JP2008084911A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】基板処理のばらつきを抑制しつつスループットを改善する。
【解決手段】第１薬液ユニット２１は、第１薬液処理プレート３１を備え、第１リンスユニット２２は第１リンス処理プレート３２を備え、第２薬液ユニット２３は第２薬液処理プレート３３を備え、第２リンスユニット２４は第２リンス処理プレート３４を備え、乾燥ユニット２５は乾燥処理プレート３５を備えている。処理プレート３１〜３５は、水平な平坦面をなす基板対向面３１Ａ，３２Ａ，３３Ａ，３４Ａ，３５Ａをそれぞれ有し、これらは、同一高さの水平面内に位置している。基板搬送機構は、基板対向面３１Ａ〜３５Ａに沿って、基板Ｗを滑らすように水平方向に移動させ、これにより処理ユニット２１〜２５間での基板Ｗの搬送を達成する。処理プレート３１〜３５は、隣り合うもの同士が基板搬送経路に沿って接近して（隣接して）配置されている。
【選択図】図２

Description

この発明は、基板を流体で処理するための基板処理装置および基板処理方法に関する。処理の対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ(Field Emission Display)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板などが含まれる。

半導体装置などの製造工程では、処理液を用いて基板を処理する基板処理装置が用いられる。基板処理装置は、たとえば、処理液をそれぞれ貯留した複数の処理液槽と、この複数の処理液槽に順に基板を浸漬させていく基板搬送機構とを備えている。複数の処理液槽としては、たとえば、第１薬液を貯留した第１薬液槽と、純水を貯留した第１純水槽と、第２薬液を貯留した第２薬液槽と、純水を貯留した第２純水槽とが設けられる。

基板搬送機構は、処理対象の基板を第１薬液槽内に下ろして、この薬液中に所定の第１薬液処理時間に渡って基板を浸漬し、これにより、第１薬液による基板処理を行わせる。第１薬液処理時間が経過すると、基板搬送機構は、第１薬液槽から基板を引き上げて第１純水槽へと移す。基板搬送機構は、第１純水槽内に基板を下ろし、この第１純水槽内の純水中に所定の第１リンス処理時間に渡って基板を浸漬させる。これにより、基板表面に残る第１薬液を純水に置換するためのリンス処理が行われる。

第１リンス処理時間が経過すると、基板搬送機構は、第１純水槽から基板を引き上げて第２薬液槽へと移す。基板搬送機構は、第２薬液槽内に基板を下ろし、この第２薬液槽内の第２薬液中に所定の第２薬液処理時間に渡って基板を浸漬させる。これにより、第２薬液による基板処理が行われる。第２薬液処理時間が経過すると、基板搬送機構は、第２薬液槽から基板を引き上げて第２純水槽へと移す。基板搬送機構は、第２純水槽内に基板を下ろし、この第２純水槽内の純水中に第２リンス処理時間に渡って基板を浸漬させる。これにより、基板上の第２薬液を純水に置換するリンス処理が行われる。その後は、基板搬送機構は、第２純水槽から基板を引き上げる。この基板に対しては、表面の水分を排除するための乾燥処理が行われる。
特開平５−１９０５２９号公報

しかし、このような構成では、基板搬送機構によって処理槽間で基板を搬送しているときには、基板に対する処理が途切れる。これにより、スループットが低下するという問題がある。複数枚の基板を一括して処理するバッチ処理を行えば、スループットの問題は改善されるが、個々の基板に対する処理条件を均一化することができず、基板処理にばらつきが生じる。

また、薬液槽から基板を引き上げてから純水槽へと基板を下ろして純水中に基板を浸漬させるまでに時間がかかるので、この間に、基板表面の残留薬液による反応が進行してしまうという問題もある。
さらにまた、処理槽内での基板処理中および処理槽間での基板搬送中において、基板の保持が必要である。そのため、処理槽および基板搬送機構には基板保持部がそれぞれ備えられているが、とくに基板搬送機構の基板保持部の洗浄を十分に行うことができない。そのため、基板保持部から基板を汚染するおそれがある。

そこで、この発明の目的は、基板処理のばらつきを抑制しつつスループットを改善できる基板処理装置および基板処理方法を提供することである。
この発明の他の目的は、複数の処理工程における間の時間短縮に有利な基板処理装置および基板処理方法を提供することである。
また、この発明のさらに他の目的は、処理ユニット間の基板搬送時間の短縮に有利な基板処理装置および基板処理方法を提供することである。

この発明のさらに他の目的は、基板に対する汚染を低減できる基板処理装置および基板処理方法を提供することである。

上記の目的を達成するための請求項１記載の発明は、基板の一主面に対向する第１基板対向面を有し、この第１基板対向面に複数の第１吐出口および複数の第１吸引口が形成された第１基板処理プレートを備える第１処理ユニットと、基板の一主面に対向する第２基板対向面を有し、この第２基板対向面に複数の第２吐出口および複数の第２吸引口が形成された第２基板処理プレートを備える第２処理ユニットと、前記第１基板処理プレートの前記第１吐出口に第１流体を供給する第１流体供給手段と、前記第２基板処理プレートの前記第２吐出口に、前記第１流体とは異なる第２流体を供給する第２流体供給手段と、前記第１吸引口内を吸引する第１吸引手段と、前記第２吸引口内を吸引する第２吸引手段と、前記第１処理ユニットから前記第２処理ユニットへと基板を搬送する第１基板搬送手段とを含み、前記第１処理ユニットと前記第２処理ユニットとは、少なくとも前記第１基板搬送手段によって前記第１処理ユニットから前記第２処理ユニットへと基板が搬送されるときには、前記第１基板対向面および前記第２基板対向面が同一平面内において隣接するようになっている、基板処理装置である。

この構成によれば、第１および第２処理ユニットでは、基板の一方の主面に第１および第２基板処理プレートをそれぞれ対向させて、その基板対向面に形成された吐出口から基板の一方主面に向けて処理流体を吐出させつつ、その基板対向面に形成された吸引口から処理流体が吸引される。これにより、基板対向面と基板の一方主面との間には、吐出口から吸引口へと向かう処理流体の流れが形成される。この処理流体の流れによって、基板の一方主面を、基板対向面との間に所定の間隔を隔てた非接触状態で吸着保持することができる。このとき、基板の一方主面に処理流体が接した状態となり、その基板の一方主面に対して処理流体による処理が施される。つまり、基板の一方主面を非接触状態で保持しながら、その基板の一方主面に処理流体による処理を施すことができる。基板対向面には複数の吐出口および吸引口が形成されているので、基板の一方主面に対して均一な処理を施すことができる。しかも、複数の基板に対する処理を均一化することができる。

さらに、第１および第２処理ユニット間で基板を搬送する第１基板搬送手段の働きにより、第１処理ユニットにおいて第１流体で基板の一方主面を処理した後に、第２処理ユニットにおいて第２流体で基板の一方主面を処理することができる。第１および第２処理ユニットは、少なくとも第１処理ユニットから第２処理ユニットへと基板が搬送されるときには、第１および第２基板対向面が同一平面において隣接するようになっている。そのため、第１処理ユニットにおいて第１流体による処理を受けた後の基板は、すみやかに第２処理ユニットへと搬送されて、第２流体による処理を受けることになる。

こうして、第１流体（たとえば薬液）による処理の後、時間をおかずに第２流体（たとえばリンス液）による処理を開始することができる。これにより、第１処理ユニットでの処理を終えた後の基板の一方主面に残留する第１流体による不所望な反応が進行する前に、第２流体による処理を当該基板の一方主面に対して施すことができる。
また、第１および第２基板処理プレートが同一平面内において隣接した状態で、基板が第１処理ユニットから第２処理ユニットへと搬送されるので、処理ユニット間での基板搬送に要する時間が短く、これにより、スループットを向上することができる。

さらにまた、第１基板搬送手段が、基板に接触する基板接触部を有する場合に、この基板接触部は第１処理ユニットにおいては第１流体に曝され、第２処理ユニットでは第２流体に曝される。したがって、基板接触部は、基板処理のための流体による洗浄を受けることになるので、基板接触部が基板に対する汚染源となることを抑制または防止することができる。

請求項２記載の発明は、前記第１処理ユニットは、前記第１基板対向面に対向するように配置され、前記基板の他の主面に対向する第３基板対向面を有し、この第３基板対向面に複数の第３吐出口および複数の第３吸引口が形成された第３基板処理プレートをさらに備え、前記第２処理ユニットは、前記第２基板対向面に対向するように配置され、前記基板の他の主面に対向する第４基板対向面を有し、この第４基板対向面に複数の第４吐出口および複数の第４吸引口が形成された第４基板処理プレートをさらに備え、前記基板処理装置は、前記第３基板処理プレートの前記第３吐出口に第３流体を供給する第３流体供給手段と、前記第４基板処理プレートの前記第３吐出口に第４流体を供給する第４流体供給手段と、前記第３吸引口内を吸引する第３吸引手段と、前記第４吸引口内を吸引する第４吸引手段とをさらに含み、前記第１基板搬送手段は、前記第１基板処理プレートおよび前記第３基板処理プレートの間から前記第２基板処理プレートおよび前記第４基板処理プレートの間へと基板を搬送するものであり、前記第３基板処理プレートと前記第４基板処理プレートとは、少なくとも前記第１基板搬送手段によって前記第１処理ユニットから前記第２処理ユニットへと基板が搬送されるときには、前記第３基板対向面および前記第４基板対向面が同一平面内において隣接するようになっている、請求項１記載の基板処理装置である。

この構成によれば、第１および第２処理ユニットにおいて、基板の両主面に対して同時に処理を施すことができる。そして、少なくとも第１処理ユニットから第２処理ユニットへと基板が搬送されるときには、第３および第４基板処理プレートの基板対向面が同一平面内において隣接しているので、第１処理ユニットにおいて基板の両主面を第１および第３流体でそれぞれ処理した後には、この基板を、時間をおかずに速やかに第２処理ユニットへと移して、基板の両主面に対して第２および第４流体による処理をそれぞれ施すことができる。

前記第３流体は前記第１流体と異種のものであってもよいし、同種のものであってもよい。これらが同種のものである場合には、前記第１流体供給手段は前記第３流体供給手段を兼ねるものであってもよい。同様に、前記第４流体は前記第２流体と異種のものであってもよいし、同種のものであってもよい、これらが同種のものである場合には、前記第２流体供給手段は前記第４流体供給手段を兼ねるものであってもよい。

さらに、前記第１吸引手段は前記第３吸引手段を兼ねていてもよく、前記第２吸引手段は前記第４吸引手段を兼ねていてもよい。
請求項３記載の発明は、前記第１基板処理プレートと前記第２基板処理プレートとは、少なくとも前記第１基板搬送手段によって前記第１処理ユニットから前記第２処理ユニットへと基板が搬送されるときには、前記第１基板対向面および前記第２基板対向面が同一水平面内において隣接するようになっている、請求項１または２記載の基板処理装置である。この構成によれば、基板の水平方向移動により、第１処理ユニットから第２処理ユニットへと基板を搬送することができる。

請求項４記載の発明は、前記第１基板処理プレートと前記第２基板処理プレートとは、少なくとも前記第１基板搬送手段によって前記第１処理ユニットから前記第２処理ユニットへと基板が搬送されるときには、前記第１基板対向面および前記第２基板対向面が同一鉛直面内において隣接するようになっている、請求項１または２記載の基板処理装置である。この構成によれば、基板の鉛直方向移動により、第１処理ユニットから第２処理ユニットへと基板を搬送することができる。基板の移動方向は、上方向であってもよいし、下方向であってもよい。たとえば、請求項２記載の構成の場合には、基板の両主面が基板処理プレートによって挟まれているので、基板の下方端部を支える支持部材を設け、この支持部材を上下動させることによって、第１および第２処理ユニット間で基板を移動させることができる。

請求項５記載の発明は、前記第１処理ユニットに対して、前記第１基板対向面に垂直な方向に積層され、基板の一主面に対向する第５基板対向面を有し、この第５基板対向面に複数の第５吐出口および複数の第５吸引口が形成された第５基板処理プレートを備える第３処理ユニットと、前記第５基板処理プレートの前記第５吐出口に第５流体を供給する第５流体供給手段と、前記第５吸引口内を吸引する第５吸引手段とをさらに含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板処理装置である。

この構成によれば、第１処理ユニットの第１基板対向面に対して垂直な方向に第５処理ユニットを積層配置しているので、少ない占有空間で、より多様な処理が可能になる。たとえば、一枚の基板に対して第１処理ユニット、第２処理ユニットおよび第３処理ユニットによる処理を施すことができる。また、第１処理ユニットおよび第２処理ユニットによる基板処理と並行して第３処理ユニットによる基板処理を行うようにして、生産性を高めることができる。

請求項６記載の発明は、前記第２処理ユニットに対して、前記第２基板対向面に垂直な方向に積層され、基板の一主面に対向する第６基板対向面を有し、この第６基板対向面に複数の第６吐出口および複数の第６吸引口が形成された第６基板処理プレートを備える第４処理ユニットと、前記第６基板処理プレートの前記第６吐出口に第６流体を供給する第６流体供給手段と、前記第６吸引口内を吸引する第６吸引手段と、前記第３処理ユニットと前記第４処理ユニットとの間で基板を搬送する第２基板搬送手段とを含み、前記第５基板処理プレートと前記第６基板処理プレートとは、少なくとも前記第２基板搬送手段によって前記第３処理ユニットから前記第４処理ユニットへと基板が搬送されるときには、前記第５基板対向面および前記第６基板対向面が同一平面内において隣接するようになっている、請求項５記載の基板処理装置である。

この構成によれば、第１処理ユニットに対して第３処理ユニットが積層配置され、第２処理ユニットに対して第４処理ユニットが積層配置されていて、第２基板搬送手段によって、第３処理ユニットから第４処理ユニットへと基板が搬送されるようになっている。しかも、少なくとも第３処理ユニットから第４処理ユニットへと基板が搬送されるときには、第３および第４基板処理プレートの基板対向面は同一平面内において隣接するようになっているので、これらの間での基板搬送は速やかに行われる。したがって、第３処理ユニットでの基板処理を終えた基板は、時間をおかずに、速やかに第４処理ユニットへと搬入され、この第４処理ユニットによる基板処理を受けることができる。そして、この構成では、少ない占有空間でより多様な基板処理が可能になる。たとえば、第１〜第４処理ユニットを基板が順に通るようにして、より複雑な基板処理を行うことができる。また、第１および第２処理ユニットによって順次基板を処理する一方で、これと並行して第３および第４処理ユニットによって順次基板を処理（たとえば第１および第２処理ユニットによる処理と同様の処理）させ、生産性を向上することができる。

請求項７記載の発明は、前記第３処理ユニットは、前記第５基板対向面に対向するように配置され、前記基板の他の主面に対向する第７基板対向面を有し、この第７基板対向面に複数の第７吐出口および複数の第７吸引口が形成された第７基板処理プレートをさらに備えており、前記第４処理ユニットは、前記第６基板対向面に対向するように配置され、前記基板の他の主面に対向する第８基板対向面を有し、この第８基板対向面に複数の第８吐出口および複数の第８吸引口が形成された第８基板処理プレートをさらに備えており、前記基板処理装置は、前記第７基板処理プレートの前記第７吐出口に第７流体を供給する第７流体供給手段と、前記第８基板処理プレートの前記第８吐出口に第８流体を供給する第８流体供給手段と、前記第７吸引口内を吸引する第７吸引手段と、前記第８吸引口内を吸引する第８吸引手段とをさらに含み、前記第２基板搬送手段は、前記第５基板処理プレートおよび前記第７基板処理プレート間と、前記第６基板処理プレートおよび前記第８基板処理プレート間との間で、基板を搬送するものであり、前記第７基板処理プレートと前記第８基板処理プレートとは、少なくとも前記第２基板搬送手段によって前記第３処理ユニットから前記第４処理ユニットへと基板が搬送されるときには、前記第７基板対向面および前記第８基板対向面が同一平面内において隣接するようになっている、請求項６記載の基板処理装置である。

この構成によれば、第３および第４処理ユニットにおいて、基板の両主面に対して同時に処理を施すことができる。そして、少なくとも第３処理ユニットから第４処理ユニットへと基板が搬送されるときには、第７および第８基板処理プレートの基板対向面が同一平面内において隣接しているので、第３処理ユニットにおいて基板の両主面を第５および第７流体でそれぞれ処理した後には、この基板を、時間をおかずに速やかに第４処理ユニットへと移して、基板の両主面に対して第６および第８流体による処理をそれぞれ施すことができる。

前記第７流体は前記第５流体と異種のものであってもよいし、同種のものであってもよい。これらが同種のものである場合には、前記第５流体供給手段は前記第７流体供給手段を兼ねるものであってもよい。同様に、前記第８流体は前記第６流体と異種のものであってもよいし、同種のものであってもよい、これらが同種のものである場合には、前記第６流体供給手段は前記第８流体供給手段を兼ねるものであってもよい。

さらに、前記第５吸引手段は前記第７吸引手段を兼ねていてもよく、前記第６吸引手段は前記第８吸引手段を兼ねていてもよい。
請求項８記載の発明は、前記第１処理ユニットを含む第１処理層と、前記第３処理ユニットを含む第２処理層との間で基板を搬送する層間搬送手段をさらに含む、請求項５〜７の一項に記載の基板処理装置である。この構成によれば、第１および第２処理ユニットで処理された後の基板を第３に搬入して、さらに別の種類の処理を施すことができる。

請求項９記載の発明は、前記層間搬送手段は、前記第１処理ユニットに隣接する第１位置と、前記第３処理ユニットに隣接する第２位置との間で、前記第２処理ユニットを移動させるものである、請求項８記載の基板処理装置である。この構成によれば、第２処理ユニットによる処理を終えた基板を、時間をおかずに第３処理ユニットへ搬入して処理を施すことができる。前記第１位置は、第１および第２基板処理プレートの基板対向面が同一平面をなす位置であることが好ましくは、前記第２位置は第２および第３基板処理プレートの基板対向面が同一平面をなす位置であることが好ましい。

請求項１０記載の発明は、前記第１処理ユニットを含む第１処理層と、前記第３処理ユニットを含む第２処理層とにおいて、異なる基板に対する処理が並行して行われるようになっている、請求項５〜９のいずれか一項に記載の基板処理装置である。これにより、第１および第３処理ユニットを積層配置して占有空間の大きさを縮小しつつ、生産性の向上を図ることができる。

請求項１１記載の発明は、第１基板対向面に複数の第１吐出口および複数の第１吸引口が形成された第１基板処理プレートの前記第１吐出口に第１流体を供給するとともに、前記第１吸引口を吸引する工程と、前記第１基板対向面に基板の一主面を対向させ、前記第１吐出口から吐出される第１流体によって前記基板の一主面を処理する工程と、第２基板対向面に複数の第２吐出口および複数の第２吸引口が形成された第２基板処理プレートの前記第２吐出口に第２流体を供給するとともに、前記第２吸引口を吸引する工程と、前記第２基板対向面に基板の一主面を対向させ、前記第２吐出口から吐出される第２流体によって前記基板の一主面を処理する工程と、前記第１基板対向面および前記第２基板対向面が同一平面内において隣接する状態で、前記第１基板処理プレートから前記第２基板処理プレートへと基板を搬送する工程とを含む、基板処理方法である。この発明により、請求項１の発明と同様の効果を奏することができる。

請求項１２記載の発明は、前記第１基板対向面に対向配置された第３基板対向面に複数の第３吐出口および複数の第３吸引口が形成された第３基板処理プレートの前記第３吐出口に第３流体を供給するとともに、前記第３吸引口を吸引する工程と、前記第２基板対向面に対向配置された第４基板対向面に複数の第４吐出口および複数の第４吸引口が形成された第４基板処理プレートの前記第４吐出口に第４流体を供給するとともに、前記第４吸引口を吸引する工程と、前記第１流体によって基板の一主面を処理する工程と並行して、前記第３基板対向面に基板の他の主面を対向させ、前記第３吐出口から吐出される第３流体によって前記基板の他の主面を処理する工程と、前記第２流体によって基板の一主面を処理する工程と並行して、前記第４基板対向面に基板の他の主面を対向させ、前記第４吐出口から吐出される第４流体によって前記基板の他の主面を処理する工程とを含み、前記第１基板処理プレートから前記第２基板処理プレートへと基板を搬送する工程は、前記第１基板処理プレートおよび前記第３基板処理プレートの間から前記第２基板処理プレートおよび前記第４基板処理プレートの間へと基板を搬送する工程である、請求項１１記載の基板処理方法である。この構成により、請求項２の発明と同様の効果を奏することができる。

むろん、前記基板処理方法の発明に関しても、前記基板処理装置の発明と同様な変形が可能である。

以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、この発明の一実施形態に係る基板処理装置のレイアウトを説明するための図解的な平面図である。この基板処理装置は、インデクサ部１と、これに結合された基板処理部２とを備えている。インデクサ部１は、キャリヤ保持部３と、インデクサロボット４とを備えている。キャリヤ保持部３は、複数枚の基板Ｗをそれぞれ保持することができるキャリヤＣを所定の配列方向に沿って保持することができるように構成されている。各キャリヤＣは、複数枚（たとえば２５枚）の基板Ｗを上下方向に積層状態で間隔をあけて保持することができるものであり、基板Ｗを密閉した状態で保持するＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）であってもよく、ＳＭＩＦ（Standard Mechanical Inter Face）ポッドであってもよく、ＯＣ（Open Cassette）であってもよい。

インデクサロボット４は、キャリヤ保持部３に保持されたキャリヤＣと基板処理部２との間で基板Ｗを搬送するためのロボットである。このインデクサロボット４は、キャリヤ保持部３に保持されたキャリヤＣに対して基板Ｗを搬出／搬入することができ、基板処理部２に対して基板Ｗを搬入／搬出することができる。より具体的には、インデクサロボット４は、キャリヤ保持部３におけるキャリヤＣの配列方向に沿って直線移動することができるロボット本体５と、基板Ｗを保持するための一対のハンド６Ａ，６Ｂとを備えている。ロボット本体５には、ハンド６Ａ，６Ｂを鉛直軸線周りに回転させる回転駆動機構と、ハンド６Ａ，６Ｂを上下動させるための昇降機構と、ハンド６Ａ，６ＢをキャリヤＣまたは基板処理部２に向けて独立に進退させるための進退駆動機構とが備えられている。このような構成により、インデクサロボット４は、キャリヤＣとの間で基板Ｗを受け渡し、また、基板処理部２との間で基板Ｗを受け渡しする。一対のハンド６Ａ，６Ｂは、たとえば、一方のハンド６Ａが未処理の基板Ｗを搬送するために用いられ、他方のハンド６Ｂが処理済の基板Ｗを搬送するために用いられる。

基板処理部２は、一対の基板受け渡し部１８，１９と、複数の処理ユニット２１〜２５と、これらの間で基板Ｗを搬送する基板搬送機構１１〜１６（第１基板搬送手段）とを備えている。基板処理部２は、平面視において、インデクサ部１から延びる長方形形状に構成されている。基板受け渡し部１８，１９は、インデクサ部１に隣接するように配置されている。一方の基板受け渡し部１８は、インデクサ部１から未処理の基板Ｗを受け取って最初の処理ユニット２１へと送り出すためのものであり、他方の基板受け渡し部１９は、処理ユニット２５による処理を終えた基板Ｗを受け取り、これをインデクサ部１に受け渡すためのものである。処理ユニット２１〜２５は、基板受け渡し部１８，１９の間においてほぼＵ字状をなす基板搬送経路１７に沿って配置されている。

処理ユニット２１は、たとえば、基板Ｗに対して第１薬液による処理を施すための第１薬液ユニットであり、以下では「第１薬液ユニット２１」ともいう。処理ユニット２２は、第１薬液ユニット２１による処理後の基板Ｗの表面に残留する第１薬液をリンス液に置換するための第１リンスユニットであり、以下では「第１リンスユニット２２」ともいう。処理ユニット２３は、第１リンスユニット２２によるリンス処理後に、第２薬液によって基板Ｗを処理するための第２薬液ユニットであり、以下では「第２薬液ユニット２３」ともいう。処理ユニット２４は、第２薬液ユニット２３によって処理された後の基板Ｗの表面に残留する第２薬液をリンス液に置換するための第２リンスユニットであり、以下では「第２リンスユニット２４」ともいう。処理ユニット２５は、第２リンスユニット２４によるリンス処理後の基板Ｗの表面に残る液成分（リンス液）を排除して、基板Ｗを乾燥状態とするものであり、以下では「乾燥ユニット２５」ともいう。

基板搬送機構１１〜１６は、隣接するユニット間で基板Ｗを水平移動させるためのものである。具体的には、基板搬送機構１１は、基板受け渡し部１８から第１薬液ユニット２１へと基板Ｗを水平移動させる。また、基板搬送機構１２は、第１薬液ユニット２１から第１リンスユニット２２へと基板Ｗを水平移動させる。基板搬送機構１３は、第１リンスユニット２２から第２薬液ユニット２３へと基板Ｗを水平移動させる。基板搬送機構１４は、第２薬液ユニット２３から第２リンスユニット２４へと基板Ｗを水平移動させる。基板搬送機構１５は、第２リンスユニット２４から乾燥ユニット２５へと基板Ｗを移動させる。そして、基板搬送機構１６は、乾燥ユニット２５から基板受け渡し部１９へと基板Ｗを水平移動させる。

こうして、基板Ｗは、基板搬送機構１１〜１６によって、基板搬送経路１７に沿って搬送されてゆき、その結果、基板受け渡し部１８から、第１薬液ユニット２１、第１リンスユニット２２、第２薬液ユニット２３、第２リンスユニット２４および乾燥ユニット２５を順に通り、基板受け渡し部１９へと導かれることになる。
図２は、処理ユニット２１〜２５の構成を基板搬送経路１７に沿って展開して示す図解図である。第１薬液ユニット２１は、第１薬液処理プレート３１を備え、第１リンスユニット２２は第１リンス処理プレート３２を備え、第２薬液ユニット２３は第２薬液処理プレート３３を備え、第２リンスユニット２４は第２リンス処理プレート３４を備え、乾燥ユニット２５は乾燥処理プレート３５を備えている。これらの処理プレート３１〜３５は、基板搬送経路１７に沿って、この順序で、基板処理部２のベース部２０に固定されている。処理プレート３１〜３５は、水平な平坦面をなす基板対向面３１Ａ，３２Ａ，３３Ａ，３４Ａおよび３５Ａをそれぞれ有している。これらの基板対向面３１Ａ〜３５Ａは、同一高さの水平面内に位置している。基板搬送機構１２〜１５は、基板対向面３１Ａ〜３５Ａに沿って、基板Ｗを滑らすように水平方向に移動させ、これにより処理ユニット２１〜２５間での基板Ｗの搬送を達成する。

処理プレート３１〜３５は、隣り合うもの同士が基板搬送経路１７に沿って接近して（隣接して）配置されている。したがって、第１薬液ユニット２１による薬液処理を受けた基板Ｗは直ちに第１リンスユニット２２によるリンス処理を受け、第２薬液ユニット２３による薬液処理を受けた後の基板は直ちに第２リンスユニット２４においてリンス処理を受ける。したがって、薬液処理からリンス処理までの経過時間が極めて短いので、基板Ｗ上の残留薬液による化学反応の進行を抑制または防止することができる。

さらに、第２リンスユニット２２によってリンス処理された後の基板Ｗは、直ちに第２薬液ユニット２３へと搬入され、第２リンスユニット２４によるリンス処理後の基板Ｗは直ちに乾燥ユニット２５によって乾燥処理を受ける。したがって、処理工程間の時間が極めて短いので、全体の基板処理時間を短くすることができる。さらにまた、第２リンスユニット２４によってリンス処理を受けた後の基板Ｗは直ちに乾燥処理を受けるので、基板Ｗ上にリンス液が長時間にわたって残留することに起因するウォータマークの発生を効果的に抑制または防止できる。

第１薬液処理プレート３１、第１リンス処理プレート３２、第２薬液処理プレート３３、第２リンス処理プレート３４および乾燥処理プレート３５は、いずれも、いわゆるプッシュプルプレートで構成されている。すなわち、第１薬液処理プレート３１には、第１薬液供給機構４１Ａから第１薬液が供給され、この第１薬液が基板対向面３１Ａから湧出する。そして、基板対向面３１Ａから湧出した薬液は、第１薬液吸引機構４１Ｂによって吸引されるようになっている。同様に、第１リンス処理プレート３２には第１リンス液供給機構４２Ａからリンス液が供給され、その基板対向面３２Ａから湧出するようになっている。この湧出したリンス液は、第１リンス液吸引機構４２Ｂによって吸引される。第２薬液処理プレート３３には、第２薬液供給機構４３Ａから第２薬液が供給され、この第２薬液が基板対向面３３Ａから湧出する。この湧出した第２薬液は、第２薬液吸引機構４３Ｂによって吸引される。第２リンス処理プレート３４には、第２リンス液供給機構４４Ａからリンス液が供給され、その基板対向面３４Ａから湧出する。この湧出したリンス液は、第２リンス液吸引機構４４Ｂによって吸引される。そして、乾燥処理プレート３５には、乾燥流体供給機構４５Ａから乾燥流体が供給され、基板対向面３５Ａから湧出する。この湧出した乾燥流体は、乾燥流体吸引機構４５Ｂによって吸引されるようになっている。

図３は、第１薬液ユニット２１および第２薬液ユニット２３に共通の構成を示す図解的な断面図である。薬液処理プレート３１，３３の基板対向面３１Ａ，３３Ａは、基板Ｗよりも大きな面積を有する矩形形状に形成されている。この薬液処理プレート３１，３３は、ベース部２０に固定されたプレート支持台５５上に固定されている。薬液処理プレート３１，３３の上面である基板対向面３１Ａ，３３Ａには、複数の吐出口５６および複数の吸引口５７が形成されている。また、薬液処理プレート３１，３３には、各吐出口５６に連通するほぼ円柱状の供給路５８と、各吸引口５７に連通するほぼ円柱状の吸引路５９とが、その厚み方向（上下方向）に貫通して形成されている。さらに、薬液処理プレート３１，３３およびプレート支持台５５を貫通するように、昇降可能な複数本（たとえば３本）のガイドピン６０が立設されている。これらのガイドピン６０は、ガイドピン駆動機構６１によって、上下動されるようになっており、頭部が基板対向面３１Ａ，３３Ａよりも上方に突出して基板Ｗの端面をガイドする端面規制位置と、頭部が基板対向面３１Ａ，３３Ａよりも下方に没入して基板Ｗの自由な移動を許容する退避位置との間で変位するようになっている。

薬液供給機構４１Ａ，４３Ａは、薬液処理プレート３１，３３の供給路５８を介して吐出口５６に処理液としての薬液を供給することができる。供給される薬液としては、たとえば、フッ酸、ＳＣ１，ＳＣ２などを例示することができる。より具体的には、薬液供給機構４１Ａ，４３Ａは、各供給路５８に一端が接続された分岐接続管６４と、分岐接続管６４の他端が共通に接続された集合供給管６５とを備えている。集合供給管６５は、薬液タンク６６へと延びており、その途中部には薬液タンク６６から薬液を汲み出すための薬液ポンプ６７と、集合供給管６５を開閉するための薬液バルブ６８とが介装されている。

一方、薬液吸引機構４１Ｂ，４３Ｂは、各吸引路５９に一端が接続された分岐接続管６９と、分岐接続管６９の他端が共通に接続された集合吸引管７０とを備えている。集合吸引管７０は、薬液タンク６６に接続されており、その途中部には集合吸引管７０を開閉する回収バルブ７３と、集合吸引管７０内を流通する薬液中の異物を除去するフィルタ７４と、薬液タンク６６へと薬液を引き込むための回収ポンプ７５とが介装されている。

このような構成により、薬液バルブ６８を開き、薬液ポンプ６７を駆動することによって、薬液タンク６６に貯留されている薬液を薬液処理プレート３１，３３の各吐出口５６へと供給し、この吐出口５６から基板対向面３１Ａ，３３上に湧出させることができる。その一方で、回収バルブ７３を開くとともに、回収ポンプ７５を駆動することにより、吐出口５６から吐出された薬液を、吸引口５７から吸引し、吸引路５９および集合吸引管７０を介して薬液タンク６６に回収することができる。

図４は、薬液処理プレート３１，３３の基板対向面３１Ａ，３３Ａの一部の構成を示す平面図である。基板対向面３１Ａ，３３Ａにおいて、吐出口５６は、たとえば、一方向およびこれと直交する他方向にそれぞれ等間隔を隔てた行列状に整列して配置されている。そして、吸引口５７は、吐出口５６の周囲において、たとえばその吐出口５６を中心とする正六角形の各頂点の位置に配置されている。これにより、図４において矢印で示すように、各吐出口５６から吐出される薬液は、その吐出口５６の周囲の６つの吸引口５７に向けてほぼ均一に分散して流れる。

吐出口５６から薬液を吐出させ、吸引口５７からその薬液を吸引させている状態で、基板対向面３１Ａ，３３Ａに基板Ｗを接近させると、この基板Ｗの下面と基板対向面３１Ａ，３３Ａとの間には、図４に示すような薬液の流れが形成され、この薬液の流れにより、基板Ｗは、その下面が基板対向面３１Ａ，３３Ａに所定の微小間隔を隔てた非接触状態で吸着保持される。このとき、基板Ｗの下面と基板対向面３１Ａ，３３Ａとの間には、薬液が満たされた状態となり、この薬液によって、基板Ｗの下面が薬液処理を受けることになる。

図５は、第１リンスユニット２２および第２リンスユニット２４に共通の構成を示す図解的な断面図である。リンス処理プレート３２，３４の基板対向面３２Ａ，３４Ａは、基板Ｗよりも大きな面積を有する矩形形状に形成されている。このリンス処理プレート３２，３４は、ベース部２０に固定されたプレート支持台８０上に固定されている。リンス処理プレート３２，３４の上面である基板対向面３２Ａ，３４Ａには、複数の吐出口８１および複数の吸引口８２が形成されている。また、リンス処理プレート３２，３４には、各吐出口８１に連通するほぼ円柱状の供給路８３と、各吸引口８２に連通するほぼ円柱状の吸引路８４とが、その厚み方向（上下方向）に貫通して形成されている。さらに、リンス処理プレート３２，３４およびプレート支持台８０を貫通するように、昇降可能な複数本（たとえば３本）のガイドピン８５が立設されている。これらのガイドピン８５は、ガイドピン駆動機構８６によって、上下動されるようになっており、頭部が基板対向面３２Ａ，３２Ａよりも上方に突出して基板Ｗの端面をガイドする端面規制位置と、頭部が基板対向面３２Ａ，３２Ａよりも下方に没入して基板Ｗの自由な移動を許容する退避位置との間で変位するようになっている。

リンス液供給機構４２Ａ，４４Ａは、リンス処理プレート３２，３４の供給路８３を介して吐出口８１にリンス液を供給することができる。より具体的には、リンス液供給機構４２Ａ，４４Ａは、各供給路８３に一端が接続された分岐接続管８７と、分岐接続管８７の他端が共通に接続された集合供給管８８とを備えている。集合供給管８８は、リンス液バルブ８９を介してリンス液供給源に接続されている。これにより、リンス液バルブ８９を開くことにより、リンス液供給源からのリンス液を各吐出口８１に供給することができる。供給されるリンス液としては、純水のほか、炭酸水、電解イオン水、水素水、磁気水などの機能水、または希薄濃度（たとえば１ｐｐｍ程度）のアンモニア水などが用いられる場合がある。

一方、リンス液吸引機構４２Ｂ，４２Ｂは、各吸引路８４に一端が接続された分岐接続管９０と、分岐接続管９０の他端が共通に接続された集合吸引管９１とを備えている。集合吸引管９１は、この集合吸引管９１内を真空吸引するための吸引手段としてのコンバム９２に接続されている。集合吸引管９１には、この集合吸引管９１を開閉する吸引バルブ９３が介装されている。この構成により、リンス処理プレート３２，３４の吐出口８１からリンス液が吐出されている状態で、吸引バルブ９３を開いて、コンバム９２を駆動することにより、吐出口８１から吐出されるリンス液を、吸引口８２、吸引路８４、分岐接続管９０および集合吸引管９１を介して、コンバム９２へと吸引することができる。基板対向面３２Ａ，３４Ａにおける吐出口８１および吸引口８２の配置は、薬液処理プレート３１，３３の吐出口５６および吸引口５７の配置と同様である。

この構成により、吐出口８１からリンス液を吐出させ、吸引口８２からそのリンス液を吸引させている状態で、基板対向面３２Ａ，３４Ａに基板Ｗを接近させると、この基板Ｗの下面と基板対向面３２Ａ，３４Ａとの間には、図４に示す薬液の流れと同様なリンス液の流れが形成され、このリンス液の流れにより、基板Ｗは、その下面が基板対向面３２Ａ，３４Ａに所定の微小間隔を隔てた非接触状態で吸着保持される。このとき、基板Ｗの下面と基板対向面３２Ａ，３４Ａとの間には、リンス液が満たされた状態となり、このリンス液によって、基板Ｗの下面の薬液が置換されていくことになる。

図６は、乾燥ユニット２５の構成を示す図解的な断面図である。乾燥処理プレート３５の基板対向面３５Ａは、基板Ｗよりも大きな面積を有する矩形形状に形成されている。この乾燥処理プレート３５は、ベース部２０に固定されたプレート支持台９５上に固定されている。乾燥処理プレート３５の上面である基板対向面３５Ａには、複数の吐出口９６および複数の吸引口９７が形成されている。また、乾燥処理プレート３５には、各吐出口９６に連通するほぼ円柱状の供給路９８と、各吸引口９７に連通するほぼ円柱状の吸引路９９とが、その厚み方向（上下方向）に貫通して形成されている。さらに、乾燥処理プレート３５およびプレート支持台９５を貫通するように、昇降可能な複数本（たとえば３本）のガイドピン１００が立設されている。これらのガイドピン１００は、ガイドピン駆動機構１０１によって、上下動されるようになっており、頭部が基板対向面３５Ａよりも上方に突出して基板Ｗの端面をガイドする端面規制位置と、頭部が基板対向面３５Ａよりも下方に没入して基板Ｗの自由な移動を許容する退避位置との間で変位するようになっている。

乾燥流体供給機構４５Ａは、乾燥処理プレート３５の供給路９８を介して吐出口９６に乾燥流体を供給することができる。供給される乾燥流体としては、窒素ガスその他の不活性ガスや乾燥空気を適用できるほか、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）やＨＦＥ（ハイドロフルオロエーテル）等の揮発性有機溶剤を液体または蒸気の形態で乾燥流体として用いることもできる。この実施形態では、窒素ガスおよびＩＰＡ液が用いられる。より具体的には、乾燥流体供給機構４５Ａは、各供給路９８に一端が接続された分岐接続管１０２と、分岐接続管１０２の他端が共通に接続された集合供給管１０３とを備えている。集合供給管１０３には、ＩＰＡ供給管１０４および窒素ガス供給管１０５が分岐接続されている。ＩＰＡ供給管１０４は、ＩＰＡバルブ１０６を介してＩＰＡ液供給源に接続されている。また、窒素ガス供給管１０５は、窒素ガスバルブ１０７を介して、窒素ガス供給源に接続されている。これにより、ＩＰＡバルブ１０６または窒素ガスバルブ１０７を選択的に開くことにより、ＩＰＡ液または窒素ガスを各吐出口９６に供給することができる。

一方、乾燥流体吸引機構４５Ｂは、各吸引路９９に一端が接続された分岐接続管１１０と、分岐接続管１１０の他端が共通に接続された集合吸引管１１１とを備えている。集合吸引管１１１は、この集合吸引管１１１内を真空吸引するための吸引手段としてのコンバム１０８に接続されている。集合吸引管１１１には、この集合吸引管１１１を開閉する吸引バルブ１０９が介装されている。この構成により、乾燥処理プレート３５の吐出口９６からＩＰＡ液または窒素ガスが吐出されている状態で、吸引バルブ１０９を開いて、コンバム１０８を駆動することにより、吐出口９６から吐出されるＩＰＡ液または窒素ガスを、吸引口９７、吸引路９９、分岐接続管１１０および集合吸引管１１１を介して、コンバム１０８へと吸引することができる。基板対向面３５Ａにおける吐出口９６および吸引口９７の配置は、薬液処理プレート３１，３３の吐出口５６および吸引口５７の配置と同様である。

この構成により、吐出口９６からＩＰＡ液を吐出させ、吸引口９７からそのＩＰＡ液を吸引させている状態で、基板対向面３５Ａに基板Ｗを接近させると、この基板Ｗの下面と基板対向面３５Ａとの間には、図４に示す薬液の流れと同様なＩＰＡ液の流れが形成され、このＩＰＡ液の流れにより、基板Ｗは、その下面が基板対向面３５Ａに所定の微小間隔を隔てた非接触状態で吸着保持される。このとき、基板Ｗの下面と基板対向面３５Ａとの間には、ＩＰＡ液が満たされた状態となり、このＩＰＡ液によって、基板Ｗの下面のリンス液が置換されていくことになる。その後、吐出口９６から窒素ガスを吐出させ、吸引口９７からその窒素ガスを吸引させている状態で、基板対向面３５Ａに基板Ｗを接近させると、この基板Ｗの下面と基板対向面３５Ａとの間には、図４に示す薬液の流れと同様な窒素ガスの流れが形成され、この窒素ガスの流れにより、基板Ｗは、その下面が基板対向面３５Ａに所定の微小間隔を隔てた非接触状態で吸着保持される。このとき、基板Ｗの下面と基板対向面３５Ａとの間には、窒素ガスが満たされた状態となり、この窒素ガスによって、基板Ｗの下面のＩＰＡ液が速やかに揮発させられる。こうして、ウォータマークの発生を抑制または防止しつつ、基板Ｗの表面を乾燥させることができる。

ＩＰＡ液の代わりにＩＰＡ蒸気を用いる場合には、その後に窒素ガスを供給することなく、基板Ｗ表面を乾燥させることができる。
図７は、基板搬送機構１１の構成を説明するための概念的な平面図である。基板搬送機構１１は、基板搬送経路１７に直交する水平方向に沿って対向した一対の端面保持部５１，５２（基板接触部）と、この端面保持部５１，５２を互い接近／離反変位させる保持部駆動機構５３と、この保持部駆動機構５３を支持する支持ロッド５４と、この支持ロッド５４を基板搬送経路１７に平行な方向に往復変位させるリニア駆動機構４８とを備えている。端面保持部５１，５２は、保持部駆動機構５３によって駆動されることにより、基板Ｗをその端面に当接して挟持した挟持状態と、基板Ｗの挟持を開放した開放状態とに制御されるようになっている。

端面保持部５１，５２によって基板受け渡し部１８にある基板Ｗを挟持させ、その状態でリニア駆動機構４８を作動させることにより、基板受け渡し部１８から第１薬液ユニット２１へと基板Ｗを水平移動させることができる。第１薬液ユニット２１内の所定位置まで基板Ｗが運ばれた後、保持部駆動機構５３によって端面保持部５１，５２を開放状態とすれば、基板Ｗの挟持を解除できる。その後、リニア駆動機構４８は、端面保持部５１，５３を保持部駆動機構５３とともに基板受け渡し部１８へと移動させるように動作する。基板受け渡し部１８に導かれた基板Ｗの水平移動は、ガイドピン６０によって規制される。基板搬送機構１２〜１６の構成および動作も同様である。

図８は、前記基板処理装置の制御に関連する構成を説明するためのブロック図である。この基板処理装置には、マイクロコンピュータを含む制御装置５０が備えられており、この制御装置５０によって基板処理装置の各部が制御されるようになっている。具体的には、制御装置５０は、インデクサロボット４、基板搬送機構１１〜１６および処理ユニット２１〜２５の動作を制御する。

さらに具体的には、制御装置５０は、薬液ユニット２１，２３に関連して、薬液供給機構４１Ａ，４３Ａの薬液ポンプ６７および薬液バルブ６８の動作を制御し、薬液吸引機構４１Ｂ，４３Ｂの回収バルブ７３および回収ポンプ７５の動作を制御し、ガイドピン駆動機構６１の動作を制御する。
また、制御装置５０は、リンスユニット２２，２４に関連して、リンス液供給機構４２Ａ，４４Ａのリンス液バルブ８９の動作を制御し、リンス液吸引機構４２Ｂ，４４Ｂのコンバム９２および吸引バルブ９３の動作を制御し、ガイドピン駆動機構８６の動作を制御する。

さらに、制御装置５０は、乾燥ユニット２５に関連して、乾燥流体供給機構４５ＡのＩＰＡバルブ１０６および窒素ガスバルブ１０７の動作を制御し、乾燥流体吸引機構４５Ｂのコンバム１０８および吸引バルブ１０９の動作を制御し、ガイドピン駆動機構１０１の動作を制御する。
制御装置５０は、また、基板搬送機構１１〜１６に関連して、リニア駆動機構４８および保持部駆動機構５３（図８ではこれらの図示を省略した。）の動作を制御するようになっている。

次に、前述の基板処理装置の動作について説明する。この動作は、制御装置５０が基板処理装置の前述の各部を制御することによって実現される。
インデクサロボット４は、キャリヤ保持部３に保持されたいずれかのキャリヤＣから１枚の基板Ｗを取り出し、基板受け渡し部１８へと搬入する。この基板Ｗは、基板搬送機構１１によって、基板受け渡し部１８から第１薬液ユニット２１へと搬入される。

第１薬液ユニット２１では、第１薬液供給機構４１Ａにより、第１薬液処理プレート３１の基板対向面３１Ａに形成された複数の吐出口５６へと第１薬液が供給されている。その一方で、第１薬液吸引機構４１Ｂにより、第１薬液処理プレート３１の吸引口５７が吸引されている。これにより、第１薬液処理プレート３１の基板対向面３１Ａにおいて、吐出口５６から吸引口５７へと流れる第１薬液の流れが形成されている。ここに基板Ｗが供給されると、基板Ｗの下面と第１薬液処理プレート３１の基板対向面３１Ａとの間に第１薬液の薄い液膜が形成される。この第１薬液の液膜は、基板Ｗの下面全域に接液する。こうして、基板Ｗの下面の全域にわたって、均一に第１薬液による処理を施すことができる。

第１薬液ユニット２１に基板Ｗが搬入された後には、ガイドピン駆動機構６１によってガイドピン６０が上昇させられて端面規制位置導かれる。第１薬液による処理中には、ガイドピン６０が基板Ｗの端面に対向し、この基板Ｗの水平方向移動を規制する。
所定時間にわたって第１薬液による処理が行われた後には、ガイドピン駆動機構６１は、ガイドピン６０を初期位置である退避位置へと下降させる。これにより、基板Ｗは水平移動が可能な状態となる。この状態で、基板搬送機構１２は、第１薬液処理プレート３１から第１リンス処理プレート３２へと基板Ｗを水平移動させる。

第１リンス処理プレート３２では、第１リンス液供給機構４２Ａから供給されるリンス液が吐出口８１から湧出しており、また、その吸引口８２が第１リンス液吸引機構４２Ｂによって吸引されている。この状態の第１リンス処理プレート３２に基板Ｗが供給されると、この基板Ｗの下面と基板対向面３２Ａとの間にリンス液の薄い液膜が形成される。これにより、基板Ｗの下面の全域にリンス液が供給され、基板Ｗ下面の薬液がリンス液へと置換されていく。第１リンス処理プレート３２上の所定位置に基板Ｗが導かれた後、ガイドピン駆動機構８６は、ガイドピン８５を上昇させて端面規制位置へと導く。リンス処理の期間中、ガイドピン駆動機構８６はガイドピン８５を規制位置に保持する。これによって、基板Ｗの水平方向移動が規制された状態でリンス処理が行われる。

所定時間にわたってリンス処理が行われた後には、ガイドピン駆動機構８６は、ガイドピン８５をその初期位置である退避位置へと下降させる。これにより、基板Ｗは水平方向移動が可能な状態となる。この状態の基板Ｗを、基板搬送機構１３が、第１リンスユニット２２から第２薬液ユニット２３へと搬送する。すなわち、第１リンス処理プレート３２から第２薬液処理プレート３３へと基板Ｗを滑らせるように水平方向移動させる。

第２薬液処理プレート３３では、その吐出口５６に第２薬液供給機構４３Ａから第２薬液が供給されているとともに、その吸引口５７は第２薬液吸引機構４３Ｂによって吸引されている。こうして、第２薬液処理プレート３３の基板対向面３３Ａには、吐出口５６から吸引口５７へと向かう第２薬液の流れが形成されている。この状態の第２薬液処理プレート３３の基板対向面３３Ａに基板Ｗが導かれると、この基板Ｗの下面と基板対向面３３Ａとの間に第２薬液の薄い液膜が形成される。この液膜は、基板Ｗの下面の全域に接触する。したがって、基板Ｗの下面の全域に対して、第２薬液による薬液処理を均一に施すことができる。

第２薬液処理プレート３３上の所定位置に基板Ｗが導かれた後、ガイドピン駆動機構６１は、ガイドピン６０を上昇させて規制位置へと導く。第２薬液による薬液処理の期間中、ガイドピン駆動機構６１はガイドピン６０を端面規制位置に保持する。これによって、基板Ｗの水平方向移動が規制された状態で薬液処理が行われる。
所定時間にわたって第２薬液による処理が行われると、ガイドピン駆動機構６１は、ガイドピン６０をその初期位置である退避位置へと下降させる。これにより、基板Ｗは、水平移動が可能な状態となる。この状態で、基板搬送機構１４は、基板Ｗを第２薬液ユニット２３から第２リンスユニット２４へと移動させる。すなわち、第２薬液処理プレート３３から第２リンス処理プレート３４へと基板Ｗを滑らすように水平移動させる。

基板Ｗが第２リンス処理プレート３４上の所定位置まで搬送されると、ガイドピン駆動機構８６は、ガイドピン８５を初期位置から上昇させて端面規制位置へと導く。これにより、基板Ｗの端面にガイドピン８５が対向し、基板Ｗの水平方向移動が規制される。第２リンス処理プレート３４では、その吐出口８１に第２リンス液供給機構４４Ａからのリンス液が供給されているとともに、その吸引口８２は第２リンス液吸引機構４４Ｂによって吸引されている。したがって、第２リンス処理プレート３４の基板対向面３４Ａでは、吐出口８１から吸引口８２へと向かうリンス液の流れが生じている。ここに基板Ｗが供給されることにより、この基板Ｗの下面と基板対向面３４Ａとの間にリンス液の薄い液膜が形成される。このリンス液の液膜は、基板Ｗの下面の全域に接触する。したがって、基板Ｗの下面の全域において、第２薬液をリンス液に置換するリンス処理が均一に進行する。

所定時間にわたってリンス処理が行われた後には、ガイドピン駆動機構８６はガイドピン８５を退避位置へと下降させる。これにより、基板Ｗは水平方向移動が可能な状態となる。この状態で、基板搬送機構１５は、第２リンスユニット２４から乾燥ユニット２５へと基板Ｗを搬送する。すなわち、第２リンス処理プレート３４から乾燥処理プレート３５へと基板Ｗを滑らすように水平移動させる。

基板Ｗが乾燥処理プレート３５の所定位置まで達すると、ガイドピン駆動機構１０１は、ガイドピン１００を退避位置から端面規制位置まで上昇させる。これにより、基板Ｗの端面にガイドピン１００が対向し、この基板Ｗの水平方向移動が規制される。
一方、基板Ｗが乾燥処理プレート３５に導かれるよりも早く、ＩＰＡバルブ１０６が開かれて、ＩＡＰ供給管１０４からのＩＰＡ液が集合供給管１０３を介して吐出口９６へと供給されている。その一方で、吸引口９７が乾燥流体吸引機構４５Ｂによって吸引されている。これにより、乾燥処理プレート３５の基板対向面３５Ａ上には吐出口９６から吸引口９７へと向かうＩＰＡ液の流れが生じている。ここに、基板Ｗが供給されると、基板Ｗの下面と基板対向面３５Ａとの間にＩＰＡ液の液膜が形成される。この液膜は、基板Ｗの下面の全域に接し、基板Ｗの下面に存在しているリンス液（典型的には純水）をＩＰＡ液へと置換していく。

基板Ｗの下面の全域のリンス液をＩＰＡ液に置換するのに必要な所定時間の経過の後には、ＩＰＡバルブ１０６が閉じられ、代わって、窒素ガスバルブ１０７が開かれる。これにより、窒素ガス供給管１０５からの窒素ガスが集合供給管１０３を介して吐出口９６へと供給される。こうして、乾燥処理プレート３５の基板対向面３５Ａ上では、吐出口９６から吸引口９７へと向かう窒素ガスの流れが形成されることになる。その結果、基板Ｗの下面と基板対向面３５Ａとの間には窒素ガスの膜が形成され、基板Ｗの下面の全域に対して窒素ガスが供給される。この窒素ガスにより、基板Ｗの下面のＩＰＡ液が揮発させられ、その乾燥処理が達成される。

所定時間にわたって基板Ｗの下面に窒素ガスが供給された後には、ガイドピン駆動機構１０１はガイドピン１００をその初期位置である退避位置へと下降させる。これにより、基板Ｗは、水平方向移動が可能な状態となる。この状態の基板Ｗは、基板搬送機構１６によって、乾燥処理プレート３５から基板受け渡し部１９へと水平移動させられる。基板受け渡し部１９に導かれた処理済の基板Ｗは、インデクサロボット４により、キャリヤ保持部３に保持されたキャリヤＣに搬入される。

インデクサロボット４は、基板受け渡し部１８から基板搬送機構１１によって基板Ｗが第１薬液ユニット２１に搬入されると、基板受け渡し部１８に新たな基板Ｗを搬入するように動作する。また、インデクサロボット４は、基板受け渡し部１９に処理済の基板Ｗが払い出されると、この基板Ｗをキャリヤ保持部３のキャリヤＣに搬入するように動作する。こうして、基板Ｗは、基板受け渡し部１８から基板搬送経路１７に沿って、第１薬液ユニット２１、第１リンスユニット２２、第２薬液ユニット２３、第２リンスユニット２４および乾燥ユニット２５を経て、基板受け渡し部１９へと払い出されるように搬送され、その過程で、第１薬液処理、リンス処理、第２薬液処理、リンス処理および乾燥処理を順次施されることになる。

個々の処理ユニット２１〜２５では、基板Ｗに対する処理が１枚ずつ行われ、かつ、吐出口５６，８１，９６から処理流体を吐出するとともに吸引口５７，８２，９７から処理流体を吸引する構成により、基板Ｗの下面の全域に対して処理流体による処理を均一に施すことができるようになっている。これにより、個々の基板に対する処理条件を均一化することができ、かつ、基板Ｗの処理の面内均一性をも向上することができる。

さらにまた、第１薬液処理プレート３１および第２リンス処理プレート３２が近接配置されており、また、第２薬液処理プレート３３および第２リンス処理プレート３４が近接配置されているので、薬液処理の後に、時間をおかずに、基板Ｗに対して速やかにリンス処理を施すことができる。その結果、基板Ｗ表面の残留薬液による不所望な反応の進行を抑制または防止でき、これにより、基板処理の品質を向上することができる。

また、処理プレート３１〜３５は隣り合うもの同士が接近して配置されているので、処理ユニット２１〜２５間での基板Ｗの搬送時間が短い。これにより、基板搬送に要する時間を短縮することができるから、基板処理の生産性を向上することができる。
また、基板Ｗに接触することになる基板搬送機構１１〜１６の端面保持部５１，５２およびガイドピン６０，８５，１００は、処理流体（薬液、リンス液、ＩＰＡ液または窒素ガス）に晒されることになるが、それぞれの処理ユニットにおいて、使用される流体により、いわば洗浄処理を受けることになる。そのため、基板Ｗに対してこれらの部材からの汚染が転移することを抑制または防止でき、基板Ｗの汚染を軽減することができる。

図９は、この発明の第２の実施形態に係る基板処理装置の構成を説明するための図解的な断面図である。この図９には、前述の図２に対応する構成が示されている。すなわち、この実施形態の基板処理装置は、図１に示された平面レイアウトを有しており、これを基板搬送経路１７に沿って展開して示す断面構造が図９に図解的に示されている。
この実施形態では、処理ユニット２１〜２５は、いずれも、基板Ｗの下面だけでなくその上面をも処理することができる両面処理ユニットとしての構成を有している。より具体的に説明すると、第１薬液ユニット２１は、下側第１薬液処理プレート３１Ｌと、これに対向配置された上側第１薬液処理プレート３１Ｕとを有しており、これらはいわゆるプッシュプルプレートで構成されている。下側第１薬液処理プレート３１Ｌの構成は、前述の第１薬液処理プレート３１と同様である。上側第１薬液処理プレート３１Ｕの構成もまた、前述の第１薬液処理プレート３１と同様であるが、その上下が反転されている。上下の第１薬液処理プレート３１Ｕ，３１Ｌには、第１薬液供給機構４１Ａから共通に第１薬液が供給されるようになっている。そして、上下の第１薬液処理プレート３１Ｕ，３１Ｌの間に供給される第１薬液は、第１薬液吸引機構４１Ｂによって吸引されるようになっている。

第１リンスユニット２２は、下側第１リンス処理プレート３２Ｌと、これに対向配置された上側第１リンス処理プレート３２Ｕとを備えており、これらはいわゆるプッシュプルプレートで構成されている。下側第１リンス処理プレート３２Ｌの構成は前述の第１の実施形態における第１リンス処理プレート３２と同様である。上側第１リンス処理プレート３２Ｕは、上下が反転されていることを除き、前述の第１の実施形態における第１リンス処理プレート３２の構成と同様である。上側第１リンス処理プレート３２Ｕは、下側第１リンス処理プレート３２Ｌの上方において、下側第１リンス処理プレート３２Ｌに対向するように配置されている。上下の第１リンス処理プレート３２Ｕ，３２Ｌには、第１リンス液供給機構４２Ａから共通にリンス液が供給されるようになっている。そして、上下の第１リンス処理プレート３２Ｕ，３２Ｌの間に供給されるリンス液は、第１リンス液吸引機構４２Ｂによって吸引されるようになっている。

第２薬液ユニット２３の構成は、第１薬液ユニット２１と同様であり、下側第２薬液処理プレート３３Ｌと、その上方において当該第２薬液処理プレート３３Ｌに対向するように配置された上側第２薬液処理プレート３３Ｕとを備えており、これらはいわゆるプッシュプルプレートで構成されている。そして、上下の第１および第２薬液処理プレート３３Ｕ，３３Ｌには第２薬液供給機構４３Ａから第２薬液が共通に供給されるようになっている。また、上下の第２薬液処理プレート３３Ｕ，３３Ｌの間に供給された第２薬液は、第２薬液吸引機構４３Ｂによって吸引されるようになっている。

第２リンスユニット２４の構成は、第１リンスユニット２２の構成と同様である。すなわち、下側第２リンス処理プレート３４Ｌと、これに対向配置された上側第２リンス処理プレート３４Ｕとが備えられており、これらはいわゆるプッシュプルプレートで構成されている。そして、これらの上下の第２リンス処理プレート３４Ｕ，３４Ｌに対して、第２リンス液供給機構４４Ａからリンス液が供給されるようになっている。そして、上下の第２リンス処理プレート３４Ｕ，３４Ｌの間に供給されたリンス液が、第２リンス液吸引機構４４Ｂによって吸引されるようになっている。

乾燥ユニット２５は、下側乾燥処理プレート３５Ｌと、これに対向配置された上側乾燥処理プレート３５Ｕとを備えており、これらはいわゆるプッシュプルプレートで構成されている。下側乾燥処理プレート３５Ｌの構成は、前述の第１の実施形態における乾燥処理プレート３５と同様である。また、上側乾燥処理プレート３５Ｕの構成は、上下反転される点を除き、前述の第１の実施形態における乾燥処理プレート３５と同様である。上下の乾燥処理プレート３５Ｕ，３５Ｌには、乾燥流体供給機構４５Ａから共通に乾燥流体が供給されるようになっている。また、上下の乾燥処理プレート３５Ｕ，３５Ｌ間に供給された乾燥流体は、乾燥流体吸引機構４５Ｂによって吸引されるようになっている。

図１０は、第１薬液ユニット２１および第２薬液ユニット２３の共通の構成を説明するための図解的な断面図である。この図１０において、前述の図３に示された構成部分に対応し、かつ、下側薬液処理プレート３１Ｌ，３３Ｌに関するものには、図３に示された参照符号の末尾に「Ｌ」を付加した参照符号で示す。また、図３に示された構成に対応する部分であって、上側薬液処理プレート３１Ｕ，３３Ｕに関連する部分には、図３に示された参照符号の末尾に「Ｕ」を付した参照符号で示す。

上下の薬液処理プレート３１Ｕ，３３Ｕ；３１Ｌ，３３Ｌの基板対向面３１ＡＵ，３３ＡＵ；３１ＡＬ，３３ＡＬは、基板Ｗの厚みよりも若干大きな間隔を開けて対向し、互いに平行な水平面をなしている。そして、上下の薬液処理プレート３１Ｕ，３３Ｕ；３１Ｌ，３３Ｌの吐出口５６Ｕ，５６Ｌには、薬液タンク６６に貯留された薬液が、薬液ポンプ６７によって汲み出され、薬液バルブ６８を介して、集合供給管６５Ｕ，６５Ｌから供給されるようになっている。また、上下の薬液処理プレート３１Ｕ，３３Ｕ；３１Ｌ，３３Ｌの吸引口５７Ｕ，５７Ｌには、集合吸引管７０Ｕ，７０Ｌがそれぞれ接続されている。これにより、回収ポンプ７５の働きによって吸引口５７Ｕ，５７Ｌから吸引された薬液は、薬液タンク６６へと回収されるようになっている。

このような構成により、上下の薬液処理プレート３１Ｕ，３３Ｕ；３１Ｌ，３３Ｌの間に導かれた基板Ｗの上下には、上側薬液処理プレート３１Ｕ，３３Ｕとの間に薬液の液膜が形成され、また、下側薬液処理プレート３１Ｌ，３３Ｌとの間に薬液の液膜が形成される。これにより、基板Ｗの上下面に対してその全域に渡って均一な処理を施すことができる。

図１１は、第１リンスユニット２２および第２リンスユニット２４の構成を説明するための図解的な断面図である。この図１１において、前述の図５に示された構成部分に対応し、かつ、下側リンス処理プレート３２Ｌ，３４Ｌに関するものには、図５に示された参照符号の末尾に「Ｌ」を付加した参照符号で示す。また、図５に示された構成に対応する部分であって、上側リンス処理プレート３２Ｕ，３４Ｕに関連する部分には、図５に示された参照符号の末尾に「Ｕ」を付した参照符号で示す。

上下のリンス処理プレート３２Ｕ，３４Ｕ；３２Ｌ，３４Ｌの基板対向面３２ＡＵ，３４ＡＵ；３２ＡＬ，３４ＡＬは、基板Ｗの厚みよりも若干大きな間隔を開けて対向し、互いに平行な水平面をなしている。そして、上下のリンス処理プレート３２Ｕ，３４Ｕ；３２Ｌ，３４Ｌの吐出口８１Ｕ，８１Ｌには、リンス液バルブ８９を介し、さらに集合供給管８８Ｕ，８８Ｌを介して、リンス液が供給されるようになっている。また、上下のリンス処理プレート３２Ｕ，３４Ｕ；３２Ｌ，３４Ｌの吸引口８２Ｕ，８２Ｌには、集合吸引管９１Ｕ，９１Ｌがそれぞれ接続されている。そして、コンバム９２の働きによって、吸引口８２Ｕ，８２Ｌを介してリンス液が吸引されて排除されるようになっている。

このような構成により、上下のリンス処理プレート３２Ｕ，３４Ｕ；３２Ｌ，３４Ｌの間に導かれた基板Ｗの上下には、上側リンス処理プレート３２Ｕ，３４Ｕとの間にリンス液の液膜が形成され、また、下側リンス処理プレート３２Ｌ，３４Ｌとの間にリンス液の液膜が形成される。これにより、基板Ｗの上下面に対してその全域に渡って均一にリンス処理を施すことができる。

図１２は、乾燥ユニット２５の構成を説明するための図解的な断面図である。この図１２において、前述の図６に示された構成部分に対応し、かつ、下側乾燥処理プレート３５Ｌに関するものには、図６に示された参照符号の末尾に「Ｌ」を付加した参照符号で示す。また、図６に示された構成に対応する部分であって、上側乾燥処理プレート３５Ｕに関連する部分には、図６に示された参照符号の末尾に「Ｕ」を付した参照符号で示す。

上下の乾燥処理プレート３５Ｕ，３５Ｌの基板対向面３５ＡＵ，３５ＡＬは、基板Ｗの厚みよりも若干大きな間隔を開けて対向し、互いに平行な水平面をなしている。そして、上下の乾燥処理プレート３５Ｕ，３５Ｌの吐出口９６Ｕ，９６Ｌには、ＩＰＡ液がＩＰＡバルブ１０６を介して、また、窒素ガスが窒素ガスバルブ１０７を介し、さらに集合供給管１０３Ｕ，１０３Ｌから、供給されるようになっている。また、上下の乾燥処理プレート３５Ｕ，３５Ｌの吸引口９７Ｕ，９７Ｌには、集合吸引管１１１Ｕ，１１１Ｌがそれぞれ接続されていて、コンバム１０８の働きにより、乾燥流体（ＩＰＡ液または窒素ガス）が吸引口９７Ｕ，９７Ｌを介して吸引されて排除されるようになっている。

このような構成により、ＩＰＡ液供給時には、上下の乾燥処理プレート３５Ｕ，３５Ｌの間に導かれた基板Ｗの上下には、上側乾燥処理プレート３５Ｕとの間にＩＰＡ液の液膜が形成され、また、下側乾燥処理プレート３５Ｌとの間にＩＰＡ液の液膜が形成される。これにより、基板Ｗの上下面に対してその全域に渡って均一にＩＰＡ液を供給でき、リンス液をＩＰＡ液に置換することができる。そして、その後に窒素ガスを供給すると、基板Ｗの上下には、上側乾燥処理プレート３５Ｕとの間に窒素ガスの膜が形成され、また、下側乾燥処理プレート３５Ｌとの間に窒素ガスの膜が形成される。これにより、基板Ｗの上下面に対してその全域に渡って均一に窒素ガスを供給でき、基板Ｗ表面のＩＰＡを揮発させて排除することができる。

インデクサロボット４および基板搬送機構１１〜１６ならびに処理ユニット２１〜２５における制御動作は、前述の第１の実施形態の場合と同様である。したがって、この実施形態では、基板Ｗは、基板搬送経路１７によって搬送されていく過程で、基板Ｗの下面だけでなく、その上面に対しても同様の処理を施すことができる。こうして、基板Ｗを次々と連続的に処理ユニット２１〜２５に供給させながら、薬液、リンス液および乾燥流体による基板両面処理を行うことができる。

図１３は、この発明の第３の実施形態に係る基板処理装置の構成を説明するための図解図である。この基板処理装置は、第１処理層１１５、第２処理層１１６および第３処理層１１７を上下方向に積層して構成されている。第１処理層１１５は、第１薬液ユニット１２１、第１リンスユニット１２２および第１乾燥ユニット１２３を水平方向に順に隣接配置して構成されている。また、第２処理層１１６は、第２薬液ユニット１２４、第２リンスユニット１２５および第２乾燥ユニット１２６を水平方向に順に隣接配置して構成されている。さらに、第３処理層１１７は、第３薬液ユニット１２７、第３リンスユニット１２８および第３乾燥ユニット１２９を、水平方向に順に隣接配置して構成されている。

薬液ユニット１２１，１２４，１２７の構成は、前述の第２の実施形態の薬液ユニット２１と同様であり、基板Ｗの両面に対して同時に薬液処理を施すことができる両面薬液ユニットとなっている。リンスユニット１２２，１２５および１２８の構成は、前述の第２の実施形態におけるリンスユニット２２と同様であり、基板Ｗの両面に対して同時にリンス処理を行うことができる両面リンスユニットとなっている。乾燥ユニット１２３，１２６，１２９の構成は、前述の第２の実施形態における乾燥ユニット２５と同様であり、基板Ｗの両面に対して同時に乾燥処理を行うことができる両面乾燥ユニットとなっている。

すなわち、薬液ユニット１２１，１２４，１２７は、それぞれ、下側薬液処理プレート３１Ｌと、これに対向配置された上側薬液処理プレート３１Ｕとを備えている。また、リンスユニット１２２，１２５，１２８は、下側リンス処理プレート３２Ｌと、これに対向配置された上側リンス処理プレート３２Ｕとを備えている。そして、乾燥ユニット１２３，１２６，１２９は、下側乾燥処理プレート３５Ｌと、これに対向配置された上側乾燥処理プレート３５Ｕとを備えている。

第１処理層１１５において、下側薬液処理プレート３１Ｌ，下側リンス処理プレート３２Ｌおよび下側乾燥処理プレート３５Ｌは、同一平面内に位置しており、また、上側薬液処理プレート３１Ｕ，上側リンス処理プレート３２Ｕおよび上側乾燥処理プレート３５Ｕは、同一平面内に位置している。同様に、第２処理層１１６において、下側薬液処理プレート３１Ｌ，下側リンス処理プレート３２Ｌおよび下側乾燥処理プレート３５Ｌは、同一平面内に位置しており、また、上側薬液処理プレート３１Ｕ，上側リンス処理プレート３２Ｕおよび上側乾燥処理プレート３５Ｕは、同一平面内に位置している。さらにまた、第３処理層１１５において、下側薬液処理プレート３１Ｌ，下側リンス処理プレート３２Ｌおよび下側乾燥処理プレート３５Ｌは、同一平面内に位置しており、また、上側薬液処理プレート３１Ｕ，上側リンス処理プレート３２Ｕおよび上側乾燥処理プレート３５Ｕは、同一平面内に位置している。

図示は省略するが、第１処理層１１５、第２処理層１１６および第３処理層１１７には、それぞれ第１基板搬送機構（第１基板搬送手段）、第２基板搬送機構（第２基板搬送手段）および第３基板搬送機構が備えられている。これらは、たとえば、前述の図７の構成と同様の構成を有している。そして、第１基板搬送機構は、第１処理層１１５において、第１薬液ユニット１２１から第１リンスユニット１２２へと基板Ｗを水平移動させ、さらに、第１リンスユニット１２２から第１乾燥ユニット１２３へと基板Ｗを水平移動させる。同様に、第２基板搬送機構は、第２処理層１１６において、第２薬液ユニット１２４から第２リンスユニット１２５へと基板Ｗを水平移動させ、さらに、第２リンスユニット１２５から第２乾燥ユニット１２６へと基板Ｗを水平移動させる。さらに同様に、第３基板搬送機構は、第３処理層１１７において、第３薬液ユニット１２７から第３リンスユニット１２８へと基板Ｗを水平移動させ、さらに、３リンスユニット１２８から第３乾燥ユニット１２９へと基板Ｗを水平移動させる。

薬液ユニット１２１，１２４，１２７には、それぞれ薬液供給機構および薬液吸引機構（いずれも図示せず）が接続されており、その構成は、前述の第２の実施形態の薬液供給機構４１Ａおよび薬液吸引機構４１Ｂとそれぞれ同様である。また、リンスユニット１２２，１２５，１２８には、それぞれリンス液供給機構およびリンス液吸引機構が接続されており、それらの構成は前述の第２の実施形態のリンス液供給機構４２Ａおよびリンス液吸引機構４２Ｂとそれぞれ同様である。そして、乾燥ユニット１２３，１２６，１２９には乾燥流体供給機構および乾燥流体吸引機構がそれぞれ接続されている。これらの構成は、前述の第２の実施形態の乾燥流体供給機構４５Ａおよび乾燥流体吸引機構４５Ｂとそれぞれ同様である。

処理対象の基板Ｗは、第１処理層１１５、第２処理層１１６および第３処理層１１７の薬液ユニット１２１，１２４，１２７にそれぞれ供給される。そして、前述のように、第１、第２および第３基板搬送機構によって各槽内で水平移動させられて、各処理ユニットによって順に処理を受ける。これにより、第１〜第３処理層１１５，１１６，１１７において、複数枚の基板Ｗの処理が並行して進行することになる。こうして、第１〜第３処理層１１５〜１１７を上下方向に立体的に配置することにより、少ない占有面積で、基板処理の効率を高めることができる。

図１４は、この発明の第４の実施形態に係る基板処理装置の構成を説明するための図解図である。この図１４において前述の図１３に示された各部に対応する部分には、図１３の場合と同一の参照符号を付して示す。この実施形態では、第１処理層１１５は、水平方向に隣接配置された第１薬液ユニット１２１および第１リンスユニット１２２からなる。また、第２処理層１１６は、水平方向に隣接配置された第２薬液ユニット１２４および第２リンスユニット１２５からなる。そして、第３処理層１１７は、水平方向に順に隣接配置された第３薬液ユニット１２７、第３リンスユニット１２８および第３乾燥ユニット１２９からなる。

この実施形態では、第２処理層１１６に備えられた第２薬液ユニット１２４および第２リンスユニット１２５の配置が、第３の実施形態（図１３）の場合とは反転されている。すなわち、処理対象の基板Ｗは、第１処理層１１５および第３処理層１１７においては、第１方向１１８へと搬送されるのに対し、第２処理層１１６においては第１方向１１８とは反対の第２方向１１９へと搬送されるようになっている。第１および第２処理層１１５，１１６の第１方向１１８の下流側端部には、第１処理層１１５での処理を終えた基板Ｗを第２処理層１１６へと搬入するための第１層間搬送機構１３１（層間搬送手段）が設けられている。また、第２および第３処理層１１６，１１７の前記第２方向１１９の下流側端部には、第２処理層１１６での処理を終えた基板Ｗを第３処理層１１７へと搬入するための第２層間搬送機構１３２（層間搬送手段）が備えられている。

処理対象の基板Ｗは、初めに、第１処理層１１５の第１薬液ユニット１２１に搬入される。この第１薬液ユニット１２１で基板Ｗの両面に薬液処理が施された後には、この基板Ｗは第１リンスユニット１２２へと水平移動させられる。そして、この第１リンスユニット１２２によってリンス処理を受けた後の基板Ｗは、第１層間搬送機構１３１により、第２処理層１１６へと上昇させられ、この第２処理層１１６の第２薬液ユニット１２４に搬入される。この第２薬液ユニット１２４での薬液処理が終了すると、基板Ｗは第２リンスユニット１２５へと移され、リンス処理を受ける。このリンス処理後の基板Ｗは、第２層間搬送機構１３２により、第２処理層１１６から第３処理層１１７へと上昇させられ、第３薬液ユニット１２７に搬入される。そして、薬液処理の後、第３リンスユニット１２８に移動させられてリンス処理を受け、さらに第３乾燥ユニット１２６へと水平移動されて、乾燥処理を受ける。

このようにして、この実施形態の構成によれば、薬液ユニットおよびリンスユニットをそれぞれ有する第１〜第３処理層１１５，１１６，１１７の間で基板Ｗを上下に搬送することにより、複数回の薬液処理（たとえば複数種類の薬液による処理）を少ない占有面積で行うことができる。その場合に、薬液ユニットとリンスユニットを上下方向に交互に積層して配置した構成により、処理層１１５，１１６，１１７間での基板Ｗの移動に要する時間を最短にすることができるので、良好なスループットを得ることができる。

さらに、図１４の構成では、第１薬液ユニット１２１、第２薬液ユニット１２４および第３薬液ユニット１２７が異なる処理層１１５，１１６，１１７に配置されているので、薬液雰囲気の混合の問題を抑制できる。
図１５は、この発明の第５の実施形態に係る基板処理装置の構成を説明するための図解図である。この図１５において、前述の図１３に示された各部に対応する部分には、同一の参照符号を付して示す。この図１５に示された構成は、前述の図１３の構成を、基板搬送方向（図１３の左右方向）を含む鉛直面に沿って９０度回転させた構成となっている。すなわち、この実施形態では、第１〜第３処理層１１５，１１６，１１７が、水平方向に積層されている。そして、第１〜第３処理層１１５，１１６および１１７において、それぞれ基板Ｗが上方へと搬送されるようになっている。各処理層を構成する複数の処理ユニットにおいて、基板Ｗの一方主面に対向する処理プレートは同一鉛直面内に位置しており、同様に、基板Ｗの他方主面に対向する処理プレートは別の同一鉛直面内に位置している。図１５の例では、基板の移動方向は上方向であるが、基板Ｗを上方側から搬入して下方へと移動させ、下方側から払い出す構成としてもよい。

図１６は、この発明の第６の実施形態に係る基板処理装置の構成を説明するための図解図である。この図１６において、前述の図１４に示された各部に対応する部分には、同一の参照符号を付して示す。この図１６に示された構成は、前述の図１４の構成を、基板搬送方向（前記第１および第２方向１１８，１１９）を含む鉛直面に沿って９０度回転させた構成となっている。すなわち、この実施形態では、第１〜第３処理層１１５，１１６，１１７が、水平方向に積層されている。そして、第１処理層１１５では、基板Ｗが上方へと搬送され、第２処理層１１６では、基板Ｗが下方へと搬送され、さらに第３処理層１１７では基板Ｗが上方へと搬送されるようになっている。第１処理層１１５と第２処理層１１６との間の基板Ｗの移動は、第１層間搬送機構１３１によって行われ、第２処理層１１６から第３処理層１１７への基板Ｗの搬送は第２層間搬送機構１３２によって行われる。各処理層を構成する複数の処理ユニットにおいて、基板Ｗの一方主面に対向する処理プレートは同一鉛直面内に位置しており、同様に、基板Ｗの他方主面に対向する処理プレートは別の同一鉛直面内に位置している。

図１５および図１６の実施形態では、基板Ｗの両主面が基板処理プレートによって挟まれているので、同一処理層内において処理ユニット間で基板Ｗを鉛直方向に搬送する基板搬送機構には、基板の下方端部を支える支持部材を備え、この支持部材を上下動させる構成のものを適用することができる。
図１７は、この発明の第７の実施形態に係る基板処理装置の構成を説明するための図解的な断面図である。この図１６において、前述の図１４に示された構成に対応する部分には、同一の参照符号を付して示す。この実施形態では、第１リンスユニット１２２は、第１処理層１１５と第２処理層１１６との間で層間移動することができるように構成されており、第２リンスユニット１２５は第２処理層１１６と第３処理層１１７との間で層間移動することができるように構成されている。そして、第１リンスユニット１２２は第１層間搬送機構１３１によって第１処理層１１５と第２処理層１１６との間で移動させられ、第２リンスユニット１２５は第２層間搬送機構１３２によって第２処理層１１６と第３処理層１１７との間で移動させられるようになっている。

処理対象の基板Ｗは、まず第１薬液ユニット１２１に搬入されて第１薬液による処理を受ける。この処理の後の基板は、基板搬送機構によって第１リンスユニット１２２に搬入されてリンス処理を受ける。
第１薬液ユニット１２１から第１リンスユニット１２２に基板Ｗが搬送されるときには、第１リンスユニット１２２は第１処理層１１５の第１薬液ユニット１２１に隣接する第１位置に位置している。より具体的には、第１薬液ユニット１２１の下側薬液処理プレート３１Ｌと第１リンスユニット１２２の下側リンス処理プレート３２Ｌとの各基板対向面が同一水平面内にあり、したがって、上側薬液処理プレート３１Ｕと上側リンス処理プレート３２Ｕとの各基板対向面が別の同一水平面内に位置している。

第１リンスユニット１２２に基板Ｗが搬入されると、第１層間搬送機構１３１は、第１リンスユニット１２２を第２処理層１１６へと移動させる。すなわち、リンス処理と、第１リンスユニット１２２の層間移動とが並行して行われる。こうして、第１リンスユニット１２２は、第２薬液ユニット１２４に隣接する第２位置へと移動させられる。
所定時間のリンス処理の後に、リンス処理後の基板Ｗが第１リンスユニット１２２から第２薬液ユニット１２４へと水平移動させられる。このとき、第１リンスユニット１２２の下側リンス処理プレート３２Ｌと第２薬液ユニット１２４の下側薬液処理プレート３３Ｌとの各基板対向面は同一水平面に位置しており、それに応じて、上側第１リンス処理プレート３２Ｕと上側第２薬液処理プレート３１Ｕとの各基板対向面は別の同一水平面内に位置している。

第２薬液ユニット１２４において所定時間の第２薬液処理が終了すると、この基板Ｗは、第２リンスユニット１２５へと水平移動させられる。このとき、第２リンスユニット１２５は、第２処理層１１６に位置しており、その下側リンス処理プレート３２Ｌの基板対向面は下側第２薬液処理プレート３１Ｌの基板対向面と同一平面内にあり、それに応じ、上側第２リンス処理プレート３２Ｕの基板対向面は上側第２薬液処理プレート３１Ｕの基板対向面と同一水平面内に位置している。

基板Ｗが第２リンスユニット１２５に移されると、第２層間搬送機構１３１は、第２リンスユニット１２５を第２処理層１１６から第３処理層１１７へと移動させる。この間にも、第２リンスユニット１２５における基板Ｗに対するリンス処理は進行している。第３処理層１１７に第２リンスユニット１２５が移動されると、その下側第２リンス処理プレート３２Ｌは乾燥ユニットの乾燥処理プレート３５Ｕと同一水平面に位置することになり、かつ、上側第２リンス処理プレート３２Ｕは、上側乾燥処理プレート３５Ｕの基板対向面と同一水平面内に位置することになる。

所定時間のリンス処理の後、基板Ｗは、図示しない基板搬送機構によって乾燥ユニット１２９へと水平移動させられる。そして、所定の乾燥処理を受けた後に、乾燥ユニット１２９から払い出される。
第１リンスユニット１２２は、リンス処理後の基板Ｗを第２薬液ユニット１２４に受け渡した後には、第１層間搬送機構１３１により、第１処理層１１５へと戻される。また、第２リンスユニット１２５は、リンス処理後の基板Ｗが乾燥ユニット１２９に移された後には、第２層間搬送機構１３２によって第２処理層１１６へと戻される。

このように、この実施形態によれば、処理ユニットを積層配置した構成により、少ない占有面積で複数回の薬液処理を含む工程を実施することができる。それとともに、リンス処理中に処理層間での基板Ｗの移動を並行して行うことができるので、スループットをさらに向上することができる。
以上、この発明の６つの実施形態について説明したが、この発明は、さらに他の形態で実施することができる。たとえば、前述の第７の実施形態の構成を、基板搬送方向を含む鉛直面（図１７の紙面に並行な平面）に沿って９０度回転させた縦型構造とすることもできる。これにより、基板処理装置の占有面積をより一層低減することができる。

また、前述の実施形態では、基板が各処理ユニット内で停止させられた状態で処理流体（薬液、リンス液、ＩＰＡまたは窒素ガス）によって処理される例について説明したが、処理ユニット内において基板を搬送しながら処理流体によって処理する構成とすることもできる。たとえば、図１に示された構成において、基板Ｗを基板搬送経路１７に沿って定速で搬送しながら、基板Ｗに対して、第１薬液処理、リンス処理、第２薬液処理、リンス処理および乾燥処理を順に施す構成としてもよい。この場合には、基板Ｗの搬送方向に沿う方向に関して、処理プレート３１〜３５の長さを、各処理ユニットでの処理時間に対応する長さとしておけばよい。換言すれば、基板Ｗが一定の速度で基板搬送経路１７に沿って移動するときに、基板Ｗの処理面（第１の実施形態では下面）が、処理流体に各所定の処理時間だけ接触する長さに定めておけばよい。これにより、基板Ｗを基板搬送経路１７に沿って移動させながら、当該基板Ｗの処理面に対する処理を行うことができるので、基板処理の待ち時間を抑制することができる。第１〜第６の実施形態のいずれに関しても、同様の構成を採ることができる
さらにまた、前述の第２〜第６の実施形態では、基板Ｗの両面にそれぞれ対向する一対の処理プレートに対して処理流体供給機構および吸引機構を共用しているが、それぞれの処理プレートに対して個別に処理液供給機構および／または吸引機構を設けてもよい。この構成の場合には、基板Ｗの両面に対して共通の処理流体を供給する必要はなく、異なる処理流体を供給してもよい。これにより、基板Ｗの各面に対する処理を最適化することができる。

その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。

この発明の一実施形態に係る基板処理装置のレイアウトを説明するための図解的な平面図である。 前記基板処理装置に備えられた処理ユニットの構成を基板搬送路に沿って展開して示す図解図である。 薬液ユニットの構成を示す図解的な断面図である。 薬液処理プレートの基板対向面の一部の構成を示す平面図である。 リンスユニットの構成を示す図解的な断面図である。 乾燥ユニットの構成を示す図解的な断面図である。 基板搬送機構の構成を説明するための概念的な平面図である。 前記基板処理装置の制御に関連する構成を説明するためのブロック図である。 この発明の第２の実施形態に係る基板処理装置の構成を説明するための図解的な断面図である。 前記第２の実施形態における薬液ユニットの構成を説明するための図解的な断面図である。 前記第２の実施形態におけるリンスユニットの構成を説明するための図解的な断面図である。 前記第２の実施形態における乾燥ユニットの構成を説明するための図解的な断面図である。 この発明の第３の実施形態に係る基板処理装置の構成を説明するための図解図である。 この発明の第４の実施形態に係る基板処理装置の構成を説明するための図解図である。 この発明の第５の実施形態に係る基板処理装置の構成を説明するための図解図である。 この発明の第６の実施形態に係る基板処理装置の構成を説明するための図解図である。 この発明の第７の実施形態に係る基板処理装置の構成を説明するための図解的な断面図である。

符号の説明

１ インデクサ部
２ 基板処理部
３ キャリヤ保持部
４ インデクサロボット
５ ロボット本体
６Ａ ハンド
６Ｂ ハンド
１１〜１６ 基板搬送機構
１７ 基板搬送経路
１８，１９ 基板受け渡し部
２０ ベース部
２１ 第１薬液ユニット
２２ 第１リンスユニット
２３ 第２薬液ユニット
２４ 第２リンスユニット
２５ 乾燥ユニット
３１ 第１薬液処理プレート
３２ 第１リンス処理プレート
３３ 第２薬液処理プレート
３４ 第２リンス処理プレート
３５ 乾燥処理プレート
３１Ａ〜３５Ａ 基板対向面
３１Ｌ 下側薬液処理プレート
３１Ｕ 上側薬液処理プレート
３１ＡＵ，３１ＡＬ 基板対向面
３２Ｌ 下側リンス処理プレート
３２Ｕ 上側リンス処理プレート
３２ＡＵ，３２ＡＬ 基板対向面
３３Ｌ 下側薬液処理プレート
３３Ｕ 上側薬液処理プレート
３３ＡＵ，３３ＡＬ 基板対向面
３４Ｌ 下側リンス処理プレート
３４Ｕ 上側リンス処理プレート
３４ＡＵ，３４ＡＬ 基板対向面
３５Ｌ 下側乾燥処理プレート
３５Ｕ 上側乾燥処理プレート
３５ＡＵ，３５ＡＬ 基板対向面
４１Ａ 第１薬液供給機構
４１Ｂ 第１薬液吸引機構
４２Ａ 第１リンス液供給機構
４２Ｂ 第１リンス液吸引機構
４３Ａ 第２薬液供給機構
４３Ｂ 第２薬液吸引機構
４４Ａ 第２リンス液供給機構
４４Ｂ 第２リンス液吸引機構
４５Ａ 乾燥流体供給機構
４５Ｂ 乾燥流体吸引機構
４８ リニア駆動機構
５０ 制御装置
５１，５２ 端面保持部
５３ 保持部駆動機構
５４ 支持ロッド
５５ プレート支持台
５６ 吐出口
５７ 吸引口
５６Ｕ，５６Ｌ 吐出口
５７Ｕ，５７Ｌ 吸引口
５８ 供給路
５９ 吸引路
６０ ガイドピン
６１ ガイドピン駆動機構
６４ 分岐接続管
６５ 集合供給管
６６ 薬液タンク
６７ 薬液ポンプ
６８ 薬液バルブ
６９ 分岐接続管
７０ 集合吸引管
７３ 回収バルブ
７４ フィルタ
７５ 回収ポンプ
６５Ｕ，６５Ｌ 集合供給管
７０Ｕ，７０Ｌ 集合吸引管
８０ プレート支持台
８１ 吐出口
８２ 吸引口
８３ 供給路
８４ 吸引路
８５ ガイドピン
８６ ガイドピン駆動機構
８７ 分岐接続管
８８ 集合供給管
８９ リンス液バルブ
９０ 分岐接続管
９１ 集合吸引管
９２ コンバム
９３ 吸引バルブ
８１Ｕ，８１Ｌ 吐出口
８２Ｕ，８２Ｌ 吸引口
８８Ｕ，８８Ｌ 集合供給管
９１Ｕ，９１Ｌ 集合吸引管
９５ プレート支持台
９６ 吐出口
９７ 吸引口
９８ 供給路
９９ 吸引路
１００ ガイドピン
１０１ ガイドピン駆動機構
１０２ 分岐接続管
１０３ 集合供給管
１０４ ＩＰＡ供給管
１０５ 窒素ガス供給管
１０６ ＩＰＡバルブ
１０７ 窒素ガスバルブ
１０８ コンバム
１０９ 吸引バルブ
１１０ 分岐接続管
１１１ 集合吸引管
９６Ｕ，９６Ｌ 吐出口
９７Ｕ，９７Ｌ 吸引口
１０３Ｕ，１０３Ｌ 集合供給管
１１１Ｕ，１１１Ｌ 集合吸引管
１１５ 第１処理層
１１６ 第２処理層
１１７ 第３処理層
１１８ 第１方向
１１９ 第２方向
１２１ 第１薬液ユニット
１２２ 第１リンスユニット
１２３ 第１乾燥ユニット
１２４ 第２薬液ユニット
１２５ 第２リンスユニット
１２６ 第２乾燥ユニット
１２７ 第３薬液ユニット
１２８ 第３リンスユニット
１２９ 第３乾燥ユニット
１３１ 第１層間搬送機構
１３２ 第２層間搬送機構
Ｃ キャリヤ
Ｗ 基板

Claims (12)

1. 基板の一主面に対向する第１基板対向面を有し、この第１基板対向面に複数の第１吐出口および複数の第１吸引口が形成された第１基板処理プレートを備える第１処理ユニットと、
   基板の一主面に対向する第２基板対向面を有し、この第２基板対向面に複数の第２吐出口および複数の第２吸引口が形成された第２基板処理プレートを備える第２処理ユニットと、
   前記第１基板処理プレートの前記第１吐出口に第１流体を供給する第１流体供給手段と、
   前記第２基板処理プレートの前記第２吐出口に、前記第１流体とは異なる第２流体を供給する第２流体供給手段と、
   前記第１吸引口内を吸引する第１吸引手段と、
   前記第２吸引口内を吸引する第２吸引手段と、
   前記第１処理ユニットから前記第２処理ユニットへと基板を搬送する第１基板搬送手段とを含み、
   前記第１処理ユニットと前記第２処理ユニットとは、少なくとも前記第１基板搬送手段によって前記第１処理ユニットから前記第２処理ユニットへと基板が搬送されるときには、前記第１基板対向面および前記第２基板対向面が同一平面内において隣接するようになっている、基板処理装置。
2. 前記第１処理ユニットは、前記第１基板対向面に対向するように配置され、前記基板の他の主面に対向する第３基板対向面を有し、この第３基板対向面に複数の第３吐出口および複数の第３吸引口が形成された第３基板処理プレートをさらに備え、
   前記第２処理ユニットは、前記第２基板対向面に対向するように配置され、前記基板の他の主面に対向する第４基板対向面を有し、この第４基板対向面に複数の第４吐出口および複数の第４吸引口が形成された第４基板処理プレートをさらに備え、
   前記基板処理装置は、
   前記第３基板処理プレートの前記第３吐出口に第３流体を供給する第３流体供給手段と、
   前記第４基板処理プレートの前記第３吐出口に第４流体を供給する第４流体供給手段と、
   前記第３吸引口内を吸引する第３吸引手段と、
   前記第４吸引口内を吸引する第４吸引手段とをさらに含み、
   前記第１基板搬送手段は、前記第１基板処理プレートおよび前記第３基板処理プレートの間から前記第２基板処理プレートおよび前記第４基板処理プレートの間へと基板を搬送するものであり、
   前記第３基板処理プレートと前記第４基板処理プレートとは、少なくとも前記第１基板搬送手段によって前記第１処理ユニットから前記第２処理ユニットへと基板が搬送されるときには、前記第３基板対向面および前記第４基板対向面が同一平面内において隣接するようになっている、請求項１記載の基板処理装置。
3. 前記第１基板処理プレートと前記第２基板処理プレートとは、少なくとも前記第１基板搬送手段によって前記第１処理ユニットから前記第２処理ユニットへと基板が搬送されるときには、前記第１基板対向面および前記第２基板対向面が同一水平面内において隣接するようになっている、請求項１または２記載の基板処理装置。
4. 前記第１基板処理プレートと前記第２基板処理プレートとは、少なくとも前記第１基板搬送手段によって前記第１処理ユニットから前記第２処理ユニットへと基板が搬送されるときには、前記第１基板対向面および前記第２基板対向面が同一鉛直面内において隣接するようになっている、請求項１または２記載の基板処理装置。
5. 前記第１処理ユニットに対して、前記第１基板対向面に垂直な方向に積層され、基板の一主面に対向する第５基板対向面を有し、この第５基板対向面に複数の第５吐出口および複数の第５吸引口が形成された第５基板処理プレートを備える第３処理ユニットと、
   前記第５基板処理プレートの前記第５吐出口に第５流体を供給する第５流体供給手段と、
   前記第５吸引口内を吸引する第５吸引手段とをさらに含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
6. 前記第２処理ユニットに対して、前記第２基板対向面に垂直な方向に積層され、基板の一主面に対向する第６基板対向面を有し、この第６基板対向面に複数の第６吐出口および複数の第６吸引口が形成された第６基板処理プレートを備える第４処理ユニットと、
   前記第６基板処理プレートの前記第６吐出口に第６流体を供給する第６流体供給手段と、
   前記第６吸引口内を吸引する第６吸引手段と、
   前記第３処理ユニットと前記第４処理ユニットとの間で基板を搬送する第２基板搬送手段とを含み、
   前記第５基板処理プレートと前記第６基板処理プレートとは、少なくとも前記第２基板搬送手段によって前記第３処理ユニットから前記第４処理ユニットへと基板が搬送されるときには、前記第５基板対向面および前記第６基板対向面が同一平面内において隣接するようになっている、請求項５記載の基板処理装置。
7. 前記第３処理ユニットは、前記第５基板対向面に対向するように配置され、前記基板の他の主面に対向する第７基板対向面を有し、この第７基板対向面に複数の第７吐出口および複数の第７吸引口が形成された第７基板処理プレートをさらに備えており、
   前記第４処理ユニットは、前記第６基板対向面に対向するように配置され、前記基板の他の主面に対向する第８基板対向面を有し、この第８基板対向面に複数の第８吐出口および複数の第８吸引口が形成された第８基板処理プレートをさらに備えており、
   前記基板処理装置は、
   前記第７基板処理プレートの前記第７吐出口に第７流体を供給する第７流体供給手段と、
   前記第８基板処理プレートの前記第８吐出口に第８流体を供給する第８流体供給手段と、
   前記第７吸引口内を吸引する第７吸引手段と、
   前記第８吸引口内を吸引する第８吸引手段とをさらに含み、
   前記第２基板搬送手段は、前記第５基板処理プレートおよび前記第７基板処理プレート間と、前記第６基板処理プレートおよび前記第８基板処理プレート間との間で、基板を搬送するものであり、
   前記第７基板処理プレートと前記第８基板処理プレートとは、少なくとも前記第２基板搬送手段によって前記第３処理ユニットから前記第４処理ユニットへと基板が搬送されるときには、前記第７基板対向面および前記第８基板対向面が同一平面内において隣接するようになっている、請求項６記載の基板処理装置。
8. 前記第１処理ユニットを含む第１処理層と、前記第３処理ユニットを含む第２処理層との間で基板を搬送する層間搬送手段をさらに含む、請求項５〜７の一項に記載の基板処理装置。
9. 前記層間搬送手段は、前記第１処理ユニットに隣接する第１位置と、前記第３処理ユニットに隣接する第２位置との間で、前記第２処理ユニットを移動させるものである、請求項８記載の基板処理装置。
10. 前記第１処理ユニットを含む第１処理層と、前記第３処理ユニットを含む第２処理層とにおいて、異なる基板に対する処理が並行して行われるようになっている、請求項５〜９のいずれか一項に記載の基板処理装置。
11. 第１基板対向面に複数の第１吐出口および複数の第１吸引口が形成された第１基板処理プレートの前記第１吐出口に第１流体を供給するとともに、前記第１吸引口を吸引する工程と、
    前記第１基板対向面に基板の一主面を対向させ、前記第１吐出口から吐出される第１流体によって前記基板の一主面を処理する工程と、
    第２基板対向面に複数の第２吐出口および複数の第２吸引口が形成された第２基板処理プレートの前記第２吐出口に第２流体を供給するとともに、前記第２吸引口を吸引する工程と、
    前記第２基板対向面に基板の一主面を対向させ、前記第２吐出口から吐出される第２流体によって前記基板の一主面を処理する工程と、
    前記第１基板対向面および前記第２基板対向面が同一平面内において隣接する状態で、前記第１基板処理プレートから前記第２基板処理プレートへと基板を搬送する工程とを含む、基板処理方法。
12. 前記第１基板対向面に対向配置された第３基板対向面に複数の第３吐出口および複数の第３吸引口が形成された第３基板処理プレートの前記第３吐出口に第３流体を供給するとともに、前記第３吸引口を吸引する工程と、
    前記第２基板対向面に対向配置された第４基板対向面に複数の第４吐出口および複数の第４吸引口が形成された第４基板処理プレートの前記第４吐出口に第４流体を供給するとともに、前記第４吸引口を吸引する工程と、
    前記第１流体によって基板の一主面を処理する工程と並行して、前記第３基板対向面に基板の他の主面を対向させ、前記第３吐出口から吐出される第３流体によって前記基板の他の主面を処理する工程と、
    前記第２流体によって基板の一主面を処理する工程と並行して、前記第４基板対向面に基板の他の主面を対向させ、前記第４吐出口から吐出される第４流体によって前記基板の他の主面を処理する工程とを含み、
    前記第１基板処理プレートから前記第２基板処理プレートへと基板を搬送する工程は、前記第１基板処理プレートおよび前記第３基板処理プレートの間から前記第２基板処理プレートおよび前記第４基板処理プレートの間へと基板を搬送する工程である、請求項１１記載の基板処理方法。

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