KR20220008733A - 기판처리장치 - Google Patents

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KR20220008733A
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gas
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함태호
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주식회사 원익아이피에스
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Abstract

본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 복수의 처리공간을 형성하는 공정챔버 내에서 복수의 기판에 대해 기판처리를 수행하는 기판처리장치에 관한 것이다.
본 발명은, 기판(10)을 처리하기 위해 서로 구분된 N개의 처리공간(S)(N은 2 이상의 자연수)을 가지는 기판처리장치로서, 상측이 개방된 개방부가 형성되는 챔버본체(110)와, 상기 챔버본체(110)의 개방부에 결합되는 상부리드(120)를 포함하는 공정챔버(100)와; 상기 상부리드(120)에 설치되며 상기 N개의 처리공간(S)으로 가스를 분사하는 N개의 가스분사부(200)와; 상기 가스분사부(200)에 대향되게 상기 챔버본체(110) 하부영역에 승강 가능하게 설치되며 상면이 기판(10)을 지지하는 기판안착면(302)을 구비하는 N개의 기판지지부(300)와; 상기 N개의 가스분사부(200) 각각의 둘레에 대응되는 상기 상부리드(120) 저면에 착탈 가능하게 설치되어 외부로부터 유입된 분리가스를 상기 챔버본체(110)의 하부영역으로 분사하는 N개의 보조가스분사부(400)를 포함하며, 상기 보조가스분사부(400)는, 상기 가스분사부(200) 각각의 직하방에 상기 처리공간(S)을 형성하도록 상기 상부리드(120) 저면에 상기 가스분사부(200) 보다 하향 돌출되게 설치되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치를 개시한다.

Description

기판처리장치{Substrate Processing Apparatus}
본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 복수의 처리공간을 형성하는 공정챔버 내에서 복수의 기판에 대해 기판처리를 수행하는 기판처리장치에 관한 것이다.
종래 기판처리장치에서 생산성, 공정균일성 등의 다양한 목적으로 하나의 공
정챔버 내에서 복수의 기판에 대한 기판처리가 이루어지는 경우가 있다.
예로서, 이러한 기판처리장치는, 복수의 처리공간들을 형성하며 기판처리를 수행하는 공정챔버와, 공정챔버 상측에 설치되어 처리공간으로 공정가스를 분사하는 복수의 가스분사부들과, 복수의 가스분사부들에 대응되어 공정챔버내에 설치되며, 기판을 지지하는 복수의 기판지지부들과, 공정챔버에 설치되어 복수의 기판지지부들 중 하나의 기판지지부에서 다른 기판지지부로 기판을 이송하는 기판이송부를 포함한다.
이때, 각 처리공간들은 각 기판에 대한 기판처리공정이 수행되는 공정영역을 구성하게 된다.
그런데, 하나의 공정챔버 내에 복수의 처리공간들이 구비되므로, 각 처리공간에 분사되는 공정가스들이 다른 처리공간에 영향을 끼치기 쉽고 결과적으로 처리공간 사이 상호 영향없이 독립적으로 공정을 수행하기 어려운 문제점이 있다.
또한, 종래 기판처리장치의 경우, 서로 공정환경에 영향을 끼쳐 각 처리공간에서의 공정환경 제어가 어려운 문제에 더해, 공정챔버 내부공간 중 각 처리공간을 제외한 나머지 영역(예로서 처리공간들 사이 영역이나 처리공간 하부영역)에 의도하지 않은 파티클(공정부산물)이 증착되거나 공정챔버 클리닝 시 클리닝이 효과적으로 이루어지지 않는 문제점이 있다.
본 발명의 목적은, 상기와 같은 문제점을 인식하여, 복수의 처리공간을 형성하여 복수의 기판들에 대한 기판처리를 수행하는 기판처리장치에서, 각 가스분사부 둘레에 대응되는 상부리드 저면에 탈착 가능하게 설치되어 처리공간 하측으로 분리가스를 분사하는 보조가스분사부를 구비함으로써, 각 처리공간을 서로 구분하면서 동시에 처리공간 하부영역에 분리가스를 공급하여 가스분사부에서 분사된 공정가스가 이웃한 처리공간으로 확산되는 것을 방지하고 공정챔버 하부영역에 파티클이 적층되는 것을 방지할 수 있는 기판처리장치를 제공하는 데 있다.
본 발명은 상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 창출된 것으로서, 기판(10)을 처리하기 위해 서로 구분된 N개의 처리공간(S)(N은 2 이상의 자연수)을 가지는 기판처리장치로서, 상측이 개방된 개방부가 형성되는 챔버본체(110)와, 상기 챔버본체(110)의 개방부에 결합되는 상부리드(120)를 포함하는 공정챔버(100)와; 상기 상부리드(120)에 설치되며 상기 N개의 처리공간(S)으로 가스를 분사하는 N개의 가스분사부(200)와; 상기 가스분사부(200)에 대향되게 상기 챔버본체(110) 하부영역에 승강 가능하게 설치되며 상면이 기판(10)을 지지하는 기판안착면(302)을 구비하는 N개의 기판지지부(300)와; 상기 N개의 가스분사부(200) 각각의 둘레에 대응되는 상기 상부리드(120) 저면에 착탈 가능하게 설치되어 외부로부터 유입된 분리가스를 상기 챔버본체(110)의 하부영역으로 분사하는 N개의 보조가스분사부(400)를 포함하며, 상기 보조가스분사부(400)는, 상기 가스분사부(200) 각각의 직하방에 상기 처리공간(S)을 형성하도록 상기 상부리드(120) 저면에 상기 가스분사부(200) 보다 하향 돌출되게 설치되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치를 개시한다.
상기 챔버본체(110)의 하부영역은, 상기 처리공간(S) 보다 하측에 위치되는 영역일 수 있다.
상기 챔버본체(110)에 설치되며, 상기 보조가스분사부(400) 하부의 기판이송경로를 따라 상기 N개의 기판지지부(300) 중 하나의 기판지지부(300)에서 다른 기판지지부(300)로 기판(10)을 이송하는 기판이송부(600)를 추가로 포함할 수 있다.
상기 보조가스분사부(400)는, 상기 공정챔버(100) 클리닝 시 세정가스를 분사할 수 있다.
상기 보조가스분사부(400)는, 외부 분리가스소스로부터 유입된 상기 분리가스가 확산되는 제2확산공간(VS2)을 형성하며, 확산된 분리가스를 분사하기 위한 다수의 제2가스분사홀(418a)들을 구비하는 가스분사플레이트(418)를 포함할 수 있다.
상기 보조가스분사부(400)는, 상기 상부리드(120) 저면에 탈착가능하게 결합되며, 상기 외부 분리가스소스로부터 유입된 분리가스가 흐르는 하나 이상의 제1유로부(412a)와 상기 제1유로부(412a)와 연통되어 분리가스가 배출되는 하나 이상의 제1배출구(412b)가 형성되는 제1분기플레이트(412)와, 상기 제1분기플레이트(412)와 상기 가스분사플레이트(418) 사이에 설치되어 상기 제1배출구(412b)에서 배출된 분리가스가 확산되는 제1확산공간(VS1)을 형성하며, 상기 제1확산공간(VS1)에서 확산된 분리가스 분사를 위한 다수의 제1가스분사홀(416a)들을 구비하는 확산플레이트(416)를 추가로 포함할 수 있다.
상기 가스분사플레이트(418)는, 상기 다수의 제1가스분사홀(416a)들에서 분사된 분리가스가 상기 제2확산공간(VS2)을 통해 확산되도록 상기 확산플레이트(416) 하측에 결합될 수 있다.
상기 보조가스분사부(400)는, 상기 제1분기플레이트(412)와 상기 확산플레이트(416) 사이에 결합되며, 상기 제1배출구(412b)에서 배출된 분리가스가 흐르는 하나 이상의 제2유로부(414a)와 상기 제2유로부(414a)와 연통되어 분리가스가 배출되는 하나 이상의 제2배출구(414b)가 형성되는 제2분기플레이트(414)를 추가로 포함할 수 있다.
상기 제2배출구(414b)를 통해 배출된 분리가스는 상기 제1확산공간(VS1)에 확산될 수 있다.
상기 보조가스분사부(400)의 내측면 둘레를 따라 설치되는 실드부재(500)를 추가로 포함할 수 있다.
상기 제1유로부(412a)는, 유로형성방향 기준 중앙부를 통해 상기 분리가스소스에 의해 공급되는 분리가스가 유입될 수 있다.
상기 제1배출구(412b)는, 상기 제1유로부(412a)의 양 끝단에 한 쌍으로 구비될 수 있다.
상기 제2유로부(414a)는 한 쌍으로 구비될 수 있다.
상기 제2유로부(414a)는, 길이방향 기준 중앙부에서 상기 제1배출구(412b)와 연통될 수 있다.
상기 제2배출구(414b)는, 상기 제2유로부(414a)의 양 끝단에 한 쌍으로 구비될 수 있다.
상기 처리공간(S) 측을 향하는 상기 가스분사플레이트(418)와 상기 확산플레이트(416) 사이의 결합면(CS)에는 상기 제2확산공간(VS2)와 연통되며 분리가스가 분사되는 다수의 제3유로부(418b)들이 형성될 수 있다.
상기 보조가스분사부(400)의 내측면 둘레를 따라 설치되는 실드부재(500)를 추가로 포함할 수 있다.
상기 실드부재(500)와 상기 가스분사플레이트(418) 사이에는, 상기 제3유로부(418b)에서 나온 분리가스가 처리공간(S) 하측으로 분사될 수 있도록 분리가스의 이동을 유도하는 공간갭(G)이 형성될 수 있다.
본 발명에 따른 기판처리장치는, 각 가스분사부 둘레에 대응되는 상부리드 저면에 탈착 가능하게 설치되어 처리공간 하측으로 분리가스를 분사하는 보조가스분사부를 구비함으로써, 각 처리공간을 서로 구분하면서 동시에 처리공간 하부영역에 분리가스를 공급하여 가스분사부에서 분사된 공정가스가 이웃한 처리공간으로 확산되는 것을 방지하고 공정챔버 하부영역에 파티클이 적층되는 것을 방지할 수 있는 이점이 있다.
특히, 본 발명에 따른 기판처리장치는 N개의 보조가스분사부가 각각 상부리드 저면에 독립적으로 탈착가능하게 설치되므로, 유지보수가 필요한 보조가스분사부 만을 선택적으로 교체하거나 수리하는 것이 가능해 기판처리장치의 유지보수성을 크게 개선할 수 있는 이점이 있다.
도 1은, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치를 보여주는 단면도이다.
도 2는, 도 1의 기판처리장치의 구성일부를 보여주는 평면도이다.
도 3은, 도 1의 A를 확대하여 보여주는 확대도이다.
도 4는, 도 3의 구성일부를 확대하여 보여주는 확대도이다.
도 5는, 도 1의 구성일부를 분해하여 보여주는 분해사시도이다.
도 6은, 도 1의 구성일부를 확대하여 보여주는 확대도이다.
이하 본 발명에 따른 기판처리장치에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.
본 발명에 따른 기판처리장치는, 도 1 내지 도 6에 도시된 바와 같이, 기판(10)을 처리하기 위해 서로 구분된 N개의 처리공간(S)(N은 2 이상의 자연수)을 가지는 기판처리장치로서, 상측이 개방된 개방부가 형성되는 챔버본체(110)와, 상기 챔버본체(110)의 개방부에 결합되는 상부리드(120)를 포함하는 공정챔버(100)와; 상기 상부리드(120)에 설치되며 상기 N개의 처리공간(S)으로 가스를 분사하는 N개의 가스분사부(200)와; 상기 가스분사부(200)에 대향되게 상기 챔버본체(110) 하부영역에 승강 가능하게 설치되며 상면이 기판(10)을 지지하는 기판안착면(302)을 구비하는 N개의 기판지지부(300)와; 상기 N개의 가스분사부(200) 각각의 둘레에 대응되는 상기 상부리드(120) 저면에 착탈 가능하게 설치되어 외부로부터 유입된 분리가스를 상기 챔버본체(110)의 하부영역으로 분사하는 N개의 보조가스분사부(400)를 포함할 수 있다.
본 발명의 처리대상인 기판(10)은, 증착, 식각 등 기판처리가 수행되는 구성으로서, 반도체 제조용기판, LCD 제조용 기판, OLED 제조용 기판, 태양전지 제조용 기판, 투명 글라스기판 등 어떠한 기판도 가능하다.
본 발명에 따른 기판처리장치는, 기판(10)을 처리하기 위해 서로 구분된 N개의 처리공간(S)(N은 2 이상의 자연수)을 가질 수 있다.
그리고 본 발명에 따른 기판처리장치에 의하여 수행되는 기판처리는, 처리공간 내에서 증착, 식각 등 기판처리공정이면 어떠한 공정도 가능하다.
상기 공정챔버(100)는, 기판처리를 위해 서로 구분된 처리공간(S)을 형성하는 구성으로서 다양한 구성이 가능하다.
예로서, 상기 공정챔버(100)는, 상측이 개방된 개방부가 형성되는 챔버본체(110)와, 챔버본체(110)의 개방부에 탈착가능하게 결합되어 챔버본체(110)와 함께 처리공간(S)을 형성하는 상부리드(120)를 포함하여 구성될 수 있다.
또한, 상기 공정챔버(100)는, 복수의 기판에 대한 기판처리를 위하여 서로 다른 N개의 처리공간(S)들(N은 2 이상의 자연수)을 형성함이 바람직하다.
상기 N개의 처리공간(S)들은 공정챔버(100) 내에서 서로 완전히 밀폐된 공간은 아니나 공간적으로 구분(분리)되는 공간일 수 있다.
예로서, 상기 공정챔버(100)는, 평면상 원주방향으로 배치되는 4개의 처리공간(S)을 형성할 수 있다.
이때, 상기 챔버본체(110)에는, 도 1에 도시된 바와 같이, 후술하는 기판지지부(300)가 배치되는 기판지지부 안착홈(112)이 형성될 수 있다.
상기 기판지지대부 안착홈(112)은 챔버본체(110)의 바닥면에 형성될 수 있다.
상기 공정챔버(100) 내에 4개의 기판지지대부(300)가 구비되는 경우, 4개의 기판지지부 안착홈(112)이 각각 형성될 수 있다.
상기 공정챔버(100)의 내부 공간은 일반적으로 진공 분위기로 형성되므로, 상기 챔버본체(110)의 바닥면에는 각 기판지지부 안착홈(112)에 존재하는 공정 가스의 배출을 위한 배기홈부(미도시)와 배기포트(미도시)가 형성될 수 있다.
상기 배기포트(미도시)는 외부에 구비되는 펌프에 연결된 배기 라인과 연결될 수 있다.
상기 챔버본체(110)에는 후술하는 N개의 기판지지부(300)가 상하이동가능하게 설치될 수 있다.
또한, 상기 챔버본체(110)의 바닥면에는 후술하는 기판지지부(300)의 지지샤프트가 삽입되는 관통홀(114)이 각 기판지지부 안착홈(112) 마다 형성될 수 있다.
상기 기판지지부 안착홈(112)과 후술하는 기판지지부(300) 사이에는 틈이 형성되어, 기판 처리가 완료된 공정가스(원료가스, 플라즈마가스, 세정가스 등)가 틈으로 유입되어 배기포트(미도시)를 통해 배기될 수 있다.
그리고 상기 공정챔버(100)는, 기판(10)의 도입 및 배출을 위한 하나 이상의 게이트(미도시)가 형성될 수 있다.
상기 공정챔버(100)는, 기판처리 수행을 위한 전원인가시스템, 처리공간의 압력 제어 및 배기를 위한 배기시스템 등이 연결 또는 설치될 수 있다.
상기 상부리드(120)는, 상기 챔버본체(110)의 개방부에 결합되며 후술하는 N개의 가스분사부(200)가 설치될 수 있다.
상기 N개의 가스분사부(200)들은, 상기 상부리드(120)에 설치되며 상기 N개의 처리공간(S)으로 가스를 분사하는 구성으로 다양한 구성이 가능하다.
상기 N개의 가스분사부(200)들은, 상기 N개의 처리공간(S)에 각각 대응되어 상기 상부리드(120)에 설치되며 상기 처리공간(S)으로 가스를 분사할 수 있다.
또한, 상기 가스분사부(200)는, 처리공간(S)의 개수에 대응되는 수로 설치될 수 있다.
예로서, 상기 가스분사부(200)는, 상부리드(120)에 설치되며 일측에 형성되는 가스유입부(미도시)와, 가스유입부를 통해 유입된 공정가스를 확산시키는 하나 이상의 확산플레이트(미도시)와, 확산된 공정가스를 처리공간(S)을 향해 분사하는 복수의 분사홀(미도시)들을 포함할 수 있다.
상기 N개의 기판지지부(300)는, 상기 가스분사부(200)에 대향되게 상기 챔버본체(110) 하부영역에 승강 가능하게 설치되며 상면이 기판(10)을 지지하는 기판안착면(302)을 구비하는 구성으로 다양한 구성이 가능하다.
상기 기판지지부(300)는, 가스분사부(200) 마다 대응되어 설치되며 가스분사부(200)와 상하로 대향하도록 설치될 수 있다.
예로서, 상기 기판지지부(300)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 상면에 기판(10)을 지지하는 기판안착면(302)이 형성된 지지플레이트(310)와, 지지플레이트(310)의 저면에 결합되고 상하구동부(미도시)에 의해 상하이동 되는 지지샤프트(320)를 포함할 수 있다.
상기 지지플레이트(310)는, 기판(10)의 평면형상에 대응되는 형상의 플레이트로 이루어질 수 있다.
또한, 상기 지지플레이트(310)에는, 기판안착면(302)에 지지된 기판(10)을 가열하기 위한 히터부(미도시)가 내장될 수 있다.
상기 N개의 기판지지부(300)들은, 공정챔버(100)의 중앙부를 중심으로 원주방향을 따라 등간격으로 설치될 수 있다.
상기 기판지지부(300)는, 지지된 기판(10)을 흡착고정하기 위한 진공척 또는 정전척일 수 있으며, 기판이송 시 기판지지면에 지지된 기판(10)을 기판안착면(302)에서 상측으로 들어올려 이격시키는 복수의 리프트핀(미도시)들을 포함할 수 있다.
상기 기판이송부(600)는, 상기 공정챔버(100)에 설치되어 상기 N개의 기판지지부(300) 중 하나의 기판지지부(300)에서 다른 기판지지부(300)로 기판(10)을 이송하는 구성으로 다양한 구성이 가능하다.
예로서, 상기 기판이송부(600)는, 상면에 기판(10)이 안착되는 안착영역이 형성된 하나 이상의 기판안착블레이드(610)와, 기판안착블레이드(610)가 방사형으로 결합되는 결합몸체부(620)와, 결합몸체부(620)에 결합되어 결합몸체부(620)를 지지하며, 지면에 수직한 회전축(C)을 중심으로 회전가능하게 설치되는 회전지지축(630)을 포함할 수 있다.
상기 기판안착블레이드(610)는, 기판지지부(300)의 개수에 대응되어 복수로 구비될 수 있다.
상기 기판안착블레이드(610)는, 기판지지부(300)의 리프트핀(미도시)에 의해 상측으로 들어올려진 기판(10)과 기판안착면(302) 사이로 진입하여 해당 기판(10)을 지지하기 위한 안착영역이 형성될 수 있다.
한편, 상기 기판안착블레이드(610)는, 공정환경에 따라 다양한 재질로 이루어질 수 있으나, 공정환경 노출되는 바 고온에 강하며 내식성 있는 재질로 형성됨이 바람직하다. 예로서, 상기 기판안착블레이드(610)는, 세라믹재질로 이루어지며 세라믹가공에 의해 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 결합몸체부(620)는, 공정챔버(100)의 중앙부에 설치되며 하나 이상의 기판안착블레이드(610)가 평면상 방사형으로 결합되는 구성으로 다양한 구성이 가능하다.
구체적으로, 상기 결합몸체부(620)는, 결합몸체부(620)를 중심으로 평면상 방사형으로 일정 간격으로 배치되는 복수의 기판안착블레이드(610)들과 결합될 수 있다.
상기 회전지지축(630)는, 결합몸체부(620)에 결합되어 결합몸체부(620)를 지지하며, 지면에 수직한 회전축(C)을 중심으로 회전가능하게 설치되는 구성으로 다양한 구성이 가능하다.
상기 회전지지축(630)은, 지면에 수직한 방향을 길이방향으로 하는 샤프트일 수 있다.
이때, 상기 회전지지축(630)는, 결합몸체부(620)과 결합되어 결합몸체부(620)를 지면에 수직한 회전축을 중심으로 회전시킴으로써, 복수의 기판안착블레이드(610)를 하나의 기판지지부(300)에서 다른 기판지지부(300)로 회전이동 시킬 수 있다.
이때, 상기 기판이송부(600)는, 회전지지축(630)을 지면에 수직한 회전축을 중심으로 회전시키는 회전구동부(미도시)를 포함할 수 있다.
그리고, 상기 기판이송부(600)는, 회전지지축(630)을 상하이동 시키는 상하구동부(미도시)를 추가로 포함할 수 있다.
상기 처리공간(S)은 기판처리를 위해 상기 기판지지부(300)가 승강하여 공정위치(P)에 위치됨에 따라 상기 가스분사부(200) 저면과 상기 기판안착면(302) 사이에 형성될 수 있다.
이때, 상기 기판처리장치는, 상기 N개의 가스분사부(200) 각각의 둘레에 대응되는 상기 상부리드(120) 저면에 착탈 가능하게 설치되어 외부로부터 유입된 분리가스를 상기 챔버본체(110)의 하부영역으로 분사하는 N개의 보조가스분사부(400)를 포함할 수 있다.
상기 N개의 보조가스분사부(400)는, 각각 가스분사부(200)의 둘레에 대응되는 상기 상부리드(120)의 저면에 탈착가능하게 결합되어 상기 처리공간(S)의 측방경계(SB)를 형성할 수 있다.
상기 보조가스분사부(400)는, 다른 구성들과 별도로 탈착가능하게 설치되는 구성으로, 상부리드(120)와 독립적으로 구성될 수 있다.
또한, N개의 보조가스분사부(400) 또한 서로 독립적으로 상기 상부리드(120)의 저면에 탈착가능하게 결합될 수 있다.
이를 통해 상기 N개의 보조가스분사부(400)에 대한 유지보수성이 크게 개선될 수 있다.
상기 보조가스분사부(400)는, 상기 가스분사부(200) 각각의 직하방에 상기 처리공간(S)을 형성하도록 상기 상부리드(120) 저면에 상기 가스분사부(200) 보다 하향 돌출되게 설치될 수 있다.
여기서, 상기 챔버본체(110)의 하부영역은, 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 기판지지부(300)가 승강하여 공정위치(P)에 위치되었을 때 상기 처리공간(S) 보다 하측에 위치되는 영역일 수 있다.
예로서, 도 6을 참조하면, 상기 챔버본체(110)의 하부영역은, 상기 기판지지부(300)가 공정위치(P)에 위치되었을 때 처리공간(S) 보다 아래에 위치되는 공정챔버(100) 내부공간일 수 있다.
즉, 상기 챔버본체(110)의 하부영역은, 상기 처리공간(S)의 하측경계인 기판안착면(302, H1) 보다 아래에 위치되는 공간을 의미할 수 있다.
보다 바람직하게는, 상기 챔버본체(110)의 하부영역은, 공정수행 시 처리공간(S) 내의 공정분위기가 유지될 수 있도록, 상기 기판지지부(300)가 승강하여 공정위치(P)에 위치되었을 때 상기 지지플레이트(310)의 저면(H2) 또는 보조가스분사부(400)의 저면(H3, 상기 보조가스분사부(400)의 하측 경계) 보다 아래 위치되는 공정챔버(100) 내부공간일 수 있다.
상기 보조가스분사부(400)는, 상기 N개의 가스분사부(200)에 각각 대응되어 N개의 개수로 구비될 수 있다.
상기 N개의 보조가스분사부(400)는, 각각 평면상 상기 복수의 가스분사부(200)들 둘레에 대응되어 탈착가능하게 설치될 수 있다.
예로서, 본 발명에 따른 기판처리장치는, 도 2에 도시된 바와 같이, 4개의 가스분사부(200)에 각각 대응되도록 설치되는 4개의 보조가스분사부(400a, 400b, 400c, 400d)을 포함할 수 있다.
각 보조가스분사부(400a, 400b, 400c, 400d)은, 각각 서로 독립적으로 탈착가능하게 설치될 수 있다.
상기 보조가스분사부(400)는, 도 2에 도시된 바와 같이, 상부리드(120) 저면에, 평면상 가스분사부(200)의 둘레에 대응되어 설치될 수 있다.
즉, 각 보조가스분사부(400)는 상부리드(120) 저면의 대응되는 가스분사부(200)의 둘레를 둘러쌀 수 있다.
상기 각 보조가스분사부(400)는 미리 설정된 상하방향 두께(D)로 형성될 수 있다.
도 6을 참조하면, 상기 보조가스분사부(400)는, 상기 보조가스분사부(400)의 저면(H3, 상기 보조가스분사부(400)의 하측 경계)이 상기 지지플레이트(310)의 저면(H2) 보다 낮거나 같은 높이에 위치되도록 하향 돌출되게 설치될 수 있다.
이때, 상기 처리공간(S) 각각은, 상기 가스분사부(200), 상기 보조가스분사부(400), 및 상기 지지플레이트(310)(또는 기판안착면(302))에 의해 구획될 수 있다.
특히, 상기 보조가스분사부(400)의 내측면은 상기 처리공간(S)의 측방경계(SB) 둘레를 형성할 수 있다.
상기 보조가스분사부(400)가 상기 가스분사부(200) 보다 하향 돌출되게 설치됨으로써, 상기 가스분사부(200) 각각의 직하방에 처리공간(S)이 형성될 수 있다.
보다 구체적으로, 도 1에 도시된 바와 같이, 기판처리를 위한 공정 시 기판지지부(300)는 미리 설정된 공정위치(P)까지 상승할 수 있고, 상기 처리공간(S)은 기판지지부(300)가 공정위치(P)까지 상승함으로써 다른 영역과 구분될 수 있다.
본 발명에서 처리공간(S)들은 보조가스분사부(400)을 통해 서로 구분(분리)되나, 이때 분리는 처리공간(S)들 사이의 완전한 물리적 차단이 아니며, 보조가스분사부(400)는 미리 설정된 상하방향 두께(D)를 가질 뿐 보조가스분사부(400)이 공정챔버(100) 바닥면까지 연장되는 것이 아니다.
상기 보조가스분사부(400)의 저면(H3, 상기 보조가스분사부(400)의 하측 경계) 보다 아래에 위치되는 공간은 개방된 상태로 유지되며, 이러한 개방된 공간은 상술한 기판이송부(600)가 N개의 기판지지부(300) 중 하나의 기판지지부(300)에서 다른 기판지지부(300)로 기판(10)을 이송하기 위한 기판이송경로를 구성할 수 있다.
즉, 상기 기판이송부(600)(보다 구체적으로는, 기판안착블레이드(610))는, 상기 N개의 기판지지부(300) 중 하나의 기판지지부(300)에서 다른 기판지지부(300)로 기판(10)을 이송하기 위하여, 상기 보조가스분사부(400)의 하부공간을 가로질러 통과하도록 이동가능하게 설치될 수 있다.
한편, 상기 기판처리장치는, 상기 보조가스분사부(400)의 내측면 둘레를 따라 설치되는 실드부재(500)를 추가로 포함할 수 있다.
상기 실드부재(500)는, 처리공간(S)의 가장자리 측면 둘레를 둘러싸는 실드로서 기능할 수 있다면 다양한 재질로 이루어질 수 있다.
또한, 상기 보조가스분사부(400)는, 각 가스분사부(200)로부터 처리공간(S)으로 분사된 공정가스가 이웃한 처리공간(S)으로 확산되는 것을 방지하도록 외부로부터 유입된 분리가스를 상기 챔버본체(110)의 하부영역으로 분사할 수 있다.
상기 보조가스분사부(400)는 챔버본체(110) 하부영역으로 분리가스를 분사함으로써 처리공간(S)으로 분사된 공정가스가 이웃한 처리공간(S)으로 확산되는 것을 방지하는 기능에 더하여, 분리가스를 통해 챔버본체(110)의 하부영역을 퍼지하여 챔버본체(110)의 하부영역 파티클이 쌓이는 것을 방지할 수 있다.
상기 보조가스분사부(400)는 대응되는 처리공간(S)에서 공정분위기(예로서, 처리공간(S) 내에서 공정가스의 농도, 분포 등)에 영향을 주지 않으면서 챔버본체(110) 하부영역으로 분리가스를 분사할 수 있다면 다양한 구성이 가능하다.
여기서, 분리가스는 He, Ar 등의 비활성 가스일 수 있다.
일 실시예에서, 상기 보조가스분사부(400)는, 상기 공정챔버(100) 상측에 설치되어 외부 분리가스소스로부터 유입된 분리가스가 확산되는 제2확산공간(VS2)을 형성하며, 확산된 분리가스를 분사하기 위한 다수의 제2가스분사홀(418a)들을 구비하는 가스분사플레이트(418)를 포함할 수 있다.
상기 가스분사플레이트(418)는, 분리가스소스로부터 유입된 분리가스가 확산되는 제2확산공간(VS2)을 형성하며, 분리가스를 분사하기 위한 다수의 제2가스분사홀(418a)들을 구비하는 구성으로 다양한 구성이 가능하다.
상기 제2확산공간(VS2)은, 공정챔버(100) 상측과 가스분사플레이트(418)의 상면 사이에 형성되는 공간일 수 있다.
상기 제2가스분사홀(418a)은, 제2확산공간(VS2)에서 확산된 분리가스가 가스분사플레이트(418)의 하측으로 분사되는 개구로써, 가스분사플레이트(418)를 상하로 관통하는 관통홀일 수 있다.
상기 제2가스분사홀(418a)의 개수, 크기, 배치간격은 설계에 따라 다양하게 구현될 수 있음은 물론이다.
상기 가스분사플레이트(418)는 볼트부재(409)를 통해 공정챔버(100) 상측에 볼트결합될 수 있다.
더 나아가, 상기 보조가스분사부(400)는, 분리가스가 보다 더 균일하게 확산되도록, 분리가스가 확산되기 전에 분리가스소스로부터 유입된 분리가스를 공간 상 고르게 분기시키기 위한 구성을 추가로 포함할 수 있다.
구체적으로, 상기 보조가스분사부(400)는, 상기 상부리드(120) 저면에 탈착가능하게 결합되며, 외부 분리가스소스로부터 유입된 분리가스가 흐르는 하나 이상의 제1유로부(412a)와 상기 제1유로부(412a)와 연통되어 분리가스가 배출되는 하나 이상의 제1배출구(412b)가 형성되는 제1분기플레이트(412)와, 상기 제1분기플레이트(412) 하측에 결합되며, 상기 제1배출구(412a)에서 배출된 분리가스가 흐르는 하나 이상의 제2유로부(414a)와 상기 제2유로부(414a)와 연통되어 분리가스가 배출되는 하나 이상의 제2배출구(414b)가 형성되는 제2분기플레이트(414)와, 상기 제2분기플레이트(414) 하측에 결합되어 상기 제2배출구(414b)에서 배출된 분리가스가 확산되는 제1확산공간(VS1)을 형성하며, 분리가스 분사를 위한 다수의 제1가스분사홀(416a)들을 구비하는 확산플레이트(416)와, 상기 확산플레이트(416) 하측에 결합되어 상기 다수의 제1가스분사홀(416a)들에서 분사된 분리가스가 확산되는 제2확산공간(VS2)을 형성하며, 분리가스를 분사하기 위한 다수의 제2가스분사홀(418a)들을 구비하는 가스분사플레이트(418)를 포함할 수 있다.
상기 제1분기플레이트(412)는, 외부의 분리가스소스로부터 유입된 분리가스를 수평방향으로 1차 분기시키기 위한 구성으로 다양한 구성이 가능하다.
예로서, 상기 제1분기플레이트(412)에는, 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 공정챔버(100) 상측에 결합되며, 외부 분리가스소스로부터 유입된 분리가스가 흐르는 하나 이상의 제1유로부(412a)와 상기 제1유로부(412a)와 연통되어 분리가스가 배출되는 하나 이상의 제1배출구(412b)가 형성될 수 있다.
상기 제1유로부(412a)는, 외부 분리가스소스로부터 유입된 분리가스가 흐르는 유로로 다양한 폭, 길이, 및 형상으로 이루어질 수 있다.
상기 제1유로부(412a)는, 도 5에 도시된 바와 같이, 평면 상 가스분사부(200)의 둘레방향(원주방향)을 따라 형성될 수 있다.
또한, 균일한 가스분배를 위해, 평면 상 가스분사부(200)의 중심(CT, 평면 상 처리공간(S)의 중심과 일치)과 제1유로부(412a)의 양 끝단을 각각 연결한 두 개의 직선은 180°를 이룰 수 있다. (평면 상 가스분사부(200)의 중심, 제1유로부(412a)의 양 끝단은 동일 직선상 존재)
도 5의 경우, 제1분기플레이트(412)가 하나의 제1유로부(412a)를 구비하는 실시예를 도시하였으나 2개 이상의 제1유로부(412a)를 포함하는 실시예도 가능함은 물론이다.
또한, 상기 제1유로부(412a)는, 유로형성방향 기준 중앙부(C1)를 통해 상기 분리가스소스에 의해 공급되는 분리가스가 유입될 수 있다.
이때, 상기 제1분기플레이트(412)의 상면에는 제1유로부(412a)의 중앙부(C1) 및 외부 분리가스소스와 연통되는 가스공급유로(412c)가 형성될 수 있다.
즉, 상기 제1유로부(412a)는, 상기 중앙부(C1)에서 외부 분리가스소스와 연통될 수 있다.
한편, 상기 제1유로부(412a)는 제1분기플레이트(412) 내부에 형성되거나 또는 도 5에 도시된 바와 같이 제1분기플레이트(412)의 상면에 홈(그루브)가 음각되어 형성될 수 있다.
상기 제1분기플레이트(412)의 상면에 홈(그루브)가 음각되는 경우, 제1분기플레이트(412)가 공정챔버(100) 상측면에 결합됨으로써 공정챔버(100) 상측면과 제1분기플레이트(412)가 함께 제1유로부(412a)를 형성할 수 있다.
상기 제1배출구(412b)는 제1유로부(412a)를 통해 분기된 분리가스가 제1분기플레이트(412)의 하측으로 배출되는 개구로서 제1분기플레이트(412)를 관통하는 관통홀일 수 있다.
상기 제1배출구(412b)는, 제1유로부(412a)의 형성라인에 하나 이상의 개수로 구비될 수 있으며 바람직하게는 제1유로부(412a)의 양 끝단에 한 쌍으로 구비될 수 있다.
상기 제2분기플레이트(414)는, 제1분기플레이트(412)에서 제1유로부(412a)를 통해 1차분기된 분리가스를 다시 수평방향으로 2차 분기시키기 위한 구성으로 다양한 구성이 가능하다.
예로서, 상기 제2분기플레이트(414)에는, 상기 제1분기플레이트(412) 하측에 결합되며, 상기 제1배출구(412b)에서 배출된 분리가스가 흐르는 하나 이상의 제2유로부(414a)와 상기 제2유로부(414a)와 연통되어 분리가스가 배출되는 하나 이상의 제2배출구(414b)가 형성될 수 있다.
상기 제2유로부(414a)는, 제1배출구(412b)와 연통되어 제1배출구(412b)에서 하측으로 배출된 분리가스가 흐르는 유로로 다양한 폭, 길이, 및 형상으로 이루어질 수 있다.
상기 제2유로부(414a)는, 도 5에 도시된 바와 같이, 하나 이상의 개수로 구비되며 평면 상 가스분사부(200)의 둘레방향(원주방향)을 따라 형성될 수 있다.
이때, 상기 제2유로부(414a)는, 한 쌍으로 구비될 수 있다.
또한, 균일한 가스분배를 위해, 평면 상 가스분사부(200)의 중심(평면 상 처리공간(S)의 중심과 일치)과 제2유로부(414a)의 양 끝단을 각각 연결한 두 개의 직선은 90°를 이룰 수 있다.
또한, 상기 제2유로부(414a)는, 유로형성방향 기준 중앙부(C2)를 통해 제1배출구(412b)와 연통되어 제1배출구(412b)를 통해 배출되는 분리가스가 유입될 수 있다.
이때, 상기 제2분기플레이트(414)의 제2유로부(414a)의 중앙부(C2) 상측에 제1배출구(412b)가 위치될 수 있다.
즉, 상기 제2유로부(414a)는, 상기 중앙부(C2)에서 제1분기플레이트(412)의 제1배출구(412b)와 연통될 수 있다.
한편, 상기 제2유로부(414a)는 제2분기플레이트(414) 내부에 형성되거나 또는 도 3에 도시된 바와 같이 제2분기플레이트(414)의 상면에 홈(그루브)가 음각되어 형성될 수 있다.
상기 제2분사플레이트(414)의 상면에 홈(그루브)가 음각되는 경우, 제2분기플레이트(412)가 제1분기플레이트(412)의 하측면에 결합됨으로써 제2분기플레이트(414)의 상측면과 제2분기플레이트(412)의 하측면이 함께 제2유로부(414a)를 형성할 수 있다.
상기 제2배출구(414b)는 제2유로부(414a)를 통해 분기된 분리가스가 제2분기플레이트(414)의 하측으로 배출되는 개구로서 제2분기플레이트(414)를 관통하는 관통홀일 수 있다.
상기 제2배출구(412b)는, 제2유로부(414a)의 형성라인에 하나 이상의 개수로 구비될 수 있으며 바람직하게는 제2유로부(414a)의 양 끝단에 한 쌍으로 구비될 수 있다.
상기 제2배출구(414b)는, 상기 제2유로부(414a)의 양 끝단에 한 쌍으로 구비됨으로써, 제2분기플레이트(414)의 4개의 제2배출구(414b)가 평면 상 가스분사부(200)를 중심으로 둘레를 따라 등각으로 배치될 수 있다.
결과적으로, 제1분기플레이트(412)의 일지점(가스공급유로(412c))를 통해 보조가스분사부(400)로 유입된 분리가스는 제2분기플레이트(414)를 거치며 가스분사부(200)를 중심으로 등간격으로 배치된 4개의 제2배출구(414b)로 분기될 수 있다.
상기 확산플레이트(416)는, 제2분기플레이트(414)를 통해 분기된 분리가스를 보조가스분사부(400) 내부 공간에서 확산시키기 위한 구성으로 다양한 구성이 가능하다.
예로서, 상기 확산플레이트(416)는, 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 제2분기플레이트(414) 하측에 결합되어 상기 제2배출구(414b)에서 배출된 분리가스가 확산되는 제1확산공간(VS1)을 형성하며, 분리가스 분사를 위한 다수의 제1가스분사홀(416a)들을 구비할 수 있다.
상기 제1확산공간(VS1)은, 확산플레이트(416)의 상면과 제2분기플레이트(414)의 저면 사이에 형성되는 공간일 수 있다.
상기 제1확산공간(VS1)은 제2분기플레이트(414)의 제2배출구(414b)와 연통되어 제2배출구(414b)에서 배출된 분리가스가 확산되는 공간으로 다양한 형상 및 크기로 형성될 수 있다.
이를 위해, 상기 확산플레이트(416)의 상면 및 상기 제2분기플레이트(414)의 저면 중 적어도 하나에는, 도 3에 도시된 바와 같이, 제1확산공간(VS1)을 형성하기 위해 다양한 형상 및 크기로 형성되는 함몰부(R)가 구비될 수 있다.
상기 제1가스분사홀(416a)은, 제1확산공간(VS1)에서 확산된 분리가스가 확산플레이트(416)의 하측으로 분사되는 개구로써, 확산플레이트(416)를 상하로 관통하는 관통홀일 수 있다.
상기 제1가스분사홀(416a)의 개수, 크기, 배치간격은 설계에 따라 다양하게 구현될 수 있음은 물론이다.
한편, 상기 확산플레이트(416)는 공정챔버(100) 상측에 결합되기 위하여 양 측면 날개가 상측으로 연장되는 한 쌍의 결합날개부(416b)를 포함할 수 있다.
상기 한 쌍의 결합날개부(416b) 사이 공간에는 상술한 제1분기플레이트(412) 및 제2분기플레이트(414)가 순차적으로 설치될 수 있다.
상기 가스분사플레이트(418)는, 제1가스분사홀(416a)에서 분사된 분리가스를 보조가스분사부(400) 내부에서 다시 확산시킨 후 최종적으로 보조가스분사부(400) 외부로 분사하기 위한 구성으로 다양한 구성이 가능하다.
예로서, 상기 가스분사플레이트(418)는, 상기 확산플레이트(416) 하측에 결합되어 상기 다수의 제1가스분사홀(416a)들에서 분사된 분리가스가 확산되는 제2확산공간(VS2)을 형성하며, 분리가스를 분사하기 위한 다수의 제2가스분사홀(418a)들을 구비할 수 있다.
상기 제2확산공간(VS2)은, 확산플레이트(416)의 저면과 가스분사플레이트(418)의 상면 사이에 형성되는 공간일 수 있다.
상기 제2확산공간(VS2)은 확산플레이트(416)의 제1가스분사홀(416a)들과 연통되어 제1가스분사홀(416a)들에서 배출된 분리가스가 2차 확산되는 공간으로 다양한 형상 및 크기로 형성될 수 있다.
이를 위해, 상기 가스분사플레이트(418)의 상면 및 상기 확산플레이트(416)의 저면 중 적어도 하나에는, 도 3에 도시된 바와 같이, 제2확산공간(VS2)을 형성하기 위해 다양한 형상 및 크기로 형성되는 함몰부(R)가 구비될 수 있다.
상기 가스분사플레이트(418)는 확산플레이트(416)와 볼트부재(409)를 통해 볼트결합될 수 있다.
한편, 상기 보조가스분사부(400)는, 상술한 제1분기플레이트(412), 제2분기플레이트(414), 확산플레이트(416), 및 가스분사플레이트(418)가 각각 서로 볼트등의 결합부재를 통해 탈착가능하게 결합될 수 있으며, 상술한 제1분기플레이트(412), 제2분기플레이트(414), 확산플레이트(416), 및 가스분사플레이트(418) 중 제2분기플레이트(414)가 생략된 구조도 가능함은 물론이다.
이때, 제1분기플레이트(412)를 통해 분리가스소스로 유입된 분리가스는 제1분기플레이트(412)에서 1번 분기된 후 확산플레이트(416)에서 확산되고 가스분사플레이트(418)를 통해 처리공간(S) 하측으로 분사될 수 있다.
이때, 상기 확산플레이트(416)는, 제1분기플레이트(412)와 가스분사플레이트(418) 사이에 설치되고, 제1확산공간(VS)은 제1분기플레이트(412)와 확산플레이트(416) 사이에 형성될 수 있다.
또한, 상기 가스분사플레이트(418)는, 상기 다수의 제1가스분사홀(416a)들에서 분사된 분리가스가 상기 제2확산공간(VS2)을 통해 확산되도록 상기 확산플레이트(416) 하측에 결합될 수 있다.
한편, 상술한 실드부재(500)는, 가스분사플레이트(418)가 처리공간(S)에 노출되지 않도록 가스분사플레이트(418)의 저면까지 연장형성될 수 있다.
이때, 상기 실드부재(500)와 가스분사플레이트(418) 사이에는 분리가스가 유동할 수 있는 틈(G)이 형성될 수 있다.
상기 가스분사플레이트(418)는 가스분사플레이트(418)와 실드부재(500) 사이에 형성되는 틈으로 분리가스가 분사되도록 구성될 수 있다.
예로서, 도 4에 도시된 바와 같이, 처리공간(S) 측을 향하는 가스분사플레이트(418)와 확산플레이트(416) 사이의 결합면(CS)에는 제2확산공간(VS2)와 연통되는 다수의 제3유로부(418b)들이 형성될 수 있다.
상기 제3유로부(418b)들은 가스분사플레이트(418)와 확산플레이트(416) 사이의 결합면(CS) 둘레를 따라 구비될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 가스분사플레이트(418)의 결합면(CS)에 제2확산공간(VS2)과 연통되며 처리공간(S)을 향하는 홈(그루브)가 음각될 수 있으며 상기 가스분사플레이트(418)가 확산플레이트(416)의 저면에 결합됨으로써 결합면(CS)에 제3유로부(418b)가 형성될 수 있다.
한편, 상기 실드부재(500)와 상기 가스분사플레이트(418) 사이에는, 상기 제3유로부(418b)에서 나온 분리가스가 처리공간(S) 하측으로 분사될 수 있도록 분리가스의 이동을 유도하는 공간갭(G)이 형성될 수 있다.
상기 제3유로부(418)를 통과해 분사된 분리가스는 실드부재(500)에 막혀 가스분사플레이트(418)와 실드부재(500) 사이 공간갭(G)을 통해 처리공간(S) 하측으로 분사될 수 있다.
상기 제2가스분사홀(418a) 및 제3유로부(418b)를 통해 보조가스분사부(400) 외부로 분사되는 분리가스는 처리공간(S) 내의 공정분위기에 영향을 주지 않으면서 챔버본체(110) 하부영역을 퍼지하여 챔버본체(110) 하부영역 및 공정챔버(100) 벽에 파티클이 적층되는 것을 효과적으로 방지할 수 있고, 그에 따라 공정챔버(100)의 유지보수 주기를 증가시키며 공정챔버(100)의 유지보수를 보다 용이하게 할 수 있는 이점이 있다.
한편, 상술한 보조가스분사부(400)를 통해 분리가스가 처리공간(S) 하측으로 분사되는 예를 중심으로 설명하였으나, 보조가스분사부(400)를 통해 세정을 위한 세정가스가 분사되는 것도 가능함은 물론이다.
즉, 본 발명은 처리공간(S)에서의 기판처리공정 시 보조가스분사부(400)를 통해서 불활성가스를 포함하는 분리가스를 분사하여 처리공간(S) 이외의 공간(데드볼륨)에 파티클이 적층되는 것을 방지하고, 공정챔버(100) 클리닝 시에는 불활성가스를 포함하는 분리가스에 더해 세정가스(ex: NH3)를 함께 분사할 수 있다.
보조가스분사부(400)를 통해 분사되는 세정가스를 통해 공정수행 중에 증착된 파티클이 제거될 수 있다.
이상은 본 발명에 의해 구현될 수 있는 바람직한 실시예의 일부에 관하여 설명한 것에 불과하므로, 주지된 바와 같이 본 발명의 범위는 위의 실시예에 한정되어 해석되어서는 안 될 것이며, 위에서 설명된 본 발명의 기술적 사상과 그 근본을 함께하는 기술적 사상은 모두 본 발명의 범위에 포함된다고 할 것이다.
10: 기판 100: 공정챔버
200: 가스분사부 300: 기판지지부
400: 보조가스분사부

Claims (14)

  1. 기판(10)을 처리하기 위해 서로 구분된 N개의 처리공간(S)(N은 2 이상의 자연수)을 가지는 기판처리장치로서,
    상측이 개방된 개방부가 형성되는 챔버본체(110)와, 상기 챔버본체(110)의 개방부에 결합되는 상부리드(120)를 포함하는 공정챔버(100)와;
    상기 상부리드(120)에 설치되며 상기 N개의 처리공간(S)으로 가스를 분사하는 N개의 가스분사부(200)와;
    상기 가스분사부(200)에 대향되게 상기 챔버본체(110) 하부영역에 승강 가능하게 설치되며 상면이 기판(10)을 지지하는 기판안착면(302)을 구비하는 N개의 기판지지부(300)와;
    상기 N개의 가스분사부(200) 각각의 둘레에 대응되는 상기 상부리드(120) 저면에 착탈 가능하게 설치되어 외부로부터 유입된 분리가스를 상기 챔버본체(110)의 하부영역으로 분사하는 N개의 보조가스분사부(400)를 포함하며,
    상기 보조가스분사부(400)는, 상기 가스분사부(200) 각각의 직하방에 상기 처리공간(S)을 형성하도록 상기 상부리드(120) 저면에 상기 가스분사부(200) 보다 하향 돌출되게 설치되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 챔버본체(110)의 하부영역은, 상기 처리공간(S) 보다 하측에 위치되는 영역인 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 챔버본체(110)에 설치되며, 상기 보조가스분사부(400) 하부의 기판이송경로를 따라 상기 N개의 기판지지부(300) 중 하나의 기판지지부(300)에서 다른 기판지지부(300)로 기판(10)을 이송하는 기판이송부(600)를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 보조가스분사부(400)는, 상기 공정챔버(100) 클리닝 시 세정가스를 분사하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 보조가스분사부(400)는, 외부 분리가스소스로부터 유입된 상기 분리가스가 확산되는 제2확산공간(VS2)을 형성하며, 확산된 분리가스를 분사하기 위한 다수의 제2가스분사홀(418a)들을 구비하는 가스분사플레이트(418)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 보조가스분사부(400)는,
    상기 상부리드(120) 저면에 탈착가능하게 결합되며, 상기 외부 분리가스소스로부터 유입된 분리가스가 흐르는 하나 이상의 제1유로부(412a)와 상기 제1유로부(412a)와 연통되어 분리가스가 배출되는 하나 이상의 제1배출구(412b)가 형성되는 제1분기플레이트(412)와,
    상기 제1분기플레이트(412)와 상기 가스분사플레이트(418) 사이에 설치되어 상기 제1배출구(412b)에서 배출된 분리가스가 확산되는 제1확산공간(VS1)을 형성하며, 상기 제1확산공간(VS1)에서 확산된 분리가스 분사를 위한 다수의 제1가스분사홀(416a)들을 구비하는 확산플레이트(416)를 추가로 포함하며,
    상기 가스분사플레이트(418)는, 상기 다수의 제1가스분사홀(416a)들에서 분사된 분리가스가 상기 제2확산공간(VS2)을 통해 확산되도록 상기 확산플레이트(416) 하측에 결합되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  7. 청구항 6에 있어서,
    상기 보조가스분사부(400)는,
    상기 제1분기플레이트(412)와 상기 확산플레이트(416) 사이에 결합되며, 상기 제1배출구(412b)에서 배출된 분리가스가 흐르는 하나 이상의 제2유로부(414a)와 상기 제2유로부(414a)와 연통되어 분리가스가 배출되는 하나 이상의 제2배출구(414b)가 형성되는 제2분기플레이트(414)를 추가로 포함하며,
    상기 제2배출구(414b)를 통해 배출된 분리가스는 상기 제1확산공간(VS1)에 확산되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  8. 청구항 5에 있어서,
    상기 보조가스분사부(400)의 내측면 둘레를 따라 설치되는 실드부재(500)를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  9. 청구항 6에 있어서,
    상기 제1유로부(412a)는, 유로형성방향 기준 중앙부를 통해 상기 분리가스소스에 의해 공급되는 분리가스가 유입되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  10. 청구항 9에 있어서,
    상기 제1배출구(412b)는, 상기 제1유로부(412a)의 양 끝단에 한 쌍으로 구비되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  11. 청구항 7에 있어서,
    상기 제2유로부(414a)는 한 쌍으로 구비되며,
    상기 제2유로부(414a)는, 길이방향 기준 중앙부에서 상기 제1배출구(412b)와 연통되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  12. 청구항 11에 있어서,
    상기 제2배출구(414b)는, 상기 제2유로부(414a)의 양 끝단에 한 쌍으로 구비되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  13. 청구항 6에 있어서,
    상기 처리공간(S) 측을 향하는 상기 가스분사플레이트(418)와 상기 확산플레이트(416) 사이의 결합면(CS)에는 상기 제2확산공간(VS2)와 연통되며 분리가스가 분사되는 다수의 제3유로부(418b)들이 형성되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  14. 청구항 13에 있어서,
    상기 보조가스분사부(400)의 내측면 둘레를 따라 설치되는 실드부재(500)를 추가로 포함하며,
    상기 실드부재(500)와 상기 가스분사플레이트(418) 사이에는, 상기 제3유로부(418b)에서 나온 분리가스가 처리공간(S) 하측으로 분사될 수 있도록 분리가스의 이동을 유도하는 공간갭(G)이 형성되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
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