KR102329196B1 - 기판처리장치 및 이를 이용한 기판처리방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판처리장치 및 이를 이용한 기판처리방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 공정챔버 내에서 복수의 기판에 대해 기판을 회전이송하며 기판처리를 수행하는 기판처리장치 및 이를 이용한 기판처리방법에 관한 것이다.
본 발명은, 서로 다른 복수의 처리공간들을 형성하며 기판처리를 수행하는 공정챔버(100)와; 상기 공정챔버(100) 상측에 설치되어 상기 복수의 처리공간들 각각으로 공정가스를 분사하는 복수의 가스분사부(200)들과; 상기 복수의 처리공간들 각각에 설치되며, 기판(10)을 지지하는 복수의 기판지지부(300)들과; 상기 공정챔버(100)에 설치되어 상기 복수의 기판지지부(300)들 중 하나의 기판지지부(300)에서 다른 기판지지부(300)로 기판(10)을 회전 이송하는 기판이송부(400)를 포함하는 기판처리장치를 개시한다.

Description

기판처리장치 및 이를 이용한 기판처리방법{Substrate processing apparatus and substrate processing method using the same}
본 발명은 기판처리장치 및 이를 이용한 기판처리방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 공정챔버 내에서 복수의 기판에 대해 기판을 회전이송하며 기판처리를 수행하는 기판처리장치 및 이를 이용한 기판처리방법에 관한 것이다.
종래 기판처리장치에서 생산성, 공정균일성 등의 다양한 목적으로 하나의 공정챔버 내에서 복수의 기판에 대한 기판처리가 이루어지는 경우가 있다.
예로서, 이러한 기판처리장치는, 기판처리를 수행하는 공정챔버와, 공정챔버 상측에 설치되어 처리공간으로 공정가스를 분사하는 복수의 가스분사부들과, 복수의 가스분사부들에 대응되어 공정챔버내에 설치되며, 기판을 지지하는 복수의 기판지지부들과, 공정챔버에 설치되어 복수의 기판지지부들 중 하나의 기판지지부에서 다른 기판지지부로 기판을 이송하는 기판이송부를 포함한다.
그런데, 종래의 기판처리장치는, 기판처리 시 기판지지부에 지지된 기판에 공정가스를 분사하는 과정에서 기판이송을 위한 기판이송부가 공정가스에 그대로 노출되는 문제점이 있다.
즉, 종래의 기판처리장치는, 기판이송부가 공정가스에 노출되어 기판이송부가 공정가스에 의해 증착되는 등 기판이송부의 오염이 발생되고, 기판이송부에 증착된 물질이 박리되어 공정챔버 내에 파티클 이슈를 발생시켜 양호한 기판처리가 어렵게 되는 것이다.
특히, 기판이송부 중 기판을 이송할 때 기판의 저면과 접촉되는 부분에 오염이 발생하는 경우, 기판 이송 시 기판의 저면이 오염되는 심각한 문제를 야기할 수 있다.
본 발명의 목적은, 상기와 같은 문제점을 인식하여, 복수의 처리공간을 형성하여 복수의 기판들에 대한 기판처리를 수행하는 기판처리장치 내에서 기판을 회전 이송하는 기판이송부에 공정가스가 증착되는 것을 방지할 수 있는 기판처리장치 및 이를 이용한 기판처리방법을 제공하는 데 있다.
본 발명은 상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 창출된 것으로서, 서로 다른 복수의 처리공간들을 형성하며 기판처리를 수행하는 공정챔버(100)와; 상기 공정챔버(100) 상측에 설치되어 상기 복수의 처리공간들 각각으로 공정가스를 분사하는 복수의 가스분사부(200)들과; 상기 복수의 처리공간들 각각에 설치되며, 기판(10)을 지지하는 복수의 기판지지부(300)들과; 상기 공정챔버(100)에 설치되어 상기 복수의 기판지지부(300)들 중 하나의 기판지지부(300)에서 다른 기판지지부(300)로 기판(10)을 회전 이송하는 기판이송부(400)를 포함하는 기판처리장치를 포함한다.
상기 기판이송부(400)는, 상기 복수의 기판지지부(300)들에 대응되는 개수로 형성되며, 상면에 기판(10)이 안착되는 안착영역이 형성된 복수의 기판안착블레이드(410)들과, 상기 복수의 기판안착블레이드(410)들이 방사형으로 결합되는 블레이드결합몸체부(430)와, 상기 블레이드결합몸체부(430)에 결합되어 상기 블레이드결합몸체부(430)를 지지하며, 회전가능하게 설치되는 회전지지축(420)과, 상기 회전지지축(420)을 상하이동시키는 상하구동부와, 상기 기판안착블레이드(410)에 공정가스가 증착되는 것을 방지하기 위하여 증착방지가스를 공급하는 증착방지가스공급부(500)를 포함할 수 있다.
삭제
상기 증착방지가스공급부(500)는, 외부의 증착방지가스소스와 연통되며, 상기 회전지지축(420) 내부에 형성되는 가스공급유로부(510)와, 상기 블레이드결합몸체부(430)에 형성되며, 상기 가스공급유로부(510)와 연통되어 상기 복수의 기판안착블레이드(410)들의 상면에 증착방지가스를 분사하는 복수의 제1분사공(520)들을 포함할 수 있다.
삭제
상기 증착방지가스공급부(500)는, 외부의 증착방지가스소스와 연통되며, 상기 회전지지축(420) 내부에 형성되는 가스공급유로부(510)와, 상기 기판안착블레이드(410)의 상면에 형성되며, 가스공급유로부(510)와 연통되어 증착방지가스를 분사하는 복수의 제2분사공(540)들을 포함할 수 있다.
상기 기판안착블레이드(410)는, 상기 안착영역에 상기 상면으로부터 돌출되게 형성되어 기판(10)의 저면과 접촉되는 복수의 돌기부(412)들을 포함할 수 있다.
상기 제2분사공(540)은, 상기 돌기부(412)에 형성될 수 있다.
상기 기판지지부(300)는, 지지된 기판(10)을 상측으로 들어올리는 복수의 리프트핀(301)들을 포함할 수 있다.
상기 기판안착블레이드(410)는, 기판 이송 시 상기 복수의 리프트핀(301)들과의 간섭을 피하기 위하여 갈고리 형상으로 이루어질 수 있다.
상기 증착방지가스공급부(500)를 통해 공급되는 증착방지가스는, 헬륨 또는 N2로 이루어진 퍼지가스일 수 있다.
다른 측면에서, 본 발명은 서로 다른 복수의 처리공간들을 형성하며 기판처리를 수행하는 공정챔버(100)와; 상기 공정챔버(100) 상측에 설치되어 상기 복수의 처리공간들 각각으로 공정가스를 분사하는 복수의 가스분사부(200)들과; 상기 복수의 처리공간들 각각에 설치되며, 기판(10)을 지지하는 복수의 기판지지부(300)들과; 상기 공정챔버(100)에 설치되어 상기 복수의 기판지지부(300)들 중 하나의 기판지지부(300)에서 다른 기판지지부(300)로 기판(10)을 회전 이송하는 기판이송부(400)를 포함하는 기판처리장치에서 수행되는 기판처리방법을 개시한다.
상기 기판처리방법은, 상기 공정챔버(100)로 도입되어 상기 기판지지부(300)에 지지된 기판(10)에 대해 공정가스를 분사하며 기판처리를 수행하는 공정단계와; 상기 기판안착블레이드(410)에 공정가스가 증착되는 것을 방지하기 위하여 상기 기판이송부(400)를 통해 증착방지가스를 공급하는 증착방지가스공급단계를 포함할 수 있다.
상기 기판처리방법은, 상기 공정단계가 완료되면 증착방지가스 공급을 중단하고, 상기 복수의 기판지지부(300)들 중 하나의 기판지지부(300)에서 다른 기판지지부(300)로 기판(10)을 회전 이송하는 기판이송단계를 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 기판처리장치 및 이를 이용한 기판처리방법은, 복수의 기판들에 대한 기판처리를 수행하는 기판처리장치 내에서 기판을 회전 이송하는 기판이송부를 통해 증착방지가스를 공급함으로써, 기판이송부, 특히 기판이송부 중 기판과 접촉되는 부분에 공정가스가 증착 되는 것을 방지할 수 있는 이점이 있다.
그에 따라, 본 발명에 따른 기판처리장치 및 이를 이용한 기판처리방법은, 기판이송부가 기판처리장치 내에 설치됨에도 불구하고 공정가스로 인해 영향을 받는 것을 방지하여, 기판처리장치 내부에 기판이송부에 의한 파티클이 형성되는 것을 사전에 방지할 수 있고 기판이 기판이송부에 의해 이송되는 과정에서 공정가스에 의해 오염된 기판이송부와 접촉되어 오염되는 것을 방지할 수 있는 이점이 있다.
도 1은, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치를 보여주는 단면도이다.
도 2는, 도 1의 기판처리장치를 보여주는 X-Y평면 단면도이다.
도 3은, 도 1의 기판처리장치를 보여주는 사시도이다.
도 4는, 도 1의 기판처리장치의 기판이송부의 일부를 보여주는 확대도이다.
도 5는, 도 2의 Ⅰ-Ⅰ 방향에서 바라본 기판이송부의 일부를 확대하여 보여주는 단면도이다.
도 6은, 도 5의 기판이송부의 변형례를 보여주는 단면도이다.
이하 본 발명에 따른 기판처리장치에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.
본 발명에 따른 기판처리장치는, 도 1 내지 도 6에 도시된 바와 같이, 서로 다른 복수의 처리공간들을 형성하며 기판처리를 수행하는 공정챔버(100)와; 공정챔버(100) 상측에 설치되어 복수의 처리공간들 각각으로 공정가스를 분사하는 복수의 가스분사부(200)들과; 복수의 처리공간들 각각에 설치되며, 기판(10)을 지지하는 복수의 기판지지부(300)들과; 공정챔버(100)에 설치되어 복수의 기판지지부(300)들 중 하나의 기판지지부(300)에서 다른 기판지지부(300)로 기판(10)을 회전 이송하는 기판이송부(400)를 포함한다.
본 발명의 처리대상인 기판(10)은, 증착, 식각 등 기판처리가 수행되는 구성으로서, 반도체 제조용기판, LCD 제조용 기판, OLED 제조용 기판, 태양전지 제조용 기판, 투명 글라스기판 등 어떠한 기판도 가능하다.
그리고 본 발명에 따른 기판처리장치에 의하여 수행되는 기판처리는, 처리공간 내에서 증착, 식각 등 플라즈마를 이용한 기판처리를 수행하는 기판처리공정이면 PECVD 공정 등 어떠한 공정도 가능하다.
상기 공정챔버(100)는, 기판처리를 위한 기판처리공간를 형성하는 구성으로서 다양한 구성이 가능하다.
예로서, 상기 공정챔버(100)는, 상측에 개구가 형성된 챔버본체(110)와, 챔버본체(110)의 개구에 탈착가능하게 결합되어 챔버본체(110)와 함께 기판처리공간을 형성하는 상부리드(120)를 포함하여 구성될 수 있다.
또한, 상기 공정챔버(100)는, 복수의 기판에 대한 기판처리를 위하여 서로 다른 복수의 처리공간들을 형성함이 바람직하다. 상기 복수의 처리공간들은 공정챔버(100) 내에서 서로 완전히 분리된 공간은 아니나 공간적으로 구분되는 처리공간일 수 있다.
이때, 상기 챔버본체(110)에는, 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 서로 다른 복수의 처리공간들을 형성하며 후술하는 기판지지부(300)가 배치되는 기판지지부 안착홈(112)이 형성될 수 있다.
상기 기판지지대부 안착홈(112)은 챔버본체(110)의 바닥면에 형성될 수 있다.
도 2에 도시된 바와 같이, 상기 공정챔버(100) 내에 4개의 기판지지대부(300)가 구비되는 경우, 4개의 기판지지부 안착홈(112)이 각각 형성될 수 있다.
상기 공정챔버(100)의 내부 공간은 일반적으로 진공 분위기로 형성되므로, 상기 챔버본체(110)의 바닥면에는 각 기판지지부 안착홈(112)에 존재하는 공정 가스의 배출을 위한 배기홈부(미도시)와 배기포트(114)가 형성될 수 있다. 상기 배기포트(114)는 외부에 구비되는 펌프에 연결된 배기 라인과 연결될 수 있다.
도 3에서, 상기 배기홈부는 별도로 도시되지 않았으나, 챔버본체(110)에 다양한 방식으로 형성될 수 있다. 예로서, 상기 배기홈부는, 기판지지부(300)로 분사된 공정가스가 배기되도록 서로 인접한 기판지지부(300) 사이의 공정챔버(100) 바닥면에 형성될 수 있다. 구체적으로, 상기 배기홈부는, 한국공개특허 제10-2015-0098456호의 배기부와 같이 구성될 수 있음은 물론이다.
또한, 상기 챔버본체(110)의 바닥면에는 후술하는 기판지지부(300)의 지지샤프트가 삽입되는 관통홀이 각 기판지지부 안착홈(112) 마다 형성될 수 있다.
상기 기판지지부 안착홈(112)과 후술하는 기판지지부(300) 사이에는 틈이 형성되어, 기판 처리가 완료된 공정가스(원료가스, 플라즈마가스, 세정가스 등)가 틈으로 유입되어 배기포트(114)를 통해 배기될 수 있다.
그리고 상기 공정챔버(100)는, 기판(10)의 도입 및 배출을 위한 하나 이상의 게이트(111)가 형성될 수 있다.
상기 공정챔버(100)는, 기판처리 수행을 위한 전원인가시스템, 처리공간의 압력 제어 및 배기를 위한 배기시스템 등이 연결 또는 설치될 수 있다.
상기 복수의 가스분사부(200)들은, 공정챔버(100) 상측에 설치되어 복수의 처리공간들 각각으로 공정가스를 분사하는 구성으로 다양한 구성이 가능하다.
상기 복수의 가스분사부(200)들은, 공정챔버(100) 내에서 복수의 기판(10)들에 대한 기판처리를 수행하기 위해 복수의 기판(10)들의 개수에 대응되는 수로 설치되며, 공정챔버(100) 상측에 설치되어 각 처리공간으로 공정가스를 분사한다.
예로서, 상기 가스분사부(200)는, 상부리드(120)에 설치되며 일측에 형성되는 가스유입부(미도시)와, 가스유입부를 통해 유입된 공정가스를 확산시키는 하나 이상의 확산플레이트(미도시)와, 확산된 공정가스를 처리공간(S)을 향해 분사하는 복수의 분사홀(미도시)들을 포함할 수 있다.
상기 기판지지부(300)들은, 기판지지부 안착홈(112)에 배치되어 복수의 처리공간들 각각에 설치되며, 기판(10)을 지지하는 구성으로 다양한 구성이 가능하다.
상기 복수의 기판지지부(300)들은, 각 처리공간에 설치되어 복수의 가스분사부(200)에 대응되며, 공정챔버(100)에 설치되어 기판(10)을 지지할 수 있다.
상기 복수의 기판지지부(300)들은, 복수의 가스분사부(200)들의 개수에 대응되는 수로 설치되며, 도 1에 도시된 바와 같이, 가스분사부(200)와 상하로 대향 되게 설치될 수 있다.
예로서, 상기 기판지지부(300)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 상면에 기판(10)을 지지하는 기판지지면이 형성된 지지플레이트와, 지지플레이트의 저면에 결합되고 상하구동부(미도시)에 의해 상하이동 되는 지지샤프트를 포함할 수 있다.
상기 지지플레이트는, 기판(10)의 평면형상에 대응되는 형상의 플레이트로 이루어질 수 있다.
또한, 상기 지지플레이트에는, 기판지지면에 지지된 기판(10)을 가열하기 위한 히터부(미도시)가 내장될 수 있다.
상기 복수의 기판지지부(300)들은, 도 2에 도시된 바와 같이, 후술하는 기판이송부(400)의 블레이드결합몸체부(430)를 중심으로 블레이브결합몸체부(430)의 둘레를 따라 등간격으로 배치됨이 바람직하다.
상기 복수의 기판지지부(300)들은, 지지된 기판(10)을 흡착고정하기 위한 진공척 또는 정전척일 수 있으며, 기판이송 시 기판지지면에 지지된 기판(10)을 기판지지면에서 상측으로 들어올려 이격시키는 복수의 리프트핀(301)들을 포함할 수 있다.
상기 기판이송부(400)는, 공정챔버(100)에 설치되어 복수의 기판지지부(300)들 중 하나의 기판지지부(300)에서 다른 기판지지부(300)로 기판(10)을 회전 이송하는 구성으로 다양한 구성이 가능하다.
예로서, 상기 기판이송부(400)는, 복수의 기판지지부(300)들에 대응되는 개수로 형성되며, 상면에 기판(10)이 안착되는 안착영역이 형성된 복수의 기판안착블레이드(410)들과, 복수의 기판안착블레이드(410)들이 방사형으로 결합되는 블레이드결합몸체부(430)와, 블레이드결합몸체부(430)에 결합되어 블레이드결합몸체부(430)를 지지하며, 회전가능하게 설치되는 회전지지축(420)을 포함할 수 있다.
상기 복수의 기판안착블레이드(410)들은, 기판지지부(300)의 리프트핀(301)에 의해 상측으로 들어올려진 기판(10)과 기판지지부(300) 사이로 진입하여 해당 기판(10)을 지지하기 위한 안착영역이 형성되는 구성으로 다양한 구성이 가능하다.
이때, 상기 복수의 기판안착블레이드(410)는, 도 2에 도시된 바와 같이, 기판 이송 시(특히, 리프트핀(301)에 의해 지지된 기판(10)과 기판지지부(300) 사이의 공간으로 진입 시) 복수의 리프트핀(301)들과의 간섭을 피하기 위하여 갈고리 형상으로 형성될 수 있다.
상기 기판안착블레이드(410)는, 기판(10)을 보다 안정적으로 지지한 상태로 이송하기 위하여 기판안착블레이드(610)의 상면 중 기판(10)이 안착되는 안착영역의 경계에 기판(10)의 측면과 접하도록 상측으로 돌출된 단차부(414)가 형성될 수 있다.
또한, 상기 기판안착블레이드(410)는, 안착영역에 기판안착블레이드(410)의 상면으로부터 돌출되게 형성되어 기판(10)의 저면과 접촉되는 복수의 돌기부(412)들을 포함할 수 있다.
상기 복수의 돌기부(410)들은, 기판(10)의 저면과 직접적으로 접촉되는 부분으로 반구형상으로 형성됨이 바람직하다.
한편, 상기 기판안착블레이드(410)는, 공정환경에 따라 다양한 재질로 이루어질 수 있으나, 공정환경 노출되는 바 고온에 강하며 내식성 있는 재질로 형성됨이 바람직하다. 예로서, 상기 기판안착블레이드(410)는, 세라믹재질로 이루어지며 세라믹가공에 의해 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 블레이드결합몸체부(430)는, 복수의 기판안착블레이드(410)들이 평면상 방사형으로 결합되는 구성으로 다양한 구성이 가능하다.
구체적으로, 상기 블레이드결합몸체부(430)는, 블레이드결합몸체부(430)를 중심으로 평면상 방사형으로 일정 간격으로 배치되는 복수의 기판안착블레이드(410)들과 결합될 수 있다.
상기 블레이드결합몸체부(430)는, 도 1 및 도 6에 도시된 바와 같이, 복수의 기판안착블레이드(410)들의 중심에서 복수의 기판안착블레이드(410)들의 끝단과 각각 결합될 수 있다.
상기 블레이드결합몸체부(430)는, 원형, 각형 등 설비환경에 따라 다양한 평면 형상으로 구성될 수 있다.
상기 블레이드결합몸체부(430)는, 복수의 기판안착블레이드(410)들과 볼트결합 등 다양한 방식으로 결합될 수 있다. 그리고, 상기 블레이드결합몸체부(430)는, 기판안착블레이드(410)의 상면보다 상측으로 돌출되기 위하여 저면에서 기판안착블레이드(410)의 상면과 결합됨이 바람직하다.
상기 회전지지축(420)는, 블레이드결합몸체부(430)에 결합되어 블레이드결합몸체부(430)를 지지하며, 지면에 수직한 회전축(c)을 중심으로 회전가능하게 설치되는 구성으로 다양한 구성이 가능하다.
상기 회전지지축(420)은, 지면에 수직한 방향을 길이방향으로 하는 샤프트일 수 있다.
상기 회전지지축(420)은, 상단에서 블레이드결합몸체부(430)의 저면에 결합될 수 있다.
이때, 상기 회전지지축(420)는, 블레이드결합몸체부(430)과 결합되어 블레이브결합몸체부(430)를 지면에 수직한 회전축(c)을 중심으로 회전시킴으로써, 복수의 기판안착블레이드(410)를 하나의 기판지지부(300)에서 다른 기판지지부(300)로 회전이동 시킬 수 있다.
이때, 상기 기판이송부(400)는, 회전지지축(420)을 지면에 수직한 회전축(C)을 중심으로 회전시키는 회전구동부(미도시)를 포함할 수 있다.
상기 회전구동부는, 회전지지축(420)를 회전축(C)에 대해 회전구동함으로써, 기판안착블레이드(410)가 하나의 기판지지부(300)에서 다른 기판지지부(300)로 이동되어 기판을 이송할 수 있게 한다.
그리고, 상기 기판이송부(400)는, 회전지지축(420)을 상하이동 시키는 상하구동부(미도시)를 추가로 포함할 수 있다.
한편, 상기 회전지지축(420)의 내부에는 다른 설비나 구성요소가 설치될 수 있는 빈 공간이 형성될 수 있다.
상기와 같은 구성을 가지는 기판처리장치에서, 공정가스가 분사되어 확산되는 각 처리공간과 기판이송부(400)가 설치되는 공간이 완벽히 밀폐되어 구획되지 않기 때문에, 기판처리시 기판이송부(400)가 공정가스에 노출되는 문제점이 있다.
이에, 상기 기판이송부(400)는, 기판안착블레이드(410)에 공정가스가 증착되는 것을 방지하기 위하여 기판이송부(400)에 증착방지가스를 공급하는 증착방지가스공급부(500)를 포함하는 것을 특징으로 한다.
여기서, 공정가스는 증착, 식각 등을 위해 처리공간(S)에 공급되는 가스로서 공정종류에 따라 다양한 화학조성을 가질 수 있다. 상기 증착방지가스는, 기판이송부(400), 특히 기판과 접촉되는 기판안착블레이드(410)에 공정가스가 증착되는 것을 방지하기 위한 가스로서, 예로서, 헬륨과 같은 불활성가스나 N2 가스로 이루어지는 퍼지가스일 수 있다.
일 실시예에서, 상기 증착방지가스공급부(500)는, 도 5에 도시된 바와 같이, 외부의 증착방지가스소스와 연통되며, 회전지지축(420) 내부에 형성되는 가스공급유로부(510)와, 가스공급유로부(510)와 연통되어 복수의 기판안착블레이드(410)들의 상면에 증착방지가스를 분사하는 복수의 제1분사공(520)들을 포함할 수 있다.
상기 가스공급유로부(510)는, 증착방지가스를 공급하는 외부의 증착방지가스소스와 연통되어 증착방지가스가 흐르는 유로를 형성하는 구성으로 다양한 구성이 가능하다.
상기 가스공급유로부(510)는, 회전지지축(420)의 내부에 형성된 빈 공간에 설치될 수 있다.
상기 복수의 제1분사공(520)들은, 가스공급유로부(510)와 연통되어 증착방지가스를 복수의 기판안착블레이드(410)들의 상면에 분사하는 구성으로 다양한 구성이 가능하다.
상기 복수의 제1분사공(520)들은 증착방지가스를 기판안착블레이드(410)의 상면을 향해 분사할 수 있다면 다양한 위치에 형성될 수 있다.
예로서, 상기 복수의 제1분사공(520)들은, 도 5에 도시된 바와 같이, 블레이드결합몸체부(430)에 형성될 수 있다.
상기 블레이드결합몸체부(430)의 측면은 기판안착블레이드(410)의 상면보다 상측으로 더 돌출되며, 상기 복수의 제1분사공(520)들은 블레이드결합몸체부(430)의 측면에, 특히 기판안착블레이드(410)에 대응되는 위치에 복수개 형성될 수 있다.
이때, 상기 블레이드결합몸체부(420)의 내부에는 제1분사공(520)과 가스공급유로부(510)를 연통시키기 위한 유로(502)가 형성될 수 있다.
다른 예로서, 상기 복수의 제1분사공(520)들은, 기판안착블레이드(610)의 상면 중 기판(10)이 안착되는 안착영역의 경계에 기판(10)의 측면과 접하도록 상측으로 돌출된 단차부(414)에 형성될 수 있다. 이때, 상기 유로(502)는, 기판안착블레이드(410)의 내부에 형성된다.
다른 일 실시예에서, 상기 증착방지가스공급부(500)는, 도 6에 도시된 바와 같이, 외부의 증착방지가스소스와 연통되며, 회전지지축(420) 내부에 형성되는 가스공급유로부(510)와, 기판안착블레이드(410)의 상면에 형성되며, 가스공급유로부(510)와 연통되어 증착방지가스를 분사하는 복수의 제2분사공(540)들을 포함할 수 있다.
상기 가스공급유로부(510)는, 증착방지가스를 공급하는 외부의 증착방지가스소스와 연통되어 증착방지가스가 흐르는 유로를 형성하는 구성으로 다양한 구성이 가능하다.
상기 가스공급유로부(510)는, 회전지지축(420)의 내부에 형성된 빈 공간에 설치될 수 있다.
상기 복수의 제2분사공(540)들은, 기판안착블레이드(410)의 상면에 형성되며 가스공급유로부(510)와 연통되어 증착방지가스를 분사하는 구성으로 다양한 구성이 가능하다.
상기 복수의 제2분사공(540)들은 증착방지가스를 기판안착블레이드(410)의 상면에서 분사하여 기판안착블레이드(410)의 상면, 특히 기판안착블레이드(410)의 돌기부(412)가 공정가스에 노출되는 것을 방지할 수 있다면 다양한 위치에 형성될 수 있다.
예로서, 상기 제2분사공(540)은, 기판안착블레이드(410)의 안착영역에 형성된 돌기부(412)에 형성될 수 있다. 이때, 상기 기판안착블레이드(410)의 내부에는 제2분사공(540)과 가스공급유로부(510)를 연통시키기 위한 유로(504)가 형성될 수 있다.
또한, 상기 제2분사공(540)은, 돌기부(412)의 정점에 형성됨이 바람직하나 이에 한정되는 것은 아니고, 돌기부(412)의 측면을 따라 형성되는 것도 가능하다.
또한, 상기 제2분사공(540)은, 돌기부(412) 마다 하나씩 형성되는 것뿐만 아니라, 하나의 돌기부(412)에 복수로 형성되는 것도 가능함은 물론이다.
한편, 상술한 구성을 포함하는 기판처리장치에서 수행되는 기판처리방법은, 공정챔버(100)로 도입되어 기판지지부(300)에 지지된 기판(10)에 대해 공정가스를 분사하며 기판처리를 수행하는 공정단계와; 기판안착블레이드(410)에 공정가스가 증착되는 것을 방지하기 위하여 기판이송부(400)를 통해 증착방지가스를 공급하는 증착방지가스공급단계를 포함할 수 있다.
또한, 상기 기판처리방법은, 공정단계가 완료되면 증착방지가스 공급을 중단하고, 복수의 기판지지부(300)들 중 하나의 기판지지부(300)에서 다른 기판지지부(300)로 기판(10)을 회전이송하는 기판이송단계를 포함할 수 있다.
상기 기판처리방법은, 기판이송단계가 완료되면 공정단계 및 증착방지가스공급단계를 반복하여 수행할 수 있음은 물론이다.
상기 기판처리방법은, 공정챔버(100) 내로 도입된 기판(10)에 대한 기판처리가 완료되면 해당 기판(10)을 공정챔버(100) 외부로 배출하는 기판배출단계를 더 포함할 수 있다.
이상은 본 발명에 의해 구현될 수 있는 바람직한 실시예의 일부에 관하여 설명한 것에 불과하므로, 주지된 바와 같이 본 발명의 범위는 위의 실시예에 한정되어 해석되어서는 안 될 것이며, 위에서 설명된 본 발명의 기술적 사상과 그 근본을 함께하는 기술적 사상은 모두 본 발명의 범위에 포함된다고 할 것이다.
10: 기판 100: 공정챔버
200: 가스분사부 300: 기판지지부
400: 기판이송부 500: 증착방지가스공급부

Claims (9)

  1. 서로 다른 복수의 처리공간들을 형성하며 기판처리를 수행하는 공정챔버(100)와;
    상기 공정챔버(100) 상측에 설치되어 상기 복수의 처리공간들 각각으로 공정가스를 분사하는 복수의 가스분사부(200)들과;
    상기 복수의 처리공간들 각각에 설치되며, 기판(10)을 지지하는 복수의 기판지지부(300)들과;
    상기 공정챔버(100)에 설치되어 상기 복수의 기판지지부(300)들 중 하나의 기판지지부(300)에서 다른 기판지지부(300)로 기판(10)을 회전 이송하는 기판이송부(400)를 포함하며,
    상기 기판이송부(400)는,
    상기 복수의 기판지지부(300)들에 대응되는 개수로 형성되며, 상면에 기판(10)이 안착되는 안착영역이 형성된 복수의 기판안착블레이드(410)들과,
    상기 복수의 기판안착블레이드(410)들이 방사형으로 결합되는 블레이드결합몸체부(430)와,
    상기 블레이드결합몸체부(430)에 결합되어 상기 블레이드결합몸체부(430)를 지지하며, 회전가능하게 설치되는 회전지지축(420)과,
    상기 회전지지축(420)을 상하이동시키는 상하구동부와,
    상기 기판(10)이 상기 기판지지부(300)에 안착되어 기판처리가 수행되는 과정에서 상기 기판안착블레이드(410)에 공정가스가 증착되는 것을 방지하기 위하여, 상기 기판안착블레이드(410)를 향해 증착방지가스를 공급하는 증착방지가스공급부(500)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 증착방지가스공급부(500)는,
    외부의 증착방지가스소스와 연통되며, 상기 회전지지축(420) 내부에 형성되는 가스공급유로부(510)와,
    상기 블레이드결합몸체부(430)에 형성되며, 상기 가스공급유로부(510)와 연통되어 상기 복수의 기판안착블레이드(410)들의 상면에 증착방지가스를 분사하는 복수의 제1분사공(520)들을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 증착방지가스공급부(500)는,
    외부의 증착방지가스소스와 연통되며, 상기 회전지지축(420) 내부에 형성되는 가스공급유로부(510)와,
    상기 기판안착블레이드(410)의 상면에 형성되며, 가스공급유로부(510)와 연통되어 증착방지가스를 분사하는 복수의 제2분사공(540)들을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  4. 서로 다른 복수의 처리공간들을 형성하며 기판처리를 수행하는 공정챔버(100)와;
    상기 공정챔버(100) 상측에 설치되어 상기 복수의 처리공간들 각각으로 공정가스를 분사하는 복수의 가스분사부(200)들과;
    상기 복수의 처리공간들 각각에 설치되며, 기판(10)을 지지하는 복수의 기판지지부(300)들과;
    상기 공정챔버(100)에 설치되어 상기 복수의 기판지지부(300)들 중 하나의 기판지지부(300)에서 다른 기판지지부(300)로 기판(10)을 회전 이송하는 기판이송부(400)를 포함하며,
    상기 기판이송부(400)는,
    상기 복수의 기판지지부(300)들에 대응되는 개수로 형성되며, 상면에 기판(10)이 안착되는 안착영역이 형성된 복수의 기판안착블레이드(410)들과,
    상기 복수의 기판안착블레이드(410)들이 방사형으로 결합되는 블레이드결합몸체부(430)와,
    상기 블레이드결합몸체부(430)에 결합되어 상기 블레이드결합몸체부(430)를 지지하며, 회전가능하게 설치되는 회전지지축(420)과,
    상기 회전지지축(420)을 상하이동시키는 상하구동부와,
    상기 기판안착블레이드(410)에 공정가스가 증착되는 것을 방지하기 위하여 증착방지가스를 공급하는 증착방지가스공급부(500)를 포함하며,
    상기 증착방지가스공급부(500)는,
    외부의 증착방지가스소스와 연통되며, 상기 회전지지축(420) 내부에 형성되는 가스공급유로부(510)와,
    상기 기판안착블레이드(410)의 상면에 형성되며, 가스공급유로부(510)와 연통되어 증착방지가스를 분사하는 복수의 제2분사공(540)들을 포함하며,
    상기 기판안착블레이드(410)는, 상기 안착영역에 상기 상면으로부터 돌출되게 형성되어 기판(10)의 저면과 접촉되는 복수의 돌기부(412)들을 포함하며,
    상기 제2분사공(540)은, 상기 돌기부(412)에 형성되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 기판지지부(300)는, 지지된 기판(10)을 상측으로 들어올리는 복수의 리프트핀(301)들을 포함하며,
    상기 기판안착블레이드(410)는, 기판 이송 시 상기 복수의 리프트핀(301)들과의 간섭을 피하기 위하여 갈고리 형상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 증착방지가스공급부(500)를 통해 공급되는 증착방지가스는, 헬륨 또는 N2로 이루어진 퍼지가스인 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  7. 서로 다른 복수의 처리공간들을 형성하며 기판처리를 수행하는 공정챔버(100)와; 상기 공정챔버(100) 상측에 설치되어 상기 복수의 처리공간들 각각으로 공정가스를 분사하는 복수의 가스분사부(200)들과; 상기 복수의 처리공간들 각각에 설치되며, 기판(10)을 지지하는 복수의 기판지지부(300)들과; 상기 공정챔버(100)에 설치되어 상기 복수의 기판지지부(300)들 중 하나의 기판지지부(300)에서 다른 기판지지부(300)로 기판(10)을 회전 이송하는 기판이송부(400)를 포함하는 기판처리장치에서 수행되는 기판처리방법으로서,
    상기 기판처리방법은,
    상기 공정챔버(100)로 도입되어 상기 기판지지부(300)에 지지된 기판(10)에 대해 공정가스를 분사하며 기판처리를 수행하는 공정단계와;
    상기 기판(10)이 상기 기판지지부(300)에 안착되어 상기 공정단계가 수행될 때, 상기 기판이송부(400)에 공정가스가 증착되는 것을 방지하기 위하여 상기 기판이송부(400)를 통해 증착방지가스를 공급하는 증착방지가스공급단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  8. 청구항 7에 있어서,
    상기 공정단계가 완료되면 증착방지가스 공급을 중단하고, 상기 복수의 기판지지부(300)들 중 하나의 기판지지부(300)에서 다른 기판지지부(300)로 기판(10)을 회전 이송하는 기판이송단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
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