KR20120029794A - 박막 증착 장치 - Google Patents

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김진호
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주식회사 원익아이피에스
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Abstract

박막 증착 장치는 챔버와, 서셉터와, 서셉터 지지대와, 소스가스 공급부, 및 추가가스 공급부를 포함한다. 챔버는 증착 공정이 행해지는 내부 공간을 갖는다. 서셉터는 챔버 내에 배치되며, 상면에 중심 둘레를 따라 복수의 기판들을 직접적으로 지지하거나, 하나 이상의 기판이 배치되어 있는 기판 홀더를 지지한다. 서셉터 지지대는 서셉터의 하측에서 서셉터의 중앙을 받치도록 설치되며, 챔버의 외부로부터 도입된 추가가스를 서셉터의 상면으로 분사하는 추가가스 공급부를 구비한다. 소스가스 공급부는 서셉터의 상부 중앙으로 제1,2 소스가스를 서로 분리한 상태로 공급받은 후 공급된 제1,2 소스가스를 상하로 배열된 소스가스 분사구들을 통해 서셉터 주변을 향해 각각 분사하여, 서셉터 상의 기판들에 공급한다.

Description

박막 증착 장치{Thin film deposition apparatus}
본 발명은 반도체 등의 제조에 있어 기판 상에 박막을 증착하기 위해 사용되는 박막 증착 장치에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체에서 사용하는 박막 제조 방법으로는 CVD(Chemical Vapor Deposition)법, PVD(Physical Vapor Deposition)법이 있다. CVD법은 기체상태의 혼합물을 가열된 기판 표면에서 화학 반응시켜 생성물을 기판 표면에 증착시키는 기술이다. CVD법은 전구체(precursor)로 사용되는 물질의 종류, 공정 중의 압력, 반응에 필요한 에너지 전달 방식 등에 의해, APCVD(Atmospheric CVD), LPCVD(Low Pressure CVD), PECVD(Plasma Enhanced CVD), MOCVD(Metal Organic CVD)법 등으로 구분된다.
최근에는 발광다이오드용 질화물 반도체가 각광을 받고 있는데, 발광다이오드용 질화물 반도체의 단결정 성장을 위해 MOCVD법이 많이 사용되고 있다. MOCVD법은 액체 상태의 원료인 유기금속 화합물을 기체 상태로 기화시킨 다음, 기화된 소스가스를 증착 대상인 기판으로 공급해서 고온의 기판에 접촉시킴으로써, 기판 상에 금속 박막을 증착시키는 방법이다.
이러한 MOCVD법의 경우, 소스가스를 기판으로 공급하기 위한 방식으로 인젝션(injection) 방식이 많이 채용되고 있다. 인젝션 방식은 챔버의 중앙에 설치된 인젝터를 통해 소스가스를 서셉터의 상부 중앙으로 도입한 후, 도입된 소스가스를 수평 방향으로 서셉터 주변을 향해 분사하여 서셉터 상의 기판들에 공급하는 방식이다.
그런데, 전술한 인젝션 방식에 있어서, 인젝터로부터 서셉터로 분사된 소스가스는 인젝터에 인접한 가스 진입영역을 지나 기판에 대한 유효 증착이 이루어지는 성장영역으로 진행한다. 소스가스의 흐름은 가스 진입영역 내에서 균일해지며 적어도 부분적으로 분해된다. 이때, 가스 진입영역에서 소스가스가 분해됨으로 인해, 가스 진입영역에 대응되는 서셉터 부위에 불필요한 박막이 증착되는 문제가 발생할 수 있다.
또한, 보다 많은 기판들에 대해 동시에 박막 증착을 하기 위해서는 챔버의 크기가 대형화되어야 하는데, 이와 동시에 소스가스의 공급도 증가되어야 하므로 가스 진입영역이 증가하게 된다. 이에 따라, 가스 진입영역에 불필요한 박막이 증착되면서 소모되는 소스가스의 양도 늘어나게 되므로, 소스가스의 낭비가 심해지게 된다.
게다가, 서셉터 부위에 증착된 불필요한 박막은 증착 공정 중 떨어져나가 기판에 영향을 미칠 수 있으므로, 사전에 정비해줄 필요가 있다. 가스 진입영역이 증가하면 가스 진입영역에 불필요한 박막이 증착될 가능성도 커지게 된다. 이는 PM(Preventive Maintenance; 사전 예방정비) 주기의 단축을 불러오게 된다.
본 발명의 과제는 전술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 가스 진입영역에서 불필요한 박막 증착을 방지할 수 있으며, 챔버의 크기가 대형화되더라도 불필요한 박막 증착으로 인한 소스가스의 낭비를 줄이고 PM 주기를 늘릴 수 있는 박막 증착 장치를 제공함에 있다.
상기의 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 박막 증착 장치는, 증착 공정이 행해지는 내부 공간을 갖는 챔버; 상기 챔버 내에 배치되며, 상면에 중심 둘레를 따라 복수의 기판들을 직접적으로 지지하거나, 하나 이상의 기판이 배치되어 있는 기판 홀더를 지지하는 서셉터; 상기 서셉터의 하측에서 상기 서셉터의 중앙을 받치도록 설치되며, 상기 챔버의 외부로부터 도입된 추가가스를 상기 서셉터의 상면으로 분사하는 추가가스 공급부를 구비하는 서셉터 지지대; 및 상기 서셉터의 상부 중앙으로 제1,2 소스가스를 서로 분리한 상태로 공급받은 후 공급된 제1,2 소스가스를 상하로 배열된 소스가스 분사구들을 통해 상기 서셉터 주변을 향해 각각 분사하여, 상기 서셉터 상의 기판들에 공급하는 소스가스 공급부를 포함한다.
본 발명에 따르면, 서셉터 상부에서 소스가스들을 서셉터 상면을 따라 흐르도록 공급하는 한편, 서셉터 지지대를 통해 서셉터 상면으로 추가가스를 공급함으로써, 제1,2 소스가스에서 분해된 물질이 가스 진입영역의 서셉터 부위에 접촉되는 것을 차단할 수 있다. 이에 따라, 가스 진입영역의 서셉터 부위에 불필요한 박막이 증착되는 것이 방지될 수 있다. 또한, 챔버의 크기가 대형화되어 가스 진입영역이 증가하더라도, 불필요한 박막 증착으로 인한 소스가스의 낭비가 줄어들 수 있고, PM 주기가 단축될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 증착 장치에 대한 측단면도.
도 2는 도 1의 추가가스 공급부에 있어서, 서셉터 지지대에 결합되는 분사 캡의 일 예를 도시한 분해 사시도.
도 3은 도 2에 대한 조립도.
도 4는 도 1의 추가가스 공급부에 있어서, 서셉터 지지대에 결합되는 분사 캡의 다른 예를 도시한 분해 사시도.
도 5는 도 4에 대한 조립도.
이하 첨부된 도면을 참조하여, 바람직한 실시예에 따른 본 발명을 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 증착 장치에 대한 구성도이다.
도 1을 참조하면, 박막 증착 장치(100)는 기판(10) 상에 박막을 증착하는 장치로서, 챔버(110)와, 서셉터(120)와, 서셉터 지지대(130)와, 소스가스 공급부(140), 및 추가가스 공급부(150)를 포함한다. 여기서, 기판(10)은 웨이퍼 또는 글라스 기판일 수 있다.
챔버(110)는 증착 공정이 행해지는 내부 공간을 갖는다. 챔버(110)는 상부가 개구된 챔버 본체(111)와, 챔버 본체(111)의 상부 개구를 덮는 탑 리드(112)를 포함한다. 탑 리드(112)의 하면에는 석영 등으로 이루어진 천장이 구비되어 보호받을 수 있다. 탑 리드(112)는 증착 공정시 하강 동작하여 챔버 본체(111)의 상부 개구를 폐쇄하고, 기판(10)의 로딩 또는 언로딩시 승강 동작하여 챔버 본체(111)의 상부 개구를 개방시킬 수 있다.
서셉터(120)는 챔버(10) 내에 배치되며, 상면에 중심 둘레를 따라 복수의 기판(10)들을 지지한다. 이는 대량 생산을 위해 보다 많은 기판(10)들에 대해 한꺼번에 박막 증착하기 위함이다. 서셉터(120)의 중심 주위에 복수의 기판 안착부(121)들이 균일하게 분포되어 형성될 수 있다. 기판 안착부(121)들에 기판(10)들이 각각 안착되어 지지될 수 있다. 다른 예로, 도시하고 있지 않지만, 서셉터(120)의 중심 주위에 복수의 기판 기판 홀더들이 균일하게 분포되어 설치될 수 있다. 각각의 기판 홀더는 상면에 적어도 하나의 기판을 각각 수용해서 지지한다.
서셉터 지지대(130)는 서셉터(120)의 하측에서 서셉터(120)의 중앙을 받치도록 설치된다. 서셉터 지지대(130)는 추가가스 공급부(150)를 구비한다. 추가가스 공급부(150)는 챔버(110)의 외부로부터 도입된 추가가스를 서셉터(120)의 상면으로 분사한다. 추가가스 공급부(150)는 가스 진입영역에 대응되는 서셉터(120) 부위에 불필요한 박막이 증착되는 것을 방지한다.
서셉터 지지대(130)는 회전구동기구(101)에 의해 회전함에 따라 서셉터(120)의 회전을 가능하게 한다. 예컨대, 서셉터 지지대(130)의 하측 부위가 챔버(110)의 외부로 인출되며, 인출된 부위에 회전구동기구(101)가 연결되어 서셉터 지지대(130)가 회전할 수 있다. 서셉터 지지대(130)의 회전시 서셉터(120)가 함께 회전 가능하게 된다.
만일, 서셉터(120) 상에 기판 홀더들이 마련된 경우라면, 기판 홀더들도 각각 가스 쿠션 등에 의해 회전 가능하게 설치될 수 있다. 이는 증착 공정 중 서셉터(120)의 상부 중앙으로부터 분사되는 소스가스가 서셉터(120) 상의 모든 기판(10)들에 고르게 공급되도록 하기 위해서이다. 서셉터(120)는 증착 공정 중 히터(미도시)에 의해 가열되어 상면에 지지된 기판(10)들이 가열될 수 있게 한다.
소스가스 공급부(140)는 서셉터(120)의 상부 중앙으로 제1,2 소스가스를 서로 분리한 상태로 공급받은 후 공급된 제1,2 소스가스를 상하로 배열된 소스가스 분사구들(141a)(141b)을 통해 서셉터(120) 주변을 향해 각각 분사한다. 이에 따라, 제1,2 소스가스가 서셉터(120) 상의 기판(10)들에 공급될 수 있다.
소스가스 공급부(140)는 제1,2 소스가스를 서셉터(120)의 상면에 나란한 수평 방향으로 분사하도록 구성될 수 있다. 하지만, 이에 한정되지 않고, 소스가스 공급부(140)는 서셉터(120) 상의 기판(10)들에 제1,2 소스가스를 원활히 공급할 수 있는 범주에서 하측으로 경사진 방향으로 분사하는 등 다양하게 구성될 수 있다.
그리고, 소스가스 공급부(140)는 제1,2 소스가스를 서로 분리된 상태로 각각 공급하기 위한 공급 라인들(142a)(142b)을 포함할 수 있다. 공급 라인들(142a)(142b)은 탑 리드(112)를 관통하여 서셉터(120)의 상부 중앙으로 연장되고, 연장된 단부들에 형성된 소스가스 분사구들(141a)(141b)이 상하로 배열되도록 굽어진 구조로 이루어질 수 있다.
상술하면, 소스가스 공급부(140)로부터 분사된 제1,2 소스가스는 소스가스 분사구들(141a)(141b)에 인접한 가스 진입영역을 지나 기판(10)에 대한 유효 증착이 이루어지는 성장영역으로 진행한다. 제1,2 소스가스의 흐름은 가스 진입영역 내에서 균일해지며 적어도 부분적으로 분해되어 서셉터(120)의 상면으로 하강하려 한다.
이때, 추가가스가 추가가스 공급부(150)로부터 서셉터(120) 상면으로 분사되어 가스 진입영역에서 성장영역으로 흘러간다. 이 과정에서, 제1,2 소스가스에서 분해된 물질은 추가가스에 밀려 서셉터(120)의 상면으로 하강하지 못하고 성장영역으로 흐르도록 유도된다.
따라서, 제1,2 소스가스에서 분해된 물질은 가스 진입영역에 대응되는 서셉터(120) 부위에 접촉되지 않게 되므로, 불필요한 박막이 증착되는 것이 방지될 수 있다. 그리고, 챔버(110)의 크기가 대형화되어 가스 진입영역이 증가하더라도, 불필요한 박막 증착으로 인한 소스가스의 낭비가 줄어들 수 있고, PM 주기가 단축될 수 있다.
한편, 추가가스 공급부(150)는, 챔버(110)의 외부로부터 추가가스가 도입되도록 서셉터 지지대(130)의 내부에 형성된 가스 유로(151)와, 가스 유로(151)를 통해 유입된 추가가스를 서셉터(120)의 상면으로 분사하는 추가가스 분사구(152)를 포함할 수 있다.
일 예로, 추가가스 분사구(152)는 서셉터 지지대(130)의 측면에 가스 유로(151)와 연결되도록 형성될 수 있다. 즉, 가스 유로(151)의 출구는 추가가스 분사구(152)와 연결되고, 가스 유로(151)의 입구는 서셉터 지지대(130)의 추가가스 유입구(153)와 연결될 수 있다. 추가가스 유입구(153)는 서셉터 지지대(130)에서 챔버(110)의 외부로 인출된 부위에 위치된다. 추가가스 유입구(153)는 추가가스 공급원과 연결되어, 추가가스 공급원의 추가가스가 가스 유로로 유입될 수 있게 한다.
그리고, 추가가스 분사구(152)는 서셉터(120)의 상면으로 추가가스를 분사하도록 서셉터(120)의 상면보다 높게 위치한다. 추가가스 분사구(152)는 서셉터 지지대(130)의 측면에 다수 형성되어 추가가스가 동시에 여러 곳으로부터 가스 진입영역으로 공급되도록 할 수 있다. 다른 예로, 추가가스 분사구(152)는 서셉터 지지대(130)의 측면뿐 아니라 상면에도 가스 유로(151)와 연결되도록 형성되는 것도 가능하다. 추가가스 분사구(152)의 크기 및 형상이나, 추가가스 분사구(152)로부터 분사되는 유량은 전술한 기능을 수행할 수 있는 범주에서 다양하게 구성될 수 있다.
추가가스는 서셉터(120)의 상면에 나란한 방향으로 분사될 수 있다. 하지만, 이에 한정되지 않고, 추가가스는 전술한 기능을 수행할 수 있는 범주에서, 서셉터(120)의 상면에 대해 상방으로 경사진 방향으로 분사되는 것도 가능하다. 예를 들어, 추가가스의 분사 방향은 가스 유로(151)가 추가가스 분사구(152)와 연결되는 각도에 따라 조절되거나, 추가가스 분사구(152)의 전방에 가이드 부재를 설치하여 조절할 수 있다.
한편, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 서셉터 지지대(130)의 상단에 분사 캡(160)이 결합될 수 있다. 분사 캡(160)은 가스 유로(151)와 연결되는 내부 공간을 갖는다. 그리고, 추가 가스 분사구(152)는 분사 캡(160)의 측면에 분사 캡(160)의 내부 공간과 연결되게 다수 형성될 수 있다. 일 예로, 분사 캡(160)은 원판 형상의 캡 본체(161)와, 캡 본체(161)의 둘레를 따라 서로 이격되며 하측으로 각각 돌출된 리브(162)들을 구비할 수 있다.
분사 캡(160)은 캡 본체(161)의 저면이 서셉터 지지대(130)의 상면으로부터 이격된 상태에서 리브(162)들의 각 하측 부위가 서셉터 지지대(130)의 상단 둘레에 고정될 수 있다. 이에 따라, 캡 본체(161)의 저면과 서셉터 지지대(130)의 상면 사이에 이격 공간이 형성되며, 이격 공간은 리브(162)들 사이의 개구(163)들과 연통된다.
개구(163)들은 전술한 추가가스 분사구(152)들로서 기능한다. 이 경우, 전술한 가스 유로(151)에서 출구(151a)가 서셉터 지지대(130)의 상면에 위치한다. 따라서, 추가가스는 가스 유로(151)의 출구(151a)로부터 분사 캡(160)과 서셉터 지지대(130) 사이로 공급된 후 분사 캡(160)의 둘레에 형성된 개구(163)들을 통해 분사될 수 있다.
다른 예로, 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 분사 캡(260)은 내부 공간을 갖고 하부가 개구된 형상으로 이루어진다. 그리고, 분사 캡(260)은 둘레를 따라 내부 공간과 연통되는 홀(261)들이 형성될 수 있다. 분사 캡(260)의 저면이 서셉터 지지대(130)의 상면으로부터 이격되며, 홀(261)들이 서셉터 지지대(130)보다 높게 위치된 상태에서, 분사 캡(260)의 하측 부위가 서셉터 지지대(130)의 상단 둘레에 고정될 수 있다.
따라서, 추가가스는 가스 유로(151)의 출구(151a)로부터 분사 캡(260)과 서셉터 지지대(130) 사이로 공급된 후 분사 캡(160)의 둘레에 형성된 홀(261)들을 통해 분사될 수 있다. 이처럼 홀(261)들은 추가가스 분사구(152)들로서 기능한다. 한편, 분사 캡(260)은 가스 유로(151)와 연결되는 내부 유로가 형성되고, 내부 유로가 추가가스 분사구(152)들과 각각 연결되는 것도 가능하다.
증착 공정이 Ⅲ-Ⅴ족 MOCVD법에 의해 행해지는 경우, 제1 소스가스는 Ⅴ족 원소를 함유한 소스가스며, 제2 소스가스는 Ⅲ족 원소를 함유한 소스가스일 수 있다. 제1 소스가스는 Ⅴ족 원소를 포함하는 수소화물로서, NH3 또는 PH3 또는 AsH3 등일 수 있다. 제2 소스가스는 Ⅲ족 원소를 포함하는 유기 금속으로서, TMG(Trimethylgallium) 또는 TEG(Triethylgallium) 또는 TMI(Trimethylindium) 등일 수 있다. 제1,2 소스가스에는 캐리어 가스가 각각 포함될 수도 있다.
추가가스는 Ⅴ족 원소를 함유한 가스, 수소 가스, 비활성 가스 중 선택된 적어도 어느 하나일 수 있다. Ⅴ족 원소를 함유한 가스의 예로는 NH3 또는 PH3 또는 AsH3 등과 같은 Ⅴ족 원소를 포함하는 수소화물일 수 있다. 비활성 가스의 예로는 질소(N2) 가스 또는 헬륨(He) 가스 또는 아르곤(Ar) 가스 등일 수 있다.
소스가스 공급부(140)에서, Ⅴ족 원소를 함유한 소스가스를 분사하는 소스가스 분사구와 Ⅲ족 원소를 함유한 소스가스를 분사하는 소스가스 분사구 중, 서셉터(120) 측에 가장 인접한 소스가스 분사구는 Ⅲ족 원소를 함유한 소스가스를 분사하는 소스가스 분사구일 수 있다. 물론, 서셉터(120) 측에 가장 인접한 소스가스 분사구는 Ⅴ족 원소를 함유한 소스가스를 분사하는 소스가스 분사구인 것도 가능하다.
그리고, 도시하고 있지는 않지만, 박막 증착 장치(100)는 소스가스 공급부(140)의 소스가스 분사구들(141a)(141b) 사이, 또는 소스가스 공급부(140)의 상측 소스가스 분사구(141a)의 위쪽 또는 소스가스 공급부(140)의 하측 소스가스 분사구(141b)의 아래쪽에서 비활성가스를 공급하기 위한 비활성가스 공급부를 더 포함할 수 있다.
비활성가스 공급부로부터 공급된 비활성가스는 소스가스 공급부(140)로부터 분사된 제1,2 소스가스 간에 소스가스 분사구 인접영역에서의 반응을 방지하는 역할을 하거나, 제1,2 소스가스의 캐리어로서 역할을 할 수 있다. 여기서, 비활성가스는 질소 가스나 헬륨 가스나 아르곤 가스일 수 있다.
본 발명은 첨부된 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 보호 범위는 첨부된 청구 범위에 의해서만 정해져야 할 것이다.
110..챔버 120..서셉터
130..서셉터 지지대 140..소스가스 공급부
150..추가가스 공급부 151..가스 유로
152..추가가스 분사구 160,260..분사 캡

Claims (9)

  1. 증착 공정이 행해지는 내부 공간을 갖는 챔버;
    상기 챔버 내에 배치되며, 상면에 중심 둘레를 따라 복수의 기판들을 직접적으로 지지하거나, 하나 이상의 기판이 배치되어 있는 기판 홀더를 지지하는 서셉터;
    상기 서셉터의 하측에서 상기 서셉터의 중앙을 받치도록 설치되며, 상기 챔버의 외부로부터 도입된 추가가스를 상기 서셉터의 상면으로 분사하는 추가가스 공급부를 구비하는 서셉터 지지대; 및
    상기 서셉터의 상부 중앙으로 제1,2 소스가스를 서로 분리한 상태로 공급받은 후 공급된 제1,2 소스가스를 상하로 배열된 소스가스 분사구들을 통해 상기 서셉터 주변을 향해 각각 분사하여, 상기 서셉터 상의 기판들에 공급하는 소스가스 공급부;
    를 포함하는 박막 증착 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 추가가스는 Ⅴ족 원소를 함유한 가스, 수소 가스, 비활성 가스 중 선택된 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제1 소스가스는 Ⅴ족 원소를 함유한 소스가스이며,
    상기 제2 소스가스는 Ⅲ족 원소를 함유한 소스가스인 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 소스가스 공급부는,
    상기 Ⅴ족 원소를 함유한 소스가스를 분사하는 소스가스 분사구와 상기 Ⅲ족 원소를 함유한 소스가스를 분사하는 분사구 중 상기 서셉터 측에 가장 인접한 소스가스 분사구가 상기 Ⅲ족 원소를 함유한 소스가스를 분사하는 소스가스 분사구인 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 추가가스 공급부는:
    상기 챔버의 외부로부터 추가가스가 도입되도록 상기 서셉터 지지대의 내부에 형성된 가스 유로와, 상기 가스 유로를 통해 유입된 추가가스를 상기 서셉터의 상면으로 분사하는 추가가스 분사구를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 추가가스 분사구는,
    상기 서셉터 지지대의 측면에 상기 가스 유로와 연결되도록 다수 형성되거나, 상기 서셉터 지지대의 측면과 상면에 각각 상기 가스 유로와 연결되도록 다수 형성된 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 서셉터 지지대의 상단에는,
    상기 가스 유로와 연결되는 내부 공간이나 내부 유로가 형성된 분사 캡이 결합되며;
    상기 추가가스 분사구는,
    상기 분사 캡의 측면에 상기 분사 캡의 내부 공간이나 내부 유로와 연결되도록 다수 형성되거나, 상기 분사 캡의 측면 및 상면에 각각 상기 분사 캡의 내부 공간이나 내부 유로와 연결되도록 다수 형성된 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치.
  8. 제5항에 있어서,
    상기 추가가스는 상기 서셉터의 상면에 나란한 방향으로 분사되거나, 상기 서셉터의 상면에 대해 상방으로 경사진 방향으로 분사되는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 소스가스 공급부의 소스가스 분사구들 사이, 또는 상기 소스가스 공급부의 상측 소스가스 분사구의 위쪽 또는 상기 소스가스 공급부의 하측 소스가스 분사구의 아래쪽에서 비활성가스를 공급하기 위한 비활성가스 공급부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치.
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KR20190074481A (ko) * 2017-12-20 2019-06-28 주식회사 원익아이피에스 기판처리장치 및 이를 이용한 기판처리방법

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