TW202410253A - 基板處理裝置 - Google Patents

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TW202410253A
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tank
liquid
bubble supply
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TW112119464A
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佐佐木光敏
山本学
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日商斯庫林集團股份有限公司
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Abstract

本發明之課題在於提供一種可抑制與升降機間之干擾且向基板之表面均一地供給氣泡之基板處理裝置。 本發明之基板處理裝置於處理槽之內部形成往向上方之處理液之層流，於該處理液中浸漬基板W。於處理槽之內部配置8根氣泡供給管51，該等8根氣泡供給管51自基板W之下方向處理液中供給氣泡。將8根氣泡供給管51中之最內側之2根配置於沖孔板60之凹部65之內側，使該等2根氣泡供給管51之高度位置低於其他氣泡供給管51之高度位置。即便於升降機20使基板W下降至浸漬位置時，仍可防止背板22之前端部22a與氣泡供給管51碰撞。又，由於設置包含最內側之2根氣泡供給管51之8根氣泡供給管51，故可向基板W之表面均一地供給氣泡。

Description

基板處理裝置
本發明係關於一種對基板進行利用處理液進行之蝕刻等表面處理之基板處理裝置。於為處理對象之基板中，例如包含半導體基板、液晶顯示裝置用基板、平板顯示器(FPD：flat panel display)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、或太陽能電池用基板等。
自先前以來，於半導體裝置之製造工序中，使用對半導體基板等基板進行各種處理之基板處理裝置。作為此基板處理裝置之一，業已知悉於處理槽內儲存處理液，將複數個基板整批浸漬於該處理液中並進行蝕刻處理等之批量式基板處理裝置。
於專利文獻1中，曾揭示在處理槽內設置向保持於基板保持部之複數個基板之下方噴出處理液之處理液噴出部及供給氣泡之氣泡供給部。藉由除了處理液之噴出以外，亦將氣泡供給至處理液中，而處理槽內之處理液之流速變快，基板之表面處理之效率提高。
另一方面，近年來對可持續之開發目標(SDGs)之活動亦備受關注，謀求盡量減少被廢棄之處理液之省液。為了響應如此之要求，業界曾開發可以更少量之處理液進行基板處理之處理槽。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2021-106254號公報
[發明所欲解決之問題]
於如此之削減容量之處理槽中，由於處理槽之尺寸變小，故氣泡供給部之配置受限制。具體而言，無法於保持複數個基板並升降之升降機之可動範圍內設置氣泡供給部。因而，氣泡供給部之配置產生偏差，其結果無法向基板之表面均一地供給氣泡，產生基板處理之面內均一性受損之問題。
本發明係鑒於上述問題而完成者，目的在於提供一種可抑制與升降機間之干擾且向基板之表面均一地供給氣泡之基板處理裝置。 [解決問題之技術手段]
為了解決上述問題，技術方案1之發明之基板處理裝置係對基板進行利用處理液之表面處理者，其特徵在於包含：處理槽，其儲存處理液；處理液供給部，其向前述處理槽內供給處理液；沖孔板，其設置於前述處理槽內，形成自前述處理液供給部供給之處理液之層流；升降機，其保持基板並升降，將前述基板浸漬於儲存於前述處理槽之處理液中；及複數個管狀之氣泡供給管，其等在前述處理槽之內部配置於前述沖孔板之上方，自保持於前述升降機之前述基板之下方向儲存於前述處理槽之處理液供給氣泡；且於前述沖孔板形成凹部；前述複數根氣泡供給管之一部分配置於前述凹部之內側。
又，技術方案2之發明係如技術方案1之發明之基板處理裝置者，其中前述升降機之下端形成為V字型，前述凹部形成於前述沖孔板之中央部。
又，技術方案3之發明係如技術方案1或2之發明之基板處理裝置者，其中前述複數根氣泡供給管係由氟樹脂形成，且該基板處理裝置進一步包含將前述複數根氣泡供給管各者支持於前述沖孔板之上方之支持構件。 [發明之效果]
根據技術方案1至3之發明，由於在沖孔板形成凹部，複數根氣泡供給管之一部分配置於凹部之內側，故可抑制與升降機間之干擾，且配置複數根氣泡供給管，向基板之表面均一地供給氣泡。
尤其是，根據技術方案3之發明，由於複數根氣泡供給管係由氟樹脂形成，且該基板處理裝置進一步包含將複數根氣泡供給管各者支持於沖孔板之上方之支持構件，故可抑制氣泡供給管之撓曲，提高直進性。
以下，一面參照圖式，一面針對本發明之實施形態詳細地說明。以下，表示相對性或絕對性位置關係之表達(例如「於一方向」、「沿一方向」「平行」、「正交」、「中心」、「同心」、「同軸」等)如無特別異議，則不僅嚴格地表示其位置關係，亦表示在公差或獲得同程度之功能之範圍內關於角度或距離相對地變位之狀態。又，表示為相等之狀態之表達(例如「同一」、「相等」、「均質」等)如無特別異議，則不僅表示定量地嚴格相等之狀態，亦表示存在公差或獲得同程度之功能之差之狀態。又，表示形狀之表達(例如「圓形狀」、「四角形狀」、「圓筒形狀」等)如無特別異議，則不僅於幾何學上嚴謹地表示該形狀，亦表示獲得同程度之效果之範圍之形狀，可具有例如凹凸或倒角等。又，「包括」、「備置」、「具備」、「包含」、「具有」一個構成要素之各表達，非為將其他構成要素之存在除外之排他性表達。又，「A、B及C中之至少一者」之表達包含：「僅A」、「僅B」、「僅C」、「A、B及C中任意2個」、「A、B及C之全部」
圖1係顯示本發明之基板處理裝置100之整體構成之圖解性俯視圖。基板處理裝置100係對於複數片半導體基板等基板W整批進行利用處理液之表面處理之批量式基板處理裝置。此外，於圖1及以後之各圖中，為了易於理解，而根據需要，將各部之尺寸或數目誇張或簡略化描繪。又，於圖1及以後之各圖中，為了使該等方向關係明確，而適宜賦予將Z軸方向設為鉛直方向、將XY平面設為水平面之XYZ正交座標系。
基板處理裝置100主要具備：加載台110、搬出搬入機器人140、姿勢更換機構150、推動器160、主搬送機器人180、基板處理部群120、交接卡匣170、及控制部70。
加載台110設置於俯視下形成為大致長方形之基板處理裝置100之端部。於加載台110載置載架C，該載架C收容由基板處理裝置100處理之複數片基板(以下簡稱為「基板」)W。收容有未處理之基板W之載架C藉由無人搬送車(AGV、OHT)等搬送且載置於加載台110。又，收容有完成處理之基板W之載架C亦藉由無人搬送車自加載台110取走。
載架C典型的是將基板W收納於密閉空間之FOUP(front opening unified pod，前開式晶圓傳送盒)。載架C藉由形設於其內部之複數個保持擱架，以將複數個基板W以水平姿勢(法線沿鉛直方向之姿勢)於鉛直方向(Z方向)以一定間隔積層排列之狀態進行保持。載架C之最大收容片數為25片或50片。此外，作為載架C之形態，除了FOUP以外，亦可為SMIF(Standard Mechanical Inter Face，標準機械介面)晶圓盒或將收納之基板W曝露於外部大氣之OC(open cassette，開放式片盒)。
於基板處理裝置100之本體部與加載台110之邊界部分設置有晶圓盒開啟器(省略圖示)等。晶圓盒開啟器將載置於加載台110之載架C之正面之蓋開閉。
搬出搬入機器人140於載置於加載台110之載架C之蓋經開放之狀態下，自該載架C向基板處理裝置100之本體部搬入未處理之基板W，且自基板處理裝置100之本體部向載架C搬出完成處理之基板W。更具體而言，搬出搬入機器人140於載架C與姿勢更換機構150之間進行基板W之搬送。搬出搬入機器人140於水平面內可回轉地構成，且將分別可保持1片基板W之手部要素多段積層而成之批量手部(省略圖示)可進退移動地備置。
姿勢更換機構150使自搬出搬入機器人140接收之基板W轉動90ﾟ，將該基板W之姿勢自水平姿勢更換為立起姿勢(法線沿著水平方向之姿勢)。又，姿勢更換機構150於將基板W交遞至搬出搬入機器人140之前，將該基板W之姿勢自立起姿勢更換為水平姿勢。
推動器160配置於姿勢更換機構150與交接卡匣170之間。推動器160於姿勢更換機構150與設置於交接卡匣170之升降台(省略圖示)之間進行立起姿勢之基板W之交接。
交接卡匣170與基板處理部群120沿X方向配置成一行。基板處理部群120具備5個處理部121、122、123、124、125。處理部121～125係對基板W進行各種表面處理之基板處理裝置100之主要部分。如圖1所示，於基板處理裝置100內，依照處理部121、122、123、124、125之順序自(+X)側配置。處理部121、122、123、124各者具備儲存處理液之處理槽10
處理部121及處理部123分別儲存同種或異種之藥液，使複數個基板W整批浸漬於該藥液中並進行蝕刻處理等藥液處理。又，處理部122及處理部124分別儲存沖洗液(典型的為純水)，使複數個基板W整批浸漬於該沖洗液中並進行沖洗處理。
於基板處理部群120中，處理部121與處理部122成對，處理部123與處理部124成對。而且，設置有處理部121與處理部122之對所專用之搬送機構即1個升降機20。升降機20於處理部121與處理部122之間可沿X方向移動。同樣，設置有處理部123與處理部124之對所專用之搬送機構即1個升降機20。
升降機20保持自主搬送機器人180接收之複數個基板W，使該基板W浸漬於儲存於處理部121之處理槽10之藥液中。於藥液處理之結束後，升降機20自處理部121提升基板W並移動至處理部122，使基板W浸漬於儲存於處理部122之處理槽之沖洗液中。於沖洗處理結束後，升降機20自處理部122提升基板W並交遞至主搬送機器人180。
處理部125具備：將經密閉之乾燥腔室內減壓為未達大氣壓之機構、向該乾燥腔室內供給有機溶劑(例如異丙醇(IPA))之機構、及升降機20。處理部125將藉由升降機20自主搬送機器人180接收之基板W收容於乾燥腔室內，將該乾燥腔室內設為減壓氣體環境，且向基板W供給有機溶劑，使基板W乾燥。乾燥處理後之基板W被交接至主搬送機器人130。乾燥處理後之基板W經由升降機20被交接至主搬送機器人180。
交接卡匣170配置於位於待機位置(圖1之主搬送機器人180之位置)之主搬送機器人180之下方。交接卡匣170具備省略圖示之升降台。該升降台使自推動器160接收之基板W於保持立起姿勢不變下上升並交遞至主搬送機器人180。又，升降台使自主搬送機器人180接收之基板W下降並交遞至推動器160。
主搬送機器人180如圖1之箭頭AR1所示般，沿X方向滑動移動地構成。主搬送機器人180於交接卡匣170之上方之待機位置與處理部121、122、123、124、125之任一者之上方之處理位置之間搬送基板W。
主搬送機器人180具備整批固持複數個基板W之一對基板卡盤181。主搬送機器人180藉由縮小一對基板卡盤181之間隔，而可整批固持複數個基板W，藉由擴大基板卡盤181之間隔，而可解除固持狀態。藉由如此之構成，主搬送機器人180可對於交接卡匣170之升降台進行基板W之交接，且亦與設置於基板處理部群120之各升降機20進行基板W之交接。
其次，對於設置於基板處理裝置100之處理部121之構成進行說明。此處，對於處理部121進行說明，但處理部123亦具備同樣之構成。圖2係顯示處理部121之構成之圖。如圖2所示，處理部121主要具備：處理槽10，其儲存處理液；升降機20，其保持複數片基板W並向上下升降；處理液供給部30，其向處理槽10內供給處理液；排液部40，其自處理槽10排出處理液；及氣泡供給部50，其向儲存於處理槽10之處理液中供給氣泡。
處理槽10係由石英等耐藥性之材料構成之儲存容器。處理槽10具有包含內槽11及外槽12之雙重槽構造，且該內槽11儲存處理液，使基板W浸漬於其內部，該外槽12形成於內槽11之上端外周部。內槽11及外槽12分別具有向上方開放之上部開口。外槽12之上緣之高度高於內槽11之上緣之高度。若於將處理液儲存至內槽11之上端之狀態下，自處理液供給部30進一步供給處理液，則處理液自內槽11之上部溢出，向外槽12溢流。本實施形態之處理槽10係減少使用之處理液之量之省液規格者，內槽11之容量較小。
於本說明書中，「處理液」係包含各種藥液及純水之概念之用語。作為藥液，例如，包含用於進行蝕刻處理之液體、或用於去除微粒之液體等，具體而言，使用四甲基氫氧化銨(TMAH)、SC-1液(氫氧化銨與過氧化氫水及純水之混合溶液)、SC-2液(鹽酸與過氧化氫水及純水之混合溶液)、或磷酸等。藥液亦包含藉由純水而稀釋者。
升降機20係用於保持基板W且向上下搬送之搬送機構。升降機20具有：沿鉛直方向(Z方向)延伸之背板22、及自背板22之下端沿水平方向(Y方向)延伸之3個保持棒21。背板22之下端形成為V字型。亦即，位於背板22之下端中央之前端部22a位於最低之位置，以自該前端部22a向背板22之兩側部朝斜上方傾斜之方式形成背板22之下端。於自背板22之下端延伸之3個個保持棒21各者以特定節距刻設有複數個(例如50個)保持槽。複數個基板W以使各者之周緣部嵌合於保持槽之狀態，於3個保持棒21上相互隔開特定間隔且平行地以立起姿勢受保持。
又，升降機20與於圖2中概念性顯示之驅動機構24連接並作升降移動。圖3及圖4係顯示升降機20之升降動作之圖。若使驅動機構24動作，則升降機20向上下移動，保持於降機20之基板W如圖2之箭頭AR2所示般，於處理槽10之內部之浸漬位置(圖4之位置)、與處理槽10之上方之提升位置(圖3之位置)之間作升降移動。於在處理槽10儲存有處理液之狀態下將基板W下降至浸漬位置，藉此將基板W浸漬於該處理液中並進行表面處理。
返回圖2，處理液供給部30具備噴嘴31及向其給送處理液之配管系統。噴嘴31配置於處理槽10之內槽11內之底部。於噴嘴31之正上方以與噴嘴31對向之方式設置分散板15。進而，於分散板15之上方設置沖孔板60。
圖5係自處理槽10之底部觀察噴嘴31、分散板15及沖孔板60之圖。處理液供給部30之配管32之前端部分(於處理槽10內延伸之部分)構成配管132。於配管132之上側形設複數個噴嘴31。各噴嘴31連通連接於配管132。於複數個噴嘴31各者之上方設置分散板15。分散板15係與水平面平行地設置之圓板形狀之構件。噴嘴31向分散板15自配管132向鉛直上方突設。於分散板15之進一步上方，在內槽11之水平剖面之整體設置沖孔板60。於沖孔板60之全面穿設有複數個處理液孔61。
供給至配管132之處理液自噴嘴31向正上方之分散板15噴出。若於在處理槽10儲存有處理液之狀態下自噴嘴31向上方噴出處理液，則該處理液之流動碰撞分散板15而將液體之壓力分散，處理液沿分散板15之面於水平方向擴展。而且，藉由分散板15於水平方向擴展之處理液自沖孔板60之複數個處理液孔61上升，於處理槽10內形成自下方向上方之層流。亦即，沖孔板60於處理槽10內形成處理液之層流。
返回圖2，向噴嘴31給送處理液之配管系統於配管32具備泵33、加熱器34、過濾器35、流量調整閥36及閥37而構成。泵33、加熱器34、過濾器35、流量調整閥36及閥37依序自配管32之上游向下游(自外槽12向內槽11)配置。
配管32之前端側於處理槽10內延伸設置，構成配管132(圖5)，且配管32之基端側連接於外槽12。配管32將自外槽12流出之處理液再次導引至內槽11。亦即，處理液供給部30係使處理槽10內之處理液循環者。泵33自外槽12向配管32排出處理液，且將該處理液送出至噴嘴31。加熱器34將配管32中流動之處理液加熱。於使用磷酸等作為處理液之情形下，藉由加熱器34將處理液加熱，將升溫之處理液儲存於處理槽10。
過濾器35對配管32中流動之處理液進行過濾而去除雜質等。流量調整閥36調整配管32中流動之處理液之流量。閥37將配管32之流路開閉。藉由使泵33作動且將閥37開放，而將自外槽12排出之處理液流經配管32給送至噴嘴31，其流量係由流量調整閥36規定。
藥液供給部80包含藥液供給源81、閥82、噴嘴83及配管84。配管84之前端側連接於噴嘴83，且基端側連接於藥液供給源81。於配管84之路徑中途設置有閥82。若將閥82開放，則自藥液供給源81向噴嘴83給送藥液，自噴嘴83向處理槽10之外槽12噴出藥液。自藥液供給部80供給至外槽12之藥液藉由處理液供給部30供給至內槽11內。此外，藥液供給部80之噴嘴83可將藥液直接供給至內槽11。
純水供給部90包含純水供給源91、閥92、噴嘴93及配管94。配管94之前端側連接於噴嘴93，且基端側連接於純水供給源91。於配管94之路徑中途設置有閥92。若將閥92開放，則自純水供給源91向噴嘴93給送純水，自噴嘴93向處理槽10之外槽12噴出純水。藉由自藥液供給部80向處理槽10供給藥液，且自純水供給部90供給純水，而將藥液稀釋。
排液部40包含配管41及閥45。配管41之前端側連接於處理槽10之內槽11之底壁。於配管41之路徑中途設置有閥45。配管41之基端側連接於設置基板處理裝置100之工廠之排液設備。若將閥45開放，則將儲存於內槽11內之處理液自內槽11之底部急速排出至配管41，並由排液設備處理。
氣泡供給部50具備複數根氣泡供給管(起泡器)51及向其等給送氣體之配管系統。於本實施形態中，氣泡供給部50具備8根氣泡供給管51。8根氣泡供給管51於處理槽10之內槽11之內部，配置於沖孔板60之上方，且配置於藉由升降機20而保持於浸漬位置之基板W之下方。8根氣泡供給管51各者向儲存於處理槽10內之處理液中噴出氣體。若於在處理槽10儲存有處理液之狀態下自8根氣泡供給管51向處理液中供給氣體，則該氣體成為氣泡且於處理液中上升。氣泡供給部50供給之氣體為例如惰性氣體。該惰性氣體例如為氮或氬(於本實施形態中使用氮)。
向8根氣泡供給管51供給氣體之配管系統包含配管52、氣體供給機構53及氣體供給源54。於8根氣泡供給管51各者連接1根配管52之前端側。配管52之基端側連接於氣體供給源54。而且，於配管52各者設置氣體供給機構53。即，對於8根氣泡供給管51各者設置有1個氣體供給機構53。氣體供給源54向各配管52送出氣體。氣體供給機構53具備省略圖示之質量流量控制器及開閉閥等，經由配管52向氣泡供給管51給送氣體，且調整該給送之氣體之流量。
圖6係顯示對於沖孔板60之8根氣泡供給管51之配置之立體圖。又，圖7係顯示沖孔板60及8根氣泡供給管51之構成之前視圖。沖孔板60將底板63貼合於上板62而構成。於上板62之中央，上下貫通而形成有開口部。以將該開口部之下側封蓋之方式將底板63貼合於上板62。底板63係使用例如螺釘與六角螺帽而固著於上板62。藉由上板62之開口部之下側由底板63閉塞，而於沖孔板60之中央部形成凹部65。於上板62及底板63各者穿設有複數個處理液孔61。因此，於沖孔板60之大致全面穿設複數個處理液孔61。
於本實施形態中，8根氣泡供給管51中最內側之2根氣泡供給管51配置於沖孔板60之凹部65之內側。其餘之6根氣泡供給管51較凹部65為外側且配置於上板62。因此，8根氣泡供給管51中配置於凹部65之內側之2根氣泡供給管51之高度位置最低。又，對於配置於上板62之6根氣泡供給管51，亦為越靠外側(與凹部65相隔之距離越長)，高度位置越高。
8根氣泡供給管51各者係於上側沿著一行設置省略圖示之氣泡孔之長條之圓管狀構件。氣泡供給管51係利用對於處理液之耐藥品性之材質、例如PFA(perfluoroalkoxy alkane，全氟烷氧基烷烴)、PEEK(Polyether ether ketone，聚醚醚酮)、或石英形成(於本實施形態中使用PFA)。作為氟樹脂之一種之PFA雖然具有優異之耐藥品性，但容易撓曲，故而長條之氣泡供給管51較容易翹曲。因而，將複數根氣泡供給管51各者藉由支承導引件58支持並固定於沖孔板60之上方。支承導引件58係棒狀之支持構件。具體而言，於沖孔板60上之複數個部位豎立設置一對支承導引件58，藉由該等支承導引件58支持PFA之氣泡供給管51。藉此，可抑制氣泡供給管51之撓曲，提高直進性。
又，設置於各氣泡供給管51之複數個氣泡孔各者配置為位於由升降機20保持之相鄰之基板W與基板W之間。因此，藉由自形設於各氣泡供給管51之複數個氣泡孔噴出氣體而形成之氣泡於相鄰之基板W與基板W之間上升。
如圖7所示，於減少處理液之使用量之省液規格之處理槽10中，在升降機20下降至基板W之整體浸漬於處理液之浸漬位置時，背板22之前端部22a相當接近氣泡供給管51。由於將8根氣泡供給管51中前端部22a接近之最內側之2根氣泡供給管51配置於沖孔板60之凹部65之內側，故該等2根氣泡供給管51之高度位置較其他氣泡供給管51之高度位置為低。因此，即便於升降機20下降至浸漬位置時，亦可防止背板22之前端部22a與氣泡供給管51之碰撞。
控制部70控制設置於基板處理裝置100之各種動作機構。控制部70亦控制處理部121之動作。作為控制部70之硬體之構成係與一般之電腦相同。亦即，控制部70具備：作為進行各種運算處理之電路之CPU、作為記憶基本程式之讀出專用之記憶體之ROM、作為記憶各種資訊之讀寫自如之記憶體之RAM、及預先記憶控制用軟體或資料等之記憶部(例如磁碟)。控制部70與處理液供給部30之閥37及氣體供給機構53等電性連接，控制其等之動作。
又，於控制部70之記憶部記憶處理基板W之步序及決定條件之製程條件(以下稱為「處理製程條件」)。處理製程條件例如由裝置之操作員經由GUI輸入並記憶於記憶部，藉此由基板處理裝置100取得。或，可自管理複數個基板處理裝置100之主電腦向基板處理裝置100藉由通訊提交處理製程條件並記憶於記憶部。控制部70藉由基於儲存於記憶部之處理製程條件之記述，控制氣體供給機構53等之動作，而可如處理製程條件所記述般使基板W之表面處理進行。
其次，對於具有上述之構成之處理部121中之處理動作進行說明。於本實施形態之處理部121中，藉由自處理槽10之內槽11向外槽12溢流且自外槽12流出之處理液返回內槽11，而處理液循環。具體而言，自外槽12流出至配管32之處理液藉由泵33而送出至噴嘴31。此時，配管32中流動之處理液係根據需要藉由加熱器34加熱。又，配管32中流動之處理液之流量係由流量調整閥36規定。進而，根據需要，排液部40自處理槽10排出完成使用之處理液，且藥液供給部80及純水供給部90向處理槽10供給新液。於本實施形態中，使用強鹼性之TMAH作為處理液而進行多晶矽之蝕刻。
給送至噴嘴31之處理液自噴嘴31向內槽11內之上方噴出。自噴嘴31噴出之處理液碰撞分散板15，沿分散板15之面於水平方向擴展。藉由分散板15於水平方向擴展之處理液到達沖孔板60並通過複數個處理液孔61，自該處理液孔61上升，於內槽11內形成往向上方之層流。到達內槽11之上端之處理液溢流且流入外槽12。
於在處理槽10內形成上升之處理液之層流之狀態下，將基板W浸漬於處理液中。具體而言，升降機20於處理槽10上方之提升位置接收由主搬送機器人180搬送而來之複數個基板W。基板W載置於3個保持棒21上且保持於升降機20。繼而，控制部70使驅動機構24動作並使升降機20下降，使基板W下降至處理槽10內之浸漬位置，使基板W浸漬於處理液中。最內側之2根氣泡供給管51由於配置於沖孔板60之凹部65之內側且高度位置相對低，故即便於升降機20使基板W下降至浸漬位置時，仍可防止背板22之前端部22a與氣泡供給管51之碰撞。
於在處理槽10內形成有處理液之層流之狀態下，藉由升降機20將基板W保持於浸漬位置，藉此處理液之層流於基板W與基板W之間流動，使得基板W之表面暴露於處理液，進行基板W之表面處理(於本實施形態中為蝕刻處理)。
又，氣泡供給部50之氣體供給機構53將氣體給送至對應之氣泡供給管51。給送至氣泡供給管51之氣體自設置於氣泡供給管51之上側之複數個氣泡孔向處理液中噴出並形成氣泡。複數個氣泡孔由於配置為位於由升降機20保持之相鄰之基板W與基板W之間，故自氣泡供給管51噴出之氣泡於相鄰之基板W與基板W之間上升。亦即，於基板W之表面之附近，多數個氣泡上升。
於如本實施形態般處理液為鹼性之TMAH之情形下，處理液中之溶解氧濃度越低，蝕刻速率越高。若自複數根氣泡供給管51將氮之氣泡供給至處理液中，則處理液中之溶解氧濃度降低，其結果可提高基板W之蝕刻速率。此外，即便處理液為TMAH以外(例如磷酸)，仍可藉由自複數根氣泡供給管51將氮之氣泡供給至處理液中，使得多數個氣泡沿基板W之表面於處理液中上升，處理液之流速變快，基板之表面處理之效率提高。
於規定時間之蝕刻處理結束之後，控制部70使驅動機構24動作而使升降機20上升，自處理槽10提升基板W。繼而，主搬送機器人180自升降機20接收處理後之基板W。如以上般，處理部121中之一系列之處理完成。
於本實施形態中，在沖孔板60形成凹部65，將8根氣泡供給管51中最內側之2根氣泡供給管51配置凹部65之內側，使該等2根氣泡供給管51之高度位置低於其他6根氣泡供給管51之高度位置。假若於容量較小之處理槽10中，最內側之2根氣泡供給管51之高度位置與其他氣泡供給管51之高度位置為同程度，則於升降機20下降至浸漬位置時，背板22之前端部22a將與最內側之2根氣泡供給管51碰撞。因此，無法設置最內側之氣泡供給管51，無法向基板W之表面均一地供給氣泡。亦即，對於基板W之中央下部之氣泡之供給量相對變少。其結果，基板W之中央下部之蝕刻速率與其他區域比較變低，蝕刻量之面內均一性受損。
於本實施形態中，將最內側之2根氣泡供給管51配置於沖孔板60之凹部65之內側，使該等2根氣泡供給管51之高度位置低於其他6根氣泡供給管51之高度位置。因而，即便於在容量較小之處理槽10內，升降機20使基板W下降至浸漬位置時，仍可防止背板22之前端部22a與氣泡供給管51碰撞。又，由於設置包含最內側之2根氣泡供給管51之8根氣泡供給管51，故可抑制與升降機20間之干擾，且向基板W之表面均一地供給氣泡。其結果，基板W之全面中之蝕刻速率為均一，可提高表面處理之面內均一性。
以上，對於本發明之實施形態進行了說明，但本發明只要不脫離其旨趣，除上述內容以外，亦可進行各種變更。例如，於上述實施形態中，在具有開口部之上板62貼合底板63，形成有沖孔板60之凹部65，但不限定於此。例如，可對1片板狀之沖孔板60施以切削加工，形成有底之凹部65。總而言之，只要為形成高度較其他區域為低之凹部65之形態即可。
又，於上述實施形態中，作為基板W之表面處理進行了使用TMAH之蝕刻處理，但不限定於此，例如可藉由其他處理液進行基板W之洗淨處理。
10:處理槽 11:內槽 12:外槽 15:分散板 20:升降機 21:保持棒 22:背板 22a:前端部 24:驅動機構 30:處理液供給部 31:噴嘴 32,41,52,84,94,132:配管 33:泵 34:加熱器 35:過濾器 36:流量調整閥 37,45,82,92:閥 40:排液部 50:氣泡供給部 51:氣泡供給管(起泡器) 53:氣體供給機構 54:氣體供給源 58:支承導引件 60:沖孔板 61:處理液孔 62:上板 63:底板 65:凹部 70:控制部 80:藥液供給部 81:藥液供給源 83,93:噴嘴 90:純水供給部 91:純水供給源 100:基板處理裝置 110:加載台 120:基板處理部群 121,122,123,124,125:處理部 140:搬出搬入機器人 150:姿勢更換機構 160:推動器 170:交接卡匣 180:主搬送機器人 181:基板卡盤 AR1,AR2:箭頭 C:載架 W:基板 X,Y:方向 Z:軸/方向
圖1係顯示本發明之基板處理裝置之整體構成之圖解性俯視圖。 圖2係顯示圖1之基板處理裝置之處理部之構成之圖。 圖3係顯示升降機上升後之狀態之圖。 圖4係顯示升降機下降後之狀態之圖。 圖5係自處理槽之底部觀察噴嘴、分散板及沖孔板之圖。 圖6係顯示對於沖孔板之8根氣泡供給管之配置之立體圖。 圖7係顯示沖孔板及8根氣泡供給管之構成之前視圖。
20:升降機
21:保持棒
22:背板
22a:前端部
51:氣泡供給管(起泡器)
58:支承導引件
60:沖孔板
62:上板
63:底板
65:凹部
W:基板
X,Y:方向
Z:軸/方向

Claims (3)

  1. 一種基板處理裝置，其特徵在於係對基板進行利用處理液之表面處理者，且包含： 處理槽，其儲存處理液； 處理液供給部，其向前述處理槽內供給處理液； 沖孔板，其設置於前述處理槽內，形成自前述處理液供給部供給之處理液之層流； 升降機，其保持基板並升降，將前述基板浸漬於儲存於前述處理槽之處理液中；及 複數個管狀之氣泡供給管，其等在前述處理槽之內部配置於前述沖孔板之上方，自保持於前述升降機之前述基板之下方向儲存於前述處理槽之處理液供給氣泡；且 於前述沖孔板形成凹部； 前述複數根氣泡供給管之一部分配置於前述凹部之內側。
  2. 如請求項1之基板處理裝置，其中 前述升降機之下端形成為V字型；且 前述凹部形成於前述沖孔板之中央部。
  3. 如請求項1或2之基板處理裝置，其中 前述複數根氣泡供給管係由氟樹脂形成；且 該基板處理裝置進一步包含將前述複數根氣泡供給管各者支持於前述沖孔板之上方之支持構件。
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