CN113544821A - 基板处理装置及基板处理方法 - Google Patents

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CN113544821A CN202080019624.1A CN202080019624A CN113544821A CN 113544821 A CN113544821 A CN 113544821A CN 202080019624 A CN202080019624 A CN 202080019624A CN 113544821 A CN113544821 A CN 113544821A
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pipe
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山口直子
樋口鲇美
藤田惠理
岩畑翔太
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Abstract

本发明提供一种用于抑制处理液的混合及随之发生的颗粒产生的技术。基板处理装置具备：多个配管，其用于供给用于进行基板处理的处理液；基板处理部，其与多个配管连接，且用于使用处理液处理基板；和配管配置部，其以彼此接近的方式配置多个配管，配管配置部具备至少一个内壁，该内壁将多个配管中的至少一个配管与其他配管隔开，且将被隔开的各个分区内的气氛密闭。

Description

基板处理装置及基板处理方法
技术领域
本说明书中公开的技术涉及基板处理装置及基板处理方法。需要说明的是，成为处理对象的基板例如包括半导体基板、液晶显示装置或有机EL(electroluminescence：电致发光)显示装置等平板显示器(FPD：flat panel display)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光罩用基板、陶瓷基板、印刷基板或太阳能电池用基板等。
背景技术
一直以来，在半导体基板(以下简称为“基板”)的制造工序中使用基板处理装置对基板进行各种处理。在该处理中使用用于对该基板的上表面进行处理的处理液。
由于在基板处理中通常使用多种处理液，所以在基板处理装置中使用用于向基板供给这些处理液的多个配管(例如参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2018-163977号公报
发明内容
有时外部气氛(环境气体)的成分会渗透至配管内的处理液。反之，有时配管内的处理液的成分也会向外部气氛渗透。
这样，有时会因外部气氛的成分(包括已渗透至外部气氛的其他处理液)渗透至处理液内而发生混合并进一步在处理液中产生颗粒。
由于处理液的混合会使处理液的均匀性降低，所以成为使使用该处理液的基板处理的均匀性降低的原因。另外，当在处理液中产生了颗粒时，有时该颗粒会成为针对基板的附着物。
本说明书中公开的技术是鉴于以上所记载的问题而做出的，目的在于提供一种用于抑制处理液的混合及随之发生的颗粒产生的技术。
本说明书中公开的技术的第一形态具备：多个配管，其用于供给用于进行基板的处理的处理液；基板处理部，其与多个所述配管连接，且用于使用所述处理液处理所述基板；和配管配置部，其以彼此接近的方式配置多个所述配管，所述配管配置部具备至少一个内壁，所述内壁将多个所述配管中的至少一个配管与其他所述配管隔开，且将被隔开的各个分区内的气氛密闭。
本说明书中公开的技术的第二形态与第一形态相关联，所述配管配置部是与所述基板处理部相邻的流体箱。
本说明书中公开的技术的第三形态与第一或第二形态相关联，在至少一个所述分区内配置有多个所述配管，相同的所述分区内的多个所述配管是用于供给相同种类的所述处理液的所述配管。
本说明书中公开的技术的第四形态与第一至第三中任一形态相关联，还具备向所述分区内供给气体的气体供给部。
本说明书中公开的技术的第五形态与第四形态相关联，由所述气体供给部向所述分区内供给的所述气体是干燥空气或非活性气体。
本说明书中公开的技术的第六形态与第一至第五中任一形态相关联，还具备对所述分区内的压力进行控制的压力控制部，所述压力控制部将所述分区内的压力控制为所述配管内的压力以下。
本说明书中公开的技术的第七形态与第六形态相关联，所述压力控制部将所述分区内的压力控制为与所述配管内的压力相等。
本说明书中公开的技术的第八形态与第一至第七中任一形态相关联，所述内壁具备第一内壁层和第二内壁层，该第二内壁层由与所述第一内壁层不同的材料构成且与所述第一内壁层层叠，所述第一内壁层与所述第二内壁层在将彼此隔开的分区之间连接的方向上层叠。
本说明书中公开的技术的第九形态与第八形态相关联，所述第二内壁层由金属或氟树脂构成。
本说明书中公开的技术的第十形态与第一至第七中任一形态相关联，所述内壁具备第一内壁层、和在与所述第一内壁层之间形成间隙的第二内壁层，所述第一内壁层与所述第二内壁层在将彼此隔开的分区之间连接的方向上层叠。
本说明书中公开的技术的第十一形态与第十形态相关联，所述内壁还具备形成于所述间隙的第三内壁层，所述第三内壁层由金属或氟树脂构成。
本说明书中公开的技术的第十二形态具备：配管，其用于供给用于处理基板的处理液；和基板处理部，其与所述配管连接，且用于使用所述处理液处理所述基板，所述配管具备：围绕供所述处理液流动的流路的筒状的第一配管材料、和围绕所述第一配管材料的筒状的第二配管材料，在所述第一配管材料与所述第二配管材料之间形成有密闭的间隙。
本说明书中公开的技术的第十三形态与第十二形态相关联，还具备向所述间隙内供给气体的气体供给部。
本说明书中公开的技术的第十四形态具备：配管，其用于供给用于处理基板的处理液；和基板处理部，其与所述配管连接，且用于使用所述处理液处理所述基板，所述配管具备：筒状的第一配管材料，其围绕供所述处理液流动的流路；和筒状的第二配管材料，其由与所述第一配管材料不同的材料构成，且围绕所述第一配管材料，所述第二配管材料由包括SUS的金属或者包括PFA、PTFE或PVDF的氟树脂构成。
本说明书中公开的技术的第十五形态与第十四形态相关联，所述配管还具备筒状的第三配管材料，其由与所述第二配管材料不同的材料构成，且围绕所述第二配管材料。
本说明书中公开的技术的第十六形态是使用基板处理装置处理基板的基板处理方法，所述基板处理装置具备：基板处理部，其与用于供给处理液的多个配管连接，且用于使用所述处理液处理所述基板；和配管配置部，其以彼此接近的方式配置多个所述配管，所述基板处理方法具备所述基板处理部使用所述处理液处理所述基板的工序，所述配管配置部具备至少一个内壁，所述内壁将多个所述配管中的至少一个所述配管与其他所述配管隔开，且将被隔开的各个分区内的气氛密闭。
本说明书中公开的技术的第十七形态与第十六形态相关联，还具备向所述分区内供给气体的工序。
本说明书中公开的技术的第十八形态与第十六或第十七形态相关联，还具备使所述分区内的压力成为所述配管内的压力以下的工序。
本说明书中公开的技术的第十九形态与第十六至第十八中任一形态相关联，还具备使所述分区内的压力与所述配管内的压力相等的工序。
本说明书中公开的技术的第二十形态是使用基板处理装置进行基板的处理的基板处理方法，所述基板处理装置具备基板处理部，该基板处理部与用于供给处理液的配管连接，且用于使用所述处理液进行所述基板的处理，所述基板处理方法具备所述基板处理部使用所述处理液处理所述基板的工序，所述配管具备：围绕供所述处理液流动的流路的筒状的第一配管材料、和围绕所述第一配管材料的筒状的第二配管材料，在所述第一配管材料与所述第二配管材料之间形成有密闭的间隙。
本说明书中公开的技术的第二十一形态与第二十形态相关联，还具备向所述间隙内供给气体的工序。
本说明书中公开的技术的第二十二形态是使用基板处理装置进行基板的处理的基板处理方法，所述基板处理装置具备基板处理部，该基板处理部与用于供给处理液的配管连接，且用于使用所述处理液进行所述基板的处理，所述基板处理方法具备所述基板处理部使用所述处理液处理所述基板的工序，所述配管具备：筒状的第一配管材料，其围绕供所述处理液流动的流路；和筒状的第二配管材料，其由与所述第一配管材料不同的材料构成，且围绕所述第一配管材料，所述第二配管材料由包括SUS的金属或者包括PFA、PTFE或PVDF的氟树脂构成。
发明效果
根据本说明书中公开的技术的第一至第十一形态，由于通过内壁隔开各个分区的气氛，所以能够抑制从以接近的方式配置的配管渗透至该配管外的气氛中的处理液向相邻的分区的配管内渗透。因此，能够抑制处理液的混合及随之发生的颗粒产生。
另外，根据本说明书中公开的技术的第十二或第十三形态，由于第一配管材料与第二配管材料之间的密闭间隙有效抑制配管内外的渗透，所以能够抑制外部气氛的成分混合到配管内的处理液中。
另外，根据本说明书中公开的技术的第十四或第十五形态，由于第二配管材料有效抑制配管内外的渗透，所以能够抑制外部气氛的成分混合到配管内的处理液中。
另外，根据本说明书中公开的技术的第十六至第十九形态，由于通过内壁隔开了各个分区的气氛，所以能够抑制从以接近的方式配置的配管渗透至该配管外的气氛中的处理液向相邻的分区的配管内渗透。因此，能够抑制处理液的混合及随之发生的颗粒产生。
另外，根据本说明书中公开的技术的第二十或第二十一形态，由于第一配管材料与第二配管材料之间的密闭间隙有效抑制配管内外的渗透，所以能够抑制外部气氛的成分混合到配管内的处理液中。
另外，根据本说明书中公开的技术的第二十二形态，由于第二配管材料有效抑制配管内外的渗透，所以能够抑制外部气氛的成分混合到配管内的处理液中。
另外，与本说明书中公开的技术有关的目的、特征、形态和优点能够根据以下所示的详细说明和附图而变得更加明确。
附图说明
图1是概略性地表示实施方式涉及的基板处理装置的结构例的图。
图2是概略性地表示实施方式涉及的基板处理装置中的液体处理单元及相关结构的例子的图。
图3是表示基板处理装置的各要素与控制部的连接关系的例子的功能框图。
图4是表示流体箱的结构的变形例的图。
图5是表示流体箱的结构的其他变形例的图。
图6是表示流体箱的结构的其他变形例的图。
图7是表示流体箱的局部结构的变形例的剖视图。
图8是表示流体箱的局部结构的其他变形例的剖视图。
图9是表示流体箱的局部结构的其他变形例的剖视图。
图10是表示双层配管的结构例的剖视图。
图11是表示双层配管的其他结构例的剖视图。
图12是表示双层配管的其他结构例的剖视图。
具体实施方式
以下，参照附图对实施方式进行说明。在以下实施方式中，虽然为了说明技术也会示出详细特征等，但那些是例示，并不一定全部都是为了使实施方式能够实施而必需的特征。
需要说明的是，附图是概略性示出的图，为了便于说明而适当在附图中进行结构省略或结构简化。另外，不同附图中分别示出的结构等的大小及位置的相互关系并不一定准确记载，能够适当变更。另外，在并非剖视图的俯视图等附图中，有时也会为了容易理解实施方式的内容而标注阴影线。
另外，在以下所示的说明中，对同样的构成要素标注相同的附图标记来图示，关于它们的名称和功能也是相同的。因此，有时会为了避免重复而省略与它们有关的详细说明。
另外，在以下记载的说明中，当记载为“具备”、“包括”或“具有”某构成要素等时，只要未特别说明，就不是将其他构成要素的存在排除的排他性表达。
另外，在以下记载的说明中，即使有时使用“第一”或“第二”等序数，这些用语也是为了容易理解实施方式的内容且为了方便而使用的，并不限定于根据这些序数所能产生的顺序等。
另外，关于以下记载的说明中的表示相对或绝对的位置关系的表达，例如“平行”、“中心”等，只要未特别说明，则包括严格表示该位置关系的情况、以及在公差的范围或能够获得相同程度的功能的范围内角度或距离发生位移的情况。
另外，在以下记载的说明中，关于表示相等状态的表达，例如“相同”、“相等”、“均匀”等，只要未特别说明，则包括表示严格相等的状态的情况、以及在公差的范围或能够获得相同程度的功能的范围内产生差别的情况。
另外，在以下记载的说明中，即使有时使用“上”、“下”、“左”、“右”、“侧”、“底”、“表”或“里”等表示特定的位置和方向的用语，这些用语也是为了容易理解实施方式的内容且为了方便而使用的，与实际实施时的方向并不相关。
另外，在以下记载的说明中，当记载为“…的上表面”或“…的下表面”等时，除了成为对象的构成要素的上表面本身之外，还包括在成为对象的构成要素的上表面形成有其他构成要素的状态。即，例如在记载为“设于甲的上表面的乙”的情况下，并不妨碍其他构成要素“丙”介于甲与乙之间。
另外，在以下记载的说明中，关于表示形状的表达，例如“四边形”或“圆筒形状”等，只要未特别说明，则包括严格表示该形状的情况、以及在公差的范围或能够获得相同程度的功能的范围内形成有凹凸或倒角等的情况。
＜实施方式＞
以下，对本实施方式的基板处理装置及基板处理方法进行说明。
＜关于基板处理装置的结构＞
图1是概略性地表示本实施方式的基板处理装置的结构例的图。需要说明的是，从容易理解结构的观点来看，在该附图中，有时会将一部分构成要素省略或简化示出。
基板处理装置1是将半导体晶圆等圆板状的基板W一张一张进行处理的单张式处理装置。基板处理装置1对基板W进行清洗处理或蚀刻处理等各种处理。
如图1中例示的那样，基板处理装置1朝向X轴正方向依次具备索引区(indexersection)2和处理区3。
另外，处理区3朝向X轴正方向依次具备搬送区域30、处理模块31、处理模块32和处理模块33。
＜索引区＞
索引区2具备：能够将多张基板W以层叠状态进行收容的基板收容器21；支承基板收容器21的台22；和索引机器人23，该索引机器人23从基板收容器21接收未处理的基板W，并将在处理区3内完成处理的基板W向基板收容器21交付。
此外，虽然在图1的例子中为了简单起见而将台22的数量设为一个，但是也可以在Y轴方向上排列更多数量。
基板收容器21既可以是将基板W以密闭状态进行收纳的前开式晶圆传送盒(FOUP：front opening unified pod)，也可以是标准机械接口(SMIF：standard mechanicalinter face)盒或开放式晶圆匣(OC：open cassette)等。
索引机器人23例如具备基台部23A、多关节臂23B、和彼此在铅垂方向上隔开间隔地设置的两个手部23C及手部23D。
基台部23A例如固定于对基板处理装置1的索引区2的外形进行规定的框架。
多关节臂23B由能够沿着水平面转动的多条臂部以彼此能够转动的方式结合而构成，并通过在作为该臂部的结合部位的关节部变更臂部之间的角度而使该臂部构成为能够屈伸。
另外，多关节臂23B的基端部相对于基台部23A以能够绕着铅垂轴转动的方式结合。另外，多关节臂23B相对于基台部23A以能够升降的方式结合。
手部23C及手部23D构成为能够分别保持一张基板W。
索引机器人23使用例如手部23C从保持于台22上的基板收容器21搬出一张未处理的基板W。然后，索引机器人23从X轴负方向将该基板W交付至搬送机构(在此未图示)。此外，该搬送机构中包括在直线状的导轨上移动的滑动机构、或将基板W搬送至任意的方向及高度的搬送机器人等。
另外，索引机器人23使用例如手部23D从搬送机构接收一张处理完毕的基板W。然后，索引机器人23将该基板W收容到保持于台22上的基板收容器21内。
＜处理区＞
通过搬送机构将基板W在靠近索引区2的X轴负方向的位置与各个液体处理单元之间进行搬送。搬送区域30是通过搬送机构使基板W移动的空间。
处理区3内的处理模块31具备：对从搬送机构供给的未处理的基板W进行规定处理的多个液体处理单元31A；向液体处理单元31A供给处理液的流体箱41A；液体处理单元31B；向液体处理单元31B供给处理液的流体箱41B；液体处理单元31C；向液体处理单元31C供给处理液的流体箱41C；和以接近的方式配置有用于分别向流体箱41A、流体箱41B及流体箱41C供给处理液的多个配管的配管部51。
同样地，处理区3内的处理模块32具备：对从搬送机构供给的未处理的基板W进行规定处理的多个液体处理单元32A；向液体处理单元32A供给处理液的流体箱42A；液体处理单元32B；向液体处理单元32B供给处理液的流体箱42B；液体处理单元32C；向液体处理单元32C供给处理液的流体箱42C；和以接近的方式配置有用于分别向流体箱42A、流体箱42B及流体箱42C供给处理液的多个配管的配管部52。
同样地，处理区3内的处理模块33具备：对从搬送机构供给的未处理的基板W进行规定处理的多个液体处理单元33A；向液体处理单元33A供给处理液的流体箱43A；液体处理单元33B；向液体处理单元33B供给处理液的流体箱43B；液体处理单元33C；向液体处理单元33C供给处理液的流体箱43C；和以接近的方式配置有用于分别向流体箱43A、流体箱43B及流体箱43C供给处理液的多个配管的配管部53。
液体处理单元31A、液体处理单元31B及液体处理单元31C在Z轴正方向上依次重叠而构成处理塔TW31。
同样地，液体处理单元32A、液体处理单元32B及液体处理单元32C在Z轴正方向上依次重叠而构成处理塔TW32。
同样地，液体处理单元33A、液体处理单元33B及液体处理单元33C在Z轴正方向上依次重叠而构成处理塔TW33。
此外，虽然在图1的例子中为了简单起见而将液体处理单元的数量设为九个，但是液体处理单元的数量并不限于图1的例子的情况。
另外，在各个液体处理单元中对基板W进行的规定处理例如包括使用处理用的液体(即处理液)或气体的流体处理、使用紫外线等电磁波的处理、或物理清洗处理(例如刷洗或喷洗等)等各种处理。
在配管部51中，以接近(例如1cm左右的距离)的方式配置有供彼此相同或不同的处理液流动的配管51A、配管51B及配管51C、和供来自液体处理单元31A、液体处理单元31B及液体处理单元31C的排液流动的排液用配管51D。
同样地，在配管部52中，以接近(例如1cm左右的距离)的方式配置有供彼此相同或不同的处理液流动的配管52A、配管52B及配管52C、和供来自液体处理单元32A、液体处理单元32B及液体处理单元32C的排液流动的排液用配管52D。
同样地，在配管部53中，以接近(例如1cm左右的距离)的方式配置有供彼此相同或不同的处理液流动的配管53A、配管53B及配管53C、和供来自液体处理单元33A、液体处理单元33B及液体处理单元33C的排液流动的排液用配管53D。
在配管部51、配管部52及配管部53各自的Z轴负方向的下部设有与多个配管连接的多个开口。另外，在配管部51、配管部52及配管部53各自的侧面设有与流体箱连通的多个开口。
而且，配管部51、配管部52及配管部53各自中的用于供给处理液的各个配管的一端及另一端与Z轴负方向的下部的开口连接，且各个配管的延伸至对应的液体处理单元的分支配管连接于与流体箱连通的开口。
另外，配管部51、配管部52及配管部53各自中的排液用配管的一端与Z轴负方向的下部的开口连接，且分支的另一端连接于与流体箱连通的开口。
图2是概略性地表示本实施方式的基板处理装置中的液体处理单元31A及相关结构的例子的图。此外，其他液体处理单元的结构也与图2中例示的情况相同。
如图2中例示的那样，液体处理单元31A具备：具有内部空间的箱形的处理室250；旋转卡盘(spin chuck)251，其在处理室250内将一张基板W以水平姿势进行保持，并同时使基板W绕着穿过基板W中央部的铅垂的旋转轴线Z1旋转；和筒状的处理罩511，其绕着基板W的旋转轴线Z1包围旋转卡盘251。
处理室250由箱状的壁250A包围。在壁250A上形成有用于将基板W搬入处理室250内以及将基板W从处理室250搬出的开口部250B。
开口部250B由闸门250C进行开闭。闸门250C通过闸门升降机构(在此未图示)而在覆盖开口部250B的闭位置(在图2中由双点划线表示)与开放开口部250B的开位置(在图2中由实线表示)之间升降。
如图2中例示的那样，旋转卡盘251具备：对水平姿势的基板W的下表面进行真空吸附的圆板状的旋转基座251A；从旋转基座251A的中央部向下方延伸的旋转轴251C；和通过使旋转轴251C旋转而使吸附于旋转基座251A的基板W旋转的旋转马达251D。
此外，旋转卡盘251并不限于图2中例示的真空吸附式卡盘的情况，例如也可以是具备从旋转基座的上表面外周部向上方突出的多个卡盘销、并由该卡盘销夹持基板W的周缘部的夹持式卡盘。
如图2中例示的那样，在液体处理单元31A连接有从相邻的流体箱41A延伸的多个配管。
在此，流体箱41A具备：彼此隔开且分别密闭的分区即密闭分区160、密闭分区164、密闭分区152及密闭分区154；和将各个分区之间隔开且使各个分区密闭的内壁141A、内壁141B及内壁141C。
在图2的例子中，在密闭分区160配置有用于向液体处理单元31A供给冲洗液的配管51B及冲洗液阀62。另外，在密闭分区164配置有用于向液体处理单元31A供给清洗液的配管51A及清洗液阀66。另外，在密闭分区152配置有用于向液体处理单元31A供给药液的配管51C及药液阀256。另外，在密闭分区154配置有供来自液体处理单元31A的排液流动的排液用配管51D。
各个密闭分区内的气氛相对于该密闭分区外的气氛被隔开且被密闭。需要说明的是，本实施方式中的“密闭”不仅包括严格的密闭，例如也包括以下程度的状态：即使在由于为了使配管通到各个密闭分区内所必需的开口部(在此未图示)等而产生微小的间隙、且因该间隙而无法保持严格密闭的情况下，也与外部气氛隔开而不会混杂。
由于通过内壁隔开了各个密闭分区的气氛，所以能够充分抑制从以接近的方式配置的配管(例如以1cm左右的距离配置的配管)渗透至该配管外的气氛的处理液向相邻的密闭分区内的配管内渗透。
在此，所谓渗透包括处理液等所包含的任一种成分渗透的情况。
由于挥发性高的处理液容易从配管渗透且容易向配管内渗透，所以对于在进行基板处理时被加热的处理液(例如在进行基板处理时被加热至70℃的情况)等，通过设置上述内壁来抑制分区之间的处理液混合是尤其有效的。
此外，与其他液体处理单元对应的流体箱的结构也与流体箱41A相同。
从流体箱41A中的密闭分区152穿过的配管51C与液体处理单元31A连接。而且，在配管51C的前端连接有药液喷嘴252。药液喷嘴252朝向被旋转卡盘251保持着的基板W的上表面喷出药液。作为药液，例如能够使用IPA(异丙醇)等有机溶剂或者盐酸、氢氟酸、硫酸或氨水等无机溶剂。
配管51C的与药液喷嘴252为相反侧的端部被插入至用于贮存向药液喷嘴252供给的药液的药液罐253内。另外，在配管51C上设有将药液罐253内的药液向配管51C输送的送液装置255(例如泵)、使配管51C的内部开闭的药液阀256、与药液阀256相比在上游侧(即药液罐253侧)将配管51C与药液罐253连接的循环配管257、和使循环配管257的内部开闭的循环阀258。
另外，例如送液装置255及药液罐253配置于循环容器600内。
药液阀256及循环阀258的开闭由后述的控制部控制。在将药液罐253内的药液向药液喷嘴252供给的情况下，打开药液阀256并关闭循环阀258。在该状态下，由送液装置255从药液罐253输送至配管51C的药液被供给至药液喷嘴252。
另一方面，在停止向药液喷嘴252供给药液的情况下，关闭药液阀256并打开循环阀258。在该状态下，由送液装置255从药液罐253输送至配管51C的药液通过循环配管257返回至药液罐253内。因此，在停止向药液喷嘴252供给药液的供给停止期间内，药液在由药液罐253、配管51C及循环配管257构成的循环路径中持续循环。
另外，如图2中例示的那样，从流体箱41A中的密闭分区160穿过的配管51B与液体处理单元31A连接。而且，在配管51B的前端连接有冲洗液喷嘴60。冲洗液喷嘴60朝向被旋转卡盘251保持着的基板W的上表面喷出冲洗液。
在配管51B的与冲洗液喷嘴60为相反侧的端部连接有冲洗液供给源(在此未图示)。另外，在配管51B上设有对从冲洗液供给源朝向冲洗液喷嘴60的冲洗液的供给及供给停止进行切换的冲洗液阀62。作为冲洗液，能够使用DIW(去离子水)等。
通过从冲洗液喷嘴60向基板W供给冲洗液，能够将附着于基板W上的附着物等冲走。
另外，如图2中例示的那样，从流体箱41A中的密闭分区164穿过的配管51A与液体处理单元31A连接。而且，在配管51A的前端连接有清洗液喷嘴64。清洗液喷嘴64朝向处理室250的内侧的规定部位(例如旋转基座251A)喷出清洗液。
在配管51A的与清洗液喷嘴64为相反侧的端部连接有清洗液供给源(在此未图示)。另外，在配管51A上设有对从配管51A朝向清洗液喷嘴64的清洗液的供给及供给停止进行切换的清洗液阀66。作为清洗液，能够使用DIW(去离子水)等。
清洗液喷嘴64安装于处理室250的内壁。在基板W被旋转卡盘251保持着的状态下，旋转基座251A旋转，并且从清洗液喷嘴64喷出清洗液。
而且，从清洗液喷嘴64喷出的清洗液在基板W的上表面溅回，从而清洗液飞散到处理室250内。通过使清洗液像这样飞散，能够对配置于处理室250内的各种零部件(处理罩511等)进行清洗。
处理罩511以包围旋转卡盘251周围的方式设置，并通过未图示的马达而在铅垂方向上升降。处理罩511的上部在其上端与被旋转基座251A保持着的基板W相比成为上侧的上位置、和其上端与该基板W相比成为下侧的下位置之间升降。
从基板W的上表面飞散到外侧的处理液被处理罩511的内侧面挡住。而且，被处理罩511挡住的处理液经由设于处理室250的底部且处理罩511内侧的排液口513、进一步经由从密闭分区154穿过的排液用配管51D而被适当排出到处理室250的外部。
另外，在处理室250的侧部设有排气口515。通过排气口515将处理室250内的气氛适当排出到处理室250外。
在上述说明中，例如，由于密闭分区164与密闭分区152通过内壁141B而彼此的气氛隔开，所以能够充分抑制从密闭分区164中的配管51A渗透的清洗液与从密闭分区152中的配管51C渗透的药液经由气氛而混合。
因此，能够同时充分抑制处理液发生混合的情况以及进一步在处理液中产生颗粒的情况。
图3是表示基板处理装置1的各要素与控制部7的连接关系的例子的功能框图。
控制部7的硬件结构与通常的计算机相同。即，控制部7具备：进行各种运算处理的CPU(central processing unit、即中央运算处理装置)71；存储基本程序的读取专用的存储器即ROM(read only memory、即只读存储器)72；存储各种信息的读写自如的存储器即RAM(random access memory、即随机存取存储器)73；和存储控制用应用程序(程序)或数据等的非瞬态性的存储部74。
CPU71、ROM72、RAM73及存储部74通过总线布线75等而彼此连接。
控制应用程序或数据也可以以记录于非瞬态性的记录介质(例如半导体存储器、光学介质或磁介质等)的状态被提供至控制部7。在该情况下，将从该记录介质读取控制应用程序或数据的读取装置与总线布线75连接即可。
另外，控制应用程序或数据也可以经由网络而从服务器等被提供至控制部7。在该情况下，将与外部装置进行网络通信的通信部与总线布线75连接即可。
在总线布线75连接有输入部76及显示部77。输入部76包括键盘及鼠标等各种输入设备。作业人员经由输入部76向控制部7输入各种信息。显示部77由液晶显示器等显示设备构成，显示各种信息。
控制部7与各个液体处理单元的工作部(例如药液阀256、循环阀258、冲洗液阀62、清洗液阀66、闸门250C或旋转马达251D等)、使搬送机构驱动的驱动部(例如用于使搬送机构往复移动的马达等)、索引机器人23的工作部(例如用于使多关节臂23B驱动的马达等)等连接，并控制它们的动作。
＜流体箱的变形例＞
在图2的示例中，在各个密闭分区配置有一根配管，但是也可以在一个密闭分区配置有多根配管。
图4是表示流体箱的结构的变形例的图。如图4所示，在流体箱47中，用于供给冲洗液的配管51B和用于供给清洗液的配管51A配置于相同的密闭分区166。
另一方面，药液的配管51C配置于密闭分区167，排液用配管51D配置于密闭分区168。
在此，冲洗液及清洗液均为相同的处理液，例如均为DIW(去离子水)。
根据图4所示的结构，能够在削减内壁数量的同时抑制不同处理液之间的经由气氛进行的混合。
图5是表示流体箱的结构的其他变形例的图。如图5所示，在流体箱48中，与密闭分区160、密闭分区164及密闭分区152分别对应地设有气体供给部201、气体供给部202及气体供给部203。
气体供给部201、气体供给部202及气体供给部203通过向对应的密闭分区供给气体而使滞留在该密闭分区内的气体置换成所供给的气体。由此，气体供给部201、气体供给部202及气体供给部203控制对应的密闭分区内的湿度。
此外，气体供给部201、气体供给部202及气体供给部203供给的气体例如是干燥空气或氮气等非活性气体。另外，气体供给部201、气体供给部202及气体供给部203供给的气体的流量例如由图3所示的控制部7控制。
根据图5所示的结构，通过将密闭分区内的湿度抑制得低，能够降低各个密闭分区内的气氛所包含的水分等向配置于该密闭分区的配管内渗透的程度。
例如，在配管外的气氛所包含的水分渗透至作为处理液的IPA的情况下，由于水分浓度上升且表面张力也变大，所以可能会伴随着干燥处理而在基板的上表面发生图案破坏等。因此，水分等向处理液的混合需要通过上述湿度控制来抑制。
此外，也可以是一个气体供给部向多个密闭分区供给气体的形态。
另外，也可以另行设置向图2的循环容器600内或图1的配管部内供给气体的气体供给部。根据这种结构，在这些部位中也能通过将该部位中的配管周围的气氛的湿度抑制得低来降低外部气氛所包含的水分向配管内渗透的程度。
图6是表示流体箱的结构的其他变形例的图。如图6所示，在流体箱49中，与密闭分区160、密闭分区164及密闭分区152分别对应地设有压力控制部301、压力控制部302及压力控制部303。
压力控制部301、压力控制部302及压力控制部303通过基于干燥空气、氮气的减压或真空控制等来控制对应的密闭分区内的压力。由此，压力控制部301、压力控制部302及压力控制部303能够控制密闭分区中的配管内的压力与密闭分区内的压力之间的平衡。
此外，压力控制部301、压力控制部302及压力控制部303的压力控制动作例如由图3所示的控制部7控制。控制部7也可以基于来自对配管内的处理液的压力进行测定的压力计等的输出值而对压力控制部301、压力控制部302及压力控制部303进行以该输出值为基准的反馈控制。
根据图6所示的结构，能够使密闭分区内的配管外的压力成为该密闭分区中的配管内的压力以下。另外，还能使密闭分区内的配管外的压力与该密闭分区中的配管内的压力相等。但是，上述“压力相等”的情况不仅包括压力严格相等的情况，例如也包括以下情况：在配管的内外不会发生处理液的渗透的范围内，密闭分区内的配管外的压力与该密闭分区中的配管内的压力不同。
根据图6所示的结构，能够抑制或期望防止配管外的气氛所包含的成分因配管内外的压力差而混合到配管内的处理液中。
此外，也可以在多个密闭分区之间将密闭分区内的配管外的压力控制成相同的。在该情况下，也可以是一个压力控制部控制多个密闭分区内的压力的形态。
另外，也可以另行设置对图2的循环容器600内或图1的配管部内的压力进行控制的压力控制部。根据这种结构，在这些部位中也能抑制配管外的气氛所包含的成分因配管内外的压力差而混合到配管内的处理液中。
此外，也可以将图4、图5及图6的形态相互组合应用。
＜内壁的变形例＞
用于将配管外的气氛隔开且密闭的内壁也可以不仅设于流体箱，尤其还设于以接近的方式配置多个配管的部位、例如图1的配管部等。
另外，上述内壁只要将各个密闭分区的气氛隔开且密闭即可，也可以是以下这样的构造的内壁。
图7是表示流体箱的局部结构的变形例的剖视图。此外，在以下图中示出流体箱中的内壁的截面构造，但各个内壁层的厚度是为了方便而示出的，包括流体箱的外壁在内并不表示实际的厚度比率等。
流体箱44至少具备将密闭分区160与密闭分区164之间隔开的内壁层144A及内壁层144B。内壁层144A与内壁层144B彼此接触，且在将密闭分区160与密闭分区164连接的方向上层叠。另外，内壁层144A由与内壁层144B不同的材料构成。需要说明的是，流体箱44所具备的内壁的数量并不限于图7所示的数量。
在此，虽无特别限定，但内壁层144A及内壁层144B中的一方(在图7中为内壁层144B，但也可以是内壁层144A)例如可以是不锈钢(SUS)等金属或者全氟烷氧基烷烃(PFA)、聚四氟乙烯(PTFE)或聚偏二氟乙烯(PVDF)等氟树脂。
根据图7所示的结构，由于内壁层144B有效抑制分区之间的渗透，所以能够抑制配管内的处理液的混合。
图8是表示流体箱的局部结构的其他变形例的剖视图。流体箱45至少具备将密闭分区160与密闭分区164之间隔开的内壁层145A及内壁层145B。内壁层145A及内壁层145B例如可以是SUS等金属或者PFA、PTFE或PVDF等氟树脂。
内壁层145A与内壁层145B彼此分离，并在内壁层145A与内壁层145B之间形成有空气层即间隙165。另外，内壁层145A与内壁层145B隔着空气层在将密闭分区160与密闭分区164连接的方向上层叠。此外，流体箱45所具备的内壁的数量并不限于图8所示的数量。
根据这种结构，由于内壁层145A与内壁层145B之间的间隙165有效抑制分区之间的渗透，所以能够抑制配管内的处理液的混合。
另外，也可以另行设置向上述间隙165供给气体的气体供给部。根据这种结构，通过将间隙165中的气氛的湿度抑制得低，能够降低间隙165的气氛所包含的水分向配管内渗透的程度。
此外，内壁层145A及内壁层145B中的至少一方可以由SUS等金属或者PFA、PTFE或PVDF等氟树脂构成。
图9是表示流体箱的局部结构的其他变形例的剖视图。流体箱46至少具备将密闭分区160与密闭分区164之间隔开的内壁层146A、内壁层146B及内壁层146C。内壁层146A及内壁层146C例如可以是SUS等金属或者PFA、PTFE或PVDF等氟树脂。
内壁层146B由与内壁层146A及内壁层146C不同的材料构成，且形成在内壁层146A与内壁层146C之间。内壁层146A与内壁层146B彼此接触，且内壁层146B与内壁层146C彼此接触。另外，内壁层146A、内壁层146B及内壁层146C在将密闭分区160与密闭分区164连接的方向上层叠。此外，流体箱46所具备的内壁的数量并不限于图9所示的数量。
在此，虽无特别限定，但内壁层146B例如可以由SUS等金属或者PFA、PTFE或PVDF等氟树脂构成。
根据图9所示的结构，由于内壁层146B有效抑制分区之间的渗透，所以能够抑制配管内的处理液的混合。
另外，内壁层146B不面向密闭分区160及密闭分区164中的任一分区。因此，能够抑制因用于抑制渗透的材料的成分混入密闭分区内的气氛中等而导致该气氛被污染。
此外，也可以将图7、图8及图9中的不同形态分别应用于设于流体箱的多个内壁。
＜配管的变形例＞
在上述说明中示出了流体箱中的结构的变形例，但并不限于流体箱，例如在包括图1的配管部、图2的循环容器600内、将图2的循环容器600与流体箱41A连接的配管路径等在内的区域中，期望通过将配置的配管设为双层配管而将配管外的气氛与配管内的气氛隔开。尤其是在图1的配管部等以接近的方式(例如1cm左右的距离)配置有多个配管的部位，通过利用双层配管将配管内外的气氛隔开来抑制配管内的处理液的混合的效果显著。
图10是表示双层配管的结构例的剖视图。此外，在以下图中示出配管的截面构造，但各个配管材料的厚度是为了方便而示出的，并不表示实际的厚度比率等。
如图10中例示的那样，配管350具备：围绕供冲洗液、清洗液或药液等处理液流动的流路(图10的中心部分)的筒状的配管材料350A；和进一步围绕配管材料350A的筒状的配管材料350B。配管材料350B由与配管材料350A不同的材料构成。此外，配管材料350A及配管材料350B的形状并不限于图10所示的圆筒形状，例如也可以是方筒形状等。
配管材料350A由PFA等树脂材料构成。另一方面，配管材料350B由与配管材料350A不同的材料构成。而且，虽无特别限定，但配管材料350B例如可以是SUS等金属或者PFA、PTFE或PVDF等氟树脂。
根据图10所示的结构，由于配管材料350B有效抑制配管内外的渗透，所以能够抑制配管内的处理液的混合。
图11是表示双层配管的其他结构例的剖视图。如图11中例示的那样，配管351具备：围绕供处理液流动的流路(图11的中心部分)的筒状的配管材料351A；进一步围绕配管材料351A的筒状的配管材料351B；和进一步围绕配管材料351B的筒状的配管材料351C。配管材料351B由与配管材料351A及配管材料351C不同的材料构成。此外，配管材料351A、配管材料351B及配管材料351C的形状并不限于图11所示的圆筒形状，例如也可以是方筒形状等。
配管材料351A及配管材料351C由PFA等树脂材料构成。此外，配管材料351A与配管材料351C也可以由相同的材料构成。另一方面，配管材料351B由与配管材料351A及配管材料351C不同的材料构成。而且，虽无特别限定，但配管材料351B例如可以是SUS等金属或者PFA、PTFE或PVDF等氟树脂。
根据图11所示的结构，由于配管材料351B有效抑制配管内外的渗透，所以能够抑制配管内的处理液的混合。另外，通过进一步设置配管材料351C，例如由SUS等金属或者PFA、PTFE或PVDF等氟树脂构成的配管材料351B不会暴露于配管外的气氛，因此，能够抑制在配管材料351B与配管外的气氛之间可能产生的反应。
图12是表示双层配管的其他结构例的剖视图。如图12中例示的那样，配管352具备：围绕供处理液流动的流路(图12的中心部分)的筒状的配管材料352A、和进一步围绕配管材料352A的筒状的配管材料352B。此外，配管材料352A及配管材料352B的形状并不限于图12所示的圆筒形状，例如也可以是方筒形状等。
在此，在配管材料352A与配管材料352B之间形成有作为密闭空间的间隙353。另外，配管材料352A及配管材料352B由PFA等树脂材料构成。
根据图12所示的结构，由于配管材料352A与配管材料352B之间的间隙353有效抑制配管内外的渗透，所以能够抑制外部气氛的成分混合到配管内的处理液中。
另外，也可以另行设置向上述间隙353内供给气体的气体供给部354。根据这种结构，通过将间隙353中的气氛的湿度抑制得低，能够降低间隙353的气氛所包含的水分向配管内渗透的程度。
＜关于由以上所记载的实施方式产生的效果＞
接着，示出由以上所记载的实施方式产生的效果的例子。需要说明的是，在以下说明中，基于以上所记载的实施方式中例示的具体结构来记载该效果，但也可以在产生同样效果的范围内置换成本说明书中例示的其他具体结构。
根据以上所记载的实施方式，基板处理装置具备多个配管(配管51A、配管51B及配管51C)、基板处理部和配管配置部。在此，基板处理部例如与液体处理单元31A对应。另外，配管配置部例如与流体箱41A或配管部51等以接近的方式配置多个配管的部位对应。配管供给用于进行基板W的处理的处理液(包括药液、冲洗液及清洗液)。在液体处理单元31A连接有多个配管。另外，液体处理单元31A使用处理液处理基板W。在流体箱41A中，以彼此接近的方式配置多个配管。另外，流体箱41A具备内壁141A，该内壁将多个配管中的至少一个配管51A与其他配管51B隔开，且将被隔开的各个分区(在图2中为密闭分区160及密闭分区164)内的气氛密闭。
根据这种结构，能够抑制处理液的混合及随之发生的颗粒产生。具体而言，由于通过内壁隔开了各个密闭分区的气氛，所以能够充分抑制从以接近的方式配置的配管(例如以1cm左右的距离配置的配管)渗透至该配管外的气氛的处理液向相邻的密闭分区的配管内渗透。
此外，即使在将本说明书中例示的其他结构中的至少一项适当追加到以上所记载的结构中的情况下、即在适当追加了作为以上所记载的结构而未被提及的本说明书中例示的其他结构的情况下，也能够产生同样的效果。
另外，根据以上所记载的实施方式，配管配置部是与液体处理单元31A相邻的流体箱。根据这种结构，通过在以接近的方式配置有与液体处理单元31A连接的多个配管的流体箱中设置内壁，能够充分抑制从跨越密闭分区且以接近的方式配置的配管渗透至该配管外的气氛中的处理液向相邻的密闭分区的配管内渗透。
另外，根据以上所记载的实施方式，在至少一个密闭分区166内配置有多个配管51A及配管51B。而且，相同的密闭分区166内的多个配管51A及配管51B是用于供给相同种类的处理液的配管。根据这种结构，能够削减内壁的数量，并同时抑制不同处理液之间的经由气氛进行的混合。
另外，根据以上所记载的实施方式，基板处理装置具备向密闭分区内供给气体的气体供给部201、气体供给部202及气体供给部203。根据这种结构，通过将密闭分区内的湿度抑制得低，能够降低各个密闭分区内的气氛所包含的水分等向配置于该密闭分区的配管内渗透的程度。
另外，根据以上所记载的实施方式，由气体供给部201向密闭分区160内供给的气体是干燥空气或非活性气体。根据这种结构，能够以将密闭分区内的湿度抑制得低的方式控制湿度。
另外，根据以上所记载的实施方式，基板处理装置具备对密闭分区160内的压力进行控制的压力控制部301。而且，压力控制部301将密闭分区160内的压力控制为配管51B内的压力以下。根据这种结构，能够抑制配管外的气氛所包含的成分(例如水分)因配管内外的压力差而混合到配管内的处理液中。
另外，根据以上所记载的实施方式，压力控制部301将密闭分区160内的压力控制为与配管51B内的压力相等。根据这种结构，能够抑制配管外的气氛所包含的成分(例如水分)因配管内外的压力差而混合到配管内的处理液中。
另外，根据以上所记载的实施方式，内壁具备第一内壁层和第二内壁层。在此，第一内壁层例如与内壁层144A及内壁层146A中的任一个对应。另外，第二内壁层例如与内壁层144B及内壁层146B中的任一个对应。在此，内壁层144B由与内壁层144A不同的材料构成。另外，内壁层144B与内壁层144A层叠。同样地，内壁层146B由与内壁层146A不同的材料构成。另外，内壁层146B与内壁层146A层叠。另外，第一内壁层与第二内壁层在将彼此隔开的分区之间连接的方向上层叠。根据这种结构，由于内壁层144B(内壁层146B)有效抑制分区之间的渗透，所以能够抑制配管内的处理液的混合。
另外，根据以上所记载的实施方式，内壁层144B及内壁层146B由金属或氟树脂构成。根据这种结构，由于内壁层144B(内壁层146B)有效抑制分区之间的渗透，所以能够抑制配管内的处理液的混合。
另外，根据以上所记载的实施方式，内壁具备第一内壁层和第二内壁层。在此，第一内壁层例如与内壁层145A及内壁层146A中的任一个对应。另外，第二内壁层例如与内壁层145B及内壁层146C中的任一个对应。内壁层145B在与内壁层145A之间形成有间隙165。而且，内壁层145A与内壁层145B在将彼此隔开的分区之间连接的方向上层叠。根据这种结构，由于内壁层145A与内壁层145B之间的间隙165有效抑制分区之间的渗透，所以能够抑制配管内的处理液的混合。
另外，根据以上所记载的实施方式，内壁具备形成于内壁层146A与内壁层146C之间的间隙的第三内壁层。在此，第三内壁层例如与内壁层146B对应。而且，内壁层146B由金属或氟树脂构成。根据这种结构，内壁层146B不面向密闭分区160及密闭分区164中的任一分区。因此，能够抑制因用于抑制渗透的材料混入密闭分区内的气氛中等而导致该气氛被污染。
另外，根据以上所记载的实施方式，基板处理装置具备：配管352，其用于供给用于处理基板W的处理液；和液体处理单元31A，其与配管352连接，且用于使用处理液处理基板W。配管352具备筒状的第一配管材料和筒状的第二配管材料。在此，第一配管材料例如与配管材料352A对应。另外，第二配管材料例如与配管材料352B对应。配管材料352A围绕供处理液流动的流路。配管材料352B围绕配管材料352A。而且，在配管材料352A与配管材料352B之间形成有密闭的间隙353。根据这种结构，由于配管材料352A与配管材料352B之间的间隙353有效抑制配管内外的渗透，所以能够抑制外部气氛的成分(例如水分)混合到配管内的处理液中。
另外，根据以上所记载的实施方式，基板处理装置具备向间隙353内供给气体的气体供给部354。根据这种结构，通过将间隙353中的气氛的湿度抑制得低，能够降低间隙353的气氛所包含的水分向配管内渗透的程度。
另外，根据以上所记载的实施方式，基板处理装置具备：配管350，其用于供给用于处理基板W的处理液；和液体处理单元31A，其与配管350连接，且用于使用处理液处理基板W。而且，配管350具备筒状的第一配管材料和筒状的第二配管材料。在此，第一配管材料例如与配管材料350A对应。另外，第二配管材料例如与配管材料350B对应。配管材料350A围绕供处理液流动的流路。配管材料350B由与配管材料350A不同的材料构成。另外，配管材料350B围绕配管材料350A。而且，配管材料350B由SUS等金属或者PFA、PTFE或PVDF等氟树脂构成。根据这种结构，由于配管材料350B有效抑制配管内外的渗透，所以能够抑制外部气氛的成分混合到配管内的处理液中。
另外，根据以上所记载的实施方式，配管351具备筒状的第三配管材料。在此，第三配管材料例如与配管材料351C对应。配管材料351C由与配管材料351B不同的材料构成。另外，配管材料351C围绕配管材料351B。根据这种结构，通过设有配管材料351C，由SUS等金属或者PFA、PTFE或PVDF等氟树脂构成的配管材料351B不会暴露于配管外的气氛，因此，能够抑制在配管材料351B与配管外的气氛之间可能产生的反应。
＜关于以上所记载的实施方式中的变形例＞
在以上所记载的实施方式中，存在对各个构成要素的材质、材料、尺寸、形状、相对的配置关系或实施条件等也进行记载的情况，但这些记载是所有形态中的一个例子，并不限于本说明书的记载内容。
因此，能够在本说明书中公开的技术范围内设想未例示的无数变形例及均等物。例如，也包括使至少一个构成要素变形的情况、和追加或省略至少一个构成要素的情况。
附图标记说明
Z1 旋转轴线
TW31、TW32、TW33 处理塔
W 基板
1 基板处理装置
2 索引区
3 处理区
7 控制部
21 基板收容器
22 台
23 索引机器人
23A 基台部
23B 多关节臂
23C、23D 手部
30 搬送区域
31、32、33 处理模块
31A、31B、31C、32A、32B、32C、33A、33B、33C 液体处理单元
41A、41B、41C、42A、42B、42C、43A、43B、43C、44、45、46、47、48、49 流体箱
51、52、53 配管部
51A、51B、51C、51D、52A、52B、52C、53A、53B、53C、350、351、352 配管
51D、52D、53D 排液用配管
60 冲洗液喷嘴
62 冲洗液阀
64 清洗液喷嘴
66 清洗液阀
71 CPU
72 ROM
73 RAM
74 存储部
75 总线布线
76 输入部
77 显示部
141A、141B、141C 内壁
144A、144B、145A、145B、146A、146B、146C 内壁层
152、154、160、164、166、167、168 密闭分区
165、353 间隙
201、202、203、354 气体供给部
250 处理室
250A 壁
250B 开口部
250C 闸门
251 旋转卡盘
251A 旋转基座
251C 旋转轴
251D 旋转马达
252 药液喷嘴
253 药液罐
255 送液装置
256 药液阀
257 循环配管
258 循环阀
301、302、303 压力控制部
350A、350B、351A、351B、351C、352A、352B 配管材料
511 处理罩
513 排液口
515 排气口
600 循环容器。

Claims (22)

1.一种基板处理装置，其具备：
多个配管，其用于供给用于进行基板的处理的处理液；
基板处理部，其与多个所述配管连接，且用于使用所述处理液处理所述基板；和
配管配置部，其以彼此接近的方式配置多个所述配管，
所述配管配置部具备至少一个内壁，所述内壁将多个所述配管中的至少一个所述配管与其他所述配管隔开，且将被隔开的各个分区内的气氛密闭。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
所述配管配置部是与所述基板处理部相邻的流体箱。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，
在至少一个所述分区内配置有多个所述配管，
相同的所述分区内的多个所述配管是用于供给相同种类的所述处理液的所述配管。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的基板处理装置，其中，
还具备向所述分区内供给气体的气体供给部。
5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其中，
由所述气体供给部向所述分区内供给的所述气体是干燥空气或非活性气体。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的基板处理装置，其中，
还具备对所述分区内的压力进行控制的压力控制部，
所述压力控制部将所述分区内的压力控制为所述配管内的压力以下。
7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其中，
所述压力控制部将所述分区内的压力控制为与所述配管内的压力相等。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的基板处理装置，其中，
所述内壁具备第一内壁层和第二内壁层，该第二内壁层由与所述第一内壁层不同的材料构成且与所述第一内壁层层叠，
所述第一内壁层与所述第二内壁层在将彼此隔开的分区之间连接的方向上层叠。
9.根据权利要求8所述的基板处理装置，其中，
所述第二内壁层由金属或氟树脂构成。
10.根据权利要求1～7中任一项所述的基板处理装置，其中，
所述内壁具备第一内壁层、和在与所述第一内壁层之间形成间隙的第二内壁层，
所述第一内壁层与所述第二内壁层在将彼此隔开的分区之间连接的方向上层叠。
11.根据权利要求10所述的基板处理装置，其中，
所述内壁还具备形成于所述间隙的第三内壁层，
所述第三内壁层由金属或氟树脂构成。
12.一种基板处理装置，其具备：
配管，其用于供给用于处理基板的处理液；和
基板处理部，其与所述配管连接，且用于使用所述处理液处理所述基板，
所述配管具备：
围绕供所述处理液流动的流路的筒状的第一配管材料；和
围绕所述第一配管材料的筒状的第二配管材料，
在所述第一配管材料与所述第二配管材料之间形成有密闭的间隙。
13.根据权利要求12所述的基板处理装置，其中，
还具备向所述间隙内供给气体的气体供给部。
14.一种基板处理装置，其具备：
配管，其用于供给用于处理基板的处理液；和
基板处理部，其与所述配管连接，且用于使用所述处理液处理所述基板，
所述配管具备：
筒状的第一配管材料，其围绕供所述处理液流动的流路；和
筒状的第二配管材料，其由与所述第一配管材料不同的材料构成，且围绕所述第一配管材料，
所述第二配管材料由包括SUS的金属或者包括PFA、PTFE或PVDF的氟树脂构成。
15.根据权利要求14所述的基板处理装置，其中，
所述配管还具备筒状的第三配管材料，其由与所述第二配管材料不同的材料构成，且围绕所述第二配管材料。
16.一种基板处理方法，其使用基板处理装置处理基板，所述基板处理装置具备：基板处理部，其与用于供给处理液的多个配管连接，且用于使用所述处理液处理所述基板；和配管配置部，其以彼此接近的方式配置多个所述配管，
所述基板处理方法的特征在于，
具备所述基板处理部使用所述处理液处理所述基板的工序，
所述配管配置部具备至少一个内壁，所述内壁将多个所述配管中的至少一个所述配管与其他所述配管隔开，且将被隔开的各个分区内的气氛密闭。
17.根据权利要求16所述的基板处理方法，其中，
还具备向所述分区内供给气体的工序。
18.根据权利要求16或17所述的基板处理方法，其中，
还具备使所述分区内的压力成为所述配管内的压力以下的工序。
19.根据权利要求16～18中任一项所述的基板处理方法，其中，
还具备使所述分区内的压力与所述配管内的压力相等的工序。
20.一种基板处理方法，其使用基板处理装置进行基板的处理，所述基板处理装置具备基板处理部，该基板处理部与用于供给处理液的配管连接，且用于使用所述处理液进行所述基板的处理，
所述基板处理方法的特征在于，
具备所述基板处理部使用所述处理液处理所述基板的工序，
所述配管具备：
围绕供所述处理液流动的流路的筒状的第一配管材料；和
围绕所述第一配管材料的筒状的第二配管材料，
在所述第一配管材料与所述第二配管材料之间形成有密闭的间隙。
21.根据权利要求20所述的基板处理方法，其中，
还具备向所述间隙内供给气体的工序。
22.一种基板处理方法，其使用基板处理装置进行基板的处理，所述基板处理装置具备基板处理部，该基板处理部与用于供给处理液的配管连接，且用于使用所述处理液进行所述基板的处理，
所述基板处理方法的特征在于，
具备所述基板处理部使用所述处理液处理所述基板的工序，
所述配管具备：
筒状的第一配管材料，其围绕供所述处理液流动的流路；和
筒状的第二配管材料，其由与所述第一配管材料不同的材料构成，且围绕所述第一配管材料，
所述第二配管材料由包括SUS的金属或者包括PFA、PTFE或PVDF的氟树脂构成。
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