第1搬運處理不與其他之晶圓W的搬運處理重複之最早的時間點（步驟階段S207）。然後，進行至步驟階段S204的處理。
再者，若在步驟階段S204，第2搬運處理與其他之晶圓W的搬運處理有所重複的情況下（步驟階段S204，No），則控制部61會將第1搬運處理的開始時間點，設定在第2搬運處理不與其他之晶圓W的搬運處理重複之最早的時間點（步驟階段S208）。然後，回到步驟階段S202的處理。
實施形態之基板處理裝置（基板處理系統1），具備：複數之第1處理部（液體處理單元17）、複數之第2處理部（乾燥單元18）、搬運部（搬運裝置16）、以及控制部61。複數之第1處理部，對基板（晶圓W）施行第1處理（洗淨處理）。複數之第2處理部，對於施行過第1處理的基板，施行第2處理（超臨界乾燥處理）。搬運部，共用於對複數之第1處理部及複數之第2處理部搬運基板。控制部61，控制複數之第1處理部、複數之第2處理部及搬運部。控制部61，控制第1搬運處理的開始時間點，以使第2搬運處理的時間點，不與其他之基板受到搬運部搬運的時間點重複。又，第1搬運處理，係意指將基板搬運至第1處理部的處理；第2搬運處理，係意指將第1處理後形成有液膜之基板，從第1處理部搬運至第2處理部的處理。藉此，可以抑制在搬運表面形成有液膜的晶圓W之際，搬運時間不規律的情形。
再者，於實施形態之基板處理裝置，控制部61將基板（晶圓W）之第1搬運處理的開始時間點，設定在基板（晶圓W）的第1搬運處理及第2搬運處理皆不與其他之基板受到搬運部搬運的時間點重複之最早的時間點。藉此，可以提高基板處理系統1之晶圓W的吞吐量。
再者，於實施形態之基板處理裝置，第1處理係洗淨處理，第2處理係使形成有液膜之基板（晶圓W）接觸超臨界流體而使基板乾燥的處理（超臨界乾燥處理）。藉此，可以抑制在乾燥處理之際，晶圓W的圖案崩塌之情形。
實施形態之基板處理方法，包含：第1搬運處理、第2搬運處理、以及第3搬運處理。第1搬運處理，將基板（晶圓W）搬入施行第1處理（洗淨處理）的複數之第1處理部（液體處理單元17）中之任一個。第2搬運處理，將基板從第1處理部搬運至施行第2處理（超臨界乾燥處理）的複數之第2處理部（乾燥單元18）中之任一個。第3搬運處理，將基板從第2處理部搬出。然後，控制基板之第1搬運處理的開始時間點，以使得在第1處理後形成有液膜之基板接受第2搬運處理的時間點，不與其他之基板受到搬運的時間點重複。藉此，可以抑制在搬運表面形成有液膜的晶圓W之際，搬運時間不規律的情形。
＜變形例＞ 接著，針對實施形態之各種變形例，參照圖13～圖16以進行說明。圖13係用以說明實施形態之變形例1的第1搬運處理的開始時間點設定處理之程序的時序圖。又，於下文所示之各種變形例，係針對2組液體處理單元17及乾燥單元18分別成對而連續進行基板處理的情況進行敘述。
如圖13所示，當複數之晶圓W全部基於同一處理配方而受到處理的情況下，控制部61只要算出處理中之晶圓W的搬運處理全部不會重複之固定的間隔I1，而每隔該固定的間隔I1就開始晶圓W的第1搬運處理即可。
例如，控制部61，基於晶圓W之處理配方中的第1搬運處理、第2搬運處理及第3搬運處理的處理時間，以及洗淨處理、液膜形成處理、及超臨界乾燥處理的處理時間，而可以算出上述之固定的間隔I1。
藉此，不論連續處理了多少晶圓W，在複數對之液體處理單元17及乾燥單元18、與傳遞部14之間，以共用的搬運裝置16進行複數之晶圓W的搬運時，可以抑制各晶圓W的搬運處理重複的情形。
亦即，可以抑制液膜形成處理過的晶圓W在要接受第2搬運處理之時間點，有其他之晶圓W正在接受搬運裝置16的搬運處理之情形。因此，若藉由變形例1，則在搬運表面形成有液膜的晶圓W之際，可以抑制搬運時間不規律的情形。
圖14係用以說明實施形態之變形例2之前待機處理及後待機處理的追加處理的圖式。如圖14（a）所示，在混合了處理時間分別不同之處理配方A與處理配方B、並且連續處理複數之晶圓W的情況下，無法如同變形例1般直接算出固定的間隔I1。
於是，於變形例2，如圖14（b）所示，對於處理配方A及處理配方B分別進行前待機處理及後待機處理的追加處理。首先，在預定使用之全部的處理配方（此處係處理配方A及處理配方B）之中，求出處理時間最長的基板處理（此處係處理配方A的超臨界乾燥處理）。
接著，為配合所求得之最長的基板處理之處理時間，而在全部的處理配方的洗淨處理及液膜形成處理（SPIN）之前追加前待機處理，在全部的處理配方的超臨界乾燥處理（SCC）之後追加後待機處理。藉此，如圖14（b）所示，可以將不同處理時間之處理配方A及處理配方B，變更成實質上相同處理時間的處理配方A2及處理配方B2。
因此，於變形例2，如圖15所示，可以與變形例1同樣地算出處理中之晶圓W的搬運處理全部不會重複之固定的間隔I2，而每隔該固定的間隔I2就開始晶圓W的第1搬運處理。
藉此，可以抑制液膜形成處理過的晶圓W在要接受第2搬運處理之時間點，有其他之晶圓W正在接受搬運裝置16的搬運處理之情形。因此，若藉由變形例2，則在搬運表面形成有液膜的晶圓W之際，可以抑制搬運時間不規律的情形。
又，即使在洗淨處理及液膜形成處理之前追加前待機處理，也只是讓洗淨處理前的晶圓W在液體處理單元17內待機而已，所以該前待機處理對晶圓W所造成的影響很小。
再者，即使在超臨界乾燥處理後追加後待機處理，也只是使完成超臨界乾燥處理的晶圓W在乾燥單元18內待機而已，所以該後待機處理對晶圓W所造成的影響很小。
再者，於變形例2，如圖15所示，可以緊接在所要處理之晶圓W（例如晶圓W1）的第3搬運處理後，就進行2片之後的晶圓W（此處係晶圓W3）的第2搬運處理。更進一步地，於變形例2，可以緊接在該2片之後的晶圓W（此處係晶圓W3）的第2搬運處理後，就進行再2片之後的晶圓W（此處係晶圓W5）的第1搬運處理。
如此這般，藉由連續進行不同晶圓W的搬運處理，以減少搬運裝置16之多餘的待機時間，所以可以提高基板處理系統1之晶圓W的吞吐量。
圖16係繪示實施形態之變形例1及變形例2的第1搬運處理的開始時間點設定處理之程序的流程圖。首先，控制部61，判定在預定實施的處理配方中，是否沒有混合不同的處理配方（步驟階段S301）。
然後，在未混合不同處理配方的情況下（步驟階段S301，Yes），控制部61算出所要處理之晶圓W中之全部的搬運處理，不與其他之晶圓W的搬運處理重複之固定的間隔（步驟階段S302）。
接著，控制部61設定晶圓W之第1搬運處理的開始時間點，以在每隔所算出之固定的間隔就開始第1搬運處理（步驟階段S303）。最後，控制部61在所設定之開始時間點開始晶圓W之搬運（步驟階段S304），就結束處理。
另一方面，於步驟階段S301，在有混合不同處理配方的情況下（步驟階段S301，No），控制部61在全部的處理配方皆追加前待機處理及後待機處理，以配合不同處理配方中最長之基板處理的處理時間（步驟階段S305）。然後，進行到步驟階段S302的處理。
於變形例之基板處理裝置，控制部61基於全部的搬運處理之處理時間、以及全部的基板處理之處理時間，而算出基板（晶圓W）之全部的搬運處理的時間點不與其他之基板受到搬運部搬運的時間點重複之固定的間隔。又，所謂該全部的搬運處理，係指第1搬運處理、第2搬運處理及第3搬運處理；而所謂該全部的基板處理，係指第1處理（洗淨處理）及第2處理（乾燥處理）。然後，控制部61設定基板之前述第1搬運處理的開始時間點，以使得每隔所算出之固定的間隔就開始第1搬運處理。藉此，不論連續處理了多少晶圓W，在複數對之液體處理單元17及乾燥單元18、與傳遞部14之間，以共用的搬運裝置16進行複數之晶圓W的搬運時，可以抑制各晶圓W的搬運處理重複的情形。
再者，於變形例之基板處理裝置，控制部61在因應基板（晶圓W）而預先設定有不同處理配方的情況下，會在第1處理之前，追加前待機處理，以配合複數之第1處理及第2處理之中最長的處理時間。更進一步地，控制部61，會在第2處理之後追加後待機處理。藉此，即使在混合不同處理配方的情況下，也可以算出處理中之晶圓W的搬運處理全部不會重複之固定的間隔I2，而每隔該固定的間隔I2就開始晶圓W的第1搬運處理。
以上針對本發明之實施形態進行了說明，但本發明並不限定於上述實施形態，只要不脫離其旨趣，則可進行各種變更。例如，於上述實施形態，係針對設有1個搬運裝置16的基板處理系統1加以敘述，但搬運裝置16的數量並不限定於1個，只要是每複數對之液體處理單元17及乾燥單元18各有共用設置，則搬運裝置16亦可為複數個。
此次所揭露之實施形態，在所有層面上皆應視為例示，而非用於限定。事實上，上述實施形態能以多種形態加以體現。再者，上述實施形態，可在不脫離隨附之申請專利範圍及其要旨的情況下，以各種形態進行省略、置換、變更。
W、W1～W6:晶圓 1:基板處理系統（基板處理裝置之一例） 2:搬入搬出站 3:處理站 4:搬運區塊 5:處理區塊 6:控制裝置 11:載體載置部 12:搬運部 13:搬運裝置 14:傳遞部 15:搬運部 16:搬運裝置（搬運部之一例） 17:液體處理單元（第1處理部之一例） 18:乾燥單元（第2處理部之一例） 23:外處理室 23a:排液口 23b:排氣口 24:內杯 24a:排液口 25:晶圓固持機構 25a:化學藥液供給管路 26:噴嘴臂 26a:化學藥液噴嘴 31:主體 32:固持板 33:蓋子構件 34:開口部 35、36:供給埠 37:排出埠 38、39:管集箱 40:流體排出管集箱 61:控制部 62:記錄部 C:載體 S101～S108、S201～S208、S301～S306:步驟 SCC1、SCC2、SCC3:超臨界乾燥處理（第2處理） SPIN1、SPIN2:液膜形成處理（第1處理） Ta～Tw:時間點 T1:第1搬運處理 T2:第2搬運處理 T3:第3搬運處理
【圖1】圖1係由上方觀察實施形態之基板處理系統的示意剖面圖。 【圖2】圖2係由側向觀察實施形態之基板處理系統的示意剖面圖。 【圖3】圖3係繪示液體處理單元之構成例的圖式。 【圖4】圖4係繪示乾燥單元之構成例的示意立體圖。 【圖5】圖5係繪示實施形態之基板處理系統所執行的一連串基板處理之程序的流程圖。 【圖6】圖6（a）、（b）係用以說明實施形態之第1搬運處理的開始時間點設定處理的時序圖（1）。 【圖7】圖7（a）、（b）係用以說明實施形態之第1搬運處理的開始時間點設定處理的時序圖（2）。 【圖8】圖8（a）～（c）係用以說明實施形態之第1搬運處理的開始時間點設定處理的時序圖（3）。 【圖9】圖9（a）、（b）係用以說明實施形態之第1搬運處理的開始時間點設定處理的時序圖（4）。 【圖10】圖10（a）、（b）係用以說明實施形態之第1搬運處理的開始時間點設定處理的時序圖（5）。 【圖11】圖11係用以說明實施形態之第1搬運處理的開始時間點設定處理的時序圖（6）。 【圖12】圖12係繪示實施形態之第1搬運處理的開始時間點設定處理之程序的流程圖。 【圖13】圖13係用以說明實施形態之變形例1之第1搬運處理的開始時間點設定處理的程序的時序圖。 【圖14】圖14（a）、（b）係用以說明實施形態之變形例2之前待機處理及後待機處理的追加處理的圖式。 【圖15】圖15係用以說明實施形態之變形例2之第1搬運處理的開始時間點設定處理的程序的時序圖。 【圖16】圖16係繪示實施形態之變形例1及變形例2之第1搬運處理的開始時間點設定處理的程序的流程圖。
W1、W2:晶圓
SCC1、SCC2:超臨界乾燥處理(第2處理)
SPIN1、SPIN2:液膜形成處理(第1處理)
Ta~Td:時間點
T1:第1搬運處理
T2:第2搬運處理
T3:第3搬運處理

Claims (7)

  1. 一種基板處理裝置，包括： 複數之第1處理部，對基板施行第1處理； 複數之第2處理部，對於施行過該第1處理的該基板，施行第2處理； 搬運部，共用於對該複數之第1處理部及該複數之第2處理部搬運該基板；以及 控制部，控制該複數之第1處理部、該複數之第2處理部及該搬運部； 該控制部， 控制將該基板搬運至該第1處理部之第1搬運處理的開始時間點，以使將該第1處理後形成有液膜之該基板從該第1處理部搬運至該第2處理部之第2搬運處理的時間點，不與其他之該基板受到該搬運部搬運的時間點重複。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中， 該控制部，將該基板之該第1搬運處理的開始時間點，設定在該基板的該第1搬運處理及該第2搬運處理皆不與其他之該基板受到該搬運部搬運的時間點重複之最早的時間點。
  3. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中， 該控制部，依據該第1搬運處理的處理時間、該第1處理的處理時間、該第2搬運處理的處理時間、該第2處理的處理時間、以及從該第2處理部搬出該基板之第3搬運處理的處理時間，而算出該基板的該第1搬運處理、該第2搬運處理及該第3搬運處理的時間點不與其他之該基板受到該搬運部搬運的時間點重複之固定的間隔； 設定該基板之該第1搬運處理的開始時間點，以使得每隔所算出之固定的間隔就開始該第1搬運處理。
  4. 如申請專利範圍第3項之基板處理裝置，其中， 該控制部，在因應該基板而預先設定有不同處理配方的情況下，會在全部之該處理配方的該第1處理之前追加前待機處理、在該第2處理之後追加後待機處理，以配合複數之該第1處理及該第2處理之中最長的處理時間。
  5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之基板處理裝置，其中，該第1處理係洗淨處理，該第2處理係使該形成有液膜之該基板接觸超臨界流體而使該基板乾燥的處理。
  6. 一種基板處理方法，包括以下步驟： 第1搬運處理，將基板搬入施行第1處理的複數之第1處理部中之任一個； 第2搬運處理，將該基板從該第1處理部搬運至施行第2處理的複數之第2處理部中之任一個；以及 第3搬運處理，將該基板從該第2處理部搬出； 控制該基板之該第1搬運處理的開始時間點，以使得在該第1處理後形成有液膜之該基板接受該第2搬運處理的時間點，不與其他之該基板受到搬運的時間點重複。
  7. 一種記錄媒體，記錄有使電腦執行如申請專利範圍第6項之基板處理方法的程式。
TW108121187A 2018-06-25 2019-06-19 基板處理裝置及基板處理方法 TWI800660B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018119628A JP7142494B2 (ja) 2018-06-25 2018-06-25 基板処理装置および基板処理方法
JP2018-119628 2018-06-25

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202014252A true TW202014252A (zh) 2020-04-16
TWI800660B TWI800660B (zh) 2023-05-01

Family

ID=68968808

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW108121187A TWI800660B (zh) 2018-06-25 2019-06-19 基板處理裝置及基板處理方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11189481B2 (zh)
JP (1) JP7142494B2 (zh)
KR (1) KR20200000814A (zh)
CN (1) CN110634770A (zh)
TW (1) TWI800660B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102578764B1 (ko) * 2021-03-25 2023-09-15 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102643365B1 (ko) * 2021-09-03 2024-03-07 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0722144B2 (ja) * 1985-07-04 1995-03-08 株式会社東芝 半導体製造装置
TW276353B (zh) * 1993-07-15 1996-05-21 Hitachi Seisakusyo Kk
US5801945A (en) * 1996-06-28 1998-09-01 Lam Research Corporation Scheduling method for robotic manufacturing processes
JP3668681B2 (ja) * 1999-11-11 2005-07-06 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
US7189647B2 (en) * 2001-04-05 2007-03-13 Novellus Systems, Inc. Sequential station tool for wet processing of semiconductor wafers
JP4545147B2 (ja) * 2004-05-17 2010-09-15 株式会社日立国際電気 基板処理装置及び半導体デバイス製造方法
US8078311B2 (en) * 2004-12-06 2011-12-13 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus and substrate transfer method adopted in substrate processing apparatus
KR101124049B1 (ko) * 2005-06-22 2012-03-26 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법과 컴퓨터 판독 가능한기억 매체
JP5427455B2 (ja) * 2009-03-31 2014-02-26 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置のスケジュール作成方法及びそのプログラム
JP5168300B2 (ja) * 2010-02-24 2013-03-21 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
WO2012147658A1 (ja) * 2011-04-25 2012-11-01 株式会社ニコン 基板処理装置
JP5522124B2 (ja) 2011-06-28 2014-06-18 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体
JP2013069874A (ja) * 2011-09-22 2013-04-18 Tokyo Electron Ltd 基板処理システム、基板搬送方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP5632860B2 (ja) * 2012-01-05 2014-11-26 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄方法、基板洗浄装置及び基板洗浄用記憶媒体
JP2013254904A (ja) * 2012-06-08 2013-12-19 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
JP2014082470A (ja) * 2012-09-27 2014-05-08 Ebara Corp 基板処理装置
JP6224359B2 (ja) * 2013-06-20 2017-11-01 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置のためのスケジュール作成方法およびスケジュール作成プログラム
JP2015076433A (ja) * 2013-10-07 2015-04-20 東京エレクトロン株式会社 基板搬送方法
JP2015170833A (ja) * 2014-03-11 2015-09-28 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置のスケジュール作成方法
KR101998578B1 (ko) * 2015-08-04 2019-07-10 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체
JP2017157746A (ja) * 2016-03-03 2017-09-07 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体
JP6580776B2 (ja) * 2016-03-03 2019-09-25 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体
JP6600588B2 (ja) * 2016-03-17 2019-10-30 東京エレクトロン株式会社 基板搬送機構の洗浄方法及び基板処理システム
JP6320457B2 (ja) * 2016-05-31 2018-05-09 キヤノン株式会社 基板処理装置、基板処理方法、プログラム、及び物品製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN110634770A (zh) 2019-12-31
JP7142494B2 (ja) 2022-09-27
KR20200000814A (ko) 2020-01-03
US11189481B2 (en) 2021-11-30
JP2020004757A (ja) 2020-01-09
US20190393028A1 (en) 2019-12-26
TWI800660B (zh) 2023-05-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7113949B2 (ja) 基板処理装置
JP5505384B2 (ja) 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体
KR102468102B1 (ko) 기판 처리 장치
JP6862163B2 (ja) 基板処理装置
JP2012190823A (ja) 液処理装置、液処理方法およびこの液処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体
US11344931B2 (en) Method of removing particles of substrate processing apparatus, and substrate processing apparatus
JP2019091772A (ja) 基板処理装置の洗浄装置および洗浄方法
TW202014252A (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
JP2023001153A (ja) 基板処理システム
JP7321052B2 (ja) 基板処理装置および装置洗浄方法
WO2023234126A1 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
TW202405935A (zh) 基板處理方法及基板處理裝置
WO2021112022A1 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2020017618A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
TWI837441B (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
TWI781307B (zh) 基板處理裝置、基板處理方法及記錄媒體
KR20110077045A (ko) 로봇 세정 모듈 및 이를 포함하는 기판 세정 장치
TW202410252A (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
TW202310121A (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
JP2023177766A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
KR20160120661A (ko) 기판 처리 시스템