WO2021210451A1 - 基板配列装置、搬送装置、基板処理システム、及び基板処理方法 - Google Patents

基板配列装置、搬送装置、基板処理システム、及び基板処理方法 Download PDF

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WO2021210451A1
WO2021210451A1 PCT/JP2021/014618 JP2021014618W WO2021210451A1 WO 2021210451 A1 WO2021210451 A1 WO 2021210451A1 JP 2021014618 W JP2021014618 W JP 2021014618W WO 2021210451 A1 WO2021210451 A1 WO 2021210451A1
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substrate
substrates
liquid
holding
pitch
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PCT/JP2021/014618
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耕三 金川
義広 甲斐
裕介 山本
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東京エレクトロン株式会社
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    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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Definitions

  • the present disclosure relates to a substrate arrangement device, a transfer device, a substrate processing system, and a substrate processing method.
  • Patent Document 1 discloses a technique of taking out a plurality of substrates from a carrier and arranging the plurality of substrates at equal pitches.
  • the plurality of substrates are immersed in a plurality of treatment liquids in order in a state of being arranged at equal pitches, and are sequentially subjected to a plurality of treatments.
  • the pitch of the substrate does not change while the plurality of processes are performed.
  • One aspect of the present disclosure provides a technique for processing a substrate at an appropriate substrate pitch for each substrate processing.
  • the substrate arranging device is for arranging a plurality of substrates.
  • the substrate arrangement device includes a plurality of holding units, a moving mechanism, and a control unit.
  • the plurality of holding portions are arranged in the arrangement direction of the substrate and hold the substrates different from each other.
  • the moving mechanism moves the plurality of holding portions relatively in the arrangement direction of the substrate.
  • the control unit controls the moving mechanism.
  • the control unit controls the moving mechanism based on the processing content of the next step in a state where the plurality of the substrates are held by the plurality of holding units.
  • the substrate can be processed at an appropriate substrate pitch for each substrate processing.
  • FIG. 1 is a view showing a broken housing of the substrate arranging device according to the embodiment.
  • FIG. 2 is a diagram showing a state of the substrate arraying apparatus of FIG. 1 after changing the pitch.
  • FIG. 3 is a plan view showing the substrate arrangement device of FIG.
  • FIG. 4 is a plan view showing a modified example of the substrate arrangement device of FIG.
  • FIG. 5 is a plan view showing a substrate processing system according to an embodiment.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view showing an example of the first liquid processing apparatus of FIG.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view showing an example of the second liquid treatment apparatus of FIG.
  • FIG. 8 is a plan view showing a substrate processing system according to the first modification.
  • FIG. 9 is a plan view showing a substrate processing system according to the second modification.
  • FIG. 10 is a plan view showing a substrate processing system according to a third modification.
  • 11A and 11B are cross-sectional views showing an example of the amount of warpage of the substrate
  • FIG. 11A is a cross-sectional view showing an example of two substrates having convex curved surfaces facing each other
  • FIG. It is sectional drawing which shows an example of a substrate.
  • FIG. 12 is a diagram showing an example of a substrate arranging device in which the arranging direction of the substrates is the vertical direction.
  • FIG. 13 is a diagram showing a state of the substrate arraying apparatus of FIG. 12 after changing the pitch.
  • the substrate arrangement device 1 will be described with reference to FIGS. 1 to 3.
  • the substrate arranging device 1 arranges a plurality of substrates W at equal pitches. Further, the substrate arranging device 1 changes the pitch of the substrates W while holding the plurality of substrates W.
  • the pitch of the substrate W is changed within the range of P0 to P0 ⁇ ⁇ . ⁇ is a numerical value larger than 1.
  • the substrate W includes, for example, a silicon wafer.
  • the substrate W may further include a film formed on the silicon wafer.
  • the film is, for example, an oxide film or a nitride film.
  • a plurality of types of films may be laminated.
  • the substrate W may include a compound semiconductor wafer or a glass substrate instead of the silicon wafer.
  • the substrate arrangement device 1 includes a plurality of holding units 10, a moving mechanism 20, and a control unit 40.
  • the plurality of holding portions 10 are arranged at equal pitches in the arrangement direction of the substrates W (for example, the Y-axis direction), and hold the substrates W different from each other.
  • the moving mechanism 20 moves, for example, the plurality of holding portions 10 relatively in the arrangement direction of the substrate W.
  • the control unit 40 controls the moving mechanism 20.
  • Each of the plurality of holding portions 10 has a holding groove 11 for holding the peripheral edge of the substrate W.
  • the holding groove 11 has, for example, a V-shaped cross section, and holds the substrate W with the substrate W interposed therebetween.
  • the plurality of holding portions 10 may move relatively in the Y-axis direction, and one holding portion 10 may be fixed so as not to move in the Y-axis direction.
  • the holding portion 10 at the center in the Y-axis direction is fixed so as not to be movable in the Y-axis direction.
  • the moving mechanism 20 has, for example, a plurality of support portions 21, a rotating shaft 22, and a rotating motor 23.
  • the plurality of support portions 21 individually support the plurality of holding portions 10.
  • the rotating shaft 22 includes a plurality of guide grooves 22a that individually guide the plurality of support portions 21.
  • the guide groove 22a is a curve that moves in the axial direction of the rotating shaft 22 as it rotates in the circumferential direction of the rotating shaft 22.
  • the rotating shaft 22 is a cylindrical cam, and the support portion 21 is a passive node of the cylindrical cam. Due to the rotation of the rotation shaft 22, the plurality of support portions 21 relatively move in the Y-axis direction. When one support portion 21 is fixed so as not to be movable in the Y-axis direction, the number of guide grooves 22a may be smaller than the number of support portions 21.
  • the rotary motor 23 rotates the rotary shaft 22 under the control of the control unit 40.
  • the control unit 40 controls the pitch of the holding unit 10 by controlling the rotation angle of the rotation shaft 22.
  • the pitch of the holding portion 10 is changed within the range of P0 to P0 ⁇ ⁇ .
  • the pitch of the holding portion 10 is equal to the pitch of the substrate W.
  • the configuration of the moving mechanism 20 is not limited to the configuration shown in FIG. 1 and the like.
  • the moving mechanism 20 may be able to move the plurality of holding portions 10 relatively in the arrangement direction of the substrate W.
  • the moving mechanism 20 relatively moves the plurality of holding portions 10 in the arrangement direction of the substrate W while maintaining the same pitch, but the technique of the present disclosure is not limited to this.
  • the plurality of holding portions 10 may be arranged at equal pitches. Further, depending on the state of the substrate W or the processing content of the substrate W, the plurality of holding portions 10 may be arranged at unequal pitches instead of equal pitches.
  • the control unit 40 is, for example, a computer, and includes a CPU (Central Processing Unit) 41 and a storage medium 42 such as a memory.
  • the storage medium 42 stores programs that control various processes executed in the substrate arrangement device 1.
  • the control unit 40 controls the operation of the substrate arrangement device 1 by causing the CPU 41 to execute the program stored in the storage medium 42.
  • the control unit 40 controls the moving mechanism 20 based on the processing content of the next process in a state where the plurality of substrate Ws are held by the plurality of holding units 10. Therefore, the substrate W can be processed at an appropriate pitch of the substrate W for each processing of the substrate W. For example, the substrate W can be processed at an appropriate pitch of the substrate W for each type of processing liquid in which the substrate W is immersed.
  • the pitch of the substrate W is determined by, for example, the processing uniformity of the substrate W and the amount of the processing liquid used. Generally, the wider the pitch of the substrates W, the larger the amount of the processing liquid existing in the gap between the adjacent substrates W, and the more the processing uniformity of the substrate W is improved. On the other hand, the narrower the pitch of the substrate W, the smaller the volume of the processing tank and the smaller the amount of the processing liquid used.
  • the substrate W can be processed at an appropriate pitch of the substrate W for each type of processing liquid. Therefore, it is possible to improve the treatment uniformity of the substrate W while suppressing the amount of the treatment liquid used for each type of treatment liquid.
  • the pitch of the substrate W may be selected depending on the type of the processing liquid, the temperature of the processing liquid, the processing conditions such as the number of the substrates W, and the like.
  • Examples of the type of treatment solution include a chemical solution and a rinse solution.
  • the chemical solution etches the dirt on the substrate W or the substrate W, for example.
  • the chemical solution is not particularly limited, but is, for example, a phosphoric acid solution.
  • the chemical solution may be DHF (dilute hydrofluoric acid), BHF (mixed solution of hydrofluoric acid and ammonium fluoride), SC1 (mixed solution of ammonia, hydrogen peroxide and water) or the like.
  • the rinse solution washes away the chemical solution remaining on the substrate W.
  • the rinsing liquid is, for example, DIW (deionized water).
  • the substrates W are arranged at a pitch different from that when the substrate W is immersed in the rinse solution.
  • the pitch of the substrate W is widened so that the chemical solution can easily enter between the substrates W.
  • the board arrangement device 1 includes a housing 30 and a cover 32.
  • the housing 30 accommodates the sliding portion 24 of the moving mechanism 20.
  • the sliding portion 24 is a portion that slides while rubbing against each other.
  • the sliding portion 24 includes, for example, an end portion 21a of the support portion 21 and a guide groove 22a of the rotating shaft 22.
  • the end portion 21a of the support portion 21 is inserted into the guide groove 22a of the rotating shaft 22 and moves along the guide groove 22a.
  • the cover 32 covers the opening 31 of the housing 30 and expands and contracts with the relative movement of the plurality of holding portions 10.
  • the cover 32 is a bellows.
  • the cover 32 is arranged between the support portions 21 adjacent to each other in the Y-axis direction. Further, the cover 32 is arranged between the support portion 21 at one end in the Y-axis direction and the housing 30. Further, the cover 32 is arranged between the support portion 21 at the other end in the Y-axis direction and the housing 30.
  • the opening 31 of the housing 30 can always be covered.
  • the cover 32 can limit the particles generated in the sliding portion 24 of the moving mechanism 20 from being emitted to the outside through the opening 31 of the housing 30. Therefore, it is possible to suppress the adhesion of particles to the substrate W.
  • the substrate arrangement device 1 may include an exhaust unit 35 that discharges the gas inside the housing 30.
  • the exhaust unit 35 includes, for example, an exhaust source 36 such as a vacuum pump, and a pipe 37 that connects the exhaust source 36 and the housing 30.
  • the exhaust source 36 may be provided outside the substrate arrangement device 1, and the exhaust unit 35 may have only the pipe 37.
  • the exhaust unit 35 discharges particles together with the gas when discharging the gas inside the housing 30. Therefore, it is possible to limit the particles generated in the sliding portion 24 of the moving mechanism 20 from being emitted to the outside through the opening 31 of the housing 30.
  • the substrate arranging device 1 arranges a holding unit 12 composed of a plurality of holding portions 10 arranged at equal pitches in the Y-axis direction, which is the arranging direction of the substrate W, in a direction orthogonal to the arranging direction of the substrate W.
  • a plurality of may be provided at intervals in a certain X-axis direction.
  • the plurality of holding units 12 are arranged at intervals in the X-axis direction and below the substrate W in FIG. 3, but are arranged at intervals in the Z-axis direction and are arranged on both the upper and lower sides of the substrate W. May be done.
  • the plurality of substrates W are arranged at equal pitches in the horizontal direction, and each is vertically held by the plurality of holding units 12. Since one substrate W is held at a plurality of points, the contact between the substrate W and the holding portion 10 can be restricted while the substrate W is stably held, and contamination and damage of the substrate W can be suppressed.
  • the plurality of substrates W may be arranged at equal pitches in the vertical direction and may be horizontally held by the plurality of holding units 12, respectively.
  • the contact between the substrate W and the holding portion 10 can be restricted while the substrate W is stably held, and contamination and damage of the substrate W can be suppressed.
  • the substrate arrangement device 1 may further include a plurality of second holding portions 15 and a second moving mechanism 25.
  • the plurality of second holding portions 15 are arranged at equal pitches in the arrangement direction of the substrates W, and hold the substrates W different from each other.
  • the second holding portion 15 is configured in the same manner as the holding portion 10.
  • the second moving mechanism 25 moves the plurality of second holding portions 15 relatively in the arrangement direction of the substrate W.
  • the second moving mechanism 25 is configured in the same manner as the moving mechanism 20.
  • the moving mechanism 20 and the second moving mechanism 25 maintain the pitch of the holding portion 10 and the pitch of the second holding portion 15 at the same pitch, while simultaneously maintaining the pitch of the holding portion 10 and the pitch of the second holding portion 15. change.
  • the holding portion 10 and the second holding portion 15 alternately hold the substrate W.
  • the substrate W-2 held by the second holding portion 15 is arranged between the substrates W-1 held by the adjacent holding portions 10.
  • the substrate W-1 held by the holding portion 10 is arranged between the substrates W-2 held by the adjacent second holding portions 15.
  • the pitch of the holding portion 10 and the pitch of the second holding portion 15 are at least twice the pitch of the substrate W (twice in FIG. 4).
  • the pitch of the holding portion 10 has a lower limit value due to structural restrictions of the moving mechanism 20, but the substrate W can be arranged at a pitch narrower than the lower limit value.
  • the substrate arrangement device 1 may further include a plurality of third holding portions and a third moving mechanism.
  • the plurality of third holding portions are arranged in the arrangement direction of the substrate W and hold the substrates W different from each other.
  • the third holding portion is configured in the same manner as the holding portion 10.
  • the third moving mechanism moves the plurality of third holding portions relatively in the arrangement direction of the substrate W.
  • the third moving mechanism is configured in the same manner as the moving mechanism 20.
  • the holding unit 10, the second holding unit 15, and the third holding unit repeatedly hold the substrate W in a desired order.
  • the pitch of the holding portion 10, the pitch of the second holding portion 15, and the pitch of the third holding portion are three times the pitch of the substrate W.
  • the substrate processing system 2 includes a loading / unloading unit 5, an interface unit 6, and a processing unit 7.
  • the carry-in / out unit 5 carries in / out a carrier C accommodating a plurality of substrates W.
  • the interface unit 6 connects the loading / unloading unit 5 and the processing unit 7.
  • the processing unit 7 processes a plurality of substrates W at once. A plurality of substrates W that are processed in a batch are also referred to as lot LT.
  • the loading / unloading section 5 has a mounting table 51 on which the carrier C is mounted.
  • the carrier C accommodates a plurality of (for example, 25) substrates W, and is carried in and out of the carry-in / out portion 5.
  • a plurality of carriers C are mounted on the mounting table 51.
  • the number of carriers C placed is not particularly limited.
  • the interface unit 6 includes a transfer device 61, a lot forming device 62, and a lot releasing device 63.
  • the transport device 61 receives a plurality of substrates W from the carrier C, and transports the received substrates W to the lot forming device 62. Further, the transfer device 61 receives a plurality of substrates W from the lot release device 63, and accommodates the received substrates W in the carrier C.
  • the lot forming device 62 forms a lot LT by arranging a plurality of (for example, 50) substrates W received from the conveying device 61 at equal pitches.
  • the lot release device 63 arranges a plurality of (for example, 50) substrates W processed by the processing unit 7 at equal pitches, passes the substrates W to the transfer device 61, and releases the lot LT.
  • the processing unit 7 has a transport region 71 extending in the X-axis direction.
  • a transport device 72 is provided in the transport region 71.
  • the transport device 72 has a transport arm 72a that holds a plurality of substrates W at equal pitches.
  • the transport arm 72a moves in the horizontal direction (X-axis direction and Y-axis direction).
  • the transfer arm 72a conveys the substrate W between the devices adjacent to the transfer area 71.
  • the transport arm 72a has a plurality of holding grooves (not shown) for holding the peripheral edge of the substrate W in the arrangement direction of the substrate W.
  • the holding grooves are arranged at both the first pitch P1 and the second pitch P2 different from the first pitch P1. Therefore, the transfer arm 72a can hold a plurality of substrates W at the first pitch P1 or at the second pitch P2.
  • the number of transfer arms 72a is not limited to two, and may be one or three or more.
  • the processing unit 7 includes, for example, a drying device 73, a liquid processing unit 74, and a substrate arranging device 1 next to the transport area 71.
  • the drying device 73 dries a plurality of substrates W.
  • a plurality of liquid treatment units 74 are provided, and the lot LT is processed by one of the liquid treatment units 74. Although a plurality of liquid treatment units 74 are provided in this embodiment, one may be provided.
  • the liquid treatment unit 74 includes a first liquid treatment device 75 and a second liquid treatment device 76.
  • the first liquid treatment device 75 immerses a plurality of substrates W in the first treatment liquid L1.
  • the first treatment liquid L1 is a chemical solution such as a phosphoric acid solution.
  • the first liquid treatment device 75 includes a first tank 75a and a first elevating device 75b.
  • the first tank 75a stores the first treatment liquid L1.
  • the first elevating device 75b has a position where the plurality of substrates W are arranged at equal pitches and is immersed in the first treatment liquid L1 stored in the first tank 75a, and the first treatment liquid L1 stored in the first tank 75a. Raise and lower from the position to pull up from.
  • the first elevating device 75b has an elevating arm 75c that holds a plurality of substrates W at equal pitches.
  • the elevating arm 75c has a holding groove 75d for holding the peripheral edge of the substrate W at a first pitch P1 in the arrangement direction of the substrate W. Therefore, the elevating arm 75c can arrange a plurality of substrates W at the first pitch P1.
  • the number of elevating arms 75c is not limited to two, and may be one or three or more.
  • the second liquid treatment apparatus 76 immerses a plurality of substrates W in the second treatment liquid L2.
  • the second treatment liquid L2 is a rinsing liquid such as DIW (deionized water).
  • the second liquid treatment device 76 includes a second tank 76a and a second elevating device 76b, similarly to the first liquid treatment device 75.
  • the second tank 76a stores the second treatment liquid L2.
  • the second elevating device 76b has a position where the plurality of substrates W are arranged at equal pitches and is immersed in the second treatment liquid L2 stored in the second tank 76a, and the second treatment liquid L2 stored in the second tank 76a. Raise and lower from the position to pull up from.
  • the second elevating device 76b has an elevating arm 76c that holds a plurality of substrates W at equal pitches.
  • the elevating arm 76c has a holding groove 76d for holding the peripheral edge of the substrate W at a second pitch P2 in the arrangement direction of the substrate W. Therefore, the elevating arm 76c can arrange a plurality of substrates W at the second pitch P2.
  • the number of elevating arms 76c is not limited to two, and may be one or three or more.
  • the substrate arranging device 1 changes the pitch of the substrate W from the first pitch P1 to the second pitch P2 after the substrate W is immersed in the first treatment liquid L1 and before the substrate W is immersed in the second treatment liquid L2. ..
  • the substrate arrangement device 1 is common to a plurality of liquid treatment units 74, and is arranged adjacent to one liquid treatment unit 74. Compared with the case where the substrate arranging device 1 is provided for each liquid processing unit 74, the number of the substrate arranging devices 1 can be reduced and the substrate processing system 2 can be miniaturized.
  • the control device 9 is, for example, a computer, and includes a CPU (Central Processing Unit) 91 and a storage medium 92 such as a memory.
  • the storage medium 92 stores programs that control various processes executed in the substrate processing system 2.
  • the control device 9 controls the operation of the substrate processing system 2 by causing the CPU 91 to execute the program stored in the storage medium 92.
  • the control device 9 may include a control unit 40 of the substrate arrangement device 1.
  • the carrier C is carried into the carry-in / out section 5 in a state of accommodating a plurality of (for example, 25) substrates W, and is placed on the mounting table 51.
  • the transfer device 61 of the interface unit 6 takes out a plurality of substrates W from the carrier C, and conveys the taken out substrates W to the lot forming device 62.
  • the lot forming device 62 arranges a plurality of (for example, 50) substrates W received from the conveying device 61 at equal pitches to form a lot LT.
  • the transfer device 72 of the processing unit 7 receives the lot LT from the lot forming device 62, and transfers the received lot LT to the first liquid processing device 75.
  • the first liquid treatment device 75 receives the lot LT from the transfer device 72, and immerses the received lot LT in the first treatment liquid L1.
  • the plurality of substrates W are arranged at the first pitch P1.
  • the first liquid treatment device 75 pulls up the lot LT from the first treatment liquid L1 and passes the pulled lot LT to the transfer device 72.
  • the transfer device 72 transfers the received lot LT to the substrate arrangement device 1.
  • the substrate arranging device 1 receives the lot LT from the transfer device 72, and changes the pitch of the substrate W of the received lot LT from the first pitch P1 to the second pitch P2. After that, the transfer device 72 receives the lot LT from the substrate arranging device 1, and transfers the received lot LT to the second liquid processing device 76.
  • the second liquid treatment device 76 receives the lot LT from the transfer device 72, and immerses the received lot LT in the second treatment liquid L2.
  • the plurality of substrates W are arranged at the second pitch P2.
  • the second liquid treatment apparatus pulls up the lot LT from the second treatment liquid L2, and passes the pulled lot LT to the transfer device 72.
  • the transport device 72 transports the received lot LT to the drying device 73.
  • the drying device 73 receives the lot LT from the transport device 72 and dries the received lot LT. After that, the transfer device 72 receives the lot LT from the drying device 73, and transfers the received lot LT to the lot release device 63.
  • the lot release device 63 receives the lot LT from the transfer device 72, and arranges a plurality of substrates W at the second pitch P2.
  • the transfer device 61 of the interface unit 6 receives a plurality of boards W from the lot release device 63, and accommodates the received boards W in the carrier C.
  • the carrier C is carried out from the carry-in / out unit 5.
  • the substrate processing system 2 according to the first modification will be described with reference to FIG.
  • the differences between the present modification and the above-described embodiment will be mainly described.
  • the substrate arranging device 1 is provided for each liquid treatment unit 74, and is arranged between the first liquid treatment device 75 and the second liquid treatment device 76.
  • the first liquid processing device 75, the substrate arranging device 1, and the second liquid processing device 76 are arranged in the order of processing the substrate W. Therefore, the transport path of the substrate W can be shortened and the throughput can be improved.
  • the transfer device 72 has a substrate arrangement device 1.
  • the transport device 72 includes a plurality of holding portions 10 and a moving mechanism 20 shown in FIG. 1 and the like in place of the transport arm 72a shown in FIG. 5 and the like.
  • the transfer device 72 Since the transfer device 72 has the substrate arrangement device 1, the pitch of the substrate W can be changed while holding the plurality of substrates W, and the pitch of the substrate W can be changed during the transfer of the substrate W. Therefore, unlike the case where the transfer device 72 and the substrate arrangement device 1 are separately provided, the operation of transferring the substrate W between the transfer device 72 and the substrate arrangement device 1 becomes unnecessary. Therefore, the throughput can be improved.
  • the substrate processing system 2 has a warp amount measuring device 64.
  • the warp amount measuring device 64 is provided in, for example, the interface unit 6.
  • the warp amount measuring device 64 measures the warp amount WA (see FIG. 11) of the substrate W.
  • the warp amount measuring device 64 may inspect all of the plurality of substrates W constituting the lot LT, or may perform a sampling inspection.
  • the pitch of the substrate W is constant, as is clear from FIG. 11, the larger the warp amount WA, the smaller the width FW of the flow F of the processing liquid passing between the adjacent substrates W.
  • Adjacent substrates W are arranged so that the surfaces on which devices such as electronic circuits are formed face each other. Therefore, the adjacent substrates W are arranged so that the convex curved surfaces face each other as shown in FIG. 11 (A). Alternatively, the adjacent substrates W may be arranged so that the concave curved surfaces face each other.
  • the adjacent substrates W may be arranged so that the surfaces on which the devices are formed are oriented in the same direction. Therefore, as shown in FIG. 11B, the adjacent substrates W may be arranged so that the convex curved surface and the concave curved surface face each other.
  • the control unit 40 of the board arrangement device 1 acquires the measurement result of the warp amount measuring device 64, controls the moving mechanism 20 based on the acquired warp amount WA, and corrects the pitch of the board W. For example, the larger the warp amount WA, the larger the pitch of the substrate W is set. As a result, the width FW of the flow F can be adjusted to a desired width, and the processing uniformity of the substrate W can be improved.
  • the first liquid processing device 75 has a substrate arranging device 1.
  • the first liquid processing device 75 includes a plurality of holding portions 10 and a moving mechanism 20 shown in FIG. 1 and the like in place of the elevating arm 75c shown in FIG.
  • the substrates W can be arranged in the first processing liquid L1 at a pitch corresponding to the warp amount WA.
  • the warp amount WA is zero
  • the substrates W are arranged at the first pitch P1 in the first treatment liquid L1.
  • the first pitch P1 is the reference pitch, and correction is performed to an appropriate pitch according to the warp amount WA.
  • the width FW of the flow F of the first treatment liquid L1 can be set to a desired width, and the treatment uniformity of the substrate W can be improved.
  • the control unit 40 may prohibit exhaust by the exhaust unit 35. It is possible to prevent the inside of the housing 30 from becoming a negative pressure, and it is possible to prevent the first treatment liquid L1 from being drawn into the inside of the housing 30 through the gap between the cover 32 and the housing 30.
  • the control unit 40 may perform exhaust by the exhaust unit 35 in a state where the substrate arrangement device 1 is pulled up from the first processing liquid L1.
  • control unit 40 does not prohibit the exhaust by the exhaust unit 35 while the substrate arrangement device 1 is immersed in the first treatment liquid L1. May be good.
  • the transfer device 72 also has the substrate arrangement device 1, but does not have to have it, as in the second modification.
  • the first liquid processing device 75 may include the substrate arranging device 1.
  • the first liquid treatment device 75 adjusts the pitch of the substrate W according to the warp amount WA after receiving the substrate W from the transfer device 72 and before immersing the substrate W in the first treatment liquid L1. Correct to pitch. Further, in this case, the first liquid processing device 75 sets the pitch of the substrate W to the pitch before correction after the substrate W is pulled up from the first processing liquid L1 and before the substrate W is passed to the transfer device 72. return.
  • the second liquid processing device 76 of this modification does not have the substrate arranging device 1, it may have the substrate arranging device 1.
  • the second liquid processing device 76 includes a plurality of holding portions 10 and a moving mechanism 20 shown in FIG. 1 and the like in place of the elevating arm 76c shown in FIG. 7. Since the second liquid processing device 76 has the substrate arranging device 1, the substrates W can be arranged in the second processing liquid L2 at a pitch corresponding to the warp amount WA. When the warp amount WA is zero, the substrates W are arranged at the second pitch P2 in the second treatment liquid L2.
  • the second pitch P2 is the reference pitch, and correction is performed to an appropriate pitch according to the warp amount WA.
  • the width FW of the flow F of the second treatment liquid L2 can be set to a desired width, and the treatment uniformity of the substrate W can be improved.
  • the present disclosure is not limited to the above-mentioned embodiments and the like.
  • various changes, modifications, replacements, additions, deletions, and combinations are possible. Of course, they also belong to the technical scope of the present disclosure.

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Abstract

基板配列装置は、複数の基板を配列するものである。基板配列装置は、複数の保持部と、移動機構と、制御部と、を備える。複数の前記保持部は、前記基板の配列方向に並び、互いに異なる前記基板を保持する。前記移動機構は、複数の前記保持部を前記基板の配列方向に相対的に移動させる。前記制御部は、前記移動機構を制御する。前記制御部は、複数の前記保持部で複数の前記基板を保持した状態で、次工程の処理内容に基づき前記移動機構を制御する。

Description

基板配列装置、搬送装置、基板処理システム、及び基板処理方法
　本開示は、基板配列装置、搬送装置、基板処理システム、及び基板処理方法に関する。
　特許文献１には、キャリアから複数の基板を取り出し、複数の基板を等ピッチで配列する技術が開示されている。複数の基板は、等ピッチで配列した状態で、複数の処理液に順番に浸漬され、複数の処理に順番に供される。複数の処理が実施される間、基板のピッチは変更されない。
日本国特開平１１－２３３５９１号公報
　本開示の一態様は、基板の処理毎に、適切な基板のピッチで基板を処理する、技術を提供する。
　本開示の一態様に係る基板配列装置は、複数の基板を配列するものである。基板配列装置は、複数の保持部と、移動機構と、制御部と、を備える。複数の前記保持部は、前記基板の配列方向に並び、互いに異なる前記基板を保持する。前記移動機構は、複数の前記保持部を前記基板の配列方向に相対的に移動させる。前記制御部は、前記移動機構を制御する。前記制御部は、複数の前記保持部で複数の前記基板を保持した状態で、次工程の処理内容に基づき前記移動機構を制御する。
　本開示の一態様によれば、基板の処理毎に、適切な基板のピッチで基板を処理できる。
図１は、一実施形態に係る基板配列装置の筐体を破断して示す図である。 図２は、図１の基板配列装置のピッチ変更後の状態を示す図である。 図３は、図１の基板配列装置を示す平面図である。 図４は、図１の基板配列装置の変形例を示す平面図である。 図５は、一実施形態に係る基板処理システムを示す平面図である。 図６は、図５の第１液処理装置の一例を示す断面図である。 図７は、図５の第２液処理装置の一例を示す断面図である。 図８は、第１変形例に係る基板処理システムを示す平面図である。 図９は、第２変形例に係る基板処理システムを示す平面図である。 図１０は、第３変形例に係る基板処理システムを示す平面図である。 図１１は基板の反り量の一例を示す断面図であり、（Ａ）は凸曲面同士が向かい合う２つの基板の一例を示す断面図であり、（Ｂ）は凸曲面と凹曲面が向かい合う２つの基板の一例を示す断面図である。 図１２は、基板の配列方向が鉛直方向である基板配列装置の一例を示す図である。 図１３は、図１２の基板配列装置のピッチ変更後の状態を示す図である。
　以下、本開示の実施形態について図面を参照して説明する。なお、各図面において同一の又は対応する構成には同一の符号を付し、説明を省略することがある。
　図１～図３を参照して、基板配列装置１について説明する。基板配列装置１は、複数の基板Ｗを等ピッチで配列する。また、基板配列装置１は、複数の基板Ｗを保持した状態で、基板Ｗのピッチを変更する。基板Ｗのピッチは、Ｐ０～Ｐ０×αの範囲内で変更される。αは、１よりも大きい数値である。
　基板Ｗは、例えばシリコンウェハを含む。基板Ｗは、シリコンウェハの上に形成される膜を更に含んでもよい。膜は、例えば酸化膜、又は窒化膜などである。複数種類の膜が積層されてもよい。なお、基板Ｗは、シリコンウェハの代わりに、化合物半導体ウェハ、又はガラス基板を含んでもよい。
　図１に示すように、基板配列装置１は、複数の保持部１０と、移動機構２０と、制御部４０と、を備える。複数の保持部１０は、基板Ｗの配列方向（例えばＹ軸方向）に等ピッチで並び、互いに異なる基板Ｗを保持する。移動機構２０は、例えば、複数の保持部１０を基板Ｗの配列方向に相対的に移動させる。制御部４０は、移動機構２０を制御する。
　複数の保持部１０は、それぞれ、基板Ｗの周縁を保持する保持溝１１を有する。保持溝１１は、例えば断面Ｖ字状であり、基板Ｗを挟んで保持する。複数の保持部１０がＹ軸方向に相対的に移動すればよく、一の保持部１０はＹ軸方向に移動不能に固定されてもよい。例えば、Ｙ軸方向中央の保持部１０が、Ｙ軸方向に移動不能に固定される。
　移動機構２０は、例えば、複数の支持部２１と、回転軸２２と、回転モータ２３と、を有する。複数の支持部２１は、複数の保持部１０を個別に支持する。回転軸２２は、複数の支持部２１を個別にガイドする複数のガイド溝２２ａを含む。ガイド溝２２ａは、回転軸２２の周方向に回転するほど、回転軸２２の軸方向に移動する曲線である。
　回転軸２２は円筒カムであって、支持部２１は円筒カムの受動節である。回転軸２２の回転によって、複数の支持部２１が相対的にＹ軸方向に移動する。一の支持部２１がＹ軸方向に移動不能に固定される場合、ガイド溝２２ａの数は支持部２１の数よりも少なくてもよい。
　回転モータ２３は、制御部４０による制御下で、回転軸２２を回転させる。制御部４０は、回転軸２２の回転角を制御することで、保持部１０のピッチを制御する。保持部１０のピッチは、Ｐ０～Ｐ０×αの範囲内で変更される。保持部１０のピッチは、基板Ｗのピッチに等しい。
　なお、移動機構２０の構成は、図１等に示す構成には限定されない。移動機構２０は、複数の保持部１０を基板Ｗの配列方向に相対的に移動させることができればよい。移動機構２０は、本実施形態では複数の保持部１０を等ピッチのまま基板Ｗの配列方向に相対的に移動させるが、本開示の技術はこれに限定されない。複数の保持部１０を相対的に移動させた後に、複数の保持部１０が等ピッチで並んでいればよい。また、基板Ｗの状態、又は基板Ｗの処理内容によっては、複数の保持部１０は等ピッチではなく不等ピッチで並んでいてもよい。
　制御部４０は、例えばコンピュータであり、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ　Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ　Ｕｎｉｔ）４１と、メモリなどの記憶媒体４２とを備える。記憶媒体４２には、基板配列装置１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部４０は、記憶媒体４２に記憶されたプログラムをＣＰＵ４１に実行させることにより、基板配列装置１の動作を制御する。
　制御部４０は、複数の保持部１０で複数の基板Ｗを保持した状態で、次工程の処理内容に基づき移動機構２０を制御する。それゆえ、基板Ｗの処理毎に、適切な基板Ｗのピッチで基板Ｗを処理できる。例えば、基板Ｗが浸漬される処理液の種類毎に、適切な基板Ｗのピッチで基板Ｗを処理できる。
　基板Ｗのピッチは、例えば、基板Ｗの処理均一性と、処理液の使用量とで決められる。一般的には、基板Ｗのピッチが広いほど、隣り合う基板Ｗの隙間に存在する処理液の量が多く、基板Ｗの処理均一性が向上する。一方、基板Ｗのピッチが狭いほど、処理槽の容積が小さく、処理液の使用量が少ない。
　本実施形態によれば、処理液の種類毎に、適切な基板Ｗのピッチで基板Ｗを処理できる。それゆえ、処理液の種類毎に、処理液の使用量を抑制しつつ、基板Ｗの処理均一性を向上できる。基板Ｗのピッチは、処理液の種類の他、処理液の温度又は基板Ｗの枚数等の処理条件等によって選択されてもよい。
　処理液の種類としては、例えば、薬液、及びリンス液が挙げられる。薬液は、例えば基板Ｗ又は基板Ｗの汚れをエッチングする。薬液は、特に限定されないが、例えばリン酸溶液である。なお、薬液は、ＤＨＦ（希フッ酸）、ＢＨＦ（フッ酸とフッ化アンモニウムの混合液）、又はＳＣ１（アンモニアと過酸化水素と水の混合液）等であってもよい。リンス液は、基板Ｗに残る薬液を洗い流す。リンス液は、例えばＤＩＷ（脱イオン水）である。
　基板Ｗが薬液に浸漬される場合、基板Ｗがリンス液に浸漬される場合とは異なるピッチで基板Ｗが配列される。例えば、薬液が基板Ｗの間に入り込みやすいように、基板Ｗのピッチが広げられる。
　基板配列装置１は、筐体３０と、カバー３２と、を備える。筐体３０は、移動機構２０の摺動部２４を収容する。摺動部２４は、擦れ合いながら滑り合う部分である。摺動部２４は、例えば、支持部２１の端部２１ａと、回転軸２２のガイド溝２２ａと、を含む。支持部２１の端部２１ａは、回転軸２２のガイド溝２２ａに挿入され、ガイド溝２２ａに沿って移動する。
　カバー３２は、筐体３０の開口部３１を覆い、複数の保持部１０の相対的な移動に伴い伸縮する。例えば、カバー３２は、ベローズである。カバー３２は、Ｙ軸方向に隣り合う支持部２１の間に配置される。また、カバー３２は、Ｙ軸方向一端の支持部２１と、筐体３０との間に配置される。更に、カバー３２は、Ｙ軸方向他端の支持部２１と、筐体３０との間に配置される。
　カバー３２は、複数の保持部１０の相対的な移動に伴い伸縮するので、常に、筐体３０の開口部３１を被覆できる。移動機構２０の摺動部２４にて発生するパーティクルが筐体３０の開口部３１から外部に放出されるのをカバー３２によって制限できる。それゆえ、基板Ｗにパーティクルが付着するのを抑制できる。
　基板配列装置１は、筐体３０の内部の気体を排出する排気部３５を備えてもよい。排気部３５は、例えば、真空ポンプ等の排気源３６と、排気源３６と筐体３０とを接続する配管３７と、を有する。なお、排気源３６は、基板配列装置１の外部に設けられてもよく、排気部３５は配管３７のみを有してもよい。
　排気部３５は、筐体３０の内部の気体を排出する際に、気体と共にパーティクルを排出する。よって、移動機構２０の摺動部２４にて発生するパーティクルが筐体３０の開口部３１から外部に放出されるのを制限できる。
　図３に示すように、基板配列装置１は、基板Ｗの配列方向であるＹ軸方向に等ピッチで並ぶ複数の保持部１０からなる保持ユニット１２を、基板Ｗの配列方向に直交する方向であるＸ軸方向に間隔をおいて複数有してもよい。複数の保持ユニット１２は、図３ではＸ軸方向に間隔をおいて配置され且つ基板Ｗの下側に配置されるが、Ｚ軸方向に間隔をおいて配置され且つ基板Ｗの上下両側に配置されてもよい。
　複数の基板Ｗは、水平方向に等ピッチで配列され、それぞれ、複数の保持ユニット１２によって鉛直に保持される。一の基板Ｗを複数点で保持するので、基板Ｗを安定的に保持しつつ、基板Ｗと保持部１０との接触を制限でき、基板Ｗの汚染及び損傷を抑制できる。
　なお、図１２及び図１３に示すように、複数の基板Ｗは、鉛直方向に等ピッチで配列され、それぞれ、複数の保持ユニット１２によって水平に保持されてもよい。この場合も、一の基板Ｗを複数点で保持するので、基板Ｗを安定的に保持しつつ、基板Ｗと保持部１０との接触を制限でき、基板Ｗの汚染及び損傷を抑制できる。
　図４に示すように、基板配列装置１は、更に、複数の第２保持部１５と、第２移動機構２５と、を備えてもよい。複数の第２保持部１５は、基板Ｗの配列方向に等ピッチで並び、互いに異なる基板Ｗを保持する。第２保持部１５は、保持部１０と同様に構成される。第２移動機構２５は、複数の第２保持部１５を基板Ｗの配列方向に相対的に移動させる。第２移動機構２５は、移動機構２０と同様に構成される。移動機構２０と第２移動機構２５とは、保持部１０のピッチと第２保持部１５のピッチとを同一のピッチに維持しつつ、保持部１０のピッチと第２保持部１５のピッチを同時に変更する。
　保持部１０と第２保持部１５とは、交互に基板Ｗを保持する。例えば、第２保持部１５で保持される基板Ｗ－２は、隣り合う保持部１０で保持される基板Ｗ－１の間に配置される。また、保持部１０で保持される基板Ｗ－１は、隣り合う第２保持部１５で保持される基板Ｗ－２の間に配置される。
　保持部１０と第２保持部１５とが交互に基板Ｗを保持すれば、保持部１０のピッチ、及び第２保持部１５のピッチが基板Ｗのピッチの２倍以上（図４では２倍）に広がる。保持部１０のピッチは移動機構２０の構造上の制約で下限値を有するが、その下限値よりも狭いピッチで基板Ｗを配列できる。
　図示しないが、基板配列装置１は、複数の第３保持部と、第３移動機構と、を更に備えてもよい。複数の第３保持部は、基板Ｗの配列方向に並び、互いに異なる基板Ｗを保持する。第３保持部は、保持部１０と同様に構成される。第３移動機構は、複数の第３保持部を基板Ｗの配列方向に相対的に移動させる。第３移動機構は、移動機構２０と同様に構成される。
　保持部１０と、第２保持部１５と、第３保持部とは、所望の順番で基板Ｗを保持することを繰り返す。この場合、保持部１０のピッチ、第２保持部１５のピッチ、第３保持部のピッチが基板Ｗのピッチの３倍になる。
　次に、図１等に示す基板配列装置１が搭載される基板処理システム２について、図５を参照して説明する。基板処理システム２は、搬入出部５と、インターフェース部６と、処理部７と、を備える。搬入出部５は、複数の基板Ｗを収容したキャリアＣが搬入出されるものである。インターフェース部６は、搬入出部５と処理部７とを接続する。処理部７は、複数の基板Ｗを一括で処理する。一括で処理される複数の基板Ｗを、ロットＬＴとも呼ぶ。
　搬入出部５は、キャリアＣを載置する載置台５１を有する。キャリアＣは、複数枚（例えば２５枚）の基板Ｗを収容し、搬入出部５に対して搬入出される。載置台５１には、複数のキャリアＣが載置される。なお、キャリアＣの載置数は、特に限定されない。
　インターフェース部６は、搬送装置６１と、ロット形成装置６２と、ロット解除装置６３と、を備える。搬送装置６１は、キャリアＣから複数の基板Ｗを受け取り、受け取った基板Ｗをロット形成装置６２に搬送する。また、搬送装置６１は、ロット解除装置６３から複数の基板Ｗを受け取り、受け取った基板ＷをキャリアＣに収容する。
　ロット形成装置６２は、搬送装置６１から受け取った複数枚（例えば５０枚）の基板Ｗを等ピッチで配列し、ロットＬＴを形成する。一方、ロット解除装置６３は、処理部７で処理された複数枚（例えば５０枚）の基板Ｗを等ピッチで配列し、基板Ｗを搬送装置６１に渡してロットＬＴを解除する。
　処理部７は、Ｘ軸方向に延びる搬送領域７１を有する。搬送領域７１には、搬送装置７２が設けられる。搬送装置７２は、複数の基板Ｗを等ピッチで保持する搬送アーム７２ａを有する。搬送アーム７２ａは、水平方向（Ｘ軸方向及びＹ軸方向）に移動する。搬送アーム７２ａは、搬送領域７１に隣接する装置同士の間で基板Ｗを搬送する。
　搬送アーム７２ａは、基板Ｗの周縁を保持する保持溝（不図示）を、基板Ｗの配列方向に複数有する。保持溝は、第１ピッチＰ１と、第１ピッチＰ１とは異なる第２ピッチＰ２の両方で配列される。それゆえ、搬送アーム７２ａは、複数枚の基板Ｗを第１ピッチＰ１で保持することも、第２ピッチＰ２で保持することも可能である。搬送アーム７２ａの本数は、２本には限定されず、１本又は３本以上であってもよい。
　処理部７は、搬送領域７１の隣に、例えば、乾燥装置７３と、液処理ユニット７４と、基板配列装置１と、を含む。乾燥装置７３は、複数の基板Ｗを乾燥する。液処理ユニット７４は複数設けられ、いずれかの液処理ユニット７４によってロットＬＴが処理される。液処理ユニット７４は、本実施形態では複数設けられるが、１つ設けられてもよい。液処理ユニット７４は、第１液処理装置７５と、第２液処理装置７６と、を有する。
　図６に示すように、第１液処理装置７５は、複数の基板Ｗを第１処理液Ｌ１に浸漬する。第１処理液Ｌ１は、例えばリン酸溶液等の薬液である。第１液処理装置７５は、第１槽７５ａと、第１昇降装置７５ｂとを含む。第１槽７５ａは、第１処理液Ｌ１を貯留する。第１昇降装置７５ｂは、複数の基板Ｗを等ピッチで配列した状態で、第１槽７５ａに貯留した第１処理液Ｌ１に浸漬する位置と、第１槽７５ａに貯留した第１処理液Ｌ１から引き上げる位置との間で昇降させる。
　第１昇降装置７５ｂは、複数の基板Ｗを等ピッチで保持する昇降アーム７５ｃを有する。昇降アーム７５ｃは、基板Ｗの周縁を保持する保持溝７５ｄを、基板Ｗの配列方向に第１ピッチＰ１で有する。それゆえ、昇降アーム７５ｃは、複数枚の基板Ｗを第１ピッチＰ１で配列できる。昇降アーム７５ｃの本数は、２本には限定されず、１本又は３本以上であってもよい。
　図７に示すように、第２液処理装置７６は、複数の基板Ｗを第２処理液Ｌ２に浸漬する。第２処理液Ｌ２は、例えばＤＩＷ（脱イオン水）等のリンス液である。第２液処理装置７６は、第１液処理装置７５と同様に、第２槽７６ａと、第２昇降装置７６ｂとを含む。第２槽７６ａは、第２処理液Ｌ２を貯留する。第２昇降装置７６ｂは、複数の基板Ｗを等ピッチで配列した状態で、第２槽７６ａに貯留した第２処理液Ｌ２に浸漬する位置と、第２槽７６ａに貯留した第２処理液Ｌ２から引き上げる位置との間で昇降させる。
　第２昇降装置７６ｂは、複数の基板Ｗを等ピッチで保持する昇降アーム７６ｃを有する。昇降アーム７６ｃは、基板Ｗの周縁を保持する保持溝７６ｄを、基板Ｗの配列方向に第２ピッチＰ２で有する。それゆえ、昇降アーム７６ｃは、複数枚の基板Ｗを第２ピッチＰ２で配列できる。昇降アーム７６ｃの本数は、２本には限定されず、１本又は３本以上であってもよい。
　基板配列装置１は、基板Ｗの第１処理液Ｌ１への浸漬後、基板Ｗの第２処理液Ｌ２への浸漬前に、基板Ｗのピッチを第１ピッチＰ１から第２ピッチＰ２に変更する。基板配列装置１は、複数の液処理ユニット７４に共通のものであって、一の液処理ユニット７４に隣接して配置される。液処理ユニット７４毎に基板配列装置１が設けられる場合に比べて、基板配列装置１の数を低減でき、基板処理システム２を小型化できる。
　制御装置９は、例えばコンピュータであり、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ　Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ　Ｕｎｉｔ）９１と、メモリなどの記憶媒体９２とを備える。記憶媒体９２には、基板処理システム２において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御装置９は、記憶媒体９２に記憶されたプログラムをＣＰＵ９１に実行させることにより、基板処理システム２の動作を制御する。制御装置９は、基板配列装置１の制御部４０を含んでもよい。
　次に、基板処理システム２の動作について説明する。先ず、キャリアＣが、複数（例えば２５枚）の基板Ｗを収容した状態で、搬入出部５に搬入され、載置台５１に載置される。次に、インターフェース部６の搬送装置６１が、キャリアＣから複数の基板Ｗを取り出し、取り出した基板Ｗをロット形成装置６２に搬送する。
　次に、ロット形成装置６２が、搬送装置６１から受け取った複数枚（例えば５０枚）の基板Ｗを等ピッチで配列し、ロットＬＴを形成する。その後、処理部７の搬送装置７２が、ロット形成装置６２からロットＬＴを受け取り、受け取ったロットＬＴを第１液処理装置７５に搬送する。
　次に、第１液処理装置７５が、搬送装置７２からロットＬＴを受け取り、受け取ったロットＬＴを第１処理液Ｌ１に浸漬する。第１処理液Ｌ１中で、複数枚の基板Ｗは、第１ピッチＰ１で配列される。その後、第１液処理装置７５は、第１処理液Ｌ１からロットＬＴを引き上げ、引き上げたロットＬＴを搬送装置７２に渡す。続いて、搬送装置７２は、受け取ったロットＬＴを基板配列装置１に搬送する。
　次に、基板配列装置１が、搬送装置７２からロットＬＴを受け取り、受け取ったロットＬＴの基板Ｗのピッチを、第１ピッチＰ１から第２ピッチＰ２に変更する。その後、搬送装置７２は、基板配列装置１からロットＬＴを受け取り、受け取ったロットＬＴを第２液処理装置７６に搬送する。
　次に、第２液処理装置７６が、搬送装置７２からロットＬＴを受け取り、受け取ったロットＬＴを第２処理液Ｌ２に浸漬する。第２処理液Ｌ２中で、複数枚の基板Ｗは、第２ピッチＰ２で配列される。その後、第２液処理装置は、第２処理液Ｌ２からロットＬＴを引き上げ、引き上げたロットＬＴを搬送装置７２に渡す。続いて、搬送装置７２は、受け取ったロットＬＴを乾燥装置７３に搬送する。
　次に、乾燥装置７３が、搬送装置７２からロットＬＴを受け取り、受け取ったロットＬＴを乾燥する。その後、搬送装置７２は、乾燥装置７３からロットＬＴを受け取り、受け取ったロットＬＴをロット解除装置６３に搬送する。
　次に、ロット解除装置６３は、搬送装置７２からロットＬＴを受け取り、複数枚の基板Ｗを第２ピッチＰ２で配列する。その後、インターフェース部６の搬送装置６１が、ロット解除装置６３から複数枚の基板Ｗを受け取り、受け取った基板ＷをキャリアＣに収容する。その後、キャリアＣが搬入出部５から搬出される。
　次に、図８を参照して、第１変形例に係る基板処理システム２について説明する。以下、本変形例と上記実施形態との相違点について主に説明する。本変形例では、基板配列装置１は、液処理ユニット７４毎に設けられ、第１液処理装置７５と第２液処理装置７６との間に配置される。本変形例によれば、第１液処理装置７５と基板配列装置１と第２液処理装置７６とが基板Ｗの処理の順番で並ぶ。従って、基板Ｗの搬送経路を短縮でき、スループットを向上できる。
　次に、図９を参照して、第２変形例に係る基板処理システム２について説明する。以下、本変形例と上記実施形態等との相違点について主に説明する。本変形例では、搬送装置７２が基板配列装置１を有する。搬送装置７２は、図５等に示す搬送アーム７２ａに代えて、図１等に示す複数の保持部１０と移動機構２０とを含む。
　搬送装置７２は、基板配列装置１を有するので、複数の基板Ｗを保持した状態で基板Ｗのピッチを変更でき、基板Ｗの搬送の途中で基板Ｗのピッチを変更できる。それゆえ、搬送装置７２と基板配列装置１とが別々に設けられる場合とは異なり、搬送装置７２と基板配列装置１との間で基板Ｗを受け渡す動作が不要になる。従って、スループットを向上できる。
　次に、図１０を参照して、第３変形例に係る基板処理システム２について説明する。以下、本変形例と上記実施形態等との相違点について主に説明する。本変形例では、基板処理システム２が反り量測定装置６４を有する。反り量測定装置６４は、例えばインターフェース部６に設けられる。
　反り量測定装置６４は、基板Ｗの反り量ＷＡ（図１１参照）を測定する。反り量測定装置６４は、ロットＬＴを構成する複数枚の基板Ｗを、全数検査してもよいし、抜き取り検査してもよい。基板Ｗのピッチが一定である場合、図１１から明らかなように、反り量ＷＡが大きいほど、隣り合う基板Ｗの間を通過する処理液の流れＦの幅ＦＷが小さくなる。
　隣り合う基板Ｗは、電子回路などのデバイスが形成される面同士が向かい合うように配列される。それゆえ、隣り合う基板Ｗは、図１１（Ａ）に示すように、凸曲面同士が向かい合うように配列される。あるいは、隣り合う基板Ｗは、凹曲面同士が向かい合うように配列されてもよい。
　なお、隣り合う基板Ｗは、デバイスが形成される面が同じ向きになるように配列されてもよい。それゆえ、隣り合う基板Ｗは、図１１（Ｂ）に示すように、凸曲面と凹曲面とが向かい合うように配列されてもよい。
　基板配列装置１の制御部４０は、反り量測定装置６４の測定結果を取得し、取得した反り量ＷＡに基づき移動機構２０を制御し、基板Ｗのピッチを補正する。例えば、反り量ＷＡが大きいほど、基板Ｗのピッチが大きく設定される。その結果、流れＦの幅ＦＷを所望の幅に調整でき、基板Ｗの処理均一性を向上できる。
　本変形例では、第１液処理装置７５が、基板配列装置１を有する。第１液処理装置７５は、図６に示す昇降アーム７５ｃに代えて、図１等に示す複数の保持部１０と移動機構２０とを含む。
　第１液処理装置７５は、基板配列装置１を有するので、第１処理液Ｌ１中にて、反り量ＷＡに応じたピッチで基板Ｗを配列できる。反り量ＷＡがゼロである場合、第１処理液Ｌ１中にて基板Ｗは第１ピッチＰ１で配列される。第１ピッチＰ１が基準のピッチであり、反り量ＷＡに応じた適切なピッチへの補正が行われる。その結果、第１処理液Ｌ１の流れＦの幅ＦＷを所望の幅にでき、基板Ｗの処理均一性を向上できる。
　基板配列装置１が第１処理液Ｌ１中に浸漬される間、制御部４０は排気部３５による排気を禁止してもよい。筐体３０の内部が負圧になるのを禁止でき、カバー３２と筐体３０の隙間から筐体３０の内部に第１処理液Ｌ１が引き込まれるのを防止できる。制御部４０は、基板配列装置１が第１処理液Ｌ１から引き上げられた状態で、排気部３５による排気を実施すればよい。
　但し、カバー３２が筐体３０の内部を完全に密閉できる場合には、基板配列装置１が第１処理液Ｌ１中に浸漬される間、制御部４０は排気部３５による排気を禁止しなくてもよい。
　ところで、本変形例では、上記第２変形例と同様に、搬送装置７２も基板配列装置１を有するが、有しなくてもよい。第１液処理装置７５が基板配列装置１を有すればよい。この場合、第１液処理装置７５は、基板Ｗを搬送装置７２から受け取った後であって、基板Ｗを第１処理液Ｌ１に浸漬する前に、基板Ｗのピッチを反り量ＷＡに応じたピッチに補正する。また、この場合、第１液処理装置７５は、基板Ｗを第１処理液Ｌ１から引き上げた後であって、基板Ｗを搬送装置７２に渡す前に、基板Ｗのピッチを補正前のピッチに戻す。
　なお、本変形例の第２液処理装置７６は、基板配列装置１を有しないが、基板配列装置１を有してもよい。後者の場合、第２液処理装置７６は、図７に示す昇降アーム７６ｃに代えて、図１等に示す複数の保持部１０と移動機構２０とを含む。第２液処理装置７６は、基板配列装置１を有するので、第２処理液Ｌ２中にて、反り量ＷＡに応じたピッチで基板Ｗを配列できる。反り量ＷＡがゼロである場合、第２処理液Ｌ２中にて基板Ｗは第２ピッチＰ２で配列される。第２ピッチＰ２が基準のピッチであり、反り量ＷＡに応じた適切なピッチへの補正が行われる。その結果、第２処理液Ｌ２の流れＦの幅ＦＷを所望の幅にでき、基板Ｗの処理均一性を向上できる。
　以上、本開示に係る基板配列装置、搬送装置、基板処理システム、及び基板処理方法の実施形態について説明したが、本開示は上記実施形態などに限定されない。特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更、修正、置換、付加、削除、及び組み合わせが可能である。それらについても当然に本開示の技術的範囲に属する。
　本出願は、２０２０年４月１５日に日本国特許庁に出願した特願２０２０－０７３０９５号に基づく優先権を主張するものであり、特願２０２０－０７３０９５号の全内容を本出願に援用する。
１　　基板配列装置
１０　保持部
２０　移動機構
４０　制御部
Ｗ　　基板

Claims (15)

  1. 　複数の基板を配列する基板配列装置であって、
    　前記基板の配列方向に並び、互いに異なる前記基板を保持する複数の保持部と、
    　複数の前記保持部を前記基板の配列方向に相対的に移動させる移動機構と、
    　前記移動機構を制御する制御部と、を備え、
    　前記制御部は、複数の前記保持部で複数の前記基板を保持した状態で、次工程の処理内容に基づき前記移動機構を制御する、基板配列装置。
  2. 　前記移動機構の摺動部を収容する筐体と、
    　前記筐体の開口部を覆い、複数の前記保持部の相対的な移動に伴い伸縮するカバーと、を備える、請求項１に記載の基板配列装置。
  3. 　前記筐体の内部の気体を排出する排気部を備える、請求項２に記載の基板配列装置。
  4. 　前記基板の配列方向に並び、互いに異なる前記基板を保持する複数の第２保持部と、
    　複数の前記第２保持部を前記基板の配列方向に相対的に移動させる第２移動機構と、を備え、
    　前記保持部と前記第２保持部とは、交互に前記基板を保持する、請求項１～３のいずれか１項に記載の基板配列装置。
  5. 　前記基板の配列方向に並ぶ複数の前記保持部からなる保持ユニットを、前記基板の配列方向に直交する方向に間隔をおいて複数有し、
    　複数の前記基板は、水平方向に配列され、それぞれ、複数の前記保持ユニットによって鉛直に保持される、請求項１～４のいずれか１項に記載の基板配列装置。
  6. 　前記基板の配列方向に並ぶ複数の前記保持部からなる保持ユニットを、前記基板の配列方向に直交する方向に間隔をおいて複数有し、
    　複数の前記基板は、鉛直方向に配列され、それぞれ、複数の前記保持ユニットによって水平に保持される、請求項１～４のいずれか１項に記載の基板配列装置。
  7. 　前記制御部は、前記基板の反り量の測定結果を取得し、取得した前記反り量に基づき前記移動機構を制御し、前記基板のピッチを補正する、請求項１～６のいずれか１項に記載の基板配列装置。
  8. 　請求項１～７のいずれか１項に記載の基板配列装置を有する、基板搬送装置。
  9. 　請求項１～７のいずれか１項に記載の基板配列装置と、
    　複数の前記基板を第１処理液に浸漬させる第１液処理装置と、
    　複数の前記基板を、前記第１処理液とは異なる第２処理液に浸漬させる第２液処理装置と、を備え、
    　前記制御部は、前記基板の前記第１処理液への浸漬後、前記基板の前記第２処理液への浸漬前に、前記移動機構を制御し、前記基板のピッチを変更する、基板処理システム。
  10. 　前記第１液処理装置と前記第２液処理装置に対して複数の前記基板を搬送する搬送装置を備え、
    　前記搬送装置は、前記基板配列装置を有する、請求項９に記載の基板処理システム。
  11. 　前記第１液処理装置と前記第２液処理装置と前記基板配列装置に対して複数の前記基板を搬送する搬送装置を備え、
    　前記第１液処理装置と前記第２液処理装置とを含む液処理ユニットが複数設けられ、
    　前記基板配列装置は、前記液処理ユニット毎に、前記第１液処理装置と前記第２液処理装置との間に配置される、請求項９に記載の基板処理システム。
  12. 　前記第１液処理装置と前記第２液処理装置と前記基板配列装置に対して複数の前記基板を搬送する搬送装置を備え、
    　前記第１液処理装置と前記第２液処理装置とを含む液処理ユニットが複数設けられ、
    　前記基板配列装置は、複数の液処理ユニットに共通のものであって、一の前記液処理ユニットに隣接して配置される、請求項９に記載の基板処理システム。
  13. 　前記基板の反り量を測定する反り量測定装置を有し、
    　前記制御部は、前記反り量測定装置の測定結果を取得し、取得した前記反り量に基づき前記移動機構を制御し、前記基板のピッチを補正する、請求項９～１２のいずれか１項に記載の基板処理システム。
  14. 　基板の配列方向に並ぶ複数の保持部で、前記基板を保持することと、
    　複数の前記保持部を前記基板の配列方向に相対的に移動させる移動機構を制御することと、を有し、
    　前記移動機構を制御することは、複数の前記保持部で複数の前記基板を保持した状態で、次工程の処理内容に基づき前記移動機構を制御することを含む、基板処理方法。
  15. 　前記基板の反り量の測定結果を取得することを有し、
    　前記移動機構を制御することは、取得した前記反り量に基づき前記移動機構を制御し、前記基板のピッチを補正することを含む、請求項１４に記載の基板処理方法。
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