WO2020195533A1 - 基板処理装置、および、基板処理方法 - Google Patents

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WO2020195533A1
WO2020195533A1 PCT/JP2020/008253 JP2020008253W WO2020195533A1 WO 2020195533 A1 WO2020195533 A1 WO 2020195533A1 JP 2020008253 W JP2020008253 W JP 2020008253W WO 2020195533 A1 WO2020195533 A1 WO 2020195533A1
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WO
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substrate
pipe
processing
liquid
substrate processing
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PCT/JP2020/008253
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山口　直子
鮎美 樋口
恵理 藤田
翔太 岩畑
Original Assignee
株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス
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Publication date
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    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching

Definitions

  • the techniques disclosed in the specification of the present application relate to a substrate processing apparatus and a substrate processing method.
  • the substrate to be processed includes, for example, a flat panel display (FPD) substrate such as a semiconductor substrate, a liquid crystal display device or an organic EL (electruvantsence) display device, an optical disk substrate, a magnetic disk substrate, and a photomagnetic disk. Included are substrates, photomask substrates, ceramic substrates, printed circuit boards, solar cell substrates, and the like.
  • substrate In the manufacturing process of a semiconductor substrate (hereinafter, simply referred to as "substrate"), various processing is performed on the substrate by using a substrate processing apparatus.
  • a treatment liquid for treating the upper surface of the substrate is used for the treatment.
  • the processing liquid in the piping may permeate the components of the external atmosphere.
  • the components of the treatment liquid in the pipe may permeate into the outside atmosphere.
  • the components of the external atmosphere (including other treatment liquids that have penetrated into the external atmosphere) permeate into the treatment liquid to cause mixing, and particles may be generated in the treatment liquid.
  • Treatment liquid reduces the uniformity of the treatment liquid, which causes the uniformity of the substrate treatment using the treatment liquid to decrease. Further, when particles are generated in the treatment liquid, the particles may become deposits on the substrate.
  • the technique disclosed in the present specification has been made in view of the above-mentioned problems, and an object of the present invention is to provide a technique for mixing a treatment liquid and suppressing the generation of particles associated therewith. To do.
  • the first aspect of the technique disclosed in the present specification is that a plurality of pipes for supplying a treatment liquid for processing a substrate, a plurality of the pipes are connected, and the treatment liquid is used.
  • a substrate processing unit for processing the substrate and a pipe arrangement unit in which a plurality of the pipes are arranged close to each other are provided, and the pipe arrangement unit uses at least one of the plurality of the pipes as the other pipe. It is provided with at least one inner wall that is isolated from the piping and seals the atmosphere in each isolated compartment.
  • the second aspect of the technique disclosed in the present specification relates to the first aspect, and the piping arrangement portion is a fluid box adjacent to the substrate processing portion.
  • a third aspect of the technique disclosed herein relates to a first or second aspect, wherein the plurality of pipes are arranged in at least one of the compartments and the plurality of said in the same compartment.
  • the pipe is the pipe for supplying the same type of treatment liquid.
  • a fourth aspect of the technique disclosed in the present specification relates to any one of the first to third aspects, further comprising a gas supply unit for supplying gas into the compartment.
  • the fifth aspect of the technique disclosed in the present specification relates to the fourth aspect, and the gas supplied into the compartment by the gas supply unit is dry air or an inert gas.
  • a sixth aspect of the technique disclosed herein relates to any one of the first to fifth aspects, further comprising a pressure control unit for controlling pressure in the compartment, said pressure control unit.
  • the pressure in the compartment is controlled to be equal to or lower than the pressure in the pipe.
  • the seventh aspect of the technique disclosed in the present specification relates to the sixth aspect, in which the pressure control unit controls the pressure in the compartment to be equal to the pressure in the pipe.
  • the eighth aspect of the technique disclosed in the present specification relates to any one of the first to seventh aspects, wherein the inner wall is a first inner wall layer and the first inner wall layer.
  • a second inner wall layer made of a different material and laminated on the first inner wall layer is provided, and the first inner wall layer and the second inner wall layer connect between compartments isolated from each other. Stacked in the direction.
  • the ninth aspect of the technique disclosed in the present specification relates to the eighth aspect, and the second inner wall layer is made of metal or fluororesin.
  • a tenth aspect of the technique disclosed in the present specification relates to any one of the first to seventh aspects, wherein the inner wall comprises a first inner wall layer and the first inner wall layer.
  • a second inner wall layer in which a gap is formed is provided, and the first inner wall layer and the second inner wall layer are laminated in a direction connecting the compartments isolated from each other.
  • the eleventh aspect of the technique disclosed herein relates to a tenth aspect, wherein the inner wall further comprises a third inner wall layer formed in the gap, and the third inner wall layer comprises. It consists of metal or fluororesin.
  • a twelfth aspect of the technique disclosed in the present specification is that a pipe for supplying a treatment liquid for processing a substrate and the pipe are connected and the substrate is processed using the treatment liquid.
  • the piping includes a tubular first piping material that surrounds the flow path through which the treatment liquid flows, and a tubular second piping material that surrounds the first piping material. A closed gap is formed between the first piping material and the second piping material.
  • the thirteenth aspect of the technique disclosed in the present specification is related to the twelfth aspect, further comprising a gas supply unit for supplying gas into the gap.
  • a fourteenth aspect of the technique disclosed in the present specification is that a pipe for supplying a treatment liquid for treating a substrate is connected to the pipe and the substrate is treated with the treatment liquid.
  • the piping is made of a tubular first piping material surrounding a flow path through which the treatment liquid flows, and a material different from the first piping material, and the first piping material is provided.
  • the second piping material is provided with a tubular second piping material surrounding the piping material, and the second piping material is made of a metal containing SUS or a fluororesin containing PFA, PTFE or PVDF.
  • a fifteenth aspect of the technique disclosed in the present specification relates to a fourteenth aspect, wherein the pipe is made of a material different from the second pipe material and surrounds the second pipe material.
  • a tubular third piping material is further provided.
  • a sixteenth aspect of the technique disclosed in the present specification is a substrate processing unit in which a plurality of pipes for supplying a treatment liquid are connected and a substrate is processed by using the treatment liquid, and a plurality of substrates.
  • a substrate processing method for processing a substrate using a substrate processing apparatus including a piping arrangement portion in which the pipes are arranged close to each other, wherein the substrate processing portion processes the substrate using the processing liquid.
  • the pipe arrangement section comprises at least one inner wall that isolates at least one of the plurality of pipes from the other pipes and seals the atmosphere in each of the isolated compartments.
  • a seventeenth aspect of the technique disclosed herein relates to a sixteenth aspect, further comprising a step of supplying gas into the compartment.
  • the eighteenth aspect of the technique disclosed herein relates to the sixteenth or seventeenth aspect, further comprising a step of reducing the pressure in the compartment to less than or equal to the pressure in the piping.
  • a nineteenth aspect of the technique disclosed herein relates to any one of the 16th to 18th aspects, further comprising a step of making the pressure in the compartment equal to the pressure in the piping. ..
  • a twentieth aspect of the technique disclosed in the present specification is a substrate processing apparatus in which a pipe for supplying a processing liquid is connected and a substrate processing unit for processing a substrate using the processing liquid is provided.
  • the substrate processing unit includes a step of processing the substrate using the treatment liquid
  • the pipe is a cylinder surrounding a flow path through which the treatment liquid flows.
  • the 21st aspect of the technique disclosed in the present specification is related to the 20th aspect, further comprising a step of supplying gas into the gap.
  • a 22nd aspect of the technique disclosed in the present specification is a substrate processing apparatus in which a pipe for supplying a treatment liquid is connected and a substrate processing unit for processing a substrate using the treatment liquid is provided.
  • This is a substrate processing method for processing the substrate using the above, wherein the substrate processing unit includes a step of processing the substrate using the treatment liquid, and the pipe is a cylinder surrounding a flow path through which the treatment liquid flows.
  • the second piping material includes a first piping material having a shape, a second piping material having a shape different from the first piping material, and a tubular second piping material surrounding the first piping material. Consists of a metal containing SUS or a fluororesin containing PFA, PTFE or PVDF.
  • the closed gap between the first piping material and the second piping material effectively suppresses permeation inside and outside the piping. Therefore, it is possible to prevent the components of the external atmosphere from being mixed with the treatment liquid in the pipe.
  • the second piping material effectively suppresses the permeation inside and outside the piping, the components of the external atmosphere are the treatment liquid in the piping. It is possible to suppress mixing with.
  • the pipes arranged in close proximity permeate into the atmosphere outside the pipe. It is suppressed that the treated liquid is permeated into the piping in the adjacent section. Therefore, it is possible to suppress the mixing of the treatment liquid and the generation of particles accompanying it.
  • the closed gap between the first piping material and the second piping material effectively suppresses permeation inside and outside the piping. Therefore, it is possible to prevent the components of the external atmosphere from being mixed with the treatment liquid in the pipe.
  • the second piping material effectively suppresses the permeation inside and outside the piping, the components of the external atmosphere are mixed with the treatment liquid in the piping. Can be suppressed.
  • the upper surface of " or “the lower surface of " in addition to the upper surface of the target component itself, another surface of the target component may be used. It shall also include the state in which the components are formed. That is, for example, when it is described as “B provided on the upper surface of the instep", it does not prevent another component "Hei" from intervening between the instep and the second.
  • FIG. 1 is a diagram schematically showing an example of a configuration of a substrate processing apparatus according to the present embodiment. From the viewpoint of making the configuration easier to understand, some components may be omitted or simplified in the drawings.
  • the substrate processing device 1 is a single-wafer processing device that processes disk-shaped substrates W such as semiconductor wafers one by one.
  • the substrate processing apparatus 1 performs various treatments such as cleaning treatment or etching treatment on the substrate W.
  • the substrate processing apparatus 1 includes an indexer section 2 and a processing section 3 in this order in the positive direction of the X-axis.
  • the processing section 3 includes a transport region 30, a processing module 31, a processing module 32, and a processing module 33 in this order in the forward direction of the X-axis.
  • the indexer section 2 receives and processes the substrate container 21 capable of accommodating a plurality of substrates W in a laminated state, the stage 22 supporting the substrate container 21, and the unprocessed substrate W from the substrate container 21. It includes an indexer robot 23 that passes the substrate W that has been processed in section 3 to the substrate container 21.
  • stages 22 Although the number of stages 22 is set to one in the example of FIG. 1 for the sake of simplicity, more stages may be arranged in the Y-axis direction.
  • the substrate container 21 may be a front opening unified pod (FOUP) for accommodating the substrate W in a sealed state, a standard mechanical interface (SMIF) pod, an open cassette (OC), or the like. ..
  • FOUP front opening unified pod
  • SMIF standard mechanical interface
  • OC open cassette
  • the indexer robot 23 includes, for example, a base portion 23A, an articulated arm 23B, and two hands 23C and hands 23D provided at intervals in the vertical direction from each other.
  • the base portion 23A is fixed to, for example, a frame that defines the outer shape of the indexer section 2 of the substrate processing device 1.
  • the articulated arm 23B is configured by rotatably connecting a plurality of arm portions that can rotate along a horizontal plane, and the angle between the arm portions is set at the joint portion that is the joint portion of the arm portions. By changing, the arm portion is configured to be bendable and stretchable.
  • the base end portion of the articulated arm 23B is rotatably connected to the base portion 23A around the vertical axis. Further, the articulated arm 23B is movably coupled to the base portion 23A.
  • the hand 23C and the hand 23D are configured to be able to hold one substrate W, respectively.
  • the indexer robot 23 carries out one unprocessed substrate W from the substrate container 21 held on the stage 22 by using, for example, the hand 23C. Then, the indexer robot 23 passes the substrate W to the transport mechanism (not shown here) from the negative direction of the X-axis.
  • the transport mechanism includes a slide mechanism that moves on a linear rail, a transport robot that transports the substrate W in an arbitrary direction and height, and the like.
  • the indexer robot 23 receives one processed substrate W from the transport mechanism by using, for example, the hand 23D. Then, the indexer robot 23 accommodates the substrate W in the substrate container 21 held on the stage 22.
  • the transfer mechanism By the transfer mechanism, the substrate W is transferred between the position in the negative direction of the X-axis near the indexer section 2 and the respective liquid treatment units.
  • the transport region 30 is a space in which the substrate W is moved by the transport mechanism.
  • the processing module 31 in the processing section 3 includes a plurality of liquid processing units 31A that perform specified processing on the untreated substrate W supplied from the transport mechanism, a fluid box 41A that supplies the processing liquid to the liquid processing unit 31A, and liquid processing.
  • Each of the 41Cs is provided with a piping section 51 in which a plurality of piping for supplying the treatment fluid is arranged in close proximity to each other.
  • the processing module 32 in the processing section 3 includes a plurality of liquid processing units 32A that perform specified processing on the untreated substrate W supplied from the transport mechanism, and a fluid box 42A that supplies the processing liquid to the liquid processing unit 32A.
  • the fluid box 42C is provided with a piping portion 52 in which a plurality of piping for supplying the treatment liquid is arranged close to each other.
  • the processing module 33 in the processing section 3 includes a plurality of liquid processing units 33A that perform specified processing on the untreated substrate W supplied from the transport mechanism, and a fluid box 43A that supplies the processing liquid to the liquid processing unit 33A.
  • the fluid box 43C is provided with a piping unit 53 in which a plurality of piping for supplying the treatment liquid is arranged in close proximity to each other.
  • the liquid treatment unit 31A, the liquid treatment unit 31B, and the liquid treatment unit 31C are stacked in this order in the positive direction of the Z axis to form the treatment tower TW31.
  • liquid treatment unit 32A, the liquid treatment unit 32B, and the liquid treatment unit 32C are stacked in this order in the positive direction of the Z axis to form the treatment tower TW32.
  • liquid treatment unit 33A, the liquid treatment unit 33B, and the liquid treatment unit 33C are stacked in this order in the positive direction of the Z axis to form the treatment tower TW33.
  • the number of liquid treatment units was set to 9 in the example of FIG. 1 for the sake of simplicity, but the number of liquid treatment units is not limited to the case of the example of FIG.
  • each liquid treatment unit includes, for example, fluid treatment using a liquid for treatment (that is, treatment liquid) or gas, treatment using electromagnetic waves such as ultraviolet rays, or physical treatment. It includes various treatments such as cleaning treatments (eg, brush cleaning or spray nozzle cleaning).
  • the piping section 51 includes a pipe 51A, a pipe 51B and a pipe 51C through which the same or different treatment liquids flow, and a drainage pipe 51D through which the drainage from the liquid treatment unit 31A, the liquid treatment unit 31B and the liquid treatment unit 31C flows.
  • a pipe 51A, a pipe 51B and a pipe 51C through which the same or different treatment liquids flow
  • a drainage pipe 51D through which the drainage from the liquid treatment unit 31A, the liquid treatment unit 31B and the liquid treatment unit 31C flows.
  • the pipes 52A, 52B and 52C through which the same or different treatment liquids flow, and the drainage from the liquid treatment unit 32A, the liquid treatment unit 32B and the liquid treatment unit 32C flow.
  • the pipe 52D is arranged in close proximity (for example, at a distance of about 1 cm).
  • the piping unit 53 includes pipes 53A, 53B and 53C through which the same or different treatment liquids flow, and drainage from the liquid treatment unit 33A, the liquid treatment unit 33B and the liquid treatment unit 33C.
  • the pipe 53D is arranged in close proximity (for example, at a distance of about 1 cm).
  • a plurality of openings for connecting a plurality of pipes are provided at the lower part of each of the pipe portion 51, the pipe portion 52, and the pipe portion 53 in the negative direction of the Z axis. Further, a plurality of openings communicating with the fluid box are provided on the side surfaces of the piping portion 51, the piping portion 52, and the piping portion 53.
  • each pipe for supplying the treatment liquid in each of the pipe portion 51, the pipe portion 52, and the pipe portion 53 are connected to the opening in the lower portion in the negative direction of the Z axis, and the respective pipes
  • a branch pipe extending to the corresponding liquid treatment unit is connected to an opening that communicates with the fluid box.
  • each of the piping section 51, the piping section 52, and the piping section 53 has one end connected to the opening at the lower portion in the negative direction of the Z axis, and the other end of the branch is an opening communicating with the fluid box. Be connected.
  • FIG. 2 is a diagram schematically showing an example of a liquid processing unit 31A and a related configuration in the substrate processing apparatus according to the present embodiment.
  • the configurations of the other liquid treatment units are the same as those shown in FIG. 2.
  • the liquid processing unit 31A has a box-shaped processing chamber 250 having an internal space and a central portion of the substrate W while holding one substrate W in a horizontal posture in the processing chamber 250.
  • a spin chuck 251 for rotating the substrate W around the vertical rotation axis Z1 passing through the substrate W and a tubular processing cup 511 surrounding the spin chuck 251 around the rotation axis Z1 of the substrate W are provided.
  • the processing chamber 250 is surrounded by a box-shaped wall 250A.
  • the wall 250A is formed with an opening 250B for loading and unloading the substrate W into the processing chamber 250.
  • the opening 250B is opened and closed by the shutter 250C.
  • the shutter 250C has a closed position (indicated by a two-dot chain line in FIG. 2) that covers the opening 250B and an open position that opens the opening 250B (solid line in FIG. 2) by a shutter elevating mechanism (not shown here). Can be raised and lowered with (indicated by).
  • the spin chuck 251 includes a disc-shaped spin base 251A that vacuum-sucks the lower surface of the substrate W in a horizontal posture, and a rotation shaft 251C that extends downward from the central portion of the spin base 251A. It includes a spin motor 251D that rotates the substrate W adsorbed on the spin base 251A by rotating the rotating shaft 251C.
  • the spin chuck 251 is not limited to the vacuum suction type chuck shown in FIG. 2, and includes, for example, a plurality of chuck pins protruding upward from the outer peripheral portion of the upper surface of the spin base. It may be a sandwiching type chuck that sandwiches the peripheral edge portion of the substrate W.
  • a plurality of pipes extending from the adjacent fluid box 41A are connected to the liquid treatment unit 31A.
  • the fluid box 41A is isolated from each other, and each compartment is separated from each other, and each compartment is separated from the closed compartment 160, the closed compartment 164, the closed compartment 152, and the closed compartment 154. It is provided with an inner wall 141A, an inner wall 141B, and an inner wall 141C for sealing the compartment.
  • a pipe 51B for supplying the rinse liquid to the liquid treatment unit 31A and a rinse liquid valve 62 are arranged in the closed compartment 160.
  • a pipe 51A for supplying the cleaning liquid to the liquid treatment unit 31A and a cleaning liquid valve 66 are arranged in the closed compartment 164.
  • a pipe 51C for supplying the chemical solution to the liquid treatment unit 31A and a chemical solution valve 256 are arranged in the closed compartment 152.
  • a drainage pipe 51D through which the drainage from the liquid treatment unit 31A flows is arranged.
  • each closed compartment is isolated from the atmosphere outside the sealed compartment and sealed.
  • the "sealing" in the present embodiment is not limited to strict sealing, but is minute due to, for example, an opening (not shown here) required for passing a pipe through each sealed section. Even if a gap is created and the tight seal is not maintained by the gap, a state in which the gap is isolated from the outside atmosphere and does not mix with the outside atmosphere is also included.
  • each closed section Since the atmosphere of each closed section is isolated by the inner wall, the treatment liquid that has permeated into the atmosphere outside the pipe from the pipes arranged close to each other (for example, the pipes arranged at a distance of about 1 cm) is adjacent to each other. Penetration into the piping in the closed compartment is sufficiently suppressed.
  • permeation includes permeation of any component contained in the treatment liquid or the like.
  • the highly volatile treatment liquid easily permeates through the piping and into the piping, the treatment liquid that is heated during substrate processing (for example, when heated to 70 ° C. during substrate processing), etc. Then, it is particularly effective to suppress the mixing of the treatment liquid between the compartments by providing the above-mentioned inner wall.
  • the configuration of the fluid box corresponding to the other liquid treatment unit is the same as that of the fluid box 41A.
  • the pipe 51C passing through the closed section 152 in the fluid box 41A is connected to the liquid treatment unit 31A.
  • a chemical solution nozzle 252 is connected to the tip of the pipe 51C.
  • the chemical solution nozzle 252 discharges the chemical solution toward the upper surface of the substrate W held by the spin chuck 251.
  • an organic solvent such as IPA (isopropyl alcohol) or an inorganic solvent such as hydrochloric acid, hydrofluoric acid, sulfuric acid or ammonia is used.
  • the end of the pipe 51C opposite to the chemical solution nozzle 252 is inserted into the chemical solution tank 253 for storing the chemical solution supplied to the chemical solution nozzle 252.
  • the pipe 51C includes a liquid feeding device 255 (for example, a pump) that sends the chemical liquid in the chemical liquid tank 253 to the pipe 51C, a chemical liquid valve 256 that opens and closes the inside of the pipe 51C, and an upstream side (that is, that is) of the chemical liquid valve 256.
  • the circulation pipe 257 that connects the pipe 51C and the chemical liquid tank 253 on the chemical liquid tank 253 side), and the circulation valve 258 that opens and closes the inside of the circulation pipe 257.
  • liquid feeding device 255 and the chemical liquid tank 253 are arranged in the circulation cabinet 600.
  • the opening and closing of the chemical solution valve 256 and the circulation valve 258 is controlled by a control unit described later.
  • the chemical solution in the chemical solution tank 253 is supplied to the chemical solution nozzle 252
  • the chemical solution valve 256 is opened and the circulation valve 258 is closed.
  • the chemical liquid sent from the chemical liquid tank 253 to the pipe 51C by the liquid feeding device 255 is supplied to the chemical liquid nozzle 252.
  • the chemical solution valve 256 is closed and the circulation valve 258 is opened.
  • the chemical liquid sent from the chemical liquid tank 253 to the pipe 51C by the liquid feeding device 255 returns to the inside of the chemical liquid tank 253 through the circulation pipe 257. Therefore, while the supply of the chemical solution to the chemical solution nozzle 252 is stopped, the chemical solution continues to circulate in the circulation path composed of the chemical solution tank 253, the pipe 51C, and the circulation pipe 257.
  • the pipe 51B passing through the closed section 160 in the fluid box 41A is connected to the liquid treatment unit 31A.
  • a rinse liquid nozzle 60 is connected to the tip of the pipe 51B. The rinse liquid nozzle 60 discharges the rinse liquid toward the upper surface of the substrate W held by the spin chuck 251.
  • a rinse liquid supply source (not shown here) is connected to the end of the pipe 51B on the opposite side of the rinse liquid nozzle 60. Further, the pipe 51B is provided with a rinse liquid valve 62 for switching between supply and stop of the rinse liquid from the rinse liquid supply source to the rinse liquid nozzle 60.
  • DIW deionized water
  • the pipe 51A passing through the closed section 164 in the fluid box 41A is connected to the liquid treatment unit 31A.
  • a cleaning liquid nozzle 64 is connected to the tip of the pipe 51A. The cleaning liquid nozzle 64 discharges the cleaning liquid toward a predetermined portion (for example, spin base 251A) inside the processing chamber 250.
  • a cleaning liquid supply source (not shown here) is connected to the end of the pipe 51A on the opposite side of the cleaning liquid nozzle 64. Further, the pipe 51A is provided with a cleaning liquid valve 66 for switching between supply and stop of the cleaning liquid from the pipe 51A to the cleaning liquid nozzle 64.
  • the cleaning liquid DIW (deionized water) or the like is used.
  • the cleaning liquid nozzle 64 is attached to the inner wall of the processing chamber 250. While the substrate W is held by the spin chuck 251, the spin base 251A is rotated and the cleaning liquid is discharged from the cleaning liquid nozzle 64.
  • the cleaning liquid discharged from the cleaning liquid nozzle 64 bounces off the upper surface of the substrate W, and the cleaning liquid is scattered in the processing chamber 250.
  • various parts processing cup 511, etc. arranged in the processing chamber 250 can be cleaned.
  • the processing cup 511 is provided so as to surround the spin chuck 251 and is moved up and down in the vertical direction by a motor (not shown). The upper portion of the processing cup 511 moves up and down between an upper position whose upper end is above the substrate W held by the spin base 251A and a lower position whose upper end is below the substrate W.
  • the processing liquid scattered from the upper surface of the substrate W to the outside is received by the inner surface of the processing cup 511. Then, the treatment liquid received by the treatment cup 511 passes through the drainage port 513 provided at the bottom of the treatment chamber 250 and inside the treatment cup 511, and the drainage pipe 51D passing through the closed compartment 154. The liquid is appropriately drained to the outside of the processing chamber 250.
  • an exhaust port 515 is provided on the side of the processing chamber 250.
  • the atmosphere inside the processing chamber 250 is appropriately discharged to the outside of the processing chamber 250 through the exhaust port 515.
  • FIG. 3 is a functional block diagram showing an example of the connection relationship between each element of the substrate processing device 1 and the control unit 7.
  • control unit 7 has a central processing unit (CPU) 71 that performs various arithmetic processes and a read-only memory (read only memory, that is, ROM) that is a read-only memory that stores a basic program. ) 72, a random access memory (RAM) 73 which is a readable and writable memory for storing various information, and a non-transient storage unit 74 for storing a control application (program) or data. And.
  • CPU central processing unit
  • ROM read only memory
  • RAM random access memory
  • non-transient storage unit 74 for storing a control application (program) or data.
  • the CPU 71, ROM 72, RAM 73, and storage unit 74 are connected to each other by bus wiring 75 or the like.
  • the control application or data may be provided to the control unit 7 in a state of being recorded on a non-transient recording medium (for example, semiconductor memory, optical media, magnetic media, etc.).
  • a reading device that reads the control application or data from the recording medium may be connected to the bus wiring 75.
  • control application or data may be provided to the control unit 7 from a server or the like via a network.
  • the communication unit that performs network communication with the external device is connected to the bus wiring 75.
  • the input unit 76 and the display unit 77 are connected to the bus wiring 75.
  • the input unit 76 includes various input devices such as a keyboard and a mouse.
  • the operator inputs various information to the control unit 7 via the input unit 76.
  • the display unit 77 is composed of a display device such as a liquid crystal monitor, and displays various information.
  • the control unit 7 is a drive unit (for example, a chemical liquid valve 256, a circulation valve 258, a rinse liquid valve 62, a cleaning liquid valve 66, a shutter 250C or a spin motor 251D), and a drive unit (for example, a shutter 250C or a spin motor 251D) of each liquid treatment unit.
  • a drive unit for example, a shutter 250C or a spin motor 251D
  • it is connected to an operating portion of the indexer robot 23 (for example, a motor for driving an articulated arm 23B) or the like (such as a motor for reciprocating movement of a transfer mechanism), and controls their operation.
  • FIG. 4 is a diagram showing a modified example of the configuration of the fluid box. As shown in FIG. 4, in the fluid box 47, the pipe 51B for supplying the rinse liquid and the pipe 51A for supplying the cleaning liquid are arranged in the same closed compartment 166.
  • the chemical liquid pipe 51C is arranged in the closed compartment 167
  • the drainage pipe 51D is arranged in the closed compartment 168.
  • both the rinsing solution and the cleaning solution are the same treatment solution, for example, DIW (deionized water).
  • FIG. 5 is a diagram showing another modification of the configuration of the fluid box.
  • a gas supply unit 201, a gas supply unit 202, and a gas supply unit 203 are provided corresponding to the closed section 160, the closed section 164, and the closed section 152, respectively.
  • the gas supply unit 201, the gas supply unit 202, and the gas supply unit 203 supply the gas to the corresponding closed compartment, thereby replacing the gas retained in the closed compartment with the gas to be supplied.
  • the gas supply unit 201, the gas supply unit 202 and the gas supply unit 203 control the humidity in the corresponding closed compartment.
  • the gas supplied by the gas supply unit 201, the gas supply unit 202, and the gas supply unit 203 is, for example, an inert gas such as dry air or nitrogen. Further, the flow rate of the gas supplied by the gas supply unit 201, the gas supply unit 202, and the gas supply unit 203 is controlled by, for example, the control unit 7 shown in FIG.
  • the degree to which the moisture contained in the atmosphere in the closed compartment permeates into the pipes arranged in each closed compartment is determined. Can be lowered.
  • the water contained in the atmosphere outside the pipe permeates the IPA, which is the treatment liquid
  • the water concentration increases and the surface tension also increases, so that the pattern may be destroyed on the upper surface of the substrate during the drying treatment. Therefore, it is necessary to suppress the mixing of water and the like with the treatment liquid by the above-mentioned humidity control.
  • one gas supply unit may supply gas to a plurality of closed compartments.
  • a gas supply unit for supplying gas may be separately provided in the circulation cabinet 600 of FIG. 2 or the piping unit of FIG. According to such a configuration, it is possible to reduce the degree of permeation of moisture contained in the external atmosphere into the pipe by suppressing the humidity of the atmosphere around the pipe at those places as well.
  • FIG. 6 is a diagram showing another modification of the configuration of the fluid box. As shown in FIG. 6, in the fluid box 49, a pressure control unit 301, a pressure control unit 302, and a pressure control unit 303 are provided corresponding to the closed compartment 160, the closed compartment 164, and the closed compartment 152, respectively.
  • the pressure control unit 301, the pressure control unit 302, and the pressure control unit 303 control the pressure in the corresponding closed compartment by dry air, decompression with nitrogen, vacuum control, or the like. By doing so, the pressure control unit 301, the pressure control unit 302, and the pressure control unit 303 can control the balance between the pressure in the pipe in the closed compartment and the pressure in the closed compartment.
  • the pressure control operation of the pressure control unit 301, the pressure control unit 302, and the pressure control unit 303 is controlled by, for example, the control unit 7 shown in FIG. Based on the output value from a pressure gauge or the like that measures the pressure of the processing liquid in the pipe, the control unit 7 performs feedback control based on the output value, the pressure control unit 301, the pressure control unit 302, and the pressure control unit. You may go to 303.
  • the pressure outside the pipe in the closed compartment can be made equal to or less than the pressure inside the pipe in the closed compartment. Furthermore, the pressure outside the pipe in the closed compartment can be made equal to the pressure inside the pipe in the closed compartment.
  • the above "pressure is equal” not only when the pressure is strictly equal, but also, for example, within the range where the treatment liquid does not permeate inside and outside the pipe, the pressure outside the pipe in the closed section and the pressure outside the pipe. It shall be included when the pressure in the pipe in the closed section is different.
  • the pressure outside the pipe inside the closed compartment may be similarly controlled between the plurality of closed compartments.
  • one pressure control unit may be in a mode of controlling the pressure in a plurality of closed compartments.
  • a pressure control unit for controlling the pressure in the circulation cabinet 600 of FIG. 2 or the piping unit of FIG. 1 may be separately provided. According to such a configuration, it is possible to prevent the components contained in the atmosphere outside the pipe from being mixed with the treatment liquid inside the pipe due to the pressure difference between the inside and outside of the pipe even at those locations.
  • FIGS. 4, 5 and 6 may be applied in combination with each other.
  • An inner wall for isolating and sealing the atmosphere outside the pipe is provided not only in the fluid box but also in a place where a plurality of pipes are arranged close to each other, for example, in the pipe portion of FIG. May be good.
  • the above-mentioned inner wall may be an inner wall having the following structure, as long as it isolates the atmosphere of each closed section and seals the inner wall.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view showing a modified example of a partial configuration of the fluid box.
  • the cross-sectional structure of the inner wall of the fluid box is shown, but the thickness of each inner wall layer is for convenience, and the ratio of the actual thickness including the outer wall of the fluid box is shown. It's not a thing.
  • the fluid box 44 includes at least an inner wall layer 144A and an inner wall layer 144B that separate the closed compartment 160 and the closed compartment 164.
  • the inner wall layer 144A and the inner wall layer 144B are in contact with each other and are laminated in the direction connecting the closed compartment 160 and the closed compartment 164. Further, the inner wall layer 144A is made of a material different from that of the inner wall layer 144B.
  • the number of inner walls included in the fluid box 44 is not limited to the number shown in FIG.
  • one of the inner wall layer 144A and the inner wall layer 144B is not particularly limited, but is, for example, a metal such as stainless steel (SUS), or , Perfluoroalkoxy alkane (PFA), polytetrafluoroethylene (PTFE) or polyvinylidene fluoride (PVDF) may be a fluororesin.
  • a metal such as stainless steel (SUS), or , Perfluoroalkoxy alkane (PFA), polytetrafluoroethylene (PTFE) or polyvinylidene fluoride (PVDF) may be a fluororesin.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view showing another modification of the configuration of a part of the fluid box.
  • the fluid box 45 includes at least an inner wall layer 145A and an inner wall layer 145B that isolate between the closed compartment 160 and the closed compartment 164.
  • the inner wall layer 145A and the inner wall layer 145B may be, for example, a metal such as SUS or a fluororesin such as PFA, PTFE or PVDF.
  • the inner wall layer 145A and the inner wall layer 145B are separated from each other, and a gap 165 which is an air layer is formed between the inner wall layer 145A and the inner wall layer 145B. Further, the inner wall layer 145A and the inner wall layer 145B are laminated in a direction connecting the closed section 160 and the closed section 164 with the air layer interposed therebetween.
  • the number of inner walls included in the fluid box 45 is not limited to that shown in FIG.
  • the gap 165 between the inner wall layer 145A and the inner wall layer 145B effectively suppresses the permeation between the sections, so that the mixing of the treatment liquid in the pipe can be suppressed.
  • a gas supply unit for supplying gas to the above gap 165 may be separately provided. According to such a configuration, by suppressing the humidity of the atmosphere in the gap 165 to a low level, it is possible to reduce the degree to which the moisture contained in the atmosphere in the gap 165 permeates into the pipe.
  • At least one of the inner wall layer 145A and the inner wall layer 145B may be made of a metal such as SUS or a fluororesin such as PFA, PTFE or PVDF.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view showing another modification of the configuration of a part of the fluid box.
  • the fluid box 46 includes at least an inner wall layer 146A, an inner wall layer 146B and an inner wall layer 146C that isolate between the closed compartment 160 and the closed compartment 164.
  • the inner wall layer 146A and the inner wall layer 146C may be, for example, a metal such as SUS or a fluororesin such as PFA, PTFE or PVDF.
  • the inner wall layer 146B is made of a material different from that of the inner wall layer 146A and the inner wall layer 146C, and is formed between the inner wall layer 146A and the inner wall layer 146C.
  • the inner wall layer 146A and the inner wall layer 146B are in contact with each other, and the inner wall layer 146B and the inner wall layer 146C are in contact with each other. Further, the inner wall layer 146A, the inner wall layer 146B, and the inner wall layer 146C are laminated in the direction connecting the closed section 160 and the closed section 164.
  • the number of inner walls included in the fluid box 46 is not limited to that shown in FIG.
  • the inner wall layer 146B is not particularly limited, but may be made of, for example, a metal such as SUS or a fluororesin such as PFA, PTFE or PVDF.
  • the inner wall layer 146B does not face any of the closed compartment 160 and the closed compartment 164. Therefore, it is possible to prevent the atmosphere from being contaminated due to the components of the material for suppressing permeation being mixed into the atmosphere in the closed compartment.
  • FIGS. 7, 8 and 9 may be applied to the plurality of inner walls provided in the fluid box.
  • the present invention is not limited to the fluid box.
  • the piping portion of FIG. 1, the inside of the circulation cabinet 600 of FIG. 2, the circulation cabinet 600 of FIG. It is desirable to separate the atmosphere outside the pipe from the atmosphere inside the pipe by making the pipes to be arranged double pipes in the area including the pipe path connecting the pipes.
  • the treatment liquid in the pipe is treated by separating the atmosphere inside and outside the pipe by double piping. The effect of suppressing the mixing of is great.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view showing an example of the configuration of the double pipe. Although the cross-sectional structure of the pipe is shown in the following figure, the thickness of each pipe material is for convenience and does not show the actual thickness ratio or the like.
  • the pipe 350 further includes a tubular pipe material 350A surrounding a flow path (central portion in FIG. 10) through which a treatment liquid such as a rinse liquid, a cleaning liquid, or a chemical liquid flows, and a pipe material 350A. It is provided with a tubular piping material 350B that surrounds it.
  • the piping material 350B is made of a material different from that of the piping material 350A.
  • the shapes of the piping material 350A and the piping material 350B are not limited to the cylindrical shape as shown in FIG. 10, and may be, for example, a square cylinder shape.
  • the piping material 350A is made of a resin material such as PFA.
  • the piping material 350B is made of a material different from that of the piping material 350A.
  • the piping material 350B is not particularly limited, but may be, for example, a metal such as SUS or a fluororesin such as PFA, PTFE or PVDF.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view showing another example of the configuration of the double pipe.
  • the pipe 351 includes a tubular pipe material 351A that surrounds the flow path through which the treatment liquid flows (the central portion of FIG. 11), and a tubular pipe material 351B that further surrounds the pipe material 351A.
  • a tubular piping material 351C that further surrounds the piping material 351B is provided.
  • the piping material 351B is made of a material different from that of the piping material 351A and the piping material 351C.
  • the shapes of the piping material 351A, the piping material 351B, and the piping material 351C are not limited to the cylindrical shape as shown in FIG. 11, and may be, for example, a square cylinder shape.
  • the piping material 351A and the piping material 351C are made of a resin material such as PFA.
  • the piping material 351A and the piping material 351C may be made of the same material.
  • the piping material 351B is made of a material different from the piping material 351A and the piping material 351C.
  • the piping material 351B is not particularly limited, but may be, for example, a metal such as SUS or a fluororesin such as PFA, PTFE or PVDF.
  • the piping material 351B effectively suppresses the permeation inside and outside the pipe, it is possible to suppress the mixing of the treatment liquid in the pipe. Further, by further providing the piping material 351C, for example, the piping material 351B made of a metal such as SUS or a fluororesin such as PFA, PTFE or PVDF is not exposed to the atmosphere outside the piping. The reaction that may occur between the material 351B and the atmosphere outside the pipe can be suppressed.
  • FIG. 12 is a cross-sectional view showing another example of the configuration of the double pipe.
  • the pipe 352 includes a tubular pipe material 352A that surrounds the flow path through which the treatment liquid flows (the central portion of FIG. 12), and a tubular pipe material 352B that further surrounds the pipe material 352A.
  • the shapes of the piping material 352A and the piping material 352B are not limited to the cylindrical shape as shown in FIG. 12, and may be, for example, a square cylinder shape.
  • a gap 353 which is a closed space, is formed between the piping material 352A and the piping material 352B.
  • the piping material 352A and the piping material 352B are made of a resin material such as PFA.
  • the gap 353 between the piping material 352A and the piping material 352B effectively suppresses the permeation inside and outside the piping, so that the components of the external atmosphere become the treatment liquid in the piping. Mixing can be suppressed.
  • a gas supply unit 354 for supplying gas may be separately provided in the gap 353. According to such a configuration, by suppressing the humidity of the atmosphere in the gap 353 to a low level, it is possible to reduce the degree to which the moisture contained in the atmosphere of the gap 353 permeates into the pipe.
  • the substrate processing apparatus includes a plurality of pipes (pipe 51A, pipe 51B and pipe 51C), a board processing unit, and a pipe arrangement unit.
  • the substrate processing unit corresponds to, for example, the liquid processing unit 31A.
  • the pipe arranging portion corresponds to a place where a plurality of pipes are arranged in close proximity, such as a fluid box 41A or a piping portion 51.
  • the piping supplies a treatment liquid (including a chemical liquid, a rinsing liquid, and a cleaning liquid) for treating the substrate W.
  • a plurality of pipes are connected to the liquid treatment unit 31A. Further, the liquid treatment unit 31A treats the substrate W with the treatment liquid.
  • the fluid box 41A a plurality of pipes are arranged close to each other. Further, the fluid box 41A separates at least one of the plurality of pipes 51A from the other pipes 51B, and creates an atmosphere in each of the isolated sections (sealed section 160 and closed section 164 in FIG. 2). It is provided with an inner wall 141A to be sealed.
  • the piping arrangement portion is a fluid box adjacent to the liquid treatment unit 31A.
  • the inner wall is provided in the fluid box in which a plurality of pipes connected to the liquid treatment unit 31A are arranged in close proximity to the pipes arranged in close proximity across the closed compartment. The treatment liquid that has permeated into the atmosphere outside the pipe is sufficiently suppressed from permeating into the pipe in the adjacent closed section.
  • a plurality of pipes 51A and 51B are arranged in at least one closed section 166.
  • the plurality of pipes 51A and 51B in the same closed compartment 166 are pipes for supplying the same type of treatment liquid. According to such a configuration, it is possible to suppress mixing through the atmosphere between different treatment liquids while reducing the number of inner walls.
  • the substrate processing apparatus includes a gas supply unit 201, a gas supply unit 202, and a gas supply unit 203 that supply gas into the closed compartment.
  • a gas supply unit 201 by keeping the humidity in the closed compartment low, it is possible to reduce the degree of permeation of moisture and the like contained in the atmosphere in the closed compartment into the pipes arranged in each closed compartment. it can.
  • the gas supplied into the closed compartment 160 by the gas supply unit 201 is dry air or an inert gas. According to such a configuration, the humidity can be controlled so as to keep the humidity in the closed compartment low.
  • the substrate processing apparatus includes a pressure control unit 301 that controls the pressure in the closed compartment 160. Then, the pressure control unit 301 controls the pressure in the closed section 160 to be equal to or lower than the pressure in the pipe 51B. According to such a configuration, it is possible to prevent components (for example, moisture) contained in the atmosphere outside the pipe from being mixed with the treatment liquid in the pipe due to the pressure difference between the inside and outside of the pipe.
  • the pressure control unit 301 controls the pressure in the closed section 160 so as to be equal to the pressure in the pipe 51B. According to such a configuration, it is possible to prevent components (for example, moisture) contained in the atmosphere outside the pipe from being mixed with the treatment liquid in the pipe due to the pressure difference between the inside and outside of the pipe.
  • the inner wall includes a first inner wall layer and a second inner wall layer.
  • the first inner wall layer corresponds to, for example, any one of the inner wall layer 144A and the inner wall layer 146A.
  • the second inner wall layer corresponds to, for example, any one of the inner wall layer 144B and the inner wall layer 146B.
  • the inner wall layer 144B is made of a material different from that of the inner wall layer 144A.
  • the inner wall layer 144B is laminated on the inner wall layer 144A.
  • the inner wall layer 146B is made of a different material than the inner wall layer 146A.
  • the inner wall layer 146B is laminated on the inner wall layer 146A.
  • first inner wall layer and the second inner wall layer are laminated in a direction connecting the compartments isolated from each other.
  • the inner wall layer 144B inner wall layer 146B
  • the inner wall layer 144B and the inner wall layer 146B are made of metal or fluororesin. According to such a configuration, the inner wall layer 144B (inner wall layer 146B) effectively suppresses the permeation between the sections, so that the mixing of the treatment liquid in the pipe can be suppressed.
  • the inner wall includes a first inner wall layer and a second inner wall layer.
  • the first inner wall layer corresponds to, for example, any one of the inner wall layer 145A and the inner wall layer 146A.
  • the second inner wall layer corresponds to, for example, any one of the inner wall layer 145B and the inner wall layer 146C.
  • a gap 165 is formed between the inner wall layer 145B and the inner wall layer 145A.
  • the inner wall layer 145A and the inner wall layer 145B are laminated in the direction connecting the compartments isolated from each other. According to such a configuration, the gap 165 between the inner wall layer 145A and the inner wall layer 145B effectively suppresses the permeation between the sections, so that the mixing of the treatment liquid in the pipe can be suppressed.
  • the inner wall includes a third inner wall layer formed in the gap between the inner wall layer 146A and the inner wall layer 146C.
  • the third inner wall layer corresponds to, for example, the inner wall layer 146B.
  • the inner wall layer 146B is made of metal or fluororesin. According to such a configuration, the inner wall layer 146B does not face any of the closed compartments 160 and 164. Therefore, it is possible to prevent the atmosphere from being contaminated due to the material for suppressing permeation being mixed into the atmosphere in the closed compartment.
  • the pipe 352 for supplying the processing liquid for processing the substrate W and the pipe 352 are connected and the processing liquid is used.
  • a liquid processing unit 31A for processing the substrate W is provided.
  • the pipe 352 includes a tubular first piping material and a tubular second piping material.
  • the first piping material corresponds to, for example, the piping material 352A.
  • the second piping material corresponds to, for example, the piping material 352B.
  • the piping material 352A surrounds the flow path through which the treatment liquid flows.
  • the piping material 352B surrounds the piping material 352A. Then, a sealed gap 353 is formed between the piping material 352A and the piping material 352B.
  • the gap 353 between the piping material 352A and the piping material 352B effectively suppresses the permeation inside and outside the piping, so that the components of the external atmosphere (for example, moisture) are the treatment liquid in the piping. It is possible to suppress mixing with.
  • the substrate processing apparatus includes a gas supply unit 354 that supplies gas into the gap 353.
  • a gas supply unit 354 that supplies gas into the gap 353.
  • the pipe 350 for supplying the processing liquid for processing the substrate W and the pipe 350 are connected to each other, and the processing liquid is used.
  • a liquid processing unit 31A for processing the substrate W is provided.
  • the pipe 350 includes a tubular first piping material and a tubular second piping material.
  • the first piping material corresponds to, for example, the piping material 350A.
  • the second piping material corresponds to, for example, the piping material 350B.
  • the piping material 350A surrounds the flow path through which the treatment liquid flows.
  • the piping material 350B is made of a material different from that of the piping material 350A. Further, the piping material 350B surrounds the piping material 350A.
  • the piping material 350B is made of a metal such as SUS or a fluororesin such as PFA, PTFE or PVDF. According to such a configuration, since the piping material 350B effectively suppresses the permeation inside and outside the pipe, it is possible to prevent the components of the external atmosphere from being mixed with the treatment liquid in the pipe.
  • the pipe 351 includes a tubular third pipe material.
  • the third piping material corresponds to, for example, the piping material 351C.
  • the piping material 351C is made of a material different from that of the piping material 351B. Further, the piping material 351C surrounds the piping material 351B. According to such a configuration, by providing the piping material 351C, the piping material 351B made of a metal such as SUS or a fluororesin such as PFA, PTFE or PVDF is not exposed to the atmosphere outside the piping. Therefore, it is possible to suppress a reaction that may occur between the piping material 351B and the atmosphere outside the piping.

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Abstract

処理液の混合およびそれに伴うパーティクルの発生を抑制するための技術を提供する。基板処理装置は、基板の処理を行うための処理液を供給するための複数の配管と、複数の配管が接続され、かつ、処理液を用いて基板を処理するための基板処理部と、複数の配管が互いに近接して配置される配管配置部とを備え、配管配置部は、複数のうちの少なくとも１つの配管を他の配管と隔離し、かつ、隔離されたそれぞれの区画における雰囲気を密閉する少なくとも１つの内壁を備える。

Description

基板処理装置、および、基板処理方法
　本願明細書に開示される技術は、基板処理装置、および、基板処理方法に関するものである。なお、処理対象となる基板には、たとえば、半導体基板、液晶表示装置または有機ＥＬ（ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）表示装置などのｆｌａｔ　ｐａｎｅｌ　ｄｉｓｐｌａｙ（ＦＰＤ）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、プリント基板、または、太陽電池用基板などが含まれる。
　従来より、半導体基板（以下、単に「基板」と称する）の製造工程では、基板処理装置を用いて基板に対して様々な処理が行われている。当該処理には、当該基板の上面を処理するための処理液が用いられる。
　基板の処理には一般に複数の処理液が用いられるため、基板処理装置においては、これらの処理液を基板へ供給するための複数の配管が用いられる（たとえば、特許文献１を参照）。
特開２０１８－１６３９７７号公報
　配管内の処理液には、外部の雰囲気の成分が浸透する場合がある。逆に、配管内の処理液の成分が、外部の雰囲気へ浸透する場合もある。
　そうすると、処理液内に外部の雰囲気の成分（外部の雰囲気へ浸透した他の処理液を含む）が浸透することによって混合が生じ、さらに、処理液中にパーティクルが発生する場合がある。
　処理液の混合は処理液の均一性を低下させるため、当該処理液を用いる基板処理の均一性を低下させる原因となる。また、処理液中にパーティクルが発生すると、当該パーティクルが基板への付着物となる場合がある。
　本願明細書に開示される技術は、以上に記載されたような問題を鑑みてなされたものであり、処理液の混合およびそれに伴うパーティクルの発生を抑制するための技術を提供することを目的とするものである。
　本願明細書に開示される技術の第１の態様は、基板の処理を行うための処理液を供給するための複数の配管と、複数の前記配管が接続され、かつ、前記処理液を用いて前記基板を処理するための基板処理部と、複数の前記配管が互いに近接して配置される配管配置部とを備え、前記配管配置部は、複数のうちの少なくとも１つの前記配管を他の前記配管と隔離し、かつ、隔離されたそれぞれの区画における雰囲気を密閉する少なくとも１つの内壁を備える。
　本願明細書に開示される技術の第２の態様は、第１の態様に関連し、前記配管配置部は、前記基板処理部に隣接する流体ボックスである。
　本願明細書に開示される技術の第３の態様は、第１または２の態様に関連し、少なくとも１つの前記区画内には、複数の前記配管が配置され、同じ前記区画内における複数の前記配管は、同種の前記処理液を供給するための前記配管である。
　本願明細書に開示される技術の第４の態様は、第１から３のうちのいずれか１つの態様に関連し、前記区画内に気体を供給する気体供給部をさらに備える。
　本願明細書に開示される技術の第５の態様は、第４の態様に関連し、前記気体供給部によって前記区画内に供給される前記気体は、ドライエアーまたは不活性ガスである。
　本願明細書に開示される技術の第６の態様は、第１から５のうちのいずれか１つの態様に関連し、前記区画内における圧力を制御する圧力制御部をさらに備え、前記圧力制御部が、前記区画内における圧力を、前記配管内における圧力以下に制御する。
　本願明細書に開示される技術の第７の態様は、第６の態様に関連し、前記圧力制御部が、前記区画内における圧力を、前記配管内における圧力と等しくなるように制御する。
　本願明細書に開示される技術の第８の態様は、第１から７のうちのいずれか１つの態様に関連し、前記内壁は、第１の内壁層と、前記第１の内壁層とは異なる材料からなり、かつ、前記第１の内壁層に積層される第２の内壁層とを備え、前記第１の内壁層と前記第２の内壁層とは、互いに隔離される区画間を結ぶ方向に積層される。
　本願明細書に開示される技術の第９の態様は、第８の態様に関連し、前記第２の内壁層は、金属またはフッ素樹脂からなる。
　本願明細書に開示される技術の第１０の態様は、第１から７のうちのいずれか１つの態様に関連し、前記内壁は、第１の内壁層と、前記第１の内壁層との間に隙間が形成される第２の内壁層とを備え、前記第１の内壁層と前記第２の内壁層とは、互いに隔離される区画間を結ぶ方向に積層される。
　本願明細書に開示される技術の第１１の態様は、第１０の態様に関連し、前記内壁は、前記隙間に形成される第３の内壁層をさらに備え、前記第３の内壁層は、金属またはフッ素樹脂からなる。
　本願明細書に開示される技術の第１２の態様は、基板を処理するための処理液を供給するための配管と、前記配管が接続され、かつ、前記処理液を用いて前記基板を処理するための基板処理部とを備え、前記配管は、前記処理液が流れる流路を囲む筒状の第１の配管材と、前記第１の配管材を囲む筒状の第２の配管材とを備え、前記第１の配管材と前記第２の配管材との間に密閉された隙間が形成される。
　本願明細書に開示される技術の第１３の態様は、第１２の態様に関連し、前記隙間内に気体を供給する気体供給部をさらに備える。
　本願明細書に開示される技術の第１４の態様は、基板を処理するための処理液を供給するための配管と、前記配管が接続され、かつ、前記処理液を用いて前記基板を処理するための基板処理部とを備え、前記配管は、前記処理液が流れる流路を囲む筒状の第１の配管材と、前記第１の配管材とは異なる材料からなり、かつ、前記第１の配管材を囲む筒状の第２の配管材とを備え、前記第２の配管材は、ＳＵＳを含む金属、または、ＰＦＡ、ＰＴＦＥまたはＰＶＤＦを含むフッ素樹脂からなる。
　本願明細書に開示される技術の第１５の態様は、第１４の態様に関連し、前記配管は、前記第２の配管材とは異なる材料からなり、かつ、前記第２の配管材を囲む筒状の第３の配管材をさらに備える。
　本願明細書に開示される技術の第１６の態様は、処理液を供給するための複数の配管が接続され、かつ、前記処理液を用いて基板を処理するための基板処理部と、複数の前記配管が互いに近接して配置される配管配置部とを備える基板処理装置を用いて前記基板を処理する基板処理方法であり、前記基板処理部が、前記処理液を用いて前記基板を処理する工程を備え、前記配管配置部は、複数のうちの少なくとも１つの前記配管を他の前記配管と隔離し、かつ、隔離されたそれぞれの区画における雰囲気を密閉する少なくとも１つの内壁を備える。
　本願明細書に開示される技術の第１７の態様は、第１６の態様に関連し、前記区画内に気体を供給する工程をさらに備える。
　本願明細書に開示される技術の第１８の態様は、第１６または１７の態様に関連し、前記区画内における圧力を、前記配管内における圧力以下にする工程をさらに備える。
　本願明細書に開示される技術の第１９の態様は、第１６から１８のうちのいずれか１つの態様に関連し、前記区画内における圧力を、前記配管内における圧力と等しくする工程をさらに備える。
　本願明細書に開示される技術の第２０の態様は、処理液を供給するための配管が接続され、かつ、前記処理液を用いて基板の処理を行うための基板処理部を備える基板処理装置を用いて前記基板の処理を行う基板処理方法であり、前記基板処理部が、前記処理液を用いて前記基板を処理する工程を備え、前記配管は、前記処理液が流れる流路を囲む筒状の第１の配管材と、前記第１の配管材を囲む筒状の第２の配管材とを備え、前記第１の配管材と前記第２の配管材との間に密閉された隙間が形成される。
　本願明細書に開示される技術の第２１の態様は、第２０の態様に関連し、前記隙間内に気体を供給する工程をさらに備える。
　本願明細書に開示される技術の第２２の態様は、処理液を供給するための配管が接続され、かつ、前記処理液を用いて基板の処理を行うための基板処理部を備える基板処理装置を用いて前記基板の処理を行う基板処理方法であり、前記基板処理部が、前記処理液を用いて前記基板を処理する工程を備え、前記配管は、前記処理液が流れる流路を囲む筒状の第１の配管材と、前記第１の配管材とは異なる材料からなり、かつ、前記第１の配管材を囲む筒状の第２の配管材とを備え、前記第２の配管材は、ＳＵＳを含む金属、または、ＰＦＡ、ＰＴＦＥまたはＰＶＤＦを含むフッ素樹脂からなる。
　本願明細書に開示される技術の第１から１１の態様によれば、内壁によってそれぞれの区画の雰囲気が隔離されているため、近接して配置された配管から当該配管外の雰囲気へ浸透した処理液が、隣接する区画における配管内へ浸透することが抑制される。よって、処理液の混合およびそれに伴うパーティクルの発生を抑制することができる。
　また、本願明細書に開示される技術の第１２または１３の態様によれば、第１の配管材と第２の配管材との間の密閉された隙間が配管内外の浸透を効果的に抑制するため、外部の雰囲気の成分が配管内の処理液に混合することを抑制することができる。
　また、本願明細書に開示される技術の第１４または１５の態様によれば、第２の配管材が配管内外の浸透を効果的に抑制するため、外部の雰囲気の成分が配管内の処理液に混合することを抑制することができる。
　また、本願明細書に開示される技術の第１６から１９の態様によれば、内壁によってそれぞれの区画の雰囲気が隔離されているため、近接して配置された配管から当該配管外の雰囲気へ浸透した処理液が、隣接する区画における配管内へ浸透することが抑制される。よって、処理液の混合およびそれに伴うパーティクルの発生を抑制することができる。
　また、本願明細書に開示される技術の第２０または２１の態様によれば、第１の配管材と第２の配管材との間の密閉された隙間が配管内外の浸透を効果的に抑制するため、外部の雰囲気の成分が配管内の処理液に混合することを抑制することができる。
　また、本願明細書に開示される技術の第２２の態様によれば、第２の配管材が配管内外の浸透を効果的に抑制するため、外部の雰囲気の成分が配管内の処理液に混合することを抑制することができる。
　また、本願明細書に開示される技術に関連する目的と、特徴と、局面と、利点とは、以下に示される詳細な説明と添付図面とによって、さらに明白となる。
実施の形態に関する、基板処理装置の構成の例を概略的に示す図である。 実施の形態に関する基板処理装置における、液処理ユニットおよび関連する構成の例を概略的に示す図である。 基板処理装置の各要素と制御部との接続関係の例を示す機能ブロック図である。 流体ボックスの構成の変形例を示す図である。 流体ボックスの構成の他の変形例を示す図である。 流体ボックスの構成の他の変形例を示す図である。 流体ボックスの一部の構成の変形例を示す断面図である。 流体ボックスの一部の構成の他の変形例を示す断面図である。 流体ボックスの一部の構成の他の変形例を示す断面図である。 二重配管の構成の例を示す断面図である。 二重配管の構成の他の例を示す断面図である。 二重配管の構成の他の例を示す断面図である。
　以下、添付される図面を参照しながら実施の形態について説明する。以下の実施の形態では、技術の説明のために詳細な特徴なども示されるが、それらは例示であり、実施の形態が実施可能となるためにそれらすべてが必ずしも必須の特徴ではない。
　なお、図面は概略的に示されるものであり、説明の便宜のため、適宜、構成の省略、または、構成の簡略化が図面においてなされるものである。また、異なる図面にそれぞれ示される構成などの大きさおよび位置の相互関係は、必ずしも正確に記載されるものではなく、適宜変更され得るものである。また、断面図ではない平面図などの図面においても、実施の形態の内容を理解することを容易にするために、ハッチングが付される場合がある。
　また、以下に示される説明では、同様の構成要素には同じ符号を付して図示し、それらの名称と機能とについても同様のものとする。したがって、それらについての詳細な説明を、重複を避けるために省略する場合がある。
　また、以下に記載される説明において、ある構成要素を「備える」「含む」または「有する」などと記載される場合、特に断らない限りは、他の構成要素の存在を除外する排他的な表現ではない。
　また、以下に記載される説明において、「第１の」、または、「第２の」などの序数が用いられる場合があっても、これらの用語は、実施の形態の内容を理解することを容易にするために便宜上用いられるものであり、これらの序数によって生じ得る順序などに限定されるものではない。
　また、以下に記載される説明における、相対的または絶対的な位置関係を示す表現、たとえば、「平行」「中心」などは、特に断らない限りは、その位置関係を厳密に示す場合、および、公差または同程度の機能が得られる範囲において角度または距離が変位している場合を含むものとする。
　また、以下に記載される説明において、等しい状態であることを示す表現、たとえば、「同一」「等しい」「均一」などは、特に断らない限りは、厳密に等しい状態であることを示す場合、および、公差または同程度の機能が得られる範囲において差が生じている場合を含むものとする。
　また、以下に記載される説明において、「上」、「下」、「左」、「右」、「側」、「底」、「表」または「裏」などの特定の位置と方向とを意味する用語が用いられる場合があっても、これらの用語は、実施の形態の内容を理解することを容易にするために便宜上用いられるものであり、実際に実施される際の方向とは関係しないものである。
　また、以下に記載される説明において、「…の上面」または「…の下面」などと記載される場合、対象となる構成要素の上面自体に加えて、対象となる構成要素の上面に他の構成要素が形成された状態も含むものとする。すなわち、たとえば、「甲の上面に設けられる乙」と記載される場合、甲と乙との間に別の構成要素「丙」が介在することを妨げるものではない。
　また、以下に記載される説明において、形状を示す表現、たとえば、「四角形状」または「円筒形状」などは、特に断らない限りは、厳密にその形状であることを示す場合、および、公差または同程度の機能が得られる範囲において凹凸または面取りなどが形成されている場合を含むものとする。
　＜実施の形態＞
　以下、本実施の形態に関する基板処理装置、および、基板処理方法について説明する。
　＜基板処理装置の構成について＞
　図１は、本実施の形態に関する基板処理装置の構成の例を概略的に示す図である。なお、構成を理解しやすくする観点から、当該図面においては、一部の構成要素が省略、または、簡略化されて示される場合がある。
　基板処理装置１は、半導体ウエハなどの円板状の基板Ｗを１枚ずつ処理する枚葉式の処理装置である。基板処理装置１は、基板Ｗに対して洗浄処理またはエッチング処理などの各種処理を行う。
　図１に例が示されるように、基板処理装置１は、Ｘ軸正方向に向かって順に、インデクサセクション２と、処理セクション３とを備える。
　また、処理セクション３は、Ｘ軸正方向に向かって順に、搬送領域３０と、処理モジュール３１と、処理モジュール３２と、処理モジュール３３とを備える。
　＜インデクサセクション＞
　インデクサセクション２は、複数枚の基板Ｗを積層状態で収容可能な基板収容器２１と、基板収容器２１を支持するステージ２２と、基板収容器２１から未処理の基板Ｗを受け取り、また、処理セクション３において処理が完了した基板Ｗを基板収容器２１へ渡すインデクサロボット２３とを備える。
　なお、ステージ２２の数は、図１の例では簡単のため１つとされたが、それ以上の数がＹ軸方向に並べられていてもよい。
　基板収容器２１は、基板Ｗを密閉状態で収納するｆｒｏｎｔ　ｏｐｅｎｉｎｇ　ｕｎｉｆｉｅｄ　ｐｏｄ（ＦＯＵＰ）であってもよいし、ｓｔａｎｄａｒｄ　ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ　ｉｎｔｅｒ　ｆａｃｅ（ＳＭＩＦ）ポッド、または、ｏｐｅｎ　ｃａｓｓｅｔｔｅ（ＯＣ）などであってもよい。
　インデクサロボット２３は、たとえば、基台部２３Ａと、多関節アーム２３Ｂと、互いに鉛直方向に間隔をあけて設けられる２つのハンド２３Ｃおよびハンド２３Ｄとを備える。
　基台部２３Ａは、たとえば、基板処理装置１のインデクサセクション２の外形を規定するフレームに固定されている。
　多関節アーム２３Ｂは、水平面に沿って回動可能な複数本のアーム部が互いに回動可能に結合されて構成されており、当該アーム部の結合箇所である関節部でアーム部間の角度を変更することによって、当該アーム部が屈伸可能に構成されている。
　また、多関節アーム２３Ｂの基端部は、基台部２３Ａに対して、鉛直軸回りに回動可能に結合されている。さらに、多関節アーム２３Ｂは、基台部２３Ａに対して昇降可能に結合されている。
　ハンド２３Ｃおよびハンド２３Ｄは、１枚の基板Ｗをそれぞれ保持可能に構成されている。
　インデクサロボット２３は、ステージ２２に保持された基板収容器２１から１枚の未処理の基板Ｗを、たとえばハンド２３Ｃを用いて搬出する。そして、インデクサロボット２３は、Ｘ軸負方向から、搬送機構（ここでは、図示せず）に当該基板Ｗを渡す。なお、当該搬送機構には、直線状のレール上を移動するスライド機構、または、任意の方向および高さに基板Ｗを搬送する搬送ロボットなどが含まれる。
　さらに、インデクサロボット２３は、搬送機構から１枚の処理済みの基板Ｗを、たとえばハンド２３Ｄを用いて受け取る。そして、インデクサロボット２３は、ステージ２２に保持された基板収容器２１に当該基板Ｗを収容する。
　＜処理セクション＞
　搬送機構によって、基板Ｗは、インデクサセクション２に近いＸ軸負方向の位置と、それぞれの液処理ユニットとの間で搬送される。搬送領域３０は、搬送機構によって基板Ｗが移動する空間である。
　処理セクション３における処理モジュール３１は、搬送機構から供給される未処理の基板Ｗに規定処理を行う複数の液処理ユニット３１Ａと、液処理ユニット３１Ａに処理液を供給する流体ボックス４１Ａと、液処理ユニット３１Ｂと、液処理ユニット３１Ｂに処理液を供給する流体ボックス４１Ｂと、液処理ユニット３１Ｃと、液処理ユニット３１Ｃに処理液を供給する流体ボックス４１Ｃと、流体ボックス４１Ａ、流体ボックス４１Ｂおよび流体ボックス４１Ｃそれぞれに処理液を供給するための複数の配管が近接して配置される配管部５１とを備える。
　同様に、処理セクション３における処理モジュール３２は、搬送機構から供給される未処理の基板Ｗに規定処理を行う複数の液処理ユニット３２Ａと、液処理ユニット３２Ａに処理液を供給する流体ボックス４２Ａと、液処理ユニット３２Ｂと、液処理ユニット３２Ｂに処理液を供給する流体ボックス４２Ｂと、液処理ユニット３２Ｃと、液処理ユニット３２Ｃに処理液を供給する流体ボックス４２Ｃと、流体ボックス４２Ａ、流体ボックス４２Ｂおよび流体ボックス４２Ｃそれぞれに処理液を供給するための複数の配管が近接して配置される配管部５２とを備える。
　同様に、処理セクション３における処理モジュール３３は、搬送機構から供給される未処理の基板Ｗに規定処理を行う複数の液処理ユニット３３Ａと、液処理ユニット３３Ａに処理液を供給する流体ボックス４３Ａと、液処理ユニット３３Ｂと、液処理ユニット３３Ｂに処理液を供給する流体ボックス４３Ｂと、液処理ユニット３３Ｃと、液処理ユニット３３Ｃに処理液を供給する流体ボックス４３Ｃと、流体ボックス４３Ａ、流体ボックス４３Ｂおよび流体ボックス４３Ｃそれぞれに処理液を供給するための複数の配管が近接して配置される配管部５３を備える。
　液処理ユニット３１Ａ、液処理ユニット３１Ｂおよび液処理ユニット３１Ｃは、Ｚ軸正方向に順に重ねられており、処理タワーＴＷ３１を構成する。
　同様に、液処理ユニット３２Ａ、液処理ユニット３２Ｂおよび液処理ユニット３２Ｃは、Ｚ軸正方向に順に重ねられており、処理タワーＴＷ３２を構成する。
　同様に、液処理ユニット３３Ａ、液処理ユニット３３Ｂおよび液処理ユニット３３Ｃは、Ｚ軸正方向に順に重ねられており、処理タワーＴＷ３３を構成する。
　なお、液処理ユニットの数は、図１の例では簡単のため９つとされたが、液処理ユニットの数は図１の例の場合に限られるものではない。
　また、それぞれの液処理ユニットにおいて基板Ｗに対して行われる規定処理には、たとえば、処理用の液体（すなわち、処理液）またはガスを用いる流体処理、紫外線などの電磁波を用いる処理、または、物理洗浄処理（たとえば、ブラシ洗浄またはスプレーノズル洗浄など）などの各種の処理が含まれる。
　配管部５１には、互いに同一または異なる処理液が流れる配管５１Ａ、配管５１Ｂおよび配管５１Ｃと、液処理ユニット３１Ａ、液処理ユニット３１Ｂおよび液処理ユニット３１Ｃからの排液が流れる排液用配管５１Ｄとが近接して（たとえば、１ｃｍ程度の距離に）配置される。
　同様に、配管部５２には、互いに同一または異なる処理液が流れる配管５２Ａ、配管５２Ｂおよび配管５２Ｃと、液処理ユニット３２Ａ、液処理ユニット３２Ｂおよび液処理ユニット３２Ｃからの排液が流れる排液用配管５２Ｄとが近接して（たとえば、１ｃｍ程度の距離に）配置される。
　同様に、配管部５３には、互いに同一または異なる処理液が流れる配管５３Ａ、配管５３Ｂおよび配管５３Ｃと、液処理ユニット３３Ａ、液処理ユニット３３Ｂおよび液処理ユニット３３Ｃからの排液が流れる排液用配管５３Ｄとが近接して（たとえば、１ｃｍ程度の距離に）配置される。
　配管部５１、配管部５２および配管部５３それぞれのＺ軸負方向の下部には、複数の配管が接続される複数の開口が設けられている。また、配管部５１、配管部５２および配管部５３それぞれの側面には、流体ボックスに連通する複数の開口が設けられている。
　そして、配管部５１、配管部５２および配管部５３それぞれにおける処理液を供給するためのそれぞれの配管は、Ｚ軸負方向の下部における開口に一端および他端が接続され、かつ、それぞれの配管の対応する液処理ユニットに延びる分岐配管が、流体ボックスに連通する開口に接続される。
　また、配管部５１、配管部５２および配管部５３それぞれにおける排液用配管は、Ｚ軸負方向の下部における開口に一端が接続され、かつ、分岐する他端が、流体ボックスに連通する開口に接続される。
　図２は、本実施の形態に関する基板処理装置における、液処理ユニット３１Ａおよび関連する構成の例を概略的に示す図である。なお、他の液処理ユニットの構成も、図２に例が示される場合と同様である。
　図２に例が示されるように、液処理ユニット３１Ａは、内部空間を有する箱形の処理室２５０と、処理室２５０内で１枚の基板Ｗを水平姿勢で保持しつつ基板Ｗの中央部を通る鉛直な回転軸線Ｚ１まわりに基板Ｗを回転させるスピンチャック２５１と、基板Ｗの回転軸線Ｚ１まわりにスピンチャック２５１を取り囲む筒状の処理カップ５１１とを備える。
　処理室２５０は、箱状の壁２５０Ａによって囲まれている。壁２５０Ａには、処理室２５０内に基板Ｗを搬出入するための開口部２５０Ｂが形成されている。
　開口部２５０Ｂは、シャッタ２５０Ｃによって開閉される。シャッタ２５０Ｃは、シャッタ昇降機構（ここでは、図示せず）によって、開口部２５０Ｂを覆う閉位置（図２において二点鎖線で示される）と、開口部２５０Ｂを開放する開位置（図２において実線で示される）との間で昇降させられる。
　図２に例が示されるように、スピンチャック２５１は、水平姿勢の基板Ｗの下面を真空吸着する円板状のスピンベース２５１Ａと、スピンベース２５１Ａの中央部から下方に延びる回転軸２５１Ｃと、回転軸２５１Ｃを回転させることにより、スピンベース２５１Ａに吸着されている基板Ｗを回転させるスピンモータ２５１Ｄとを備える。
　なお、スピンチャック２５１は、図２に例が示された真空吸着式のチャックである場合に限られず、たとえば、スピンベースの上面外周部から上方に突出する複数のチャックピンを備え、当該チャックピンによって基板Ｗの周縁部を挟持する挟持式のチャックであってもよい。
　図２に例が示されるように、液処理ユニット３１Ａには、隣接する流体ボックス４１Ａから延びる複数の配管が接続されている。
　ここで、流体ボックス４１Ａは、互いに隔離され、かつ、それぞれが密閉された区画である密閉区画１６０、密閉区画１６４、密閉区画１５２および密閉区画１５４と、それぞれの区画間を隔離し、かつ、それぞれの区画を密閉させる内壁１４１Ａ、内壁１４１Ｂおよび内壁１４１Ｃとを備える。
　図２の例では、密閉区画１６０には、液処理ユニット３１Ａにリンス液を供給するための配管５１Ｂおよびリンス液バルブ６２が配置されている。また、密閉区画１６４には、液処理ユニット３１Ａに洗浄液を供給するための配管５１Ａおよび洗浄液バルブ６６が配置されている。また、密閉区画１５２には、液処理ユニット３１Ａに薬液を供給するための配管５１Ｃおよび薬液バルブ２５６が配置されている。また、密閉区画１５４には、液処理ユニット３１Ａからの排液が流れる排液用配管５１Ｄが配置されている。
　それぞれの密閉区画内の雰囲気は、当該密閉区画外の雰囲気からは隔離されて密閉されている。なお、本実施の形態における「密閉」には、厳密な密閉だけでなく、たとえば、それぞれの密閉区画内に配管を通すために必要となる開口部（ここでは、図示せず）などによって微小な隙間が生じて、当該隙間によって厳密な密閉が保たれていない場合であっても、外部の雰囲気と隔離され混ざり合わない程度の状態も含まれるものとする。
　内壁によってそれぞれの密閉区画の雰囲気が隔離されているため、近接して配置された配管（たとえば、１ｃｍ程度の距離に配置された配管）から当該配管外の雰囲気へ浸透した処理液が、隣接する密閉区画内の配管内へ浸透することは十分に抑制される。
　ここで、浸透とは、処理液などに含まれるいずれかの成分が浸透することを含むものとする。
　揮発性が高い処理液は配管から浸透しやすく、また、配管内へ浸透しやすいため、基板処理の際に加熱される処理液（たとえば、基板処理の際に７０℃に加熱される場合）などでは、上記の内壁が設けられることによって区画間の処理液の混合を抑制することは特に有効である。
　なお、他の液処理ユニットに対応する流体ボックスの構成も、流体ボックス４１Ａと同様である。
　流体ボックス４１Ａにおける密閉区画１５２を通る配管５１Ｃは、液処理ユニット３１Ａに接続されている。そして、配管５１Ｃの先端には、薬液ノズル２５２が接続されている。薬液ノズル２５２は、スピンチャック２５１に保持されている基板Ｗの上面に向けて薬液を吐出する。薬液としては、たとえば、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）などの有機溶剤、または、塩酸、フッ酸、硫酸またはアンモニアなどの無機溶剤が用いられる。
　配管５１Ｃの、薬液ノズル２５２とは反対側の端部は、薬液ノズル２５２に供給される薬液を貯留する薬液タンク２５３内に挿入される。また、配管５１Ｃには、薬液タンク２５３内の薬液を配管５１Ｃに送る送液装置２５５（たとえば、ポンプ）と、配管５１Ｃの内部を開閉する薬液バルブ２５６と、薬液バルブ２５６よりも上流側（すなわち、薬液タンク２５３側）で配管５１Ｃと薬液タンク２５３とを接続する循環配管２５７と、循環配管２５７の内部を開閉する循環バルブ２５８とが設けられる。
　また、たとえば、送液装置２５５および薬液タンク２５３は、循環キャビネット６００内に配置される。
　薬液バルブ２５６および循環バルブ２５８の開閉は、後述の制御部によって制御される。薬液タンク２５３内の薬液が薬液ノズル２５２に供給される場合には、薬液バルブ２５６が開かれ、循環バルブ２５８が閉じられる。この状態では、送液装置２５５によって薬液タンク２５３から配管５１Ｃに送られた薬液が、薬液ノズル２５２に供給される。
　一方、薬液ノズル２５２への薬液の供給が停止される場合には、薬液バルブ２５６が閉じられ、循環バルブ２５８が開かれる。この状態では、送液装置２５５によって薬液タンク２５３から配管５１Ｃに送られた薬液が、循環配管２５７を通じて薬液タンク２５３内に戻る。そのため、薬液ノズル２５２への薬液の供給が停止されている供給停止中は、薬液が、薬液タンク２５３、配管５１Ｃおよび循環配管２５７によって構成された循環経路を循環し続ける。
　また、図２に例が示されるように、流体ボックス４１Ａにおける密閉区画１６０を通る配管５１Ｂが、液処理ユニット３１Ａに接続されている。そして、配管５１Ｂの先端には、リンス液ノズル６０が接続されている。リンス液ノズル６０は、スピンチャック２５１に保持されている基板Ｗの上面に向けてリンス液を吐出する。
　配管５１Ｂの、リンス液ノズル６０とは反対側の端部には、リンス液供給源（ここでは、図示せず）が接続される。また、配管５１Ｂには、リンス液供給源からリンス液ノズル６０へのリンス液の供給および供給停止を切り換えるリンス液バルブ６２が設けられる。リンス液としては、ＤＩＷ（脱イオン水）などが用いられる。
　リンス液ノズル６０からリンス液が基板Ｗに供給されることによって、基板Ｗに付着している付着物などを洗い流すことができる。
　また、図２に例が示されるように、流体ボックス４１Ａにおける密閉区画１６４を通る配管５１Ａが、液処理ユニット３１Ａに接続されている。そして、配管５１Ａの先端には、洗浄液ノズル６４が接続されている。洗浄液ノズル６４は、処理室２５０の内側の所定部位（たとえばスピンベース２５１Ａ）に向けて洗浄液を吐出する。
　配管５１Ａの、洗浄液ノズル６４とは反対側の端部には、洗浄液供給源（ここでは、図示せず）が接続される。また、配管５１Ａには、配管５１Ａから洗浄液ノズル６４への洗浄液の供給および供給停止を切り換える洗浄液バルブ６６が設けられる。洗浄液としては、ＤＩＷ（脱イオン水）などが用いられる。
　洗浄液ノズル６４は、処理室２５０の内壁に取り付けられている。スピンチャック２５１に基板Ｗが保持された状態で、スピンベース２５１Ａが回転されると共に、洗浄液ノズル６４から洗浄液が吐出される。
　そして、洗浄液ノズル６４から吐出される洗浄液が、基板Ｗの上面で跳ね返って、処理室２５０内に洗浄液が飛散する。洗浄液をこのように飛散させることで、処理室２５０内に配置された各種部品（処理カップ５１１など）を洗浄することができる。
　処理カップ５１１は、スピンチャック２５１の周囲を取り囲むように設けられており、図示しないモータによって、鉛直方向に昇降する。処理カップ５１１の上部は、その上端がスピンベース２５１Ａに保持された基板Ｗよりも上側となる上位置と、当該基板Ｗよりも下側になる下位置との間で昇降する。
　基板Ｗの上面から外側に飛散した処理液は、処理カップ５１１の内側面に受け止められる。そして、処理カップ５１１に受け止められた処理液は、処理室２５０の底部で、かつ、処理カップ５１１の内側に設けられた排液口５１３、さらには、密閉区画１５４を通る排液用配管５１Ｄを介して、処理室２５０の外部に適宜排液される。
　また、処理室２５０の側部には、排気口５１５が設けられている。排気口５１５を通じて、処理室２５０内の雰囲気が処理室２５０外に適宜排出される。
　上記において、たとえば、密閉区画１６４と密閉区画１５２とは内壁１４１Ｂによって互いの雰囲気が隔離されているため、密閉区画１６４における配管５１Ａから浸透する洗浄液と、密閉区画１５２における配管５１Ｃから浸透する薬液とが、雰囲気を介して混合することは十分に抑制される。
　よって、処理液の混合が生じ、さらに、処理液中にパーティクルが発生することを、ともに十分に抑制することができる。
　図３は、基板処理装置１の各要素と制御部７との接続関係の例を示す機能ブロック図である。
　制御部７のハードウェア構成は、一般的なコンピュータと同様である。すなわち、制御部７は、各種演算処理を行う中央演算処理装置（ｃｅｎｔｒａｌ　ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ　ｕｎｉｔ、すなわち、ＣＰＵ）７１と、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるリードオンリーメモリー（ｒｅａｄ　ｏｎｌｙ　ｍｅｍｏｒｙ、すなわち、ＲＯＭ）７２と、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるランダムアクセスメモリー（ｒａｎｄｏｍ　ａｃｃｅｓｓ　ｍｅｍｏｒｙ、すなわち、ＲＡＭ）７３と、制御用アプリケーション（プログラム）またはデータなどを記憶する非一過性の記憶部７４とを備える。
　ＣＰＵ７１、ＲＯＭ７２、ＲＡＭ７３および記憶部７４は、バス配線７５などによって互いに接続されている。
　制御アプリケーションまたはデータは、非一過性の記録媒体（たとえば、半導体メモリ、光学メディアまたは磁気メディアなど）に記録された状態で、制御部７に提供されてもよい。この場合、当該記録媒体から制御アプリケーションまたはデータを読み取る読み取り装置がバス配線７５に接続されているとよい。
　また、制御アプリケーションまたはデータは、ネットワークを介してサーバーなどから制御部７に提供されてもよい。この場合、外部装置とネットワーク通信を行う通信部がバス配線７５に接続されているとよい。
　バス配線７５には、入力部７６および表示部７７が接続されている。入力部７６はキーボードおよびマウスなどの各種入力デバイスを含む。作業者は、入力部７６を介して制御部７に各種情報を入力する。表示部７７は、液晶モニタなどの表示デバイスで構成されており、各種情報を表示する。
　制御部７は、それぞれの液処理ユニットの作動部（たとえば、薬液バルブ２５６、循環バルブ２５８、リンス液バルブ６２、洗浄液バルブ６６、シャッタ２５０Ｃまたはスピンモータ２５１Ｄなど）、搬送機構を駆動させる駆動部（たとえば、搬送機構の往復移動のためのモータなど）、インデクサロボット２３の作動部（たとえば、多関節アーム２３Ｂを駆動させるためのモータなど）などに接続されており、それらの動作を制御する。
　＜流体ボックスの変形例＞
　図２に示された例では、それぞれの密閉区画に１本の配管が配置されていたが、１つの密閉区画に複数本の配管が配置されていてもよい。
　図４は、流体ボックスの構成の変形例を示す図である。図４に示されるように、流体ボックス４７では、リンス液を供給するための配管５１Ｂと洗浄液を供給するための配管５１Ａとが同一の密閉区画１６６に配置されている。
　一方で、薬液の配管５１Ｃは密閉区画１６７に配置され、排液用配管５１Ｄは密閉区画１６８に配置されている。
　ここで、リンス液および洗浄液は、ともに同一の処理液、たとえば、ＤＩＷ（脱イオン水）であるものとする。
　図４に示されるような構成によれば、内壁の数を削減しつつも、異なる処理液間の雰囲気を介する混合を抑制することができる。
　図５は、流体ボックスの構成の他の変形例を示す図である。図５に示されるように、流体ボックス４８では、密閉区画１６０、密閉区画１６４および密閉区画１５２それぞれに対応して、気体供給部２０１、気体供給部２０２および気体供給部２０３が設けられる。
　気体供給部２０１、気体供給部２０２および気体供給部２０３は、対応する密閉区画に気体を供給することによって、当該密閉区画内の滞留していた気体を供給する気体に置換させる。そうすることによって、気体供給部２０１、気体供給部２０２および気体供給部２０３は、対応する密閉区画内の湿度を制御する。
　なお、気体供給部２０１、気体供給部２０２および気体供給部２０３が供給する気体は、たとえば、ドライエアーまたは窒素などの不活性ガスである。また、気体供給部２０１、気体供給部２０２および気体供給部２０３が供給する気体の流量は、たとえば、図３に示された制御部７によって制御される。
　図５に示されるような構成によれば、密閉区画内の湿度を低く抑えることによって、それぞれの密閉区画に配置された配管内に当該密閉区画内の雰囲気に含まれる水分などが浸透する度合いを低くすることができる。
　たとえば、処理液であるＩＰＡに配管外の雰囲気に含まれる水分が浸透した場合、水分濃度が上昇し表面張力も大きくなるため、乾燥処理に伴って基板の上面におけるパターン破壊などが生じ得る。そのため、処理液への水分などの混合は、上記の湿度制御によって抑制する必要がある。
　なお、１つの気体供給部が、複数の密閉区画に気体を供給する態様であってもよい。
　また、図２の循環キャビネット６００内または図１の配管部内に気体を供給する気体供給部が別途設けられていてもよい。このような構成によれば、それらの箇所においても、当該箇所における配管周りの雰囲気の湿度を低く抑えることによって、配管内に外部の雰囲気に含まれる水分が浸透する度合いを低くすることができる。
　図６は、流体ボックスの構成の他の変形例を示す図である。図６に示されるように、流体ボックス４９では、密閉区画１６０、密閉区画１６４および密閉区画１５２それぞれに対応して、圧力制御部３０１、圧力制御部３０２および圧力制御部３０３が設けられる。
　圧力制御部３０１、圧力制御部３０２および圧力制御部３０３は、ドライエアー、窒素での減圧または真空制御などによって、対応する密閉区画内の圧力を制御する。そうすることによって、圧力制御部３０１、圧力制御部３０２および圧力制御部３０３は、密閉区画における配管内の圧力と、密閉区画内の圧力とのバランスを制御することができる。
　なお、圧力制御部３０１、圧力制御部３０２および圧力制御部３０３の圧力制御動作は、たとえば、図３に示された制御部７によって制御される。制御部７は、配管内の処理液の圧力を測定する圧力計などからの出力値に基づいて、当該出力値を基準とするフィードバック制御を、圧力制御部３０１、圧力制御部３０２および圧力制御部３０３に行ってもよい。
　図６に示されるような構成によれば、密閉区画内における配管外の圧力を、当該密閉区画における配管内の圧力以下とすることができる。さらには、密閉区画内における配管外の圧力を、当該密閉区画における配管内の圧力と等しくすることもできる。ただし、上記の「圧力が等しい」場合には、厳密に圧力が等しい場合だけでなく、たとえば、配管の内外で処理液の浸透が生じない範囲内で、密閉区画内における配管外の圧力と、当該密閉区画における配管内の圧力とが異なっている場合も含まれるものとする。
　図６に示されるような構成によれば、配管内外の圧力差によって配管外の雰囲気に含まれる成分が配管内の処理液に混合することを抑制する、望ましくは防ぐことができる。
　なお、複数の密閉区画間で、密閉区画内における配管外の圧力が同様に制御されてもよい。その場合、１つの圧力制御部が、複数の密閉区画における圧力を制御する態様であってもよい。
　また、図２の循環キャビネット６００内または図１の配管部内の圧力を制御する圧力制御部が別途設けられていてもよい。このような構成によれば、それらの箇所においても、配管内外の圧力差によって配管外の雰囲気に含まれる成分が配管内の処理液に混合することを抑制することができる。
　なお、図４、図５および図６の態様が、互いに組み合わせられて適用されてもよい。
　＜内壁の変形例＞
　配管外の雰囲気を隔離し、かつ、密閉するための内壁は、流体ボックスだけでなく、特に、複数の配管が近接して配置される箇所、たとえば、図１の配管部などにおいて設けられていてもよい。
　また、上記の内壁は、それぞれの密閉区画の雰囲気を隔離し、かつ、密閉するものであればよいが、以下のような構造の内壁であってもよい。
　図７は、流体ボックスの一部の構成の変形例を示す断面図である。なお、以下の図では、流体ボックスにおける内壁の断面構造が示されるが、それぞれの内壁層の厚さは便宜的なものであり、流体ボックスの外壁を含めて実際の厚さの比率などを示すものではない。
　流体ボックス４４は、少なくとも、密閉区画１６０と密閉区画１６４との間を隔離する内壁層１４４Ａおよび内壁層１４４Ｂを備える。内壁層１４４Ａと内壁層１４４Ｂとは互いに接触し、かつ、密閉区画１６０と密閉区画１６４とを結ぶ方向に積層されている。また、内壁層１４４Ａは、内壁層１４４Ｂとは異なる材料からなる。なお、流体ボックス４４が備える内壁の数は図７に示される数に限られるものではない。
　ここで、内壁層１４４Ａおよび内壁層１４４Ｂのうちの一方（図７においては内壁層１４４Ｂだが、逆であってもよい）は、特に限定されないが、たとえば、ステンレス鋼（ＳＵＳ）などの金属、または、パーフルオロアルコキシアルカン（ＰＦＡ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）またはポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）などのフッ素樹脂であってもよい。
　図７に示されるような構成によれば、内壁層１４４Ｂが区画間の浸透を効果的に抑制するため、配管内の処理液の混合を抑制することができる。
　図８は、流体ボックスの一部の構成の他の変形例を示す断面図である。流体ボックス４５は、少なくとも、密閉区画１６０と密閉区画１６４との間を隔離する内壁層１４５Ａおよび内壁層１４５Ｂを備える。内壁層１４５Ａおよび内壁層１４５Ｂは、たとえば、ＳＵＳなどの金属、または、ＰＦＡ、ＰＴＦＥまたはＰＶＤＦなどのフッ素樹脂であってもよい。
　内壁層１４５Ａと内壁層１４５Ｂとは互いに離間しており、内壁層１４５Ａと内壁層１４５Ｂとの間に空気層である隙間１６５が形成されている。また、内壁層１４５Ａと内壁層１４５Ｂとは、空気層を挟んで、密閉区画１６０と密閉区画１６４とを結ぶ方向に積層されている。なお、流体ボックス４５が備える内壁の数は図８に示されるものに限られるものではない。
　このような構成によれば、内壁層１４５Ａと内壁層１４５Ｂとの間の隙間１６５が区画間の浸透を効果的に抑制するため、配管内の処理液の混合を抑制することができる。
　さらに、上記の隙間１６５に気体を供給する気体供給部が別途設けられていてもよい。このような構成によれば、隙間１６５における雰囲気の湿度を低く抑えることによって、隙間１６５の雰囲気に含まれる水分が配管内に浸透する度合いを低くすることができる。
　なお、内壁層１４５Ａおよび内壁層１４５Ｂのうちの少なくとも一方は、ＳＵＳなどの金属、または、ＰＦＡ、ＰＴＦＥまたはＰＶＤＦなどのフッ素樹脂からなっていてもよい。
　図９は、流体ボックスの一部の構成の他の変形例を示す断面図である。流体ボックス４６は、少なくとも、密閉区画１６０と密閉区画１６４との間を隔離する内壁層１４６Ａ、内壁層１４６Ｂおよび内壁層１４６Ｃを備える。内壁層１４６Ａおよび内壁層１４６Ｃは、たとえば、ＳＵＳなどの金属、または、ＰＦＡ、ＰＴＦＥまたはＰＶＤＦなどのフッ素樹脂であってもよい。
　内壁層１４６Ｂは、内壁層１４６Ａおよび内壁層１４６Ｃとは異なる材料からなり、かつ、内壁層１４６Ａと内壁層１４６Ｃとの間に形成される。内壁層１４６Ａと内壁層１４６Ｂとは互いに接触し、また、内壁層１４６Ｂと内壁層１４６Ｃとは互いに接触する。また、内壁層１４６Ａ、内壁層１４６Ｂおよび内壁層１４６Ｃは、密閉区画１６０と密閉区画１６４とを結ぶ方向に積層されている。なお、流体ボックス４６が備える内壁の数は図９に示されるものに限られるものではない。
　ここで、内壁層１４６Ｂは、特に限定されないが、たとえば、ＳＵＳなどの金属、または、ＰＦＡ、ＰＴＦＥまたはＰＶＤＦなどのフッ素樹脂からなっていてもよい。
　図９に示されるような構成によれば、内壁層１４６Ｂが区画間の浸透を効果的に抑制するため、配管内の処理液の混合を抑制することができる。
　また、内壁層１４６Ｂは、密閉区画１６０および密閉区画１６４のうちのいずれの区画にも面していない。そのため、浸透を抑制するための材料の成分が密閉区画内の雰囲気に混入するなどによって当該雰囲気が汚染されてしまうことが抑制される。
　なお、流体ボックスに設けられる複数の内壁に、図７、図８および図９のうちの異なる態様がそれぞれ適用されていてもよい。
　＜配管の変形例＞
　上記の説明では、流体ボックスにおける構成の変形例が示されたが、流体ボックスに限られず、たとえば、図１の配管部、図２の循環キャビネット６００内、図２の循環キャビネット６００と流体ボックス４１Ａとを接続する配管経路などを含む領域において、配置される配管を二重配管とすることによって、配管外の雰囲気と配管内の雰囲気とを隔離することが望ましい。特に、図１の配管部などの、複数の配管が近接して（たとえば、１ｃｍ程度の距離に）配置される箇所では、二重配管によって配管内外の雰囲気を隔離することによって配管内の処理液の混合を抑制する効果は大きい。
　図１０は、二重配管の構成の例を示す断面図である。なお、以下の図では、配管の断面構造が示されるが、それぞれの配管材の厚さは便宜的なものであり、実際の厚さの比率などを示すものではない。
　図１０に例が示されるように、配管３５０は、リンス液、洗浄液または薬液などの処理液が流れる流路（図１０の中心部分）を囲む筒状の配管材３５０Ａと、配管材３５０Ａをさらに囲む筒状の配管材３５０Ｂとを備える。配管材３５０Ｂは、配管材３５０Ａとは異なる材料からなる。なお、配管材３５０Ａおよび配管材３５０Ｂの形状は、図１０に示されるような円筒形状に限られるものではなく、たとえば、角筒形状などであってもよい。
　配管材３５０Ａは、ＰＦＡなどの樹脂材料からなる。一方で、配管材３５０Ｂは、配管材３５０Ａとは異なる材料からなる。そして、配管材３５０Ｂは、特に限定されないが、たとえば、ＳＵＳなどの金属、または、ＰＦＡ、ＰＴＦＥまたはＰＶＤＦなどのフッ素樹脂であってもよい。
　図１０に示されるような構成によれば、配管材３５０Ｂが配管内外の浸透を効果的に抑制するため、配管内の処理液の混合を抑制することができる。
　図１１は、二重配管の構成の他の例を示す断面図である。図１１に例が示されるように、配管３５１は、処理液が流れる流路（図１１の中心部分）を囲む筒状の配管材３５１Ａと、配管材３５１Ａをさらに囲む筒状の配管材３５１Ｂと、配管材３５１Ｂをさらに囲む筒状の配管材３５１Ｃとを備える。配管材３５１Ｂは、配管材３５１Ａおよび配管材３５１Ｃとは異なる材料からなる。なお、配管材３５１Ａ、配管材３５１Ｂおよび配管材３５１Ｃの形状は、図１１に示されるような円筒形状に限られるものではなく、たとえば、角筒形状などであってもよい。
　配管材３５１Ａおよび配管材３５１Ｃは、ＰＦＡなどの樹脂材料からなる。なお、配管材３５１Ａと配管材３５１Ｃとは、同じ材料から構成されていてもよい。一方で、配管材３５１Ｂは、配管材３５１Ａおよび配管材３５１Ｃとは異なる材料からなる。そして、配管材３５１Ｂは、特に限定されないが、たとえば、ＳＵＳなどの金属、または、ＰＦＡ、ＰＴＦＥまたはＰＶＤＦなどのフッ素樹脂であってもよい。
　図１１に示されるような構成によれば、配管材３５１Ｂが配管内外の浸透を効果的に抑制するため、配管内の処理液の混合を抑制することができる。また、配管材３５１Ｃがさらに設けられることによって、たとえば、ＳＵＳなどの金属、または、ＰＦＡ、ＰＴＦＥまたはＰＶＤＦなどのフッ素樹脂からなる配管材３５１Ｂが配管外の雰囲気に曝されることがないため、配管材３５１Ｂと配管外の雰囲気との間で生じ得る反応を抑制することができる。
　図１２は、二重配管の構成の他の例を示す断面図である。図１２に例が示されるように、配管３５２は、処理液が流れる流路（図１２の中心部分）を囲む筒状の配管材３５２Ａと、配管材３５２Ａをさらに囲む筒状の配管材３５２Ｂとを備える。なお、配管材３５２Ａおよび配管材３５２Ｂの形状は、図１２に示されるような円筒形状に限られるものではなく、たとえば、角筒形状などであってもよい。
　ここで、配管材３５２Ａと配管材３５２Ｂとの間に密閉された空間である隙間３５３が形成される。また、配管材３５２Ａおよび配管材３５２Ｂは、ＰＦＡなどの樹脂材料からなる。
　図１２に示されるような構成によれば、配管材３５２Ａと配管材３５２Ｂとの間の隙間３５３が配管内外の浸透を効果的に抑制するため、外部の雰囲気の成分が配管内の処理液に混合することを抑制することができる。
　さらに、上記の隙間３５３内に気体を供給する気体供給部３５４が別途設けられていてもよい。このような構成によれば、隙間３５３における雰囲気の湿度を低く抑えることによって、隙間３５３の雰囲気に含まれる水分が配管内に浸透する度合いを低くすることができる。
　＜以上に記載された実施の形態によって生じる効果について＞
　次に、以上に記載された実施の形態によって生じる効果の例を示す。なお、以下の説明においては、以上に記載された実施の形態に例が示された具体的な構成に基づいて当該効果が記載されるが、同様の効果が生じる範囲で、本願明細書に例が示される他の具体的な構成と置き換えられてもよい。
　以上に記載された実施の形態によれば、基板処理装置は、複数の配管（配管５１Ａ、配管５１Ｂおよび配管５１Ｃ）と、基板処理部と、配管配置部とを備える。ここで、基板処理部は、たとえば、液処理ユニット３１Ａに対応するものである。また、配管配置部は、たとえば、流体ボックス４１Ａまたは配管部５１など、複数の配管が近接して配置される箇所に対応するものである。配管は、基板Ｗの処理を行うための処理液（薬液、リンス液および洗浄液を含む）を供給する。液処理ユニット３１Ａには、複数の配管が接続される。また、液処理ユニット３１Ａは、処理液を用いて基板Ｗを処理する。流体ボックス４１Ａでは、複数の配管が互いに近接して配置される。また、流体ボックス４１Ａは、複数のうちの少なくとも１つの配管５１Ａを他の配管５１Ｂと隔離し、かつ、隔離されたそれぞれの区画（図２においては、密閉区画１６０および密閉区画１６４）における雰囲気を密閉する内壁１４１Ａを備える。
　このような構成によれば、処理液の混合およびそれに伴うパーティクルの発生を抑制することができる。具体的には、内壁によってそれぞれの密閉区画の雰囲気が隔離されているため、近接して配置された配管（たとえば、１ｃｍ程度の距離に配置された配管）から当該配管外の雰囲気へ浸透した処理液が、隣接する密閉区画における配管内へ浸透することは十分に抑制される。
　なお、本願明細書に例が示される他の構成のうちの少なくとも１つを、以上に記載された構成に適宜追加した場合、すなわち、以上に記載された構成としては言及されなかった本願明細書に例が示される他の構成が適宜追加された場合であっても、同様の効果を生じさせることができる。
　また、以上に記載された実施の形態によれば、配管配置部は、液処理ユニット３１Ａに隣接する流体ボックスである。このような構成によれば、液処理ユニット３１Ａに接続される複数の配管が近接して配置される流体ボックスにおいて内壁が設けられることによって、密閉区画を跨いで近接して配置された配管から当該配管外の雰囲気へ浸透した処理液が、隣の密閉区画における配管内へ浸透することは十分に抑制される。
　また、以上に記載された実施の形態によれば、少なくとも１つの密閉区画１６６内には、複数の配管５１Ａおよび配管５１Ｂが配置される。そして、同じ密閉区画１６６内における複数の配管５１Ａおよび配管５１Ｂは、同種の処理液を供給するための配管である。このような構成によれば、内壁の数を削減しつつも、異なる処理液間の雰囲気を介する混合を抑制することができる。
　また、以上に記載された実施の形態によれば、基板処理装置は、密閉区画内に気体を供給する気体供給部２０１、気体供給部２０２および気体供給部２０３を備える。このような構成によれば、密閉区画内の湿度を低く抑えることによって、それぞれの密閉区画に配置された配管内に当該密閉区画内の雰囲気に含まれる水分などが浸透する度合いを低くすることができる。
　また、以上に記載された実施の形態によれば、気体供給部２０１によって密閉区画１６０内に供給される気体は、ドライエアーまたは不活性ガスである。このような構成によれば、密閉区画内の湿度を低く抑えるように湿度を制御することができる。
　また、以上に記載された実施の形態によれば、基板処理装置は、密閉区画１６０内における圧力を制御する圧力制御部３０１を備える。そして、圧力制御部３０１が、密閉区画１６０内における圧力を、配管５１Ｂ内における圧力以下に制御する。このような構成によれば、配管内外の圧力差によって配管外の雰囲気に含まれる成分（たとえば、水分）が配管内の処理液に混合することを抑制することができる。
　また、以上に記載された実施の形態によれば、圧力制御部３０１が、密閉区画１６０内における圧力を、配管５１Ｂ内における圧力と等しくなるように制御する。このような構成によれば、配管内外の圧力差によって配管外の雰囲気に含まれる成分（たとえば、水分）が配管内の処理液に混合することを抑制することができる。
　また、以上に記載された実施の形態によれば、内壁は、第１の内壁層と、第２の内壁層とを備える。ここで、第１の内壁層は、たとえば、内壁層１４４Ａおよび内壁層１４６Ａのうちのいずれか１つに対応するものである。また、第２の内壁層は、たとえば、内壁層１４４Ｂおよび内壁層１４６Ｂのうちのいずれか１つに対応するものである。ここで、内壁層１４４Ｂは内壁層１４４Ａとは異なる材料からなる。また、内壁層１４４Ｂは、内壁層１４４Ａに積層される。同様に、内壁層１４６Ｂは内壁層１４６Ａとは異なる材料からなる。また、内壁層１４６Ｂは、内壁層１４６Ａに積層される。また、第１の内壁層と第２の内壁層とは、互いに隔離される区画間を結ぶ方向に積層される。このような構成によれば、内壁層１４４Ｂ（内壁層１４６Ｂ）が区画間の浸透を効果的に抑制するため、配管内の処理液の混合を抑制することができる。
　また、以上に記載された実施の形態によれば、内壁層１４４Ｂおよび内壁層１４６Ｂは、金属またはフッ素樹脂からなる。このような構成によれば、内壁層１４４Ｂ（内壁層１４６Ｂ）が区画間の浸透を効果的に抑制するため、配管内の処理液の混合を抑制することができる。
　また、以上に記載された実施の形態によれば、内壁は、第１の内壁層と、第２の内壁層とを備える。ここで、第１の内壁層は、たとえば、内壁層１４５Ａおよび内壁層１４６Ａのうちのいずれか１つに対応するものである。また、第２の内壁層は、たとえば、内壁層１４５Ｂおよび内壁層１４６Ｃのうちのいずれか１つに対応するものである。内壁層１４５Ｂは、内壁層１４５Ａとの間に隙間１６５が形成される。そして、内壁層１４５Ａと内壁層１４５Ｂとは、互いに隔離される区画間を結ぶ方向に積層される。このような構成によれば、内壁層１４５Ａと内壁層１４５Ｂとの間の隙間１６５が区画間の浸透を効果的に抑制するため、配管内の処理液の混合を抑制することができる。
　また、以上に記載された実施の形態によれば、内壁は、内壁層１４６Ａと内壁層１４６Ｃとの間の隙間に形成される第３の内壁層を備える。ここで、第３の内壁層は、たとえば、内壁層１４６Ｂに対応するものである。そして、内壁層１４６Ｂは、金属またはフッ素樹脂からなる。このような構成によれば、内壁層１４６Ｂは、密閉区画１６０および密閉区画１６４のうちのいずれの区画にも面していない。そのため、浸透を抑制するための材料が密閉区画内の雰囲気に混入するなどによって当該雰囲気が汚染されてしまうことが抑制される。
　また、以上に記載された実施の形態によれば、基板処理装置は、基板Ｗを処理するための処理液を供給するための配管３５２と、配管３５２が接続され、かつ、処理液を用いて基板Ｗを処理するための液処理ユニット３１Ａとを備える。配管３５２は、筒状の第１の配管材と、筒状の第２の配管材とを備える。ここで、第１の配管材は、たとえば、配管材３５２Ａに対応するものである。また、第２の配管材は、たとえば、配管材３５２Ｂに対応するものである。配管材３５２Ａは、処理液が流れる流路を囲む。配管材３５２Ｂは、配管材３５２Ａを囲む。そして、配管材３５２Ａと配管材３５２Ｂとの間に密閉された隙間３５３が形成される。このような構成によれば、配管材３５２Ａと配管材３５２Ｂとの間の隙間３５３が配管内外の浸透を効果的に抑制するため、外部の雰囲気の成分（たとえば、水分）が配管内の処理液に混合することを抑制することができる。
　また、以上に記載された実施の形態によれば、基板処理装置は、隙間３５３内に気体を供給する気体供給部３５４を備える。このような構成によれば、隙間３５３における雰囲気の湿度を低く抑えることによって、隙間３５３の雰囲気に含まれる水分が配管内に浸透する度合いを低くすることができる。
　また、以上に記載された実施の形態によれば、基板処理装置は、基板Ｗを処理するための処理液を供給するための配管３５０と、配管３５０が接続され、かつ、処理液を用いて基板Ｗを処理するための液処理ユニット３１Ａとを備える。そして、配管３５０は、筒状の第１の配管材と、筒状の第２の配管材とを備える。ここで、第１の配管材は、たとえば、配管材３５０Ａに対応するものである。また、第２の配管材は、たとえば、配管材３５０Ｂに対応するものである。配管材３５０Ａは、処理液が流れる流路を囲む。配管材３５０Ｂは、配管材３５０Ａとは異なる材料からなる。また、配管材３５０Ｂは、配管材３５０Ａを囲む。そして、配管材３５０Ｂは、ＳＵＳなどの金属、または、ＰＦＡ、ＰＴＦＥまたはＰＶＤＦなどのフッ素樹脂からなる。このような構成によれば、配管材３５０Ｂが配管内外の浸透を効果的に抑制するため、外部の雰囲気の成分が配管内の処理液に混合することを抑制することができる。
　また、以上に記載された実施の形態によれば、配管３５１は、筒状の第３の配管材を備える。ここで、第３の配管材は、たとえば、配管材３５１Ｃに対応するものである。配管材３５１Ｃは、配管材３５１Ｂとは異なる材料からなる。また、配管材３５１Ｃは、配管材３５１Ｂを囲む。このような構成によれば、配管材３５１Ｃが設けられることによって、ＳＵＳなどの金属、または、ＰＦＡ、ＰＴＦＥまたはＰＶＤＦなどのフッ素樹脂からなる配管材３５１Ｂが配管外の雰囲気に曝されることがないため、配管材３５１Ｂと配管外の雰囲気との間で生じ得る反応を抑制することができる。
　＜以上に記載された実施の形態における変形例について＞
　以上に記載された実施の形態では、それぞれの構成要素の材質、材料、寸法、形状、相対的配置関係または実施の条件などについても記載する場合があるが、これらはすべての局面においてひとつの例であって、本願明細書に記載されたものに限られることはないものとする。
　したがって、例が示されていない無数の変形例、および、均等物が、本願明細書に開示される技術の範囲内において想定される。たとえば、少なくとも１つの構成要素を変形する場合、追加する場合または省略する場合が含まれるものとする。
　Ｚ１　回転軸線
　ＴＷ３１，ＴＷ３２，ＴＷ３３　処理タワー
　Ｗ　基板
　１　基板処理装置
　２　インデクサセクション
　３　処理セクション
　７　制御部
　２１　基板収容器
　２２　ステージ
　２３　インデクサロボット
　２３Ａ　基台部
　２３Ｂ　多関節アーム
　２３Ｃ，２３Ｄ　ハンド
　３０　搬送領域
　３１，３２，３３　処理モジュール
　３１Ａ，３１Ｂ，３１Ｃ，３２Ａ，３２Ｂ，３２Ｃ，３３Ａ，３３Ｂ，３３Ｃ　液処理ユニット
　４１Ａ，４１Ｂ，４１Ｃ，４２Ａ，４２Ｂ，４２Ｃ，４３Ａ，４３Ｂ，４３Ｃ，４４，４５，４６，４７，４８，４９　流体ボックス
　５１，５２，５３　配管部
　５１Ａ，５１Ｂ，５１Ｃ，５１Ｄ，５２Ａ，５２Ｂ，５２Ｃ，５３Ａ，５３Ｂ，５３Ｃ，３５０，３５１，３５２　配管
　５１Ｄ，５２Ｄ，５３Ｄ　排液用配管
　６０　リンス液ノズル
　６２　リンス液バルブ
　６４　洗浄液ノズル
　６６　洗浄液バルブ
　７１　ＣＰＵ
　７２　ＲＯＭ
　７３　ＲＡＭ
　７４　記憶部
　７５　バス配線
　７６　入力部
　７７　表示部
　１４１Ａ，１４１Ｂ，１４１Ｃ　内壁
　１４４Ａ，１４４Ｂ，１４５Ａ，１４５Ｂ，１４６Ａ，１４６Ｂ，１４６Ｃ　内壁層
　１５２，１５４，１６０，１６４，１６６，１６７，１６８　密閉区画
　１６５，３５３　隙間
　２０１，２０２，２０３，３５４　気体供給部
　２５０　処理室
　２５０Ａ　壁
　２５０Ｂ　開口部
　２５０Ｃ　シャッタ
　２５１　スピンチャック
　２５１Ａ　スピンベース
　２５１Ｃ　回転軸
　２５１Ｄ　スピンモータ
　２５２　薬液ノズル
　２５３　薬液タンク
　２５５　送液装置
　２５６　薬液バルブ
　２５７　循環配管
　２５８　循環バルブ
　３０１，３０２，３０３　圧力制御部
　３５０Ａ，３５０Ｂ，３５１Ａ，３５１Ｂ，３５１Ｃ，３５２Ａ，３５２Ｂ　配管材
　５１１　処理カップ
　５１３　排液口
　５１５　排気口
　６００　循環キャビネット

Claims (22)

  1. 　基板の処理を行うための処理液を供給するための複数の配管と、
    　複数の前記配管が接続され、かつ、前記処理液を用いて前記基板を処理するための基板処理部と、
    　複数の前記配管が互いに近接して配置される配管配置部とを備え、
    　前記配管配置部は、複数のうちの少なくとも１つの前記配管を他の前記配管と隔離し、かつ、隔離されたそれぞれの区画における雰囲気を密閉する少なくとも１つの内壁を備える、
    　基板処理装置。
  2. 　請求項１に記載の基板処理装置であり、
    　前記配管配置部は、前記基板処理部に隣接する流体ボックスである、
    　基板処理装置。
  3. 　請求項１または２に記載の基板処理装置であり、
    　少なくとも１つの前記区画内には、複数の前記配管が配置され、
    　同じ前記区画内における複数の前記配管は、同種の前記処理液を供給するための前記配管である、
    　基板処理装置。
  4. 　請求項１から３のうちのいずれか１つに記載の基板処理装置であり、
    　前記区画内に気体を供給する気体供給部をさらに備える、
    　基板処理装置。
  5. 　請求項４に記載の基板処理装置であり、
    　前記気体供給部によって前記区画内に供給される前記気体は、ドライエアーまたは不活性ガスである、
    　基板処理装置。
  6. 　請求項１から５のうちのいずれか１つに記載の基板処理装置であり、
    　前記区画内における圧力を制御する圧力制御部をさらに備え、
    　前記圧力制御部が、前記区画内における圧力を、前記配管内における圧力以下に制御する、
    　基板処理装置。
  7. 　請求項６に記載の基板処理装置であり、
    　前記圧力制御部が、前記区画内における圧力を、前記配管内における圧力と等しくなるように制御する、
    　基板処理装置。
  8. 　請求項１から７のうちのいずれか１つに記載の基板処理装置であり、
    　前記内壁は、
    　　第１の内壁層と、
    　　前記第１の内壁層とは異なる材料からなり、かつ、前記第１の内壁層に積層される第２の内壁層とを備え、
    　前記第１の内壁層と前記第２の内壁層とは、互いに隔離される区画間を結ぶ方向に積層される、
    　基板処理装置。
  9. 　請求項８に記載の基板処理装置であり、
    　前記第２の内壁層は、金属またはフッ素樹脂からなる、
    　基板処理装置。
  10. 　請求項１から７のうちのいずれか１つに記載の基板処理装置であり、
    　前記内壁は、
    　　第１の内壁層と、
    　　前記第１の内壁層との間に隙間が形成される第２の内壁層とを備え、
    　前記第１の内壁層と前記第２の内壁層とは、互いに隔離される区画間を結ぶ方向に積層される、
    　基板処理装置。
  11. 　請求項１０に記載の基板処理装置であり、
    　前記内壁は、前記隙間に形成される第３の内壁層をさらに備え、
    　前記第３の内壁層は、金属またはフッ素樹脂からなる、
    　基板処理装置。
  12. 　基板を処理するための処理液を供給するための配管と、
    　前記配管が接続され、かつ、前記処理液を用いて前記基板を処理するための基板処理部とを備え、
    　前記配管は、
    　　前記処理液が流れる流路を囲む筒状の第１の配管材と、
    　　前記第１の配管材を囲む筒状の第２の配管材とを備え、
    　前記第１の配管材と前記第２の配管材との間に密閉された隙間が形成される、
    　基板処理装置。
  13. 　請求項１２に記載の基板処理装置であり、
    　前記隙間内に気体を供給する気体供給部をさらに備える、
    　基板処理装置。
  14. 　基板を処理するための処理液を供給するための配管と、
    　前記配管が接続され、かつ、前記処理液を用いて前記基板を処理するための基板処理部とを備え、
    　前記配管は、
    　　前記処理液が流れる流路を囲む筒状の第１の配管材と、
    　　前記第１の配管材とは異なる材料からなり、かつ、前記第１の配管材を囲む筒状の第２の配管材とを備え、
    　前記第２の配管材は、ＳＵＳを含む金属、または、ＰＦＡ、ＰＴＦＥまたはＰＶＤＦを含むフッ素樹脂からなる、
    　基板処理装置。
  15. 　請求項１４に記載の基板処理装置であり、
    　前記配管は、前記第２の配管材とは異なる材料からなり、かつ、前記第２の配管材を囲む筒状の第３の配管材をさらに備える、
    　基板処理装置。
  16. 　処理液を供給するための複数の配管が接続され、かつ、前記処理液を用いて基板を処理するための基板処理部と、複数の前記配管が互いに近接して配置される配管配置部とを備える基板処理装置を用いて前記基板を処理する基板処理方法であり、
    　前記基板処理部が、前記処理液を用いて前記基板を処理する工程を備え、
    　前記配管配置部は、複数のうちの少なくとも１つの前記配管を他の前記配管と隔離し、かつ、隔離されたそれぞれの区画における雰囲気を密閉する少なくとも１つの内壁を備える、
    　基板処理方法。
  17. 　請求項１６に記載の基板処理方法であり、
    　前記区画内に気体を供給する工程をさらに備える、
    　基板処理方法。
  18. 　請求項１６または１７に記載の基板処理方法であり、
    　前記区画内における圧力を、前記配管内における圧力以下にする工程をさらに備える、
    　基板処理方法。
  19. 　請求項１６から１８のうちのいずれか１つに記載の基板処理方法であり、
    　前記区画内における圧力を、前記配管内における圧力と等しくする工程をさらに備える、
    　基板処理方法。
  20. 　処理液を供給するための配管が接続され、かつ、前記処理液を用いて基板の処理を行うための基板処理部を備える基板処理装置を用いて前記基板の処理を行う基板処理方法であり、
    　前記基板処理部が、前記処理液を用いて前記基板を処理する工程を備え、
    　前記配管は、
    　　前記処理液が流れる流路を囲む筒状の第１の配管材と、
    　　前記第１の配管材を囲む筒状の第２の配管材とを備え、
    　前記第１の配管材と前記第２の配管材との間に密閉された隙間が形成される、
    　基板処理方法。
  21. 　請求項２０に記載の基板処理方法であり、
    　前記隙間内に気体を供給する工程をさらに備える、
    　基板処理方法。
  22. 　処理液を供給するための配管が接続され、かつ、前記処理液を用いて基板の処理を行うための基板処理部を備える基板処理装置を用いて前記基板の処理を行う基板処理方法であり、
    　前記基板処理部が、前記処理液を用いて前記基板を処理する工程を備え、
    　前記配管は、
    　　前記処理液が流れる流路を囲む筒状の第１の配管材と、
    　　前記第１の配管材とは異なる材料からなり、かつ、前記第１の配管材を囲む筒状の第２の配管材とを備え、
    　前記第２の配管材は、ＳＵＳを含む金属、または、ＰＦＡ、ＰＴＦＥまたはＰＶＤＦを含むフッ素樹脂からなる、
    　基板処理方法。
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