KR20120024305A - 화학기상 증착장치 및 화학기상 증착장치의 세정방법 - Google Patents

화학기상 증착장치 및 화학기상 증착장치의 세정방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20120024305A
KR20120024305A KR1020100087148A KR20100087148A KR20120024305A KR 20120024305 A KR20120024305 A KR 20120024305A KR 1020100087148 A KR1020100087148 A KR 1020100087148A KR 20100087148 A KR20100087148 A KR 20100087148A KR 20120024305 A KR20120024305 A KR 20120024305A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
chamber
gas
susceptor
wall
vapor deposition
Prior art date
Application number
KR1020100087148A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101232904B1 (ko
Inventor
한재병
Original Assignee
엘아이지에이디피 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘아이지에이디피 주식회사 filed Critical 엘아이지에이디피 주식회사
Priority to KR1020100087148A priority Critical patent/KR101232904B1/ko
Publication of KR20120024305A publication Critical patent/KR20120024305A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101232904B1 publication Critical patent/KR101232904B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4405—Cleaning of reactor or parts inside the reactor by using reactive gases

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

챔버의 내측벽에 증착된 불순물을 간편하게 세정할 수 있으며, 장비의 사용효율을 향상시킬 수 있는 화학기상 증착장치 및 이를 이용한 화학기상 증착장치의 세정방법이 개시된다.
본 발명의 일실시예에 따른 화학기상 증착장치는 챔버, 상기 챔버의 내부에 배치되어 기판을 지지하는 서셉터, 상기 서셉터에 지지되는 상기 기판으로 공정가스를 공급하는 공정가스 공급부, 상기 서셉터와 상기 챔버의 내측벽의 사이로 퍼지가스를 공급하는 퍼지가스 공급부 및 상기 서셉터와 상기 챔버의 내측벽의 사이로 세정가스를 공급하는 세정가스 공급부를 포함한다.

Description

화학기상 증착장치 및 화학기상 증착장치의 세정방법{a chemical vapor deposition apparatus and cleaning method of chemical vapor deposition}
본 발명은 화학기상 증착장치 및 화학기상 증착장치의 세정방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 Ⅲ-V족 재료를 이용하여 기판 상에 결정층을 형성하는 데 사용되는 화학기상 증착장치 및 화학기상 증착장치의 세정방법에 관한 것이다.
질화물 재료는 발광소자를 제조하기 위한 재료로 가장 잘 알려진 것이다. 질화물 재료를 이용한 발광소자의 적층구조는 일반적으로 사파이어와 같은 기판 상에 GaN 결정으로 이루어지는 버퍼층과, n형 GaN 결정으로 이루어지는 n형 도핑층과, InGaN 으로 이루어지는 활성층과, p형 GaN 결정으로 이루어지는 p형 도핑층이 순차적으로 적층된 구조로 되어 있다. 이러한 각 결정층은 화학기상 증착장치에서 차례로 적층된다.
일반적인 화학기상 증착장치는 챔버, 챔버의 내부에 배치되어 공정가스를 분사하는 샤워헤드, 샤워헤드에 대향되어 기판을 지지하는 서셉터, 서셉터에 설치되어 기판을 가열하는 히터, 챔버의 내부에 연통되는 배기관 및 배기관을 통해 챔버 내부를 진공 배기시키는 진공펌프를 포함한다. 이때, 공정가스는 원료물질이 기화된 원료가스와 원료가스를 운반하는 캐리어가스가 혼합된 가스일 수 있다.
이러한 화학기상 증착장치는 샤워헤드를 통해 챔버 내부로 공정가스를 분사한다. 공정가스에 포함된 원료가스는 가열된 기판에 반응하여 결정층을 형성한다. 그리고 기판에 반응하고 남은 나머지 폐가스 및 이물질은 진공펌프의 진공배기에 따라 배기관을 통해 챔버의 외부로 배출된다.
이때, 원료물질, 또는 챔버 내부에 잔존하는 이물질은 챔버의 내측벽에 증착될 수 있다. 이렇게 챔버의 내측벽에 증착되는 원료물질, 또는 이물질은 챔버 내벽을 보온시켜 챔버 내부의 온도를 제어하는데 곤란한 문제점으로 작용한다.
또한, 챔버의 내측벽에 증착된 원료물질, 또는 이물질은 증착공정 중에 챔버의 내측벽으로부터 떨어져 나와 공정가스에 혼합되어 기판으로 향할 수 있다. 이렇게 챔버의 내측벽으로부터 떨어져 나와 공정가스에 혼합되는 원료물질, 또는 이물질은 결정층의 품질을 저하시키는 파티클(particle)로 작용하여 제품의 불량률을 높이는 원인으로 작용하는 문제점이 있다.
따라서, 증착공정의 전, 후에는 챔버의 내측벽에 증착된 원료물질, 또는 이물질을 제거해야 한다.
하지만, 종래에는 챔버를 개방한 상태에서 작업자가 수작업으로 챔버의 내측벽에 증착된 원료물질, 또는 이물질을 제거하는 방법으로 챔버를 세정한다. 이와 같이 작업자가 수작업으로 챔버를 세정하게 되면, 챔버를 개폐해야 하는 번거로운 문제점이 있으며, 장비의 사용효율이 저하되는 문제점이 있다.
본 발명의 목적은 챔버를 개방하는 번거로움 없이 챔버의 내측벽에 증착된 불순물을 간편하게 세정할 수 있으며, 장비의 사용효율이 향상되도록 한 화학기상 증착장치 및 이를 이용한 화학기상 증착장치의 세정방법을 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 일실시예에 따른 화학기상 증착장치는 챔버, 상기 챔버의 내부에 배치되어 기판을 지지하는 서셉터, 상기 서셉터에 지지되는 상기 기판으로 공정가스를 공급하는 공정가스 공급부, 상기 서셉터와 상기 챔버의 내측벽의 사이로 퍼지가스를 공급하는 퍼지가스 공급부 및 상기 서셉터와 상기 챔버의 내측벽의 사이로 세정가스를 공급하는 세정가스 공급부를 포함한다.
상기 화학기상 증착장치는 상기 챔버 내부에 연통되는 배기관 및 상기 서셉터와 상기 챔버의 내측벽의 사이에 배치되어 상기 배기관에 연통되는 배기홀이 형성되며, 상기 챔버 내부의 폐가스를 상기 배기관으로 안내하는 라이너를 더 포함할 수 있다.
상기 화학기상 증착장치는 상기 챔버 내부에 설치되는 샤워헤드를 더 포함하며, 상기 샤워헤드의 내부에는 상기 샤워헤드의 내부공간을 상기 공정가스 공급부와 연통되도록 하는 공간과, 상기 퍼지가스 공급부 및 상기 세정가스 공급부와 연통되도록 하는 공간으로 분리하는 격벽이 설치될 수 있다.
상기 세정가스는 과산화수소(H2O2) 가스, 수산화암모늄(NH4OH) 가스, 염산(HCl) 가스 중 어느 하나를 사용할 수 있다.
한편, 본 발명의 일실시예에 따른 화학기상 증착장치의 세정방법은 서셉터와 챔버의 내측벽의 사이로 세정가스를 공급하여 상기 챔버의 내측벽을 세정한다.
상기 세정가스는 과산화수소(H2O2) 가스, 수산화암모늄(NH4OH) 가스, 염산(HCl) 가스 중 어느 하나를 사용할 수 있다.
상기 화학기상 증착장치의 세정방법은 상기 세정가스의 공급 이전에 상기 서셉터와 상기 챔버의 내측벽의 사이로 퍼지가스를 공급하고 상기 챔버 내부를 진공 배기시킬 수 있다.
화학기상 증착장치의 세정방법은 상기 세정가스의 공급 이후에 상기 서셉터와 상기 챔버의 내측벽의 사이로 퍼지가스를 공급하고 상기 챔버 내부를 진공 배기시킬 수 있다.
본 발명에 따른 화학기상 증착장치 및 화학기상 증착장치의 세정방법은 챔버의 내측벽에 증착된 불순물을 간편하게 세정할 수 있으며, 장비의 사용효율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
도 1은 본 실시예에 따른 화학기상 증착장치를 나타낸 단면도이다.
도 2는 본 실시예에 따른 화학기상 증착장치의 증착공정을 나타낸 동작도이다.
도 3은 본 실시예에 따른 화학기상 증착장치의 세정공정을 나타낸 동작도이다.
도 4는 본 실시예에 따른 화학기상 증착장치의 세정방법을 나타낸 순서도이다.
이하, 본 실시예에 따른 화학기상 증착장치에 대해 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하도록 한다.
도 1은 본 실시예에 따른 화학기상 증착장치를 나타낸 단면도이다.
도 1을 참조하면, 화학기상 증착장치(200)는 챔버(210)를 포함한다. 챔버(210)는 내부의 기밀이 유지되도록 구성되되, 기판(10)의 출입이 가능하게 구성될 수 있다. 즉, 챔버(210)는 용기 형상의 본체(211) 및 본체(211)에 힌지 결합되어 본체(211)로부터 회동되는 리드(Lid;212)를 포함한다.
챔버(210)의 내부에는 서셉터(220)가 배치된다. 서셉터(220)의 상면에는 기판(10)이 수용되는 수용홈(221)이 형성된다. 수용홈(221)은 서셉터(220)가 회전된다 하더라도, 기판(10)이 서셉터(220)로부터 이탈되지 않고 서셉터(220)에 안정적으로 지지될 수 있도록 한다. 이러한 수용홈(221)은 서셉터(220)에 복수의 기판(10)을 함께 지지하도록 복수개 형성될 수 있다.
도시되지 않았지만, 서셉터(220)의 내부에는 서셉터(220)를 가열함으로써 가열된 서셉터(220)에 의해 기판(10)이 가열되도록 하는 히터(미도시)가 설치될 수 있다.
그리고 챔버(210)의 하부에는 회전모터(230)가 배치되며, 회전모터(230)의 회전축은 본체(211)의 하부벽을 관통하여 서셉터(220)를 지지한다. 회전모터(230)는 서셉터(220)를 회전시켜 각각의 기판(10)에 결정층이 균일한 두께로 증착될 수 있도록 한다.
한편, 서셉터(220)를 향한 리드(212)의 일면에는 샤워헤드(240)가 결합된다. 샤워헤드(240)의 내부에는 챔버(210)의 내부를 제1 영역(A1)과 제2 영역(A2)으로 구분하여 제1 영역(A1)과 제2 영역(A2)으로 서로 다른 가스가 분사될 수 있도록 하는 격벽(241)이 설치된다.
제1 영역(A1)은 샤워헤드(240)를 통해 분사되는 가스가 서셉터(220)에 지지되는 기판(10)으로 향하는 영역으로, 제1 영역(A1)으로는 공정가스(G1)가 분사된다. 제2 영역(A2)은 샤워헤드(240)를 통해 분사되는 가스가 서셉터(220)와 챔버(210)의 내측벽의 사이로 향하는 영역으로, 퍼지가스(G2) 또는 세정가스(G3)가 공급된다.
공정가스(G1)로는 Ⅲ족 가스(트리메탈갈륨(Trimethyl-gallium;TMGa), 트리메탈인듐(Trimethyl-Indium;TMI), 트리메탈알루미늄(Trimethyl-aluminium;TMA)) 가스 중 어느 하나를 사용할 수 있으며, Ⅴ족 가스(암모니아(NH3) 가스)를 사용할 수 있다. 퍼지가스(G2)로는 질소(N2) 가스, 수소(H2) 가스 중 어느 하나를 사용할 수 있다. 세정가스(G3)로는 과산화수소(H2O2) 가스, 수산화암모늄(NH4OH) 가스, 염산(HCl) 가스 중 어느 하나를 사용할 수 있다.
이에 따라 샤워헤드(240)에는 제1 영역(A1)으로 공정가스(G1)를 공급하는 공정가스 공급부(251), 제2 영역(A2)으로 퍼지가스(G2)를 공급하는 퍼지가스 공급부(252) 및 제2 영역(A2)으로 세정가스(G3)를 공급하는 세정가스 공급부(253)가 연결된다.
한편, 챔버(210)의 측벽에는 배기관(271)이 결합되며, 배기관(271)은 챔버(210)의 내부와 연통된다. 그리고 챔버(210)의 외부에는 배기관(271)에 연결되어 챔버(210)의 진공배기를 수행하는 진공펌프(270)가 배치된다. 진공펌프(270)는 배기관(271)을 통해 챔버(210)의 진공배기를 수행함으로써 챔버(210)의 내부가 고진공 상태로 유지되도록 하며, 샤워헤드(240)로부터 분사되는 공정가스(G1), 퍼지가스(G2) 및 세정가스(G3)가 챔버(210)의 외부로 원활하게 배출되도록 한다.
여기서, 제2 영역(A2), 즉, 챔버(210)의 내측벽과 서셉터(220)의 사이에는 "J" 자 형태의 단면형상을 가지는 라이너(260)가 설치된다. 라이너(260)에는 배기관(271)에 연통되는 배기홀(261)이 형성된다. 배기관(271)은 배기홀(261)에 연통됨으로써 챔버(210)의 내부에 연통될 수 있다.
라이너(260)는 챔버(210) 내부의 폐가스를 배기관(271)으로 안내한다. 이러한 라이너(260)는 공정에 영향을 끼지지 않기 위해 내화학성, 내열성이 뛰어난 석영으로 이루어질 수 있다.
이하, 본 실시예에 따른 화학기상 증착장치의 작동에 대해 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하도록 한다.
도 2는 본 실시예에 따른 화학기상 증착장치의 증착공정을 나타낸 작동도이다.
도 2를 참조하면, 기판(10)은 챔버(210)의 내부로 반입되어 서셉터(220)에 안치된다. 즉, 기판(10)은 수용홈(221)에 수용되어 서셉터(210)의 상면에 견고하게 지지된다. 이때, 복수의 기판(10)에 동일한 결정층을 함께 증착할 수 있도록, 서셉터(220)에는 복수의 기판(10)이 함께 지지될 수 있다. 이와 같이 기판(10)이 서셉터(220)에 안치되면 챔버(210)는 밀폐된다.
계속해서, 히터(미도시)에 의해 서셉터(220)가 가열된다. 이러한 상태에서 공정가스 공급부(251)는 샤워헤드(240)로 공정가스(G1)를 공급하며, 공정가스(G1)는 샤워헤드(240)를 통해 제1 영역(A1)으로 분사된다. 그리고 진공펌프(270)는 배기관(271)을 통해 챔버(210)의 내부를 진공배기시킨다. 공정가스(G1)는 서셉터(220)에 지지되는 기판(10)에 도달한다. 이와 같이 가열된 기판(10)에 공정가스(G1)가 도달하면, 공정가스(G1)에 포함된 원료가스는 가열된 기판(10)에 반응하여 결정층을 형성한다.
이와 함께, 퍼지가스 공급부(252)는 샤워헤드(240)로 퍼지가스(G2)를 공급하며, 퍼지가스(G2)는 샤워헤드(240)를 통해 제2 영역(A2)으로 분사된다. 퍼지가스(G2)는 폐가스와 함께 라이너(260)에 의해 배기관(271)으로 안내되고, 배기관(271)을 통해 챔버(210) 외부로 배출된다. 이때, 챔버(210)의 내측벽, 또는 라이너(260)의 내측벽에는 원료물질, 또는 이물질이 증착될 수 있다.
도 3은 본 실시예에 따른 화학기상 증착장치의 세정 공정을 나타낸 작동도이며, 도 4는 본 실시예에 따른 화학기상 증착장치의 세정방법을 나타낸 순서도이다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 챔버(210)를 개방하여 기판(10)을 챔버(210)의 외부로 반출하고, 챔버(210)를 밀폐시킨다(단계;S11).
기판(10)이 반출된 상태에서 챔버(210)가 밀폐되면, 퍼지가스 공급부(252)는 퍼지가스(G2)를 샤워헤드(240)로 공급하고, 퍼지가스(G2)는 샤워헤드(240)를 통해 제2 영역(A2)으로 분사된다. 진공펌프(270)는 배기관(271)을 통해 챔버(210) 내부를 진공 배기한다. 이에 따라, 챔버(210) 내부에 잔류하는 폐가스는 배기관(271)을 통해 챔버(210)의 외부로 배출된다(단계;S13).
이어, 세정가스 공급부(253)는 세정가스(G3)를 샤워헤드(240)로 공급하고, 세정가스(G3)는 제2 영역(A2)으로 분사된다. 즉, 챔버(210) 내부의 진공배기 상태에서, 과산화수소(H2O2) 가스, 수산화암모늄(NH4OH) 가스, 염산(HCl) 가스 중 어느 하나는 샤워헤드(240)를 통해 제2 영역(A2)으로 분사된다.
이때, 세정가스(G3)는 제2 영역(A2)으로 분사되고, 배기홀(261)은 제2 영역(A2)에 배치되는 라이너(260)에 형성되어 있으므로, 세정가스(G3)는 제1 영역(A1)으로 확산되지 않고 배기관(271)을 통해 챔버(210)의 외부로 배출될 수 있다.
이와 같이 세정가스(G3)가 제2 영역(A2)으로 공급되고, 챔버(210) 내부의 진공배기가 수행됨에 따라 챔버(210)의 내측벽, 또는 라이너(260)의 내측벽에 증착된 원료물질, 또는 이물질은 제거된다(단계;S15).
이어, 세정가스(G3)의 공급이 중단되면, 퍼지가스 공급부(252)는 퍼지가스(G2)를 샤워헤드(240)로 공급하고, 퍼지가스(G2)는 제2 영역(A2)으로 분사된다. 제2 영역(A2)으로 분사되는 퍼지가스(G2)는 제2 영역(A2)에 잔류할 수 있는 세정가스(G3)를 배기관(271)을 통해 챔버(210)의 외부로 배출되도록 한다(단계;S17).
이와 같이 챔버(210)의 세정을 마치면, 다른 기판(10)을 챔버(210)의 내부로 반입하여 증착공정을 계속해서 진행할 수 있다.
상술한 바와 같이, 화학기상 증착장치(200)는 세정가스(G3)를 서셉터(220)와 챔버(210)의 내측벽의 사이로 분사함으로써, 챔버(210)의 내측벽에 증착된 원료물질 또는 이물질을 간편하게 세정할 수 있다.
A1 : 제1 영역 A2: 제2 영역
210 : 챔버 220 : 서셉터
240 : 샤워헤드 241 : 격벽
251 : 공정가스 공급부 252 : 퍼지가스 공급부
253 : 세정가스 공급부

Claims (8)

  1. 챔버;
    상기 챔버의 내부에 배치되어 기판을 지지하는 서셉터;
    상기 서셉터에 지지되는 상기 기판으로 공정가스를 공급하는 공정가스 공급부;
    상기 서셉터와 상기 챔버의 내측벽의 사이로 퍼지가스를 공급하는 퍼지가스 공급부;
    상기 서셉터와 상기 챔버의 내측벽의 사이로 세정가스를 공급하는 세정가스 공급부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학기상 증착장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 챔버 내부에 연통되는 배기관;및
    상기 서셉터와 상기 챔버의 내측벽의 사이에 배치되어 상기 배기관에 연통되는 배기홀이 형성되며, 상기 챔버 내부의 폐가스를 상기 배기관으로 안내하는 라이너;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 화학기상 증착장치.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 챔버 내부에 설치되는 샤워헤드를 더 포함하며,
    상기 샤워헤드의 내부에는 상기 샤워헤드의 내부공간을 상기 공정가스 공급부와 연통되도록 하는 공간과, 상기 퍼지가스 공급부 및 상기 세정가스 공급부와 연통되도록 하는 공간으로 분리하는 격벽이 설치되는 것을 특징으로 하는 화학기상 증착장치.
  4. 제1 항에 있어서, 상기 세정가스는
    과산화수소(H2O2) 가스, 수산화암모늄(NH4OH) 가스, 염산(HCl) 가스 중 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 화학기상 증착장치.
  5. 챔버의 내부에서 서셉터에 지지되는 기판으로 공정가스를 분사하여 상기 기판에 결정층을 증착하는 화학기상 증착장치의 세정방법에 있어서,
    상기 서셉터와 상기 챔버의 내측벽의 사이로 세정가스를 공급하여 상기 챔버의 내측벽을 세정하는 화학기상 증착장치의 세정방법.
  6. 제5 항에 있어서, 상기 세정가스는 과산화수소(H2O2) 가스, 수산화암모늄(NH4OH) 가스, 염산(HCl) 가스 중 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 화학기상 증착장치의 세정방법.
  7. 제6 항에 있어서, 상기 세정가스의 공급 이전에
    상기 서셉터와 상기 챔버의 내측벽의 사이로 퍼지가스를 공급하고 상기 챔버 내부를 진공 배기시키는 것을 특징으로 하는 화학기상 증착장치의 세정방법.
  8. 제6 항에 있어서, 상기 세정가스의 공급 이후에
    상기 서셉터와 상기 챔버의 내측벽의 사이로 퍼지가스를 공급하고 상기 챔버 내부를 진공 배기시키는 것을 특징으로 하는 화학기상 증착장치의 세정방법.
KR1020100087148A 2010-09-06 2010-09-06 화학기상 증착장치 및 화학기상 증착장치의 세정방법 KR101232904B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100087148A KR101232904B1 (ko) 2010-09-06 2010-09-06 화학기상 증착장치 및 화학기상 증착장치의 세정방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100087148A KR101232904B1 (ko) 2010-09-06 2010-09-06 화학기상 증착장치 및 화학기상 증착장치의 세정방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20120024305A true KR20120024305A (ko) 2012-03-14
KR101232904B1 KR101232904B1 (ko) 2013-02-13

Family

ID=46131372

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100087148A KR101232904B1 (ko) 2010-09-06 2010-09-06 화학기상 증착장치 및 화학기상 증착장치의 세정방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101232904B1 (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102438781B1 (ko) * 2017-07-17 2022-09-02 삼성디스플레이 주식회사 챔버 세정 장치 및 이를 포함하는 반도체 소자 제조 장비
KR20210006229A (ko) 2019-07-08 2021-01-18 주성엔지니어링(주) 기판 처리 장치의 챔버 클리닝 방법
KR20230043457A (ko) 2021-09-24 2023-03-31 주성엔지니어링(주) 기판 처리 장치의 세정 방법

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100273223B1 (ko) * 1997-08-26 2001-01-15 김영환 저압화학기상증착장치
US20050252449A1 (en) * 2004-05-12 2005-11-17 Nguyen Son T Control of gas flow and delivery to suppress the formation of particles in an MOCVD/ALD system
KR100706810B1 (ko) * 2006-02-07 2007-04-12 삼성전자주식회사 박박 형성 장치의 세정 방법 및 이를 이용한 박막 형성방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR101232904B1 (ko) 2013-02-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8821641B2 (en) Nozzle unit, and apparatus and method for treating substrate with the same
TW201510269A (zh) 氣相成長裝置以及氣相成長方法
US20190035607A1 (en) Substrate processing apparatus
KR101232904B1 (ko) 화학기상 증착장치 및 화학기상 증착장치의 세정방법
KR101363002B1 (ko) 플라즈마를 이용한 기판처리장치 및 기판처리방법
JP2007201357A (ja) 成膜装置及び成膜方法
KR101139696B1 (ko) 화학기상 증착장치
JP5759690B2 (ja) 膜の形成方法、半導体装置の製造方法及び基板処理装置
KR101340615B1 (ko) 화학기상 증착장치
KR101390963B1 (ko) 화학기상 증착용 공정 시스템
KR101139697B1 (ko) 화학기상 증착장치
KR101097160B1 (ko) 화학기상 증착장치
KR20120073881A (ko) 화학기상 증착장치
KR100982985B1 (ko) 화학 기상 증착 장치
KR101281124B1 (ko) 화학기상 증착장치
US20120012049A1 (en) Hvpe chamber
KR101227673B1 (ko) 화학기상 증착장치
KR101226249B1 (ko) 피드 스루 및 이를 이용한 화학기상 증착장치
KR101205425B1 (ko) 질화갈륨계 엘이디 박막성장을 위한 화학기상증착장치
KR20120073782A (ko) 질화갈륨계 엘이디 박막성장을 위한 화학기상증착장치
KR101374300B1 (ko) 배기부재와 이를 이용한 기판 처리 장치 및 방법
KR101391830B1 (ko) 화학기상 증착장치
KR101205426B1 (ko) 질화갈륨계 엘이디 박막성장을 위한 화학기상증착장치 및 방법
TW202301439A (zh) 用於製造功率半導體元件的方法
KR101255646B1 (ko) 화학기상 증착장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee