TW202044512A - 基板處理裝置以及基板處理方法 - Google Patents

基板處理裝置以及基板處理方法 Download PDF

Info

Publication number
TW202044512A
TW202044512A TW109107344A TW109107344A TW202044512A TW 202044512 A TW202044512 A TW 202044512A TW 109107344 A TW109107344 A TW 109107344A TW 109107344 A TW109107344 A TW 109107344A TW 202044512 A TW202044512 A TW 202044512A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
aforementioned
piping
substrate processing
substrate
liquid
Prior art date
Application number
TW109107344A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI750603B (zh
Inventor
山口直子
樋口鮎美
藤田恵理
岩畑翔太
Original Assignee
日商斯庫林集團股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商斯庫林集團股份有限公司 filed Critical 日商斯庫林集團股份有限公司
Publication of TW202044512A publication Critical patent/TW202044512A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI750603B publication Critical patent/TWI750603B/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Weting (AREA)

Abstract

提供一種用以抑制處理液的混合以及處理液的混合所伴隨的微粒的產生之技術。基板處理裝置係具備：複數個配管，係用以供給用以進行基板的處理之處理液；基板處理部，係連接有複數個配管，且用以使用處理液處理基板；以及配管配置部，係彼此接近地配置有複數個配管；配管配置部係具備：至少一個內壁，係將複數個配管中之至少一個配管與其他的配管隔離，且將被隔離的各個區間中的氛圍予以密閉。

Description

基板處理裝置以及基板處理方法
本說明書所揭示的技術係有關於一種基板處理裝置以及基板處理方法。此外，成為處理對象之基板係包括例如半導體基板、液晶顯示裝置或者有機EL(electroluminescence；電致發光)顯示裝置等平面顯示器(FPD；flat panel display)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、光磁碟用基板、光罩(photomask)用基板、陶瓷基板、印刷基板或者太陽電池基板等。
以往，在半導體基板(以下簡稱為「基板」)的製造工序中，使用基板處理裝置對基板進行各種處理。該處理係使用用以處理該基板的上表面之處理液。
由於基板的處理一般使用複數個處理液，因此在基板處理裝置中使用複數個配管，該複數個配管係用以將複數個處理液朝基板供給(參照例如專利文獻1)。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2018-163977號公報。
[發明所欲解決之課題]
會有外部的氛圍(atmosphere)的成分浸透至配管內的處理液之情形。反之，亦會有配管內的處理液的成分朝外部的氛圍浸透之情形。
如此，會有下述情形：因為外部的氛圍的成分(包含已朝外部的氛圍浸透之其他的處理液)浸透至處理液內而產生混合，從而進一步地於處理液中產生微粒(particle)。
由於處理液的混合會使處理液的均勻性降低，因此成為讓使用該處理液之基板處理的均勻性降低之原因。此外，當於處理液中產生微粒時，會有該微粒變成朝向基板的附著物之情形。
本說明書所揭示的技術係有鑑於以上所記載的問題而研創，目的在於提供一種用以抑制處理液的混合以及處理液的混合所伴隨的微粒的產生之技術。 [用以解決課題之手段]
本說明書所揭示的第一態樣的基板處理裝置係具備：複數個配管，係用以供給用以進行基板的處理之處理液；基板處理部，係連接有複數個前述配管，且用以使用前述處理液處理前述基板；以及配管配置部，係彼此接近地配置有複數個前述配管；前述配管配置部係具備：至少一個內壁，係將複數個前述配管中之至少一個前述配管與其他的前述配管隔離，且將被隔離的各個區間中的氛圍予以密閉。
本說明書所揭示的技術的第二態樣的基板處理裝置係如第一態樣所記載的基板處理裝置，其中前述配管配置部為鄰接於前述基板處理部之流體箱。
本說明書所揭示的技術的第三態樣的基板處理裝置係如第一態樣或第二態樣所記載之基板處理裝置，其中於至少一個前述區間內配置有複數個前述配管；相同的前述區間內的複數個前述配管為用以供給相同種類的前述處理液之前述配管。
本說明書所揭示的技術的第四態樣的基板處理裝置係如第一態樣或第二態樣所記載之基板處理裝置，其中進一步具備：氣體供給部，係對前述區間內供給氣體。
本說明書所揭示的技術的第五態樣的基板處理裝置係如第四態樣所記載之基板處理裝置，其中藉由前述氣體供給部供給至前述區間內的前述氣體為乾燥氣體或者惰性氣體。
本說明書所揭示的技術的第六態樣的基板處理裝置係如第一態樣或第二態樣所記載之基板處理裝置，其中進一步具備：壓力控制部，係控制前述區間內的壓力；前述壓力控制部係將前述區間內的壓力控制在前述配管內的壓力以下。
本說明書所揭示的技術的第七態樣的基板處理裝置係如第六態樣所記載之基板處理裝置，其中前述壓力控制部係以變成與前述配管內的壓力相等之方式控制前述區間內的壓力。
本說明書所揭示的技術的第八態樣的基板處理裝置係如第一態樣或第二態樣所記載之基板處理裝置，其中前述內壁係具備：第一內壁層；以及第二內壁層，係由與前述第一內壁層不同的材料所構成，且層疊於前述第一內壁層；前述第一內壁層與前述第二內壁層係層疊於連繫彼此隔離的區間之間的方向。
本說明書所揭示的技術的第九態樣的基板處理裝置係如第八態樣所記載之基板處理裝置，其中前述第二內壁層係由金屬或者氟樹脂所構成。
本說明書所揭示的技術的第十態樣的基板處理裝置係如第一態樣或第二態樣所記載之基板處理裝置，其中前述內壁係具備：第一內壁層；以及第二內壁層，係於與前述第一內壁層之間形成有間隙；前述第一內壁層與前述第二內壁層係層疊於連繫彼此隔離的區間之間的方向。
本說明書所揭示的技術的第十一態樣的基板處理裝置係如第十態樣所記載之基板處理裝置，其中前述內壁係進一步具備：第三內壁層，係形成於前述間隙；前述第三內壁層係由金屬或者氟樹脂所構成。
本說明書所揭示的技術的第十二態樣的基板處理裝置係具備：配管，係用以供給用以處理基板之處理液；以及基板處理部，係連接有前述配管，且用以使用前述處理液處理前述基板；前述配管係具備：筒狀的第一配管構材，係圍繞前述處理液流動的流路；以及筒狀的第二配管構材，係圍繞前述第一配管構材；於前述第一配管構材與前述第二配管構材之間形成有被密閉的間隙。
本說明書所揭示的技術的第十三態樣的基板處理裝置係如第十二態樣所記載之基板處理裝置，其中進一步具備：氣體供給部，係對前述間隙內供給氣體。
本說明書所揭示的技術的第十四態樣的基板處理裝置係具備：配管，係用以供給用以處理基板之處理液；以及基板處理部，係連接有前述配管，且用以使用前述處理液處理前述基板；前述配管係具備：筒狀的第一配管構材，係圍繞前述處理液流動的流路；以及筒狀的第二配管構材，係由與前述第一配管構材不同的材料所構成，且圍繞前述第一配管構材；前述第二配管構材係由包含SUS(Steel Special Use Stainless；不鏽鋼)之金屬所構成，或者由包含PFA(tetrafluoroethylene-par fluoro alkyl vinyl ether copolymer；四氟乙烯共聚合物)、PTFE(polytetrafluoroethylene；聚四氟乙烯)或者PVDF(Polyvinylidene Fluoride；聚偏二氟乙烯)之氟樹脂所構成。
本說明書所揭示的技術的第十五態樣的基板處理裝置係如第十四態樣所記載之基板處理裝置，其中前述配管進一步具備：筒狀的第三配管構材，係由與前述第二配管構材不同的材料所構成，且圍繞前述第二配管構材。
本說明書所揭示的技術的第十六態樣的基板處理方法係使用基板處理裝置處理基板，前述基板處理裝置係具備：基板處理部，係連接有用以供給處理液之複數個配管，且用以使用前述處理液處理前述基板；以及配管配置部，係彼此接近地配置有複數個前述配管；前述基板處理方法係具備前述基板處理部使用前述處理液處理前述基板之工序；前述配管配置部係具備：至少一個內壁，係將複數個前述配管中之至少一個前述配管與其他的前述配管隔離，且將被隔離的各個區間中的氛圍予以密閉。
本說明書所揭示的技術的第十七態樣的基板處理方法係如第十六態樣所記載之基板處理方法，其中進一步具備用以對前述區間內供給氣體之工序。
本說明書所揭示的技術的第十八態樣的基板處理方法係如第十六態樣或第十七態樣所記載之基板處理方法，其中進一步具備用以將前述區間內的壓力控制在前述配管內的壓力以下之工序。
本說明書所揭示的技術的第十九態樣的基板處理方法係如第十六態樣或第十七態樣所記載之基板處理方法，其中進一步具備用以將前述區間內的壓力設定成與前述配管內的壓力相等之工序。
本說明書所揭示的技術的第二十態樣的基板處理方法係使用基板處理裝置進行基板的處理，前述基板處理裝置係具備：基板處理部，係連接有用以供給處理液之配管，且用以使用前述處理液進行前述基板的處理；前述基板處理方法係具備前述基板處理部使用前述處理液處理前述基板之工序；前述配管係具備：筒狀的第一配管構材，係圍繞前述處理液流動的流路；以及筒狀的第二配管構材，係圍繞前述第一配管構材；於前述第一配管構材與前述第二配管構材之間形成有被密閉的間隙。
本說明書所揭示的技術的第二十一態樣的基板處理方法係如第二十態樣所記載之基板處理方法，其中進一步具備用以對前述間隙內供給氣體之工序。
本說明書所揭示的技術的第二十二態樣的基板處理方法係使用基板處理裝置進行基板的處理，前述基板處理裝置係具備：基板處理部，係連接有用以供給處理液之配管，且用以使用前述處理液進行前述基板的處理；前述基板處理方法係具備前述基板處理部使用前述處理液處理前述基板之工序；前述配管係具備：筒狀的第一配管構材，係圍繞前述處理液流動的流路；以及筒狀的第二配管構材，係由與前述第一配管構材不同的材料所構成，且圍繞前述第一配管構材；前述第二配管構材係由包含SUS之金屬所構成，或者由包含PFA、PTFE或者PVDF之氟樹脂所構成。 [發明功效]
依據本說明書所揭示的技術的第一態樣至第十一態樣，由於藉由內壁隔離各個區間的氛圍，因此抑制已從接近配置的配管朝該配管外的氛圍浸透之處理液朝鄰接的區間中的配管內浸透。因此，能抑制處理液的混合以及處理液的混合所伴隨的微粒的產生。
此外，依據本說明書所揭示的第十二態樣或第十三態樣，由於第一配管構材與第二配管構材之間密閉的間隙係有效地抑制配管內外的浸透，因此能抑制外部的氛圍的成分混合至配管內的處理液。
此外，依據本說明書所揭示的技術的第十四態樣或第十五態樣，由於第二配管構材係有效地抑制配管內外的浸透，因此能抑制外部的氛圍的成分混合至配管內的處理液。
此外，依據本說明書所揭示的技術的第十六態樣至第十九態樣，由於藉由內壁隔離各個區間的氛圍，因此抑制已從接近配置的配管朝該配管外的氛圍浸透之處理液朝鄰接的區間中的配管內浸透。因此，能抑制處理液的混合以及處理液的混合所伴隨的微粒的產生。
此外，依據本說明書所揭示的第二十態樣或第二十一態樣，由於第一配管構材與第二配管構材之間密閉的間隙係有效地抑制配管內外的浸透，因此能抑制外部的氛圍的成分混合至配管內的處理液。
此外，依據本說明書所揭示的技術的第二十二態樣，由於第二配管構材係有效地抑制配管內外的浸透，因此能抑制外部的氛圍的成分混合至配管內的處理液。
此外，藉由以下所示的詳細說明以及隨附圖式，能更明瞭本說明書所揭示的技術相關的目的、特徵、態樣以及優點。
以下，參照隨附的圖式說明實施形態。在以下的實施形態中，雖然為了說明技術而亦顯示詳細的特徵等，但是這些詳細的特徵僅為例示，這些詳細的特徵並非全部都是可據以實施以下的實施形態所必須的特徵。
此外，圖式係概略性地顯示，為了方便說明，在圖式中會適當地省略構成或者將構成簡化。此外，不同的圖式所分別顯示的構成等大小以及位置的相互關係並未正確地記載，會適當地變更。此外，即使不是剖視圖而是俯視圖等圖式中，亦會有為了容易理解實施形態的內容而附上陰影線之情形。
此外，在以下所示的說明中，對相同的構成要素附上相同的元件符號來顯示，且這些相同的構成要素的名稱與功能亦同樣。因此，為了避免重複，省略針對這些相同的構成要素的詳細說明。
此外，在以下所記載的說明中，在將某個構成要素記載成「具備」、「包含」或者「具有」等之情形中，只要未特別說明則並非是將其他的構成要素的存在予以排除之排除式的表現。
此外，在以下所記載的說明中，即使在使用了「第一」或者「第二」等排序數字之情形中，這些用語係單純地使用於容易理解實施形態的內容，本發明並未被這些排序數字所代表的順序等限定。
此外，以下所記載的說明中之顯示相對性或者絕對性的位置關係之表現，例如「平行」以及「中心」等之表現，只要未特別說明，則包含了嚴密地顯示相對性或者絕對性的位置關係之情形以及在公差或者能獲得相同程度的功能之範圍中角度或者距離移位之情形。
此外，以下所記載的說明中之顯示相等狀態之表現，例如「相同」、「相等」以及「均一」等之表現，只要未特別說明，則包含了嚴密地顯示相等狀態之情形以及在公差或者能獲得相同程度的功能之範圍中產生誤差之情形。
此外，以下所記載的說明中，即使在使用表示「上」、「下」、「左」、「右」、「側」、「底」、「表」或者「背面」等之特定的位置與方向的用語之情形中，這些用語係單純地使用於容易地理解實施形態的內容，與實際上實施時的方向並無關係。
此外，在以下所記載的說明中，在記載有「…的上表面」或者「…的下表面」等之情形中，除了成為對象之構成要素的上表面本身之外，還包含於成為對象之構成要素的上表面形成有其他的構成要素之狀態。亦即，例如在記載成「設置於甲的上表面之乙」之情形中，亦不妨礙在甲與乙之間夾設有其他的構成要素「丙」。
此外，在以下所記載之說明中，顯示形狀之表現，例如「四角形狀」或者「圓筒形狀」等，只要未特別說明，則包含了嚴密地顯示形狀之情形以及在公差或者能獲得相同程度的功能之範圍中形成有凹凸或者倒角之情形。
[實施形態] 以下，說明本實施形態的基板處理裝置以及基板處理方法。
[針對基板處理裝置的構成] 圖1係概略性地顯示本實施形態的基板處理裝置的構成的例子之圖。此外，以容易理解構成之觀點而言，在圖式中會有省略或者簡化一部分的構成要素之情形。
基板處理裝置1為葉片式的處理裝置，用以逐片地處理半導體晶圓等圓板狀的基板W。基板處理裝置1係對基板W進行洗淨處理或者蝕刻處理等各種處理。
如圖1所示的例子，基板處理裝置1係朝向X軸正方向依序具備索引區(indexer section)2以及處理區(processing section)3。
此外，處理區3係朝向X軸正方向依序具備搬運區域30、處理模組31、處理模組32以及處理模組33。
[索引區] 索引區2係具備：基板收容器21，係可以層疊狀態收容複數片基板W；台(stage)22，係支撐基板收容器21；以及索引機器人(indexer robot)23，係從基板收容器21接取未處理的基板W，並將在處理區3中完成處理的基板W朝基板收容器21傳遞。
此外，雖然在圖1的例子中為了簡便而將台22的數量繪製成一個，但亦可於Y軸方向排列有一個以上的數量的台22。
基板收容器21亦可為用以以密閉狀態收容基板W之前開式晶圓傳送盒(FOUP；front opening unified pod)，亦可為標準製造介面(SMIF；standard mechanical inter face)盒(pod)或者開放式晶圓匣(OC；open cassette)等。
索引機器人23係例如具備：基台部23A；多關節臂23B；以及兩個手部23C以及手部23D，係彼此隔著間隔地設置於鉛直方向。
基台部23A係例如固定於框架(frame)，該框架係規定基板處理裝置1的索引區2的外形。
多關節臂23B為可沿著水平面轉動的複數支臂部彼此可轉動地結合所構成，藉由屬於複數支的臂部的結合部位之關節部變更臂部之間的角度，藉此複數支臂部係構成為可屈伸。
此外，多關節臂23B的基端部係可繞著鉛直軸轉動地結合至基台部23A。再者，多關節臂23B係可升降地結合至基台部23A。
手部23C以及手部23D係構成為可分別保持一片基板W。
索引機器人23係使用例如手部23C從被保持於台22的基板收容器21搬出一片未處理的基板W。接著，索引機器人23係從X軸負方向將該基板W傳遞至搬運機構(在此未圖示)。此外，於該搬運機構包含有用以於直線狀的軌道上移動之滑動(slide)機構或者用以將基板W搬運至任意的方向以及高度之搬運機器人等。
再者，索引機器人23係使用例如手部23D從搬運機構接取一片處理完畢的基板W。接著，索引機器人23係將該基板W收容至被保持於台22的基板收容器21。
[處理區] 藉由搬運機構，基板W係在接近索引區2之X軸負方向的位置與各個液體處理單元間被搬運。搬運區域30為用以藉由搬運機構使基板W移動之空間。
處理區3中的處理模組31係具備：複數個液體處理單元31A，係對從搬運機構所供給之未處理的基板W進行規定處理；流體箱41A，係對液體處理單元31A供給處理液；液體處理單元31B；流體箱41B，係對液體處理單元31B供給處理液；液體處理單元31C；流體箱41C，係對液體處理單元31C供給處理液；以及配管部51，係接近地配置有複數個配管，該複數個配管係分別對流體箱41A、流體箱41B以及流體箱41C供給處理液。
同樣地，處理區3中的處理模組32係具備：複數個液體處理單元32A，係對從搬運機構所供給之未處理的基板W進行規定處理；流體箱42A，係對液體處理單元32A供給處理液；液體處理單元32B；流體箱42B，係對液體處理單元32B供給處理液；液體處理單元32C；流體箱42C，係對液體處理單元32C供給處理液；以及配管部52，係接近地配置有複數個配管，該複數個配管係分別對流體箱42A、流體箱42B以及流體箱42C供給處理液。
同樣地，處理區3中的處理模組33係具備：複數個液體處理單元33A，係對從搬運機構所供給之未處理的基板W進行規定處理；流體箱43A，係對液體處理單元33A供給處理液；液體處理單元33B；流體箱43B，係對液體處理單元33B供給處理液；液體處理單元33C；流體箱43C，係對液體處理單元33C供給處理液；以及配管部53，係接近地配置有複數個配管，該複數個配管係分別對流體箱43A、流體箱43B以及流體箱43C供給處理液。
液體處理單元31A、液體處理單元31B以及液體處理單元31C係依序重疊於Z軸正方向並構成塔TW31。
同樣地，液體處理單元32A、液體處理單元32B以及液體處理單元32C係依序重疊於Z軸正方向並構成塔TW32。
同樣地，液體處理單元33A、液體處理單元33B以及液體處理單元33C係依序重疊於Z軸正方向並構成塔TW33。
此外，雖然在圖1的例子中為了簡便而將液體處理單元的數量繪製成九個，但液體處理單元的數量並未限定於圖1的例子。
此外，在各個液體處理單元中對基板W所進行的規定處理係例如包含有使用處理用的液體(亦即處理液)或者氣體之流體處理、使用紫外線等電磁波之處理或者物理洗淨處理(例如刷子洗淨或者噴霧噴嘴(spray nozzle)洗淨等)等各種處理。
於配管部51接近地(例如1cm左右的距離)配置有使彼此相同或者不同的處理液流動之配管51A、配管51B、配管51C以及使來自液體處理單元31A、液體處理單元31B以及液體處理單元31C的排液流動之排液用配管51D。
同樣地，於配管部52接近地(例如1cm左右的距離)配置有使彼此相同或者不同的處理液流動之配管52A、配管52B、配管52C以及使來自液體處理單元32A、液體處理單元32B以及液體處理單元32C的排液流動之排液用配管52D。
同樣地，於配管部53接近地(例如1cm左右的距離)配置有使彼此相同或者不同的處理液流動之配管53A、配管53B、配管53C以及使來自液體處理單元33A、液體處理單元33B以及液體處理單元33C的排液流動之排液用配管53D。
於配管部51、配管部52以及配管部53各者的Z軸負方向的下部設置有連接有複數個配管之複數個開口。此外，於配管部51、配管部52以及配管部53各者的側面設置有連通於流體箱之複數個開口。
並且，配管部51、配管部52以及配管部53各者中之用以供給處理液之各個配管的一端以及另一端係連接於Z軸負方向的下部中的開口，且各個配管所對應之延伸於液體處理單元之分支配管係連接至連通於流體箱之開口。
此外，配管部51、配管部52以及配管部53各者中之排液用配管的一端係連接於Z軸負方向的下部中的開口，且分支的另一端係連接至連通於流體箱之開口。
圖2係概略性地顯示本實施形態中的基板處理裝置中的液體處理單元31A以及與液體處理單元31A關連的構成的例子之圖。此外，其他的液體處理單元的構成亦與圖2的例子所示之情形相同。
如圖2的例子所示般，液體處理單元31A係具備：箱形的處理室250，係具有內部空間；自轉夾具(spin chuck)251，係在處理室250內一邊以水平姿勢保持一片基板W，一邊使基板W繞著通過基板W的中央部之鉛直的旋轉軸線Z1旋轉；以及筒狀的處理罩(processing cup)511，係繞著基板W的旋轉軸線Z1圍繞自轉夾具251。
處理室250係被箱狀的壁250A圍繞。於壁250A形成有開口部250B，該開口部250B係用以將基板W搬入至處理室250內以及從處理室250內搬出基板W。
開口部250B係藉由擋門(shutter)250C而被開閉。擋門250C係藉由擋門升降機構(在此未圖示)而在閉位置(圖2中以二點鏈線所示)與開位置(圖2中以實線所示)之間升降，該閉位置係用以覆蓋開口部250B之位置，該開位置係用以開放開口部250B之位置。
如圖2的例子所示般，自轉夾具251係具備：圓板狀的自轉基座251A，係真空吸附水平姿勢的基板W的下表面；旋轉軸251C，係從自轉基座251A的中央部朝下方延伸；以及自轉馬達251D，係使旋轉軸251C旋轉，藉此使被吸附於自轉基座251A的基板W旋轉。
此外，自轉夾具251係未限定於圖2的例子所示的真空吸附式的夾具之情形，例如亦可為夾持式的夾具，該夾持式的夾具係具備有從自轉基座的上表面外周部朝上方突出之複數個夾具銷(chuck pin)，並藉由該複數個夾具銷夾持基板W的周緣部。
如圖2的例子所示般，於液體處理單元31A連接有從鄰接的流體箱41A延伸的複數個配管。
在此，流體箱41A係具備：密閉區間160、密閉區間164、密閉區間152以及密閉區間154，為彼此隔離且分別被密閉之區間；以及內壁141A、內壁141B以及內壁141C，係將各個區間之間予以隔離且使各個區間密閉。
在圖2的例子中，於密閉區間160配置有用以對液體處理單元31A供給清洗液之配管51B以及清洗液閥62。此外，於密閉區間164配置有用以對液體處理單元31A供給洗淨液之配管51A以及洗淨液閥66。此外，於密閉區間152配置有用以對液體處理單元31A供給藥液之配管51C以及藥液閥256。此外，於密閉區間154配置有用以使來自液體處理單元31A的排液流動之排液用配管51D。
各個密閉區間內的氛圍係與該密閉區間外的氛圍隔離而被密閉。此外，本實施形態中的「密閉」不僅包含嚴密的密閉，亦例如包含了下述程度的狀態：在即使因為為了於各個密閉區間內通過配管而需要的開口部(在此未圖示)等導致產生微小的間隙從而因為該間隙不能保持嚴密的密閉之情形中，亦會與外部的氛圍隔離而不會與外部的氛圍彼此混合之程度的狀態。
由於藉由內壁隔離各個密閉區間的氛圍，因此充分地抑制已從接近地配置的配管(例如以1cm左右的距離配置的配管)朝該配管外的氛圍浸透之處理液朝鄰接的密閉區間內的配管內浸透。
在此，所謂浸透係包含了於處理液等所含有的某種成分浸透之情形。
由於揮發性高的處理液容易從配管浸透且容易朝配管內浸透，因此在基板處理時被加熱的處理液(例如在基板處理時被加熱至70℃之情形)等中，藉由設置有上述內壁來抑制區間之間的處理液的混合係尤其有效。
此外，與其他的液體處理單元對應之流體箱的構成亦與流體箱41A相同。
流體箱41A中之通過密閉區間152之配管51C係連接於液體處理單元31A。並且，於配管51C的前端連接有藥液噴嘴252。藥液噴嘴252係朝被自轉夾具251保持之基板W的上表面噴出藥液。作為藥液，例如能使用IPA(isopropyl alcohol；異丙醇)等有機溶劑，或者能使用鹽酸、氫氟酸、硫酸或者氨等之無機溶劑。
配管51C中之與藥液噴嘴252相反側的端部係被插入至藥液槽253內，該藥液槽253係用以儲留將供給至藥液噴嘴252的藥液。此外，於配管51C設置有：送液裝置255(例如泵(pump))，係將藥液槽253內的藥液輸送至配管51C；藥液閥256，係將配管51C的內部予以開閉；循環配管257，係在比藥液閥256還上游側(亦即藥液槽253之側)連接配管51C與藥液槽253；以及循環閥258，係將循環配管257的內部予以開閉。
此外，例如送液裝置255以及藥液槽253係配置於循環櫃(circulation cabinet)600內。
藥液閥256以及循環閥258的開閉係被後述的控制部控制。在藥液槽253內的藥液被供給至藥液噴嘴252之情形中，藥液閥256打開且循環閥258關閉。在此種狀態下，藉由送液裝置255從藥液槽253輸送至配管51C之藥液係被供給至藥液噴嘴252。
另一方面，在停止朝藥液噴嘴252供給藥液之情形中，關閉藥液閥256且打開循環閥258。在此種狀態下，藉由送液裝置255從藥液槽253輸送至配管51C之藥液係通過循環配管257返回至藥液槽253內。因此，在停止朝藥液噴嘴252供給藥液之停止供給期間中，藥液係於由藥液槽253、配管51C以及循環配管257所構成的循環路徑持續地循環。
此外，如圖2的例子所示般，流體箱41A中之通過密閉區間160之配管51B係連接於液體處理單元31A。而且，於配管51B的前端連接有清洗液噴嘴60。清洗液噴嘴60係朝被自轉夾具251保持之基板W的上表面噴出清洗液。
於配管51B中之與清洗液噴嘴60相反側的端部連接有清洗液供給源(在此未圖示)。此外，於配管51B設置有清洗液閥62，該清洗液閥62係用以切換從清洗液供給源朝清洗液噴嘴60供給清洗液以及停止從清洗液供給源朝清洗液噴嘴60供給清洗液。作為清洗液，能使用DIW(deionized water；去離子水)。
從清洗液噴嘴60對基板W供給清洗液，藉此能沖洗附著於基板W的附著物等。
此外，如圖2的例子所示般，流體箱41A中之通過密閉區間164之配管51A係連接於液體處理單元31A。並且，於配管51A的前端連接有洗淨液噴嘴64。洗淨液噴嘴64係朝處理室250的內側的預定部位(例如自轉基座251A)噴出洗淨液。
於配管51A中之與洗淨液噴嘴64相反側的端部連接有洗淨液供給源(在此未圖示)。此外，於配管51A設置有洗淨液閥66，該洗淨液閥66係用以切換從配管51A朝洗淨液噴嘴64供給洗淨液以及停止從配管51A朝洗淨液噴嘴64供給洗淨液。作為洗淨液，能使用DIW(去離子水)等。
洗淨液噴嘴64係安裝於處理室250的內壁。在基板W被保持於自轉夾具251的狀態下旋轉自轉基座251A，並從洗淨液噴嘴64噴出洗淨液。
此外，從洗淨液噴嘴64噴出的洗淨液係在基板W的上表面濺回，從而洗淨液係飛散至處理室250內。使洗淨液以此種方式飛散，藉此能洗淨配置於處理室250內的各種構件(處理罩511等)。
處理罩511係以圍繞自轉夾具251的周圍之方式設置，並藉由未圖示的馬達於鉛直方向升降。處理罩511的上部係在上位置與下位置之間升降，該上位置係處理罩511的上部的上端變成比被自轉夾具251A保持的基板W還上側之位置，該下位置係處理罩511的上部的上端變成比被自轉夾具251A保持的基板W還下側之位置。
從基板W的上表面飛散至外側的處理液係被處理罩511的內側面接住。接著，被處理罩511接住的處理液係經由設置在處理室250的底部且為設置在處理罩511的內側之排液口513並經由通過密閉區間154之排液用配管51D適當地被排液至處理室250的外部。
此外，於處理室250的側部設置有排氣口515。通過排氣口515將處理室250內的氛圍適當地排出至處理室250的外部。
在上述說明中，例如由於密閉區間164與密閉區間152被內壁141B隔離彼此的氛圍，因此充分地抑制從密閉區間164中的配管51A浸透之洗淨液與從密閉區間152中的配管51C浸透之藥液經由氛圍而混合。
因此，亦能充分地抑制產生處理液的混合，從而能充分地抑制於處理液中產生微粒。
圖3係顯示基板處理裝置1的各個要素與控制部7之間的連接關係的例子之功能方塊圖。
控制部7的硬體構成係與一般的電腦相同。亦即，控制部7係具備： CPU(central processing unit；中央處理單元)71，係進行各種運算處理；ROM(read only memory；唯讀記憶體)72，係屬於讀出專用的記憶體，用以記憶基本程式；RAM(random access memory；隨機存取記憶體)73，係屬於讀寫自如的記憶體，用以記憶各種資訊；以及非暫時性的記憶部74，係記憶控制用應用程式(程式)或者資料等。
CPU71、ROM72、RAM73以及記憶部74係藉由匯流排配線75等而彼此連接。
控制應用程式或者資料亦可在已記錄於非暫時性的記錄媒體(例如半導體記憶體、光學媒體或者磁性媒體等)的狀態下提供至控制部7。在此情形中，用以從該記錄媒體讀取控制應用程式或者資料之讀取裝置亦可連接至匯流排配線75。
此外，控制應用程式或者資料亦可經由網路從伺服器等提供至控制部7。在此情形中，用以與外部裝置進行網路通訊之通訊部亦可連接於匯流排配線75。
於匯流排配線75連接有輸入部76以及顯示部77。輸入部76係包含鍵盤以及滑鼠等各種輸入器件。作業者係經由輸入部76對控制部7輸入各種資訊。顯示部77係由液晶螢幕等顯示器件所構成，並顯示各種資訊。
控制部7係連接於各個液體處理單元的動作部(例如藥液閥256、循環閥258、清洗液閥62、洗淨液閥66、擋門250C或者自轉馬達(spin motor)251D等) 、用以驅動搬運機構之驅動部(例如搬運機構的往復移動用的馬達等)、索引機器人23的動作部(例如用以驅動多關節臂23B之馬達等)等，並控制各個液體處理單元的動作部、用以驅動搬運機構之驅動部以及索引機器人23的動作部。
[流體箱的變化例] 在圖2所示的例子中，雖然於各個密閉區間配置有一支配管，但亦可於一個密閉區配置有複數支配管。
圖4係顯示流體箱的構成的變化例之圖。如圖4所示，在流體箱47中，用以供給清洗液之配管51B與用以供給洗淨液之配管51A係配置於同一個密閉區間166。
另一方面，藥液的配管51C係配置於密閉區間167，排液用配管51D係配置於密閉區間168。
在此，清洗液以及洗淨液皆作為相同的處理液，例如皆作為DIW(去離子水)。
依據如圖4所示的構成，能刪減內壁的數量並能抑制不同的處理液之間經由氛圍而混合。
圖5係顯示流體箱的構成的其他的變化例之圖。如圖5所示，在流體箱48中，分別與密閉區間160、密閉區間164以及密閉區間152對應地設置有氣體供給部201、氣體供給部202以及氣體供給部203。
氣體供給部201、氣體供給部202以及氣體供給部203係對所對應的密閉區間供給氣體，藉此使滯留於該密閉區間內的氣體置換成所供給的氣體。藉此，氣體供給部201、氣體供給部202以及氣體供給部203係控制所對應的密閉區間內的溼度。
此外，氣體供給部201、氣體供給部202以及氣體供給部203所供給的氣體係例如為乾燥氣體或者氮等惰性氣體。此外，氣體供給部201、氣體供給部202以及氣體供給部203所供給的氣體的流量係例如藉由圖3所示的控制部7進行控制。
依據圖5所示的構成，將密閉區間內的溼度抑制成較低，藉此能將該密閉區間內的氛圍所含有的水分等浸透至配置於各個密閉區間的配管內的程度降低。
例如，在配管外的氛圍所含有的水分浸透至屬於處理液的IPA之情形中，由於水分濃度上升且變成比表面張力還大，因此會伴隨著乾燥處理產生基板的上表面中的圖案破壞等。因此，水分等朝處理液之混合係需要藉由上述溫度控制來抑制。
此外，亦可為一個氣體供給部對複數個密閉區間供給氣體之態樣。
此外，亦可另外設置有用以對圖2的循環櫃600內或者圖1的配管部內供給氣體之氣體供給部。依據此種構成，亦能在這些部位中將這些部位中的配管周圍的氛圍的溼度抑制成較低，藉此能將外部的氛圍所含有的水分浸透至配管內的程度降低。
圖6係顯示流體箱的構成的其他的變化例之圖。如圖6所示，在流體箱49中，分別與密閉區間160、密閉區間164以及密閉區間152對應地設置有壓力控制部301、壓力控制部302以及壓力控制部303。
壓力控制部301、壓力控制部302以及壓力控制部303係藉由乾燥氣體、氮氣的減壓或者真空控制等控制所對應的密閉區間內的壓力。藉此，壓力控制部301、壓力控制部302以及壓力控制部303係能控制密閉區間中的配管內的壓力與密閉區間內的壓力之間的平衡。
此外，壓力控制部301、壓力控制部302以及壓力控制部303的壓力控制動作係例如藉由圖3所示的控制部7進行控制。控制部7係亦可依據來自用以測定配管內的處理液的壓力之壓力計等的輸出值對壓力控制部301、壓力控制部302以及壓力控制部303進行反饋(feedback)控制，該反饋控制係將來自壓力計等的輸出值作為基準。
依據圖6所示的構成，能將密閉區間內的配管外的壓力設定成該密閉區間中的配管內的壓力以下。再者，亦能將密閉區間內的配管外的壓力設定成與該密閉區間中的配管內的壓力相等。然而，在上述「壓力相等」之情形中，不僅是壓力嚴格地相等之情形，亦包含在於配管的內外處不會產生處理液的浸透之範圍內密閉區間內的配管外的壓力與該密閉區間中的配管內的壓力不同之情形。
依據圖6所示的構成，期望能抑制或者防止因為配管內外的壓力差導致配管外的氛圍所含有的成分混合至配管內的處理液。
此外，亦可在複數個密閉區間之間將密閉區間內的配管外的壓力控制成相同。在此情形中，亦可為一個壓力控制部控制複數個密閉區間中的壓力之態樣。
此外，亦可另外設置有用以控制圖2的循環櫃600內或者圖1的配管部內的壓力之壓力控制部。依據此種構成，亦能在這些部位中抑制因為配管內外的壓力差導致配管外的氛圍所含有的成分混合至配管內的處理液。
此外，圖4、圖5以及圖6的態樣亦可彼此組合地應用。
[內壁的變化例] 用以將配管外的氛圍予以隔離且密閉之內壁不僅設置於流體箱，亦可設置於接近地配置有複數個配管之部位，例如亦可設置於圖1的配管部等中。
此外，雖然上述內壁只要用以將各個密閉區間的氛圍予以隔離且密閉即可，但亦可為以下構造的內壁。
圖7係顯示流體箱的一部分的構成的變化例之剖視圖。此外，在以下的圖中雖然顯示流體箱中的內壁的剖面構造，但各個內壁層的厚度係簡單地描繪，流體箱的內壁層與流體箱的外壁並未顯示實際的厚度的比率等。
流體箱44係至少具備用以將密閉區間160與密閉區間164之間予以隔離之內壁層144A以及內壁層144B。內壁層144A與內壁層144B係彼此接觸且層疊於連繫密閉區間160與密閉區間164之方向。此外，內壁層144A係由與內壁層144B不同的材料所構成。此外，流體箱44所具備的內壁的數量並未限定於圖7所示的數量。
在此，雖然未特別限定，但內壁層144A以及內壁層144B中的一者(在圖7中為內壁層144B，但亦可為內壁層144A)亦可為例如不鏽鋼(SUS) 等之金屬，或者亦可為四氟乙烯共聚合物(PFA)、聚四氟乙烯(PTFE)或者聚偏二氟乙烯(PVDF)等之氟樹脂。
依據圖7所示的構成，由於內壁層144B有效地抑制區間之間的浸透，因此能抑制配管內的處理液的混合。
圖8係顯示流體箱的一部分的構成的其他的變化例之剖視圖。流體箱45係至少具備用以將密閉區間160與密閉區間164之間予以隔離之內壁層145A以及內壁層145B。內壁層145A以及內壁層145B亦可例如為SUS等之金屬，或者亦可為PFA、PTFE或者PVDF等之氟樹脂。
內壁層145A與內壁層145B係彼此離開，於內壁層145A與內壁層145B之間形成有屬於空氣層之間隙165。此外，內壁層145A與內壁層145B係隔著空氣層層疊於連繫密閉區間160與密閉區間164之方向。此外，流體箱45所具備的內壁的數量並未限定於圖8所示的數量。
依據此種構成，由於內壁層145A與內壁層145B之間的間隙165係有效地抑制區間之間的浸透，因此能抑制配管內的處理液的混合。
再者，亦可另外設置有用以對間隙165供給氣體之氣體供給部。依據此種構成，將間隙165中的氛圍的濕度抑制成較低，藉此能將間隙165的氛圍所含有的水分浸透至配管內的程度降低。
此外，內壁層145A以及內壁層145B中的至少一者亦可由SUS等之金屬所構成，或者由PFA、PTFE或者PVDF等之氟樹脂所構成。
圖9係顯示流體箱的一部分的構成的其他的變化例之剖視圖。流體箱46係至少具備用以將密閉區間160與密閉區間164之間予以隔離之內壁層146A、內壁層146B以及內壁層146C。內壁層146A以及內壁層146C亦可例如為SUS等之金屬，或者亦可為PFA、PTFE或者PVDF等之氟樹脂。
內壁層146B係由與內壁層146A以及內壁層146C不同的材料所構成，且形成於內壁層146A與內壁層146C之間。內壁層146A與內壁層146B係彼此接觸，內壁層146B與內壁層146C係彼此接觸。此外，內壁層146A、內壁層146B以及內壁層146C係層疊於連繫密閉區間160與密閉區間164連結之方向。此外，流體箱46所具備的內壁的數量並未限定於圖9所示的數量。
在此，內壁層146B並未特別限定，例如亦可由SUS等之金屬所構成，或者由PFA、PTFE或者PVDF等之氟樹脂所構成。
依據圖9所示的構成，由於內壁層146B係有效地抑制區間之間的浸透，因此能抑制配管內的處理液的混合。
此外，內壁層146B並未面向密閉區間160以及密閉區間164中的任一個區間。因此，抑制因為用以抑制浸透之材料的成分混入至密閉區間內的氛圍從而導致該密閉區間內的氛圍被污染。
此外，亦可於設置於流體箱的複數個內壁分別應用圖7、圖8以及圖9中的不同的態樣。
[配管的變化例] 在上述說明中雖然顯示流體箱中的構成的變化例，但並未限定於流體箱，例如期望為：在包含圖1的配管部、圖2的循環櫃600內、以及用以連接圖2的循環櫃600與流體箱41A之配管路徑等之區域中將所配置的配管構成為雙重配管，藉此將配管外的氛圍與配管內的氛圍予以隔離。尤其，在圖1的配管部等之複數個配管接近地(例如1cm左右的距離)配置之部位中藉由雙重配管將配管內外的氛圍予以隔離，藉此抑制配管內的處理液的混合之功效很大。
圖10係顯示雙重配管的構成的例子之剖視圖。此外，在以下的圖中雖然顯示配管的剖面構造，但各個配管構材的厚度係簡單地描繪，並未顯示實際的厚度的比例等。
如圖10的例子所示般，配管350係具備：筒狀的配管構材350A，係圍繞洗淨液或者藥液等處理液流動的流路(圖10的中心部分)；以及筒狀的配管構材350B，係進一步地圍繞配管構材350A。配管構材350B係由與配管構材350A不同的材料所構成。此外，配管構材350A以及配管構材350B的形狀並未限定於圖10所示的圓筒形狀，亦可為例如角筒形狀等。
配管構材350A係由PFA等樹脂材料所構成。另一方面，配管構材350B係由與配管構材350A不同的材料所構成。此外，雖然未特別限定，但配管構材350B亦可例如為SUS等之金屬，或者亦可為PFA、PTFE或者PVDF等之氟樹脂。
依據圖10所示的構成，由於配管構材350B係有效地抑制配管內外的浸透，因此能抑制配管內的處理液的混合。
圖11係顯示雙重配管的構成的其他的例子之剖視圖。如圖11的例子所示般，配管351係具備：筒狀的配管構材351A，係圍繞處理液流動的流路(圖11的中心部分)；筒狀的配管構材351B，係進一步地圍繞配管構材351A；以及筒狀的配管構材351C，係進一步地圍繞配管構材351B。配管構材351B係由與配管構材351A以及配管構材351C不同的材料所構成。此外，配管構材351A、配管構材351B以及配管構材351C的形狀並未限定於圖11所示的圓筒形狀，亦可為例如角筒形狀等。
配管構材351A以及配管構材351C係由PFA等之樹脂材料所構成。此外，配管構材351A與配管構材351C亦可由相同的材料所構成。另一方面，配管構材351B係由與配管構材351A以及配管構材351C不同的材料所構成。此外，雖然並未特別限定，但配管構材351B亦可例如為SUS等之金屬，或者亦可為PFA、PTFE或者PVDF等之氟樹脂。
依據圖11所示的構成，由於配管構材351B係有效地抑制配管內外的浸透，因此能抑制配管內的處理液的混合。此外，進一步地設置有配管構材351C，藉此例如由SUS等之金屬所構成或者由PFA、PTFE或者PVDF等之氟樹脂所構成的配管構材351B不會暴露於配管外的氛圍，因此能抑制在配管構材351B與配管外的氛圍之間可能產生的反應。
圖12係顯示雙重配管的構成的其他的例子之剖視圖。如圖12的例子所示般，配管352係具備：筒狀的配管構材352A，係圍繞處理液流動的流路(圖12的中心部分)；以及筒狀的配管構材352B，係進一步地圍繞配管構材352A。此外，配管構材352A以及配管構材352B的形狀並未限定於圖12所示的圓筒形狀，亦可為例如角筒形狀等。
在此，於配管構材352A與配管構材352B之間形成有屬於被密閉的空間之間隙353。此外，配管構材352A以及配管構材352B係由PFA等之樹脂材料所構成。
依據圖12所示的構成，由於配管構材352A與配管構材532B之間的間隙353係有效地抑制配管內外的浸透，因此能抑制外部的氛圍的成分混合至配管內的處理液。
再者，亦可另外設置有用以對間隙535內供給氣體之氣體供給部354。依據此種構成，將間隙353中的氛圍的濕度抑制成較低，藉此能將間隙353的氛圍所含有的水分浸透至配管內的程度降低。
[針對藉由以上所記載的實施形態所產生的功效] 接著，顯示藉由以上所記載的實施形態所產生的功效的例子。此外，在以下的說明中，雖然依據以上所記載的實施形態所示的例子的具體性的構成記載了該功效，但亦可在產生相同功效的範圍內與本說明書所例示的其他的具體性的構成置換。
依據以上所記載的實施形態，基板處理裝置係具備複數個配管(配管51A、配管51B以及配管51C)、基板處理部以及配管配置部。在此，基板處理部係例如與液體處理單元31A對應。此外，配管配置部係與接近地配置有複數個配管之部位對應，例如與流體箱41A或者配管部51等對應。配管係供給用以進行基板W的處理之處理液(包含藥液、清洗液以及洗淨液)。於液體處理單元31A連接有複數個配管。此外，液體處理單元31A係使用處理液處理基板W。在流體箱41A中，彼此接近地配置有複數個配管。此外，流體箱41A係具備有內壁141A，該內壁141A係將複數個配管中之至少一個配管51A與其他的配管51B隔離且將所隔離的各個區間(在圖2中為密閉區間160以及密閉區間164)中的氛圍予以密閉。
依據此種構成，能抑制處理液的混合以及處理液的混合所伴隨的微粒的產生。具體而言，由於藉由內壁將各個密閉區間的氛圍隔離，因此充分地抑制已從接近地配置的配管(例如配置於1cm左右的距離的配管)朝該配管外的氛圍浸透之處理液朝鄰接的密閉區間中的配管內浸透。
此外，即使在將本說明書的例子所示的其他的構成中的至少一個構成適當地追加至以上所記載的構成之情形中，亦即即使在適當地追加了以上所記載的構成中未提及的本說明書的例子所示的其他的構成之情形中，亦能產生同樣的功效。
此外，依據以上所記載的實施形態，配管配置部為鄰接於液體處理單元31A之流體箱。依據此種構成，在連接至液體處理單元31A且接近地配置有複數個配管之流體箱中設置有內壁，藉此充分地抑制已從跨越密閉區間鄰接地配置的配管朝該配管外的氛圍浸透之處理液朝相鄰的密閉區間中的配管內浸透。
此外，依據以上所記載的實施形態，於至少一個密閉區間166內配置有複數個配管51A以及配管51B。而且，相同的密閉區間166內的複數個配管51A以及配管51B為用以供給相同種類的處理液之配管。依據此種構成，能刪減內壁的數量並抑制經由不同的處理液間的氛圍導致混合。
此外，依據以上所記載的實施形態，基板處理裝置係具備用以對密閉區間內供給氣體之氣體供給部201、氣體供給部202以及氣體供給部203。依據此種構成，將密閉區間內的濕度抑制成較低，藉此能將該密閉區間內的氛圍所含有的水分等浸透至配置於各個密閉區間的配管內的程度降低。
此外，依據以上所記載的實施形態，藉由氣體供給部201供給至密閉區間160內之氣體為乾燥氣體或者惰性氣體。依據此種構成，能以將密閉區間內的濕度抑制成較低之方式控制濕度。
此外，依據以上所記載的實施形態，基板處理裝置係具備用以控制密閉區間160內的壓力之壓力控制部301。而且，壓力控制部301係將密閉區間160內的壓力控制成配管51B內的壓力以下。依據此種構成，能抑制因為配管內外的壓力差導致配管外的氛圍所含有成分(例如水分)混合至配管內的處理液。
此外，依據以上所記載的實施形態，壓力控制部301係以變成與配管51B內的壓力相等之方式控制密閉區間160內的壓力。依據此種構成，能抑制因為配管內外的壓力差導致配管外的氛圍所含有成分(例如水分)混合至配管內的處理液。
此外，依據以上所記載的實施形態，內壁係具備第一內壁層以及第二內壁層。在此，第一內壁層係例如與內壁層144A以及內壁層146A中的任一個對應。此外，第二內壁層係例如與內壁層144B以及內壁層146B中的任一個對應。在此，內壁層144B係由與內壁層144A不同的材料所構成。此外，內壁層144B係層疊於內壁層144A。同樣地，內壁層146B係由與內壁層146A不同的材料所構成。此外，內壁層146B係層疊於內壁層146A。此外，第一內壁層與第二內壁層係層疊於連繫彼此隔離的區間之間的方向。依據此種構成，由於內壁層144B(內壁層146B)係有效地抑制區間之間的浸透，因此能抑制配管內的處理液的混合。
此外，依據以上所記載的實施形態，內壁層144B以及內壁層146B係由金屬或者氟樹脂所構成。依據此種構成，由於內壁層144B(內壁層146B)係有效地抑制區間之間的浸透，因此能抑制配管內的處理液的混合。
此外，依據以上所記載的實施形態，內壁係具備第一內壁層以及第二內壁層。在此，第一內壁層係例如與內壁層145A以及內壁層146A中的任一個對應。此外，第二內壁層係例如與內壁層145B以及內壁層146C中的任一個對應。於內壁層145B與內壁層145A之間形成有間隙165。而且，內壁層145A與內壁層145B係層疊於連繫彼此隔離的區間之間的方向。依據此種構成，由於內壁層145A與內壁層145B之間的間隙165係有效地抑制區間之間的浸透，因此能抑制配管內的處理液的混合。
此外，依據以上所記載的實施形態，內壁係具備形成於內壁層146A與內壁層146C之間的間隙之第三內壁層。在此，第三內壁層係例如與內壁層146B對應。而且，內壁層146B係由金屬或者氟樹脂所構成。依據此種構成，內壁層146B亦未面向密閉區間160以及密閉區間164中的任一個區間。因此，抑制因為用以抑制浸透之材料混入至密閉區間內的氛圍從而導致該密閉區間內的氛圍被污染。
此外，依據以上所記載的實施形態，基板處理裝置係具備：配管352，係供給用以處理基板W之處理液；以及液體處理單元31A，係連接有配管352，且用以使用處理液處理基板W。配管352係具備筒狀的第一配管構材以及筒狀的第二配管構材。在此，第一配管構材係例如與配管構材352A對應。此外，第二配管構材係例如與配管構材352B對應。配管構材352A係圍繞處理液流動的流路。配管構材352B係圍繞配管構材352A。而且，於配管構材352A與配管構材352B之間形成有被密閉的間隙353。依據此種構成，由於配管構材352A與配管構材352B之間的間隙353係有效地抑制配管內外的浸透，因此能抑制外部的氛圍的成分(例如水分)混合至配管內的處理液。
此外，依據以上所記載的實施形態，基板處理裝置係具備用以對間隙353內供給氣體之氣體供給部354。依據此種構成，將間隙353中的氛圍的濕度抑制成較低，藉此能將間隙353的氛圍所含有的水分浸透至配管內的程度降低。
此外，依據以上所記載的實施形態，基板處理裝置係具備：配管350，係供給用以處理基板W之處理液；以及液體處理單元31A，係連接有配管350，且用以使用處理液處理基板W。而且，配管350係具備筒狀的第一配管構材以及筒狀的第二配管構材。在此，第一配管構材係例如與配管構材350A對應。此外，第二配管構材係例如與配管構材350B對應。配管構材350A係圍繞處理液流動的流路。配管構材350B係由與配管構材350A不同的材料所構成。此外，配管構材350B係圍繞配管構材350A。而且，配管構材350B係由SUS等之金屬所構成，或者由PFA、PTFE或者PVDF等之氟樹脂所構成。依據此種構成，由於配管構材350B係有效地抑制配管內外的浸透，因此能抑制外部的氛圍的成分混合至配管內的處理液。
此外，依據以上所記載的實施形態，配管351係具備筒狀的第三配管構材。在此，第三配管構材係例如與配管構材351C對應。配管構材351C係由與配管構材351B不同的材料所構成。此外，配管構材351C係圍繞配管構材351B。依據此種構成，設置有配管構材351C，藉此由SUS等之金屬所構成或者由PFA、PTFE或者PVDF等之氟樹脂所構成之配管構材351B不會暴露於配管外的氛圍，因此能抑制在配管構材351B與配管外的氛圍之間可能產生的反應。
[針對以上所記載的實施形態中的變化例] 在以上所記載的實施形態中，雖然有亦記載了各個構成要素的材質、材料、尺寸、形狀、相對性的配置關係或者實施的條件等之情形，但這些記載在全部的實施形態中僅為一例，而非是限定成本說明書所記載的這些實施形態。
因此，在本說明書所揭示的技術範圍內設想了未例示的無數個變化例以及均等物。例如，亦包含了變化至少一個構成要素之情形、追加至少一個構成要素之情形、省略至少一個構成要素之情形。
1:基板處理裝置 2:索引區 3:處理區 7:控制部 21:基板收容器 22:台 23:索引機器人 23A:基台部 23B:多關節臂 23C,23D:手部 30:搬運區域 31,32,33:處理模組 31A,31B,31C,32A,32B,32C,33A,33B,33C:液體處理單元 41A,41B,41C,42A,42B,42C,43A,43B,43C,44,45,46,47,48,49:流體箱 51,52,53:配管部 51A,51B,51C,51D,52A,52B,52C,53A,53B,53C,350,351,352:配管 51D,52D,53D:排液用配管 60:清洗液噴嘴 62:清洗液閥 64:洗淨液噴嘴 66:洗淨液閥 71:CPU 72:ROM 73:RAM 74:記憶部 75:匯流排配線 76:輸入部 77:顯示部 141A,141B,141C:內壁 144A,144B,145A,145B,146A,146B,146C:內壁層 152,154,160,164,166,167,168:密閉區間 165,353:間隙 201,202,203,354:氣體供給部 250:處理室 250A:壁 250B:開口部 250C:擋門 251:自轉夾具 251A:自轉基座 251C:旋轉軸 251D:自轉馬達 252:藥液噴嘴 253:藥液槽 255:送液裝置 256:藥液閥 257:循環配管 258:循環閥 301,302,303:壓力控制部 350A,350B,351A,351B,351C,352A,352B:配管構材 511:處理罩 513:排液口 515:排氣口 600:循環櫃 TW31,TW32,TW33:處理塔 W:基板 Z1:旋轉軸線
[圖1]係概略性地顯示實施形態的基板處理裝置的構成的例子之圖。 [圖2]係概略性地顯示實施形態的基板處理裝置中的液體處理單元以及與液體處理單元關連的構成的例子之圖。 [圖3]係顯示基板的處理裝置的各個構成要素與控制部之間的連接關係的例子之功能方塊圖。 [圖4]係顯示流體箱的構成的變化例之圖。 [圖5]係顯示流體箱的構成的其他的變化例之圖。 [圖6]係顯示流體箱的構成的其他的變化例之圖。 [圖7]係顯示流體箱的一部分的構成的變化例之剖視圖。 [圖8]係顯示流體箱的一部分的構成的其他的變化例之剖視圖。 [圖9]係顯示流體箱的一部分的構成的其他的變化例之剖視圖。 [圖10]係顯示雙重配管的構成的例子之剖視圖。 [圖11]係顯示雙重配管的構成的其他的例子之剖視圖。 [圖12]係顯示雙重配管的構成的其他的例子之剖視圖。
31A:液體處理單元
41A:流體箱
51A,51B,51C:配管
51D:排液用配管
60:清洗液噴嘴
62:清洗液閥
64:洗淨液噴嘴
66:洗淨液閥
141A,141B,141C:內壁
152,154,160,164:密閉區間
250:處理室
250A:壁
250B:開口部
250C:擋門
251:自轉夾具
251A:自轉基座
251C:旋轉軸
251D:自轉馬達
252:藥液噴嘴
253:藥液槽
255:送液裝置
256:藥液閥
257:循環配管
258:循環閥
511:處理罩
513:排液口
515:排氣口
600:循環櫃
W:基板
Z1:旋轉軸線

Claims (22)

  1. 一種基板處理裝置，係具備： 複數個配管，係用以供給用以進行基板的處理之處理液； 基板處理部，係連接有複數個前述配管，且用以使用前述處理液處理前述基板；以及 配管配置部，係彼此接近地配置有複數個前述配管； 前述配管配置部係具備：至少一個內壁，係將複數個前述配管中之至少一個前述配管與其他的前述配管隔離，且將被隔離的各個區間中的氛圍予以密閉。
  2. 如請求項1所記載之基板處理裝置，其中前述配管配置部為鄰接於前述基板處理部之流體箱。
  3. 如請求項1或2所記載之基板處理裝置，其中於至少一個前述區間內配置有複數個前述配管； 相同的前述區間內的複數個前述配管為用以供給相同種類的前述處理液之前述配管。
  4. 如請求項1或2所記載之基板處理裝置，其中進一步具備：氣體供給部，係對前述區間內供給氣體。
  5. 如請求項4所記載之基板處理裝置，其中藉由前述氣體供給部供給至前述區間內的前述氣體為乾燥氣體或者惰性氣體。
  6. 如請求項1或2所記載之基板處理裝置，其中進一步具備：壓力控制部，係控制前述區間內的壓力； 前述壓力控制部係將前述區間內的壓力控制在前述配管內的壓力以下。
  7. 如請求項6所記載之基板處理裝置，其中前述壓力控制部係以變成與前述配管內的壓力相等之方式控制前述區間內的壓力。
  8. 如請求項1或2所記載之基板處理裝置，其中前述內壁係具備： 第一內壁層；以及 第二內壁層，係由與前述第一內壁層不同的材料所構成，且層疊於前述第一內壁層； 前述第一內壁層與前述第二內壁層係層疊於連繫彼此隔離的區間之間的方向。
  9. 如請求項8所記載之基板處理裝置，其中前述第二內壁層係由金屬或者氟樹脂所構成。
  10. 如請求項1或2所記載之基板處理裝置，其中前述內壁係具備： 第一內壁層；以及 第二內壁層，係於與前述第一內壁層之間形成有間隙； 前述第一內壁層與前述第二內壁層係層疊於連繫彼此隔離的區間之間的方向。
  11. 如請求項10所記載之基板處理裝置，其中前述內壁係進一步具備：第三內壁層，係形成於前述間隙； 前述第三內壁層係由金屬或者氟樹脂所構成。
  12. 一種基板處理裝置，係具備： 配管，係用以供給用以處理基板之處理液；以及 基板處理部，係連接有前述配管，且用以使用前述處理液處理前述基板； 前述配管係具備： 筒狀的第一配管構材，係圍繞前述處理液流動的流路；以及 筒狀的第二配管構材，係圍繞前述第一配管構材； 於前述第一配管構材與前述第二配管構材之間形成有被密閉的間隙。
  13. 如請求項12所記載之基板處理裝置，其中進一步具備：氣體供給部，係對前述間隙內供給氣體。
  14. 一種基板處理裝置，係具備： 配管，係用以供給用以處理基板之處理液；以及 基板處理部，係連接有前述配管，且用以使用前述處理液處理前述基板； 前述配管係具備： 筒狀的第一配管構材，係圍繞前述處理液流動的流路；以及 筒狀的第二配管構材，係由與前述第一配管構材不同的材料所構成，且圍繞前述第一配管構材； 前述第二配管構材係由包含不鏽鋼之金屬所構成，或者由包含四氟乙烯共聚合物、聚四氟乙烯或者聚偏二氟乙烯之氟樹脂所構成。
  15. 如請求項14所記載之基板處理裝置，其中前述配管進一步具備：筒狀的第三配管構材，係由與前述第二配管構材不同的材料所構成，且圍繞前述第二配管構材。
  16. 一種基板處理方法，係使用基板處理裝置處理基板； 前述基板處理裝置係具備： 基板處理部，係連接有用以供給處理液之複數個配管，且用以使用前述處理液處理前述基板；以及 配管配置部，係彼此接近地配置有複數個前述配管； 前述基板處理方法係具備前述基板處理部使用前述處理液處理前述基板之工序； 前述配管配置部係具備：至少一個內壁，係將複數個前述配管中之至少一個前述配管與其他的前述配管隔離，且將被隔離的各個區間中的氛圍予以密閉。
  17. 如請求項16所記載之基板處理方法，其中進一步具備用以對前述區間內供給氣體之工序。
  18. 如請求項16或17所記載之基板處理方法，其中進一步具備用以將前述區間內的壓力控制在前述配管內的壓力以下之工序。
  19. 如請求項16或17所記載之基板處理方法，其中進一步具備用以將前述區間內的壓力設定成與前述配管內的壓力相等之工序。
  20. 一種基板處理方法，係使用基板處理裝置進行基板的處理； 前述基板處理裝置係具備：基板處理部，係連接有用以供給處理液之配管，且用以使用前述處理液進行前述基板的處理； 前述基板處理方法係具備前述基板處理部使用前述處理液處理前述基板之工序； 前述配管係具備： 筒狀的第一配管構材，係圍繞前述處理液流動的流路；以及 筒狀的第二配管構材，係圍繞前述第一配管構材； 於前述第一配管構材與前述第二配管構材之間形成有被密閉的間隙。
  21. 如請求項20所記載之基板處理方法，其中進一步具備用以對前述間隙內供給氣體之工序。
  22. 一種基板處理方法，係使用基板處理裝置進行基板的處理； 前述基板處理裝置係具備：基板處理部，係連接有用以供給處理液之配管，且用以使用前述處理液進行前述基板的處理； 前述基板處理方法係具備前述基板處理部使用前述處理液處理前述基板之工序； 前述配管係具備： 筒狀的第一配管構材，係圍繞前述處理液流動的流路；以及 筒狀的第二配管構材，係由與前述第一配管構材不同的材料所構成，且圍繞前述第一配管構材； 前述第二配管構材係由包含不鏽鋼之金屬所構成，或者由包含四氟乙烯共聚合物、聚四氟乙烯或者聚偏二氟乙烯之氟樹脂所構成。
TW109107344A 2019-03-22 2020-03-06 基板處理裝置以及基板處理方法 TWI750603B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019055429A JP7278822B2 (ja) 2019-03-22 2019-03-22 基板処理装置、および、基板処理方法
JP2019-055429 2019-03-22

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202044512A true TW202044512A (zh) 2020-12-01
TWI750603B TWI750603B (zh) 2021-12-21

Family

ID=72559786

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW109107344A TWI750603B (zh) 2019-03-22 2020-03-06 基板處理裝置以及基板處理方法

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP7278822B2 (zh)
CN (1) CN113544821A (zh)
TW (1) TWI750603B (zh)
WO (1) WO2020195533A1 (zh)

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3280880B2 (ja) * 1997-02-07 2002-05-13 東京エレクトロン株式会社 脱気機構およびそれを用いた処理装置
JP3844999B2 (ja) * 1997-03-21 2006-11-15 株式会社日立国際電気 基板処理方法
JP3675385B2 (ja) * 2001-10-15 2005-07-27 関西日本電気株式会社 半導体製造装置および半導体製造方法
US20040003828A1 (en) * 2002-03-21 2004-01-08 Jackson David P. Precision surface treatments using dense fluids and a plasma
JP2006112507A (ja) * 2004-10-14 2006-04-27 Tohoku Univ フッ素樹脂２層チューブ及びその製造方法
JP5257915B2 (ja) * 2006-09-29 2013-08-07 国立大学法人東北大学 膜塗布装置および膜塗布方法
JP5887201B2 (ja) * 2012-05-14 2016-03-16 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、基板処理装置、基板処理プログラム、及び記憶媒体
JP6517564B2 (ja) * 2015-03-30 2019-05-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
KR101685096B1 (ko) * 2015-11-17 2016-12-12 주식회사 유진테크 기판처리장치 및 이를 이용한 기판처리방법

Also Published As

Publication number Publication date
JP2020155735A (ja) 2020-09-24
TWI750603B (zh) 2021-12-21
WO2020195533A1 (ja) 2020-10-01
CN113544821A (zh) 2021-10-22
JP7278822B2 (ja) 2023-05-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101180283B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
JP2022058408A (ja) 電子デバイス製造装置、システム、及び方法における負荷ポート動作
JP5385537B2 (ja) 基板処理装置
JP2018046272A (ja) 基板処理装置
KR20200086218A (ko) 기판 처리 장치
JP7516612B2 (ja) 連結モジュール
JP2021514541A (ja) 移動式基板搬送チャンバ
TW202005894A (zh) 具有局部沖淨功能的搬送裝置
JPH0531472A (ja) 洗浄装置
JP2006278955A (ja) 基板処理方法および基板処理装置
US20070130738A1 (en) Vacuum processing apparatus and zonal airflow generating unit
JP2008108790A (ja) 洗浄装置、これを用いた洗浄システム、及び被洗浄基板の洗浄方法
TW202044512A (zh) 基板處理裝置以及基板處理方法
KR200491734Y1 (ko) 정밀 생산용 환경 유지 시스템 및 방법
JP7152338B2 (ja) 基板処理装置
KR20050049935A (ko) 기판세정시스템
TWI747239B (zh) 基板處理裝置
JPH10163289A (ja) 基板処理装置
WO2021210451A1 (ja) 基板配列装置、搬送装置、基板処理システム、及び基板処理方法
JP5541627B2 (ja) 処理液供給装置およびこれを備えた基板処理装置
JP3000179B2 (ja) 搬送駆動装置
WO2018051825A1 (ja) 基板処理装置
JP2008084911A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
KR20080086041A (ko) 기판 처리 장치
JP2012199371A (ja) 乾燥ユニットおよび基板処理装置