KR20210011270A - 기판처리장치 - Google Patents

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KR20210011270A
KR20210011270A KR1020190088507A KR20190088507A KR20210011270A KR 20210011270 A KR20210011270 A KR 20210011270A KR 1020190088507 A KR1020190088507 A KR 1020190088507A KR 20190088507 A KR20190088507 A KR 20190088507A KR 20210011270 A KR20210011270 A KR 20210011270A
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Abstract

본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 기판 상에 증착, 식각 등의 기판처리를 수행하는 기판처리장치에 관한 것이다.
본 발명은, 밀폐된 처리공간(S)을 형성하며 기판처리를 수행하는 공정챔버(100)와; 상기 공정챔버(100)에 설치되어 기판(10)을 지지하는 기판지지부(200)와; 상기 공정챔버(100) 상측에 설치되어 상기 처리공간(S)으로 공정가스를 분사하는 가스분사부(300)와; 상기 공정챔버(100) 내에 거치되며 기판처리 시 기판(10) 상면 가장자리 둘레에 안착되는 쉐도우프레임(400)을 포함하며, 상기 쉐도우프레임(400)의 가장자리 둘레에는 상기 공정가스가 통과되기 위한 복수의 개구부(402)들이 형성되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치를 개시한다.

Description

기판처리장치 {Substrate processing apparatus}
본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 기판 상에 증착, 식각 등의 기판처리를 수행하는 기판처리장치에 관한 것이다.
일반적으로, 액정표시장치, 태양전지 등의 제품을 제조함에 있어서는 유리 기판 등의 피처리 기판 상에 여러 종류의 박막을 증착하는 공정과 증착된 박막을 패터닝하는 공정 등의 다양한 제조 공정을 거쳐야 하며, 이러한 공정들은 해당 공정의 진행에 최적의 조건을 제공하는 기판처리장치에서 이루어진다.
특히, 피처리 기판 상에 박막을 형성하는 공정은 플라즈마를 이용한 화학기상증착(Camical Vapor Deposition: CVD) 장치를 통해 주로 이루어진다.
통상적으로, CVD 장치는, 도 1에 도시된 바와 같이, 반응 공간을 제공하는 공정챔버(100), 공정챔버(100) 내부에 형성되어 피처리 기판(10)을 지지 및 가열하기 위한 기판지지부(200), 기판지지부(200)의 상부에 설치되어 피처리 기판(10)을 향해 공정가스를 분사하는 가스분사부(300), 및 기판지지부(200)와 가스분사부(300) 사이에 위치되어 피처리 기판(10)의 가장자리에 박막이 증착되는 것을 방지하는 쉐도우프레임(400)을 포함할 수 있다.
이때, 마스크(20)를 이용한 기판처리가 필요한 경우, 쉐도우프레임(400)은 마스크(20)의 상면에 안착되어 마스크(20)의 가장자리에 증착 또한 방지할 수 있다.
그런데, 종래 기판처리장치의 경우, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 가스분사부(300)에서 분사된 가스가 쉐도우프레임(400)의 외측부와 공정챔버(100) 내벽 사이의 공간(G)을 통해 공정챔버(100) 하측의 배기구(109)로 배기되는 구조를 가짐에 따라, 배기구(109)의 형상이나 위치에 따라 기판지지부(200)와 가스분사부(300) 사이에서 공정가스의 흐름이 변경되고 기판(10)의 상면 영역에 따라 공정가스가 체류하는 시간에 편차가 생겨 기판처리의 균일도가 떨어지는 문제점이 있다.
본 발명의 목적은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 공정챔버 내의 배기를 위한 배기구의 형상이나 위치에 관계 없이 기판 상면에서 공정가스의 흐름을 균일하게 하고 기판 상면에 공정가스가 체류하는 시간을 일정하게 하여 기판에 대한 기판처리의 균일도를 향상시킬 수 있는 기판처리장치를 제공하는 데 있다.
본 발명은 상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 창출된 것으로서, 밀폐된 처리공간(S)을 형성하며 기판처리를 수행하는 공정챔버(100)와; 상기 공정챔버(100)에 설치되어 기판(10)을 지지하는 기판지지부(200)와; 상기 공정챔버(100) 상측에 설치되어 상기 처리공간(S)으로 공정가스를 분사하는 가스분사부(300)와; 상기 공정챔버(100) 내에 거치되며 기판처리 시 기판(10) 상면 가장자리 둘레에 안착되는 쉐도우프레임(400)을 포함하며, 상기 쉐도우프레임(400)의 가장자리 둘레에는 상기 공정가스가 통과되기 위한 복수의 개구부(402)들이 형성되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치를 개시한다.
상기 쉐도우프레임(400)은, 상기 기판(10) 상면에 안착 시 상기 기판(10)의 가장자리보다 외측으로 연장되는 연장영역(E)이 둘레를 따라 형성될 수 있다.
상기 복수의 개구부(402)들은 상기 연장영역(E)에 형성될 수 있다.
상기 공정챔버(100) 에는 상기 처리공간(S)의 배기를 위한 하나 이상의 배기구(109)가 형성될 수 있다.
상기 복수의 개구부(402)들은, 상기 배기구(109)에서 멀어질수록 크기가 커질 수 있다.
상기 복수의 개구부(402)들은, 각각 동일한 크기로 형성되며, 상기 배기구(109)에서 멀어질수록 조밀하게 배치될 수 있다.
상기 복수의 개구부(402)들은, 상기 쉐도우프레임(400) 상 영역에 따라 서로 다른 형상으로 형성될 수 있다.
상기 개구부(402)는, 상기 개구부(402)를 통과한 공정가스가 상기 배기구(109)를 향하도록 내주면에 경사가 형성될 수 있다.
상기 연장영역(E)의 폭은 상기 쉐도우프레임(400)과 상기 공정챔버(100)의 내측벽 사이의 간격(G)보다 길 수 있다.
상기 쉐도우프레임(400)은, 상기 복수의 개구부(402)를 통과한 공정가스가 상기 쉐도우프레임(400)과 상기 기판지지부(200) 사이로 침투되는 것을 방지하기 위해 상기 쉐도우프레임(400)의 저면에서 하방으로 연장형성되는 스커트부(410)를 포함할 수 있다.
다른 측면에서, 본 발명은 밀폐된 처리공간(S)을 형성하며 마스크(20)를 이용하여 기판처리를 수행하는 공정챔버(100)와; 상기 공정챔버(100)에 설치되어 기판(10)을 지지하는 기판지지부(200)와; 상기 공정챔버(100) 상측에 설치되어 상기 처리공간(S)으로 공정가스를 분사하는 가스분사부(300)와; 상기 공정챔버(100) 내에 거치되며 기판처리 시 상기 마스크(20) 상면 가장자리 둘레에 안착되는 쉐도우프레임(400)을 포함하며, 상기 쉐도우프레임(400)의 가장자리 둘레에는 상기 공정가스가 통과되기 위한 복수의 개구부(402)들이 형성될 수 있다.
상기 쉐도우프레임(400)은, 상기 마스크(20) 상면에 안착 시 상기 마스크(20)의 가장자리보다 외측으로 연장되는 연장영역(E)이 둘레를 따라 형성되며, 상기 복수의 개구부(402)들은 상기 연장영역(E)에 형성될 수 있다.
본 발명에 따른 기판처리장치는, 공정챔버 내의 배기를 위한 배기구의 형상이나 위치에 관계 없이 기판 상면에서 공정가스의 흐름을 균일하게 하고 기판 상면에 공정가스가 체류하는 시간을 일정하게 하여 기판에 대한 기판처리의 균일도를 향상시킬 수 있는 이점이 있다.
보다 구체적으로, 본 발명에 다른 기판처리장치는, 마스크 또는 기판 가장자리의 증착을 방지하기 위한 쉐도우프레임에 복수의 개구부들을 형성함으로써, 쉐도우프레임을 공정가스의 배기를 위한 배플로 활용하여 처리대상이 되는 기판 상에 공정가스의 흐름을 균일하게 형성하고 기판 상면에 공정가스가 체류하는 시간을 일정하게 하여 기판에 대한 기판처리의 균일도를 향상시킬 수 있는 이점이 있다.
도 1은, 종래 기판처리장치를 보여주는 단면도이다.
도 2는, 도 1의 A-A방향 단면도이다.
도 3a은, 본 발명에 따른 기판처리장치의 쉐도우프레임 일 실시예를 보여주는 평면도이다.
도 3b는, 본 발명에 따른 기판처리장치의 쉐도우프레임 다른 일 실시예를 보여주는 평면도이다.
도 4는, 도 3a 내지 도 3b에 따른 쉐도우프레임을 포함하는 기판처리장치의 일부를 보여주는 단면도이다.
도 5는, 다른 실시예에 따른 기판처리장치를 보여주는 단면도이다.
이하 본 발명에 따른 기판처리장치에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.
본 발명에 따른 기판처리장치는, 도 2 내지 도 5에 도시된 바와 같이, 밀폐된 처리공간(S)을 형성하며 기판처리를 수행하는 공정챔버(100)와, 공정챔버(100)에 설치되어 기판(10)을 지지하는 기판지지부(200)와; 공정챔버(100) 상측에 설치되어 처리공간(S)으로 공정가스를 분사하는 가스분사부(300)와; 상기 공정챔버(100) 내에 거치되는 쉐도우프레임(400)을 포함할 수 있다.
여기서 처리대상인 기판(10)은, 증착, 식각 등 기판처리를 수행하는 기판으로서, LCD 제조용 기판, OLED 제조용 기판, 태양전지 제조용 기판 등 평면형상이 직사각형 형상을 가지는 기판이면 어떠한 기판도 가능하다.
그리고 본 발명에 따른 기판처리장치에 의하여 수행되는 기판처리는, 밀폐된 처리공간(S) 내에서 증착, 식각 등 기판처리를 수행하는 기판처리공정이면 PECVD 공정, 증발증착공정 등 어떠한 공정도 가능하다.
한편, 상기 기판처리는, 기판(10) 상에 마스크(20)를 안착한 상태로 수행될 수 있다.
이때, 상기 마스크(20)는, 설정된 패턴으로 증착, 식각 등의 기판처리의 수행을 위하여 미리 설정된 패턴의 개구가 하나 이상 형성되는 등 다양한 구성이 가능하다.
예로서, 상기 마스크(20)는, 도 5에 도시된 바와 같이, 공정가스가 통과되기 위한 하나 이상의 개구가 형성되는 마스크시트와, 마스크시트의 가장자리를 지지하는 마스크프레임을 포함할 수 있다.
상기 마스크(20)는 기판(10) 상측에 지지된 상태로 수평방향위치가 얼라인될 수 있으며 수평위치 얼라인 후 기판(10) 상에 안착될 수 있다.
상기 공정챔버(100)는, 기판처리를 위한 밀폐된 처리공간(S)를 형성하는 구성으로서 다양한 구성이 가능하다.
예로서, 상기 공정챔버(100)는, 상측에 개구가 형성된 챔버본체(110)와, 챔버본체(110)의 개구에 탈착가능하게 결합되어 챔버본체(110)와 함께 밀폐된 처리공간(S)을 형성하는 상부리드(120)를 포함하여 구성될 수 있다.
그리고 상기 공정챔버(100)는, 측면에 형성된 기판(10)의 도입 및 배출을 위한 하나 이상의 게이트(111)가 형성될 수 있다.
또한, 상기 공정챔버(100)는, 수행되는 기판처리의 종류에 따라서 다양한 구성이 가능하며, 기판(10) 지지를 위한 기판지지부(200), 기판처리의 수행을 위한 처리가스를 공급하는 가스공급부(300), 기판처리 수행을 위한 전원인가시스템, 처리공간(S)의 압력 제어 및 배기를 위한 배기시스템 등이 연결 또는 설치될 수 있다.
또한, 도시하지는 않았으나, 상기 공정챔버(100)의 하측에는, 기판지지부(200)의 상하이동, 기판(10)의 상하이동을 위한 구성, 마스크(20) 지지를 위한 구성, 또는 기판(10)과 마스크(20)의 얼라인을 위한 얼라인부(미도시)와 같은 부대설비가 설치될 수 있다.
한편, 상기 공정챔버(100)에는 처리공간(S)의 배기를 위한 하나 이상의 배기구(109)가 형성될 수 있다.
상기 배기구(109)는, 상술한 공정챔버(100)의 부대설비의 설치공간과 간섭되지 않아야 하는바 설치위치나 설치개수에 제약이 있으며, 그에 따라 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이 공정챔버(100)의 중앙부에 위치되지 못하고 공정챔버(100)의 일측에 치우쳐 형성될 수 있다.
상기 기판지지부(200)는, 공정챔버(100) 내로 도입된 기판(10)이 상면에 안착되어 기판(10)을 지지하는 구성으로 다양한 구성이 가능하다.
상기 기판지지부(200)에는, 기판(10) 가열을 위한 히터가 내장될 수 있고, 기판처리를 위한 플라즈마 형성을 위하여 전원이 인가되거나 또는 접지될 수 있다.
또한, 상기 기판지지부(200)에는 기판(10)의 상대 상하이동을 위한 리프트핀(미도시)이 설치될 수 있고, 기판지지부(200)는 기판지지부(200)의 상하이동을 위한 상하구동부와 결합될 수 있다.
상기 가스분사부(300)는, 공정챔버(100) 상측에 설치되어 처리공간(S)으로 공정가스를 분사하는 구성으로 다양한 구성이 가능하다.
예로서, 상기 가스분사부(300)는, 상부리드(120)에 상부리드(120)와 절연된 상태로 설치될 수 있으며, 외부에서 공급받은 공정가스를 분사하는 복수의 가스분사구(미도시)들이 형성되는 분사플레이트(미도시)를 포함할 수 있다.
상기 가스분사부(300)는, 플라즈마 형성을 위하여 기판지지부(200)가 접지되는 경우 RF전원이 인가될 수 있고, 반대로 기판지지부(200)에 RF전원이 인가되는 경우 접지될 수 있다.
상기 쉐도우프레임(400)은, 공정챔버(100) 내에 거치되며 기판(10) 또는 마스크(20) 상면에 안착됨으로써 불필요한 부분에 공정가스가 증착되는 것을 방지하기 위한 구성으로 다양한 구성이 가능하다. 이때, 공정챔버(100)에는 쉐도우프레임(400)의 가장자리를 지지함으로써 쉐도우프레임(400)의 거치를 위한 쉐도우프레임거치부(미도시)가 설치될 수 있다.
예로서, 공정챔버(100)에서 마스크(20) 없이 기판처리가 수행되는 경우, 상기 쉐도우프레임(400)은, 도 1 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 기판처리 시 기판(10) 상면 가장자리 둘레에 안착되어 기판(10)의 가장자리에 공정가스가 증착되는 것을 방지할 수 있다.
이때, 상기 쉐도우프레임(400)은, 기판(10) 상면 가장자리에 둘레에 안착됨과 동시에 기판지지부(200)의 상면 가장자리에 안착되어 지지될 수 있으며, 기판지지부(200)의 상면이 증착되는 것도 함께 방지할 수 있다.
상기 쉐도우프레임(400)은, 공정가스가 통과될 수 있도록 중앙부에 개방부(401)가 형성되는 중공형 프레임으로 가장자리 외곽부를 통해 기판(10)의 상면 가장자리에 안착될 수 있다.
상기 개방부(401)는, 기판(10) 상 기판처리가 필요한 영역을 가리지 않을 만큼의 크기와 형상으로 이루어질 수 있다.
특히, 상기 쉐도우프레임(400)은, 기판(10) 상면에 안착 시 기판(10)의 가장자리보다 외측으로 연장되는 연장영역(E)이 둘레를 따라 형성될 수 있다.
이때, 상기 연장영역(E)의 폭(D)는 설계에 따라 다양하게 설정될 수 있음은 물론이다.
상기 쉐도우프레임(400)은 연장영역(E)에 의해 기판(10)의 가장자리보다 더 외측으로 연장되므로, 기판(10)의 상면에 불필요한 증착이 이루어지는 것을 방지할 수 있다.
보다 바람직하게는, 상기 연장영역(E)은, 기판지지부(200)의 가장자리 보다 더 외측으로 연장된 영역(K)를 포함할 수 있다.
종래 기판처리장치의 경우, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 쉐도우프레임(400)과 공정챔버(100) 사이 공간(G)를 통해 공정가스가 하측으로 흘러 배기구(109)를 통해 외부로 배기되어야 하고, 상술한 바와 같이 배기구(109)가 공정챔버(100)의 중앙부에 설치되지 못하고 일측에 편중되어 형성됨에 따라 기판(10) 상면에서 공정가스의 흐름이 균일하지 못하고 기판(10) 상면의 영역에 따라 공정가스가 머무는 시간에 편차가 발생하는 문제점이 있다.
이에, 본 발명에 따른 기판처리장치의 쉐도우프레임(400)에는, 공정가스가 통과되기 위한 복수의 개구부(402)들이 형성될 수 있다.
상기 복수의 개구부(402)들은, 기판(10) 상면이 상측으로 노출되지 않도록, 쉐도우프레임(400)의 가장자리 둘레에 형성될 수 있다.
보다 구체적으로는, 상기 복수의 개구부(402)들은 쉐도우프레임(400) 중 기판(20)의 가장자리보다 외측으로 연장된 연장영역(E)에 형성될 수 있고, 보다 바람직하게는 기판지지부(200) 상면의 복개하여 불필요한 증착을 방지함과 아울러 개구부(402)를 통과하는 가스가 배기구(109)를 향해 원활히 흐를 수 있도록 기판지지부(200)의 가장자리 보다 더 외측으로 연장된 영역(K)에 형성될 수 있다.
이때, 상기 복수의 개구부(402)들은, 최적화된 공정가스 흐름을 형성하기 위하여 다양한 위치, 다양한 형상, 배치, 및 밀도로 형성될 수 있음은 물론이다.
예로서, 상기 복수의 개구부(402)들은, 도 3a 및 도 3b에 도시된 바와 같이, 배기구(109)까지의 거리에 따라 다양한 형상, 크기, 및 밀도로 배치될 수 있다.
상기 복수 개구부(402)들은, 배기구(109)까지의 거리가 멀어질수록 보다 가스배기가 용이하도록 형상, 크기, 및 밀도가 다양하게 조합될 수 있다.
즉, 배기구(109)에 가까이 위치된 개구부(402)들은 보다 큰 흡인력으로 공정가스를 통과시키므로 배기구(109)에서 멀리 위치된 개구부(402)들과 균일한 속도로 가스를 배기하기 위해서는 배기구(109)에 가까이 위치된 개구부(402)들 보다 크기가 크거나 또는 더 많은 개수로 구비될 필요가 있는 것이다.
각 배기구(109)의 형상 또한, 쉐도우프레임(400) 상 위치에 따라 다양하게 형성될 수 있으며 영역에 따라 서로 다른 형상으로 형성될 수 있음은 물론이다.
일 실시예에서, 상기 복수의 개구부(402)들은, 배기구(109)에서 멀어질수록 크기가 커질 수 있다.
다른 일 실시예에서, 상기 복수의 개구부(402)들은, 각각 동일한 크기로 형성되며, 상기 배기구(109)에서 멀어질수록 조밀하게 배치될 수 있다.
한편, 상기 개구부(402)는, 개구부(402)를 통과한 공정가스가 배기구(109)를 향하도록 내주면에 경사가 형성될 수 있다. 즉, 상기 개구부(402)는 개구부(402)를 통과하는 가스가 배기구(109)를 향해 흐름이 유도될 수 있도록 내주면에 경사진 가이드면이 형성될 수 있다.
이를 통해, 본 발명에 따른 쉐도우프레임(400)은 종래의 증착방지 기능뿐 만 아니라, 공정가스배기를 위한 배플로도 활용됨으로써 종래 공정챔버(100) 내의 불균일한 공정가스의 흐름을 크게 개선할 수 있는 이점이 있다.
또한, 가스의 흐름이 쉐도우프레임(400)의 개구부(402)로 유도될 수 있도록, 상기 연장영역(E)(또는 기판지지부(200) 가장자리 외측영역(K))의 폭(D)은 쉐도우프레임(400)과 공정챔버(100)의 내측벽 사이의 간격(G)보다 길게 형성됨이 바람직하다.
특히, 개구부(402)의 크기가 공정챔버(100)의 내측벽 사이의 간격(G)에 의한 공간보다 크게 형성됨으로써, 가스가 개구부(402)가 아닌 공정챔버(100)의 내측벽 사이의 간격(G)으로 유입되는 것이 방지될 수 있다.
한편, 상기 쉐도우프레임(400)은, 도 4에 도시된 바와 같이, 복수의 개구부(402)를 통과한 공정가스가 쉐도우프레임(400)과 기판지지부(200) 사이로 침투되는 것을 방지하기 위해 쉐도우프레임(400)의 저면에서 하방으로 연장형성되는 스커트부(410)를 포함할 수 있다.
상기 스커트부(410)는, 쉐도우프레임(400)의 저면에 설치되어 쉐도우프레임(400)의 개구부(402)를 통과한 공정가스를 하측으로 가이드하기 위한 구성으로 다양한 구성이 가능하다.
상기 스커트부(410)는, 기판지지부(200)의 측면둘레를 간격을 두고 둘러싸도록 쉐도우프레임(400)의 저면에 마스크(20)의 가장자리와 개구부(402) 사이의 경계 둘레를 따라 설치될 수 있다.
그에 따라, 개구부(402)를 통과한 공정가스는 스커트부(410)에 막혀 기판지지부(200)와 쉐도우프레임(400) 사이로 침투되지 못해 불필요한 영역에 박막이 증착되는 것이 효과적으로 방지될 수 있고, 스커트부(410)에 의해 개구부(402)를 통과한 공정가스의 흐름이 배기구(109) 측으로 유도될 수 있다.
지금까지 마스크(20) 없이 기판처리가 수행되는 경우를 가정하여, 본 발명의 쉐도우프레임(400)을 상술하였으나, 마스크(20)를 이용해 기판처리가 수행되는 경우에도 마스크(20) 상면에 동일한 구성의 쉐도우프레임(400)이 적용될 수 있음은 물론이다.
이때, 상기 쉐도우프레임(400)은 마스크(20)의 상면에 안착되는 점을 제외하고는 상술한 구성과 동일하거나 유사하게 구성될 수 있는 바, 동일하거나 유사하게 구성되는 범위에서 설명을 생략한다.
구체적으로, 이때 상기 쉐도우프레임(400)은 마스크(20)의 가장자리 둘레를 복개하며 기판지지부(200)에 지지될 수 있으며, 연장영역(E)는 마스크(20)의 가장자리보다 외측으로 연장되는 영역으로 정의될 수 있다.
구체적으로, 상기 쉐도우프레임(400)은, 마스크(20) 상면에 안착 시(보다 구체적으로는, 마스크(20)의 마스크프레임 상면에 안착될 수 있음) 상기 마스크(20)의 가장자리보다 외측으로 연장되는 연장영역(E)이 둘레를 따라 형성될 수 있고, 상기 복수의 개구부(402)들은 상기 연장영역(E)에 형성될 수 있다.
이 경우에도, 상기 연장영역(E)은, 기판지지부(200)의 가장자리 보다 더 외측으로 연장된 영역(K)을 포함할 수 있고, 복수의 개구부(402)들은 기판지지부(200)의 가장자리 보다 더 외측으로 연장된 영역(K)에 형성됨이 바람직하다.
한편, 상기 쉐도우프레임(400)은, 공정챔버(100) 내에 쉐도우프레임거치부(미도시)를 통해 가장자리가 거치된 상태로 있다가, 기판(10) 도입 후 기판처리를 위해 기판지지부(200)가 가스분사부(300)를 향해 승강됨에 따라 기판(10)(또는 마스크(20))에 밀착된 후 상측으로 들어올려져 기판(10)(또는 마스크(20))상에 안착되며, 쉐도우프레임(400)이 안착된 상태로 기판처리가 수행될 수 있다.
기판처리가 완료되면 기판지지부(200)가 하강함에 따라 쉐도우프레임(400)은 다시 쉐오두프레임거치부(미도시)에 거치될 수 있다.
상술한 쉐도우프레임(400) 및 이를 포함하는 기판처리장치는, 특정 기판처리공정에 한정되지 않으며 로드락/언로드락챔버, 이송챔버 등을 포함하는 인라인타입 또는 클러스터타입 등의 다양한 기판처리시스템에 적용될 수 있다.
이상은 본 발명에 의해 구현될 수 있는 바람직한 실시예의 일부에 관하여 설명한 것에 불과하므로, 주지된 바와 같이 본 발명의 범위는 위의 실시예에 한정되어 해석되어서는 안 될 것이며, 위에서 설명된 본 발명의 기술적 사상과 그 근본을 함께하는 기술적 사상은 모두 본 발명의 범위에 포함된다고 할 것이다.
10: 기판 20: 마스크
100: 공정챔버 200: 기판지지부
300: 가스분사부 400:쉐도우프레임

Claims (11)

  1. 밀폐된 처리공간(S)을 형성하며 기판처리를 수행하는 공정챔버(100)와;
    상기 공정챔버(100)에 설치되어 기판(10)을 지지하는 기판지지부(200)와;
    상기 공정챔버(100) 상측에 설치되어 상기 처리공간(S)으로 공정가스를 분사하는 가스분사부(300)와;
    상기 공정챔버(100) 내에 거치되며 기판처리 시 기판(10) 상면 가장자리 둘레에 안착되는 쉐도우프레임(400)을 포함하며,
    상기 쉐도우프레임(400)의 가장자리 둘레에는 상기 공정가스가 통과되기 위한 복수의 개구부(402)들이 형성되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 쉐도우프레임(400)은, 상기 기판(10) 상면에 안착 시 상기 기판(10)의 가장자리보다 외측으로 연장되는 연장영역(E)이 둘레를 따라 형성되며,
    상기 복수의 개구부(402)들은 상기 연장영역(E)에 형성되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 공정챔버(100) 에는 상기 처리공간(S)의 배기를 위한 하나 이상의 배기구(109)가 형성되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  4. 청구항 3에 있어서,
    상기 복수의 개구부(402)들은, 상기 배기구(109)에서 멀어질수록 크기가 커지는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  5. 청구항 3에 있어서,
    상기 복수의 개구부(402)들은, 각각 동일한 크기로 형성되며, 상기 배기구(109)에서 멀어질수록 조밀하게 배치되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  6. 청구항 3에 있어서,
    상기 복수의 개구부(402)들은, 상기 쉐도우프레임(400) 상 영역에 따라 서로 다른 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  7. 청구항 3에 있어서,
    상기 개구부(402)는, 상기 개구부(402)를 통과한 공정가스가 상기 배기구(109)를 향하도록 내주면에 경사가 형성되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  8. 청구항 1에 있어서,
    상기 연장영역(E)의 폭은 상기 쉐도우프레임(400)과 상기 공정챔버(100)의 내측벽 사이의 간격(G)보다 긴 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  9. 청구항 1에 있어서,
    상기 쉐도우프레임(400)은, 상기 복수의 개구부(402)를 통과한 공정가스가 상기 쉐도우프레임(400)과 상기 기판지지부(200) 사이로 침투되는 것을 방지하기 위해 상기 쉐도우프레임(400)의 저면에서 하방으로 연장형성되는 스커트부(410)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  10. 밀폐된 처리공간(S)을 형성하며 마스크(20)를 이용하여 기판처리를 수행하는 공정챔버(100)와;
    상기 공정챔버(100)에 설치되어 기판(10)을 지지하는 기판지지부(200)와;
    상기 공정챔버(100) 상측에 설치되어 상기 처리공간(S)으로 공정가스를 분사하는 가스분사부(300)와;
    상기 공정챔버(100) 내에 거치되며 기판처리 시 상기 마스크(20) 상면 가장자리 둘레에 안착되는 쉐도우프레임(400)을 포함하며,
    상기 쉐도우프레임(400)의 가장자리 둘레에는 상기 공정가스가 통과되기 위한 복수의 개구부(402)들이 형성되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  11. 청구항 10에 있어서,
    상기 쉐도우프레임(400)은, 상기 마스크(20) 상면에 안착 시 상기 마스크(20)의 가장자리보다 외측으로 연장되는 연장영역(E)이 둘레를 따라 형성되며,
    상기 복수의 개구부(402)들은 상기 연장영역(E)에 형성되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
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