JPH113851A - 液処理装置及び液処理方法 - Google Patents

液処理装置及び液処理方法

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JPH113851A
JPH113851A JP9169552A JP16955297A JPH113851A JP H113851 A JPH113851 A JP H113851A JP 9169552 A JP9169552 A JP 9169552A JP 16955297 A JP16955297 A JP 16955297A JP H113851 A JPH113851 A JP H113851A
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gas
liquid
impurity removing
processing
casing
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Norio Senba
教雄 千場
Junichi Kitano
淳一 北野
Takayuki Katano
貴之 片野
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Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ケーシングで囲まれた液処理装置内の雰囲気
を工場排気系などに排気することなく，循環再使用して
工場排気系への負担を軽減する。 【解決手段】 現像処理装置ＤＥＶ1のケーシング６１
及びレジスト液塗布装置ＣＯＴ1のケーシング７１の内
部の雰囲気は排気管８１から導入管５０を経由してフィ
ルタ装置１０１へ導入される。気液接触空間を有するフ
ィルタ装置１０１において清浄化及び温湿度が調整され
た空気は送出管５１から壁ダクト４６を経由してケーシ
ング６１，７１の内部へ戻される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，被処理基板に対し
て液処理を行うための液処理装置，及び液処理方法に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】例えば半導体製造プロセスにおけるフォ
トレジスト処理工程においては，半導体ウエハ（以下，
「ウエハ」という）などの被処理基板の表面にレジスト
液を塗布してレジスト膜を形成し，所定のパターンで露
光した後に現像液で現像処理しているが，このような一
連の処理を行うにあたっては，従来から塗布現像処理シ
ステムが用いられている。
【０００３】通常，この塗布現像処理システムは，複数
の処理装置を備えている。これら処理装置は，例えば，
レジストの定着性を向上させるための疎水化処理（アド
ヒージョン処理），レジスト液の塗布を行うレジスト処
理，レジスト液塗布後の被処理基板を所定の温度雰囲気
に置いてレジスト膜を硬化させるための熱処理，露光後
の被処理基板を所定の温度雰囲気に置くための熱処理，
露光後の被処理基板に現像液を供給して現像する現像処
理などの各処理を個別に行うものであり，搬送アームな
どの搬送機構によって，被処理基板であるウエハは前記
各処理装置に対して搬入出され，各処理装置において相
応する処理が順次施される。
【０００４】前記レジスト処理装置及び現像処理装置
は，各装置内部にカップと呼ばれる処理容器を有し，ウ
エハは前記処理容器内に設けられた回転自在な回転載置
台に載置される。レジスト処理や現像処理を行う場合に
は，前記ウエハを回転させながら，当該ウエハの上方に
位置させたノズルなどの供給機構からレジスト液や現像
液を当該ウエハに供給してこれらを拡散させている。か
かる場合，レジスト液や現像液が周囲へ飛散するおそれ
があるために，前記処理容器の外側は適宜のケーシング
で囲まれている。このような構成を有するレジスト処理
装置や現像処理装置からの排気については，その排気中
に有機溶剤が含まれているため，従来はその全てを工場
排気系へと排気していた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら，上述の
ようにレジスト処理装置や現像処理装置からの排気の全
てを工場排気系に排気するのでは，処理量の増加に伴っ
て前記工場排気系の負担が増大し，設備機器もそれに応
じて肥大化する。その上，メンテナンスの回数増加も避
けられず，コストの面においても好ましくない。しかも
工場排気系へ排気された分の空気を補充するための供給
源を別途設ける必要がある。
【０００６】本発明はかかる点に鑑みてなされたもので
あり，前記レジスト処理装置や現像処理装置などの液処
理装置内の雰囲気の全てを工場排気系へ排気することな
く，別途設ける不純物除去装置により清浄化すると共に
循環再使用するようにして，前記従来の問題の解決を図
ることを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
請求項１によれば，ケーシング内に装備された処理容器
内で被処理基板を保持しながら回転させる回転載置台
と，前記回転載置台上の被処理基板の表面に対して処理
液を供給する供給機構とを有する液処理装置において，
前記ケーシング外に配置される不純物除去装置を具備
し，当該不純物除去装置は，この不純物除去装置の取り
入れ口から導入された対象気体を不純物除去液と接触さ
せて清浄化する清浄部と，当該清浄部を通過した気体の
温湿度を調整する温湿度調整部とを備え，前記ケーシン
グ内の排気を行う排気系統には，排気中の液体を気体と
分離する気液分離手段が設けられ，前記気液分離手段に
おける気体側出口と，前記不純物除去装置の取り入れ口
とが接続され，前記温湿度調整部を通過した気体を送出
する送出口が，前記ケーシング内に清浄気体を供給する
供給系統に接続されたことを特徴とする，液処理装置が
提供される。かかる液処理装置によれば，ケーシングか
らの排気の全てを工場排気系へ排気することなく，不純
物除去装置を経由して再使用することが可能である。従
って工場排気系への負担を軽減できると共に，外部から
新たに供給される気体の量を低減できる。ところで前記
不純物除去装置における不純物除去液としては，例えば
純水が適している。このような不純物除去装置を採用す
れば，ケミカルフィルタを使用することなく前記ケーシ
ングからの排気を清浄化でき，コストとりわけランニン
グコストの面からも好ましい。また前記液処理装置のケ
ーシング内の雰囲気は，かかる雰囲気の排気系統に設け
られた気液分離手段によって，気体と液体とに分離され
た後に，気体のみが前記不純物除去装置へ導入されるた
めに，前記不純物除去装置への負担は軽減される。
【０００８】上述のように請求項１の液処理装置におい
ては，液処理装置のケーシング内の雰囲気を循環再使用
するように構成されているが，請求項２に記載のように
前記ケーシング内に設けられている処理容器の内部の雰
囲気を循環再使用するようにしてもよい。かかる液処理
装置によれば，処理容器内の雰囲気の全てを工場排気系
へ排気することなく，不純物除去装置を経由して再使用
することが可能である。従って，上記した請求項１の場
合と同様に，工場排気系への負担を軽減することが可能
である。
【０００９】請求項３に記載のように，前記気液分離手
段における気体側出口と，前記不純物除去装置の取り入
れ口との間の接続系統中に，他の気液分離手段を設ける
ようにしてもよい。かかる構成によれば，気液分離され
た空気は前記不純物除去装置へ導入される前に，再度，
気液分離が施されるために，前記不純物除去装置に対し
ては，液体成分が十分に除去された気体が導入されるよ
うになる。従って不純物除去装置への負担がより一層軽
減されるために，効率のよい不純物除去が期待できる。
【００１０】請求項４によれば，ケーシング内に装備さ
れた処理容器内で被処理基板を保持しながら回転させ，
当該被処理基板の表面に対して処理液を供給して所定の
処理を行う方法において，ケーシング内の排気中の液体
を気体と分離する第１の工程と，前記分離した気体を不
純物除去液と接触させて清浄化する第２の工程と，清浄
化した気体の温湿度を調整する第３の工程と，温湿度調
整した後の気体をケーシング内に供給する第４の工程と
を有することを特徴とする，液処理方法が提供される。
かかる液処理方法によれば，ケーシングからの排気の全
てを工場排気系へ排気することなく再使用することが可
能である。従って工場排気系への負担を軽減できると共
に，外部から新たに供給される気体の量を低減できる。
またケーシング内の雰囲気は不純物除去液によって清浄
化され，温湿度調整がなされた後に前記ケーシング内へ
戻されるために，前記ケーシング内は清浄かつ好適な温
湿度の雰囲気に保たれる。さらに液体と分離された気体
のみを不純物除去液と接触させるために，高い不純物除
去効率が期待できる。
【００１１】上述のように請求項４の液処理方法におい
ては，ケーシング内の雰囲気を循環再使用するようにし
ているが，請求項５に記載のように前記ケーシング内に
設けられている処理容器の内部の雰囲気を循環再使用す
るようにしてもよい。かかる液処理方法によれば，処理
容器内の雰囲気の全てを工場排気系へ排気することなく
再使用することが可能である。従って，上記した請求項
４の場合と同様に，工場排気系への負担を軽減すること
が可能である。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下，本発明の一実施形態を図に
基づいて説明すると，図１〜図３は塗布現像処理システ
ム１の全体構成の図であり，図１は平面，図２は正面，
図３は背面からみた様子を示している。当該塗布現像処
理システム１の内部に，後述する本実施の形態にかかる
液処理装置としてのレジスト液塗布装置ＣＯＴ1，ＣＯ
Ｔ2及び現像処理装置ＤＥＶ1，ＤＥＶ2が設けられてい
る。
【００１３】この塗布現像処理システム１は，被処理基
板としてのウエハＷが複数枚，例えば２５枚単位で収納
されているカセットＣをシステム内に搬入したり，ある
いはシステムから搬出したりするためのカセットステー
ション１０と，塗布現像処理工程の中で１枚ずつウエハ
Ｗに所定の処理を施す各種処理装置を所定位置に多段配
置してなる処理ステーション１１と，この処理ステーシ
ョン１１に隣接して設けられる露光処理装置（図示せ
ず）との間でウエハＷを受け渡しするためのインターフ
ェース部１２とを一体に接続した構成を有している。
【００１４】前記カセットステーション１０では，図１
に示すように，載置部となるカセット載置台２０上の位
置決め突起２０ａの位置に，複数個例えば４個のカセッ
トＣが，それぞれのウエハ出入口を処理ステーション１
１側に向けて一列に載置され，このカセット配列方向
（Ｘ方向）及びカセットＣ内に収納されたウエハＷのウ
エハ配列方向（Ｚ方向；垂直方向）に移動可能な，ウエ
ハ搬送体２１が搬送路２１ａに沿って移動自在であり，
各カセットＣに選択的にアクセスできるようになってい
る。
【００１５】さらにこのウエハ搬送体２１は，θ方向に
回転自在であり，後述するように処理ステーション１１
側の第３の処理装置群Ｇ3の多段ユニット部に属するア
ライメントユニットＡＬＩＭ及びイクステンションユニ
ットＥＸＴにもアクセスできるようになっている。
【００１６】前記処理ステーション１１には，図１に示
すように，その中心部に垂直搬送型の主ウエハ搬送手段
２２が設けられ，その周りにユニットとしての各種処理
装置が１組又は複数の組に亙って多段集積配置されて処
理装置群を構成している。塗布現像処理システム１にお
いては，５つの処理装置群Ｇ1，Ｇ2，Ｇ3，Ｇ4，Ｇ5が
配置可能な構成であり，第１及び第２の処理装置群
Ｇ1，Ｇ2はシステム正面側に配置され，第３の処理装置
群Ｇ3はカセットステーション１０に隣接して配置さ
れ，第４の処理装置群Ｇ4はインターフェース部１２に
隣接して配置され，さらに破線で示した第５の処理装置
群Ｇ5は背面側に配置可能となっている。
【００１７】図２に示すように第１の処理装置群Ｇ1に
は，処理容器ＣＰ内でウエハＷに対して所定の液処理を
行う，本実施の形態にかかるレジスト液塗布装置ＣＯＴ
1及び現像処理装置ＤＥＶ1が下から順に２段に重ねられ
ている。第２の処理装置群Ｇ2においても同様に，液処
理装置としてのスピンナ型処理装置，例えばレジスト液
塗布装置ＣＯＴ2及び現像処理装置ＤＥＶ2が下から順に
２段に重ねられている。なお当該第２の処理装置群Ｇ2
におけるレジスト液塗布装置ＣＯＴ2及び現像処理装置
ＤＥＶ2はそれぞれ前記レジスト液塗布装置ＣＯＴ1及び
現像処理装置ＤＥＶ1と同様の構成及び機能となってお
り，以降レジスト液塗布装置ＣＯＴ1及び現像処理装置
ＤＥＶ1についてのみ説明する。
【００１８】図３に示すように，第３の処理装置群Ｇ3
では，ウエハＷを載置台（図示せず）に載せて所定の処
理を行うオーブン型の処理装置，例えば冷却処理を行う
クーリング装置ＣＯＬ，疏水化処理を行うアドヒージョ
ン装置ＡＤ，位置合わせを行うアライメント装置ＡＬＩ
Ｍ，イクステンション装置ＥＸＴ，露光処理前の加熱処
理を行うプリベーキング装置ＰＲＥＢＡＫＥ，及び露光
処理後の加熱処理を行うポストベーキング装置ＰＯＢＡ
ＫＥが，下から順に例えば８段に重ねられている。
【００１９】第４の処理装置群Ｇ4においても，オーブ
ン型の処理装置，例えばクーリング装置ＣＯＬ，イクス
テンション・クーリング装置ＥＸＴＣＯＬ，イクステン
ション装置ＥＸＴ，クーリング装置ＣＯＬ，プリベーキ
ング装置ＰＲＥＢＡＫＥ，及びポストベーキング装置Ｐ
ＯＢＡＫＥが下から順に，例えば８段に重ねられてい
る。
【００２０】図１，２に示すように，このインターフェ
ース部１２の正面部には，可搬型のピックアップカセッ
トＣＲと，定置型のバッファカセットＢＲが２段に配置
され，他方背面部には周辺露光装置２３が配設され，中
央部にはウエハ搬送体２４が設けられている。このウエ
ハ搬送体２４は，Ｘ方向，Ｚ方向（垂直方向）に移動し
て両カセットＣＲ，ＢＲ及び周辺露光装置２３にアクセ
スできるようになっている。さらに前記ウエハ搬送体２
４は，θ方向への回転及びＹ方向への移動も自在となる
ように構成されており，処理ステーション１１側の第４
の処理装置群Ｇ4に属するイクステンション装置ＥＸＴ
や隣接する露光処理装置（図示せず）のウエハ受渡し台
へもアクセスできるようになっている。
【００２１】当該塗布現像処理システム１においては，
前記したカセット載置台２０，ウエハ搬送体２１の搬送
路２１ａ，第１〜第５の処理装置群Ｇ1，Ｇ2，Ｇ3，
Ｇ4，Ｇ5，インターフェース部１２に対して，上方から
清浄な空気のダウンフローが形成されるよう，図２に示
すように，システム上部に例えばＵＬＰＡフィルタなど
の高性能フィルタ３１が，前記３つのゾーン（カセット
ステーション１０，処理ステーション１１，インターフ
ェース部１２）毎に設けられている。そしてこの高性能
フィルタ３１の上流側から供給された空気は，該高性能
フィルタ３１を通過する際に清浄化され，図２の実線矢
印や破線矢印に示したように，清浄なダウンフローが形
成される。また特にレジスト液塗布装置ＣＯＴ1及び現
像処理装置ＤＥＶ1に対しては，図４に示すように，そ
の内部に対しても清浄なダウンフローが独立して形成さ
れるように，適宜ダクト配管されている。
【００２２】塗布現像処理システム１の周囲は，図４に
示すように，側板４１，４２等で囲まれており，さらに
上部には天板４３，下部には通気孔板４４との間に空間
Ｐを介して底板４５が設けられている。そしてシステム
の一側には壁ダクト４６が形成されており，天板４３下
面側に形成された天井チャンバ４７と通じている。
【００２３】底板４５には排気口４８が形成されてお
り，通気孔板４４を介して回収されるシステム内の下側
雰囲気は，この排気口４８に接続された排気管４９から
工場排気系へ排気される一方，前記排気管４９に接続さ
れている導入管５０によってその一部は，不純物除去装
置としてのフィルタ装置１０１へと導入されるようにな
っている。前記フィルタ装置１０１において清浄化され
た空気は，送出管５１を通じて前記壁ダクト４６へと送
出され，天井チャンバ４７の下方に設置された高性能フ
ィルタ３１を介してシステム内にダウンフローとして吹
き出されるようになっている。
【００２４】塗布現像処理システム１内部に設置された
第１の処理装置群Ｇ1における現像処理装置ＤＥＶ1につ
いては，その外壁を構成するケーシング６１内の上部
に，別途サブチャンバ６２が形成されており，このサブ
チャンバ６２はシステムの壁ダクト４６と連通されてい
る。従って壁ダクト４６内を流れる清浄化された後の空
気は，サブチャンバ６２の下方に設置された高性能フィ
ルタ６３を介して，ケーシング６１内にダウンフローと
して吐出されるようになっている。なお前記サブチャン
バ６２を設けることなく，前記天井チャンバ４７からの
ダウンフローを当該ケーシング６１内へ導入するように
構成してもよい。
【００２５】前記ケーシング６１の下部には気液分離手
段としてのセパレータ６４が設けられている。当該セパ
レータ６４は，図５に示すように，垂下壁６４ａと立設
壁６４ｂによって，いわばラビリンス構造を呈してお
り，慣性衝突による気液分離機能を有するものである。
ケーシング６１内の雰囲気は，前記セパレータ６４にお
いて現像液などの液体が取り除かれた後に，別途設けた
排気管８１へ送出され，前記導入管５０を経由して前記
フィルタ装置１０１へ導入されるようになっている。
【００２６】前記ケーシング６１内には処理容器ＣＰが
設置されており，かかる処理容器ＣＰ内にはウエハＷを
保持するスピンチャック６５が設けられている。前記ス
ピンチャック６５に保持されたウエハＷへは，その上方
へ移動可能な供給機構としてのノズル６６から現像液が
供給されるようなっている。さらに当該処理容器ＣＰの
底部にはセパレータ６７が設けられており，当該セパレ
ータ６７は，図５に示すように，垂下壁６７ａと立設壁
６７ｂを具有しており，上記セパレータ６４と同様に慣
性衝突による気液分離機能を有するものである。前記処
理容器ＣＰ内の雰囲気は，当該セパレータ６７において
現像液などの液体が取り除かれた後に，上記の排気管８
１へ送出されるようになっている。
【００２７】セパレータ６４，６７において，排気雰囲
気から分離された現像液などの液体は，別途設けられた
廃液管（図示せず）によって工場廃液系（図示せず）へ
導かれるように構成されている。
【００２８】レジスト液塗布装置ＣＯＴ1の排気，廃液
系は図４に示すように，前記現像処理装置ＤＥＶ1と同
様な構成となっており，すなわちケーシング７１内の上
部にはサブチャンバ７２が形成され，該サブチャンバ７
２は壁ダクト４６と連通されている。よって壁ダクト４
６内を流れる清浄化された後の空気は，前記サブチャン
バ７２の下方に設置された高性能フィルタ７３を介し
て，ケーシング７１内にダウンフローとして吐出される
ようになっている。なお前記サブチャンバ７２を設ける
ことなく，前記天井チャンバ４７からのダウンフローを
当該ケーシング７１内へ導入するように構成してもよ
い。
【００２９】前記ケーシング７１の下部には，現像処理
装置ＤＥＶ1におけるセパレータ６４と同様の機能，す
なわち慣性衝突による気液分離機能を有するセパレータ
７４が設けられている。ケーシング７１内の雰囲気は，
当該セパレータ７４においてレジスト液などの液体が取
り除かれた後に，前記ケーシング６１内の雰囲気と同様
に，排気管８１へ送出され，導入管５０を経由してフィ
ルタ装置１０１へ導入されるようになっている。
【００３０】前記ケーシング７１内には処理容器ＣＰが
設置されており，かかる処理容器ＣＰ内にはウエハＷを
保持するスピンチャック７５が設けられている。前記ス
ピンチャック７５に保持されたウエハＷへは，その上方
へ移動可能な供給機構としてのノズル７６からレジスト
液が供給されるようなっている。さらに当該処理容器Ｃ
Ｐの底部には，前記現像処理装置ＤＥＶ1におけるセパ
レータ６７と同様の機能，すなわち慣性衝突による気液
分離機能を有するセパレータ７７が設けられており，前
記処理容器ＣＰ内の雰囲気は，当該セパレータ７７によ
ってレジスト液などの液体が取り除かれた後に，上記の
排気管８１へ送出されるようになっている。
【００３１】セパレータ７４，７７において分離された
例えばレジスト液などの液体は，別途設けられた廃液管
（図示せず）によって工場廃液系（図示せず）へ導かれ
るように構成されている。
【００３２】次にフィルタ装置１０１の構成について詳
述する。図６に示すようにフィルタ装置１０１はおおよ
そ導入部１１０，第１の不純物除去部１３０，第２の不
純物除去部１５０，送出部１７０，不純物除去液循環部
１９０に大別できる。
【００３３】上述のように現像処理装置ＤＥＶ1及びレ
ジスト液塗布装置ＣＯＴ1から回収された空気は，前記
塗布現像処理システム１内の空間Ｐの雰囲気と共に，導
入管５０を経由して，導入部１１０に設けられた導入口
１１１から空間Ｓへ導入される。導入部１１０の最下部
には，第１の不純物除去部１３０及び第２の不純物除去
部１５０で使用された例えば純水などの不純物除去液の
一部を貯留するためのドレインパン１１２が設けられて
いる。なお以下，不純物除去液として純水を用いた場合
に即して説明する。
【００３４】前記第１の不純物除去部１３０には気液接
触空間Ｍ1に対して純水を微細なミスト状に噴霧するた
めの，噴霧ノズル１３１ａを有する噴霧装置１３１が設
けられている。また前記気液接触空間Ｍ1の下側には，
前記噴霧ノズル１３１ａから噴霧された純水をトラップ
しつつ，分散させて均等に滴下させるための不織布等か
らなる充填部１３２が設けられている。
【００３５】充填部１３２の下側には，前記充填部１３
２から滴下する純水を集水するためのパン１３３が設け
られている。パン１３３には前記空間Ｓから上昇してく
る空気を充填部１３２及び気液接触空間Ｍ1へ導くため
の通気管１３３ａが上下方向に貫設されており，該通気
管１３３ａはパン１３３をオーバーフローした純水を前
出のドレインパン１１２へ導くための機能もあわせ持っ
ている。
【００３６】前記の充填部１３２とパン１３３の間に
は，充填部１３２からの純水がドレインパン１１２へ直
接滴下しないように，例えば傘状に形成されたキャップ
１３４が設けられている。そして前記キャップ１３４は
純水の滴下防止のため通気管１３３ａの真上に設置され
ると共に，空気を通過させるための適宜の隙間が確保さ
れている。
【００３７】第１の不純物除去部１３０の最上部には気
液接触空間Ｍ1を通過した空気中のミストを除去するた
めのデミスター１３５が設けられている。
【００３８】第２の不純物除去部１５０は，上述した第
１の不純物除去部１３０の上方に配置され，基本的に第
１の不純物除去部１３０と同様な構成となっている。す
なわち最下部には通気管１５３ａを具備したパン１５３
が設置され，前記通気管１５３ａの上方にはキャップ１
５４が設けられている。かかるキャップ１５４の上方の
気液接触空間Ｍ2には充填部１５２と，噴霧ノズル１５
１ａを具備した噴霧装置１５１が設けられている。そし
て最上部にはデミスター１５５が設けられている。
【００３９】本実施の形態では，第１の不純物除去部１
３０と第２の不純物除去部１５０は，図６に示すように
上下二段に配置された構成となっている。かかる構成に
よれば，上側に配置された第２の不純物除去部１５０で
使用され，パン１５３に集水された純水のうち，オーバ
ーフローした分を下側に配置された第１の不純物除去部
１３０へ供給することができる。従って下側に配置され
た第１の不純物除去部１３０に対しては新たな純水の供
給が不要であり，結果的に純水の節約が図れる。
【００４０】前述の第１の不純物除去部１３０と第２の
不純物除去部１５０にて不純物が除去された空気は，送
出部１７０内に設置されている送風機１７１へ導かれ，
加熱機構１７２，及び加湿機構１７３側へ送出される。
前記加熱機構１７２は前記送風機１７１によって送出さ
れた空気を所定温度にまで加熱する機構を有しており，
加湿機構１７３は前記加熱機構１７２で所定温度になっ
た空気を所定湿度にまで加湿する機構を有している。こ
れら加熱機構１７２，加湿機構１７３によって，所望の
温湿度，例えば温度２３℃，相対湿度４０％に調整され
た空気は送出口１７４から送出される。なお加熱機構１
７２及び加湿機構１７３の制御は別段の制御装置（図示
せず）によって制御され，任意に設定された温湿度条件
の空気を送出させることが自在である。
【００４１】なお当該フィルタ装置１０１へ導入される
空気量が不十分である場合，前記塗布現像処理システム
１へ戻される空気量は不足してしまう。そこで適宜の導
入管を設けて，例えば当該塗布現像処理システム１が設
置されているクリーンルームから比較的清浄な空気を前
記フィルタ装置１０１へ導入し，当該フィルタ装置１０
１で清浄化された空気と混合させた上，前記塗布現像処
理システム１へ送出させるようにしてもよい。
【００４２】不純物除去液循環部１９０には，前記第１
の不純物除去部１３０におけるパン１３３及び第２の不
純物除去部１５０におけるパン１５３に集水された純水
をそれぞれ噴霧装置１３１及び噴霧装置１５１へ循環さ
せるための循環系が設けられている。循環パイプ１９１
にはポンプ１９２が介設されており，かかるポンプ１９
２によって前記パン１３３に集水されている純水は，噴
霧装置１３１へ圧送され噴霧されるようになっている。
一方，前記パン１５３内の純水は，循環パイプ１９３に
介設されたポンプ１９４によって，冷凍機１９５の冷媒
との間で熱交換するための熱交換器１９６を経由して前
記噴霧装置１５１へと圧送される。前記熱交換器１９６
においては，純水を適宜の温度に調整することができる
ようになっている。
【００４３】本実施の形態にかかるレジスト液処理装置
ＣＯＴ1，ＣＯＴ2及び現像処理装置ＤＥＶ1，ＤＥＶ2が
組み込まれた塗布現像処理システム１は以上のように構
成されており，まずカセットステーション１０におい
て，ウエハ搬送体２１がカセット載置台２０上のカセッ
トＣにアクセスして，そのカセットＣから処理前のウエ
ハＷを１枚取り出す。その後ウエハ搬送体２１は，処理
ステーンション１１側の第３の処理装置群Ｇ3の多段装
置内に配置されているアライメント装置ＡＬＩＭまで移
動し，当該アライメント装置ＡＬＩＭ内にウエハＷを搬
入する。
【００４４】そして当該アライメント装置ＡＬＩＭにお
いてウエハＷのオリフラ合わせ及びセンタリングが終了
すると，主ウエハ搬送手段２２は，アライメントが完了
したウエハＷを受け取り，前記アライメント装置ＡＬＩ
Ｍの下段に位置するアドヒージョン装置ＡＤの前まで移
動して，装置に前記ウエハＷを搬入する。次いで第３の
処理装置群Ｇ3又は第４の処理装置群Ｇ4の多段装置に属
するクーリング装置ＣＯＬへ搬入する。このクーリング
装置ＣＯＬ内で前記ウエハＷはレジスト塗布処理前の設
定温度，例えば２３℃まで冷却される。
【００４５】冷却処理が施されたウエハＷは，主ウエハ
搬送手段２２によってクーリング装置ＣＯＬから搬出さ
れ，第１の処理装置群Ｇ1の多段装置に属するレジスト
液塗布装置ＣＯＴ1へ搬入される。このレジスト液塗布
装置ＣＯＴ1内で，ウエハＷはスピンコート法によっ
て，その表面に一様な膜厚のレジスト膜が形成される。
なお第２の処理装置群Ｇ2内には，当該レジスト液塗布
装置ＣＯＴ1と同一の機能を有するレジスト液塗布装置
ＣＯＴ2が設けられており，当該レジスト液塗布装置Ｃ
ＯＴ2において，前記ウエハＷに対してレジスト処理を
施すようにしてもよい。
【００４６】レジスト塗布処理が施されたウエハＷは，
主ウエハ搬送手段２２によって前記レジスト液塗布装置
ＣＯＴ1から搬出され，以下各処理装置において所定の
処理が施されていく。その後，前記ウエハＷは当該塗布
現像処理システム１に隣接する露光処理装置（図示せ
ず）において露光処理が施され，続いて主ウエハ搬送手
段２２によって，第１の処理装置群Ｇ1の多段装置に属
する現像処理装置ＤＥＶ1に搬入される。この現像処理
装置ＤＥＶ1内では，ウエハＷはスピンチャックの上に
載せられ，ウエハ表面のレジスト膜に現像液が均一にか
けられる。そして現像及び周辺露光されたウエハ周縁部
のレジストの除去が終了すると，ウエハ表面にリンス液
がかけられ，前記現像液が洗い落とされる。なお第２の
処理装置群Ｇ2内には，当該現像処理装置ＤＥＶ1と同一
の機能を有する現像処理装置ＤＥＶ2が設けられてお
り，前記現像処理装置ＤＥＶ2において，ウエハＷに対
して現像処理を施すようにしてもよい。
【００４７】かかる現像工程が終了すると，ウエハＷは
前記主ウエハ搬送手段２２によって，前記現像処理装置
ＤＥＶ1から搬出され，以下各処理装置において順次ウ
エハＷに対する所定の処理が施されていく。このように
して所定の処理が終了したウエハＷは，ウエハ搬送体２
１によって載置台２０上の処理済みウエハ収容用のカセ
ットＣ内に収納される。
【００４８】上述した現像処理装置ＤＥＶ1のケーシン
グ６１内の雰囲気及びレジスト液塗布装置ＣＯＴ1のケ
ーシング７１内の雰囲気は排気管８１，導入管５０を経
由して前記フィルタ装置１０１へ導入され，当該フィル
タ装置１０１において気液接触により清浄化されると共
に，温湿度が調整され，前記塗布現像処理システム１内
の壁ダクト４６へ送出される。当該壁ダクト４６へ送出
された空気は，壁ダクト４６に連通されたサブチャンバ
６２，７２と，それぞれの下方に設けられた高性能フィ
ルタ６３，７３を経由して，前記ケーシング６１，７１
内へダウンフローとして吐出される。このようにケーシ
ング６１，７１内の雰囲気は工場排気系へと排気される
ことなく循環再利用されるために，工場排気系への負担
を軽減できるため，排気回収にかかるコストの削減が図
れる。また前記塗布現像処理システム１へ新たに供給す
る空気量を節約することができる。
【００４９】前記ケーシング６１内の下方にはセパレー
タ６４が，また当該ケーシング６１内の処理容器ＣＰの
底部にはセパレータ６７が設けられている。前記ケーシ
ング６１内の雰囲気中に，仮に大量の現像液が含まれて
いたとしても，当該セパレータ６４，６７によって気体
と液体に分離されるために，前記フィルタ装置１０１へ
は，現像液などの液体成分がほとんど含まれていない空
気を導入させることができる。同様に前記ケーシング７
１内の下方にはセパレータ７４が，また当該ケーシング
７１内の処理容器ＣＰの底部にはセパレータ７７が設け
られている。前記ケーシング７１内の雰囲気中に，仮に
大量のレジスト液が含まれていたとしても，当該セパレ
ータ７４，７７によって気体と液体に分離されるため
に，前記フィルタ装置１０１へは，レジスト液などの液
体成分がほとんど含まれていない空気を導入させること
ができる。従って前記フィルタ装置１０１への負担は軽
減されるため，気液接触による不純物除去処理を効率よ
く施すことができる。
【００５０】前記したレジスト液塗布装置ＣＯＴ1及び
現像処理装置ＤＥＶ1から排気された雰囲気は，排気管
８１を経由して塗布現像処理システム１の外部へダイレ
クトに送出されるために，前記塗布現像処理システム１
の内部に形成される清浄なダウンフローを乱すことはな
い。
【００５１】前記レジスト液塗布装置ＣＯＴ1及び現像
処理装置ＤＥＶ1から排気された雰囲気は前記フィルタ
装置１０１へ導入される前に，再度，気液分離が施され
るようにしてもよい。すなわち図７に示すように，前記
レジスト液塗布装置ＣＯＴ1及び現像処理装置ＤＥＶ1の
内部の雰囲気を塗布現像処理システム１の外部へ送出す
る排気管８１と，フィルタ装置１０１に接続されている
導入管５０との間にプレフィルタ装置２０１が配置され
るようにしてもよい。当該プレフィルタ装置２０１は不
織布などで構成してもよいし，慣性衝突させて液体成分
を除去するための複数のフィンを交互に配置する構成と
してもよい。
【００５２】前記プレフィルタ装置２０１によれば，排
気管８１を経由して送出される前記レジスト液塗布装置
ＣＯＴ1及び現像処理装置ＤＥＶ1の内部の雰囲気に含ま
れる液体成分は十分に除去されるため，その後のフィル
タ装置１０１への負担はより一層軽減され，不純物除去
効率の更なる向上が図れる。従って当該フィルタ装置１
０１のメンテナンスサイクルが長くなると共に，前記塗
布現像処理システム１の内部の雰囲気を，長期にわたり
清浄かつ好適な温湿度環境に維持できる。
【００５３】以上の実施の形態にかかる液処理装置は，
ウエハＷに対してレジスト液塗布処理や現像処理を行う
装置として構成されていたが，本発明はこれに限らずス
ピンナ洗浄装置などに対しても適用可能である。また被
処理基板も前記した半導体ウエハに限らず，ＬＣＤ基板
やＣＤ基板などであってもよい。
【００５４】
【発明の効果】請求項１の液処理装置によれば，ケーシ
ングからの排気の全てを工場排気系へ排気することな
く，不純物除去装置を経由して再使用することが可能で
ある。従って工場排気系への負担を軽減できると共に，
外部から新たに供給される気体の量を低減できる。また
気液分離手段が設けられたことで，不純物除去装置の負
担が軽減される。
【００５５】請求項２の液処理装置によれば，ケーシン
グ内に設けられた処理容器からの雰囲気の全てを工場排
気系へ排気することなく，不純物除去装置を経由して再
使用することが可能である。従って上記請求項１と同
様，工場排気系への負担を軽減できると共に，外部から
新たに供給される気体の量を低減できる。また気液分離
手段が設けられたことで，不純物除去装置の負担が軽減
される。
【００５６】さらに請求項３の液処理装置によれば，不
純物除去装置への負担をより一層軽減できるため，効率
のよい不純物除去処理が可能となる。
【００５７】請求項４の液処理方法によれば，ケーシン
グからの排気の全てを工場排気系へ排気することなく再
使用することが可能である。従って工場排気系への負担
を軽減できると共に，外部から新たに供給される気体の
量を低減できる。またケーシング内の雰囲気は不純物除
去液により清浄化され，温湿度調整された後に前記ケー
シングへ再び戻されるために，前記ケーシング内部は清
浄かつ好適な温湿度の雰囲気に保たれる。さらに気液分
離手段によって分離された気体のみを不純物除去液と接
触させるために，高い不純物除去効率が期待できる。
【００５８】請求項５の液処理方法によれば，ケーシン
グ内に設けられた処理容器内の雰囲気の全てを工場排気
系へ排気することなく再使用することが可能である。従
って，上記した請求項４の場合と同様に，工場排気系へ
の負担を軽減することが可能である。またケーシング内
の雰囲気は不純物除去液により清浄化され，温湿度調整
された後に前記ケーシングへ再び戻されるために，前記
ケーシング内部，さらに処理容器内部は清浄かつ好適な
温湿度の雰囲気に保たれる。さらに気液分離手段によっ
て分離された気体のみを不純物除去液と接触させるため
に，高い不純物除去効率が期待できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態にかかるレジスト液塗布装
置を内設する塗布現像処理システムの平面から見た説明
図である。
【図２】図１の塗布現像処理システムの正面から見た説
明図である。
【図３】図１の塗布現像処理システムの背面から見た説
明図である。
【図４】図１の塗布現像処理システムの内部を示す縦断
面の説明図である。
【図５】本発明の実施の形態にかかるレジスト液塗布装
置の内部を示す縦断面の説明図である。
【図６】図５のレジスト液塗布装置に用いたフィルタ装
置の内部を示す縦断面の説明図である。
【図７】図５のレジスト液塗布装置に用いたプレフィル
タ装置の配管系の説明図である。
【符号の説明】
１ 塗布現像処理システム ６１，７１ ケーシング ６４，６７，７４，７７ セパレータ ６５，７５ スピンチャック ６６，７６ ノズル １０１ フィルタ装置 ２０１ プレフィルタ装置 ＣＯＴ1，ＣＯＴ2 レジスト液塗布装置 ＣＰ 処理容器 ＤＥＶ1，ＤＥＶ2 現像処理装置 Ｗ ウエハ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 片野 貴之 山梨県韮崎市穂坂町三ツ沢650 東京エレ クトロン株式会社プロセステクノロジーセ ンター内

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ケーシング内に装備された処理容器内で
    被処理基板を保持しながら回転させる回転載置台と，前
    記回転載置台上の被処理基板の表面に対して処理液を供
    給する供給機構とを有する液処理装置において，前記ケ
    ーシング外に配置される不純物除去装置を具備し，当該
    不純物除去装置は，この不純物除去装置の取り入れ口か
    ら導入された対象気体を不純物除去液と接触させて清浄
    化する清浄部と，当該清浄部を通過した気体の温湿度を
    調整する温湿度調整部とを備え，前記ケーシング内の排
    気を行う排気系統には，排気中の液体を気体と分離する
    気液分離手段が設けられ，前記気液分離手段における気
    体側出口と，前記不純物除去装置の取り入れ口とが接続
    され，前記温湿度調整部を通過した気体を送出する送出
    口が，前記ケーシング内に清浄気体を供給する供給系統
    に接続されたことを特徴とする，液処理装置。
  2. 【請求項２】 ケーシング内に装備された処理容器内で
    被処理基板を保持しながら回転させる回転載置台と，前
    記回転載置台上の被処理基板の表面に対して処理液を供
    給する供給機構とを有する液処理装置において，前記ケ
    ーシング外に配置される不純物除去装置を具備し，当該
    不純物除去装置は，この不純物除去装置の取り入れ口か
    ら導入された対象気体を不純物除去液と接触させて清浄
    化する清浄部と，当該清浄部を通過した気体の温湿度を
    調整する温湿度調整部とを備え，前記処理容器内の排気
    を行う排気系統には，排気中の液体を気体と分離する気
    液分離手段が設けられ，前記気液分離手段における気体
    側出口と，前記不純物除去装置の取り入れ口とが接続さ
    れ，前記温湿度調整部を通過した気体を送出する送出口
    が，前記処理容器内に清浄気体を供給する供給系統に接
    続されたことを特徴とする，液処理装置。
  3. 【請求項３】 前記気液分離手段における気体側出口
    と，前記不純物除去装置の取り入れ口との間の接続系統
    中に，他の気液分離手段を設けたことを特徴とする，請
    求項１又は２に記載の液処理装置。
  4. 【請求項４】 ケーシング内に装備された処理容器内で
    被処理基板を保持しながら回転させ，当該被処理基板の
    表面に対して処理液を供給して所定の処理を行う方法に
    おいて，ケーシング内の排気中の液体を気体と分離する
    第１の工程と，前記分離した気体を不純物除去液と接触
    させて清浄化する第２の工程と，清浄化した気体の温湿
    度を調整する第３の工程と，温湿度調整した後の気体を
    ケーシング内に供給する第４の工程とを有することを特
    徴とする，液処理方法。
  5. 【請求項５】 ケーシング内に装備された処理容器内で
    被処理基板を保持しながら回転させ，当該被処理基板の
    表面に対して処理液を供給して所定の処理を行う方法に
    おいて，処理容器内の排気中の液体を気体と分離する第
    １の工程と，前記分離した気体を不純物除去液と接触さ
    せて清浄化する第２の工程と，清浄化した気体の温湿度
    を調整する第３の工程と，温湿度調整した後の気体を処
    理容器内に供給する第４の工程とを有することを特徴と
    する，液処理方法。
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